CN105118836A - 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板，包括：具有多个子像素区域的基底(100)，其中，在每个子像素区域中包括：设置在所述基底上的开关元件(1)，设置于该开关元件(1)上的导电平坦层(113)，以及设置于该平坦层上的像素电极(111)，所述像素电极(111)与所述开关元件(1)的输出电极(105)电连接。这种阵列基板改善了材料之间由于应力导致的器件不稳定性，提高了器件的长期稳定性，并且生产工艺也得到简化。

Description

具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法
技术领域
本发明的实施例涉及一种具有导电平坦层的阵列基板、包含其的显示装置及其制备方法。
背景技术
有机电致发光显示器件中，阵列基板上的反射阳极的制备通常采用ITO/Ag或AlNd/ITO结构，其中Ag或者AlNd用作反射电极，ITO用作透明的导电阳极。由于在阵列基板的制作中，阵列基板上的开关元件例如薄膜晶体管(TFT)上会产生一些段差，所以，常常会在开关元件上沉积有机树脂平坦层，然后将ITO/Ag或AlNd/ITO电极沉积在该有机树脂平坦层上面，然而由于有机树脂材料与电极材料之间应力不匹配，ITO/Ag或AlNd/ITO电极很容易脱落，器件的合格率与器件的长期稳定性都存在问题。
因此，本领域中需要一种改进的阵列基板结构来改善器件的合格率与器件的长期稳定性。
发明内容
本发明的实施方式涉及一种阵列基板，包含其的显示设备，及其制备方法。本发明包含以下内容：
实施方式1.一种阵列基板，包括：
具有多个子像素区域的基底，
其中，所述阵列基板在每个子像素区域中包括：设置在所述基底上的开关元件，设置于该开关元件上的导电平坦层，以及设置于该平坦层上的像素电极，所述像素电极与所述开关元件的输出电极电连接。这种阵列基板中由于平坦层和像素电极都由无机材料构成，改善了材料之间由于应力导致的器件不稳定性，提高了器件的长期稳定性，并且生产工艺也得到简化。
实施方式2.根据实施方式1所述的阵列基板，其中，所述导电平坦层为包含金属的导电平坦层。
实施方式3.根据实施方式1或2所述的阵列基板，其中，所述导电平坦层通过烧结纳米级金属材料制成。
实施方式4.根据实施方式3所述的阵列基板，其中，所述纳米级金属材料为纳米级金属线、纳米级金属颗粒，或其组合。
实施方式5.根据实施方式1至4中任一项所述的阵列基板，还包括像素隔离层，所述像素隔离层将所有的导电平坦层彼此隔开并绝缘。
实施方式6.根据实施方式1至5中任一项所述的阵列基板，其中所述导电平坦层的厚度为大于或等于10纳米至小于1微米。
实施方式7.根据实施方式1至6中任一项所述的阵列基板，其中所述像素电极经所述导电平坦层与所述开关元件的输出电极电连接。
实施方式8.根据实施方式1至7中任一项所述的阵列基板，其中所述开关元件与所述平坦层之间设置有无机缓冲层。
实施方式9.根据实施方式4所述的阵列基板，其中所述纳米级金属材料包括纳米银材料。
实施方式10.根据实施方式8或9所述的阵列基板，其中所述无机缓冲层的厚度为50纳米至1500纳米。
实施方式11.根据实施方式1-10中任一项所述的阵列基板，其中所述开关元件为薄膜晶体管，所述开关元件的输出电极为该薄膜晶体管的漏极。
实施方式12.根据实施方式1-11中任一项所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括位于所述像素电极上方的有机发光层和位于所述有机发光层上方的透明电极。
实施方式13.根据实施方式1-12中任一项所述的阵列基板，其中所述导电平坦层与所述像素电极彼此直接接触。
实施方式14.根据实施方式1-13中任一项所述的阵列基板，其中所述像素电极的材料包含透明导电氧化物例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)、碳纳米管和碳纳米线中的至少一种。
实施方式15.一种显示装置，包括根据实施方式1-14中任一项所述的阵列基板。
实施方式16.一种阵列基板的制造方法，
所述阵列基板包括：包括多个子像素区域的基底，
其中，所述阵列基板在每个子像素区域中包括：设置在所述基底上的开关元件，设置于该开关元件上的导电平坦层，以及设置于该平坦层上的像素电极，其中所述像素电极与所述开关元件的输出电极电连接；
其中所述方法包括以下步骤：
在所述基底的每个子像素区域上形成开关元件，
在所述开关元件上形成导电平坦层，和
在所述导电平坦层上形成像素电极。
实施方式17.根据实施方式16所述的方法，其中，在开关元件上形成导电平坦层的步骤包括：在所述开关元件上施加纳米级金属材料，然后进行烧结，得到所述导电平坦层。
实施方式18.根据实施方式16或17所述的方法，还包括在形成所述导电平坦层之前，在所述开关元件上形成无机缓冲层，并且对所述无机缓冲层进行蚀刻以露出所述开关元件的输出电极。
实施方式19.根据实施方式16至18中任一项的方法，还包括在形成所述导电平坦层之前，形成像素隔离层，所述像素隔离层将不同子像素区域中的导电平坦层彼此隔离。
实施方式20.根据实施方式19所述的方法，其中像素隔离层也将不同子像素区域中的像素电极彼此隔离。
实施方式21.根据实施方式17所述的方法，其中所述纳米级金属材料通过喷墨打印、丝网印刷或转印的方式施加，所述烧结在120至600℃的温度，例如，130至560℃的温度进行。
实施方式22.根据实施方式17所述的方法，其中所述纳米级金属材料包括纳米银材料。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为现有技术中的顶发射型阵列基板的示意图。
图2为根据本发明的一种实施方式的阵列基板的示意图。
图3为根据本发明的一种实施方式的阵列基板的示意图。
图4-10为示意图，其说明制造本发明实施例的阵列基板的方法。
附图标记：
1-开关元件；100-基底；101-基底上的栅极；
102-栅极绝缘层；103-半导体层；104-刻蚀阻挡层；
105-漏极；106-源极；107-中间金属层；
108-无机绝缘层；109-有机树脂平坦层；110-反射电极；
111-透明像素电极；112-像素界定层；113-导电平坦层。
114-像素隔离层
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为顶发射型阵列基板的视图，其包括：基底100、基底上的栅极101、栅极绝缘层102、半导体层103、刻蚀阻挡层104、源极106、漏极105、中间金属层107、无机绝缘层108(任选的)、有机树脂平坦层109、反射电极110、透明像素电极111、和像素界定层112。
本申请中的术语具有本领域技术人员通常理解的含义。
例如，术语“开关元件”具有本领域技术人员通常理解的含义。一般而言，在电子器件中，开关元件可以是晶体管，尤其是薄膜晶体管(ThinFilmTransistor)。例如，如图2中的附图标记1所指示的，开关元件1可以包括基底上的栅极101、栅极绝缘层102、半导体层103、刻蚀阻挡层104、源极106、漏极105、和中间金属层107。这里的所述的开关元件的结构仅仅为一种示例性结构，根据本发明的实施例并不限制于此。
本发明的实施例提出了一种改进的阵列基板，包含其的显示设备，及其制备方法。在阵列基板的开关元件上通过例如喷墨打印等工艺施加纳米金属材料，尤其是纳米银材料，并将其烧结成为导电平坦层(该导电平坦层也可用作反射电极)，再沉积ITO作为顶发射像素电极。这种阵列基板中由于平坦层和像素电极都由无机材料构成，改善了材料之间由于应力导致的器件不稳定性，提高了器件的长期稳定性，并且生产工艺也得到简化。在本申请中，术语“长期稳定性”是指器件在制造和使用时的信赖性与稳定性。在非柔性器件的制造中使用导电平坦层使得器件不容易剥离而提高良率。柔性器件经常变形和被弯折，使用导电平坦层可以使得器件不容易剥离和脱落，因此这种长期稳定性在制备和使用柔性器件的过程中尤其重要。
本发明的一些实施方式提供一种阵列基板，包括：
具有多个子像素区域的基底，
其中，所述阵列基板在每个子像素区域中包括：设置在所述基底上的开关元件，设置于该开关元件上的导电平坦层，以及设置于该平坦层上的像素电极，其中所述像素电极与所述开关元件电连接。在一种实施方式中，所述像素电极与所述开关元件的输出电极电连接。在一种实施方式中，所述开关元件是薄膜晶体管，所述输出电极为薄膜晶体管的漏极。
阵列基板是显示设备中的主要元件之一。一般而言，阵列基板包含多个子像素区域，每个子像素区域形成一个子像素，每个子像素能够发出一种颜色的光。每个子像素的发光颜色根据设计而定。通常可以使用阵列基板上分别发红、绿和蓝光的三个子像素构成一个像素。在一些实施方式中，可以使用分别发白光、红光、绿光和蓝光的四个子像素构成一个像素。
一般而言，每个子像素区域中形成的子像素至少包括一个开关元件，一个电极对和电致发光材料，该开关元件的输出电极与电极对的一个电极连接，电致发光材料位于该电极对之间。所述电极对通常包括一个像素电极，以及与该像素电极相对的公共电极。在一些实施方式中，像素电极为阳极，公共电极为阴极。
在一种实施方式中，开关元件是晶体管，例如是薄膜晶体管。薄膜晶体管可以是顶栅型或底栅型结构。适合于本发明的阵列基板的薄膜晶体管的结构没有限制，可以是本领域技术人员通常已知的结构。
在本发明的一种实施方式中，阵列基板包含设置于该开关元件上的导电平坦层。在本申请中，导电平坦层具有两个主表面，一个主表面靠近开关元件，一个主表面靠近像素电极，其中靠近开关元件的主表面为非平坦的，靠近像素电极的主表面为平坦的。在一些实施方式中，所述导电平坦层的平坦的主表面与基底的表面平行。该导电平坦层主要由金属构成，在起到平坦化作用(例如，将阵列基板上的开关元件等形成的段差平坦化)的基础上，还可以进一步充当反射电极。可以在导电平坦层上形成像素电极，例如透明的顶发射阳极。在一些实施方式中，导电平坦层与该像素电极电连接，导电平坦层与开关元件的输出电极电连接。在一些实施方式中，像素电极直接与开关元件的输出电极电连接。在一些实施方式中，像素电极直接形成在导电平坦层上。例如，像素电极可以直接接触导电平坦层。
在一些实施方式中，所述导电平坦层为包含金属的导电平坦层。金属是电的良导体，因此，本发明实施例的导电平坦层可以包含金属。在一些实施例方式中，导电平坦层由金属形成。相比于有机平坦层与有机平坦层上的反射电极、以及有机平坦层下面的无机缓冲层之间的应力差别而言，由金属形成的导电平坦层与形成于导电平坦层上的像素电极(例如ITO)、以及导电平坦层下面的无机缓冲层之间的应力差别较小，因此，改善了材料之间由于应力差别导致的器件不稳定性。由于该导电平坦层同时又可以用作反射电极，因此形成反射电极和平坦层的步骤集成到了一个形成导电平坦层的工艺步骤中，这使得本发明实施例的阵列基板的生产工艺也得到了简化。
在一些实施方式中，所述导电平坦层通过施加纳米级金属材料，然后烧结纳米级金属材料制成。形成的经烧结的导电平坦层具有反射性质，可以在阵列基板中用作反射电极。
在本申请中，术语“纳米级金属材料”是指该金属材料的尺寸为1纳米至小于等于200nm，并且主要由金属构成。这里的主要由金属构成，是指其成分中80％以上是金属元素，优选90％，甚至是95％以上是金属元素。当然材料的尺寸也可以为1-100纳米，5-80纳米，5-50纳米，5-40纳米，10-35纳米，10-30纳米，例如10至25纳米。这里所述的材料的尺寸是指该金属材料的较小维度(extent)的尺寸。比如，该金属材料如果微观上为纤维状，那么该尺寸为该纤维的直径，如果该金属材料微观上为球状，那么该尺寸为该球的直径。在本申请中，当述及纳米级金属材料的尺寸时，指的是该金属材料的尺寸的平均值。一般而言，纳米级金属材料可以具有各种形貌，例如球状、纤维状、树枝状、片状等及其组合。当金属材料的尺寸在纳米级时，纳米级金属材料可以在比同种类的块状金属材料的熔融温度低得多的温度(例如130至400℃的温度)被烧结。
在一些实施方式中，所述纳米级金属材料为纳米级金属线、纳米级金属颗粒，或其组合。在一些实施方式中，所述纳米级金属材料包括纳米银材料。这些金属纳米材料是可以商购获得的，例如可以是韩国Inktec公司的导电银纳米溶液。在一些实施方式中，纳米银材料的尺寸为100纳米至200纳米，其可以在390至400℃或者更高的温度被烧结。在一些实施方式中，纳米银材料的尺寸为50纳米至130纳米，其可以在380至390℃或者更高的温度被烧结。在一些实施方式中，纳米银材料的尺寸为10纳米至35纳米，其可以在130至140℃或者更高的温度被烧结。当纳米银材料的尺寸为小于10纳米时，还可以在更低的温度进行烧结。在较低的温度烧结可以尽可能地降低烧结过程中对阵列基板性能的影响。
在一些实施方式中，其中不同子像素区域中的导电平坦层彼此隔开并绝缘。根据本发明实施例的平坦层是导电的，它们常常与子像素的像素电极和开关元件电连接，因此，各个子像素之间的平坦层需要相互隔开并绝缘。对于使其隔开并绝缘的方法并没有限制，可以使用像素隔离层将其隔开并绝缘，也可以通过空间上的间隔产生绝缘效果。
在一些实施方式中，其中所述导电平坦层的厚度为大于10纳米。在本申请中，当述及“导电平坦层的厚度”时，指的是导电平坦层除开将开关元件的段差恰好找平之后额外增加的厚度。导电平坦层的厚度没有特别限制，然而在导电平坦层的厚度大于10纳米，尤其是大于30纳米的情况下，使得导电平坦层能够很好地发挥反射电极的作用，避免光的透射。在一些实施方式中，所述导电平坦层的厚度为小于4微米、小于3微米、小于2微米、小于1微米、小于100纳米或者小于50纳米。将导电平坦层的厚度限制在小于一定的值是为了节省材料，节省制作工艺的时间，以及降低阵列基板的厚度。
在一些实施方式中，不同子像素区域中的导电平坦层彼此隔开并绝缘。在一些实施方式中，不同子像素区域中的导电平坦层通过像素隔离层彼此隔开并绝缘。在使用像素隔离层将导电平坦层彼此隔开的情况下，像素隔离层还可以用于将像素电极彼此隔开并绝缘。这取决于像素隔离层的高度，在像素隔离层仅用来使导电平坦层彼此隔开并绝缘的情况下，该像素隔离层通常可以为导电平坦层所要达到的高度即可，当然也可以比该高度高。
在一些实施方式中，不同子像素区域中的像素电极彼此通过另一像素隔离层隔开并绝缘。在一些实施方式中，该另一像素隔离层可以形成于用于隔离导电平坦层的像素隔离层上，这是因为在同一个子像素区域中，像素电极和其相应的导电平坦层的形状和面积可以相同，上下相互对应。
在一些实施方式中，所述像素电极经所述导电平坦层与所述开关元件电连接。在这种情况下，导电平坦层用作反射电极，并且用来连接开关元件的输出电极和像素电极。在开关元件是薄膜晶体管的情况下，输出电极一般是指薄膜晶体管的漏极。
在一些实施方式中，所述开关元件与所述平坦层之间设置有无机缓冲层。由于导电平坦层可能影响开关元件的电性质，因此可以在形成本发明的导电平坦层之前，先在开关元件上形成无机缓冲层。在这种情况下，需要对所述无机缓冲层进行蚀刻露出所述开关元件的输出电极。在一些实施方式中，在形成导电平坦层的过程中，导电平坦层可以接触该输出电极。
在一些实施方式中，无机缓冲层的材料可以为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。相比于有机树脂材料而言，这些无机材料与导电平坦层之间的应力差别小，因此，导致电极材料不容易脱落。同时，无机缓冲层可以起到保护开关元件，并使开关元件(除输出电极之外)与导电平坦层之间绝缘的作用。
在一些实施方式中，所述无机缓冲层的厚度为50纳米至5000纳米，优选50至1500纳米，优选50至500纳米。太低的厚度不能达到很好的保护和绝缘的作用，太高的厚度又会过多增加阵列基板的厚度，且不利于节约材料。
在一些实施方式中，其中所述开关元件为薄膜晶体管。
在一些实施方式中，其中所述阵列基板还包括位于所述像素电极上方的有机发光层和位于所述有机发光层上方的透明电极。在本申请中，透明电极的制备材料没有限制。在一些实施方式中，透明电极可以使用ITO电极材料，碳纳米管，碳纳米线等制造。碳纳米管和碳纳米线在机械强度和导电性方面都是特别优良的，而且也是透光的，因此，可以用作本发明的阵列基板中的透明电极材料。在一些实施方式中，所述的像素电极为阳极，位于所述有机发光层上方的透明电极为阴极。在一些实施方式中，所述像素电极也是透明的电极。
本发明实施例的阵列基板尤其适用于顶发射型OLED器件的制备。或者说，本发明实施例的阵列基板是顶发射型的。这是因为，在开关元件上形成了具有反射性质的导电平坦层，该导电平坦层会将发光层中产生的光向顶部反射。
本发明的另一方面提供包含前面所述的任一阵列基板的显示装置。本发明的显示装置由于包含了本发明的具有导电平坦层的阵列基板，因此，其具有阵列基板所带来的优点。
本发明的另一方面还提供一种阵列基板的制造方法，其中
所述阵列基板包括：包括多个子像素区域的基底，
其中，阵列基板在每个子像素区域中具有：设置在所述基底上的开关元件，设置于该开关元件上的导电平坦层，以及设置于该平坦层上的像素电极，其中所述像素电极与所述开关元件的输出电极电连接；
其中所述方法包括以下步骤：
在所述基底的每个子像素区域上形成开关元件，
在所述开关元件上形成导电平坦层，和
在所述导电平坦层上形成像素电极。
本发明实施例的制造阵列基板的方法中，进行“在所述基底的每个子像素区域上形成开关元件”的具体方法没有限制，而且对开关元件的类型也没有限制。
图4至7示出了一种制备开关元件(底栅型薄膜晶体管)的方法的示意图。
例如，开关元件的一种非限制性制备方法如下：
第一、在基底(100)上沉积一层金属，一般是钼或铜，刻蚀后形成包括两个相同的栅极金属层的底栅结构，即栅极(101)(如图4所示)；
第二、在栅极(101)上铺设一层绝缘材料，形成栅极绝缘(GateInsulator，GI)层(102)(如图5所示)；
第三、在栅极绝缘层(102)上铺设半导体层材料，例如铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)，形成IGZO层，即半导体层(103)，和在半导体层(103)上沉积无机非金属材料，刻蚀后形成刻蚀阻挡层(104)；刻蚀阻挡层用于防止在后续刻蚀源极金属层和漏极金属层时破坏半导体层(103)(如图6所示)；
第四、在刻蚀阻挡层(104)上沉积一层金属，刻蚀后分别形成源极(106)，漏极(105)，以及中间金属层(107)(如图7所示)。
形成的开关元件如图7中所示。图7中示出了在基底(100)上的栅极(101)、栅极绝缘(GateInsulator，GI)层102、半导体层103、刻蚀阻挡层(104)、源极(106)、漏极(105)和中间金属层(107)。
在一些实施方式中，制备底栅型开关元件的方法还包括，在源极金属层、漏极金属层以及中间金属层上沉积无机缓冲层，形成无机缓冲层(108)(如图8所示)。在一些实施方式中，在所述在源极金属层、漏极金属层以及中间金属层上化学气相沉积氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，形成无机缓冲层(108)。本申请所述的开关元件还可以包含无机缓冲层(108)。
本发明实施例的制造阵列基板的方法中，进行“在所述开关元件上形成导电平坦层”的步骤的具体方法没有限制。
在一些实施方式中，在开关元件上形成导电平坦层的步骤包括：在所述开关元件上施加纳米级金属材料，然后进行烧结，得到所述导电平坦层。
在一些实施方式中，所述纳米级金属材料通过喷墨打印的方式施加，所述烧结在130-600℃的温度进行。在一些实施方式中，所述纳米级金属材料以金属纳米级材料的溶液的形式使用，例如可以使用韩国Inktec公司的导电银纳米溶液(其中的纳米银粒径为约25nm)。
在一些实施方式中，在形成所述导电平坦层之前，在所述开关元件上形成无机缓冲层，并且对所述无机缓冲层进行蚀刻露出所述开关元件的输出电极。
在一些实施方式中，在形成所述导电平坦层之前，形成像素隔离层，所述像素隔离层界定出各个开关元件上的导电平坦层。在形成像素隔离层之后，可以通过如上所述的方法形成导电平坦层。像素隔离层也可以界定出各个开关元件上的像素电极，在这种情况下，在形成导电平坦层之后，可以直接形成像素电极。
在像素隔离层没有界定出各个开关元件上的像素电极的情况下，可以形成用于将像素电极隔开并绝缘的另一像素隔离层，再形成像素电极。
本发明的制造阵列基板的方法中，进行“在所述导电平坦层上形成像素电极”的步骤的具体方法没有限制。
在一些实施方式中，通过溅射方法在导电平坦层上沉积ITO像素电极。
在一些实施方式中，在形成像素电极之后，在像素电极上形成像素界定层，从而界定出阵列基板的开口率。
实施例
本申请的实施例中使用的原料都是常规的，可以从市场上购得，或者可以通过常规方法制备。
对比例1
图1示出了现有技术的一种顶发射型阵列基板的实例，其中，顶发射型阵列基板包括：基底100、基底上的栅极101、栅极绝缘层102、半导体层103、刻蚀阻挡层104、源极106、漏极105、中间金属层107、无机缓冲层108、有机树脂平坦层109、反射电极110、透明像素电极111、和像素界定层112。
在本实例中的有机树脂平坦层之间，没有形成像素隔离层。这是因为有机树脂平坦层是不导电的，所有的像素共享一个大的平坦层，不会导致像素电极之间电连接。
实施例1
图2示出了根据本发明的一种实施方式的顶发射型阵列基板，其包括：具有多个子像素区域(图2中仅以一个子像素区域进行说明)的基底100，其中，所述阵列基板在每个子像素区域中包括：设置在所述基底上的开关元件1，设置于该开关元件1上的导电平坦层113，以及设置于该平坦层上的像素电极111，所述像素电极111与所述开关元件1的输出电极105(即漏极105)电连接。
在图2所示的实施例中，开关元件1包括基底上的栅极101、栅极绝缘层102、半导体层103、刻蚀阻挡层104、源极106、漏极105、和中间金属层107。从图上可以看出，图2中所示的开关元件1为底栅型的，其包括在基底上的两个栅极101，和置于其上的栅极绝缘层102。栅极绝缘层102上设置有两个半导体层103，其分别位于两个栅极101的上方。在半导体层103的上方设置有刻蚀阻挡层104。在刻蚀阻挡层104的上方形成有源极106、漏极105、和中间金属层107，其中左边的源极106通过通孔与左边的半导体层103接触，右边的源极106通过通孔与右边的半导体层103接触，中间金属层107通过一个通孔与左边的半导体层103接触，通过另一个通孔与右边的栅极101接触，漏极105通过通孔与右边的半导体层接触。在源极106、漏极105、和中间金属层107的上方形成有无机缓冲层108。该无机缓冲层108在整个平面上的厚度变化较小，没有将开关元件1上形成的段差平坦化。该无机缓冲层108上方设置导电平坦层113，该导电平坦层113将开关元件1上形成的段差平坦化，并且还进一步可以充当反射电极。在该导电平坦层上形成像素电极111，像素电极111通过穿过导电平坦层113和无机缓冲层108的通孔与漏极105电连接。该导电平坦层通过烧结纳米级银材料而制成。该像素电极111由沉积的ITO形成。
在本实施例中，导电平坦层113具有反射光的功能，用作反射电极。导电平坦层113上形成通孔，像素电极111通过该通孔直接与漏极105电连接。
在本实例中的相邻子像素区域中的导电平坦层113之间形成了像素隔离层114。像素隔离层114是绝缘体，由有机或无机绝缘材料构成。像素隔离层114将所有的导电平坦层彼此隔开并绝缘。
实施例2
图3示出了根据本发明的另一种实施方式的顶发射型阵列基板，其中，顶发射型阵列基板包括：基底100、基底上的栅极101、栅极绝缘层102、半导体层103、刻蚀阻挡层104、源极106、漏极105、中间金属层107、无机缓冲层108、导电平坦层113、反射电极110、透明像素电极111、像素隔离层114和像素界定层112。在本实施例中，导电平坦层113具有反射光的功能，用作反射电极。导电平坦层113与漏极105电连接，像素电极111经该导电平坦层113与漏极105电连接。
在本实例中的导电平坦层113之间形成了像素隔离层112。像素隔离层是绝缘体，由有机或无机绝缘材料构成。像素隔离层将所有的导电平坦层彼此隔开并绝缘。
在本实施例中，附图标记1所指的部分可以称为开关元件，其包括基底100、基底上的栅极101、栅极绝缘层102、半导体层103、刻蚀阻挡层104、源极106、漏极105、和中间金属层107。
实施例3(制备本发明的阵列基板，形成缓冲层的情况下)
在本实施例中，使用无碱玻璃作为基底，在其上形成TFT所需要的开关元件。如图4所示，沉积栅极金属材料(Cu)并刻蚀形成栅极金属层的底栅结构，即栅极(101)。接着，如图5所示，形成膜厚约为3微米无机绝缘层钝化层。如图6所示，沉积无机半导体材料铟镓锌氧化物，并图案化后沉积刻蚀保护层104，并且形成通孔。如图7所示，形成源极106(其如图所示，通过通孔连接至半导体层103)，漏极105(其如图所示，通过通孔连接至半导体层103)和中间金属层107(其如图所示，通过通孔连接至栅极101)，形成TFT开关元器件。
如图8所示，沉积无机缓冲(SiO2)层108，并形成像素隔离层114。干法刻蚀后露出漏极105。
如图9所示将金属纳米喷墨印刷材料(韩国Inktec公司导电银纳米溶液，其中的纳米银粒径为约25nm)通过喷墨打印及注入到界定后的无机缓冲层108上形成未烧结的膜层，该膜层厚度为250nm(其厚度可以为250nm～3um)，在250℃的温度烧结(烧结温度可以为120至600℃，例如130-560℃)，得到厚度为200nm的导电平坦层113(其用作反射电极)。导电平坦层113直接与漏极105电连接。
如图10所示，在形成的导电平坦层113上进一步通过溅射沉积ITO层形成透明的ITO像素电极111。像素电极111经导电平坦层113与漏极105电连接。
进一步在像素电极111上形成像素界定层112，由此，形成实施例2中所述的阵列基板。
在进一步的步骤中，在像素电极上，使用旋转涂布工艺涂布正性光阻胶(JEM-542，购自JSR公司)，执行曝光显影，形成像素界定层112，该像素界定层112界定出像素电极的开口部分。
进一步地，采用掩模方式(例如加热蒸发蒸镀方式)或喷墨打印方式，在界定出来的像素电极上依次沉积并形成OLED发光材料，并最后沉积无机导电氧化物材料ITO(也可以使用IZO)作为透明阴极(其具有微腔结构)。
最后使用化学气相沉积方法沉积2微米的无机阻挡层。形成OLED发光部分。
该OLED发光部分可以进一步形成显示器件。
对比例2(制备对比例1的阵列基板)
在本实例中，使用无碱玻璃作为基底，在其上形成TFT所需要的开关元件。形成的TFT开关元器件与实施例3中的相同。
在形成TFT开关元件之后，在所述开关元件上采用旋涂形成丙烯酸类单体的湿膜，通过加热预固化形成预固化的膜，通过掩模曝光方式将预固化的膜在除通孔以外的部分形成丙烯酸类树脂平坦层109(图1)，厚度1500nm。在平坦层109上刻蚀出通孔，露出漏极105。
在形成的平坦层109上沉积200nm厚的金属Ag层作为反射电极110，并且沉积ITO层形成透明的ITO像素电极111。反射电极110直接与漏极105接触。像素电极111经反射电极110与漏极105电连接。
由此，形成对比例1中所述的阵列基板。
测试1
测试阵列基板的稳定性。应力导致的器件稳定性的提高
根据JISK5400所述的棋盘格法进行评价。具体方法如下，将实施例3(其对应于实施例2的阵列基板)和对比例2(其对应于对比例1的阵列基板)所制备的阵列基板用刀具划刻成棋盘格状，以2mm间隔形成25个网格。贴上3M600透明玻璃纸胶带，拿住3M胶带的一端，并呈60度角度，在0.5-1秒内平稳地剥离。将测试完毕的3M胶带粘在测试板上，供参照判定用。目视观察将胶带剥离后涂膜的附着状态，按照网格没有剥落为OO，网格有少于等于1/5的剥落为O，网格有大于1/5的剥落为×进行评价。结果如下：
表1
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (23)

1.一种阵列基板，包括：
具有多个子像素区域的基底，
其中，所述阵列基板在每个子像素区域中包括：设置在所述基底上的开关元件，设置于所述开关元件上的导电平坦层，以及设置于所述平坦层上的像素电极，所述像素电极与所述开关元件的输出电极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述导电平坦层为包含金属的导电平坦层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述导电平坦层通过烧结纳米级金属材料制成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述纳米级金属材料为纳米级金属线、纳米级金属颗粒，或其组合。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，还包括像素隔离层，所述像素隔离层将不同子像素区域中的导电平坦层彼此隔开并绝缘。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，其中所述导电平坦层的厚度为大于或等于10纳米至小于1微米。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，其中所述像素电极经所述导电平坦层与所述开关元件的输出电极电连接。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，其中所述开关元件与所述平坦层之间设置有无机缓冲层。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其中所述纳米级金属材料包括纳米银材料。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其中所述无机缓冲层的厚度为50纳米至1500纳米。
11.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中所述开关元件为薄膜晶体管，所述开关元件的输出电极为所述薄膜晶体管的漏极。
12.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中所述阵列基板还包括位于所述像素电极上方的有机发光层和位于所述有机发光层上方的透明电极。
13.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中所述导电平坦层与所述像素电极彼此直接接触。
14.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中所述像素电极的材料包括透明导电氧化物、碳纳米管和碳纳米线中的至少一种。
15.一种显示装置，包括根据权利要求1-14中任一项所述的阵列基板。
16.一种阵列基板的制造方法，
所述阵列基板包括：包括多个子像素区域的基底，
其中所述方法包括以下步骤：
在所述基底的每个子像素区域上形成开关元件，
在所述开关元件上形成导电平坦层，和
在所述导电平坦层上形成像素电极，其中所述像素电极与所述开关元件的输出电极电连接。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在开关元件上形成导电平坦层的步骤包括：在所述开关元件上施加纳米级金属材料，然后将所述纳米级金属材料进行烧结，得到所述导电平坦层。
18.根据权利要求16所述的方法，还包括在形成所述导电平坦层之前，在所述开关元件上形成无机缓冲层，并且对所述无机缓冲层进行蚀刻以露出所述开关元件的输出电极。
19.根据权利要求16至18中任一项的方法，还包括在形成所述导电平坦层之前，形成像素隔离层，所述像素隔离层将不同子像素区域中的导电平坦层彼此隔离。
20.根据权利要求19所述的方法，其中像素隔离层也将不同子像素区域中的像素电极彼此隔离。
21.根据权利要求17所述的方法，其中所述纳米级金属材料通过喷墨打印、丝网印刷或转印的方式施加，所述烧结在120至600℃的温度进行。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述烧结在130至560℃的温度进行。
23.根据权利要求17所述的方法，其中所述纳米级金属材料包括纳米银材料。
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