CN107099770B - 掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法 - Google Patents
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Abstract
一种掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法，该掩膜板包括开口板，所述开口板包括开口和位于开口之外的遮挡部，遮挡部中设置有凹槽，凹槽的深度小于遮挡部的厚度。在蒸镀过程中掩膜板的凹槽与待蒸镀基板的凸起之间形成空隙，从而可以避免待蒸镀基板在该凸起处产生颗粒。
Description
技术领域
本发明实施例涉及一种掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法。
背景技术
掩膜板用于制作需要的图案，其在晶体管、液晶面板、OLED(有机发光二极管)面板等各类电子产品中的图案制作过程中被广泛应用。蒸镀工艺是图案制作过程中比较常用的技术。例如，在蒸镀工艺中，可以将材料加热至气态并使其在透过掩膜板后镀到基板上，从而得到需要的图案。
发明内容
本发明实施例提供一种掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法，该掩膜板可以避免待蒸镀基板的较高的凸起处产生颗粒。
本发明的至少一个实施例提供一种掩膜板，其包括开口板，所述开口板包括开口以及位于所述开口之外的遮挡部，并且所述遮挡部中设置有凹槽，所述凹槽的深度小于所述遮挡部的厚度。
例如，所述凹槽为闭合的环形凹槽。
例如，所述遮挡部中还设置有凹陷的对位标记，所述凹槽不同于该对位标记。
例如，所述凹槽到所述开口之间的距离大于或等于100微米。
例如，所述凹槽的槽宽大于40微米。
例如，所述凹槽的深度大于3.5微米且小于100微米。
例如，所述遮挡部包括相对设置的第一表面和第二表面，所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面，所述凹槽的凹陷表面与所述第二表面相对，并且所述第一表面在所述开口与所述凹槽之间的部分为平面。
例如，所述开口板包括多个所述开口，所述遮挡部中设置有多个所述凹槽，并且所述多个凹槽与所述多个开口一一对应。
例如，相邻的所述开口之间的距离大于200微米。
例如，所述的掩膜板还包括框架，所述框架包括镂空部和环绕所述镂空部的边框，所述开口和所述凹槽都对应于所述镂空部，所述遮挡部与所述边框连接。
本发明的至少一个实施例还提供一种掩膜板的制作方法，其包括：形成开口板，其中，所述开口板包括开口和位于所述开口之外的遮挡部，所述遮挡部中设置有凹槽，所述凹槽的深度小于所述遮挡部的厚度。
例如，通过刻蚀的方式形成所述凹槽。
例如，将用于形成所述开口板的初始开口板安装在框架上，其中，所述初始开口板包括所述开口和位于所述开口之外的初始遮挡部，所述初始遮挡部用于形成所述遮挡部并且所述初始遮挡部中设置有所述凹槽，所述框架包括镂空部和环绕所述镂空部的边框，所述初始开口板的开口对应于所述镂空部，所述初始开口板的初始遮挡部与所述边框连接；以及去掉所述初始遮挡部的至少部分边缘。
本发明的至少一个实施例还提供一种利用以上任一项所述的掩膜板进行蒸镀的方法，其包括：将所述掩膜板与待蒸镀基板进行对位并且使所述掩膜板与所述待蒸镀基板贴附在一起，其中，所述待蒸镀基板包括第一区域和位于所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域对应于所述掩膜板的开口，所述第二区域与所述掩膜板的所述凹槽的凹陷表面之间形成有空隙；以及使被蒸镀材料透过所述开口并且沉积在所述待蒸镀基板第一区域中。
例如，所述待蒸镀基板包括设置于所述第二区域中的第一凸起，并且在所述第二区域中，所述待蒸镀基板在所述第一凸起处具有第一厚度并且在所述第一凸起之外具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；所述凹槽的凹陷表面与所述第一凸起之间形成空隙。
例如，所述第二区域中还设置有第二凸起，所述第二凸起位于所述第一凸起与所述第一区域之间；在所述掩膜板与所述待蒸镀基板贴附在一起的情况下，所述凹槽的凹陷表面还与所述第二凸起之间形成空隙。
在本发明实施例中，通过在掩膜板的遮挡部中设置凹槽，使得在蒸镀过程中掩膜板的凹槽与待蒸镀基板的凸起之间形成空隙，从而可以避免待蒸镀基板在该凸起处产生颗粒。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种掩膜板与用于形成OLED阵列基板的基板之间的接触方式示意图；
图2a为本发明实施例提供的掩膜板的俯视示意图；
图2b为沿图2a中AA线的剖视示意图；
图3为本发明实施例提供的掩膜板与待蒸镀基板之间的接触方式示意图；
图4为本发明实施例提供的蒸镀方法的流程图；
图5为本发明实施例提供的掩膜板的制作方法中初始开口板与框架的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
有机发光二极管(OLED)显示装置由于具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可制作柔性显示器等优点，被称为最有应用前景的显示器件。
OLED显示装置包括的OLED阵列基板通常采用蒸镀的方式进行有机发光功能层的沉积。以柔性OLED显示装置的OLED阵列基板为例，在其有机发光功能层的蒸镀工艺中，掩膜板与待蒸镀基板紧密接触。例如，掩膜板2与待蒸镀基板01的边框区的接触方式如图1所示，其中，虚线表示掩膜板02，待蒸镀基板01包括衬底基板10和设置于其上的绝缘层11、平坦层123、像素界定层133、第一围堰(Dam)131、第二围堰132以及位于第一围堰131上的隔离柱(spacer)141。在后续制作步骤中，待蒸镀基板01上还形成有用于阻隔水、氧的多层封装薄膜，其包括交替设置的无机薄膜和有机薄膜，并且封装薄膜在第一围堰131和第二围堰132的位置处与基板01密封连接在一起。
本申请的发明人在研究中注意到，如图1所示的待蒸镀基板01在第一围堰131的位置处相比于其它位置处具有较大的高度，并且在蒸镀工艺中掩膜板2与待蒸镀基板01直接接触并且二者之间发生相对移动以进行对位，这导致第一围堰131上的隔离柱141处产生颗粒15或者导致隔离柱141和第二围堰132处产生颗粒15；在后续的封装过程中，如果无机封装薄膜与待蒸镀基板01在颗粒15的产生处直接接触，则上述颗粒15可导致该无机封装薄膜发生开裂，进而导致制成的OELD显示装置的边框区封装失效。
例如，如图2a和图2b所示，本发明的至少一个实施例提供一种掩膜板02，该掩膜板02包括开口板20，开口板20包括贯穿开口板20的开口21以及位于开口21之外的遮挡部22。例如，该掩膜板02为用于蒸镀的蒸镀掩膜板，开口21用于在蒸镀过程中使被蒸镀材料透过掩膜板02以沉积在基板上，遮挡部22用于在蒸镀过程中遮挡被蒸镀材料。开口板20的遮挡部22中设置有凹槽22a，该凹槽22a的深度d1小于遮挡部22的厚度d2(参见图2b)，也就是说，凹槽22a未贯穿遮挡部22。遮挡部22在凹槽22a处可以是透光的，也可以是不透光的，只要能使凹槽22a起到遮挡被蒸镀材料的作用即可。例如，遮挡部22在凹槽22a处完全不透光，以防止光线从凹槽22a处入射到待蒸镀基板上而对待蒸镀基板上的结构造成不良影响。
在本发明实施例中，在该掩膜板的对应待蒸镀基板的围堰的位置处形成凹槽，使得在蒸镀工艺中掩膜板的凹槽与待蒸镀基板的围堰之间形成空隙，这样可以避免待蒸镀基板的围堰处产生颗粒，进而提高了例如OLED阵列基板边框区封装的稳定性和例如柔性OLED显示装置的寿命。
例如，该掩膜板02可以用于制作OLED阵列基板的有机发光功能层或电极，也可以用于制作其它阵列基板的类似结构。本发明的以下实施例以该掩膜板用于OLED阵列基板的有机发光功能层的蒸镀工艺为例进行说明。
例如，待蒸镀基板为OLED阵列基板母板，该母板包括彼此间隔开的多个待蒸镀区域，在该母板制作完成后，通过对该母板进行切割可以得到多个OLED阵列基板，每个待蒸镀区域对应一个OLED阵列基板的整个显示区(也被称为AA区)。相应地，如图2a所示，掩膜板02的开口板20包括多个开口21，在蒸镀工艺中，每个开口21对应于待蒸镀基板的一个待蒸镀区域。在这种情况下，遮挡部22中设置有多个凹槽22a，并且该多个凹槽22a与该多个开口21一一对应。
由于OLED阵列基板中的围堰通常为闭合的环形结构，因此，在本发明实施例提供的掩膜板用于OLED阵列基板的有机发光功能层等结构的蒸镀工艺时，凹槽22a也相应地为闭合的环形凹槽，如图2a所示，以与围堰的形状相配合。
由于在蒸镀工艺中，需要将掩膜板与待蒸镀基板进行对位，因此，掩膜板上通常设置有对位标记。例如，如图2a所示，掩膜板02的遮挡部22中还设置有凹陷的对位标记23，并且该对位标记23不同于凹槽22a。例如，对位标记23与凹槽22a的位置不同：对位标记23可以设置于掩膜板02的顶角处或靠近掩膜板02的外边缘，而凹槽22a的位置靠近开口板20的开口21。例如，对位标记23与凹槽22a的形状不同：对位标记23可以为任意形状，而凹槽22a为环绕开口21的环形结构。
例如，如图2b所示，遮挡部22包括相对设置的第一表面221和第二表面222，开口21贯穿第一表面221和第二表面222。例如，凹槽22a为通过对形成遮挡部22的材料层进行刻蚀处理得到。在这种情况下，例如，凹槽22a的凹陷表面220与第二表面222相对，并且第一表面221在开口21与凹槽22a之间的部分为平面；例如，在相邻的开口21之间，第一表面221的在相邻的凹槽22a之间的部分为平面。
例如，如图2b所示，掩膜板02还包括框架30，框架30包括镂空部31和环绕镂空部31的边框32，开口21和凹槽22a都对应于镂空部31，遮挡部22与边框32连接，例如焊接连接。例如，框架30的边框32中还可以设置有多个刻蚀凹槽(图2b中未示出)，该多个刻蚀凹槽中安装有支撑杆，以对开口板20进行支撑。
图3为本发明实施例提供的掩膜板在蒸镀工艺中与待蒸镀基板的接触方式示意图。如图3所示，待蒸镀基板01包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域，在待蒸镀基板01被制成阵列基板之后，第一区域对应于该阵列基板的整个显示区，第二区域对应该阵列基板的边框区。例如，在待蒸镀基板01中，第二围堰132设置于第一围堰131与第一区域之间，并且第二围堰132的内边缘(即靠近第一区域的边缘)到第一区域的距离为100微米到130微米；第二围堰132的宽度为40微米-50微米并且高度为h2为3.5微米-4.0微米；第一围堰131与第二围堰132之间的距离为40微米-50微米；第一围堰131的宽度为40微米-50微米，并且第一围堰131与设置于其上的隔离柱141的总体高度h1为4微米-4.5微米。
考虑到待蒸镀基板中各结构的上述尺寸，相应地，在掩膜板02的凹槽22a与第一围堰131对应的情况下，例如，凹槽22a到其相邻的开口(图3中未示出)的距离S01可以大于或等于100微米，例如大于或等于180微米；在掩膜板02的凹槽22a与第二围堰132的位置对应的情况下，例如，凹槽22a到其相邻的开口之间的距离范围S01可以大于或等于100微米。
由于待蒸镀基板的第二围堰132到第一区域的距离大于或等于100微米，第一围堰131到第一区域的距离大于或等于180微米，因此，待蒸镀基板的用于形成相邻显示区的相邻待蒸镀区域之间的距离大于200微米(例如大于360微米)。相应地，掩膜板02中相邻的开口之间的距离大于200微米(例如大于360微米)。
由于第一围堰131和第二围堰132的宽度以及二者之间的距离都为40微米-50微米，因此，例如，在凹槽22a与第一围堰131和第二围堰132中的一个对应时，凹槽22a的槽宽w大于40微米；例如，在凹槽22a与第一围堰131和第二围堰132中的两个都对应时，凹槽22a的槽宽大于150微米。
由于第一围堰131与隔离柱141的总体高度为4微米-4.5微米，在凹槽22a与第一围堰131对应的情况下，例如，凹槽22a的深度d1大于4微米；由于第二围堰132的高度为3.5微米-4微米，在凹槽22a与第二围堰132对应的情况下，例如，凹槽22a的深度d1大于3.5微米。综合考虑，例如，凹槽22a的深度d1大于3.5微米。在此基础上，由于掩膜板02的遮挡部22的厚度通常为100微米，因此凹槽22a的深度还小于100微米。
本发明的至少一个实施例还提供一种利用以上任一实施例提供的掩膜板02进行蒸镀的方法，如图3和图4所示，该方法包括：将掩膜板02与待蒸镀基板01进行对位并且使掩膜板02与待蒸镀基板01贴附在一起，在该步骤中，待蒸镀基板01包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域，第一区域对应于掩膜板02的开口，第二区域与掩膜板02的凹槽22a的凹陷表面220之间形成有空隙；使被蒸镀材料透过掩膜板的开口并且沉积在待蒸镀基板01第一区域中。在待蒸镀基板01制作成阵列基板之后，待蒸镀基板01的第一区域为阵列基板的显示区且待蒸镀基板01的第二区域为阵列基板的边框区。
本发明实施例提供的蒸镀方法可以用于蒸镀OLED阵列基板的有机发光功能层，例如电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层，也可以用于制作OLED阵列基板的其它结构。当然，本发明实施例提供的蒸镀方法也可以用于制作其它类型的基板。
例如，待蒸镀基板01包括设置于第二区域中的第一凸起，并且在第二区域中，待蒸镀基板01在第一凸起处具有第一厚度并且在第一凸起之外具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度；凹槽22a的凹陷表面220与第一凸起之间形成空隙。也就是说，掩膜板02的凹槽22a对应于待蒸镀基板01的第二区域中的较厚的位置(即较高的位置)，以避免掩膜板02与待蒸镀基板01在该位置处接触。
例如，在第二区域中，待蒸镀基板01在第一凸起处的厚度大于在第一凸起之外的所有位置处的厚度，也就是说，在第二区域中，第一凸起最高。在这种情况下，通过在掩膜板02中形成对应于第一凸起的凹槽，可以避免在掩膜板02与待蒸镀基板01之间发生相对移动时第一凸起处产生颗粒。
例如，第二区域中还设置有第二凸起(例如，第二围堰132)，第二凸起位于第一凸起与第一区域之间；在第二区域中，待蒸镀基板01在第二凸起处的厚度小于在第一凸起处的厚度；在掩膜板02与待蒸镀基板01贴附在一起的情况下，凹槽22a的凹陷表面220还与第二凸起之间形成空隙。这样，可以避免在掩膜板02与待蒸镀基板01之间发生相对移动时第二凸起处产生颗粒。
例如，如图3所示，在第二区域中，待蒸镀基板01在第一凸起(例如，第一围堰131和隔离柱141的组合)处具有第一厚度(参见h1)并且在第二凸起(例如，第二围堰132)处具有第二厚度(参见h2)，h1大于h2；例如，在第二区域中，h2可以大于或等于待蒸镀基板01在除第一凸起和第二凸起之外的其余位置处的厚度。例如，掩膜板02中的凹槽22a可以对应于第一凸起和第二凸起并且在蒸镀过程中与二者之间形成空隙，以避免第一凸起和第二凸起处产生颗粒，参见图3；或者，掩膜板02中的凹槽也可以对应于第一凸起和第二凸起中的一个并且在蒸镀过程中与相应凸起之间形成空隙。
需要说明的是，本发明实施例以第一凸起为第一围堰与隔离柱的组合以及第二凸起为第二围堰为例进行说明，然而，第一、二凸起也可以为待蒸镀待蒸镀基板中的其它较高的且可因与掩膜板接触的凸出结构。
本发明的至少一个实施例还提供一种掩膜板的制作方法，该掩膜板如图2a和图2b所示，该方法包括：形成开口板20，其中，开口板20包括开口21和位于开口21之外的遮挡部22，遮挡部22中设置有凹槽22a，凹槽22a的深度小于遮挡部22的厚度。
例如，通过刻蚀的方式形成凹槽22a，也就是说，凹槽22a通过对用于形成遮挡部22的板材进行刻蚀处理(例如半刻蚀处理)形成，以使凹槽22的深度小于遮挡部22的厚度。刻蚀是半导体制造领域中的一种常用工艺，其是通过溶液、反应离子或其它机械方式来去除材料的一种方法。
例如，如图5所示，本发明实施例提供的掩膜板的制作方法包括：将用于形成开口板的初始开口板20＇安装在框架30上，其中，初始开口板20＇包括开口21和位于开口21之外的初始遮挡部22＇，初始遮挡部22＇用于形成遮挡部并且初始遮挡部22＇中设置有凹槽22a，框架30包括镂空部31和环绕镂空部31的边框32，初始开口板20＇的开口21对应于镂空部31，初始开口板20＇的初始遮挡部22＇与边框32连接，例如焊接连接；去掉初始遮挡部22＇的至少部分边缘以得到如图2a和图2b所示的开口板20，例如，可以去除初始遮挡部22＇的超出框架30的边缘以得到遮挡部，从而得到开口板。
例如，框架30还可以包括刻蚀凹槽33，其用于安装用于支撑开口板的支撑杆。
例如，本发明实施例提供的掩膜板的制作方法，在将初始开口板20＇安装在框架30上之前，还可以包括：将框架30安装在掩膜板的制作设备上。
综上所述，在本发明实施例中，掩膜板的开口板包括开口和位于开口之外的遮挡部，遮挡部中设置有凹槽，凹槽的深度小于遮挡部的厚度。这使得在蒸镀过程中掩膜板的凹槽与待蒸镀基板的凸起之间形成空隙，从而可以避免待蒸镀基板在该凸起处产生颗粒。
有以下几点需要说明：(1)本发明实施例附图中，只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度并非按照实际比例绘制，而是被一定程度放大；(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (16)
1.一种掩膜板，包括开口板，其中，
所述开口板包括开口以及位于所述开口之外的遮挡部，并且
所述遮挡部中设置有凹槽，所述凹槽的深度小于所述遮挡部的厚度；
所述掩膜板为用于蒸镀工艺的蒸镀掩膜板，并且所述凹槽为用于与所述蒸镀工艺中的待蒸镀基板的围堰之间形成空隙的凹槽；
所述凹槽被配置为使所述凹槽的凹陷表面与所述围堰的面向所述凹槽的端部之间形成所述空隙；所述遮挡部包括位于相邻开口之间的部分，所述部分包括位于相邻凹槽之间的第一部分和位于凹槽和开口之间的两个第二部分，所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度都大于所述凹槽的宽度。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，所述凹槽为闭合的环形凹槽。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，所述遮挡部中还设置有凹陷的对位标记，所述凹槽不同于该对位标记。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，所述凹槽到所述开口之间的距离大于或等于100微米。
5.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，所述凹槽的槽宽大于40微米。
6.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，所述凹槽的深度大于3.5微米且小于100微米。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的掩膜板，其中，所述遮挡部包括相对设置的第一表面和第二表面，所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面，所述凹槽的凹陷表面与所述第二表面相对，并且所述第一表面在所述开口与所述凹槽之间的部分为平面。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的掩膜板，其中，
所述开口板包括多个所述开口，所述遮挡部中设置有多个所述凹槽，并且所述多个凹槽与所述多个开口一一对应。
9.根据权利要求8所述的掩膜板，其中，相邻的所述开口之间的距离大于200微米。
10.根据权利要求1-6中任一项所述的掩膜板，还包括框架，其中，所述框架包括镂空部和环绕所述镂空部的边框，所述开口和所述凹槽都对应于所述镂空部，所述遮挡部与所述边框连接。
11.一种掩膜板的制作方法，包括：
形成开口板，其中，所述开口板包括开口和位于所述开口之外的遮挡部，所述遮挡部中设置有凹槽，所述凹槽的深度小于所述遮挡部的厚度；所述掩膜板为用于蒸镀工艺的蒸镀掩膜板，并且所述凹槽为用于与所述蒸镀工艺中的待蒸镀基板的围堰之间形成空隙的凹槽；所述掩膜板在位于用于面向所述待蒸镀基板的一面的所述凹槽处是凹陷的；
其中，所述凹槽被配置为使所述凹槽的凹陷表面与所述围堰的面向所述凹槽的端部之间形成所述空隙；所述遮挡部包括位于相邻开口之间的部分，所述部分包括位于相邻凹槽之间的第一部分和位于凹槽和开口之间的两个第二部分，所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度都大于所述凹槽的宽度。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其中，通过刻蚀的方式形成所述凹槽。
13.根据权利要求11或12所述的制作方法，其中，
将用于形成所述开口板的初始开口板安装在框架上，其中，所述初始开口板包括所述开口和位于所述开口之外的初始遮挡部，所述初始遮挡部用于形成所述遮挡部并且所述初始遮挡部中设置有所述凹槽，所述框架包括镂空部和环绕所述镂空部的边框，所述初始开口板的开口对应于所述镂空部，所述初始开口板的初始遮挡部与所述边框连接；以及
去掉所述初始遮挡部的至少部分边缘。
14.一种利用权利要求1-10中任一项所述的掩膜板进行蒸镀的方法，包括：
将所述掩膜板与待蒸镀基板进行对位并且使所述掩膜板与所述待蒸镀基板贴附在一起，其中，所述待蒸镀基板包括第一区域和位于所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域对应于所述掩膜板的开口，所述第二区域中的围堰与所述掩膜板的所述凹槽的凹陷表面之间形成有空隙；以及
使被蒸镀材料透过所述开口并且沉积在所述待蒸镀基板第一区域中。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，
所述待蒸镀基板包括设置于所述第二区域中的第一凸起，并且在所述第二区域中，所述待蒸镀基板在所述第一凸起处具有第一厚度并且在所述第一凸起之外具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
所述凹槽的凹陷表面与所述第一凸起之间形成空隙。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，
所述第二区域中还设置有第二凸起，所述第二凸起位于所述第一凸起与所述第一区域之间；
在所述掩膜板与所述待蒸镀基板贴附在一起的情况下，所述凹槽的凹陷表面还与所述第二凸起之间形成空隙。
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