CN110112201B - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110112201B
CN110112201B CN201910430796.7A CN201910430796A CN110112201B CN 110112201 B CN110112201 B CN 110112201B CN 201910430796 A CN201910430796 A CN 201910430796A CN 110112201 B CN110112201 B CN 110112201B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode layer
substrate
base plate
auxiliary electrode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910430796.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110112201A (zh
Inventor
刘小宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910430796.7A priority Critical patent/CN110112201B/zh
Publication of CN110112201A publication Critical patent/CN110112201A/zh
Priority to US17/256,376 priority patent/US20210159289A1/en
Priority to PCT/CN2020/090659 priority patent/WO2020233531A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110112201B publication Critical patent/CN110112201B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示基板包括：衬底基板，设置在该衬底基板上的辅助电极层和导电结构，以及依次层叠设置在衬底基板上的第一电极层、发光层和第二电极层。第二电极层通过导电结构与辅助电极层电连接，从而可以减小第二电极层的电阻，增加了该第二电极层的导电效果，进而可以提高显示基板的显示效果。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示装置因其自发光、驱动电压低、响应快等特点而得到了广泛的应用。
相关技术中，OLED显示装置包括OLED显示基板，该OLED显示基板包括依次形成在衬底基板上的阳极层、发光层以及阴极层。在顶发射的OLED显示基板中，发光层发出的光被阳极层反射后从阴极层射出。由于顶发射的OLED显示基板中光需要从阴极层射出，因此该阴极层需要设计的较薄，进而保证光的透过率。
但是，顶发射的OLED显示基板中，薄的阴极层的电阻较高，OLED显示基板的显示效果较差。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中显示基板的显示效果较差。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的辅助电极层和导电结构，以及依次层叠设置在所述衬底基板上的第一电极层、发光层和第二电极层；
所述导电结构位于所述衬底基板的周边区域，且分别与所述辅助电极层的侧壁和所述第二电极层接触；
其中，所述周边区域为包围发光区域的区域，所述辅助电极层的侧壁所在面与所述衬底基板的承载面具有夹角。
可选的，所述辅助电极层位于所述周边区域，且与所述第一电极层同层设置；
所述辅助电极层中设置有第一过孔，所述导电结构位于所述第一过孔内。
可选的，所述第一过孔靠近所述衬底基板一侧的开口在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一过孔远离所述衬底基板一侧的开口在所述衬底基板上的正投影内。
可选的，所述显示基板还包括：位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧的像素界定层；
所述像素界定层位于所述周边区域的部分设置有与所述第一过孔连通的第二过孔；
所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。
可选的，所述第一电极层位于所述辅助电极层远离所述衬底基板的一侧；
所述辅助电极层包括：位于所述发光区域的反射图案和位于所述周边区域的辅助电极图案，所述导电结构与所述辅助电极图案的侧壁接触。
可选的，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极图案和第二电极图案；
所述第一电极图案位于所述反射图案远离所述衬底基板的一侧；
所述第二电极图案位于所述辅助电极图案远离所述衬底基板的一侧，且所述第二电极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述辅助电极图案在所述衬底基板上的正投影。
可选的，所述导电结构为导电胶。
可选的，所述发光层的一部分位于所述周边区域，且所述发光层位于所述周边区域的部分与所述辅助电极层的侧壁之间存在间隙，所述导电结构填充所述间隙。
另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板的一侧形成辅助电极层和第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成发光层；
在所述衬底基板上的周边区域形成导电结构，所述导电结构与所述辅助电极层的侧壁接触，所述周边区域为包围发光区域的区域；
在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层与所述导电结构接触。
可选的，所述在衬底基板的一侧形成辅助电极层和第一电极层，包括：
在衬底基板上形成同层设置的辅助电极薄膜和第一电极层，所述辅助电极薄膜位于所述周边区域，所述周边区域为包围发光区域的区域；
对所述辅助电极薄膜进行刻蚀，在所述辅助电极薄膜中形成第一过孔，得到所述辅助电极层；
在所述衬底基板上包围发光区域的周边区域形成导电结构，包括：在所述第一过孔内形成导电结构。
可选的，所述在衬底基板的一侧形成辅助电极层和第一电极层，包括：
在衬底基板的一侧形成辅助电极薄膜；
在所述辅助电极薄膜远离所述衬底基板的一侧形成第一电极薄膜；
分别对所述第一电极薄膜和所述辅助电极薄膜进行图形化处理，得到所述辅助电极层和所述第一电极层；
其中，所述辅助电极层包括：位于所述发光区域的反射图案和位于所述周边区域的辅助电极图案，所述导电结构与所述辅助电极图案的侧壁接触。
可选的，所述在所述衬底基板的周边区域形成导电结构，包括：
在所述周边区域填充导电胶；
凝固所述导电胶，形成所述导电结构。
可选的，所述在所述衬底基板上的周边区域形成导电结构，包括：
采用斜角蒸镀工艺，在所述发光层位于所述周边区域的部分与所述辅助电极层的侧壁之间的间隙处蒸镀金属材料，得到所述导电结构。
可选的，所述在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成发光层之前，所述方法还包括：
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素界定薄膜；
对所述像素界定薄膜进行图形化处理，得到像素界定层，所述像素界定层位于所述周边区域的部分中形成第二过孔；
其中，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述导电结构接触。
又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：如上述方面所述的显示基板。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，该显示基板包括：衬底基板，设置在该衬底基板上的辅助电极层和导电结构，以及依次层叠设置在衬底基板上的第一电极层、发光层和第二电极层。第二电极层通过导电结构与辅助电极层电连接，从而可以减小第二电极层的电阻，增加了该第二电极层的导电效果，进而可以提高显示基板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图；
图7是本发明实施例提供的一种形成的辅助电极薄膜和第一电极层的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种形成的像素界定薄膜的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种形成的像素界定层的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种形成的辅助电极层的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种形成的发光层的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种形成的导电结构的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种形成的导电结构的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的又一种显示基板的制造方法的流程图；
图16是本发明实施例提供的一种形成的辅助电极薄膜的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种形成的第一电极薄膜的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的一种形成的辅助电极层的第一电极层的结构示意图；
图19是本发明实施例提供的另一种形成的像素界定薄膜的结构示意图；
图20是本发明实施例提供的另一种形成的像素界定层的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的另一种形成的发光层的结构示意图；
图22是本发明实施例提供的又一种形成的导电结构的结构示意图；
图23是本发明实施例提供的再一种形成的导电结构的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图。参考图1可以看出，该显示基板可以包括：衬底基板001，设置在该衬底基板001上的辅助电极层002和导电结构003，以及依次层叠设置在该衬底基板001上的第一电极层004、发光层005和第二电极层006。
该导电结构003可以位于该衬底基板001的周边区域a2，且该导电结构003可以分别与辅助电极层002的侧壁和第二电极层006接触，也即是，该第二电极层006可以通过该导电结构003与辅助电极层002电连接。
其中，该周边区域a2可以为包围发光区域a1的区域，该辅助电极层002的侧壁所在面与该衬底基板001的承载面具有夹角，也即是，该辅助电极层002的侧壁所在面与该衬底基板001的承载面不平行。其中，该衬底基板001的承载面可以是指该衬底基板001承载有各个膜层结构的一面。发光区域a1可以是指显示基板上由像素界定层所限定的能够发光的区域，因此该发光区域a1也可以称为开口区域。可选的，显示基板上可以设置有多个像素单元(也称为子像素)，每个像素单元均具有一发光区域。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括：衬底基板，设置在该衬底基板上的辅助电极层和导电结构，以及依次层叠设置在衬底基板上的第一电极层、发光层和第二电极层。第二电极层通过导电结构与辅助电极层电连接，从而可以减小第二电极层的电阻，增加了该第二电极层的导电效果，进而可以提高显示基板的显示效果。
作为一种可选的实现方式，参考图2，辅助电极层002可以位于包围发光区域a1的周边区域a2，且辅助电极层002可以与第一电极层004同层且间隔设置。也即是，该辅助电极层002在衬底基板001上的正投影，与第一电极层004在衬底基板001上的正投影可以不重叠。其中，第一电极层004所在区域可以与发光区域a1重叠，例如，该第一电极层004所在区域可以覆盖该发光区域a1。
可选的，如图2所示，辅助电极层002中可以设置有第一过孔(图中未标注)，该导电结构003可以位于该第一过孔内，从而与辅助电极层002的侧壁接触。在该实现方式中，辅助电极层002的侧壁也即是该第一过孔的侧壁。
其中，该第一过孔靠近衬底基板001一侧的开口在该衬底基板001上的正投影，可以位于该第一过孔远离衬底基板001一侧的开口在该衬底基板001上的正投影内。
在本发明实施例中，辅助电极层002中的第一过孔可以是通过刻蚀得到的，且刻蚀方向X可以垂直于衬底基板001的承载面，且可以朝向衬底基板001。也即是，可以沿辅助电极层002远离衬底基板001的一侧向辅助电极层002靠近衬底基板001的一侧进行刻蚀，得到该第一过孔。因此，随着刻蚀时间的延长，会使得第一过孔远离该衬底基板001一侧的开口大于第一过孔靠近衬底基板001一侧的开口。
在本发明实施例中，辅助电极层002上刻蚀得到的第一过孔的深度可以为0.1(μm)微米至3μm。也即是，辅助电极层002的过刻量的范围可以为0.1μm至3μm。或者，该过刻量还可以为辅助电极层002的厚度。也即是，可以将该辅助电极层002刻蚀透。其中，第一过孔的深度方向垂直于该承载面。
可选的，参考图2，该第一过孔的侧壁与该衬底基板001的承载面的夹角α(也称为坡度角)的范围可以为30°(度)至60°。其中，该第一过孔的侧壁与该衬底基板001的承载面的夹角α可以通过调整刻蚀剂的类型以及刻蚀时间来控制。
在本发明实施例中，该辅助电极层002可以由低电阻率的金属材料制成，例如，可以由铜(Cu)制成，或者，该辅助电极层002可以由银(Ag)制成，又或者，该辅助电极层002可以由Al(铝)制成。
可选的，第一电极层004可以包括：设置在衬底基板001一侧的反射金属层，以及设置在反射金属层远离衬底基板001的一侧的透明电极层。该反射金属层可以由具备反光特性的金属材料制成。例如，该反射金属层可以由Cu、Ag或者Al制成。透明电极层可以由ITO(indium tin oxide，氧化铟锡)材料制成。发光层005发出的光线照射至该透明电极层，并被位于该透明电极层靠近衬底基板的一侧的反射金属层反射，该被反射的光线可以通过第二电极层006射出，从而实现图像显示。
作为另一种可选的实现方式，参考图3，第一电极层004可以位于辅助电极层002远离衬底基板001的一侧。该辅助电极层002可以由具备反光特性的金属材料(例如Cu、Ag或Al)制成，且该辅助电极层002可以包括：位于发光区域a1的反射图案0021和位于周边区域a2的辅助电极图案0022，该导电结构003可以与该辅助电极图案0022的侧壁接触。也即是，在该实现方式中，辅助电极层002的侧壁是指辅助电极图案0022的侧壁。
可选的，参考图3，该辅助电极图案0022的侧壁与该衬底基板001的承载面的夹角α的范围可以为30°(度)至60°。其中，该辅助电极图案0022的侧壁与该衬底基板001的承载面的夹角α可以通过调整刻蚀剂的类型以及刻蚀时间来控制。
在本发明实施例中，该辅助电极层002中位于发光区域a1的反射图案0021可以作为第一电极层004的反射金属层，位于周边区域a2的辅助电极图案0022可以作为第二电极层006的辅助电极。因此在形成第一电极层004时，可以直接在辅助电极层002远离衬底基板001的一侧形成ITO透明电极，无需再额外形成反射金属层，从而可以避免增加该显示基板的制造工艺的复杂度。并且，发光层005发出的光线可以照射至该ITO透明电极，并被位于该ITO透明电极靠近衬底基板的一侧的辅助电极层002中的反射图案0021反射，该被反射的光线可以通过第二电极层006射出，从而实现图像显示。
参考图3还可以看出，该第一电极层004可以包括间隔设置的第一电极图案0041和第二电极图案0042。该第一电极图案0041可以位于反射图案0021远离衬底基板001的一侧。第二电极图案0042可以位于辅助电极图案0022远离衬底基板001的一侧。也即是，该第一电极图案0041所在区域可以与发光区域a1重合或者可以覆盖该发光区域a1，该第二电极图案0042可以位于包围该发光区域a1的周边区域。
其中，该第二电极图案0042在衬底基板001上的正投影可以覆盖辅助电极图案0022在衬底基板001上的正投影，从而使得在采用开放掩膜板形成发光层005后，该发光层005位于周边区域a2的部分与该辅助电极层002中的辅助电极图案0022的侧壁之间可以存在间隙，从而可以避免发光层005遮挡辅助电极层002中的辅助电极图案0022，确保导电结构003能够与辅助电极图案0022有效连接，进而可以确保第二电极层006与辅助电极图案0022的有效连接，保证显示基板的显示效果。
在本发明实施例中，参考图1至3，导电结构003可以采用导电胶(该导电胶也可以称为导电银胶)制成。由于导电胶是液体，因此采用导电胶制成导电结构003，可以确保形成的导电结构003能够与辅助电极层002的侧壁紧密接触，确保了该第二电极层006和辅助电极层002连接的有效性。
或者，参考图4，该导电结构003还可以采用金属材料制成。当由金属材料制成该导电结构003时，该导电结构003可以是通过斜角蒸镀工艺，将金属材料蒸镀在周边区域a2得到的。
示例的，若辅助电极层002与第一电极层004同层且间隔设置，则该导电结构003可以是通过斜角蒸镀工艺，将金属材料蒸镀在辅助电极层002中的第一过孔内得到的。
若第一电极层004位于辅助电极层002远离衬底基板001的一侧，则该导电结构003可以是通过斜角蒸镀工艺，将金属材料蒸镀在辅助电极层002中的反射图案0021和辅助电极图案0022之间得到的，且得到的该导电结构003与辅助电极图案0022接触，与反射图案0021不接触。
参考图2至图4可以看出，该发光层005的一部分可以位于周边区域a2，且该发光层005位于周边区域a2的部分与辅助电极层002的侧壁之间可以存在间隙，该导电结构003可以填充该间隙，从而保证导电结构003可以与辅助电极层002接触。
示例的，参考图2，该发光层005的一部分可以位于辅助电极层002中的第一过孔内，一部分可以位于第一电极层004远离衬底基板001的一侧。参考图1、图3和图4，该发光层005的一部分可以位于反射图案0021和辅助电极图案0022之间，一部分可以位于第一电极图案0041远离衬底基板001的一侧，以及第二电极图案0042远离衬底基板001的一侧。
参考图1至图4还可以看出，该显示基板还可以包括：位于该第一电极层004远离该衬底基板001的一侧的像素界定层007。该像素界定层007可以用于界定显示基板中的各个发光区域。
参考图1至图4，该像素界定层007位于周边区域a2的部分可以设置有第二过孔007a，第二电极层006可以通过该第二过孔007a与导电结构003接触。
对于辅助电极层002位于周边区域a2，且辅助电极层002中设置有第一过孔的方案(例如图2所示的方案)，该第二过孔007a可以与第一过孔连通，且第一过孔在衬底基板001上的正投影可以覆盖该第二过孔007a在衬底基板001上的正投影，从而使得在采用开放掩膜板形成发光层005后，该发光层005位于周边区域a2的部分与该辅助电极层002中的第一过孔的侧壁之间可以存在间隙，从而可以避免发光层005遮挡辅助电极层002，确保导电结构003能够与辅助电极层002有效连接，进而可以确保第二电极层006与辅助电极层002的有效连接，保证显示基板的显示效果。
对于辅助电极层002包括反射图案0021和辅助电极图案0022的方案，该第二过孔007a在衬底基板001上的正投影，可以覆盖第二电极图案0042和辅助电极图案0022在衬底基板001上的正投影。也即是，该第二过孔007a可以将第二电极图案0042和辅助电极图案0022露出，由此可以确保在采用开放掩膜板形成发光层005后，该发光层005位于周边区域a2的部分与该辅助电极层002的辅助电极图案0022的侧壁之间可以存在间隙，从而可以避免发光层005遮挡辅助电极图案0022，确保导电结构003能够辅助电极图案0022有效连接，进而可以确保第二电极层006与辅助电极图案0022的有效连接，保证显示基板的显示效果。
在本发明实施例中，制成第二电极层006的材料可以为金属或金属合金。例如该第二电极层006可以由银或铝等金属材料制成，或者，该第二电极层006可以由镁银、镁铝或镁钙等金属合金材料制成。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括：衬底基板，设置在该衬底基板上的辅助电极层和导电结构，以及依次层叠设置在衬底基板上的第一电极层、发光层和第二电极层。第二电极层通过导电结构与辅助电极层电连接，从而可以减小第二电极层的电阻，增加了该第二电极层的导电效果，进而可以提高显示基板的显示效果。
图5是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图，该制造方法可以用于制造上述实施例提供的显示基板。参考图5，该方法可以包括：
步骤101、在衬底基板的一侧形成辅助电极层和第一电极层。
若该辅助电极层002和第一电极层004同层且间隔设置，则在形成该辅助电极层002和第一电极层004时，可以先在衬底基板001上形成辅助电极层002，再在衬底基板001上形成第一电极层004。或者，也可以先在衬底基板001上形成第一电极层004，再在衬底基板001上形成辅助电极层002。
若第一电极层004位于辅助电极层002远离衬底基板001的一侧，则可以先在衬底基板001的一侧形成辅助电极层002，再在该辅助电极层002远离衬底基板001的一侧形成第一电极层004。
步骤102、在该第一电极层远离该衬底基板的一侧形成发光层。
该发光层005可以采用开放掩膜板制作，且该发光层005的一部分可以位于发光区域，另一部分可以位于周边区域a2。
步骤103、在衬底基板上的周边区域形成导电结构。
该导电结构003可以与辅助电极层002的侧壁接触，从而使得后续在形成第二电极层006时，可以使该第二电极层006与该导电结构003接触。该第二电极层006可以通过该导电结构003与辅助电极层002电连接。其中，该周边区域a2可以为包围发光区域a1的区域。
步骤104、在该发光层远离该衬底基板的一侧形成第二电极层，该第二电极层与导电结构连接。
由于导电结构003同时与辅助电极层002的侧壁以及第二电极层006接触。因此，该第二电极层006可以通过导电结构003与辅助电极层002电连接，从而可以减小该第二电极层006的电阻，增加该第二电极层006的导电效果，提高了显示基板的显示效果。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法，该方法中形成的导电结构可以与辅助电极层的侧壁以及第二电极层接触，该第二电极层可以通过该导电结构与该辅助电极层电连接，从而可以减小第二电极层的电阻，增加了该第二电极层的导电效果，进而可以提高显示基板的显示效果。
作为一种可选的实现方式，图6是本发明实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图，该制造方法可以用于制造上述实施提供的显示基板，例如图2所示的显示基板。参考图6可以看出，该方法可以包括：
步骤201、在衬底基板上形成同层设置的辅助电极薄膜和第一电极层。
图7是本发明实施例提供的一种形成的辅助电极薄膜和第一电极层的结构示意图。参考图7可以看出，辅助电极薄膜002b和第一电极层004可以同层设置，且辅助电极薄膜可以位于周边区域a2，第一电极层004所在区域可以与发光区域a1重叠，例如，该第一电极层004所在区域可以覆盖该发光区域a1。该周边区域a2可以为包围发光区域a1的区域。
在本发明实施例中，可以先在衬底基板001上形成辅助电极薄膜002b，该辅助电极薄膜002b位于周边区域a2，之后在衬底基板上形成第一电极层004，该第一电极层004位于发光区域a1。或者，也可以先在衬底基板001上形成第一电极层004，之后在衬底基板001上形成辅助电极薄膜002b。本发明实施例对在衬底基板001上形成辅助电极薄膜002b和第一电极层004的顺序不做限定。
可选的，该辅助电极薄膜002b可以由低电阻率的材料制成，例如可以由Cu、Ag或者Al制成。
在衬底基板001上形成第一电极层004的过程可以包括：先在衬底基板001的一侧形成反射金属层，然后在反射金属层远离衬底基板001的一侧形成透明电极层，由此可以得到包括反射金属层和透明电极层的第一电极层004。其中，该反射金属层可以由Cu、Ag或者Al制成，透明电极层可以由ITO材料制成。
步骤202、在第一电极层远离衬底基板的一侧形成像素界定薄膜。
图8是本发明实施例提供的一种形成的像素界定薄膜的结构示意图。参考图8，该像素界定薄膜007b可以整层覆盖在衬底基板001上。
步骤203、对像素界定薄膜进行图形化处理，得到像素界定层。
图9是本发明实施例提供的一种形成的像素界定层的结构示意图。参考图9可以看出，对像素界定薄膜007b进行图形化处理时，可以在该像素界定薄膜007b中形成用于限定发光区域a1的开口，并可以在该像素界定薄膜007b位于周边区域a2的部分形成第二过孔007a。后续形成的第二电极层006可以通过该第二过孔007a与导电结构003接触。
可选的，可以采用光刻工艺(也可以称为Mask工艺)对该像素界定薄膜007b进行图形化处理，得到像素界定层007。其中，该光刻工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺。
步骤204、对辅助电极薄膜进行刻蚀，在辅助电极薄膜中形成第一过孔，得到辅助电极层。
图10是本发明实施例提供的一种形成的辅助电极层的结构示意图。可以通过刻蚀的方法在该辅助电极薄膜002b中形成第一过孔002a，从而得到辅助电极层002。该第一过孔002a可以位于周边区域a2。且第一过孔002a在衬底基板001上的正投影可以像素界定层007中的该第二过孔007a在衬底基板001上的正投影，从而使得在采用开放掩膜板形成发光层005后，该发光层005位于周边区域a2的部分与该辅助电极层002中的第一过孔002a的侧壁之间可以存在间隙，从而可以避免发光层005遮挡辅助电极层002，确保导电结构003能够与辅助电极层002有效连接，进而可以确保第二电极层006与辅助电极层002的有效连接，保证显示基板的显示效果。
在本发明实施例中，可以采用湿法刻蚀的方式对辅助电极薄膜002b进行刻蚀。或者，也可以采用干法刻蚀的方式对辅助电极薄膜002b进行刻蚀。
该湿法刻蚀是指通过刻蚀剂与被刻蚀物之间的化学反应将被刻蚀物剥离下来的刻蚀方法。湿法刻蚀为各向同性刻蚀，其中，同性刻蚀可以是指刻蚀剂向下刻蚀的速率与在其他方向大致相同。该干法刻蚀可以是指通过等离子体和被刻蚀物反应，形成挥发性物质，或直接轰击被刻蚀物表面将被刻蚀物剥离下来的刻蚀方法。干法刻蚀为各向异性刻蚀，其中，异性刻蚀可以是指刻蚀剂在某个方向的刻蚀速率远大于其他方向。
参考图10可以看出，第一过孔002a靠近衬底基板001一侧的开口在该衬底基板001上的正投影，可以位于该第一过孔002a远离衬底基板001一侧的开口在该衬底基板001上的正投影内，从而使得在后续采用开放掩膜板形成发光层005时，可以避免发光层005遮挡辅助电极层003，确保形成的导电结构003能够与辅助电极层003有效连接，进而可以确保第二电极层006与辅助电极层003的有效连接。
可选的，该第一过孔002a的侧壁与该衬底基板001靠近该辅助电极层002的一面的夹角α的范围可以为30°至60°。其中，该夹角α可以通过调整刻蚀液及刻蚀时间进行控制。
步骤205、在第一电极层远离衬底基板的一侧形成发光层。
图11是本发明实施例提供的一种形成的发光层的结构示意图。该发光层005可以采用开放掩膜板在第一电极层004远离衬底基板001的一侧形成。参考图11可以看出，该发光层005的一部分位于发光区域a1中，另一部分位于第一过孔002a内。发光层005位于第一过孔002a内的部分可以与辅助电极层002的侧壁之间存在间隙，后续形成的导电结构003可以填充该间隙，从而便于第二电极层006与导电结构003电连接。
其中，发光层005可以采用蒸镀工艺的方式进行制备，或者发光层005可以采用蒸镀工艺结合溶液法进行制备。
步骤206、在第一过孔内形成导电结构。
图12是本发明实施例提供的一种形成的导电结构的结构示意图。参考图12可以看出，该导电结构003可以采用导电胶制成。在本发明实施例中，可以先在第一过孔002a内填充导电胶，再采用加热或紫外线(ultraviolet，UV)照射的方式将该导电胶凝固。由于导电胶是液体，因此采用导电胶制成导电结构003，可以确保形成的导电结构003能够与辅助电极层002的侧壁紧密接触，确保了该第二电极层006和辅助电极层002连接的有效性。
可选的，导电胶可以通过打印的方式填充至第一过孔002a内，并与第一过孔002a的侧壁接触。
图13是本发明实施例提供的另一种形成的导电结构的结构示意图。参考图13可以看出，导电结构003也可以采用金属材料制成。该导电结构003可以是采用斜角蒸镀工艺，在发光层005位于第一过孔002a内的部分，与辅助电极层002的侧壁之间的间隙处蒸镀金属材料得到的。
步骤207、在发光层远离衬底基板的一侧形成第二电极层，第二电极层与导电结构接触。
参考2和图14，该第二电极层006可以位于发光层005远离衬底基板001的一侧。该第二电极层006可以通过导电结构003(图2中的导电结构003由导电胶制成，图14中的导电结构003由金属材料制成)与辅助电极层002连接，从而可以减小该第二电极层006的电阻，增加该第二电极层006的导电效果，提高了显示基板的显示效果。
在本发明实施例中，制成第二电极层006的材料可以为金属或金属合金。例如该第二电极层006可以由银或铝等金属材料制成，或者，该第二电极层006可以由镁银、镁铝或镁钙等金属合金材料制成。
可选的，第二电极层006可以采用磁控溅射的方式进行制备，或者可以采用蒸镀的方式进行制备。若采用磁控溅射的方式制备第二电极层006，则在形成该第二电极层006之前，可以在发光层004远离衬底基板001的一侧先形成一层保护层，从而可以避免采用磁控溅射制备第二电极层006时，对该发光层004造成损伤。其中，制成该保护层的材料可以包括酞氰铜(CuPc)。
作为另一种可选的实现方式，图15是本发明实施例提供的又一种显示基板的制造方法的流程图，该制造方法可以用于制造上述实施提供的显示基板。参考图15可以看出，该方法可以包括：
步骤301、在衬底基板的一侧形成辅助电极薄膜。
图16是本发明实施例提供的一种形成的辅助电极薄膜的结构示意图。参考图16可以看出，辅助电极薄膜002b可以位于衬底基板001的一侧。
在本发明实施例中，该辅助电极薄膜002b可以由具备反光特性的金属材料制成，例如，可以由Cu、Ag或者Al制成。
步骤302、在该辅助电极薄膜远离该衬底基板的一侧形成第一电极薄膜。
图17是本发明实施例提供的一种形成的第一电极薄膜的结构示意图。参考图17可以看出，该第一电极薄膜004b和辅助电极薄膜002b均整层覆盖在衬底基板001上。
可选的，第一电极薄膜004b可以为ITO透明电极薄膜。
步骤303、分别对该第一电极薄膜和该辅助电极薄膜进行图形化处理，得到该辅助电极层和该第一电极层。
参考图18，形成的该辅助电极层002可以包括：位于发光区域a1的反射图案0021和位于周边区域a2的辅助电极图案0022，后续形成的导电结构003可以与该辅助电极图案0022的侧壁接触。该反射图案0021可以用于反射发光层005发出的光线，该被反射的光线可以通过第二电极层006射出，从而使实现图像显示。其中，该周边区域a2可以包围该发光区域a1。
参考图18还可以看出，形成的该第一电极层004可以包括：间隔设置的第一电极图案0041和第二电极图案0042。该第一电极图案0041可以形成在反射图案0021远离衬底基板001的一侧。第二电极图案0042可以形成在辅助电极图案0022远离衬底基板001的一侧。也即是，该第一电极图案0041可以形成在发光区域a1，且第一电极图案0041所在区域可以与发光区域a1重合或者可以覆盖该发光区域a1，该第二电极图案0042可以形成在包围该发光区域a1的周边区域。
其中，该第二电极图案0042在衬底基板001上的正投影可以覆盖辅助电极图案0022在衬底基板001上的正投影，从而使得在采用开放掩膜板形成发光层005后，该发光层005位于周边区域a2的部分与该辅助电极层002中的辅助电极图案0022之间可以存在间隙，从而可以避免发光层005遮挡辅助电极层002中的辅助电极图案0022，确保导电结构003能够与辅助电极图案0022有效连接，进而可以确保第二电极层006与辅助电极图案0022的有效连接，保证显示基板的显示效果。
在本发明实施例中，可以采用刻蚀的方式对第一电极薄膜004b和该辅助电极薄膜002b进行图形化处理，形成第一电极层004和辅助电极层002。刻蚀工艺的实现过程可以参考上述步骤204，此处不再赘述。
可选的，该辅助电极图案0022的侧壁与该衬底基板001的承载面的夹角α的范围可以为30°(度)至60°。其中，该辅助电极图案0022的侧壁与该衬底基板001的承载面的夹角α可以通过调整刻蚀剂的类型以及刻蚀时间来控制。
为了保证第一电极层004在衬底基板001上的正投影可以覆盖辅助电极层002在衬底基板001上的正投影，可以选用不同的刻蚀剂对第一电极薄膜004b和辅助电极薄膜002b进行刻蚀，使得在刻蚀第一电极薄膜004b时，辅助电极薄膜002b不会被刻蚀，在刻蚀辅助电极薄膜002b时，第一电极薄膜004b不会被刻蚀。
步骤304、在第一电极层远离衬底基板的一侧形成像素界定薄膜。
图19是本发明实施例提供的另一种形成像素界定薄膜的结构示意图。参考图19可以看出，像素界定薄膜007b可以整层覆盖在衬底基板001上。
步骤305、对像素界定薄膜进行图形化处理，得到像素界定层。
图20是本发明实施例提供的另一种像素界定层的结构示意图。参考图20可以看出，对像素界定薄膜007b进行图形化处理时，可以在该像素界定薄膜007b中形成用于限定发光区域a1的开口，并可以在该像素界定薄膜007b位于周边区域a2的部分形成第二过孔007a，第二电极层006可以通过该第二过孔007a与导电结构003接触。
可选的，可以采用光刻工艺对该像素界定薄膜007b进行图形化处理，得到像素界定层007。
步骤306、在第一电极层远离衬底基板的一侧形成发光层。
图21是本发明实施例提供的另一种形成的发光层的结构示意图。该发光层005可以采用开放掩膜板在第一电极层004远离衬底基板001的一侧形成。参考图21可以看出，该发光层005位于周边区域a2的部分，可以与辅助电极层002侧壁之间存在间隙。后续形成的导电结构003可以填充该间隙，从而便于第二电极层006与导电结构003电连接。其中，发光层005可以采用蒸镀工艺的方式进行制备，或者发光层005可以采用蒸镀工艺结合溶液法进行制备。
步骤307、在衬底基板上的周边区域形成导电结构。
图22是本发明实施例提供的又一种形成的导电结构的结构示意图。参考图22可以看出，该导电结构003可以采用导电胶制成。若采用导电胶制成该导电结构003，则可以先在周边区域a2填充导电胶，再采用加热或UV照射的方式将该导电胶凝固。由于导电胶是液体，因此采用导电胶制成导电结构003，可以确保形成的导电结构003能够与辅助电极层002的侧壁紧密接触，确保了该第二电极层006和辅助电极层002连接的有效性。
可选的，导电胶可以通过打印的方式填充至周边区域a2。该导电胶可以与辅助电极层002中位于周边区域a2的辅助电极图案0022的侧壁接触。
图23是本发明实施例提供的再一种形成的导电结构的结构示意图。参考图23可以看出，该导电结构003可以采用金属材料制成。若采用金属材料制成该导电结构003，则为了保证导电结构003可以被蒸镀在发光层005位于周边区域a2的部分，与辅助电极层002的侧壁之间的间隙内，蒸镀角度θ需满足：大于第一角度β且小于第二角度γ，即θ满足：β<θ<γ。其中，蒸镀角度θ可以是指蒸镀源的蒸镀方向与衬底基板001的承载面之间的夹角。第一角度β可以是指：像素界定层007远离衬底基板001的一侧且靠近周边区域a2的棱边，和第一电极层004靠近衬底基板001的一侧且靠近发光区域a1的棱边的连线，与衬底基板001的承载面之间的夹角。第二角度γ可以是指像素界定层007远离衬底基板001的一侧且靠近周边区域a2的棱边，和辅助电极层002靠近衬底基板001的一侧且靠近发光区域a1的棱边的连线，与衬底基板001的承载面之间的夹角。
步骤308、在发光层远离衬底基板的一侧形成第二电极层，第二电极层与导电结构接触。
参考图3，导电结构003由导电胶制成，参考图4，导电结构003由金属材料制成。该第二电极层006可以位于发光层005远离衬底基板001的一侧。第二电极层006可以通过导电结构003与辅助电极层002连接，从而可以减小该第二电极层006的电阻，增加该第二电极层006的导电效果，提高了显示基板的显示效果。
第二电极层006的形成过程过程可以参考上述步骤207，此处不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法，该方法形成的该导电结构可以与辅助电极层的侧壁以及第二电极层接触，因此该第二电极层可以通过该导电结构与该辅助电极层电连接，从而可以减小第二电极层的电阻，增加了该第二电极层的导电效果，进而可以提高显示基板的显示效果。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述实施例所提供的显示基板，以及用于驱动该显示基板的驱动电路。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、AMOLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的辅助电极层和导电结构，以及依次层叠设置在所述衬底基板上的第一电极层、发光层和第二电极层；
所述导电结构位于所述衬底基板的周边区域，且分别与所述辅助电极层的侧壁和所述第二电极层接触；
其中，所述周边区域为包围发光区域的区域，所述辅助电极层的侧壁所在面与所述衬底基板的承载面具有夹角；
所述辅助电极层位于所述周边区域，且与所述第一电极层同层设置，所述辅助电极层靠近所述衬底基板的一面与所述第一电极层靠近所述衬底基板的一面共面；
所述辅助电极层中设置有第一过孔，所述导电结构位于所述第一过孔内；
所述第一过孔靠近所述衬底基板一侧的开口在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一过孔远离所述衬底基板一侧的开口在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一过孔靠近所述衬底基板一侧的开口小于所述第一过孔远离所述衬底基板一侧的开口；
所述显示基板还包括：位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧的像素界定层；
所述像素界定层位于所述周边区域的部分设置有与所述第一过孔连通的第二过孔；
所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影，且所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影的尺寸大于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述导电结构为导电胶，或者，所述导电结构由金属材料制成。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述发光层的一部分位于所述周边区域，且所述发光层位于所述周边区域的部分与所述辅助电极层的侧壁之间存在间隙，所述导电结构填充所述间隙。
4.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板的一侧形成辅助电极层和第一电极层；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成发光层；
在所述衬底基板上的周边区域形成导电结构，所述导电结构与所述辅助电极层的侧壁接触，所述周边区域为包围发光区域的区域；
在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层与所述导电结构接触；
所述在衬底基板的一侧形成辅助电极层和第一电极层，包括：
在衬底基板上形成同层设置的辅助电极薄膜和第一电极层，所述辅助电极薄膜位于所述周边区域，所述周边区域为包围发光区域的区域；
对所述辅助电极薄膜进行刻蚀，在所述辅助电极薄膜中形成第一过孔，得到所述辅助电极层，其中，所述辅助电极层靠近所述衬底基板的一面与所述第一电极层靠近所述衬底基板的一面共面；
在所述衬底基板上包围发光区域的周边区域形成导电结构，包括：在所述第一过孔内形成导电结构；
所述在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成发光层之前，所述方法还包括：
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素界定薄膜；
对所述像素界定薄膜进行图形化处理，得到像素界定层，所述像素界定层位于所述周边区域的部分中形成第二过孔，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述导电结构接触；
其中，所述第一过孔靠近所述衬底基板一侧的开口在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一过孔远离所述衬底基板一侧的开口在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一过孔靠近所述衬底基板一侧的开口小于所述第一过孔远离所述衬底基板一侧的开口；所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影，且所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影的尺寸大于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影的尺寸。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的周边区域形成导电结构，包括：
在所述周边区域填充导电胶；
凝固所述导电胶，形成所述导电结构。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上的周边区域形成导电结构，包括：
采用斜角蒸镀工艺，在所述发光层位于所述周边区域的部分与所述辅助电极层的侧壁之间的间隙处蒸镀金属材料，得到所述导电结构。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：如权利要求1至3任一所述的显示基板。
CN201910430796.7A 2019-05-22 2019-05-22 显示基板及其制造方法、显示装置 Active CN110112201B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910430796.7A CN110112201B (zh) 2019-05-22 2019-05-22 显示基板及其制造方法、显示装置
US17/256,376 US20210159289A1 (en) 2019-05-22 2020-05-15 Display substrate, method for manufacturing display substrate and display device
PCT/CN2020/090659 WO2020233531A1 (zh) 2019-05-22 2020-05-15 显示基板及其制造方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910430796.7A CN110112201B (zh) 2019-05-22 2019-05-22 显示基板及其制造方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110112201A CN110112201A (zh) 2019-08-09
CN110112201B true CN110112201B (zh) 2021-01-19

Family

ID=67491788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910430796.7A Active CN110112201B (zh) 2019-05-22 2019-05-22 显示基板及其制造方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210159289A1 (zh)
CN (1) CN110112201B (zh)
WO (1) WO2020233531A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110112201B (zh) * 2019-05-22 2021-01-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN112467054B (zh) * 2020-11-30 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示装置
CN114284458B (zh) * 2021-12-29 2023-10-03 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板
WO2023206402A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109524576A (zh) * 2018-12-13 2019-03-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6956240B2 (en) * 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7427783B2 (en) * 2004-04-07 2008-09-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode
JP2010062003A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR100936881B1 (ko) * 2008-11-26 2010-01-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102017118B1 (ko) * 2013-01-03 2019-09-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6231281B2 (ja) * 2013-01-23 2017-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6211873B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-11 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US9806279B2 (en) * 2014-07-08 2017-10-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof
KR102394427B1 (ko) * 2015-04-02 2022-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
CN105161505B (zh) * 2015-09-28 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
KR102413365B1 (ko) * 2015-11-03 2022-06-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법
CN105957875A (zh) * 2016-05-31 2016-09-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示面板及显示装置
CN109216578B (zh) * 2017-06-30 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 电致发光二极管阵列基板及其制备方法、显示面板
CN111972043B (zh) * 2018-03-29 2023-08-01 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
CN208862030U (zh) * 2018-08-03 2019-05-14 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示母板
CN109524443B (zh) * 2018-12-17 2020-06-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled基板及oled显示装置
CN110112201B (zh) * 2019-05-22 2021-01-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109524576A (zh) * 2018-12-13 2019-03-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110112201A (zh) 2019-08-09
WO2020233531A1 (zh) 2020-11-26
US20210159289A1 (en) 2021-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110112201B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
US9105876B2 (en) Method for fabricating organic light emitting diode display device having improved effective emitting area
CN107452808B (zh) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
US20190305003A1 (en) Array substrate and display device
CN109065764B (zh) 显示面板的制造方法及显示面板
WO2016176956A1 (zh) 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN111864067B (zh) 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置
CN110890406B (zh) 一种有机发光显示背板、其制作方法及显示装置
KR20080060400A (ko) 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
US20230157133A1 (en) Oled display substrate, manufacturing method thereof and display device
US10381382B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same and display device
US10416515B2 (en) Pixel unit, array substrate, and display device, and fabrication methods thereof
CN108831914B (zh) 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置
JP6049111B2 (ja) 有機薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置
CN111584608B (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
WO2022047973A1 (zh) Oled 显示面板及其制作方法
US10804495B2 (en) Method for encapsulating a display panel, display panel, and display device
EP3327778B1 (en) Array substrate, preparation method thereof, display panel and display device
US20210333965A1 (en) Method of fabricating a substrate, substrate, electronic apparatus, display apparatus, adn touch panel
CN108365129B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN111312753A (zh) 背板提高开口率的方法、制作方法、背板及显示面板
CN111584758A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
JP7515520B2 (ja) 表示基板及びその製造方法、表示マザーボード並びに表示装置
CN113451334A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN112366223A (zh) Oled面板的制作方法、oled面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant