CN111584758A - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：衬底基板；位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；位于薄膜晶体管阵列层远离衬底基板一侧的第一平坦层；位于第一平坦层远离衬底基板一侧的导电层和第一电极，第一电极远离衬底基板一侧的表面的段差小于阈值；位于第一电极远离衬底基板一侧的像素界定层和有机发光层，像素界定层限定出像素区域，有机发光层位于像素区域内；位于有机发光层远离衬底基板一侧的第二电极；其中，导电层与第二电极并联。本发明的技术方案能够提高有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示装置的显示效果，延长显示基板的使用寿命。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管，简称OLED)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。

现有OLED显示基板存在画面不均匀的现象，这是因为OLED显示基板上，栅金属层图形和源漏金属层图形存在交叠，导致OLED显示基板上存在段差，而目前的平坦层平坦能力有限，无法将段差平坦至目标值，这样在利用喷墨打印方式形成有机发光层时，会影响有机发光层成膜厚度的均一性，进而影响了显示装置的显示效果。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示装置的显示效果，延长显示基板的使用寿命。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；

位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的第一平坦层；

位于所述第一平坦层远离所述衬底基板一侧的导电层和第一电极，所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值；

位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的像素界定层和有机发光层，所述像素界定层限定出像素区域，所述有机发光层位于所述像素区域内；

位于所述有机发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极；

其中，所述导电层与所述第二电极并联。

一些实施例中，所述阈值为100埃。

一些实施例中，所述第一电极位于所述导电层远离所述衬底基板的一侧，所述显示基板还包括：

位于所述导电层和所述第一电极之间的第二平坦层；

所述导电层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述第二平坦层和所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联。

一些实施例中，所述导电层采用纳米金属或导电油墨。

一些实施例中，所述导电层包括：

第一导电子层，所述第一导电子层远离所述衬底基板的一侧表面设置有多个凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内；

第二导电子层，所述第二导电子层与所述第一导电子层相互独立，所述第二导电子层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联。

一些实施例中，所述第一电极采用纳米反光金属或导电油墨，所述第一导电子层采用透明导电层。

本发明的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明的实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧形成第一平坦层；

在所述第一平坦层远离所述衬底基板的一侧形成导电层和第一电极，所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值；

在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层和有机发光层，所述像素界定层限定出像素区域，所述有机发光层位于所述像素区域内；

在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极；

其中，所述导电层与所述第二电极并联。

一些实施例中，所述第一电极位于所述导电层远离所述衬底基板的一侧，形成所述导电层包括：

在所述第一平坦层上喷墨打印流变性的纳米金属或导电油墨形成所述导电层，所述导电层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述第二平坦层和所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联；

所述显示基板的制作方法还包括：

在所述导电层远离所述衬底基板的一侧形成第二平坦层；

形成所述第一电极包括：

在所述第二平坦层远离所述衬底基板的一侧表面形成所述第一电极。

一些实施例中，形成所述导电层包括：

形成第一导电子层，所述第一导电子层远离所述衬底基板的一侧表面设置有多个凹槽；

形成第二导电子层，所述第二导电子层与所述第一导电子层相互独立，所述第二导电子层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联；

形成所述第一电极包括：

在所述凹槽内喷墨打印流变性的纳米反光金属或导电油墨形成所述第一电极。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，显示基板包括位于第一平坦层远离衬底基板一侧的第一电极，第一电极远离衬底基板一侧的表面的段差小于阈值，即第一电极具有一定的平坦度，这样在形成有机发光层之前，通过第一电极能够进一步提高显示基板的平坦度，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果；另外，导电层与第二电极并联，可以降低显示基板的IR drop，能够进一步改善显示基板的显示效果。

附图说明

图1为本发明一实施例显示基板的结构示意图；

图2为本发明另一实施例显示基板的结构示意图。

附图标记

1 衬底基板

2 遮光金属层

3 缓冲层

41 有源层

42 源漏极接触区

5 栅绝缘层

6 栅极

7 层间绝缘层

81 源极

82 漏极

9 钝化层

10 第一平坦层

11 导电层

111 第一导电子层

112 凹槽

113 第二导电子层

12 第一电极

14 导电层

15 第二平坦层

16 第一电极

17 像素界定层

18 第二电极

19 有机发光层

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

OLED显示基板的有机发光层的成膜方式包括蒸镀和喷墨打印两种方式。由于喷墨打印技术具有较高的材料利用率，因此被认为是实现大尺寸、量产化的重要方式。但是喷墨打印时，会存在画面不均匀的现象，因为栅金属层图形和源漏金属层图形存在交叠，导致OLED显示基板上存在段差，而目前的平坦层平坦能力有限，无法将段差平坦至目标值，这样就影响了有机发光层成膜厚度的均一性，进而影响了显示装置的显示效果。

另外，对于顶反射OLED显示基板，发光单元的阴极采用透明导电材料，电阻较大，会导致存在IR drop现象，影响了OLED显示基板的显示效果。

本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示装置的显示效果，延长显示基板的使用寿命。

本发明的实施例提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；

位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的第一平坦层；

位于所述第一平坦层远离所述衬底基板一侧的导电层和第一电极，所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值；

位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的像素界定层和有机发光层，所述像素界定层限定出像素区域，所述有机发光层位于所述像素区域内；

位于所述有机发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极；

其中，所述导电层与所述第二电极并联。

本实施例中，显示基板包括位于第一平坦层远离衬底基板一侧的第一电极，第一电极远离衬底基板一侧的表面的段差小于阈值，即第一电极具有一定的平坦度，这样在形成有机发光层之前，通过第一电极能够进一步提高显示基板的平坦度，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果；另外，导电层与第二电极并联，可以降低显示基板的IR drop，能够进一步改善显示基板的显示效果。

一些实施例中，所述阈值为100埃，即第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于100埃，这样可以使得第一电极远离所述衬底基板一侧的表面比较平坦，在形成有机发光层之前，通过第一电极能够进一步提高显示基板的平坦度，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果。

其中，第一电极为阳极，第二电极为阴极；也可以是第一电极为阴极，第二电极为阳极。

本公开实施例提供的显示基板可以为顶发光型，在此情况下，靠近衬底基板的第一电极呈不透光态，远离衬底基板的第二电极呈透光态。显示基板也可以为底发光型，在此情况下，靠近衬底基板的第一电极呈透光态，远离衬底基板的第二电极呈不透光态。显示基板当然还可以为双面发光型，在此情况下，靠近衬底基板的第一电极和远离衬底基板的第二电极均呈透光态。

在第一电极或第二电极呈透光态的情况下，第一电极或第二电极的材料例如可以为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)或IGZO(IndiumGallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)等。在第一电极或第二电极呈不透光态的情况下，第一电极或第二电极例如可以包括依次层叠设置的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)层、Ag(银)层以及ITO层。

为了使得第一电极远离所述衬底基板一侧的表面具有较好的平坦度，可以通过喷墨打印流平性好、高电导率的纳米金属或导电油墨来形成第一电极。其中，纳米金属包括纳米银线、纳米铜粒等。

一实施例中，如图1所示，OLED显示基板包括衬底基板1、位于衬底基板1上的薄膜晶体管阵列层，覆盖薄膜晶体管阵列层的钝化层9和第一平坦层10，其中，薄膜晶体管阵列层包括遮光金属层2、缓冲层3、有源层41、源漏极接触区42、栅绝缘层5、栅极6、层间绝缘层7、源极81和漏极82，其中，源极81和漏极82分别通过源漏极接触区42与有源层41连接。

如图1所示，所述导电层11包括：

第一导电子层111，所述第一导电子层111远离衬底基板1的一侧表面设置有多个凹槽112；

第二导电子层113，与第一导电子层111相互独立，通过贯穿像素界定层17的过孔与第二电极18并联；

其中，第一电极12位于凹槽112内，第一电极12远离所述衬底基板的一侧表面与第一导电子层111位于凹槽112外的部分远离所述衬底基板的一侧表面齐平，从而第一电极12和第一导电子层111能够组成平坦的表面。

在制备导电层时，可以先制备一层导电材料，对导电材料进行图形化形成第一导电子层111和第二导电子层113，在第一导电子层111远离衬底基板1的一侧表面形成多个凸起部，相邻凸起部之间形成凹槽112，之后通过喷墨打印方式，将流平性好、高电导率、且具有高反射率的纳米金属或导电油墨，如纳米颗粒或纳米片状的金、银、铜、钴、镍金属或其合金喷墨打印入凹槽112，形成第一电极12，这样第一导电子层111和第一电极12可以组成平坦的表面。其中，第一导电子层111可以对应像素开口区域，第二导电子层113可以对应像素界定层区域。

第一导电子层111和第一电极12组成的平坦的表面能够为后续喷墨打印有机发光材料溶液提供平坦的表面，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果。另外，第二导电子层113通过贯穿像素界定层17的过孔与第二电极18并联，可以降低第二电极18上的IR Drop，改善显示基板的显示效果。

一些实施例中，第一电极12可以采用纳米反光金属或导电油墨，第一导电子层111和第二导电子层113可以采用透明导电材料。

另一实施例中，如图2所示，OLED显示基板包括衬底基板1、位于衬底基板1上的薄膜晶体管阵列层，覆盖薄膜晶体管阵列层的钝化层9和第一平坦层10，其中，薄膜晶体管阵列层包括遮光金属层2、缓冲层3、有源层41、源漏极接触区42、栅绝缘层5、栅极6、层间绝缘层7、源极81和漏极82，其中，源极81和漏极82分别通过源漏极接触区42与有源层41连接。

由于第一平坦层10的平坦能力有限，第一平坦层10表面不是完全平整的，可以通过喷墨打印技术在第一平坦层10上打印流平性好、高电导率的纳米金属或导电油墨，如纳米颗粒或纳米片状的金、银、铜、钴、镍金属或其合金，形成导电层14，并对导电层14进行图形化，形成多个相互独立的辅助电极图形。

如图2所示，显示基板还包括第二平坦层15、位于第二平坦层15上的第一电极16以及像素界定层17，辅助电极图形可通过贯穿像素界定层17的过孔与第二电极18并联，以降低第二电极18的IR Drop，改善显示基板的显示效果。

显示基板进一步还包括在导电层14上形成的第二平坦层15，能够进一步提高显示基板的平坦度，因此，第一电极16可以形成在平坦的表面上，第一电极16远离衬底基板一侧的表面也为平坦的，能够为后续喷墨打印有机发光材料溶液提供平坦的表面，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果。

本发明的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。

所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。

本发明的实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧形成第一平坦层；

在所述第一平坦层远离所述衬底基板的一侧形成导电层和第一电极，所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值；

在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层和有机发光层，所述像素界定层限定出像素区域，所述有机发光层位于所述像素区域内；

在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极；

其中，所述导电层与所述第二电极并联。

本实施例中，显示基板包括位于第一平坦层远离衬底基板一侧的第一电极，第一电极远离衬底基板一侧的表面的段差小于阈值，即第一电极具有一定的平坦度，这样在形成有机发光层之前，通过第一电极能够进一步提高显示基板的平坦度，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果；另外，导电层与第二电极并联，可以降低显示基板的IR drop，能够进一步改善显示基板的显示效果。

一具体实施例中，本实施例的显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤1、如图1所示，在衬底基板1上形成遮光金属层2和缓冲层3；

其中，衬底基板1可为玻璃基板或石英基板，还可以为柔性基底。

具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板1上沉积厚度约为

的遮光金属层2，遮光金属层2可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，遮光金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在遮光金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于遮光金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的遮光金属层，剥离剩余的光刻胶，形成遮光金属层2的图形。

可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在衬底基板1上沉积厚度为0.3～0.5um的缓冲层3，缓冲层3可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

步骤2、如图1所示，形成有源层41、源漏极接触区42、栅绝缘层5、栅极6、层间绝缘层7、源极81、漏极82、钝化层9和第一平坦层10；

具体地，可以在缓冲层3上沉积一层半导体材料，对半导体材料进行构图形成半导体图形；

之后，可以采用PECVD方法在衬底基板1上沉积厚度为0.1um～0.2um的栅绝缘层5，栅绝缘层5可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

之后可以在栅绝缘层5上采用溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为0.6～0.8um的栅金属层，栅金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属层，形成栅金属层的图形，栅金属层的图形包括栅极6。

之后以光刻胶保留区域的光刻胶为掩膜，对栅绝缘层5进行干刻，形成栅绝缘层5的图形。

之后可以以栅绝缘层5的图形为掩膜对半导体图形进行导体化处理，对半导体图形进行导体化处理形成源漏极接触区42，未经过导体化处理的半导体图形为有源层41

之后，可以采用PECVD方法在衬底基板1上沉积厚度为0.55～0.65um的层间绝缘层7，层间绝缘层7可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

之后，可以在层间绝缘层7上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶去除区域对应待形成过孔的区域，以光刻胶为掩膜对层间绝缘层7进行干刻，形成暴露出源漏极接触区42的过孔。

之后，可以在层间绝缘层7上采用溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为

的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，源漏金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源漏金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属层，剥离剩余的光刻胶，形成源漏金属层的图形，源漏金属层的图形包括驱动薄膜晶体管的源极81、漏极82，驱动薄膜晶体管的源极81和漏极82通过贯穿层间绝缘层7的过孔分别与源漏极接触区42连接。

之后可以采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为

的钝化层9，钝化层9可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

之后可以涂覆一层有机树脂形成第一平坦层10。

步骤3、如图1所示，在第一平坦层10上形成第一导电子层111、第二导电子层113和第一电极12；

可以先制备一层导电材料，对导电材料进行图形化形成第一导电子层111和第二导电子层113，在第一导电子层111远离衬底基板1的一侧表面形成多个凸起部，相邻凸起部之间形成凹槽112，之后通过喷墨打印方式，将流平性好、高电导率、且具有高反射率的纳米金属或导电油墨，如纳米颗粒或纳米片状的金、银、铜、钴、镍金属或其合金喷墨打印入凹槽112，形成第一电极12，这样第一导电子层111和第一电极12可以组成平坦的表面。其中，第一导电子层111可以对应像素开口区域，第二导电子层113可以对应像素界定层区域。

第一导电子层111和第一电极12组成的平坦的表面能够为后续喷墨打印有机发光材料溶液提供平坦的表面，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果。另外，第二导电子层113通过贯穿像素界定层17的过孔与第二电极18并联，可以降低第二电极18上的IR Drop，改善显示基板的显示效果。

第一电极12可以采用纳米反光金属或导电油墨，第一导电子层111和第二导电子层113可以采用透明导电材料。

之后可以在显示基板上制作像素界定层17、有机发光层19、第二电极18等膜层，即可得到如图1所示的OLED显示基板。

另一具体实施例中，本实施例的显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤1、如图2所示，在衬底基板1上形成遮光金属层2和缓冲层3；

其中，衬底基板1可为玻璃基板或石英基板，还可以为柔性基底。

具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板1上沉积厚度约为

的遮光金属层2，遮光金属层2可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，遮光金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在遮光金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于遮光金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的遮光金属层，剥离剩余的光刻胶，形成遮光金属层2的图形。

可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在衬底基板1上沉积厚度为0.3～0.5um的缓冲层3，缓冲层3可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

步骤2、如图2所示，形成有源层41、源漏极接触区42、栅绝缘层5、栅极6、层间绝缘层7、源极81、漏极82、钝化层9和第一平坦层10；

具体地，可以在缓冲层3上沉积一层半导体材料，对半导体材料进行构图形成半导体图形；

之后，可以采用PECVD方法在衬底基板1上沉积厚度为0.1um～0.2um的栅绝缘层5，栅绝缘层5可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

之后可以在栅绝缘层5上采用溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为0.6～0.8um的栅金属层，栅金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属层，形成栅金属层的图形，栅金属层的图形包括栅极6。

之后以光刻胶保留区域的光刻胶为掩膜，对栅绝缘层5进行干刻，形成栅绝缘层5的图形。

之后可以以栅绝缘层5的图形为掩膜对半导体图形进行导体化处理，对半导体图形进行导体化处理形成源漏极接触区42，未经过导体化处理的半导体图形为有源层41

之后，可以采用PECVD方法在衬底基板1上沉积厚度为0.55～0.65um的层间绝缘层7，层间绝缘层7可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

之后，可以在层间绝缘层7上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶去除区域对应待形成过孔的区域，以光刻胶为掩膜对层间绝缘层7进行干刻，形成暴露出源漏极接触区42的过孔。

之后，可以在层间绝缘层7上采用溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为

的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，源漏金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源漏金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属层，剥离剩余的光刻胶，形成源漏金属层的图形，源漏金属层的图形包括驱动薄膜晶体管的源极81、漏极82，驱动薄膜晶体管的源极81和漏极82通过贯穿层间绝缘层7的过孔分别与源漏极接触区42连接。

之后可以采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为

的钝化层9，钝化层9可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

之后可以涂覆一层有机树脂形成第一平坦层10。

步骤3、如图2所示，形成导电层14、第二平坦层15和第一电极16。

具体地，可以通过喷墨打印技术在第一平坦层10上打印流平性好、高电导率的纳米金属或导电油墨，如纳米颗粒状或纳米片状的金、银、铜、钴、镍金属或其合金，形成导电层14，并对导电层14进行图形化，形成多个相互独立的辅助电极图形。

之后可以涂覆一层有机树脂形成第二平坦层15，第二平坦层15能够进一步提高显示基板的平坦度。

在第二平坦层15上形成一层导电材料，对导电材料进行构图形成第一电极16，第一电极16形成在平坦的表面上，第一电极16远离衬底基板一侧的表面为平坦的，能够为后续喷墨打印有机发光材料溶液提供平坦的表面，有利于有机发光层成膜厚度的均一性，改善显示基板的显示效果。

之后可以在显示基板上制作像素界定层17、有机发光层19、第二电极18等膜层，即可得到如图2所示的OLED显示基板，辅助电极图形可通过贯穿像素界定层17的过孔与第二电极18并联，以降低第二电极的IR Drop，改善显示基板的显示效果。

在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。

需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；

位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的第一平坦层；

位于所述第一平坦层远离所述衬底基板一侧的导电层和第一电极，所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值；

位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的像素界定层和有机发光层，所述像素界定层限定出像素区域，所述有机发光层位于所述像素区域内；

位于所述有机发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极；

其中，所述导电层与所述第二电极并联。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阈值为100埃。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极位于所述导电层远离所述衬底基板的一侧，所述显示基板还包括：

位于所述导电层和所述第一电极之间的第二平坦层；

所述导电层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述第二平坦层和所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述导电层采用纳米金属或导电油墨。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述导电层包括：

第一导电子层，所述第一导电子层远离所述衬底基板的一侧表面设置有多个凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内；

第二导电子层，所述第二导电子层与所述第一导电子层相互独立，所述第二导电子层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极采用纳米反光金属或导电油墨，所述第一导电子层采用透明导电层。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的显示基板。

8.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧形成第一平坦层；

在所述第一平坦层远离所述衬底基板的一侧形成导电层和第一电极，所述第一电极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值；

在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层和有机发光层，所述像素界定层限定出像素区域，所述有机发光层位于所述像素区域内；

在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极；

其中，所述导电层与所述第二电极并联。

9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一电极位于所述导电层远离所述衬底基板的一侧，形成所述导电层包括：

在所述第一平坦层上喷墨打印流变性的纳米金属或导电油墨形成所述导电层，所述导电层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述第二平坦层和所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联；

所述显示基板的制作方法还包括：

在所述导电层远离所述衬底基板的一侧形成第二平坦层；

形成所述第一电极包括：

在所述第二平坦层远离所述衬底基板的一侧表面形成所述第一电极。

10.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述导电层包括：

形成第一导电子层，所述第一导电子层远离所述衬底基板的一侧表面设置有多个凹槽；

形成第二导电子层，所述第二导电子层与所述第一导电子层相互独立，所述第二导电子层包括多个相互独立的辅助电极图形，所述辅助电极图形通过贯穿所述像素界定层的过孔与所述第二电极并联；

形成所述第一电极包括：

在所述凹槽内喷墨打印流变性的纳米反光金属或导电油墨形成所述第一电极。

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