KR20080060400A

KR20080060400A - 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20080060400A
Application number: KR1020060134395A
Authority: KR
Inventors: 이상근; 김도형
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2006-12-27
Filing date: 2006-12-27
Publication date: 2008-07-02

Abstract

어레이 기판의 제조 방법 및 이를 갖는 유기 광 발생 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 어레이 기판의 제조 방법은 기판상에 전면적에 걸쳐 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 매트릭스 형태로 배치된 개구들을 갖는 유기 희생 패턴을 형성하는 단계, 상기 각 개구에 의하여 노출된 제1 전극부의 테두리를 따라 형성된 제1 격벽부, 상기 유기 희생 패턴의 상면 테두리를 따라 형성된 제2 격벽부 및 상기 제1 및 제2 격벽부들과 연결된 제3 격벽부를 갖는 격벽 패턴들을 형성하는 단계, 상기 유기 희생 패턴을 상기 제1 전극으로부터 제거하는 단계, 상기 기판의 전면적에 걸쳐 유기 발광층을 증착하여, 상기 격벽 패턴 및 상기 제1 전극부 상에 셀프 얼라인된 유기 발광 패턴을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광 패턴 상에 셀프 얼라인된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

어레이 기판, 격벽, 개구, 유기 희생 패턴, 격벽 패턴

Description

어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE METHOD}

도 1은 기판상에 보조 전극 패턴 및 제1 전극을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 2는 도 1에 도시된 제1 전극 상에 유기 희생막을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 3은 도 2에 도시된 유기 희생막을 패터닝하여 형성된 유기 희생 패턴 및 보조 전극 패턴을 도시한 평면도이다.

도 4는 도 3의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 5는 도 4에 도시된 유기 희생 패턴을 덮는 격벽층 및 격벽층 상에 배치된 포토레지스트 패턴을 도시한 단면도이다.

도 6은 도 5에 도시된 유기 희생 패턴 및 포토레지스트 패턴의 관계를 도시한 평면도이다.

도 7은 도 6에 도시된 무기막을 패터닝하여 형성된 격벽 패턴을 도시한 단면도이다.

도 8은 도 7의 유기 희생 패턴 및 포토레지스트 패턴을 함께 제거 및 스페이 서를 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 9는 도 8에 도시된 제1 전극(30) 상에 스페이서 및 유기 광 발생 패턴 및 제2 전극을 도시한 단면도이다.

도 10은 본 발명의 일실시예에 의한 유기 광 발생 장치의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

본 발명은 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

최근 들어, 방대한 데이터를 처리하는 정보처리장치 및 정보처리장치에서 처리된 데이터를 표시하는 표시장치들이 개발되고 있다.

정보처리장치에서 처리된 데이터를 표시하기 위한 표시장치는 액정 표시장치, 유기 광 발생 장치 및 플라즈마 표시 패널 등이 대표적이다.

액정 표시장치는 전계에 의하여 광 투과율을 변경시키는 액정을 이용하여 영상을 표시하고, 유기 광 발생 장치는 순 방향 전류에 의하여 광을 발생하는 유기 발광 물질을 이용하여 영상을 표시하고, 플라즈마 표시 패널은 플라즈마를 이용하여 영상을 표시한다.

이들 중 유기 광 발생 장치는 액정표시장치에 비하여 빠른 응답 속도, 넓은 시야각, 큰 휘도비 및 작은 소비전력량을 갖기 때문에 유기 광 발생 장치는 최근 정보처리장치의 표시장치로서 널리 사용되고 있다.

종래 유기 광 발생 장치는 기판상에 형성된 박막 트랜지스터와 같은 구동소자, 구동소자의 출력단에 연결된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 형성하여 영상을 표시한다.

최근에는 제1 기판상에 박막 트랜지스터와 같은 구동 소자를 배치하고, 제2 기판에 박막 트랜지스터의 출력단과 연결되는 유기 광 발생 구조물을 갖는 DOD 구조 유기 광 발생 장치가 개발된 바 있다.

종래 DOD 구조 유기 광 발생 장치의 제2 기판을 제조하기 위해서는 투명 기판 상에 제1 전극을 먼저 형성하고, 투명 전극 상에 무기 희생층을 형성하고, 무기 희생층 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다.

이어서, 무기 희생층은 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 패터닝되어 투명전극 상에 무기 희생 패턴을 형성한다.

이후, 포토레지스트 패턴을 무기 희생 패턴으로부터 제거한 후 버퍼층을 형성하고, 버퍼층을 패터닝하여 버퍼 패턴을 형성하고, 버퍼 패턴 하부에 배치된 무기 희생 패턴을 식각 공정을 이용하여 제거한다.

이어서, 투명기판상에 유기 광 발생 구조물 및 유기 광 발생 구조물 상에 제2 전극을 형성하여 제2 기판을 제조하고, 제2 기판을 박막 트랜지스터와 같은 구동소자가 형성된 제1 기판과 어셈블리하여 DOD 구조 유기 광 발생 장치를 제조한다.

그러나, 상술한 종래 DOD 구조 유기 광 발생 장치는 제조 공정이 매우 복잡하여 제조에 많은 시간이 소요되는 문제점을 갖는다.

따라서, 본 발명의 하나의 목적은 제조 공정을 크게 단축시킨 어레이 기판의 제조 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기 어레이 기판을 이용한 유기 광 발생 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 어레이 기판의 제조 방법은 기판상에 전면적에 걸쳐 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 매트릭스 형태로 배치된 개구들을 갖는 유기 희생 패턴을 형성하는 단계, 상기 각 개구에 의하여 노출된 제1 전극부의 테두리를 따라 형성된 제1 격벽부, 상기 유기 희생 패턴의 상면 테두리를 따라 형성된 제2 격벽부 및 상기 제1 및 제2 격벽부들과 연결된 제3 격벽부를 갖는 격벽 패턴들을 형성하는 단계, 상기 유기 희생 패턴을 상기 제1 전극으로부터 제거하는 단계, 상기 기판의 전면적에 걸쳐 유기 발광층을 증착하여, 상기 격벽 패턴 및 상기 제1 전극부 상에 셀프 얼라인된 유기 발광 패턴을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광 패턴 상에 셀프 얼라인된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 유기 광 발생 장치의 제조 방법은 제1 기판상에 전면적에 걸쳐 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 상에 매트릭스 형태로 배치된 개구들을 갖는 유기 희생 패턴을 형성하는 단계, 상기 각 개구에 의하여 노출된 제1 전극부의 테두리를 따라 형성된 제1 격벽부, 상기 유기 희생 패턴의 상 면 테두리를 따라 형성된 제2 격벽부 및 상기 제1 및 제2 격벽부들과 연결된 제3 격벽부를 갖는 격벽 패턴들을 형성하는 단계, 상기 유기 희생 패턴을 상기 제1 전극으로부터 제거하는 단계, 상기 기판의 전면적에 걸쳐 유기 발광층을 증착하여, 상기 격벽 패턴 및 상기 제1 전극부 상에 셀프 얼라인된 유기 발광 패턴을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광 패턴 상에 셀프 얼라인된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판을 제조하는 단계, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판상에 상기 제2 전극과 대응하는 출력단을 갖는 구동 소자를 형성하여 구동 기판을 제조하는 단계 및 상기 어레이 기판 및 상기 구동 기판을 어셈블리하여 상기 제1 기판의 상기 제2 전극 및 상기 제2 기판의 상기 출력단을 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.

어레이 기판의 제조 방법

도 1 내지 도 9들은 본 발명의 일실시예에 의한 어레이 기판의 제조 방법을 도시한 단면도들 및 평면도이다.

도 1을 참조하면, 기판(10), 예를 들면, 투명 기판상에는 보조 전극 패턴(20)이 먼저 형성될 수 있다. 보조 전극 패턴(20)은 후술될 제1 전극의 저항을 보다 낮추는 역할을 한다. 보조 전극 패턴(20)으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는, 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 크롬 등을 들 수 있다.

보조 전극 패턴(20)을 형성하기 위해서, 기판(10) 상에는 후술될 제1 전극의 전기 저항보다 낮은 전기 저항을 갖는 금속막(미도시)이 형성되고, 금속막 상에는 포토레지스트 필름이 형성된다.

이어서, 포토레지스트 필름은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝되어 금속막상에는 포토레지스트 패턴(미도시)이 형성된다. 포토레지스트 패턴은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상으로 형성된다.

포토레지스트 패턴이 형성된 후, 금속막은 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 패터닝되어 기판(10) 상에는 보조 전극 패턴(20)이 형성된다. 보조 전극 패턴(20)은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상을 갖는다.

보조 전극 패턴(20)이 형성된 후, 기판(10) 상에는 제1 전극(30)이 형성되어, 보조 전극 패턴(20)은 제1 전극(30)에 의하여 덮인다. 제1 전극(30)으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO) 및 아몰퍼스 산화 주석 인듐(amorphous Indium Tin Oxide, a-ITO) 등을 들 수 있다.

도 2를 참조하면, 제1 전극(30) 상에는 전면적에 걸쳐 유기 희생막(45)이 형성된다. 유기 희생막(45)은, 예를 들어, 감광 물질(photosensitive substance)을 포함하는 포토레지스트 필름일 수 있다. 유기 희생막(45)은 스핀 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정(slit coating process) 등을 통해 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 유기 희생막(45)에 포함된 감광물질은 광에 의하여 크로스 링크가 끊어지는 포지티브 타입 감광물질인 것이 바람직하다.

도 3은 도 2에 도시된 유기 희생막을 패터닝하여 형성된 유기 희생 패턴 및 보조 전극 패턴을 도시한 평면도이다. 도 4는 도 3의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 도 2에 도시된 바와 같이 유기 희생막(45)을 형성한 후, 유기 희생막(45)은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝되어 제1 전극(30) 상에는 유기 희생 패턴(40)이 형성된다.

유기 희생 패턴(40)은, 예를 들어, 보조 전극 패턴(20)과 오버랩되는 위치에 배치되며, 유기 희생 패턴(40)은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상을 갖는다. 유기 희생 패턴(40)의 폭 W1은 보조 전극 패턴(20)의 폭 W2 보다 다소 작게 형성된다. 한편, 제1 전극(30)의 표면으로부터 측정된 유기 희생 패턴(40)은 후술될 유기 발광 패턴의 두께 및 제2 전극의 두께를 합한 두께보다 높은 높이 H를 가질 수 있다. 이하, 유기 희생 패턴(40)에 의하여 형성된 각 개구(42)에 의하여 노출된 제1 전극(30)을 제1 전극부(32)로 정의하기로 한다.

도 5는 도 4에 도시된 유기 희생 패턴을 덮는 격벽층 및 격벽층 상에 배치된 포토레지스트 패턴을 도시한 단면도이다. 도 6은 도 5에 도시된 유기 희생 패턴 및 포토레지스트 패턴의 관계를 도시한 평면도이다.

도 5를 참조하면, 도 4에 도시된 유기 희생 패턴(40)을 형성한 후, 기판(10)상에는 전면적에 걸쳐 무기막(inorganic layer;55)이 형성되고, 이 결과 무기막(55)은 제1 전극(30)상에 배치된 유기 희생 패턴을 덮는다. 본 실시예에서, 무기막(55)은, 예를 들어, 산화막 또는 질화막인 것이 바람직하다.

무기막(55)이 제1 전극(30)상에 형성된 후, 무기막(55)의 상면에는 전면적에 걸쳐 포토레지스트 필름(미도시)이 형성된다. 포토레지스트 필름이 형성된 후, 포토레지스트 필름은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝되어 무기막(55) 상에는 포토레지스트 패턴(57)이 형성된다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에서, 포토레지스트 패턴(57)은, 평면상에서 보았을 때, 유기 희생 패턴(40)의 상면의 중앙 부분을 라인 형상으로 개구하는 제1 개구(58) 및 제1 전극부(32)의 테두리를 덮어 제1 전극부(32)의 중앙부를 노출하는 제2 개구(59)를 갖는다. 제1 개구(58)는, 평면상에서 보았을 때, 유기 희생 패턴(40)과 동일한 격자 형상을 갖고, 제1 개구(58)의 폭 W3은 도 4에 도시된 유기 희생 패턴(40)의 폭 W1에 비하여 좁게 형성된다.

한편, 제2 개구(59)들의 사이에 형성된 포토레지스트 패턴(57)의 폭 W4는 유기 희생 패턴(40)의 폭 W1 보다는 다소 넓게 형성된다.

도 7을 참조하면, 무기막(57)은 도 5 및 도 6에 도시된 포토레지스트 패턴(57)을 식각 마스크로 이용하여 패터닝되어, 제1 전극(30) 상에는 격벽 패턴(50)이 형성된다.

격벽 패턴(50)은 제1 전극부(32)의 테두리를 따라 형성된 제1 격벽부(51), 유기 희생 패턴(40)의 상면 테두리를 따라 형성된 제2 격벽부(52) 및 제1 및 제2 격벽부(51,52)들과 연결된 제3 격벽부(53)를 갖는다. 본 실시예에서, 제2 격벽부(52)의 폭은 유기 희생 패턴(40)의 폭의 절반 미만인 것이 바람직하다.

도 8은 도 7의 유기 희생 패턴 및 포토레지스트 패턴을 함께 제거 및 스페이서를 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 8을 참조하면, 도 7에 도시된 포토레지스트 패턴(57) 및 유기 희생 패턴(40)은 함께 제거된다.

본 실시예에서, 포토레지스트 패턴(57) 및 유기 희생 패턴(40)은 감광물질을 포함하는 유기 희생 패턴(40) 및 포토레지스트 패턴(57)을 함께 제거하기에 적합한 에천트(etchant)를 이용하여 제거된다. 유기 희생 패턴(40) 및 포토레지스트 패턴(57)을 함께 제거함에 따라 유기 희생 패턴(40)이 형성된 부분에는 언더컷(under cut)이 형성된다.

한편, 유기 희생 패턴(40) 및 포토레지스트 패턴(57)이 제거되기 이전 또는 이후에 제1 전극(30) 상에는 전면적에 걸쳐 후박한 유기막이 형성되고, 유기막을 패터닝하여 제1 전극(30) 상에는 스페이서(60)가 형성된다. 스페이서(60)는, 예를 들어, 기둥 형상으로 형성될 수 있고, 제1 전극(30)의 표면으로부터 측정된 스페이 서(60)의 높이는 제1 전극(30)의 표면으로부터 측정된 격벽 패턴(50)의 높이보다 높은 높이를 갖는다.

도 9는 도 8에 도시된 제1 전극 상에 스페이서 및 유기 광 발생 패턴 및 제2 전극을 도시한 단면도이다.

도 9를 참조하면, 제1 전극(30) 상에 스페이서(60)를 형성한 후, 제1 전극(30)의 상면에는 전면적에 걸쳐 유기 발광층을 증착하여 격벽 패턴(50)에 의하여 셀프 얼라인(self-align)된 유기 광 발생 패턴(70)이 형성된다.

본 실시예에서, 제1 전극(30) 상에 형성된 유기 광 발생 패턴(70)은 홀 주입층, 홀 수송층, 유기 발광층, 전자 주입층 및 전자 수송층을 포함할 수 있다.

유기 광 발생 패턴(70)이 제1 전극(30) 상에 형성된 후, 유기 광 발생 패턴(70) 상에는 전면적에 걸쳐 금속 물질이 증착되어, 유기 광 발생 패턴(70) 상에는 셀프 얼라인(self-align)된 제2 전극(80)이 형성되어 어레이 기판(100)이 형성된다.

유기 광 발생 장치의 제조 방법

도 1을 참조하면, 먼저, 제1 기판(10)상에 보조전극 패턴(20)을 형성한 후, 보조 전극 패턴(20)이 덮이도록 전면적에 걸쳐 제1 전극(30)을 형성한다.

도 2 내지 도 4들을 참조하면, 제1 전극(30) 상에 유기 희생막(45)을 형성한 후, 유기 희생막(45)을 패터닝하여 매트릭스 형태로 배치된 개구(42)들을 갖는 유 기 희생 패턴(40)을 형성한다.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 제1 전극(30)을 덮는 무기막(55)을 형성한 후,무기막(55)을 패터닝하여, 각 개구(42)에 의하여 노출된 제1 전극부(42)의 테두리를 따라 형성된 제1 격벽부(51), 유기 희생 패턴(40)의 상면 테두리를 따라 형성된 제2 격벽부(52) 및 제1 및 제2 격벽부(51,52)들과 연결된 제3 격벽부(53)를 갖는 격벽 패턴들을 형성한다.

도 8을 참조하면, 유기 희생 패턴(40)을 제1 전극(30)으로부터 제거하고, 제1 전극(30) 상에 스페이서(60)를 형성한 후, 도 9에 도시된 바와 같이 제1 기판(30)의 전면적에 걸쳐 유기 발광층을 증착하여, 격벽 패턴(50) 및 제1 전극부(32) 상에 셀프 얼라인된 유기 발광 패턴(70)을 형성 및 유기 발광 패턴(70) 상에 셀프 얼라인된 제2 전극(80)을 형성하여 어레이 기판(100)을 제조한다.

이후, 도 10에 도시된 바와 같이 어레이 기판(100)과 마주하는 제2 기판(210) 상에는 제1 기판(10)에 형성된 유기 발광 패턴(80)으로부터 광을 발생하기 위한 구동 신호를 인가하기 위한 구동 소자(220)가 형성하여 구동 기판(200)을 제조한다.

구동 기판(200)의 구동 소자(220)는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터(미도시)로 이루어진다. 도 10에는 구동 트랜지스터(DTR)가 도시되어 있다. 구동 트랜지스터(DTR)는 출력단(D)을 갖고, 출력단(D)에는 접속 패드(CP)가 전기적으로 연결된다.

어레이 기판(100) 및 구동 기판(200)을 제조한 후, 어레이 기판(100)의 제2 전극(80)은 구동 기판(200)의 접속 패드(CP)와 전기적으로 접촉되도록 어셈블리 되어 유기 광 발생 장치가 제조된다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 픽셀들을 서로 분리하기 위한 희생층을 감광물질을 포함하는 유기 희생 패턴을 이용하여 형성하여 유기 광 발생 패턴이 형성된 어레이 기판의 제조 공정을 크게 단축 시키는 효과를 갖는다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

기판상에 전면적에 걸쳐 제1 전극을 형성하는 단계;

상기 제1 전극 상에 매트릭스 형태로 배치된 개구들을 갖는 유기 희생 패턴을 형성하는 단계;

상기 각 개구에 의하여 노출된 제1 전극부의 테두리를 따라 형성된 제1 격벽부, 상기 유기 희생 패턴의 상면 테두리를 따라 형성된 제2 격벽부 및 상기 제1 및 제2 격벽부들과 연결된 제3 격벽부를 갖는 격벽 패턴들을 형성하는 단계;

상기 유기 희생 패턴을 상기 제1 전극으로부터 제거하는 단계;

상기 기판의 전면적에 걸쳐 유기 발광층을 증착하여, 상기 격벽 패턴 및 상기 제1 전극부 상에 셀프 얼라인된 유기 발광 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 유기 발광 패턴 상에 셀프 얼라인된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판상에 격자 형상을 갖는 보조 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제2항에 있어서, 상기 유기 희생 패턴은 상기 보조 전극 패턴과 대응하는 상기 제1 전극 상에 형성된 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제2항에 있어서, 상기 보조 전극 패턴은 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 크롬으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 유기 희생 패턴을 형성하는 단계는

상기 제1 전극 상에 전면적에 걸쳐 감광물질을 포함하는 유기 희생막을 형성하는 단계; 및

상기 유기 희생막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 격벽 패턴들을 형성하는 단계는

상기 기판의 전면적에 걸쳐 무기막을 형성하여 상기 유기 희생 패턴을 덮는 단계;

상기 유기 희생 패턴의 상면의 중앙 부분을 라인 형상으로 개구하는 제1 개구 및 상기 유기 희생 패턴에 의하여 노출된 상기 제1 전극의 일부인 제1 전극부의 테두리를 덮어 제1 전극부의 중앙부를 노출하는 제2 개구를 갖는 포토레지스트 패턴을 상기 무기막 상에 형성하는 단계; 및

상기 무기막을 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 패터닝 하여 상기 제1 내지 제3 격벽부들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 무기막은 산화막 및 질화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 유기 희생 패턴을 제거하는 단계에서 상기 제1 내지 제3 격벽부들을 형성하기 위한 상기 포토레지스트 패턴도 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제8항에 있어서, 상기 유기 희생 패턴 및 상기 포토레지스트 패턴은 에천트에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 격벽부의 폭은 상기 유기 희생 패턴의 폭의 절반 미만인 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
제1 기판상에 전면적에 걸쳐 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 매트릭스 형태로 배치된 개구들을 갖는 유기 희생 패턴을 형성하는 단계, 상기 각 개구에 의하여 노출된 제1 전극부의 테두리를 따라 형성된 제1 격벽부, 상기 유기 희생 패턴의 상면 테두리를 따라 형성된 제2 격벽부 및 상기 제1 및 제2 격벽부들과 연결된 제3 격벽부를 갖는 격벽 패턴들을 형성하는 단계, 상기 유기 희생 패턴 을 상기 제1 전극으로부터 제거하는 단계, 상기 기판의 전면적에 걸쳐 유기 발광층을 증착하여, 상기 격벽 패턴 및 상기 제1 전극부 상에 셀프 얼라인된 유기 발광 패턴을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광 패턴 상에 셀프 얼라인된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판을 제조하는 단계;

상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판상에 상기 제2 전극과 대응하는 출력단을 갖는 구동 소자를 형성하여 구동 기판을 제조하는 단계; 및

상기 어레이 기판 및 상기 구동 기판을 어셈블리하여 상기 제1 기판의 상기 제2 전극 및 상기 제2 기판의 상기 출력단을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 유기 희생 패턴은 감광물질을 포함하는 포토레지스트 패턴인 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 기판상에 격자 형상을 갖는 보조 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생장치의 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 격벽 패턴들을 형성하는 단계는

상기 제1 기판의 전면적에 걸쳐 무기막을 형성하여 상기 유기 희생 패턴을 덮는 단계;

상기 각 개구에 의하여 노출된 제1 전극부의 테두리 및 상기 유기 희생 패턴의 상면 테두리를 덮는 포토레지스트 패턴을 상기 무기막 상에 형성하는 단계; 및

상기 무기막을 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 패터닝 하여 상기 제1 내지 제3 격벽부들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제14항에 있어서, 상기 유기 희생 패턴을 제거하는 단계에서 상기 제1 내지 제3 격벽부들을 형성하기 위한 상기 포토레지스트 패턴도 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제15항에 있어서, 상기 유기 희생 패턴 및 상기 포토레지스트 패턴은 에천트에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 제2 격벽부의 폭은 상기 유기 희생 패턴의 폭의 절반 미만인 것을 특징으로 하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 유기 발광 패턴을 형성하는 단계 이전에 상기 제1 기판 상에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 유기 광 발생 장치의 제조 방법.