CN108699670B - 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机el显示设备的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机el显示设备的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供抑制蒸镀时的蒸镀基板与蒸镀掩模的开口部的排列之间的位置错开，能够执行高精细的图案化之蒸镀掩模及其制造方法。蒸镀掩模(1)包含树脂膜(2)，具有在蒸镀基板上用以由蒸镀成膜形成薄膜图案的开口部(4)的图案，其蒸镀掩模(1)，包括比树脂膜(2)辐射率小的低辐射率膜(5)，在树脂膜(2)相对蒸镀源的面的至少一部分，抑制来自蒸镀源的辐射热引起的树脂膜(2)的温度上升。

Description

蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机EL显示设备的制造 方法
技术领域
本发明系关于蒸镀有机EL显示设备的有机层时使用的蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机EL显示设备的制造方法。更详细说来，是关于可以抑制蒸镀时的蒸镀掩模的温度上升的蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及使用其蒸镀掩模的有机EL显示设备的制造方法。
背景技术
制造有机EL显示设备时，例如在支撑基板上形成TFT等的开关组件的装置基板上有机层对应每一像素层叠。因此，装置基板上配置蒸镀掩模，通过其蒸镀掩模蒸镀有机材料，只有必要的像素上层叠必要的有机层。作为其蒸镀掩模，使用习知的金属掩模，但近年来，为了形成更精细的掩模开口部的图案，倾向于取代金属掩模使用树脂膜作为掩模材料。
另一方面，蒸镀掩模使从蒸镀源挥发的有机材料通过其开口部附着至蒸镀基板，因为此蒸镀使用的蒸镀源的坩锅使蒸镀材料的有机材料挥发，高温加热。因此，由于来自蒸镀源的辐射热，蒸镀掩模的温度上升，蒸镀掩模材料产生热膨胀，蒸镀罩产生变形。这样的蒸镀掩模变形，成为蒸镀掩模的开口图案的位置错开，给位置精度、开口尺寸带来坏影响，形成有机EL显示设备时，显示成色下降。
为了防止起因于如此的热引起的变形之位置错开，例如习知的金属掩模，揭示掩模材料中使用镍铁合金(invar)等的热膨胀率小，几乎不因热而膨胀的材料(专利文献1)。另外，揭示蒸镀掩模与蒸镀源之间设置热屏障材，吸收来自蒸镀源的辐射，往外部散热，抑制蒸镀掩模的温度上升(专利文献2)。
另外，使用树脂膜作为掩模材料时，一般任何树脂相较于镍铁合金热膨胀率较大，因材料选择，难以解决此问题。而且，蒸镀源像线性源在成膜中移动时，掩模内温度分布随着蒸镀源的移动变化，开口位置也追随位移，因此蒸镀的膜的尺寸，比蒸镀掩模的开口尺寸更增大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2004-323888号公报
专利文献2：特开2015-140464号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
如上所述，使用几乎不因热而膨胀的镍铁合金之金属掩模，可以抑制热膨胀引起的影响至最小限度，但更细微的蒸镀图案的形成有限度，有不能使用的问题。
另外，如专利文献2使用热屏障材作为其他构件，使用时，不只是蒸镀基板与蒸镀掩模之间的位置对准，与热屏障材之间的位置对准也是必要的，具有制造步骤变成繁琐的问题。
于是，本发明是用以解决如此的问题而形成，其目的在于提供蒸镀时可以抑制温度的上升的包含树脂膜的蒸镀掩模及其制造方法。
本发明的其他目的在于使用上述制造方法形成的蒸镀掩模，提供显示成色优异的有机EL显示设备的制造方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明者们，为了得到在蒸镀时抑制温度上升的蒸镀掩模，重复专心检讨。其结果，发现蒸镀掩模的树脂膜与蒸镀源相对的面上，设置辐射率比其树脂膜小的层，阻断来自蒸镀源的辐射热，即减少从蒸镀源往蒸镀掩模热输入，可以简单抑制蒸镀掩模的温度上升。进一步也发现，与蒸镀掩模的树脂膜的蒸镀基板抵接的面上，通过设置辐射率比其树脂膜大的层，散热蒸镀掩模的热至玻璃基板等的蒸镀基板，有助于抑制蒸镀掩模的温度上升。
本发明的蒸镀掩模是包含具有在蒸镀基板上通过蒸镀用以成膜形成薄膜图案的开口部图案的树脂膜之蒸镀掩模，其特征在于，辐射率比上述树脂膜小的低辐射率膜，在上述树脂膜相对蒸镀源的面的至少一部分上形成。
本发明的蒸镀掩模的制造方法是包含具有开口部图案的树脂膜，用以蒸镀蒸镀材料的掩模，并且与蒸镀源相对侧的面的至少一部分具有辐射率比上述树脂膜小的低辐射率膜之蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，上述低辐射率膜的形成是在扩展上述树脂膜固定至支撑框架后进行。
本发明的有机EL显示设备的制造方法是在装置基板上层叠有机层制造有机EL显示设备的方法，其特征在于，在支撑基板上至少形成TFT及第一电极的上述装置基板上，位置对准而重叠根据本发明的蒸镀掩模，在上述第一电极上蒸镀有机材料，形成有机层的层叠膜，然后在上述层叠膜上形成第二电极。
有益效果
根据本发明的蒸镀掩模，形成树脂膜的开口部图案时，因为可以由低辐射膜反射来自蒸镀源的辐射热，抑制蒸镀掩模本身的温度上升。因此，蒸镀有机材料时，可以防止产生开口位置的位移、开口尺寸的变化，结果形成高精度的蒸镀膜。
另外，根据本发明的蒸镀掩模的制造方法，扩展构成蒸镀掩模的树脂膜固定至支撑框架后，因为树脂膜与蒸镀源相对侧的面的至少一部分形成低辐射率膜，没有低辐射率膜的裂纹、剥离等的危险，结果可以得到有效抑制有机材料蒸镀时温度上升引起的尺寸变化的蒸镀掩模。
另外，根据本发明的有机EL显示设备的制造方法，因为使用抑制蒸镀时的热膨胀，且不易产生开口位置的位移、开口尺寸的变化之蒸镀掩模，蒸镀有机层，所以即使高精密的像素图案也非常精密形成各像素的有机层，结果可以得到显示成色非常优异的有机EL显示设备。
附图说明
图1是说明本发明的蒸镀掩模的一实施例的剖面图。
图2是说明本发明的蒸镀掩模的另一实施例的剖面图。
图3是说明使用本发明的蒸镀掩模时的位置关系图。
图4是说明本发明的蒸镀掩模的制造方法的流程图。
图5A是制造本发明的有机EL显示设备时在蒸镀时的说明图。
图5B是显示本发明的有机EL显示设备的制造方法的一实施例的制造步骤的剖面说明图。
具体实施方式
其次，一边参照图面，一边说明本发明的蒸镀掩模及其制造方法。图1是示出本发明的蒸镀掩模的一实施例的部分剖面的说明图，图2是示出本发明的蒸镀掩模的另一实施例的部分剖面的说明图，然后图3是示出说明使用本发明的蒸镀掩模时的位置关系图。此外，图1及图2只说示出关于一个开口部与其周围的部分，另外图3只示出两个开口部与其周围的部分，但实际上，通常具有符合例如至少一个有机EL显示设备的像素数量(包含RGB的子像素数量)的多个开口部，但根据状况统一形成多个。
根据本实施例的蒸镀掩模1，如图1所示，树脂膜2相对蒸镀源7侧的面的至少一部分形成低辐射率膜5。
另外，根据另一实施例的蒸镀掩模1，如图2及图3所示，树脂膜2相对蒸镀源7侧的面的至少一部分形成低辐射率膜5，进一步树脂膜2与蒸镀基板8相接的面上形成高辐射率膜6。
在此，如图1至图3图所示，本发明的一实施例中，树脂膜2相对蒸镀源7侧的面上，可以设置金属支撑层3，进一步另一实施例中，虽然图1至图3图中未示出，但树脂膜2与低辐射率膜5及/或高辐射率膜6之间也可以具备密合层。金属支撑层3为用以或是防止树脂膜2的弯曲或是补充强度而设置的结构。另外，密合层是提高树脂膜2与低辐射率膜5及/或高辐射率膜6的密合性。设置金属支撑层3时，金属支撑层3也在相对其蒸镀源7的面上，可以包括低辐射率膜5，但是金属支撑层3本身比树脂膜2辐射率小的情况下，低辐射率膜5只在树脂膜2上形成也没问题。金属支撑层3的辐射率比低辐射率膜5的辐射率小的情况下，金属支撑层3优选不设置低辐射率膜5。
作为树脂膜2，优选与蒸镀基板8之间的线膨胀系数差小，但不特别限定。例如，可以使用聚酰亚胺(PI)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、环烯烃聚合体(COP)树脂、环烯烃类共聚物(COC)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚酰胺(polyamide)树脂、聚酰胺-亚酰胺(polyamide-imide)树脂、聚酯(polyester)树脂、聚乙烯(polyethylene)树脂、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)树脂、聚丙烯(polypropylene)树脂、聚苯乙烯(polystyrene)树脂、聚丙烯腈(polyacrylonitrile)树脂、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer)树脂、乙烯-乙烯醇共聚物(ethylenevinylalcohol copolymer)树脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(ethylene methacrylic acidcopolymer)树脂、聚氯乙烯(polyvinyl chloride)树脂、聚二氯亚乙烯(polyvinylidenechloride)树脂、玻璃纸(cellophane)、离子聚合物(ionomer)树脂等。聚酰亚胺(PI)树脂，涂布前驱体溶液(PRECURSOR SOLUTION)，进行加热处理，形成树脂膜时，根据其加热处理时升温的概况图等的条件，因为可以调整线膨胀系数，是理想的，但不限定于此。树脂膜2的厚度是数μm(微米)～数十μm左右，例如形成5μm以上10μm以下左右。
作为金属支撑层3，使用例如铁、不锈钢、镍铁合金(invar)、镍等的5μm(微米)以上30μm以下左右的厚度的金属材料。只要磁性体，优选在固定至蒸镀基板8时可以以磁力粘合。不过，支撑框架中使用磁性体的话，该金属支撑层3没有必要特别是磁性体。另外，因为几乎没有因热引起的膨胀，更优选为使用镍铁合金。
低辐射率膜5只要是具有比树脂膜2小的辐射率，就没有特别限定。例如在有机EL显示设备的制造中的有机材料9的蒸镀中，通常蒸镀机内的蒸镀掩模1的温度约在22℃以上60℃以下的范围。该温度范围内的红外线的峰值波长根据维恩位移定律(Wien'sdisplacement law)是8700nm(毫微米)以上9800nm以下，8700nm以上9800nm以下的波长区中的树脂膜2的辐射率为大约0.8以上0.95以下左右，低辐射率膜5为22℃以上60℃以下，波长区8700nm以上9800nm以下的辐射率优选为0.3以下，更优选为0.1以下。根据这样的观点来看，低辐射率膜5优选为具有以Al、Ni、Cr、Mo、Cu或Ti形成大致镜面的膜。因为辐射率受表面状态影响，即使以Al、Ni、Cr、Mo、Cu或Ti等形成，表面粗糙度大的情况下，有可能成为比树脂膜2的辐射率小的辐射率的膜。因此，由于低辐射率膜5的表面大致为镜面，可以更有效地发挥本发明的效果。膜的表面粗糙度也根据低辐射率膜5的成膜方法而改变，以溅镀法等形成，从而得到接近镜面的表面。
另外，使有机材料9在蒸镀基板8上蒸镀时，有机材料9也必然附着沉积在低辐射率膜5上。不过，只要有机材料9的沈淀厚度到1μm左右为止，对低辐射率膜5的辐射率几乎不影响。根据一次蒸镀沉积的有机材料的厚度是数nm～数十nm左右，另外，使用相同蒸镀掩模1进行重复蒸镀有机材料时，通常以某程度的周期来进行蒸镀掩模1的清洗。因此，因蒸镀掩模1上沈淀的有机材料9而引起的蒸镀掩模的辐射率的变化，不成问题。清洗这样的蒸镀掩模1时一般使用，环己酮(Cyclohexznone)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙醇(ethanol)、异丙醇(isopropyl alcohol)、丙酮(acetone)、乙醇胺(monoethanolamine)、二甲亚砜(dimethylsulfoxide)等的有机溶剂。因此，对低辐射率膜5也要求耐清洗性(耐溶剂性)、耐久性。从这样的方面或材料成本、容易制膜的观点来看，低辐射率膜5在上述材料中，也优选以Al、Ni或Ti形成。
低辐射率膜5的厚度从充分发挥反射效果的点来看，优选是0.3μm以上，更优选为0.5μm以上。从抑制蒸镀掩模1的整体厚度的点来看，优选为3μm以下，更优选为2μm以下。
高辐射率膜6只要具有比设置低辐射率膜5的树脂膜2与蒸镀基板8抵接的面的辐射率大的辐射率，就没有特别限定。如上所述，树脂膜2本身的辐射率是一般大约0.8以上0.95以下，在与树脂膜2相对蒸镀源7相对的一侧的面上形成低辐射率膜5，从而与蒸镀基板8抵接的面的辐射率变小。该值也根据低辐射率膜5的材料、上述金属支撑层3的有无而变化，但例如5μm的聚酰亚胺(polyimide)膜上蒸镀铝等的金属时，聚酰亚胺面的辐射率，在温度22℃以上60℃以下，波长区8700nm以上9800nm以下，大约成为0.42左右。因此，高辐射率膜6在温度22℃以上60℃以下，波长区8700nm以上9800nm以下的辐射率，优选为0.5以上，更优选为0.7以上。从这样的观点来看，高辐射率膜6以Al2O3、AlTiN、CrO2、Cr2O3、MoO2、MoO3、SiC或石墨(graphite)形成，表面粗糙度优选为均方根高度0.1μm以上3.0μm以下的膜。由于辐射率受表面状态影响，即便以Al2O3、AlTiN、CrO2、Cr2O3、MoO2、MoO3、SiC或石墨(graphite)形成，表面粗糙度小时，有可能不能成为比树脂膜2的辐射率大的辐射率的膜，因此其表面，优选为形成表面粗糙度在均方根高度0.1μm以上的膜，更优选为形成0.3μm以上的膜。另外，从膜厚的点来看，高辐射率膜6的表面优选为形成表面粗糙度在均方根高度3.0μm以下的膜，更优选为形成1.0μm以下的膜。膜的表面粗糙度，也根据高辐射率膜6的成膜方法而改变，通过以冷喷涂(cold spray)法等形成，容易得到粗糙的表面。另外，成膜后以氩(argon)产生的溅镀蚀刻、离子打薄(ion milling)进行粗面化处理。
高辐射率膜6的厚度，从充分发挥辐射效果的点来看，优选为3μm以上，更优选为0.5μm以上。从抑制蒸镀掩模1整体的厚度的点来看，优选为3.0μm以下，更优选为2.0μm以下。
本发明中关于低辐射率膜5、高辐射率膜6有可能使用的材料，表1中大致归纳显示在温度22℃以上60℃以下，波长区8700nm以上9800nm以下之其辐射率的值。
[表1]
表1样品的辐射率
Figure GDA0001757393980000081
Figure GDA0001757393980000091
如上所述，密合层为了使树脂膜2与低辐射率膜5、高辐射率膜6的密合性提高，防止低辐射率膜5、高辐射率膜6的剥离，提高耐久性而设置。通过设置密合层，其上设置的膜表面容易变得平滑，从而密合层优选设置在低辐射率膜5与树脂膜2之间。另一方面，设置在高辐射率膜6与树脂膜2之间时，形成高辐射率膜6前密合层的表面优选以氩(argon)等的溅镀蚀刻、离子打薄(ion milling)等敲击，设置凹凸。密合层特别是以溅镀等的方法形成，从而提高与树脂膜2间的密合性。高辐射率膜6侧特别与树脂膜2密合，从而树脂膜2的热容易传达至高辐射率膜6，从散热观点来看是优选的。
作为密合层的材料，例如Ti、Cr或Mo等，从密合性的点来看优选为Ti。
另外，图1及之后的图中，由于也夸张显示开口部4形成锥形，开口部4的大小(成为蒸镀基板8的径)变小，但是理应开口部4的径与开口部4间的距离成为本来大约相同的尺寸。开口部4形成锥状的理由为，由于从蒸镀源7放射的有机材料9以蒸镀源7的坩埚形状决定的一定角度的剖面形状成为扇形的蒸镀束，因此其束的侧缘的蒸镀粒子不被阻挡，到达蒸镀基板8的所希望的场所。图所示的任一例，为了更确实消去其阻断，形成两段树脂膜2的开口部4。该两段的形成作为用于树脂膜2的开口的激光用掩模，通过使用开口的大小不同的两种类的激光用掩模，更换进行激光照射而得到。另外，锥形，通过在激光用掩模的开口部的中心部与周围部使激光光的透过率不同而得到。关于金属支撑层3，也可以根据需要以同样的理由形成其开口部为锥状。
其次，一边参照图1及图4，一边说明本发明的蒸镀掩模1的制造方法。根据图4的流程图所示的S1步骤，成为之前步骤的树脂膜2的制造方法、包含具有制作包括金属支撑层3的所谓混合蒸镀掩模1时的开口之金属支撑层3与树脂膜2的层叠体的制造方法，因为可以以众所周知的各种方法进行，图4主要从扩展固定树脂膜2至支撑框架(未图示)的步骤开始说明。本发明的蒸镀掩模1的制造方法，只要在扩展构成蒸镀掩模1的树脂膜2，固定至支撑框架后，进行低辐射率膜5的形成的话，不特别限定。低辐射率膜5的形成在扩展树脂膜2固定至支撑框架后进行，是为了在扩展时防止裂缝进入低辐射率膜5。
首先，图4的S1步骤中，树脂膜2扩展而固定至支撑框架。这时，固定的树脂膜2中，也可以设置金属支撑层3。该树脂膜2的扩展是因为，若树脂膜2中一有松弛，则形成开口部4时开口部4的大小变得不正确，会影响蒸镀步骤中的精度而进行。支撑框架(frame)，例如施加张力(tension)时，要求能够耐住其张力的刚性，使用厚度5mm以上50mm以下的金属板。该支撑框架具有金属支撑层3时，在扩展状态下与金属支撑层3以激光焊接等固定。没有金属支撑层3时，也可以以直接接合剂接合至树脂膜2。在这种情况下，蒸镀时，使用不产生气体的接合剂。例如，作为接合剂，优选为像环氧树脂完全硬化型的接合剂。该支撑框架只要是具有磁性的金属板，即使没有金属支撑层3，使用磁性体也容易固定至蒸镀基板8。扩展树脂膜2的方法可以是使用众所周知的方法。
其次，图4的S2步骤中，树脂膜2中形成开口部4图案。对树脂膜的开口可以是以蒸镀掩模的制造领域中通常的方法来进行。例如，固定至支撑框架的树脂膜2固定至加工台上，使用开口部4图案用制作的激光用掩模，以激光照射可以在树脂膜2上形成开口部4。此时，如上所述，树脂膜2的开口部4可以成为两阶梯，还有开口部4也可以成为锥状。
其次，图4的S3步骤中，通过形成低辐射率膜5可以得到本发明的蒸镀掩模1。低辐射率膜5的形成优选为对树脂膜2的开口部4形成后进行。这是因为只要形成开口部4后，树脂膜2的锥形中形成的开口部4的侧面(倾斜面)4a及如图1所示的使树脂膜2的开口部4有高度差的情况下其高度差与蒸镀源相对的面4b上可以形成低辐射率膜5。不过，由于低辐射率膜5是非常薄的膜，可以以激光光对树脂膜2开孔，因此步骤S2也可以与S3相反。
另外，如图2所示形成高辐射率膜6时，不特别限定其形成的时机。例如，即使树脂膜2中执行开口前形成高辐射率膜6的情况下，根据高辐射率膜6的厚度，随着树脂膜2图案化，也可以同时设置开口部4。在这种情况下，成为高辐射率膜6的箔或膜上涂布液状树脂材料也能够形成树脂膜2。另外，高辐射率膜6也可以在对树脂膜2开口后且低辐射率膜5形成前形成，也可以在对树脂膜2开口后低辐射率膜5形成后形成。考虑对支撑框架的固定化引起的裂纹等的影响的话，高辐射率膜6也与低辐射率膜5相同，优选扩展构成蒸镀掩模1的树脂膜2固定至支撑框架后形成。考虑对树脂膜2的开口部4的图案化精度的话，高辐射率膜6优选在树脂膜2开口后形成。另外，考虑对低辐射率膜5的影响的话，高辐射率膜6优选在形成低辐射率膜5前形成。
作为低辐射率膜5的形成方法，只要是得到平滑的表面状态，例如大致镜面的方法，就不特别限定，可以采用溅镀法、真空蒸镀法、离子镀(ion plating)法、CVD(化学气相蒸镀)法、亮光电镀(bright plating)法及涂布法中的任一方法。从密合性的观点来看，更优选为溅镀法、离子镀(ion plating)法。另外，如上所述，低辐射率膜5的形成优选在扩展树脂膜2固定至支撑框架后进行。为了扩展时防止裂缝进入低辐射率膜5。另外，形成低辐射率膜5时，如上述优选在树脂膜2与低辐射率膜5之间设置密合层。密合层提高树脂膜2与低辐射率膜5间的密合性，且防止低辐射率膜5的剥离，提高耐久性。不特别限定密合层的形成方法，可以使用溅镀法、真空蒸镀法、离子镀(ion plating)法等。
作为高辐射率膜6的形成方法，不特别限定，可以使用溅镀法、真空蒸镀法、CVD(化学气相蒸镀)法、冷喷涂(cold spray)法、电镀法及涂布法中的任一方法。从密合性的观点来看，优选为溅镀法，但从表面粗糙度的点来看，优选为冷喷涂法。为了满足两者，如上所述，优选未图示的密合层以溅镀法形成，之后以冷喷涂法形成高辐射率膜6。关于表面粗糙度，形成高辐射率膜6之前，树脂膜2或密合层以氩的溅镀蚀刻、离子打薄等敲击，也可以进行表面的粗化处理，达成所希望的表面粗糙度。另外，以溅镀法等成膜后，也可以通过氩产生的溅镀蚀刻、离子打薄等，进行粗面化处理。根据溅镀蚀刻等的表面处理，也可以提高树脂膜2与高辐射率膜6的密合性，根据这点来看也是有益的。
另外，说明关于上述本发明的蒸镀掩模，只要不特别矛盾，关于上述本发明的蒸镀掩模的制造方法也同样适用，又关于上述本发明的蒸镀掩模的制造方法的说明，也同样适用于上述本发明的蒸镀掩模。
其次，说明使用本发明的蒸镀掩模1制造有机EL显示设备的方法。由于蒸镀掩模1以外的制造方法是可以以众所周知的方法执行，因此以使用蒸镀掩模1的有机层的层叠方法为主，一边参照图5A～5B，一边说明。
本发明的有机EL显示设备的制造方法，使未图标的支撑基板上形成未图示的TFT、平坦化膜及第一电极(例如阳极)12的装置基板11上以上述方法制造的蒸镀掩模1位置对准而重叠，通过蒸镀有机材料9，形成有机层的层叠膜14。于是，层叠膜14上形成第二电层15(阴极)。通过具体例，更加详述。
装置基板11虽未图示，但例如玻璃板等的支撑基板上，各像素的每一RGB子像素形成TFT等的开关组件，连接该开关组件的第一电极12，在平坦化膜上，以Ag或APC等的金属膜与ITO膜的组合形成。子像素之间，如如5A～5B所示，形成分开子像素间的SiO2或塑料等构成的绝缘堤部13。这样的装置基板11的绝缘堤部13上，在上述蒸镀掩模1对准固定。一般而言，该固定通过例如装置基板的相反侧上设置的磁性体等，以吸附固定。
这种状态中，如图5A所示，蒸镀装置内从蒸镀材料源(坩锅)7放射有机材料9，只有在蒸镀掩模1的开口部分蒸镀有机材料9，所希望的子像素的第一电极12上形成有机层的层叠膜14。如上所述，由于蒸镀掩模1的开口部4形成得比绝缘堤部13的表面的间隔小，因此绝缘堤部13的侧壁上变得难以沉积有机材料9。其结果，如图5A～5B所示，大致只有第一电极12上沉积有机层的层叠膜14。该蒸镀步骤依序交换蒸镀掩模1，对各子像素进行。也有可能对多个子像素同时使用，蒸镀相同的材料的蒸镀掩模。
图5A～5B中，有机层的层叠膜14简单以一层显示，但实际上，有机层的层叠膜14，以不同材料构成的多层的层叠膜形成。例如，作为连接至阳极12的层，有时会设置使正空穴的注入性提高的离子化能量的整合性佳的材料构成的正空穴注入层。在该正空穴注入层上，提高正空穴的稳定输入的同时，可限制(能量壁垒)往发光层的电子的正空穴输送层，例如以胺系材料形成。另外，其上根据发光波长选择的发光层，例如对红色、绿色，在Alq3中掺杂红色或绿色的有机物荧光材料而形成。另外，作为蓝色系的材料，使用DSA系的有机材料。发光层上，更提高电子的注入性的同时，稳定输送电子的电子输送层，以Alq3等形成。这些各层分别数十nm左右层叠，形成有机层的层叠膜14。另外，该有机层与金属电极之间也常设置提高LiF或Liq等的电子注入性的电子注入层。
有机层的层叠膜14中，发光层是沉积根据RGB的各色的材料的有机层。另外，正空穴输送层、电子输送层等，重视发光性能的话，优选分别以适于发光层的材料沉积。但是，考虑材料的成本面的话，有时也RGB的2色或3色共同以相同的材料层叠。层叠2色以上的子像素共同的材料时，形成共同的子像素中形成开口的蒸镀掩模。各个子像素中蒸镀层不同时，例如R的子像素中使用一个蒸镀掩模1，可以连续蒸镀各有机层，且沉积RGB共通的有机层时，直到其共同层的下侧为止，形成各子像素的有机层的蒸镀，共同的有机层之处，使用RGB中形成开口的蒸镀掩模，一次形成全像素的有机层的蒸镀。
于是，全部的有机层的层叠膜14及LiF层等的电子注入层形成结束后，除去蒸镀掩模1，全面形成第二电极(例如阴极)15。图5B所示的范例是顶部发射型，由于从上侧发出光的方式，因此第二电极15是透光性的材料，例如，以薄膜的Mg-Ag共晶膜形成。除此之外能够使用Al等。另外，从装置基板11侧放射光的的底部放射型时，第一电极12中使用ITO、In3O4等，作为第二电极，能够使用工作函数小的金属，例如Al之外Mg、K、Li等。该第二电极15的表面上，例如形成Si3N4等构成的保护膜16。另外，该整体以未图示的玻璃、树脂膜等构成的密封层来密封，以免构成有机层的层叠膜14吸收水分。另外，有机层尽量共同化，其表面侧也可以形成设置滤色器的构造。
可以重复使用此蒸镀掩模1。蒸镀掩模1相对蒸镀源7的面上层叠有机材料9，沉积的有机材料9的厚度是3μm的话，几乎不影响低辐射率膜5的辐射率。另外，使用相同的蒸镀掩模1重复执行有机材料9的蒸镀时，累计的膜从掩模脱落，为了防止成为粒子，累计层叠膜厚大约1.0μm以上3.0μm以下的时机优选进行清洗。
蒸镀掩模1的清洗通过如上述根据通常的方法，例如可以使用有机溶剂进行。
附图标记说明
1 蒸镀掩模；2 树脂膜；3 金属支撑层；4 开口部；4a 开口部4的侧面(倾斜面)；4b开口部4的差距与蒸镀源相对的面；5 低辐射率膜；6 高辐射率膜；7 蒸镀源；8 蒸镀基板；9有机材料；11 装置基板；12 第一电极；13 堤部；14 有机层的层叠膜；15 第二电极；16 保护膜

Claims (13)

1.一种蒸镀掩模，其包括树脂膜，所述树脂膜具有在蒸镀基板上通过蒸镀用以成膜形成薄膜图案的开口部图案，其特征在于，
辐射率比上述树脂膜小的低辐射率膜形成在所述树脂膜相对蒸镀源的面的至少一部分，
在与所述蒸镀基板抵接的所述树脂膜的面上，形成辐射率比所述树脂膜的面的辐射率大的高辐射率膜。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，在所述树脂膜与所述低辐射率膜及/或所述高辐射率膜之间，包括密合层，所述密合层使所述树脂膜与所述低辐射率膜及/或上述高辐射率膜间的密合性提高。
3.如权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述低辐射率膜在22℃以上60℃以下、波长区8700nm以上9800nm以下的辐射率是0.3以下。
4.如权利要求3所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述低辐射率膜是具有以Al、Ni、Cr、Mo、Cu或Ti形成大致镜面的膜。
5.如权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述高辐射率膜在22℃以上60℃以下、波长区8700nm以上9800nm以下的辐射率以0.5以上的材料构成。
6.如权利要求5所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述高辐射率膜以Al2O3、AlTiN、CrO2、Cr2O3、MoO2、MoO3、SiC或石墨形成，表面粗糙度是均方根高度0.1μm以上3.0μm以下。
7.如权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述树脂膜在设置所述低辐射率膜侧的所述树脂膜的面的一部分包括金属支撑层。
8.一种蒸镀掩模的制造方法，蒸镀掩模是包含具有开口部图案的树脂膜，用以蒸镀蒸镀材料的掩模，并且与蒸镀源相对侧的面的至少一部分具有比上述树脂膜辐射率小的低辐射率膜，其特征在于，
扩展所述树脂膜固定至支撑框架后，进行所述低辐射率膜的形成，
将树脂膜固定至所述支撑框架后，所述低辐射率膜形成前或所述低辐射率膜形成后，所述树脂膜与所述蒸镀源相对侧相反的一侧的面上形成高辐射率膜，辐射率比设置所述低辐射率膜时的所述面的辐射率大。
9.如权利要求8所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，将所述树脂膜固定至所述支撑框架前，所述树脂膜的所述低辐射率膜形成侧的面上密合金属支撑层。
10.如权利要求8所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，所述低辐射率膜及/或所述高辐射率膜形成前，根据从溅镀法及离子镀法中选择的至少一种方法形成密合层，所述密合层使所述树脂膜与所述低辐射率膜及/或所述高辐射率膜间的密合性提高。
11.如权利要求8至10中任一项所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，所述低辐射率膜的形成是根据从溅镀法、真空蒸镀法、离子镀法、CVD法、亮光电镀法及涂布法中选择的至少一方法执行。
12.如权利要求8或10所述的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，所述高辐射率膜的形成是根据从溅镀法、真空蒸镀法、CVD法、冷喷涂法、电镀法及涂布法中的至少一方法执行。
13.一种有机EL显示设备的制造方法，所述有机EL显示设备是在装置基板上层叠有机层制造有机EL显示设备，其特征在于，包括：
在支撑基板上至少形成TFT及第一电极的所述装置基板上，位置对准而重叠如权利要求1至7中任一项所述的蒸镀掩模的步骤；
在所述第一电极上蒸镀有机材料，而形成有机层的层叠膜的步骤；以及
在所述层叠膜上形成第二电极的步骤。
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