CN114068852A - 掩模及制造掩模的方法 - Google Patents

掩模及制造掩模的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114068852A
CN114068852A CN202110848278.4A CN202110848278A CN114068852A CN 114068852 A CN114068852 A CN 114068852A CN 202110848278 A CN202110848278 A CN 202110848278A CN 114068852 A CN114068852 A CN 114068852A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
mask sheet
sheet
degrees
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110848278.4A
Other languages
English (en)
Inventor
金桢国
金辉
李娥凛
郑茶姬
黃圭焕
南刚铉
晋丞民
洪宰敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114068852A publication Critical patent/CN114068852A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供了一种掩模及制造掩模的方法，所述掩模包括：掩模片，在平面图中设置有限定在其中的多个开口区域；以及掩模框架，支撑掩模片。掩模片包括：第一部分，包括第一表面，其中，第一表面被构造为与目标基底接触；以及第二部分，设置在第一部分上，在第一方向上从第一部分的顶部延伸并且包括限定多个开口区域的第二表面。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且第一方向平行于其中包括第一表面的平面。

Description

掩模及制造掩模的方法
本申请要求于2020年7月31日提交的第10-2020-0095824号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种掩模及制造该掩模的方法。更具体地，本公开涉及具有改善的工艺良率和可靠性的掩模以及制造该掩模的方法。
背景技术
显示面板包括多个像素。像素中的每个包括诸如晶体管的驱动装置和诸如有机发光二极管的显示装置。通过在基底上堆叠电极和发光图案来形成显示装置。
使用通过其限定孔的掩模来图案化发光图案，因此，在通过孔暴露的预定区域中形成发光图案。发光图案具有由孔的形状确定的形状。
发明内容
本公开提供了一种掩模，该掩模具有在沉积工艺中改善的可靠性，具有降低的制造工艺成本和时间，具有在沉积工艺中改善的精度，并且具有减小的由阴影引起的死区。
本公开提供了制造该掩模的方法。
发明构思的实施例提供了一种掩模，该掩模包括：掩模片，在平面图中设置有限定在其中的多个开口区域；以及掩模框架，支撑掩模片。掩模片包括：第一部分，包括第一表面，其中，第一表面被构造为与目标基底接触；以及第二部分，设置在第一部分上，在第一方向上从第一部分的顶部延伸并且包括限定所述多个开口区域的第二表面。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且第一方向平行于其中包括第一表面的平面。
倾斜表面可以具有从约30度至约70度的倾斜角。
掩模片可以具有等于或小于约每摄氏度百万分之5(ppm/℃)的热膨胀系数。
掩模框架可以具有与掩模片的热膨胀系数相同的热膨胀系数。
掩模片在掩模片的厚度方向上可以具有从约20微米(μm)至约200μm的厚度。
第一部分可以具有比掩模片的厚度的一半小的厚度。
倾斜表面可以具有等于或小于沉积入射角的倾斜角，并且沉积入射角可以是将要沉积在目标基底上的沉积材料被提供到掩模片所用的角度。
掩模片可以包括铁(Fe)和镍(Ni)的合金。
所述多个开口区域可以包括第一开口区域以及与第一开口区域相邻地限定的第二开口区域，并且第二表面可以包括分别限定第一开口区域和第二开口区域的两个第二表面。
两个第二表面可以设置为相对于第一部分彼此对称。
发明构思的实施例提供了一种掩模，该掩模包括：掩模片，在平面图中设置有限定在其中的多个开口区域；以及掩模框架，支撑掩模片。掩模片包括：第一表面，被构造为与目标基底接触；以及第二表面，设置在第一表面上方并限定所述多个开口区域。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且第一方向平行于其中包括第一表面的平面。
倾斜表面可以具有从约30度至约70度的倾斜角。
掩模片在掩模片的厚度方向上可以具有等于或小于约100μm的厚度。
掩模片可以具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数。
掩模片可以被构造为在遍及个体显示装置的有机发光二极管的基体基底上沉积相同材料的相同薄膜层。
掩模片还可以包括限定在第一表面与第二表面之间的第三表面，并且第三表面在厚度方向上具有等于或小于掩模片的厚度的一半的长度。
发明构思的实施例提供了一种制造掩模的方法。掩模的制造方法包括以下步骤：形成掩模片；使掩模片张紧；以及将掩模片结合到掩模框架。形成掩模片的步骤包括：准备初始掩模片；以及将激光束照射到初始掩模片上以形成多个开口区域。开口区域由掩模片的内侧表面限定，并且内侧表面是相对于掩模片的主表面平面的倾斜表面。
倾斜表面可以具有从约30度至约70度的倾斜角。
掩模片可以被构造为在遍及个体显示装置的有机发光二极管的基体基底上沉积相同材料的相同薄膜层。
掩模片和掩模框架可以具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数。
发明构思的实施例提供了一种掩模，该掩模包括：掩模片，设置有多个开口区域以将相同材料的多个薄膜层堆叠在目标基底上；以及掩模框架，支撑掩模片。掩模片包括：第一部分，包括第一表面，其中，第一表面被构造为与目标基底接触；以及第二部分，设置在第一部分上，在第一方向上从第一部分的顶部延伸并且包括限定所述多个开口区域的第二表面。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，第一方向平行于其中包括第一表面的平面，并且倾斜表面具有从约30度至约70度的倾斜角。
根据上述，当形成显示面板时改善了精度，并且防止了阴影的形成。使用根据本公开的掩模制造的显示面板具有减小的死区，并且有效地防止了显示面板中的缺陷。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本公开的上面和其它优点将容易变得明显，其中：
图1是示出根据本公开的实施例的掩模的分解透视图；
图2是示出根据本公开的实施例的掩模片的平面图；
图3A和图3B是示出根据本公开的实施例的掩模片的剖视图；
图4是示出图3A的区域BB'的放大图；
图5是示出根据本公开的实施例的掩模片的剖视图；
图6是示出图5的区域CC'的放大图；
图7A是示出根据对比示例的掩模片的剖视图；
图7B是示出图7A的区域DD'的放大图；以及
图8A和图8B是示出根据本公开的实施例的使用掩模形成的沉积部分的SEM图像。
具体实施方式
在本公开中，将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。
同样的附图标记始终指同样的元件。在附图中，为了技术内容的有效描述，夸大了组件的厚度、比率和尺寸。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是，尽管在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
为了易于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。
还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如在此所使用的“大约(约)”或“近似地(大致)”包括所陈述的值，并且意味着如在本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)而确定的具体值的可接受偏差的范围内。例如，“大约(约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
图1是示出根据本公开的实施例的掩模MK的分解透视图。
参照图1，掩模MK可以用于沉积材料的沉积工艺。根据实施例，掩模MK可以包括掩模框架FR和掩模片MS。根据实施例的掩模MK可以是但不限于用于薄膜工艺的开口掩模。用于薄膜工艺的开口掩模可以是用于将相同材料的薄膜层堆叠在目标基底(例如，有机发光二极管的基体基底)上而遍及个体显示装置的掩模。
每个元件(例如，掩模片MS、掩模框架FR)的上表面可以基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。第三方向DR3表示每个元件的厚度方向。每个元件的上侧(换句话说，上部)和下侧(换句话说，下部)由第三方向DR3区分。然而，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3的方向是彼此相关的并且可以被改变为其它方向。
当在平面中(即，在平面图中)观看时，掩模框架FR可以具有环形形状。也就是说，可以在包括掩模框架FR的中心的区域中限定开口。开口可以是从掩模框架FR的上表面穿透到掩模框架FR的下表面的孔。在实施例中，掩模框架FR可以具有矩形中空形状，矩形中空形状在其中具有矩形的空的空间。
图1示出了作为掩模框架FR的代表性形状的四边形环形形状，然而，根据发明的掩模框架FR的形状不应该限于此或由此限制。在另一实施例中，例如，掩模框架FR可以具有其它形状(例如，圆形环形形状、多边形环形形状等)。图1示出了其中掩模框架FR设置在掩模片MS下面并支撑掩模片MS的结构，然而，根据发明的掩模框架FR和掩模片MS不应该限于此或由此限制。根据另一实施例，掩模框架FR可以设置在掩模片MS的边缘上和边缘的下面，可以支撑掩模片MS，并且可以在第一方向DR1和第二方向DR2上拉长掩模片MS。
根据实施例的掩模片MS可以设置有穿过其限定并且在第一方向DR1和第二方向DR2上布置的多个开口区域OR。在图1中的本实施例中，十个开口区域OR在第一方向DR1上布置为五列(即，在第二方向DR2上的两个连续的开口区域OR可以组成一列开口区域OR)，并且在第二方向DR2上布置为两行(即，在第一方向DR1上的五个连续的开口区域OR可以组成一行开口区域OR)。开口区域OR彼此间隔开。然而，这仅是示例性的。也就是说，掩模片MS可以包括多于十个的开口区域OR，开口区域OR可以仅布置在第一方向DR1和第二方向DR2中的一个方向上，并且它们不应该被具体地限制。掩模片MS可以包括多个开口区域OR以堆叠具有相同材料的多个薄膜层。
根据实施例的掩模片MS可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的板形状。掩模片MS可以在其中限定开口区域OR，并且包括围绕开口区域OR中的每个的延伸区域EA，因此，掩模片MS可以具有单个整体(即，单片)板形状。根据实施例的掩模片MS可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2中的每个方向上延伸的板形状，而不是具有仅在第一方向DR1和第二方向DR2中的一个方向上延伸的棒形状。然而，发明不应该限于此或由此限制。根据本公开的另一实施例，掩模片MS可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2中的一个方向上延伸并且在第一方向DR1和第二方向DR2中的另一方向上彼此间隔开的棒形状。
掩模片MS和掩模框架FR可以具有等于或小于约每摄氏度百万分之5(ppm/℃)的热膨胀系数。根据实施例，掩模片MS和掩模框架FR可以由相同材料形成或包括相同材料。例如，掩模片MS和掩模框架FR可以包括铁(Fe)和镍(Ni)的合金。铁(Fe)和镍(Ni)的合金可以含有大致36百分比(％)的镍和64％的铁，以具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数，然而，发明不应该限于此或由此限制。作为另一方式，铁-镍合金可以含有大致30％至40％的镍，以具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数。
根据实施例，掩模片MS和掩模框架FR可以包括镍和铁，并且还可以包括钴(Co)。在这种情况下，掩模片MS和掩模框架FR中的每个可以含有大致5％的钴(Co)。
掩模片MS和掩模框架FR可以形成为具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数，因此，可以有效地最小化在掩模MK的制造工艺和使用掩模MK的显示装置的沉积工艺中可能发生的工艺变化。例如，当使用具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数的掩模片MS和掩模框架FR时，可以减少在使掩模片MS张紧的工艺中由因掩模片MS的张力而变形的开口区域OR引起的工艺误差。参照表1，示出了在包括掩模片MS和掩模框架FR的掩模MK的制造工艺中单元位置准确度(“CPA”)的变化，掩模片MS和掩模框架FR含有大致36％的镍和大致64％的铁，以具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数。在此，“5ppm/℃”意味着“5μm/(m℃)”。
表1
Figure BDA0003181519650000071
在表1中，CPA可以是开口区域OR的准确度的指标。CPA变化可以对应于在掩模的制造工艺(例如，张紧工艺)中发生的相对于掩模片MS的开口区域OR的工艺误差。热膨胀系数(“CTE”)可以对应于掩模片MS和掩模框架FR的热膨胀系数。掩模1和掩模2可以对应于不同的类型的掩模。腔室1可以是其中沉积单元的内部温度为约1.5℃的腔室，并且腔室2可以是其中沉积单元的内部温度为约3.5℃的腔室。表1示出了当内部温度从约1.5℃变化到约3.5℃时，两个掩模的CPA变化，掩模中的每个包括具有特定热膨胀系数CTE的掩模片MS和掩模框架FR。
因瓦合金36对应于根据本公开的实施例的含有大致36％的镍和大致64％的铁的合金，并且作为对比示例，因瓦合金42对应于含有大致42％的镍和大致58％的铁的合金。因瓦合金36的热膨胀系数为约1.6μm/(m℃)(小于约5μm/(m℃))，而因瓦合金42的热膨胀系数为约5.8μm/(m℃)(大于约5μm/(m℃))。因瓦合金36的CPA变化小于因瓦合金42的CPA变化。
例如，如掩模1中所示的，当腔室中的温度变化在约1.5℃至约3.5℃的范围内时，因瓦合金36的CPA变化可以在约4.3μm至约10.1μm的范围内。在对比示例中，在相同条件下，因瓦合金42的CPA变化可以在约15.7μm至约36.6μm的范围内。
SUS 430可以对应于具有约10.4μm/(m℃)的热膨胀系数并且含有铁和约16％至约18％的铬以及作为微量元素的锰(Mn)(≤1.0％)、硅(Si)(≤0.75％)、镍(Ni)(≤0.6％)、碳(C)(≤0.12％)、磷(P)和硫(S)的合金。SUS 304可以对应于具有约18.8μm/(m℃)的热膨胀系数并且含有铁和约18％至约20％的铬、约8％至约10.5％的镍以及作为微量元素的锰(Mn)(≤2.0％)、硅(Si)(≤1.0％)、碳(C)(≤0.07％)、磷(P)和硫(S)的合金。
在表1中，如掩模1中所示的，当腔室中的温度变化在约1.5℃至约3.5℃的范围内时，包括SUS 304的对比示例的CPA变化在约50.8μm至约118.6μm的范围内(其大于本公开的实施例的CPA变化)。
因此，本公开的实施例的CPA变化可以小于对比示例的CPA变化，并且可以减少工艺误差。
图2是示出根据本公开的实施例的掩模片MS的平面图。图2是示出图1的区域AA'的放大图。
参照图2，掩模片MS的开口区域OR可以由掩模片MS的内侧表面IS限定。掩模片MS可以包括分别限定多个开口区域OR的多个内侧表面IS。内侧表面IS可以从掩模片MS的上表面US延伸。掩模片MS的上表面US可以限定延伸区域EA。由于开口区域OR中的每个被限定为矩形形状，因此内侧表面IS可以包括针对每个开口区域OR的四个表面。
图3A和图3B是示出根据本公开的实施例的掩模片MS的剖视图。图3A是沿着图1的线I-I'截取的剖视图，并且图3B是沿着图1的线II-II'截取的剖视图。图4是示出图3A的区域BB'的放大图。
参照图3A和图3B，掩模片MS以三块示出。参照图1和图3A，当在剖面中观看时，三块彼此间隔开且开口区域OR置于三块之间，但是当在平面中(即，在平面图中)观看时，三块通过延伸区域EA彼此连接。每块的上表面US可以在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面中限定延伸区域EA。
掩模片MS可以具有约20μm至约200μm的厚度TH1。优选地，掩模片MS的厚度TH1可以等于或小于约100μm。在这种情况下，厚度可以意味着在第三方向DR3上的长度。随着掩模片MS的厚度减小，可以减少在沉积表面中出现的阴影。
根据实施例，掩模片MS在剖面中可以包括第一部分P1和第二部分P2。第一部分P1可以对应于当掩模MK(参照图1)位于目标基底上以形成沉积图案时设置在目标基底上的部分。第一部分P1可以包括第一表面LS。第一表面LS可以是掩模片MS的下表面。下表面LS可以与目标基底接触。下表面LS可以设置在目标基底的无效区域上。第二部分P2可以设置在第一部分P1上。第二部分P2可以从第一部分P1的顶部延伸。详细地，第二部分P2可以在第二方向DR2上从第一部分P1的上表面延伸到开口区域OR。
第二部分P2可以包括对应于掩模片MS的内侧表面IS的第二表面IS。第二表面IS可以限定开口区域OR。第二表面IS可以是限定开口区域OR的闭环表面。第二表面IS可以是相对于厚度方向DR3的倾斜表面。第二表面IS可以是朝着开口区域OR向下倾斜的倾斜表面。也就是说，第二部分P2的厚度在远离第一部分P1到开口区域OR的方向(即，第一方向DR1(参照图3B)或第二方向DR2(参照图3A))上逐渐减小，使得第二表面IS可以是朝着开口区域OR向下倾斜的倾斜表面。也就是说，第二表面IS可以是相对于第一方向DR1或第二方向DR2向下倾斜的倾斜表面。根据实施例，可以通过将激光束照射到初始掩模片上来形成第二表面IS。
第一部分P1可以在厚度方向DR3上具有比掩模片MS的厚度TH1的一半小的厚度TH2。也就是说，第二部分P2的厚度可以大于第一部分P1的厚度TH2。例如，当掩模片MS的厚度TH1为约100μm时，第一部分P1的厚度TH2可以在约20μm至约40μm的范围内。随着第一部分P1的厚度TH2减小，掩模片MS的倾斜表面IS可以变得更靠近目标基底SUB(参照图4)。随着倾斜表面IS在第三方向DR3上变得更靠近目标基底SUB，阴影区域SDA1(参照图4)的尺寸可以减小。
根据实施例，开口区域OR可以包括第一开口区域以及与第一开口区域相邻的第二开口区域。掩模片MS的将第一开口区域与同第一开口区域相邻的第二开口区域分离的第二部分P2-1可以包括彼此对称的两个第二表面IS-1。第二表面IS-1可以是在彼此对称的方向上倾斜的倾斜表面。第二表面IS-1可以相对于第一部分P1-1彼此对称。两个第二表面IS-1可以分别对应于限定第一开口区域和第二开口区域的内侧表面。第一部分P1-1可以包括第一表面LS-1。第一表面LS-1可以是掩模片MS的下表面。
参照图4，当从沉积源S排出沉积材料时，沉积材料在以预定角度穿过掩模片MS的开口区域OR之后沉积在目标基底SUB上。沉积在目标基底SUB上的沉积材料可以形成有机发光二极管的薄膜层。
沉积表面DS可以对应于目标基底SUB的沉积材料沉积在其上的一部分。在平面图中，沉积表面DS可以与开口区域OR叠置，并且可以形成在目标基底SUB的沉积区域DPA1中。在沉积工艺中，以相对于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面测量的沉积入射角IA入射的沉积材料可以被掩模片MS的第二部分P2或P2-1阻挡。因此，沉积材料在其处未充分沉积的阴影区域SDA1可以形成在目标基底SUB的与掩模片MS的第二部分P2或P2-1相邻并与开口区域OR叠置的一部分上。由于阴影区域SDA1，沉积区域DPA1的尺寸或宽度小于开口区域OR(参照图3A)的尺寸或宽度。阴影区域SDA1可能导致其中有机发光二极管未充分形成的死区(dead space)。这可能导致有效区域的减小和无效区域的增加，并且可能破坏显示装置的外观。
根据本公开的实施例，掩模片MS的阻挡以沉积入射角IA入射的沉积材料的第二部分P2或P2-1可以包括倾斜表面IS或IS-1，倾斜表面IS或IS-1相对于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面以倾斜角SA倾斜，并且倾斜角SA等于或小于沉积入射角IA。
根据实施例，倾斜表面IS的倾斜角SA可以在约30度(°)至约70度的范围内，优选约45度。更详细地，与限定掩模片MS的开口区域OR的内侧表面对应的第二表面(即，倾斜表面)IS的倾斜角SA可以以约30度至约70度的角度形成。可以通过照射激光束来形成具有约30度至约70度的倾斜角SA的倾斜表面IS。以约30度至约70度的倾斜角SA出现的阴影区域SDA1的尺寸可以小于以大于约70度的倾斜角SA出现的阴影区域SDA1的尺寸(见表2)。在这种情况下，阴影区域SDA1的尺寸可以被理解为包括阴影区域SDA1的宽度。当在平面中(即，在平面图中)观看时，阴影区域SDA1的宽度可以对应于阴影区域SDA1在第一方向DR1或第二方向DR2上的长度。
当沉积材料从沉积源S溅射到掩模片MS上并通过掩模MK沉积在目标基底SUB上时，沉积入射角IA可以是约45度，沉积入射角IA为沉积材料被提供到掩模片MS所用的角度。根据实施例，掩模片MS的第二表面IS的倾斜角SA可以等于约45度(即，与沉积入射角IA相同)或小于约45度。例如，倾斜角SA可以等于或大于约30度并且等于或小于约45度。当倾斜角SA等于或小于对应于沉积入射角IA的约45度时，无论倾斜角SA如何，阴影区域SDA1的尺寸可以是恒定的(见表2)。
作为沿着倾斜表面IS以沉积入射角IA提供沉积材料的移动路径的入射线IL1可以与沉积材料通过其被提供到倾斜表面IS的另一入射线交叉，并且入射线IL1和另一入射线可以限定阴影区域SDA1。参照表2，示出了根据本公开的实施例的依据倾斜角SA的变化的阴影区域SDA1的尺寸(或宽度)的变化。表2示出了其中沉积材料从设置在特定位置处的沉积源S被排出到目标基底SUB以将沉积材料溅射到目标基底SUB上的工艺的结果。表2示出了在目标基底SUB上的各种测量位置(位置1到位置5)处产生的阴影区域SDA1的尺寸。在这种情况下，测量位置可以对应于在目标基底SUB上产生的阴影区域SDA1之中以规则间隔彼此分隔开且设置在不同的位置处的五个阴影区域SDA1。
表2
Figure BDA0003181519650000111
在表2中，当倾斜表面IS的倾斜角SA在约30度至约70度的范围内时，阴影区域SDA1的尺寸小于当倾斜角SA为约90度时的阴影区域SDA1的尺寸。当倾斜角SA为约70度时，位置1处的阴影区域SDA1的尺寸为约107μm，类似于当倾斜角SA等于或小于约45度时的阴影区域SDA1的尺寸(约105μm)。当倾斜角SA等于或小于约45度时，阴影区域SDA1的尺寸小于当倾斜角SA为约70度时的阴影区域SDA1的尺寸。当倾斜表面IS的倾斜角SA等于或小于约45度时，即，当倾斜表面IS的倾斜角SA等于或小于沉积入射角IA时，不管倾斜角SA如何，阴影区域SDA1的尺寸是恒定的。也就是说，当倾斜角SA在约30度至约70度的范围内时测量的结果示出了本公开的实施例，并且当倾斜角SA为约90度时测量的结果示出了对比示例。参照表2，根据本公开的实施例的具有倾斜角SA(即，倾斜角SA在约30度至约70度的范围内)的掩模片MS的阴影区域SDA1的尺寸可以小于根据对比示例(即，倾斜角SA为约90度)的阴影区域SDA1的尺寸。也就是说，当倾斜角SA等于或小于沉积入射角IA时，可以减少被掩模片MS阻挡的沉积材料的量，因此，可以有效地减小阴影区域SDA1的尺寸。这将参照图7A和图7B详细描述。
图5是示出根据本公开的另一实施例的掩模片MS的剖视图。图5示出了根据另一实施例的沿着图1的线I-I'截取的剖面。图6是示出图5的区域CC'的放大图。
参照图5和图6，掩模片MS可以包括上表面US、与上表面US相对并与目标基底SUB进行接触的第一表面LS或LS-1以及限定开口区域OR的第二表面IS或IS-1。掩模片MS可以包括限定在第一表面LS或LS-1与第二表面IS或IS-1之间的第三表面SS。
根据实施例的掩模片MS可以在厚度方向DR3上具有等于或小于约100μm的厚度TH3。优选地，厚度TH3可以在约20μm至约30μm的范围内。第三表面SS的在第三方向DR3上的长度TH4可以等于或小于掩模片MS的厚度TH3的一半。例如，当掩模片MS的厚度TH3为约30μm时，第三表面SS的在第三方向DR3上的长度TH4可以等于或小于约15μm。
在本实施例中，第二表面IS或IS-1的倾斜角SA可以在约30度至约70度的范围内，优选约45度。在根据本实施例的掩模片MS中，具有约45度的倾斜角SA的倾斜表面IS可以设置为靠近目标基底SUB，因此，与图3A、图3B和图4中的实施例相比，阴影区域SDA1'的尺寸可以进一步减小，并且沉积区域DPA1'的尺寸可以进一步增大。在图5和图6中，省略了与图3A、图3B和图4的描述相同的描述。
图7A是示出根据对比示例的掩模片的剖视图，并且图7B是示出图7A的区域DD'的放大图。
在图7A中，掩模片可以不具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数。在根据对比示例的具有大于约5ppm/℃的热膨胀系数的掩模片中，多个开口区域OR1和OR2可以具有彼此不同的尺寸。这是因为当使掩模片张紧时，开口区域的张力的程度彼此不同。例如，在对比示例中，第一开口区域OR1可以具有与第二开口区域OR2的尺寸或宽度不同的尺寸或宽度。
在图7B中，根据对比示例的掩模片不包括倾斜表面。更详细地，根据对比示例的掩模片不包括包含具有在约30度至约70度的范围内的倾斜角的倾斜表面的第二部分P2。相反，掩模片的第二部分P2'或P2-1'的内侧表面IS'或IS-1'可以基本上垂直于目标基底SUB。也就是说，根据对比示例的掩模片的内侧表面IS'或IS-1'可以具有约90度的倾斜角。根据对比示例的阴影区域SDA2的尺寸可以依据测量位置而具有从约138μm至约185μm的值。
从沉积源S排出的沉积材料在以约45度的沉积入射角通过掩模片之后被提供到开口区域OR1或OR2。在对比示例中，沉积材料可以沿着第二入射线IL2入射到目标基底SUB。在根据图4或图6的实施例的掩模片MS(参照图4)中，如上面所描述的，沉积材料在通过倾斜表面IS(参照图4)之后通过第一入射线IL1而被提供。由第一入射线IL1形成的阴影区域SDA1的尺寸小于由第二入射线IL2形成的阴影区域SDA2的尺寸。
根据图4或图6中的实施例的沉积表面DS(参照图4)的面积大于根据对比示例的形成在目标基底SUB中的沉积表面DS'的面积。在图7B中，根据图4或图6中的实施例的沉积表面DS的面积比根据对比示例的沉积表面DS'的面积大根据对比示例的阴影区域SDA2的尺寸与根据图4或图6中的实施例的阴影区域SDA1的尺寸之间的差面积RA。如表2中的位置1的情况所示，差面积RA的尺寸可以对应于例如约33μm。
也就是说，由于根据图4或图6中的实施例的掩模包括以约30度至约70度的角度倾斜的倾斜表面，因此阴影区域的尺寸可以减小，并且沉积表面的面积可以增大。结果，可以有效地减小显示装置的死区。
图8A和图8B是示出使用掩模形成的沉积部分的SEM图像。图8A示出了根据对比示例的阴影区域SDA2的宽度WD2。图8B示出了根据本公开的实施例的阴影区域SDA1的宽度WD1。
图8A示出了根据对比示例的沉积区域DPA2、非沉积区域N-DPA2和在沉积区域DPA2与非沉积区域N-DPA2之间限定的阴影区域SDA2。图8B示出了根据本公开的实施例的沉积区域DPA1、非沉积区域N-DPA1和在沉积区域DPA1与非沉积区域N-DPA1之间限定的阴影区域SDA1。
在图8A和图8B中，可以观察到的是，在本公开的掩模MK中产生的阴影区域SDA1的宽度WD1小于在根据对比示例的掩模中产生的阴影区域SDA2的宽度WD2。也就是说，根据本公开的实施例的图8B中所示的沉积区域DPA1的尺寸可以大于根据对比示例的图8A中所示的沉积区域DPA2的尺寸。
尽管已经描述了本公开的实施例，但是理解的是，本公开不应该限于这些实施例，而可以由本领域普通技术人员在如要求保护的本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。因此，所公开的主题不应该限于在此描述的任何单个实施例，并且本发明构思的范围应该根据所附权利要求来确定。

Claims (20)

1.一种掩模，所述掩模包括：
掩模片，在平面图中设置有限定在所述掩模片中的多个开口区域；以及
掩模框架，支撑所述掩模片，所述掩模片包括：第一部分，包括第一表面，其中，所述第一表面被构造为与目标基底接触；以及第二部分，设置在所述第一部分上，在第一方向上从所述第一部分的顶部延伸并且包括限定所述多个开口区域的第二表面，
其中，所述第二表面是相对于所述第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且所述第一方向平行于其中包括所述第一表面的平面。
2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述倾斜表面具有从30度至70度的倾斜角。
3.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片具有等于或小于每摄氏度百万分之5的热膨胀系数。
4.根据权利要求3所述的掩模，其中，所述掩模框架具有与所述掩模片的热膨胀系数相同的热膨胀系数。
5.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片在所述掩模片的厚度方向上具有从20微米至200微米的厚度。
6.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第一部分具有比所述掩模片的厚度的一半小的厚度。
7.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述倾斜表面具有等于或小于沉积入射角的倾斜角，并且所述沉积入射角是将要沉积在所述目标基底上的沉积材料被提供到所述掩模片所用的角度。
8.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片包括铁和镍的合金。
9.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述多个开口区域包括第一开口区域以及与所述第一开口区域相邻地限定的第二开口区域，并且所述第二表面包括分别限定所述第一开口区域和所述第二开口区域的两个第二表面。
10.根据权利要求9所述的掩模，其中，所述两个第二表面设置为相对于所述第一部分彼此对称。
11.一种掩模，所述掩模包括：
掩模片，在平面图中设置有限定在所述掩模片中的多个开口区域；以及
掩模框架，支撑所述掩模片，所述掩模片包括：第一表面，被构造为与目标基底接触；以及第二表面，设置在所述第一表面上方并限定所述多个开口区域，
其中，所述第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且所述第一方向平行于其中包括所述第一表面的平面。
12.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述倾斜表面具有从30度至70度的倾斜角。
13.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片在所述掩模片的厚度方向上具有等于或小于100μm的厚度。
14.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片具有等于或小于每摄氏度百万分之5的热膨胀系数。
15.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片被构造为在遍及个体显示装置的有机发光二极管的基体基底上沉积相同材料的相同薄膜层。
16.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片还包括限定在所述第一表面与所述第二表面之间的第三表面，并且所述第三表面在所述掩模片的厚度方向上具有等于或小于所述掩模片的厚度的一半的长度。
17.一种制造掩模的方法，所述方法包括以下步骤：
形成掩模片；
使所述掩模片张紧；以及
将所述掩模片结合到掩模框架，形成所述掩模片的步骤包括：准备初始掩模片；以及将激光束照射到所述初始掩模片上以形成多个开口区域，
其中，所述多个开口区域由所述掩模片的内侧表面限定，并且所述内侧表面是相对于所述掩模片的主表面平面的倾斜表面。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述倾斜表面具有从30度至70度的倾斜角。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述掩模片被构造为在遍及个体显示装置的有机发光二极管的基体基底上沉积相同材料的相同薄膜层。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述掩模片和所述掩模框架具有等于或小于每摄氏度百万分之5的热膨胀系数。
CN202110848278.4A 2020-07-31 2021-07-27 掩模及制造掩模的方法 Pending CN114068852A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0095824 2020-07-31
KR1020200095824A KR20220016383A (ko) 2020-07-31 2020-07-31 마스크 및 마스크의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114068852A true CN114068852A (zh) 2022-02-18

Family

ID=77126613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110848278.4A Pending CN114068852A (zh) 2020-07-31 2021-07-27 掩模及制造掩模的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220035250A1 (zh)
EP (1) EP3945140A1 (zh)
KR (1) KR20220016383A (zh)
CN (1) CN114068852A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220056914A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치
WO2024125833A1 (en) 2022-12-15 2024-06-20 University Of Copenhagen Polarizer stencil mask
CN116254503B (zh) * 2023-03-21 2024-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种金属屏蔽片掩膜板和蒸镀辅助设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4883770A (en) * 1986-09-19 1989-11-28 Hewlett-Packard Company Selective NIPI doping super lattice contacts and other semiconductor device structures formed by shadow masking fabrication
US5608773A (en) * 1993-11-30 1997-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Mask holding device, and an exposure apparatus and a device manufacturing method using the device
JP3999837B2 (ja) * 1997-02-10 2007-10-31 Ｔｄｋ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
KR100525819B1 (ko) * 2003-05-06 2005-11-03 엘지전자 주식회사 유기 이엘 디스플레이 패널 제조용 새도우 마스크
JP5612106B2 (ja) * 2010-08-30 2014-10-22 シャープ株式会社 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
KR102354233B1 (ko) * 2012-01-12 2022-01-20 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 스텝 앤드 리피트 증착 마스크의 제조 방법, 이것에 의해 얻어지는 스텝 앤드 리피트 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP5288072B2 (ja) * 2012-01-12 2013-09-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP5780350B2 (ja) * 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
WO2016121652A1 (ja) * 2015-01-29 2016-08-04 シャープ株式会社 成膜用マスクおよび成膜装置並びに成膜方法
JP6527408B2 (ja) * 2015-07-02 2019-06-05 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及びその製造装置
CN105154822A (zh) * 2015-08-22 2015-12-16 昆山允升吉光电科技有限公司 一种小开口蒸镀用掩模板
JP2019094528A (ja) * 2017-11-21 2019-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220016383A (ko) 2022-02-09
US20220035250A1 (en) 2022-02-03
EP3945140A1 (en) 2022-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114068852A (zh) 掩模及制造掩模的方法
US7572338B2 (en) Mask for depositing thin film of flat panel display and method of fabricating the mask
KR102365037B1 (ko) 증착 마스크, 프레임 구비 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법 및 유기 el 디스플레이의 제조 방법
US7915073B2 (en) Method of manufacturing the organic electroluminescent display and organic electroluminescent display manufactured by the method
US10658591B2 (en) Method for producing deposition mask
JP6209867B2 (ja) 樹脂板付き金属マスク
KR102289109B1 (ko) 증착용 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
WO2017205147A1 (en) High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor
KR20170112673A (ko) 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
WO2019184224A1 (zh) 显示面板及制作显示面板用掩模板
US10873028B2 (en) Deposition mask and mask assembly including the same
WO2017203502A2 (en) High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor
TWI777055B (zh) 蒸鍍遮罩、附有框架之蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、有機半導體元件之製造方法、有機ｅｌ顯示器之製造方法及圖案之形成方法
JP6326885B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
CN109642310A (zh) 蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法以及显示装置的制造方法
JP2013142196A (ja) 蒸着マスク
CN110863176A (zh) 一种掩膜版及其制作方法、显示面板
US20220002858A1 (en) Metal mask strip, metal mask plate, and manufacturing method thereof
JP6123928B2 (ja) 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6066000B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法
US20230265555A1 (en) Method of manufacturing mask assembly
JP6376237B2 (ja) 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6645534B2 (ja) フレーム付き蒸着マスク
JP6252668B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法
KR20220151402A (ko) 프레임 및 프레임 일체형 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination