CN102142427A - 平板显示设备及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 45
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
公开平板显示设备及其制造方法。在实施例中，平板显示设备包括：i)第一基板，ii)形成在第一基板上方的有源层，其中有源层包括源区、漏区和沟道区，iii)形成在有源层上的栅极绝缘层，iv)形成在栅极绝缘层上并在有源层的沟道区上方的栅电极以及v)形成在栅极绝缘层和栅电极上的第一层间绝缘膜。该设备可进一步包括1)通过接触孔分别电连接至有源层的源区和漏区的源电极和漏电极，其中接触孔形成在第一层间绝缘膜和栅极绝缘层中，2)仅插入i)第一层间绝缘膜与ii)源电极和漏电极之间的第二层间绝缘膜，3)形成在第一层间绝缘膜以及源电极和漏电极上的平坦层以及4)通过形成在平坦层中的通孔电连接至源电极或漏电极的像素电极。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年12月1日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2009-0117878的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
本申请涉及题目为“平板显示设备及其制造方法”的美国专利申请(代理人案号：SMDSHN.157AUS)，其与本申请同时递交并且通过引用整体合并于此。
技术领域
本技术所公开的实施例涉及平板显示设备及其制造方法，更详细地说，涉及具有提高的显示面板的光透射率的平板显示设备及制造该平板显示设备的方法。
背景技术
平板显示设备的种类包括利用液晶的光电特性的液晶显示设备和利用有机发光二极管的自发射特性的有机发光显示设备。平板显示设备被分成无源矩阵类型和有源矩阵类型。包括薄膜晶体管的有源矩阵类型具有很高的分辨率和很好的视频实现能力，并且比无源矩阵类型使用得更加广泛。
发明内容
一方面是一种具有提高的显示面板的光透射率的平板显示设备以及制造该平板显示设备的方法。
另一方面是一种平板显示设备，其包括：第一基板；形成在所述第一基板上并且包括源区、漏区和沟道区的有源层；栅极绝缘层，其形成在包括所述有源层的所述第一基板上；栅电极，其形成在所述沟道区上方的所述栅极 绝缘层上；第一层间绝缘膜，其形成在包括所述栅电极的所述栅极绝缘层上；源电极和漏电极，其通过形成在所述第一层间绝缘膜和所述栅极绝缘层中的接触孔与所述源区和漏区中的所述有源层连接；第二层间绝缘膜，其插入所述第一层间绝缘膜与所述源电极和所述漏电极之间；平坦层，其形成在包括所述源电极和所述漏电极的所述第一层间绝缘膜上；以及像素电极，其通过形成在所述平坦层中的通孔与所述源电极或所述漏电极连接。
另一方面是制造平板显示设备的方法，其包括：在第一基板上形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在包括所述有源层的所述第一基板上形成栅极绝缘层；在所述沟道区上方的所述栅极绝缘层上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述栅极绝缘层上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜上形成具有比所述第一层间绝缘膜小的厚度的第二层间绝缘膜；执行热处理；通过对所述第二层间绝缘膜、所述第一层间绝缘膜和所述栅极绝缘层进行图案化来在所述源区和漏区中暴露所述有源层；在所述第二层间绝缘膜上形成与所述源区和漏区中的所述有源层连接的源电极和漏电极；将暴露部分中的第二层间绝缘膜去除；在包括所述源电极和所述漏电极的所述第一层间绝缘膜上形成平坦层；通过对所述平坦层进行图案化来暴露所述源电极或所述漏电极；并且在所述平坦层上形成与所述源电极或所述漏电极连接的像素电极。
层间绝缘膜形成在源电极和漏电极与栅电极之间以最小化包括薄膜晶体管的平板显示设备中的信号干扰。然而，因为层间绝缘膜包括具有低的光透射率的氮化硅膜，所以它使显示面板的光透射率劣化。
在一个实施例中，可以通过在形成源电极和漏电极的过程中不使用特定掩膜的情况下形成氧化硅膜和氮化硅膜的层间绝缘膜，并且将光透射区域中的氮化硅膜去除来提高显示面板的光透射率。
进一步，在本发明的一个实施例中，通过使所述氮化硅膜比所述氧化硅膜薄，即使在形成层间绝缘膜之后执行热处理也不会使氮化硅膜破裂。而且，可以通过扩散氮化硅膜中包含的氢来改善有源层的电特性。
另一方面是一种平板显示设备，包括：第一基板；形成在所述第一基板 上方的有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区；形成在所述有源层上的栅极绝缘层；栅电极，形成在所述栅极绝缘层上并且在所述有源层的沟道区上方；第一层间绝缘膜，形成在所述栅极绝缘层和所述栅电极上；源电极和漏电极，通过接触孔分别电连接至所述有源层的源区和漏区，其中所述接触孔形成在所述第一层间绝缘膜和所述栅极绝缘层中；第二层间绝缘膜，基本上仅插入i)所述第一层间绝缘膜与ii)所述源电极和所述漏电极之间；平坦层，形成在所述第一层间绝缘膜以及所述源电极和所述漏电极上；以及像素电极，通过形成在所述平坦层中的通孔电连接至所述源电极或所述漏电极。
上述设备进一步包括：第二基板，被布置为面对所述第一基板；公共电极，形成在所述第二基板上并且在所述像素电极上方；以及液晶层，插入所述第一基板与所述第二基板之间。上述设备进一步包括：像素限定层，形成在所述像素电极的第一部分和所述平坦层上；有机发光层，形成在所述像素电极的第二部分和所述像素限定层的部分上，其中所述像素电极的第一部分和第二部分彼此不重叠；以及阴电极，形成在所述有机发光层和所述像素限定层上。
在上述设备中，所述第二层间绝缘膜比所述第一层间绝缘膜薄。在上述设备中，所述第二层间绝缘膜的厚度是所述第一层间绝缘膜的厚度的大约60％到大约80％。在上述设备中，所述第一层间绝缘膜由氧化硅形成，并且其中所述第二层间绝缘膜由氮化硅形成。在上述设备中，所述有源层由多晶硅形成。在上述设备中，所述像素电极由透明导电材料形成。上述设备进一步包括：插入i)所述第一基板与ii)所述栅极绝缘层和所述有源层之间的缓冲层。在上述设备中，所述第二层间绝缘膜未形成在所述源电极与所述漏电极之间。
另一方面是一种制造平板显示设备的方法，包括：在第一基板上方形成有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区；在所述有源层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅电极以基本上直接在所述有源层的沟 道区上方；在所述栅极绝缘层和所述栅电极上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜，其中所述第二层间绝缘膜比所述第一层间绝缘膜薄；对i)所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜、ii)所述栅电极、iii)所述栅极绝缘层以及iv)所述有源层执行热处理；对所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜以及所述栅极绝缘层进行图案化，以便暴露所述有源层的源区和漏区；在暴露的部分上形成源电极和漏电极，使得所述源电极和漏电极电连接至所述有源层；对所述第二层间绝缘膜进行图案化，使得所述第二层间绝缘膜的剩余部分基本上仅形成在i)所述第一层间绝缘膜与ii)所述源电极和所述漏电极之间；在所述第一层间绝缘膜以及所述源电极和所述漏电极上形成平坦层；对所述平坦层进行图案化，以便暴露所述源电极或所述漏电极；并且在所述平坦层上形成像素电极，以便连接至所述源电极或所述漏电极。
上述方法进一步包括：在第二基板上并且在所述像素电极上方形成公共电极；将所述第一基板和所述第二基板布置为彼此面对；沿所述第一基板和所述第二基板的边缘形成密封剂；并且将液晶注入所述第一基板与所述第二基板之间的空间。
上述方法进一步包括：在所述平坦层和所述像素电极上形成像素限定层；在发光区域中暴露所述像素电极；在所述像素电极的暴露部分上形成有机发光层；并且在所述有机发光层和所述像素限定层上形成阴电极。在上述方法中，所述第二层间绝缘膜未形成在所述发光区域中。在上述方法中，所述第二层间绝缘膜的厚度是所述第一层间绝缘膜的厚度的大约60％至大约80％。在上述方法中，所述第一层间绝缘膜由氧化硅形成，并且其中所述第二层间绝缘膜由氮化硅形成。在上述方法中，所述暴露部分中的所述第二层间绝缘膜通过使用所述源电极和所述漏电极作为掩模的干蚀刻被去除。
另一方面是一种平板显示设备，包括：基板，其中像素区域和非像素区域形成在所述基板中或所述基板上方，并且其中所述像素区域被配置为发射光；形成在所述第一基板上方的有源层，其中源区、漏区和沟道区形成在所 述有源层中；形成在所述有源层上的栅极绝缘层；栅电极，形成在所述栅极绝缘层上和所述有源层的沟道区上方；第一层间绝缘膜，形成在所述栅极绝缘层和所述栅电极上；源电极和漏电极，分别电连接至所述有源层的源区和漏区；以及形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜，其中所述第二层间绝缘膜基本上未形成在所述像素区域中。
在上述设备中，所述第二层间绝缘膜仅插入i)所述第一层间绝缘膜与ii)所述源电极和所述漏电极之间。在上述设备中，所述第二层间绝缘膜比所述第一层间绝缘膜薄。
附图说明
图1是图示说明根据本发明一个实施例的平板显示设备的截面图。
图2是图示说明根据本发明一个实施例的平板显示设备的截面图。
图3A至图3G是图示说明根据本发明一个实施例的制造平板显示设备的方法的截面图。
图4是根据本发明一个实施例的平板显示设备的截面图。
图5是图1和图4的平板显示设备的光透射率的测量结果的视图。
图6是根据本发明一个实施例的平板显示设备的截面图。
具体实施方式
有源矩阵类型液晶显示设备(TFT-LCD)一般包括：i)具有两个基板的显示面板，这两个基板之间具有液晶，ii)布置在显示面板的背面上并用作光源的背光单元，以及iii)驱动显示面板的驱动IC。背光单元所产生的光传播到显示面板，被响应于驱动IC所供应的信号而排列的液晶调制，而后被发射到环境中，从而显示字符或图像。
进一步，有源矩阵类型有机发光显示设备包括具有有机发光二极管的显示面板和驱动显示面板的驱动IC。有机发光二极管所产生的光响应于从驱动IC供应的信号而被发射到外部，从而显示字符或图像。
在诸如液晶显示设备和有机发光显示设备之类的平板显示设备中，显示面板的光透射率可能显著影响亮度。
然而，有源矩阵类型平板显示器包括薄膜晶体管，其中在制造工艺过程中，诸如氧化硅膜和氮化硅膜之类的绝缘层被堆叠在光所透射通过的基板上的像素区域(或发光区域)中。因此，光透射率由于绝缘层而被降低，从而导致亮度降低。
在以下详细描述中，简单地通过图示说明的方式示出并描述本发明的仅仅某些示例性实施例。如本领域技术人员会认识到的那样，可以在均不背离本发明的精神或范围的情况下以各种不同的方式修改所描述的实施例。相应地，附图和描述将被认为本质上是示例性的而非限制性的。另外，当一元件被提到在另一元件“上”时，它可以直接在该另一元件上，或者可以以它们之间插入有一个或多个中间元件的方式间接在该另一元件上。同样，当一元件被提到“连接至”另一元件时，它可以直接连接至该另一元件，或者可以以它们之间插入有一个或多个中间元件的方式间接连接至该另一元件。下文中，相同的附图标记指代相同的元件。
下文中，将参照附图详细描述本发明的实施例。
图1是图示说明根据本发明一个实施例的平板显示设备100的截面图。在一个实施例中，如图1中所示，平板显示设备100是液晶显示设备。
参见图1，缓冲层11形成在下基板10上，并且提供薄膜晶体管的源区、漏区和沟道区的有源层12形成在缓冲层11上。栅极绝缘层13形成在缓冲层11和有源层12上。栅电极14形成在沟道区上方的栅极绝缘层13上。第一层间绝缘膜15a形成在栅极绝缘层13和栅电极14上。通过接触孔电连接至有源层12的源区和漏区的源电极和漏电极16形成在第一层间绝缘膜15a上。在一个实施例中，第二层间绝缘膜15b仅形成在第一层间绝缘膜15a与源电极和漏电极16之间。在一个实施例，第二层间绝缘膜15b未形成在像素区域中。平坦层17形成在第一层间绝缘膜15a以及源电极和漏电极16上。通过通孔连接至源电极或漏电极16的像素电极18形成在平坦层17上。
具有公共电极21的上基板20被布置在具有上述配置的下基板10的上方，并且液晶层30被布置在下基板10与上基板20之间。
在液晶显示设备中，由布置在下基板10的背面的背光单元产生的光传播到显示面板100，被由从驱动IC向像素电极18和公共电极21施加的电压而排列的液晶层30调制。然后，调制后的光通过上基板20发射到外部，从而显示字符或图像。
图2是图示说明根据本发明另一实施例的平板显示设备的截面图。在一个实施例中，如图2所示，平板显示设备200是有机发光显示设备。
参见图2，缓冲层41形成在下基板40上，并且提供薄膜晶体管的源区、漏区和沟道区的有源层42形成在缓冲层41上。栅极绝缘层43形成在缓冲层41和有源层42上。栅电极44形成在沟道区上方的栅极绝缘层43上。第一层间绝缘膜45a形成在栅极绝缘层43和栅电极44上。通过接触孔电连接至有源层42的源区和漏区的源电极和漏电极46形成在第一层间绝缘膜45a上。在一个实施例中，第二层间绝缘膜45b仅形成在第一层间绝缘膜45a与源电极和漏电极46之间。在一个实施例中，第二层间绝缘膜45b未形成在像素区域。平坦层47形成在第一层间绝缘膜45a以及源电极和漏电极46上。通过通孔连接至源电极或漏电极46的像素电极48形成在平坦层47上。
像素限定层49形成在平坦层47和像素电极48上，使得发光区域中的像素电极48被暴露并且有机发光层50形成在暴露的像素电极48上。阴电极51形成在像素限定层49和有机发光层50上。
密封基板60被布置在具有上述配置的下基板40的上方，并且下基板40和密封基板60用密封剂来粘合。
在有机发光显示设备中，当预定电压被施加到像素电极48和阴电极51时，通过像素电极48注入的空穴和通过阴电极51注入的电子在有机发光层50中复合。由于在该过程中产生的能量差而从有机发光层50发射的光通过下基板40发射到外部，从而显示字符或图像。
图3A至图3G是图示说明根据本发明一个实施例的制造平板显示设备的方法的截面图。
参见图3A，在基板10上形成缓冲层11，并且在缓冲层11上形成提供 薄膜晶体管的源区、漏区和沟道区的有源层12。在缓冲层11和有源层12上形成栅极绝缘层13。在沟道区上方的栅极绝缘层13上形成栅电极14。
诸如玻璃和塑料之类的透明基板用作基板10。在一个实施例中，有源层12由诸如多晶硅之类的半导体形成，并且如果需要，可执行结晶化和离子注入。
参见图3B，在栅极绝缘层13和栅电极14上形成层间绝缘膜15。在一个实施例中，层间绝缘膜15包括被堆叠以防止栅电极与源电极和漏电极16之间的信号干扰的第一层间绝缘膜15a和第二层间绝缘膜15b。在一个实施例中，第二层间绝缘膜15b形成得比第一层间绝缘膜15a薄，例如，被形成为具有第一层间绝缘膜15a的厚度的大约60％到大约80％的厚度。第一层间绝缘膜15a可以由具有大约 的厚度的氧化硅膜(SiO)形成，并且第二层间绝缘膜15b可以由具有大约 
到大约 
的厚度的氮化硅膜(SiN)形成。
参见图3C，执行快速热退火以使有源层12再结晶。通过高温热处理使包含在氮化硅膜(SiN)15b中的氢原子(H)扩散到有源层12中并且与硅悬挂键(dangling bond)结合，使得有源层12的缺陷被去除。相应地，可以改善诸如表面电阻、迁移率以及散射程度之类的电特性。
因为氮化硅膜一般是坚硬的，所以当该膜具有超出大约 
的厚度时，可能会因高温下热膨胀系数的差异而断裂或变形。然而，在一个实施例中，由于氮化硅膜15b形成得相对较薄，因此它在高温热处理中不会断裂或变形。因此，可以在形成层间绝缘膜15之后执行热处理，从而可以通过如上所述的氢(H)原子的扩散来改善电特性。如果在形成层间绝缘膜15之前执行热处理，则栅电极14可能被氧化并且难以期望通过氢(H)原子的扩散来改善电特性。
参见图3D，通过对第二层间绝缘膜15b、第一层间绝缘膜15a和栅极绝缘层13进行图案化，形成接触孔15c使得源区和漏区中的有源层12被暴露。
参见图3E，通过在第二层间绝缘膜15b上形成金属层使得接触孔15c 被填充，而后对金属层进行图案化，来形成连接至源区和漏区中的有源层12的源电极和漏电极16。金属层可以由钛(Ti)或铝(Al)和钛(Ti)的叠层形成，并且可以通过基于氯(Cl)的气体进行图案化。
参见图3F，第二层间绝缘膜15b的部分已经通过使用源电极和漏电极16作为掩模的干蚀刻被暴露，并且被去除。在该过程中，氧化硅膜15a和氮化硅膜15b之间的蚀刻率之差很大，使得使用基于氟(SF6)的气体的蚀刻可以容易地去除基于氯(Cl)的残留物，而不会破坏氧化硅膜15a。
参见图3G，通过在第一层间绝缘膜15a以及源电极和漏电极16上形成平坦层17并对平坦层17进行图案化来形成通孔，使得源电极或漏电极16被暴露。通过在平坦层17上形成诸如ITO和IZO之类的透明导电层使得通孔被填充，而后对导电层进行图案化，来形成连接至源电极或漏电极16的像素电极18。
再次参见图1，在上基板20上形成公共电极21。下基板10和上基板20被放置为彼此面对，并且密封剂(未示出)沿着下基板10和上基板20的边缘形成。其后，通过将液晶层30注入下基板10与上基板20之间的空间来完成液晶显示设备的显示面板100。
进一步，再次参见图2，在平坦层47和像素电极48上形成像素限定层49，然后发光区域中的像素电极48被暴露。在暴露的像素电极48上形成有机发光层50，并且在像素限定层49和有机发光层50上形成阴电极51。其后，通过将密封基板60沉积在下基板40上方并利用密封剂(未示出)对下基板40和密封基板60进行粘合来完成有机发光显示设备的显示面板200。
在一个实施例中，层间绝缘膜由氧化硅膜15a和45a以及氮化硅膜15b和45b形成。进一步，在形成源电极和漏电极16和46的过程中，在不使用特定的掩模的情况下将光透射区域中的氮化硅膜15b和45b去除。由于光透射区域中的氮化硅膜15b和45b被去除，因此提高了显示面板的光透射率，使得显示设备的亮度和图片质量可以被提高。
如果如图4所示未将光透射区域中的氮化硅膜15b去除(比较例)，则 氮化硅膜15b的透射率比氧化硅膜15a低大约7％，并且光的振动增加，使得光透射率被减小。由于在图4的比较例中，氮化硅膜15b形成在像素区域中，因此光透射率被减小。进一步，由于氮化硅膜15b比氧化硅膜15a厚(例如，大约 
对大约 
)，因此光透射率被进一步减小(例如，大约85.4％)。
从实际测量光透射率的结果中可以看出，如可以从图5中看到的那样，对于红色像素，与图4中示出的结构相比，图1中示出的结构中的透射率被提高大约8％。
如图6所示，虽然可以通过将图4的结构中的光透射区域L中的氧化硅膜15a和氮化硅膜15b去除来提高光透射率，但蚀刻氮化硅膜15b、氧化硅膜15a和栅极绝缘层13会花费长时间，这使得生产率劣化，并且上述的热处理效果不可能被实现。
虽然已结合某些示例性实施例描述了本发明，但应当理解，本发明并不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意在覆盖包括在所附权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (20)
1.一种平板显示设备，包括：
第一基板；
形成在所述第一基板上方的有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区；
形成在所述有源层上的栅极绝缘层；
栅电极，形成在所述栅极绝缘层上并且在所述有源层的沟道区上方；
第一层间绝缘膜，形成在所述栅极绝缘层和所述栅电极上；
源电极和漏电极，通过接触孔分别电连接至所述有源层的源区和漏区，其中所述接触孔形成在所述第一层间绝缘膜和所述栅极绝缘层中；
第二层间绝缘膜，仅插入i)所述第一层间绝缘膜与ii)所述源电极和所述漏电极之间；
平坦层，形成在所述第一层间绝缘膜以及所述源电极和所述漏电极上；以及
像素电极，通过形成在所述平坦层中的通孔电连接至所述源电极或所述漏电极。
2.根据权利要求1所述的平板显示设备，进一步包括：
第二基板，被布置为面对所述第一基板；
公共电极，形成在所述第二基板上并且在所述像素电极上方；以及
液晶层，插入所述第一基板与所述第二基板之间。
3.根据权利要求1所述的平板显示设备，进一步包括：
像素限定层，形成在所述像素电极的第一部分和所述平坦层上；
有机发光层，形成在所述像素电极的第二部分和所述像素限定层的部分上，其中所述像素电极的第一部分和第二部分彼此不重叠；以及
阴电极，形成在所述有机发光层和所述像素限定层上。
4.根据权利要求1所述的平板显示设备，其中所述第二层间绝缘膜比所述第一层间绝缘膜薄。
5.根据权利要求4所述的平板显示设备，其中所述第二层间绝缘膜的厚度是所述第一层间绝缘膜的厚度的60％到80％。
6.根据权利要求1所述的平板显示设备，其中所述第一层间绝缘膜由氧化硅形成，并且其中所述第二层间绝缘膜由氮化硅形成。
7.根据权利要求1所述的平板显示设备，其中所述有源层由多晶硅形成。
8.根据权利要求1所述的平板显示设备，其中所述像素电极由透明导电材料形成。
9.根据权利要求1所述的平板显示设备，进一步包括插入i)所述第一基板与ii)所述栅极绝缘层和所述有源层之间的缓冲层。
10.根据权利要求1所述的平板显示设备，其中所述第二层间绝缘膜未形成在所述源电极与所述漏电极之间。
11.一种制造平板显示设备的方法，包括：
在第一基板上方形成有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区；
在所述有源层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅电极以直接在所述有源层的沟道区上方；
在所述栅极绝缘层和所述栅电极上形成第一层间绝缘膜；
在所述第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜，其中所述第二层间绝缘膜比所述第一层间绝缘膜薄；
对i)所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜、ii)所述栅电极、iii)所述栅极绝缘层以及iv)所述有源层执行热处理；
对所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜以及所述栅极绝缘层进行图案化，以便暴露所述有源层的源区和漏区；
在暴露的部分上形成源电极和漏电极，使得所述源电极和漏电极电连接至所述有源层；对所述第二层间绝缘膜进行图案化，使得所述第二层间绝缘膜的剩余部分仅形成在i)所述第一层间绝缘膜与ii)所述源电极和所述漏电极之间；
在所述第一层间绝缘膜以及所述源电极和所述漏电极上形成平坦层；
对所述平坦层进行图案化，以便暴露所述源电极或所述漏电极；并且
在所述平坦层上形成像素电极，以便连接至所述源电极或所述漏电极。
12.根据权利要求11所述的制造平板显示设备的方法，进一步包括：
在第二基板上并且在所述像素电极上方形成公共电极；
将所述第一基板和所述第二基板布置为彼此面对；
沿所述第一基板和所述第二基板的边缘形成密封剂；并且
将液晶注入所述第一基板与所述第二基板之间的空间。
13.根据权利要求11所述的制造平板显示设备的方法，进一步包括：
在所述平坦层和所述像素电极上形成像素限定层；
在发光区域中暴露所述像素电极；
在所述像素电极的暴露部分上形成有机发光层；并且
在所述有机发光层和所述像素限定层上形成阴电极。
14.根据权利要求13所述的制造平板显示设备的方法，其中所述第二层间绝缘膜未形成在所述发光区域中。
15.根据权利要求11所述的制造平板显示设备的方法，其中所述第二层间绝缘膜的厚度是所述第一层间绝缘膜的厚度的60％至80％。
16.根据权利要求11所述的平板显示设备，其中所述第一层间绝缘膜由氧化硅形成，并且其中所述第二层间绝缘膜由氮化硅形成。
17.根据权利要求11所述的制造平板显示设备的方法，其中所述暴露部分中的所述第二层间绝缘膜通过使用所述源电极和所述漏电极作为掩模的干蚀刻被去除。
18.一种平板显示设备，包括：
基板，其中像素区域和非像素区域形成在所述基板中或所述基板上方，并且其中所述像素区域被配置为发射光；
形成在所述第一基板上方的有源层，其中源区、漏区和沟道区形成在所述有源层中；
形成在所述有源层上的栅极绝缘层；
栅电极，形成在所述栅极绝缘层上和所述有源层的沟道区上方；
第一层间绝缘膜，形成在所述栅极绝缘层和所述栅电极上；
源电极和漏电极，分别电连接至所述有源层的源区和漏区；以及
形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜，其中所述第二层间绝缘膜未形成在所述像素区域中。
19.根据权利要求18所述的平板显示设备，其中所述第二层间绝缘膜仅插入i)所述第一层间绝缘膜与ii)所述源电极和所述漏电极之间。
20.根据权利要求18所述的平板显示设备，其中所述第二层间绝缘膜比所述第一层间绝缘膜薄。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2009-0117878 | 2009-12-01 | ||
| KR1020090117878A KR101049003B1 (ko) | 2009-12-01 | 2009-12-01 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN102142427A true CN102142427A (zh) | 2011-08-03 |
| CN102142427B CN102142427B (zh) | 2015-06-24 |
Family
ID=44068624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010588327.7A Expired - Fee Related CN102142427B (zh) | 2009-12-01 | 2010-11-30 | 平板显示设备及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8400601B2 (zh) |
| JP (1) | JP5653730B2 (zh) |
| KR (1) | KR101049003B1 (zh) |
| CN (1) | CN102142427B (zh) |
| TW (1) | TWI518408B (zh) |
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-
2010
- 2010-11-19 JP JP2010259012A patent/JP5653730B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-29 TW TW099141198A patent/TWI518408B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-11-30 CN CN201010588327.7A patent/CN102142427B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-30 US US12/957,246 patent/US8400601B2/en not_active Expired - Fee Related
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| CN108550612A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN108550612B (zh) * | 2018-05-29 | 2020-11-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110061277A (ko) | 2011-06-09 |
| TWI518408B (zh) | 2016-01-21 |
| TW201207485A (en) | 2012-02-16 |
| US20110128490A1 (en) | 2011-06-02 |
| JP5653730B2 (ja) | 2015-01-14 |
| CN102142427B (zh) | 2015-06-24 |
| KR101049003B1 (ko) | 2011-07-12 |
| JP2011118384A (ja) | 2011-06-16 |
| US8400601B2 (en) | 2013-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
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|
| COR | Change of bibliographic data |
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|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150624 Termination date: 20201130 |