CN107435131A - 掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法，涉及蒸镀技术领域，用于改善掩膜版与待蒸镀基板之间的贴合不良，提高蒸镀效果。所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版，所述掩膜版包括：至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域；所述蒸镀区域设置有沉积通孔；所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域，所述过渡区域设置有过渡孔，所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积，且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡孔的体积逐渐减小。上述掩膜装置适用于蒸镀设备中。
Description
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法。
背景技术
人的感觉器官中接受信息最多的是视觉器官(眼睛)，在生产和生活中，人们需要越来越多地利用丰富的视觉信息，因而显示技术在当今人类社会中扮演着非常重要的角色。显示技术自出现至今，技术发展也非常迅猛，随着社会的发展和人类对物质生活需求的不断提高，当今显示技术正在朝着高对比度、高分辨力、全彩色显示、低功耗、可靠性高、长寿命以及薄而轻的方向快速迈进。
其中，有机发光二极管(OLED)显示由于具有自发光、响应速度快、视角宽、高清晰、高亮度、抗弯曲能力强、低功耗等优点，逐渐成为LCD显示面板强有力的竞争对手，被誉为下一代梦幻显示技术。
真空蒸镀技术作为目前OLED面板制备的一种主要工艺制程，如何改善掩膜版与待蒸镀基板之间的贴合不良，提高蒸镀效果，是业内当前面临的主要技术难题。
发明内容
本发明实施例提供一种掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法，用于改善掩膜版与待蒸镀基板之间的贴合不良，提高蒸镀效果。
第一方面，本发明提供一种掩膜装置，所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版，所述掩膜版包括：
至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域；
所述蒸镀区域设置有沉积通孔；
所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域，所述过渡区域设置有过渡孔，所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积，且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡孔的体积逐渐减小。
第二方面，本发明提供一种蒸镀设备，包括上述本发明第一方面所述的掩膜装置。
第三方面，本发明提供一种蒸镀方法，所述蒸镀方法包括：
提供掩膜母版；
所述掩膜母版具有至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域，
在所述蒸镀区域内形成沉积通孔，
在所述过渡区域内形成过渡孔，以形成掩膜版；其中，所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡孔的体积逐渐减小。
如上所述的方面和任一可能的实现方式的有益效果如下：
本实施例中，过渡孔的体积小于沉积通孔的体积，可以理解的是，在蒸镀区域与过渡区域的交界处，过渡区域中与该交界处相邻的过渡孔的体积，小于蒸镀区域中与该交界处相邻的沉积通孔的体积，并且，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，过渡孔的体积逐渐减小，也就是说，尽可能的减小沉积通孔到过渡孔的体积变化，减小由磁作用力产生的排斥力，避免在交界处突变的产生，进而改善待蒸镀基板与掩膜版之间的贴合问题，提高蒸镀效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的蒸镀原理示意图；
图2为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之一；
图3为本发明实施例所提供的图2中AA’的剖面图；
图4为本发明实施例所提供的掩膜装置制备方法流程图之一；
图5为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之二；
图6为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之三；
图7为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之四；
图8为本发明实施例所提供的图7中BB’的剖面图之一；
图9为本发明实施例所提供的图7中BB’的剖面图之二；
图10为本发明实施例所提供的掩膜装置制备方法流程图之二；
图11为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之五；
图12为本发明实施例所提供的图11中CC’的剖面图；
图13为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之六；
图14为本发明实施例所提供的图13中DD’的剖面图；
图15本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之七；
图16为本发明实施例所提供的图15中EE’的剖面图；
图17为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图至八；
图18为本发明实施例所提供的蒸镀设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二等来描述过渡孔，但这些过渡孔不应限于这些术语。这些术语仅用来将过渡孔彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一过渡孔也可以被称为第二过渡孔，类似地，第二过渡孔也可以被称为第一过渡孔，同理第一子过渡孔亦可称为第二子过渡孔。
需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个结构被形成在另一个结构“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个结构“上”或者“下”，也可以通过中间结构间接形成在另一结构“上”或者“下”。
在详细的阐述本发明的技术方案之前，对蒸镀的原理以及过程进行简单介绍：
如图1所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀原理示意图，对待蒸镀基板4进行蒸镀，主要采用蒸镀方法(物理气相沉积的方法)，该方法是将蒸发源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过掩膜版1遮盖住不需要蒸镀的区域，将气化成气态原子或者分子沉积到待蒸镀基板表面需要蒸镀的区域，在待蒸镀基板4表面的特定区域形成薄膜。
在对待蒸镀基板4进行蒸镀时，通常是在真空腔室(图中未示出)内进行的，对该蒸发源进行加热，通过设置在掩膜版1上的沉积通孔，使气化出的原子、分子或者离子凝聚在温度较低的待蒸镀基板4上。
在实际应用过程中，蒸镀工艺对掩膜版的平坦度的要求非常高，但是，掩膜版会出现其受到重力的作用而发生形变的情况，从而影响掩膜版的平坦度，进而影响蒸镀效果。
为了消除重力对掩膜板的平坦度的影响，通常使用张网技术，即对掩膜版施加一定的拉力，使得掩膜版处于紧绷的状态，在此状态下将掩膜版的两端固定在掩膜框架上，同时配合在掩膜版的上方设置磁板利用磁板的磁作用力来平衡掩膜版的重力，从而降低掩膜版重力对掩膜平坦度造成的影响。
然而，张网过程会造成掩膜的褶皱问题，于是产生掩膜和基板贴合不良，从而造成蒸镀不良的问题，现有技术在掩膜版封装区域以外的非蒸镀区域上设置辅助孔，该辅助孔不用来蒸镀，该辅助孔的目的是为了解决张网技术中产生的褶皱问题。该辅助孔通常为全刻蚀或者半刻蚀，在与该辅助孔区域之外区域的交界处存在很大的突变。
上述技术手段虽然消除了重力对掩膜版平坦度的影响，但是由于在其蒸镀区域与非蒸镀区域交界处，蒸镀区域内的沉积通孔与无辅助孔(或仅有半刻蚀的)的封装区域(非蒸镀区域的一部分)之间有很大的突变，在复杂的磁作用力之下，蒸镀区域和非蒸镀区域交界处附近受到排斥的磁作用力，进而造成该处待蒸镀基板与掩膜版之间的贴合不良，影响蒸镀效果。尤其对于现在流行的异形显示设置而言，在对异形显示基板(待蒸镀基板)进行蒸镀时，不容易将异形显示基板设置在安全位置(不发生突变的位置)，从而一定会导致贴合不良的问题，影响蒸镀效果。
为了解决突变造成的贴合不良的问题，改善蒸镀效果，发明人设计了如下技术方案：
本实施例提供一种掩膜装置，如图2以及图3所示，图2本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之一，图3为本发明实施例所提供的图2中AA’的剖面图，掩膜装置100包括铁磁性材料的掩膜版1，掩膜版1包括：
至少一个蒸镀区域2以及至少一个非蒸镀区域3；
蒸镀区域2设置有沉积通孔20；
非蒸镀区域3包括与蒸镀区域2相邻的过渡区域30，过渡区域30设置有过渡孔300，过渡孔300的体积小于沉积通孔20的体积，且从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向X上，过渡孔300的体积逐渐减小。
本实施例中，过渡孔的体积小于沉积通孔的体积，可以理解的是，在蒸镀区域与非蒸镀区域(过渡区域)的交界处，非蒸镀区域(过渡区域)中与该交界处相邻的过渡孔的体积，小于蒸镀区域中与该交界处相邻的沉积通孔的体积，并且，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，过渡孔的体积逐渐减小，也就是说，尽可能的减小沉积通孔到过渡孔的体积变化速度，减小由磁作用力产生的排斥力，避免在交界处突变的产生，进而改善待蒸镀基板与掩膜版之间的贴合问题，提高蒸镀效果。进一步的，本实施例由于避免了交界处突变的发生，无论待蒸镀基板是异形显示基板还是矩形的显示基板，均不会造成贴合问题，从而改善了蒸镀效果。
进一步，本实施例优选的，在蒸镀区域与非蒸镀区域的交界处，非蒸镀区域(过渡区域)中与该交界处相邻的过渡孔的体积，可略小于蒸镀区域中与该交界处相邻的沉积通孔的体积，并且，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，过渡孔的体积逐渐减小，可尽量减小每一个过渡孔的体积与上一个过渡孔的体积的差值，从而最大程度的减小在交界处产生的突变。
更进一步的，本实施例更为优选的，蒸镀区域内沉积通孔的结构与非蒸镀区域内(过渡区域)过渡孔的结构相同，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，只是将过渡孔的体积逐渐减小，这样可尽可能的减小由磁作用力产生的排斥力，避免突变的产生，进而改善贴合问题，提供蒸镀效果。
需要说明的是，本实施例中，非蒸镀区域(过渡区域)设置的过渡孔，该过渡孔位置所对应的待蒸镀基板位置不用作像素显示，在封装区域(不可蒸镀上材料的区域)和蒸镀区域之间的那一部分非蒸镀区域可以设置有贯穿型沉积孔，并在上述区域位置所对应的待蒸镀基板位置处蒸镀出一些列图案，该图案不用作像素显示；且从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上蒸镀出的图案逐渐缩小，在蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上从封装区域开始或在封装区域之前开始，待蒸镀基板上不蒸镀上图案。另外，在非蒸镀区域(过渡区域)设置过渡孔的目的是为了减少蒸镀区域到非蒸镀区域由刻蚀造成的突变，降低磁作用力对掩膜版在突变区域造成的排斥力，减少由排斥力造成的蒸镀掩膜和待蒸镀基板之间的贴合不良，减少由贴合不良所引发的蒸镀不良问题。并且，作为示例，以图2所示的方位为基准，蒸镀区域2的左边是非蒸镀区域，蒸镀区域的右边也可为非蒸镀区域。另外，本实施并不对沉积通孔的结构做出特别的限定，只要在掩膜版的相应位置上，设置有沉积通孔即可。
另外，本实施例的掩膜版适用于任何需要蒸镀的待蒸镀基板，示例性的，当待蒸镀基板为OLED显示基板时，掩膜版的蒸镀区域设置的沉积通孔对应发光的显示区域。
结合上述掩膜装置的结构，本实施例提供一种掩膜装置制备方法，如图4所示，其为本发明实施例所提供的掩膜装置制备方法流程图之一，
S101、提供掩膜母版，该掩膜母版可理解为掩膜版的原模，该原模可为掩膜版本身，亦可为制备掩膜版所用到的模具。
S102、掩膜母版具有至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域，可利用电铸或者湿法刻蚀等在掩膜母版上形成蒸镀区域以及非蒸镀区域。
S103、在蒸镀区域内形成沉积通孔，
S104、在过渡区域内形成过渡孔，以形成掩膜版；其中，过渡孔的体积小于沉积通孔的体积，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，过渡孔的体积逐渐减小。
下面对掩膜装置的其他结构进行介绍：
如图5以及图6所示，如图5所示，其为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之二，图6发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之三，该掩膜装置100还包括：
掩膜框架5，掩膜版1固定在掩膜框架5上，该掩膜框架5用于支撑掩膜版1。
待蒸镀基板4，待蒸镀基板4设置在掩膜版1的第一侧，且与掩膜版1相接触。本实例中，以图6所示方位为基准，将掩膜版1与待蒸镀基板4相接触的一侧称之为掩膜版1的第一侧，将掩膜版1与掩膜框架5相接触的一侧称之为掩膜版1的第二侧，第一侧与第二侧相对设置。
磁板6，磁板6设置在待蒸镀基板4远离掩膜版1的一侧，利于磁板6的磁作用力平衡掩膜版1的重力。
需补充的是，如图7所示，其为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之四，掩膜版1还可包括夹持部11，在张网过程中，通过夹持部11对掩膜版进行拉伸(绷拉)，之后将绷紧的掩膜版1焊接在掩膜框架5上，最后将多余的部分(多余的掩膜版以及夹持部)切除。本实施例所涉及到的掩膜版可为整体结构，亦可如图5所示，为分立结构，当掩膜版为分立结构式，本实例并不对掩膜版的数量做出特别限定。并且，以图7作为示例，掩膜版上可设置有多个蒸镀区域以及多个非蒸镀区域，并且，在非蒸镀区域中，过渡区域可设置有过渡孔，除去过渡区域之外的区域，可不设置有过渡孔，对应不设置过渡孔的非蒸镀区域可理解为非刻蚀区域。本实施例并不对掩膜版上蒸镀区域以及非蒸镀区域的数量做出特别限定。
下面以图6为例，简单介绍本实施例中的蒸镀过程：
首先，在蒸镀前，将掩膜版1固定在掩膜框架5上，示例性的，可通过焊接将掩膜版1固定在掩膜框架5上，接着，将待蒸镀基板4与掩膜版1紧密贴合，再将磁板6下放到合适的位置，利用磁板6的磁作用力吸附掩膜版1(掩膜版为铁磁性材料)，对蒸镀腔室抽真空到预设真空度，打开蒸发源(图中未示出)进行蒸镀。
在一种实施方式中，如图3以及图8所示，图8为本发明实施例所提供的图7中BB’的剖面图之一，蒸镀区域2的掩膜版1的厚度为a，非蒸镀区域3的掩膜版1的厚度为b，其中，由于从蒸镀区域到非蒸镀区域，掩膜的面密度是减少的，因此为了减少从蒸镀区域到非蒸镀区域掩膜面密度的突变程度以减少磁作用力的突变以提高良率，可以令a≥b，从制作工艺难易度的角度出发，其中优选a＝b。
可以理解是，作为示例，图3中，非蒸镀区域的掩膜版的厚度与蒸镀区域的掩膜版的厚度相等，即a＝b。或者，如图8所示，非蒸镀区域的掩膜版的厚度小于蒸镀区域的掩膜版的厚度，即b＜a。
需要说明的是，本申请设置非蒸镀区域中无刻蚀区域的掩膜版的厚度小于或者等于蒸镀区域的掩膜版的厚度，从而在从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上没有增加掩膜版厚度。这是由于虽然在从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上增加掩膜版厚度可以增大掩膜版的整体刚度，但是会增加过渡区域中掩膜版材料的质量(或等效为面密度)，使得蒸镀区域和过渡区域之间产生更大的排斥的磁作用力，或在未增厚部分和为增厚部分之间产生更大的排斥的磁作用力，从而严重增加掩膜版贴合难度，最终导致掩膜版在排斥的磁作用力的影响下无法很好地与玻璃基板贴合，并产生蒸镀不良的问题。本申请实施例中，非蒸镀区域的掩膜版的厚度，小于或者等于蒸镀区域的掩膜版的厚度，从而可将降低非蒸镀区域与蒸镀区域之间掩膜版质量的差别，进一步的减少交界处突变的发生，于是减少排斥的磁作用力，降低磁板在突变发生区域附近对掩膜版的排斥力，改善待蒸镀基板与掩膜版的贴合状态，改善最终的蒸镀效果。
另外，结合上述实施例，过渡区域的过渡孔的体积逐渐减小，可如图9所示，其为本发明实施例所提供的图7中BB’的剖面图之二，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，非蒸镀区域的厚度逐渐减小，从而使未设置过渡孔的非蒸镀区域的面密度与设置过渡孔的非蒸镀区域的面密度更加接近，进一步的，减小蒸镀区域与非蒸镀区域的面密度差，降低交界处突变，改善待蒸镀基板与掩膜版的贴合能力，提高蒸镀效果。
为了减小蒸镀区域与非蒸镀区域交界处的突变，减小交界处的磁排斥力，发明人对掩膜版(掩膜装置)进行了改进。在对掩膜装置的结构进行介绍之前，先介绍一种制备掩膜装置的制备方法，该制备方法是利于湿法刻蚀的原理(具体介绍见下文)制备出的掩膜版(掩膜装置)。
如图10所示，其为本发明实施例所提供的掩膜装置制备方法流程图之二，该掩膜装置制备方法包括：
S201、提供掩膜母版，
S202、对掩膜母版进行刻蚀，在掩膜母版上形成至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域，以形成掩膜版，
S203、在蒸镀区域内刻蚀出沉积通孔，
S204、在过渡区域内刻蚀出过渡孔，使过渡孔的体积小于沉积通孔的体积，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，刻蚀过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
在本实例中，该掩膜母版可理解为掩膜版本身，对掩膜版的相应位置利用腐蚀液对其进行腐蚀，以得到与上述实施例结构相同的掩膜版。
掩膜版的具体的结构如下：
第一种，如图11以及图12所示，图11为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之五，图12为本发明实施例所提供的图11中CC’的剖面图，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向X上，过渡区域30包括依次设置的第一过渡区域31和第二过渡区域32，
过渡孔300包括第一过渡孔310和第二过渡孔320，第一过渡孔310位于掩膜版1的第一侧，第二过渡孔320位于掩膜版1的第二侧，第一侧和第二侧相对，
第一过渡区域31内，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡孔310的体积不变，第二过渡孔320的体积逐渐减小；
第二过渡区域32内不设置有第二过渡孔320，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡孔310的体积逐渐减小。
结合上述图12所示的掩膜装置的结构，提供一种制备该掩膜装置的方法：
在第一过渡区域内，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，刻蚀第一过渡孔的刻蚀量保持不变，刻蚀第二过渡孔的刻蚀量逐渐减小，在第二过渡区域内，刻蚀第一过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
进一步的，继续参见图12，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡区域31依次包括第一子过渡区域311和第二子过渡区域312，
在第一子过渡区域311内，第一过渡孔310和第二过渡孔320相互贯通；
在第二子过渡区域312内，第一过渡孔310和第二过渡孔320不贯通，并且，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第二过渡孔320在垂直于掩膜版1所在平面的方向上的深度逐渐减小。
本实施例中，在第二子过渡区域内，第一过渡孔和第二过渡孔不贯通，也就是说，二者均是半孔结构。
需要说明的是，本申请在掩膜版的靠近蒸镀区域的非蒸镀区域上通常设置有辅助孔，且该非蒸镀孔通常为非贯穿型辅助孔，从而能够避免这些设置掩膜版非蒸镀区域上的辅助孔对封装的不利影响，这是由于，封装区域不能被蒸镀上材料，若蒸镀上材料会导致封装失败。如果利用遮挡板对需要封装的区域进行遮挡，然而由于设计问题(比如非矩形显示面板，即异形显示面板)，有时遮挡板无法完全遮挡住封装区域内的所有的辅助孔。如果在异形显示面板中设计贯穿型辅助孔会使得封装区域蒸镀上材料，导致封装失败，然而不设置辅助孔又容易产生由张网造成的褶皱，这是异形显示面板的困难之处。而本申请实施例中，大小渐变、不贯穿的辅助孔(过渡孔)对异形设计的封装是非常有帮助的。
第二种，如图13以及图14所示，图13为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之六，图14为本发明实施例所提供的图13中DD’的剖面图，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，过渡区域30包括依次设置的第一过渡区域31和第二过渡区域32，
过渡孔300包括第一过渡孔310和第二过渡孔320，第一过渡孔310位于掩膜版1的第一侧，第二过渡孔320位于掩膜版1的第二侧，第一侧和第二侧相对，本实施例中掩膜版1的第一侧为与待蒸镀基板接触的一侧，第二侧为远离待蒸镀基板的一侧。
第一过渡区域31内，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡孔310的体积逐渐减小，第二过渡孔320的体积不变；
第二过渡区域32内不设置有第一过渡孔310，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第二过渡孔320的体积逐渐减小。
结合上述图14所示的掩膜装置的结构，本实施例提供一种制备该掩膜装置的方法：
在第一过渡区域内，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，刻蚀第一过渡孔的刻蚀量逐渐减小，刻蚀第二过渡孔的刻蚀量保持不变；
在第二过渡区域内，刻蚀第二过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
进一步的，继续参见图14，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡区域31依次包括第一子过渡区域311和第二子过渡区域312，
在第一子过渡区域311内，第一过渡孔310和第二过渡孔320相互贯通；
在第二子过渡区域312内，第一过渡孔310和第二过渡孔320不贯通，并且，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡孔310在垂直于掩膜版1所在平面的方向上的深度逐渐减小。
第三种，如图15以及图16所示，图15为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图之七，图16为本发明实施例所提供的图15中EE’的剖面图，过渡孔300包括第一过渡孔310和第二过渡孔320，第一过渡孔310位于掩膜版1的第一侧，第二过渡孔320位于掩膜版1的第二侧，第一侧和第二侧相对，本实施例中掩膜版1的第一侧为与待蒸镀基板接触的一侧，第二侧为远离待蒸镀基板的一侧。
在过渡区域30内，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡孔310和第二过渡孔320的体积同时逐渐减小。
结合上述图16所示的掩膜装置的结构，本实施例提供一种制备该掩膜装置的方法：
在所述过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，刻蚀所述第一过渡孔的刻蚀量逐渐减小，刻蚀所述第二过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
进一步的，继续参见图16，过渡区域30包括第一过渡区域31和第二过渡区域32，
在第一过渡区域31内，第一过渡孔310和第二过渡孔320相互贯通；
在第二过渡区域32内，从蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向上，第一过渡孔310在垂直于掩膜版1所在平面的方向上的深度逐渐减小，第二过渡孔320在垂直于掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小。
上述三种结构的过渡孔均是利于湿法刻蚀制备出的，可通过改变需要刻蚀区域酸液的量来达到刻蚀目的。
在一种实施方式中，如图12、14以及图16所示，从第一侧至第二侧的方向上，第一过渡孔310和第二过渡孔320的截面均可为梯形；
或者，第一过渡孔310以及第二过渡孔320的截面均可为矩形；亦或者，第一过渡孔310和第二过渡孔320的截面均可为半椭圆形。
并且，以图16所示出的掩膜装置得到结构为例，第一过渡孔310靠近第一侧的开口在掩膜版1所在平面的正投影，覆盖第一过渡孔310远离第一侧的开口在掩膜版1所在平面的正投影，第二过渡孔320靠近第二侧的开口在掩膜版1所在平面的正投影，覆盖第二过渡孔320远离第二侧的开口在掩膜版1所在的平面的正投影。也就是说，以图16所示方位为基准，梯形的第一过渡孔310位于第一侧的开口的宽度(梯形的长边的宽度)，大于第一过渡孔310底端的开口的宽度(梯形的短边的宽度)，第二过渡孔320与第二过渡孔310正好相反，在此不在赘述。无论是梯形、矩形或者半椭圆形的第一过渡孔以及第二过渡孔，其均可通过湿法刻蚀的方式制备得出。
需要说明的是，上述第一过渡孔以及第二过渡孔结构只是示例性的举例而已，事实上，只要满足从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，第一过渡孔的体积逐渐减小，第二过渡孔的体积逐渐减小即可。
在一种实施方式中，如图17所示，其为本发明实施例所提供的掩膜装置的结构示意图至十，在垂直于掩膜版1所在平面的方向上，过渡孔300的截面还可为矩形，并且在蒸镀区域2至非蒸镀区域3的方向X上，过渡孔300的体积逐渐减小。
结合图17所示出的掩膜装置的结构，本实施例提供一种掩膜装置制备方法，该方法适用于电铸方式(具体原理见下文)制备出掩膜版，该制备方法包括：
利用掩膜母版使用电铸法形成掩膜版。
本实施例中，掩膜母版可理解为掩膜版原模，也就是制备掩膜版的模具，在该模具上，从蒸镀方向至非蒸镀方向上，过渡孔的体积逐渐减小，从而得到跟模具相同的电铸掩膜版。
下面对电铸的原理进行简单介绍，
电铸法是利用电解的原理将导电体镀上一层金属的方法，有利于制造高PPI(高像素点密度)显示屏，比如VR(Virtual Reality，虚拟现实)显示。将模具设置为阴极，通过电解作用，使电解液中的阳离子沉积到模具上并脱膜，从而得到与模具结构一致的掩膜版。
本实施例提供一种蒸镀设备，如图18所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀设备的结构示意图，该蒸镀设备500包括上述实施例中的掩膜装置1，其中，该蒸镀设备还包括蒸镀腔室7。
由于该蒸镀设备包括掩膜装置，该蒸镀设备也可解决在蒸镀区域以及非蒸镀区域交界处产生的突变问题。该蒸镀设备中，过渡孔的体积小于沉积通孔的体积，可以理解的是，在蒸镀区域与非蒸镀区域(过渡区域)的交界处，非蒸镀区域(过渡区域)中与该交界处相邻的过渡孔的体积，小于蒸镀区域中与该交界处相邻的沉积通孔的体积，并且，从蒸镀区域至非蒸镀区域的方向上，过渡孔的体积逐渐减小，也就是说，尽可能的减小沉积通孔到过渡孔的体积变化，减小在交界处的突变，减小由磁作用力产生的排斥力，进而改善待蒸镀基板与掩膜版之间的贴合问题，提高蒸镀效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (19)
1.一种掩膜装置，其特征在于，所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版，所述掩膜版包括：
至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域；
所述蒸镀区域设置有沉积通孔；
所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域，所述过渡区域设置有过渡孔，所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积，且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡孔的体积逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，
所述蒸镀区域的掩膜版的厚度为a，所述非蒸镀区域的掩膜版的厚度为b，其中，a≥b。
3.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，
从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡区域包括依次设置的第一过渡区域和第二过渡区域，
所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔，所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧，所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧，所述第一侧和所述第二侧相对，
所述第一过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔的体积不变，所述第二过渡孔的体积逐渐减小；
所述第二过渡区域内不设置有所述第二过渡孔，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔的体积逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的掩膜装置，其特征在于，
从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡区域依次包括第一子过渡区域和第二子过渡区域，
在所述第一子过渡区域内，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔相互贯通；在所述第二子过渡区域内，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔不贯通，并且，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第二过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，
从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡区域包括依次设置的第一过渡区域和第二过渡区域，
所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔，所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧，所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧，所述第一侧和所述第二侧相对，
所述第一过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔的体积逐渐减小，所述第二过渡孔的体积不变；
所述第二过渡区域内不设置有所述第一过渡孔，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第二过渡孔的体积逐渐减小。
6.根据权利要求5所述的掩膜装置，其特征在于
从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡区域依次包括第一子过渡区域和第二子过渡区域，
在所述第一子过渡区域内，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔相互贯通；
在所述第二子过渡区域内，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔不贯通，并且，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，
所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔，所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧，所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧，所述第一侧和所述第二侧相对，
在所述过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔的体积同时逐渐减小。
8.根据权利要求7所述的掩膜装置，其特征在于，
所述过渡区域包括第一过渡区域和第二过渡区域，
在所述第一过渡区域内，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔相互贯通；
在所述第二过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小，所述第二过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小。
9.根据权利要求3～8任一项所述的掩膜装置，其特征在于，
从所述第一侧至所述第二侧的方向上，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔的截面均为梯形、半椭圆形或者矩形，
所述第一过渡孔靠近所述第一侧的开口在所述掩膜版所在平面的正投影，覆盖所述第一过渡孔远离所述第一侧的开口在所述掩膜版所在平面的正投影，
所述第二过渡孔靠近所述第二侧的开口在所述掩膜版所在平面的正投影，覆盖所述第二过渡孔远离所述第二侧的开口在所述掩膜版所在的平面的正投影。
10.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上，所述过渡孔的截面为矩形。
11.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜装置还包括：
掩膜框架，所述掩膜版固定在所述掩膜框架上。
12.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜装置还包括：
待蒸镀基板，所述待蒸镀基板设置在所述掩膜版的第一侧，且与所述掩膜版相接触；
磁板，所述磁板设置在所述待蒸镀基板远离所述掩膜版的一侧。
13.一种蒸镀设备，其特征在于，包括上述权利要求1～12任一项所述的掩膜装置。
14.一种掩膜装置制备方法，其特征在于，包括：
提供掩膜母版；
所述掩膜母版具有至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域，
在所述蒸镀区域内形成沉积通孔，
在所述过渡区域内形成过渡孔，以形成掩膜版；其中，所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡孔的体积逐渐减小。
15.根据权利要求14所述的掩膜装置制备方法，其特征在于，
所述掩膜装置制备方法具体包括：
提供掩膜母版；
对所述掩膜母版进行刻蚀，在所述掩膜母版上形成至少一个所述蒸镀区域以及至少一个所述非蒸镀区域，以形成所述掩膜版，
在所述蒸镀区域内刻蚀出沉积通孔，
在所述过渡区域内刻蚀出过渡孔，使所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，刻蚀所述过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
16.根据权利要求15所述的掩膜装置制备方法，其特征在于，
从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡区域包括依次设置的第一过渡区域和第二过渡区域，
所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔，所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧，所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧，所述第一侧和所述第二侧相对，
所述第一过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔的体积不变，所述第二过渡孔的体积逐渐减小；
所述第二过渡区域内不设置有所述第二过渡孔，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔的体积逐渐减小；
所述掩膜装置制备方法包括：
在所述第一过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，刻蚀所述第一过渡孔的刻蚀量保持不变，刻蚀所述第二过渡孔的刻蚀量逐渐减小，在所述第二过渡区域内，刻蚀所述第一过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
17.根据权利要求15所述的掩膜装置制备方法，其特征在于，
从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡区域包括依次设置的第一过渡区域和第二过渡区域，
所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔，所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧，所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧，所述第一侧和所述第二侧相对，
所述第一过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔的体积逐渐减小，所述第二过渡孔的体积不变；
所述第二过渡区域内不设置有所述第一过渡孔，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第二过渡孔的体积逐渐减小；
所述掩膜装置制备方法包括：
在所述第一过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，刻蚀所述第一过渡孔的刻蚀量逐渐减小，刻蚀所述第二过渡孔的刻蚀量保持不变；
在所述第二过渡区域内，刻蚀所述第二过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
18.根据权利要求15所述的掩膜装置制备方法，其特征在于，
所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔，所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧，所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧，所述第一侧和所述第二侧相对，
在所述过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述第一过渡孔和所述第二过渡孔的体积同时逐渐减小；
所述掩膜装置制备方法包括：
在所述过渡区域内，从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，刻蚀所述第一过渡孔的刻蚀量逐渐减小，刻蚀所述第二过渡孔的刻蚀量逐渐减小。
19.根据权利要求14所述的掩膜装置制备方法，其特征在于，
利用所述掩膜母版使用电铸法形成所述掩膜版。
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