CN108550612B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板,包括:基板,包括显示区和弯折区;缓冲层,包括位于所述显示区内的第一缓冲层和位于所述弯折区内的第二缓冲层;薄膜晶体管,设置于所述第一缓冲层上;绝缘组合层,设置于所述第二缓冲层上,所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中具有过孔;平坦层,设置于所述薄膜晶体管层和所述组合绝缘层上,并且所述平坦层填充所述过孔。本发明还公开了一种显示面板的制作方法。本发明采用有机的平坦层填充过孔,在确保弯折区的柔韧性的同时,可以简化工艺流程,降低生产成本。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体地讲,涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着光电与半导体技术的演技,也带动了平面显示器的蓬勃发展。现有的平面显示器主要包括液晶显示器及有机发光二极管显示器(AMOLED)。
AMOLED包括刚性的AMOLED以及柔性的AMOLED。可变型可弯曲的柔性的AMOLED给用户带来颠覆性的使用体验。
但目前的柔性显示技术还不够成熟,工艺较为复杂。为了提高柔性的AMOLED的弯折区的应力和柔韧性,现有的柔性的AMOLED的制作工艺需将弯折区内的应力较差、柔韧性不好的无机薄膜刻蚀,然后填充上柔韧性较好的PI(聚酰亚胺)材料。导致柔性AMOLED的制作工艺需要多次曝光制程,每次曝光制程都需要一道光罩。然而,光罩的价格较高,其在柔性AMOLED的制作过程中成本占比较高。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题,本发明提供了一种可简化制程的显示面板及其制作方法。
为了达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
根据本发明的一方面,提供了一种显示面板,包括:
基板,包括显示区和弯折区;
缓冲层,包括位于所述显示区内的第一缓冲层和位于所述弯折区内的第二缓冲层;
薄膜晶体管,设置于所述第一缓冲层上;
绝缘组合层,设置于所述第二缓冲层上,所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中具有过孔;
平坦层,设置于所述薄膜晶体管层和所述绝缘组合层上,并且所述平坦层填充所述过孔。
进一步地,所述薄膜晶体管包括:
有源层,设置于所述第一缓冲层上;
第一绝缘层,设置于所述有源层和所述第一缓冲层上,并且所述第一绝缘层延伸到所述弯折区内;
栅极,设置于所述第一绝缘层上;
第二绝缘层,设置于所述栅极和所述第一绝缘层上,并且所述第二绝缘层延伸到所述弯折区内;
电容电极,设置于所述第二绝缘层上且与所述栅极相对;
层间绝缘层,设置于所述电容电极和所述第二绝缘层上,并且所述层间绝缘层延伸到所述弯折区内;
源极和漏极,设置于所述层间绝缘层上,所述源极和所述漏极贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层以分别与所述有源层接触;
其中,延伸到所述弯折区内的所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层构成所述绝缘组合层。
进一步地,所述显示面板还包括:走线,设置于位于所述弯折区内的所述平坦层上。
进一步地,所述过孔包括:贯穿所述层间绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔,以及由所述第一过孔的孔底延伸贯穿所述第一绝缘层和所述第二缓冲层的多个第二过孔;
所述显示面板还包括:走线,设置于位于相邻两个第二过孔之间的所述第一绝缘层上。
进一步地,所述过孔包括:贯穿所述层间绝缘层的第一过孔,以及由所述第一过孔的孔底延伸贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述第二缓冲层的多个第二过孔;
所述显示面板还包括:走线,设置于位于相邻两个第二过孔之间的所述第二绝缘层上。
进一步地,所述显示面板还包括:
阳极,设置于所述平坦层上,所述阳极贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接;
像素限定层,设置于所述阳极和所述平坦层上,所述像素限定层中具有暴露所述阳极的像素限定孔;
有机发光层,设置于所述阳极上;
阴极,设置于所述有机发光层上。
根据本发明的另一方面,还提供了一种显示面板的制作方法,所述制作方法包括:
提供一包括显示区和弯折区的基板;
在所述基板上形成缓冲层,其中,所述缓冲层包括位于所述显示区内的第一缓冲层和位于所述弯折区内的第二缓冲层;
在所述第一缓冲层上形成薄膜晶体管,同时在所述第二缓冲层上形成绝缘组合层;
在所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中形成过孔;
在所述薄膜晶体管和所述绝缘组合层上形成平坦层,其中,所述平坦层填充所述过孔。
进一步地,在所述第一缓冲层上形成薄膜晶体管的方法包括:
在所述第一缓冲层上形成有源层;
在所述有源层和所述第一缓冲层上形成第一绝缘层,其中,所述第一绝缘层延伸到所述弯折区内;
在所述第一绝缘层上形成栅极;
在所述栅极和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层,其中,所述第二绝缘层延伸到所述弯折区内;
在所述第二绝缘层上形成与所述栅极相对的电容电极;
在所述电容电极和所述第二绝缘层上形成层间绝缘层,其中,所述层间绝缘层延伸到所述弯折区内;
在所述层间绝缘层上形成源极和漏极,其中,所述源极和所述漏极贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层以与所述有源层接触;
其中,延伸到所述弯折区内的所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层构成所述绝缘组合层。
进一步地,所述制作方法还包括:在位于所述弯折区内的所述平坦层上形成走线。
进一步地,所述显示面板的制作方法还包括:在所述第一绝缘层上形成栅极的同时,在位于弯折区的所述第一绝缘层上形成走线;
在所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中形成过孔的方法包括:在所述层间绝缘层和所述第二绝缘层中形成第一过孔,并且在所述第一绝缘层和所述第二缓冲层中形成多个延伸到所述第一过孔的孔底的第二过孔;
或者,所述显示面板的制作方法还包括:在所述第二绝缘层上形成与所述栅极相对的电容电极的同时,在位于弯折区的所述第二绝缘层上形成走线;
在所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中形成过孔的方法包括:在所述层间绝缘层中形成第一过孔,并且在所述第二绝缘层、第一绝缘层和所述第二缓冲层中形成多个延伸到所述第一过孔的孔底的第二过孔。
本发明的有益效果:本发明采用有机的平坦层填充过孔,在确保弯折区的柔韧性的同时,可以简化工艺流程,降低生产成本。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是根据本发明的实施例一的显示面板的结构示意图;
图2是根据本发明的实施例二的显示面板的结构示意图;
图3是根据本发明的实施例三的显示面板的结构示意图;
图4是根据本发明的实施例四的显示面板的结构示意图;
图5是根据本发明的实施例四的显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下,将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中,为了清楚起见,可以夸大元件的形状和尺寸,并且相同的标号将始终被用于表示相同或相似的元件。
将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底等的元件被称作“在”或“形成在”另一元件“上”时,该元件可以直接在或形成在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。可选择地,当元件被称作“直接在”或者“直接形成在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
实施例一
图1是根据本发明的实施例一的显示面板的结构示意图。
参照图1所示,本发明的第一实施例提出一种显示面板。所述显示面板包括:基板100、缓冲层110、薄膜晶体管层120、绝缘组合层130以及平坦层200。但是可以理解的是,本发明并不限制于此,根据本发明的实施例的显示面板还可以包括其它必要的部件。
具体地,基板100包括显示区100A和弯折区100B。
缓冲层110设置于基板100上。缓冲层110包括位于显示区100A内的第一缓冲层111和位于所述弯折区100B内的第二缓冲层112。
薄膜晶体管120设置于第一缓冲层111上。作为本发明的一种实施方式,薄膜晶体管120包括:有源层124、第一绝缘层121、栅极125、第二绝缘层122、电容电极126、层间绝缘层123、源极127和漏极128。
具体地,有源层124设置于第一缓冲层111上。第一绝缘层121设置于有源层124和第一缓冲层121上,并且第一绝缘层121延伸到弯折区100B内。栅极125设置于第一绝缘层121上,在本实施例中,栅极125还可以同时作为第二电容电极使用以与第一电容电极126形成存储电容器(未示出)。第二绝缘层122设置于栅极125和第一绝缘层121上,并且第二绝缘层122延伸到弯折区100B内。电容电极126设置于第二绝缘层122上且与栅极125相对。层间绝缘层123设置于电容电极126和第二绝缘层122上,并且层间绝缘层123延伸到弯折区100B内。源极127和漏极128设置于层间绝缘层123上,源极127和漏极128贯穿层间绝缘层123、第二绝缘层122和第一绝缘层121以分别与有源层124接触。
作为本发明的一种实施方式,绝缘组合层130由延伸到弯折区100B的层间绝缘层123、第二绝缘层122和第一绝缘层121构成。
具体地,在绝缘组合层130和第二缓冲层112中具有过孔131。
具体地,平坦层200设置于薄膜晶体管120和绝缘组合层130上,并且平坦层200填充过孔131。平坦层200采用有机材料制成。
在发明的实施例中,过孔131将绝缘组合层130和第二缓冲层112的应力较差、柔韧性不好的材料去除,并被有机材料制成的平坦层200填充。从而增加弯折区100B内的显示面板的应力和柔韧性。
作为本发明的一种实施方式,显示面板还包括阳极210。阳极210设置于平坦层200上,阳极210贯穿平坦层200以与薄膜晶体管120连接。像素限定层230,设置于阳极210和平坦层200上,像素限定层230中具有暴露阳极210的像素限定孔。有机发光层240设置于阳极210上。阴极250设置于有机发光层240上。
作为本发明的一种实施方式,显示面板还包括走线220。在本实施例中,走线220设置于位于弯折区100B内的平坦层200上,走线220与阳极210位于同一层,可通过同道曝光显影的工序同时制得。
实施例二
图2是根据本发明的实施例二的显示面板的结构示意图。
参照图2所示,本发明的第二实施例提出的显示面板与第一实施例的不同之处在于,本发明的实施例二的过孔131包括:贯穿层间绝缘层123和第二绝缘层122的第一过孔131a,以及由第一过孔131a的孔底延伸贯穿第一绝缘层121和第二缓冲层112的多个第二过孔131b。作为本发明的一种实施方式,设置有一个第一过孔131a,以及由第一过孔131a的孔底延伸贯穿第一绝缘层121和第二缓冲层112的三个第二过孔131b。
在本实施例中,走线220设置于相邻两个第二过孔131b之间的第一绝缘层121上。作为本发明的一种实施方式,走线220设置有两条。两条走线220分布于三个第二过孔131b的相邻两个第二过孔131b之间的第一绝缘层121上。第一过孔131a将走线220上方的层间绝缘层123和第二绝缘层122贯穿。
在本实施例中,走线220与栅极125位于同一层,可通过同道曝光显影的工序同时制得。第一过孔131a、第二过孔131b在不损伤走线220的同时,更大程度地将弯折区10B内的应力较差、柔韧性不好的材料去除,取而代之的是由有机材料制成的平坦层200填充,可增加弯折区100B内的显示面板的应力和柔韧性。
实施例三
图3是根据本发明的实施例三的显示面板的结构示意图。
参照图3所示,本发明的第三实施例提出的显示面板与第一实施例、第二实施例的不同之处在于,本发明的实施例三的过孔包括:贯穿层间绝缘层123的第一过孔131a,以及由第一过孔131a的孔底延伸贯穿第二绝缘层122、第一绝缘层121和第二缓冲层112的多个第二过孔131b。作为本发明的一种实施方式,设置有一个第一过孔131a,以及由第一过孔131a的孔底延伸贯穿第二缓冲层112的两个第二过孔131b。
在本实施例中,走线220设置于相邻两个第二过孔131b之间的第二绝缘层上122。作为本发明的一种实施方式,走线220设置有两条。两条走线220分布于三个第二过孔131b的相邻两个第二过孔131b之间的第二绝缘层122上。第一过孔131a将走线220上方的层间绝缘层123和第二绝缘层122和第一绝缘层121贯穿。
在本实施例中,走线220与电容电极126位于同一层,可通过同道曝光显影的工序同时制得。第一过孔131a和第二过孔131b在不损伤走线220的同时,更大程度地将弯折区100B内的应力较差、柔韧性不好的材料去除,取而代之的是由有机材料制成的平坦层200填充,可增加弯折区200内的显示面板的应力和柔韧性。
实施例四
图4是根据本发明的实施例四的显示面板的结构示意图。
参照图4所示,本发明的第四实施例提出的显示面板与第一实施例、第二实施例、第三实施例的不同之处在于,本发明的实施例三在绝缘组合层130和第二缓冲层112中具有多个过孔131,多个过孔131间隔设置。
在本实施例中,走线220设置于相邻两个过孔131之间的层间绝缘层123上。在作为本发明的一种实施方式,走线220设置有两条。两条走线220分布于三个过孔121的相邻两个过孔121之间的层间绝缘层121上。
在本实施例中,走线220与源极127和漏极128设置于同一层,可通过同道工艺同时制得。过孔131在不损伤走线220的同时,将弯折区10B内的应力较差、柔韧性不好的材料去除,取而代之的是由有机材料制成的平坦层200填充,可增加弯折区100B内的显示面板的应力和柔性。
实施例五
图5是根据本发明的实施例四的显示面板的制作方法的流程图。
参照图5所示,根据本发明的第四实施例提出一种显示面板的制作方法。所述显示面板的制作方法的具体步骤包括:
S100、提供一包括显示区100A和弯折区100B的基板100;
S200、在基板100上形成缓冲层110,其中,缓冲层110包括位于显示区100A内的第一缓冲层111和位于弯折区100B内的第二缓冲层112;
S300、在第一缓冲层111上形成薄膜晶体管120,同时在第二缓冲层112上形成绝缘组合层130;
S400、在绝缘组合层130和第二缓冲层112中形成过孔131;
S500、在薄膜晶体管120和绝缘组合层130上形成平坦层200,其中,平坦层200填充过孔131。
具体地,步骤S400中在绝缘组合层130和第二缓冲层112中形成过孔131,其中过孔131采用两次光刻工艺形成。由于绝缘组合层130的厚度加上第二缓冲层112的厚度超过1.5um。如果采用一次干刻工艺,其它膜层的有效图案上所覆盖的1.5um的保护膜会在光刻工艺中受到损伤,从而不利于有效图案的保护。若加厚保护膜,则后续需消耗更大曝光机的能量来去掉保护膜。因此,采用两次光刻工艺形成过孔131,可确保有效图案的保护和节省不要的消耗。
具体地,步骤S500在薄膜晶体管120和绝缘组合层130上形成平坦层200,其中,平坦层200填充过孔131。传统的工艺制程中,先形成过孔131,再用有机材料填充过孔131,然后通过曝光显影将非过孔区域的有机材料去除,之后再在薄膜晶体管120和绝缘组合层130上形成平坦层200,导致工艺较为复杂,且曝光制程所需的光罩价格贵,导致产品成本高。但是平坦层200本身是由有机材料制成,采用平坦层200填充过孔131不仅可以确保弯折区100B内的显示面板的应力和柔韧性,还可以减少通过曝光显影将非过孔区域的有机材料去除的步骤,节省工艺制程,降低成本。
作为本发明的一种实施方式,步骤300在第一缓冲层111上形成薄膜晶体管120,同时在第二缓冲层112上形成绝缘组合层130的具体步骤包括:
首先在第一缓冲层111上形成有源层124;
接着在有源层124和第一缓冲层111上形成第一绝缘层121,其中,第一绝缘层121延伸到弯折区100B内;
接着在第一绝缘层121上形成栅极125;
接着在栅极125和第一绝缘层121上形成第二绝缘层122,其中,第二绝缘层122延伸到弯折区100B内;
接着在第二绝缘层122上形成与栅极125相对的电容电极126;
接着在电容电极126和第二绝缘层122上形成层间绝缘层123,其中,层间绝缘层123延伸到弯折区100B内;
最后在层间绝缘层123上形成源极127和漏极128,其中,源极127和漏极128贯穿层间绝缘层123、第二绝缘层122和第一绝缘层121以与有源层124接触;
其中,延伸到弯折区100B内的层间绝缘层123、第二绝缘层122和第一绝缘层121构成绝缘组合层130。
作为本发明的一种实施方式,所述显示面板的制造方法的步骤还包括:
在位于显示区100A的平坦层200上形成阳极210;
在阳极210和平坦层200上形成像素定义层230;
在像素定义层230中形成暴露阳极210的像素限定孔;
在像素定义层230上形成有机发光层240;
在位于显示区100A的有机发光层240上形成阴极250。
在本实施例中,在位于显示区100A的平坦层200上形成阳极210的同时,在位于弯折区100B内的平坦层200上形成走线220。走线220与阳极210通过同道曝光、显影的工艺同时形成。
实施例六
本发明的第六实施例提出的显示面板的制造方法与第五实施例的不同之处在于,本发明的第六实施例在步骤在第一绝缘层121上形成栅极125的同时,在位于弯折区100B的第一绝缘层121上形成走线220。
在本实施例中,在绝缘组合层130和第二缓冲层112中形成过孔130的方法包括:在层间绝缘层123和第二绝缘层122中形成第一过孔131a,并且在第一绝缘层121和第二缓冲层112中形成多个延伸到第一过孔131a的孔底的第二过孔131b。
实施例七
本发明的第七实施例提出的显示面板的制造方法与第五实施例、第六实施例的不同之处在于,本发明的第七实施例在步骤在第二绝缘层122上形成电容电极126的同时,在位于弯折区100B的第二绝缘层122上形成走线220。
在本实施例中,在绝缘组合层130和第二缓冲层112中形成过孔130的方法包括:在层间绝缘层123中形成第一过孔131a,并且在第二绝缘层122、第一绝缘层121和第二缓冲层112中形成多个延伸到第一过孔131a的孔底的第二过孔131b。
实施例八
本发明的第八实施例提出的显示面板的制造方法与第五实施例、第六实施例、第七实施例的不同之处在于,本发明的第八实施例在步骤在层间绝缘层123上形成源极127、漏极128的同时,在位于弯折区100B的层间绝缘层123上形成走线220。
在本实施例中,在绝缘组合层130和第二缓冲层112中形成过孔130的方法包括:在绝缘组合层130和第二缓冲层112中形成多个间隔设置的过孔130。
本发明采用有机的平坦层200填充过孔130,在确保位于弯折区100B的显示面板柔韧性的同时,可以简化工艺流程,降低生产成本。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下,可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (5)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板,包括显示区和弯折区;
缓冲层,包括位于所述显示区内的第一缓冲层和位于所述弯折区内的第二缓冲层;
薄膜晶体管,设置于所述第一缓冲层上;
绝缘组合层,设置于所述第二缓冲层上,所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中具有过孔;
平坦层,设置于所述薄膜晶体管层和所述绝缘组合层上,并且所述平坦层填充所述过孔;
所述过孔包括多个;
其中,所述薄膜晶体管包括:
有源层,设置于所述第一缓冲层上;
第一绝缘层,设置于所述有源层和所述第一缓冲层上,并且所述第一绝缘层延伸到所述弯折区内;
栅极,设置于所述第一绝缘层上;
第二绝缘层,设置于所述栅极和所述第一绝缘层上,并且所述第二绝缘层延伸到所述弯折区内;
电容电极,设置于所述第二绝缘层上且与所述栅极相对;
层间绝缘层,设置于所述电容电极和所述第二绝缘层上,并且所述层间绝缘层延伸到所述弯折区内;
源极和漏极,设置于所述层间绝缘层上,所述源极和所述漏极贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层以分别与所述有源层接触;
其中,延伸到所述弯折区内的所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层构成所述绝缘组合层;
其中,所述显示面板还包括:
阳极,设置于所述平坦层上,所述阳极贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接;
像素限定层,设置于所述阳极和所述平坦层上,所述像素限定层中具有暴露所述阳极的像素限定孔;
有机发光层,设置于所述阳极上;
阴极,设置于所述有机发光层上;
其中,显示面板还包括位于弯折区内的走线,相邻过孔之间在所述走线之上的部分相连通;所述走线设置于所述平坦层上;或者所述走线设置于所述第一绝缘层上;或者所述走线设置于所述第二绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述走线位于所述第一绝缘层上时,
所述过孔包括:贯穿所述层间绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔,以及由所述第一过孔的孔底延伸贯穿所述第一绝缘层和所述第二缓冲层的多个第二过孔;
所述显示面板还包括:走线,设置于位于相邻两个第二过孔之间的所述第一绝缘层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述走线位于所述第二绝缘层上时,
所述过孔包括:贯穿所述层间绝缘层的第一过孔,以及由所述第一过孔的孔底延伸贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述第二缓冲层的多个第二过孔;
所述显示面板还包括:走线,设置于位于相邻两个第二过孔之间的所述第二绝缘层上。
4.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一包括显示区和弯折区的基板;
在所述基板上形成缓冲层,其中,所述缓冲层包括位于所述显示区内的第一缓冲层和位于所述弯折区内的第二缓冲层;
在所述第一缓冲层上形成薄膜晶体管,同时在所述第二缓冲层上形成绝缘组合层;
在所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中形成多个过孔;
在所述薄膜晶体管和所述绝缘组合层上形成平坦层,其中,所述平坦层填充所述过孔;
其中,在所述第一缓冲层上形成薄膜晶体管的方法包括:
在所述第一缓冲层上形成有源层;
在所述有源层和所述第一缓冲层上形成第一绝缘层,其中,所述第一绝缘层延伸到所述弯折区内;
在所述第一绝缘层上形成栅极;
在所述栅极和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层,其中,所述第二绝缘层延伸到所述弯折区内;
在所述第二绝缘层上形成与所述栅极相对的电容电极;
在所述电容电极和所述第二绝缘层上形成层间绝缘层,其中,所述层间绝缘层延伸到所述弯折区内;
在所述层间绝缘层上形成源极和漏极,其中,所述源极和所述漏极贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层以与所述有源层接触;
其中,延伸到所述弯折区内的所述层间绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层构成所述绝缘组合层;
其中,所述制作方法还包括,在弯折区形成走线,将相邻过孔之间在所述走线之上的部分连通;所述走线形成于平坦层上或者所述走线形成于第一绝缘层上或者所述走线形成于第二绝缘层上。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,在所述走线形成于第一绝缘层上时,所述显示面板的制作方法还包括:在所述第一绝缘层上形成栅极的同时,在位于弯折区的所述第一绝缘层上形成走线;
在所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中形成过孔的方法包括:在所述层间绝缘层和所述第二绝缘层中形成第一过孔,并且在所述第一绝缘层和所述第二缓冲层中形成多个延伸到所述第一过孔的孔底的第二过孔;
或者,在所述走线形成于第二绝缘层上时,所述显示面板的制作方法还包括:在所述第二绝缘层上形成与所述栅极相对的电容电极的同时,在位于弯折区的所述第二绝缘层上形成走线;
在所述绝缘组合层和所述第二缓冲层中形成过孔的方法包括:在所述层间绝缘层中形成第一过孔,并且在所述第二绝缘层、第一绝缘层和所述第二缓冲层中形成多个延伸到所述第一过孔的孔底的第二过孔。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109192740B (zh) * 2018-09-21 2021-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN109378318B (zh) * 2018-10-15 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN109494313A (zh) * 2018-10-15 2019-03-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN109449165B (zh) * 2018-10-19 2021-03-23 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板
CN111081714B (zh) * 2018-10-19 2022-11-04 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109599420B (zh) 2018-10-23 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
KR102620972B1 (ko) * 2018-10-23 2024-01-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109638020A (zh) * 2018-12-06 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示模组
CN109671721A (zh) * 2018-12-10 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
CN109659322B (zh) * 2018-12-17 2020-12-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN109683740B (zh) * 2018-12-17 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109671724B (zh) * 2018-12-21 2020-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 发光面板及显示装置
CN109887928B (zh) * 2019-01-24 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板
CN109786430B (zh) * 2019-02-22 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN110047381A (zh) * 2019-03-27 2019-07-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
CN109872690B (zh) * 2019-03-27 2020-09-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN111755471A (zh) * 2019-03-27 2020-10-09 陕西坤同半导体科技有限公司 可弯折柔性显示装置及其制作方法
CN110071123A (zh) * 2019-04-19 2019-07-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN110071124B (zh) * 2019-04-22 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110265409B (zh) * 2019-06-20 2021-07-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板、其制备方法及其显示面板
CN110335887A (zh) * 2019-06-25 2019-10-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110391255B (zh) * 2019-07-23 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板、其制备方法及其显示面板
CN110379823B (zh) * 2019-07-24 2021-01-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及oled显示面板
CN110534475A (zh) * 2019-08-19 2019-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN110729328B (zh) * 2019-09-17 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示装置
US11329073B2 (en) 2019-10-29 2022-05-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
CN110707137B (zh) * 2019-10-29 2021-09-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN111129027B (zh) * 2019-12-03 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的结构及其制作方法
CN111063697A (zh) * 2019-12-11 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US11271057B2 (en) * 2020-02-12 2022-03-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
CN111312659A (zh) * 2020-02-25 2020-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN111416061B (zh) * 2020-04-27 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示装置
US11387303B2 (en) 2020-04-27 2022-07-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN113725380B (zh) * 2021-04-14 2022-08-02 荣耀终端有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113241362B (zh) * 2021-06-02 2022-11-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子装置
CN114495722A (zh) * 2022-02-10 2022-05-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142427A (zh) * 2009-12-01 2011-08-03 三星移动显示器株式会社 平板显示设备及其制造方法
CN104571700A (zh) * 2014-12-30 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 触控面板
CN104716157A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机发光显示装置的阵列基板及其制备方法
CN107994055A (zh) * 2017-11-10 2018-05-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折显示面板及其制作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595456B1 (ko) * 2003-12-29 2006-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조방법
JP4404881B2 (ja) * 2006-08-09 2010-01-27 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
CN104795403B (zh) * 2015-04-16 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
KR102560703B1 (ko) * 2016-04-29 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN106158882B (zh) * 2016-09-27 2019-02-26 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法
KR102381286B1 (ko) * 2017-05-18 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20190013369A1 (en) * 2017-07-06 2019-01-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating flexible oled array substrate, oled display panel
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
KR102562900B1 (ko) * 2018-02-02 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치
US11088234B2 (en) * 2019-04-29 2021-08-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142427A (zh) * 2009-12-01 2011-08-03 三星移动显示器株式会社 平板显示设备及其制造方法
CN104716157A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机发光显示装置的阵列基板及其制备方法
CN104571700A (zh) * 2014-12-30 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 触控面板
CN107994055A (zh) * 2017-11-10 2018-05-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折显示面板及其制作方法

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US11121199B1 (en) 2021-09-14
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