JP7327969B2 - 蒸着用マスク - Google Patents
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Description
100、100A:マスク組立体
10:フレームセット
11:支持フレーム
12:第1支持台
13:第2支持台
GR:結合溝
CHB:チャンバ
GT:ゲート
PP:移動プレート
STG:ステージ
S:蒸着源
20:蒸着用マスク
21:マスクユニット
22:カッティング部
CP:クランピング部
CG:クランピング溝
BA:ボンディング領域
PA:パターニング領域
PT:パターン部
DP:ダミーパターン部
PT1:第1パターン部
PT2:第2パターン部
AT:蒸着部
NAT:遮断部
AR1:第1部分
AR2:第2部分
H2:パターン孔
Claims (13)
- 複数のパターン孔が配列されたパターン部が配置されるパターニング領域と、
第1方向で前記パターニング領域の両端と隣接して配置される複数のボンディング領域と、を含み、
前記パターン部は、
第1パターン孔が設けられた第1パターン部と、
第2パターン孔が設けられ、前記第1方向で前記第1パターン部の両端と前記ボンディング領域との間に配置される複数の第2パターン部と、を含み、
前記第1パターン孔のうち互いに隣接する前記第1パターン孔間の最小距離と定義される第1距離より、前記第2パターン孔のうち互いに隣接する前記第2パターン孔間の最小距離と定義される第2距離のほうが大きく、
前記第1パターン孔のそれぞれの大きさは、前記第2パターン孔のそれぞれの大きさと同じであり、
前記第2パターン孔は、前記第1方向に複数行で設けられ、
偶数行の前記第2パターン孔は、奇数行の前記第2パターン孔に対して、前記第1方向に交差する第2方向にシフトしている蒸着用マスク。 - 前記第2距離は、20μm以上である請求項1に記載の蒸着用マスク。
- 前記第2パターン部のそれぞれは、
前記ボンディング領域に隣接し、前記第2パターン孔が設けられた第1部分と、
前記第1部分と前記第1パターン部との間に設けられ、前記第1パターン孔が設けられた第2部分と、を含む請求項1に記載の蒸着用マスク。 - 複数のパターン孔が配列されたパターン部が配置されるパターニング領域と、
第1方向で前記パターニング領域の両端と隣接して配置される複数のボンディング領域と、を含み、
前記パターン部は、
第1パターン孔が設けられた第1パターン部と、
第2パターン孔が設けられ、前記第1方向で前記第1パターン部の両端と前記ボンディング領域との間に配置される複数の第2パターン部と、を含み、
前記第1パターン孔のうち互いに隣接する前記第1パターン孔間の最小距離と定義される第1距離より、前記第2パターン孔のうち互いに隣接する前記第2パターン孔間の最小距離と定義される第2距離のほうが大きく、
前記第2パターン部のそれぞれは、
前記ボンディング領域に隣接し、前記第2パターン孔が設けられた第1部分と、
前記第1部分と前記第1パターン部との間に設けられ、前記第1パターン孔が設けられた第2部分と、を含み、
前記第2パターン部のそれぞれは、
前記第1部分と前記ボンディング領域との間に配置される第3パターン孔が設けられた第3部分を更に含み、
前記第3パターン孔のうち互いに隣接する前記第3パターン孔間の最小距離と定義される第3距離は、前記第2距離より大きい蒸着用マスク。 - 前記第1パターン部は、
前記第1方向に離隔して配列され、前記第1パターン孔が定義される複数の蒸着部と、
隣接する前記蒸着部の間に配置される少なくとも一つの遮断部と、を含む請求項1に記載の蒸着用マスク。 - 前記遮断部の開口率は、前記蒸着部のそれぞれの開口率より小さい請求項5に記載の蒸着用マスク。
- 前記遮断部の開口率は0である請求項6に記載の蒸着用マスク。
- 複数のパターン孔が配列されたパターン部が配置されるパターニング領域と、
第1方向で前記パターニング領域の両端と隣接して配置される複数のボンディング領域と、を含み、
前記パターン部は、
第1パターン孔が設けられた第1パターン部と、
第2パターン孔が設けられ、前記第1方向で前記第1パターン部の両端と前記ボンディング領域との間に配置される複数の第2パターン部と、を含み、
前記第1パターン孔のうち互いに隣接する前記第1パターン孔間の最小距離と定義される第1距離より、前記第2パターン孔のうち互いに隣接する前記第2パターン孔間の最小距離と定義される第2距離のほうが大きく、
前記第1パターン部は、
前記第1方向に離隔して配列され、前記第1パターン孔が定義される複数の蒸着部と、
隣接する前記蒸着部の間に配置される少なくとも一つの遮断部と、を含み、
前記遮断部の開口率は、前記蒸着部のそれぞれの開口率より小さく、
前記遮断部に複数の第4パターン孔が設けられ、前記第4パターン孔のそれぞれの大きさは前記第1パターン孔のそれぞれの大きさと同じである蒸着用マスク。 - 前記第4パターン孔のうち互いに隣接する前記第4パターン孔間の最小距離は、前記第2距離以上である請求項8に記載の蒸着用マスク。
- 複数のパターン孔が配列されたパターン部が配置されるパターニング領域と、
第1方向で前記パターニング領域の両端と隣接して配置される複数のボンディング領域と、を含み、
前記パターン部は、
第1パターン孔が設けられた第1パターン部と、
第2パターン孔が設けられ、前記第1方向で前記第1パターン部の両端と前記ボンディング領域との間に配置される複数の第2パターン部と、を含み、
前記第1パターン孔のうち互いに隣接する前記第1パターン孔間の最小距離と定義される第1距離より、前記第2パターン孔のうち互いに隣接する前記第2パターン孔間の最小距離と定義される第2距離のほうが大きく、
前記第1パターン部は、
前記第1方向に離隔して配列され、前記第1パターン孔が定義される複数の蒸着部と、
隣接する前記蒸着部の間に配置される少なくとも一つの遮断部と、を含み、
前記遮断部の開口率は、前記蒸着部のそれぞれの開口率より小さく、
前記遮断部に複数の第4パターン孔が設けられ、前記第4パターン孔のそれぞれの大きさは前記第1パターン孔のそれぞれの大きさより小さい蒸着用マスク。 - 前記第4パターン孔のうち互いに隣接する前記第4パターン孔間の最小距離は、前記第1距離と同じである請求項10に記載の蒸着用マスク。
- 前記第1方向で前記ボンディング領域の両端と隣接して配置されるカッティング部を更に含み、
前記カッティング部のそれぞれは、前記第1パターン孔が定義されたダミーパターン部を含む請求項1に記載の蒸着用マスク。 - 前記カッティング部のそれぞれに、前記第1方向の外側から内側に凹んだクランピング溝が定義される請求項12に記載の蒸着用マスク。
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106480404B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-05-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜集成框架及蒸镀装置 |
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KR102544324B1 (ko) * | 2018-01-16 | 2023-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 노광방법 |
JP7406719B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク及びその製造方法、蒸着マスク装置及びその製造方法、中間体、蒸着方法、並びに有機el表示装置の製造方法 |
KR20210054644A (ko) * | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 어셈블리, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법 |
CN113025957A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-06-25 | 昆山国显光电有限公司 | 金属掩膜板及显示面板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006027830A1 (ja) | 2004-09-08 | 2006-03-16 | Toray Industries, Inc. | 有機電界発光装置およびその製造方法 |
JP2012132096A (ja) | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Samsung Mobile Display Co Ltd | マスクフレーム組立体、マスクフレーム組立体の製造方法、および有機発光表示装置の製造方法 |
US20120325143A1 (en) | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Kang Taek-Kyo | Mask frame assembly for thin-film deposition |
JP2015028214A (ja) | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 単位マスク及びマスク組立体 |
JP2015127441A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置の製造方法 |
US20170179390A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly for thin film deposition |
CN107435131A (zh) | 2017-09-29 | 2017-12-05 | 上海天马微电子有限公司 | 掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法 |
US20180065143A1 (en) | 2016-09-06 | 2018-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Division mask |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4173722B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-10-29 | 三星エスディアイ株式会社 | 蒸着マスク、これを利用した有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
JP2009221535A (ja) | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Univ Of Tsukuba | 微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法 |
KR101107159B1 (ko) * | 2009-12-17 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시장치의 박막 증착용 마스크 조립체 |
KR101820020B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2018-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리 |
JP5976527B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2016-08-23 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク及びその製造方法 |
KR20150019695A (ko) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 단위 마스크 및 마스크 조립체 |
KR102237428B1 (ko) | 2014-02-14 | 2021-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법 |
CN104630705A (zh) | 2015-03-13 | 2015-05-20 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法 |
CN204803392U (zh) | 2015-07-27 | 2015-11-25 | 昆山国显光电有限公司 | 精密掩膜板 |
CN108026627A (zh) * | 2015-08-05 | 2018-05-11 | 应用材料公司 | 用于有机发光二极管制造的阴影掩模 |
KR102524534B1 (ko) | 2016-02-29 | 2023-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR102532305B1 (ko) * | 2016-06-15 | 2023-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법 |
KR20180032717A (ko) * | 2016-09-22 | 2018-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR102609073B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2023-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 및 그 제조방법 |
WO2018110253A1 (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-06-12 KR KR1020180067675A patent/KR102514115B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-28 JP JP2019064273A patent/JP7327969B2/ja active Active
- 2019-04-29 US US16/397,948 patent/US10873028B2/en active Active
- 2019-05-27 CN CN202311099566.XA patent/CN117051358A/zh active Pending
- 2019-05-27 CN CN201910444829.3A patent/CN110592527B/zh active Active
- 2019-05-29 EP EP19177420.7A patent/EP3581674B1/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006027830A1 (ja) | 2004-09-08 | 2006-03-16 | Toray Industries, Inc. | 有機電界発光装置およびその製造方法 |
JP2012132096A (ja) | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Samsung Mobile Display Co Ltd | マスクフレーム組立体、マスクフレーム組立体の製造方法、および有機発光表示装置の製造方法 |
US20120325143A1 (en) | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Kang Taek-Kyo | Mask frame assembly for thin-film deposition |
JP2015028214A (ja) | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 単位マスク及びマスク組立体 |
JP2015127441A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置の製造方法 |
US20170179390A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly for thin film deposition |
US20180065143A1 (en) | 2016-09-06 | 2018-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Division mask |
CN107435131A (zh) | 2017-09-29 | 2017-12-05 | 上海天马微电子有限公司 | 掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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