JP5612106B2 - 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 - Google Patents
蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5612106B2 JP5612106B2 JP2012531787A JP2012531787A JP5612106B2 JP 5612106 B2 JP5612106 B2 JP 5612106B2 JP 2012531787 A JP2012531787 A JP 2012531787A JP 2012531787 A JP2012531787 A JP 2012531787A JP 5612106 B2 JP5612106 B2 JP 5612106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- substrate
- deposition source
- mask
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 918
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 294
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 282
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 122
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 108
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 100
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 64
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 172
- 239000010408 film Substances 0.000 description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 description 58
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N picene Chemical compound C1=CC2=C3C=CC=CC3=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- -1 polyarylalkane Chemical compound 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-9h-carbazole Chemical class C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C=C APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001136782 Alca Species 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O Chemical compound [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQFPKRNUGBRTAR-UHFFFAOYSA-N acephenanthrylene Chemical group C1=CC(C=C2)=C3C2=CC2=CC=CC=C2C3=C1 SQFPKRNUGBRTAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N p-tert-Amylphenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明を適用して製造可能な有機EL表示装置の一例を説明する。本例の有機EL表示装置は、TFT基板側から光を取り出すボトムエミッション型で、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色からなる画素(サブ画素)の発光を制御することによりフルカラーの画像表示を行う有機EL表示装置である。
次に、有機EL表示装置1の製造方法について以下に説明する。
発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着する方法として、本発明者らは、特許文献1,2のような、蒸着時に基板と同等の大きさのマスクを基板に固定する蒸着方法に代えて、蒸着源及び蒸着マスクに対して基板を移動させながら蒸着を行う新規な蒸着方法(以下、「新蒸着法」という)を検討した。
We=H×tanα
である。
図9は、本発明の実施形態1に係る蒸着装置の主要部を示した斜視図である。図10は、本実施形態1に係る蒸着装置を、基板10の幅方向(第1方向)と垂直な方向に沿って見た正面図である。図11は、本実施形態1に係る蒸着装置(但し、蒸着マスク70を省略している)の平面図である。以下の説明の便宜のため、基板10の幅方向に沿った水平方向軸をX軸、X軸と垂直な水平方向軸をY軸、X軸及びY軸に平行な上下方向軸をZ軸とするXYZ直交座標系を設定する。Z軸は基板10の被蒸着面10eの法線方向と平行である。説明の便宜のため、Z軸方向の矢印の側(図9の紙面の上側)を「上側」と称する。
H1=T/(2×tanθ)
で求められる。これから明らかなように、制御板80の厚みTが小さいほど、距離H1は小さくなり、蒸着粒子流92が重なり合い始める位置は制御板80に接近する。例えば広がり角θが5°、制御板80の厚みTが0.5mmの場合、H1=0.5/(2×tan5°)=2.9mmとなり、制御板80の上側端から2.9mm以上上側の領域では、蒸着粒子流92の少なくとも一部が重なり合う。
tanγ=L/(P−T)=6.7
であるから、γ=81.5°となる。従って、隣り合う制御板80によって決定される蒸着粒子の広がり角度γ’(γ’=90°−γ)は8.5°であった。即ち、複数の制御板80によって、制御空間81を出射する蒸着粒子の出射角度は8.5°以下に制限される。
tanγ≧2Lz/(P−Dn+T) …(1−1)
である。
cotθ=2(L+Lz)/(P+Dn−T) …(1−2)
で表される。本実施例では、式(1−2)よりθ=5.5°であり、θ<γ’である。従って、本実施例では、蒸着マスク70の各マスク開口71に入射する蒸着粒子の入射角度の最大値(最大入射角度)は、上記広がり角度θに依存し、5.5°であった。ここで、マスク開口71に入射する蒸着粒子の最大入射角度は、Y軸方向と平行な方向に沿って見たとき、マスク開口71に入射する蒸着粒子の飛翔方向が蒸着マスク70の法線(即ち、Z軸方向)に対してなす角度によって定義される。
We=H×tanα=29μm
であった。ボヤケ部分の幅Weは、X軸方向に隣り合う発光領域の間の非発光領域のX軸方向寸法よりも狭い。従って、ボヤケ部分を非発光領域内に収めることができた。即ち、X軸方向の隣に位置する、異なる色の発光領域内に蒸着粒子が付着することはなく、混色がない高品位の有機EL表示装置を製造することができた。また、ボヤケ部分の幅Weが小さいので、非発光領域のX軸方向寸法を小さくすることが可能となり、画素の発光領域を大きくすることができる。そのため、電流密度を下げて有機EL素子を構成する発光層の劣化を防止でき、その結果、画素の発光寿命特性が向上し、高信頼性の有機EL表示装置を得ることができた。
実施形態1では、蒸着源開口61から放出された蒸着粒子は、当該蒸着源開口61の真上に位置する1つの制御空間81のみを通過することができた。これに対して、本実施形態2では、蒸着源開口61から放出された蒸着粒子は、当該蒸着源開口61の真上に位置する1つの制御空間81に加えて、この制御空間81の両隣の2つの制御空間81をも通過することができる。即ち、各蒸着源開口61から放出された蒸着粒子は、当該蒸着源開口61の真上に位置する制御空間81を中心とするX軸方向に連続する3つの制御空間81を通過する。更に外側の制御空間81を通過するように構成してもよい。本実施形態2の蒸着装置の構成は、上記を除いて実施形態1のそれと同じである。
tanγ=L/(P−T)=10
であるから、γ=84.3°となる。従って、隣り合う制御板80によって決定される蒸着粒子の広がり角度γ’(γ’=90°−γ)は5.7°であった。即ち、複数の制御板80によって、制御空間81を出射する蒸着粒子の出射角度は5.7°以下に制限される。
2Lz/(P−Dn+T)>tanγ≧2Lz/(3P−Dn+T) …(2−1)
である。
2Lz/(P+Dn+T)>L/(P−T) …(2−2)
の真偽によって異なる。不等式(2−2)が真のとき、
cotθ=2×(L+Lz)/(3P+Dn−T) …(2−3)
であり、不等式(2−2)が偽のとき、
cotθ=L/(P−T) …(2−4)
である。
We=H×tanα=30μm
であった。ボヤケ部分の幅Weは、X軸方向に隣り合う発光領域の間の非発光領域のX軸方向寸法よりも狭い。従って、ボヤケ部分を非発光領域内に収めることができた。即ち、X軸方向の隣に位置する、異なる色の発光領域内に蒸着粒子が付着することはなく、混色がない高品位の有機EL表示装置を製造することができた。また、ボヤケ部分の幅Weが小さいので、非発光領域のX軸方向寸法を小さくすることが可能となり、画素の発光領域を大きくすることができる。そのため、電流密度を下げて有機EL素子を構成する発光層の劣化を防止でき、その結果、画素の発光寿命特性が向上し、高信頼性の有機EL表示装置を得ることができた。
本実施形態3は、制御板80の真下に蒸着源開口61が存在する点で、制御空間81の真下に蒸着源開口61が存在する実施形態1,2と異なる。従って、本実施形態3では、各蒸着源開口61から放出された蒸着粒子は、当該蒸着源開口61の真上に存在する制御板80の両側に位置する2つの制御空間81を通過する。更に外側の制御空間81を通過するように構成してもよい。本実施形態3の蒸着装置の構成は、上記を除いて実施形態1,2のそれと同じである。
tanγ=L/(P−T)=10
であるから、γ=84.3°となる。従って、隣り合う制御板80によって決定される蒸着粒子の広がり角度γ’(γ’=90°−γ)は5.7°であった。即ち、複数の制御板80によって、制御空間81を出射する蒸着粒子の出射角度は5.7°以下に制限される。
tanγ≧2Lz/(2P−Dn+T) …(3−1)
である。
2Lz/(Dn+T)>L/(P−T) …(3−2)
の真偽によって異なる。不等式(3−2)が真のとき、
cotθ=2×(L+Lz)/(2P+Dn−T) …(3−3)
であり、不等式(3−2)が偽のとき、
cotθ=L/(P−T) …(3−4)
である。
We=H×tanα=30μm
であった。ボヤケ部分の幅Weは、X軸方向に隣り合う発光領域の間の非発光領域のX軸方向寸法よりも狭い。従って、ボヤケ部分を非発光領域内に収めることができた。即ち、X軸方向の隣に位置する、異なる色の発光領域内に蒸着粒子が付着することはなく、混色がない高品位の有機EL表示装置を製造することができた。また、ボヤケ部分の幅Weが小さいので、非発光領域のX軸方向寸法を小さくすることが可能となり、画素の発光領域を大きくすることができる。そのため、電流密度を下げて有機EL素子を構成する発光層の劣化を防止でき、その結果、画素の発光寿命特性が向上し、高信頼性の有機EL表示装置を得ることができた。
図20は、本発明の実施形態4に係る蒸着装置の、基板の走査方向に沿って見た正面図である。本実施形態4では、実施形態1〜3と異なり、複数の制御板80を保持する保持体85が、スライド機構89を介してホルダ52に保持されている。スライド機構89は、複数の制御板80を蒸着源60及び蒸着マスク70に対してX軸方向に沿って往復運動させる。本実施形態4の蒸着装置の構成は、上記を除いて実施形態1〜3のそれと同じである。
cotθ≦L/(P−T) …(4−1)
となる。
We=H×tanα=30μm
であった。ボヤケ部分の幅Weは、X軸方向に隣り合う発光領域の間の非発光領域のX軸方向寸法よりも狭い。従って、ボヤケ部分を非発光領域内に収めることができた。即ち、X軸方向の隣に位置する、異なる色の発光領域内に蒸着粒子が付着することはなく、混色がない高品位の有機EL表示装置を製造することができた。また、ボヤケ部分の幅Weが小さいので、非発光領域のX軸方向寸法を小さくすることが可能となり、画素の発光領域を大きくすることができる。そのため、電流密度を下げて有機EL素子を構成する発光層の劣化を防止でき、その結果、画素の発光寿命特性が向上し、高信頼性の有機EL表示装置を得ることができた。
図21は、本発明の実施形態5に係る蒸着装置の、基板の走査方向に沿って見た正面図である。蒸着源60が蒸着粒子を放出する蒸着源開口として、実施形態1〜4ではそれぞれがノズル形状を有した複数の蒸着源開口61を用いたのに対して、本実施形態5ではスロット形状の蒸着源開口62を用いる。蒸着源開口62は、X軸方向に沿って連続する長孔である。蒸着源開口62の上方に複数の制御板80が配置されている。蒸着源開口62のX軸方向の開口径は、制御板80のX軸方向ピッチPより大きく、ピッチPの2倍よりも大きいことが好ましい。更には、蒸着源開口62のX軸方向の両端は、複数の制御板80のうちの両外側の制御板80よりもX軸方向の外側にはみ出していることが好ましい。
cotθ=L/(P−T) …(5−1)
となる。
We=H×tanα=30μm
であった。ボヤケ部分の幅Weは、X軸方向に隣り合う発光領域の間の非発光領域のX軸方向寸法よりも狭い。従って、ボヤケ部分を非発光領域内に収めることができた。即ち、X軸方向の隣に位置する、異なる色の発光領域内に蒸着粒子が付着することはなく、混色がない高品位の有機EL表示装置を製造することができた。また、ボヤケ部分の幅Weが小さいので、非発光領域のX軸方向寸法を小さくすることが可能となり、画素の発光領域を大きくすることができる。そのため、電流密度を下げて有機EL素子を構成する発光層の劣化を防止でき、その結果、画素の発光寿命特性が向上し、高信頼性の有機EL表示装置を得ることができた。
10e 被蒸着面
20 有機EL素子
23R,23G,23B 発光層
50 蒸着ユニット
56 移動機構
60 蒸着源
61,62 蒸着源開口
70 蒸着マスク
71 マスク開口
80 制御板
81 制御板間空間(制御空間)
90 被膜
91 蒸着粒子
92 蒸着粒子流
Claims (24)
- 基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に、前記基板の法線方向に直交する第1方向に沿って配置された複数の制御板とを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記第1方向に隣り合う制御板間空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記蒸着源開口から放出され前記制御板間空間を通過した前記蒸着粒子の流れである蒸着粒子流を前記第2方向に沿って見たとき、重なり合う前記蒸着粒子流の数である重なり度が2以上であり且つ前記第1方向において前記重なり度が一定である位置に前記基板の被蒸着面を配置することを特徴とする蒸着方法。 - 前記複数の制御板のそれぞれの主面は、前記第2方向と平行である請求項1に記載の蒸着方法。
- 前記蒸着源開口が前記第1方向に沿って複数個配置されており、前記複数の蒸着源開口のそれぞれはノズル形状を有する請求項1に記載の蒸着方法。
- 前記複数の蒸着源開口が前記複数の制御板と同一ピッチで配置されている請求項3に記載の蒸着方法。
- 前記複数の蒸着源開口が前記複数の制御板のピッチの整数倍のピッチで配置されている請求項3に記載の蒸着方法。
- 前記複数の蒸着源開口が前記複数の制御板のピッチの整数分の1のピッチで配置されている請求項3に記載の蒸着方法。
- 前記第1方向において、前記蒸着源開口は、隣り合う前記制御板の中央に配置されている請求項3に記載の蒸着方法。
- 前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子は、前記蒸着源開口の真正面に位置するただ1つの制御板間空間のみを通過する請求項7に記載の蒸着方法。
- 基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に、前記基板の法線方向に直交する第1方向に沿って配置された複数の制御板とを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記第1方向に隣り合う制御板間空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記被膜の少なくとも一部は、互いに異なる2つ以上の制御板間空間を通過した蒸着粒子によって形成され、
前記蒸着源開口が前記第1方向に沿って複数個配置されており、前記複数の蒸着源開口のそれぞれはノズル形状を有し、
前記第1方向において、前記蒸着源開口は、隣り合う前記制御板の中央に配置されており、
前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子は、前記蒸着源開口の真正面に位置する1つの制御板間空間及びこの制御板間空間の両隣の制御板間空間のみを通過することを特徴する蒸着方法。 - 基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に、前記基板の法線方向に直交する第1方向に沿って配置された複数の制御板とを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記第1方向に隣り合う制御板間空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記被膜の少なくとも一部は、互いに異なる2つ以上の制御板間空間を通過した蒸着粒子によって形成され、
前記蒸着源開口が前記第1方向に沿って複数個配置されており、前記複数の蒸着源開口のそれぞれはノズル形状を有し、
前記蒸着源開口の真正面に前記制御板が配置されていることを特徴する蒸着方法。 - 前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子は、前記蒸着源開口の真正面に配置された前記制御板の両側の2つの制御板間空間のみを通過する請求項10に記載の蒸着方法。
- 前記蒸着源開口の開口径が、前記蒸着源開口の真正面に配置された前記制御板の厚みより大きい請求項10に記載の蒸着方法。
- 基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に、前記基板の法線方向に直交する第1方向に沿って配置された複数の制御板とを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記第1方向に隣り合う制御板間空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記被膜の少なくとも一部は、互いに異なる2つ以上の制御板間空間を通過した蒸着粒子によって形成され、
前記蒸着源開口が前記第1方向に沿って複数個配置されており、前記複数の蒸着源開口のそれぞれはノズル形状を有し、
前記蒸着工程において、前記複数の蒸着源開口及び前記複数の制御板のうちの一方を他方に対して相対的に移動させることを特徴する蒸着方法。 - 基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に、前記基板の法線方向に直交する第1方向に沿って配置された複数の制御板とを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記第1方向に隣り合う制御板間空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記被膜の少なくとも一部は、互いに異なる2つ以上の制御板間空間を通過した蒸着粒子によって形成され、
前記蒸着源開口が前記第1方向に沿って複数個配置されており、前記複数の蒸着源開口のそれぞれはノズル形状を有し、
前記蒸着工程において、前記複数の蒸着源開口及び前記複数の制御板の両方を前記蒸着マスクに対して相対的に移動させることを特徴する蒸着方法。 - 相対的に移動する方向は、前記第1方向である請求項13又は14に記載の蒸着方法。
- 相対的な移動は往復運動である請求項13又は14に記載の蒸着方法。
- 前記往復運動の移動量は、前記複数の蒸着源開口のピッチ及び前記複数の制御板のピッチのうちの大きい方よりも大きい請求項16に記載の蒸着方法。
- 前記往復運動の移動量は、前記複数の蒸着源開口のピッチ及び前記複数の制御板のピッチのうちの大きい方の整数倍である請求項16に記載の蒸着方法。
- 基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着方法であって、
前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクと、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に、前記基板の法線方向に直交する第1方向に沿って配置された複数の制御板とを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記第1方向に隣り合う制御板間空間及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
前記被膜の少なくとも一部は、互いに異なる2つ以上の制御板間空間を通過した蒸着粒子によって形成され、
前記蒸着源開口が前記第1方向に沿ったスロット形状を有し、前記蒸着源開口の前記第1方向の開口径は前記複数の制御板のピッチより大きいことを特徴する蒸着方法。 - 前記蒸着工程において、前記複数の制御板を冷却する請求項1〜19のいずれかに記載の蒸着方法。
- 前記蒸着工程において、前記複数の制御板の温度を所定温度に調整する請求項1〜19のいずれかに記載の蒸着方法。
- 前記被膜が有機EL素子の発光層である請求項1〜21のいずれかに記載の蒸着方法。
- 請求項1〜21のいずれかに記載の蒸着方法を用いて発光層を形成する工程を備える有機EL表示装置の製造方法。
- 基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着装置であって、
前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスク、及び、前記蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に、前記基板の法線方向に直交する第1方向に沿って配置された複数の制御板を備えた蒸着ユニットと、
前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記蒸着源開口から放出され前記第1方向に隣り合う制御板間空間を通過した前記蒸着粒子の流れである蒸着粒子流を前記第2方向に沿って見たとき、重なり合う前記蒸着粒子流の数である重なり度が2以上であり且つ前記第1方向において前記重なり度が一定である位置に前記基板の被蒸着面が配置されることを特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012531787A JP5612106B2 (ja) | 2010-08-30 | 2011-08-17 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010192510 | 2010-08-30 | ||
JP2010192510 | 2010-08-30 | ||
JP2012531787A JP5612106B2 (ja) | 2010-08-30 | 2011-08-17 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 |
PCT/JP2011/068625 WO2012029545A1 (ja) | 2010-08-30 | 2011-08-17 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012029545A1 JPWO2012029545A1 (ja) | 2013-10-28 |
JP5612106B2 true JP5612106B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=45772649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012531787A Active JP5612106B2 (ja) | 2010-08-30 | 2011-08-17 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9391275B2 (ja) |
JP (1) | JP5612106B2 (ja) |
KR (1) | KR101538870B1 (ja) |
CN (1) | CN102959121B (ja) |
WO (1) | WO2012029545A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086456A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | シャープ株式会社 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 |
KR102013315B1 (ko) * | 2012-07-10 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101405101B1 (ko) | 2012-09-13 | 2014-06-10 | 주식회사 선익시스템 | 증착 장치 |
JP5856584B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2016-02-10 | シャープ株式会社 | 制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置 |
WO2015004945A1 (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-15 | シャープ株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
CN103938161A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板蒸镀装置和蒸镀方法 |
JP6404615B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2018-10-10 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子製造用マスク、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
KR102080764B1 (ko) * | 2014-07-11 | 2020-02-24 | 주식회사 원익아이피에스 | 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치 |
KR20160030004A (ko) * | 2014-09-05 | 2016-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기발광 표시장치의 박막 증착방법 |
KR102280264B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화학기상증착장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
US10100397B2 (en) * | 2015-02-25 | 2018-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition unit, vapor deposition device, and vapor deposition method |
JP6567349B2 (ja) * | 2015-07-15 | 2019-08-28 | シャープ株式会社 | 蒸着方法及び蒸着装置 |
JP6538172B2 (ja) * | 2015-08-10 | 2019-07-03 | シャープ株式会社 | 蒸着源および蒸着装置並びに蒸着膜製造方法 |
WO2017054890A1 (en) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | Applied Materials, Inc. | Variable shaper shield for evaporators and method for depositing an evaporated source material on a substrate |
WO2017069036A1 (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | シャープ株式会社 | 制限ユニット、蒸着装置、蒸着膜製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置 |
CN106019819A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
WO2018021170A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
CN107190232A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示基板的蒸镀装置、蒸镀设备及蒸镀方法 |
CN108149191A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-12 | 固安翌光科技有限公司 | 一种新型掩膜及蒸镀装置 |
CN110055498B (zh) * | 2018-01-19 | 2022-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 面蒸镀源及其制作方法、蒸镀方法、蒸镀装置 |
WO2021150524A1 (en) | 2020-01-22 | 2021-07-29 | Applied Materials, Inc. | In-line monitoring of oled layer thickness and dopant concentration |
JP7433449B2 (ja) * | 2020-01-22 | 2024-02-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Oled層の厚さ及びドーパント濃度のインライン監視 |
KR20220016383A (ko) * | 2020-07-31 | 2022-02-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 마스크의 제조방법 |
US11939658B2 (en) * | 2021-04-09 | 2024-03-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Deposition mask, deposition mask apparatus, deposition apparatus, and manufacturing method for organic device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03123021A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 真空成膜装置 |
JP2004103269A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2005344146A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法、有機elパネル |
JP2009170200A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2009203551A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 蒸着装置及び薄膜製造方法 |
JP2010270396A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4430366A (en) * | 1981-02-04 | 1984-02-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Metal/metal oxide coating |
JP3401356B2 (ja) | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JP3019095B1 (ja) | 1998-12-22 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜elデバイスの製造方法 |
TWI252706B (en) * | 2002-09-05 | 2006-04-01 | Sanyo Electric Co | Manufacturing method of organic electroluminescent display device |
US20040086639A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-05-06 | Grantham Daniel Harrison | Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly |
JP4139186B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2008-08-27 | 東北パイオニア株式会社 | 真空蒸着装置 |
JP2004169066A (ja) | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Sony Corp | 蒸着装置 |
JP2004214120A (ja) | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Sony Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
JP4768584B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2011-09-07 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置 |
US20080131587A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Boroson Michael L | Depositing organic material onto an oled substrate |
TWI475124B (zh) | 2009-05-22 | 2015-03-01 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
KR101117719B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
JP5328726B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
CN103124803B (zh) * | 2010-09-27 | 2015-06-17 | 夏普株式会社 | 蒸镀方法、蒸镀装置和有机el显示装置 |
-
2011
- 2011-08-17 KR KR1020137002880A patent/KR101538870B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-17 JP JP2012531787A patent/JP5612106B2/ja active Active
- 2011-08-17 CN CN201180029760.XA patent/CN102959121B/zh active Active
- 2011-08-17 US US13/703,873 patent/US9391275B2/en active Active
- 2011-08-17 WO PCT/JP2011/068625 patent/WO2012029545A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03123021A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 真空成膜装置 |
JP2004103269A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2005344146A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法、有機elパネル |
JP2009170200A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
JP2009203551A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 蒸着装置及び薄膜製造方法 |
JP2010270396A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2012029545A1 (ja) | 2013-10-28 |
KR101538870B1 (ko) | 2015-07-22 |
CN102959121B (zh) | 2014-12-31 |
KR20130024976A (ko) | 2013-03-08 |
WO2012029545A1 (ja) | 2012-03-08 |
US9391275B2 (en) | 2016-07-12 |
CN102959121A (zh) | 2013-03-06 |
US20130089941A1 (en) | 2013-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5612106B2 (ja) | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 | |
JP5612156B2 (ja) | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置 | |
JP5291839B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP5766239B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP5656987B2 (ja) | 有機el素子の製造方法及び製造装置 | |
JP5259886B2 (ja) | 蒸着方法及び蒸着装置 | |
JP5312697B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
JP5269256B2 (ja) | 蒸着方法及び蒸着装置 | |
JP5367195B2 (ja) | 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置の製造方法 | |
WO2012090717A1 (ja) | 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置 | |
US9614155B2 (en) | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5612106 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |