CN110592527B - 沉积掩模 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及沉积掩模。该沉积掩模可包括设置有图案部分的图案化区域以及设置在图案化区域的在第一方向上的相对的端附近的多个结合区域。图案部分可包括：其中限定有第一图案孔的第一图案部分；以及多个第二图案部分，多个第二图案部分中限定有第二图案孔且位于第一图案部分和结合区域的在第一方向上的相对的端之间。第二图案孔中相邻的第二图案孔之间的最小距离可大于第一图案孔中相邻的第一图案孔之间的最小距离。

Description

沉积掩模
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月12日提交至韩国知识产权局的第10-2018-0067675号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及沉积掩模及包括沉积掩模的掩模组件，并且更具体地涉及配置为改善沉积工艺中的准确度和均匀性的沉积掩模及包括该沉积掩模的掩模组件。
背景技术
作为自发光显示设备之一的有机发光显示设备具有诸如视角宽、对比度良好且响应速度快的技术优点，且因此作为下一代显示设备脱颖而出。有机发光显示设备包括两个相对的电极和插置于所述电极之间的中间层(例如，至少一个发光层)。可使用包括沉积法的多种方法来形成中间层。在沉积法的情况下，沉积掩模(例如，精细金属掩模(FMM))放置成与衬底紧密接触。通过沉积掩模将沉积材料供应到衬底上以形成具有期望图案的薄沉积膜。这里，沉积掩模设置为具有其形状与待形成到衬底上的薄沉积膜的图案的形状相同的开口。
发明内容
本发明构思的实施方式提供沉积掩模，该沉积掩模配置为改善沉积工艺中的准确度和均匀性。
根据本发明构思的实施方式，沉积掩模可包括设置有图案部分的图案化区域和设置在图案化区域的第一方向上的相对的端附近的多个结合区域。图案部分可包括：其中限定有第一图案孔的第一图案部分；以及多个第二图案部分，多个第二图案部分中限定有第二图案孔且位于第一图案部分和结合区域的第一方向上的相对的端之间。作为第二图案孔中相邻的第二图案孔之间的最小距离的第二距离可大于作为第一图案孔中相邻的第一图案孔之间的最小距离的第一距离。
在实施方式中，第一图案孔中的每一个的尺寸可与第二图案孔中的每一个的尺寸基本相等。
在实施方式中，第二距离可大于或等于约20μm。
在实施方式中，第二图案部分中的每一个可包括：第一部分，第一部分邻近多个结合区域中的结合区域设置，并且第一部分中限定有第二图案孔；以及第二部分，第二部分设置在第一部分与第一图案部分之间，且第二部分中限定有第一图案孔。
在实施方式中，在第一部分中，第二图案孔可限定为形成至少两个行。
在实施方式中，第二图案部分中的每一个还可包括第三部分，第三部分设置在第一部分与结合区域之间，且第三部分中限定有第三图案孔。作为第三图案孔中相邻的第三图案孔之间的最小距离的第三距离可大于第二距离。
在实施方式中，第一图案部分可包括：多个沉积部，多个沉积部在第一方向上彼此间隔开，且多个沉积部中限定有第一图案孔；以及至少一个阻挡部，至少一个阻挡部设置在沉积部之间。
在实施方式中，阻挡部的开口率可小于沉积部中的每一个的开口率。
在实施方式中，阻挡部的开口率可以是0。
在实施方式中，阻挡部可设置成具有限定在其中的多个第四图案孔。第四图案孔中的每一个的尺寸可与第一图案孔中的每一个的尺寸基本相等。
在实施方式中，第四图案孔中相邻的第四图案孔之间的最小距离可大于或等于第二距离。
在实施方式中，阻挡部可设置成具有限定在其中的多个第四图案孔。第四图案孔中的每一个的尺寸可小于第一图案孔中的每一个的尺寸。
在实施方式中，第四图案孔中相邻的第四图案孔之间的最小距离可与第一距离基本相等。
在实施方式中，阻挡部的开口率可与沉积部中的每一个的开口率基本相等。
在实施方式中，阻挡部的在第一方向上的宽度可与第二图案部分的在第一方向上的宽度不同。
在实施方式中，第一图案孔之间的最大距离可与第二距离基本相等。
在实施方式中，沉积掩模还可包括切割部，切割部邻近多个结合区域的在第一方向上的相对的端设置。切割部中的每一个可包括虚设图案部分，虚设图案部分中限定有虚设图案孔，以及虚设图案孔可限定成具有与第一图案孔的布置结构基本相同的布置结构。
在实施方式中，切割部中的每一个可设置成具有夹持凹口，夹持凹口在第一方向上从切割部的外侧向内凹入。
根据本发明构思的实施方式，掩模组件可包括框架组和设置在框架组上的多个沉积掩模，多个沉积掩模中的每一个在第一方向上延伸。框架组可包括支承框以及在与第一方向交叉的第二方向上延伸且在第一方向上布置的多个支承条。多个支承条中的每一个的在第二方向上的相对的端可联接至支承框。沉积掩模中的每一个可包括在第一方向上彼此间隔开且固定至支承框的多个结合区域以及设置在结合区域之间且设置有图案部分的图案化区域。图案部分可包括第一图案部分和多个第二图案部分，其中，第一图案部分设置成与图案部分的中央重叠，且第一图案部分中限定有多个第一图案孔，多个第二图案部分设置在第一图案部分和结合区域的在第一方向上的相对端之间。多个第二图案孔可限定在多个第二图案部分中的每一个的至少一个区域中。第二图案孔中相邻的第二图案孔之间的最小距离可大于第一图案孔中相邻的第一图案孔之间的最小距离。
在实施方式中，第一图案孔中的每一个的尺寸可与第二图案孔中的每一个的尺寸基本相等。
在实施方式中，支承条包括至少一个第一支承条和第二支承条，其中，至少一个第一支承条在第一方向上布置并且与第一图案部分的一部分重叠，第二支承条是支承条的在第一方向上的最外部的支承条且与沉积掩模中的每一个的第二图案部分重叠。
在实施方式中，第一图案部分包括：多个沉积部，多个沉积部在第一方向上彼此间隔开，且多个沉积部中限定有第一图案孔；以及至少一个阻挡部，至少一个阻挡部设置在沉积部之间且与第一支承条重叠。
在实施方式中，第二支承条中的每一个在第一方向上的宽度可与第一支承条中的每一个在第一方向上的宽度不同。
在实施方式中，结合区域的开口率可以是0。
在实施方式中，支承框的在第二方向上彼此相对的内侧部分中的每一个可设置成具有在第一方向上布置的多个联接接纳口。支承条的相对的端可设置在多个联接接纳口中。
在实施方式中，第二图案孔中相邻的第二图案孔之间的最小距离可大于或等于约20μm。
在实施方式中，在第二图案部分中，第二图案孔可形成至少两个行。
根据本发明构思的实施方式，沉积掩模可包括图案化区域和多个结合区域，其中，图案化区域中限定有多个图案孔，多个结合区域设置在图案化区域的在第一方向上的相对的端附近。限定在图案化区域的邻近结合区域的部分中的图案孔中相邻的图案孔之间的最小距离可大于限定在图案化区域的除了邻近所述结合区域的部分外的另一部分中的图案孔中的相邻图案孔之间的最小距离。
根据本发明构思的实施方式，沉积掩模可包括具有图案部分的图案化区域和设置在图案化区域的在第一方向上的相对的端附近的多个结合区域。图案部分可包括第一图案部分和多个第二图案部分，第一图案部分中限定有成第一布置结构的图案孔，多个第二图案部分中的至少一部分中限定有成第二布置结构的图案孔。成第二布置结构的图案孔之间的最小距离可大于成第一布置结构的图案孔之间的最小距离。
在实施方式中，成第二布置结构的图案孔之间的最小距离可大于或等于约20μm。
在实施方式中，成第一布置结构和第二布置结构的图案孔中的每一个的直径的范围从约17μm至约22μm。
在实施方式中，成第二布置结构的图案孔可形成至少两个行。
附图说明
结合附图根据以下简要描述将更清楚地理解示例性实施方式。附图代表如本文中描述的非限制性的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的掩模组件的立体图。
图2是示出图1中所示的框架组的立体图。
图3是示出其中切割部被切割的掩模组件的立体图。
图4是示意性示出根据本发明构思的实施方式的沉积系统的剖视图。
图5是沉积掩模的平面图。
图6是示出图5的部分“A”的放大图。
图7是示出图6中所示的第一图案部分的放大图。
图8是示出图6中所示的第一部分的放大图。
图9是示出根据本发明构思的实施方式的第二图案部分的放大图。
图10是示出根据本发明构思的实施方式的第二图案部分的放大图。
图11是示出图10中所示的第三部分的放大图。
图12是示出根据本发明构思的实施方式的阻挡部的放大图。
图13是示出根据本发明构思的实施方式的阻挡部的放大图。
图14是示出根据本发明构思的实施方式的阻挡部的放大图。
应注意，这些附图旨在示出某些示例性实施方式中利用的方法、结构和/或材料的概括性特征且旨在补充下文提供的书面描述。然而，这些附图不旨在衡量且可能不精确地反映任何给定的实施方式的精确结构或性能特性，且不应解释为限定或限制示例性实施方式所涵盖的值或性质的范围。例如，可能为了清楚而减小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。各个附图中相似或相同的附图标记的使用旨在指示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现将参照示出了示例性实施方式的附图更充分地描述本发明构思的示例性实施方式。然而，本发明构思的示例性实施方式可以以诸多不同的形式实施，且不应解释为局限于本文阐述的实施方式；更确切地说，这些实施方式被提供以使得本公开将是透彻和完整的，且将向本领域普通技术人员充分地传达示例性实施方式的构思。在附图中，为了清楚而夸大了层和区域的厚度。附图中相同的附图标记表示相同的元件，且因此将省略它们的描述。
应理解，当元件被称为“连接”或“联接”至另一元件时，该元件可直接地连接至或联接至所述另一元件或者可存在介于中间的元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件时，不存在介于中间的元件。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的元件。如本文所使用的那样，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应以类似的方式进行解释(例如，“位于……之间”与“直接位于……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“位于……上”与“直接位于……上”)。
应理解，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开。因此，在没有脱离示例性实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段可被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
为便于描述，本文可使用诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或另一特征(多个特征)的关系。应理解，除了附图中所绘制的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用或操作时的不同定向。例如，如果附图中的设备翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之定向成在所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上方的定向和下方的定向两者。设备可另行定向(旋转90度或处于其他定向)且本文所使用的空间相对描述语应被相应地进行解释。
本文中所使用的术语仅是出于描述具体实施方式的目的，且并非旨在限制示例性实施方式。除非上下文清楚地另行指出，否则如本文所使用的那样，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在还包括复数形式。还应理解，如果在本文中使用术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”，则指出所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
在本文中，参照作为示例性实施方式的理想化实施方式(和中间结构)的示意图的剖视图描述了本发明构思的示例性实施方式。这样，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的与图示的形状的偏差。因此，本发明构思的示例性实施方式不应解释为限于本文所示出的具体区域形状，而是应包括由例如制造引起的形状偏差。
除非另行限定，否则本文使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本发明构思的示例性实施方式所属技术领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还应理解，术语，诸如常用词典中所定义的那些，应解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非本文明确地限定成这样。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的掩模组件100的立体图。
图2是示出图1中所示的框架组10的立体图。图3是示出其中切割部22被切割的掩模组件100A的立体图。
参照图1至图3，根据本发明构思的实施方式的掩模组件100可用于将有机材料沉积到将参照图4描述的目标衬底SUB上的工艺。例如，掩模组件100可用于有机材料沉积工艺，有机材料沉积工艺被执行以制造有机发光设备(未示出)。
在实施方式中，掩模组件100可包括框架组10和多个沉积掩模20。
框架组10可包括支承框11以及多个支承条12和13。支承框11可具有矩形形状或四角形形状。支承框11可具有位于其中央区域中的框开口FOP。
如图1至图3所示，当在平面图中观察，支承框11可具有其短边在第一方向DR1上延伸且其长边在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的矩形形状。然而，本发明构思不限于支承框11的特定形状。支承框11在第一方向DR1或第二方向DR2上的长度可根据将在下文更详细地描述的沉积掩模20的尺寸或数量而改变。
支承条12和13中的每一个可成形为棒状。例如，支承条12和13中的每一个可具有在第二方向DR2上伸长的形状。支承条12和13可在第一方向DR1上布置。支承条12和13可放置于支承框11的内部区域上以将框开口FOP划分为多个区域。支承条12和13可用于支承将在下文描述的沉积掩模20。
支承条12和13可包括至少一个第一支承条12和多个第二支承条13。例如，如图1至图3中所示，框架组10可配置为包括多个第一支承条12。
多个第一支承条12可布置成在第一方向DR1上彼此间隔开预定距离。一对第二支承条13可以是支承条12和13中的位于掩模组件100在第一方向DR1上的最外部的区域处的最外部条。换言之，多个第一支承条12可布置在一对第二支承条13之间。
在本实施方式中，相邻的一对支承条12和13之间的距离可以是恒定的。然而，本发明构思不限于这个示例。例如，可根据目标衬底SUB(例如，参见图4)的将在其上执行沉积工艺的沉积区域的尺寸或形状而改变支承条12和13之间的距离。
在本实施方式中，当在第一方向DR1上测量时，第一支承条12的宽度可与第二支承条13的宽度不同。图1至图3示出了其中第二支承条13的第一方向DR1上的宽度大于第一支承条12的第一方向DR1上的宽度的示例。然而，针对第一支承条12和第二支承条13的第一方向DR1上的宽度，本发明构思不限于特定值。可根据目标衬底SUB(例如，参见图4)的将在其上执行沉积工艺的沉积区域的尺寸或形状而改变第一支承条12和第二支承条13的第一方向DR1上的宽度。
支承框11可包括设置成邻近框开口FOP的内侧部分。在本实施方式中，多个联接接纳口GR可限定在定位成在第二方向DR2上彼此面对的内侧部分的一部分中。联接接纳口GR可成对地设置，且每对联接接纳口GR可设置成在第二方向DR2上彼此面对。联接接纳口GR的对可在第一方向DR1上布置。
每对联接接纳口GR可与支承条12和13中相应的支承条相关联。例如，支承条12和13中的每一个的相对的端部分可联接至相应的一对联接接纳口GR，且因此支承条12和13中的每一个可紧固至支承框11。
在本实施方式中，第二支承条13可与支承框11的在第一方向DR1上彼此相对的内侧部分接触。换言之，第二支承条13与支承框11的在第一方向DR1上彼此相对的内侧部分之间可不形成间隙区域。
在本实施方式中，支承条12和13可配置为插入到支承框11的联接接纳口GR中，但本发明构思不限于用于将支承条12和13紧固至支承框11的方法。
沉积掩模20可安装在框架组10上。在本实施方式中，框架组10的支承条12和13中的每一个可设置成具有与支承框11的顶表面基本共面的顶表面。在这种情况中，沉积掩模20可更稳定地安装在框架组10上。
沉积掩模20中的每一个可在第一方向DR1上延伸。沉积掩模20可在第二方向DR2上布置。
沉积掩模20中的每一个可包括掩模单元21和多个切割部22。
掩模单元21可在第一方向DR1上延伸。掩模单元21可以是沉积掩模20的大致由框架组10支承的部分。换言之，掩模单元21的在第一方向DR1上彼此相对的两个端部分可与支承框11的长边部分地重叠。掩模单元21的与支承框11的长边部分地重叠的端部分可通过诸如焊接工艺的结合工艺而结合至支承框11的长边。
切割部22可邻近掩模单元21的在第一方向DR1上彼此相对的两个端部分放置。例如，切割部22可连接至掩模单元21的在第一方向DR1上彼此相对的两个端部分。换言之，掩模单元21可放置在一对切割部22之间。切割部22可不与框架组10接触。
根据本实施方式，沉积掩模20中的每一个可在沉积掩模20中的每一个还未安装在框架组10上时由紧固构件(未示出)支承。紧固构件可以是例如夹持件。设置在每个沉积掩模20的相对的端部分处的切割部22中的每一个可通过紧固构件紧固，且因此，沉积掩模20可由紧固构件稳定地支承。此外，紧固构件可配置为紧固切割部22中的每一个并且在沉积掩模20上施加张力。张力可在第一方向DR1上施加到沉积掩模20上。
在本实施方式中，可在将掩模单元21结合至支承框11的工艺之后对切割部22进行切割。图3示出了切割部22从其分离的掩模组件100A。换言之，如果完成切割过程，则掩模组件100A可仅包括框架组10和掩模单元21。将参照图5至图8对沉积掩模20进行更详细地描述。
图4是示意性示出根据本发明构思的实施方式的沉积系统1000的剖视图。
结合图3参照图4，以上描述的掩模组件100A可用于沉积有机材料的工艺。
例如，根据本发明构思的实施方式的沉积系统1000除了包括掩模组件100A外还可包括室CHB、沉积源S、台STG和移动板PP。沉积源S、台STG、移动板PP和掩模组件100A可放置于室CHB中。
室CHB可配置为提供隔离空间。室CHB可具有至少一个门GT。室CHB的隔离空间可以可选地通过门GT连接至外部。掩模组件100A和目标衬底SUB可通过门GT进入或离开室CHB。
沉积源S可设置在室CHB的下部区域中。沉积源S可包括沉积材料。这里，沉积材料可包括能够升华或蒸发的无机材料、有机材料和金属材料中的至少一种。接下来的描述将涉及沉积源S制备成包括用于制造有机发光设备(未示出)的有机材料的示例。
台STG可放置于沉积源S上方。掩模组件100A可安装在台STG上。掩模组件100A可设置成面对沉积源S。图4中示出了掩模组件100A的沿着图3的线I-I'截取的竖直区段。台STG可与掩模组件100A的支承框11重叠并且可用于支承掩模组件100A。台STG可不与支承框11中限定的框开口FOP(例如，参见图1和图2)重叠。换言之，台STG可位于将从沉积源S供应至目标衬底SUB的沉积材料的行进路径的外侧。
目标衬底SUB可安装在掩模组件100A上。设置在掩模组件100A的掩模单元21中的图案可用于在目标衬底SUB的期望区域上可选地沉积有机材料。
在本实施方式中，移动板PP可配置为将目标衬底SUB与掩模组件100A对准。例如，移动板PP可配置为使用电力或磁力移动目标衬底SUB。移动板PP可配置为能够在竖直方向或水平方向上移动。
在实施方式中，移动板PP可用于将目标衬底SUB紧固至掩模组件100A的顶表面。由于目标衬底SUB通过移动板PP紧固至掩模组件100A，因此可能够改善沉积工艺的准确度。
在本实施方式中，沉积源S中的沉积材料可升华或蒸发，且升华或蒸发的沉积材料可通过掩模组件100A的掩模单元21供应到目标衬底SUB上。沉积材料可不供应至目标衬底SUB的被掩模单元21遮盖的区域(有时称为被覆盖的区域)上。
图5是沉积掩模20的平面图。
如上所述，根据本发明构思的实施方式的沉积掩模20可包括掩模单元21和多个切割部22。
参照图5，掩模单元21可包括布置在第一方向DR1上的多个区域。例如，掩模单元21可包括与掩模单元21的中央重叠的图案化区域PA和多个结合区域BA。结合区域BA可邻近图案化区域PA的在第一方向DR1上彼此相对的两个端部分设置。例如，结合区域BA可连接至图案化区域PA的在第一方向DR1上彼此相对的两个端部分。
图案化区域PA可与支承框11的框开口FOP(例如，参见图2)重叠。其中限定多个图案孔的图案部分PT可设置在图案化区域PA中。
结合区域BA中的每一个可与支承框11的长边的前述部分重叠。换言之，当在第一方向DR1上测量时，结合区域BA中的每一个的宽度可与支承框11的长边的宽度基本相等。图案孔可不限定在结合区域BA中，即，结合区域BA可不具有任何图案孔。换言之，结合区域BA中的每一个的开口率可以是0。
图案部分PT可包括第一图案部分PT1和多个第二图案部分PT2。在本实施方式中，图案孔可限定在第一图案部分PT1和第二图案部分PT2中的每一个中
第一图案部分PT1可包括多个沉积部AT和至少一个阻挡部NAT。例如，如图5中所示，第一图案部分PT1可包括N个沉积部AT和(N-1)个阻挡部NAT。
沉积部AT可在第一方向DR1上彼此间隔开。图4的目标衬底SUB可包括沉积材料将沉积在其上的多个沉积区域，并且沉积部AT可分别与目标衬底SUB的沉积区域对应。换言之，沉积部AT中的每一个可包括由掩模组件100A暴露的区域。
阻挡部NAT中的每一个可定位在沉积部AT之间。换言之，阻挡部NAT中的每一个可设置成将沉积部AT中的每一个与邻近该沉积部AT的另一沉积部AT分离。阻挡部NAT中的每一个可包括由图1和图2的第一支承条12遮盖的区域。在这种情况中，在沉积工艺期间提供的沉积材料可不沉积到与每个阻挡部NAT对应的被遮盖的区域上。
在本实施方式中，彼此间隔开预定距离的多个图案孔可布置在沉积部AT和阻挡部NAT中的每一个中。例如，在沉积部AT和阻挡部NAT中的每一个中，多个图案孔可布置成形成第一布置结构。沉积部AT和阻挡部NAT中的每一个可设置成具有将被称为第一开口率的开口率。在示例中，沉积部AT和阻挡部NAT中的每一个中所限定的图案孔将称为第一图案孔。这将参照图6至图8进行更详细地描述。
第二图案部分PT2可设置在第一图案部分PT1的在第一方向DR1上相对的端部分附近。第二图案部分PT2中的每一个可设置在第一图案部分PT1的相对的端部分中的一个与结合区域BA中的一个之间。在实施方式中，第二图案部分PT2中的每一个可设置成将第一图案部分PT1的相对的端部分中的一个连接至结合区域BA中的一个。例如，第二图案部分PT2中的每一个可设置成将第一图案部分PT1的沉积部AT中的最外部沉积部AT连接至结合区域BA中的一个。第二图案部分PT2中的每一个可包括由参照图1和图2描述的第二支承条13遮盖的区域。因此，在沉积工艺期间提供的沉积材料可不沉积到与每个第二图案部分PT2对应的被遮盖的区域上。
在本实施方式中，当在第一方向DR1上测量时，第二图案部分PT2中的每一个的宽度可与阻挡部NAT中的每一个的宽度不同。例如，如图5中所示，第二图案部分PT2中的每一个在第一方向DR1上的宽度可大于阻挡部NAT中的每一个在第一方向DR1上的宽度。然而，本发明构思可不限于第二图案部分PT2和阻挡部NAT在第一方向DR1上的宽度。第二图案部分PT2和阻挡部NAT在第一方向DR1上的宽度可根据目标衬底SUB(例如，参见图4)的将在其上执行沉积工艺的沉积区域的尺寸或形状进行各种改变。
在本实施方式中，彼此均匀间隔开预定距离的多个图案孔可布置在第二图案部分PT2中的每一个中。在第二图案部分PT2中的每一个中，多个图案孔中的一些可布置成形成第二布置结构。第二图案部分PT2中的每一个的至少一部分可设置成具有第二开口率。在实施方式中，第二图案孔可限定在第二图案部分PT2中的每一个中。这将参照图6至图8进行更详细地描述。
切割部22中的每一个可设置在掩模单元21的第一方向DR1上的外端部分附近。换言之，掩模单元21的相对的端部分可分别连接至切割部22。
切割部22中的每一个可包括位于第一方向DR1上的最外部区域处的多个夹持部分CP。夹持部分CP可通过前述紧固构件(未示出)紧固。
在本实施方式中，夹持部分CP之间可限定夹持凹口CG。夹持凹口CG可设置成具有在第一方向DR1上从沉积掩模20的外侧向内凹入的形状。如图5中所示，夹持凹口CG可设置成具有弯曲的弧部分。在这种情况中，可能够防止或抑制沉积掩模20因施加在沉积掩模20上的张力而变形或损坏。
切割部22中的每一个还可包括虚设图案部分DP。虚设图案部分DP可邻近掩模单元21的结合区域BA设置。例如，虚设图案部分DP可连接至掩模单元21的结合区域BA。换言之，虚设图案部分DP可设置在夹持部分CP与结合区域BA之间。
在本实施方式中，多个图案孔可限定在虚设图案部分DP中。本发明构思不限于虚设图案部分DP中限定的图案孔的数量、形状和布置结构或虚设图案部分DP的开口率。例如，虚设图案部分DP可设置成具有与沉积部AT的开口率相同的开口率。换言之，虚设图案部分DP中限定的图案孔可设置成具有与第一图案孔的布置结构(即，第一布置结构)相同的布置结构。
虚设图案部分DP可配置为吸收通过夹持部分CP施加在图案部分PT上的张力。因此，虚设图案部分DP可防止或抑制图案部分PT因施加在沉积掩模20上的张力而变形。
在本实施方式中，切割部22中的每一个被示出为具有一个虚设图案部分DP，但本发明构思不限于每个切割部22中设置的虚设图案部分DP的数量。
图6是示出图5的部分“A”的放大图。图7是示出图6中所示的第一图案部分PT1的放大图。图8是示出图6中所示的第一部分AR1的放大图。
参照图6至图8，第一图案部分PT1可设置成具有第一开口率。例如，多个第一图案孔H1可限定在第一图案部分PT1中。第一图案孔H1可在沉积掩模20的由第一图案部分PT1占据的区域上布置成矩阵形状。第一图案孔H1中的每一个的尺寸和形状可取决于将限定在如上所述的目标衬底SUB上的每个单元的尺寸。换言之，第一图案孔H1中的每一个的设计直径可根据将沉积在目标衬底SUB上的每个图案的尺寸确定。在实施方式中，第一图案孔H1中的每一个的直径的范围可从约17μm至约22μm。
如图7中所示，第一图案孔H1中的每一个可具有八边形形状。然而，第一图案孔H1中的每一个的形状可进行各种改变(例如，改变成多边形形状、圆形形状和椭圆形形状之一)。
第一图案孔H1可布置成具有第一布置结构。例如，在这样的第一布置结构中，第一图案孔H1可布置成使得第一图案孔H1中相邻的第一图案孔H1之间的最小距离被给定为第一距离D1。在本实施方式中，第一距离D1的范围可从约15μm至约18μm。
在本实施方式中，第二图案部分PT2中的每一个的至少一个区域中可限定多个第二图案孔H2。
例如，第二图案部分PT2中的每一个可包括第一部分AR1和第二部分AR2。第一部分AR1和第二部分AR2可在第一方向DR1上布置。第一部分AR1可在第一方向DR1上设置在第二部分AR2外部。换言之，第一部分AR1可邻近结合区域BA设置。第二部分AR2可设置在第一部分AR1与第一图案部分PT1之间。在实施方式中，第二部分AR2可设置成将第一部分AR1连接至第一图案部分PT1。
第一部分AR1可设置成具有第二开口率。第二开口率可小于第一开口率。具体地，多个第二图案孔H2可限定在第一部分AR1中。第二图案孔H2可布置成在沉积掩模20的由第一部分AR1占据的区域上形成多个行。第一部分AR1的第一方向DR1上的宽度可取决于第二图案孔H2的行的数量。在本实施方式中，布置为形成至少两行的第二图案孔H2可限定在第一部分AR1中。如图6中所示，第二图案孔H2可设置成形成在第一方向DR1上布置的多个行，且在这种情况下，第二图案孔H2的位于偶数行中的每个可在第二方向DR2上以偏移距离从第二图案孔H2的位于奇数行中的对应的一个偏移。这里，偏移距离可小于每对相邻的第二图案孔H2之间的第二方向DR2上的距离，例如图8中的第三距离D3。在实施方式中，偏移距离可以是第三距离D3的一半。第二图案孔H2中的每一个的尺寸和形状可等于第一图案孔H1中的每一个的尺寸和形状。
在本实施方式中，第二图案孔H2可布置成具有第二布置结构。在这样的第二布置结构中，第二图案孔H2可布置成使得第二图案孔H2中相邻的第二图案孔H2之间的最小距离被给定为第二距离D2。在本实施方式中，第二距离D2可大于第一距离D1。例如，第二距离D2可大于或等于约20μm。
多个第一图案孔H1可设置在第二部分AR2中。换言之，第二部分AR2中的第一图案孔H1可布置成具有第一布置结构。第一图案孔H1可在沉积掩模20的由第二部分AR2占据的区域上布置成矩阵形状。在本实施方式中，第二部分AR2的开口率可等于第一图案部分PT1的开口率。换言之，第二部分AR2中所限定的第一图案孔H1之间的最小距离的范围可从约15μm至约18μm。
在本实施方式中，在第二部分AR2中，第一图案孔H1之间的最大距离可与第一距离D1基本相等。与本发明构思的前述实施方式不同，如果图案部分PT不包括第二图案部分PT2(具体地，不包括第二图案部分PT2的第一部分AR1)，则具有第一开口率的图案部分PT可直接连接至开口率为0的结合区域BA。在这种情况中，由于结合区域BA与图案部分PT之间的开口率的差异，可能由于来自夹持部分CP的张力而在结合区域BA与图案部分PT之间的边界区域处施加应力。这个应力可能导致限定在图案部分PT的邻近结合区域BA的区域中的第一图案孔H1的变形或者导致沉积掩模20相对于框架组10的不对准。相比之下，根据本发明构思的实施方式，由于图案部分PT包括具有小于第一开口率的第二开口率的第二图案部分PT2，即，第二图案部分PT2放置在结合区域BA与第一图案部分PT1之间，因此可能够减少施加在结合区域BA与图案部分PT之间的边界区域上的应力。
因此，在本实施方式中，可能够改善沉积掩模的耐用性，并从而改善沉积工艺中的准确度和均匀性。
图9和图10是各自示出根据本发明构思的实施方式的第二图案部分的放大图。图11是示出图10中所示的第三部分AR3的放大图。
为了简明描述，可由相同的附图标记来标识先前描述的元件而不重复其重叠的描述。未单独描述的其它元件可配置为具有与先前所描述的实施方式中的元件的技术特征基本相同的技术特征。图9和图10中的每个示出了与图6中示出的区域对应的区域。
参照图9，根据本发明构思的实施方式的沉积掩模20-1可包括第二图案部分PT2-1，第二图案部分PT2-1中的每一个配置为仅包括第一部分AR1。换言之，可不在第二图案部分PT2-1中设置以上描述的第二部分AR2。沉积掩模20-1的第一部分AR1可配置为具有与以上描述的第一部分AR1的特征基本相同的特征，且因此将省略其详细描述。
参照图10和图11，沉积掩模20-2的第二图案部分PT2-2中的每一个还可包括第三部分AR3。换言之，第二图案部分PT2-2中的每一个可包括第一部分AR1、第二部分AR2和第三部分AR3。
在本实施方式中，第三部分AR3可具有第三开口率。第三开口率可小于第二开口率。具体地，多个第三图案孔H3可限定在第三部分AR3中。第三图案孔H3可在沉积掩模20-2的由第三部分AR3占据的区域上布置成矩阵形状。第三图案孔H3中的每一个的尺寸和形状可与第一图案孔H1和第二图案孔H2中的每一个的尺寸和形状基本相等。
在本实施方式中，第三图案孔H3可布置成具有第三布置结构。在这样的第三布置结构中，第三图案孔H3可布置成使得第三图案孔H3中相邻的第三图案孔H3之间的最小距离被给定为第三距离D3。在本实施方式中，第三距离D3可大于第二距离D2。例如，第三距离D3可大于约50μm。在本实施方式中，可能够更有效地防止或抑制应力集中在第二图案部分PT2-2与结合区域BA之间的边界区域处。
图12至图14是各自示出根据本发明构思的实施方式的阻挡部的放大图。
为了简明描述，可由相同的附图标记来标识先前描述的元件而不重复其重叠的描述。未单独描述的其它元件可配置为具有与先前所描述的实施方式中的元件的技术特征基本相同的技术特征。图12至图14中的每一个示出了与图5中所示的部分“B”对应的区域。
参照图12、图13和图14，根据本发明构思的一些实施方式的沉积掩模20-3、沉积掩模20-4和沉积掩模20-5可分别包括阻挡部NAT-3、阻挡部NAT-4和阻挡部NAT-5，阻挡部NAT-3、阻挡部NAT-4和阻挡部NAT-5中的每一个配置为具有比沉积部AT中的每一个的开口率小的开口率。
如图12中所示，在沉积掩模20-3的阻挡部NAT-3中不存在图案孔。换言之，阻挡部NAT-3中的每一个的开口率可以是0。这里，沉积部AT中的每一个可设置成具有第一开口率。换言之，具有第一布置结构的第一图案孔H1可限定在沉积部AT中的每一个中。第一图案孔H1可配置为具有与先前所描述的实施方式中的第一图案孔H1基本相同的特征，并且将省略其详细描述。
在实施方式中，如图13中所示，沉积掩模20-4的阻挡部NAT-4中的每一个可具有小于第一开口率的第四开口率。这里，沉积部AT中的每一个可具有第一开口率。例如，多个第四图案孔H4可设置在阻挡部NAT-4中的每一个中，且第一图案孔H1可设置在沉积部AT中的每一个中。第一图案孔H1可配置为具有与先前所描述的实施方式中的第一图案孔H1基本相同的特征，并且将省略其详细描述。
第四图案孔H4可布置成在沉积掩模20-4的由阻挡部NAT-4中的每一个所占据的区域上形成多个行。第四图案孔H4的行可在第一方向DR1上布置，且在这种情况中，两个相邻的行中的第四图案孔H4可在第二方向DR2上相对于彼此交替地布置。在本实施方式中，第四图案孔H4中的每一个的尺寸和形状可与第一图案孔H1至第三图案孔H3中的每一个的尺寸和形状相同。
第四图案孔H4可布置成具有第四布置结构。在这样的第四布置结构中，第四图案孔H4可布置成使得第四图案孔H4中相邻的第四图案孔H4之间的最小距离被给定为第四距离(未示出)。在本实施方式中，第四距离可大于第一距离D1。例如，第四距离可大于或等于第二距离D2。换言之，第四距离可大于或等于约20μm。
在实施方式中，如图14中所示，沉积掩模20-5的阻挡部NAT-5中的每一个可具有小于第一开口率的第四开口率。例如，多个第四图案孔H4可设置在阻挡部NAT-5中的每一个中，且第一图案孔H1可设置在沉积部AT中的每一个中。第一图案孔H1可配置为具有与先前所描述的实施方式中第一图案孔H1基本相同的特征，并且将省略其详细描述。
第四图案孔H4可在沉积掩模20-5的由阻挡部NAT-4中的每一个占据的区域上布置成矩阵形状。在本实施方式中，第四图案孔H4中的每一个的尺寸可小于第一图案孔H1至第三图案孔H3中的每一个的尺寸。此外，第四图案孔H4中相邻的第四图案孔H4之间的最小距离可与第一距离D1(例如，参见图7)基本相等。
根据本发明构思的实施方式，可能够改善沉积工艺中的准确度和均匀性。
虽然已经具体地示出并描述了本发明构思的示例性实施方式，但是将由本领域普通技术人员理解的是，在不背离所附权利要求的精神和范围的情况下可在本发明构思的示例性实施方式中做出形式和细节上的改变。

Claims (9)

1.沉积掩模，包括：
图案化区域，设置有图案部分；
多个结合区域，设置在所述图案化区域的在第一方向上相对的端附近；以及
多个虚设图案部分，设置在所述结合区域的在所述第一方向上相对的端附近，
其中，所述图案部分包括：
第一图案部分，所述第一图案部分中限定有第一图案孔；以及
多个第二图案部分，所述多个第二图案部分中限定有第二图案孔，且所述多个第二图案部分位于所述第一图案部分和所述结合区域的在所述第一方向上的相对的端之间，每个所述第二图案部分将所述第一图案部分的所述相对的端中的一个连接到所述结合区域中的一个，
其中，作为所述第二图案孔中相邻的第二图案孔之间的最小距离的第二距离大于作为所述第一图案孔中相邻的第一图案孔之间的最小距离的第一距离，以及
其中，所述第二图案部分中的每一个包括：
第一部分，所述第一部分邻近所述多个结合区域中的结合区域设置，并且所述第一部分中限定有所述第二图案孔；以及
第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分与所述第一图案部分之间，且所述第二部分中限定有所述第一图案孔，以及
其中，所述图案化区域和所述结合区域设置在所述虚设图案部分之间。
2.如权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一图案孔中的每一个的尺寸与所述第二图案孔中的每一个的尺寸相等。
3.如权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第二距离大于或等于20μm。
4.如权利要求3所述的沉积掩模，其中，在所述第一部分中，所述第二图案孔限定为形成至少两个行。
5.如权利要求3所述的沉积掩模，其中，所述第二图案部分中的每一个还包括第三部分，所述第三部分设置在所述第一部分与所述结合区域之间，且所述第三部分中限定有第三图案孔，
其中，作为所述第三图案孔中相邻的第三图案孔之间的最小距离的第三距离大于所述第二距离。
6.如权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一图案部分包括：
多个沉积部，所述多个沉积部在所述第一方向上彼此间隔开，且所述多个沉积部中限定有所述第一图案孔；以及
至少一个阻挡部，设置在所述沉积部之间。
7.如权利要求6所述的沉积掩模，其中，所述阻挡部的开口率小于所述沉积部中的每一个的开口率。
8.如权利要求1所述的沉积掩模，还包括切割部，所述切割部邻近所述多个结合区域的在所述第一方向上的相对端设置，
其中，所述切割部中的每一个包括虚设图案部分，所述虚设图案部分中限定有虚设图案孔，以及
所述虚设图案孔限定成具有与所述第一图案孔的布置结构相同的布置结构。
9.如权利要求8所述的沉积掩模，其中，在所述切割部中的每一个处限定有夹持凹口，所述夹持凹口在所述第一方向上从所述切割部的外侧向内凹入。
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