WO2012121139A1 - 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置 - Google Patents

蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置 Download PDF

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WO2012121139A1
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vapor deposition
substrate
plate
plate material
opening
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園田通
川戸伸一
井上智
橋本智志
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シャープ株式会社
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    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for forming a film having a predetermined pattern on a substrate.
  • the present invention also relates to an organic EL display device including an organic EL (Electro Luminescence) element provided with a light emitting layer formed by vapor deposition.
  • organic EL Electro Luminescence
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device including an organic EL element using electroluminescence (Electro ⁇ Luminescence) of an organic material is an all-solid-state type that can be driven at a low voltage, has high-speed response, and self-luminous properties. As an excellent flat panel display, it has received a lot of attention.
  • a thin-film organic EL element is provided on a substrate on which a TFT (thin film transistor) is provided.
  • TFT thin film transistor
  • an organic EL layer including a light emitting layer is laminated between a pair of electrodes.
  • a TFT is connected to one of the pair of electrodes.
  • An image is displayed by applying a voltage between the pair of electrodes to cause the light emitting layer to emit light.
  • organic EL elements including light emitting layers of red (R), green (G), and blue (B) are arranged and formed on a substrate as sub-pixels. A color image is displayed by selectively emitting light from these organic EL elements with a desired luminance using TFTs.
  • an organic EL display device In order to manufacture an organic EL display device, it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern for each organic EL element.
  • a vacuum deposition method for example, a vacuum deposition method, an ink jet method, and a laser transfer method are known.
  • a vacuum deposition method is often used.
  • a mask also referred to as a shadow mask in which openings having a predetermined pattern are formed is used.
  • the deposition surface of the substrate to which the mask is closely fixed is opposed to the deposition source.
  • the vapor deposition particle (film-forming material) from a vapor deposition source is vapor-deposited on a vapor deposition surface through the opening of a mask, and the film of a predetermined pattern is formed. Vapor deposition is performed for each color of the light emitting layer (this is called “separate vapor deposition”).
  • Patent Documents 1 and 2 describe a method in which a mask is sequentially moved with respect to a substrate to perform separate deposition of light emitting layers of respective colors.
  • a mask having a size equivalent to that of the substrate is used, and the mask is fixed so as to cover the deposition surface of the substrate during vapor deposition.
  • the mask and the frame for holding it become huge and its weight increases, which makes it difficult to handle and may hinder productivity and safety.
  • the vapor deposition apparatus and its accompanying apparatus are similarly enlarged and complicated, the apparatus design becomes difficult and the installation cost becomes high.
  • Patent Document 3 the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source are allowed to pass through the mask opening of the vapor deposition mask and then adhered to the substrate while moving the vapor deposition source and the vapor deposition mask relative to the substrate. Deposition methods are described. With this vapor deposition method, even if it is a large substrate, it is not necessary to enlarge the vapor deposition mask accordingly.
  • Patent Document 4 describes that a vapor deposition beam direction adjusting plate in which a columnar or prismatic vapor deposition beam passage hole having a diameter of about 0.1 mm to 1 mm is formed is disposed between a vapor deposition source and a vapor deposition mask. Has been. By directing the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition beam radiation hole of the vapor deposition source through the vapor deposition beam passage hole formed in the vapor deposition beam direction adjusting plate, the directivity of the vapor deposition beam can be enhanced.
  • a vapor deposition mask smaller than the substrate can be used, so that vapor deposition on a large substrate is easy.
  • Patent Document 3 since vapor deposition particles flying from various directions can enter the mask opening of the vapor deposition mask, the width of the film formed on the substrate is larger than the width of the mask opening, and the edge of the film is formed. A blur occurs.
  • Patent Document 4 describes that the directivity of the vapor deposition beam incident on the vapor deposition mask is improved by the vapor deposition beam direction adjusting plate.
  • vapor deposition particles that is, vapor deposition material
  • the vapor deposition material emitted from the vapor deposition source adhere to the vapor deposition beam direction adjusting plate.
  • the vapor deposition material finally peels off from the vapor deposition beam direction adjustment plate and falls.
  • the vapor deposition material falls on the vapor deposition source, the vapor deposition material may re-evaporate and adhere to an undesired position on the substrate, which may reduce the yield.
  • the vapor deposition material falls on the vapor deposition beam radiation hole of the vapor deposition source and closes it, the vapor deposition film is not formed at a desired position on the substrate, and the yield may be lowered.
  • An object of the present invention is to efficiently form a vapor-deposited film with reduced edge blur on a large substrate at low cost.
  • the vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film with a predetermined pattern on a substrate
  • the vapor deposition apparatus includes a vapor deposition source having at least one vapor deposition source opening, the at least one vapor deposition source opening, and the substrate.
  • a deposition mask disposed between the at least one deposition source opening and the deposition mask, and a plurality of limiting portions disposed along a first direction perpendicular to a normal line of the substrate.
  • the substrate along the second direction orthogonal to the normal direction of the substrate and the first direction in a state in which the deposition unit including the restriction unit is separated from the substrate and the deposition mask by a predetermined interval.
  • the vapor deposition apparatus emits vapor deposition particles emitted from the at least one vapor deposition source opening and passed through a plurality of restriction openings separated by the plurality of restriction portions and a plurality of mask openings formed in the vapor deposition mask to the substrate.
  • the film is formed by adhering.
  • the limiting unit includes a plurality of stacked plate members.
  • the vapor deposition method of the present invention is a vapor deposition method having a vapor deposition step in which vapor deposition particles are deposited on a substrate to form a film with a predetermined pattern, and the vapor deposition step is performed using the vapor deposition apparatus of the present invention.
  • the organic EL display device of the present invention includes a film formed by using the vapor deposition method of the present invention as a light emitting layer.
  • the vapor deposition particles that have passed through the mask opening formed in the vapor deposition mask are attached to the substrate while moving one of the substrate and the vapor deposition unit relative to the other. Therefore, a deposition mask smaller than the substrate can be used. Therefore, a film by vapor deposition can be formed even on a large substrate.
  • the plurality of restricting portions separating the plurality of restricting openings selectively capture the vapor deposition particles incident on the restricting opening according to the incident angle, only the vapor deposition particles having a predetermined incident angle or less are incident on the mask opening. To do. Thereby, since the maximum incident angle with respect to the board
  • the limiting unit is composed of a plurality of plate materials, only the plate material to which the vapor deposition material is attached needs to be replaced. That is, it is not necessary to replace the entire limiting unit to which the vapor deposition material is attached. Therefore, since the apparatus for replacement can be simplified, the cost of the vapor deposition apparatus can be reduced. In addition, since the time for replacement can be shortened, a decrease in the throughput of the apparatus due to replacement can be reduced. By these, vapor deposition can be performed efficiently at low cost.
  • the organic EL display device of the present invention includes the light emitting layer formed by using the above-described vapor deposition method, the light emitting layer in which edge blurring is suppressed can be formed at low cost. Therefore, it is possible to provide an inexpensive organic EL display device that is excellent in reliability and display quality and can be increased in size.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device.
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a pixel constituting the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT substrate constituting the organic EL display device taken along line 3-3 in FIG.
  • FIG. 4 is a flowchart showing the manufacturing process of the organic EL display device in the order of steps.
  • FIG. 5 is a perspective view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 6 is a front cross-sectional view of the vapor deposition apparatus shown in FIG. 5 along a plane that passes through the vapor deposition source opening and is perpendicular to the traveling direction of the substrate.
  • FIG. 7 is a front sectional view of a vapor deposition apparatus according to a comparative example in which the limiting unit is omitted from the vapor deposition apparatus shown in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the cause of blurring at both edges of the coating.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along a plane orthogonal to the moving direction of the substrate, showing how the coating film is formed on the substrate in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to the moving direction of the substrate, for explaining the problem that the vapor deposition material adheres to the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 11A to FIG. 11D are diagrams sequentially showing the replacement procedure of the plate material constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating an overall configuration of a vapor deposition system including a vapor deposition apparatus and a restriction unit regeneration system according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 13A to FIG. 13D are diagrams sequentially showing a replacement procedure of plate members constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 14 is a partial plan view of three types of plate members constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the limiting unit along a plane parallel to the moving direction of the substrate in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16A is a diagram illustrating a procedure for replacing a plate material constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16B is a diagram illustrating a procedure for replacing a plate material constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16C is a diagram illustrating a procedure for replacing a plate member constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16A is a diagram illustrating a procedure for replacing a plate material constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16B is a diagram illustrating a procedure for replacing a plate material constituting
  • FIG. 16D is a diagram illustrating a procedure for replacing a plate material constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 17A is an enlarged cross-sectional view of one limiting opening of the limiting unit and the vicinity thereof in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 17B is an enlarged plan view of one limiting opening of the limiting unit and the vicinity thereof in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 18 is a perspective view showing a basic configuration of a vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 19 is a front cross-sectional view of the vapor deposition apparatus shown in FIG.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along a plane orthogonal to the moving direction of the substrate, showing how the coating film is formed on the substrate in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 21A is a plan view of a first plate member constituting a limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 21B is a plan view of a second plate member constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 21C is a cross-sectional view of the first plate member and the second plate member taken along the line 21C-21C in FIGS. 21A and 21B.
  • FIG. 22 is an enlarged perspective view showing a notch formed in a support base in order to hold the limiting portion in a predetermined position in the limiting unit of the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 23A is a front view of a limiting portion held by a support base in the limiting unit of the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 23B is a cross-sectional view of the restricting portion taken along the line 23B-23B in FIG. 23A.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a state in which a vapor deposition material adheres to the restriction portion of the restriction unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 25A is a front view showing one step of replacing plate members constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 25B is a cross-sectional view of the restricting portion taken along the line 25B-25B in FIG. 25A.
  • FIG. 26A is a front view showing one step of replacing a plate material constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 26B is a cross-sectional view of the restricting portion taken along the line 26B-26B in FIG. 26A.
  • FIG. 27A is a front view showing one step of replacing a plate member constituting the limiting unit in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • 27B is a cross-sectional view of the limiting portion taken along the line 27B-27B in FIG. 27A.
  • the vapor deposition apparatus is a vapor deposition apparatus that forms a film with a predetermined pattern on a substrate
  • the vapor deposition apparatus includes a vapor deposition source having at least one vapor deposition source opening, the at least one vapor deposition source opening, and the substrate.
  • a deposition mask disposed between the at least one deposition source opening and the deposition mask, and a plurality of limiting portions disposed along a first direction perpendicular to a normal line of the substrate.
  • the substrate along the second direction orthogonal to the normal direction of the substrate and the first direction in a state in which the deposition unit including the restriction unit is separated from the substrate and the deposition mask by a predetermined interval.
  • the vapor deposition apparatus emits vapor deposition particles emitted from the at least one vapor deposition source opening and passed through a plurality of restriction openings separated by the plurality of restriction portions and a plurality of mask openings formed in the vapor deposition mask to the substrate.
  • the film is formed by adhering.
  • the limiting unit includes a plurality of stacked plate members.
  • At least a plurality of limiting portions of the limiting unit include a plurality of stacked plate materials.
  • the plurality of plate members are preferably stacked in the normal direction of the substrate.
  • a plurality of through holes constituting the plurality of restriction openings are formed in each of the plurality of plate members.
  • the vapor deposition method of the present invention includes a step of removing the plate material to which the vapor deposition particles are attached, which is closest to the vapor deposition source, and a position different from the position of the removed plate material. It is preferable to further include a step of adding a plate material to the restriction unit. Since the plate material to which the vapor deposition material adheres is removed from the restriction unit and a clean plate material is added instead, maintenance of the restriction unit can be performed easily and in a short time while maintaining the function of the restriction unit.
  • each of the plurality of plate materials is attached in the limiting unit until the vapor deposition material is adhered and taken out. The period of use can be extended.
  • clean means that no vapor deposition material is attached.
  • the plate material closest to the vapor deposition source among the plurality of plate materials, the plate material to which the vapor deposition particles are attached only on one side is removed, the plate material is inverted, and the position of the removed plate material and
  • the method may further include a step of adding the plate material to the restriction unit at a different position. That is, when the vapor deposition material adheres only to one side of the plate material, the plate material is not removed but is inverted and further used in the limiting unit. Therefore, since the replacement frequency of the plate material can be reduced, the throughput of the apparatus can be improved.
  • a plate material on which the vapor deposition material adheres only on one side on the surface on the vapor deposition mask side of the plate material closest to the vapor deposition mask among the plurality of plate materials it is preferable to laminate a plate material on which the vapor deposition material adheres only on one side on the surface on the vapor deposition mask side of the plate material closest to the vapor deposition mask among the plurality of plate materials.
  • the use period in a restriction unit can be made substantially the same about all the several board
  • the vapor deposition method of the present invention is the closest to the vapor deposition source among the plurality of plate materials, the step of removing the plate material having the vapor deposition particles attached to both sides, and the position of the removed plate material, It is preferable to further include a step of adding a clean plate material to the restriction unit. That is, when the vapor deposition material adheres to both surfaces of the plate material, the plate material is removed from the restriction unit, and a clean plate material is added instead. Therefore, since the replacement frequency of the plate material can be reduced, the throughput of the apparatus can be improved.
  • the plurality of through holes formed in each of the plurality of plate members include a plurality of types of through holes having different opening widths.
  • the plurality of types of through holes having different opening widths communicate with each other in the normal direction of the substrate to form the plurality of limiting openings. Thereby, the limiting opening whose opening width changes along the normal direction of the substrate can be formed.
  • the opening widths of the plurality of types of through holes communicating in the normal direction of the substrate increase from the evaporation source opening toward the evaporation mask.
  • the plurality of types of through-holes having different opening widths are arranged along a direction parallel to the second direction in each of the plurality of plate members.
  • a plurality of types of penetrations are made at any position in the second direction so that the opening width increases from the vapor deposition source opening to the vapor deposition mask.
  • a restrictive opening in which the holes communicate can be formed.
  • the vapor deposition method of the present invention removes the plate material to which the vapor deposition particles are attached, which is closest to the vapor deposition source among the plurality of plate materials, and a plate material at a position different from the position of the removed plate material. It is preferable to further include a step of adding to the limiting unit and a step of moving one of the vapor deposition source opening and the limiting unit along the second direction with respect to the other.
  • limiting opening which several types of through-holes connected can be always arrange
  • the plate material added to the limiting unit may be a clean plate material or a plate material removed from a position closest to the vapor deposition source. In the case of the latter, the board
  • the added plate material is preferably laminated on the surface of the plate material closest to the vapor deposition mask among the plurality of plate materials on the vapor deposition mask side.
  • a part of the plurality of plate members is in a normal direction of the substrate with respect to the other part so that irregularities are formed on the inner peripheral surfaces of the plurality of limiting openings. It is preferable that the position is shifted in a direction perpendicular to the direction.
  • the size of the effective area of the restriction opening can be changed to an arbitrary size equal to or smaller than the size of the through hole formed in the plate material.
  • the shape of the effective area of the restriction opening can be arbitrarily changed by appropriately adjusting the misalignment direction.
  • corrugation is formed in the internal peripheral surface of a restriction
  • the plurality of plate materials may be alternately displaced in the opposite direction.
  • regular irregularities are formed on the inner peripheral surface of the restriction opening, which is advantageous for holding the separated vapor deposition material.
  • a part of the plurality of plate materials is made to be normal to the substrate with respect to the other part so that irregularities are formed on the inner peripheral surfaces of the plurality of restriction openings. It is preferable to further include a step of shifting the position in a direction orthogonal to the direction.
  • the size of the effective area of the restriction opening can be changed to an arbitrary size equal to or smaller than the size of the through hole formed in the plate material.
  • the shape of the effective area of the restriction opening can be arbitrarily changed by appropriately adjusting the misalignment direction.
  • corrugation is formed in the internal peripheral surface of a restriction
  • the plurality of plate members may be stacked in the first direction.
  • each of the plurality of limiting portions includes the plurality of plate members stacked in the first direction.
  • the vapor deposition method of the present invention includes a step of removing a pair of outermost layer plate materials to which the vapor deposition particles have adhered from among the plurality of plate materials constituting each of the plurality of restriction portions, and a pair of superimposed plate materials. And a step of inserting between the plurality of plate members. Since the plate material to which the vapor deposition material is adhered is removed and the pair of plate materials are inserted between the remaining plurality of plate materials, maintenance of the limiting unit can be performed easily and in a short time while maintaining the function of the limiting unit. Moreover, since a board
  • the pair of plate materials to be inserted may be clean plate materials or plate materials removed from the outermost layer. In the case of the latter, the board
  • the pair of plate members to be added is preferably inserted at a central position among the plurality of plate members.
  • the coating film is preferably a light emitting layer of an organic EL element.
  • the organic EL display device of this example is a bottom emission type in which light is extracted from the TFT substrate side, and controls light emission of pixels (sub-pixels) composed of red (R), green (G), and blue (B) colors.
  • This is an organic EL display device that performs full-color image display.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device.
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a pixel constituting the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT substrate constituting the organic EL display device taken along line 3-3 in FIG.
  • the organic EL display device 1 includes an organic EL element 20, an adhesive layer 30, and a sealing substrate 40 connected to a TFT 12 on a TFT substrate 10 on which a TFT 12 (see FIG. 3) is provided. It has the structure provided in order.
  • the center of the organic EL display device 1 is a display area 19 for displaying an image, and an organic EL element 20 is disposed in the display area 19.
  • the organic EL element 20 is sealed between the pair of substrates 10 and 40 by bonding the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is laminated to the sealing substrate 40 using the adhesive layer 30. As described above, since the organic EL element 20 is sealed between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40, entry of oxygen and moisture into the organic EL element 20 from the outside is prevented.
  • the TFT substrate 10 includes a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate as a supporting substrate.
  • the insulating substrate 11 does not need to be transparent.
  • a plurality of wirings 14 including a plurality of gate lines laid in the horizontal direction and a plurality of signal lines laid in the vertical direction and intersecting the gate lines are provided. It has been.
  • a gate line driving circuit (not shown) for driving the gate line is connected to the gate line
  • a signal line driving circuit (not shown) for driving the signal line is connected to the signal line.
  • sub-pixels 2R, 2G, and 2B made of organic EL elements 20 of red (R), green (G), and blue (B) colors are provided in each region surrounded by the wirings 14, respectively. They are arranged in a matrix.
  • the sub-pixel 2R emits red light
  • the sub-pixel 2G emits green light
  • the sub-pixel 2B emits blue light.
  • Sub-pixels of the same color are arranged in the column direction (vertical direction in FIG. 2), and repeating units composed of sub-pixels 2R, 2G, and 2B are repeatedly arranged in the row direction (left-right direction in FIG. 2).
  • the sub-pixels 2R, 2G, and 2B constituting the repeating unit in the row direction constitute the pixel 2 (that is, one pixel).
  • Each sub-pixel 2R, 2G, 2B includes a light-emitting layer 23R, 23G, 23B responsible for light emission of each color.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B extend in a stripe shape in the column direction (vertical direction in FIG. 2).
  • the configuration of the TFT substrate 10 will be described.
  • the TFT substrate 10 is formed on a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate, a TFT 12 (switching element), a wiring 14, an interlayer film 13 (interlayer insulating film, planarizing film), an edge cover 15, and the like. Is provided.
  • the TFT 12 functions as a switching element that controls the light emission of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B, and is provided for each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the TFT 12 is connected to the wiring 14.
  • the interlayer film 13 also functions as a planarizing film, and is laminated on the entire surface of the display region 19 on the insulating substrate 11 so as to cover the TFT 12 and the wiring 14.
  • a first electrode 21 is formed on the interlayer film 13.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the TFT 12 through a contact hole 13 a formed in the interlayer film 13.
  • the edge cover 15 is formed on the interlayer film 13 so as to cover the pattern end of the first electrode 21.
  • the edge cover 15 has a short circuit between the first electrode 21 and the second electrode 26 constituting the organic EL element 20 because the organic EL layer 27 is thinned or electric field concentration occurs at the pattern end of the first electrode 21. This is an insulating layer for preventing this.
  • the edge cover 15 is provided with openings 15R, 15G, and 15B for each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15 serve as light emitting areas of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • each of the sub-pixels 2R, 2G, 2B is partitioned by the edge cover 15 having an insulating property.
  • the edge cover 15 also functions as an element isolation film.
  • the organic EL element 20 will be described.
  • the organic EL element 20 is a light emitting element that can emit light with high luminance by low voltage direct current drive, and includes a first electrode 21, an organic EL layer 27, and a second electrode 26 in this order.
  • the first electrode 21 is a layer having a function of injecting (supplying) holes into the organic EL layer 27. As described above, the first electrode 21 is connected to the TFT 12 via the contact hole 13a.
  • the organic EL layer 27 includes a hole injection layer / hole transport layer 22, light emitting layers 23 ⁇ / b> R, 23 ⁇ / b> G, between the first electrode 21 and the second electrode 26 from the first electrode 21 side. 23B, the electron transport layer 24, and the electron injection layer 25 are provided in this order.
  • the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode.
  • the first electrode 21 may be a cathode and the second electrode 26 may be an anode.
  • the organic EL layer 27 is configured. The order of each layer is reversed.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 has both a function as a hole injection layer and a function as a hole transport layer.
  • the hole injection layer is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection from the first electrode 21 to the organic EL layer 27.
  • the hole transport layer is a layer having a function of improving the efficiency of transporting holes to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is uniformly formed on the entire surface of the display region 19 in the TFT substrate 10 so as to cover the first electrode 21 and the edge cover 15.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 in which the hole injection layer and the hole transport layer are integrated is provided.
  • the hole transport layer may be formed as a layer independent of each other.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B correspond to the columns of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15, respectively. Is formed.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are layers having a function of emitting light by recombining holes injected from the first electrode 21 side and electrons injected from the second electrode 26 side. .
  • Each of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B includes a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the electron transport layer 24 is a layer having a function of increasing the electron transport efficiency from the second electrode 26 to the organic EL layer 27.
  • the electron injection layer 25 is a layer having a function of increasing the efficiency of electron injection from the second electrode 26 to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron transport layer 24 is formed on the light emitting layers 23R, 23G, 23B and the hole injection / hole transport layer 22 so as to cover the light emitting layers 23R, 23G, 23B and the hole injection / hole transport layer 22. It is uniformly formed over the entire surface of the display area 19 in the substrate 10.
  • the electron injection layer 25 is uniformly formed on the entire surface of the display region 19 in the TFT substrate 10 on the electron transport layer 24 so as to cover the electron transport layer 24.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 are provided as independent layers.
  • the present invention is not limited to this, and a single layer in which both are integrated (that is, an electron) It may be provided as a transport layer / electron injection layer).
  • the second electrode 26 is a layer having a function of injecting electrons into the organic EL layer 27.
  • the second electrode 26 is formed uniformly over the entire surface of the display region 19 in the TFT substrate 10 on the electron injection layer 25 so as to cover the electron injection layer 25.
  • the organic layers other than the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are not essential as the organic EL layer 27, and may be selected according to the required characteristics of the organic EL element 20.
  • the organic EL layer 27 may further include a carrier blocking layer as necessary. For example, by adding a hole blocking layer as a carrier blocking layer between the light emitting layers 23R, 23G, and 23B and the electron transport layer 24, holes are prevented from passing through the electron transport layer 24, and the light emission efficiency is improved. can do.
  • FIG. 4 is a flowchart showing the manufacturing process of the organic EL display device 1 in the order of steps.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 1 includes, for example, a TFT substrate / first electrode manufacturing step S1, a hole injection layer / hole transport layer forming step S2, and light emission.
  • a layer forming step S3, an electron transporting layer forming step S4, an electron injecting layer forming step S5, a second electrode forming step S6, and a sealing step S7 are provided in this order.
  • the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode.
  • the organic EL the order of layer stacking is reversed from the description below.
  • the materials constituting the first electrode 21 and the second electrode 26 are also reversed from the following description.
  • the TFT 12 and the wiring 14 are formed on the insulating substrate 11 by a known method.
  • the insulating substrate 11 for example, a transparent glass substrate or a plastic substrate can be used.
  • a rectangular glass plate having a thickness of about 1 mm and a vertical and horizontal dimension of 500 ⁇ 400 mm can be used as the insulating substrate 11.
  • a photosensitive resin is applied on the insulating substrate 11 so as to cover the TFT 12 and the wiring 14, and the interlayer film 13 is formed by patterning using a photolithography technique.
  • a material of the interlayer film 13 for example, an insulating material such as an acrylic resin or a polyimide resin can be used.
  • the polyimide resin is generally not transparent but colored. For this reason, when the bottom emission type organic EL display device 1 as shown in FIG. 3 is manufactured, it is preferable to use a transparent resin such as an acrylic resin as the interlayer film 13.
  • the thickness of the interlayer film 13 is not particularly limited as long as the step on the upper surface of the TFT 12 can be eliminated. In one embodiment, the interlayer film 13 having a thickness of about 2 ⁇ m can be formed using an acrylic resin.
  • a contact hole 13 a for electrically connecting the first electrode 21 to the TFT 12 is formed in the interlayer film 13.
  • the first electrode 21 is formed on the interlayer film 13. That is, a conductive film (electrode film) is formed on the interlayer film 13. Next, after applying a photoresist on the conductive film and performing patterning using a photolithography technique, the conductive film is etched using ferric chloride as an etchant. Thereafter, the photoresist is stripped using a resist stripping solution, and substrate cleaning is further performed. Thereby, a matrix-like first electrode 21 is obtained on the interlayer film 13.
  • transparent conductive materials such as ITO (Indium (Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), gallium-doped zinc oxide (GZO), Metal materials such as gold (Au), nickel (Ni), and platinum (Pt) can be used.
  • a sputtering method As a method for laminating the conductive film, a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • a vacuum deposition method As a method for laminating the conductive film, a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the first electrode 21 having a thickness of about 100 nm can be formed by sputtering using ITO.
  • the edge cover 15 having a predetermined pattern is formed.
  • the edge cover 15 can use, for example, the same insulating material as that of the interlayer film 13 and can be patterned by the same method as that of the interlayer film 13.
  • the edge cover 15 having a thickness of about 1 ⁇ m can be formed using acrylic resin.
  • the TFT substrate 10 and the first electrode 21 are manufactured (step S1).
  • the TFT substrate 10 that has undergone the step S1 is subjected to a vacuum baking process for dehydration, and further subjected to an oxygen plasma process for cleaning the surface of the first electrode 21.
  • a hole injection layer and a hole transport layer are formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 on the TFT substrate 10 by vapor deposition. (S2).
  • an open mask having the entire display area 19 opened is closely fixed to the TFT substrate 10 and the TFT substrate 10 and the open mask are rotated together.
  • the material of the transport layer is deposited on the entire surface of the display area 19 of the TFT substrate 10.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may be integrated as described above, or may be layers independent of each other.
  • the thickness of the layer is, for example, 10 to 100 nm per layer.
  • Examples of the material for the hole injection layer and the hole transport layer include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, and fluorenone. , Hydrazone, stilbene, triphenylene, azatriphenylene, and derivatives thereof, polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds, aniline compounds, etc., heterocyclic or chain conjugated monomers, oligomers, or polymers Etc.
  • 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl ( ⁇ -NPD) is used to form a hole injection layer / hole transport layer 22 having a thickness of 30 nm. Can be formed.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed in a stripe shape on the hole injection / hole transport layer 22 so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15 (S3).
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are vapor-deposited so that a predetermined region is separately applied for each color of red, green, and blue (separate vapor deposition).
  • a material having high luminous efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex is used.
  • a material having high luminous efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B may be composed only of the above-described organic light emitting materials, and include a hole transport layer material, an electron transport layer material, an additive (donor, acceptor, etc.), a light emitting dopant, and the like. You may go out. Moreover, the structure which disperse
  • the thickness of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B can be set to 10 to 100 nm, for example.
  • the vapor deposition method and vapor deposition apparatus of the present invention can be used particularly suitably for the separate vapor deposition of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B. Details of the method of forming the light emitting layers 23R, 23G, and 23B using the present invention will be described later.
  • the electron transport layer 24 is formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 by vapor deposition so as to cover the hole injection layer / hole transport layer 22 and the light emitting layers 23R, 23G, and 23B (S4).
  • the electron transport layer 24 can be formed by the same method as in the hole injection layer / hole transport layer forming step S2.
  • an electron injection layer 25 is formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 by vapor deposition so as to cover the electron transport layer 24 (S5).
  • the electron injection layer 25 can be formed by the same method as in the hole injection layer / hole transport layer forming step S2.
  • Examples of the material for the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 include quinoline, perylene, phenanthroline, bisstyryl, pyrazine, triazole, oxazole, oxadiazole, fluorenone, and derivatives and metal complexes thereof, LiF (lithium fluoride). Etc. can be used.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be formed as an integrated single layer or may be formed as independent layers.
  • the thickness of each layer is, for example, 1 to 100 nm.
  • the total thickness of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 is, for example, 20 to 200 nm.
  • Alq tris (8-hydroxyquinoline) aluminum
  • LiF lithium fluoride
  • the second electrode 26 is formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 by vapor deposition so as to cover the electron injection layer 25 (S6).
  • the second electrode 26 can be formed by the same method as in the hole injection layer / hole transport layer forming step S2 described above.
  • a material (electrode material) of the second electrode 26 a metal having a small work function is preferably used. Examples of such electrode materials include magnesium alloys (MgAg, etc.), aluminum alloys (AlLi, AlCa, AlMg, etc.), metallic calcium, and the like.
  • the thickness of the second electrode 26 is, for example, 50 to 100 nm. In one embodiment, the second electrode 26 having a thickness of 50 nm can be formed using aluminum.
  • a protective film may be further provided on the second electrode 26 so as to cover the second electrode 26 and prevent oxygen and moisture from entering the organic EL element 20 from the outside.
  • a material for the protective film an insulating or conductive material can be used, and examples thereof include silicon nitride and silicon oxide.
  • the thickness of the protective film is, for example, 100 to 1000 nm.
  • the organic EL element 20 including the first electrode 21, the organic EL layer 27, and the second electrode 26 can be formed on the TFT substrate 10.
  • the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is formed and the sealing substrate 40 are bonded together with an adhesive layer 30 to encapsulate the organic EL element 20.
  • an insulating substrate such as a glass substrate or a plastic substrate having a thickness of 0.4 to 1.1 mm can be used.
  • the organic EL display device 1 is obtained.
  • step S3 of forming the light emitting layers 23R, 23G, and 23B by separate deposition will be described.
  • FIG. 5 is a perspective view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 6 is a front sectional view of the vapor deposition apparatus shown in FIG.
  • the vapor deposition unit 50 is comprised by the vapor deposition source 60, the vapor deposition mask 70, and the restriction
  • the substrate 10 moves along the arrow 10a at a constant speed on the side opposite to the vapor deposition source 60 with respect to the vapor deposition mask 70.
  • the horizontal axis parallel to the moving direction 10a of the substrate 10 is the Y axis
  • the horizontal axis perpendicular to the Y axis is the X axis
  • the vertical axis perpendicular to the X and Y axes is the Z axis.
  • An XYZ orthogonal coordinate system is set.
  • the Z axis is parallel to the normal direction of the deposition surface 10 e of the substrate 10.
  • the side of the arrow in the Z-axis direction (the upper side of the sheet of FIG. 6) is referred to as “upper side”.
  • the vapor deposition source 60 includes a plurality of vapor deposition source openings 61 on the upper surface (that is, the surface facing the vapor deposition mask 70).
  • the plurality of vapor deposition source openings 61 are arranged at a constant pitch along a straight line parallel to the X-axis direction (first direction).
  • Each vapor deposition source opening 61 has a nozzle shape opened upward in parallel with the Z axis, and emits vapor deposition particles 91 serving as a material of the coating film 90 toward the vapor deposition mask 70.
  • the vapor deposition mask 70 is a plate-like object whose main surface (surface having the largest area) is parallel to the XY plane, and a plurality of mask openings 71 are formed at different positions in the X-axis direction along the X-axis direction. Yes.
  • the mask opening 71 is a through hole that penetrates the vapor deposition mask 70 in the Z-axis direction.
  • the opening shape of each mask opening 71 has a slot shape parallel to the Y axis, but the present invention is not limited to this.
  • the shape and dimensions of all the mask openings 71 may be the same or different.
  • the pitch of the mask openings 71 in the X-axis direction may be constant or different.
  • the vapor deposition mask 70 is preferably held by a mask tension mechanism (not shown).
  • the mask tension mechanism prevents the evaporation mask 70 from being bent or stretched by its own weight by applying tension to the evaporation mask 70 in a direction parallel to the main surface thereof.
  • a limiting unit 80 is disposed between the vapor deposition source opening 61 and the vapor deposition mask 70.
  • the restriction unit 80 is formed with a plurality of restriction openings 82, each of which is a through hole penetrating the restriction unit 80 in the Z-axis direction.
  • the plurality of restriction openings 82 are arranged at a constant pitch along the X-axis direction. Limiting openings 82 adjacent in the X-axis direction are separated by a limiting portion 81.
  • the limiting unit 80 includes five plate members 811 to 815 having the same shape and the same size stacked in the Z-axis direction. Each of the plate members 811 to 815 is formed with a plurality of through holes having the same dimensions at the same position. By laminating the plate members 811 to 815, the through holes formed in the plate members 811 to 815 communicate with each other in the Z-axis direction to form a restriction opening 82 of the restriction unit 80.
  • Five plate members 811 to 815 are placed on a support base 85.
  • the support base 85 has a rectangular frame shape that is substantially rectangular when viewed from the Z-axis direction, and supports the outer peripheral ends of the plate members 811 to 815.
  • the number of plate members constituting the limiting unit 80 is not limited to five, and may be more or less.
  • the limiting unit 80 may include a cooling device for cooling the limiting unit 80 in order to prevent the deposited vapor deposition material from re-evaporating.
  • a cooling device for example, piping for allowing a refrigerant
  • coolant for example, water
  • cooling elements such as a Peltier device
  • one vapor deposition source opening 61 is disposed at the center of the adjacent limiting portions 81 in the X-axis direction. Therefore, the vapor deposition source opening 61 and the restriction opening 82 correspond one to one.
  • the present invention is not limited to this, and may be configured such that a plurality of limiting openings 82 correspond to one vapor deposition source opening 61, or one single vapor deposition source opening 61.
  • the restriction opening 82 may be configured to correspond.
  • the “restriction opening 82 corresponding to the deposition source opening 61” means the restriction opening 82 designed to allow the vapor deposition particles 91 emitted from the deposition source opening 61 to pass through.
  • the number of the vapor deposition source openings 61 and the limiting openings 82 is eight, but the present invention is not limited to this, and may be more or less.
  • the vapor deposition source opening 61 and the restricting portion 81 are separated from each other in the Z-axis direction, and the restricting portion 81 and the vapor deposition mask 70 are separated from each other in the Z-axis direction. It is preferable that the relative positions of the vapor deposition source 60, the limiting unit 80, and the vapor deposition mask 70 are substantially constant at least during the period of performing separate vapor deposition.
  • the substrate 10 is held by the holding device 55.
  • the holding device 55 for example, an electrostatic chuck that holds the surface of the substrate 10 opposite to the deposition surface 10e with electrostatic force can be used. Thereby, the board
  • the holding device 55 for holding the substrate 10 is not limited to the electrostatic chuck, and may be other devices.
  • the substrate 10 held by the holding device 55 is parallel to the Y axis at a constant speed by the moving mechanism 56 while the opposite side of the vapor deposition source 60 from the vapor deposition mask 70 is separated from the vapor deposition mask 70 by a certain distance. Scanning (moving) along the moving direction 10a.
  • the movement of the substrate 10 may be a reciprocating movement, or may be a unidirectional movement toward only one of them.
  • the configuration of the moving mechanism 56 is not particularly limited.
  • a known transport driving mechanism such as a feed screw mechanism that rotates a feed screw with a motor or a linear motor can be used.
  • the vapor deposition unit 50, the substrate 10, the holding device 55 that holds the substrate 10, and the moving mechanism 56 that moves the substrate 10 are accommodated in a vapor deposition chamber 100 (see FIG. 12 described later).
  • the deposition chamber is a sealed container, and the internal space is decompressed and maintained at a predetermined low pressure state.
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 sequentially pass through the restriction opening 82 of the restriction unit 80 and the mask opening 71 of the vapor deposition mask 70.
  • the vapor deposition particles 91 that have passed through the mask opening 71 adhere to the vapor deposition surface (that is, the surface of the substrate 10 facing the vapor deposition mask 70) 10 e that travels in the Y-axis direction to form a film 90.
  • the film 90 has a stripe shape extending in the Y-axis direction.
  • the vapor deposition particles 91 forming the coating film 90 always pass through the restriction opening 82 and the mask opening 71.
  • the limiting unit 80 and the vapor deposition mask 70 are designed so that the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 do not reach the vapor deposition surface 10e of the substrate 10 without passing through the restriction opening 82 and the mask opening 71. Further, if necessary, an adhesion prevention plate or the like (not shown) that prevents the vapor deposition particles 91 from flying may be installed.
  • the film 90 (that is, the light emitting layers 23R, 23G, and 23B) can be formed.
  • the dimension Lm of the vapor deposition mask 70 in the movement direction 10a of the substrate 10 is set to the substrate 10. It can be set regardless of the dimension in the same direction. Therefore, a vapor deposition mask 70 smaller than the substrate 10 can be used. For this reason, since it is not necessary to enlarge the vapor deposition mask 70 even if it enlarges the board
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a vapor deposition apparatus according to a comparative example in which the restriction unit 80 is omitted in the vapor deposition apparatus of Embodiment 1 in the same manner as FIG.
  • the illustration of the holding device 55 and the moving mechanism 56 is omitted to simplify the drawing.
  • the vapor deposition particles 91 are emitted from the vapor deposition source opening 61 with a certain spread (directivity) in the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the vapor deposition source opening 61 opens in a direction parallel to the Z axis.
  • the number of vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 is the largest in the opening direction of the vapor deposition source opening 61 (in this example, the Z-axis direction), and as the angle formed with respect to the opening direction (the emission angle) increases. Gradually decreases.
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 travel straight in the respective emission directions.
  • the flow of the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 is conceptually indicated by arrows. The length of the arrow corresponds to the number of vapor deposition particles 91.
  • FIG. 8 shows a film 90 formed on the substrate 10 by the vapor deposition particles 91 that have passed through a certain mask opening 71 in the vapor deposition apparatus according to the comparative example of FIG. 7 along the direction parallel to the Y axis as in FIG. FIG. Since the substrate 10 needs to be moved relative to the vapor deposition mask 70, there is a gap between the substrate 10 and the vapor deposition mask 70. In this state, the vapor deposition particles 91 flying from various directions pass through the mask opening 71 as described above. The number of vapor deposition particles 91 reaching the vapor deposition surface 10e of the substrate 10 is the largest in the region directly above the mask opening 71, and gradually decreases with increasing distance from the area. Therefore, as shown in FIG.
  • a film main portion 90m having a substantially constant thickness is formed on the deposition surface 10e of the substrate 10 in a region where the mask opening 71 is projected onto the substrate 10 in the direction directly above.
  • a blurred portion 90e is formed which becomes gradually thinner as it is farther from the coating main portion 90m. The blurred portion 90e causes the edge of the coating 90 to be blurred.
  • the distance between the vapor deposition mask 70 and the substrate 10 may be reduced. However, since it is necessary to move the substrate 10 relative to the vapor deposition mask 70, the distance between the vapor deposition mask 70 and the substrate 10 cannot be made zero.
  • the aperture width of the pixel (meaning the sub-pixels 2R, 2G, and 2B in FIG. 2) is set so that the blurred portion 90e does not reach the adjacent light emitting layer regions of different colors. It is necessary to increase the non-light-emitting region by narrowing or increasing the pixel pitch. However, when the aperture width of the pixel is narrowed, the light emitting area becomes small and the luminance is lowered.
  • the limiting unit 80 is provided between the vapor deposition source 60 and the vapor deposition mask 70.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along a plane parallel to the XZ plane, showing how the coating film 90 is formed on the substrate 10 in the first embodiment.
  • one source opening 61 is arranged for one restriction opening 82, and the vapor deposition source opening 61 is arranged at the center position of a pair of adjacent restriction portions 81 in the X-axis direction.
  • a flight path of typical vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 is indicated by a broken line.
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 with a certain spread (directivity) are: A film 90 is formed on the substrate 10.
  • the vapor deposition particle 91 whose X-axis direction component has a large velocity vector collides with and adheres to the restriction portion 81 that defines the restriction opening 82, and therefore cannot pass through the restriction opening 82 and reaches the mask opening 71. I can't do it.
  • the limiting unit 81 limits the incident angle in the X-axis direction of the vapor deposition particles 91 incident on the mask opening 71 (or the substrate 10).
  • the “incident angle in the X-axis direction” with respect to the mask opening 71 (or the substrate 10) is such that the flying direction of the vapor deposition particles 91 incident on the mask opening 71 (or the substrate 10) is the Z-axis in the projection onto the XZ plane. It is defined by the angle formed with respect to.
  • the plurality of limiting portions 81 of the limiting unit 80 improve the directivity in the X-axis direction of the vapor deposition particles 91 incident on the substrate 10.
  • the plurality of limiting portions 81 select the vapor deposition source opening 61 from which the vapor deposition particles 91 that pass through the respective mask openings 71 are emitted from the plurality of vapor deposition source openings 61. Therefore, the width We of the blurred portion 90e due to the vapor deposition particles 91 can be reduced.
  • the support base 85 (refer FIG. 6) is arrange
  • all the vapor deposition particles 91 incident on each mask opening 71 are limited to those emitted from the same vapor deposition source opening 61. That is, it is preferable that the vapor deposition particles 91 emitted from different vapor deposition source openings 61 do not enter the same mask opening 71. As a result, the width We of the blurred portion 90e can be further reduced.
  • the width We of the blurred portion 90e at the edge of the coating film 90 formed on the substrate 10 can be reduced. it can. Therefore, if the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are separately deposited using the first embodiment, color mixing can be prevented. Therefore, the pixel pitch can be reduced, and in that case, an organic EL display device capable of high-definition display can be provided. On the other hand, the light emitting region may be enlarged without changing the pixel pitch. In that case, an organic EL display device capable of high luminance display can be provided. In addition, since it is not necessary to increase the current density in order to increase the luminance, the organic EL element is not shortened in life or damaged, and a decrease in reliability can be prevented.
  • the vapor deposition particles 91 are limited as shown in FIG. 10.
  • the vapor deposition material 95 adheres to the restricting portion 81 by being captured by 81 and depositing. Although it varies depending on the relative positional relationship between the vapor deposition source opening 61 and the restricting portion 81, the vapor deposition material 95 is mainly composed of a lower surface (surface facing the vapor deposition source 60) 83 of the restricting portion 81 and / or a side surface (X It adheres to the surface 84) facing the restricting portion 81 adjacent in the axial direction.
  • the adhesion amount of the vapor deposition material 95 to the restricting portion 81 is such that the more the function of restricting the incident angle in the X-axis direction of the vapor deposition particles 91 of the restricting portion 81 is improved, that is, the width We of the blur portion 90e is reduced. The more you try, the more generally increases.
  • the vapor deposition material 95 is peeled off and contaminates the inside of the vapor deposition apparatus.
  • the peeled vapor deposition material 95 falls on the vapor deposition source 60, the vapor deposition material is heated and re-evaporated and adheres to an undesired position on the substrate 10 to reduce the yield.
  • the peeled vapor deposition material falls on the vapor deposition source opening 61, the vapor deposition source opening 61 is blocked with the vapor deposition material, and the coating film 90 cannot be formed at a desired position on the substrate 10.
  • FIGS. 11A to 11D are diagrams sequentially showing the replacement procedure of the plate members 811 to 815 constituting the limiting unit 80 in the vapor deposition apparatus according to the first embodiment.
  • the limiting portion 81 and the limiting opening 82 of the limiting unit 80 are not shown. Further, members other than the limiting unit 80 are not shown.
  • five plate members 811 to 815 are laminated in order from the lower side (deposition source 60 side) to the upper side (substrate 10 side). These five plate members 811 to 815 are mounted on a support base 85. Both ends of each of the plate members 811 to 815 in the X-axis direction are thinned, and a step is formed on the lower surface side thereof.
  • the vapor deposition material 95 adheres to the lower surface (the surface facing the vapor deposition source 60) of the lowermost plate 811.
  • the deposition is interrupted. Then, as shown in FIG. 11B, the temporary holding arms 802 are engaged with the steps on both ends of the plate member 812, and the plate members 812 to 815 of the second and higher layers from the bottom are lifted upward, leaving the lowermost plate member 811. . Then, the replacement arm 801 is engaged with the step of the lowermost plate material 811, and the plate material 811 is removed from the support base 85. The removed plate material 811 is carried out of the vapor deposition chamber and washed to remove the deposited vapor deposition material 95. The vapor deposition material 95 may be collected and reused as necessary.
  • a clean plate material 816 is carried into the vapor deposition chamber by the replacement arm 801 and placed on the uppermost plate material 815.
  • the five plate members 812, 813, 814, 815, and 816 stacked from the lower side (deposition source 60 side) to the upper side (substrate 10 side) are lowered onto the support base 85. . Then, the engagement between the temporary holding arm 802 and the plate member 812 is released, and the temporary holding arm 802 is retracted.
  • the vapor deposition is interrupted, and the lowermost plate is removed as in FIGS. 11A to 11D, and a clean plate is used instead.
  • the plate material constituting the limiting unit 80 moves downward one layer at a time each time the limiting unit 80 is maintained.
  • the total number of plate members constituting the limiting unit 80 is always constant. Since the thickness (Z-axis direction dimension) of each plate material is the same, the thickness (Z-axis direction dimension) of the limiting portion 81 is constant even if the plate material is replaced.
  • the limiting unit 80 in order to allow only the vapor deposition particles 91 emitted from the desired vapor deposition source opening 61 to enter each mask opening 71, the limiting unit 80 (particularly, with respect to the vapor deposition source opening 61.
  • the restricting portion 81) must be accurately aligned in the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the clean plate material 816 added to the uppermost plate material 815 is accurately aligned.
  • the alignment of the plate material 816 can be performed using the replacement arm 801 when the plate material 816 is placed on the uppermost plate material 815, for example.
  • the five plate members 812, 813, 814, 815, and 816 placed on the support base 85 are accurately aligned.
  • This alignment is performed by using, for example, the temporary holding arm 802 before placing the five plate members 812, 813, 814, 815, 816 on the support base 85, or the five plate members 812, 813, 814. , 815, 816 can be performed by moving the support base 85 after placing it on the support base 85.
  • a position adjusting mechanism for performing each of the above alignments may be provided on the replacement arm 801, the temporary holding arm 802, and the support base 85 as necessary.
  • a positioning mechanism that automatically aligns a plurality of plate materials with respect to the support base 85 can be provided.
  • a shape that fits each other for example, a convex portion and a concave portion having a conical surface
  • Positioning between the upper and lower members may be performed.
  • FIG. 12 shows an overall configuration of an example of a vapor deposition system including a vapor deposition apparatus and a regeneration system for the limiting unit 80.
  • a film is formed on the substrate 10 using the vapor deposition unit 50 in the vapor deposition chamber 100.
  • a transfer chamber 103 is connected to the vapor deposition chamber 100 through a door 105 that can be opened and closed.
  • An exchange arm 801 is accommodated in the transfer chamber 103.
  • the replacement arm 801 has a locking portion having a substantially “U” shape, for example.
  • the transfer chamber 103 is preferably maintained at a low pressure equivalent to that of the vapor deposition chamber 100.
  • a first load lock chamber 101 and a second load lock chamber 102 are connected to the transfer chamber 103 via doors 106 and 107 that can be opened and closed.
  • a clean plate material 810 constituting the limiting unit 80 and a used plate material 819 taken out of the vapor deposition chamber 100 and attached with the vapor deposition material 95 are stored.
  • the exchange arm 801 is used to convey the plate material 819 to which the vapor deposition material 95 is adhered from the vapor deposition chamber 100 to the first load lock chamber 101 and to convey the clean plate material 810 from the first load lock chamber 101 to the vapor deposition chamber 100. This is performed via the transfer chamber 103.
  • the removal of the vapor deposition material 95 from the plate material 819 is performed in the first load lock chamber 101 or outside the first load lock chamber 101.
  • the plate material from which the vapor deposition material 95 has been removed is stored in the first load lock chamber 101 as a clean plate material 810.
  • a substrate 10 after or before vapor deposition and various vapor deposition masks 70 are accommodated.
  • the exchange arm 801 is used to transfer the substrate 10 before vapor deposition from the second load lock chamber 102 to the vapor deposition chamber 100 and to convey the substrate 10 after vapor deposition from the vapor deposition chamber 100 to the second load lock chamber 102. This is performed via the transfer chamber 103.
  • the vapor deposition mask 70 is appropriately selected according to the pattern of the film formed on the substrate 10.
  • the vapor deposition mask 70 is exchanged between the vapor deposition chamber 100 and the second load lock chamber 102 via the transfer chamber 103 using the exchange arm 801.
  • the limiting unit 80 is composed of a plurality of plates stacked in the vertical direction, only the lowermost plate with the vapor deposition material 95 attached is taken out and cleaned. Maintenance of the limiting unit 80 is completed simply by laminating the plate material on the uppermost plate material.
  • the restricting part 81 In order for the restricting part 81 to exhibit the function of restricting the incident angle in the X-axis direction of the vapor deposition particles 91 described with reference to FIG. In addition, if the restricting portion 81 is displaced in the Z-axis direction due to bending due to its own weight, the above-described incident angle restricting function is not exhibited. Therefore, it is desirable that the restricting unit 80 including the restricting portion 81 has rigidity. . Therefore, it is difficult to make the limiting unit 80 thin. If such a limiting unit 80 is not composed of a plurality of separable plates as in the first embodiment, but is composed of an integrated limiting unit made of an integrated part, the integrated limiting unit Becomes thicker and heavier. If the vapor deposition material adheres to the integrated limiting unit, the entire integrated limiting unit must be replaced, which makes maintenance work complicated.
  • Embodiment 1 using the limiting unit 80 including a plurality of stacked plate members has the following effects.
  • the vapor deposition material adheres to the limiting unit 80, it is sufficient to replace only one of the plurality of plate members constituting the limiting unit 80. Since only a thin and light plate material needs to be moved, the member for conveying the plate material does not need to have a relatively large load resistance. For example, as described with reference to FIG. 12, the plate material can be replaced using the existing replacement arm 801 that transports the substrate 10 and the vapor deposition mask 70. Therefore, an increase in the cost of the vapor deposition equipment can be reduced.
  • the equipment for that purpose is small and sufficient.
  • the first load lock chamber 101 for storing clean plate materials can also be reduced in size. Therefore, the vapor deposition cost and the equipment cost can be reduced also in these points.
  • the frequency of maintenance can be increased without causing an increase in vapor deposition cost and a decrease in throughput. Thereby, since it can prevent reliably that the vapor deposition material adhering to the board
  • the temporary holding arm 802 described with reference to FIGS. 11A to 11D was used to replace the plate material.
  • the temporary holding arm 802 only needs to include a mechanism for holding and lifting a plurality of plate members and a mechanism for finely adjusting the position of the plate member in the X-axis direction and the Y-axis direction as necessary.
  • the temporary holding arm 802 need not hold the support base 85 on which a plurality of plate materials are placed. That is, the temporary holding arm 802 does not require a mechanism for moving a plurality of plate members for a long distance or mechanical strength for holding a heavy object. Therefore, the provision of the temporary holding arm 802 causes only a slight increase in the size and cost of the vapor deposition apparatus.
  • it is easy to increase the rigidity of such a temporary holding arm 802 it is possible to reduce the displacement of the limiting portion 81 and the limiting opening 82 that accompanies the replacement of the plate material.
  • the plate material When replacing the plate material, the plate material must be accurately aligned in the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the temporary holding arm 802 can move up and down a plurality of plate materials in the X-axis direction and the Y-axis direction without positional displacement, a clean single plate material (the plate material 816 in FIG. 11C) is the uppermost layer. It is only necessary to position it accurately on the plate material. Positioning of a thin and light plate material is much easier than positioning of a thick and heavy integrated limiting unit, and positioning accuracy can be improved easily.
  • a positioning mechanism is provided that automatically aligns the plate materials when the plate materials are stacked, the positioning operation can be further simplified or omitted.
  • the processing is easy.
  • the processing of the through hole for forming the limiting opening 82 is much easier and less costly when performed on a thin plate than when performed on a thick integrated limiting unit. Accuracy can be improved easily.
  • the limiting unit 80 is heated by receiving radiant heat from the vapor deposition source 60. Since the integrated limiting unit has a large heat capacity, when the entire limiting unit is replaced, it may take a long time for the temperature of the limiting unit to stabilize, and during this time, deposition may not be started. On the other hand, in the first embodiment, since the heat capacity of one plate material is small, the time until the temperature of the entire limiting unit 80 is stabilized after replacing the plate material is short. Therefore, the present embodiment 1 can also improve the throughput of the vapor deposition apparatus in this respect.
  • the plate material closest to the vapor deposition source 60 and therefore heated to the highest temperature is taken out.
  • the removal of the plate material brings about an effect of exhaust heat from the heated limiting unit 80. Therefore, while contributing to cooling of the limiting unit 80, it is possible to suppress distortion and deformation of the limiting unit 81 due to the limiting unit 81 being heated to a high temperature.
  • the installation position is arbitrary.
  • it may be built in the support base 85 or may be placed on the uppermost plate (plate 815 in FIG. 11A).
  • the clean plate 916 is inserted between the uppermost plate and the cooling device by lifting the cooling device.
  • the clean plate 916 is inserted below the uppermost plate by lifting the uppermost plate together with the cooling device.
  • a through hole for inserting the cooling device may be formed in each plate material.
  • the plate placed on the uppermost layer gradually moves downward for each maintenance of the restriction unit 80, and is taken out from the lowermost layer during the maintenance for the same number of times as the number of plate members constituting the restriction unit 80. Therefore, the period of use (evaporation time) of the plate material until it is taken out is substantially the same for any plate material, and the amount of deposition of the vapor deposition material 95 is also substantially the same.
  • the vapor deposition material 95 adheres not only to the lower surface 83 of the restricting portion 81 but also to the side surface 84.
  • This embodiment can be preferably used when the deposition amount of the vapor deposition material 95 is relatively larger on the lower surface 83 than on the side surface 84.
  • the number of plate members constituting the limiting unit 80 is 5, but the present invention is not limited to this and may be more or less.
  • the number of plate members can be appropriately set in consideration of the size of the restricting portion 81 in the Z-axis direction, the thickness of one plate member, and the like.
  • the clean plate material is laminated on the upper surface of the uppermost plate material, but it may be inserted at an arbitrary position between the uppermost plate material and the lowermost plate material.
  • the arms 801 and 802 are not limited to the above example, and may have any configuration other than the above.
  • a step was formed on the edge of the plate material, but if the plate material can be lifted or conveyed, this step may be omitted or replaced with another shape. it can.
  • Embodiment 2 In Embodiment 1 described above, the lowermost plate material to which the vapor deposition material 95 is adhered is taken out of the vapor deposition chamber 100, and another clean plate material is laminated on the uppermost plate material.
  • the plate when the vapor deposition material 95 is attached only to the lower surface of the lowermost plate, the plate is not taken out from the vapor deposition chamber 100, but is inverted to be the uppermost plate. Laminate on top.
  • FIG. 13A to FIG. 13D are diagrams sequentially showing the replacement procedure of the plate materials 811 to 815 constituting the limiting unit 80 in the vapor deposition apparatus according to the second embodiment.
  • the limiting portion 81 and the limiting opening 82 of the limiting unit 80 are not shown.
  • members other than the limiting unit 80 are not shown.
  • members for exchanging and raising and lowering the plate material constituting the limiting unit 80 for example, the replacement arm 801 and the temporary holding arm 802 shown in FIGS. 11A to 11D
  • the illustration of the engagement structure formed on the plate material is also omitted.
  • five plate members 811 to 815 are laminated in order from the lower side (deposition source 60 side) to the upper side (substrate 10 side). These five plate members 811 to 815 are mounted on a support base 85.
  • the vapor deposition material 95 adheres to the lower surface of the lowermost plate 811 (the surface facing the vapor deposition source 60).
  • the vapor deposition material 95 having a predetermined thickness adheres, the vapor deposition is interrupted, and the lowermost plate material 811 is taken out between the support base 85 and the plate material 812 as shown in FIG. Placed on the plate material 815. Since the plate material 811 is turned upside down, the vapor deposition material 95 attached to the lower surface of the plate material 811 in FIG. 13A is attached to the upper surface of the plate material 811 (the surface facing the vapor deposition mask) in FIG. 13B.
  • the vapor deposition material 95 having a predetermined thickness adheres to the lower surface of the plate 811 moved to the lowermost layer
  • the vapor deposition is interrupted.
  • a vapor deposition material 95 is attached to both the upper surface and the lower surface of the plate material 811. Therefore, the lowermost plate material 811 is taken out between the support base 85 and the plate material 812, and is carried out of the vapor deposition chamber 100, and the vapor deposition material 95 adhering to both surfaces thereof is removed.
  • a clean plate material 816 is placed on the uppermost plate material 815 instead of the plate material 811.
  • vapor deposition is resumed.
  • the plate member 812 is carried out of the vapor deposition chamber in the same manner as in FIG. 13C, and instead a new clean plate member is placed on the uppermost plate member 816. Placed on.
  • the plate material constituting the limiting unit 80 is taken out from the vapor deposition chamber after the vapor deposition material 95 adheres to both surfaces thereof, and a clean plate material is carried into the vapor deposition chamber instead.
  • the frequency of replacement of the plate material via the door 105 is halved in the second embodiment compared to the first embodiment. Therefore, the throughput of the vapor deposition apparatus is further improved.
  • the processing frequency of removing the vapor deposition material from the plate material taken out from the vapor deposition chamber is also halved. Furthermore, the number of clean plate materials stored can be halved.
  • the thickness (dimension in the Z-axis direction) of the limiting unit 80 is strictly. Is different.
  • the thickness of the vapor deposition material 95 is extremely thin with respect to the thickness of the plate material. Therefore, the above-described change in the thickness of the limiting unit 80 is rarely a problem.
  • the plate material with the vapor deposition material 95 attached on one side and the clean plate material are laminated on the upper surface of the uppermost plate material, but inserted at an arbitrary position between the uppermost plate material and the lowermost plate material. Also good.
  • the second embodiment is the same as the first embodiment except for the above.
  • the third embodiment will be described using an example in which the limiting unit 80 is configured by three plate members.
  • FIG. 14 is a partial plan view of three plate members 831, 832, and 833 constituting the limiting unit 80 of the vapor deposition apparatus according to the third embodiment.
  • the plate members 831, 832, and 833 have the same outer dimensions (that is, outer dimensions in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction).
  • Three types of through holes H1, H2, and H3 having different opening widths are formed in the plate members 831, 832, and 833 at the lattice point positions.
  • the arrangement of the through holes H1, H2, and H3 differs between the plate materials 831, 832, and 833.
  • the opening width is larger in the order of the through holes H1, H2, and H3.
  • planes P1, P2, and P3 three planes parallel to the XZ plane and arranged at a constant pitch in the Y-axis direction are referred to as planes P1, P2, and P3 in this order.
  • the plate 831 is formed with a through hole H1 along the plane P1, a through hole H3 along the plane P2, and a through hole H2 along the plane P3.
  • the plate member 832 is formed with a through hole H2 along the plane P1, a through hole H1 along the plane P2, and a through hole H3 along the plane P3.
  • the plate member 833 is formed with a through hole H3 along the plane P1, a through hole H2 along the plane P2, and a through hole H1 along the plane P3.
  • the pitches of the through holes H1, H2, and H3 in the X-axis direction are the same, and the through holes H1, H2, and H3 are arranged at the same position in the X-axis direction. Further, the pitches in the X-axis direction of the through holes H1, H2, and H3 are the same between the plate materials 831, 832, and 833.
  • plate materials 831, 832, and 833 are stacked in the Z-axis direction in this order from the lower side (deposition source 60 side).
  • the stacked plate members 831, 832, and 833 are placed on the support base 85. Since three types of through holes H1, H2, and H3 are arranged in the plate members 831, 832, and 833 as shown in FIG. 14, the three types of through holes H1, H2, and H3 communicate with each other in the Z-axis direction. When viewed along a direction parallel to the Z-axis, the centers of the three types of through holes H1, H2, and H3 communicating in the Z-axis direction coincide with each other.
  • through holes H1, through holes H2, and through holes H3 are arranged in this order from bottom to top.
  • through holes H3, through holes H1, and through holes H2 are arranged from bottom to top.
  • the through hole H2, the through hole H3, and the through hole H1 are arranged in this order from the bottom to the top on the plane P3.
  • FIG. 16A to FIG. 16D are diagrams sequentially showing the replacement procedure of the plate materials 831 to 833 constituting the limiting unit 80 in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • members other than the limiting unit 80 and the vapor deposition source opening 61 are not shown.
  • members for exchanging and raising and lowering the plate members 831 to 833 constituting the limiting unit 80 for example, the replacement arm 801 and the temporary holding arm 802 shown in FIGS. 11A to 11D
  • the illustration of the engagement structure formed on the plate members 831 to 833 is also omitted.
  • plate materials 831, 832, and 833 are stacked in the Z-axis direction in this order from the lower side (deposition source 60 side).
  • the vapor deposition source opening 61 is disposed on the plane P1. Above the vapor deposition source opening 61, a through hole H1, a through hole H2, and a through hole H3 are arranged in this order from bottom to top. In this state, vapor deposition particles 91 are emitted from the vapor deposition source opening 61.
  • the vapor deposition particles 91 sequentially pass through the through-hole H1, the through-hole H2, and the through-hole H3 arranged on the plane P1, and further pass through the mask opening 71 of the vapor deposition mask 70, and adhere to the substrate 10 to form the coating 90. It forms (refer FIG. 5, FIG. 6).
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 pass through the through holes H3, H1, H2 arranged on the plane P2 and the through holes H2, H3, H1 arranged on the plane P3 to the substrate 10. None reach.
  • the vapor deposition material 95 adheres to the vicinity of the through hole H1 and the inner peripheral surface of the through hole H1 in the lower surface of the lowermost plate 831 (the surface facing the vapor deposition source opening 61).
  • the deposition is interrupted, and the lowermost plate material 831 is removed from between the support base 85 and the plate material 832 as shown in FIG. 16B.
  • the removed plate material 831 is carried out of the vapor deposition chamber and washed to remove the deposited vapor deposition material 95. Further, a clean plate material 831 ′ having through holes H 1, through holes H 2, and through holes H 3 formed in the same arrangement as the plate material 831 is placed on the uppermost plate material 833.
  • the limiting unit 80 is moved in the Y-axis direction so that the vapor deposition source opening 61 is arranged on the plane P2. Similar to FIG. 16A, a through hole H1, a through hole H2, and a through hole H3 are arranged above the vapor deposition source opening 61 in this order from bottom to top. In this state, the vapor deposition particles 91 are discharged from the vapor deposition source opening 61, and vapor deposition is resumed. The vapor deposition particles 91 sequentially pass through the through hole H1, the through hole H2, and the through hole H3 arranged on the plane P2, and adhere to the substrate 10 to form the coating film 90 (see FIGS. 5 and 6).
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 pass through the through holes H2, H3, H1 arranged on the plane P1 and the through holes H3, H1, H2 arranged on the plane P3 to the substrate 10. None reach. As time passes, the vapor deposition material 95 adheres to the vicinity of the through hole H1 and the inner peripheral surface of the through hole H1 in the lower surface of the lowermost plate 832 (the surface facing the vapor deposition source opening 61).
  • the vapor deposition is interrupted, and the lowermost plate material 832 is removed from between the support base 85 and the plate material 833 in the same manner as described with reference to FIG. 16B.
  • a clean plate material 832 ′ in which the through hole H1, the through hole H2, and the through hole H3 are formed in the same arrangement is placed on the uppermost plate material 831 ′.
  • the removed plate material 832 is carried out of the vapor deposition chamber and washed to remove the deposited vapor deposition material 95.
  • the limiting unit 80 is moved in the Y-axis direction so that the vapor deposition source opening 61 is arranged on the plane P3. Similar to FIGS. 16A and 16C, a through hole H ⁇ b> 1, a through hole H ⁇ b> 2, and a through hole H ⁇ b> 3 are arranged above the vapor deposition source opening 61 in this order from bottom to top. In this state, the vapor deposition particles 91 are discharged from the vapor deposition source opening 61, and vapor deposition is resumed.
  • the vapor deposition particles 91 sequentially pass through the through hole H1, the through hole H2, and the through hole H3 arranged on the plane P3, and adhere to the substrate 10 to form the coating film 90 (see FIGS. 5 and 6).
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 pass through the through holes H3, H1, and H2 arranged on the plane P1 and the through holes H2, H3, and H1 arranged on the plane P2, and enter the substrate 10. None reach.
  • the vapor deposition material 95 adheres to the vicinity of the through hole H1 and the inner peripheral surface of the through hole H1 in the lower surface of the lowermost plate 833 (the surface facing the vapor deposition source opening 61).
  • the vapor deposition is interrupted, and the lowermost plate material 833 is removed from between the support base 85 and the plate material 831 ′ in the same manner as described with reference to FIG. 16B.
  • a clean plate material in which the through hole H1, the through hole H2, and the through hole H3 are formed in the same arrangement as described above is placed on the uppermost plate material 832 ′.
  • the removed plate material 833 is carried out of the vapor deposition chamber and washed to remove the deposited vapor deposition material 95. Thereby, the stacking order of the plate members constituting the control plate unit 80 substantially returns to the state shown in FIG. 16A described above. Thereafter, the above operation is repeated.
  • the vapor deposition particles 91 forming a coating on the substrate are a plurality of types of through-holes communicating so that the opening width gradually increases from the vapor deposition source opening 61 side toward the substrate 10.
  • the limiting unit 80 is moved in the Y-axis direction with respect to the vapor deposition source opening 61 so as to pass through the configured limiting opening 82. That is, the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 always enter the through hole H1 having the smallest opening width among the three types of through holes H1, H2, 3 formed in the lowermost plate.
  • the restriction unit 80 is moved. Therefore, as described above, the vapor deposition material 95 adheres to the inner peripheral surface of the through hole H1 in addition to the vicinity of the through hole H1 in the lower surface of the lowermost plate (the surface facing the vapor deposition source opening 61). .
  • the vapor deposition material 95 attached to the inner peripheral surface of the through hole H1 may be peeled off and dropped in the same manner as the vapor deposition material attached to the lower surface of the lowermost plate. Moreover, even if it does not peel, the vapor deposition material 95 adhering to the inner peripheral surface of the through hole H1 narrows the opening width of the through hole H1, and reduces the incident angle limiting function of the vapor deposition particles 91 of the limiting unit 80. Or the trapping function of the vapor deposition particles 91 that collide with the inner peripheral surface is reduced.
  • the vapor deposition material adheres not only to the lower surface of the lowermost plate material but also to the inner peripheral surface of the through hole H1 of the lowermost plate material. It is changed to a state that is not. Therefore, the above-mentioned problem due to the deposition material 95 adhering to the inner peripheral surface of the through hole H1 can be solved.
  • the opening width of the through hole is preferably gradually increased from the lower layer toward the upper layer.
  • the opening width of the through hole gradually increases from the lower layer toward the upper layer so that the vapor deposition material 95 does not adhere to the inner peripheral surface of the through hole of the upper layer plate than the lowermost plate.
  • the limiting unit 80 is composed of three plate materials, but the number of plate materials is not limited to three, and may be two or more.
  • the number of types of through holes having different opening widths is set to be the same as the number of plate members constituting the limiting unit 80.
  • the opening shape of the through hole is substantially square, but the present invention is not limited to this, and may be rectangular, for example.
  • ⁇ Multiple types of through holes need not have different opening widths in both the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the deposition material is likely to adhere to the inner peripheral surface (that is, the side surface 84 of the limiting portion 81) that generally faces in the X-axis direction.
  • a plurality of types of through holes having different opening widths in the X-axis direction may be formed in each plate material.
  • the position of the vapor deposition source opening 61 is made constant and the restriction unit 80 is moved in the Y-axis direction.
  • the third embodiment is not limited to this, and the position of the restriction unit 80 may be made constant, for example. .
  • the vapor deposition source 60 including the vapor deposition source opening 61 and the vapor deposition mask 70 may be moved in the Y-axis direction with respect to the restriction unit 80.
  • the planes P1 to P3 are arranged at a constant pitch in the Y-axis direction as shown in FIG. 14, but not limited to this, they can be arranged in the X-axis direction.
  • the arrangement of the through holes H1 to H3 and the moving direction of the limiting unit 80 are switched between the X axis and the Y axis.
  • the plane P1 is arranged on the vapor deposition source opening 60
  • the plane P2 and the plane P3 are arranged between the vapor deposition source openings 60 and pass through other than the through holes on the plane P1, and vapor deposition particles 91 are obtained. It is necessary to sufficiently consider the design so that the substrate does not reach the substrate 10. Therefore, the above example is preferable in terms of design.
  • the plate material may be taken out from the vapor deposition chamber. That is, when the vapor deposition material is attached only to the lower surface of the lowermost plate, the plate may be inverted and laminated on the uppermost plate. If vapor deposition material adheres to the upper and lower surfaces of the lowermost plate material, the lowermost plate material is taken out of the vapor deposition chamber, and a clean plate material with through holes formed in the same pattern is removed from the uppermost plate material. May be laminated. Thereby, since the exchange frequency of a board
  • the third embodiment is the same as the first embodiment except for the above.
  • the plurality of plate materials are laminated so that the edges of the plurality of through holes constituting the restriction opening 82 coincide.
  • the plurality of plate materials are displaced and stacked so that the edges of the plurality of through holes constituting the restriction opening 82 do not coincide with each other.
  • FIG. 17A is an enlarged sectional view of one limiting opening 82 of the limiting unit 80 and the vicinity thereof in the vapor deposition apparatus according to the fourth embodiment.
  • the limiting unit 80 includes five plate members 811 to 815 having the same shape and the same size stacked in the Z-axis direction.
  • the odd-numbered plate materials 811, 813, 815 are displaced in the X-axis direction and the Y-axis direction with respect to the even-numbered plate materials 812, 814.
  • the flow of the vapor deposition particles 91 that are discharged from the vapor deposition source opening 61 and can pass through the restriction opening 82 of the restriction unit 80 are the edge of the through hole of the uppermost plate member 815 and the end of the through hole of the second plate member 814 from the top. Defined by the edges.
  • FIG. 17B is an enlarged plan view of the restriction opening 82 and the vicinity thereof. Solid lines indicate odd-numbered plate materials 811, 813, and 815, and broken lines indicate even-numbered plate materials 812 and 814. The shaded area is the effective area of the restriction opening 82 through which the vapor deposition particles can pass.
  • the size and shape of the effective area of the restriction opening 82 can be arbitrarily changed by changing the positional deviation amount and the positional deviation direction between the plurality of plate members constituting the restriction unit 80.
  • the size of the effective area of the restriction opening 82 can be adjusted within a range equal to or smaller than the size of the through hole formed in the plate material.
  • the effective area of the restriction opening 82 is changed only by changing the relative position between the plurality of plate members without replacing the plurality of plate members constituting the restriction unit 80. Can do. Therefore, it is not necessary to prepare a plate material having different specifications for each pattern of the coating film 90, so that the production cost of the plate material can be reduced, and a large space for storing various types of plate materials is not necessary.
  • unevenness is formed on the inner peripheral surface defining the restriction opening 82 by shifting the position of the plurality of plate members.
  • the vapor deposition material easily adheres to the convex portion of the inner peripheral surface, but hardly adheres to the concave portion. Therefore, for example, when a large amount of vapor deposition material adheres to the convex portion, after that, by changing the relative position of the plurality of plate materials so that the convex portion becomes a concave portion, further vapor deposition material on the convex portion Adhesion can be prevented and the vapor deposition material can be prevented from peeling off and falling off. As a result, the replacement frequency of the plate material can be reduced.
  • the vapor deposition apparatus of the present embodiment may be arranged so that the Z-axis direction is the horizontal direction.
  • the vapor deposition material attached to the convex portion on the inner peripheral surface of the restriction opening 82 is peeled off and dropped, the vapor deposition material is dropped and caught in the concave portion facing the convex portion in the vertical direction. Therefore, it can prevent that the vapor deposition material which peeled contaminates the inside of a vapor deposition apparatus. Further, the vapor deposition material trapped in the recess does not narrow the opening width of the restriction opening 82.
  • the positional deviation amount in the X-axis direction and the positional deviation amount in the Y-axis direction may be the same or different. That is, the direction in which the position is shifted can be arbitrarily set in the XY plane. For example, the position may be shifted only in either the X-axis direction or the Y-axis direction.
  • the odd-numbered plate material among the plurality of plate materials is displaced with respect to the even-numbered plate material, but it is not necessary to alternately shift the plurality of plate materials one by one.
  • the positions may be shifted alternately for every two adjacent plate members.
  • any one or a plurality of plate materials (for example, the uppermost plate material and / or the lowermost plate material) of the plurality of plate materials may be displaced with respect to other plate materials.
  • the odd-numbered plate material and the plurality of plate materials were in the same position. That is, the number of types of positions where the plate material is arranged was two. However, the plate material may be arranged at three or more different positions.
  • the fourth embodiment is the same as the first and second embodiments except for the above. Maintenance of the restriction unit 80 performed when the vapor deposition material adheres to the plate material can be performed in the same manner as in the first and second embodiments.
  • FIG. 18 is a perspective view showing a basic configuration of a vapor deposition apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 19 is a front sectional view of the vapor deposition apparatus shown in FIG. 18 along a plane passing through the vapor deposition source 60.
  • the vapor deposition apparatus of the fifth embodiment is different from the vapor deposition apparatus of the first embodiment in the configuration of the limiting unit 80.
  • the limiting portion 81 of the limiting unit 80 is composed of a plurality of plates stacked in the Z-axis direction, whereas in the fifth embodiment, a plurality of (this book) stacked in the X-axis direction is used. In the example, it is composed of 4 plates).
  • the plurality of plate members are locked to a frame-shaped support base 86 having a substantially rectangular shape when viewed from the Z-axis direction.
  • a plurality of limiting portions 81 are arranged at a constant pitch in the X-axis direction.
  • a through hole formed between the restricting portions 81 adjacent in the X-axis direction and penetrating in the Z-axis direction constitutes a restriction opening 82 through which the vapor deposition particles 91 pass.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along a plane parallel to the XZ plane, showing a state in which the coating film 90 is formed on the substrate 10 in the fifth embodiment.
  • the limiting unit 81 of the fifth embodiment limits the incident angle in the X-axis direction of the vapor deposition particles 91 that enter the mask opening 71 (or the substrate 10), similarly to the limiting unit 81 (see FIG. 9) of the first embodiment.
  • the restricting portion 81 is composed of a plurality of plate members stacked in the X-axis direction.
  • the restricting portion 81 is composed of four plate materials having the same thickness.
  • the four plate members include a pair of first plate members 851 and a pair of second plate members 852.
  • FIG. 21A is a plan view of the first plate member 851
  • FIG. 21B is a plan view of the second plate member 852.
  • FIG. 21C is a cross-sectional view of the first plate member 851 and the second plate member 852 taken along the line 21C-21C in FIGS. 21A and 21B.
  • Each of the first plate member 851 and the second plate member 852 has a main portion 855 having a substantially rectangular thin plate shape.
  • a first inclined surface 859a and a second inclined surface 859b are formed on a pair of opposing sides (short sides in this example) of the main portion 855. As shown in FIG. 21C, the first inclined surface 859a and the second inclined surface 859b are formed on the opposite surfaces of the main portion 855.
  • the side where the second inclined surface 859b of the main portion 855 is formed is extended so as to protrude outward, and a pair of arms 856 is formed.
  • each arm 856 has a first rod 857a protruding upward (on the opposite side to the main portion 855) and a second rod 858a protruding downward (the same side as the main portion 855). And are formed.
  • the first rod 857a and the second rod 858a formed on each of the pair of arms 856 are facing each other.
  • each arm 856 has a first rod 857b protruding upward (on the side opposite to the main portion 855) and a second rod 858b protruding downward (the same side as the main portion 855). And are formed.
  • the first rod 857b and the second rod 858b formed on each of the pair of arms 856 are directed to opposite sides of the other party.
  • the first plate member 851 and the second plate member 852 are the same except for the first rods 857a and 857b and the second rods 858a and 858b.
  • FIG. 22 is a perspective view showing a part of the upper end surface of the support base 86 in an enlarged manner.
  • a notch 86n is formed in each upper end surface of the pair of side walls extending parallel to the X axis of the support base 86.
  • the pair of first plate members 851 and the pair of second plate members 852 are overlapped (that is, brought into contact with each other), and these arms 856 are fitted into the notches 86n. Accordingly, the first and second plate members 851 and 852 are suspended and held on the support base 86.
  • the dimension in the X-axis direction of the notch 86n substantially matches the total thickness when the pair of first plate members 851 and the pair of second plate members 852 are stacked. Accordingly, the pair of first plate members 851 and the pair of second plate members 852 held on the support base 86 as described above are in close contact with each other and positioned in the X-axis direction.
  • FIG. 23A is a front view of the limiting portion 81 held on the support base 86.
  • FIG. 23B is a cross-sectional view of the limiting portion 81 taken along the line 23B-23B in FIG. 23A.
  • FIG. 23A when viewed along a direction parallel to the X axis, the first and second ribs 857a and 858a of the first plate member 851 and the first and second ribs 857b and 857b of the second plate member 852 are seen. It is arranged at a position different from the flange 858b. As shown in FIG.
  • a pair of second plate members 852 are overlapped so that the surfaces on which the second inclined surfaces 859b are formed are in contact with each other, and a pair of first plate members 851 are formed on both outer sides thereof.
  • the surface on which the second inclined surface 859b is formed is overlaid so as to be in contact with the second plate member 852.
  • reference numerals 87a and 87b are lifting bars, and reference numerals 88a and 88b are fixed bars.
  • the pull-up bars 87a and 87b and the fixing bars 88a and 88b are all bar-shaped members extending in parallel with the X axis.
  • a pair of pull-up bars 87 a and 87 b are arranged above the arm 856, and a pair of the fixing bars 88 a and 88 b are arranged below the arm 856, respectively.
  • a pair of lifting bars 87a are disposed between the pair of lifting bars 87b.
  • the pair of the lifting bar 87a and the lifting bar 87b disposed on the right side and the pair of the lifting bar 87a and the lifting bar 87b disposed on the left side are maintained at a constant interval, It can be moved back and forth in the Y-axis direction and can be moved up and down in the Z-axis direction.
  • the pair of pull-up bars 87a are engaged with the pair of first flanges 857a of the first plate member 851.
  • the lifting bars 87a and 87b can be moved in the Y-axis direction to engage the pair of lifting bars 87b with the pair of first ribs 857b of the second plate 852.
  • the lifting bars 87a and 87b can be moved in the Y-axis direction to engage the pair of lifting bars 87b with the pair of first ribs 857b of the second plate 852.
  • the pull-up bars 87a and 87b can be raised in the Z-axis direction from the position shown in FIG. 23A while maintaining such an alternative engagement state.
  • a pair of fixed bars 88a are disposed between the pair of fixed bars 88b.
  • the pair of the fixing bar 88a and the fixing bar 88b arranged on the right side and the pair of the fixing bar 88a and the fixing bar 88b arranged on the left side are maintained at a constant interval. It can be reciprocated integrally in the Y-axis direction.
  • the pair of fixing bars 88b are engaged with the pair of second flanges 858b of the second plate member 852.
  • the fixing bars 88a and 88b are moved in the Y-axis direction so as to be separated from the main portion 855, and the pair of fixing bars 88a can be engaged with the pair of second ribs 858a of the first plate member 851.
  • the engagement between the pair of fixed bars 88a and the pair of second rods 858a and the pair of fixed bars 88b and the pair of Either of the engagement with the second rod 858b can be performed alternatively.
  • the vapor deposition particles 91 are captured and deposited by the restriction portion 81 as shown in FIG.
  • the vapor deposition material 95 adheres to the part 81.
  • the vapor deposition material 95 is a plate material (the outermost plate material disposed on the outermost side in the X-axis direction among the plurality of plate materials constituting the restriction portion 81, although it varies depending on the relative positional relationship between the vapor deposition source opening 61 and the restriction portion 81. It adheres to the outer surface of the outer layer plate.
  • the aspect ratio of the limiting opening 82 can be increased.
  • the Z-axis direction distance between the restricting portion 81 and the vapor deposition source opening 61 can be reduced. As a result, it is possible to reduce the vapor deposition material adhering to plate materials other than the outermost layer among the plurality of plate materials constituting the restricting portion 81.
  • the vapor deposition material 95 is peeled off and contaminates the inside of the vapor deposition apparatus.
  • the peeled vapor deposition material 95 falls on the vapor deposition source 60, the vapor deposition material is heated and re-evaporates and adheres to an undesired position on the substrate 10 to reduce the yield.
  • the peeled vapor deposition material falls on the vapor deposition source opening 61, the vapor deposition source opening 61 is blocked with the vapor deposition material, and the coating film 90 cannot be formed at a desired position on the substrate 10.
  • the distance between the restriction portions 81 adjacent in the X-axis direction becomes narrow, and the incident of the vapor deposition particles of the restriction unit 80 The angle limiting function is lowered, and the trapping function of the vapor deposition particles colliding with the outermost layer plate is lowered.
  • the vapor deposition material 95 having a predetermined thickness adheres to the outermost first plate member 851
  • the vapor deposition is interrupted.
  • the pair of lifting bars 87a are engaged with the pair of first rods 857a of the first plate member 851
  • the pair of fixing bars 88b are paired with the second pair of second plates 852. 858b is engaged. In this state, the lifting bars 87a and 87b are raised.
  • FIG. 25A is a front view showing a state where the lifting bars 87a and 87b are being raised
  • FIG. 25B is a cross-sectional view taken along the line 25B-25B in FIG. 25A.
  • the pull-up bar 87 a is engaged with the first flange 857 a of the pair of first plate members 851 constituting both outermost layers of the restricting portion 81.
  • the fixing bar 88b is engaged with the second flange 858b of the pair of second plate members 852 between the pair of first plate members 851. Accordingly, the pair of second plate members 852 does not move, and only the pair of first plate members 851 rises together with the lifting bars 87a and 87b.
  • the pair of first plate members 851 separated from the pair of second plate members 852 is carried out of the vapor deposition chamber and washed to remove the deposited vapor deposition material 95.
  • the vapor deposition material 95 may be collected and reused as necessary.
  • a pair of clean first plate members 851 ′ are lifted by a first bar 857a with a lifting bar 87a.
  • the first plate material 851 ' is the same as the first plate material 851 shown in FIG. 21A.
  • the pair of first plate members 851 ' are overlapped with the surfaces on which the second inclined surfaces 859b are formed in contact with each other. Therefore, the inclined surfaces 859a formed at the lower ends of the pair of first plate members 851 'are combined to form a wedge shape that becomes thinner toward the lower side.
  • the lifting bars 87a and 87b are lowered.
  • the wedge shape formed by the inclined surfaces 859a of the pair of first plate members 851 ′ is inserted into a recess having a V-shaped cross section formed by combining the inclined surfaces 859b of the pair of second plate members 852. .
  • the pair of second plate members 852 that are in contact with each other are separated from each other, and the pair of first plate members 851 ′ enter between them.
  • the pair of first plate members 851 ′ is pushed downward between the pair of second plate members 852 with the lifting bar 87 a until the arms 856 of the pair of first plate members 851 ′ are fitted into the notches 86 n of the support base 86.
  • the pair of first plate members 851 ′ are overlapped so as to contact each other, and the pair of second plate members 852 are in contact with the first plate member 851 ′ on both outer sides thereof.
  • the limiting portion 81 that is overlapped is formed.
  • the limiting portion 81 is accurately positioned in the X-axis direction by the notch 86n.
  • the vapor deposition material 95 having a predetermined thickness adheres to the outermost second plate 852
  • the vapor deposition is interrupted.
  • the pair of pull-up bars 87b are engaged with the pair of first rods 857b of the second plate member 852
  • the pair of fixing bars 88a are engaged with the pair of second rods 858a of the first plate member 851 '.
  • the lifting bars 87a and 87b are raised.
  • the same operation as described above is performed to take out the pair of second plate members 852 to which the vapor deposition material is adhered, and instead insert a pair of clean second members between the pair of first plate members 851 '.
  • the limiting portion 81 is composed of a plurality of plate members stacked in the X-axis direction, thereby taking out a pair of outermost layer plate materials to which the vapor deposition material 95 is attached, Maintenance of the limiting unit 80 is completed simply by inserting a pair of clean plates between the remaining plates.
  • the plate material is thin and lightweight, it is not necessary that the lifting bars 87a and 87b and the fixing bars 88a and 88b used when exchanging them have a large load resistance. Therefore, an increase in the cost of the vapor deposition equipment can be reduced.
  • the plate material with the vapor deposition material adhering only to one side is reused, and after the vapor deposition material adheres to both sides of the plate material, the plate material is taken out from the vapor deposition chamber, and instead clean.
  • a plate material may be inserted.
  • the plate material 851 is brought into contact with the surface to which the vapor deposition material 95 is attached. What is necessary is just to overlap and insert between a pair of board
  • the second inclined surface 859b is formed on both surfaces of the main portion 855, It is necessary to form the cross-sectional shape of the overlapped plate material in a W shape.
  • the restricting portion 81 is composed of four plate members, but the number of plate members constituting the restricting portion 81 may be an even number and can be arbitrarily set. Regardless of the number of plate members constituting the restricting portion 81, if the pair of outermost layer plate materials to which the vapor deposition material 95 is attached are taken out and a pair of clean plate members are inserted into the center of the remaining plate members, the limiting unit 80 Maintenance is complete.
  • the position for inserting the pair of plate materials does not need to be the center of the plurality of plate materials, and may be an arbitrary position other than the outermost layer.
  • the mechanism for selectively removing only the outermost layer plate material from the plurality of plate materials constituting the restricting portion 81 and the mechanism for inserting a clean plate material between the plurality of plate materials are not limited to the above example, and are free. Can be changed.
  • the shape of the vapor deposition source opening of the vapor deposition source 60 can be arbitrarily set.
  • the vapor deposition source opening may have a slot shape extending in the X-axis direction instead of the nozzle shape shown in the first to fifth embodiments.
  • the opening dimension in the X-axis direction of the evaporation source opening having a slot shape may be larger than the pitch of the limiting openings 82 in the X-axis direction.
  • a plurality of the vapor deposition units 50 shown in the above embodiments may be arranged with different positions in the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the substrate 10 is moved with respect to the stationary vapor deposition unit 50.
  • the present invention is not limited to this, and one of the vapor deposition unit 50 and the substrate 10 is relative to the other. Move to.
  • the position of the substrate 10 may be fixed and the vapor deposition unit 50 may be moved, or both the vapor deposition unit 50 and the substrate 10 may be moved.
  • the substrate 10 is disposed above the vapor deposition unit 50, but the relative positional relationship between the vapor deposition unit 50 and the substrate 10 is not limited to this.
  • the substrate 10 may be disposed below the vapor deposition unit 50, or the vapor deposition unit 50 and the substrate 10 may be disposed to face each other in the horizontal direction.
  • Embodiments 1 to 5 described above the case where the light emitting layer of the organic EL element is formed has been described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the present invention when the thickness of layers other than the light emitting layer of the organic EL element is changed for each color for the purpose of aligning the current-voltage characteristics for each color, or for the purpose of adjusting the emission spectrum by the microcavity effect, etc.
  • the present invention can be used.
  • this invention can be utilized when forming various thin films other than the thin film which comprises an organic EL element by a vapor deposition method.
  • the application field of the present invention is not particularly limited, but can be preferably used for forming a light emitting layer of an organic EL display device.

Abstract

 少なくとも1つの蒸着源開口(61)から放出された蒸着粒子(91)は、制限ユニット(80)の複数の制限開口(82)及び蒸着マスク(70)の複数のマスク開口(71)を通過して、第2方向(10a)に沿って相対的に移動する基板(10)に付着して被膜を形成する。制限ユニットは、積層された複数の板材を含む。これにより、端縁のボヤケが抑えられた蒸着被膜を大型の基板上に効率よく且つ低コストで形成することができる。

Description

蒸着装置、蒸着方法、及び有機EL表示装置
 本発明は、基板上に所定パターンの被膜を形成するための蒸着装置及び蒸着方法に関する。また、本発明は、蒸着により形成された発光層を備えた有機EL(Electro Luminescence)素子を含む有機EL表示装置に関する。
 近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
 そのような状況下、有機材料の電界発光(Electro Luminescence)を利用した有機EL素子を備えた有機EL表示装置は、全固体型で、低電圧駆動可能、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
 例えばアクティブマトリクス方式の有機EL表示装置では、TFT(薄膜トランジスタ)が設けられた基板上に薄膜状の有機EL素子が設けられている。有機EL素子では、一対の電極の間に発光層を含む有機EL層が積層されている。一対の電極の一方にTFTが接続されている。そして、一対の電極間に電圧を印加して発光層を発光させることにより画像表示が行われる。
 フルカラーの有機EL表示装置では、一般的に、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の発光層を備えた有機EL素子がサブ画素として基板上に配列形成される。TFTを用いて、これら有機EL素子を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
 有機EL表示装置を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機EL素子ごとに所定パターンで形成する必要がある。
 発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法が知られている。例えば、低分子型有機EL表示装置(OLED)では、真空蒸着法が用いられることが多い。
 真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク(シャドウマスクとも称される)が使用される。マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。そして、蒸着源からの蒸着粒子(成膜材料)を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの被膜が形成される。蒸着は発光層の色ごとに行われる(これを「塗り分け蒸着」という)。
 例えば特許文献1,2には、基板に対してマスクを順次移動させて各色の発光層の塗り分け蒸着を行う方法が記載されている。このような方法では、基板と同等の大きさのマスクが使用され、蒸着時にはマスクは基板の被蒸着面を覆うように固定される。
 このような従来の塗り分け蒸着法では、基板が大きくなればそれに伴ってマスクも大型化する必要がある。しかしながら、マスクを大きくすると、マスクの自重撓みや伸びにより、基板とマスクとの間に隙間が生じ易い。しかも、その隙間の大きさは、基板の被蒸着面の位置によって異なる。そのため、高精度なパターンニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生して高精細化の実現が困難である。
 また、マスクを大きくすると、マスクやこれを保持するフレーム等が巨大になってその重量も増加するため、取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置やそれに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。
 そのため、特許文献1,2に記載された従来の塗り分け蒸着法では大型基板への対応が難しく、例えば、60インチサイズを超えるような大型基板に対しては量産レベルで塗り分け蒸着することは困難である。
 特許文献3には、蒸着源と蒸着マスクとを、基板に対して相対的に移動させながら、蒸着源から放出された蒸着粒子を、蒸着マスクのマスク開口を通過させた後、基板に付着させる蒸着方法が記載されている。この蒸着方法であれば、大型の基板であっても、それに応じて蒸着マスクを大型化する必要がない。
 特許文献4には、蒸着源と蒸着マスクとの間に、径が約0.1mm~1mmの円柱状又は角柱状の蒸着ビーム通過孔が形成された蒸着ビーム方向調整板を配置することが記載されている。蒸着源の蒸着ビーム放射孔から放出された蒸着粒子を、蒸着ビーム方向調整板に形成された蒸着ビーム通過孔を通過させることにより、蒸着ビームの指向性を高めることができる。
特開平8-227276号公報 特開2000-188179号公報 特開2004-349101号公報 特開2004-103269号公報
 特許文献3に記載された蒸着方法によれば、基板より小さな蒸着マスクを用いることができるので、大型の基板に対する蒸着が容易である。
 ところが、基板に対して蒸着マスクを相対的に移動させる必要があるので、基板と蒸着マスクとを離間させる必要がある。特許文献3では、蒸着マスクのマスク開口には、様々な方向から飛翔した蒸着粒子が入射しうるので、基板に形成された被膜の幅がマスク開口の幅よりも拡大し、被膜の端縁にボヤケが生じてしまう。
 特許文献4には、蒸着ビーム方向調整板によって、蒸着マスクに入射する蒸着ビームの指向性を向上させることが記載されている。
 ところが、実際の蒸着工程では、蒸着ビーム方向調整板に蒸着源から放出された蒸着粒子(即ち、蒸着材料)が付着する。蒸着ビーム方向調整板への蒸着材料の付着量が多くなると、蒸着材料は遂には蒸着ビーム方向調整板から剥離し落下する。蒸着材料が蒸着源上に落下すると、蒸着材料が再蒸発し、基板の不所望な位置に付着して歩留まりが低下することがある。また、蒸着材料が蒸着源の蒸着ビーム放射孔に落下しこれを塞ぐと、基板の所望する位置に蒸着膜が形成されず、やはり歩留まりが低下することがある。
 これを回避するためには、蒸着材料が付着した蒸着ビーム方向調整板を新しいものと交換する必要がある。真空雰囲気を維持したまま、大型で重い蒸着ビーム方向調整板を交換するためには、交換のための大型の設備が必要となり、装置コストが増大するという問題がある。一方、真空チャンバを開いて、真空雰囲気を壊して蒸着ビーム方向調整板を交換すると、多大な手間と時間を要し、その結果、量産時のスループットが低下するという問題がある。
 本発明は、端縁のボヤケが抑えられた蒸着被膜を大型の基板上に効率よく且つ低コストで形成することを目的とする。
 本発明の蒸着装置は、基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着装置であって、前記蒸着装置は、少なくとも1つの蒸着源開口を備えた蒸着源、前記少なくとも1つの蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスク、及び、前記少なくとも1つの蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に配置され且つ複数の制限部が前記基板の法線に直交する第1方向に沿って配置された制限ユニットを備えた蒸着ユニットと、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備える。前記蒸着装置は、前記少なくとも1つの蒸着源開口から放出され、前記複数の制限部によって隔てられた複数の制限開口及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した蒸着粒子を前記基板に付着させて前記被膜を形成する。前記制限ユニットは、積層された複数の板材を含むことを特徴とする。
 本発明の蒸着方法は、基板上に蒸着粒子を付着させて所定パターンの被膜を形成する蒸着工程を有する蒸着方法であって、前記蒸着工程を上記の本発明の蒸着装置を用いて行う。
 本発明の有機EL表示装置は、上記の本発明の蒸着方法を用いて形成された被膜を発光層として備える。
 本発明の蒸着装置及び蒸着方法によれば、基板及び蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、蒸着マスクに形成されたマスク開口を通過した蒸着粒子を基板に付着させるので、基板より小さな蒸着マスクを使用することができる。従って、大型基板に対しても蒸着による被膜を形成することができる。
 複数の制限開口を隔てる複数の制限部が、制限開口に入射した蒸着粒子を、その入射角度に応じて選択的に捕捉するので、マスク開口には、所定の入射角度以下の蒸着粒子のみが入射する。これにより、蒸着粒子の基板に対する最大入射角度が小さくなるので、基板に形成される被膜の端縁に生じるボヤケを抑制することができる。
 制限ユニットが複数の板材で構成されているので、蒸着材料が付着した板材のみを交換すればよい。即ち、蒸着材料が付着した制限ユニット全体を交換する必要がない。従って、交換のための装置を簡単化することができるので蒸着装置のコストを低減することができる。また、交換のための時間を短縮化することができるので、交換による装置のスループットの低下を少なくすることができる。これらにより、蒸着を低コストで効率よく行うことができる。
 本発明の有機EL表示装置は、上記の蒸着方法を用いて形成された発光層を備えるので、端縁のボヤケが抑えられた発光層を安価に形成することができる。従って、信頼性及び表示品位に優れ、大型化も可能な安価な有機EL表示装置を提供することができる。
図1は、有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。 図2は、図1に示す有機EL表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。 図3は、図2の3-3線に沿った有機EL表示装置を構成するTFT基板の矢視断面図である。 図4は、有機EL表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 図5は、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の基本構成を示した斜視図である。 図6は、図5に示した蒸着装置の、基板の走行方向と垂直な、蒸着源開口を通る面に沿った正面断面図である。 図7は、図5に示した蒸着装置において制限ユニットを省略した比較例にかかる蒸着装置の正面断面図である。 図8は、被膜の両端縁のボヤケの発生原因を説明する断面図である。 図9は、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置において基板に被膜が形成される様子を示した、基板の移動方向に対して直交する面に沿った断面図である。 図10は、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置において、制限ユニットに蒸着材料が付着する問題を説明する、基板の移動方向に対して直交する面に沿った断面図である。 図11A~図11Dは、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換手順を順に示した図である。 図12は、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置及び制限ユニットの再生システムを含む蒸着システムの全体構成を示した図である。 図13A~図13Dは、本発明の実施形態2にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の入れ替え手順を順に示した図である。 図14は、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する3種類の板材の部分平面図である。 図15は、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置において、基板の移動方向と平行な面に沿った制限ユニットの断面図である。 図16Aは、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換手順を示した図である。 図16Bは、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換手順を示した図である。 図16Cは、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換手順を示した図である。 図16Dは、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換手順を示した図である。 図17Aは、本発明の実施形態4にかかる蒸着装置において、制限ユニットの1つの制限開口及びその近傍の拡大断面図である。図17Bは、本発明の実施形態4にかかる蒸着装置において、制限ユニットの1つの制限開口及びその近傍の拡大平面図である。 図18は、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置の基本構成を示した斜視図である。 図19は、図18に示した蒸着装置の、基板の走行方向と垂直な、蒸着源開口を通る面に沿った正面断面図である。 図20は、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置において基板に被膜が形成される様子を示した、基板の移動方向に対して直交する面に沿った断面図である。 図21Aは、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する第1板材の平面図である。図21Bは、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する第2板材の平面図である。図21Cは、図21A及び図21Bの21C-21C線に沿った面での第1板材及び第2板材の矢視断面図である。 図22は、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置の制限ユニットにおいて、制限部を所定位置に保持するために支持台に形成された切り欠きを示した拡大斜視図である。 図23Aは、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置の制限ユニットにおいて、支持台に保持された制限部の正面図である。図23Bは、図23Aの23B-23B線に沿った面での制限部の矢視断面図である。 図24は、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置において、制限ユニットの制限部に蒸着材料が付着した状態を示した断面図である。 図25Aは、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換の一工程を示した正面図である。図25Bは、図25Aの25B-25B線に沿った面での制限部の矢視断面図である。 図26Aは、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換の一工程を示した正面図である。図26Bは、図26Aの26B-26B線に沿った面での制限部の矢視断面図である。 図27Aは、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置において、制限ユニットを構成する板材の交換の一工程を示した正面図である。図27Bは、図27Aの27B-27B線に沿った面での制限部の矢視断面図である。
 本発明の蒸着装置は、基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着装置であって、前記蒸着装置は、少なくとも1つの蒸着源開口を備えた蒸着源、前記少なくとも1つの蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスク、及び、前記少なくとも1つの蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に配置され且つ複数の制限部が前記基板の法線に直交する第1方向に沿って配置された制限ユニットを備えた蒸着ユニットと、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備える。前記蒸着装置は、前記少なくとも1つの蒸着源開口から放出され、前記複数の制限部によって隔てられた複数の制限開口及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した蒸着粒子を前記基板に付着させて前記被膜を形成する。前記制限ユニットは、積層された複数の板材を含むことを特徴とする。
 制限ユニットのうち少なくとも複数の制限部は、積層された複数の板材を含むことが好ましい。
 上記の本発明の蒸着装置において、前記複数の板材は、前記基板の法線方向に積層されていることが好ましい。この場合、前記複数の板材のそれぞれに、前記複数の制限開口を構成する複数の貫通穴が形成されていることが好ましい。これにより、制限ユニットに蒸着材料が付着したときには、蒸着材料の付着量が最も多い、蒸着源に最も近い板材のみを取り除くことができる。その結果、制限ユニットのメインテナンスを簡単且つ短時間に行うことができる。
 上記において、本発明の蒸着方法が、前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、前記蒸着粒子が付着した板材を取り除く工程と、取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に、清浄な板材を前記制限ユニットに追加する工程とを更に備えることが好ましい。蒸着材料が付着した板材を制限ユニットから取り除き、その代わりに清浄な板材を追加するので、制限ユニットの機能を維持しながら、制限ユニットのメインテナンスを簡単且つ短時間に行うことができる。また、清浄な板材を、蒸着材料が付着した板材が存在していた位置とは異なる位置に追加するので、複数の板材のそれぞれの、蒸着材料が付着して取り出されるまでの制限ユニット内での使用期間を長くすることができる。
 なお、本発明において「清浄な」とは、蒸着材料が付着していないことを意味する。
 上記において、清浄な板材を、複数の板材のうち蒸着マスクに最も近い板材の蒸着マスク側の面に積層することが好ましい。これにより、制限ユニットを構成する複数の板材の全てについて、制限ユニット内での使用期間をほぼ同じにすることができる。
 あるいは、本発明の蒸着方法が、前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、片面のみに前記蒸着粒子が付着した板材を取り除き、前記板材を反転させて、取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に前記板材を前記制限ユニットに追加する工程を更に備えてもよい。即ち、蒸着材料が板材の片面のみに付着している場合には、当該板材を取り去るのではなく、反転して制限ユニット内で更に使用する。従って、板材の交換頻度を低減することができるので、装置のスループットを向上させることができる。
 上記において、片面のみに蒸着材料が付着した板材を、複数の板材のうち蒸着マスクに最も近い板材の蒸着マスク側の面に積層することが好ましい。これにより、制限ユニットを構成する複数の板材の全てについて、制限ユニット内での使用期間をほぼ同じにすることができる。
 上記において、本発明の蒸着方法が、前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、両面に前記蒸着粒子が付着した板材を取り除く工程と、取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に、清浄な板材を前記制限ユニットに追加する工程とを更に備えることが好ましい。即ち、蒸着材料が板材の両面に付着した場合には、当該板材を制限ユニットから取り除き、その代わりに清浄な板材を追加する。従って、板材の交換頻度を低減することができるので、装置のスループットを向上させることができる。また、清浄な板材を、蒸着材料が両面に付着した板材が存在していた位置とは異なる位置に追加するので、複数の板材のそれぞれの、蒸着材料が付着して取り出されるまでの制限ユニット内での使用期間を長くすることができる。
 上記において、清浄な板材を、複数の板材のうち蒸着マスクに最も近い板材の蒸着マスク側の面に積層することが好ましい。これにより、制限ユニットを構成する複数の板材の全てについて、制限ユニット内での使用期間をほぼ同じにすることができる。
 上記の本発明の蒸着装置において、前記複数の板材のそれぞれに形成された前記複数の貫通穴は、開口幅が異なる複数種類の貫通穴を含むことが好ましい。この場合、開口幅が異なる前記複数種類の貫通穴が前記基板の法線方向に連通して前記複数の制限開口が構成されていることが好ましい。これにより、開口幅が、基板の法線方向に沿って変化する制限開口を形成することができる。
 上記において、前記基板の法線方向に連通した前記複数種類の貫通穴の開口幅は、前記蒸着源開口から前記蒸着マスクに近づくにしたがって大きくなることが好ましい。これにより、基板の下方に蒸着源を配置した場合において、蒸着マスクに近い板材の貫通穴の内周面に付着した蒸着材料が剥離したとしても、その蒸着材料が蒸着源上に落下するのを防ぐことができる。
 上記において、前記基板の法線方向に連通した前記複数種類の貫通穴の内周面のうち、前記蒸着源開口に最も近い前記貫通穴の内周面のみに、前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子が付着するように構成されていることが好ましい。これにより、蒸着源に最も近い板材を取り除けば、内周面に蒸着材料が付着していない制限開口を得ることができる。
 上記において、前記複数の板材のそれぞれにおいて、前記第2方向と平行な方向に沿って、開口幅が異なる前記複数種類の貫通穴が配置されていることが好ましい。これにより、蒸着材料が付着した板材を交換(又は移動)しても、第2方向のいずれかの位置に、開口幅が蒸着源開口から蒸着マスクに近づくにしたがって大きくなるように複数種類の貫通穴が連通した制限開口を形成することができる。
 上記において、本発明の蒸着方法が、前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、前記蒸着粒子が付着した板材を取り除き、且つ、取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に、板材を前記制限ユニットに追加する工程と、前記蒸着源開口及び前記制限ユニットのうちの一方を他方に対して前記第2方向に沿って移動させる工程とを更に備えることが好ましい。これにより、蒸着源開口の正面に、開口幅が蒸着源開口から蒸着マスクに近づくにしたがって大きくなるように複数種類の貫通穴が連通した制限開口を常に配置することができる。上記において、制限ユニットに追加される板材は、清浄な板材であってもよく、あるいは、蒸着源に最も近い位置から取り除かれた板材であってもよい。後者の場合、その両面に蒸着材料が付着した板材は含まれない。追加される板材は、複数の板材のうち蒸着マスクに最も近い板材の蒸着マスク側の面に積層されることが好ましい。
 上記の本発明の蒸着装置において、前記複数の制限開口の内周面に凹凸が形成されるように、前記複数の板材の一部が、他の一部に対して、前記基板の法線方向に対して直交する方向に位置ズレしていることが好ましい。位置ズレ量を適宜調整することにより、制限開口の有効領域の大きさを板材に形成された貫通穴の大きさ以下の任意の大きさに変えることができる。また、位置ズレ方向を適宜調整することにより、制限開口の有効領域の形状を任意に変えることができる。さらに、制限開口の内周面に凹凸が形成されるので、その凹部内に剥離した蒸着材料を保持させることができる。
 上記において、前記複数の板材が交互に逆方向に位置ズレしていてもよい。これにより、制限開口の内周面に規則的な凹凸が形成されるので、剥離した蒸着材料を保持させるのに有利である。
 上記において、本発明の蒸着方法が、前記複数の制限開口の内周面に凹凸が形成されるように、前記複数の板材の一部を、他の一部に対して、前記基板の法線方向に対して直交する方向に位置ズレさせる工程を更に備えることが好ましい。位置ズレ量を適宜調整することにより、制限開口の有効領域の大きさを板材に形成された貫通穴の大きさ以下の任意の大きさに変えることができる。また、位置ズレ方向を適宜調整することにより、制限開口の有効領域の形状を任意に変えることができる。さらに、制限開口の内周面に凹凸が形成されるので、その凹部内に剥離した蒸着材料を保持させることができる。
 上記の本発明の蒸着装置において、前記複数の板材は前記第1方向に積層されていてもよい。この場合、前記複数の制限部のそれぞれが、前記第1方向に積層された前記複数の板材を備えることが好ましい。これにより、第1方向に積層された複数の板材のうち、蒸着材料の付着量が最も多い、両最外層の板材のみを取り除くことができる。その結果、制限ユニットのメインテナンスを簡単且つ短時間に行うことができる。
 上記において、本発明の蒸着方法が、前記複数の制限部のそれぞれを構成する前記複数の板材のうち前記蒸着粒子が付着した一対の最外層の板材を取り除く工程と、重ね合わされた一対の板材を、前記複数の板材間に挿入する工程とを更に備えることが好ましい。蒸着材料が付着した板材を取り除き、残された複数の板材間に一対の板材を挿入するので、制限ユニットの機能を維持しながら、制限ユニットのメインテナンスを簡単且つ短時間に行うことができる。また、板材を、最外層以外の位置に挿入するので、複数の板材のそれぞれの、蒸着材料が付着して取り出されるまでの制限ユニット内での使用期間を長くすることができる。
 上記において、挿入される一対の板材は、清浄な板材であってもよく、あるいは、最外層から取り除かれた板材であってもよい。後者の場合、その両面に蒸着材料が付着した板材は含まれない。追加される一対の板材は、複数の板材のうち中央の位置に挿入されることが好ましい。
 上記の本発明の蒸着方法において、前記被膜が有機EL素子の発光層であることが好ましい。
 以下に、本発明を好適な実施形態を示しながら詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。以下の説明において参照する各図は、説明の便宜上、本発明の実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明は以下の各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、以下の各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
 (有機EL表示装置の構成)
 本発明を適用して製造可能な有機EL表示装置の一例を説明する。本例の有機EL表示装置は、TFT基板側から光を取り出すボトムエミッション型で、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色からなる画素(サブ画素)の発光を制御することによりフルカラーの画像表示を行う有機EL表示装置である。
 まず、上記有機EL表示装置の全体構成について以下に説明する。
 図1は、有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図2は、図1に示す有機EL表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。図3は、図2の3-3線に沿った有機EL表示装置を構成するTFT基板の矢視断面図である。
 図1に示すように、有機EL表示装置1は、TFT12(図3参照)が設けられたTFT基板10上に、TFT12に接続された有機EL素子20、接着層30、封止基板40がこの順に設けられた構成を有している。有機EL表示装置1の中央が画像表示を行う表示領域19であり、この表示領域19内に有機EL素子20が配置されている。
 有機EL素子20は、当該有機EL素子20が積層されたTFT基板10を、接着層30を用いて封止基板40と貼り合わせることで、これら一対の基板10,40間に封入されている。このように有機EL素子20がTFT基板10と封止基板40との間に封入されていることで、有機EL素子20への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
 TFT基板10は、図3に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板11を備える。但し、トップエミッション型の有機EL表示装置では、絶縁基板11は透明である必要はない。
 絶縁基板11上には、図2に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線14が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。絶縁基板11上には、これら配線14で囲まれた各領域に、赤(R)、緑(G)、青(B)の色の有機EL素子20からなるサブ画素2R,2G,2Bが、マトリクス状に配置されている。
 サブ画素2Rは赤色光を発射し、サブ画素2Gは緑色光を発射し、サブ画素2Bは青色光を発射する。列方向(図2の上下方向)には同色のサブ画素が配置され、行方向(図2の左右方向)にはサブ画素2R,2G,2Bからなる繰り返し単位が繰り返して配置されている。行方向の繰り返し単位を構成するサブ画素2R,2G,2Bが画素2(すなわち、1画素)を構成する。
 各サブ画素2R,2G,2Bは、各色の発光を担う発光層23R,23G,23Bを備える。発光層23R,23G,23Bは、列方向(図2の上下方向)にストライプ状に延設されている。
 TFT基板10の構成を説明する。
 TFT基板10は、図3に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板11上に、TFT12(スイッチング素子)、配線14、層間膜13(層間絶縁膜、平坦化膜)、エッジカバー15等を備える。
 TFT12はサブ画素2R,2G,2Bの発光を制御するスイッチング素子として機能するものであり、サブ画素2R,2G,2Bごとに設けられる。TFT12は配線14に接続される。
 層間膜13は、平坦化膜としても機能するものであり、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上の表示領域19の全面に積層されている。
 層間膜13上には、第1電極21が形成されている。第1電極21は、層間膜13に形成されたコンタクトホール13aを介して、TFT12に電気的に接続されている。
 エッジカバー15は、層間膜13上に、第1電極21のパターン端部を被覆するように形成されている。エッジカバー15は、第1電極21のパターン端部で有機EL層27が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機EL素子20を構成する第1電極21と第2電極26とが短絡することを防止するための絶縁層である。
 エッジカバー15には、サブ画素2R,2G,2B毎に開口15R,15G,15Bが設けられている。このエッジカバー15の開口15R,15G,15Bが、各サブ画素2R,2G,2Bの発光領域となる。言い換えれば、各サブ画素2R,2G,2Bは、絶縁性を有するエッジカバー15によって仕切られている。エッジカバー15は、素子分離膜としても機能する。
 有機EL素子20について説明する。
 有機EL素子20は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極21、有機EL層27、第2電極26をこの順に備える。
 第1電極21は、有機EL層27に正孔を注入(供給)する機能を有する層である。第1電極21は、前記したようにコンタクトホール13aを介してTFT12と接続されている。
 有機EL層27は、図3に示すように、第1電極21と第2電極26との間に、第1電極21側から、正孔注入層兼正孔輸送層22、発光層23R,23G,23B、電子輸送層24、電子注入層25をこの順に備える。
 本実施形態では、第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としているが、第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極としてもよく、この場合は有機EL層27を構成する各層の順序は反転する。
 正孔注入層兼正孔輸送層22は、正孔注入層としての機能と正孔輸送層としての機能とを併せ持つ。正孔注入層は、第1電極21から有機EL層27への正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層は、発光層23R,23G,23Bへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層22は、第1電極21およびエッジカバー15を覆うように、TFT基板10における表示領域19の全面に一様に形成されている。
 本実施形態では、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層22を設けているが、本発明はこれに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが互いに独立した層として形成されていてもよい。
 正孔注入層兼正孔輸送層22上には、発光層23R,23G,23Bが、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、それぞれ、サブ画素2R,2G,2Bの列に対応して形成されている。発光層23R,23G,23Bは、第1電極21側から注入されたホール(正孔)と第2電極26側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層23R,23G,23Bは、それぞれ、低分子蛍光色素や金属錯体等の発光効率が高い材料を含む。
 電子輸送層24は、第2電極26から有機EL層27への電子輸送効率を高める機能を有する層である。
 電子注入層25は、第2電極26から発光層23R,23G,23Bへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
 電子輸送層24は、発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22を覆うように、これら発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。また、電子注入層25は、電子輸送層24を覆うように、電子輸送層24上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。
 本実施形態では、電子輸送層24と電子注入層25とは互いに独立した層として設けられているが、本発明はこれに限定されず、両者が一体化された単一の層(即ち、電子輸送層兼電子注入層)として設けられていてもよい。
 第2電極26は、有機EL層27に電子を注入する機能を有する層である。第2電極26は、電子注入層25を覆うように、電子注入層25上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。
 なお、発光層23R,23G,23B以外の有機層は有機EL層27として必須ではなく、要求される有機EL素子20の特性に応じて取捨選択すればよい。また、有機EL層27は、必要に応じて、キャリアブロッキング層を更に有していてもよい。例えば、発光層23R,23G,23Bと電子輸送層24との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層24に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
 (有機EL表示装置の製造方法)
 次に、有機EL表示装置1の製造方法について以下に説明する。
 図4は、上記の有機EL表示装置1の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
 図4に示すように、本実施形態にかかる有機EL表示装置1の製造方法は、例えば、TFT基板・第1電極の作製工程S1、正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2、発光層の形成工程S3、電子輸送層の形成工程S4、電子注入層の形成工程S5、第2電極の形成工程S6、封止工程S7をこの順に備えている。
 以下に、図4の各工程を説明する。但し、以下に示す各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。また、本実施形態では第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としており、これとは逆に第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極とする場合には、有機EL層の積層順は以下の説明と反転する。同様に、第1電極21および第2電極26を構成する材料も以下の説明と反転する。
 最初に、絶縁基板11上に公知の方法でTFT12及び配線14等を形成する。絶縁基板11としては、例えば透明なガラス基板あるいはプラスチック基板等を用いることができる。一実施例では、絶縁基板11として、厚さが約1mm、縦横寸法が500×400mmの矩形形状のガラス板を用いることができる。
 次いで、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、層間膜13を形成する。層間膜13の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性材料を用いることができる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため図3に示すようなボトムエミッション型の有機EL表示装置1を製造する場合には、層間膜13としてはアクリル樹脂等の透明性樹脂を用いることが好ましい。層間膜13の厚さは、TFT12の上面の段差を解消することができればよく、特に限定されない。一実施例では、アクリル樹脂を用いて厚さ約2μmの層間膜13を形成することができる。
 次に、層間膜13に、第1電極21をTFT12に電気的に接続するためのコンタクトホール13aを形成する。
 次に、層間膜13上に、第1電極21を形成する。即ち、層間膜13上に導電膜(電極膜)を成膜する。次いで、導電膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、導電膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜13上にマトリクス状の第1電極21が得られる。
 第1電極21に用いられる導電膜材料としては、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:インジウム亜鉛酸化物)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)等の透明導電材料、金(Au)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)等の金属材料、を用いることができる。
 導電膜の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、CVD(chemical vapor deposition、化学蒸着)法、プラズマCVD法、印刷法等を用いることができる。
 一実施例では、スパッタ法により、ITOを用いて、厚さ約100nmの第1電極21を形成することができる。
 次に、所定パターンのエッジカバー15を形成する。エッジカバー15は、例えば層間膜13と同様の絶縁材料を使用することができ、層間膜13と同様の方法でパターニングすることができる。一実施例では、アクリル樹脂を用いて、厚さ約1μmのエッジカバー15を形成することができる。
 以上により、TFT基板10および第1電極21が作製される(工程S1)。
 次に、工程S1を経たTFT基板10を、脱水のために減圧ベーク処理し、更に第1電極21の表面洗浄のために酸素プラズマ処理する。
 次に、上記TFT基板10上に、正孔注入層および正孔輸送層(本実施形態では正孔注入層兼正孔輸送層22)を、TFT基板10の表示領域19の全面に蒸着法により形成する(S2)。
 具体的には、表示領域19の全面が開口したオープンマスクを、TFT基板10に密着固定し、TFT基板10とオープンマスクとを共に回転させながら、オープンマスクの開口を通じて正孔注入層および正孔輸送層の材料をTFT基板10の表示領域19の全面に蒸着する。
 正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、互いに独立した層であってもよい。層の厚みは、一層あたり例えば10~100nmである。
 正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式あるいは鎖状式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
 一実施例では、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(α-NPD)を使用して、厚さ30nmの正孔注入層兼正孔輸送層22を形成することができる。
 次に、正孔注入層兼正孔輸送層22上に、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、発光層23R,23G,23Bをストライプ状に形成する(S3)。発光層23R,23G,23Bは、赤、緑、青の各色別に、所定領域を塗り分けるように蒸着される(塗り分け蒸着)。
 発光層23R,23G,23Bの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。
 発光層23R,23G,23Bは、上述の有機発光材料のみから構成されていてもよく、正孔輸送層材料、電子輸送層材料、添加剤(ドナー、アクセプター等)、発光性のドーパント等を含んでいてもよい。また、これらの材料を高分子材料(結着用樹脂)や無機材料中に分散した構成であってもよい。発光効率の向上や長寿命化の観点からは、ホスト中に発光性のドーパントが分散されているのが好ましい。
 発光層23R,23G,23Bの厚さは、例えば10~100nmにすることができる。
 本発明の蒸着方法及び蒸着装置は、この発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着に特に好適に使用することができる。本発明を使用した発光層23R,23G,23Bの形成方法の詳細は後述する。
 次に、正孔注入層兼正孔輸送層22および発光層23R,23G,23Bを覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子輸送層24を蒸着法により形成する(S4)。電子輸送層24は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。
 次に、電子輸送層24を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子注入層25を蒸着法により形成する(S5)。電子注入層25は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。
 電子輸送層24および電子注入層25の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、LiF(フッ化リチウム)等を用いることができる。
 前記したように電子輸送層24と電子注入層25とは、一体化された単一層として形成されてもよく、または独立した層として形成されてもよい。各層の厚さは、例えば1~100nmである。また、電子輸送層24および電子注入層25の合計厚さは、例えば20~200nmである。
 一実施例では、Alq(トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム)を使用して厚さ30nmの電子輸送層24を形成し、LiF(フッ化リチウム)を使用して厚さ1nmの電子注入層25を形成することができる。
 次に、電子注入層25を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に第2電極26を蒸着法により形成する(S6)。第2電極26は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。第2電極26の材料(電極材料)としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金(MgAg等)、アルミニウム合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金属カルシウム等が挙げられる。第2電極26の厚さは、例えば50~100nmである。一実施例では、アルミニウムを用いて厚さ50nmの第2電極26を形成することができる。
 第2電極26上には、第2電極26を覆うように、外部から酸素や水分が有機EL素子20内に浸入することを阻止するために、保護膜を更に設けてもよい。保護膜の材料としては、絶縁性や導電性を有する材料を用いることができ、例えば窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。保護膜の厚さは、例えば100~1000nmである。
 以上により、TFT基板10上に、第1電極21、有機EL層27、および第2電極26からなる有機EL素子20を形成できる。
 次いで、図1に示すように、有機EL素子20が形成されたTFT基板10と、封止基板40とを、接着層30にて貼り合わせ、有機EL素子20を封入する。封止基板40としては、例えば厚さが0.4~1.1mmのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板を用いることができる。
 かくして、有機EL表示装置1が得られる。
 このような有機EL表示装置1において、配線14からの信号入力によりTFT12をON(オン)させると、第1電極21から有機EL層27へ正孔が注入される。一方、第2電極26から有機EL層27へ電子が注入される。正孔と電子とは発光層23R,23G,23B内で再結合し、エネルギーを失活する際に所定の色の光を出射する。各サブ画素2R,2G,2Bの発光輝度を制御することで、表示領域19に所定の画像を表示することができる。
 以下に、発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着により形成する工程S3を説明する。
 (実施形態1)
 図5は、本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の基本構成を示した斜視図である。図6は、図5に示した蒸着装置の、蒸着源60を通る面に沿った正面断面図である。
 蒸着源60と、蒸着マスク70と、これらの間に配置された制限ユニット80とで蒸着ユニット50を構成する。基板10が、蒸着マスク70に対して蒸着源60とは反対側を一定速度で矢印10aに沿って移動する。以下の説明の便宜のため、基板10の移動方向10aと平行な水平方向軸をY軸、Y軸と垂直な水平方向軸をX軸、X軸及びY軸に垂直な上下方向軸をZ軸とするXYZ直交座標系を設定する。Z軸は基板10の被蒸着面10eの法線方向と平行である。説明の便宜のため、Z軸方向の矢印の側(図6の紙面の上側)を「上側」と称する。
 蒸着源60は、その上面(即ち、蒸着マスク70に対向する面)に、複数の蒸着源開口61を備える。複数の蒸着源開口61は、X軸方向(第1方向)と平行な直線に沿って一定ピッチで配置されている。各蒸着源開口61は、Z軸と平行に上方に向かって開口したノズル形状を有しており、蒸着マスク70に向かって、被膜90の材料となる蒸着粒子91を放出する。
 蒸着マスク70は、その主面(面積が最大である面)がXY面と平行な板状物であり、X軸方向に沿って複数のマスク開口71がX軸方向の異なる位置に形成されている。マスク開口71は、蒸着マスク70をZ軸方向に貫通する貫通穴である。本実施形態では、各マスク開口71の開口形状はY軸に平行なスロット形状を有しているが、本発明はこれに限定されない。全てのマスク開口71の形状及び寸法は同じであってもよいし、異なっていてもよい。マスク開口71のX軸方向ピッチは一定であってもよいし、異なっていてもよい。
 蒸着マスク70は図示しないマスクテンション機構によって保持されることが好ましい。マスクテンション機構は、蒸着マスク70に、その主面と平行な方向に張力を印加することにより、蒸着マスク70に自重によるたわみや伸びが発生するのを防ぐ。
 蒸着源開口61と蒸着マスク70との間に、制限ユニット80が配置されている。制限ユニット80には、それぞれが制限ユニット80をZ軸方向に貫通する貫通穴である、複数の制限開口82が形成されている。複数の制限開口82は、X軸方向に沿って一定ピッチで配置されている。X軸方向に隣り合う制限開口82は制限部81で隔てられている。
 制限ユニット80は、Z軸方向に積層された同一形状且つ同一寸法の5枚の板材811~815を含む。板材811~815のそれぞれには同一位置に同一寸法の複数の貫通穴が形成されている。板材811~815が積層されることにより、板材811~815のそれぞれに形成された貫通穴がZ軸方向に連通して、制限ユニット80の制限開口82を構成する。5枚の板材811~815は支持台85上に載置されている。支持台85は、Z軸方向から見た形状が略長方形である矩形枠形状を有し、板材811~815の外周端を支持する。なお、制限ユニット80を構成する板材の数は、5枚に限定されず、これより多くても少なくてもよい。
 制限ユニット80は、付着した蒸着材料が再蒸発するのを防ぐ等のために、制限ユニット80を冷却するための冷却装置を含んでいてもよい。冷却装置としては、特に制限はないが、例えば、冷媒(例えば水)を通過させるための配管、ペルチェ素子等の冷却素子など、任意に選択することができる。
 本実施形態では、X軸方向において、隣り合う制限部81の中央に1つの蒸着源開口61が配置されている。従って、蒸着源開口61と制限開口82とが一対一に対応する。但し、本発明はこれに限定されず、1つの蒸着源開口61に対して複数の制限開口82が対応するように構成されていてもよく、あるいは、複数の蒸着源開口61に対して1つの制限開口82が対応するように構成されていてもよい。本発明において、「蒸着源開口61に対応する制限開口82」とは、蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が通過することができるように設計された制限開口82を意味する。
 図5及び図6では、蒸着源開口61及び制限開口82の数は8つであるが、本発明はこれに限定されず、これより多くても少なくてもよい。
 蒸着源開口61と制限部81とはZ軸方向に離間しており、且つ、制限部81と蒸着マスク70とはZ軸方向に離間している。蒸着源60、制限ユニット80、及び、蒸着マスク70の相対的位置は、少なくとも塗り分け蒸着を行う期間中は実質的に一定であることが好ましい。
 基板10は、保持装置55により保持される。保持装置55としては、例えば基板10の被蒸着面10eとは反対側の面を静電気力で保持する静電チャックを用いることができる。これにより、基板10の自重による撓みが実質的にない状態で基板10を保持することができる。但し、基板10を保持する保持装置55は、静電チャックに限定されず、これ以外の装置であってもよい。
 保持装置55に保持された基板10は、移動機構56によって、蒸着マスク70に対して蒸着源60とは反対側を、蒸着マスク70から一定間隔だけ離間した状態で、一定速度でY軸と平行な移動方向10aに沿って走査(移動)される。基板10の移動は、往復移動であってもよく、あるいは、いずれか一方のみに向かう単方向移動であってもよい。移動機構56の構成は特に制限はない。例えばモータで送りネジを回転させる送りネジ機構やリニアモータ等、公知の搬送駆動機構を用いることができる。
 上記の蒸着ユニット50と、基板10と、基板10を保持する保持装置55と、基板10を移動させる移動機構56とは、蒸着チャンバ100(後述する図12を参照)内に収納される。蒸着チャンバは密封された容器であり、その内部空間は減圧されて所定の低圧力状態に維持される。
 蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91は、制限ユニット80の制限開口82、蒸着マスク70のマスク開口71を順に通過する。マスク開口71を通過した蒸着粒子91は、Y軸方向に走行する基板10の被蒸着面(即ち、基板10の蒸着マスク70に対向する側の面)10eに付着して被膜90を形成する。被膜90は、Y軸方向に延びたストライプ状となる。
 被膜90を形成する蒸着粒子91は、必ず制限開口82及びマスク開口71を通過する。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、制限開口82及びマスク開口71を通過しないで基板10の被蒸着面10eに到達することがないように、制限ユニット80及び蒸着マスク70が設計され、更に必要に応じて蒸着粒子91の飛翔を妨げる防着板等(図示せず)が設置されていてもよい。
 赤、緑、青の各色別に蒸着粒子91の材料を変えて3回の蒸着(塗り分け蒸着)を行うことにより、基板10の被蒸着面10eに赤、緑、青の各色に対応したストライプ状の被膜90(即ち、発光層23R,23G,23B)を形成することができる。
 本実施形態1によれば、蒸着マスク70を含む蒸着ユニット50に対して基板10が移動方向10aに沿って移動するので、蒸着マスク70の、基板10の移動方向10aの寸法Lmを、基板10の同方向の寸法とは無関係に設定することができる。従って、基板10よりも小さい蒸着マスク70を用いることができる。このため、基板10を大型化しても蒸着マスク70を大型化する必要がないので、蒸着マスク70の自重撓みや伸びが問題となる可能性は低い。また、蒸着マスク70やこれを保持するフレーム等が巨大化・重量化することもない。従って、大型基板に対する塗り分け蒸着を容易に行うことができる。
 次に、制限ユニット80の制限部81の作用を説明する。
 図7は、本実施形態1の蒸着装置において、制限ユニット80を省略した比較例にかかる蒸着装置を図6と同様に示した断面図である。図7では、図面を簡単化するために、保持装置55及び移動機構56の図示を省略している。蒸着粒子91は、X軸方向及びY軸方向においてある広がり(指向性)をもって蒸着源開口61から放出される。本実施形態1では、蒸着源開口61は、Z軸と平行な方向に向かって開口している。蒸着源開口61から放出される蒸着粒子91の数は、蒸着源開口61の開口方向(本例ではZ軸方向)において最も多く、開口方向に対してなす角度(出射角度)が大きくなるにしたがって徐々に少なくなる。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91は、それぞれの放出方向に向かって直進する。図7では、蒸着源開口61から放出される蒸着粒子91の流れを矢印で概念的に示している。矢印の長さは、蒸着粒子91の数に対応する。従って、各マスク開口71には、その真下に位置する蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が最も多く飛来するが、これに限定されず、斜め下方に位置する蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91も飛来する。
 図8は、図7の比較例にかかる蒸着装置において、あるマスク開口71を通過した蒸着粒子91によって基板10上に形成される被膜90の、図7と同様にY軸と平行な方向に沿って見た断面図である。基板10は蒸着マスク70に対して相対的に移動させる必要があるので、基板10と蒸着マスク70との間には隙間がある。この状態において、上述したように、様々な方向から飛来した蒸着粒子91がマスク開口71を通過する。基板10の被蒸着面10eに到達する蒸着粒子91の数は、マスク開口71の真上の領域で最も多く、これから遠くなるにしたがって徐々に少なくなる。従って、図8に示すように、基板10の被蒸着面10eには、マスク開口71を真上方向に基板10に投影した領域に、厚く且つ略一定厚みを有する被膜主部90mが形成され、その両側に、被膜主部90mより遠くなるにしたがって徐々に薄くなるボヤケ部分90eが形成される。そして、このボヤケ部分90eが被膜90の端縁のボヤケを生じさせる。
 ボヤケ部分90eの幅Weを小さくするためには、蒸着マスク70と基板10との間隔を小さくすればよい。しかしながら、蒸着マスク70に対して基板10を相対的に移動させる必要があるので、蒸着マスク70と基板10との間隔をゼロにすることができない。
 ボヤケ部分90eの幅Weが大きくなりボヤケ部分90eが隣の異なる色の発光層領域に及ぶと、「混色」を生じたり、有機EL素子の特性が劣化したりする。混色が生じないようにするためにボヤケ部分90eが隣の異なる色の発光層領域に及ばないようにするためには、画素(図2のサブ画素2R,2G,2Bを意味する)の開口幅を狭くするか、または、画素のピッチを大きくして、非発光領域を大きくする必要がある。ところが、画素の開口幅を狭くすると、発光領域が小さくなるので輝度が低下する。必要な輝度を得るために電流密度を高くすると、有機EL素子が短寿命化したり、損傷しやすくなったりして、信頼性が低下する。一方、画素ピッチを大きくすると、高精細表示を実現できず、表示品位が低下する。
 これに対して、本実施形態1では、図6に示されているように、蒸着源60と蒸着マスク70との間に制限ユニット80が設けられている。
 図9は、本実施形態1において、基板10に被膜90が形成される様子を示した、XZ面に平行な面に沿った断面図である。本例では、1つの制限開口82に対して1つの着源開口61が配置されており、X軸方向において、蒸着源開口61は隣り合う一対の制限部81の中央位置に配置されている。蒸着源開口61から放出された代表的な蒸着粒子91の飛翔経路を破線で示している。蒸着源開口61から、ある広がり(指向性)をもって放出された蒸着粒子91のうち、当該蒸着源開口61の真上の制限開口82を通過し、更にマスク開口71を通過した蒸着粒子91が、基板10に付着し被膜90を形成する。一方、そのX軸方向成分が大きな速度ベクトルを有する蒸着粒子91は、制限開口82を規定する制限部81に衝突し付着するので、制限開口82を通過することができず、マスク開口71に到達することはできない。
 このように、制限部81は、マスク開口71(または基板10)に入射する蒸着粒子91のX軸方向の入射角度を制限する。ここで、マスク開口71(または基板10)に対する「X軸方向の入射角度」は、XZ面への投影図において、マスク開口71(または基板10)に入射する蒸着粒子91の飛翔方向がZ軸に対してなす角度で定義される。
 このように、制限ユニット80の複数の制限部81は、基板10に入射する蒸着粒子91のX軸方向における指向性を向上させる。換言すれば、複数の制限部81は、複数の蒸着源開口61の中から、各マスク開口71を通過する蒸着粒子91を放出した蒸着源開口61を選択する。従って、蒸着粒子91によるボヤケ部分90eの幅Weを小さくすることができる。
 なお、支持台85(図6参照)は、制限ユニット80の周囲に配置されるので、支持台85は、マスク開口71に入射する蒸着粒子91のX軸方向の入射角度を制限することはない。
 各マスク開口71に入射する蒸着粒子91は、全て同一の蒸着源開口61から放出されたものに限られることが好ましい。すなわち、異なる蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が同一のマスク開口71に入射しないことが好ましい。これにより、ボヤケ部分90eの幅Weを更に小さくすることができる。
 以上のように、本実施形態1によれば、基板10と蒸着マスク70とが離間していても、基板10に形成される被膜90の端縁のボヤケ部分90eの幅Weを小さくすることができる。従って、本実施形態1を用いて発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着をすれば、混色の発生を防止することができる。よって、画素ピッチを縮小することができ、その場合には、高精細表示が可能な有機EL表示装置を提供することができる。一方、画素ピッチを変えずに発光領域を拡大してもよく、その場合には、高輝度表示が可能な有機EL表示装置を提供することができる。また、高輝度化のために電流密度を高くする必要がないので、有機EL素子が短寿命化したり損傷したりすることがなく、信頼性の低下を防止できる。
 しかしながら、図9から容易に理解できるように、本実施形態1の蒸着装置を用いて基板10上に被膜90を長時間にわたって形成し続けると、図10に示すように、蒸着粒子91が制限部81に捕捉され堆積することによって、制限部81に蒸着材料95が付着する。蒸着源開口61と制限部81との相対的位置関係等によって変わるが、蒸着材料95は、主として制限部81の下面(蒸着源60に対向する面)83及び/又は制限部81の側面(X軸方向に隣り合う制限部81に対向する面)84に付着する。制限部81への蒸着材料95の付着量は、上述した制限部81の、蒸着粒子91のX軸方向の入射角度制限機能を向上させればさせるほど、即ち、ボヤケ部分90eの幅Weを小さくしようとすればするほど、一般に増加する。
 制限部81への蒸着材料95の付着量が多くなると、蒸着材料95が剥離して落下し、蒸着装置内を汚染する。剥離した蒸着材料95が蒸着源60上に落下すると、当該蒸着材料が加熱され再蒸発し、基板10の不所望な位置に付着して歩留まりを低下させる。また、剥離した蒸着材料が蒸着源開口61上に落下すると、蒸着源開口61が蒸着材料で塞がれてしまい、基板10上の所望する位置に被膜90を形成することができない。
 従って、蒸着材料95の付着量が所定量を超えないように、制限ユニット80を定期的にメインテナンスする必要がある。
 以下に、本実施形態1にかかる蒸着装置において、制限ユニット80のメインテナンス方法を説明する。
 図11A~図11Dは、本実施形態1にかかる蒸着装置において、制限ユニット80を構成する板材811~815の交換手順を順に示した図である。これらの図において、図面を簡単化するために、制限ユニット80の制限部81及び制限開口82の図示を省略している。また、制限ユニット80以外の部材の図示も省略している。
 図11Aに示されているように、5枚の板材811~815が、下側(蒸着源60側)から上側(基板10側)に向かって順に積層されている。これら5枚の板材811~815は支持台85上に搭載されている。板材811~815のそれぞれのX軸方向の両端は薄肉化され、その下面側に段差が形成されている。図11Aの状態で蒸着を行うと、図10で説明したように、最下層の板材811の下面(蒸着源60に対向する面)に蒸着材料95が付着する。
 所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断する。そして、図11Bに示すように、一時保持アーム802を板材812の両端の段差に係合させて、最下層の板材811を残して、下から2層目以上の板材812~815を上方に持ち上げる。そして、交換用アーム801を最下層の板材811の段差に係合させて、板材811を支持台85上から取り除く。取り除かれた板材811は蒸着チャンバ外に搬出され洗浄されて、付着した蒸着材料95を取り除く。蒸着材料95は必要に応じて回収され、再利用されてもよい。
 次いで、図11Cに示すように、清浄な板材816を交換用アーム801にて蒸着チャンバ内に搬入し、最上層の板材815上に載置する。
 次いで、図11Dに示すように、下側(蒸着源60側)から上側(基板10側)に向かって積層された5枚の板材812,813,814,815,816を支持台85上に降ろす。そして、一時保持アーム802と板材812との係合を解除し、一時保持アーム802を待避させる。
 以上で、制限ユニット80のメインテナンスが終了する。その後、蒸着を再開する。
 以後、最下層の板材の下面に所定量の蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断し、図11A~図11Dと同様に、当該最下層の板材を取り除き、その代わりに清浄な板材を最上層の板材上に積層する。制限ユニット80を構成する板材は、制限ユニット80のメインテナンスのたびに一層ずつ順に下方へ移動する。制限ユニット80を構成する板材の総数は常に一定である。各板材の厚さ(Z軸方向寸法)は同じであるから、板材を入れ替えても制限部81の厚さ(Z軸方向寸法)は一定である。
 図9での説明から理解できるように、各マスク開口71に、所望する蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91のみを入射させるためには、蒸着源開口61に対して制限ユニット80(特にその制限部81)をX軸方向及びY軸方向に正確に位置合わせしなければならない。
 そのためには、図11Cにおいて、最上層の板材815に対して、この上に追加される清浄な板材816が正確に位置合わせされることが好ましい。板材816の位置合わせは、例えば、最上層の板材815上に板材816を載置する際に、交換用アーム801を用いて行うことができる。
 また、図11Dにおいて、支持台85上に載置された5枚の板材812,813,814,815,816が正確に位置合わせされることが好ましい。この位置合わせは、例えば、5枚の板材812,813,814,815,816を支持台85上に載置する前に一時保持アーム802を用いて、または、5枚の板材812,813,814,815,816を支持台85上に載置した後に支持台85を移動させることにより、行うことができる。
 上記の各位置合わせを行うための位置調整機構が、交換用アーム801、一時保持アーム802、及び、支持台85に必要に応じて設けられていてもよい。もちろん、板材の交換による制限部81や制限開口82の位置変化が無視しうる程度に小さい場合には、上記の位置合わせは不要である。例えば、支持台85に対して複数の板材が自動的に位置合わせされるような位置決め機構を設けることができる。具体的には、支持台85の上面及び各板材の上下面に、互いに嵌合し合う形状(例えば円錐面を有する凸部と凹部)を形成して、部材を積層すると当該形状により自動的に上下の部材間の位置合わせがされてもよい。
 図12に、蒸着装置及び制限ユニット80の再生システムを含む蒸着システムの一例の全体構成を示す。
 蒸着チャンバ100内で、蒸着ユニット50を用いて基板10上に被膜が形成される。蒸着チャンバ100に、開閉可能な扉105を介して搬送チャンバ103が接続されている。搬送チャンバ103内には、交換用アーム801が収納されている。交換用アーム801は、例えば略「U」字形状を有する係止部を有している。搬送チャンバ103は、蒸着チャンバ100と同等の低圧状態に維持されていることが好ましい。搬送チャンバ103に、開閉可能な扉106,107を介して、第1ロードロックチャンバ101及び第2ロードロックチャンバ102がそれぞれ接続されている。
 第1ロードロックチャンバ101内には、制限ユニット80を構成する清浄な板材810や、蒸着チャンバ100から取り出された、蒸着材料95が付着した使用済みの板材819が収納されている。蒸着材料95が付着した板材819の蒸着チャンバ100から第1ロードロックチャンバ101への搬送や、清浄な板材810の第1ロードロックチャンバ101から蒸着チャンバ100への搬送は、交換用アーム801を用いて、搬送チャンバ103を介して行われる。板材819からの蒸着材料95の除去は第1ロードロックチャンバ101内で又は第1ロードロックチャンバ101外で行われる。蒸着材料95が除去された板材は、清浄な板材810として第1ロードロックチャンバ101内に保管される。
 第2ロードロックチャンバ102内には、蒸着後又は蒸着前の基板10や、各種蒸着マスク70が収納されている。蒸着前の基板10の第2ロードロックチャンバ102から蒸着チャンバ100への搬送や、蒸着後の基板10の蒸着チャンバ100から第2ロードロックチャンバ102への搬送は、交換用アーム801を用いて、搬送チャンバ103を介して行われる。基板10に形成する被膜のパターンに応じて、蒸着マスク70が適宜選択される。蒸着マスク70の交換は、蒸着チャンバ100と第2ロードロックチャンバ102との間で、交換用アーム801を用いて搬送チャンバ103を介して行われる。
 以上のように、本実施形態1によれば、制限ユニット80が上下方向に積層された複数の板材で構成されていることにより、蒸着材料95が付着した最下層の板材のみを取り出し、清浄な板材を最上層の板材上に積層するだけで、制限ユニット80のメインテナンスが完了する。
 制限部81が、図9で説明した、蒸着粒子91のX軸方向の入射角度制限機能を発揮するためには、制限部81のZ軸方向寸法には下限がある。また、制限部81が自重による撓み等でZ軸方向に位置ズレすると、上記の入射角度制限機能が発揮されなくなるから、制限部81を含む制限ユニット80は剛性を有していることが望まれる。従って、制限ユニット80を薄くすることは困難である。このような制限ユニット80を、本実施形態1のように分離可能な複数の板材で構成するのではなく、一体化された一部品からなる一体型制限ユニットで構成すれば、当該一体型制限ユニットは厚く且つ重くなる。一体型制限ユニットに蒸着材料が付着すると、一体型制限ユニット全体を交換しなければならないので、メインテナンス作業が煩雑となる。
 このような一体型制限ユニットを用いた場合に比べて、積層された複数の板材を含む制限ユニット80を用いる本実施形態1は以下のような効果を奏する。
 本実施形態1では、制限ユニット80に蒸着材料が付着したときは、制限ユニット80を構成する複数の板材のうち1枚の板材のみを交換すれば足りる。薄肉且つ軽量の1枚の板材のみを移動すればよいので、板材を搬送するための部材が、比較的大きな耐荷重を有している必要はない。例えば、図12で説明したように、基板10や蒸着マスク70を搬送する既存の交換用アーム801を用いて、板材の交換を行うことができる。従って、蒸着設備のコストの上昇を低減することができる。
 また、薄肉且つ軽量の1枚の板材を小型且つ簡易な交換用アーム801を用いて搬送すればよいので、板材の交換ために蒸着チャンバ100を開放して蒸着チャンバ100内を大気圧に戻す必要はない。例えば、基板10や蒸着マスク70を入れ替える場合と同様に、図12において、蒸着チャンバ100と搬送チャンバ101との間の扉105のみを開いて、板材を交換することができる。従って、制限ユニット80のメインテナンス(即ち、板材の交換)のために、蒸着を長時間停止する必要がなくなるので、蒸着装置のスループットが向上する。
 更に、付着した蒸着材料を除去する作業も、厚肉且つ重い一体型制限ユニットに対して行う場合に比べて、薄肉且つ軽量な板材に対して行う方が格段に容易である。また、そのための設備も小型で足りる。更に、清浄な板材を保管する第1ロードロックチャンバ101も小型化することができる。従って、これらの点でも、蒸着コストや設備コストを低減することができる。
 制限ユニット80のメインテナンスが容易であるので、蒸着コストの上昇やスループットの低下を招くことなく、メインテナンスの頻度を上げることができる。これにより、板材に付着した蒸着材料が剥離し落下するのを確実に防止することができるので、有機EL素子の歩留まりや品質を向上させることができる。
 上記の例では、板材を交換するために、図11A~図11Dで説明した一時保持アーム802を用いた。一時保持アーム802は複数の板材を保持して昇降させる機構と、必要に応じて板材のX軸方向位置及びY軸方向位置を微調整する機構とを備えていれば足りる。一時保持アーム802が、複数の板材が載置される支持台85をも保持する必要はない。即ち、一時保持アーム802に、複数の板材を長距離移動させる機構や、重量物を保持するための機械的強度は必要ない。従って、一時保持アーム802を設けることによる蒸着装置の大型化やコスト上昇はわずかである。また、このような一時保持アーム802を高剛性化することは容易であるので、板材の交換にともなう制限部81及び制限開口82の位置ズレを少なくすることができる。
 板材の交換時には、板材はX軸方向及びY軸方向に正確に位置合わせされなければならない。本実施形態では、一時保持アーム802が複数の板材をX軸方向及びY軸方向に位置ズレなく昇降させることができるのであれば、清浄な1枚の板材(図11Cの板材816)を最上層の板材上に正確に位置決めするだけで足りる。薄肉且つ軽量な板材の位置決めは、厚肉且つ重い一体型制限ユニットの位置決めに比べて格段に容易であり、また、位置決め精度を容易に向上させることができる。また、上述したように、板材を積み重ねるときに板材が自動的に位置合わせされるような位置決め機構を設ければ、位置決め作業を更に簡単化又は省略することも可能である。
 制限ユニット80を構成する個々の板材は薄いので、その加工が容易である。例えば制限開口82を形成するための貫通穴の加工は、厚肉の一体型制限ユニットに行う場合に比べて、薄肉の板材に行う場合の方が格段に容易且つ低コストであり、また、加工精度を容易に向上できる。
 制限ユニット80は、蒸着源60からの輻射熱を受けて加熱される。一体型制限ユニットは熱容量が大きいので、制限ユニット全体を交換した場合には、制限ユニットの温度が安定化するまで長時間を要し、その間、蒸着を開始できない場合があるかも知れない。これに対して、本実施形態1では、1枚の板材の熱容量は小さいので、板材を交換後、制限ユニット80全体の温度が安定化するまでの時間は短い。従って、本実施形態1は、この点でも蒸着装置のスループットを向上させることができる。
 また、本実施形態1では、蒸着源60に最も近く、そのために最も高温に加熱された板材を取り出す。この板材の取り出しは、加熱された制限ユニット80からの排熱効果をもたらす。従って、制限ユニット80の冷却に寄与するとともに、制限部81が高温に加熱されることによる、制限部81の歪みや変形を抑制することができる。
 本実施形態において、制限ユニット80を冷却するための冷却装置を設置する場合、その設置位置は任意である。例えば、支持台85に内蔵させてもよく、あるいは、最上層の板材(図11Aでは板材815)上に載置してもよい。冷却装置を最上層の板材上に載置する場合、清浄な板材916は、当該冷却装置を持ち上げて最上層の板材と冷却装置との間に挿入される。冷却装置が最上層の板材に固定されている場合には、清浄な板材916は、当該最上層の板材を冷却装置とともに持ち上げて、当該最上層の板材の下側に挿入される。
 また、制限開口82を構成するための貫通穴とは別に、冷却装置を挿入するための貫通穴が、各板材に形成されていてもよい。
 本実施形態では、最上層に載置された板材は、制限ユニット80のメインテナンスごとに徐々に下方に移動し、制限ユニット80を構成する板材の数と同数回目のメインテナンス時に最下層から取り出される。従って、取り出されるまでの板材の使用期間(蒸着時間)は、いずれの板材についてもほぼ同じであり、蒸着材料95の付着量もほぼ同じとなる。
 図10で説明したように、蒸着材料95は制限部81の下面83のみならず、側面84にも付着する。本実施形態は、蒸着材料95の付着量が側面84よりも下面83において相対的に多い場合に好ましく利用することができる。
 上記の例では、制限ユニット80を構成する板材の数は5であったが、本発明はこれに限定されず、これより多くても少なくてもよい。板材の数は、制限部81のZ軸方向の寸法や1枚の板材の厚みなどを考慮して適宜設定することができる。
 上記の例では、清浄な板材を最上層の板材の上面に積層したが、最上層の板材と最下層の板材との間の任意の位置に挿入してもよい。
 アーム801,802は、上記の例に限定されず、上記以外の任意の構成であってもよい。上記の例では、板材を保持するために、板材の端縁に段差を形成したが、板材の持ち上げや搬送を行うことができれば、この段差を省略したり、他の形状に置き換えたりすることができる。
 (実施形態2)
 上述の実施形態1では、蒸着材料95が付着した最下層の板材を蒸着チャンバ100から取り出し、これとは別の清浄な板材を最上層の板材の上に積層した。これに対して、本実施形態2では、蒸着材料95が最下層の板材の下面のみに付着している場合には、当該板材を蒸着チャンバ100から取り出すのではなく、反転して最上層の板材上に積層する。
 以下、本実施形態2を、実施形態1と異なる点を中心に説明する。以下の説明において参照する図面において、実施形態1で説明した部材に対応する部材については同一の符号を付して、それらの重複する説明を省略する。
 以下に、本実施形態2にかかる蒸着装置において、制限ユニット80のメインテナンス方法を説明する。
 図13A~図13Dは、本実施形態2にかかる蒸着装置において、制限ユニット80を構成する板材811~815の入れ替え手順を順に示した図である。これらの図において、図面を簡単化するために、制限ユニット80の制限部81及び制限開口82の図示を省略している。また、制限ユニット80以外の部材の図示も省略している。また、制限ユニット80を構成する板材を交換したり昇降させたりするための部材(例えば図11A~図11Dに示した交換用アーム801及び一時保持アーム802)や、当該部材を係合させるために板材に形成された係合構造などの図示も省略している。
 図13Aに示されているように、5枚の板材811~815が、下側(蒸着源60側)から上側(基板10側)に向かって順に積層されている。これら5枚の板材811~815は支持台85上に搭載されている。図13Aの状態で蒸着を行うと、図10で説明したように、最下層の板材811の下面(蒸着源60に対向する面)に蒸着材料95が付着する。
 所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断して、図13Bに示すように、最下層の板材811を支持台85と板材812との間から取り出して、上下を反転させて、最上層の板材815上に載置する。板材811は、上下が反転されているから、図13Aにおいて板材811の下面に付着していた蒸着材料95は、図13Bでは板材811の上面(蒸着マスクに対向する面)に付着している。
 その後、蒸着を再開する。最下層の板材812の下面に所定厚みの蒸着材料95が付着すると、図13Bと同様にして、板材812を、上下を反転させて最上層の板材811上に載置する。
 以下、同様の操作を、板材811が最下層に移動するまで行う。
 図13Cに示すように、最下層に移動した板材811の下面に所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断する。この板材811には、上面及び下面の両面に蒸着材料95が付着している。そこで、最下層の板材811を支持台85と板材812との間から取り出し、蒸着チャンバ100外に搬出し、その両面に付着した蒸着材料95を取り除く。そして、図13Dに示すように、板材811の代わりに、清浄な板材816を最上層の板材815上に載置する。
 その後、蒸着を再開する。最下層の板材812の下面に所定厚みの蒸着材料95が付着すると、図13Cと同様にして、板材812を蒸着チャンバ外に搬出し、その代わりに新たな清浄な板材を最上層の板材816上に載置する。
 以下、同様の操作を、板材816が最下層に移動するまで行う。
 板材816が最下層に移動すると、実質的に上述の図13Aの状態に戻る。以下、上述の操作が繰り返される。
 以上のように、本実施形態2によれば、制限ユニット80を構成する板材は、その両面に蒸着材料95が付着した後に蒸着チャンバから取り出され、代わりに清浄な板材が蒸着チャンバ内に搬入される。従って、例えば、図12に示した蒸着システムにおいては、扉105を介した板材の入れ替えの頻度が、実施形態1に比べて本実施形態2では半減する。よって、蒸着装置のスループットが更に向上する。また、蒸着チャンバから取り出した板材から蒸着材料を取り除く処理頻度も半減する。更に、清浄な板材の保管数も半減することができる。
 なお、本実施形態2では、片面に蒸着材料95が付着した板材を積み重ねるので、例えば図13Aの状態と図13Cの状態とでは、制限ユニット80の厚さ(Z軸方向寸法)が厳密には相違する。しかしながら、実際には、板材の厚みに対して蒸着材料95の厚みは極めて薄い。従って、制限ユニット80の上記の厚さの変化は実質的に問題となることは少ない。
 上記の例では、片面に蒸着材料95が付着した板材及び清浄な板材を最上層の板材の上面に積層したが、最上層の板材と最下層の板材との間の任意の位置に挿入してもよい。
 本実施形態2は、上記を除いて実施形態1と同じである。
 (実施形態3)
 上述の実施形態1,2では、制限ユニット80を構成する複数の板材は全て同一であった。これに対して、本実施形態3では、制限ユニット80を構成する複数の板材ごとに、貫通穴の配置が異なる。
 以下、本実施形態3を、実施形態1,2と異なる点を中心に説明する。以下の説明において参照する図面において、実施形態1で説明した部材に対応する部材については同一の符号を付して、それらの重複する説明を省略する。
 説明を簡単化するために、制限ユニット80が3枚の板材で構成される例を用いて本実施形態3を説明する。
 図14は、本実施形態3にかかる蒸着装置の制限ユニット80を構成する3つの板材831,832,833の部分平面図である。板材831,832,833は、同一の外形寸法(即ち、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向の各外寸法)を有する。板材831,832,833には、格子点位置に、開口幅が互いに異なる3種類の貫通穴H1,H2,H3が形成されている。但し、貫通穴H1,H2,H3の配置は板材831,832,833間で異なる。開口幅は、貫通穴H1,H2,H3の順に大きい。
 図14に示すように、XZ面に平行であって、Y軸方向に一定ピッチで配置された3平面を、順に平面P1,P2,P3とする。
 板材831には、平面P1に沿って貫通穴H1が、平面P2に沿って貫通穴H3が、平面P3に沿って貫通穴H2が、それぞれ形成されている。板材832には、平面P1に沿って貫通穴H2が、平面P2に沿って貫通穴H1が、平面P3に沿って貫通穴H3が、それぞれ形成されている。板材833には、平面P1に沿って貫通穴H3が、平面P2に沿って貫通穴H2が、平面P3に沿って貫通穴H1が、それぞれ形成されている。
 板材831,832,833のそれぞれにおいて、貫通穴H1,H2,H3のX軸方向ピッチは互いに同じであり、貫通穴H1,H2,H3はX軸方向において同一位置に配置されている。また、板材831,832,833間において、貫通穴H1,H2,H3の各X軸方向ピッチは同じである。
 図15に示すように、下側(蒸着源60側)から順に、板材831,832,833がZ軸方向に積層される。積層されたこれらの板材831,832,833は、支持台85上に載置される。板材831,832,833に3種類の貫通穴H1,H2,H3が図14のように配置されているので、3種類の貫通穴H1,H2,H3がZ軸方向に連通する。Z軸と平行な方向に沿って見たとき、Z軸方向に連通する3種類の貫通穴H1,H2,H3の中心は一致している。平面P1上には、下から上に貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3がこの順に配置され、平面P2上には、下から上に貫通穴H3、貫通穴H1、貫通穴H2がこの順に配置され、平面P3上には、下から上に貫通穴H2、貫通穴H3、貫通穴H1がこの順に配置される。
 このように構成された本実施形態3の制限ユニット80を用いた蒸着方法を以下に説明する。
 図16A~図16Dは、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置において、制限ユニット80を構成する板材831~833の交換手順を順に示した図である。これらの図において、図面を簡単化するために、制限ユニット80及び蒸着源開口61以外の部材の図示を省略している。また、制限ユニット80を構成する板材831~833を交換したり昇降させたりするための部材(例えば図11A~図11Dに示した交換用アーム801及び一時保持アーム802)や、当該部材を係合させるために板材831~833に形成された係合構造などの図示も省略している。
 図16Aでは、図15と同様に、下側(蒸着源60側)から順に、板材831,832,833がZ軸方向に積層されている。蒸着源開口61は、平面P1上に配置される。蒸着源開口61の上方には、下から上に向かって貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3がこの順に配置されている。この状態で、蒸着源開口61から蒸着粒子91が放出される。蒸着粒子91は、平面P1上に配置された貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3を順に通過し、更に蒸着マスク70のマスク開口71を通過して、基板10に付着し、被膜90を形成する(図5、図6を参照)。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、平面P2上に配置された貫通穴H3,H1,H2や、平面P3上に配置された貫通穴H2,H3,H1を通過して基板10に到達することはない。時間の経過とともに、最下層の板材831の下面(蒸着源開口61に対向する面)のうち貫通穴H1の近傍部分及び貫通穴H1の内周面に、蒸着材料95が付着する。
 所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断して、図16Bに示すように、最下層の板材831を支持台85と板材832との間から取り除く。取り除かれた板材831は蒸着チャンバ外に搬出され洗浄されて、付着した蒸着材料95を取り除く。更に、板材831と同じ配置で貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3が形成された、清浄な板材831’を、最上層の板材833上に載置する。
 次いで、図16Cに示すように、平面P2上に蒸着源開口61が配置されるように、制限ユニット80をY軸方向に移動させる。蒸着源開口61の上方には、図16Aと同様に、下から上に向かって貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3がこの順に配置されている。この状態で、蒸着源開口61から蒸着粒子91を放出し、蒸着を再開する。蒸着粒子91は、平面P2上に配置された貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3を順に通過し、基板10に付着し、被膜90を形成する(図5、図6を参照)。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、平面P1上に配置された貫通穴H2,H3,H1や、平面P3上に配置された貫通穴H3,H1,H2を通過して基板10に到達することはない。時間の経過とともに、最下層の板材832の下面(蒸着源開口61に対向する面)のうち貫通穴H1の近傍部分及び貫通穴H1の内周面に、蒸着材料95が付着する。
 所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断して、図16Bで説明したのと同様に、最下層の板材832を支持台85と板材833との間から取り除き、代わりに、板材832と同じ配置で貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3が形成された、清浄な板材832’を、最上層の板材831’上に載置する。取り除かれた板材832は蒸着チャンバ外に搬出され洗浄されて、付着した蒸着材料95を取り除く。
 次いで、図16Dに示すように、平面P3上に蒸着源開口61が配置されるように、制限ユニット80をY軸方向に移動させる。蒸着源開口61の上方には、図16A及び図16Cと同様に、下から上に向かって貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3がこの順に配置されている。この状態で、蒸着源開口61から蒸着粒子91を放出し、蒸着を再開する。蒸着粒子91は、平面P3上に配置された貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3を順に通過し、基板10に付着し、被膜90を形成する(図5、図6を参照)。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が、平面P1上に配置された貫通穴H3,H1,H2や、平面P2上に配置された貫通穴H2,H3,H1を通過して基板10に到達することはない。時間の経過とともに、最下層の板材833の下面(蒸着源開口61に対向する面)のうち貫通穴H1の近傍部分及び貫通穴H1の内周面に、蒸着材料95が付着する。
 所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断して、図16Bで説明したのと同様に、最下層の板材833を支持台85と板材831’との間から取り除き、代わりに、板材833と同じ配置で貫通穴H1、貫通穴H2、貫通穴H3が形成された、清浄な板材を、最上層の板材832’上に載置する。取り除かれた板材833は蒸着チャンバ外に搬出され洗浄されて、付着した蒸着材料95を取り除く。これにより、制御板ユニット80を構成する板材の積層順は実質的に上述の図16Aの状態に戻る。以下、上述の操作が繰り返される。
 以上のように本実施形態3によれば、蒸着材料95が付着した最下層の板材のみを取り出し、これと同じパターンで貫通穴が形成された清浄な板材を最上層の板材の上に積層する。これにより、実施形態1と同様の効果を奏する。
 更に、上記の板材の入れ替えにともない、基板上に被膜を形成する蒸着粒子91が、蒸着源開口61側から基板10に向かって開口幅が徐々に増大するように連通した複数種類の貫通穴で構成された制限開口82を通過するように、蒸着源開口61に対して制限ユニット80がY軸方向に移動される。即ち、最下層の板材に形成された3種類の貫通穴H1,H2,3のうち、開口幅が最も小さな貫通穴H1に、蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91が常に入射するように、制限ユニット80が移動される。従って、蒸着材料95は、上述したように、最下層の板材の下面(蒸着源開口61に対向する面)のうち貫通穴H1の近傍部分に加えて、貫通穴H1の内周面に付着する。
 貫通穴H1の内周面に付着した蒸着材料95は、最下層の板材の下面に付着した蒸着材料と同様に、剥離し落下する可能性がある。また、剥離しない場合であっても、貫通穴H1の内周面に付着した蒸着材料95は、貫通穴H1の開口幅を狭くし、制限ユニット80の、蒸着粒子91の入射角度制限機能を低下させたり、当該内周面に衝突した蒸着粒子91の捕捉機能を低下させたりする。
 本実施形態3によれば、制限ユニット80のメインテナンス時に最下層の板材を取り出すので、最下層の板材の下面のみならず、最下層の板材の貫通穴H1の内周面にも蒸着材料が付着していない状態に改められる。従って、貫通穴H1の内周面に蒸着材料95が付着することによる上述の問題を解消することができる。
 本実施形態では、上述の例のように、貫通穴の開口幅は、下層から上層に向かって徐々に大きくなっていることが好ましい。これにより、最下層の板材より上層の板材の貫通穴の内周面に蒸着材料95が付着し、これが剥離したとしても、当該剥離した蒸着材料は、下層の板材の上面上に落下して止まるので、蒸着源60上に落下する可能性は低い。従って、落下した蒸着材料が加熱され再蒸発する可能性は一般に低い。
 最下層の板材よりも上層の板材の貫通穴の内周面には蒸着材料95が付着しないように、貫通穴の開口幅が、下層から上層に向かって徐々に大きくなっていることがより好ましい。
 上記の例では、制限ユニット80が3枚の板材で構成される例を示したが、板材の数は3枚に限定されず、2枚以上であればよい。開口幅が異なる貫通穴の種類数は、制限ユニット80を構成する板材の数と同じに設定される。
 上記の例では、貫通穴の開口形状は略正方形であったが、本発明はこれに限定されず、例えば長方形であってもよい。
 複数種類の貫通穴は、X軸方向及びY軸方向の両方の開口幅が異なっている必要はない。本発明では、図10で説明したように、一般にX軸方向に対向する内周面(即ち、制限部81の側面84)に蒸着材料が付着しやすいから、Y軸方向の開口幅は一定で、X軸方向の開口幅が異なる複数種類の貫通穴を、各板材に形成してもよい。
 上記の例では、蒸着源開口61の位置を一定とし、制限ユニット80をY軸方向に移動させたが、本実施形態3はこれに限定されず、例えば制限ユニット80の位置を一定としてもよい。この場合は、制限ユニット80のメインテナンスの際に、蒸着源開口61を含む蒸着源60と蒸着マスク70とを、制限ユニット80に対してY軸方向に移動させればよい。
 上記の例では、平面P1~P3を、図14のようにY軸方向に一定ピッチで配置したが、これに限らず、X軸方向に配置することもできる。この場合、貫通穴H1~H3の配置や制限ユニット80の移動方向は、X軸とY軸とで入れ替わる。但し、この場合、例えば蒸着源開口60上に平面P1を配置した時には、平面P2や平面P3は蒸着源開口60間に配置され、かつ平面P1上の貫通穴以外を通過して、蒸着粒子91が基板10に到達することがないように設計上十分に考慮する必要がある。そのため、設計面において、上記の例のほうが好ましい。
 実施形態2と同様に、本実施形態3においても、板材の両面に蒸着材料が付着した後に、当該板材を蒸着チャンバから取り出してもよい。すなわち、最下層の板材の下面のみに蒸着材料が付着している場合には、当該板材を、反転させて、最上層の板材上に積層してもよい。最下層の板材の上下面に蒸着材料が付着した場合には、当該最下層の板材を蒸着チャンバ外に取り出して、これと同じパターンで貫通穴が形成された清浄な板材を最上層の板材上に積層してもよい。これにより、板材の交換頻度を低減することができるので、装置のスループットを向上させることができる。
 本実施形態3は、上記を除いて実施形態1と同じである。
 (実施形態4)
 上述の実施形態1,2では、制限開口82を構成する複数の貫通穴の端縁が一致するように、複数の板材を積層した。これに対して、本実施形態4では、制限開口82を構成する複数の貫通穴の端縁が一致しないように、複数の板材を位置ズレさせて積層する。
 以下、本実施形態4を、実施形態1と異なる点を中心に説明する。以下の説明において参照する図面において、実施形態1で説明した部材に対応する部材については同一の符号を付して、それらの重複する説明を省略する。
 図17Aは、本実施形態4にかかる蒸着装置において、制限ユニット80の1つの制限開口82及びその近傍の拡大断面図である。
 制限ユニット80は、Z軸方向に積層された同一形状且つ同一寸法の5枚の板材811~815を含む。奇数番目の板材811,813,815は偶数番目の板材812,814に対してX軸方向及びY軸方向に位置ズレしている。蒸着源開口61から放出され、制限ユニット80の制限開口82を通過できる蒸着粒子91の流れは、最上層の板材815の貫通穴の端縁と上から2層目の板材814の貫通穴の端縁とによって規定される。
 図17Bは、制限開口82及びその近傍の拡大平面図である。実線は奇数番目の板材811,813,815を示し、破線は偶数番目の板材812,814を示す。斜線を施した領域が、蒸着粒子が通過しうる制限開口82の有効領域である。
 本実施形態4によれば、制限ユニット80を構成する複数の板材間の位置ズレ量や位置ズレ方向を変えることにより、制限開口82の有効領域の大きさや形状を任意に変えることができる。制限開口82の有効領域の大きさは、板材に形成された貫通穴の大きさ以下の範囲で調整できる。例えば基板10上に形成しようする被膜90のパターンを変更する場合に、それに対応して制限ユニット80の制限開口82の有効領域を変更する必要が生じることがある。そのような場合に、本実施形態4では、制限ユニット80を構成する複数の板材を交換せずに、複数の板材間の相対的位置を変更するだけで制限開口82の有効領域を変更することができる。したがって、被膜90のパターン毎に仕様が異なる板材を準備する必要がなくなるので、板材の制作コストを低減でき、また、多種類の板材を保管するための大きなスペースが不要になる。
 図17Aに示されているように、複数の板材を互いに位置ズレさせることにより、制限開口82を規定する内周面に凹凸が形成される。蒸着材料は、当該内周面のうち凸部には付着しやすいが、凹部には付着しにくい。従って、例えば凸部に多量に蒸着材料が付着した場合には、その後、当該凸部が凹部になるように複数の板材の相対的位置を変えることにより、当該凸部への更なる蒸着材料の付着を防止して、蒸着材料が剥離して脱落するのを防止することができる。その結果、板材の交換頻度を少なくすることができる。
 図17Aにおいて、Z軸方向が水平方向になるように本実施形態の蒸着装置を配置してもよい。この場合に、制限開口82の内周面の凸部に付着した蒸着材料が剥離し落下しても、当該蒸着材料は、凸部と上下方向に対向する凹部内に落下し捕らえられる。従って、剥離した蒸着材料が蒸着装置内を汚染するのが防止できる。また、凹部内に捕らえられた蒸着材料は、制限開口82の開口幅を狭めることもない。
 上記の例では、複数の板材のうちの一部を残りに対してX軸方向及びY軸方向の両方に位置ズレさせた。この場合において、X軸方向の位置ズレ量とY軸方向の位置ズレ量とは同一でも異なっていてもよい。即ち、位置ズレさせる方向はXY面内で任意に設定することができる。例えば、X軸方向及びY軸方向のいずれか一方のみに位置ズレさせてもよい。
 上記の例では、複数の板材のうち奇数番目の板材を偶数番目の板材に対して位置ズレさせたが、このように複数の板材を1枚ずつ交互に位置ズレさせる必要はない。例えば、隣り合う2枚の板材毎に交互に位置ズレさせてもよい。あるいは、複数の板材のうちの任意の1枚又は複数の板材(例えば最上層の板材及び/又は最下層の板材)をその他の板材に対して位置ズレさせてもよい。
 上記の例では、奇数番目の板材及び複数番目の板材はそれぞれ同一位置であった。即ち、板材が配置される位置の種類数は2つであった。しかしながら、3種以上の異なる位置に板材を配置してもよい。
 本実施形態4は、上記を除いて実施形態1,2と同じである。板材に蒸着材料が付着したときに行う制限ユニット80のメインテナンスは、実施形態1,2と同様に行うことができる。
 (実施形態5)
 以下、本実施形態5を、実施形態1と異なる点を中心に説明する。以下の説明において参照する図面において、実施形態1で説明した部材に対応する部材については同一の符号を付して、それらの重複する説明を省略する。
 図18は、本発明の実施形態5にかかる蒸着装置の基本構成を示した斜視図である。図19は、図18に示した蒸着装置の、蒸着源60を通る面に沿った正面断面図である。本実施形態5の蒸着装置は、制限ユニット80の構成において、実施形態1の蒸着装置と異なる。
 制限ユニット80の制限部81は、実施形態1では、Z軸方向に積層された複数の板材で構成されていたのに対して、本実施形態5では、X軸方向に積層された複数(本例では4枚)の板材で構成されている。複数の板材は、Z軸方向から見た形状が略長方形である枠状の支持台86に係止されている。複数の制限部81がX軸方向に一定ピッチで配置されている。X軸方向に隣り合う制限部81の間に形成されたZ軸方向に貫通する貫通穴は、蒸着粒子91が通過する制限開口82を構成する。
 図20は、本実施形態5において、基板10に被膜90が形成される様子を示した、XZ面に平行な面に沿った断面図である。本実施形態5の制限部81は、実施形態1の制限部81(図9参照)と同様に、マスク開口71(または基板10)に入射する蒸着粒子91のX軸方向の入射角度を制限する。本実施形態5では、制限部81が、X軸方向に積層された複数の板材から構成されている。従って、実施形態1に比べて、制限開口82のアスペクト比(=制限部81のZ軸方向寸法/X軸方向に隣り合う制限部81間のX軸方向距離)を容易に大きくすることができる。その結果、マスク開口71に入射する蒸着粒子91のX軸方向の入射角度を小さくするのに有利である。
 本例では、制限部81は同一厚さの4枚の板材で構成される。4枚の板材は、一対の第1板材851と一対の第2板材852とからなる。図21Aは第1板材851の平面図、図21Bは第2板材852の平面図である。図21Cは、図21A及び図21Bの21C-21C線に沿った面での第1板材851及び第2板材852の矢視断面図である。第1板材851及び第2板材852は、いずれも、略矩形の薄板形状を有する主部855を有する。主部855の対向する一対の辺(本例では短辺)に第1傾斜面859a及び第2傾斜面859bが形成されている。図21Cに示されているように、第1傾斜面859aと第2傾斜面859bとは、主部855の反対側の面に形成されている。
 主部855の第2傾斜面859bが形成された辺が両外側に突出するように延長されて、一対のアーム856が形成されている。
 第1板材851では、各アーム856に、上方(主部855とは反対側)に向かって突出した第1鉤857aと、下方(主部855と同じ側)に向かって突出した第2鉤858aとが形成されている。一対のアーム856のそれぞれに形成された第1鉤857a及び第2鉤858aは、それぞれ互いに相手方に向いている。
 第2板材852では、各アーム856に、上方(主部855とは反対側)に向かって突出した第1鉤857bと、下方(主部855と同じ側)に向かって突出した第2鉤858bとが形成されている。一対のアーム856のそれぞれに形成された第1鉤857b及び第2鉤858bは、それぞれ互いに相手方とは反対側に向いている。
 第1板材851と第2板材852とは、第1鉤857a,857b及び第2鉤858a,858bを除いて同じである。
 図22は、支持台86の上端面の一部を拡大して示した斜視図である。支持台86のX軸に平行に延びる一対の側壁のそれぞれの上端面に切り欠き86nが形成されている。一対の第1板材851及び一対の第2板材852を重ね合わせ(即ち、互いに接触させ)、これらのアーム856を切り欠き86n内に嵌合させる。これにより、第1及び第2板材851,852は支持台86に吊り下げられて保持される。切り欠き86nのX軸方向寸法は、一対の第1板材851及び一対の第2板材852を積層したときの合計厚さにほぼ一致する。従って、支持台86に上記のようにして保持された一対の第1板材851及び一対の第2板材852は、互いに密着し、且つ、X軸方向に位置決めされる。
 図23Aは支持台86に保持された制限部81の正面図である。図23Bは、図23Aの23B-23B線に沿った面での制限部81の矢視断面図である。図23Aに示されているように、X軸と平行な方向に沿って見たとき、第1板材851の第1鉤857a及び第2鉤858aと第2板材852の第1鉤857b及び第2鉤858bとは異なる位置に配置されている。図23Bに示されているように、一対の第2板材852が、第2傾斜面859bが形成された面が互いに接触するようにして重ね合わされ、その両外側に、一対の第1板材851が、その第2傾斜面859bが形成された面が第2板材852に接触するようにして重ね合わされている。
 図23Aにおいて、参照符号87a,87bは引き上げバー、参照符号88a,88bは固定バーである。引き上げバー87a,87b及び固定バー88a,88bは、いずれもX軸と平行に延びた棒状部材である。引き上げバー87a,87bは、アーム856よりも上側にそれぞれ一対配置されており、固定バー88a,88bは、アーム856よりも下側にそれぞれ一対配置されている。
 一対の引き上げバー87bの間に一対の引き上げバー87aが配置されている。図23Aにおいて、右側に配された引き上げバー87aと引き上げバー87bとの対、及び、左側に配された引き上げバー87aと引き上げバー87bとの対は、それぞれその間隔を一定に維持したままで、一体的にY軸方向に往復移動可能且つ一体的にZ軸方向に昇降可能である。図23Aの状態では、一対の引き上げバー87aが第1板材851の一対の第1鉤857aに係合している。この状態から引き上げバー87a,87bをY軸方向に移動させて、一対の引き上げバー87bを第2板材852の一対の第1鉤857bに係合させることができる。このように、引き上げバー87a,87bを一体的にY軸方向に往復移動させることにより、一対の引き上げバー87aと一対の第1鉤857aとの係合、及び、一対の引き上げバー87bと一対の第1鉤857bとの係合のいずれか一方を択一的に行うことができる。更に、このような択一的な係合状態を維持しながら、引き上げバー87a,87bを図23Aの位置からZ軸方向に上昇させることができる。
 一対の固定バー88bの間に一対の固定バー88aが配置されている。図23Aにおいて、右側に配された固定バー88aと固定バー88bとの対、及び、左側に配された固定バー88aと固定バー88bとの対は、それぞれその間隔を一定に維持したままで、一体的にY軸方向に往復移動可能である。図23Aの状態では、一対の固定バー88bが第2板材852の一対の第2鉤858bに係合している。この状態から固定バー88a,88bを主部855から離れるようにY軸方向に移動させて、一対の固定バー88aを第1板材851の一対の第2鉤858aに係合させることができる。このように、固定バー88a,88bを一体的にY軸方向に往復移動させることにより、一対の固定バー88aと一対の第2鉤858aとの係合、及び、一対の固定バー88bと一対の第2鉤858bとの係合のいずれか一方を択一的に行うことができる。
 実施形態1と同様に、本実施形態でも、基板10上に被膜90を長時間にわたって形成し続けると、図24に示すように、蒸着粒子91が制限部81に捕捉され堆積することによって、制限部81に蒸着材料95が付着する。蒸着源開口61と制限部81との相対的位置関係等によって変わるが、一般に、蒸着材料95は、制限部81を構成する複数の板材のうちX軸方向の最も外側に配置された板材(最外層の板材)の外表面に付着する。上述したように、本実施形態5では、制限開口82のアスペクト比を大きくすることができる。従って、制限部81と蒸着源開口61とのZ軸方向距離を小さくすることができる。その結果、制限部81を構成する複数の板材のうち最外層以外の板材に付着する蒸着材料を少なくすることが可能である。
 制限部81への蒸着材料95の付着量が多くなると、蒸着材料95が剥離して落下し、蒸着装置内を汚染する。剥離した蒸着材料95が蒸着源60上に落下すると、蒸着材料が加熱され再蒸発し、基板10の不所望な位置に付着して歩留まりを低下させる。また、剥離した蒸着材料が蒸着源開口61上に落下すると、蒸着源開口61が蒸着材料で塞がれてしまい、基板10上の所望する位置に被膜90を形成することができない。
 また、制限部81を構成する複数の板材のうち最外層の板材に蒸着材料95が付着すると、X軸方向に隣り合う制限部81間の距離が狭くなり、制限ユニット80の、蒸着粒子の入射角度制限機能が低下したり、最外層の板材に衝突した蒸着粒子の捕捉機能が低下したりする。
 従って、蒸着材料95の付着量が所定量を超えないように、制限ユニット80を定期的にメインテナンスする必要がある。
 以下に、本実施形態5にかかる蒸着装置において、制限ユニット80のメインテナンス方法を説明する。
 最外層の第1板材851に所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断する。そして、図23Aに示したように、一対の引き上げバー87aを第1板材851の一対の第1鉤857aに係合させ、且つ、一対の固定バー88bを第2板材852の一対の第2鉤858bに係合させる。この状態で、引き上げバー87a,87bを上昇させる。
 図25Aは、引き上げバー87a,87bが上昇途中の状態を示した正面図、図25Bは、図25Aの25B-25B線に沿った面での矢視断面図である。引き上げバー87aは、制限部81の両最外層を構成する一対の第1板材851の第1鉤857aと係合している。一方、固定バー88bは、一対の第1板材851の間の一対の第2板材852の第2鉤858bと係合している。従って、一対の第2板材852は移動せず、一対の第1板材851のみが引き上げバー87a,87bとともに上昇する。一対の第2板材852から分離された一対の第1板材851は、蒸着チャンバ外に搬出され洗浄されて、付着した蒸着材料95を取り除く。蒸着材料95は必要に応じて回収され、再利用されてもよい。
 次いで、図25A及び図25Bで取り出した一対の第1板材851に代えて、図26A及び図26Bに示すように、清浄な一対の第1板材851’を、その第1鉤857aで引き上げバー87aに係合させる。第1板材851’は、図21Aに示した第1板材851と同じである。図26Bに示されているように、一対の第1板材851’は、第2傾斜面859bが形成された面を互いに接触させて重ね合わされている。このため、一対の第1板材851’の下端に形成された各傾斜面859aが組み合わされて、下側ほど薄肉となるくさび形状を形成している。この状態で、引き上げバー87a,87bを下降させる。一対の第1板材851’の傾斜面859aによって形成された上記くさび形状が、一対の第2板材852の各傾斜面859bが組み合わされて形成された、V字状断面を有する凹部に挿入される。その結果、互いに接触していた一対の第2板材852が離間され、この間に一対の第1板材851’が進入する。一対の第1板材851’のアーム856が支持台86の切り欠き86nに嵌入するまで、引き上げバー87aで一対の第1板材851’を一対の第2板材852間に下方に向かって押し込む。
 かくして、図27A及び図27Bに示すように、一対の第1板材851’が互いに接触するようにして重ね合わされ、その両外側に、一対の第2板材852が第1板材851’に接触するようにして重ね合わされた制限部81が形成される。切り欠き86nによって、制限部81はX軸方向に正確に位置決めされる。
 以上で、制限ユニット80のメインテナンスが終了する。その後、蒸着を再開する。
 最外層の第2板材852に所定厚みの蒸着材料95が付着すると、蒸着を中断する。今度は、一対の引き上げバー87bを第2板材852の一対の第1鉤857bに係合させ、且つ、一対の固定バー88aを第1板材851’の一対の第2鉤858aに係合させる。この状態で、引き上げバー87a,87bを上昇させる。以下、上記と同様の操作を行い、蒸着材料が付着した一対の第2板材852を取り出し、その代わりに清浄な一対の第2部材を一対の第1板材851’間に挿入する。
 以上のように、本実施形態5によれば、制限部81がX軸方向に積層された複数の板材で構成されていることにより、蒸着材料95が付着した一対の最外層の板材を取り出し、残りの板材間に清浄な一対の板材を挿入するだけで、制限ユニット80のメインテナンスが完了する。
 板材は薄肉且つ軽量であるので、これを交換する際に用いられる引き上げバー87a,87b及び固定バー88a,88bが大きな耐荷重を有している必要はない。従って、蒸着設備のコストの上昇を低減することができる。
 また、薄肉且つ軽量の板材を簡易な引き上げバー87a,87bを用いて搬送すればよいので、板材の交換ために蒸着チャンバ100を開放して蒸着チャンバ100内を大気圧に戻す必要はない。従って、制限ユニット80のメインテナンス(即ち、板材の交換)のために、蒸着を長時間停止する必要がなくなるので、蒸着装置のスループットが向上する。
 更に、薄肉且つ軽量な板材に付着した蒸着材料を除去する作業は容易である。
 実施形態2と同様に、本実施形態5においても、蒸着材料が片面のみに付着した板材を再使用し、蒸着材料が板材の両面に付着した後に当該板材を蒸着チャンバから取り出し、代わりに清浄な板材を挿入してもよい。例えば、図25A及び図25Bのように一対の最外層の板材851に蒸着材料95が片面のみに付着している場合には、当該板材851を、蒸着材料95が付着した面が接触するように重ね合わせて、図26A及び図26Bと同様に、一対の板材852間に挿入すればよい。これにより、実施形態2で説明したのと同様の効果を奏する。但し、蒸着材料95が付着した面が接触するように重ね合わせた場合でも、図26A及び図26Bと同様の動作をさせるためには、第2傾斜面859bを主部855の両面に形成し、重ね合わされた板材の断面形状をW型に形成するなどの必要がある。
 上記の例では、制限部81が、4枚の板材で構成されていたが、制限部81を構成する板材の数は偶数であればよく、任意に設定することができる。制限部81を構成する板材の数がいくつであっても、蒸着材料95が付着した一対の最外層の板材を取り出し、残りの板材の中央に清浄な一対の板材を挿入すれば、制限ユニット80のメインテナンスが完了する。
 一対の板材を挿入する位置は、複数の板材の中央である必要はなく、最外層以外の任意の位置であってもよい。
 制限部81を構成する複数の板材から最外層の板材のみを選択的に取り出すための機構や、清浄な板材を複数の板材間に挿入するための機構は、上記の例に限定されず、自由に変更することができる。
 上記の実施形態1~5は例示に過ぎない。本発明は、上記の実施形態1~5に限定されず、適宜変更することができる。
 蒸着源60の蒸着源開口の形状は任意に設定することができる。例えば、蒸着源開口が、実施形態1~5に示したノズル形状ではなく、X軸方向に延びたスロット形状を有していてもよい。この場合、スロット形状を有する蒸着源開口のX軸方向の開口寸法は、制限開口82のX軸方向ピッチより大きくてもよい。
 基板10のX軸方向寸法が大きい場合には、上記の各実施形態に示した蒸着ユニット50をX軸方向位置及びY軸方向位置を異ならせて複数個配置してもよい。
 上記の実施形態1~5では、不動の蒸着ユニット50に対して基板10が移動したが、本発明はこれに限定されず、蒸着ユニット50及び基板10のうちの一方を他方に対して相対的に移動させればよい。例えば、基板10の位置を一定とし、蒸着ユニット50を移動させてもよく、あるいは、蒸着ユニット50及び基板10の両方を移動させてもよい。
 上記の実施形態1~5では、蒸着ユニット50の上方に基板10を配置したが、蒸着ユニット50と基板10との相対的位置関係はこれに限定されない。例えば、蒸着ユニット50の下方に基板10を配置してよく、あるいは、蒸着ユニット50と基板10とを水平方向に対向して配置してもよい。
 上記の実施形態1~5では、有機EL素子の発光層を形成する場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、色毎に電流-電圧特性を揃える目的、あるいは、マイクロキャビティ効果によって発光スペクトルを調整する目的等のために、有機EL素子の発光層以外の層の厚さを色毎に変更する場合に、本発明を利用することができる。更に、本発明は有機EL素子を構成する薄膜以外の種々の薄膜を蒸着法により形成する場合に利用することができる。
 本発明の利用分野は特に制限はないが、有機EL表示装置の発光層の形成に好ましく利用することができる。
10 基板
10a 第1方向(基板の移動方向)
10e 被蒸着面
20 有機EL素子
23R,23G,23B 発光層
50 蒸着ユニット
56 移動機構
60 蒸着源
61 蒸着源開口
70 蒸着マスク
71 マスク開口
80 制限ユニット
81 制限部
82 制限開口
83 制限部の下面
85,86 支持台
90 被膜
90e ボヤケ部分
90m 被膜主部
91 蒸着粒子
100 蒸着チャンバ
811,812,813,814,815 板材
831,832,833 板材
851,852 板材

Claims (17)

  1.  基板上に所定パターンの被膜を形成する蒸着装置であって、前記蒸着装置は、
     少なくとも1つの蒸着源開口を備えた蒸着源、前記少なくとも1つの蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスク、及び、前記少なくとも1つの蒸着源開口と前記蒸着マスクとの間に配置され且つ複数の制限部が前記基板の法線に直交する第1方向に沿って配置された制限ユニットを備えた蒸着ユニットと、
     前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板の法線方向及び前記第1方向に直交する第2方向に沿って前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
     前記少なくとも1つの蒸着源開口から放出され、前記複数の制限部によって隔てられた複数の制限開口及び前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した蒸着粒子を前記基板に付着させて前記被膜を形成し、
     前記制限ユニットは、積層された複数の板材を含むことを特徴とする蒸着装置。
  2.  前記複数の板材は、前記基板の法線方向に積層されており、
     前記複数の板材のそれぞれに、前記複数の制限開口を構成する複数の貫通穴が形成されている請求項1に記載の蒸着装置。
  3.  前記複数の板材のそれぞれに形成された前記複数の貫通穴は、開口幅が異なる複数種類の貫通穴を含み、
     開口幅が異なる前記複数種類の貫通穴が前記基板の法線方向に連通して前記複数の制限開口が構成されている請求項2に記載の蒸着装置。
  4.  前記基板の法線方向に連通した前記複数種類の貫通穴の開口幅は、前記蒸着源開口から前記蒸着マスクに近づくにしたがって大きくなる請求項3に記載の蒸着装置。
  5.  前記基板の法線方向に連通した前記複数種類の貫通穴の内周面のうち、前記蒸着源開口に最も近い前記貫通穴の内周面のみに、前記蒸着源開口から放出された蒸着粒子が付着するように構成されている請求項3又は4に記載の蒸着装置。
  6.  前記複数の板材のそれぞれにおいて、前記第2方向と平行な方向に沿って、開口幅が異なる前記複数種類の貫通穴が配置されている請求項3~5のいずれかに記載の蒸着装置。
  7.  前記複数の制限開口の内周面に凹凸が形成されるように、前記複数の板材の一部が、他の一部に対して、前記基板の法線方向に対して直交する方向に位置ズレしている請求項2に記載の蒸着装置。
  8.  前記複数の板材が交互に逆方向に位置ズレしている請求項7に記載の蒸着装置。
  9.  前記複数の板材は前記第1方向に積層されており、
     前記複数の制限部のそれぞれが、前記第1方向に積層された前記複数の板材を備える請求項1に記載の蒸着装置。
  10.  基板上に蒸着粒子を付着させて所定パターンの被膜を形成する蒸着工程を有する蒸着方法であって、
     前記蒸着工程を請求項1~9のいずれかに記載の蒸着装置を用いて行う蒸着方法。
  11.  基板上に蒸着粒子を付着させて所定パターンの被膜を形成する蒸着工程を有する蒸着方法であって、
     前記蒸着工程を請求項2に記載の蒸着装置を用いて行い、
     前記蒸着方法は、
     前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、前記蒸着粒子が付着した板材を取り除く工程と、
     取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に、清浄な板材を前記制限ユニットに追加する工程と
     を更に備える蒸着方法。
  12.  基板上に蒸着粒子を付着させて所定パターンの被膜を形成する蒸着工程を有する蒸着方法であって、
     前記蒸着工程を請求項2に記載の蒸着装置を用いて行い、
     前記蒸着方法は、前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、片面のみに前記蒸着粒子が付着した板材を取り除き、前記板材を反転させて、取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に前記板材を前記制限ユニットに追加する工程を更に備える蒸着方法。
  13.  前記蒸着方法は、
     前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、両面に前記蒸着粒子が付着した板材を取り除く工程と、
     取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に、清浄な板材を前記制限ユニットに追加する工程と
     を更に備える請求項12に記載の蒸着方法。
  14.  基板上に蒸着粒子を付着させて所定パターンの被膜を形成する蒸着工程を有する蒸着方法であって、
     前記蒸着工程を請求項3~6のいずれかに記載の蒸着装置を用いて行い、
     前記蒸着方法は、
     前記複数の板材のうち前記蒸着源に最も近い、前記蒸着粒子が付着した板材を取り除き、且つ、取り除かれた前記板材の位置とは異なる位置に、板材を前記制限ユニットに追加する工程と、
     前記蒸着源開口及び前記制限ユニットのうちの一方を他方に対して前記第2方向に沿って移動させる工程と
     を更に備える蒸着方法。
  15.  基板上に蒸着粒子を付着させて所定パターンの被膜を形成する蒸着工程を有する蒸着方法であって、
     前記蒸着工程を請求項2に記載の蒸着装置を用いて行い、
     前記蒸着方法は、前記複数の制限開口の内周面に凹凸が形成されるように、前記複数の板材の一部を、他の一部に対して、前記基板の法線方向に対して直交する方向に位置ズレさせる工程を更に備える蒸着方法。
  16.  基板上に蒸着粒子を付着させて所定パターンの被膜を形成する蒸着工程を有する蒸着方法であって、
     前記蒸着工程を請求項9に記載の蒸着装置を用いて行い、
     前記蒸着方法は、
     前記複数の制限部のそれぞれを構成する前記複数の板材のうち前記蒸着粒子が付着した一対の最外層の板材を取り除く工程と、
     重ね合わされた一対の板材を、前記複数の板材間に挿入する工程と
     を更に備える蒸着方法。
  17.  請求項11~16のいずれかに記載の蒸着方法を用いて形成された前記被膜を発光層として備える有機EL表示装置。
     
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