CN104659063A - 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板 - Google Patents

显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板 Download PDF

Info

Publication number
CN104659063A
CN104659063A CN201410841697.5A CN201410841697A CN104659063A CN 104659063 A CN104659063 A CN 104659063A CN 201410841697 A CN201410841697 A CN 201410841697A CN 104659063 A CN104659063 A CN 104659063A
Authority
CN
China
Prior art keywords
auxiliary electrode
anode
layer
base plate
distance piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410841697.5A
Other languages
English (en)
Inventor
宋泳锡
刘圣烈
崔承镇
金熙哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410841697.5A priority Critical patent/CN104659063A/zh
Publication of CN104659063A publication Critical patent/CN104659063A/zh
Priority to EP15856178.7A priority patent/EP3242325B1/en
Priority to US15/038,093 priority patent/US9831461B2/en
Priority to PCT/CN2015/094860 priority patent/WO2016107323A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/824Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Abstract

本发明提供一种显示基板,所述显示基板包括阳极层、阴极层和设置在所述阳极层和所述阴极层之间的发光层,所述阳极层包括多个阳极,其中,所述显示基板还包括至少一个辅助电极,所述辅助电极与所述阳极绝缘间隔,且所述辅助电极与所述阴极层并联接触,使得所述辅助电极与所述阴极层并联后的整体电阻小于所述阴极层自身的电阻。本发明还提供一种显示面板、一种显示基板的制造方法和一种掩膜板。本发明所提供的显示基板的阴极电阻压降(即,IR drop)较小,因此,电信号在阴极层以及辅助电极中的损失也相对较小,从而可以获得相对较高的画面质量。

Description

显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OLED,Organic Light EmittingDiode)显示装置领域,具体地,涉及一种显示基板、包括显示基板的显示面板、所述显示基板的制造方法以及所述制造方法中所用到的掩膜板。
背景技术
有机发光二极管显示面板的显示基板包括薄膜晶体管阵列和发光件阵列,所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,所述发光件阵列包括阳极层、阴极层和设置在所述阳极层和所述阴极层之间的所述发光层。所述阳极层包括多个阳极,所述阳极与所述薄膜晶体管的漏极一一对应的连接。
通常通过在发光层的上方溅射氧化铟锡(ITO)等透明或者蒸镀反射率好的透明来形成阴极层。如果通过溅射ITO的方式形成阴极层的话,所述发光层则容易受到损伤,并降低所述有机发光二极管显示面板的发光效率。
如上文中所述,还可以通过蒸镀反射率好的透明的方式形成阴极层,但是通过这种方式形成的阴极层通常具有较大的电阻,在显示时会产生较大的电阻压降(IR Drop),最终降低显示面板的画面质量。
因此,如何防止有机发光二极管显示面板的画面质量降低成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板、包括显示基板的显示面板、所述显示基板的制造方法以及该制造方法中所用到的掩膜板,包括所述显示基板的显示面板在显示时具有较好的画面质量。
为了实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种显示基板,所述显示基板包括阳极层、阴极层和设置在所述阳极层和所述阴极层之间的发光层,所述阳极层包括多个阳极,其中,所述显示基板还包括至少一个辅助电极,所述辅助电极与所述阳极绝缘间隔,且所述辅助电极与所述阴极层并联接触,使得所述辅助电极与所述阴极层并联后的整体电阻小于所述阴极层自身的电阻。
优选地,所述辅助电极与所述阳极层同层设置。
优选地,所述显示基板还包括间隔件,每个所述辅助电极的两侧分别形成有一个绝缘间隔,所述间隔件的一部分设置在相应的所述绝缘间隔中,另一部分凸出于所述阳极层,以将所述辅助电极与所述阳极绝缘间隔。
优选地,所述间隔件为多对,所述间隔件将所述显示基板划分为多个阳极区域和多个辅助电极区域,每个所述阳极区域内均设置有至少一个所述阳极和形成所述发光层的材料,每个所述辅助电极区域内均设置有所述辅助电极,所述辅助电极区域设置在所述阳极区域的周围,所述辅助电极区域的宽度小于所述阳极区域的宽度,所述阴极层的一部分位于所述辅助电极区域的一对所述间隔件之间的空隙中,以将所述阴极层与所述辅助电极电连接。
优选地,所述间隔件包括沿所述显示基板的横向延伸的行间隔件和沿所述显示基板的纵向延伸的列间隔件。
优选地,任意一个所述辅助电极两侧的两个所述阳极区域内形成所述发光层的材料的形状均不相同。
优选地,所述显示基板还包括将所述显示基板划分为多个像素单元的间隔件,所述间隔件的一部分贯穿所述阳极层,另一部分位于所述阳极层上方。
优选地,每个所述辅助电极对应有一个所述间隔件,多个所述辅助电极连接成网状,每个所述辅助电极的两侧分别形成有一个绝缘间隔,与所述辅助电极相对应的所述间隔件包括分别设置在相对应的所述辅助电极两侧的所述绝缘间隔中的插入部和连接两个所述插入部的连接部,至少一个所述间隔件的所述连接部上形成由用于暴露所述辅助电极的过孔,所述阴极层通过所述过孔与所述辅助电极并联。
优选地,形成有所述过孔的所述间隔件围成多个区域,所述区域内沉积有用于形成发光层的材料,且相邻两个所述区域的形状不同。
作为本发明的另一个方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括显示基板,其特征在于,所述显示基板为本发明所提供的上述显示基板。
作为本发明的再一个方面,提供一种显示基板的制造方法,其中,所述制造方法包括以下步骤:
形成发光件阵列,该形成发光件阵列的步骤包括:
形成阳极层,所述阳极层包括多个阳极,所述阳极与驱动薄膜晶体管的漏极一一对应的连接;
形成至少一个辅助电极,所述辅助电极与所述阳极绝缘间隔;
形成发光层;
形成阴极层,所述阴极层与所述辅助电极并联接触,使得所述辅助电极与所述阴极层并联后的整体电阻小于所述阴极层自身的电阻。
优选地,所述形成阳极层的步骤与所述形成至少一个辅助电极的步骤同步进行。
优选地,形成阳极层和至少一个辅助电极的步骤包括:
形成阳极材料层;
在阳极材料层上形成多个阳极区域和多个辅助电极区域,所述辅助电极区域和与该辅助电极区域相邻的所述阳极区域之间形成有绝缘间隔,且每个所述阳极区域内包括至少一个所述阳极,多个所述辅助电极连接成网状;
形成阳极层的步骤和形成发光层的步骤之间包括:
在各个所述绝缘间隔中形成间隔件,所述间隔件的一部分设置在所绝缘间隔中,所述间隔件的另一部分凸出于所述阳极层;
在形成阴极层的步骤中,形成阴极层的材料沉积在一对之间形成有所述辅助电极的所述间隔件之间的空隙中,以使得所述阴极层与所述辅助电极并联连接。
优选地,形成发光层的步骤包括:
将掩膜板设置在形成有所述阳极层的衬底基板上方,其中,所述掩膜板包括对应于多个所述阳极的多个开口部和对应于至少一个所述辅助电极的遮挡部;
蒸镀形成所述发光层的材料,以在所述阳极区域的上方沉积形成所述发光层的材料。
优选地,所述阳极区域排列为多行多列。
优选地,任意一个所述辅助电极两侧的两个所述阳极区域的形状均不相同,以使得沉积在相邻两个所述阳极区域中的发光层的材料的形状不同。
优选地,形成阳极层和至少一个辅助电极的步骤包括:
形成阳极材料层;
在阳极材料层上形成多个贯穿所述阳极材料层的绝缘间隔,以将所述阳极材料层划分为多个像素单元;
所述制造方法还包括:
形成包括间隔件的图形,所述间隔件的一部分位于所述绝缘间隔中,另一部分位于所述阳极层上方。
优选地,多个所述间隔中的至少一个包括第一间隔和第二间隔,所述第一间隔和所述第二间隔之间形成有所述辅助电极,所述辅助电极对应的所述间隔件包括分别设置在相对应的所述辅助电极两侧的所述绝缘间隔中的插入部和连接两个所述插入部的连接部;
所述制造方法还包括在形成发光层的步骤和形成阴极层的步骤之间进行的所述连接部上形成由用于暴露所述辅助电极的过孔的步骤;
在形成阴极层的步骤中,形成阴极层的材料沉积在所述过孔中,以将所述阴极层与所述辅助电极并联。
优选地,形成发光层的步骤包括:
将掩膜板设置在形成有所述阳极层的衬底基板上方,其中,所述掩膜板包括多个开口部和将所述多个开口部间隔开的多个遮挡部,所述遮挡部对应于所述辅助电极;
蒸镀形成所述发光层的材料,以在所述开口部对应的位置的上方沉积形成所述发光层的材料。
优选地,形成有所述过孔的所述间隔件围成多个区域,所述区域内沉积有用于形成发光层的材料,且相邻两个所述区域的形状不同。
作为本发明的还一个方面,提供一种掩膜板,所述掩膜板用于本发明所提供的上述制造方法,其中,所述掩膜板包括多个开口部和对应于至少一个所述辅助电极的遮挡部,所述遮挡部将相邻的所述开口部间隔开。
当包括本发明所提供的显示基板的显示面板工作时,在向阴极层通电时,电流同时会传导至辅助电极。辅助电极也阴极层并联,形成组合件,该组合件的电阻小于阴极层本身的电阻。与未设辅助电极的显示基板相比,本发明所提供的显示基板的阴极电阻压降(即,IRdrop)较小,因此,电信号在阴极层以及辅助电极中的损失也相对较小,从而可以获得相对较高的画面质量。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是形成有阳极层的基板的示意图;
图2是形成有间隔件的基板的示意图;
图3是形成有发光层的基板的示意图;
图4是形成有阴极层的基板的示意图;
图5是封装后的基板的示意图;
图6是形成发光层时用到的掩膜板的一种实施方式的示意图;
图7是形成发光层是用到的掩膜板的另一种实施方式的示意图。
附图标记说明
10:驱动薄膜晶体管         15:过孔
21:阳极                   22:辅助电极
23:绝缘间隔               30:平坦化层
40:间隔件                 50:发光区
60:阴极层                 70:封装层
81:开口部                 82:遮挡部
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
如图5所示,作为本发明的一个方面,提供一种显示基板,所述显示基板包括阳极层、阴极层60和设置在所述阳极层和所述阴极层之间的所述发光层,所述阳极层包括多个阳极21,其中,所述阳极层还包括至少一个辅助电极22,辅助电极22与阳极21绝缘间隔,且辅助电极22与阴极层60并联接触,使得辅助电极22与阴极层60并联后的整体电阻小于阴极层60自身的电阻。
在向阴极层60通电时,电流同时会传导至辅助电极22。辅助电极22也阴极层60并联,形成组合件,该组合件的电阻小于阴极层60本身的电阻。与未设辅助电极的显示基板相比,本发明所提供的显示基板的阴极电阻压降(即,IR drop)较小,因此,电信号在阴极层60以及辅助电极22中的损失也相对较小,从而可以获得相对较高的画面质量。
应当指出的是,每个阳极21的上方均设置有由形成发光层的材料形成的发光区50,但是在辅助电极的上方并未设置有形成所述发光层的材料。
在本发明中,阴极层60可以通过接触过孔与辅助电极22并联接触,也可以通过其他方式与辅助电极22并联接触。并且,在本发明中,对辅助电极22的设置位置以及设置数量也没有特殊的影响,只要将辅助电极22设置在不影响显示面板的正常显示的位置即可。
本领域技术人员应当理解的是,所述阳极层、所述发光层和所述阴极层组成了发光件阵列,所述发光件阵列包括多个发光件。换言之,多个发光件的阳极形成为所述阳极层,多个所述发光件的发光区形成为所述发光层,多个所述发光件的阴极形成为所述阴极层。所述显示基板还包括设置在所述发光件阵列下方的薄膜晶体管阵列,所述薄膜晶体管阵列中的薄膜晶体管形成像素电路,用于驱动发光件发光。所述薄膜晶体管阵列中包括多个驱动薄膜晶体管10,每个驱动薄膜晶体管10对应一个发光件,发光件的阳极通过过孔与驱动薄膜晶体管10的漏极相连。
在本发明中,对辅助电极22的数量并不做具体显示,例如,可以设置一个辅助电极22,也可以设置多个辅助电极22。当设置一个辅助电极22时,辅助电极22可以为设置在像素边缘的、形成为一体的网格状辅助电极。
在本发明中,对辅助电极22与阳极21之间的相对位置关系并没有特殊的规定,只要辅助电极22可以与阳极21绝缘间隔设置即可。例如,辅助电极22可以设置在阳极21的上方,且在阳极21与辅助电极22之间设置绝缘层,或者作为本发明的一种优选实施方式,辅助电极22可以设置在阳极层中,即,阳极层包括多个阳极21和与多个阳极21间隔设置的至少一个辅助电极22。将辅助电极22设置在阳极层中的优点在于,可以利用同一步构图工艺同时形成阳极21的辅助电极22,简化了显示基板的制造工艺,降低了显示基板的制造方法。制造显示基板的具体制造方法将在下文中详细描述,这里先不赘述。容易理解的是,辅助电极22和阳极21由相同的材料制造而成。形成所述阳极层的材料可以为两层ITO之间夹反射率较好的材料,例如,可以为铝、银、金、钛、钼中的任意一种,或者上述任意一种的合金。辅助电极22和阳极21同层设置的另一个优点在于,可以提高反射率,进而提高显示面板的亮度。
虽然将辅助电极22可以与所述阳极层同层设置,但是,辅助电极22仍然与阳极21绝缘间隔设置。例如,可以在辅助电极22与阳极21之间设置绝缘间隔23(参见图1)。容易理解的是,所述绝缘间隔中也不设置形成所述发光层的材料。
作为本发明的一种优选实施方式,所述显示基板还可以包括将辅助电极22与阳极21绝缘间隔设置的间隔件40。间隔件40可以确保辅助电极22与阳极21可靠地绝缘间隔。在本发明中,对间隔件40的具体形状并不做具体限定,只要能够将辅助电极22与阳极21绝缘间隔即可。具体地,每个辅助电极22的两侧分别形成有一个绝缘间隔23,每个所述绝缘间隔23中均设置有间隔件40,间隔件40的一部分设置在相应的绝缘间隔23中,另一部分凸出于所述阳极层,以将辅助电极22和与之相邻的阳极21绝缘间隔。
如上文中所述,辅助电极22应当设置在不影响显示面板正常发光的位置。例如,可以将辅助电极22设置在阳极21的周围。相应地,间隔件40为多对,间隔件40将所述显示基板划分为多个阳极区域和多个辅助电极区域,每个所述阳极区域内均设置有至少一个阳极和形成发光层的材料形成的发光区50,每个所述辅助电极区域内均设置有辅助电极22,所述辅助电极区设置在所述阳极区域的周围。为了使所述显示面板具有较高的亮度,优选地,所述辅助电极区的宽度小于所述阳极区域的宽度。容易理解的是,阳极21设置在阳极区域中,辅助电极22和间隔件40均设置在所述辅助电极区中。阴极层60的一部分位于一对间隔件40之间的辅助电极区中,以将阴极层60与辅助电极22电连接。
在本发明中,对每个阳极区域内设置的阳极的数量并不做限定,例如,可以在每个阳极区域内设置多个阳极,也可以在每个阳极区域内设置一个阳极。应当理解的是,当每个阳极区域内均设置有多个阳极时,同一个阳极区域内的多个阳极之间通过像素定义件互相绝缘间隔。
作为本发明的一种具体实施方式,所述间隔件可以包括沿所述显示基板的横向延伸的行间隔件和沿所述显示基板的纵向延伸的列间隔件。图6所示的是发光层为白光材料时用于形成根据这种实施方式的掩膜板。如图6中所示,所述掩膜板包括开口部81和遮挡部82。开口部81对应于阳极区域,遮挡部82对应于辅助电极区。由此可知,阳极区域的形状可以为矩形块状,而辅助电极区的形状则为网格状,行间隔件形成在沿图6中的左右方向延伸的遮挡部对应于的区域中,列间隔件形成在沿图6中上下方向延伸的遮挡部对应的区域中。
图6中所示的是一种规则的掩膜板,利用这种掩膜板形成的显示基板中,任意一个辅助电极22两侧的两个阳极区域的形状均相同,也就是说,辅助电极两侧的两个发光区的形状相同。这种掩膜板的优点在于,制造工艺简单,成本较低。
作为本发明的另一种实施方式,任意一个辅助电极两侧的两个所述阳极区域的形状可以均不相同,因此,该两个阳极区域上方对应的发光层材料的形状(即,发光区的形状)也不相同。图7中所示的是形成这种显示基板的掩膜板的示意图。图中的掩膜板包括开口部81和遮挡部82。开口部81对应于发光件区,遮挡部82对应于辅助电极区。如图中所示,任意相邻的两个开口部81的形状均不相同,因此,利用这种掩膜板形成的显示基板中,任意一个辅助电极两侧的发光件区也不相同。使用这种掩膜板的优点在于,可以防止显示面板在显示时形成云纹(Mura)缺陷。
生产者可以根据具体的产品要求使用图6中所示掩膜板或图7中所示的掩膜板。
在本发明中,对显示基板的具体类型并不做具体的限定,例如,所述显示基板可以为WOLED显示基板,在这种情况中,所述显示基板还包括将所述显示基板划分为多个像素单元的间隔件,所述间隔件的一部分贯穿所述阳极层,另一部分位于所述阳极层上方。即,间隔件可以用作像素定义件。
需要说明的是,所述显示基板也可以为RGB分立模式,在这种情况下,因为在制作时每一种子像素都是单独制作的,所以不需要单独制作用于遮挡辅助电极的掩膜板。
作为本发明的一种优选实施方式,每个所述辅助电极对应有一个所述间隔件,多个所述辅助电极连接层网状,每个所述辅助电极的两侧分别形成有一个绝缘间隔,与所述辅助电极相对应的所述间隔件包括分别设置在相对应的所述辅助电极两侧的所述绝缘间隔中的插入部和连接两个所述插入部的连接部,至少一个所述连接部上形成由用于暴露所述辅助电极的过孔,所述阴极层通过所述过孔与所述辅助电极并联。也就是说,在所述显示基板包括至少一个连接所述辅助电极和所述阴极层的过孔。由于多个辅助电极连接层网状,因此,只要通过一个过孔即可将所述显示基板的阴极层与所述辅助电极并联。
在这种实施方式中,为了避免显示时出现云纹缺陷,优选地,形成有所述过孔的所述间隔件围成多个区域,所述区域内沉积有用于形成发光层的材料,且相邻两个所述区域的形状不同(即,形成的发光区的形状不同)。
优选地,如图5所示,所述发光件阵列和所述薄膜晶体管阵列之间可以设置有平坦化层30,阳极21通过贯穿平坦化层30的过孔15与所述驱动薄膜晶体管10的漏极相连。容易理解的是,所述显示基板还可以包括封装层70。
作为本发明的另一方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括显示基板,其中,所述显示基板为本发明所提供的上述显示基板。
由于所述显示基板中设置有与阴极层60并联接触的辅助电极22,且阴极层60与辅助电极22形成的组合件的电阻小于阴极层60自身的电阻,因此,在向所述显示基板提供信号时,阴极层60与辅助电极22形成的组合件的压降较小,从而使得所显示面板能够获得较高的画面质量。
所述显示面板可以用于电视、手机、平板电脑等电子设备中。
作为本发明的另一个方面,提供一种显示基板的制造方法,其中,所述制造方法包括以下步骤:
形成发光件阵列,该形成发光件阵列的步骤包括:
形成阳极层,所述阳极层包括多个阳极21,阳极21与驱动薄膜晶体管10的漏极一一对应的连接;
形成至少一个辅助电极22,辅助电极22与阳极21绝缘间隔;
形成发光层(参见图3),所述发光层包括与多个阳极21一一对应的多个发光区50;
形成阴极层60(参见图4),阴极层60与辅助电极22并联接触,使得辅助电极22与阴极层60并联后的整体电阻小于阴极层60自身的电阻。
如上文中所述,由于所述显示基板中设置有与阴极层60并联接触的辅助电极22,且阴极层60与辅助电极22形成的组合件的电阻小于阴极层60自身的电阻,因此,在向所述显示基板提供信号时,阴极层60与辅助电极22形成的组合件的压降较小,从而使得所显示面板能够获得较高的画面质量。
本领域技术人员应当理解的是,所述制造方法还包括在形成发光件阵列之前形成薄膜晶体管阵列,所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管。在本发明中,对形成薄膜晶体管阵列的具体方法并不做具体限定,只要可以形成用于驱动所述发光件阵列的薄膜晶体管即可。
在本发明中,对形成阴极层60的具体工艺也不做具体限定。例如,可以通过蒸镀或者溅射的方式形成阴极层60。
为了简化制造方法的步骤,优选地,形成至少一个辅助电极22的步骤与形成阳极层的步骤同步进行。
具体地,形成阳极层和至少一个辅助电极的步骤可以包括:
形成阳极材料层;
在阳极材料层上形成多个阳极区域和多个辅助电极区域,所述辅助电极区域和与该辅助电极区域相邻的所述阳极区域之间形成有绝缘间隔,且每个所述阳极区域内包括至少一个所述阳极,多个所述辅助电极连接成网状。
为了确保阳极21和辅助电极22可靠地绝缘间隔,优选地,形成阳极层的步骤和形成发光层的步骤之间包括:
形成各个间隔件40(见图2),间隔件40的一部分设置在阳极21和辅助电极22之间所述绝缘间隔中,间隔件40的另一部分凸出于所述阳极层。
相应地,在形成阴极层的步骤中,形成阴极层的材料沉积在一对之间形成有所述辅助电极的所述间隔件之间的空隙中,以使得所述阴极层与所述辅助电极并联连接。
间隔件40可以由任意一种绝缘材料制成。例如,间隔件40可以由硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)形成。
容易理解的是,间隔件40也是通过构图工艺形成的。具体地,形成间隔件的步骤可以包括:
在阳极层上方形成一层绝缘材料膜;
在所述绝缘材料膜上形成一层光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光显影,以形成对应于所述间隔件的图形;
以曝光显影后的光刻胶作为掩膜对所述绝缘材料膜进行光刻,以形成所述间隔件。
当然,也可以通过其他方法形成间隔件40,这里不再赘述。
优选地,形成发光层的步骤可以包括:
将掩膜板(如图6和图7所示)设置形成有所述阳极层的衬底基板上方,其中,所述掩膜板包括对应于多个所述发光区的多个开口部81和对应于至少一个所述辅助电极的遮挡部82;
蒸镀形成所述发光层的材料,以在对应于所述开口部的位置形成发光区50。
容易理解的是,此处所述的“形成有阳极层衬底基板”并非指所述衬底基板上仅形成有阳极层,而是指,所述衬底基板上除了形成有所述阳极层之外,还形成有其他的结构(例如,平坦化层30、薄膜晶体管阵列等)。
形成所述阳极层的材料可以为两层ITO之间夹反射率较好的材料,例如,可以为铝、银、金、钛、钼中的任意一种,或者上述任意一种的合金。
如上文中所述,辅助电极22可以设置在阳极21的周围。
作为本发明的一种实施方式,阳极21可以排列为多行多列。可以利用图6中所示的掩膜板形成排列为多行多列的阳极。这种掩膜板的结构简单,总体成本较低。
作为本发明的另一种实施方式,任意一个辅助电极两侧的两个所述阳极区域的形状均不相同,因此,相应的两个发光区50的形状也互不相同。可以利用图7中所示的掩膜板形成上述发光区。这种掩膜板形成的显示基板在于用于显示面板的显示时,具有较少的云纹(Mura)缺陷。
如上文中所述,所述薄膜晶体管阵列和所述发光件阵列之间还可以包括平坦化层30,因此,优选地,所述制造方法还包括在所述形成薄膜晶体管阵列的步骤和所述形成发光件阵列的步骤之间进行的:
形成平坦化材料层;
形成贯穿所述平坦化材料层的过孔,所述过孔位于驱动薄膜晶体管10的漏极上方;其中,所述形成阳极层步骤中,形成所述阳极层的材料填充在所述过孔中,使得所述阳极通过所述过孔与所述驱动薄膜晶体管10的漏极相连。
在形成了阴极层60之后,所述制造方法还可以包括:
形成封装层70。
如上文中所述,当所述显示基板为WOLED显示基板时,所述显示基板还可以包括用作像素定义件的间隔件时,形成阳极层和至少一个辅助电极的步骤包括:
形成阳极材料层;
在阳极材料层上形成多个贯穿所述阳极材料层的绝缘间隔,以将所述阳极材料层划分为多个像素单元;
所述制造方法还包括:
形成包括间隔件的图形,所述间隔件的一部分位于所述绝缘间隔中,另一部分位于所述阳极层上方。
进一步地,多个所述绝缘间隔中的至少一个包括第一间隔和第二间隔,所述第一间隔和所述第二间隔之间形成有所述辅助电极,所述辅助电极对应的所述间隔件包括分别设置在相对应的所述辅助电极两侧的所述绝缘间隔中的插入部和连接两个所述插入部的连接部;
所述制造方法还包括在形成发光层的步骤和形成阴极层的步骤之间进行的所述连接部上形成由用于暴露所述辅助电极的过孔的步骤;
在形成阴极层的步骤中,形成阴极层的材料沉积在所述过孔中,以将所述阴极层与所述辅助电极并联。
同样,可以利用掩模蒸镀法形成所述发光层,具体地,形成发光层的步骤包括:
将掩膜板设置在形成有所述阳极层的衬底基板上方,其中,所述掩膜板包括多个开口部和将所述多个开口部间隔开的多个遮挡部,所述遮挡部对应于所述辅助电极;
蒸镀形成所述发光层的材料,以在所述开口部对应的位置的上方沉积形成所述发光层的材料。
为了防止在显示时产生云纹缺陷,优选地,形成有所述过孔的所述间隔件围成多个区域,所述区域内沉积有用于形成发光层的材料,且相邻两个所述区域的形状不同。
作为本发明的再一个方面,提供一种掩膜板,所述掩膜板本发明所提供的上述制造方法,其中,如图6和图7所示,所述掩膜板包括多个开口部81和对应于至少一个所述辅助电极的遮挡部82,如图中所示,遮挡部82用于将相邻的开口部81间隔开。
应当理解的是,可以只在利用蒸镀法形成发光层的步骤中使用所述掩膜板。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (21)

1.一种显示基板,所述显示基板包括阳极层、阴极层和设置在所述阳极层和所述阴极层之间的发光层,所述阳极层包括多个阳极,其特征在于,所述显示基板还包括至少一个辅助电极,所述辅助电极与所述阳极绝缘间隔,且所述辅助电极与所述阴极层并联接触,使得所述辅助电极与所述阴极层并联后的整体电阻小于所述阴极层自身的电阻。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述辅助电极与所述阳极层同层设置。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括间隔件,每个所述辅助电极的两侧分别形成有一个绝缘间隔,所述间隔件的一部分设置在相应的所述绝缘间隔中,另一部分凸出于所述阳极层,以将所述辅助电极与所述阳极绝缘间隔。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述间隔件为多对,所述间隔件将所述显示基板划分为多个阳极区域和多个辅助电极区域,每个所述阳极区域内均设置有至少一个所述阳极和形成所述发光层的材料,每个所述辅助电极区域内均设置有所述辅助电极,所述辅助电极区域设置在所述阳极区域的周围,所述辅助电极区域的宽度小于所述阳极区域的宽度,所述阴极层的一部分位于所述辅助电极区域的一对所述间隔件之间的空隙中,以将所述阴极层与所述辅助电极电连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述间隔件包括沿所述显示基板的横向延伸的行间隔件和沿所述显示基板的纵向延伸的列间隔件。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,任意一个所述辅助电极两侧的两个所述阳极区域内形成所述发光层的材料的形状均不相同。
7.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括将所述显示基板划分为多个像素单元的间隔件,所述间隔件的一部分贯穿所述阳极层,另一部分位于所述阳极层上方。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,每个所述辅助电极对应有一个所述间隔件,多个所述辅助电极连接成网状,每个所述辅助电极的两侧分别形成有一个绝缘间隔,与所述辅助电极相对应的所述间隔件包括分别设置在相对应的所述辅助电极两侧的所述绝缘间隔中的插入部和连接两个所述插入部的连接部,至少一个所述间隔件的所述连接部上形成由用于暴露所述辅助电极的过孔,所述阴极层通过所述过孔与所述辅助电极并联。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,形成有所述过孔的所述间隔件围成多个区域,所述区域内沉积有用于形成发光层的材料,且相邻两个所述区域的形状不同。
10.一种显示面板,所述显示面板包括显示基板,其特征在于,所述显示基板为权利要求1至9中任意一项所述的显示基板。
11.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:
形成发光件阵列,该形成发光件阵列的步骤包括:
形成阳极层,所述阳极层包括多个阳极,所述阳极与驱动薄膜晶体管的漏极一一对应的连接;
形成至少一个辅助电极,所述辅助电极与所述阳极绝缘间隔;
形成发光层;
形成阴极层,所述阴极层与所述辅助电极并联接触,使得所述辅助电极与所述阴极层并联后的整体电阻小于所述阴极层自身的电阻。
12.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,所述形成阳极层的步骤与所述形成至少一个辅助电极的步骤同步进行。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,形成阳极层和至少一个辅助电极的步骤包括:
形成阳极材料层;
在阳极材料层上形成多个阳极区域和多个辅助电极区域,所述辅助电极区域和与该辅助电极区域相邻的所述阳极区域之间形成有绝缘间隔,且每个所述阳极区域内包括至少一个所述阳极,多个所述辅助电极连接成网状;
形成阳极层的步骤和形成发光层的步骤之间包括:
在各个所述绝缘间隔中形成间隔件,所述间隔件的一部分设置在所绝缘间隔中,所述间隔件的另一部分凸出于所述阳极层;
在形成阴极层的步骤中,形成阴极层的材料沉积在一对之间形成有所述辅助电极的所述间隔件之间的空隙中,以使得所述阴极层与所述辅助电极并联连接。
14.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于,形成发光层的步骤包括:
将掩膜板设置在形成有所述阳极层的衬底基板上方,其中,所述掩膜板包括对应于多个所述阳极的多个开口部和对应于至少一个所述辅助电极的遮挡部;
蒸镀形成所述发光层的材料,以在所述阳极区域的上方沉积形成所述发光层的材料。
15.根据权利要求14所述的制造方法,其特征在于,所述阳极区域排列为多行多列。
16.根据权利要求14所述的制造方法,其特征在于,任意一个所述辅助电极两侧的两个所述阳极区域的形状均不相同,以使得沉积在相邻两个所述阳极区域中的发光层的材料的形状不同。
17.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,形成阳极层和至少一个辅助电极的步骤包括:
形成阳极材料层;
在阳极材料层上形成多个贯穿所述阳极材料层的绝缘间隔,以将所述阳极材料层划分为多个像素单元;
所述制造方法还包括:
形成包括间隔件的图形,所述间隔件的一部分位于所述绝缘间隔中,另一部分位于所述阳极层上方。
18.根据权利要求17所述的制造方法,其特征在于,多个所述间隔中的至少一个包括第一间隔和第二间隔,所述第一间隔和所述第二间隔之间形成有所述辅助电极,所述辅助电极对应的所述间隔件包括分别设置在相对应的所述辅助电极两侧的所述绝缘间隔中的插入部和连接两个所述插入部的连接部;
所述制造方法还包括在形成发光层的步骤和形成阴极层的步骤之间进行的所述连接部上形成由用于暴露所述辅助电极的过孔的步骤;
在形成阴极层的步骤中,形成阴极层的材料沉积在所述过孔中,以将所述阴极层与所述辅助电极并联。
19.根据权利要求18所述的制造方法,其特征在于,形成发光层的步骤包括:
将掩膜板设置在形成有所述阳极层的衬底基板上方,其中,所述掩膜板包括多个开口部和将所述多个开口部间隔开的多个遮挡部,所述遮挡部对应于所述辅助电极;
蒸镀形成所述发光层的材料,以在所述开口部对应的位置的上方沉积形成所述发光层的材料。
20.根据权利要求18或19所述的制造方法,其特征在于,形成有所述过孔的所述间隔件围成多个区域,所述区域内沉积有用于形成发光层的材料,且相邻两个所述区域的形状不同。
21.一种掩膜板,所述掩膜板用于权利要求14至20中任意一项所述的制造方法,其特征在于,所述掩膜板包括多个开口部和对应于至少一个所述辅助电极的遮挡部,所述遮挡部将相邻的所述开口部间隔开。
CN201410841697.5A 2014-12-30 2014-12-30 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板 Pending CN104659063A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410841697.5A CN104659063A (zh) 2014-12-30 2014-12-30 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
EP15856178.7A EP3242325B1 (en) 2014-12-30 2015-11-18 Display substrate, manufacturing method thereof and display panel
US15/038,093 US9831461B2 (en) 2014-12-30 2015-11-18 Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and mask
PCT/CN2015/094860 WO2016107323A1 (zh) 2014-12-30 2015-11-18 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410841697.5A CN104659063A (zh) 2014-12-30 2014-12-30 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104659063A true CN104659063A (zh) 2015-05-27

Family

ID=53249986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410841697.5A Pending CN104659063A (zh) 2014-12-30 2014-12-30 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9831461B2 (zh)
EP (1) EP3242325B1 (zh)
CN (1) CN104659063A (zh)
WO (1) WO2016107323A1 (zh)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016107323A1 (zh) * 2014-12-30 2016-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
CN106848086A (zh) * 2017-04-20 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制备方法、显示装置
WO2017127563A1 (en) * 2016-01-21 2017-07-27 Groturbel Research Llc Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
CN107435131A (zh) * 2017-09-29 2017-12-05 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法
CN107452900A (zh) * 2017-05-22 2017-12-08 茆胜 用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法
CN107604306A (zh) * 2017-09-12 2018-01-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于oled器件蒸镀的掩膜板及其制造的oled器件
CN107611280A (zh) * 2017-09-20 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管基板及其制造方法
CN108110037A (zh) * 2017-12-29 2018-06-01 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏
CN108417738A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件的制作方法
CN108417726A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制作方法
CN109244269A (zh) * 2018-09-19 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109244271A (zh) * 2018-10-17 2019-01-18 信利半导体有限公司 Oled器件及其制作方法、显示装置
CN109390351A (zh) * 2017-08-02 2019-02-26 京东方科技集团股份有限公司 布线结构及其制备方法、oled阵列基板、显示装置
CN109817671A (zh) * 2019-01-28 2019-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN109830610A (zh) * 2019-01-25 2019-05-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN109933234A (zh) * 2019-01-29 2019-06-25 昆山国显光电有限公司 触控显示面板及显示设备
CN110120407A (zh) * 2019-04-23 2019-08-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN110164909A (zh) * 2018-04-24 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US10411188B2 (en) 2017-09-12 2019-09-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Mask plate for vapor deposition of organic light-emitting diode (OLED) devices and OLED device thereof
CN110634933A (zh) * 2019-09-29 2019-12-31 合肥京东方卓印科技有限公司 一种oled显示面板、显示装置及制备方法
CN110828532A (zh) * 2019-12-11 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
WO2020164174A1 (zh) * 2019-02-12 2020-08-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled 显示面板和柔性显示装置
WO2020233485A1 (zh) * 2019-05-21 2020-11-26 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、掩膜板、显示装置
CN112993182A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113488514A (zh) * 2021-06-23 2021-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2024027061A1 (zh) * 2022-08-03 2024-02-08 惠科股份有限公司 显示面板及其补偿方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104393188A (zh) * 2014-11-28 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN107369700B (zh) * 2017-07-13 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置
US20210233979A1 (en) * 2019-04-15 2021-07-29 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, display apparatus, method of fabricating display substrate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060017375A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light emitting element
US20070029929A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN103066212A (zh) * 2011-09-02 2013-04-24 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
WO2013179361A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 パナソニック株式会社 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置
CN204257650U (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和掩膜板

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005327674A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
US7985609B2 (en) * 2006-11-17 2011-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and production method thereof
US7679284B2 (en) * 2007-02-08 2010-03-16 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
US7839083B2 (en) * 2007-02-08 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
JP5707928B2 (ja) 2010-12-21 2015-04-30 セイコーエプソン株式会社 照明装置、その製造方法、及び電子機器
KR102020805B1 (ko) * 2012-12-28 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102131248B1 (ko) * 2013-07-04 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102069193B1 (ko) * 2013-07-22 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
CN103545345B (zh) * 2013-11-11 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR101661015B1 (ko) * 2013-11-28 2016-09-28 엘지디스플레이 주식회사 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
CN104022139B (zh) 2014-05-30 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
KR102297075B1 (ko) * 2014-11-14 2021-09-02 엘지디스플레이 주식회사 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
CN204179115U (zh) 2014-11-28 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板和显示装置
CN104393188A (zh) 2014-11-28 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN104659063A (zh) * 2014-12-30 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060017375A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light emitting element
US20070029929A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN103066212A (zh) * 2011-09-02 2013-04-24 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
WO2013179361A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 パナソニック株式会社 有機el素子、有機elパネル、有機el発光装置、および有機el表示装置
CN204257650U (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和掩膜板

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9831461B2 (en) 2014-12-30 2017-11-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and mask
WO2016107323A1 (zh) * 2014-12-30 2016-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
CN109903709A (zh) * 2016-01-21 2019-06-18 苹果公司 有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构
WO2017127563A1 (en) * 2016-01-21 2017-07-27 Groturbel Research Llc Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
US10629664B2 (en) 2016-01-21 2020-04-21 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
US11665933B2 (en) 2016-01-21 2023-05-30 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
US10312309B2 (en) 2016-01-21 2019-06-04 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
US11101337B2 (en) 2016-01-21 2021-08-24 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
CN108292488A (zh) * 2016-01-21 2018-07-17 苹果公司 有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构
US11257883B2 (en) 2016-01-21 2022-02-22 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
US11342395B2 (en) 2016-01-21 2022-05-24 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
CN106848086A (zh) * 2017-04-20 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制备方法、显示装置
CN106848086B (zh) * 2017-04-20 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制备方法、显示装置
CN107452900B (zh) * 2017-05-22 2020-05-05 茆胜 用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法
CN107452900A (zh) * 2017-05-22 2017-12-08 茆胜 用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法
CN109390351A (zh) * 2017-08-02 2019-02-26 京东方科技集团股份有限公司 布线结构及其制备方法、oled阵列基板、显示装置
CN107604306A (zh) * 2017-09-12 2018-01-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于oled器件蒸镀的掩膜板及其制造的oled器件
WO2019051977A1 (zh) * 2017-09-12 2019-03-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种用于oled器件蒸镀的掩膜板及其制造的oled器件
US10411188B2 (en) 2017-09-12 2019-09-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Mask plate for vapor deposition of organic light-emitting diode (OLED) devices and OLED device thereof
CN107611280A (zh) * 2017-09-20 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管基板及其制造方法
US10615231B2 (en) 2017-09-20 2020-04-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode substrate, method for manufacturing the same, and display panel
CN107435131B (zh) * 2017-09-29 2019-08-02 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法
CN107435131A (zh) * 2017-09-29 2017-12-05 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法
CN108110037A (zh) * 2017-12-29 2018-06-01 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏
CN108417738A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件的制作方法
CN108417726A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制作方法
WO2019179058A1 (zh) * 2018-03-20 2019-09-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制作方法
WO2019179216A1 (zh) * 2018-03-20 2019-09-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件的制作方法
CN110164909A (zh) * 2018-04-24 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110164909B (zh) * 2018-04-24 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109244269A (zh) * 2018-09-19 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109244269B (zh) * 2018-09-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109244271A (zh) * 2018-10-17 2019-01-18 信利半导体有限公司 Oled器件及其制作方法、显示装置
CN109830610B (zh) * 2019-01-25 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN109830610A (zh) * 2019-01-25 2019-05-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN109817671A (zh) * 2019-01-28 2019-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN109933234A (zh) * 2019-01-29 2019-06-25 昆山国显光电有限公司 触控显示面板及显示设备
WO2020164174A1 (zh) * 2019-02-12 2020-08-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled 显示面板和柔性显示装置
CN110120407A (zh) * 2019-04-23 2019-08-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
WO2020233485A1 (zh) * 2019-05-21 2020-11-26 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、掩膜板、显示装置
US11723261B2 (en) 2019-05-21 2023-08-08 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd Light-emitting component, manufacturing method therefor, mask, and display device
CN110634933A (zh) * 2019-09-29 2019-12-31 合肥京东方卓印科技有限公司 一种oled显示面板、显示装置及制备方法
CN110634933B (zh) * 2019-09-29 2023-10-20 合肥京东方卓印科技有限公司 一种oled显示面板、显示装置及制备方法
CN110828532A (zh) * 2019-12-11 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN112993182A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113488514A (zh) * 2021-06-23 2021-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN113488514B (zh) * 2021-06-23 2022-10-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2024027061A1 (zh) * 2022-08-03 2024-02-08 惠科股份有限公司 显示面板及其补偿方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160365532A1 (en) 2016-12-15
EP3242325A4 (en) 2018-09-26
EP3242325B1 (en) 2019-10-23
EP3242325A1 (en) 2017-11-08
WO2016107323A1 (zh) 2016-07-07
US9831461B2 (en) 2017-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104659063A (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
CN204257650U (zh) 显示基板、显示面板和掩膜板
CN112071882B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US10333096B2 (en) OLED display unit and method for manufacturing the same
US11195897B2 (en) OLED array substrate and OLED display device
CN110047898B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
KR101084183B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
EP3139410B1 (en) Amoled array substrate, manufacturing method thereof, and display device
CN104733495B (zh) 有机发光二极管显示设备及其制造方法
CN105355646A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103489894A (zh) 有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法
US11164918B2 (en) Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof
CN104795434A (zh) Oled像素单元、透明显示装置及制作方法、显示设备
JPWO2014136149A1 (ja) El表示装置
US20160155792A1 (en) Oled display device
US10868103B2 (en) Wiring structure and manufacture method thereof, OLED array substrate and display device
CN108198838B (zh) 显示面板及其制作方法
JP2022539621A (ja) ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置
US20200058725A1 (en) Organic light emitting diode display device
US9443884B2 (en) Method for manufacturing ESD device, ESD device and display panel
JP2021516353A (ja) アレイ基板、表示パネル及び表示装置
US11895890B2 (en) Display substrate and display apparatus
JP6223070B2 (ja) 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
KR101311670B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US9704925B2 (en) EL display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150527