WO2017069036A1 - 制限ユニット、蒸着装置、蒸着膜製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

制限ユニット、蒸着装置、蒸着膜製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDF

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vapor deposition
opening
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film
limiting unit
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勇毅 小林
菊池　克浩
伸一 川戸
井上　智
学 二星
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a limiting unit for limiting the passage of vapor deposition particles, a vapor deposition apparatus including the limiting unit, and a vapor deposition apparatus for producing a vapor deposited film using the vapor deposition apparatus when forming a vapor deposition film having a predetermined pattern on a deposition target substrate.
  • the present invention relates to a film manufacturing method, a method for producing an electroluminescent display device, and an electroluminescent display device.
  • a restriction unit for restricting the passage of vapor deposition particles is provided in the injection path.
  • Patent Document 1 discloses a deposition preventing plate having openings (restriction openings) corresponding to the panel pattern portions of the deposition target substrate as the restriction unit.
  • the deposition preventing plate of Patent Document 1 has a configuration in which a plurality of openings are provided in a plate-like member, and the non-opening is an area other than the formation area of the panel pattern part on the deposition target substrate (that is, the deposition target). It functions as an adhesion preventing part (restricting part) that blocks or suppresses the vapor deposition material supplied to the area other than the film area.
  • Patent Document 1 this avoids the use of useless vapor deposition materials and increases the recovery rate of vapor deposition materials that have not been used effectively.
  • FIGS. 16A and 16B are views showing a film formation state when the vapor deposition film 302 is formed on the film formation target substrate 200 by the scan vapor deposition method using the conventional limiting unit 500.
  • FIG. (A) shows an ideal film formation state
  • FIG. 16 (b) shows an actual film formation state.
  • the Y axis indicates a horizontal axis along the scanning direction of the film formation substrate 200
  • the X axis is perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate 200.
  • the Z-axis is the normal direction of the film formation surface 201 of the film formation substrate 200, and the direction in which the vapor deposition axis perpendicular to the film formation surface 201 extends is X.
  • a vertical axis (vertical axis) perpendicular to the axis and the Y axis is shown.
  • the deposition surface 201 of the deposition substrate 200 is provided with a plurality of partitioned deposition regions 202 and non-deposition regions 204. .
  • a plurality of film formation pattern regions 203 on which the vapor deposition film 302 is formed are provided in the film formation region 202.
  • the film formation region 202 corresponds to the panel pattern portion formation region in Patent Document 1.
  • the vapor deposition particles 301 emitted from the vapor deposition source opening 31 pass through the restriction plate opening 501 of the restriction unit 500, so that the incident angle to the mask opening 12 of the vapor deposition mask 10 is restricted and reaches the vapor deposition mask 10.
  • a deposition pattern including the deposition film 302 is formed on the deposition target substrate 200.
  • the film thickness profile to be formed is the nozzle diameter of the vapor deposition source opening 31 and the distance between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 (the size of the gap g in the Z-axis direction). As a result, the shape shown by the solid line in FIG. 17 is obtained.
  • the vapor deposition particles 301 adhering to the lower surface 502a re-evaporate when the lower surface 502a is heated because the distance from the vapor deposition source 30 which is a heat source is short, and vapor deposition is performed on the upper surface 30a (surface) of the vapor deposition source 30. Reattach as an object 303.
  • Patent Document 1 only mentions the control of the flow of vapor deposition particles (vapor deposition flow), and the spread of vapor deposition particles between a vapor deposition source and a deposition plate as a control unit is also prevented. No mention is made of the re-evaporation of the deposit deposited on the lower surface of the plate.
  • a vapor deposition film manufacturing method forms a vapor deposition film having a predetermined pattern on a deposition target substrate using the vapor deposition apparatus.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 of this invention. It is a perspective view which shows the basic composition of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 of this invention.
  • (A) is sectional drawing which shows an example of schematic structure of the organic electroluminescent display device manufactured in Embodiment 1 of this invention
  • (b) is schematic structure of the sub pixel of the organic electroluminescent display apparatus shown to (a).
  • FIG. It is a flowchart which shows the production process of the organic electroluminescent display apparatus shown to (a) * (b) of FIG. 3 in order of a process.
  • It is sectional drawing which shows an example of the effect by the limiting unit concerning Embodiment 1 of this invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of a vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the present embodiment is applied to the manufacture of an organic EL display device for RGB full-color display in which organic EL elements of, for example, red (R), green (G), and blue (B) are arranged on a substrate as sub-pixels.
  • organic EL elements of, for example, red (R), green (G), and blue (B) are arranged on a substrate as sub-pixels.
  • R red
  • G green
  • B blue
  • the case where the light emitting layer of an organic EL element is formed into a film by the RGB coating system by applying the vapor deposition apparatus 100 and the vapor deposition method according to the embodiment will be described as an example.
  • the vapor deposition film 302 formed by the vapor deposition device 100 according to the present embodiment is a light emitting layer of each color of R, G, and B in the organic EL display device will be described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the vapor deposition apparatus 100 and the vapor deposition method according to the present embodiment are based on vapor phase growth technology including manufacturing of an organic EL display device and an inorganic EL display device. It can be applied to the entire manufacturing of the used device.
  • the horizontal axis along the scanning direction of the film formation substrate 200 is defined as the Y axis
  • the horizontal axis along the direction perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate 200 is defined as the X axis
  • a vertical direction axis (vertical axis) that is a normal direction of the film formation surface 201 of the substrate 200 and is perpendicular to the X axis and the Y axis will be described as a Z axis.
  • the explanation will be made with the upward arrow side of the Z-axis direction as the upper side.
  • the cross section refers to a cross section parallel to the X-axis direction.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes a film formation chamber 2, a substrate transfer apparatus 3 (substrate movement apparatus), a vapor deposition mask 10, a limiting unit 20, a vapor deposition source 30, and a mask holder and a substrate holder (not shown). , A limiting unit holder, an adhesion preventing member, a shutter, a control device, and the like.
  • a plurality of partitioned film formation regions 202 are provided on the film formation surface 201 of the film formation substrate 200.
  • the deposition target substrate 200 is a mother substrate.
  • a plurality of organic EL display devices 400 are formed on a mother substrate, and then divided into individual organic EL display devices 400.
  • Each film formation region 202 is formed in a stripe shape from one end of the film formation substrate 200 to the other end.
  • a non-film formation region 204 is provided around each film formation region 202 so as to surround each film formation region 202.
  • each film formation region 202 a plurality of pixel regions in which a plurality of pixels 401 are arranged in each organic EL display device 400 are formed. Accordingly, the pixel region in each organic EL display device 400 is formed in a two-dimensional shape (matrix shape) on the deposition target substrate 200.
  • Each pixel 401 in each pixel region includes a sub-pixel 402 of each color of R, G, and B. For this reason, a plurality of sub-pixels 402 of each color made up of organic EL elements of each color R, G, and B are provided in each film-forming region 202, and an organic EL as a vapor deposition film 302 is provided in each sub-pixel 402. A fine vapor deposition film pattern composed of vapor deposition films 302 of R, G, and B colors used as the light emitting layer of the element is formed.
  • each film formation region 202 includes one of a pair of electrodes sandwiching the light emitting layer in the driving circuit of the organic EL display device 400 and the organic EL element. Pre-formed.
  • each film formation region 202 as shown in FIG. 1, a plurality of film formation pattern regions 203 for forming the above-mentioned respective color vapor deposition films 302 are provided corresponding to each sub-pixel 402.
  • the film formation substrate 200 is held by a substrate holder (not shown).
  • the deposition mask 10, the limiting unit 20, and the deposition source 30 are moved relative to the deposition target substrate 200 (that is, when only the deposition unit 1 is moved among the deposition target substrate 200 and the deposition unit 1).
  • the substrate holder may be fixed to the inner wall of the film forming chamber 2.
  • the vapor deposition mask 10 is a plate-like object whose main surface is a parallel to the XY plane.
  • the vapor deposition mask 10 is a vapor deposition mask that is smaller in size in the Y-axis direction than the deposition target substrate 200 in plan view.
  • the plan view indicates “when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 10 (that is, a direction parallel to the Z axis)”.
  • the vapor deposition mask 10 is held by a mask holder (not shown).
  • the mask holder may be fixed to the inner wall of the deposition chamber 2.
  • the vapor deposition mask 10 may be used as it is, or may be fixed to a mask frame (not shown) in a tensioned state in order to suppress its own weight deflection.
  • the mask frame is formed in a rectangular shape whose outer shape is the same as or slightly larger than that of the vapor deposition mask 10 in plan view.
  • the vapor deposition mask 10 includes a plurality of mask opening regions 11 that face the film formation region 202 of the film formation substrate 200 when facing the film formation substrate 200. ing.
  • the mask opening region 11 is provided with a plurality of openings (through holes) functioning as passage parts for allowing the vapor deposition particles 301 (vapor deposition material) to pass therethrough as the mask openings 12.
  • the mask opening 12 corresponds to a part of each pattern of the vapor deposition film 302.
  • the mask opening region 11 is composed of these mask opening 12 groups.
  • a region other than the mask opening 12 in the vapor deposition mask 10 is a non-opening portion 13 (non-opening region), and functions as a blocking portion that blocks the flow of vapor deposition particles 301 (vapor deposition flow).
  • Each mask opening 12 is formed on each of the vapor deposition films 302 formed by the vapor deposition mask 10 to be used so that the vapor deposition particles 301 do not adhere to regions other than the target film formation pattern region 203 on the film formation substrate 200. It is provided corresponding to a part of the pattern.
  • the material of the vapor deposition mask 10 is not particularly limited.
  • the material of the vapor deposition mask 10 may be a metal such as invar (iron-nickel alloy), a resin, a ceramic, or a combination thereof.
  • the vapor deposition source 30 is formed in a rectangular shape, for example, as shown in FIG.
  • On the upper surface 30a of the vapor deposition source 30 that is, the surface facing the restriction unit 20), a plurality of vapor deposition source openings 31 (injection ports, nozzle portions) are provided as ejection ports for ejecting the vapor deposition particles 301.
  • These vapor deposition source openings 31 are arranged at a constant pitch in the X-axis direction.
  • a line deposition source (line source) having a plurality of deposition source openings 31 can be used as the deposition source 30, and the deposition source 30 is moved in the Y-axis direction.
  • uniform film formation can be performed on the deposition target substrate 200 having a large area. In this case, there is no significant decrease in throughput during mass production, and there is a great merit.
  • the limiting unit 20 is provided apart from the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition source 30, and controls the flow (vapor deposition flow) of isotropic vapor deposition particles 301 emitted from the vapor deposition source opening 31, thereby enhancing the directivity. have.
  • the vapor deposition mask 10, the limiting unit 20, and the vapor deposition source 30 are all larger in the Y-axis direction than the deposition target substrate 200 in plan view. It is formed to be smaller.
  • the limiting unit 20 is the same as or larger than the vapor deposition mask 10 in plan view.
  • the present embodiment is not limited to this, and the vapor deposition source openings 31 may be arranged in a two-dimensional shape (tile shape) in the X-axis direction and the Y-axis direction. Even when the vapor deposition source openings 31 are two-dimensionally arranged, the vapor deposition source openings 31 are preferably arranged so as to be located at the center positions of the restricting openings 24 in the X-axis direction.
  • the lengths of the top wall 21 surrounding each limiting opening 24 in the X-axis direction and the Y-axis direction, and the lengths of the opening wall 23 and the side wall 22 in the Y-axis direction are the film formation regions in the film formation substrate 200. What is necessary is just to set suitably according to the magnitude
  • one layer may have a plurality of functions.
  • the hole injection / hole transport layer 422a may have a configuration in which the hole injection layer and the hole transport layer are provided as separate layers, and a hole injection having the functions of both layers. It may be a layer / hole transport layer.
  • the electron transport / electron injection layer 422c may have a configuration in which the electron injection layer and the electron transport layer are provided as separate layers, and an electron injection layer / electron transport having the functions of both layers. It may be a layer.
  • a carrier blocking layer may be appropriately provided between the layers.
  • the first electrode 421 is an anode (pattern electrode, pixel electrode) and the second electrode 423 is a cathode (common electrode), but the first electrode 421 is a cathode and the second electrode. 423 may be the anode. However, in this case, the order of the layers constituting the organic EL layer 422 is reversed.
  • the organic EL display device 400 is a bottom emission type that emits light from the back side of the insulating substrate 411
  • the second electrode 423 is formed of a reflective electrode material
  • the first electrode 421 is transparent or semi-transparent. It is preferable to form with a transparent translucent electrode material.
  • the TFT substrate 410 on which the first electrode 421 is formed is baked under reduced pressure for dehydration, and further subjected to oxygen plasma treatment for cleaning the surface of the first electrode 421.
  • the TFT substrate 410 formed with the first electrode 421 and the edge cover 415 formed in the TFT substrate / first electrode manufacturing step (S1) is used as the deposition target substrate 200. It is done. That is, in the organic EL layer deposition step (S2), the film formation substrate 200 in which the first electrode 421 is provided in advance in the film formation region 202 as one of the pair of electrodes sandwiching the light emitting layer 422b. Is used. At this time, as the film formation substrate 200, a plurality of film formation regions 202 to be the formation regions of the organic EL display devices 400 are provided, and a mother substrate capable of cutting out the plurality of organic EL display devices 400 is used.
  • the light emitting layer deposition step (S12) includes the alignment step and the deposition step described above, the light emitting layer deposition step (S12) has a high-definition pattern without pattern blurring or color mixing due to adhesion of the microfilm 304 (see FIG. 18).
  • the light emitting layer 422b can be formed.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the effect of the limiting unit 20 according to the present embodiment.
  • limiting part 25 can be reduced and the temperature of the lower surface of the restriction
  • the side surfaces of the opening wall 23 and the side wall 22, that is, the ZY plane of the restricting portion 25, do not heat as much as the lower surface of the restricting portion 25, and physically re-evaporate.
  • the side surfaces of the opening wall 23 and the side wall 22 that is, the ZY plane of the restricting portion 25, do not heat as much as the lower surface of the restricting portion 25, and physically re-evaporate.
  • no significant re-evaporation from the side surfaces of the opening wall 23 and the side wall 22 was observed, and as shown in FIG. Re-deposition of the deposit 303 as shown in FIG. 18 was not observed.
  • FIG. 6A and 6B show an example of the effect of the limiting unit 20 according to the present embodiment, in the case where the cross-sectional shape of the limiting portion 25 in the cross-section parallel to the X-axis direction is T-shaped. It is sectional drawing shown in contrast.
  • FIG. 6A schematically shows a configuration of a main part of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • (b) of FIG. 6 is a comparative example, and in the vapor deposition apparatus 100 shown in (a) of FIG. 6, the vapor deposition apparatus 100 has a T-shaped cross section of the restriction portion 25 of the restriction unit 20.
  • the structure of the principal part is shown typically.
  • the cross-sectional shape of the restriction portion 25 is T-shaped
  • the X-axis direction at the upper portion of the restriction opening 24 is larger than the opening width ⁇ 1 at the lower portion of the restriction opening 24 in the X-axis direction.
  • the size of the film formation region 202 in the X-axis direction is determined by the opening width ⁇ 3 in the X-axis direction above the restricting opening 24 and unnecessary deposition.
  • the flow is cut (captured) at the lower surface of the restricting portion 25, but the lower surface 23 a of the opening wall 23 does not exist in the vicinity of the vapor deposition source opening 31. For this reason, in this case, as indicated by an arrow in FIG. 6B, the vapor deposition particles 301 emitted from the vapor deposition source opening 31 may be directed to the adjacent film formation region without being cut by the adjacent restriction portion. There is.
  • the cross-sectional shape of the limiting portion 25 is T-shaped, since the lower surface 23a of the opening wall 23 does not exist in the vicinity of the vapor deposition source opening 31, the physical nozzle length of each limiting opening 24 is substantially equal to , Equal to the thickness d1 of the top wall 21. Therefore, when the cross-sectional shape of the restricting portion 25 is a reverse concave shape, the physical nozzle length of each restricting opening 24 becomes longer than when the cross-sectional shape of the restricting portion 25 is T-shaped.
  • the collimating property improvement effect of the vapor deposition particle 301 improves compared with the case where the cross-sectional shape of the restriction
  • FIG. 7 is sectional drawing which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition apparatus 100 concerning the modification 1 of this embodiment.
  • each restriction portion 25 of the restriction unit 20 includes a ceiling wall 21 and an opening wall 23 that are uniform and have the same thickness.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • ⁇ Modification 2> In the present embodiment, the case where the limiting unit 20 has a plurality of limiting openings 24 arranged in the X-axis direction has been described as an example. However, the present embodiment is not limited to this.
  • the restriction unit 20 has at least one restriction opening 24, and a plurality of restriction portions 25 having a ceiling wall 21 and a standing wall including the opening wall 23 are provided with the restriction opening 24 interposed therebetween.
  • the restricting portion 25 only needs to have a reverse concave cross-sectional shape as described above. Even when only one deposition region 202 is provided on the deposition substrate 200 and only one restriction opening 24 is provided, the above-described effect can be obtained.
  • a plurality of vapor deposition sources provided with one vapor deposition source opening 31 can be arranged in the X-axis direction instead of the line vapor deposition source.
  • limiting unit 20, the vapor deposition unit 1, and the vapor deposition apparatus 100 concerning this embodiment can be used suitably for scan vapor deposition, as mentioned above.
  • the present embodiment is not limited to this, and the restriction unit 20, the vapor deposition unit 1, and the vapor deposition apparatus 100 are (1) a film formation substrate 200, a vapor deposition mask 10, a restriction unit 20, and a vapor deposition source.
  • FIGS. 8 to 13 show the numbers of the mask openings 12 and the restriction openings 24, the number of the film formation regions 202 and the film formation pattern regions 203, etc. reduced for convenience of illustration. Yes.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a main part of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 is related to the first embodiment except that the opening wall 23 in the limiting unit 20 is inclined with respect to the normal direction of the top wall 21. This is the same as the vapor deposition apparatus 100.
  • the opening wall 23 of the limiting unit 20 extends from the top wall 21 to the outside in the normal direction of the top wall 21, that is, toward the vapor deposition source opening 31. It is suspended (hanging).
  • each restricting portion 25 has an inverted concave cross-sectional shape (in other words, a ceiling shape that is inclined so that the opening wall 23 sandwiching the top wall 21 extends outward from the normal direction of the top wall 21.
  • the wall 21 side is narrower than the vapor deposition source 30 side, and has an inversely tapered cross-sectional shape. That is, in this embodiment, the cross-sectional shape of each restricting portion 25 has no bottom as shown in FIG. 8 from the normal rectangular parallelepiped shape shown in FIGS. 16A and 16B (that is, the bottom is open).
  • the trapezoidal shape was hollow.
  • FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views schematically showing the configuration of the main part of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment in order to describe the design of the limiting unit 20 according to the present embodiment.
  • illustration of the vapor deposition mask 10 is abbreviate
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating the vapor deposition angle ⁇ 1 of the vapor deposition apparatus according to this embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the taper angle of the opening wall 23 of the limiting unit 20 according to the present embodiment.
  • FIG. 12 is another cross-sectional view illustrating the taper angle of the opening wall 23 of the limiting unit 20 according to the present embodiment.
  • each limiting portion 25 has a hollow trapezoidal cross-sectional shape. Therefore, as shown in FIGS. 8 and 9A and 9B, the length L1 of the ceiling wall 21 in each restricting portion 25 in the X-axis direction, more specifically, the restricting openings 24 adjacent to each other.
  • the length L1 in the X-axis direction of the sandwiched ceiling wall 21 is shorter than the length L2 in the X-axis direction of the outer shape of each restricting portion 25 in plan view.
  • the limiting unit 20 has an opening width in the X-axis direction at the lower portion of the limiting opening 24 rather than an opening width ⁇ 3 in the X-axis direction at the upper portion of the limiting opening 24.
  • ⁇ 1 is small.
  • the size of the film formation region 202 in the X-axis direction is determined by the opening width ⁇ 1 in the X-axis direction below the restriction opening 24.
  • the size of the limiting opening 24 on the vapor deposition source 30 side in the X-axis direction (the opening width ⁇ 1) is such that the cross-sectional shape of the limiting portion 502 is normal as shown in FIGS.
  • the size of the restriction plate opening 501 of the rectangular parallelepiped restriction unit 500 in the X-axis direction and the size of the restriction opening 24 of the restriction unit 20 in Embodiment 1 in the X-axis direction (opening width ⁇ 1) are narrower.
  • L1 is the distance between the opening ends on the top wall 21 side of the opening walls 23 adjacent to each other in the X-axis direction in each restricting portion 25, that is, the vapor deposition mask 10 of each restricting portion 25.
  • L2 can be rephrased as the distance between the opening ends of the opening walls 23 adjacent to each other in the X-axis direction on the surface of each restricting portion 25 facing the vapor deposition source 30.
  • L1 indicates the length of the upper base of the trapezoid
  • L2 indicates the length of the lower base of the trapezoid.
  • L1 and L2 are not particularly limited as long as L1 ⁇ L2.
  • the opening width ⁇ 1 and the length L2 in the X-axis direction of the outer shape of each restricting portion 25 in plan view are such that the vapor deposition film 302 is formed in each film-forming region 202 over the entire X-axis direction. , Determined by the vapor deposition angle ⁇ 1 with respect to the film formation region 202.
  • a preferred design of the limiting unit 20 will be described.
  • the range in the X-axis direction of the vapor deposition flow in other words, the size in the X-axis direction of the film formation region 202 by the vapor deposition flow in the case where the outer shape of the cross section of each restricting portion 25 has a rectangular parallelepiped shape, It is determined by the opening width ⁇ 3 in the X-axis direction at the top.
  • each limiting portion is made of a plate called a limiting plate as in the prior art. That is, in the present embodiment, the outer shape of the cross section of each restricting portion 25 is a shape in which the bottom portion of each restricting portion 25 is opened, that is, a shape connecting the bottom portions (that is, each opening wall 23 in the restricting portion 25, for example). The shape which connected the lower surface 23a of No. 2) is shown.
  • each restricting portion 25 when the cross-sectional shape of each restricting portion 25 is a hollow trapezoidal shape with no bottom (that is, the outer shape of the cross-section of each restricting portion 25 is a trapezoidal shape).
  • the cross-sectional outer shape of each restricting portion 25 is Assuming that the length is L1, L2 is within the range of L2 ⁇ L1 + ⁇ 3- ⁇ 1, that is, the outer edge in the X-axis direction of the lower surface 23a of the opening wall 23 is shown in the cross section of FIGS. 9 (a) and 9 (b).
  • the outer shape needs to be within the range indicated by the triangular filled portion P around the restriction portion 25 having a rectangular shape.
  • L2 exceeds the above range (that is, the outer edge in the X-axis direction of the lower surface 23a of the opening wall 23 exceeds the filled portion P)
  • L2 is desirably set within the above range.
  • the height of the opening wall 23 (that is, the height of the opening wall 23 in the Z-axis direction, and the height in the Z-axis direction between the upper surface 21b of the top wall 21 and the lower surface 23a of the opening wall 23).
  • the vapor deposition angle ⁇ 1 is defined between the opening width ⁇ 1 of the limiting opening 24, the size of the vapor deposition source opening 31 in the X-axis direction (nozzle diameter ⁇ 2), and the lower surface 23a of the opening wall 23 and the upper surface 30a of the vapor deposition source 30. And the distance ⁇ .
  • L1 and L2 are, for example, the taper angle of the opening wall 23 which is a vertical plate of the limiting portion 25, in particular, the taper of the surface (upper surface) of the opening wall 23 facing the limiting opening 24. It is desirable to set the angle (that is, the taper angle outside the trapezoid forming the limiting portion 25) ⁇ 2 to be larger than the vapor deposition angle ⁇ 1.
  • the vapor deposition flow restricted by the inlet of the restriction opening 24 on the vapor deposition source 30 side (that is, the opening on the lower surface side of the restriction unit 20) is the opening wall of the restriction part 25. 23 may be cut (blocked, trapped) on the upper surface of 23.
  • the taper angle of the surface of the opening wall 23 opposite to the surface facing the limiting opening 24 is the taper angle. Ideally it is equal to ⁇ 2.
  • the opening wall 23 has a uniform thickness as shown in FIGS. 8 and 11, and the surface of the opening wall 23 opposite to the surface facing the restriction opening 24 (that is, the restriction portion 25 is formed).
  • the inner surface of the trapezoid is preferably parallel to the surface facing the limiting opening 24.
  • the present embodiment is not limited to this, and the taper angle ⁇ 3 may be larger than the taper angle ⁇ 2 as shown in FIG. That is, the opening wall 23 may be formed so as to be thicker toward the top wall 21 side.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing the effect of the limiting unit 20 according to the present embodiment.
  • each of the limiting portions 25 has a U-shaped cross-sectional shape in which the opening wall 23 is vertically suspended from the top wall 21 and the bottom side is opened. It becomes possible to keep away from the vapor deposition source 30. Thereby, the temperature of the adhesion part of the deposit 303 in the restriction unit 20 can be further reduced as compared with the first embodiment. Therefore, according to the present embodiment, the effect of reducing the reattachment of the deposit 303 to the upper surface 30a of the deposition source 30 can be further improved as compared with the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a main part of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the second embodiment except that the opening wall 23 in the limiting unit 20 is formed in a step shape.
  • the height and the number of steps of the opening wall 23 there are no particular restrictions on the height and the number of steps of the opening wall 23.
  • the case where the number of stages of the opening wall 23 is three is shown as an example, but it may be two or more, and may be two or four or more.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an effect of the restriction unit 20 according to the present embodiment.
  • the restricting portion 25 has an inversely tapered cross-sectional shape as in the second embodiment, so that the lower surface 21a of the top wall 21 to which the deposit 303 is most adhered is implemented as shown in FIG. It can be further away from the vapor deposition source 30 than in the first mode. Therefore, the present embodiment can provide the same effects as those of the second embodiment.
  • the opening portion 23 is formed in a step shape, that is, a multi-step rectangular shape, so that the restriction portion 25 can be easily processed. Moreover, since the height, width, and the like of each step can be changed as appropriate, versatility is further enhanced than in the second embodiment.
  • the restriction unit 20 is a restriction unit that restricts the passage of the vapor deposition particles 301 emitted from the vapor deposition source 30 and includes at least one opening (restriction opening 24) through which the vapor deposition particles 301 pass. And a plurality of non-opening portions (limitation portions 25) sandwiching the opening portion, and the non-opening portion has a reverse concave cross-sectional shape formed by the top wall 21 and the opening wall 23. Yes.
  • the non-opening has a cross-sectional shape in which the thickness d1 of the top wall 21 is smaller than the height d2 of the opening wall 23 in the non-opening, there is no bottom wall, and the bottom of the non-opening is opened.
  • limiting opening 24 maintains the range decided on design, and the opposing surface with the vapor deposition source 30 in the said non-opening part
  • the lower surface 21 a of the top wall 21 to which the deposited material 303 adheres most can be kept away from the deposition source 30.
  • the non-opening portion is substantially removed from the vapor deposition source 30 without impairing the original function of the limiting unit 20 that controls the isotropic vapor deposition flow and enhances the directivity. You can keep away.
  • the opening wall 23 may be provided in parallel to the normal direction of the top wall 21.
  • the effect described in the first aspect can be obtained with a simple configuration.
  • the opening wall 23 is provided to be inclined with respect to the normal line direction of the ceiling wall 21, and the non-opening portion is the ceiling.
  • the wall 21 side may have an inversely tapered cross-sectional shape that is narrower than the vapor deposition source 30 side.
  • the lower surface 21a of the top wall 21 to which the vapor deposition material 303 adheres most is kept away from the vapor deposition source 30 rather than the case where the opening wall 23 is provided in parallel with the normal line direction of the top wall 21. It becomes possible. Thereby, compared with the case where the opening wall 23 is provided in parallel with the normal line direction of the top wall 21, the temperature of the adhesion part of the deposit 303 in the limiting unit 20 can be further reduced, The effect of reducing the reattachment of the deposit 303 to the upper surface 30a can be further improved.
  • the opening wall 23 may be formed in a step shape.
  • the opening wall 23 is formed in a step shape, processing (formation of the opening wall 23) is facilitated. Moreover, since the height, width, and the like of each step can be appropriately changed, versatility can be further improved.
  • the thickness of the opening wall 23 and the thickness of the top wall 21 may be equal.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the seventh aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to the sixth aspect, wherein the distance ⁇ between the facing surface (the lower surface 23a) of the opening wall 23 to the vapor deposition source 30 and the upper surface 30a of the vapor deposition source 30 is It may be 1 mm or more and 100 mm or less.
  • the distance ⁇ is too short, the influence of the radiant heat from the vapor deposition source 30, particularly the influence of the radiant heat from the vapor deposition source 30 on the lower surface 23 a of the opening wall 23 and the lower surface of the side wall 22 increases.
  • the distance ⁇ is too long. And there exists a possibility that the vapor deposition particle 301 inject
  • each opening has a portion other than the injection port corresponding to each opening. There is no possibility that the vapor deposition particles 301 injected from the injection port flow in.
  • the vapor deposition film manufacturing method according to aspect 8 of the present invention is a method of forming a vapor deposition film 302 having a predetermined pattern on the film formation substrate 200 using the vapor deposition apparatus 100 according to the above aspect 6 or 7.
  • the restriction unit 20 is provided with a plurality of openings arranged in the first direction (X-axis direction) in plan view. Further, at least one of the deposition target substrate 200, the limiting unit 20, and the vapor deposition source 30 is vapor-deposited while relatively moving in a second direction (Y-axis direction) orthogonal to the first direction in a plan view. May be performed.
  • the vapor deposition film 302 can be efficiently formed on the large deposition target substrate 200 by using the limiting unit 20 smaller than the deposition target substrate 200.
  • the production method of the electroluminescence display device includes the vapor deposition film manufacturing method according to the eighth or ninth aspect.
  • the method for producing an electroluminescent display device is the first electrode forming step (TFT substrate / first electrode manufacturing step) in which the first electrode 421 is formed on the substrate (TFT substrate 410) in the above aspect 10.
  • the re-deposition of the deposit 303 to the deposition source 30 due to the re-evaporation of the deposit 303 adhering to the non-opening portion can be suppressed or prevented.
  • the film can be prevented. Therefore, according to the production method, the light-emitting layer 422b having a high-definition pattern can be formed without adhesion of the microfilm 304 due to re-evaporation of the deposited material 303. For this reason, according to the said production method, EL display apparatuses, such as the organic EL display apparatus 400 whose display quality is higher than before, can be provided.
  • the electroluminescence display device includes a first electrode 421, an electroluminescence layer (organic EL layer 422) made of an organic layer or an inorganic layer, and a second electrode 423 on a substrate (TFT substrate 410).
  • the electroluminescence display devices organic EL display device 400
  • the electroluminescence layer has at least one opening (restriction opening) through which the vapor deposition particles 301 emitted from the vapor deposition source 30 pass. 24) and a plurality of non-opening portions (limitation portions 25) sandwiching the opening portion, and the non-opening portion has a reverse concave cross-sectional shape formed by the top wall 21 and the opening wall 23.
  • the light emitting layer 422b which consists of the pattern of the vapor deposition film 302 formed with the vapor deposition particle 301 which passed the said opening part of the restriction

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Abstract

制限ユニット（２０）は、蒸着粒子を通過させる少なくとも１つの制限開口（２４）と、制限開口（２４）を挟む複数の制限部（２５）とを有し、制限部（２５）は、天壁（２１）と開口壁（２３）とで形成される逆凹形状の断面形状を有している。

Description

制限ユニット、蒸着装置、蒸着膜製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置
　本発明は、被成膜基板に所定パターンの蒸着膜を形成するに際し、蒸着粒子の通過を制限する制限ユニットおよび該制限ユニットを備えた蒸着装置、該蒸着装置を用いて蒸着膜を製造する蒸着膜製造方法、並びに、エレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
　有機材料または無機材料の電界発光（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用したＥＬ素子を備えたＥＬ表示装置は、全固体型で、自発光性を有し、低電圧駆動、高速応答性に優れ、次世代ディスプレイ技術の候補として開発が進められている。
　ＥＬ素子は、一般的に、所定パターンの開口が形成された蒸着マスク（シャドウマスクとも称される）を介して、減圧下（高真空下）で被成膜基板に蒸着粒子（被成膜成分）を蒸着させる真空蒸着法によって成膜される。このとき被成膜基板に、マザー基板等の大型基板を使用する大型基板成膜技術としては、大型の被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクや蒸着源を必要としないスキャン蒸着法が有望である。
　スキャン蒸着法では、例えば、蒸着マスクと蒸着源とを一体化する等して、蒸着マスクおよび蒸着源と、被成膜基板とのうち少なくとも一方を相対移動させることで、被成膜基板を走査しながら被成膜基板の全被成膜領域に蒸着粒子を蒸着する。蒸着源には、蒸着粒子を射出させる射出口として用いられる複数の蒸着源開口（ノズル部）が、例えば被成膜基板における走査方向に垂直な方向の各被成膜領域に対応して、走査方向に垂直な方向に一定ピッチで設けられた蒸着源が使用される。
　このため、各蒸着源開口から射出された蒸着粒子が、各蒸着源開口に対応付けられた被成膜領域以外の領域に被着しないように、蒸着源から被成膜基板に向かう蒸着粒子の射出経路に、蒸着粒子の通過を制限する制限ユニットが設けられている。
　例えば、特許文献１には、制限ユニットとして、被成膜基板のパネルパターン部にそれぞれ対応した開口部（制限開口）を有する防着板が開示されている。特許文献１の防着板は、板状部材に複数の開口部が設けられた構成を有し、非開口部は、被成膜基板におけるパネルパターン部の形成領域以外の領域（すなわち、被成膜領域以外の領域）に供給される蒸着材料を遮断または抑制する防着部（制限部）として機能する。
　特許文献１では、これにより、無駄な蒸着材料の使用を避け、有効に使用されなかった蒸着材料の回収率を高めている。
日本国公開特許公報「特開２００４－１９９９１９号公報（２００４年７月１５日公開）」
　しかしながら、スキャン蒸着法では、蒸着マスクと被成膜基板との間にギャップが形成されることから、たとえ制限ユニットを用いたとしても、被成膜基板における所望の領域以外の領域に微小膜が発生することがある。このような微小膜は、表示不良等、表示品位の低下を招く。このため、スキャン蒸着法は、実現できる成膜パターンの精細度に限界があり、汎用性を狭めている。
　図１６の（ａ）・（ｂ）は、従来の制限ユニット５００を用いてスキャン蒸着法により被成膜基板２００に蒸着膜３０２を成膜するときの成膜状態を示す図であり、図１６の（ａ）は、理想的な成膜状態を示し、図１６の（ｂ）は、実際の成膜状態を示す。
　なお、図１６の（ａ）・（ｂ）中、Ｙ軸は、被成膜基板２００の走査方向に沿った水平方向軸を示し、Ｘ軸は、被成膜基板２００の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸を示し、Ｚ軸は、被成膜基板２００の被成膜面２０１の法線方向であり、該被成膜面２０１に直交する蒸着軸線が延びる方向である、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な垂直方向軸（上下方向軸）を示す。
　図１６の（ａ）・（ｂ）に示すように、被成膜基板２００の被成膜面２０１には、区画された複数の被成膜領域２０２および非成膜領域２０４が設けられている。被成膜領域２０２内には、蒸着膜３０２が成膜される複数の被成膜パターン領域２０３が設けられている。なお、被成膜領域２０２は、特許文献１におけるパネルパターン部の形成領域に相当する。
　図１６の（ａ）に示すように、射出口である蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１は、板状の制限ユニット５００により、各蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１が被着する被成膜領域２０２が制限される。
　蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１は、制限ユニット５００の制限板開口５０１を通過することで蒸着マスク１０のマスク開口１２への入射角が制限されて蒸着マスク１０に到達する。マスク開口１２を通過した蒸着粒子３０１が被成膜基板２００に被着されることで、被成膜基板２００上に、蒸着膜３０２からなる成膜パターンが形成される。
　ここで、理想的には、形成される膜厚プロファイルは、蒸着源開口３１のノズル径および蒸着マスク１０と被成膜基板２００との間の距離（Ｚ軸方向のギャップｇの大きさ）で決定され、図１７の実線で示す形状となる。
　なお、図１７は、図１７中、Ｓｉｍで示すようにシミュレーションにより求められる、被成膜基板２００に成膜された蒸着膜３０２の最大値を基準値として、シミュレーションおよび実測でのＸ軸方向における各位置での蒸着膜３０２の膜厚を規格化して示している。
　但し、実際には、図１６の（ｂ）に示すように、蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１のうち、指向性の悪い蒸着粒子３０１（すなわち、Ｘ軸方向に広がった蒸着粒子３０１）は、非開口部である板状の制限部５０２によって遮られ、捕捉される。このため、制限ユニット５００の下面（底面、すなわち、蒸着源３０との対向面）となる、制限部５０２の下面５０２ａには、多くの蒸着粒子３０１が、蒸着物３０３として付着する。
　上記下面５０２ａに付着した蒸着粒子３０１は、上記下面５０２ａが、熱源である蒸着源３０との距離が近いために熱せられることで、再蒸発し、蒸着源３０の上面３０ａ（表面）に、蒸着物３０３として再付着する。
　蒸着源３０は高温状態であることから、蒸着源３０の上面３０ａに再付着した蒸着物３０３は、再々蒸発する。このため、この場合、実質的にノズル径が拡がったのと同義となる。この再々蒸発により、図１６の（ｂ）に点線で示す、蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１だけでなく、図１６の（ｂ）に矢印で示すように、蒸着源開口３１以外の部分から飛散した蒸着粒子３０１も、マスク開口１２に入射する。この結果、正常なパターンの蒸着膜３０２（正常パターン膜）以外に、異常なパターンの蒸着膜である微小膜３０４が形成される。この結果、図１７に点線に示すように、蒸着ボケ（パターンボケ）が大きくなり、表示品位を低下させる。
　なお、このような微小膜３０４は、図１６の（ｂ）に示すように、被成膜パターン領域２０３の外側のみならず、被成膜パターン領域２０３の中央部を含む全領域に形成される。
　したがって、制限ユニット５００を用いた場合、上記下面５０２ａに付着した蒸着物３０３の再蒸発による蒸着源への蒸着物の再付着を抑制することが重要となる。
　しかしながら、特許文献１は、蒸着粒子の流れ（蒸着流）の制御についてしか言及しておらず、蒸着源と、制御ユニットである防着板との間の蒸着粒子の拡がりについても、該防着板の下面に付着した蒸着物の再蒸発についても、何ら言及していない。
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、制限ユニットにおける蒸着源との対向面に付着する蒸着物の再蒸発を抑制することができる制限ユニットおよび蒸着装置並びに蒸着膜製造方法、並びに、上記蒸着物の再蒸発による微小膜の付着が無く、高精細なパターンの蒸着膜を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる制限ユニットは、蒸着源から射出された蒸着粒子の通過を制限する制限ユニットであって、上記蒸着粒子を通過させる少なくとも１つの開口部と、上記開口部を挟む複数の非開口部とを有し、上記非開口部は、天壁と開口壁とで形成される逆凹形状の断面形状を有している。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、上記制限ユニットと、上記制限ユニットに対向配置され、上記蒸着粒子を射出する上記蒸着源と、を備えている。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着膜製造方法は、上記蒸着装置を用いて、被成膜基板に、所定パターンの蒸着膜を形成する。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法は、本発明の一態様にかかる上記蒸着膜製造方法を含んでいる。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置は、基板上に、第１電極と、有機層または無機層からなるエレクトロルミネッセンス層と、第２電極と、がこの順に設けられたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、上記エレクトロルミネッセンス層は、蒸着源から射出された蒸着粒子を通過させる少なくとも１つの開口部と、上記開口部を挟む複数の非開口部とを有し、上記非開口部が、天壁と開口壁とで形成される逆凹形状の断面形状を有する制限ユニットの上記開口部を通過した蒸着粒子で形成される蒸着膜のパターンからなる発光層を含んでいる。
　本発明の一態様によれば、制限ユニットにおける蒸着源との対向面に付着する蒸着物の再蒸発を抑制することができる制限ユニットおよび蒸着装置並びに蒸着膜製造方法、並びに、上記蒸着物の再蒸発による微小膜の付着が無く、高精細なパターンの蒸着膜を有するエレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかる蒸着装置の要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態１にかかる蒸着装置の基本構成を示す斜視図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１で製造する有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す有機ＥＬ表示装置のサブ画素の概略構成を示す平面図である。 図３の（ａ）・（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置の生産工程を工程順に示すフローチャートである。 本発明の実施形態１にかかる制限ユニットによる効果の一例を示す断面図である。 （ａ）・（ｂ）は、本発明の実施形態１にかかる制限ユニットによる効果の一例を、制限部の断面形状がＴ字状である場合と対比して示す断面図である。 本発明の実施形態１の変形例１にかかる蒸着装置の要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態２にかかる蒸着装置の要部の概略構成を示す断面図である。 （ａ）・（ｂ）は、本発明の実施形態２にかかる蒸着装置の要部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態２にかかる蒸着装置の蒸着角度について説明する断面図である。 本発明の実施形態２にかかる制限ユニットの開口壁のテーパ角について説明する断面図である。 本発明の実施形態２にかかる制限ユニットの開口壁のテーパ角について説明する他の断面図である。 本発明の実施形態２にかかる制限ユニットによる効果を示す断面図である。 本発明の実施形態３にかかる蒸着装置の要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態３にかかる制限ユニットによる効果を示す断面図である。 （ａ）・（ｂ）は、従来の制限ユニットを用いてスキャン蒸着法により被成膜基板に蒸着膜を成膜するときの成膜状態を示す図であり、（ａ）は、理想的な成膜状態を示し、（ｂ）は、実際の成膜状態を示す。 シミュレーションにより求められる、被成膜基板に成膜された蒸着膜の最大値を基準値として、シミュレーションおよび実測での、走査方向に垂直な方向における各位置での蒸着膜の膜厚を規格化して示すグラフである。 図１６に示すよりも上記制限ユニットの制限部の下面と蒸着源の上面との間の距離を大きくしたときの問題点を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
　〔実施形態１〕
　本発明の実施の一形態について、図１～図７、図１６の（ａ）・（ｂ）、および図１８に基づいて説明すれば以下の通りである。
　なお、図１、図２、図５～図７では、図示の便宜上、マスク開口および制限開口の数や、被成膜領域および被成膜パターン領域の数、画素の数等を削減して示している。
　図１は、本実施形態にかかる蒸着装置１００の要部の概略構成を示す断面図である。また、図２は、本実施形態にかかる蒸着装置１００の基本構成を示す斜視図である。
　本実施形態にかかる蒸着装置１００および蒸着方法は、特に有機ＥＬ表示装置等のＥＬ表示装置における、ＥＬ素子を構成する発光層等のＥＬ層の蒸着に有用である。
　以下では、一例として、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子がサブ画素として基板上に配列されたＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の製造に本実施形態にかかる蒸着装置１００および蒸着方法を適用し、ＲＧＢ塗り分け方式にて有機ＥＬ素子の発光層を成膜する場合を例に挙げて説明する。
　すなわち、以下では、本実施形態にかかる蒸着装置１００によって成膜される蒸着膜３０２が、有機ＥＬ表示装置における、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の発光層である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、本実施形態にかかる蒸着装置１００および蒸着方法は、有機ＥＬ表示装置および無機ＥＬ表示装置の製造をはじめとする、気相成長技術を用いたデバイスの製造全般に適用可能である。
　また、以下でも、被成膜基板２００の走査方向に沿った水平方向軸をＹ軸とし、被成膜基板２００の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸をＸ軸とし、被成膜基板２００の被成膜面２０１の法線方向であり、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な垂直方向軸（上下方向軸）をＺ軸として説明する。また、説明の便宜上、特に言及しない限りは、Ｚ軸方向の上向きの矢印の側を上側として説明する。また、特に言及しない限りは、断面とは、Ｘ軸方向に平行な断面を示す。
　＜蒸着装置１００の概略構成＞
　蒸着装置１００は、図１および図２に示すように、被成膜基板２００の被成膜面２０１における被成膜領域２０２に、制限ユニット２０を用いたスキャン蒸着法により蒸着膜３０２を成膜する装置である。
　本実施形態にかかる蒸着装置１００は、必須構成として、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０を備えている。
　蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０は、それぞれ、互いの位置関係が固定されている。これら制限ユニット２０、および蒸着源３０は、成膜空間内（例えば、成膜チャンバ２の内壁）にそれぞれ固定されていてもよく、蒸着ユニット１としてユニット化されていることで互いの位置関係が固定されていてもよい。なお、これら蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０は、例えば、ホルダ（保持部材）等の図示しない剛直な部材でお互いに固定されていてもよく、独立した構成を有し、制御動作が１つの蒸着ユニット１として動作するものであっても構わない。被成膜基板２００と、これら蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０と、の少なくとも一方が他方に対し、図２に示すように走査方向であるＹ軸方向に沿って移動することにより、最終的に、被成膜基板２００における全被成膜領域２０２に蒸着膜３０２が成膜される。
　一例として、本実施形態にかかる蒸着装置１００は、成膜チャンバ２、基板搬送装置３（基板移動装置）、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、蒸着源３０、および、図示しない、マスクホルダ、基板ホルダ、制限ユニットホルダ、防着部材、シャッタ、制御装置等を備えている。
　以下に、これら各構成について、より詳細に説明する。
　（被成膜基板２００）
　まず、本実施形態で用いられる被成膜基板２００について説明する。
　図１および図２に示すように、被成膜基板２００の被成膜面２０１には、区画された複数の被成膜領域２０２が設けられている。
　被成膜基板２００はマザー基板である。量産プロセスでは、有機ＥＬ表示装置４００をマザー基板上に複数形成した後、個々の有機ＥＬ表示装置４００に分断する。
　各被成膜領域２０２は、被成膜基板２００の一端から他端にかけて、ストライプ状に形成されている。各被成膜領域２０２の周囲には、各被成膜領域２０２を囲むように非成膜領域２０４が設けられている。
　各被成膜領域２０２には、各有機ＥＬ表示装置４００における、複数の画素４０１が配列された画素領域が、複数形成される。これにより、被成膜基板２００には、各有機ＥＬ表示装置４００における画素領域が、２次元状（マトリクス状）に形成される。
　各画素領域における各画素４０１は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色のサブ画素４０２を備えている。このため、各被成膜領域２０２内には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の有機ＥＬ素子からなる各色のサブ画素４０２が複数設けられ、各サブ画素４０２には、蒸着膜３０２として、有機ＥＬ素子の発光層として用いられる、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の蒸着膜３０２からなる微細な蒸着膜パターンが形成される。
　図示はしていないが、本実施形態では、各被成膜領域２０２には、有機ＥＬ表示装置４００の駆動回路と、有機ＥＬ素子における、発光層を挟む一対の電極のうち一方の電極が、あらかじめ形成されている。
　各被成膜領域２０２内には、図１に示すように、各サブ画素４０２に対応して、上記各色の蒸着膜３０２を形成する複数の被成膜パターン領域２０３が設けられている。
　被成膜基板２００は、図示しない基板ホルダに保持されている。なお、被成膜基板２００に対し、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０を相対移動させる場合（すなわち、被成膜基板２００および蒸着ユニット１のうち蒸着ユニット１のみを移動させる場合）、基板ホルダは、成膜チャンバ２の内壁に固定されていてもよい。
　（蒸着マスク１０）
　図２に示すように、蒸着マスク１０は、その主面であるマスク面がＸＹ平面と平行な板状物である。スキャン蒸着を行う場合、蒸着マスク１０には、平面視で、被成膜基板２００よりも少なくともＹ軸方向のサイズが小さな蒸着マスクが使用される。なお、平面視とは、「蒸着マスク１０の主面に垂直な方向（つまり、Ｚ軸に平行な方向）から見たとき」を示す。
　蒸着マスク１０は、図示しないマスクホルダに保持されている。なお、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０に対し、被成膜基板２００のみを相対移動させる場合、マスクホルダは、成膜チャンバ２の内壁に固定されていてもよい。
　蒸着マスク１０は、そのまま使用してもよく、自重撓みを抑制するために、張力をかけた状態で図示しないマスクフレームに固定されていてもよい。マスクフレームは、平面視で、その外形が、蒸着マスク１０と同じか、もしくは一回り大きな矩形状に形成される。
　図１および図２に示すように、蒸着マスク１０は、被成膜基板２００に対向させたときに該被成膜基板２００の被成膜領域２０２に対向する、複数のマスク開口領域１１を備えている。マスク開口領域１１には、マスク開口１２として、蒸着粒子３０１（蒸着材料）を通過させるための通過部として機能する複数の開口部（貫通口）が設けられている。マスク開口１２は、蒸着膜３０２の各パターンの一部に対応している。マスク開口領域１１は、これらマスク開口１２群で構成されている。蒸着マスク１０におけるマスク開口１２以外の領域は、非開口部１３（非開口領域）であり、蒸着粒子３０１の流れ（蒸着流）を遮断する遮断部として機能する。
　各マスク開口１２は、被成膜基板２００における、目的とする被成膜パターン領域２０３以外の領域に蒸着粒子３０１が付着しないように、使用する蒸着マスク１０によって成膜される蒸着膜３０２の各パターンの一部に対応して設けられている。
　図１に示すように、各マスク開口１２を通過した蒸着粒子３０１のみが被成膜基板２００に到達し、被成膜基板２００に、各マスク開口１２に応じたパターンの蒸着膜３０２が形成される。
　なお、図２に示す例では、各マスク開口領域１１には、列方向に伸びる細長いスリット形状のマスク開口１２がＸ軸方向に複数並んで設けられている。しかしながら、マスク開口１２は例えばスロット状であってもよく、マスク開口１２およびマスク開口領域１１の平面視における形状および数は、特に限定されない。
　また、蒸着マスク１０の材質も特に限定されない。蒸着マスク１０の材質は、インバー（鉄－ニッケル合金）等の金属であってもよく、樹脂、あるいはセラミックであってもよく、それらの組み合わせでも構わない。
　（蒸着源３０）
　蒸着源３０は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。蒸着源３０は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。
　蒸着源３０は、図２に示すように、例えば矩形状に形成されている。蒸着源３０の上面３０ａ（すなわち、制限ユニット２０との対向面）には、蒸着粒子３０１を射出させる射出口として、複数の蒸着源開口３１（射出口、ノズル部）が設けられている。これら蒸着源開口３１は、Ｘ軸方向に一定ピッチで配されている。
　蒸着源３０は、蒸着材料を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子３０１を発生させる。蒸着源３０は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子３０１として、蒸着源開口３１から制限ユニット２０に向かって射出する。
　本実施形態では、このように、蒸着源３０として、複数の蒸着源開口３１を有するライン蒸着源（ラインソース）を使用することができ、さらに、蒸着源３０を、Ｙ軸方向に移動させることによって、大面積の被成膜基板２００に対し、均一な成膜を行うことが可能である。この場合、量産時のスループットの低下が発生することがなく、メリットが大きい。
　蒸着源３０は、図示しない蒸着源ホルダに保持されていてもよく、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０に対し、被成膜基板２００のみを相対移動させる場合、成膜チャンバ２の内壁に固定されていてもよい。
　（制限ユニット２０）
　制限ユニット２０は、図１および図２に示すように、蒸着マスク１０と蒸着源３０との間に設けられている。
　制限ユニット２０は、図示しない制限ユニットホルダに保持されている。なお、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０に対し、被成膜基板２００のみを相対移動させる場合、制限ユニットホルダは、成膜チャンバ２の内壁に固定されていてもよい。
　制限ユニット２０は、蒸着マスク１０および蒸着源３０とは離間して設けられ、蒸着源開口３１から射出された等方的な蒸着粒子３０１の流れ（蒸着流）を制御し、指向性を高める役割を有している。
　本実施形態では、上述したようにスキャン蒸着を行うことから、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０は、何れも、平面視で、被成膜基板２００よりもＹ軸方向のサイズが小さくなるように形成されている。また、制限ユニット２０は、平面視で、蒸着マスク１０と同じか、もしくはそれ以上の大きさを有している。
　制限ユニット２０は、水平方向に配設された横板である板状の天壁２１と、水平方向に対して交差する方向に配設された縦板（立壁）である、板状の複数の側壁２２および板状の複数の開口壁２３（ノズル壁）と、で構成された、底部が無い中空のブロック状のユニット（すなわち、逆トレー形状のユニット）である。制限ユニット２０は、上記開口壁２３によって囲まれたノズル状の開口部（貫通口）である複数の制限開口２４と、上記天壁２１、側壁２２、および開口壁２３で構成される非開口部である制限部２５とを有している。
　側壁２２は、天壁２１を囲むように、天壁２１の周囲に、下方に突出して形成されている。開口壁２３は、制限開口２４を囲むように、制限開口２４の周囲に、下方に突出して形成されている。
　本実施形態では、側壁２２は、天壁２１を囲むように、天壁２１の法線方向に平行に、天壁２１から垂設（垂下）されている。また、開口壁２３は、制限開口２４を囲むように、天壁２１の法線方向に平行に、天壁２１から垂設（垂下）されている。
　制限開口２４は、平面視で、天壁２１に、Ｘ軸方向に沿って一定ピッチで配列されている。制限開口２４は、蒸着粒子３０１（蒸着材料）を通過させるための通過部として機能する。
　制限ユニット２０における制限開口２４以外の部分は、非開口部である制限部２５である。制限部２５は、蒸着粒子３０１の流れを遮断する遮断部であり、蒸着マスク１０のマスク開口１２に入射する蒸着粒子３０１の入射角度を制限する役割を有している。
　制限ユニット２０は、制限部２５によって、被成膜基板２００における被成膜パターン領域２０３以外の領域に供給される蒸着粒子３０１の通過を阻止し、制限開口２４を通過する蒸着粒子３０１の指向性を高めている。
　図１に示すように、蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１は、制限開口２４を通過することでマスク開口１２への入射角が制限されて蒸着マスク１０に到達する。マスク開口１２を通過した蒸着粒子３０１が被成膜基板２００に被着されることで、被成膜基板２００上に、蒸着膜３０２からなる成膜パターンが形成される。
　制限ユニット２０は、各制限部２５によって、蒸着マスク１０と蒸着源３０との間の空間を、制限開口２４からなる複数の蒸着空間に区画する。
　制限開口２４と被成膜領域２０２とは、一対一の関係を有している。したがって、制限開口２４とマスク開口領域１１とは、一対一の関係を有している。
　制限開口２４のピッチは、マスク開口１２のピッチよりも大きく形成されており、平面視で、制限開口２４を挟んでＸ軸方向に隣り合う制限部２５間には、複数のマスク開口１２が配されている。
　また、制限開口２４と蒸着源開口３１とは、Ｘ軸方向に、同一のピッチで形成されている。このため、制限開口２４と蒸着源開口３１とは、Ｘ軸方向において、一対一の関係を有している。各蒸着源開口３１は、平面視で、各制限開口２４のＸ軸方向の中央位置（つまり、各蒸着源開口３１をＸ軸方向に挟む、隣り合う制限部２５間のＸ軸方向の中央位置）に位置するように、各制限開口２４に対応して配置されている。
　なお、本実施形態では、図２に示すように、蒸着源３０に、蒸着源開口３１がＸ軸方向に一次元状（すなわち、ライン状）に配列されているライン蒸着源を使用している。このため、蒸着源開口３１は、各制限開口２４と一対一の関係を有するように、例えば、平面視で、各制限開口２４の中央（Ｘ軸およびＹ軸の両方向の中央）に配置されている。
　但し、本実施形態はこれに限定されるものではなく、蒸着源開口３１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に二次元状（タイル状）に配列されていても構わない。蒸着源開口３１が二次元状に配置されている場合でも、各蒸着源開口３１は、各制限開口２４のＸ軸方向の中央位置に位置するように配置されることが望ましい。
　前述したように、本実施形態にかかる制限ユニット２０は、制限開口２４が設けられた天壁２１と、天壁２１の一部から下方に突設された側壁２２および開口壁２３とで構成されている。
　このため、側壁２２および開口壁２３は、天壁２１の厚みｄ１よりも高さｄ２が高く、これら天壁２１と、側壁２２または開口壁２３とで構成される各制限部２５は、図１に示すように、底部が開口された断面形状、すなわち、逆凹形状の断面形状を有している。
　より具体的には、本実施形態では、各制限部２５は、側壁２２および開口壁２３が天壁２１から垂直方向に垂下（垂設）された、底部側が開口されたコの字状の断面形状を有している。
　なお、ここで、天壁２１の厚みｄ１は、天壁２１の板厚である、天壁２１のＺ軸方向（天壁２１の法線方向）の長さ、つまり、天壁２１の上面２１ｂと下面２１ａとの間の距離を示す。また、側壁２２および開口壁２３の高さｄ２は、側壁２２および開口壁２３のＺ軸方向の高さ、つまり、天壁２１の上面２１ｂと開口壁２３の下面２３ａとの間のＺ軸方向の距離、並びに、天壁２１の上面２１ｂと側壁２２の下面との間のＺ軸方向の距離を示す。
　従来、一般的には、図１６の（ａ）・（ｂ）に示したように、制限ユニット２０における制限部５０２は、例えば制限板と称され、それぞれ、互いに均一な厚みの板状に形成されている。例えば特許文献１に記載の制限ユニット２０は、防着板であり、その全体が板状に形成されている。
　図１６の（ｂ）に示したように、制限部５０２の下面５０２ａである板底には、蒸着時に、多くの蒸着粒子３０１が、蒸着物３０３として付着する。
　このように制限部５０２の下面５０２ａに付着した蒸着物３０３の再蒸発を低減させる方法としては、例えば、（１）制限部５０２の下面５０２ａの面積を小さくする方法が考えられる。
　制限部５０２の下面５０２ａの面積を小さくすることで制限部５０２の下面５０２ａに付着する蒸着物３０３の量を減少させるためには、制限部５０２の投影面積を小さくする必要がある。しかしながら、制限板開口５０１と被成膜領域２０２とは、１体１で対応しており、制限部５０２の投影面積を変更すると、制限板開口５０１を挟んで隣り合う制限部５０２のピッチが変わる。この制限部５０２のピッチは、被成膜領域２０２との関係上、大きく変更することができない。このため、上記（１）の方法は、現実的には難しい。
　また、制限部５０２の下面５０２ａに付着した蒸着物３０３の再蒸発を低減させる他の方法としては、例えば、（２）制限部５０２の下面５０２ａを蒸着源３０から遠ざける方法が考えられる。
　上記（２）の方法によれば、上記下面５０２ａに付着した蒸着物３０３に対する蒸着源３０からの輻射熱を低減させることで、蒸着物３０３の再蒸発を低減させることができる。しかしながら、上記（２）の方法にも問題がある。
　図１８は、制限ユニット２０の制限部５０２の下面５０２ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離γ２を、図１６の（ａ）・（ｂ）に示す制限ユニット５００の制限部５０２の下面５０２ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離γ１よりも大きくしたときの問題点を示す断面図である。
　図１８に示すように、蒸着源３０からの輻射熱を低減するために、例えば、制限部５０２を、図１６の（ａ）・（ｂ）に示すよりも蒸着源３０から遠ざける（すなわち、γ２＞γ１とする）と、各制限板開口５０１に対し、本来入射する蒸着粒子３０１を射出する蒸着源開口３１に隣り合う蒸着源開口３１（以下、「隣接ノズル」と称する）から飛散する蒸着粒子３０１を遮断することができなくなる。
　このように、ある制限板開口５０１を、本来入射されるべきではない、隣接ノズルから飛散した蒸着粒子３０１が通過すると、成膜される蒸着膜３０２に、隣接ノズルからの蒸着粒子３０１が混入したり、蒸着粒子３０１の散乱を引き起こしたりする。これらの現象は、図１６の（ｂ）に示すような微小膜３０４の成膜を引き起こし、表示品位を大きく損なう懸念がある。
　なお、上記（２）に示すように制限部５０２の下面５０２ａを蒸着源３０から遠ざける他の方法として、制限部５０２の上面の位置を維持したまま、制限部５０２の厚み（つまり、制限板の板厚）を低減することも考えられる。
　しかしながら、制限部５０２に、例えば板厚が薄い制限板を使用する等、単純に制限部５０２の厚みを全体的に低減すると、各制限板開口５０１の物理的なノズル長が短くなり、蒸着粒子３０１のコリメート性の改善効果が低減するとともに、図１８に示す例と同様に、隣接ノズルから飛散する蒸着粒子３０１を遮断することができなくなる。
　これに対して、上述したように、制限部２５の断面形状を逆凹形状とすることで、制限開口２４のノズル長を決定する開口壁２３の高さｄ２は、設計上決められる範囲を維持したまま、制限部２５における蒸着源３０との対向面の大部分を、蒸着源３０から遠ざけることができる。
　本実施形態において、天壁２１の厚みｄ１は、小さければ小さいほど、蒸着源３０からの輻射熱の影響を低減することができるので好ましい。但し、ｄ１が小さすぎると、強度が低下し、部材として保持できないので、ｄ１は、１ｍｍ以上であることが好ましく、５ｍｍ以上であることがより好ましい。
　また、側壁２２および開口壁２３の高さｄ２、特に開口壁２３の高さｄ２は、上述したようにｄ１＜ｄ２であれば、特に制約はない。ｄ２が大きければ大きいほど、ｄ１との差が大きくなり、天壁２１に対する蒸着源３０の輻射熱がより低減されるので、蒸着物３０３の再蒸発の低減効果がより高くなる。
　また、開口壁２３および側壁２２の厚みｄ３、特に、制限開口２４に面する開口壁２３の厚みｄ３は、小さければ小さいほど、制限部２５の下面である、蒸着源３０との対向面（すなわち、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面）に付着する蒸着物３０３の付着量の絶対値を小さくできるので好ましい。
　なお、ここで、開口壁２３および側壁２２の厚みｄ３は、開口壁２３および側壁２２の板厚である、開口壁２３および側壁２２の各Ｘ軸方向の長さを示し、より具体的には、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面の各Ｘ軸方向の長さを示す。
　但し、ｄ３が小さすぎると、ｄ１同様、強度が低下し、部材として保持できないので、ｄ１は、１ｍｍ以上であることが好ましく、５ｍｍ以上であることがより好ましい。
　なお、ｄ１とｄ３とは、同じであってもよく、異なっていてもよいが、ｄ１の値とｄ３の値とを同一にした方が、加工がし易い。つまり、制限ユニット２０を容易に製造することができる。
　なお、本実施形態では、上述したように、図１に示す開口壁２３の高さ（Ｚ軸方向の長さ）と、図２に示す側壁２２の高さ（Ｚ軸方向の長さ）とが同じ（すなわち、開口壁２３の高さ＝側壁２２の高さ＝ｄ２）であり、図１に示す開口壁２３の厚み（ｄ３、Ｘ軸方向の長さ）と、側壁２２の厚み（Ｘ軸方向の長さ、図示せず）とが同じ（すなわち、開口壁２３の厚み＝側壁２２の厚み＝ｄ３）である場合を例に挙げて説明している。
　しかしながら、本実施形態において、開口壁２３の高さ（ｄ２）が天壁２１の厚みｄ１よりも大きければ、開口壁２３の高さと側壁２２の高さとは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
　また、蒸着源３０から射出された蒸着粒子３０１のうち、被成膜領域２０２における蒸着膜３０２の成膜に使用されない不要な蒸着粒子３０１がマスク開口１２に入射することを防止することができれば、制限ユニット２０に側壁２２が設けられている必要は必ずしもない。
　また、本実施形態によれば、上述したように制限部２５の断面形状を逆凹形状とすることで、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面と蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離αを、図１６の（ａ）・（ｂ）に示す制限ユニット２０の制限部５０２の下面５０２ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離γ１と同じ高さに維持したまま、天壁２１の下面２１ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離βを、図１８に示す制限ユニット２０の制限部５０２の下面５０２ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離γ２と同じ高さに設定することが可能となる。
　開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面と蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離α、特に、開口壁２３の下面２３ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離αの長さに制約はないが、距離αが、図１８に示す距離γ２と同じである場合のように長すぎると、図１８に示すように、制限開口２４に、隣接ノズルからの蒸着流が流入するおそれがある。このため、距離αは、１００ｍｍ以下であることが好ましく、５０ｍｍ以下であることがより好ましい。
　一方、距離αが短すぎると、蒸着源３０からの輻射熱の影響、特に、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面に対する蒸着源３０からの輻射熱の影響が大きくなる。このため距離αは、１ｍｍ以上であることが好ましく、１０ｍｍ以上であることがより好ましい。
　なお、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面と蒸着源３０の上面３０ａとの間、具体的には、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面と、互いに隣り合う蒸着源開口３１間における、蒸着源３０の上面３０ａとの間に図示しないシャッタを挿入する場合には、α≧２０ｍｍであることが好ましい。
　また、各制限開口２４を囲む天壁２１のＸ軸方向およびＹ軸方向の長さ、並びに、開口壁２３および側壁２２のＹ軸方向の長さは、被成膜基板２００における被成膜領域２０２および非成膜領域２０４の大きさ、並びに、被成膜領域２０２の大きさに応じた制限開口２４の大きさ等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されない。
　（成膜チャンバ２）
　成膜チャンバ２には、蒸着時に該成膜チャンバ２内を真空状態に保つために、該成膜チャンバ２に設けられた図示しない排気口を介して成膜チャンバ２内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。真空ポンプおよび蒸着装置１００の動作を制御する制御装置は、成膜チャンバ２の外部に設けられている。基板搬送装置３、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、蒸着源３０、および、図示しない、マスクホルダ、基板ホルダ、防着部材、シャッタは、成膜チャンバ２内に設けられている。
　（基板搬送装置３）
　本実施形態にかかる蒸着装置１００は、例えば、基板搬送装置３および図示しない蒸着ユニット搬送装置（蒸着ユニット移動装置）のうち少なくとも一方を備えている。これにより、本実施形態では、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０を有する蒸着ユニット１と、被成膜基板２００とを、Ｙ軸方向が走査方向となるように相対的に移動させてスキャン蒸着を行う。
　なお、図２では、一例として、蒸着マスク１０と、制限ユニット２０と、蒸着源３０とを、上述したように１つのユニットとして走査方向に沿って移動させる場合を示している。
　なお、基板搬送装置３および蒸着ユニット搬送装置としては、特に限定されるものではなく、例えばローラ式の移動装置や油圧式の移動装置等、公知の各種移動装置を使用することができる。
　但し、被成膜基板２００および蒸着ユニット１は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよい。したがって、基板搬送装置３および蒸着ユニット搬送装置は、何れか一方のみが設けられていてもよく、前述したように、被成膜基板２００および蒸着ユニット１の一方は、成膜チャンバ２の内壁に固定されていても構わない。
　＜蒸着膜製造方法＞
　本実施形態では、上述したように、被成膜基板２００および蒸着ユニット１のうち少なくとも一方を、Ｙ方向に相対移動させながら蒸着を行う。
　本実施形態にかかる蒸着膜製造方法は、蒸着ユニット１と被成膜基板２００とを一定距離離間して対向配置させる配置工程と、蒸着マスク１０および被成膜基板２００にそれぞれ設けられた図示しないアライメントマーカを用いて、蒸着マスク１０と被成膜基板２００との相対的な位置合わせ、および、蒸着マスク１０と被成膜基板２００との間の隙間の調整（ギャップコントロール）を行うアライメント工程と、上記蒸着ユニット１および被成膜基板２００のうち少なくとも一方を、平面視で、スキャン方向（つまり、制限開口２４の配列方向であるＸ軸方向に垂直な方向であるＹ軸方向）に相対移動させながら、蒸着源３０から射出された蒸着粒子３０１を、制限ユニット２０および蒸着マスク１０を介して被成膜基板２００に被着させる被着工程と、を備えている。
　なお、上記蒸着膜３０２としては、例えば、有機ＥＬ表示装置における、各塗り分け層（例えば各色の発光層）が挙げられる。
　本実施形態にかかる制限ユニット２０および該制限ユニット２０を用いた蒸着装置１００並びに該蒸着装置１００を用いた蒸着膜製造方法は、ＥＬ素子、および該ＥＬ素子を備えるＥＬ表示装置の生産方法に好適に適用することができる。
　以下に、上記蒸着装置１００により生産されるＥＬ表示装置およびその生産方法の一例について説明する。なお、以下では、上記ＥＬ表示装置として、有機ＥＬ表示装置４００を例に挙げて説明するが、以下の説明において、「有機ＥＬ表示装置」は、「無機ＥＬ表示装置」あるいは「ＥＬ表示装置」と言い換えることができる。同様に、「有機ＥＬ層」は「無機ＥＬ層」あるいは「ＥＬ層」と言い換えることができる。
　＜ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図３の（ａ）は、本実施形態で製造する有機ＥＬ表示装置４００の概略構成の一例を示す断面図であり、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）に示す有機ＥＬ表示装置４００のサブ画素４０２の概略構成を示す平面図である。
　図３の（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置４００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板４１０上に、有機ＥＬ素子４２０、封止層４３０が、この順に設けられた構成を有している。
　ＴＦＴ基板４１０は、支持基板として、ガラス基板やプラスチック基板等からなる絶縁性基板４１１を備えている。絶縁性基板４１１上には、ＴＦＴ４１２、信号線４１３、層間絶縁膜４１４等が設けられている。
　信号線４１３は、複数のゲート線、複数のソース線、および複数の電源線等で構成されている。これら信号線４１３で格子状に囲まれた領域の各々には、各色のサブ画素４０２が配置されている。例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のサブ画素４０２のセットで、一つの画素４０１（図２参照）を形成している。
　各サブ画素４０２には、それぞれＴＦＴ４１２が設けられている。ＴＦＴ４１２は、それぞれ、信号線４１３に接続されており、ゲート線で信号入力するサブ画素４０２を選択し、ソース線で、選択されたサブ画素４０２に入力する電荷の量を決定し、電源線から電流を有機ＥＬ素子４２０に流す。
　ＴＦＴ４１２および信号線４１３は、層間絶縁膜４１４で覆われている。層間絶縁膜４１４の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性材料を用いることができる。層間絶縁膜４１４の厚さは、ＴＦＴ４１２および信号線４１３の上面の段差を解消することができればよく、特に限定されない。
　有機ＥＬ素子４２０は、第１電極４２１（陽極）、有機ＥＬ層４２２、第２電極４２３（陰極）等で構成されている。
　第１電極４２１は、層間絶縁膜４１４上に形成されている。第１電極４２１は、有機ＥＬ層４２２に正孔を注入（供給）し、第２電極４２３は、有機ＥＬ層４２２に電子を注入する。第１電極４２１は、層間絶縁膜４１４に形成されたコンタクトホール４１４ａを介して、ＴＦＴ４１２に電気的に接続されている。
　第１電極４２１の端部はエッジカバー４１５で覆われている。エッジカバー４１５は絶縁膜であり、例えば感光性樹脂で構成されている。エッジカバー４１５は、第１電極４２１の端部で、電極集中や有機ＥＬ層４２２が薄くなって第２電極４２３と短絡することを防止する。また、エッジカバー４１５は、隣接するサブ画素４０２に電流が漏れないように、画素分離膜としても機能している。
　エッジカバー４１５には、サブ画素４０２毎に開口４１５ａが設けられている。この開口４１５ａによる第１電極４２１の露出部が各サブ画素４０２の発光領域となっている。
　有機ＥＬ層４２２は、第１電極４２１と第２電極４２３との間に設けられている。有機ＥＬ層４２２は、第１電極４２１側から、有機層として、例えば、正孔注入・正孔輸送層４２２ａ、発光層４２２ｂ、電子輸送・電子注入層４２２ｃ等が、この順に積層された構成を有している。
　なお、発光層４２２ｂ以外の有機層は必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子４２０の特性に応じて適宜形成すればよい。したがって、有機ＥＬ層４２２は、発光層４２２ｂを含んでいればよく、発光層４２２ｂそのものであってもよく、発光層４２２ｂと発光層４２２ｂ以外の層とを含んでいてもよい。
　発光層４２２ｂは、第１電極４２１側から注入された正孔と第２電極４２３側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層４２２ｂは、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料で形成されている。
　また、一つの層が複数の機能を有していてもよい。例えば、正孔注入・正孔輸送層４２２ａは、正孔注入層および正孔輸送層がそれぞれ個別の層として設けられた構成を有していてもよく、これら両層の機能を有する正孔注入層兼正孔輸送層であってもよい。同様に、電子輸送・電子注入層４２２ｃは、電子注入層および電子輸送層がそれぞれ個別の層として設けられた構成を有していてもよく、これら両層の機能を有する電子注入層兼電子輸送層であってもよい。また、各層の間に、適宜、キャリアブロッキング層が設けられていてもよい。
　なお、図３の（ａ）では、第１電極４２１を陽極（パターン電極、画素電極）とし、第２電極４２３を陰極（共通電極）としているが、第１電極４２１を陰極とし、第２電極４２３を陽極としてもよい。但し、この場合、有機ＥＬ層４２２を構成する各層の順序は反転する。
　また、有機ＥＬ表示装置４００が絶縁性基板４１１の裏面側から光を放出するボトムエミッション型である場合には、第２電極４２３を反射性電極材料で形成し、第１電極４２１を透明または半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。
　一方、有機ＥＬ表示装置４００が、封止層４３０側から光を放出するトップエミッション型である場合には、第１電極４２１を反射性電極材料で形成し、第２電極４２３を透明または半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。
　封止層４３０は、第２電極４２３、有機ＥＬ層４２２、エッジカバー４１５、層間絶縁膜４１４等を覆うように、第２電極４２３上に形成されている。なお、第２電極４２３と封止層４３０との間には、光学特性の調整のために、図示しない有機層が形成されていてもよい。
　封止層４３０は、外部から浸入した水分や酸素によって有機ＥＬ素子４２０が劣化するのを防止する。封止層４３０は、例えば、無機膜、あるいは無機膜と有機膜との積層膜等で構成される。一例としては、例えば窒化シリコンや酸化シリコン等が挙げられる。
　有機ＥＬ表示装置４００は、図示しない駆動回路によりＴＦＴ４１２を介して第２電極４２３と第１電極４２１との間に印加する電圧を制御することにより、発光層４２２ｂを発光させ、表示を行う。
　＜有機ＥＬ表示装置４００の生産方法＞
　図４は、上記有機ＥＬ表示装置４００の生産工程を工程順に示すフローチャートである。
　図４に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置４００の製造方法は、大きく分けて、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）、第２電極蒸着工程（Ｓ３）、封止工程（Ｓ４）で示す４つのステップ（Ｓ）を備えている。
　以下に、図４に示すフローチャートに従って、図３の（ａ）・（ｂ）を参照して上記した各工程の一例について説明する。
　まず、絶縁性基板４１１上に、公知の方法でＴＦＴ４１２および信号線４１３等を形成する。次いで、ＴＦＴ４１２および信号線４１３を覆うように絶縁性基板４１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行う。これにより、絶縁性基板４１１上に層間絶縁膜４１４を形成する。
　次に、層間絶縁膜４１４に、第１電極４２１をＴＦＴ４１２に電気的に接続するためのコンタクトホール４１４ａを形成する。
　続いて、層間絶縁膜４１４上に、第１電極４２１を形成する。第１電極４２１は、層間絶縁膜４１４上に導電膜（電極膜）を成膜し、該導電膜上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、上記導電膜をエッチングし、フォトレジストを剥離することにより形成することができる。
　上記導電膜の積層には、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。
　なお、以下では、本実施形態にかかる制限ユニット２０および該制限ユニット２０を備えた蒸着装置１００を、少なくとも、有機ＥＬ層４２２における発光層４２２ｂの成膜に使用する場合を例に挙げて説明する。しかしながら、上記導電膜の成膜に本実施形態にかかる制限ユニット２０および蒸着装置１００を使用してもよいことは、言うまでもない。
　次に、所定パターンのエッジカバー４１５を形成する。以上により、ＴＦＴ基板４１０および第１電極４２１が作製される（Ｓ１）。
　次に、上記第１電極４２１が形成されたＴＦＴ基板４１０を、脱水のために減圧ベーク処理し、さらに、第１電極４２１の表面洗浄のために酸素プラズマ処理する。
　その後、上記ＴＦＴ基板４１０上に、発光層４２２ｂを含む有機ＥＬ層４２２を成膜する（Ｓ２）。
　有機ＥＬ層４２２の成膜には、インクジェット法、印刷法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を使用することができる。本実施形態では、上述したように、少なくとも、有機ＥＬ層４２２における発光層４２２ｂの成膜に、上記制限ユニット２０および蒸着装置１００を使用した蒸着膜製造方法を適用する。なお、蒸着マスク１０のマスクパターン形状を変更することで、正孔注入・正孔輸送層４２２ａおよび電子輸送・電子注入層４２２ｃ等の成膜に、上記制限ユニット２０および蒸着装置１００を使用した蒸着膜製造方法を適用してもよい。
　本実施形態では、有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）として、正孔注入・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ１１）、発光層蒸着工程（Ｓ１２）、電子輸送・電子注入層蒸着工程（Ｓ１３）を、この順に行う。すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）は、正孔注入・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ１１）、発光層蒸着工程（Ｓ１２）、電子輸送・電子注入層蒸着工程（Ｓ１３）を含んでいてもよい。但し、上記Ｓ１１～Ｓ１３で示すステップ（工程）は、第１電極４２１を陰極とし、第２電極４２３を陽極とした場合、その順序が反転する。また、有機ＥＬ層４２２が発光層４２２ｂからなる場合、有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）は、発光層蒸着工程（Ｓ１２）と同義である。
　また、有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）では、少なくとも上記発光層蒸着工程（Ｓ１２）において、上述したように本実施形態にかかる蒸着膜製造方法が適用される。すなわち、本実施形態では、本実施形態にかかる蒸着膜製造方法により、少なくとも、各サブ画素４０２の発光層４２２ｂを製造（成膜）する。
　このため、少なくとも上記発光層蒸着工程（Ｓ１２）は、例えば、前述したアライメント工程および被着工程を含んでいる。なお、上記発光層蒸着工程（Ｓ１２）以外の工程においても、本実施形態にかかる蒸着膜製造方法を適用する工程が、前述したアライメント工程および被着工程を含んでいることは、言うまでもない。
　有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）では、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）で作製された、第１電極４２１およびエッジカバー４１５が形成されたＴＦＴ基板４１０が、被成膜基板２００として用いられる。すなわち、有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）では、被成膜領域２０２に、あらかじめ、発光層４２２ｂを挟む一対の電極のうち一方の電極として、上記第１電極４２１が設けられた被成膜基板２００が使用される。また、このとき、被成膜基板２００として、各有機ＥＬ表示装置４００の形成領域となる被成膜領域２０２が複数設けられ、複数の有機ＥＬ表示装置４００を切り出し可能なマザー基板を使用することで、量産プロセスに対応した生産方法を実現することができる。被成膜基板２００にマザー基板を使用した場合、封止工程（Ｓ４）後に、マザー基板を分断することによりマザー基板から複数の有機ＥＬ表示装置４００を切り出す、図示しない分断工程（Ｓ５、有機ＥＬ表示装置切出工程）がさらに行われる。
　なお、図３の（ａ）・（ｂ）では、フルカラー表示を行うために、発光層４２２ｂを、発光色毎に塗り分け蒸着する場合を例に挙げて示しているが、発光色が白（Ｗ）色の発光層４２２ｂを使用した白色発光の有機ＥＬ素子４２０と図示しないカラーフィルタ（ＣＦ）層とを組み合わせて各サブ画素４０２における発光色を選択する方式や、発光色がＷ色の発光層４２２ｂを使用し、各サブ画素４０２にマイクロキャビティ構造を導入することでフルカラーの画像表示を実現する方式を採用してもよい。ＣＦ層あるいはマイクロキャビティ構造等の方法で各サブ画素４０２の発光色を変更する場合には、発光層４２２ｂをサブ画素４０２毎に塗り分ける必要はない。
　次に、上記有機ＥＬ層４２２を覆うように、ＴＦＴ基板４１０の表示領域の全面に第２電極４２３を形成する（Ｓ３）。
　第２電極４２３は、例えば、正孔注入・正孔輸送層４２２ａや電子輸送・電子注入層４２２ｃ等と同様の方法により形成することができる。したがって、上記制限ユニット２０および蒸着装置１００は、第２電極４２３の成膜にも使用することができる。
　以上の方法により、ＴＦＴ基板４１０上に、第１電極４２１、有機ＥＬ層４２２、および第２電極４２３からなる有機ＥＬ素子４２０を形成できる。
　その後、第２電極４２３上に、該第２電極４２３を覆うように、封止層４３０を形成する。封止層４３０が封止膜である場合、封止層４３０の形成には、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。なお、封止層４３０が封止膜である場合、上記封止層４３０の成膜に本実施形態にかかる制限ユニット２０および蒸着装置１００を使用してもよい。
　また、上記封止層４３０は、ガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁性基板からなる封止基板であってもよい。この場合、封止層４３０に、絶縁性基板４１１と略同一サイズの絶縁性基板を使用し、有機ＥＬ素子４２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置４００のサイズに従って分断してもよい。また、掘り込みガラスを封止基板として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行うことで封止層４３０を形成してもよく、ＴＦＴ基板４１０と封止基板との間に樹脂を充填することで、封止基板および樹脂からなる封止層４３０を形成してもよい。
　以上のように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置４００の生産工程は、上記有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２）、上記第２電極蒸着工程（Ｓ３）、および上記封止工程（Ｓ４）の少なくとも何れか１つの工程が、前述したアライメント工程および被着工程を含んでいればよい。また、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置４００は、上記制限ユニット２０の制限開口２４を通過した蒸着粒子３０１で形成される蒸着膜３０２のパターンを含んでいればよい。
　しかしながら、上記発光層蒸着工程（Ｓ１２）が前述したアライメント工程および被着工程を含んでいることで、微小膜３０４（図１８参照）の付着によるパターンボケや混色が無い、高精細なパターンを有する発光層４２２ｂを形成することができる。このため、少なくとも上記発光層蒸着工程（Ｓ１２）が前述したアライメント工程および被着工程を含んでいることが望ましい。これにより、従来よりも表示品位が高い有機ＥＬ表示装置４００等のＥＬ表示装置を提供することができる。
　＜効果＞
　図５は、本実施形態にかかる制限ユニット２０による効果の一例を示す断面図である。
　図５に示すように、本実施形態によれば、制限部２５の断面形状を逆凹形状とすることで、制限部２５における蒸着源３０との対向面（すなわち、制限部２５の下面）のうち、開口壁２３および側壁２２における蒸着源３０との対向面以外の部分（つまり、天壁２１の下面２１ａ）を、蒸着源３０から遠ざけることができる。したがって、本実施形態によれば、等方的な蒸着流を制御し、指向性を高めるという、制限ユニット２０の本来の機能を損なうことなく、制限部２５を、蒸着源３０から実質的に遠ざけることができる。
　このため、本実施形態によれば、制限部２５に対する蒸着源３０からの輻射熱を低減することができ、制限部２５の下面の温度を下げることができるので、制限部２５に付着した蒸着物３０３の再蒸発を低減することができる。この結果、この制限部２５に付着した蒸着物３０３の再蒸発による蒸着源３０への蒸着物３０３の再付着を抑制または防止することができるので、微小膜３０４のような異常成膜を防止することができる。
　なお、開口壁２３および側壁２２の側面、すなわち、制限部２５のＺＹ平面は、制限部２５の下面ほどの高熱にはならず、物理上、再蒸発が少ない。実際に、実機を用いた実験でも、開口壁２３および側壁２２の側面からの著しい再蒸発は観測されず、図５に示すように、蒸着源３０の上面３０ａに、図１６の（ｂ）および図１８に示すような蒸着物３０３の再付着は観測されなかった。
　したがって、本実施形態によれば、微小膜３０４が付着していない、高精細なパターンを有する、従来よりも表示品位が高い有機ＥＬ表示装置４００等のＥＬ表示装置を提供することができる。
　また、図６の（ａ）・（ｂ）は、本実施形態にかかる制限ユニット２０による効果の一例を、Ｘ軸方向に平行な断面における制限部２５の断面形状がＴ字状である場合と対比して示す断面図である。なお、図６の（ａ）は、本実施形態にかかる蒸着装置１００の要部の構成を模式的に示している。一方、図６の（ｂ）は、比較例であり、図６の（ａ）に示す蒸着装置１００において、制限ユニット２０の制限部２５の断面形状をＴ字状としたときの蒸着装置１００の要部の構成を模式的に示している。
　図６の（ａ）・（ｂ）に示す制限ユニット２０は、それぞれ、ｄ１＝ｄ３であり、ｄ１＜ｄ２の関係を満足している。
　図６の（ａ）に示す制限ユニット２０は、制限開口２４の下部（すなわち、蒸着源３０側）におけるＸ軸方向の開口幅φ１と、制限開口２４の上部（すなわち、蒸着マスク１０側）におけるＸ軸方向の開口幅φ３とが等しい。このため、図６の（ａ）に示す制限ユニット２０は、制限開口２４の上部におけるＸ軸方向の開口幅φ３で、蒸着流による被成膜基板２００上のＸ軸方向の成膜範囲（すなわち、被成膜領域２０２のＸ軸方向の大きさ）が決定される。一方、不要な蒸着流は、制限部２５の下面でカット（捕捉）される。
　図６の（ａ）に示すように、制限部２５の断面形状が逆凹形状の場合、蒸着源開口３１の近傍に開口壁２３の下面２３ａが存在する。このため、図６の（ａ）に矢印で示すように、蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１が、該蒸着源開口３１に対応した制限開口２４を囲む制限部２５の下を通って、該制限開口２４に対応する被成膜領域２０２に隣り合う被成膜領域２０２、つまり、該制限開口２４に対応する被成膜領域２０２以外の被成膜領域２０２（以下、「隣接被成膜領域」と称する）に向かって飛散しても、該制限開口２４を囲む制限部２５に隣り合う制限部２５（以下、「隣接制限部」と称する）でカット（捕捉）される。このため、この場合、被成膜基板２００における隣接被成膜領域への蒸着粒子３０１の飛来を防止することができる。
　一方、図６の（ｂ）に示すように、制限部２５の断面形状がＴ字状の場合、制限開口２４の下部におけるＸ軸方向の開口幅φ１よりも制限開口２４の上部におけるＸ軸方向の開口幅φ３が小さい。このため、制限部２５の断面形状がＴ字状の場合、制限開口２４の上部におけるＸ軸方向の開口幅φ３で被成膜領域２０２のＸ軸方向の大きさが決定されるとともに不要な蒸着流は制限部２５の下面でカット（捕捉）されるが、蒸着源開口３１の近傍に開口壁２３の下面２３ａが存在しない。このため、この場合、図６の（ｂ）に矢印で示すように、蒸着源開口３１から射出された蒸着粒子３０１が、隣接制限部でカットされることなく、隣接被成膜領域に向かうおそれがある。
　また、制限部２５の断面形状がＴ字状の場合、蒸着源開口３１の近傍に開口壁２３の下面２３ａが存在しないことから、実質的には、各制限開口２４の物理的なノズル長は、天壁２１の厚みｄ１と等しい。したがって、制限部２５の断面形状が逆凹形状の場合、制限部２５の断面形状がＴ字状の場合よりも、各制限開口２４の物理的なノズル長が長くなる。このため、制限部２５の断面形状が逆凹形状の場合、制限部２５の断面形状がＴ字状の場合と比較して、蒸着粒子３０１のコリメート性の改善効果が向上する。
　＜変形例１＞
　図７は、本実施形態の変形例１にかかる蒸着装置１００の要部の概略構成を示す断面図である。
　本実施形態では、制限ユニット２０の各制限部２５が、例えば図１に示すように、天壁２１および開口壁２３が、それぞれ均一で互いに同一の厚みを有し、開口壁２３が天壁２１から垂直方向に垂下（垂設）された形状を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。
　天壁２１および開口壁２３は、必ずしも均一な厚みを有している必要はなく、また、互いに異なる厚みを有していても構わない。したがって、制限ユニット２０の各制限部２５は、例えば図７に示すように、天壁２１の下面２１ａが丸まった形状（湾曲した形状）を有していても構わない。なお、この場合、各制限部２５における、天壁２１の中央部の厚みをｄ１とし、開口壁２３の下面２３ａの各Ｘ軸方向の長さをｄ３とすると、ｄ１およびｄ３は、図１に示す制限ユニット２０と同様に設計することが可能である。
　このように、本実施形態にかかる制限ユニット２０の各制限部２５は、底部が開口された逆凹形状の断面形状、すなわち、底面が内側に窪んだ形状を有していればよい。
　＜変形例２＞
　また、本実施形態では、制限ユニット２０が、Ｘ軸方向に配列された複数の制限開口２４を有する場合を例に挙げて説明したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。制限ユニット２０は、制限開口２４を少なくとも１つ有し、制限開口２４を挟んで、天壁２１と、開口壁２３を含む立壁とを有する複数の制限部２５が設けられていればよく、これら制限部２５が、上述したように逆凹形状の断面形状を有していればよい。被成膜基板２００に被成膜領域２０２が１つしか設けられておらず、制限開口２４が１つしか設けられていない場合であっても、上述した効果を得ることができる。
　＜変形例３＞
　また、本実施形態では、蒸着源３０に、蒸着源開口３１（ノズル部）がＸ軸方向に複数設けられたライン蒸着源を用いる場合を例に挙げて説明したが、上述したように制限開口２４が１つしか設けられていない場合、蒸着源３０には、蒸着源開口３１が１つ設けられていればよい。
　＜変形例４＞
　また、例えば図６の（ａ）に示すように、ライン蒸着源に代えて、蒸着源開口３１が１つ設けられた蒸着源を、Ｘ軸方向に複数配列して用いることも可能である。
　＜変形例５＞
　また、本実施形態にかかる制限ユニット２０および蒸着ユニット１並びに蒸着装置１００は、上述したように、スキャン蒸着に好適に用いることができる。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、上記制限ユニット２０および蒸着ユニット１並びに蒸着装置１００は、（１）被成膜基板２００、蒸着マスク１０、制限ユニット２０、および蒸着源３０の位置関係をそれぞれ固定して蒸着を行う方法、あるいは、（２）被成膜基板２００に対し、蒸着マスク１０を順次移動させてその都度密着（接触）させることにより成膜するステップ蒸着等においても、好適に用いることができる。このような蒸着方式において制限ユニット２０を使用する場合であっても、制限ユニット２０を使用することで、少なくともＸ軸方向の膜厚分布を向上させることができるとともに、上述した効果を得ることができる。
　〔実施形態２〕
　本実施形態について主に図８～図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　なお、本実施形態でも、図８～図１３では、図示の便宜上、マスク開口１２および制限開口２４の数や、被成膜領域２０２および被成膜パターン領域２０３の数等を削減して示している。
　＜蒸着装置１００の概略構成＞
　図８は、本実施形態にかかる蒸着装置１００の要部の概略構成を示す断面図である。
　図８に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置１００は、制限ユニット２０における開口壁２３が、天壁２１の法線方向に対して傾斜している点を除けば、実施形態１にかかる蒸着装置１００と同じである。
　本実施形態にかかる制限ユニット２０の開口壁２３は、図８に示すように、天壁２１から、天壁２１の法線方向に対して外側、すなわち、蒸着源開口３１に向かって広がるように垂設（垂下）されている。
　このため、本実施形態では、各制限部２５が、天壁２１を挟む開口壁２３が天壁２１の法線方向よりも外側に広がるように傾斜した逆凹形状の断面形状（言い換えれば、天壁２１側が蒸着源３０側よりも狭い、逆テーパ状の断面形状）を有している。つまり、本実施形態では、各制限部２５の断面形状を、図１６の（ａ）・（ｂ）に示す通常の直方体形状から、図８に示すように、底部が無い（つまり、底部が開口された）中抜きの台形形状とした。
　以下に、本実施形態にかかる制限ユニット２０の設計について、さらに図９の（ａ）・（ｂ）～図１２を参照して説明する。
　図９の（ａ）・（ｂ）は、本実施形態にかかる制限ユニット２０の設計について説明するために、本実施形態にかかる蒸着装置１００の要部の構成を模式的に示す断面図である。なお、図９の（ａ）・（ｂ）では、蒸着マスク１０の図示を省略している。図１０は、本実施形態にかかる蒸着装置の蒸着角度θ１について説明する断面図である。図１１は、本実施形態にかかる制限ユニット２０の開口壁２３のテーパ角について説明する断面図である。図１２は、本実施形態にかかる制限ユニット２０の開口壁２３のテーパ角について説明する他の断面図である。
　本実施形態にかかる制限ユニット２０は、上述したように、各制限部２５が、中抜きの台形形状の断面形状を有している。このため、図８および図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、各制限部２５における天壁２１のＸ軸方向の長さＬ１、より具体的には、隣り合う制限開口２４で挟まれた天壁２１のＸ軸方向の長さＬ１が、平面視における各制限部２５の外形のＸ軸方向の長さＬ２よりも短い。
　したがって、上記制限ユニット２０は、図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、制限開口２４の上部におけるＸ軸方向の開口幅φ３よりも制限開口２４の下部におけるＸ軸方向の開口幅φ１が小さい。このため、本実施形態では、制限開口２４の下部におけるＸ軸方向の開口幅φ１で、被成膜領域２０２のＸ軸方向の大きさが決定される。本実施形態では、蒸着源３０側の制限開口２４のＸ軸方向の大きさ（上記開口幅φ１）は、図１６の（ａ）・（ｂ）に示すように制限部５０２断面形状が通常の直方体状の制限ユニット５００の制限板開口５０１のＸ軸方向の大きさ、並びに、実施形態１における制限ユニット２０の制限開口２４のＸ軸方向の大きさ（開口幅φ１）よりも狭くなる。
　なお、本実施形態において、上記Ｌ１は、各制限部２５における、Ｘ軸方向に隣り合う開口壁２３の天壁２１側の開口端間の距離、つまり、各制限部２５の蒸着マスク１０との対向面における、Ｘ軸方向に隣り合う開口壁２３の開口端間の距離と言い換えることができる。また、上記Ｌ２は、各制限部２５の蒸着源３０との対向面における、Ｘ軸方向に隣り合う開口壁２３の開口端間の距離と言い換えることができる。より具体的には、各制限部２５のＸ軸方向に平行な断面の外形を台形とすると、Ｌ１は、台形の上底の長さを示し、Ｌ２は、台形の下底の長さを示す。
　Ｌ１およびＬ２は、Ｌ１＜Ｌ２であれば、特に制約はない。但し、上記開口幅φ１および平面視における各制限部２５の外形のＸ軸方向の長さＬ２は、各被成膜領域２０２に、Ｘ軸方向全体に亘って蒸着膜３０２が形成されるように、被成膜領域２０２に対する蒸着角度θ１によって決定される。以下に、制限ユニット２０の好適な設計について説明する。
　各制限部２５の断面の外形が直方体形状を有する場合における、蒸着流のＸ軸方向の範囲、言い換えれば、該蒸着流による被成膜領域２０２のＸ軸方向の大きさは、制限開口２４の上部におけるＸ軸方向の開口幅φ３で決定される。
　なお、ここで、各制限部２５の断面の外形が直方体形状を有する場合とは、実施形態１のように開口壁２３が天壁２１から垂直方向に垂下（垂設）されたコの字状の断面形状を有する場合、あるいは、各制限部が従来のように制限板と称される板からなる場合を示す。すなわち、本実施形態において、各制限部２５の断面の外形とは、各制限部２５の底部が開口されている形状の場合、底部を繋げた形状（つまり、例えば制限部２５における各開口壁２３の下面２３ａを繋げた形状）を示す。
　図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、各制限部２５の断面形状が、底部が無い中抜きの台形形状である場合（つまり、各制限部２５の断面の外形が台形形状である場合）、各制限部２５の断面の外形が直方体形状の場合と同程度の蒸着流のＸ軸方向の大きさを維持するためには、各制限部２５における天壁２１のＸ軸方向の長さをＬ１とすると、Ｌ２は、Ｌ２≦Ｌ１＋φ３－φ１の範囲内、つまり、開口壁２３の下面２３ａのＸ軸方向の外縁を、図９の（ａ）・（ｂ）に示す、断面の外形が直方形状の制限部２５の周囲の三角形状の塗り潰し部分Ｐで示す範囲内に収める必要がある。
　Ｌ２が上記範囲を越える（つまり、開口壁２３の下面２３ａのＸ軸方向の外縁が上記塗り潰し部分Ｐを超える）と、各制限部２５の断面の外形が直方体形状のときの蒸着範囲よりも利用できる蒸着範囲が狭くなる。このため、Ｌ２は、上記範囲内において設定されることが望ましい。また、Ｌ２は、Ｌ２＝Ｌ１＋φ３－φ１である（つまり、開口壁２３の下面２３ａのＸ軸方向の外縁は、上記塗り潰し部分Ｐにおける制限開口２４側の端の部分に位置する）ことが、制限部２５の下の不要な蒸着流をカットする効果が最大限高まることから、より望ましい。
　そして、実施形態１同様、開口壁２３の高さ（すなわち、開口壁２３のＺ軸方向の高さであり、天壁２１の上面２１ｂと開口壁２３の下面２３ａとの間のＺ軸方向の距離）をｄ２とすると、Ｌ２の好適な値は、Ｌ２＝Ｌ１＋２×ｄ２×ｔａｎθ１で示される。
　また、開口壁２３の高さｄ２は、図８に示すように、天壁２１の下面２１ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離をβとし、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面と蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離をαとすると、ｄ２＝β＋ｄ１－αで示される。
　なお、蒸着角度θ１は、制限開口２４の開口幅φ１と、蒸着源開口３１のＸ軸方向の大きさ（ノズル径φ２）と、開口壁２３の下面２３ａと蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離αと、から決定される。
　図１０から判るように、ｔａｎθ１＝（φ１－φ２）／２αである。したがって、蒸着角度θ１は、θ１＝ａｒｃｔａｎ｛（φ１－φ２）／２α｝で示される。
　また、上記Ｌ１およびＬ２は、図１１に示すように、制限部２５の縦板である例えば開口壁２３のテーパ角、特に、開口壁２３における、制限開口２４に面する面（上面）のテーパ角（つまり、制限部２５を成す台形の外側のテーパ角）θ２が、蒸着角度θ１よりも大きくなるように設定することが望ましい。
　上記テーパ角θ２が蒸着角度θ１よりも小さいと、蒸着源３０側の制限開口２４の入口（つまり、制限ユニット２０における下面側の開口部）で制限された蒸着流が、制限部２５の開口壁２３の上面でカット（遮断、捕捉）されてしまうおそれがある。
　また、開口壁２３における、制限開口２４に面する面とは反対側の面のテーパ角（つまり、制限部２５を成す台形の内側の面のテーパ角）θ３（図１２参照）は、テーパ角θ２と等しいことが理想的である。
　すなわち、開口壁２３は、図８および図１１に示すように、均一な厚みを有し、開口壁２３における、制限開口２４に面する面とは反対側の面（つまり、制限部２５を成す台形の内側の面）が、制限開口２４に面する面と平行であることが望ましい。
　しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、図１２に示すように、テーパ角θ３は、テーパ角θ２より大きくても構わない。すなわち、開口壁２３は、天壁２１側ほど厚みが大きく形成されていても構わない。
　なお、本実施形態でも、天壁２１の厚みｄ１、側壁２２および開口壁２３の高さｄ２、開口壁２３および側壁２２の厚みｄ３、距離α、距離β（β＝α＋ｄ２）は、実施形態１と同様に設定することができる。
　＜効果＞
　図１３は、本実施形態にかかる制限ユニット２０による効果を示す断面図である。
　本実施形態によれば、制限部２５が、上述したように逆テーパ状の断面形状を有することで、蒸着物３０３が最も付着する、天壁２１の下面２１ａを、図１３に点線で示すように、実施形態１同様、各制限部２５が、開口壁２３が天壁２１から垂直方向に垂下（垂設）された、底部側が開口されたコの字状の断面形状を有する場合よりも、蒸着源３０から遠ざけることが可能となる。これにより、制限ユニット２０における、蒸着物３０３の付着部の温度を、実施形態１よりもさらに低減させることが可能となる。したがって、本実施形態によれば、蒸着源３０の上面３０ａへの蒸着物３０３の再付着の軽減効果を、実施形態１よりもさらに向上させることができる。
　〔実施形態３〕
　本実施形態について主に図１４および図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１、２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　なお、本実施形態でも、図１４および図１５では、図示の便宜上、マスク開口１２および制限開口２４の数や、被成膜領域２０２および被成膜パターン領域２０３の数等を削減して示している。
　＜蒸着装置１００の概略構成＞
　図１４は、本実施形態にかかる蒸着装置１００の要部の概略構成を示す断面図である。
　図１４に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置１００は、制限ユニット２０における開口壁２３が階段状に形成されている点を除けば、実施形態２にかかる蒸着装置１００と同じである。
　なお、本実施形態において、開口壁２３の各段の高さおよび段数に特に制約はない。図１４では、開口壁２３の段数を３段とした場合を例に挙げて図示しているが、２段以上であればよく、２段でも４段以上でも構わない。
　また、本実施形態でも、天壁２１の厚みｄ１、側壁２２および開口壁２３の高さｄ２、開口壁２３および側壁２２の厚みｄ３、距離α、距離β（β＝α＋ｄ２）は、実施形態１、２と同様に設定することができる。
　＜効果＞
　図１５は、本実施形態にかかる制限ユニット２０による効果を示す図である。
　本実施形態でも、制限部２５が、実施形態２同様、逆テーパ状の断面形状を有することで、図１５に示すように、蒸着物３０３が最も付着する、天壁２１の下面２１ａを、実施形態１よりも、蒸着源３０から遠ざけることができる。したがって、本実施形態でも、実施形態２と同様の効果を得ることができる。
　また、本実施形態によれば、開口壁２３が、階段状、すなわち、多段の矩形形状に形成されていることで、制限部２５の加工がし易くなる。また、各段の高さや幅等を適宜変更できるので、実施形態２よりも、より汎用性が高まる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる制限ユニット２０は、蒸着源３０から射出された蒸着粒子３０１の通過を制限する制限ユニットであって、上記蒸着粒子３０１を通過させる少なくとも１つの開口部（制限開口２４）と、上記開口部を挟む複数の非開口部（制限部２５）とを有し、上記非開口部は、天壁２１と開口壁２３とで形成される逆凹形状の断面形状を有している。
　このため、上記非開口部は、上記非開口部における開口壁２３の高さｄ２よりも天壁２１の厚みｄ１が小さく、底壁が無く、上記非開口部の底部が開口された断面形状を有している。
　このため、上記の構成によれば、制限開口２４のノズル長を決定する開口壁２３の高さｄ２は、設計上決められる範囲を維持したまま、上記非開口部における蒸着源３０との対向面の大部分、特に、蒸着物３０３が最も付着する、天壁２１の下面２１ａを、蒸着源３０から遠ざけることができる。
　したがって、上記の構成によれば、等方的な蒸着流を制御し、指向性を高めるという、制限ユニット２０の本来の機能を損なうことなく、上記非開口部を、蒸着源３０から実質的に遠ざけることができる。
　このため、上記の構成によれば、上記非開口部に対する蒸着源３０からの輻射熱を低減することができ、上記非開口部における、蒸着物３０３の付着部の温度を下げることができるので、上記非開口部に付着した蒸着物３０３の再蒸発を低減することができる。このため、上記の構成によれば、上記非開口部に付着した蒸着物３０３の再蒸発による蒸着源３０への蒸着物３０３の再付着を抑制または防止することができるので、微小膜３０４のような異常成膜を防止することができる。したがって、上記蒸着物３０３の再蒸発による微小膜３０４の付着が無く、高精細なパターンの蒸着膜３０２を製造（成膜）することができる。
　本発明の態様２にかかる制限ユニット２０は、上記態様１において、上記開口壁２３が、上記天壁２１の法線方向に平行に設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、簡素な構成で、上記態様１に記載の効果を得ることができる。
　本発明の態様３にかかる制限ユニット２０は、上記態様１において、上記開口壁２３は、上記天壁２１の法線方向に対して傾斜して設けられており、上記非開口部が、上記天壁２１側が上記蒸着源３０側よりも狭い逆テーパ状の断面形状を有していてもよい。
　上記の構成によれば、蒸着物３０３が最も付着する、天壁２１の下面２１ａを、開口壁２３が天壁２１の法線方向に平行に設けられている場合よりも、蒸着源３０から遠ざけることが可能となる。これにより、開口壁２３が天壁２１の法線方向に平行に設けられている場合よりも、制限ユニット２０における、蒸着物３０３の付着部の温度をさらに低減させることができ、蒸着源３０の上面３０ａへの蒸着物３０３の再付着の軽減効果をさらに向上させることができる。
　本発明の態様４にかかる制限ユニット２０は、上記態様３において、上記開口壁２３は、階段状に形成されていてもよい。
　上記の構成によれば、上記開口壁２３が階段状に形成されていることで、加工（開口壁２３の形成）が容易となる。また、各段の高さや幅等を適宜変更できるので、より汎用性を高めることができる。
　本発明の態様５にかかる制限ユニット２０は、上記態様１～４の何れかにおいて、上記開口壁２３の厚みと上記天壁２１の厚みとが等しくてもよい。
　この場合、加工が容易であり、上記制限ユニット２０を容易に製造することができる。
　本発明の態様６にかかる蒸着装置１００は、上記態様１～５の何れかにかかる制限ユニット２０と、上記制限ユニット２０に対向配置され、上記蒸着粒子３０１を射出する上記蒸着源３０と、を備えている。
　上記の構成によれば、態様１と同様の効果を得ることができる。
　本発明の態様７にかかる蒸着装置１００は、上記態様６において、上記開口壁２３における上記蒸着源３０との対向面（下面２３ａ）と上記蒸着源３０の上面３０ａとの間の距離αが、１ｍｍ以上、１００ｍｍ以下であってもよい。
　上記距離αが短すぎると、蒸着源３０からの輻射熱の影響、特に、開口壁２３の下面２３ａおよび側壁２２の下面に対する蒸着源３０からの輻射熱の影響が大きくなる。また、上記開口部が複数設けられ、各開口部にそれぞれ対応して、蒸着源３０から蒸着粒子３０１を射出する射出口（蒸着源開口３１）が設けられている場合、上記距離αが長すぎると、各開口部に、各開口部に対応する射出口以外の射出口から射出された蒸着粒子３０１が流入するおそれがある。しかしながら、上記距離αを上記範囲内とすることで、蒸着源３０からの輻射熱の影響を抑制することができるとともに、上述した場合において、各開口部に、各開口部に対応する射出口以外の射出口から射出された蒸着粒子３０１が流入するおそれがない。
　本発明の態様８にかかる蒸着膜製造方法は、上記態様６または７にかかる蒸着装置１００を用いて、被成膜基板２００に、所定パターンの蒸着膜３０２を形成する方法である。
　上記の方法によれば、態様１と同様の効果を得ることができる。
　本発明の態様９にかかる蒸着膜製造方法は、上記態様８において、上記制限ユニット２０には、上記開口部が複数、平面視で第１方向（Ｘ軸方向）に配列して設けられており、上記被成膜基板２００と、上記制限ユニット２０および上記蒸着源３０と、のうち少なくとも一方を、平面視で上記第１方向に直交する第２方向（Ｙ軸方向）に相対移動させながら蒸着を行ってもよい。
　上記の方法によれば、大型の被成膜基板２００に対し、該被成膜基板２００よりも小さな制限ユニット２０を用いて効率良く蒸着膜３０２を成膜することができる。
　本発明の態様１０にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法は、上記態様８または９にかかる蒸着膜製造方法を含んでいる。
　上記の方法によれば、態様８または９と同様の効果を得ることができる。
　本発明の態様１１にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法は、上記態様１０において、基板（ＴＦＴ基板４１０）上に第１電極４２１を形成する第１電極形成工程（ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１））と、上記第１電極４２１上に、有機層または無機層からなり、少なくとも発光層４２２ｂを含むエレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層４２２）を形成するエレクトロルミネッセンス層形成工程（有機ＥＬ層蒸着工程（Ｓ２））と、上記エレクトロルミネッセンス層上に第２電極４２３を形成する第２電極形成工程（第２電極蒸着工程（Ｓ３））と、を含み、上記態様８または９にかかる蒸着膜製造方法により、少なくとも上記発光層４２２ｂを形成する方法である。
　上記の方法によれば、上記非開口部に付着した蒸着物３０３の再蒸発による蒸着源３０への蒸着物３０３の再付着を抑制または防止することができるので、微小膜３０４のような異常成膜を防止することができる。したがって、上記生産方法によれば、上記蒸着物３０３の再蒸発による微小膜３０４の付着が無く、高精細なパターンを有する発光層４２２ｂを形成することができる。このため、上記生産方法によれば、従来よりも表示品位が高い有機ＥＬ表示装置４００等のＥＬ表示装置を提供することができる。
　本発明の態様１２にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置は、基板（ＴＦＴ基板４１０）上に、第１電極４２１と、有機層または無機層からなるエレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層４２２）と、第２電極４２３と、がこの順に設けられたエレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置４００）であって、上記エレクトロルミネッセンス層は、蒸着源３０から射出された蒸着粒子３０１を通過させる少なくとも１つの開口部（制限開口２４）と、上記開口部を挟む複数の非開口部（制限部２５）とを有し、上記非開口部が、天壁２１と開口壁２３とで形成される逆凹形状の断面形状を有する制限ユニット２０の上記開口部を通過した蒸着粒子３０１で形成される蒸着膜３０２のパターンからなる発光層４２２ｂを含んでいる。
　上記の構成によれば、態様１１と同様の効果を得ることができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　　１　　　蒸着ユニット
　　２　　　成膜チャンバ
　　３　　　基板搬送装置
　１０　　　蒸着マスク
　１１　　　マスク開口領域
　１２　　　マスク開口
　１３　　　非開口部
　２０　　　制限ユニット
　２１　　　天壁
　２１ａ、２３ａ、５０２ａ　　　下面
　２１ｂ、３０ａ　　　上面
　２２　　　側壁
　２３　　　開口壁
　２４　　　制限開口（開口部）
　２５、５０２　　　制限部（非開口部）
　３０　　　蒸着源
　３１　　　蒸着源開口
１００　　　蒸着装置
２００　　　被成膜基板
２０１　　　被成膜面
２０２　　　被成膜領域
２０３　　　被成膜パターン領域
２０４　　　非成膜領域
３０１　　　蒸着粒子
３０２　　　蒸着膜
３０３　　　蒸着物
３０４　　　微小膜
４００　　　有機ＥＬ表示装置
４０１　　　画素
４０２　　　サブ画素
４１０　　　ＴＦＴ基板（基板）
４１１　　　絶縁性基板
４１２　　　ＴＦＴ
４１３　　　信号線
４１４　　　層間絶縁膜
４１４ａ　　コンタクトホール
４１５　　　エッジカバー
４１５ａ　　開口
４２０　　　有機ＥＬ素子
４２１　　　第１電極
４２２　　　有機ＥＬ層（エレクトロルミネッセンス層）
４２２ａ　　正孔注入・正孔輸送層（有機層、無機層）
４２２ｂ　　発光層（有機層、無機層）
４２２ｃ　　電子輸送・電子注入層（有機層、無機層）
４２３　　　第２電極
４３０　　　封止層
５００　　制限ユニット
５０１　　制限板開口

Claims (12)

  1. 　蒸着源から射出された蒸着粒子の通過を制限する制限ユニットであって、
    　上記蒸着粒子を通過させる少なくとも１つの開口部と、上記開口部を挟む複数の非開口部とを有し、
    　上記非開口部は、天壁と開口壁とで形成される逆凹形状の断面形状を有していることを特徴とする制限ユニット。
  2. 　上記開口壁が、上記天壁の法線方向に平行に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の制限ユニット。
  3. 　上記開口壁は、上記天壁の法線方向に対して傾斜して設けられており、
    　上記非開口部が、上記天壁側が上記蒸着源側よりも狭い逆テーパ状の断面形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の制限ユニット。
  4. 　上記開口壁は、階段状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の制限ユニット。
  5. 　上記開口壁の厚みと上記天壁の厚みとが等しいことを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の制限ユニット。
  6. 　請求項１～５の何れか１項に記載の制限ユニットと、
    　上記制限ユニットに対向配置され、上記蒸着粒子を射出する上記蒸着源と、を備えていることを特徴とする蒸着装置。
  7. 　上記開口壁における上記蒸着源との対向面と上記蒸着源の上面との間の距離が、１ｍｍ以上、１００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
  8. 　請求項６または７に記載の蒸着装置を用いて、被成膜基板に、所定パターンの蒸着膜を形成することを特徴とする蒸着膜製造方法。
  9. 　上記制限ユニットには、上記開口部が複数、平面視で第１方向に配列して設けられており、
    　上記被成膜基板と、上記制限ユニットおよび上記蒸着源と、のうち少なくとも一方を、平面視で上記第１方向に直交する第２方向に相対移動させながら蒸着を行うことを特徴とする請求項８に記載の蒸着膜製造方法。
  10. 　請求項８または９に記載の蒸着膜製造方法を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法。
  11. 　基板上に第１電極を形成する第１電極形成工程と、
    　上記第１電極上に、有機層または無機層からなり、少なくとも発光層を含むエレクトロルミネッセンス層を形成するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、
    　上記エレクトロルミネッセンス層上に第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含み、
    　請求項８または９に記載の蒸着膜製造方法により、少なくとも上記発光層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の生産方法。
  12. 　基板上に、第１電極と、有機層または無機層からなるエレクトロルミネッセンス層と、第２電極と、がこの順に設けられたエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    　上記エレクトロルミネッセンス層は、
    　蒸着源から射出された蒸着粒子を通過させる少なくとも１つの開口部と、上記開口部を挟む複数の非開口部とを有し、上記非開口部が、天壁と開口壁とで形成される逆凹形状の断面形状を有する制限ユニットの上記開口部を通過した蒸着粒子で形成される蒸着膜のパターンからなる発光層を含んでいることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
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