KR20080058687A - 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080058687A
KR20080058687A KR1020060132701A KR20060132701A KR20080058687A KR 20080058687 A KR20080058687 A KR 20080058687A KR 1020060132701 A KR1020060132701 A KR 1020060132701A KR 20060132701 A KR20060132701 A KR 20060132701A KR 20080058687 A KR20080058687 A KR 20080058687A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
partition wall
disposed
pixel
Prior art date
Application number
KR1020060132701A
Other languages
English (en)
Inventor
방희석
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060132701A priority Critical patent/KR20080058687A/ko
Publication of KR20080058687A publication Critical patent/KR20080058687A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

표시장치 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 표시장치는 영상을 표시하기 위한 픽셀 영역들 및 상기 각 픽셀 영역 주변에 배치된 주변 영역을 갖는 제1 기판, 상기 픽셀 및 주변 영역들을 덮는 제1 전극, 상기 주변영역에 대응하는 상기 기판상에 배치된 보조 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되며 상기 각 픽셀 영역의 테두리를 따라 띠 형상으로 배치되며 상기 제1 전극과 접촉되는 바닥에 언더컷이 형성된 제1 격벽, 상기 제1 격벽과 이격 되며 상기 보조 전극을 덮는 제2 격벽, 상기 각 픽셀 영역 내의 상기 제1 전극 상에 배치된 유기 발광 패턴, 상기 유기 발광 패턴을 덮고 상기 제1 격벽의 상면에 배치된 제2 전극 및 상기 제1 기판과 마주하며, 상기 각 제2 전극의 상면과 전기적으로 직접 연결된 출력단을 갖는 구동소자를 포함하는 제2 기판을 포함한다.

Description

표시장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}
도 1은 종래 DOD 구조를 갖는 유기 광 발생 장치의 상판을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 일실시예에 의한 표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도들 및 평면도들이다.
본 발명은 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 제조 공정수를 크게 감소 시킨 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 방대한 데이터를 처리하는 정보처리장치 및 정보처리장치에서 처리된 데이터를 표시하는 표시장치들이 개발되고 있다.
정보처리장치에서 처리된 데이터를 표시하기 위한 표시장치는 액정 표시장치, 유기 광 발생 장치 및 플라즈마 표시 패널 등이 대표적이다.
액정 표시장치는 전계에 의하여 광 투과율을 변경시키는 액정을 이용하여 영 상을 표시하고, 유기 광 발생 장치는 순 방향 전류에 의하여 광을 발생하는 유기 발광 물질을 이용하여 영상을 표시하고, 플라즈마 표시 패널은 플라즈마를 이용하여 영상을 표시한다.
이들 중 유기 광 발생 장치는 액정표시장치에 비하여 빠른 응답 속도, 넓은 시야각, 큰 휘도비 및 작은 소비전력량을 갖기 때문에 유기 광 발생 장치는 최근 정보처리장치의 표시장치로서 널리 사용되고 있다.
종래 유기 광 발생 장치는 기판상에 형성된 박막 트랜지스터와 같은 구동소자, 구동소자의 출력단에 연결된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 형성하여 영상을 표시한다.
최근에는 제1 기판상에 박막 트랜지스터와 같은 구동 소자를 배치하고, 제2 기판에 박막 트랜지스터의 출력단과 연결되는 제1 전극, 보조전극, 버퍼층, 유기 발광층, 격벽 및 제2 전극을 갖는 DOD 구조 유기 광 발생 장치가 개발된 바 있다.
도 1은 종래 DOD 구조를 갖는 유기 광 발생 장치의 상판을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 DOD 구조 유기 광 발생 장치(10)의 상판은 기판(1), 기판(1) 상에 배치된 제1 전극(2), 제1 전극(2) 상에 배치된 보조 전극(3), 보조 전극(3) 상에 배치된 버퍼층(4), 버퍼층(4) 상에 배치되며 픽셀을 정의하기 위한 격벽(5) 및 버퍼층(4) 상에 배치된 스페이서(8), 유기 발광층(6) 및 유기 발광층(6)을 덮는 제2 전극(7)을 포함한다.
도 1에 도시된 종래 DOD 구조 유기 광 발생 장치(10)의 상판을 제조하기 위 해서는 4 매의 패턴 마스크를 필요로 한다. 제1 패턴 마스크는 제1 전극(2) 상에 배치된 보조 전극(3)을 패터닝 하는데 사용되고, 제2 패턴 마스크는 보조 전극(3)을 덮는 버퍼층(4)을 패터닝하는데 사용되며, 제3 패턴 마스크는 스페이서(8)를 형성하는데 사용되며, 제4 패턴 마스크는 버퍼층(4) 상에 격벽(5)을 형성하는데 사용된다.
상술한 바와 같이 종래 DOD 구조 유기 광 발생 장치(10)의 상판을 제조하기 위해서는 4 매의 패턴 마스크를 사용해야 하기 때문에 유기 광 발생 장치(10)의 제조 공정이 복잡하여 수율이 저하되며 제조비용이 상승하는 문제점을 갖는다.
본 발명의 하나의 목적은 제조 공정수를 크게 단축시켜 수율을 향상시켜 제조비용을 낮추고 수율을 향상시킨 표시장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
이와 같은 본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 표시장치는 영상을 표시하기 위한 픽셀 영역들 및 상기 각 픽셀 영역 주변에 배치된 주변 영역을 갖는 제1 기판, 상기 픽셀 및 주변 영역들을 덮는 제1 전극, 상기 주변영역에 대응하는 상기 기판상에 배치된 보조 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되며 상기 각 픽셀 영역의 테두리를 따라 띠 형상으로 배치되며 상기 제1 전극과 접촉되는 바닥에 언더컷이 형성된 제1 격벽, 상기 제1 격벽과 이격 되며 상기 보조 전극을 덮는 제2 격벽, 상기 각 픽셀 영역 내의 상기 제1 전극 상에 배치된 유기 발광 패턴, 상기 유기 발광 패 턴을 덮고 상기 제1 격벽의 상면에 배치된 제2 전극 및 상기 제1 기판과 마주하며, 상기 각 제2 전극의 상면과 전기적으로 직접 연결된 출력단을 갖는 구동소자를 포함하는 제2 기판을 포함한다.
본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 표시장치의 제조 방법은 제1 기판상에 형성된 픽셀 영역들 및 상기 각 픽셀 영역 주변에 배치된 주변 영역을 덮는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 주변 영역에 보조 전극 및 상기 보조 전극과 이격 되며 상기 각 픽셀 영역의 테두리를 따라 희생 패턴을 형성하는 단계, 상기 보조 전극 및 상기 희생 패턴을 덮는 절연막을 패터닝 하여 상기 희생 패턴은 노출하고 상기 각 픽셀 영역의 테두리를 따라 띠 형상으로 배치된 제1 격벽 및 상기 제1 격벽과 이격 되며 상기 보조 전극을 덮는 제2 격벽을 형성하는 단계, 노출된 상기 희생 패턴을 상기 제1 전극으로부터 제거하여 상기 제1 전극과 접촉되는 상기 제1 격벽의 바닥에 언더컷을 형성하는 단계, 상기 제1 기판에 유기 발광 패턴을 형성하여 상기 제1 격벽을 포함하는 상기 픽셀 영역에 유기 발광패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 기판에 금속층을 형성하여 상기 제1 격벽을 포함하는 상기 픽셀 영역마다 제2 전극을 형성하는 단계 및 상기 제1 격벽 상에 배치된 상기 제2 전극을 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판에 형성된 구동소자의 출력단에 전기적으로 접속하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치 및 이의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
표시 장치
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시장치(100)는 제1 기판(110), 제1 전극(120), 보조 전극(130), 제1 격벽(140), 제2 격벽(150), 유기 발광 패턴(160), 제2 전극(170), 구동소자(185)를 갖는 제2 기판(180)을 포함한다.
본 실시예에서, 제1 기판(110)은, 예를 들어, 투명 기판을 포함한다. 구체적으로, 제1 기판(110)은 투명한 유리 기판일 수 있다.
제1 기판(110)은 영상을 표시하기 위한 픽셀 영역(pixel region)들 및 픽셀 영역 주변에 배치된 주변 영역(peripheral region)을 갖는다. 도 2에는 인접하게 배치된 한 쌍의 픽셀 영역들 및 픽셀 영역들 사이에 배치된 하나의 주변 영역이 도시되어 있다. 본 실시예에서, 도 2에는 비록 2 개의 픽셀 영역이 도시되어 있지만, 표시장치(100)의 해상도가 1,024×768일 경우, 제1 기판(110) 상에는 약 1,024×768×3 개의 픽셀 영역들이 형성된다. 픽셀 영역들은 제1 기판(110) 상에 매트릭스 형태로 배치되고, 픽셀 영역들이 매트릭스 형태로 배치됨에 따라 주변 영역들은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상으로 배치된다.
제1 전극(120)은 제1 기판(110)의 전면적에 걸쳐 형성된다. 본 실시예에서, 제1 전극(120)은 투명하면서 도전성인 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO) 박막, 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO) 박막 또는 아몰퍼스 산화 주석 인 듐(amorphous Indium Tin Oxide, a-ITO) 박막 등을 포함한다.
보조 전극(130)은 제1 전극(120) 상에 배치된다. 구체적으로, 보조 전극(130)은 주변 영역에 배치된다. 본 실시에에서, 주변 영역은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상을 갖기 때문에 보조 전극(130) 역시 주변 영역에 격자 형상으로 배치된다. 보조 전극(130)의 폭은 주변 영역의 폭보다 좁은 제1 폭을 갖는다. 보조 전극(130)으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등을 들 수 있다. 보조 전극(130)은 제1 전극(120)의 전기적 저항을 보다 감소시키는 역할을 한다.
제1 격벽(140)은 각 픽셀 영역에 배치된다. 제1 격벽(140)은, 예를 들어, 픽셀 영역의 테두리를 따라 띠 형상으로 형성된다. 제1 격벽(140)은 유기물을 포함하며, 예를 들어, 유기물인 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 격벽(140)은 언더컷(145)을 갖는다. 본 실시예에서, 언더컷(145)은 제1 전극(120) 및 제1 격벽(140)의 경계에 형성된다. 본 실시예에서, 언더컷(145)의 높이는 보조 전극(130)의 두께와 실질적으로 동일하다.
제2 격벽(150)은 제1 전극(120) 상에 배치된다. 제2 격벽(150)은 주변 영역에 배치된다. 본 실시예에서, 주변 영역은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상을 갖기 때문에 제2 격벽(150) 역시 주변 영역에 격자 형상으로 배치된다. 본 실시에에서, 제2 격벽(150)은 제1 폭을 갖는 보조 전극(130)을 덮기에 충분한 제2 폭을 갖는다. 본 실시예에서, 제2 격벽(150)의 제2 폭은 주변 영역의 폭 이하인 것이 바람직하다.
본 실시예에서, 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150)은 상호 소정 간격 이격 되어 배치된다.
유기 발광 패턴(160)은 픽셀 영역 및 주변 영역에 각각 형성된다. 유기 발광 패턴(160)은 픽셀 영역의 제1 전극(120) 및 픽셀 영역의 테두리를 따라 배치된 제1 격벽(140) 상에 배치되고, 유기 발광 패턴(160)은 제2 격벽(150) 상에도 배치된다. 본 실시예에서, 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150)은 상호 소정 간격 이격 되어 있기 때문에 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150) 상에 배치된 유기 발광 패턴(160)은 전기적으로 절연된다. 본 실시예에서, 유기 발광 패턴(160)은 홀 수송층, 홀 주입층, 발광층, 전자 주입층, 전자 수송층을 포함할 수 있다.
제2 전극(170)은 픽셀 영역 및 주변 영역에 각각 형성된다. 제2 전극(170)은 픽셀 영역의 유기 발광 패턴(160) 상에 배치되고, 제2 전극(170)의 일부는 제2 격벽(150) 상에 배치된 유기 발광 패턴 상에도 배치된다. 본 실시예에서, 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150)은 상호 소정 간격 이격 되어 있기 때문에 제2 전극(170)은 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150) 상에 배치된 제2 전극(160)은 전기적으로 절연된다. 본 실시예에서, 제2 전극(170)은 알루미늄, 알루미늄 합금 등과 같이 일함수(work function)가 낮은 물질을 포함하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서, 픽셀 영역에 배치된 각 제1 전극(120), 유기 발광 패턴(160) 및 제2 전극(170)은 영상을 표시하기 위한 픽셀을 이룬다.
제2 기판(180)은 제1 기판(110)과 마주한다. 제2 기판(180) 상에는 제1 기판(110)에 형성된 픽셀을 구동하기 위한 구동 소자(185)가 배치된다.
구동 소자(185)는 스위칭 트랜지스터(미도시), 구동 트랜지스터(DTR) 및 커패시터로 이루어진다. 구동 소자(185)의 구동 트랜지스터(DRT)의 출력단(D)에는 접속 패드(CP)가 배치된다.
제2 기판(180)의 구동 소자(185)의 출력단(D)은 제1 기판(110)에 형성된 픽셀의 제2 전극(170)과 직접 접촉된다. 본 실시예에서, 제2 기판(180)의 구동 소자(185)의 출력단(D)은 제1 기판(110)에 형성된 제2 전극(170)들 중 제1 격벽(140)의 상면에 배치된 부분과 전기적으로 연결된다.
상술한 바에 의하면, 본 발명에 의한 표시장치는 스페이서, 버퍼층 없이 제1 기판의 제2 전극을 제1 기판의 구동소자의 출력단에 직접 연결함으로써 양질의 영상을 표시할 뿐만 아니라 표시장치의 구조를 단순화시킬수 있다.
표시장치의 제조 방법
도 3 내지 도 11은 본 발명의 일실시예에 의한 표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도들 및 평면도들이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 제1 기판 및 제1 전극을 도시한 평면도이다. 도 4는 도 3의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제1 기판(110)은 영상을 표시하기 위한 픽셀 영역(P1) 및 픽셀 영역(P1)의 주변에 배치된 주변 영역(P2)을 갖는다. 비록 도 3에는 인접한 한 쌍의 픽셀 영역(P1)들이 도시되어 있지만, 픽셀 영역(P1)들은 표시장치의 해상도에 대응하여 다수가 제1 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시장치의 해상 도가 1,024×768일 경우, 기판(110) 상에는 약 1,024×768×3 개의 픽셀 영역(P1)들이 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 픽셀 영역(P1)들은, 평면상에서 보았을 때, 각각 매트릭스 형태로 배치되고, 주변 영역(P2)들은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상으로 배치된다.
도 4를 참조하면, 제1 기판(110) 상에는 제1 전극(120)이 형성된다. 본 실시예에서, 제1 전극(120)은 물리적 기상 증착(PVD) 공정에 의하여 제1 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 전극(120)으로 사용될 수 있는 물질의 예들로서는 산화 주석 인듐(ITO), 산화 아연 인듐(IZO) 및 아몰퍼스 산화 주석 인듐(a-ITO) 등을 들 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 제1 전극 상에 금속막 및 포토레지스트 패턴을 형성한 것을 도시한 단면도이다. 도 6은 도 5의 II-II' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 전극(120) 상에는 전면적에 걸쳐 금속막(135)이 형성된다. 본 실시예에서, 금속막(135)으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 등을 들 수 있다. 금속막(135)은 스퍼터링 공정 등을 통해 제1 전극(120) 상에 형성될 수 있다.
제1 전극(120) 상에 금속막(135)이 형성된 후, 금속막(135) 상에는 감광 물질(photosensitive substance)을 포함하는 포토레지스트 필름(미도시)이 형성된다. 본 실시예에서, 포토레지스트 필름은 스핀 코팅 공정(spin coating process) 또는 슬릿 코팅 공정(silt coating process) 등을 통해 형성될 수 있다.
포토레지스트 필름이 금속막(135) 상에 형성된 후, 포토레지스트 필름은 제1 마스크를 이용하는 사진 공정 및 노광 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝되어, 금속막(135) 상에는 제2 포토레지스트 패턴(138)이 형성된다.
포토레지스트 패턴(138)은 제1 포토레지스트 패턴(136) 및 제2 포토레지스트 패턴(137)으로 이루어진다. 제1 포토레지스트 패턴(136)은 각 픽셀 영역(P1)의 테두리를 따라서 폐루프 띠 형상으로 형성된다. 제2 포토레지스트 패턴(137)은 주변 영역에, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상으로 형성된다. 본 실시예에서, 제2 포토레지스트 패턴(137)의 폭은 주변 영역(P2)의 폭보다 다소 좁게 형성되는 것이 바람직하다.
도 7은 도 6에 도시된 제1 전극 상에 배치된 보조 전극 및 희생 패턴 상에 배치된 유기막 및 유기막을 덮는 포토레지스트 패턴을 도시한 단면도이다. 도 8은 도 7의 III-III' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 제1 전극(120) 상에 배치된 금속막(135)은 도 6에 도시된 포토레지스트 패턴(138)을 식각 마스크로 이용하여 패터닝 되어 제1 전극(120) 상에는 보조 전극(130) 및 희생 패턴(132)이 형성된다.
보조 전극(130)은 주변 영역(P2)에 배치되며, 희생 패턴(132)은 픽셀 영역(P1)의 테두리를 따라 띠 형상으로 배치된다.
이어서, 제1 기판(110)상에는 유기막(155)이 형성된다. 본 실시예에서, 유기막(155)으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 폴리이미드 등을 들 수 있다. 본 실시예에서, 유기막(155)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정 및 스핀 코팅 공정 등에 의하여 형성될 수 있다.
제1 기판(110) 상에 유기막(155)이 형성된 후, 유기막(155)상에는 포토레지스트 필름(미도시)이 형성된 후, 포토레지스트 필름은 제2 마스크를 이용하는 사진 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝 되어, 유기막(155) 상에는 포토레지스트 패턴(158)이 형성된다. 본 실시예에서, 포토레지스트 패턴(158)은 제1 포토레지스트 패턴(156) 및 제2 포토레지스트 패턴(157)을 포함한다.
제1 포토레지스트 패턴(156)은 각 픽셀 영역(P1)의 테두리를 따라 형성되며, 제1 포토레지스트 패턴(156)의 폭은 희생 패턴(132)의 폭보다 넓게 형성된다. 제2 포토레지스트 패턴(156)은 주변 영역(P2)에 형성되며, 제2 포토레지스트 패턴(156)의 폭은 보조 전극(130)의 폭보다 넓게 형성된다. 본 실시예에서, 유기막(155) 상에 배치된 제1 포토레지스트 패턴(156) 및 제2 포토레지스트 패턴(157)의 사이에는 갭(gap)이 형성된다.
도 9는 도 8의 유기막을 패터닝하여 형성된 제1 격벽 및 제2 격벽을 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 도 8에 도시된 바와 같이 유기막(155) 상에 포토레지스트 패턴(158)을 형성한 후, 유기막(155)은 포토레지스트 패턴(158)을 식각 마스크로 이용하여 패터닝 되어 제1 전극(120) 상에는 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150)이 형성된다.
본 실시예에서, 제1 격벽(140)은 픽셀 영역(P1)의 테두리를 따라 띠 형상으로 배치되고, 제2 격벽(150)은 주변 영역(P1)에 배치되며, 제2 격벽(150)은, 평면 상에서 보았을 때, 격자 형상을 갖는다. 본 실시예에서, 도 8에 도시된 제1 포토레지스트 패턴(156) 및 제2 포토레지스트 패턴(157) 사이에는 갭이 형성되어 있기 때문에 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150) 역시 상호 소정 간격 이격 되어 배치된다. 한편, 제1 격벽(140)을 형성하는 도중 희생 패턴(132)의 측면은 외부에 노출된다.
도 10은 도 9의 희생 패턴을 제거한 것을 도시한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 도 8에 도시된 유기막(155)을 패터닝 하여, 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150)을 형성한 후, 제1 격벽(140) 및 제2 격벽(150) 사이에 형성된 갭에 의하여 노출된 희생 패턴(132)은 식각 공정에 의하여 제거되어, 제1 격벽(140)의 하부에는 언더컷(145)이 형성된다. 본 실시예에서, 희생 패턴(132)은, 예를 들어, 습식 식각 공정에 의하여 제거될 수 있다. 희생 패턴(132)을 제거하여 형성된 제1 격벽(140)의 언더컷(145)의 높이는 실질적으로 희생 패턴(132)의 두께와 동일하다.
도 11은 도 10에 도시된 제1 기판에 유기 발광 패턴 및 제2 전극을 형성한 것을 도시한 단면도이다.
도 11을 참조하면, 도 9에 도시된 희생 패턴(132)을 제거하여 제1 격벽(140)의 하부에 언더컷(145)을 형성한 후, 제1 기판(110)의 전면에 걸쳐 유기 발광 패턴(160)을 형성한다. 유기 발광 패턴(160)은 홀 수송층, 홀 주입층, 발광층, 전자 주입층 및 전자 수송층을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 유기 발광 패턴(160)은 진공 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다.
유기 발광 패턴(160)이 제1 기판(110)의 전면에 걸쳐 형성된 후, 유기 발광 패턴(160) 상에는 전면적에 걸쳐 제2 전극(170)이 형성된다. 본 실시예에서, 제2 전극(170)은 진공 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다.
이후, 도 1에 도시된 바와 같이 제2 기판(180)의 구동 소자(185)의 출력단은 제1 기판(110)에 형성된 제2 전극(170)과 전기적으로 연결되어 표시장치(100)가 제조된다. 본 실시예에서, 제1 기판(110)에 형성된 제2 전극(170) 중 제1 격벽(140)의 상면에 배치된 부분이 제2 기판(170)과 전기적으로 연결된다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 2 장의 마스크를 이용하여 제1 전극, 보조 전극, 제2 전극 및 유기 발광 패턴을 갖는 표시장치의 상판을 형성함으로서 종래 4 장의 마스크를 이용하여 표시장치의 상판을 형성할 때에 비하여 표시장치의 제조 공정을 크게 단축 시키는 효과를 갖는다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 영상을 표시하기 위한 픽셀 영역들 및 상기 각 픽셀 영역 주변에 배치된 주변 영역을 갖는 제1 기판;
    상기 픽셀 및 주변 영역들을 덮는 제1 전극;
    상기 주변영역에 대응하는 상기 기판상에 배치된 보조 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되며 상기 각 픽셀 영역의 테두리를 따라 띠 형상으로 배치되며 상기 제1 전극과 접촉되는 바닥에 언더컷이 형성된 제1 격벽;
    상기 제1 격벽과 이격 되며 상기 보조 전극을 덮는 제2 격벽;
    상기 각 픽셀 영역 내의 상기 제1 전극 상에 배치된 유기 발광 패턴;
    상기 유기 발광패턴을 덮고 상기 제1 격벽의 상면에 배치된 제2 전극; 및
    상기 제1 기판과 마주하며, 상기 각 제2 전극의 상면과 전기적으로 직접 연결된 출력단을 갖는 구동소자를 포함하는 제2 기판을 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 픽셀 영역은, 평면상에서 보았을 때, 매트릭스 형태로 배치되고, 상기 주변 영역은, 평면상에서 보았을 때, 격자 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보조 전극은, 평면상에서 보았을 때, 상기 격자 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 산화 주석 인듐, 산화 아연 인듐, 아몰퍼스 산화 주석 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 보조 전극은 몰리브덴 및 몰리브덴 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 격벽들은 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 언더컷의 높이는 상기 보조 전극의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제1 기판상에 형성된 픽셀 영역들 및 상기 각 픽셀 영역 주변에 배치된 주변 영역을 덮는 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 주변 영역에 보조 전극 및 상기 보조 전극과 이격 되며 상기 각 픽셀 영역의 테두리를 따라 희생 패턴을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극 및 상기 희생 패턴을 덮는 절연막을 패터닝 하여 상기 희생 패턴은 노출하고 상기 각 픽셀 영역의 테두리를 따라 띠 형상으로 배치된 제1 격벽 및 상기 제1 격벽과 이격 되며 상기 보조 전극을 덮는 제2 격벽을 형성하는 단계;
    노출된 상기 희생 패턴을 상기 제1 전극으로부터 제거하여 상기 제1 전극과 접촉되는 상기 제1 격벽의 바닥에 언더컷을 형성하는 단계;
    상기 제1 격벽을 포함하는 상기 픽셀 영역상에 유기 발광 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판에 금속층을 형성하여 상기 제1 격벽을 포함하는 상기 픽셀 영역마다 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 격벽 상에 배치된 상기 제2 전극을 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판에 형성된 구동소자의 출력단에 전기적으로 접속하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 보조 전극 및 상기 희생 패턴을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극 상에 금속막을 형성하는 단계;
    상기 주변영역과 대응하는 상기 금속막 상에 격자 형상으로 배치된 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 픽셀 영역의 테두리를 따라서 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 금속막을 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴들을 식각 마스크로 이용하여 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속막은 몰리브덴 및 몰리브덴 합금으로 이루어진 군 으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 희생 패턴을 제거하는 단계는 상기 희생 패턴을 습식 식각에 의하여 제거하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
KR1020060132701A 2006-12-22 2006-12-22 표시장치 및 이의 제조 방법 KR20080058687A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060132701A KR20080058687A (ko) 2006-12-22 2006-12-22 표시장치 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060132701A KR20080058687A (ko) 2006-12-22 2006-12-22 표시장치 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080058687A true KR20080058687A (ko) 2008-06-26

Family

ID=39804024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060132701A KR20080058687A (ko) 2006-12-22 2006-12-22 표시장치 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080058687A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106463642A (zh) * 2014-05-12 2017-02-22 乐金显示有限公司 有机发光装置及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106463642A (zh) * 2014-05-12 2017-02-22 乐金显示有限公司 有机发光装置及其制造方法
CN106463642B (zh) * 2014-05-12 2018-05-29 乐金显示有限公司 有机发光装置及其制造方法
US10074823B2 (en) 2014-05-12 2018-09-11 Lg Display Co., Ltd. Organic light emtting device with short circuit preventing layer and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080060400A (ko) 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
JP5847061B2 (ja) アレイ基板及びその製造方法
CN103840090B (zh) 制造有机发光二极管显示装置的方法
CN109244269B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
KR101332048B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6049111B2 (ja) 有機薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置
CN106019751B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2020199548A1 (en) Display panel, display apparatus, and method of fabricating display panel
CN107656407B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
US20220238614A1 (en) Display substrates and manufacturing methods thereof, and display devices
CN110112201B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN104638016A (zh) 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
CN103487999B (zh) 一种阵列基板、制备方法以及显示装置
CN100580939C (zh) 显示器件及其制造方法
WO2020233485A1 (zh) 发光器件及其制造方法、掩膜板、显示装置
CN107422543A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR101341024B1 (ko) 박막 패턴의 제조 방법과 그를 가지는 평판 표시 소자
CN109713020A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
KR20080058687A (ko) 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100762120B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
KR100599469B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
CN203350571U (zh) 一种阵列基板以及显示装置
CN108922868A (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板
CN114779546B (zh) 阵列基板及其制备方法、液晶显示面板及显示装置
KR101023319B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid