JP2005209712A - 半導体装置の製造方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】サーマルバジェットを低減し、生産性や特性を向上させる。
【解決手段】連続処理装置での連続処理は、ウエハを搬入室２０から負圧移載室１０を介してＭＭＴ装置７０に搬送するステップＳ１と、ウエハ表面にプラズマ窒化膜をＭＭＴ装置７０で形成する界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２と、プラズマ窒化膜が形成されたウエハをＭＭＴ装置７０から熱ＣＶＤ装置２００へ負圧移載室１０を介して搬送するステップＳ３と、プラズマ窒化膜が形成されたウエハの上に酸化タンタル膜が熱ＣＶＤ装置２００で形成される金属酸化膜の成膜ステップＳ４と、酸化タンタル膜が形成されたウエハを熱ＣＶＤ装置２００からＭＭＴ装置７０へ搬送する二回目のＭＭＴ装置７０への搬送ステップＳ５と、ウエハの上に形成された酸化タンタル膜がＭＭＴ装置７０でプラズマ酸化される金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法および基板処理装置に関し、特に、ＤＲＡＭ（Dynamic Random-Access Memory）やＤＲＡＭ混載システムＬＳＩ（以下、ＤＲＡＭという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に電気容量絶縁膜やゲート絶縁膜として適用される容量絶縁膜を形成するのに利用して有効なものに関する。

ＤＲＡＭの高集積化に伴い、キャパシタや抵抗等を構成する絶縁体膜の薄膜化が要求されている。また、キャパシタの容量Ｃは理論的に、Ｃ＝ε＊Ｓ／ｄ、で表されるように、面積Ｓおよび誘電率εに比例し、電極間距離ｄに反比例するので、薄膜化に加えて、高い誘電率を有する絶縁体膜（高誘電体膜）が要求されている。これらの要求に応える高誘電体膜としては金属誘電体膜、特に、タンタル（Ｔａ）を含む誘電体膜が有望である。このタンタル含有膜によるキャパシタの製造プロセス（方法ないしは工程）としては、次のフローが考えられる。
（１）シリコンウエハに特定の不純物を一定量ドーピングして下部電極層を形成する。
（２）下部電極層上に酸素を遮断するためのバリア層、例えば、窒化珪素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）膜を形成する。
（３）バリア層上に酸化タンタル膜をＣＶＤ法によって成膜する。
（４）酸化タンタル膜の不動態化を促進すべくリモートプラズマ処理による酸化または紫外線オゾン（Ｏ₃ ）酸化等によって酸化タンタル膜をさらに酸化する。
（５）結晶化によって誘電率をより一層高めるために、酸化タンタル膜をアニール処理してタンタル含有誘電体膜とする。
（６）上部電極層として窒化チタン（ＴｉＮ）等を成膜してＭＩＳ型のキャパシタ部材を得る。
ちなみに、バリア層の形成には、処理温度が約７５０℃でのＲＴＮ（Rapid Thermal Nitridation ）処理による窒化珪素膜の形成が、主に適用されており、酸化タンタル膜の不動態化の促進には、処理温度が６００℃以上でのリモートプラズマ処理による酸化または紫外線オゾン酸化が、適用されている。なお、酸化タンタル膜をＣＶＤ法によって成膜する技術を述べている例としては、特許文献１がある。
特開２０００−３４０７７０号公報

しかし、ＤＲＡＭ混載システムＬＳＩの製造方法においては、サーマルバジェット（Thermal Budget）を低減する観点から、タンタル含有膜によるキャパシタの製造工程の処理温度の低温化が要求されている。また、タンタル含有膜によるキャパシタの製造工程における各処理（ステップ）が、それぞれ別々の基板処理装置が使用されて実施され、しかも、各基板処理装置間をウエハキャリアによって運搬される場合には、手間が浪費されるばかりでなく、各処理後のウエハに時間に依存した自然酸化膜の増加や有機汚染等の悪影響を受け易い。特に、窒化珪素膜の形成後にこれらの悪影響を受けた場合には、バリア層の膜質の劣化や酸化タンタル膜の成膜におけるインキュベーションタイムの変動等を引き起こすために、ＤＲＡＭ混載システムＬＳＩの特性が悪化する可能性がある。

本発明の目的は、サーマルバジェットを低減することができるとともに、生産性および特性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を予備室から搬送室を介して第一処理室に搬送するステップと、
前記第一処理室において第一処理として前記基板の表面に界面酸化防止膜を形成するステップと、
前記第一処理が施された前記基板を前記第一処理室から前記搬送室を介して第二処理室へ搬送するステップと、
前記第二処理室において第二処理として前記界面酸化防止膜が形成された前記基板上に金属酸化膜を形成するステップと、
前記第二処理が施された前記基板を前記第二処理室から前記搬送室を介して第三処理室へ搬送するステップと、
前記第三処理室において第三処理として前記基板上に形成された前記金属酸化膜の膜質改善処理を施すステップと、
前記第三処理が施された前記基板を前記第三処理室から前記搬送室を介して前記予備室へ搬送するステップと、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）外部との間で基板を授受する予備室と、第一処理として前記基板の表面に界面酸化防止膜を形成する第一処理室と、第二処理として前記界面酸化防止膜が形成された前記基板上に金属酸化膜を形成する第二処理室と、第三処理として前記基板上に形成された前記金属酸化膜の膜質改善処理を施す第三処理室と、前記予備室と前記各処理室とを結び前記基板を搬送する搬送室と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（３）前記（１）および前記（２）において、前記第一処理室と前記第三処理室とは同一の処理室であり、前記第一処理と前記第三処理とは同一の処理室において実施されることを特徴とする。
（４）前記（３）において、前記第一処理および前記第三処理は、マグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source）を用いたプラズマ処理であることを特徴とする。
（５）前記（１）および前記（２）において、前記第一処理室および前記第三処理室は、マグネトロン型プラズマ源を用いたプラズマ処理を実施することを特徴とする。
（６）前記（１）および前記（２）において、前記第一処理はマグネトロン型プラズマ源を用いたプラズマ窒化処理であり、第三処理はマグネトロン型プラズマ源を用いたプラズマ酸化処理であることを特徴とする。
（７）前記（１）および前記（２）において、前記第二処理は熱ＣＶＤによる酸化タンタル膜の成膜であることを特徴とする。
（８）前記（１）および前記（２）において、前記予備室から前記搬送室を介して第一処理室に搬送される前記基板の表面には、ＨＳＧ（Hemispherical Grain ）、ポリシリコン、不純物がドープされたＨＳＧ、不純物がドープされたポリシリコン、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）または窒化チタンが形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、サーマルバジェットを低減することができるとともに、生産性および特性を向上させることができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

図１は本発明の一実施の形態であるＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタの絶縁体膜形成工程を示すフローチャートである。図２以降は本発明の一実施の形態に係るマルチチャンバ型連続処理装置を示している。まず、本実施の形態に係るマルチチャンバ型連続処理装置について説明する。

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、界面酸化防止膜形成処理、金属酸化膜形成処理および金属酸化膜膜質改善処理を連続して処理するマルチチャンバ型連続処理装置（以下、連続処理装置という。）として構成されている。本実施の形態においては、ウエハキャリアとしてはＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。以下の説明において、前後左右は図２を基準とする。すなわち、ウエハ移載室４０側が前側、その反対側すなわちウエハ移載室１０側が後側、搬入用予備室２０側が左側、搬出用予備室３０側が右側とする。

図２および図３に示されているように、連続処理装置は大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成されたウエハ移載室（以下、負圧移載室という。）１０を備えており、負圧移載室１０の筐体（以下、負圧移載室筐体という。）１１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。負圧移載室１０の中央部には負圧下でウエハＷを移載するウエハ移載装置（以下、負圧移載装置という。）１２が設置されており、負圧移載装置１２はスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、負圧移載室筐体１１の底壁に設置されたエレベータ１３によって気密シールを維持しつつ昇降するように構成されている。負圧移載装置１２は上側に位置するアーム（以下、上側アームという。）１４と、下側に位置するアーム（以下、下側アームという。）１５とを備えており、上側アーム１４と下側アーム１５の先端部にはウエハＷを下から支持する二股のフォーク形状に形成された上側エンドエフェクタ１６および下側エンドエフェクタ１７がそれぞれ取り付けられている。

負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち正面側に位置する二枚の側壁には、搬入用予備室（以下、搬入室という。）２０と搬出用予備室（以下、搬出室という。）３０とがそれぞれ隣接して連結されている。搬入室２０の筐体（以下、搬入室筐体という。）２１および搬出室３０の筐体（以下、搬出室筐体という。）３１のそれぞれは、平面視が大略四角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入口２２、２３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入口２３には搬入口２２、２３を開閉するゲートバルブ２４が設置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬出口３２、３３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬出口３３には搬出口３２、３３を開閉するゲートバルブ３４が設置されている。搬入室２０には搬入室用仮置き台２５が設置され、搬出室３０には搬出室用仮置き台３５が設置されている。

搬入室２０および搬出室３０の前側には、大気圧以上の圧力（正圧）を維持可能な構造に構成されたウエハ移載室（以下、正圧移載室という。）４０が隣接して連結されており、正圧移載室４０の筐体（以下、正圧移載室筐体という。）４１は平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。正圧移載室４０には正圧下でウエハＷを移載するウエハ移載装置（以下、正圧移載装置という。）４２が設置されており、正圧移載装置４２はスカラ形ロボットによって二枚のウエハを同時に搬送し得るように構成されている。正圧移載装置４２は正圧移載室４０に設置されたエレベータ４３によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ４４によって左右方向に往復移動されるように構成されている。

互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬入口２６、２７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬入口２７には搬入口２６、２７を開閉するゲートバルブ２８が設置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬出口３６、３７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬出口３７には搬出口３６、３７を開閉するゲートバルブ３８が設置されている。図２に示されているように、正圧移載室４０の左側にはノッチ合わせ装置４５が設置されている。また、図３に示されているように、正圧移載室４０の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット４６が設置されている。

図２および図３に示されているように、正圧移載室筐体４１の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９が左右方向に並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９はウエハＷを正圧移載室４０に対して搬入搬出し得るように設定されている。これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９にはポッドオープナ５０がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ５０はポッドＰを載置する載置台５１と、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップを着脱するキャップ着脱機構５２とを備えており、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構５２によって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。ポッドオープナ５０の載置台５１に対してはポッドＰが、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるようになっている。したがって、載置台５１によってキャリアステージとしてのポッドステージが構成されていることになる。

図２に示されているように、負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、第一処理ユニット（チャンバ）６１および第二処理ユニット６２がそれぞれ隣接して連結されている。また、負圧移載室筐体１１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一クーリングユニット６３および第二クーリングユニット６４がそれぞれ連結されており、第一クーリングユニット６３および第二クーリングユニット６４はいずれも処理済みのウエハＷを冷却するように構成されている。第一処理ユニット６１にはマグネトロン型プラズマ源を用いた処理装置（以下、ＭＭＴ装置という。）が使用されており、第一処理としての界面酸化防止膜形成処理と、第三処理としての金属酸化膜膜質改善処理をそれぞれ実施するように設定されている。第二処理ユニット６２には熱ＣＶＤ装置が使用されており、第二処理としての金属酸化膜形成処理を実施するように構成されている。

第一処理ユニット６１に使用されたＭＭＴ装置７０は、図４に示されているように構成されている。図４に示されているように、ＭＭＴ装置７０は処理室７１を備えており、処理室７１は下側容器７２と、下側容器７２の上に被せられた上側容器７３とから構成されている。上側容器７３はドーム型の酸化アルミニウムまたは石英で形成されており、下側容器７２はアルミニウムで形成されている。上側容器７３の上部にはガス分散空間であるバッファ室７５を形成するシャワーヘッド７４が設けられており、下壁にはガスを噴出する噴出口であるガス噴出孔７７を有するシャワープレート７６が形成されている。シャワーヘッド７４の上壁にはガス導入口７８が開設されており、ガス導入口７８にはガスを供給する供給管であるガス供給管７９が接続されている。ガス供給管７９は開閉弁８０と、マスフローコントローラ８１とを介してガス供給装置（図示せず）に接続されている。下側容器７２の側壁には排気口８２が開設されており、排気口８２は排気管８３により圧力調整弁８４と開閉弁８５とを介して排気装置である真空ポンプ８６に接続されている。さらに、下側容器７２の側壁の他の位置には仕切弁となるゲートバルブ８７が設けられている。そして、ゲートバルブ８７が開いている時にはウエハＷが処理室７１に負圧移載装置によって搬入および搬出され、ゲートバルブ８７が閉じている時には処理室７１は気密に維持される。

上側容器７３の外側には反応ガスを励起させる放電手段として筒状（好適には円筒状）の筒状電極９１が同心円に敷設されており、筒状電極９１は処理室７１のプラズマ生成領域９０を囲んでいる。筒状電極９１には高周波電力を印加する高周波電源９３がインピーダンスの整合を行う整合器９２を介して接続されている。筒状電極９１の外側には筒状（好適には円筒状）の磁界形成手段である筒状磁石９４が同心円に敷設されており、筒状磁石９４は筒状電極９１の外側の表面の上下端近傍に配置されている。上下の筒状磁石９４、９４は処理室７１の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石９４、９４の磁極の向きが逆向きに設定されている。したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極９１の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。筒状電極９１および筒状磁石９４の周囲には電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板９５が設置されており、遮蔽板９５は筒状電極９１および筒状磁石９４で形成される電界や磁界を外部環境等に悪影響を及ぼさないように遮蔽している。

下側容器７２の中心部にはエレベータによって昇降駆動されるサセプタ昇降軸９６が垂直方向に昇降するように支承されており、サセプタ昇降軸９６の処理室７１側の上端にはウエハＷを保持するための保持手段としてのサセプタ９９が水平に設置されている。サセプタ昇降軸９６は下側容器７２と絶縁されており、下側容器７２の底面上におけるサセプタ昇降軸９６の外方には三本の突き上げピン９７が垂直に立設されている。三本の突き上げピン９７はサセプタ昇降軸９６の下降時にサセプタ９９に開設された三個の挿通孔９８を下から挿通して、サセプタ９９の上に保持されたウエハＷを突き上げるように構成されている。サセプタ９９は誘電体である石英によってウエハＷよりも大径の円盤形状に形成されており、ヒータ（図示せず）が内蔵されている。サセプタ９９にはインピーダンスを調整するインピーダンス調整器１００が電気的に接続されている。インピーダンス調整器１００はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、サセプタ９９を介してウエハＷの電位を制御し得るようになっている。

また、図４に示されているように、ＭＭＴ装置７０はコンピュータ等によって構成された制御手段であるコントローラ１０１を備えており、コントローラ１０１は開閉弁８０、マスフローコントローラ８１、圧力調整弁８４、開閉弁８５、真空ポンプ８６、ゲートバルブ８７、整合器９２、高周波電源９３、サセプタ昇降軸駆動装置、インピーダンス調整器１００等に接続されて、それらを制御するように構成されている。

次に、以上の構成に係るＭＭＴ装置の作用を説明する。

ウエハＷは処理室７１に負圧移載装置１２によってゲートバルブ８７から搬入され、サセプタ９９の上に移載される。この際、まず、サセプタ９９がサセプタ昇降軸９６によって下降され、突上げピン９７の先端がサセプタ９９の挿通孔９８を挿通してサセプタ９９の上面よりも所定の高さ分だけ突き出される。続いて、下側容器７２に設けられたゲートバルブ８７が開かれて、ウエハＷが負圧移載装置１２によって搬入され、三本の突き上げピン９７の上端間に移載される。ウエハＷを突き上げピン９７に移載したウエハ移載装置が処理室７１の外へ退避すると、ゲートバルブ８７が閉まり、サセプタ９９がサセプタ昇降軸９６により上昇され、ウエハＷが突き上げピン９７の上からサセプタ９９に受け渡される。

サセプタ９９のヒータは予め加熱されており、サセプタ９９に保持されたウエハＷを室温〜５００℃の範囲内で所定の処理温度に加熱する。処理室７１の圧力は０．１〜１００Ｐａの範囲内に真空ポンプ８６および圧力調整弁８４によって維持される。ウエハＷが処理温度に加熱されると、反応ガスが処理室７１にガス導入口７８からシャワープレート７６のガス噴出孔７７を介してシャワー状に導入される。同時に、１５０〜２００Ｗの高周波電力が筒状電極９１に高周波電源９３から整合器９２を介して印加される。この際、インピーダンス調整器１００は予め所望のインピーダンス値に制御しておく。筒状磁石９４、９４の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハＷの上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域９０に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ９９上のウエハＷの表面にプラズマ処理が施される。表面処理が終わったウエハＷは、負圧移載装置１２によって搬入時と逆の手順で処理室７１の外へ搬送される。

なお、コントローラ１０１により高周波電源９３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器９２の調整、開閉弁８０の開閉、マスフローコントローラ８１の流量、圧力調整弁８４の弁開度、開閉弁８５の開閉、真空ポンプ８６の起動・停止、サセプタ昇降軸９６の昇降動作、ゲートバルブ８７の開閉、サセプタ９９のヒータに高周波電力を印加する高周波電源への電力ＯＮ・ＯＦＦをそれぞれを制御している。

第二処理ユニット６２に使用された枚葉式ホットウオール形ＣＶＤ装置（以下、熱ＣＶＤ装置という。）２００は、図５に示されているように構成されている。図５に示されているように、熱ＣＶＤ装置２００は処理室２０２を形成したプロセスチューブ２０１を備えており、プロセスチューブ２０１は石英や炭化珪素またはアルミナ等が使用されて水平方向に偏平な直方体の箱形状に形成されている。処理室２０２の底面上にはウエハ支持台２０３が設置されている。プロセスチューブ２０１の上下には上ヒータ２０４および下ヒータ２０５がそれぞれ設置されており、上ヒータ２０４および下ヒータ２０５は処理室２０２を均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。上ヒータ２０４および下ヒータ２０５には加熱温度を制御する温度制御装置２０６が接続されている。上ヒータ２０４および下ヒータ２０５の外側には断熱材２０７がプロセスチューブ２０１を覆うように設置されている。プロセスチューブ２０１の両端にはガス導入フランジ２０８およびガス導入フランジ２０９が設けられている。一方のガス導入フランジ２０８には負圧移載室１０との間を仕切るゲートバルブ２１０が取り付けられており、他方のガス導入フランジ２０９にはプラグ２１１が取り付けられている。ガス導入フランジ２０８およびガス導入フランジ２０９には排気管２１２、２１３が接続されており、排気管２１２、２１３にはプロセスチューブ２０１内の圧力を制御する圧力制御装置２１４、２１５がそれぞれ介設されている。なお、温度制御装置２０６、圧力制御装置２１４、２１５はコントローラ２１６によって制御されるようになっている。

両ガス導入フランジ２０８および２０９には原料ガス供給装置２２０が接続されている。すなわち、原料ガス供給装置２２０は各窒素ガス供給配管２２１，２２２および２２７と、有機ＴａソースとしてのＴａ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₅ （ペンタエトキシタンタル。以下、ＰＥＴａという。）供給配管２２３と、恒温器２２４と、ＰＥＴａ液体原料２２５と、ＰＥＴａタンク２２６と、液体流量制御装置２３３と、気化器２２８と、供給加熱配管２２９，２３１と、酸素供給配管２３０，２３２とを備えており、供給加熱配管２２９および酸素供給配管２３０がガス導入フランジ２０８に接続され、供給加熱配管２３１および酸素供給配管２３２がガス導入フランジ２０９に接続されている。なお、２３４は開閉弁、２３５はマスフローコントローラである。
窒素ガス供給配管２２１から供給された窒素ガスは、窒素ガス供給配管２２２と窒素ガス供給配管２２７とにそれぞれ分岐される。窒素ガス供給配管２２２の窒素ガスはＰＥＴａタンク２２６に導入し、ＰＥＴａタンク２２６のＰＥＴａ液体原料２２５をＰＥＴａ供給配管２２３に押し出す。ＰＥＴａタンク２２６は恒温器２２４によって温度制御されている。ＰＥＴａ液体原料２２５はＰＥＴａ供給配管２２３から液体流量制御装置２３３を介して流量制御されて、気化器２２８に供給される。また、気化器２２８には窒素ガス供給配管２２７から窒素ガスが供給されている。気化器２２８によって気化されたＰＥＴａ原料ガスおよび窒素ガスは、供給加熱配管２２９または供給加熱配管２３１を介してガス導入フランジ２０８またはガス導入フランジ２０９から処理室２０２に導入される。このとき、処理室２０２には酸素供給配管２３０または酸素供給配管２３２を介してガス導入フランジ２０８またはガス導入フランジ２０９から酸素ガスが同時に導入される。

次に、以上の構成に係る熱ＣＶＤ装置の作用を説明する。
処理室２０２の温度が上ヒータ２０４と下ヒータ２０５により処理温度に維持された状態で、ゲートバルブ２１０が開かれると、ウエハＷが処理室２０２に負圧移載装置１２（図２参照）によって搬入され、ウエハ支持台２０３に載置される。本実施の形態においては、ウエハ支持台２０３には１枚または２枚のウエハＷが載置され、１枚または２枚のウエハＷが処理される。なお、２枚のウエハＷを処理する場合は、同時に処理する２枚のウエハＷの熱履歴を等しくするために、２枚のウエハＷは処理室２０２に同時に搬送される。ウエハＷが処理室２０２に搬入されると同時に、ウエハＷの処理温度までの昇温が開始される。
ウエハ移載装置１２が後退してゲートバルブ２１０が閉じられた後に、処理室２０２の圧力は処理圧力となるように圧力制御装置２１４、２１５により圧力安定化制御される。処理室２０２の温度はウエハ温度が処理温度となるように温度制御装置２０６により温度安定化制御される。この処理室２０２の圧力安定化制御およびウエハＷの温度安定化制御の際に、処理室２０２には窒素ガスが供給加熱配管２２９、２３１により導入されつつ、排気管２１２、２１３により排気され、処理室２０２は窒素ガス雰囲気とされる。
処理室２０２の圧力が処理圧力に安定化し、ウエハＷの温度が処理温度に安定化した後に、処理室２０２には処理ガスとしてのＰＥＴａ原料ガスおよび酸素ガスが、前述した原料ガス供給装置２２０の作用によって供給されるとともに、排気管２１２、２１３より排気されて流通されることにより、ウエハＷが処理される。この際、処理の均一性を確保するため、処理ガスは対角に向かって交互に流すのが好ましい。
例えば、まず、処理ガスを前側のガス導入フランジ２０８から後側のガス導入フランジ２０９へ向かってウエハＷの表面に対して略水平な方向に流し、その後、それとは反対向きに、後側のガス導入フランジ２０９から前側のガス導入フランジ２０８へ向かってウエハＷの表面に対して略水平な方向に流し、所要時間毎に流れの向きを変更するのが好ましい。なお、処理の均一性が処理ガスの流れの向きに依存しないような場合は、処理ガスは一方向に向かって流れるようにしてもよい。すなわち、処理ガスを前側のガス導入フランジ２０８から後側のガス導入フランジ２０９へ向かってウエハＷの表面に対して略水平な方向に流してもよいし、反対向きに、後側のガス導入フランジ２０９から前側のガス導入フランジ２０８へ向かってウエハＷの表面に対して略水平な方向に流してもよい。
ウエハＷへのＣＶＤ膜の形成が完了すると、処理室２０２の残留ガスを除去するために、処理室２０２には窒素ガスが供給加熱配管２２９、２３１によって供給されつつ、排気管２１２、２１３よって排気されることにより、窒素ガスパージされる。処理室２０２の窒素ガスパージ後に、処理室２０２の圧力が圧力制御装置２１４、２１５により、ウエハ搬送圧力となるように調整される。処理室２０２の圧力が搬送圧力となった後に、ゲートバルブ２１０が開かれ、ウエハＷはウエハ移載装置１２により負圧移載室１０（図２参照）へ搬出される。
なお、ウエハ処理時の処理ガスの供給流量、ウエハ処理前または後の窒素ガスの供給流量は各開閉弁２３４によって適宜に制御される。また、圧力制御装置２１４、２１５による処理室２０２の圧力制御、温度制御装置２０６による処理室２０２の温度制御、マスフローコントローラ２３５による処理室２０２へのガス流量制御は、コントローラ２１６が各制御装置を制御することにより行われる。

以下、本発明の一実施の形態であるＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタの絶縁体膜形成工程（方法）を説明する。
本実施の形態に係る絶縁体膜の形成方法は、下部電極形成後のウエハの上に金属酸化膜を含む絶縁体膜を形成する方法であって、同一の連続処理装置内での連続処理により、ウエハの上にバリア層となる第一膜としての界面酸化防止膜を形成する第一ステップと、金属原子を含む第二膜を形成する第二ステップと、第二膜を有するウエハの上に酸素ガスを供給しつつプラズマ放電してウエハを加熱し第二膜を第三膜へ改質する第三ステップとを備えている。その後、ウエハが加熱されて第三膜から第四膜へ改質される第四ステップを経て、絶縁体膜が形成される。
これらのステップを備えた絶縁体膜の形成方法においては、第一ステップにおいて、下部電極へのバリア層になる第一膜が形成される。具体的には、例えば、ＲＴＮ法やプラズマ窒化法により、第一膜としてシリコン窒化膜が形成される。
第二ステップにおいては、金属膜や金属酸化膜等の第二膜が形成される。例えば、高誘電体膜としての絶縁体膜を形成する場合には、ＰＥＴａ等のアルコキシタンタルのような有機Ｔａソースを用いたＭＯＣＶＤ法により、第二膜としてのＴａ酸化膜が形成される。Ｔａの酸化物は五価化合物つまりＴａ₂ Ｏ₅ の形態が最も安定である。しかし、ＭＯＣＶＤ法によって成膜した直後の膜（第二膜に相当）は、このような化学量論的な組成を有しないことが多く、その状態では金属膜としての性質を呈することもあり、完全な絶縁体膜になり得ない。したがって、第二膜として金属膜を形成した場合には、酸化による絶縁体化が必要になる。
そこで、第三ステップを実施して、第二膜をプラズマ酸化して第三膜を形成する。通常、第二膜は非晶質（アモルファス）状態を呈しており、このような状態で、第三ステップを実施することにより、充分かつ効率的な酸化が達成される。ここで、ウエハの上へプラズマ酸素を供給する方法としては、ＭＭＴ装置の使用等を例示することができる。
この第三ステップではウエハの上へプラズマにより活性化された酸素ガスの供給とともに、ウエハが加熱され、第二膜内を拡散して行き、第二膜を酸化する。この酸化反応は拡散に主に支配されるもので、第二膜の厚さが増大しても、膜全体にわたって酸化反応が充分かつ迅速に進行する。
このようにして得られる第三膜は金属酸化膜として実質的に化学量論的な組成を有する膜すなわち前記したＴａ酸化膜の例でいえば実質的にＴａ₂ Ｏ₅ の組成を有する膜であって、第二膜の改質、具体的には不動態化が行われたことになる。このようにして形成された第三膜は、この状態で絶縁体膜ひいては誘電体膜として機能し得るが、アモルファス状態の第二膜を酸化して得られたものであって非晶質性を有しており、結晶化が図られていない。

ここで、前述したように、これら第一ステップから第三ステップを連続的に処理することが、本発明の特徴である。これら第一ステップから第三ステップを同一の連続処理装置内で連続的に処理することにより、ウエハ搬送装置や搬送部材の共有化を図ることができるために、三つのステップ間のウエハの搬送や移動が不要になる。また、これにより、第一ステップ終了後から第二ステップ開始までの時間に依存したデバイス特性の劣化を防止することができる。さらに、第一ステップと第三ステップとがどちらもプラズマ処理によって実施された場合には、プラズマ条件やガス種および圧力を変更するだけで、第一ステップと第三ステップとを同一の処理室で処理することができるので、処理室の数を低減することができる。これらにより、これらの三つのステップをあわせて一つの工程（製造プロセス）と看做し得るように処理することができる。

また、前述したように、第三ステップにおける酸化反応は酸化因子の膜中における拡散に主に支配されるので、酸化因子の拡散定数または拡散速度を制御することにより、最適な酸化処理を実行することができる。この拡散定数または拡散速度はウエハの温度およびその周囲の圧力に大きく依存し、酸化量は処理時間にも依存する。したがって、第三ステップにおいては、第二膜の種類や膜厚または成膜条件に応じて、ウエハの周囲の圧力やウエハの加熱温度またはウエハの処理時間、あるいは、これらを複数組み合わせて制御することが好ましい。このようにすれば、第三ステップにおける酸化反応の最適化を図ることができる。第二膜の膜厚によっては下地層をも酸化し易くなるので、このような傾向を考慮して拡散定数を調整することにより、下地層の酸化を有効に制御することができる。
第三膜がＡｌやＨｆ等の金属酸化膜の場合や、ＭＩＭ構造における絶縁体膜形成では、第三膜の上に電極を成膜しキャパシタを形成する場合もあるが、多くの場合、金属酸化膜を結晶化する必要がある。そこで、第四ステップでは、ウエハの加熱処理すなわちアニール処理を実施する。この加熱処理時にはＯ₂ 等の酸素原子を含むガスをウエハに供給することもある。これにより、第三膜の結晶化を図り、かつ、その結晶化度を充分に高め、高誘電率を発現する第四膜を形成する。

前述したように、第二膜に使用する金属は特に限定されないが、固有の誘電率が充分に大きなものが好ましい。例えば、Ｔａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＢＳＴ（Ｂａ−Ｓｒ−Ｔｉ）、ＳＴ（Ｓｒ−Ｔｉ）、および、これらの混合物が挙げられる。これらを使用すると、第四膜として、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＨｆＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、Ｔｉ₂ Ｏ₃ 、ＮｂＯ₅ 、｛（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃ ｝およびＳｒＴｉＯ₃ がそれぞれ形成される。なかでも、Ｔａ₂ Ｏ₅ の誘電率は「２５」程度であり、窒化膜（ＳｉＮｙ）の「７」程度、他の酸化膜の「３．５〜４」程度等に比べて格段に高い誘電率を呈し、さらに、使用実績があることから、実用上、Ｔａ₂ Ｏ₅ は好適な材料である。つまり、第二ステップにおいては、金属原子としてＴａ原子を含む第二膜を形成することが望ましい。

近年、半導体素子の微細化が急加速しているが、これに使用されるキャパシタや抵抗の性能は材料特性で決定されることが多く、キャパシタ等が占める素子領域をこれまで以上に飛躍的に縮小するには限界が見え始めている。ある試算によれば、設計ルールの進展に伴い、素子チップの上の約三割の領域をキャパシタや抵抗が占有するであろうと指摘されている。したがって、本発明を適用すれば、工程（製造プロセス）の簡素化を図るとともに、下地の酸化を制御しつつ、Ｔａ等の高誘電体材料を使用することにより、キャパシタ領域等のさらなる縮小化に寄与することができる。

なお、第一ステップにおいて界面酸化防止膜を形成する基板処理装置は、ランプ、ホットウオール、サセプタ加熱、プラズマ等のタイプ（方式）には依存しない。
第二ステップにおいて金属酸化膜を形成する基板処理装置は、ホットウオール、コールドウオール等のタイプには依存しない。
第三ステップにおいて金属酸化膜の膜質改善処理を実施する基板処理装置は、ランプ、ホットウオール、サセプタ加熱、プラズマ、紫外線等のタイプには依存しない。
ここで、界面酸化防止膜の成膜ステップおよび金属酸化膜の膜質改善処理ステップのいずれもがプラズマ処理によって実施される場合には、プラズマ条件やガス種および圧力を変更するだけで、第一ステップと第三ステップとを同一の処理室において実施することができ、処理室の数を低減することができるので、プラズマを使用した基板処理装置を適用することが望ましい。

以下、界面酸化防止膜をＭＭＴ装置によってプラズマ窒化し（第一ステップ）、金属酸化膜であるＴａ酸化膜を熱ＣＶＤ装置によって成膜し（第二ステップ）、金属酸化膜の膜質改善処理（第三ステップ）をＭＭＴ装置によるプラズマ酸化によって実施することにより絶縁体膜を形成する場合の本発明の一実施の形態である図１に示されたキャパシタの絶縁膜形成工程（方法）を、前記構成に係る連続処理装置を使用して実施する場合について説明する。なお、図６は図１に示されたキャパシタの絶縁膜形成方法が実施される場合における同一のウエハの流れを示している。

これから連続処理すべきウエハＷはポッドＰに収納された状態で、キャパシタの絶縁体膜形成工程を実施する連続処理装置へ工程間搬送装置によって搬送されて来る。図１に示された下部電極形成工程において、このウエハＷには下部電極が予め形成されている。すなわち、下部電極形成工程においては、不純物を所定濃度で含むＨＳＧ膜またはドープドシリコン膜がシリコンから成るウエハに形成され、必要に応じて、ＰＨ₃ アニールが実施されることにより、下部電極がウエハに形成される。なお、下部電極が形成されたウエハＷは洗浄工程において自然酸化膜を除去される。

ポッドＰは搬入室２０におけるポッドオープナ５０の載置台５１の上に工程間搬送装置から受け渡されて載置される。ポッドＰのキャップがキャップ着脱機構５２によって取り外され、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放される。ポッドＰがポッドオープナ５０によって開放されると、正圧移載装置４２はウエハ搬入搬出口４７を通してポッドＰからウエハＷを一枚ずつピックアップし、搬入室２０に搬入口２６、２７を通して搬入（ウエハローディング）し、ウエハＷを搬入室用仮置き台２５に移載して行く。この移載作業中には、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３はゲートバルブ２４によって閉じられており、負圧移載室１０の負圧は維持されている。ウエハＷの搬入室用仮置き台２５への移載が完了すると、正圧移載室４０側の搬入口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられ、搬入室２０が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。搬入室２０が予め設定された圧力値に減圧されると、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３がゲートバルブ２４によって開かれる。負圧移載室１０の負圧移載装置１２は搬入口２２、２３を通して搬入室用仮置き台２５からウエハＷを一枚ずつピックアップして負圧移載室１０に搬入する。

図１に示されたＭＭＴ装置への搬送ステップＳ１においては、負圧移載装置１２は搬入室用仮置き台２５からピックアップしたウエハＷを第一処理ユニット６１のウエハ搬入搬出口６５に搬送して、ウエハ搬入搬出口６５から第一処理ユニット６１であるＭＭＴ装置７０の処理室７１へ搬入（ウエハローディング）する。なお、ウエハの第一処理ユニット６１への搬入に際しては、搬入室２０および負圧移載室１０が真空排気されることによって内部の酸素や水分が予め除去されているため、外部の酸素や水分がウエハＷの搬入に伴ってＭＭＴ装置７０の処理室７１に侵入するのを防止することができる。

次の界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２においては、ウエハＷの表面に界面酸化防止膜としてのプラズマ窒化膜が前述したＭＭＴ装置７０の作用によって形成される。このプラズマ窒化膜の形成に際してのＭＭＴ装置７０の処理条件は、次の通りである。
高周波電力は１００〜５００Ｗ、処理圧力は２〜１００Ｐａ、窒素ガス流量は１００〜１０００ｓｃｃｍ、処理温度は２５〜６００℃、処理時間は１秒以上、膜厚は１〜３ｎｍ、である。

熱ＣＶＤ装置への搬送ステップＳ３においては、負圧移載装置１２はプラズマ窒化膜が形成されたウエハＷをＭＭＴ装置７０のサセプタ９９からピックアップして、第一処理ユニット６１から第二処理ユニット６２である熱ＣＶＤ装置２００へ負圧移載室１０を介して搬送し、その処理室２０２へ搬入（ウエハローディング）する。

金属酸化膜の成膜ステップＳ４においては、界面酸化防止膜としてのプラズマ窒化膜が形成されたウエハＷの上に金属酸化膜としての酸化タンタル膜が、前述した熱ＣＶＤ装置２００の作用によって形成される。この酸化タンタル膜の形成に際しての熱ＣＶＤ装置２００の処理条件は、次の通りである。
成膜温度は３５０〜５００℃、ＰＥＴａの流量は０．０５〜０．５ｃｃｍ、処理圧力は１０〜１００Ｐａ、成膜時間は任意であり、膜厚は１ｎｍ以上（通常は８〜１０ｎｍ）、である。

二回目のＭＭＴ装置７０への搬送ステップＳ５においては、負圧移載装置１２は金属酸化膜としての酸化タンタル膜が形成されたウエハＷを、熱ＣＶＤ装置２００のウエハ支持台２０３からピックアップして、第二処理ユニット６２から第三処理ユニット（室）を兼ねる第一処理ユニット６１であるＭＭＴ装置７０へ負圧移載室１０を介して搬送し、その処理室７１へ搬入する。

金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６においては、ウエハＷの上に形成された金属酸化膜としての酸化タンタル膜の改善処理が、前述したＭＭＴ装置７０の作用によって実施される。金属酸化膜の膜質改善処理はＭＭＴ装置７０のプラズマ酸化処理によって実施される。このプラズマ酸化処理に際してのＭＭＴ装置７０の処理条件は、次の通りである。
高周波電力は１００〜５００Ｗ、処理圧力は２〜１００Ｐａ、酸素ガス流量は１００〜１０００ｓｃｃｍ、処理温度は２５〜６００℃、処理時間は１秒以上、である。この酸化処理により、化学量論的にＴａ₂ Ｏ₅ に近い組成を有する絶縁体膜が形成される。

ウエハ搬出ステップＳ７においては、膜質改善処理が施されたウエハＷが第一処理ユニット６１から負圧移載室１０を介して搬出室３０へ搬送され、搬出口３３を通して搬出されて搬出室用仮置き台３５に移載される。

なお、図６に示されているように、必要に応じて、金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６の後のウエハＷが第一クーリングユニット６３に搬入されて冷却された後に、ウエハ搬出ステップＳ７が実施される。

この後、搬出室３０のロードロックが解除され、正圧移載室４０の搬出室３０に対応したウエハ搬入搬出口４８がポッドオープナ５０によって開かれるとともに、載置台５１に載置された空のポッドＰのキャップがポッドオープナ５０によって開かれる。続いて、正圧移載室４０の正圧移載装置４２は搬出口３７を通して搬出室用仮置き台３５からウエハＷをピックアップして正圧移載室４０に搬出し、正圧移載室４０のウエハ搬入搬出口４８を通してポッドＰに収納（チャージング）して行く。処理済みのウエハＷのポッドＰへの収納が完了すると、ポッドＰのキャップがポッドオープナ５０のキャップ着脱機構５２によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッドＰが閉じられる。閉じられたポッドＰは載置台５１の上から次の工程へ工程間搬送装置によって搬送されて行く。

図１に示されているように、次の工程は金属酸化膜の結晶化アニール工程である場合が多い。そして、金属酸化膜が結晶化された後に、上部電極形成工程において、窒化チタン等の上部電極が形成され、ＭＩＳ構造のキャパシタ部材が得られる。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) キャパシタの金属酸化膜を連続処理装置において連続して処理することにより、金属酸化膜の膜中に特性を劣化させる不純物が少なく、その特性を劣化される不確定要素が除去されているために、信頼性の高い特性を確保することができる。

2) 第一処理としての界面酸化防止膜の成膜ステップと、第三処理としての金属酸化膜の膜質改善ステップとを同一の処理ユニット（処理チャンバすなわち処理室）であるＭＭＴ装置によって実施することにより、連続処理装置のフットプリント（占有床面積）を縮小することができるばかりでなく、電力消費等の省エネルギー化も図ることができ、工程の簡素化や効率化にも寄与することができる。

図７は本発明の他の実施の形態であるキャパシタの絶縁体膜形成方法におけるウエハの流れを示す模式図である。
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、二台のＭＭＴ装置７０、７０Ａが連続処理装置に設置されており、界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２が一方のＭＭＴ装置７０Ａによって実施され、金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６が他方のＭＭＴ装置７０によって実施される点である。
本実施の形態によれば、界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２、金属酸化膜の成膜ステップＳ４および金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６を同時に進行させることができるので、工程通過時間を短縮することができる。

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

連続処理装置に投入されるウエハの表面の下部電極は、ＨＳＧ膜またはドープドシリコン膜によって形成するに限らず、ポリシリコン、不純物がドープされたＨＳＧ、不純物がドープされたポリシリコン、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）または窒化チタンによって形成してもよい。

キャパシタ部材は、ＭＩＳ構造に限らず、ＳＩＳ構造やＭＩＭ構造を有するものであってもよい。ＭＩＭ構造のキャパシタ部材の場合には、例えば、下部電極としてルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属をＣＶＤ法またはＰＶＤ法によって形成し、その上に、本発明に係る絶縁体膜の形成工程によって誘電体層を形成してもよい。さらに、その場合の上部電極として、ルテニウム、白金、窒化チタン等の金属をＣＶＤ法またはＰＶＤ法によって形成することができる。

本発明の一実施の形態であるＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタの絶縁体膜形成工程を示すフローチャートである。 本発明の一実施の形態である連続処理装置を示す一部切断平面図である。 その側面断面図である。 ＭＭＴ装置を示す正面断面図である。 熱ＣＶＤ装置を示す正面断面図である。 ウエハの流れを示す模式図である。 本発明の他の実施の形態におけるウエハの流れを示す模式図である。

符号の説明

Ｗ…ウエハ（基板）、Ｐ…ポッド（基板キャリア）、１０…負圧移載室（基板移載室）、１１…負圧移載室筐体、１２…負圧移載装置（ウエハ移載装置）、１３…エレベータ、１４…上側アーム、１５…下側アーム、１６、１７…エンドエフェクタ、２０…搬入室（搬入用予備室）、２１…搬入室筐体、２２、２３…搬入口、２４…ゲートバルブ、２５…搬入室用仮置き台、２６、２７…搬入口、２８…ゲートバルブ、３０…搬出室（搬出用予備室）、３１…搬出室筐体、３２、３３…搬出口、３４…ゲートバルブ、３５…搬出室用仮置き台、３６、３７…搬出口、３８…ゲートバルブ、４０…正圧移載室（ウエハ移載室）、４１…正圧移載室筐体、４２…正圧移載装置（ウエハ移載装置）、４３…エレベータ、４４…リニアアクチュエータ、４５…ノッチ合わせ装置、４６…クリーンユニット、４７、４８、４９…ウエハ搬入搬出口、５０…ポッドオープナ、５１…載置台、５２…キャップ着脱機構、６１…第一処理ユニット（第一処理室）、６２…第二処理ユニット（第二処理室）、６３…第一クーリングユニット、６４…第二クーリングユニット、６５、６６、６７、６８…ウエハ搬入搬出口、７０、７０Ａ…ＭＭＴ装置、７１…処理室、７２…下側容器、７３…上側容器、７４…シャワーヘッド、７５…バッファ室、７６…シャワープレート、７７…ガス噴出孔、７８…ガス導入口、７９…ガス供給管、８０…開閉弁、８１…マスフローコントローラ、８２…排気口、８３…排気管、８４…圧力調整弁、８５…開閉弁、８６…真空ポンプ、８７…ゲートバルブ、９０…プラズマ生成領域、９１…筒状電極、９２…整合器、９３…高周波電源、９４…筒状磁石、９５…遮蔽板、９６…サセプタ昇降軸、９７…突き上げピン、９８…挿通孔、９９…サセプタ、１００…インピーダンス調整器、１０１…コントローラ、２００…熱ＣＶＤ装置、２０１…プロセスチューブ、２０２…処理室、２０３…ウエハ支持台、２０４…上ヒータ、２０５…下ヒータ、２０６…温度制御装置、２０７…断熱材、２０８、２０９…ガス導入フランジ、２１０…ゲートバルブ、２１１…プラグ、２１２、２１３…排気管、２１４、２１５…圧力制御装置、２１６…コントローラ、２２０…原料ガス供給装置、２２１、２２２、２２７…窒素ガス供給配管、２２３…ＰＥＴａ供給配管、２２４…恒温器、２２５…ＰＥＴａ液体原料、２２６…ＰＥＴａタンク、２２８…気化器、２２９…供給加熱配管、２３０…酸素供給配管、２３１…供給加熱配管、２３２…酸素供給配管、２３３…液体流量制御装置、２３４…開閉弁、２３５…マスフローコントローラ。

Claims (2)

1. 基板を予備室から搬送室を介して第一処理室に搬送するステップと、
   前記第一処理室において第一処理として前記基板の表面に界面酸化防止膜を形成するステップと、
   前記第一処理が施された前記基板を前記第一処理室から前記搬送室を介して第二処理室へ搬送するステップと、
   前記第二処理室において第二処理として前記界面酸化防止膜が形成された前記基板上に金属酸化膜を形成するステップと、
   前記第二処理が施された前記基板を前記第二処理室から前記搬送室を介して第三処理室へ搬送するステップと、
   前記第三処理室において第三処理として前記基板上に形成された前記金属酸化膜の膜質改善処理を施すステップと、
   前記第三処理が施された前記基板を前記第三処理室から前記搬送室を介して前記予備室へ搬送するステップと、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 外部との間で基板を授受する予備室と、第一処理として前記基板の表面に界面酸化防止膜を形成する第一処理室と、第二処理として前記界面酸化防止膜が形成された前記基板上に金属酸化膜を形成する第二処理室と、第三処理として前記基板上に形成された前記金属酸化膜の膜質改善処理を施す第三処理室と、前記予備室と前記各処理室とを結び前記基板を搬送する搬送室と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。

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