JP5856584B2 - 制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置 - Google Patents

Description

本発明は、被成膜基板に所定パターンの蒸着膜を形成するための制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置に関する。

近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。

そのような状況下、有機材料の電界発光（エレクトロルミネッセンス；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

有機ＥＬ表示装置は、例えば、アクティブマトリクス方式の場合、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに電気的に接続された薄膜状の有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。

フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子が、サブ画素として基板上に配列形成されており、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行う。

したがって、このような有機ＥＬ表示装置を製造するためには、少なくとも、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、有機ＥＬ素子毎に所定パターンで形成する必要がある。

このような発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法等が知られている。例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、主に真空蒸着法が、発光層のパターニングに用いられている。

真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成された蒸着マスク（シャドウマスクとも称される）が使用される。そして、蒸着源からの蒸着粒子（蒸着材料、成膜材料）を、蒸着マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。このとき、蒸着は、発光層の色毎に行われる（これを「塗り分け蒸着」という）。

真空蒸着法は、被成膜基板と蒸着マスクとを固定もしくは順次移動させて密着させることにより成膜する方法と、被成膜基板と蒸着用のマスクとを離間させて走査しながら成膜するスキャン蒸着法とに大別される。

前者の方法では、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクが使用される。しかしながら、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを使用すると、基板の大型化に伴い、蒸着マスクも大型化する。したがって、被成膜基板が大きくなれば、それに伴い、蒸着マスクの自重撓みや伸びにより、被成膜基板と蒸着マスクとの間に隙間が生じ易くなる。そのため、大型基板では、高精度なパターニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生し、高精細化を実現することが困難である。

また、被成膜基板が大きくなれば、蒸着マスクのみならず、蒸着マスク等を保持するフレーム等も巨大になり、その重量も増加する。このため、被成膜基板が大きくなると、蒸着マスクやフレーム等の取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置そのものや、それに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。

そこで、近年、被成膜基板よりも小さな蒸着マスクを用いて走査しながら蒸着（スキャン蒸着）を行うスキャン蒸着法が注目されている。

このようなスキャン蒸着法では、例えば帯状の蒸着マスクを使用し、蒸着マスクと蒸着源とを一体化する等して、被成膜基板と、蒸着マスクおよび蒸着源との少なくとも一方を相対移動させながら被成膜基板全面に蒸着粒子を蒸着する。

このため、スキャン蒸着法では、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを用いる必要がなく、大型の蒸着マスクを用いる場合に特有の上述の問題を改善することができる。

スキャン蒸着法では、一般的に、蒸着源に、蒸着材料を加熱して蒸発または昇華させることにより蒸着粒子として射出（飛散）させる複数の射出口（ノズル）が、走査方向に垂直な方向に一定ピッチで設けられる。

そこで、近年、スキャン蒸着に際し、制限板を用いて蒸着流（蒸着粒子の流れ）を制限することで、あるノズルに対応する蒸着領域（成膜領域）に、該蒸着領域に隣接する蒸着領域に蒸着粒子を射出させる隣接ノズルからの蒸着粒子が飛来しないようにする方法が提案されている。

例えば、特許文献１には、蒸着源の一側に、蒸着源と蒸着マスクとの間の空間を複数の蒸着空間に区画する複数の遮断壁を制限板として備えた遮断壁アセンブリを設けることが開示されている。特許文献１によれば、制限板である遮断壁によって蒸着範囲が制限されることで、蒸着パターンが広がることなく、高精細なパターン蒸着を行うことができる。

特開２０１０−２７０３９６号公報（２０１０年１２月２日公開）

しかしながら、蒸着密度が高くなると（つまり、高レート時には）、従来の制限板では、隣接ノズルからの蒸着粒子の飛来を防ぐことができず、蒸着粒子を蒸着領域に適切に導くことができない。

図２２の（ａ）・（ｂ）は、蒸着源３０１と蒸着マスク３０２との間に、走査方向（走査軸）に垂直な方向に沿って制限板３２０を複数設けた場合における、蒸着密度の違いによる蒸着流の違いを模式的に示す図である。

なお、図２２の（ａ）は、蒸着密度が相対的に低い場合（低レート時）を示し、図２２の（ｂ）は、蒸着密度が相対的に高い場合（高レート時）を示す。

また、図２２の（ａ）・（ｂ）中、Ｙ軸は、被成膜基板２００の走査方向に沿った水平方向軸を示し、Ｘ軸は、被成膜基板２００の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸を示し、Ｚ軸は、被成膜基板２００の被蒸着面２０１（被成膜面）の法線方向であり、該被蒸着面２０１に直交する蒸着軸線が延びる方向である、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な垂直方向軸（上下方向軸）を示す。

制限板３２０の上部開口エッジ３２０ａを通り抜ける蒸着粒子４０１（蒸着流）は、図２２の（ａ）に×印で示すように、低レート時であれば蒸着マスク３０２の非開口部でカットされる。

しかしながら、図２２の（ｂ）に示すように、高レートになると、制限板３２０の上部開口エッジ３２０ａ付近で、蒸着粒子４０１間の衝突・散乱度合いが強くなり、制限板３２０で制限した蒸着流が、制限板３２０の開口部３２１を通り抜けた瞬間に広がってしまう。広がった蒸着流の一部は、隣接するノズル３０１ａによる被成膜基板２００上の隣接成膜領域に侵入する。

この結果、隣接ノズルからの蒸着粒子４０１が、正常パターン膜に混入したり、正常パターン膜間に、低レートであれば形成されない異常パターン膜を形成したりする等、異常成膜を発生させる。これらの現象は、混色発光等の異常発光を引き起こし、表示品位を大きく損なう懸念がある。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、異常成膜の発生を防止することができる制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着ユニットは、蒸着マスクと、上記蒸着マスクに向かって蒸着粒子を射出する蒸着源と、上記蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットとを備え、上記制限板ユニットは、第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板と、平面視で上記第１の制限板上に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第２の制限板と、を少なくとも備えた複数段の制限板を備え、上記第２の制限板は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき少なくとも２枚設けられている。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着ユニットは、蒸着マスクと、上記蒸着マスクに向かって蒸着粒子を射出する蒸着源と、上記蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットとを備え、上記制限板ユニットは、第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板を備え、上記第１の制限板の上面には、上記第１の制限板に沿って、上記第１の方向に突起部が少なくとも２つ設けられている。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、本発明の一態様にかかる上記蒸着ユニットと、上記蒸着ユニットにおける蒸着マスクと被成膜基板とを対向配置した状態で、上記蒸着ユニットおよび上記被成膜基板のうち一方を、上記第１の方向に垂直な第２の方向に相対移動させる移動装置とを備え、上記蒸着マスクの上記第２の方向の幅は、上記第２の方向における被成膜基板の幅よりも小さく、上記第２の方向に沿って走査しながら、上記蒸着源から出射された蒸着粒子を、上記制限板ユニットおよび上記蒸着マスクの開口部を介して上記被成膜基板に蒸着させる。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる制限板ユニットは、蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットであって、第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板と、平面視で上記第１の制限板上に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第２の制限板と、を少なくとも備えた複数段の制限板を備え、上記第２の制限板は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき少なくとも２枚設けられている。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる制限板ユニットは、蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットであって、第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板を備え、上記第１の制限板の上面には、上記第１の制限板に沿って、上記第１の方向に突起部が少なくとも２つ設けられている。

本発明の一態様によれば、蒸着源から射出された蒸着粒子の流れ（蒸着流）は、第１の制限板によって広がりが抑制される。これにより、指向性の悪い蒸着成分がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制限される。制御された蒸着流は、蒸着密度が高い場合（つまり、高レート時）、その高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子間の衝突・散乱のため、第１の制限板間の開口領域を通過後に、再度広がろうとするが、第２の制限板を少なくとも含む後段の制限板もしくは上記突起部によって捕捉されることで、広がりが抑制され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスクを通過する。このとき、第１の方向に、第１の制限板１枚につき第２の制限板が少なくとも２枚設けられているか、もしくは、上記突起部が少なくとも２つ設けられていることで、第１の制限板における第１方向両端側に広がる蒸着流を効果的に捕捉することができる。このため、上記方向への蒸着流の広がりを効果的に抑制することができる。この結果、異常パターン膜等の異常成膜の発生を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。また、上記の構成によれば、第２の制限板は、平面視で第１の制限板上に配置され、第２の制限板は、第１の制限板間の開口領域直上には存在しないので、蒸着レートを全く落とすことなく真に指向性が悪くなった成分のみを効率的に捕捉することができる。

実施形態１にかかる蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す断面図である。 実施形態１にかかる蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す斜視図である。 実施形態１にかかる制限板ユニットの要部の概略構成を示す平面図である。 （ａ）・（ｂ）は、実施形態１にかかる制限板ユニットにおける第２の制限板アセンブリの概略構成の一例を示す斜視図である。 実施形態１にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、比較例として、それぞれ、１枚の第１の制限板に対し、第１の制限板よりも小さい第２の制限板を１枚だけ設けた例を示す断面図である。 比較例として、１枚の第１の制限板に対し、第１の制限板上から蒸着マスクの下端までの高さを有する第２の制限板を１枚だけ設けた例を示す断面図である。 第２の制限板の好適な配置の一例を示す、実施形態１にかかる蒸着ユニットの要部断面図である。 図８に示す第２の制限板を設けた場合の蒸着ユニットと、第２の制限板を設けずに第１の制限板を第２の制限板と同じ高さまでＺ軸方向に延伸した場合の蒸着ユニットとを並べて示す断面図である。 実施形態１の第２の制限板の変形例１にかかる蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、実施形態１の第２の制限板の変形例２にかかる制限板ユニットの要部における第２の制限板のパターン例を示す平面図である。 実施形態１の第２の制限板の変形例３にかかる制限板ユニットの要部における第２の制限板のパターン例を、射出口と併せて示す平面図である。 実施形態１の第２の制限板の変形例４にかかる制限板ユニットの要部における第２の制限板のパターン例を、射出口と併せて示す平面図である。 実施形態２にかかる蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す断面図である。 図１に示す第２の制限板のＸ方向の厚みを厚くした例を示す蒸着ユニットの要部断面図である。 第１の制限板アセンブリと蒸着マスクとの間に、第２の制限板アセンブリおよび第３の制限板アセンブリを設けた蒸着ユニットの概略構成を示す断面図である。 実施形態３の変形例２にかかる蒸着ユニットの概略構成の一例を示す断面図である。 実施形態３の変形例３にかかる蒸着ユニットの概略構成の一例を示す断面図である。 （ａ）・（ｂ）は、実施形態３の変形例３にかかる各段の制限板の配設方法の一例を示す断面図である。 実施形態３の変形例４にかかる蒸着ユニット１の概略構成の一例を示す断面図である。 実施形態４にかかる蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す断面図である。 （ａ）・（ｂ）は、蒸着源と蒸着マスクとの間に、走査方向に垂直な方向に沿って制限板を複数設けた場合における、蒸着密度の違いによる蒸着流の違いを模式的に示す図である。

以下、本発明の実施形態の一例について、詳細に説明する。

〔実施形態１〕
本発明の実施の一形態について図１〜図１３に基づいて説明すれば以下の通りである。

＜蒸着ユニットの要部の概略構成＞
図１は、本実施形態にかかる蒸着装置１００（図５参照）における蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す断面図である。また、図２は、上記蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す斜視図である。

なお、以下では、被成膜基板２００の走査方向（走査軸）に沿った水平方向軸をＹ軸とし、被成膜基板２００の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸をＸ軸とし、被成膜基板２００の被蒸着面２０１（被成膜面）の法線方向であり、該被蒸着面２０１に直交する蒸着軸線が延びる方向である、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な垂直方向軸（上下方向軸）をＺ軸として説明する。また、説明の便宜上、特に言及しない限りは、Ｚ軸方向の矢印の側（図１の紙面の上側）を「上側」として説明する。

図１および図２に示すように、本実施形態にかかる蒸着ユニット１は、蒸着源１０と、蒸着マスク５０と、蒸着源１０と蒸着マスク５０との間に設けられた制限板ユニット２０とを備えている。

制限板ユニット２０は、複数段の制限板を備え、各段の制限板により、それぞれ、制限板アセンブリが形成されている。すなわち、制限板ユニット２０は、Ｚ軸方向に配された複数の制限板アセンブリを備えている。本実施形態では、図１および図２に示すように、制限板ユニット２０が、第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０の２つの制限板アセンブリを備えている。

蒸着源１０、第１の制限板アセンブリ３０、第２の制限板アセンブリ４０、蒸着マスク５０は、Ｚ軸方向に沿って蒸着源１０側からこの順に、例えば互いに一定の空隙を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。

蒸着装置１００は、スキャン蒸着方式を用いた蒸着装置である。このため、蒸着装置１００では、蒸着マスク５０と被成膜基板２００との間に一定の空隙を設けた状態で、被成膜基板２００および蒸着ユニット１の少なくとも一方を相対移動（走査）させる。

このため、蒸着源１０、第１の制限板アセンブリ３０、第２の制限板アセンブリ４０、および蒸着マスク５０は、互いにその相対的な位置が固定されている。したがって、これら蒸着源１０、第１の制限板アセンブリ３０、第２の制限板アセンブリ４０、および蒸着マスク５０は、例えば図５に示すホルダ６０のように、同一のホルダ等の図示しない保持部材によって保持されていてもよく、一体化されていてもよい。

（蒸着源１０）
蒸着源１０は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。蒸着源１０は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。

蒸着源１０は、図２に示すように、例えば矩形状に形成されている。蒸着源１０は、図１および図２に示すように、その上面（すなわち、第１の制限板アセンブリ３０との対向面）に、蒸着粒子４０１を射出させる複数の射出口１１（貫通口、ノズル）を有している。これら射出口１１は、Ｘ軸方向（第１の方向、走査方向に垂直な方向）に一定ピッチで配されている。

蒸着源１０は、蒸着材料を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子４０１を発生させる。蒸着源１０は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子４０１として、射出口１１から第１の制限板アセンブリ３０に向かって射出する。

なお、図１、図２および図５では、Ｘ軸方向に蒸着源１０が１つ設けられているとともに、１つの蒸着源１０に複数の射出口１１が設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、Ｘ軸方向における蒸着源１０の数並びに１つの蒸着源１０に設けられる射出口１１の数は特に限定されるものではない。例えば、Ｘ軸方向に複数の蒸着源１０が配されていてもよい。また、１つの蒸着源１０には、少なくとも１つ射出口１１が形成されていればよい。

また、射出口１１は、図２に示すようにＸ軸方向に一次元状（すなわち、ライン状）に配列されていてもよく、二次元状（すなわち、面状（タイル状））に配列されていても構わない。

（蒸着マスク５０）
図１、図２および図５に示すように、蒸着マスク５０は、その主面（面積が最大である面）であるマスク面がＸＹ平面と平行な板状物である。スキャン蒸着を行う場合、蒸着マスク５０には、被成膜基板２００よりも少なくともＹ軸方向のサイズが小さな蒸着マスクが使用される。

蒸着マスク５０の主面には、蒸着時に蒸着粒子４０１を通過させるための複数のマスク開口５１（開口部、貫通口）が設けられている。マスク開口５１は、被成膜基板２００における、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子４０１が付着しないように、上記蒸着領域の一部のパターンに対応して設けられている。マスク開口５１を通過した蒸着粒子４０１のみが被成膜基板２００に到達し、被成膜基板２００に、マスク開口５１に対応したパターンの蒸着膜４０２が形成される。

なお、上記蒸着材料が有機ＥＬ表示装置における発光層の材料である場合、有機ＥＬ蒸着プロセスにおける発光層の蒸着は、発光層の色毎に行われる。

（制限板ユニット２０）
図３は、制限板ユニット２０の要部の概略構成を示す平面図である。

図１〜図３および図５に示すように、制限板ユニット２０は、第１の制限板アセンブリ３０と第２の制限板アセンブリ４０とを備えている。

第１の制限板アセンブリ３０は、Ｘ軸方向（第１の方向）に互いに離間し、かつ、互いに平行に設けられた、複数の第１の制限板３２からなる第１の制限板列３１を備えている。

また、第２の制限板アセンブリ４０は、第１の制限板３２上に、Ｘ軸方向（第１の方向）に互いに離間し、かつ、第１の制限板３２に沿って互いに平行に設けられた、複数の第２の制限板４２からなる第２の制限板列４１を備えている。

第１の制限板３２および第２の制限板４２は、それぞれ、ＹＺ平面を主面とし、それぞれの主面が、Ｘ軸方向に隣り合うとともに、ＸＹ平面を主面とする蒸着マスク５０の主面並びに被成膜基板２００の被蒸着面２０１に対して垂直となるように配されている。

このため、第１の制限板３２は、平面視で（言い換えれば、蒸着マスク５０の主面に垂直な方向、つまり、Ｚ軸に平行な方向、から見たときに）、それぞれＹ軸に平行に延設されており、それぞれ同一ピッチでＸ軸方向に互いに平行に複数配列されている。これにより、Ｘ軸方向に隣り合う第１の制限板３２間には、平面視で、それぞれ、開口領域として、制限板開口３３が形成されている。

なお、本実施形態では、第１の制限板３２は、蒸着源１０の射出口１１が、それぞれ、各制限板開口３３のＸ軸方向中央に位置するように配置されている。また、制限板開口３３のピッチは、マスク開口５１のピッチよりも大きく形成されており、蒸着マスク５０の主面に垂直な方向から見たとき、Ｘ軸方向に隣り合う第１の制限板３２間には、複数のマスク開口５１が配されている。

一方、第２の制限板４２は、第１の制限板３２上に、１枚の第１の制限板３２につきＸ軸方向に少なくとも２枚設けられている。図１〜図３および図５では、第２の制限板４２が、第１の制限板３２上に、第１の制限板３２に沿って、Ｘ軸方向に２枚１組で設けられている場合を例に挙げて示している。

このため、第２の制限板４２は、平面視で、それぞれＹ軸に平行に延設されており、２枚１組で設けられた各組の第２の制限板４２が、それぞれ同一ピッチでＸ軸方向に互いに平行に複数配列されている。これにより、Ｘ軸方向に隣り合う各組の第２の制限板４２間に、それぞれ、開口領域として、制限板開口４３ｂが形成されている。

また、平面視で同一の第１の制限板３２上に設けられた、対をなす第２の制限板４２は、互いに離間して設けられており、対をなす第２の制限板４２間には、開口領域として、制限板開口４３ａが形成されている。

なお、本実施形態では、第１の制限板３２および第２の制限板４２は、それぞれ、例えば長方形状に形成されている。第１の制限板３２および第２の制限板４２は、それぞれ、その短軸がＺ軸方向に平行になるように垂直に配されている。このため、第１の制限板３２および第２の制限板４２は、その長軸がＹ軸方向（第２の方向）に平行に配されている。

また、図２では、第１の制限板アセンブリ３０が、隣り合う第１の制限板３２間にそれぞれ制限板開口３３が設けられた、ブロック状のユニットである場合を例に挙げて示している。

図４の（ａ）・（ｂ）は、第２の制限板アセンブリ４０の概略構成の一例を示す斜視図である。

第２の制限板アセンブリ４０は、図４の（ａ）に示すように、制限板開口４３ａを介して設けられた、一対の第２の制限板４２を１組として、隣り合う各組の第２の制限板４２間にそれぞれ制限板開口４３ｂが設けられた、ブロック状のユニットであってもよく、あるいは、例えば図４の（ｂ）に示す構成を有していてもよい。

図４の（ｂ）に示す第２の制限板アセンブリ４０は、上述した制限板開口４３ａ・４３ｂを介して配列された第２の制限板４２が、それぞれ、Ｘ軸方向と平行な一対の第１の保持部材４４とＹ軸方向と平行な一対の第２の保持部材４５とで構成される枠状の保持体４６に、例えば溶接等の方法で一体的に保持されている。

なお、第１の制限板アセンブリ３０は、第２の制限板アセンブリ４０同様、制限板開口３３を介して配列された第１の制限板３２が、それぞれ、Ｘ軸方向と平行な一対の第１保持部材とＹ軸方向と平行な一対の第２保持部材とで構成される、保持体４６と同様の枠状の保持体に、例えば溶接等の方法で一体的に保持されている構成を有していてもよい。

すなわち、各制限板は、例えば図２および図４の（ａ）に示すように、各制限板を保持（支持）する保持体と一体的に形成されていてもよく、図４の（ｂ）に示すように別体で形成されていてもよい。

第１の制限板３２および第２の制限板４２の相対的位置や姿勢を一定に維持することができれば、これら第１の制限板３２および第２の制限板４２を保持する方法は、上記の方法に限定されない。

制限板ユニット２０は、これら第１の制限板３２および第２の制限板４２によって、蒸着マスク５０と蒸着源１０との間の空間を、制限板開口３３・４３ｂからなる複数の蒸着空間に区画することで、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の通過角度を制限する。

蒸着密度が高くなると、蒸着流の広がりが大きくなるので、蒸着流の広がりを抑制するためには、蒸着流の広がりを立体的に絞る必要がある。

蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１は、制限板開口３３を通った後、制限板開口４３ｂ間を通り、蒸着マスク５０に形成されたマスク開口５１を通過して、被成膜基板２００に蒸着される。

第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０は、これら第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０に入射した蒸着粒子４０１を、図１に示すように、その入射角度に応じて選択的にカット（捕捉）する。つまり、第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０は、第１の制限板３２および第２の制限板４２に衝突した蒸着粒子４０１の少なくとも一部を捕捉することで、第１の制限板３２および第２の制限板４２の配設方向（つまり、Ｘ軸方向および斜め方向）への蒸着粒子４０１の移動を制限する。

これにより、第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０は、蒸着マスク５０のマスク開口５１に入射する蒸着粒子４０１の入射角を一定範囲内に制限し、被成膜基板２００に対する斜め方向からの蒸着粒子４０１の付着を防止する。

なお、第１の制限板３２および第２の制限板４２は、斜めの蒸着成分をカットするため、加熱しないか、図示しない熱交換器により冷却される。このため、第１の制限板３２および第２の制限板４２は、蒸着源１０の射出口１１よりも低い温度（より厳密には、蒸着材料が気体になる蒸着粒子発生温度よりも低い温度）になっている。

このため、第１の制限板アセンブリ３０には、図５に二点鎖線で示すように、必要に応じて、第１の制限板３２を冷却する、熱交換器等を備えた、冷却機構３８が設けられていてもよい。同様に、第２の制限板アセンブリ４０には、図５に二点鎖線で示すように、必要に応じて、第２の制限板４２を冷却する、熱交換器等を備えた、冷却機構４８が設けられていてもよい。これにより、被成膜基板２００の法線方向に完全に平行にならない不要な蒸着粒子４０１が、第１の制限板３２および第２の制限板４２により冷却され、固化される。これにより、第１の制限板３２および第２の制限板４２で、不要な蒸着粒子４０１を容易に捕捉することができ、蒸着粒子４０１の進行方向を、被成膜基板２００の法線方向に近づけることができる。

なお、制限板ユニット２０を用いた場合の蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）並びに第２の制限板４２の好適な設計については、後で説明する。

＜蒸着装置１００の概略構成＞
次に、図５を参照して、上記蒸着ユニット１を用いた蒸着装置１００の一例について説明する。

図５は、本実施形態にかかる蒸着装置１００における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図５は、本実施形態にかかる蒸着装置１００におけるＸ軸方向に平行な断面を示している。

図５に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置１００は、真空チャンバ１０１（成膜チャンバ）、基板ホルダ１０２（基板保持部材）、基板移動装置１０３、蒸着ユニット１、蒸着ユニット移動装置１０４、イメージセンサ１０５等のアライメント観測手段、および、図示しないシャッタや、蒸着装置１００を駆動制御するための図示しない制御回路等を備えている。

そのうち、基板ホルダ１０２、基板移動装置１０３、蒸着ユニット１、蒸着ユニット移動装置１０４は、真空チャンバ１０１内に設けられている。

なお、真空チャンバ１０１には、蒸着時に該真空チャンバ１０１内を真空状態に保つために、該真空チャンバ１０１に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ１０１内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。

＜基板ホルダ１０２＞
基板ホルダ１０２は、被成膜基板２００を保持する基板保持部材である。基板ホルダ１０２は、ＴＦＴ基板等からなる被成膜基板２００を、その被蒸着面２０１が、蒸着ユニット１における蒸着マスク５０に面するように保持する。

被成膜基板２００と蒸着マスク５０とは、一定距離離間して対向配置されており、被成膜基板２００と蒸着マスク５０との間には、一定の高さの空隙が設けられている。

基板ホルダ１０２には、例えば静電チャック等が使用されることが好ましい。被成膜基板２００が基板ホルダ１０２に静電チャック等の手法で固定されていることで、被成膜基板２００は、自重による撓みがない状態で基板ホルダ１０２に保持される。

＜基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４＞
本実施形態では、基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４の少なくとも一方により、被成膜基板２００と、蒸着ユニット１とを、Ｙ軸方向が走査方向となるように相対的に移動させてスキャン蒸着を行う。

基板移動装置１０３は、例えば図示しないモータを備え、図示しないモータ駆動制御部によってモータを駆動させることで、基板ホルダ１０２に保持された被成膜基板２００を移動させる。

また、蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば図示しないモータを備え、図示しないモータ駆動制御部によってモータを駆動させることで、蒸着ユニット１を、被成膜基板２００に対して相対移動させる。

また、これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば図示しないモータを駆動させることにより、蒸着マスク５０の非開口領域に設けられたアライメントマーカ５２および被成膜基板２００における非蒸着領域に設けられたアライメントマーカ２０２により、蒸着マスク５０と被成膜基板２００との位置ズレが解消されるように位置補正を行う。

これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば、ローラ式の移動装置であってもよく、油圧式の移動装置であってもよい。

これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば、ステッピングモータ（パルスモータ）等のモータ（ＸＹθ駆動モータ）、コロ、およびギヤ等で構成される駆動部と、モータ駆動制御部等の駆動制御部とを備え、駆動制御部により駆動部を駆動させることで、被成膜基板２００または蒸着ユニット１を移動させるものであってもよい。また、これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、ＸＹＺステージ等からなる駆動部を備え、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の何れの方向にも移動自在に設けられていてもよい。

但し、被成膜基板２００および蒸着ユニット１は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよい。言い換えれば、基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、その少なくとも一方が設けられていればよい。

例えば被成膜基板２００が移動可能に設けられている場合、蒸着ユニット１は、真空チャンバ１０１の内壁に固定されていてもよい。逆に、蒸着ユニット１が移動可能に設けられている場合、基板ホルダ１０２は、真空チャンバ１０１の内壁に固定されていても構わない。

＜蒸着ユニット１＞
蒸着ユニット１は、蒸着源１０、第１の制限板アセンブリ３０、第２の制限板アセンブリ４０、蒸着マスク５０、ホルダ６０、防着板６５、および図示しないシャッタ等を備えている。なお、蒸着源１０、第１の制限板アセンブリ３０、第２の制限板アセンブリ４０、蒸着マスク５０については、既に説明したため、ここでは、その説明を省略する。

なお、図５では、一例として、対をなす第２の制限板４２が、その直下の第１の制限板３２のＸ軸方向の両端部近傍、具体的には、対をなす第２の制限板４２における、それぞれの第１の制限板３２のＸ軸方向端部側のエッジが、第１の制限板３２のＸ軸方向端部と一直線上に位置している場合を例に挙げて図示している。

（ホルダ６０）
ホルダ６０は、蒸着源１０、第１の制限板アセンブリ３０、第２の制限板アセンブリ４０、蒸着マスク５０を保持する保持部材である。

ホルダ６０には、例えば、第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０を支持するために、それぞれに対応して、例えば一対のスライド装置６１や支持部材６２が備えられている。

スライド装置６１は、ホルダ６０のＸ軸方向両端部にそれぞれ対向して配設される。また、支持部材６２は、各スライド装置６１の対向面側に設けられている。これら支持部材６２は、互いに対向した状態でＺ軸方向やＸ軸方向にスライド変位可能であり、スライド装置６１や図示しない制限板制御装置との協働によって、その動きが制御されている。

また、第１の制限板アセンブリ３０におけるＸ方向の両端部には、支持部材６２に脱着可能に設けられた支持部３７がそれぞれ設けられている。また、第２の制限板アセンブリ４０におけるＸ方向の両端部には、支持部材６２に着脱可能に設けられた支持部４７がそれぞれ設けられている。これにより、第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０はホルダ６０から着脱が可能であり、これら第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０に堆積した蒸着材料を定期的に回収することができるようになっている。

なお、蒸着材料は加熱すれば溶融または蒸発するため、加熱処理することによって容易に回収することができる。蒸着マスク５０は、その開口幅や平面度等、求められる寸法精度が高いため、歪みを招くおそれがあり、加熱処理を行うことができない。しかしながら、第１の制限板アセンブリ３０および第２の制限板アセンブリ４０には、蒸着マスク５０ほどの高度な寸法精度は求められないため、加熱処理が可能であり、堆積した蒸着材料を簡単に回収することができる。従って、高い材料の利用効率を確保することができる。

また、蒸着ユニット１には、例えばホルダ６０に、蒸着マスク５０にテンションをかけるテンション機構６３が設けられていることが望ましい。これにより、蒸着マスク５０にテンションをかけた状態で蒸着マスク５０を水平に保持することができ、蒸着マスク５０と、蒸着源１０、第１の制限板アセンブリ３０、および第２の制限板アセンブリ４０との相対的な位置関係を固定することができる。

＜防着板６５＞
上記蒸着装置１００において、蒸着源１０から飛散した蒸着粒子４０１は、蒸着マスク５０内に飛散するように調整されており、蒸着マスク５０外に飛散する蒸着粒子は、防着板６５（遮蔽板）等で適宜除去される構成としてもよい。

＜シャッタ＞
被成膜基板２００の方向に蒸着粒子を飛来させないときには、図示しないシャッタを用いて、蒸着粒子４０１の蒸着マスク５０への到達を制御することが望ましい。

このため、例えば蒸着源１０と第１の制限板アセンブリ３０との間には、蒸着粒子４０１の蒸着マスク５０への到達を制御するために、必要に応じて、図示しないシャッタが、蒸着ＯＦＦ（オフ）信号もしくは蒸着ＯＮ（オン）信号に基づいて進退可能（挿抜可能）に設けられていてもよい。

蒸着源１０と第１の制限板アセンブリ３０との間にシャッタを適宜差し挟むことで、蒸着を行わない非蒸着領域への蒸着を防止することができる。なお、シャッタは、蒸着源１０と一体的に設けられていてもよく、蒸着源１０とは別に設けられていても構わない。

＜蒸着装置１００における蒸着粒子４０１の流れ＞
次に、図１を参照して、上記蒸着装置１００における、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）について説明する。

蒸着源１０の射出口１１から出射された蒸着粒子４０１（蒸着流）は、射出口１１から等方的に広がる。等方分布を有する蒸着流は、そのＸ軸方向両端側が第１の制限板３２によってカット（捕捉）されることで、広がりが抑制される。

第１の制限板３２によって広がりが抑制された蒸着流は、高レート時に高い蒸着密度が起因で生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板３２間の開口領域である制限板開口３３を通過後に、再度広がる。

しかしながら、制限板開口３３を通過後に広がった蒸着流は、第２の制限板４２によってカット（捕捉）されることで、再度広がりが抑制される。

第２の制限板４２によって広がりが抑制された状態を維持した蒸着流は、蒸着マスク５０のマスク開口５１を通過し、被成膜基板２００に蒸着される。

したがって、本実施形態によれば、上記蒸着ユニット１および上記被成膜基板２００のうち一方をスキャン軸方向であるＹ軸方向に相対移動させる移動装置（基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４のうち少なくとも一方）を用いて相対移動させることにより、被成膜基板２００をスキャン軸方向（Ｙ軸方向）に走査することで、各塗り分け層（例えば各色の発光層）を形成することができる。

＜比較例＞
ここで、本実施形態にかかる制限板ユニット２０との比較のために、１枚の第１の制限板３２に対し、第１の制限板３２よりも小さい第２の制限板４２を１枚だけ設けた場合について説明する。

特許文献１には、制限板の変形例として、蒸着源と蒸着マスクとの間に、複数の第１遮断壁を備える第１遮断壁アセンブリと、複数の第２遮断壁を備える第２遮断壁アセンブリとを、互いに対応するように配することが開示されている（例えば特許文献１の図２７参照）。

しかしながら、特許文献１では、第１の制限板である第１遮断壁一つに対し、第２の制限板である第２遮断壁が１つしか設けられていない。このため、特許文献１に記載の方法では、第１遮断壁の両側に広がる蒸着流の広がりを完全に抑えることができない。この理由を以下に説明する。

図６の（ａ）〜（ｄ）は、比較例として、それぞれ、１枚の第１の制限板３２に対し、第１の制限板３２よりも小さい第２の制限板４２を１枚だけ設けた例を示す断面図である。また、図７は、比較例として、１枚の第１の制限板３２に対し、第１の制限板３２上から蒸着マスク５０の下端までの高さを有する第２の制限板４２を１枚だけ設けた例を示す断面図である。

１枚の第１の制限板３２に対し、第２の制限板４２を１枚だけ設ける場合に、特許文献１のように第２の制限板４２を第１の制限板３２の中央に、第１の制限板３２に近接して設けた場合、図６の（ａ）に示すように、高レート時に、第１の制限板３２通過後の蒸着流のＸ軸方向の両側の広がりを抑えることができない。

また、図６の（ｂ）に示すように、第２の制限板４２を、第１の制限板３２のＸ軸方向の一方の端部側に配置した場合、高レート時に、第１の制限板３２のＸ軸方向の他方の端部側の蒸着流の広がりを抑えることができない。

１枚の第１の制限板３２に対し、第２の制限板４２を１枚だけ設ける場合、第２の制限板４２は、図６の（ｃ）に示すように、隣り合う制限板開口３３を通過した蒸着流が交差する位置、つまり、第１の制限板３２のＸ軸方向両端部と、隣接する射出口１１による蒸着領域（隣接成膜領域）に対応する蒸着マスク５０のマスク開口５１とを結ぶ線が交差する領域に設置することが望ましい。

しかしながら、図６の（ｄ）に示すように蒸着流がさらに広がってしまう場合には、６６の（ｃ）に示す位置に第２の制限板４２を設けても、蒸着流をカット（捕捉）することはできない。なお、図６の（ｃ）と図６の（ｄ）とは、第２の制限板４２の位置は同じであるが、蒸着レートが異なっている場合を示している。

しかしながら、図６の（ｄ）に示す蒸着流をカットするため、第２の制限板４２の位置を下げる（第１の制限板３２に近接させる）と、図６の（ａ）に示したように広がりが小さい蒸着流をカットできなくなるおそれがある。

このため、１枚の第１の制限板３２に対し、第２の制限板４２を１枚だけ使用してあらゆる蒸着流に対応するためには、図７に示すように第１の制限板３２から蒸着マスク５０の下端までの高さを有する第２の制限板４２を設置せざるを得ない。

しかしながら、図７に示すような容積の大きな第２の制限板４２を設けると、蒸着粒子４０１が飛散する空間体積が減少し、圧力が上昇する。その結果、蒸着粒子４０１間の衝突・散乱確率が高まる。

特に、図７では、Ｚ軸方向で空間体積分布が不変であり、かつ、蒸着マスク５０近傍まで第２の制限板４２を高くしていることで、蒸着粒子４０１が、第２の制限板４２で囲まれた領域に閉じ込められた状態になる。このため、蒸着粒子４０１の粒子間散乱が非常に強まる。

このため、第１の制限板３２で蒸着流を制限して蒸着流に指向性をもたせたにも拘らず、第２の制限板４２間を通過させることで、蒸着流が再度等方的な分布となる。この結果、本来成膜すべき箇所で成膜パターンが広がり、成膜領域間でパターンボケを引き起こし、蒸着膜４０２のボケ幅の増大、隣接画素への混色、隣接ノズル領域への蒸着粒子４０１の侵入、画素内での膜厚不均一による不均一発光等の問題を引き起こす。

したがって、あらゆる蒸着流に対応するためには、第２の制限板４２は、１枚の第１の制限板３２に対し、Ｘ軸方向に少なくとも２枚必要である。

＜効果＞
本実施形態によれば、図１〜図３および図５に示すように、第１の制限板３２と第２の制限板４２とは、同一ＹＺ面で平行になるように設置されている。第２の制限板４２は第１の制限板３２と対であり、１枚の第１の制限板３２に対し、第２の制限板４２は、Ｘ軸方向に少なくとも２枚以上で構成されて対をなしている。

本実施形態によれば、このように第１の制限板３２と第２の制限板４２とを配置するとともに、１枚の第１の制限板３２につき第２の制限板４２がＸ軸方向に少なくとも２枚設けられている。このため、Ｘ軸方向において両側に広がる蒸着流の広がりを完全に抑えることができ、第１の制限板３２の制限板開口３３を通過後に広がった蒸着流を、第２の制限板４２で効率良く捕捉することができ、異常パターン膜等の異常成膜を防ぐことができる。

また、本実施形態によれば、第１の制限板３２を通過後に広がった蒸着流は、第２の制限板４２によってカット（捕捉）され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスク５０のマスク開口５１を通過し、被成膜基板２００に蒸着される。このため、本実施形態によれば、隣接ノズルからの蒸着粒子４０１が、正常パターン膜に混入したり、正常パターン膜間に、異常パターン膜を形成したりする等の異常成膜を防止することができる。

また、第２の制限板４２は、平面視で第１の制限板３２上に配置される。つまり、第２の制限板４２は、第１の制限板３２よりも狭い範囲に配置される。このため、本実施形態によれば、第２の制限板４２は、制限板開口３３直上には存在しないので、蒸着レートを全く落とすことなく真に指向性が悪くなった成分のみを効率的に捕捉することができる。

＜第２の制限板４２の好適な設計＞
次に、第２の制限板４２の好適な設計について説明する。

（第２の制限板４２のＸ軸方向の位置）
図８は、第２の制限板４２の好適な配置の一例を示す、本実施形態にかかる蒸着ユニット１の要部断面図である。なお、図８でも、図１同様、蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示している。

第１の制限板３２の上部開口近傍（つまり、制限板開口３３における上部近傍）は、蒸着密度が高く、蒸着粒子４０１の粒子間散乱が増大し、蒸着流が広がり易い。

このため、広がった蒸着流をカットするためには、平面視で同一の第１の制限板３２上に設けられる、対をなす第２の制限板４２は、できるだけ離間して設けられていることが好ましい。例えば図５に示すように、対をなす第２の制限板４２が、その直下の第１の制限板３２のＸ軸方向の両端部近傍に位置していることがより好ましい。特に、対をなす第２の制限板４２が、少なくとも、その真下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部の少なくとも一部と接触する位置に形成されていること、より好適には、図８に示すように、対をなす第２の制限板４２が、その直下の第１の制限板３２のＸ軸方向の両端部と面一に形成されていることで、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側に広がる蒸着流を効率良く捕捉することができる。このため、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側への蒸着流の広がりを、より効果的に抑制することができる。

但し、本来使うべき蒸着流の広がりまでカットする懸念がある場合は、図８に示したように第１の制限板３２のＸ軸方向端部（第１の制限板３２における制限板開口３３の開口エッジ）と第２の制限板４２のＸ軸方向端部（より具体的には、対をなす第２の制限板４２における、それぞれの第１の制限板３２のＸ軸方向端部側のエッジ）とを面一にしたり、対をなす第２の制限板４２が、少なくとも、その真下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部の少なくとも一部と接触する位置に形成したりする必要はない。

例えば、蒸着マスク５０や、形成すべきパネル（被成膜基板２００）の設計上、第１の制限板３２の開口エッジの蒸着流まで使用する必要がある場合には、第２の制限板４２のエッジを、第１の制限板３２の開口エッジの蒸着流の利用が可能な程度に第１の制限板３２の開口エッジから離間させて形成すればよい。

つまり、第１の制限板３２は、射出口１１から出射する蒸着流のどの領域を使用するかを決めているだけであり、蒸着膜４０２の蒸着分布は、射出口１１（ノズル）の直上が一番厚く、射出口１１の端（ノズル端）上に向かうにつれて薄くなる。

通常、マスク開口５１は蒸着分布の平坦な領域を使用し、ノズル端の膜厚が薄い箇所はマスク開口５１を設けず、蒸着マスク５０で遮蔽する。しかしながら、マスク開口５１のＹ方向の長さをノズル端に向かうに従って長くする等の工夫をすることで、ノズル中央とノズル端での膜厚分布を相殺することが可能となる。つまり、マスク設計によっては、第１の制限板３２の開口エッジの蒸着流まで有効利用することができる。

スキャン蒸着では、１つのノズルが担当する蒸着領域は、第１の制限板３２によって可変であり、蒸着流の均一な狭い幅だけを利用する場合は、多数のノズルを使用してスキャンする必要がある。また、場合によっては、一度のスキャンでパネル（被成膜基板２００）全面を蒸着できず、ノズルをずらして再度スキャンする必要がある。このような場合、ノズル間のばらつきやノズルをずらす前後でのばらつき（例えば熱履歴のばらつき）が蒸着膜に反映され、蒸着ムラとなって視認され易くなる。

しかしながら、上述したように第１の制限板３２の開口エッジの蒸着流まで有効利用することで、利用する蒸着流を広くとると、少数の射出口１１（ノズル）で蒸着を行うことができるので、蒸着ムラの程度を軽減できるといったメリットがある。

（図８に示す第２の制限板４２を設ける場合と、第１の制限板３２を第２の制限板４２と同じ高さまでＺ軸方向に延伸した場合との対比）
図８に示す第２の制限板４２は、Ｘ軸方向から見れば、第１の制限板３２をＺ軸方向に延伸したのと同じ形状を有している。

そこで、以下では、図８に示す第２の制限板４２を設ける場合と、第１の制限板３２を第２の制限板４２と同じ高さまでＺ軸方向に延伸する場合との蒸着粒子４０１の流れの違いについて説明する。

図９は、図８に示す第２の制限板４２を設けた場合の蒸着ユニット１と、第２の制限板４２を設けずに第１の制限板３２を第２の制限板４２と同じ高さまでＺ軸方向に延伸した場合の蒸着ユニット１とを並べて示す断面図である。

なお、図９中、右側の蒸着ユニット１（右図）が、図８に示す第２の制限板４２を設けた場合であり、左側の蒸着ユニット１（左図）が、第１の制限板３２を第２の制限板４２と同じ高さまでＺ軸方向に延伸した場合である。また、図９中、点線枠領域Ａは、第２の制限板４２が設けられている領域を示すとともに、第１の制限板３２をＺ軸方向に延伸した領域を示し、点線枠領域Ｂは、点線枠領域Ｂに隣接する、第１の制限板３２や第２の制限板４２が設けられていない領域を示す。

図９に示す点線枠領域Ａにおける、左図のＺ軸方向に延伸した第１の制限板３２もしくは右図の第２の制限板４２が占める割合は、前者（左図）の方が多いことが判る。このことから、点線枠領域Ａと点線枠領域Ｂとの境界における圧力差は、第２の制限板４２を設けた右図よりも、第１の制限板３２をＺ軸方向に延伸した左図の方が大きいことが判る。

したがって、点線枠領域Ａから点線枠領域Ｂに蒸着粒子４０１が侵入した場合、上述した圧力差の違いにより、左図に示す蒸着ユニット１は、蒸着粒子４０１が点線枠領域Ｂで広がってしまい、成膜パターンが広がるのに対し、右図に示す蒸着ユニット１では、蒸着流の広がりを抑えることができ、異常成膜を防止することができる。

（第１の制限板３２と第２の制限板４２との間のＺ軸方向の距離）
第１の制限板３２と第２の制限板４２との間に隙間があると、隙間の大きさにもよるが、制限板開口３３を通過後に広がった蒸着流が、第１の制限板３２と第２の制限板４２との間の隙間を介して漏れるおそれがあり、漏れた蒸着流が、隣接ノズル領域に侵入する懸念がある。

このため、第１の制限板３２と第２の制限板４２は、できるだけ近接して設けられていることが好ましく、互いに接触（密着）して設けられていることが最も好ましい。

（第１の制限板３２および第２の制限板４２の高さ）
第１の制限板３２および第２の制限板４２の高さは、射出口１１と蒸着マスク５０との間の距離に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

但し、特に、第２の制限板４２の高さが高すぎると、図７に示したように蒸着流が閉じ込められて散乱が強くなるため、好ましくない。逆に、第２の制限板４２の高さが低すぎると、広がった蒸着流をカットする能力が不十分になるおそれがある。

蒸着流は、蒸着材料や蒸着レートで容易に変化する。このため、好適な高さは一概に決定することはできないが、これらの条件に応じて、捕捉効率が高くなるように、適切な高さに設定することが望ましい。

なお、第２の制限板４２と蒸着マスク５０との間の距離も特に規定はないが、第２の制限板４２と蒸着マスク５０とが、密着していたり、あるいは、あまりにも距離が狭かったりすると、冷却機構が第２の制限板４２に備わっていない場合、熱が、第２の制限板４２を伝って蒸着マスク５０に伝わり、熱によって蒸着マスク５０が撓むおそれがある。また、冷却機構が第２の制限板４２に備わっていたとしても、蒸着マスク５０は、蒸着源１０からの輻射熱によって撓むおそれがあり、その場合、第２の制限板４２と接触して破損するおそれがある。

このため、第２の制限板４２と蒸着マスク５０とは、適度に離間していることが好ましく、第２の制限板４２と蒸着マスク５０とが離間するように、第１の制限板３２および第２の制限板４２の高さ並びに配置が決定されることが好ましい。

また、制限板開口３３を通過した蒸着流が急激な圧力変化で蒸着分布が変わらないように、第２の制限板４２が、第１の制限板３２と蒸着マスク５０との間の空間に占める体積は、少ない方が好ましい。このため、この点も考慮して、第１の制限板３２および第２の制限板４２の高さが決定されることが好ましい。

＜第２の制限板４２の変形例１＞
図１０は、本変形例にかかる蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す断面図である。

本変形例では、図１０に示すように、第１の制限板３２上に設けられた、対をなす第２の制限板４２間の開口幅が上方ほど小さくなるように第２の制限板４２をそれぞれ傾斜して設けている。言い換えれば、第１の制限板３２上に設けられた、対をなす第２の制限板４２が、中央が開口された逆Ｖ字状（つまり、「ハ」の字状）になるように第２の制限板４２を配置している。

なお、本変形例でも、前述した理由から、第２の制限板４２は、第１の制限板３２に接触して設けられていることが好ましい。また、対をなす第２の制限板４２における、それぞれの第１の制限板３２のＸ軸方向端部側のエッジが、第１の制限板３２のＸ軸方向端部（第１の制限板３２における制限板開口３３の開口エッジ）に位置するように第２の制限板４２が設けられていることが好ましい。

本変形例によれば、図１０に示すように、Ｚ軸方向で空間体積を変更させることができる。具体的には、蒸着マスク５０側である上方ほど、第１の制限板３２間の制限板開口３３上の空間体積（具体的には、第２の制限板４２間の制限板開口４３ｂにおける空間体積）が広がるようになっている。

本変形例によれば、図７に示すように第２の制限板４２の高さを蒸着マスク５０近傍まで高くする必要がなく、また、上方ほど、第１の制限板３２間の制限板開口３３上の空間体積が広がるようにしているため、蒸着粒子４０１の散乱を抑えることができる。このため、図７で見られる問題を解消することができ、第１の制限板３２間の制限板開口３３を通過後に広がった蒸着流をより効果的に捕捉することができる。

＜第２の制限板４２の変形例２＞
図１１の（ａ）〜（ｅ）は、本変形例にかかる制限板ユニット２０の要部における第２の制限板４２のパターン例を示す平面図である。

図３では、第２の制限板４２が、平面視で第１の制限板３２上に、第１の制限板３２のＹ軸方向の長さと同じ長さを有し、Ｙ軸方向に連続して設けられている場合を例に挙げて示している。

しかしながら、図１１の（ａ）〜（ｅ）に示すように、第２の制限板４２は、第１の制限板３２のＹ軸方向の長さよりも短く、平面視で第１の制限板３２上に、複数の第２の制限板４２がＹ軸方向に断続的（不連続）に設けられていてもよい。

また、この場合、図１１の（ｂ）〜（ｅ）に示すように、Ｘ軸方向の各位置における第２の制限板４２（例えばＸ軸方向に隣り合う第２の制限板４２）の不連続箇所（Ｙ軸方向に隣り合う第２の制限板４２における互いの対向端部間の領域）を、Ｙ軸方向における特定の位置（特定のＹ座標）で合わせる必要はなく、不連続箇所の長さも合わせる必要はない。

また、この場合、図１１の（ｃ）〜（ｅ）に示すように、Ｘ軸方向の各位置における第２の制限板４２の不連続箇所の個数も合わせる必要はない。また、Ｘ軸方向に隣り合う、対をなす第２の制限板４２の配設パターンが同じである必要はないのみならず、図１１の（ｃ）〜（ｄ）に示すように、各組の第２の制限板４２の配設パターンが同じである必要もない。

図１１の（ａ）〜（ｅ）に示すように第２の制限板４２を不連続にすることでより細かい調整が可能となり、さらに第２の制限板４２の交換作業も容易となる。

但し、この場合、蒸着粒子４０１が、不連続箇所を通過して隣接成膜領域（隣接するマスク開口領域）に到達することがないように、図１１の（ｄ）〜（ｅ）に示すように、対をなす第２の制限板４２の形成領域内（つまり、平面視における各第１の制限板３２上の領域）には、Ｙ軸方向の何れの位置（座標）においても、Ｘ軸方向に平行な方向から見て、第２の制限板４２が少なくとも１つ存在する（つまり、Ｘ軸方向に平行な方向から見て、第２の制限板４２が存在しないＹ座標位置はない）ことが好ましい。

なお、この場合、対をなす第２の制限板４２の形成領域内に、Ｙ軸方向の何れの位置においても、Ｘ軸方向に平行な方向から見て、第２の制限板４２が少なくとも１つ存在するように第２の制限板４２を配置すればよいので、該領域内で第２の制限板４２のＹ軸方向の延伸距離を合わせる必要はない。また、第１の制限板３２と第２の制限板４２とでＹ軸方向の長さを揃える必要もない。

また、図１１の（ａ）〜（ｅ）では、Ｘ軸方向に隣り合う、対をなす第２の制限板４２が、それぞれ、その直下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部から離間した位置に設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、この場合にも、Ｘ軸方向に隣り合う、対をなす第２の制限板４２は、その少なくとも一部（例えば、少なくとも、平面視で射出口１１に隣り合う第２の制限板４２）が、その真下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部の少なくとも一部と接触する位置に形成されていることが好ましい。

＜第２の制限板４２の変形例３＞
図１２は、本変形例にかかる制限板ユニット２０の要部における第２の制限板４２のパターン例を、射出口１１と併せて示す平面図である。

前述したように、蒸着膜４０２の蒸着分布は、射出口１１（ノズル）の直上が一番厚く、射出口１１の端（ノズル端）上に向かうにつれて薄くなる。このため、射出口１１の近傍上方は蒸着密度が高く、蒸着粒子４０１の衝突・散乱が多い。

このため、第２の制限板４２のＹ軸方向の長さや配設位置は、蒸着材料や蒸着密度（蒸着レート）を考慮して決定されることが望ましい。

このため、第２の制限板４２のＹ軸方向の長さが、第１の制限板３２のＹ軸方向の長さよりも短い場合、第２の制限板４２は、平面視で射出口１１に隣接して設けられていることが好ましい。また、この場合、第２の制限板４２は、第１の制限板３２に沿ってＹ軸方向に断続的に形成されている必要は必ずしもなく、図１２に示すように、平面視で射出口１１に隣接する位置にのみ設けられていてもよい。

すなわち、射出口１１の近傍上方は、蒸着密度が高く、蒸着粒子４０１の衝突・散乱が多いため、蒸着流の指向性が悪くなり易い。このため、射出口１１の近傍上方には第２の制限板４２が設けられていることが望ましい。しかしながら、射出口１１から遠ざかると、蒸着密度が低くなり、衝突・散乱が少ないため、蒸着流の指向性が悪くなり難い。このため、平面視で射出口１１から遠い位置には、必ずしも第２の制限板４２が設けられていなくても構わない。

したがって、図１２に示す構成とすることで、必要な箇所にのみ第２の制限板４２を設けることができるので、安価な構成とすることができる。

なお、図１２では、対をなす第２の制限板４２が、その直下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部から離間した位置に設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、この場合にも、対をなす第２の制限板４２は、その直下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部（すなわち、Ｘ軸方向の両端部の一部）と接触する位置（より具体的には、上記Ｘ軸方向の両端部の一部と面一）に形成されていることが好ましい。

＜第２の制限板４２の変形例４＞
図１３は、本変形例にかかる制限板ユニット２０の要部における第２の制限板４２のパターン例を、射出口１１と併せて示す平面図である。

本実施形態、特に、図３、図１１の（ａ）〜（ｅ）、および図１２では、第２の制限板４２が直方体である場合を例に挙げて図示したが、第２の制限板４２の形状は直方体でなくてもよい。

例えば、平面視で射出口１１の近傍とそれ以外の領域との蒸着密度の違いを考慮し、平面視で、第２の制限板４２のＹ方向の端部が先細り形状を有していてもよい。

第１の制限板３２間の制限板開口３３を通過した蒸着流の分布が急激な圧力変化で変わらないように、第２の制限板４２が占める体積は、少ない方が好ましい。したがって、図１３に示す形状とすることで、制限板開口３３を通過した蒸着流の分布（蒸着膜４０２の蒸着分布）の変化を抑えることができるので、より精度が高い制御を行うことができる。

なお、図１３でも、図１２同様、対をなす第２の制限板４２が、その直下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部から離間した位置に設けられている場合を例に挙げて図示したが、この場合にも、対をなす第２の制限板４２は、その直下の第１の制限板３２におけるＸ軸方向の両端部（すなわち、Ｘ軸方向の両端部の一部）と接触する位置に形成されていることが好ましい。

＜第２の制限板４２の変形例５＞
なお、本実施形態では、第２の制限板４２が均一な高さを有する場合を例に挙げて図示したが、第２の制限板４２の高さは、必ずしも均一である必要はない。

各射出口１１（ノズル）はそれぞれ個体差があるので、各射出口１１からの蒸着分布にも差が生じる。したがって、各射出口１１の個体差を低減するために、第２の制限板４２の高さ（Ｚ軸方向の長さ）を微調整してもよい。

〔実施形態２〕
本実施形態について図１４および図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。

なお、本実施形態では、主に、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

蒸着粒子４０１の衝突・散乱による蒸着流の広がりが比較的小さい場合には、１枚の第１の制限板３２に対し、Ｘ軸方向に第２の制限板４２を２枚設けることで、異常成膜を十分抑制することができる。

しかしながら、蒸着流の広がりが極めて大きい場合には、１枚の第１の制限板３２に対し、Ｘ軸方向に第２の制限板４２を２枚設けただけでは、その大きさや配置によっては、第２の制限板４２の配置位置よりも広がる蒸着流を捕捉できなかったり、第２の制限板４２の配置位置よりも広がる蒸着流を捕捉するために、第２の制限板４２の配置位置をより内側にすると、第２の制限板４２の配置位置よりも外側の蒸着流を捕捉できなかったりするおそれがある等、異常成膜を引き起こす蒸着粒子４０１の捕捉効果が十分とは言い難い場合もある。

そこで、蒸着流の広がりが極めて大きい場合の対策の一例として、第１の制限板３２と第２の制限板４２とが密着していない場合に、第１の制限板３２と第２の制限板４２との間隙を縫って広がる蒸着流をカット（捕捉）するために、例えば図１５に示すように、第２の制限板４２のＸ方向の長さを長くする（言い換えれば、第２の制限板４２の幅を広くする）ことも考えられる。

図１５に示すように、第２の制限板４２の幅（Ｘ方向の厚み）を厚くすることで、第１の制限板３２間の制限板開口３３を通過後に広がる蒸着流を抑制することができる。

しかしながら、この場合、第２の制限板４２の幅が厚くなる分、第２の制限板４２が重くなってアライメント精度が出せなくなる。また、第２の制限板４２の占有体積が増えるため、第２の制限板４２を通過後の蒸着流に急激な圧力変化を生じさせる。このため、第２の制限板４２のＸ軸方向の幅そのものは、第１の制限板３２のＸ軸方向の幅に対し、相対的に薄い方が好ましい。

また、例えば、第２の制限板４２のＸ軸方向の幅が比較的薄い場合であっても、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側に、Ｚ軸方向の長さが比較的長い第２の制限板４２を設けることができる場合には、１枚の第１の制限板３２に対し、Ｘ軸方向に第２の制限板４２を２枚設けることで、異常成膜を十分抑制できる。

しかしながら、第２の制限板４２を設置する空間の高さ（つまり、第１の制限板３２と蒸着マスク５０との間の距離）が十分に確保できず、蒸着流の広がりの大きさの割にはＺ軸方向の長さが短い第２の制限板４２を用いるしかない場合もある。この場合、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側に第２の制限板４２を設けたとしても、第１の制限板３２と第２の制限板４２との間に隙間があると、第１の制限板３２と第２の制限板４２との間の隙間から、上記Ｘ軸方向両端側の第２の制限板４２間の隙間を通って、蒸着流が隣接成膜領域に漏れる（侵入する）おそれがある。

また、蒸着流を補足するために第２の制限板４２のＺ軸方向の長さを大きくすると、蒸着粒子４０１が飛散する空間体積が減少し、圧力が上昇する。このため、第２の制限板４２を設置する空間の高さが十分に確保できる場合であっても、蒸着流の広がりの大きさによっては、蒸着流の広がりの大きさに十分に対応できる長さの第２の制限板４２を設けることが困難である場合もある。

図１４は、本実施形態にかかる蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す断面図である。

なお、図１４に示す蒸着ユニット１は、第１の制限板３２と第２の制限板４２とが密着していない場合に、１枚の第１の制限板３２に対し、Ｚ軸方向の長さが実施形態１よりも短い第２の制限板４２を３枚設けたことを除けば、実施形態１に示す蒸着ユニット１と同じである。

図１４に太破線で示すように、本実施形態によれば、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２で補足できない蒸着流は、第１の制限板３２におけるＸ軸方向中央に設けられた第２の制限板４２によって補足される。したがって、第２の制限板４２に、蒸着流の広がりの割にＺ軸方向の長さが短い制限板を用いた場合であっても、異常成膜を十分に抑制することができる。

このように、本実施形態によれば、１枚の第１の制限板３２に対し、第２の制限板４２を３枚設けること、特に、図１４に示すように、第１の制限板３２と第２の制限板４２とが密着していない場合に、１枚の第１の制限板３２に対し、第２の制限板４２を３枚設けることで、アライメント精度を落とすことなく、また、蒸着流が第１の制限板３２を通過後に急激な圧力変化を生じさせることなく、極めて大きく広がる蒸着流（第１の制限板３２と第２の制限板４２との間隙を縫って広がる蒸着流）についても捕捉することが可能となる。

なお、図１４では第１の制限板３２一枚につき第２の制限板４２を３枚設けた場合を例に挙げて図示したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。蒸着流の広がりに応じて、第１の制限板３２一枚につき第２の制限板４２を３枚以上設けてもよい。但し、第１の制限板３２一枚あたりの第２の制限板４２の枚数を多くし過ぎると、高精細なパターンを得るための位置合わせが複雑になり、第２の制限板４２の占有体積も増えるので、あまり好ましくない。

また、図１４では、第１の制限板３２と第２の制限板４２とが密着していない場合を例に挙げて図示したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、第１の制限板３２と第２の制限板４２とは、密着していてもよい。

例えば、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２間に、該Ｘ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２よりもＺ軸方向に突出する第２の制限板４２（例えば上記Ｘ軸方向両端側の第２の制限板４２よりもＺ軸方向の長さが長い第２の制限板４２）を設けることで、第１の制限板３２と第２の制限板４２とが密着しているか否かに拘らず、上記Ｘ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２で補足しきれなかった蒸着流を、該Ｘ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２間に設けられた第２の制限板４２により補足することができる。

なお、この場合にも、上記Ｘ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２間に設けられる第２の制限板４２の枚数は、特に限定されるものではない。上記Ｘ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２間には、第２の制限板４２が、例えば、第１の制限板３２のＸ軸方向中央に１枚のみ設けられていてもよく、２枚以上が互いに離間して設けられていてもよい。

なお、この場合、上記Ｘ軸方向両端側に設けられた第２の制限板４２間に設けられる第２の制限板４２の高さは、例えば、使用する蒸着材料や蒸着レート等に応じて、補足効率が向上するように、蒸着粒子４０１が飛散する空間体積の減少による圧力の上昇が大きくなりすぎない範囲内で適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

なお、第２の制限板４２の変形例については、実施形態１で示した思想を反映できることは言うまでもない。

〔実施形態３〕
本実施形態について図１６〜図２０に基づいて説明すれば、以下の通りである。

なお、本実施形態では、主に、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１、２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

実施形態２では、平面視で同一の第１の制限板３２上に位置する、同一ＹＺ平面における第２の制限板４２の枚数（第１の制限板一枚あたりの第２の制限板４２の枚数）を増やすことで、蒸着流の広がりが大きい場合に、第１の制限板３２間の制限板開口３３を通過後に広がる蒸着粒子４０１をカット（捕捉）する場合を例に挙げて説明した。

しかしながら、第１の制限板３２一枚あたりの第２の制限板４２の枚数を増やすと、同一ＹＺ平面に占める第２の制限板４２群の占有体積が大きくなり、第２の制限板４２全体の枚数も増える。このため、第１の制限板３２一枚あたりの第２の制限板４２の枚数が増えれば増えるほど、急激な圧力変化やアライメント精度を出すための位置合わせの複雑化が生じ易くなる。

そこで、本実施形態では、第１の制限板アセンブリ３０と蒸着マスク５０との間に、第２の制限板４２を含む多段の制限板を設ける場合を例に挙げて説明する。

図１６は、第１の制限板アセンブリ３０と蒸着マスク５０との間に、第２の制限板アセンブリ４０および第３の制限板アセンブリ７０を設けた蒸着ユニット１の概略構成を示す断面図である。

第３の制限板アセンブリ７０は、図１６に示すように、第１の制限板３２上に、Ｘ軸方向に互いに離間し、かつ、第１の制限板３２に沿って互いに平行に設けられた、複数の第３の制限板７２からなる第３の制限板列７１を備えている。

第３の制限板７２は、第２の制限板４２同様、ＹＺ平面を主面とし、それぞれの主面が、Ｘ軸方向に隣り合うとともに、ＸＹ平面を主面とする蒸着マスク５０の主面並びに被成膜基板２００の被蒸着面２０１に対して垂直となるように配されている。

なお、図１６では、第３の制限板７２が、第２の制限板４２同様、第１の制限板３２上に、第１の制限板３２に沿って、Ｘ軸方向に２枚１組で設けられている場合を例に挙げて示している。

このため、第３の制限板７２は、平面視で、それぞれＹ軸に平行に延設されており、Ｘ軸方向に２枚１組で設けられた各組の第３の制限板７２が、それぞれ同一ピッチでＸ軸方向に互いに平行に複数配列されている。これにより、Ｘ軸方向に隣り合う各組の第３の制限板７２間に、それぞれ、開口領域として、制限板開口７３ｂが形成されている。

また、平面視で同一の第１の制限板３２上に設けられた、対をなす第３の制限板７２は、互いに離間して設けられており、対をなす第３の制限板７２間には、開口領域として、制限板開口７３ａが形成されている。

なお、本実施形態では、第３の制限板７２は、それぞれ、例えば長方形状に形成されている。第３の制限板７２は、それぞれ、その短軸がＺ軸方向に平行になるように垂直に配されている。このため、第３の制限板７２は、その長軸がＹ軸方向に平行に配されている。

第３の制限板アセンブリ７０は、図４の（ａ）に示す第２の制限板アセンブリ４０同様、制限板開口７３ａを介して設けられた、一対の第３の制限板７２を１組として、隣り合う各組の第３の制限板７２間にそれぞれ制限板開口７３ｂが設けられた、ブロック状のユニットであってもよい。あるいは、第３の制限板アセンブリ７０は、例えば図４の（ｂ）に示す第２の制限板アセンブリ４０同様、上述した制限板開口７３ａ・７３ｂを介して配列された第３の制限板７２が、それぞれ、Ｘ軸方向と平行な一対の第１保持部材とＹ軸方向と平行な一対の第２保持部材とで構成される、保持体４６と同様の枠状の保持体に、例えば溶接等の方法で一体的に保持されている構成を有していてもよい。

本変形例でも、第３の制限板７２の相対的位置や姿勢を一定に維持することができれば、第３の制限板７２を保持する方法は、上記の方法に限定されない。

第３の制限板アセンブリ７０は、第３の制限板７２によって、第２の制限板アセンブリ４０と蒸着マスク５０との間の空間を、制限板開口７３ｂからなる複数の蒸着空間に区画することで、第２の制限板４２間の制限板開口４３ｂを通過した蒸着粒子４０１の通過角度を制限する。

本実施形態では、図１６に示すように、第１の制限板アセンブリ３０、第２の制限板アセンブリ４０、第３の制限板アセンブリ７０を、蒸着源１０側からこの順に互いに離間して設けるとともに、第１の制限板３２一枚あたり、第２の制限板４２および第３の制限板７２をＸ軸方向にそれぞれ２枚使用する。

そして、第１の制限板３２間の制限板開口３３を通過後に極めて大きく広がる蒸着流（例えば第２の制限板４２を第１の制限板３２のＸ軸方向端部側に配置した場合に第２の制限板４２の配置よりも広がる蒸着流）を捕捉するために、第２の制限板４２をそれぞれ第１の制限板３２のＸ軸方向中央寄りに配置する。

さらに、第２の制限板４２をそれぞれ第１の制限板３２のＸ軸方向中央寄りに配置したことで第２の制限板４２の設置位置よりも外側を通る蒸着流（例えば、第２の制限板４２よりも上方（蒸着マスク５０側）で交差する蒸着流）の経路（つまり、蒸着粒子４０１の飛散経路）上に第３の制限板７２が位置するように、第３の制限板７２を、第２の制限板４２よりも、第１の制限板３２のＸ軸方向端部側に配置する。

これにより、本実施形態では、下段の第２の制限板列４１（第２の制限板４２群）は、相対的に広がりが大きい蒸着流を捕捉し、上段の第３の制限板列７１（第３の制限板７２群）は、相対的に広がりが小さい蒸着流を捕捉する。

本実施形態によれば、このように蒸着流の広がりの程度に応じて各段の制限板で蒸着粒子４０１の捕捉範囲を異ならせて機能分離することで、同一ＹＺ平面の制限板の枚数を増やすことなく、広がった蒸着流を捕捉することができる。また、同一ＹＺ平面に占める第２の制限板４２の枚数の増加による第２の制限板４２の占有体積の増加を抑制することができる。

したがって、本実施形態によれば、あらゆる蒸着流の広がりに対して精度良く第２の制限板４２を配置することができ、制限板開口３３通過後の圧力変化を抑制することができ、異常成膜を効果的に防止することができる。

＜変形例１＞
なお、本実施形態では、各段の制限板が別々の制限板アセンブリとして設けられている場合を例に挙げて説明したが、第２の制限板アセンブリ４０が、多段の制限板を備えている構成としても構わない。すなわち、例えば、下段の第２の制限板４２と上段の第３の制限板７２とは、１つの保持体によって保持されていてもよく、第２の制限板アセンブリ４０が、第２の制限板４２と第３の制限板７２とを備えていても構わない。

＜変形例２＞
また、第１の制限板３２上に設けられる各段の制限板における、第１の制限板３２一枚あたりのＸ軸方向の枚数は、２枚に限定されるものではなく、１枚でもよいし、３枚以上でもよい。

また、第１の制限板３２一枚あたりの制限板一枚あたりの各段の制限板の枚数は、同じであっても異なっていても構わない。

図１７は、本変形例にかかる蒸着ユニット１の概略構成の一例を示す断面図である。

図１７では、１枚の第１の制限板３２に対し、Ｘ軸方向に、第２の制限板４２が２枚、第３の制限板７２が１枚設けられている場合を例に挙げて図示している。

なお、図１７でも、第１の制限板３２間の制限板開口３３を通過後に極めて大きく広がる蒸着流（例えば第２の制限板４２を第１の制限板３２のＸ軸方向端部側に配置した場合に第２の制限板４２の配置よりも広がる蒸着流）を捕捉するために、第２の制限板４２をそれぞれ第１の制限板３２のＸ軸方向中央寄りに配置する。

このとき、第２の制限板４２の設置位置よりも外側を通る蒸着流の経路上に第３の制限板７２が位置するように、図１６では、第２の制限板４２よりも上方（蒸着マスク５０側）で交差する蒸着流の交差部よりも上方に第３の制限板７２をＸ軸方向に２枚設けたが、図１７のように１枚の第１の制限板３２上に第３の制限板７２を１枚のみ設ける場合、第３の制限板７２は、図１７に示すように、上記交差部に配置されていることが好ましい。

これにより、第２の制限板４２の設置位置よりも外側を通る蒸着流を、１枚の第３の制限板７２により、効果的に捕捉することができる。

なお、本変形例では、第３の制限板７２が、第１の制限板３２上に、１枚の第１の制限板につき１枚のみ設けられていることから、Ｘ軸方向に隣り合う第３の制限板７２間には、それぞれ、開口領域として、制限板開口７３が設けられている。

第３の制限板アセンブリ７０は、第３の制限板７２によって、第２の制限板アセンブリ４０と蒸着マスク５０との間の空間を、制限板開口７３からなる複数の蒸着空間に区画することで、第２の制限板４２間の制限板開口４３ｂを通過した蒸着粒子４０１の通過角度を制限する。

＜変形例３＞
また、図１６および図１７では、第１の制限板アセンブリ３０と蒸着マスク５０との間に、制限板を２段設けた場合を例に挙げて図示したが、第１の制限板アセンブリ３０と蒸着マスク５０との間の制限板は、３段以上で構成されていてもよい。言い換えれば、第１の制限板アセンブリ３０と蒸着マスク５０との間に、３つ以上の制限板アセンブリが設けられていてもよい。

蒸着ユニット１が、Ｚ軸方向に複数段の制限板アセンブリを備えているとともに、各制限板アセンブリが、複数の制限板を備えていることで、あらゆる基板サイズ、パターンサイズ、材料等に、容易に対応することができる。

例えば、蒸着レートが、図１６および図１７に示すよりもさらに高くなると、第１の制限板３２間の制限板開口３３を通過した蒸着流が、第２の制限板４２間の制限板開口４３ｂを通過した瞬間にさらに広がる可能性もある。

そこで、蒸着レートによって、制限板開口４３ｂを通過後に広がる蒸着流を捕捉するために、Ｚ軸方向にさらに制限板を設けてもよい。

図１８は、本変形例にかかる蒸着ユニット１の概略構成の一例を示す断面図である。また、図１９の（ａ）・（ｂ）は、本変形例にかかる各段の制限板の配設方法の一例を示す断面図である。

図１８では、第３の制限板アセンブリ７０と蒸着マスク５０との間に、第４の制限板アセンブリ８０を設けている。

なお、第４の制限板アセンブリ８０の概略構成は、第３の制限板アセンブリ７０と蒸着マスク５０との間に設けられている点を除けば、第３の制限板アセンブリ７０と同じである。したがって、第４の制限板アセンブリ８０は、図１８に示すように、第１の制限板３２上に、Ｘ軸方向に互いに離間し、かつ、第１の制限板３２に沿って互いに平行に設けられた、複数の第４の制限板８２からなる第４の制限板列８１を備えている。

第４の制限板８２は、第３の制限板７２同様、ＹＺ平面を主面とし、それぞれの主面が、Ｘ軸方向に隣り合うとともに、ＸＹ平面を主面とする蒸着マスク５０の主面並びに被成膜基板２００の被蒸着面２０１に対して垂直となるように配されている。

なお、図１８では、第４の制限板８２が、第３の制限板７２同様、第１の制限板３２上に、第１の制限板３２に沿って、Ｘ軸方向に２枚１組で設けられている場合を例に挙げて示している。

このため、第４の制限板８２は、平面視で、それぞれＹ軸に平行に延設されており、Ｘ軸方向に２枚１組で設けられた各組の第４の制限板８２が、それぞれ同一ピッチでＸ軸方向に互いに平行に複数配列されている。これにより、Ｘ軸方向に隣り合う各組の第４の制限板８２間に、それぞれ、開口領域として、制限板開口８３ｂが形成されている。

また、平面視で同一の第１の制限板３２上に設けられた、対をなす第４の制限板８２は、互いに離間して設けられており、対をなす第４の制限板８２間には、開口領域として、制限板開口８３ａが形成されている。

なお、本変形例では、第４の制限板８２は、それぞれ、例えば長方形状に形成されている。第４の制限板８２は、それぞれ、その短軸がＺ軸方向に平行になるように垂直に配されている。このため、第４の制限板８２は、その長軸がＹ軸方向に平行に配されている。

第４の制限板８２は、第３の制限板７２の保持方法と同様の方法により保持することができる。但し、第３の制限板７２同様、第４の制限板８２も、第４の制限板８２の相対的位置や姿勢を一定に維持することができれば、その保持方法は、特に限定されるものではない。

第４の制限板アセンブリ８０は、第４の制限板８２によって、第３の制限板アセンブリ７０と蒸着マスク５０との間の空間を、制限板開口８３ｂからなる複数の蒸着空間に区画することで、第３の制限板７２間の制限板開口７３ｂを通過した蒸着粒子４０１の通過角度を制限する。

なお、図１８では、第１の制限板３２一枚あたり、Ｘ軸方向に、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２をそれぞれ２枚ずつ使用する。

図１８に示すようにＺ方向に制限板を多段並べて設ける場合、実施形態１に示したように、第１の制限板３２における制限板開口３３の開口エッジと、対をなす第２の制限板４２における、それぞれの第１の制限板３２のＸ軸方向端部側のエッジとは、少なくとも一部が接触していることが好ましく、例えば面一に設けられていることが好ましい。

また、図１８に示すようにＺ方向に制限板を多段並べて設ける場合、平面視で第１の制限板３２上に形成された制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）は、互いに、少なくとも一部が接触し、かつ、隣り合う第１の制限板３２上にそれぞれ形成された、同一平面内で互いに対向する制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）間の距離が、蒸着マスク５０側ほど大きくなるように配されていることが好ましい。

例えば、図１８、図１９の（ａ）・（ｂ）に示すように、平面視で第１の制限板３２上に形成された制限板（例えば、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）間の開口幅が上方ほど小さくなるように（つまり、中央が開口された逆Ｖ字状（つまり、「ハ」の字状）になるように）各段の制限板が配されていることが好ましい。

Ｚ軸方向に配された各段の制限板間に間隙がある場合、該間隙から蒸着流が漏れる可能性がある。

しかしながら、上述した構成とすることで、第１の制限板３２上に形成された制限板間（例えば、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）の間隙から蒸着流が漏れることが無い。また、蒸着粒子４０１の飛散方向である蒸着マスク５０側ほど、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）上の空間体積が広がるため、蒸着粒子４０１の散乱を抑えることができる。このため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がった蒸着流をより効果的に捕捉することができる。

また、この場合、第１の制限板３２上に設けられた各制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）は、図１９の（ａ）に示すように、上段の制限板における第１の制限板３２のＸ軸方向端部側の端面が、該制限板と接触する下段の制限板における第１の制限板３２のＸ軸方向中央部側の端面の少なくとも一部に接触（例えば該端面と面一）に形成された構成を有していることが好ましく、図１９の（ｂ）に示すように、第１の制限板３２上に設けられた、隣り合う段の制限板同士、つまり、互いに接触する制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）同士が、一部重畳していることがより好ましい。

これにより、隣り合う段の制限板間の間隙から蒸着流が漏れることをより確実に防止することができる。このため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がった蒸着流をより効果的に捕捉することができる。

また、図１９の（ａ）に示すように互いに接触する制限板同士をそれぞれのエッジのみで接触させる場合、各段の制限板をそれぞれ精密にアライメントする必要がある。これに対し、図１９の（ｂ）に示すように互いに接触する制限板同士を一部重畳させることで、アライメントが容易になるという利点もある。

なお、本変形例では、平面視で第１の制限板３２上に形成された制限板（例えば、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）間の開口幅が上方ほど小さくなるように各段の制限板が配された例として、第１の制限板３２上に、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２が設けられている場合を例に挙げて説明したが、第１の制限板３２上に、第２の制限板４２および第３の制限板７２のみが設けられている場合にも、同様の効果を得ることができることは、言うまでもない。

図１０に示すように第１の制限板３２上に設けられた、対をなす第２の制限板４２が、中央が開口された逆Ｖ字状になるように第２の制限板４２を配置する場合、本変形例よりも制限板の設置が容易であるというメリットはある。しかしながら、図１０は、制限板ユニット２０が、第１の制限板上に第２の制限板４２のみを備えていることから、第２の制限板４２に蒸着粒子４０１が付着することによるコンタミネーションの防止のための交換時に、第２の制限板４２を丸ごと取り替える必要がある。一方、本変形例のように制限板を複数段設けることで、蒸着粒子４０１の付着による汚れがひどい制限板のみを取り換えるだけで良く、メンテナンス性が良い。

＜変形例４＞
図１８および図１９の（ａ）・（ｂ）に示したように、第２の制限板４２の最下部（下面）と第１の制限板３２の最上部（上面）とが接触（密着）している場合には、蒸着レートが高くなるほどＺ軸方向における制限板の段数を増加させる必要があるものの、何れの場合にも、平面視で第１の制限板上に配される各段の制限板は、２枚１組でよく、また、これが最も効果的な設置の仕方である。

しかしながら、何らかの事情により、第２の制限板４２の最下部と第１の制限板の最上部とが密着できない場合、蒸着レートによっては、平面視で第１の制限板３２上に配される各段の制限板を２枚１組としただけでは、制限板開口３３を通過後に広がる蒸着流を捕捉できない可能性もある。この場合は、実施形態２のように、例えば３枚以上を１組として各段の制限板を構成することが望ましい。

但し、この場合、制限板間の間隙の数が増加する。このため、本変形例においても、各段の制限板間に間隙が無いように設置することが好ましい。

図２０は、本変形例にかかる蒸着ユニット１の概略構成の一例を示す断面図である。

本変形例でも、図２０に示すように、平面視で第１の制限板３２上に形成された制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）は、互いに、少なくとも一部が接触し、かつ、隣り合う第１の制限板３２上にそれぞれ形成された、同一平面内で互いに対向する制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）間の距離が、蒸着マスク５０側ほど大きくなるように配されている。

このため、本変形例でも、第１の制限板３２上に形成された制限板間（例えば、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）の間隙から蒸着流が漏れることが無い。また、蒸着粒子４０１の飛散方向である蒸着マスク５０側ほど、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）上の空間体積が広がるため、蒸着粒子４０１の散乱を抑えることができる。このため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がった蒸着流をより効果的に捕捉することができる。

＜その他の変形例＞
なお、変形例３および変形例４では、第４の制限板アセンブリ８０が第４の制限板８２を備えている場合を例に挙げて図示したが、第３の制限板７２同様、第４の制限板８２も、第２の制限板４２および第３の制限板７２のうち少なくとも一方と同じ保持体で保持されていてもよい。例えば、第２の制限板アセンブリ４０が、第２の制限板４２、第３の制限板７２、および第４の制限板８２を備えていても構わない。

また、第３の制限板７２の変形例については、実施形態１、２で示した第２の制限板４２と同様の思想を反映できることは言うまでもない。また、第４の制限板８２の変形例についても、第３の制限板７２と同様の思想を反映できることは言うまでもない。

〔実施形態４〕
本実施形態について図２１に基づいて説明すれば、以下の通りである。

なお、本実施形態では、主に、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

図２１は、本実施形態にかかる蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す断面図である。

本実施形態は、図２１に示すように、第１の制限板３２上に第２の制限板４２を設ける代わりに、第１の制限板３２の上面に、第１の制限板３２に沿って、Ｘ軸方向に、Ｚ軸方向に延びる突起部３２ａを、２つ設けている点を除けば、実施形態１と同じである。

実施形態１で説明したように、第１の制限板３２と第２の制限板４２とは、例えば図８に示すように、互いに接触（密着）して設けられていることが最も好ましい。

図８と図２１とを対比すれば判るように、図２１に示す構成とすることで、図８と同様の効果を得ることができる。

すなわち、本実施形態によれば、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）は、第１の制限板３２によって広がりが抑制される。これにより、指向性の悪い蒸着粒子４０１がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。制御された蒸着流は、蒸着密度が高い場合（つまり、高レート時）、その高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過する際に、再度広がろうとするが、上記突起部３２ａによって捕捉されることで、広がりが抑制され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスク５０を通過する。このとき、第１の制限板３２の上面に、第１の制限板３２に沿って、上記第１の方向に突起部３２ａが２つ設けられていることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効果的に捕捉することができる。このため、上記方向への蒸着流の広がりを効果的に抑制することができる。この結果、異常パターン膜等の異常成膜の発生を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

また、突起部３２ａは、第１の制限板３２の上面に形成されるので、制限板開口３３直上に制限板を設ける場合とは異なり、蒸着レートを全く落とすことなく真に指向性が悪くなった成分のみを効率的に捕捉することができる。

なお、制限板ユニット２０が、第１の制限板３２上に第２の制限板４２のみを備えている場合、第２の制限板４２に蒸着粒子４０１が付着することによるコンタミネーションの防止のための交換時に、蒸着粒子４０１の付着による汚れがひどい制限板のみを取り換えるだけで良く、メンテナンス性が良いという利点がある。一方、本実施形態によれば、第１の制限板３２上に第２の制限板４２を配置する際のアライメントの手間を省くことができ、制限板の設置が容易であるというメリットがある。

なお、第１の制限板３２に突起部３２ａを設ける方法は特に限定されるものではなく、鋳型成形や射出成形等の公知の方法を用いることができる。

なお、図２１に示すように、第１の制限板３２上に第２の制限板４２を設ける代わりに第１の制限板３２の上面に突起部３２ａを設ける場合にも、第１の制限板３２上に第２の制限板４２を設ける場合と同様に、第２の制限板４２に対応する突起部３２ａが、第１の制限板３２のＸ軸方向の両端部（すなわち、第１の制限板３２における、突起部３２ａ以外のＸ軸方向の両端部）における少なくとも一部と接触（例えば上記両端部と面一）に形成されていることが好ましい。

これにより、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側に広がる蒸着流を効率良く捕捉することができる。このため、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側への蒸着流の広がりを、より効果的に抑制することができる。

なお、本実施形態でも、突起部３２ａの変形例は、実施形態１、２で示した第２の制限板４２に関する思想を反映できることは言うまでもない。例えば、突起部３２ａについても、図１１の（ａ）〜（ｅ）に示す第２の制限板４２と同様の変形を行うことができる。すなわち、第２の制限板４２は、突起部３２ａと読み替えることができる。

また、図２１では、第１の制限板３２の上面に突起部３２ａを２つ設けた場合を例に挙げて図示したが、突起部３２ａは、１枚の第１の制限板３２に対し、３つ以上設けられていてもよい。

第１の制限板３２の上面に突起部３２ａを設ける場合にも、実施形態２で説明したように、例えば、第１の制限板３２におけるＸ軸方向両端側に設けられた突起部３２ａ間に、該Ｘ軸方向両端側に設けられた突起部３２ａよりもＺ軸方向に突出する突起部３２ａ（つまり、この場合には、上記Ｘ軸方向両端側の突起部３２ａよりもＺ軸方向の長さが長い突起部３２ａ）を設けることで、上記Ｘ軸方向両端側に設けられた突起部３２ａで補足しきれなかった蒸着流を、該Ｘ軸方向両端側に設けられた突起部３２ａ間に設けられた突起部３２ａにより補足することができる。

なお、この場合にも、上記Ｘ軸方向両端側に設けられた突起部３２ａ間に設けられる突起部３２ａの数は、特に限定されるものではない。上記Ｘ軸方向両端側に設けられた突起部３２ａ間には、突起部３２ａが、例えば、第１の制限板３２のＸ軸方向中央に１つのみ設けられていてもよく、２つ以上が互いに離間して設けられていてもよい。

なお、この場合、上記Ｘ軸方向両端側に設けられた突起部３２ａ間に設けられる突起部３２ａの高さは、例えば、使用する蒸着材料や蒸着レート等に応じて、補足効率が向上するように、蒸着粒子４０１が飛散する空間体積の減少による圧力の上昇が大きくなりすぎない範囲内で適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

なお、これら変形例は、一例であり、これらに限定されるものではない。

〔まとめ〕
本発明の態様１にかかる蒸着ユニット１は、蒸着マスク５０と、上記蒸着マスク５０に向かって蒸着粒子４０１を射出する蒸着源１０と、上記蒸着マスク５０と蒸着源１０との間に設けられ、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の通過角度を制限する制限板ユニット２０とを備え、上記制限板ユニット２０は、第１の方向（Ｘ軸方向）に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板３２と、平面視で上記第１の制限板３２上に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第２の制限板４２と、を少なくとも備えた複数段の制限板（例えば、第１の制限板３２、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）を備え、上記第２の制限板４２は、上記第１の方向に、上記第１の制限板（第１の制限板３２）１枚につき少なくとも２枚設けられている。

上記の構成によれば、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）は、第１の制限板３２によって広がりが抑制される。これにより、指向性の悪い蒸着粒子４０１がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。制御された蒸着流は、蒸着密度が高い場合（つまり、高レート時）、その高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に、再度広がろうとするが、第２の制限板４２を少なくとも含む後段の制限板（例えば、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）によって捕捉されることで、広がりが抑制され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスク５０を通過する。このとき、第１の方向に、第１の制限板（第１の制限板３２）１枚につき第２の制限板４２が少なくとも２枚設けられていることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効果的に捕捉することができる。このため、上記方向への蒸着流の広がりを効果的に抑制することができる。この結果、異常パターン膜等の異常成膜の発生を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。また、上記の構成によれば、第２の制限板４２は、平面視で第１の制限板３２上に配置され、第２の制限板４２は、第１の制限板間の開口領域（制限板開口３３）直上には存在しないので、蒸着レートを全く落とすことなく真に指向性が悪くなった成分のみを効率的に捕捉することができる。

本発明の態様２にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１において、上記第２の制限板４２における上記第１の方向に垂直な第２の方向（Ｙ軸方向）の長さは、該第２の方向における上記第１の制限板３２の長さよりも短く、上記第２の制限板４２は、平面視で上記第１の制限板３２上に、上記第１の方向に垂直な第２の方向に複数断続的に設けられていることが好ましい。

上記の構成によれば、第２の制限板４２が、第１の制限板３２上に、上記第１の方向に垂直な第２の方向に複数断続的に設けられていることで、第２の制限板４２の配置をより細かく調整することが可能となるとともに、第２の制限板４２の交換作業が容易となる。

本発明の態様３にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１において、上記蒸着マスク５０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の制限板３２間に、それぞれ上記蒸着源１０における蒸着粒子４０１の射出口１１が設けられており、上記第２の制限板４２における上記第１の方向に垂直な第２の方向の長さは、該第２の方向における上記第１の制限板３２の長さよりも短く、上記蒸着マスク５０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板４２は、上記射出口１１に隣接して設けられていることが好ましい。

上記射出口１１近傍上方は蒸着密度が高く、高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱が多いため、第２の制限板４２が設けられていることが望ましい。一方、上記射出口１１から遠ざかると、蒸着密度が低くなり、蒸着粒子４０１間の衝突・散乱が少ないため、第２の制限板４２は必ずしも設けられていなくてもよい。

上記構成とすることで、必要な箇所にのみ第２の制限板４２を設けることができるので、安価な構成とすることができる。

本発明の態様４にかかる蒸着ユニット１は、上記態様３において、上記第２の制限板４２は、上記蒸着マスク５０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の方向における端部が先細り形状を有していることが好ましい。

第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過した蒸着流の分布が急激な圧力変化で変わらないように、第２の制限板４２が占める体積は、少ない方が好ましい。上記の構成とすれば、第１の制限板３２間の開口領域を通過した蒸着流の分布の変化を抑えることができるので、より精度が高い制御を行うことができる。

本発明の態様５にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１〜４の何れかにおいて、上記第２の制限板４２は、少なくとも、上記第１の制限板３２における上記第１の方向の両端部の少なくとも一部と接触する位置に形成されていることが好ましい。例えば、上記蒸着ユニット１は、上記第２の制限板４２は、上記第１の制限板３２に接触して設けられているとともに、少なくとも、上記第１の制限板３２における上記第１の方向の両端部と面一となる位置に形成されていることが好ましい。

第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）における上部付近は蒸着密度が高く、蒸着粒子４０１間の散乱が増大し、蒸着流が広がり易い。このため、上記の構成とすることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効率良く捕捉することができ、上記第１方向両端側への蒸着流の広がりをより効果的に抑制することができる。

本発明の態様６にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１〜５の何れかにおいて、上記第２の制限板４２は、上記第１の方向に、上記第１の制限板（第１の制限板３２）１枚につき３枚設けられていることが好ましい。

第２の制限板４２を、上記第１の方向に、第１の制限板（第１の制限板３２）１枚につき３枚設けることで、寸法精度を落とさず、また、急激な圧力変化を生じさせることなく、第２の制限板４２の位置によって、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がる蒸着流、あるいは、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に極めて大きく広がった蒸着流についても捕捉することができる。

本発明の態様７にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１〜６の何れかにおいて、平面視で上記第１の制限板３２上における上記第２の制限板４２よりも上方位置に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板３２に沿って設けられた、複数の第３の制限板７２を少なくとも備えていることが好ましい。

上記の構成によれば、第２の制限板４２よりも上方に第３の制限板７２を少なくとも設けることで、第１の方向（Ｘ軸方向）における、第１の制限板３２に対する第２の制限板４２の枚数の増加を抑えながら、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がった蒸着流を捕捉することができる。また、上記の構成によれば、第１の制限板３２上に、あらゆる蒸着流の広がりに対して、精度良く制限板（第２の制限板４２および第３の制限板７２）を設置することができ、第１の制限板３２間の開口領域を通過後の圧力変化を抑え、異常成膜を効果的に防止することができる。

本発明の態様８にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１において、平面視で上記第１の制限板３２上における上記第２の制限板４２よりも上方位置に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板３２に沿って設けられた、複数の第３の制限板７２を少なくとも備えるとともに、平面視で上記第１の制限板３２上に形成された、上記第２の制限板４２および第３の制限板７２を含む複数段の制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）は、少なくとも一部が接触し、かつ、隣り合う第１の制限板３２上にそれぞれ形成された、同一平面内で互いに対向する制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）間の距離が、上記蒸着マスク５０側ほど大きくなるように配されていることが好ましい。

上記の構成によれば、第１の制限板３２上に形成された制限板間（例えば、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）の間隙から蒸着流が漏れることが無い。また、蒸着粒子４０１の飛散方向である蒸着マスク５０側ほど、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）上の空間体積が広がるため、蒸着粒子４０１の散乱を抑えることができる。このため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がった蒸着流をより効果的に捕捉することができる。

本発明の態様９にかかる蒸着ユニット１は、上記態様８において、平面視で上記第１の制限板３２上に形成された、上記第２の制限板４２および第３の制限板７２を含む複数段の制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）は、隣り合う段の制限板同士が一部重畳していることが好ましい。

上記の構成によれば、隣り合う段の制限板間の間隙から蒸着流が漏れることをより確実に防止することができる。また、蒸着粒子４０１の飛散方向である蒸着マスク５０側ほど、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）上の空間体積が広がるため、蒸着粒子４０１の散乱を抑えることができる。このため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がった蒸着流をより効果的に捕捉することができる。

本発明の態様１０にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１において、上記第２の制限板４２は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき２枚設けられているとともに、上記第１の制限板３２上に設けられた対の第２の制限板４２は、該対の第２の制限板４２間の開口幅が上方ほど小さくなるように傾斜して設けられていることが好ましい。

上記の構成によれば、蒸着粒子４０１の飛散方向である蒸着マスク５０側ほど、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）上の空間体積が広がる（言い換えれば、隣り合う第１の制限板上にそれぞれ形成された、同一平面内で互いに対向する第２の制限板４２間の距離（制限板開口４３ｂの上記第１の方向の長さ）が蒸着マスク５０側ほど大きくなる）ため、蒸着粒子４０１の散乱を抑えることができ、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に広がった蒸着流をより効果的に捕捉することができる。

本発明の態様１１にかかる蒸着ユニット１は、蒸着マスク５０と、上記蒸着マスク５０に向かって蒸着粒子４０１を射出する蒸着源１０と、上記蒸着マスク５０と蒸着源１０との間に設けられ、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の通過角度を制限する制限板ユニット２０とを備え、上記制限板ユニット２０は、第１の方向（Ｘ軸方向）に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板３２を備え、上記第１の制限板３２の上面には、上記第１の制限板３２に沿って、上記第１の方向に突起部３２ａが少なくとも２つ設けられている。

上記の構成によれば、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）は、第１の制限板３２によって広がりが抑制される。これにより、指向性の悪い蒸着粒子４０１がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。制御された蒸着流は、蒸着密度が高い場合（つまり、高レート時）、その高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過する際に、再度広がろうとするが、上記突起部３２ａによって捕捉されることで、広がりが抑制され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスク５０を通過する。このとき、第１の制限板３２の上面に、第１の制限板３２に沿って、上記第１の方向に突起部３２ａが少なくとも２つ設けられていることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効果的に捕捉することができる。このため、上記方向への蒸着流の広がりを効果的に抑制することができる。この結果、異常パターン膜等の異常成膜の発生を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。また、上記の構成によれば、突起部３２ａは、第１の制限板３２の上面に形成されるので、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）直上に制限板を設ける場合とは異なり、蒸着レートを全く落とすことなく真に指向性が悪くなった成分のみを効率的に捕捉することができる。

本発明の態様１２にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１１において、上記蒸着マスク５０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の制限板３２間に、それぞれ上記蒸着源１０における蒸着粒子４０１の射出口１１が設けられており、上記第１の方向に垂直な第２の方向（Ｙ軸方向）における上記突起部３２ａの長さは、該第２の方向における上記第１の制限板３２の長さよりも短く、上記蒸着マスク５０の主面に垂直な方向から見たときに、上記突起部３２ａは、上記射出口１１に隣接して設けられていることが好ましい。

上記射出口１１近傍上方は蒸着密度が高く、高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱が多い。一方、上記射出口１１から遠ざかると、蒸着密度が低くなり、蒸着粒子４０１間の衝突・散乱が少ない。

このため、突起部３２ａは、上記射出口１１に隣接して設けられていることが好ましい。上記構成とすることで、必要な箇所にのみ突起部３２ａを設けることができるので、安価な構成とすることができる。

本発明の態様１３にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１１または１２において、上記突起部３２ａは、少なくとも、上記第１の制限板３２における上記第１の方向の両端部と面一となる位置に形成されている。

第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）における上部付近は蒸着密度が高く、蒸着粒子４０１間の散乱が増大し、蒸着流が広がり易い。このため、上記の構成とすることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効率良く捕捉することができ、上記第１方向両端側への蒸着流の広がりをより効果的に抑制することができる。

本発明の態様１４にかかる蒸着装置１００は、上記態様１〜１３の何れかの蒸着ユニット１と、上記蒸着ユニット１における蒸着マスク５０と被成膜基板２００とを対向配置した状態で、上記蒸着ユニット１および上記被成膜基板２００のうち一方を、上記第１の方向に垂直な第２の方向に相対移動させる移動装置（基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４のうち少なくとも一方）とを備え、上記蒸着マスク５０の上記第２の方向の幅は、上記第２の方向における被成膜基板２００の幅よりも小さく、上記第２の方向に沿って走査しながら、上記蒸着源１０から出射された蒸着粒子４０１を、上記制限板ユニット２０および上記蒸着マスク５０の開口部（制限板開口３３・３４ｂ・８２ｂ・９２ｂ）を介して上記被成膜基板２００に蒸着させる。

上記の構成によれば、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）は、第１の制限板３２によって広がりが抑制される。これにより、指向性の悪い蒸着粒子４０１がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。制御された蒸着流は、蒸着密度が高い場合（つまり、高レート時）、その高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に、再度広がろうとするが、第２の制限板４２を少なくとも含む後段の制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）もしくは上記突起部３２ａによって捕捉されることで、広がりが抑制され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスク５０を通過する。このとき、第１の方向に、第１の制限板１枚につき第２の制限板４２が少なくとも２枚設けられていることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効果的に捕捉することができる。このため、上記方向への蒸着流の広がりを効果的に抑制することができる。

したがって、上記の構成によれば、被成膜基板２００と蒸着ユニット１とを相対的に移動させて走査しながら蒸着を行う、スキャニング方式を用いたスキャン蒸着を行うに際し、異常パターン膜等の異常成膜の発生を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

本発明の態様１５にかかる制限板ユニット２０は、蒸着マスク５０と蒸着源１０との間に設けられ、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の通過角度を制限する制限板ユニットであって、第１の方向（Ｘ軸方向）に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板３２と、平面視で上記第１の制限板３２上に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第２の制限板４２と、を少なくとも備えた複数段の制限板（第１の制限板３２、第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）を備え、上記第２の制限板４２は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき少なくとも２枚設けられている。

上記の構成によれば、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）は、第１の制限板３２によって広がりが抑制される。これにより、指向性の悪い蒸着粒子４０１がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。制御された蒸着流は、蒸着密度が高い場合（つまり、高レート時）、その高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過後に、再度広がろうとするが、第２の制限板４２を少なくとも含む後段の制限板（第２の制限板４２、第３の制限板７２、第４の制限板８２）によって捕捉されることで、広がりが抑制され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスク５０を通過する。このとき、第１の方向に、第１の制限板１枚につき第２の制限板４２が少なくとも２枚設けられていることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効果的に捕捉することができる。このため、上記方向への蒸着流の広がりを効果的に抑制することができる。この結果、異常パターン膜等の異常成膜の発生を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。また、上記の構成によれば、第２の制限板４２は、平面視で第１の制限板３２上に配置され、第２の制限板４２は、第１の制限板間の開口領域（制限板開口３３）直上には存在しないので、蒸着レートを全く落とすことなく真に指向性が悪くなった成分のみを効率的に捕捉することができる。

本発明の態様１６にかかる制限板ユニット２０は、蒸着マスク５０と蒸着源１０との間に設けられ、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の通過角度を制限する制限板ユニットであって、第１の方向（Ｘ軸方向）に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板３２を備え、上記第１の制限板３２の上面には、上記第１の制限板３２に沿って、上記第１の方向に突起部３２ａが少なくとも２つ設けられている。

上記の構成によれば、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１の流れ（蒸着流）は、第１の制限板３２によって広がりが抑制される。これにより、指向性の悪い蒸着粒子４０１がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。制御された蒸着流は、蒸着密度が高い場合（つまり、高レート時）、その高い蒸着密度に起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）を通過する際に、再度広がろうとするが、上記突起部３２ａによって捕捉されることで、広がりが抑制され、広がりが抑制された状態を維持して蒸着マスク５０を通過する。このとき、第１の制限板３２の上面に、第１の制限板３２に沿って、上記第１の方向に突起部３２ａが少なくとも２つ設けられていることで、第１の制限板３２における第１方向両端側に広がる蒸着流を効果的に捕捉することができる。このため、上記方向への蒸着流の広がりを効果的に抑制することができる。この結果、異常パターン膜等の異常成膜の発生を防止することができ、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。また、上記の構成によれば、突起部３２ａは、第１の制限板３２の上面に形成されるので、第１の制限板３２間の開口領域（制限板開口３３）直上に制限板を設ける場合とは異なり、蒸着レートを全く落とすことなく真に指向性が悪くなった成分のみを効率的に捕捉することができる。

なお、上述した各実施形態および実施態様において、隣接成膜領域には、あるノズル３０１ａ（注目ノズル３０１ａ）が成膜対象とする成膜領域（目標成膜領域）に直接隣接する成膜領域（あるノズル３０１ａに隣接するノズル３０１ａによる被成膜基板２００上の隣接成膜領域）だけでなく、目標成膜領域から外れる他の成膜領域も含まれる。すなわち、蒸着粒子４０１の散乱が非常に強い場合には、隣接以降の成膜領域（例えば、目標成膜領域の隣の隣の成膜領域）に、注目ノズル３０１ａから出射された蒸着粒子４０１が侵入することもある。しかしながら、このように蒸着粒子４０１の散乱が非常に強い場合においても、本発明は有効である。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

本発明は、被成膜基板と蒸着ユニットとを相対的に移動させて走査しながら蒸着を行う、スキャニング方式を用いたスキャン蒸着に使用される蒸着ユニットおよび制限板ユニット、並びに、そのような蒸着ユニットを用いて所定のパターンを成膜する蒸着装置に好適に利用することができる。特に、本発明の蒸着ユニットおよび蒸着装置並びに制限板ユニットは、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。

１ 蒸着ユニット
１０ 蒸着源
１１ 射出口
２０ 制限板ユニット
３０ 第１の制限板アセンブリ
３１ 第１の制限板列
３２ 第２の制限板
３２ａ 突起部
３３ 制限板開口
３７ 支持部
３８ 冷却機構
４０ 第２の制限板アセンブリ
４１ 第２の制限板列
４２ 第２の制限板
４３ａ，４３ｂ 制限板開口
４４ 第１の保持部材
４５ 第２の保持部材
４６ 保持体
４７ 支持部
４８ 冷却機構
５０ 蒸着マスク
５１ マスク開口
５２ アライメントマーカ
６０ ホルダ
６１ スライド装置
６２ 支持部材
６３ テンション機構
６５ 防着板
７０ 第３の制限板アセンブリ
７１ 第３の制限板列
７２ 第３の制限板
７３，７３ａ，７３ｂ 制限板開口
８０ 第４の制限板アセンブリ
８１ 第４の制限板列
８２ 第４の制限板
８３ａ，８３ｂ 制限板開口
１００ 蒸着装置
１０１ 真空チャンバ
１０２ 基板ホルダ
１０３ 基板移動装置
１０４ 蒸着ユニット移動装置
１０５ イメージセンサ
２００ 被成膜基板
２０１ 被蒸着面
２０２ アライメントマーカ
４０１ 蒸着粒子
４０２ 蒸着膜
Ａ 点線枠領域
Ｂ 点線枠領域

Claims (16)

1. 蒸着マスクと、
   上記蒸着マスクに向かって蒸着粒子を射出する蒸着源と、
   上記蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットとを備え、
   上記制限板ユニットは、
   第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板と、平面視で上記第１の制限板上に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第２の制限板と、を少なくとも備えた複数段の制限板を備え、
   上記第２の制限板は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき少なくとも２枚設けられていることを特徴とする蒸着ユニット。
2. 上記第２の制限板における上記第１の方向に垂直な第２の方向の長さは、該第２の方向における上記第１の制限板の長さよりも短く、
   上記第２の制限板は、平面視で上記第１の制限板上に、上記第１の方向に垂直な第２の方向に複数断続的に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着ユニット。
3. 上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の制限板間に、それぞれ上記蒸着源における蒸着粒子の射出口が設けられており、
   上記第２の制限板における上記第１の方向に垂直な第２の方向の長さは、該第２の方向における上記第１の制限板の長さよりも短く、
   上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板は、上記射出口に隣接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着ユニット。
4. 上記第２の制限板は、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の方向における端部が先細り形状を有していることを特徴とする請求項３に記載の蒸着ユニット。
5. 上記第２の制限板は、少なくとも、上記第１の制限板における上記第１の方向の両端部の少なくとも一部と接触する位置に形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
6. 上記第２の制限板は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき３枚設けられていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
7. 平面視で上記第１の制限板上における、上記第２の制限板よりも上方位置に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第３の制限板を少なくとも備えていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
8. 平面視で上記第１の制限板上における、上記第２の制限板よりも上方位置に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第３の制限板を少なくとも備えるとともに、
   平面視で上記第１の制限板上に形成された、上記第２の制限板および第３の制限板を含む複数段の制限板は、少なくとも一部が接触し、かつ、隣り合う第１の制限板上にそれぞれ形成された、同一平面内で互いに対向する制限板間の距離が、上記蒸着マスク側ほど大きくなるように配されていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着ユニット。
9. 平面視で上記第１の制限板上に形成された、上記第２の制限板および第３の制限板を含む複数段の制限板は、隣り合う段の制限板同士が一部重畳していることを特徴とする請求項８に記載の蒸着ユニット。
10. 上記第２の制限板は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき２枚設けられているとともに、
    上記第１の制限板上に設けられた対の第２の制限板は、該対の第２の制限板間の開口幅が上方ほど小さくなるように傾斜して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着ユニット。
11. 蒸着マスクと、
    上記蒸着マスクに向かって蒸着粒子を射出する蒸着源と、
    上記蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットとを備え、
    上記制限板ユニットは、
    第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板を備え、
    上記第１の制限板の上面には、上記第１の制限板に沿って、上記第１の方向に突起部が少なくとも２つ設けられていることを特徴とする蒸着ユニット。
12. 上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の制限板間に、それぞれ上記蒸着源における蒸着粒子の射出口が設けられており、
    上記第１の方向に垂直な第２の方向における上記突起部の長さは、該第２の方向における上記第１の制限板の長さよりも短く、
    上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記突起部は、上記射出口に隣接して設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着ユニット。
13. 上記突起部は、少なくとも、上記第１の制限板における上記第１の方向の両端部と面一となる位置に形成されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の蒸着ユニット。
14. 請求項１〜１３の何れか１項に記載の蒸着ユニットと、
    上記蒸着ユニットにおける蒸着マスクと被成膜基板とを対向配置した状態で、上記蒸着ユニットおよび上記被成膜基板のうち一方を、上記第１の方向に垂直な第２の方向に相対移動させる移動装置とを備え、
    上記蒸着マスクの上記第２の方向の幅は、上記第２の方向における被成膜基板の幅よりも小さく、
    上記第２の方向に沿って走査しながら、上記蒸着源から出射された蒸着粒子を、上記制限板ユニットおよび上記蒸着マスクの開口部を介して上記被成膜基板に蒸着させることを特徴とする蒸着装置。
15. 蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットであって、
    第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板と、平面視で上記第１の制限板上に、上記第１の方向に互いに離間し、かつ、上記第１の制限板に沿って設けられた、複数の第２の制限板と、を少なくとも備えた複数段の制限板を備え、
    上記第２の制限板は、上記第１の方向に、上記第１の制限板１枚につき少なくとも２枚設けられていることを特徴とする制限板ユニット。
16. 蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過角度を制限する制限板ユニットであって、
    第１の方向に互いに離間して設けられた、複数の第１の制限板を備え、
    上記第１の制限板の上面には、上記第１の制限板に沿って、上記第１の方向に突起部が少なくとも２つ設けられていることを特徴とする制限板ユニット。

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