CN107904554A - 掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置 - Google Patents

掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107904554A
CN107904554A CN201810002259.8A CN201810002259A CN107904554A CN 107904554 A CN107904554 A CN 107904554A CN 201810002259 A CN201810002259 A CN 201810002259A CN 107904554 A CN107904554 A CN 107904554A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
mask plate
sunk structure
pattern region
neighboring area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810002259.8A
Other languages
English (en)
Inventor
张新建
刘丽国
尹志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810002259.8A priority Critical patent/CN107904554A/zh
Publication of CN107904554A publication Critical patent/CN107904554A/zh
Priority to US16/043,260 priority patent/US11149341B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
    • B05C21/005—Masking devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

本发明提供了一种掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置，属于显示技术领域。所述掩膜板包括：掩膜图形区域，以及掩膜图形区域的周边区域，周边区域包括凹陷结构，且凹陷结构的凹陷方向平行于掩膜板的厚度方向。本发明解决了在将玻璃基板叠加在掩膜组件中掩膜板远离掩膜框架的一侧时，凸起于掩膜板表面的焊点容易划伤玻璃基板的问题。本发明用于制造掩模板。

Description

掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)显示装置的应用越来越广泛，且通常会使用掩膜组件来制造OLED显示装置。
掩膜组件通常包括掩膜板和掩膜框架，而在形成掩膜组件时，通常是先将掩膜板对位叠加在掩膜框架上，之后再将掩膜板和掩膜框架焊接在一起。相关技术中，在焊接掩膜板和掩膜框架时，通常从掩膜板远离掩膜框架的一侧向掩膜板发射激光，以使得掩膜板和掩膜框架在激光的作用下焊接。另外，在使用该掩膜组件在玻璃基板上形成膜层图案时，可以将该玻璃基板叠加在掩膜板远离掩膜框架的一侧。
但是，由于在采用激光焊接的方式进行焊接的过程中，掩膜板远离掩膜框架一侧的表面会出现凸起于该表面的焊点，因此在将玻璃基板叠加在掩膜板远离掩膜框架的一侧时，玻璃基板会与焊点接触，从而较容易划伤玻璃基板。
发明内容
本申请提供了一种掩膜板，可以解决相关技术中在将玻璃基板叠加在掩膜组件中掩膜板远离掩膜框架的一侧时，凸起于掩膜板表面的焊点容易划伤玻璃基板的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：掩膜图形区域，以及所述掩膜图形区域的周边区域，所述周边区域包括凹陷结构，且所述凹陷结构的凹陷方向平行于所述掩膜板的厚度方向。
可选的，所述凹陷结构为设置于所述周边区域远离所述掩膜图形区域的边缘的台阶。
可选的，所述凹陷结构为凹槽。
可选的，所述周边区域包括至少一组所述凹陷结构，每组所述凹陷结构包括：相对设置在所述掩膜图形区域两侧的两个所述凹陷结构。
可选的，所述凹陷结构为包围所述掩膜图形区域的环形凹陷结构。
可选的，所述掩膜图形区域为矩形区域，所述环形凹陷结构为方环形凹陷结构。
可选的，所述凹陷结构的最大凹陷深度大于15微米。
可选的，所述掩膜板的材质为因瓦合金。
另一方面，提供一种掩膜板的制造方法，所述掩膜板为上述掩膜板，所述方法包括：制造包括掩膜图形区域以及所述掩膜图形区域的周边区域的掩膜板；其中，所述周边区域包括凹陷结构，且所述凹陷结构的凹陷方向平行于所述掩膜板的厚度方向。
可选的，所述制造包括掩膜图形区域以及所述掩膜图形区域的周边区域的掩膜板，包括：提供基板；在所述基板上形成所述掩膜图形区域；采用刻蚀的方式在所述基板上形成所述凹陷结构，以得到所述掩膜板。
可选的，所述凹陷结构为设置于所述周边区域远离所述掩膜图形区域的边缘的台阶。
可选的，所述凹陷结构为凹槽。
可选的，所述凹陷结构的最大凹陷深度大于15微米。
又一方面，提供一种掩膜组件，所述掩膜组件包括上述掩膜板。
再一方面，提供一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括上述掩膜组件。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是：在本发明实施例提供的掩膜板中，掩膜图形区域的周边区域形成有凹陷结构。在焊接该掩膜板和掩膜框架时，可以从掩膜板远离掩膜框架的一侧向掩膜板凹陷结构发射激光，以使得焊接过程中形成的焊点的凸起部分位于凹陷结构内，从而减弱了焊点凸出于掩膜板的程度。因此，在将玻璃基板叠加在掩膜板上时，减弱了玻璃基板在焊点处受到的力，减小了玻璃基板划伤的概率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施例，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种相关技术提供的掩膜组件上叠加玻璃基板的示意图；
图2为本发明实施例提供的一种掩膜板的截面示意图；
图3为本发明实施例提供的一种掩膜板的俯视图；
图4为本发明实施例提供的一种掩模版的侧视图；
图5为本发明实施例提供的另一种掩膜板的俯视图；
图6为本发明实施例提供的另一种掩模版的截面示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种掩膜板的俯视图；
图8为本发明实施例提供的一种掩膜板的制造方法的方法流程图；
图9为本发明实施例提供的一种掩膜组件的截面示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
OLED显示装置的应用越来越广泛，且通常会使用掩膜组件来制造OLED显示装置。示例的，请参考图1，掩膜组件10通常包括掩模板101和掩膜框架102。在制造掩膜组件10时，通常是将掩膜板101对位叠加在掩膜框架102上，并使用激光焊机(图1中未示出)从掩膜板101远离掩膜框架102的一侧向掩膜板101发射激光，以使得掩膜板101和掩膜框架102在激光的作用下焊接。
在激光焊机将激光发射到掩膜板101远离掩膜框架102一侧的表面X时，掩膜板101中的材料会蒸发并形成小孔(图1中未示出)，该小孔会吸收入射激光的热量，且由该小孔吸收的热量会从该小孔的孔壁向周围传递，使得该孔壁周围的金属融化。在激光焊机停止向掩膜板101的表面发射激光时，小孔的孔壁周围融化的金属会填充该小孔并冷却，随后形成凸出于掩膜板101的表面X焊点103。
在制作OLED显示装置时，通常是将玻璃基板对位叠加在掩膜组件中掩膜板上，并在玻璃基板上形成膜层图案。在将玻璃基板20对位叠加在掩膜板101远离掩膜框架102的一侧时，玻璃基板20会与焊点103接触。此时凸起于掩膜板表面X的焊点较容易划伤玻璃基板20。
本发明实施例提供了一种掩膜板，能够解决在将玻璃基板叠加在掩膜板上而导致玻璃基板较容易划伤的问题。
图2为本发明实施例提供的一种掩膜板的截面示意图，图3为本发明实施例提供的一种掩膜板的主视图，需要说明的是，图2所示的截面图为图3中掩膜板30的截面A-A的示意图。请结合图2和图3，该掩膜板30可以包括：掩膜图形区域301，以及掩膜图形区域301的周边区域302，周边区域302包括凹陷结构302A，且凹陷结构302A的凹陷方向S1平行于掩膜板的厚度方向。
综上所述，在本发明实施例提供的掩膜板中，掩膜图形区域的周边区域形成有凹陷结构。在焊接该掩膜板和掩膜框架时，可以从掩膜板远离掩膜框架的一侧向掩膜板凹陷结构发射激光，以使得焊接过程中形成的焊点的凸起部分位于凹陷结构内，从而减弱了焊点凸出于掩膜板的程度。因此，在将玻璃基板叠加在掩膜板上时，减弱了玻璃基板在焊点处受到的力，减小了玻璃基板划伤的概率。
可选的，凹陷结构302A的凹陷深度A1可以大于15微米。由于在焊接过程中形成的焊点的凸起部分的高度通常在15微米左右，因此在凹陷结构的凹陷深度A1大于15微米时，可以保证焊点不凸出于掩膜板，可以进一步减小玻璃基板划伤的概率。
可选的，掩膜板30的材质可以为因瓦合金。由于因瓦合金的热膨胀系数较低，因此，在焊接材质为因瓦合金的掩膜板与掩膜框架时，掩膜板的热变形程度较低。实际应用中，掩膜板30的材质还可以为其他热膨胀系数较低的材质，如铝硅合金，本发明实施例对此不作限定。
可选的，请继续结合图2和图3，凹陷结构302A可以为设置于周边区域302远离掩膜图形区域301的边缘的台阶。此时，该凹陷结构302A贯通掩膜板的侧面。
可选的，周边区域302可以包括至少一组凹陷结构，每组凹陷结构可以包括：相对设置在掩膜图形区域301两侧的两个凹陷结构302A。在凹陷结构302A分布在掩膜图形区域301两侧时，由于在焊接该掩膜板30和掩膜框架的过程中，掩膜板30的两侧均可以焊接在掩膜框架上，因此，提高了掩膜板30的稳固性。需要说明的是，图3中以周边区域302包括一组凹陷结构为例，实际应用中，周边区域302还可以包括多组凹陷结构(如两组凹陷结构)，本发明实施例对此不做限定。
图4为本发明实施例提供的一种掩模版的侧视图，图5为本发明实施例提供的另一种掩膜板的主视图，请结合图4和图5。凹陷结构302A为包围掩膜图形区域301的环形凹陷结构。在该凹陷结构302A为包围掩膜图形区域301的环形凹陷结构时，掩膜板30的四周均可以焊接在掩膜框架上，进一步提高了掩膜板30的稳固性。
可选的，该掩膜图形区域301可以为矩形区域，此时环形凹陷结构302A为方环形凹陷结构。实际应用中，掩膜图形区域301还可以为其他形状的区域，如圆形区域，环形凹陷结构302A可以为圆环形凹陷结构，本发明实施例对此不作限定。
图6为本发明实施例提供的另一种掩模版的截面示意图，图7为本发明实施例提供的又一种掩膜板的主视图，需要说明的是，图6所示的截面图为图7中掩膜板30的截面B-B的示意图。请结合图6和图7，凹陷结构302A还可以为凹槽。
综上所述，在本发明实施例提供的掩膜板中，掩膜图形区域的周边区域形成有凹陷结构。在焊接该掩膜板和掩膜框架时，可以从掩膜板远离掩膜框架的一侧向掩膜板凹陷结构发射激光，以使得焊接过程中形成的焊点的凸起部分位于凹陷结构内。从而减弱了焊点凸出于掩膜板的程度。因此，在将玻璃基板叠加在掩膜板上时，减弱了玻璃基板在焊点处受到的力，减小了玻璃基板划伤的概率。
图8为本发明实施例提供的一种掩膜板的制造方法的方法流程图，该掩膜板的制造方法可以用于制造图2至图7任一所示的掩膜板。如图8所示，该掩膜板的制造方法可以包括：
步骤801、制造包括掩膜图形区域以及掩膜图形区域的周边区域的掩膜板；其中，周边区域可以包括凹陷结构，且凹陷结构的凹陷方向平行于掩膜板的厚度方向。
具体的，在制造该掩膜板时，可以首先提供一个基板。该基板可以为矩形的实心板。之后，可以在基板上形成掩膜图形区域。最后，可以采用刻蚀的方式在基板上(如掩膜图形区域的周边)形成凹陷结构，得到掩膜板。需要说明的是，本发明实施例中在对基板进行上述刻蚀的过程中，并未将待形成凹陷结构区域的基板全部刻蚀掉，因此，该刻蚀的方式也可以称为半刻蚀方式。
可选的，在步骤8013中得到的凹陷结构可以为设置于周边区域远离掩膜图形区域的边缘的台阶。可选的，在步骤8013中得到的凹陷结构还可以为凹槽。可选的，凹陷结构的最大凹陷深度可以大于15微米。
需要说明的是，形成掩膜图形区域的步骤可以位于形成凹陷结构的步骤之前，形成掩膜图形区域的步骤也可以位于形成凹陷结构的步骤之后，本发明实施例对此不做限定。
综上所述，在本发明实施例提供的掩膜板的制造方法所制造出的掩膜板中，掩膜图形区域的周边区域形成有凹陷结构。在焊接该掩膜板和掩膜框架时，可以从掩膜板远离掩膜框架的一侧向掩膜板凹陷结构发射激光，以使得焊接过程中形成的焊点的凸起部分位于凹陷结构内。从而减弱了焊点凸出于掩膜板的程度。因此，在将玻璃基板叠加在掩膜板上时，减弱了玻璃基板在焊点处受到的力，减小了玻璃基板划伤的概率。
图9为本发明实施例提供的一种掩膜组件的截面示意图，如图9所示，该掩膜组件可以包括掩膜板30和掩膜框架40。需要说明的是，图9中所示的掩膜板30可以为图2至图7任一所示的掩膜板，图9中仅以该掩膜板30为图2或图3所示的掩膜板为例。如图9所示，在焊接掩膜板30和掩膜框架40后，所形成的焊点50的凸起部分50A位于凹陷结构302A内。
综上所述，在本发明实施例提供的掩膜组件中，在焊接该掩膜板和掩膜框架时，可以从掩膜板远离掩膜框架的一侧向掩膜板凹陷结构发射激光，以使得焊接过程中形成的焊点的凸起部分位于凹陷结构内。从而减弱了焊点凸出于掩膜板的程度。因此，在将玻璃基板叠加在掩膜板上时，减弱了玻璃基板在焊点处受到的力，减小了玻璃基板划伤的概率。
本发明实施例提供了一种蒸镀装置，该蒸镀装置可以包括图9所示的掩膜组件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未发明的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (15)

1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：掩膜图形区域，以及所述掩膜图形区域的周边区域，
所述周边区域包括凹陷结构，且所述凹陷结构的凹陷方向平行于所述掩膜板的厚度方向。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷结构为设置于所述周边区域远离所述掩膜图形区域的边缘的台阶。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷结构为凹槽。
4.根据权利要求1至3任一所述的掩膜板，其特征在于，所述周边区域包括至少一组所述凹陷结构，每组所述凹陷结构包括：相对设置在所述掩膜图形区域两侧的两个所述凹陷结构。
5.根据权利要求1至3任一所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷结构为包围所述掩膜图形区域的环形凹陷结构。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜图形区域为矩形区域，所述环形凹陷结构为方环形凹陷结构。
7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷结构的最大凹陷深度大于15微米。
8.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的材质为因瓦合金。
9.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板为权利要求1至8任一所述的掩膜板，所述方法包括：
制造包括掩膜图形区域以及所述掩膜图形区域的周边区域的掩膜板；
其中，所述周边区域包括凹陷结构，且所述凹陷结构的凹陷方向平行于所述掩膜板的厚度方向。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述制造包括掩膜图形区域以及所述掩膜图形区域的周边区域的掩膜板，包括：
提供基板；
在所述基板上形成所述掩膜图形区域；
采用刻蚀的方式在所述基板上形成所述凹陷结构，以得到所述掩膜板。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述凹陷结构为设置于所述周边区域远离所述掩膜图形区域的边缘的台阶。
12.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述凹陷结构为凹槽。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述凹陷结构的最大凹陷深度大于15微米。
14.一种掩膜组件，其特征在于，所述掩膜组件包括权利要求1至8任一所述的掩膜板。
15.一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括权利要求14所述的掩膜组件。
CN201810002259.8A 2018-01-02 2018-01-02 掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置 Pending CN107904554A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810002259.8A CN107904554A (zh) 2018-01-02 2018-01-02 掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置
US16/043,260 US11149341B2 (en) 2018-01-02 2018-07-24 Mask plate and manufacture method thereof, mask assembly and vapor deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810002259.8A CN107904554A (zh) 2018-01-02 2018-01-02 掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107904554A true CN107904554A (zh) 2018-04-13

Family

ID=61871038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810002259.8A Pending CN107904554A (zh) 2018-01-02 2018-01-02 掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11149341B2 (zh)
CN (1) CN107904554A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108611597A (zh) * 2018-05-31 2018-10-02 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板及其制作方法
CN108866479A (zh) * 2018-07-25 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及掩模组件
CN108998773A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、封装设备
CN114000102A (zh) * 2021-11-01 2022-02-01 昆山国显光电有限公司 掩模版及其制造方法、显示面板及显示设备
CN114054925A (zh) * 2021-11-10 2022-02-18 合肥维信诺科技有限公司 一种掩膜板的制作方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109778116B (zh) * 2019-03-28 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
KR20220004893A (ko) * 2020-07-03 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220056914A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110168087A1 (en) * 2010-01-11 2011-07-14 Lee Choong-Ho Mask frame assembly for thin film deposition
CN203128640U (zh) * 2013-03-06 2013-08-14 唐军 易焊接掩模板
CN103911584A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 上海天马微电子有限公司 一种掩膜板
US20160310988A1 (en) * 2015-04-27 2016-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly, a method of manufacturing a mask assembly, and a method of manufacturing display device
CN107099770A (zh) * 2017-06-08 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法
CN107460437A (zh) * 2017-09-08 2017-12-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 金属掩膜板、封装组件及oled显示屏的制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006022722B4 (de) * 2006-05-12 2010-06-17 Hueck Engraving Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenstrukturierung eines Pressbleches oder eines Endlosbandes
KR101274718B1 (ko) * 2010-01-28 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 증착마스크 및 그를 포함하는 마스크 어셈블리

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110168087A1 (en) * 2010-01-11 2011-07-14 Lee Choong-Ho Mask frame assembly for thin film deposition
CN103911584A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 上海天马微电子有限公司 一种掩膜板
CN203128640U (zh) * 2013-03-06 2013-08-14 唐军 易焊接掩模板
US20160310988A1 (en) * 2015-04-27 2016-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly, a method of manufacturing a mask assembly, and a method of manufacturing display device
CN107099770A (zh) * 2017-06-08 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法
CN107460437A (zh) * 2017-09-08 2017-12-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 金属掩膜板、封装组件及oled显示屏的制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108611597A (zh) * 2018-05-31 2018-10-02 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板及其制作方法
CN108866479A (zh) * 2018-07-25 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及掩模组件
CN108998773A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、封装设备
CN108998773B (zh) * 2018-07-27 2023-08-18 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、封装设备
CN114000102A (zh) * 2021-11-01 2022-02-01 昆山国显光电有限公司 掩模版及其制造方法、显示面板及显示设备
CN114054925A (zh) * 2021-11-10 2022-02-18 合肥维信诺科技有限公司 一种掩膜板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11149341B2 (en) 2021-10-19
US20190203334A1 (en) 2019-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107904554A (zh) 掩膜板及其制造方法、掩膜组件及蒸镀装置
JP2018095958A (ja) 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法
TWI618805B (zh) 沈積罩幕、沈積罩幕的製造方法及有機ｅｌ顯示裝置的製造方法
CN109873023A (zh) 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置
WO2018205531A1 (zh) 掩模板以及掩模片
US20220020927A1 (en) Method for manufacturing a display panel, a display panel and a transfer device
WO2018110253A1 (ja) 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法
TW202138595A (zh) 有機裝置之製造裝置之蒸鍍室之評價方法、評價方法所使用之標準遮罩裝置及標準基板、標準遮罩裝置之製造方法、具備經評價方法評價之蒸鍍室之有機裝置之製造裝置、具備於經評價方法評價之蒸鍍室中形成之蒸鍍層之有機裝置、以及有機裝置之製造裝置之蒸鍍室之維護方法
CN104862647A (zh) 一种掩膜板及其制备方法、显示面板、显示装置
JP2020128591A (ja) 蒸着マスク装置、マスク支持機構及び蒸着マスク装置の製造方法
US10236279B2 (en) Emissive display with light management system
CN107579167B (zh) 有机发光显示面板、显示装置及其制作方法
CN110212117A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
JP2016526290A5 (zh)
JP2014135246A (ja) 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JPWO2017163440A1 (ja) 蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2005339858A (ja) マスク構造体及びその製造方法
CN207775333U (zh) 掩膜板、掩膜组件及蒸镀装置
JP2012198396A (ja) スクリーンの製造方法、及び部分スクリーン
JP6191711B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスク装置、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN111697043B (zh) 显示面板和显示面板的制备方法
CN110911467B (zh) 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
JP6191712B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスク装置の製造方法
JP6304425B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、金属マスク付き樹脂層、及び有機半導体素子の製造方法
CN113066949B (zh) 显示基板及其制造方法和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180413

RJ01 Rejection of invention patent application after publication