TWI618805B - 沈積罩幕、沈積罩幕的製造方法及有機ｅｌ顯示裝置的製造方法 - Google Patents

沈積罩幕、沈積罩幕的製造方法及有機ｅｌ顯示裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

提供抑制沈積時的沈積基板與沈積罩幕的開口部的排列之間的位置錯開，能夠執行高精細的圖案化之沈積罩幕及其製造方法。沈積罩幕(1)包含樹脂膜(2)，具有在沈積基板上用以由沈積成膜形成薄膜圖案的開口部(4)的圖案，其沈積罩幕(1)，包括比樹脂膜(2)輻射率小的低輻射率膜(5)，在樹脂膜(2)相對沈積源的面的至少一部分，抑制來自沈積源的輻射熱引起的樹脂膜(2)的溫度上升。

Description

沈積罩幕、沈積罩幕的製造方法及有機EL顯示裝置的製造方 法
本發明係關於沈積有機EL顯示裝置的有機層之際使用的沈積罩幕、沈積罩幕的製造方法及有機EL顯示裝置的製造方法。更詳細說來，係關於可以抑制沈積時的沈積罩幕的溫度上升之沈積罩幕、沈積罩幕的製造方法及使用其沈積罩幕的有機EL顯示裝置的製造方法。
製造有機EL顯示裝置時，例如在支撐基板上形成TFT等的開關元件的裝置基板上有機層對應每一畫素層壓。因此，裝置基板上配置沈積罩幕，經由其沈積罩幕沈積有機材料，只有必要的畫素上層壓必要的有機層。作為其沈積罩幕，使用習知的金屬罩幕，但近年來，為了形成更精細的罩幕開口部的圖案，傾向於取代金屬罩幕使用樹脂膜作為罩幕材料。
另一方面，沈積罩幕使從沈積源揮發的有機材料通過其開口部附著至沈積基板，因為此沈積使用的沈積源的坩鍋使沈積材料的有機材料揮發，高溫加熱。因此，由於來自沈積源的輻射熱，沈積罩幕的溫度上升，沈積罩幕材料產生熱膨脹，沈積罩產生變形。如此的沈積罩幕變形，成為 沈積罩幕的開口圖案的位置錯開，給位置精度、開口尺寸帶來壞影響，形成有機EL顯示裝置時，顯示成色下降。
為了防止起因於如此的熱引起的變形之位置錯開，例如習知的金屬罩幕，揭示罩幕材料中使用鎳鐵合金(invar)等的熱膨脹率小，幾乎不因熱而膨脹的材料(專利文件1)。又，揭示沈積罩幕與沈積源之間設置熱屏障材，吸收來自沈積源的輻射，往外部散熱，抑制沈積罩幕的溫度上升(專利文件2)。
又，使用樹脂膜作為罩幕材料時，一般任何樹脂相較於鎳鐵合金熱膨脹率較大，由於材料選擇，解決此問題是困難的。而且，沈積源像線性源在成膜中移動時，罩幕內溫度分佈隨著沈積源的移動變化，因為開口位置也追隨位移，沈積的膜的尺寸，比沈積罩幕的開口尺寸更增大。
[先行技術文件] [專利文件]
[專利文件1]日本專利第2004-323888號公開公報
[專利文件2]日本專利第2015-140464號公開公報
如上述，使用幾乎不因熱而膨脹的鎳鐵合金之金屬罩幕，可以抑制熱膨脹引起的影響至最小限度，但更細微的沈積圖案的形成有限度，有不能使用的問題。
又，如專利文件2使用熱屏障材作為其他構件，使用之際，不只是沈積基板與沈積罩幕之間的位置相合，與熱屏障材之間的位置相合也是必要的，具有製造步驟變成繁雜的問題。
於是，本發明係用以解決如此的問題而形成，其目的在於提供沈積之際可以抑制溫度的上升之包含樹脂膜的沈積罩幕及其製造方法。
本發明的其他目的在於使用上述製造方法形成的沈積罩幕，提供顯示成色優異的有機EL顯示裝置的製造方法。
本發明者們，為了得到在沈積之際抑制溫度上升的沈積罩幕，重複專心檢討。其結果，發現沈積罩幕的樹脂膜與沈積源相對的面上，設置輻射率比其樹脂膜小的層，阻斷來自沈積源的輻射熱，即減少從沈積源往沈積罩幕熱輸入，可以簡單抑制沈積罩幕的溫度上升。還有也發現，與沈積罩幕的樹脂膜的沈積基板相接的面上，藉由設置輻射率比其樹脂膜大的層，散熱沈積罩幕的熱至玻璃基板等的沈積基板，有助於抑制沈積罩幕的溫度上升。
本發明的沈積罩幕，係包含具有在沈積基板上經由沈積用以成膜形成薄膜圖案的開口部圖案的樹脂膜之沈積罩幕，特徵在於輻射率比上述樹脂膜小的低輻射率膜，在上述樹脂膜相對沈積源的面的至少一部分上形成。
本發明的沈積罩幕的製造方法，係包含具有開口部圖案的樹脂膜，用以沈積沈積材料的罩幕，並且與沈積源相對側的面的至少一部分具有輻射率比上述樹脂膜小的低輻射率膜之沈積罩幕的製造方法，上述低輻射率膜的形成，係在擴展上述樹脂膜固定至支撐框架後進行。
本發明的有機EL顯示裝置的製造方法，係在裝置基板上層壓有機層製造有機EL顯示裝置的方法，特徵在於在支撐基板上至少形成TFT及第1電極的上述裝置基板上，位置相合互相重疊根據本發明的沈積罩幕，在上述第1電極上沈積有機材料，形成有機層的層壓膜，然後在上述層壓膜上形成第2電極。
根據本發明的沈積罩幕，形成樹脂膜的開口部圖案之際，因為可以由低輻射膜反射來自沈積源的輻射熱，抑制沈積罩幕本身的溫度上升。因此，沈積有機材料之際，可以防止產生開口位置的位移、開口尺寸的變化，結果形成高精度的沈積膜。
又，根據本發明的沈積罩幕的製造方法，擴展構成沈積罩幕的樹脂膜固定至支撐框架後，因為樹脂膜與沈積源相對側的面的至少一部分形成低輻射率膜，沒有低輻射率膜的裂紋、剝離等的危險，結果可以得到有效抑制有機材料沈積之際溫度上升引起的尺寸變化之沈積罩幕。
又，根據本發明的有機EL顯示裝置的製造方法，因為使用抑制沈積時的熱膨脹，且不易產生開口位置的位移、開口尺寸的變化之沈積罩幕，沈積有機層，所以即使高精密的畫素圖案也非常精密形成各畫素的有機層，結果可以得到顯示成色非常優異的有機EL顯示裝置。
1‧‧‧沈積罩幕
2‧‧‧樹脂膜
3‧‧‧金屬支撐層
4‧‧‧開口部
4a‧‧‧開口部4的側面(傾斜面)
4b‧‧‧開口部4的差距與沈積源相對的面
5‧‧‧低輻射率膜
6‧‧‧高輻射率膜
7‧‧‧沈積源
8‧‧‧沈積基板
9‧‧‧有機材料
11‧‧‧裝置基板
12‧‧‧第1電極
13‧‧‧堤部
14‧‧‧有機層的層壓膜
15‧‧‧第2電極
16‧‧‧保護膜
[第1圖]係說明本發明的沈積罩幕的一實施例的剖面圖；[第2圖]係說明本發明的沈積罩幕的另一實施例的剖面圖；[第3圖]係說明使用本發明的沈積罩幕時的位置關係圖；[第4圖]係說明本發明的沈積罩幕的製造方法的流程圖； [第5A圖]係製造本發明的有機EL顯示裝置時在沈積之際的說明圖；以及[第5B圖]係顯示本發明的有機EL顯示裝置的製造方法的一實施例的製造步驟的剖面說明圖。
其次，一邊參照圖面，一邊說明本發明的沈積罩幕及其製造方法。第1圖顯示本發明的沈積罩幕的一實施例的部分剖面的說明圖，第2圖顯示本發明的沈積罩幕的另一實施例的部分剖面的說明圖，然後第3圖顯示說明使用本發明的沈積罩幕時的位置關係圖。又，第1及2圖只顯示關於1個開口部與其周圍的部分，又第3圖只顯示2個開口部與其周圍的部分，但實際上，通常具有符合例如至少1個有機EL顯示裝置的畫素數(包含RGB的子畫素數)的多數開口部，但依狀況統一形成複數個。
根據本實施例的沈積罩幕1，如第1圖所示，樹脂膜2相對沈積源7側的面的至少一部分形成低輻射率膜5。
又根據另一實施例的沈積罩幕1，如第2及3圖所示，樹脂膜2相對沈積源7側的面的至少一部分形成低輻射率膜5，還有樹脂膜2與沈積基板8相接的面上形成高輻射率膜6。
在此，如第1~3圖所示，本發明的一實施例中，樹脂膜2相對沈積源7側的面上，可以設置金屬支撐層3，還有另一實施例中，雖然第1~3圖未顯示，但樹脂膜2與低輻射率膜5及/或高輻射率膜6之間可以備置密合層。金屬支撐層3，設置用以或是防止樹脂膜2的彎曲或是補充強度。又，密合層係提高樹脂膜2與低輻射率膜5及/或高輻射率膜6的密合性。設置金屬支撐層3時，金屬支撐層3也在相對其沈積源7的面上，可以備置低輻射率 膜5，金屬支撐層3本身比樹脂膜2輻射率小的情況下，低輻射率膜5只在樹脂膜2上形成也沒問題。金屬支撐層3的輻射率比低輻射率膜5的輻射率小的情況下，金屬支撐層3最好不設置低輻射率膜5。
作為樹脂膜2，最好與沈積基板8之間的線膨脹係數差小，但不特別限定。例如，可以使用聚醯亞胺(PI)樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂、甲酸乙二醇酯(PET)樹脂、環烯烴聚合體(COP)樹脂、環烯烴共聚合體(COC)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醯胺(polyamide)樹脂、聚醯胺-亞醯胺(polyamide-imide)樹脂、聚酯(polyester)樹脂、聚乙烯(polyethylene)樹脂、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)樹脂、聚丙烯(polypropylene)樹脂、聚苯乙烯(polystyrene)樹脂、聚丙烯腈(polyacrylonitrile)樹脂、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer)樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物(ethylene vinylalcohol copolymer)樹脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(ethylene methacrylic acid copolymer)樹脂、聚氯乙烯(polyvinyl chloride)樹脂、聚二氯亞乙烯(polyvinylidene chloride)樹脂、玻璃紙(cellophane)、離子聚合物(ionomer)樹脂等。聚醯亞胺(PI)樹脂，塗佈前驅體溶液(PRECURSOR SOLUTION)，進行加熱處理，形成樹脂膜時，根據其加熱處理之際升溫的概況圖等的條件，因為可以調整線膨脹係數，是理想的，但不限定於此。樹脂膜2的厚度是數μm(微米)~數十μm左右，例如形成5μm以上10μm以下左右。
作為金屬支撐層3，使用例如鐵、不銹鋼、鎳鐵合金(invar)、鎳等的5μm(微米)以上30μm以下左右的厚度的金屬材料。磁性體的話，最好在固定至沈積基板8之際可以以磁力黏合。不過，支撐框架中使用磁性體的話，此金屬支撐層3沒有必要特別是磁性體。又，因為幾乎沒有因熱引起的膨脹，使用鎳鐵合金更理想。
低輻射率膜5，只要不是具有比樹脂膜2小的輻射率，就不特別限定。例如有機EL顯示裝置的製造在沈積有機材料9中，通常沈積機內的沈積罩幕1的溫度約在22℃以上60℃以下的範圍。此溫度範圍內的紅外線的峰值波長，根據韋恩位移定律(Wien's displacement law)8700nm(毫微米)以上9800nm以下，8700nm以上9800nm以下的波長區中的樹脂膜2的輻射率，大約0.8以上0.95以下左右，低輻射率膜5，在22℃以上60℃以下、波長區8700nm以上9800nm以下的輻射率理想是0.3以下，0.1以下更想理。根據如此的觀點來看，低輻射率膜5，最好是具有以Al、Ni、Cr、Mo、Cu或Ti形成大致鏡面的膜。因為輻射率受表面狀態影響，即使以Al、Ni、Cr、Mo、Cu或Ti等形成，表面粗糙度大的情況下，有可能成為比樹脂膜2的輻射率小的輻射率的膜。因此，由於低輻射率膜5的表面大致為鏡面，可以更有效發揮本發明的效果。膜的表面粗糙度，也以低輻射率膜5的成膜方法改變，以濺鍍法等形成，得到接近鏡面的表面。
又，使有機材料9在沈積基板8上沈積之際，有機材料9也必然附著堆積在低輻射率膜5上。不過，有機材料9的沈澱厚度到1μm左右為止的話，對低輻射率膜5的輻射率幾乎不影響。根據1次沈積堆積的有機材料的厚度是數nm~數十nm左右，又，使用相同沈積罩幕1進行重複沈積有機材料之際，通常以某程度的周期進行沈積罩幕1的洗淨。因此，沈積罩幕1上沈澱的有機材料9引起的沈積罩幕的輻射率變化不成問題。洗淨如此的沈積罩幕1，一般使用環己酮(Cyclohexznone)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙醇(ethanol)、異丙醇(isopropyl alcohol)、丙酮(acetone)、乙醇胺(monoethanolamine)、二甲亞碸(dimethylsulfoxide)等的有機溶劑。因此，對低輻射率膜5也要求耐洗淨性(耐溶劑性)、耐久性。根據如此的點或材料成 本、容易製膜的觀點來看，低輻射率膜5在上述材料中，也最好以Al、Ni或Ti形成。
低輻射率膜5的厚度，根據充分發揮反射效果的點來看，理想是0.3μm以上，0.5μm以上更理想。根據抑制沈積罩幕1的全體厚度的點來看，理想是3μm以下，2μm以下更理想。
高輻射率膜6，只要具有比設置低輻射率膜5的樹脂膜2與沈積基板8相接的面的輻射率大的輻射率，就不特別限定。如上述，樹脂膜2本身的輻射率，一般大約0.8以上0.95以下，樹脂膜2相對沈積源7側的面上形成低輻射率膜5，相接沈積基板8的面的輻射率變小。其值，也根據低輻射率膜5的材料、上述金屬支撐層3的有無變化，但例如5μm的聚醯亞胺(polyimide)膜上沈積鋁等的金屬時，聚醯亞胺面的輻射率，在溫度22℃以上60℃以下，波長區8700nm以上9800nm以下，大約成為0.42左右。因此，高輻射率膜6在溫度22℃以上60℃以下，波長區8700nm以上9800nm以下的輻射率，理想是0.5以上，0.7以上更理想。根據如此的觀點來看，高輻射率膜6以Al2O3、AlTiN、CrO2、Cr2O3、MoO2、MoO3、SiC或石墨(graphite)形成，表面粗糙度最好是均方根高度0.1μm以上3.0μm以下的膜。因為輻射率受表面狀態影響，以Al2O3、AlTiN、CrO2、Cr2O3、MoO2、MoO3、SiC或石墨(graphite)形成，表面粗糙度小時，因為有可能不能成為比樹脂膜2的輻射率大的輻射率的膜，其表面，理想是形成表面粗糙度在均方根高度0.1μm以上的膜，形成0.3μm以上的膜更理想。又，根據膜厚的點來看，高輻射率膜6的表面理想是形成表面粗糙度在均方根高度3.0μm以下的膜，形成1.0μm以下的膜更理想。膜的表面粗糙度，也根據高輻射率膜6的成膜方法改變，藉由以冷噴塗(cold spray)法等形成，容易得到粗糙的表面。又，成膜後以氬(argon)產生的濺鍍蝕刻、離子打薄(ion milling)進行粗面化處理。
高輻射率膜6的厚度，根據充分發揮輻射效果的點來看，理想是3μm以上，0.5μm以上更理想。根據抑制沈積罩幕1全體的厚度的點來看，理想是3.0μm以下，2.0μm以下更理想。
本發明中關於低輻射率膜5、高輻射率膜6有可能使用的材料，表1中大致歸納顯示在溫度22℃以上60℃以下，波長區8700nm以上9800nm以下之其輻射率的值。
密合層，如上述，使樹脂膜2與低輻射率膜5、高輻射率膜6的密合性提高，防止低輻射率膜5、高輻射率膜6的剝離，為了提高耐久性而設置。藉由設置密合層，因為其上設置的膜表面容易變得平滑，密合層最好設置在低輻射率膜5與樹脂膜2之間。另一方面，設置在高輻射率膜6與樹脂膜2之間時，形成高輻射率膜6前密合層的表面最好以氬(argon)等的濺鍍蝕刻、離子打薄(ion milling)等敲擊，設置凹凸。密合層，經由特別以濺鍍等的方 法形成，提高與樹脂膜2間的密合性。由於高輻射率膜6側特別與樹脂膜2密合，樹脂膜2的熱容易傳達至高輻射率膜6，根據散熱觀點來看是理想的。
作為密合層的材料，例如Ti、Cr或Mo等，從密合性的點來看最好是Ti。
又，第1圖及之後的圖中，因為也誇張顯示開口部4形成錐形，開口部4的大小(成為沈積基板8的徑)變小，理應開口部4的徑與開口部4間的距離成為本來大約相同的尺寸。開口部4形成錐狀的理由，因為從沈積源7放射的有機材料9以沈積源7的坩堝形狀決定的一定角度的剖面形狀成為扇形的沈積束，為的是其束的側源的沈積粒子不被阻擋，到達沈積基板8的所希望的場所。圖所示的任一例，為了更確實消去其阻斷，形成2段樹脂膜2的開口部4。此2段的形成，作為用於樹脂膜2的開口的雷射用罩幕，藉由使用開口的大小不同的2種類的雷射用罩幕，更換進行雷射照射而得到。又，錐形，藉由在雷射用罩幕的開口部的中心部與周圍部使雷射光的透過率不同而得到。關於金屬支撐層3，也可以根據需要以同樣的理由形成其開口部為錐狀。
其次，一邊參照第1及4圖，一邊說明本發明的沈積罩幕1的製造方法。根據第4圖的流程圖所示的S1步驟，成為之前步驟的樹脂膜2的製造方法、包含具有製作備置金屬支撐層3的所謂混合沈積罩幕1時的開口之金屬支撐層3與樹脂膜2的層壓體的製造方法，因為可以以眾所周知的各種方法進行，第4圖主要從擴展固定樹脂膜2至支撐框架(未圖示)的步驟開始說明。本發明的沈積罩幕1的製造方法，只要在擴展構成沈積罩幕1的樹脂膜2，固定至支撐框架後，進行低輻射率膜5的形成的話，不特別限定。低輻射率膜5的形成，在擴展樹脂膜2固定至支撐框架後進行，係為了在擴展之際防止裂縫進入低輻射率膜5。
首先，第4圖的S1步驟中，擴展樹脂膜2固定至支撐框架。在此之際，固定的樹脂膜2中，設置金屬支撐層3也可以。此樹脂膜2的擴展，係因當樹脂膜2中一有鬆弛，形成開口部4時開口部4的大小變得不正確，會影響沈積步驟中的精度而進行。支撐框架(frame)，例如施加張力(tension)時，要求能夠耐住其張力的剛性，使用厚度5mm以上50mm以下的金屬板。此支撐框架，有金屬支撐層3時，在擴展狀態下與金屬支撐層3以雷射熔接等固定。沒有金屬支撐層3時，以直接接合劑接合至樹脂膜2也可以。在此情況下，沈積時，使用不產生氣體的接合劑。例如，作為接合劑，最好是像環氧樹脂完全硬化型的接合劑。此支撐框架只要是具有磁性的金屬板，即使沒有金屬支撐層3，使用磁性體也容易固定至沈積基板8。擴展樹脂膜2的方法，可以使用眾所周知的方法。
其次，第4圖的S2步驟中，樹脂膜2中形成開口部4圖案。對樹脂膜的開口，可以以沈積罩幕的製造領域中通常的方法進行。例如，固定至支撐框架的樹脂膜2固定至加工台上，使用開口部4圖案用製作的雷射用罩幕，以雷射照射可以在樹脂膜2上形成開口部4。在此之際，如上述，樹脂膜2的開口部4可以成為2階段，還有開口部4也可以成為錐狀。
其次，第4圖的S3步驟中，藉由形成低輻射率膜5可以得到本發明的沈積罩幕1。低輻射率膜5的形成最好是對樹脂膜2的開口部4形成後進行。這是因為只要形成開口部4後，樹脂膜2的錐形中形成的開口部4的側面(傾斜面)4a及像第1圖即使樹脂膜2的開口部4有差距的情況下其差距與沈積源相對的面4b上可以形成低輻射率膜5。不過，由於低輻射率膜5是非常薄的膜，可以以雷射光對樹脂膜2開孔。步驟S2與S3相反也可以。
又，如第2圖所示形成高輻射率膜6時，不特別限定其形成的時機。例如，樹脂膜2中執行開口前即使形成高輻射率膜6的情況下，根據高輻射 率膜6的厚度，隨著樹脂膜2圖案化，也可以同時設置開口部4。在此情況下，成為高輻射率膜6的箔或膜上塗佈液狀樹脂材料也能夠形成樹脂膜2。又，高輻射率膜6，在對樹脂膜2開口後低輻射率膜5形成前形成也可以，在對樹脂膜2開口後低輻射率膜5形成後形成也可以。考慮對支撐框架的固定化引起的裂紋等的影響的話，高輻射率膜6也與低輻射率膜5相同，最好擴展構成沈積罩幕1的樹脂膜2固定至支撐框架後形成。考慮對樹脂膜2的開口部4的圖案化精度的話，高輻射率膜6最好在樹脂膜2開口後形成。又，考慮對低輻射率膜5的影響的話，高輻射率膜6最好在形成低輻射率膜5前形成。
作為低輻射率膜5的形成方法，只要是得到平滑的表面狀態，例如大致鏡面的方法，就不特別限定，可以採用濺鍍法、真空沈積法、離子鍍(ion plating)法、CVD(化學氣相沈積)法、亮光電鍍(bright plating)法及塗佈法中的任一方法。根據密合性的觀點來看，濺鍍法、離子鍍(ion plating)法更理想。又，低輻射率膜5的形成，如上述，最好在擴展樹脂膜2固定至支撐框架後進行。為了擴展之際防止裂縫進入低輻射率膜5。又，形成低輻射率膜5之際，如上述最好在樹脂膜2與低輻射率膜5之間設置密合層。密合層，提高樹脂膜2與低輻射率膜5間的密合性，防止低輻射率膜5的剝離，提高耐久性。不特別限定密合層的形成方法，可以使用濺鍍法、真空沈積法、離子鍍(ion plating)法等。
作為高輻射率膜6的形成方法，不特別限定，可以使用濺鍍法、真空沈積法、CVD(化學氣相沈積)法、冷噴塗(cold spray)法、電鍍法及塗佈法中的任一方法。根據密合性的觀點來看，最好是濺鍍法，但根據表面粗糙度的點來看，最好是冷噴塗法。為了滿足兩者，如上述，最好未圖示的密合層以濺鍍法形成，之後以冷噴塗法形成高輻射率膜6。關於表面粗糙度，形成高輻射率膜6之前，樹脂膜2或密合層以氬的濺鍍蝕刻、離子打薄等敲 擊，也可以進行表面的粗化處理，達成所希望的表面粗糙度。又，以濺鍍法等成膜後，藉由氬產生的濺鍍蝕刻、離子打薄等，進行粗面化處理也可以。根據濺鍍蝕刻等的表面處理，也可以提高樹脂膜2與高輻射率膜6的密合性，根據此點來看也是有益的。
又，說明關於上述本發明的沈積罩幕，只要不特別矛盾，關於上述本發明的沈積罩幕的製造方法也同樣適用，又關於上述本發明的沈積罩幕的製造方法的說明，也同樣適用於上述本發明的沈積罩幕。
其次，說明使用本發明的沈積罩幕1製造有機EL顯示裝置的方法。沈積罩幕1以外的製造方法，因為可以以眾所周知的方法執行，以使用沈積罩幕1的有機層的層壓方法為主，一邊參照第5A~5B圖，一邊說明。
本發明的有機EL顯示裝置的製造方法，使未圖示的支撐基板上形成未圖示的TFT、平坦化膜及第1電極(例如陽極)12的裝置基板11上以上述方法製造的沈積罩幕1位置相合互疊，經由沈積有機材料9，形成有機層的層壓膜14。於是，層壓膜14上形成第2電層15(陰極)。藉由具體例，更加詳述。
裝置基板11，雖未圖示，但例如玻璃板等的支撐基板上，各畫素的每一RGB子畫素形成TFT等的開關元件，連接其開關元件的第1電極12，在平坦化膜上，以Ag或APC等的金屬膜與ITO膜的組合形成。子畫素之間，如第5A~5B圖所示，形成分開子畫素間的SiO2或塑膠等構成的絕緣堤部13。如此的裝置基板11的絕緣堤部13上，上述沈積罩幕1位置相合固定。此固定，一般而言，藉由例如裝置基板的相反側上設置的磁性體等，以吸附固定。
此狀態中，如第5A圖所示，沈積裝置內從沈積材料源(坩鍋)7放射有機材料9，只有在沈積罩幕1的開口部分沈積有機材料9，所希望的子畫素 的第1電極12上形成有機層的層壓膜14。如上述，因為沈積罩幕1的開口部4形成得比絕緣堤部13的表面的間隔小，絕緣堤部13的側壁上變得難以堆積有機材料9。結果，如第5A~5B圖所示，大致只有第1電極12上堆積有機層的層壓膜14。此沈積步驟，依序交換沈積罩幕1，對各子畫素進行。也有可能對複數的子畫素使用同時沈積相同的材料的沈積罩幕。
第5A~5B圖中，有機層的層壓膜14簡單以1層顯示，但實際上，有機層的層壓膜14，以不同材料構成的複數層的層壓膜形成。例如，作為連接至陽極12的層，有時會設置使電洞的注入性提高的離子化能量的整合性佳的材料構成的電洞注入層。在此電洞注入層上，提高電洞的穩定輸入的同時，可限制(能量障壁)往發光層的電子之電洞輸送層，例如以胺系材料形成。又，其上根據發光波長選擇的發光層，例如對紅色、綠色，在Alq3中摻雜紅色或綠色的有機物螢光材料而形成。又，作為藍色系的材料，使用DSA系的有機材料。發光層上，更提高電子的注入性的同時，穩定輸送電子的電子輸送層，以Alq3等形成。這些各層分別數十nm左右層壓，形成有機層的層壓膜14。又，此有機層與金屬電極之間也常設置提高LiF或Liq等的電子注入性的電子注入層。
有機層的層壓膜14中，發光層，係堆積根據RGB的各色的材料的有機層。又，電洞輸送層、電子輸送層等，重視發光性能的話，最好分別以適於發光層的材料堆積。不過，考慮材料的成本面，有時也RGB的2色或3色共同以相同的材料層壓。層壓2色以上的子畫素共同的材料時，形成共同的子畫素中形成開口的沈積罩幕。各個子畫素中沈積層不同時，例如R的子畫素中使用1個沈積罩幕1，可以連續沈積各有機層，且堆積RGB共通的有機層時，直到其共同層的下側為止，形成各子畫素的有機層的沈積， 共同的有機層之處，使用RGB中形成開口的沈積罩幕，一次形成全畫素的有機層的沈積。
於是，全部的有機層的層壓膜14及LiF層等的電子注入層形成結束後，除去沈積罩幕1，全面形成第2電極(例如陰極)15。第5B圖所示的範例，是頂部發射型，因為是從上側發出光的方式，第2電極15是透光性的材料，例如，以薄膜的Mg-Ag共晶膜形成。其他能夠使用Al等。又，從裝置基板11側放射光的的底部放射型時，第1電極12中使用ITO、In3O4等，作為第2電極，能夠使用工作函數小的金屬，例如Al之外Mg、K、Li等。此第2電極15的表面上，例如形成Si3N4等構成的保護膜16。又，此全體，以未圖示的玻璃、樹脂膜等構成的密封層密封，以免構成有機層的層壓膜14吸收水分。又，有機層儘量共同化，其表面側也可以形成設置濾色器的構造。
可以重複使用此沈積罩幕1。沈積罩幕1相對沈積源7的面上層壓有機材料9，堆積的有機材料9的厚度是3μm的話，幾乎不影響低輻射率膜5的輻射率。又，使用相同的沈積罩幕1重複執行有機材料9的沈積時，累積的膜從罩幕脫落，為了防止成為粒子，累積層壓膜厚大約1.0μm以上3.0μm以下的時機最好進行洗淨。
沈積罩幕1的洗淨，如上述根據通常的方法，例如可以使用有機溶劑進行。
1‧‧‧沈積罩幕
2‧‧‧樹脂膜
3‧‧‧金屬支撐層
4‧‧‧開口部
4a‧‧‧開口部4的側面(傾斜面)
4b‧‧‧開口部4的差距與沈積源相對的面
5‧‧‧低輻射率膜

Claims (13)

  1. 一種沈積罩幕，包括：樹脂膜，具有在沈積基板上經由沈積用以成膜形成薄膜圖案的開口部圖案；其中，輻射率比上述樹脂膜小的低輻射率膜，在上述樹脂膜相對沈積源的面的至少一部分上形成，又，與上述沈積基板相接的上述樹脂膜的面上，形成輻射率比上述樹脂膜的面的輻射率大的高輻射率膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的沈積罩幕，其中，上述樹脂膜與上述低輻射率膜及/或上述高輻射率膜之間，包括使上述樹脂膜與上述低輻射率膜及/或上述高輻射率膜間的密合性提高的密合層。
  3. 如申請專利範圍第1或2項中任一項所述的沈積罩幕，其中，上述低輻射率膜在22℃以上60℃以下、波長區8700nm以上9800nm以下的輻射率是0.3以下。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的沈積罩幕，其中，上述低輻射率膜，是具有以Al、Ni、Cr、Mo、Cu或Ti形成大致鏡面的膜。
  5. 如申請專利範圍第1或2項中任一項所述的沈積罩幕，其中，上述高輻射率膜在22℃以上60℃以下、波長區8700nm以上9800nm以下的輻射率以0.5以上的材料構成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的沈積罩幕，其中，上述高輻射率膜以Al2O3、AlTiN、CrO2、Cr2O3、MoO2、MoO3、SiC或石墨形成，表面粗糙度是均方根高度0.1μm以上3.0μm以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項中任一項所述的沈積罩幕，其中，上述樹脂膜在設置上述低輻射率膜側的上述樹脂膜的面的一部分備置金屬支撐層。
  8. 一種沈積罩幕的製造方法，沈積罩幕係包含具有開口部圖案的樹脂膜，用以沈積沈積材料的罩幕，並且與沈積源相對側的面的至少一部分具有比上述樹脂膜輻射率小的低輻射率膜，其中，低輻射率膜形成步驟，擴展上述樹脂膜固定至支撐框架後，進行上述低輻射率膜的形成，固定上述樹脂膜至上述支撐框架後，上述低輻射率膜形成前或上述低輻射率膜形成後，上述樹脂膜與上述沈積源相對側的反對側的面上形成高輻射率膜，輻射率比設置上述低輻射率膜時的上述面的輻射率大。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，固定上述樹脂膜至上述支撐框架前，上述樹脂膜的上述低輻射率膜形成側的面上密合金屬支撐層。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，上述低輻射率膜及/或上述高輻射率膜形成前，根據從濺鍍法及離子鍍法中選擇的至少1方法形成使上述樹脂膜與上述低輻射率膜及/或上述高輻射率膜間的密合性提高的密合層。
  11. 如申請專利範圍第8或9項中任一項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，上述低輻射率膜的形成，係根據從濺鍍法、真空沈積法、離子鍍(ion plating)法、CVD(化學氣相沈積)法、亮光電鍍(bright plating)法及塗佈法中選擇的至少一方法執行。
  12. 如申請專利範圍第8或9項所述的沈積罩幕的製造方法，其中，上述高輻射率膜的形成，係根據從濺鍍法、真空沈積法、CVD(化學氣相沈積)法、冷噴塗(cold spray)法、電鍍法及塗佈法中的至少一方法執行。
  13. 一種有機EL顯示裝置的製造方法，係在裝置基板上層壓有機層製造有機EL顯示裝置，包括下列步驟： 互相重疊沈積罩幕步驟，在支撐基板上至少形成TFT及第1電極的上述裝置基板上，位置相合互相重疊申請專利範圍第1~7項中任一項所述的沈積罩幕，形成有機層的層壓膜步驟，在上述第1電極上沈積有機材料，形成有機層的層壓膜；以及形成第2電層步驟，在上述層壓膜上形成第2電極。
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