JP2008174783A - パターン状の蒸着膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高精細度を実現することが困難であるメタルマスクも高価なレーザースキャン装置も使用することなしに、高精細なパターンを有する蒸着膜の製造方法の提供。
【解決手段】基板と、複数の発熱体と、複数の発熱体の上の蒸着材料層とを含み、蒸着材料層が最表面をなす蒸着パネルを準備する工程と;蒸着パネルとデバイス基板とを、蒸着材料層がデバイス基板と対向するように配置する工程と;複数の発熱体の少なくとも一部を発熱させ、発熱した発熱体の上に位置する蒸着材料層を選択的に蒸発させ、デバイス基板の表面に蒸着させて蒸着膜を得る工程とを含むことを特徴とするパターン状蒸着膜の製造方法。
【選択図】図1
【解決手段】基板と、複数の発熱体と、複数の発熱体の上の蒸着材料層とを含み、蒸着材料層が最表面をなす蒸着パネルを準備する工程と;蒸着パネルとデバイス基板とを、蒸着材料層がデバイス基板と対向するように配置する工程と;複数の発熱体の少なくとも一部を発熱させ、発熱した発熱体の上に位置する蒸着材料層を選択的に蒸発させ、デバイス基板の表面に蒸着させて蒸着膜を得る工程とを含むことを特徴とするパターン状蒸着膜の製造方法。
【選択図】図1
Description
本発明はパターン状蒸着膜を形成する方法に関する。より具体的には、本発明は、該方法を利用して画素の形状に合わせて形成された色変換層によって少なくとも3原色の内1色以上を発光する、有機EL表示パネルの製造方法に関する。
近年、有機EL素子の実用化に向けての研究が活発に行われている。有機EL素子は、低電圧で高い電流密度が実現できるために高い発光輝度および発光効率を実現することが期待されている。特に、高精細なマルチカラーまたはフルカラー表示が可能な有機多色EL表示パネル(表示パネルは、ディスプレイパネルとも呼ぶ。)の実用化が期待されている。有機ELディスプレイパネルのマルチカラー化またはフルカラー化の方法の1例として、特定波長領域の光を透過させる複数種のカラーフィルタを用いる方法(カラーフィルタ法)がある。カラーフィルタ法を適用する場合、用いられる有機EL素子は、多色発光して、光の3原色(赤色(R)、緑色(G)、青色(B))をバランスよく含む、いわゆる「白色光」を発光することが求められる。
多色発光有機EL素子を得るための方法として、以下の方法が検討されてきている:
(1) 複数の発光色素を含む発光層を用い、該複数の発光色素を同時に励起する方法(たとえば、特許文献1参照);
(2) ホスト発光材料とゲスト発光材料とを含む発光層を用い、ホスト発光材料を励起および発光させると同時に、ホスト発光材料からゲスト材料へのエネルギー移動を起こして、ゲスト材料を発光させる方法(たとえば、特許文献2参照);
(3) 異なる発光色素を含む複数の発光層を用い、それぞれの層において発光色素を励起させる方法;
(4) 発光色素を含む発光層と該発光層に隣接して発光性ドーパントを含むキャリア輸送層とを用い、発光層においてキャリア再結合によって生成する励起子から、一部の励起エネルギーを発光性ドーパントに移動させる方法(たとえば、特許文献3参照)。
(1) 複数の発光色素を含む発光層を用い、該複数の発光色素を同時に励起する方法(たとえば、特許文献1参照);
(2) ホスト発光材料とゲスト発光材料とを含む発光層を用い、ホスト発光材料を励起および発光させると同時に、ホスト発光材料からゲスト材料へのエネルギー移動を起こして、ゲスト材料を発光させる方法(たとえば、特許文献2参照);
(3) 異なる発光色素を含む複数の発光層を用い、それぞれの層において発光色素を励起させる方法;
(4) 発光色素を含む発光層と該発光層に隣接して発光性ドーパントを含むキャリア輸送層とを用い、発光層においてキャリア再結合によって生成する励起子から、一部の励起エネルギーを発光性ドーパントに移動させる方法(たとえば、特許文献3参照)。
しかしながら、前述の多色発光有機EL素子は、複数種の発光材料の同時励起、あるいは複数種の発光材料間のエネルギー移動のいずれかに依拠している。そのような素子においては、駆動時間の経過または通電電流の変化に伴って、発光材料間の発光強度バランスが変化し、得られる色相が変化する恐れがあることが報告されてきている。
多色発光有機EL素子を得るための別法として、単色発光の有機EL素子と色変換層とを用いる色変換法が提案されている。用いられる色変換層は、有機EL素子が発する短波長の光を吸収して、長波長の光へと変換する1つまたは複数の色変換材料を含む層である。色変換層の形成法としては、色変換材料を樹脂中に分散させた塗布液を塗布する方法、あるいは色変換材料を蒸着法のようなドライプロセスで堆積させる方法などが検討されてきている。
しかしながら、蒸着法などのドライプロセスにより色変換層を形成する場合、通常、表示面の全面に色変換層が形成される。しかしながら、得られる色変換層を形成後に加工してパターン状にすることが困難であるため、3原色を分けて発光することができない。したがって、特定の画素に対応した位置のみに色変換層を形成するために、ドライプロセスによってパターン状膜を形成する手段の必要性が存在する。加えて、有機ELディスプレイパネルの高精細化に対応することができる、微細なパターン形状を有する膜を形成する手段が求められている。
現在、蒸着材料薄膜のパターン形成のための方法としては、
1) 所望の形状の開口部を有するメタルマスクを用いる蒸着法;
2) ベース基板に蒸着材料をあらかじめ積層した転写材を用い、レーザーを照射することによって、転写材の特定の部位の蒸着材料のみを蒸発転写させるLITI(Laser-Induced Thermal Imaging)法(たとえば、特許文献4参照);および
3) ベース基板に蒸着材料(有機EL層材料)をあらかじめ積層した転写材を用い、ベース基板裏面側に配置したヒートバーを用いる局部的加熱によって、転写材の特定の部位のみの蒸着材料を所望の基板上に転写する方法(たとえば、特許文献5参照)
などが公表されている。
1) 所望の形状の開口部を有するメタルマスクを用いる蒸着法;
2) ベース基板に蒸着材料をあらかじめ積層した転写材を用い、レーザーを照射することによって、転写材の特定の部位の蒸着材料のみを蒸発転写させるLITI(Laser-Induced Thermal Imaging)法(たとえば、特許文献4参照);および
3) ベース基板に蒸着材料(有機EL層材料)をあらかじめ積層した転写材を用い、ベース基板裏面側に配置したヒートバーを用いる局部的加熱によって、転写材の特定の部位のみの蒸着材料を所望の基板上に転写する方法(たとえば、特許文献5参照)
などが公表されている。
上述した蒸着材料薄膜の微細パターンを形成するための従来法では、それぞれ以下のような問題点がある。
1) メタルマスク材料および厚さに起因して、マスクパターンの微細化に対する限界が存在する。現状においては、マスクパターンの微細化の限界は、150ppiの精細度レベルである。それ以上の高精細なパターンに対しては製造の困難さが増し、歩留りが低下するという問題がある。さらに、大面積の基板上に高精細なパターンを形成することも困難である。
2) レーザーおよび光学系を用いるため、使用する装置が高価であるという問題がある。また、レーザー光をパターンに沿ってスキャンする必要があるため、形成に時間を要し、コストが高く、かつ生産性が低いという問題がある。
3) ヒートバーによる加熱の応答時間(加熱開始から終了までの時間)が長いという問題がある。なぜなら、転写材の裏面に接触するヒートバーからベース基板を介した蒸着材料までの熱伝達に時間がかかり、かつ大きな熱容量を有するベース基板の加熱および冷却が遅いからである。この長い応答時間によって、成膜の制御性に問題が生じる恐れがある。
1) メタルマスク材料および厚さに起因して、マスクパターンの微細化に対する限界が存在する。現状においては、マスクパターンの微細化の限界は、150ppiの精細度レベルである。それ以上の高精細なパターンに対しては製造の困難さが増し、歩留りが低下するという問題がある。さらに、大面積の基板上に高精細なパターンを形成することも困難である。
2) レーザーおよび光学系を用いるため、使用する装置が高価であるという問題がある。また、レーザー光をパターンに沿ってスキャンする必要があるため、形成に時間を要し、コストが高く、かつ生産性が低いという問題がある。
3) ヒートバーによる加熱の応答時間(加熱開始から終了までの時間)が長いという問題がある。なぜなら、転写材の裏面に接触するヒートバーからベース基板を介した蒸着材料までの熱伝達に時間がかかり、かつ大きな熱容量を有するベース基板の加熱および冷却が遅いからである。この長い応答時間によって、成膜の制御性に問題が生じる恐れがある。
以上の点に鑑みて、本発明の課題は、高精細度を実現することが困難であるメタルマスクも高価なレーザースキャン装置も使用することなしに、高精細なパターン形状を有する蒸着膜の形成を可能にする方法を提供することである。より具体的には、微細なパターン状に色変換材料を選択的に蒸着して色変換層を形成することによって、色変換方式の多色発光ディスプレイパネルを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、電流を流すことで発熱する複数の発熱体がパターン状に形成された蒸着パネルの最表面に蒸着材料層を形成し、真空容器内で蒸着パネルに対向してデバイス基板を配置し、選択された発熱体に電流を流して加熱し、加熱された発熱体の上部に位置する蒸着材料を選択的に蒸発させて、前記デバイス基板に蒸着させることを特徴とする。ここで、複数の発熱体は、アイランド状またはライン状に配列されていてもよい。また、蒸着パネルは、複数の発熱体のそれぞれに独立的に電流を流すことができる構造を有することが望ましい。
より具体的には、蒸着材料として色変換機能を有する材料を用い、前記デバイス基板は複数のトップエミッション型有機EL素子が配列された有機EL表示基板を用い、複数の有機EL素子の一部に対応する位置に選択的に色変換層を形成することによって、色変換方式の多色発光ディスプレイパネルを提供することができる。
本発明の構成によれば、デバイス基板を対向させた状態で蒸着パネルの選択された発熱体のみを加熱して、該選択された発熱体上の蒸着材料を選択的に蒸発させることによって、パターン状の蒸着膜を形成することができる。本発明の方法は、メタルマスクを使用しないため、所望される高精細度のパターンを容易に形成することが可能である。また、レーザースキャン装置を使用しないため、パターン状の蒸着膜を安価かつ短時間で形成することができる。
さらに、熱容量が小さい薄膜の発熱体を用いて、必要な部分の蒸着材料のみを直接かつ選択的に加熱することによって、加熱開始から終了までの時間を短くすることが可能となる。このことによって、成膜の制御性を向上させ、量産時のタクトタイム(cycle time)を短縮し、生産効率を向上させることが可能となる。
加えて、アイランド状に形成された複数の発熱体を設け、それら発熱体に対する配線をマトリクス状に形成することによって、複数の発熱体のそれぞれを独立して制御することが可能となる。このことから、任意の複雑なパターン形状の蒸着膜を形成することが可能となる。
また、デバイス基板として、基板上に反射電極、有機EL層および透明電極がこの順に積層され、透明電極を通して発光を取り出すトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示基板を用い、透明電極上面にパターン形状を有する色変換層を形成することによって、有機EL発光ディスプレイパネルを形成することができる。得られた有機ELディスプレイパネルは、色変換層の配設位置において色変換された光を放出し、およびその他の位置ではカラーフィルターを通して光を放出する、高精細度を有する多色発光ディスプレイパネルである。
本発明の実施の形態を図1を参照して説明する。図1においては、デバイス基板100として、TFT基板12の上に反射電極14、有機EL層16および透明電極16が配設されたトップエミッション型有機EL表示基板を用いた構成を示した。
使用可能なデバイス基板100は、図1に示したトップエミッション型有機EL表示基板以外にも、(a)透明支持体、(b)カラーフィルタ層を配設した透明支持体、(c)支持体(望ましくは透明支持体)上に有機EL素子を構成する一方の電極(望ましくは透明電極)および有機EL層を積層した有機EL素子中間体などを含むが、これらに限定されるものではない。
図1に示したデバイス基板100の支持体として用いられるTFT基板12は、ガラスまたはシリコン基板の上に、スイッチング素子を構成するTFT、およびスイッチング素子を駆動するための配線を配設した構造を有する。
反射電極14は、複数の部分電極から構成され、複数の部分電極のそれぞれはTFTで構成されるスイッチング素子と1対1に接続されている。反射電極14は、高反射率の金属(Al、Ag、Mo、W、Ni、Crなど)、アモルファス合金(NiP、NiB、CrP、CrBなど)、微結晶性合金(NiAlなど)を用いて、蒸着法またはスパッタ法などのドライプロセスによって形成することができる。
有機EL層16は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層を介在させた構造を有する。あるいはまた、正孔または電子の注入および輸送の機能を有する正孔注入輸送層あるいは電子注入輸送層を用いてもよい。有機EL層16を構成する各層の材料としては、公知のものが使用される。また、有機EL層16を構成する各層は、蒸着などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。
透明電極18は、ITO、酸化スズ、酸化インジウム、IZO、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物に対してF、Sbなどのドーパントを添加した導電性透明金属酸化物を用いて形成することができる。透明電極18は蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積(CVD)法などのドライプロセスを用いて形成され、好ましくはスパッタ法を用いて形成される。図1に示したトップエミッション型有機EL表示基板において、透明電極18は、有機EL層16の全面にわたって形成された共通電極である。
蒸着パネル200は、基板20と、基板20の上に配設された複数の発熱体22と、複数の発熱体22の上に最表層として配設された蒸着材料層24を含む構造を有する。
基板20は、蒸着材料層24の蒸着時の温度に耐えることができる耐熱性材料から形成することができる。基板20を形成するための絶縁性の耐熱性材料として、ガラス、石英などを使用することができる。また、金属などのような導電性の耐熱性材料を用いて基板20を形成する場合、その表面に耐熱性絶縁膜(不図示)を配設することが望ましい。
複数の発熱体22は、高融点貴金属材料(Pt−W、Pt−Rh、Pt−Irなど)、シリサイド系材料(MoSi2など)、炭化物系材料(SiCなど)、および高融点金属材料(NiCr、Mo、Cr、Ta、Ta2Nなど)などの抵抗体材料を用いて形成することができる。たとえば、スパッタ法を用いて前述の材料を基板20の上に堆積させ、通常のエッチングプロセスにて処理して、所望のパターンを有する複数の発熱体22を形成することができる。
複数の発熱体22は、図2(a)に示すライン状の形状を有してもよいし、図2(b)に示すアイランド状の形状を有してもよい。アイランド状の形状を有する場合、複数の発熱体22を駆動するための配線をマトリクス状に配設することによって、任意の発熱体22を選択的に加熱することが可能となり、得られる蒸着材料薄膜のパターン形状の自由度を増大させることが可能となる。
複数の発熱体22の上に形成される蒸着材料層24は、有機材料からなる層であってもよく、無機材料からなる層であってもよい。使用できる有機材料は、色変換材料、カラーフィルタ材料、有機EL層材料などを含む。使用できる無機材料は、電極材料などを含む。蒸着材料層24を形成する蒸着材料は、固体から直接気化する昇華性材料であってもよく、液体となった後に気化する溶融性材料であってもよい。また、蒸着材料は、単一の物質であってもよく、複数の材料の混合物であってもよい。蒸着材料として複数の材料の混合物を使用する場合、発熱体22の加熱温度は、蒸発温度の最も高い材料を蒸発させるのに十分であり、かつ他の材料が分解されないように調整される。
本発明において、蒸着材料層24は、複数の発熱体22が形成された基板20に対して蒸着材料を蒸着することによって形成される。蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法または電子ビーム加熱蒸着法のいずれも使用できる。蒸着材料として複数の材料の混合物を使用する場合、複数の材料を所定の比率で混合した予備混合物をあらかじめ作製し、その予備混合物を用いて共蒸着を行ってもよい。あるいはまた、複数の材料を別個の加熱部位に配置し、それぞれの材料を別個に加熱して共蒸着を行ってもよい。特に複数の材料の間に特性(蒸着速度、蒸気圧など)の大きな差が存在する場合、後者の方法が有効である。
また、蒸着材料として、電極材料のような導電性を有する材料を使用する場合には、発熱体22と蒸着材料層24との間に、耐熱性絶縁層(不図示)を設けることが望ましい。耐熱性絶縁層は、発熱のための電流がリークすることを防止する機能を有する。耐熱性絶縁層は、Al2O3あるいはWO3などの耐熱性酸化物を用いて形成することができる。耐熱性絶縁層は、発熱体22と蒸着材料層24との間の絶縁を付与するのに十分に厚く、かつ発熱体22から蒸着材料層24への熱伝導を妨害しない程度に薄い膜厚を有することが望ましい。
本発明において蒸着材料として使用できる色変換材料は、1種または複数種の色変換色素から構成される。単一の色変換色素からなる色変換材料を使用する場合、色変換色素は光源である有機EL層16の発する光の青色成分を吸収し、異なる波長域の光成分を放射する色素であることが望ましい。色変換材料を構成する単一の色変換色素として好適にもちいることができる色素は、3−(2−ベンゾチアゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)、3−(2−ベンゾイミダゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン7)、クマリン135などのクマリン系色素、またはソルベントイエロー43、ソルベントイエロー44のようなナフタルイミド系色素を含む。
2種の色変換色素(第1および第2色変換色素)からなる色変換材料を使用する場合、第1色変換色素は光源の発する光の青色成分を吸収し、吸収したエネルギーを第2色素に移動させるための色素である。したがって、第1色変換色素の吸収スペクトルが光源の発光スペクトルと重なっていることが望ましく、第1色変換色素の吸収極大が光源の発光スペクトルの極大と一致していることがより望ましい。また、第1色変換色素の発光スペクトルが第2色変換色素の吸収スペクトルと重なり合っていることが望ましく、第1色変換色素の発光スペクトルの極大が第2色変換色素の吸収極大と一致していることがより望ましい。本発明において第1色変換色素として好適に用いることができる色素は、前述のクマリン系色素およびナフタルイミド系色素を含む。第1色変換色素は、色変換材料の総質量を基準として90質量%以上、好ましくは90〜99.99質量%の量で存在することが望ましい。このような濃度範囲で存在することによって、光源からの光を十分に吸収して、吸収した光エネルギーを第2色変換色素へとエネルギー移動することが可能となる。
第2色変換色素は、第1色変換色素から移動されるエネルギーを受容し、光を放出する色素である。本発明において第2色変換色素として好適に用いることができる色素は、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM−1、(I))、DCM−2(II)、およびDCJTB(III)などのシアニン色素;4,4−ジフルオロ−1,3,5,7−テトラフェニル−4−ボラ−3a,4a―ジアザ−s−イミダセン(IV)、ルモゲンFレッド、ナイルレッド(V)などを含む。あるいはまた、ローダミンB、ローダミン6Gなどのキサンテン系色素、またはピリジン1などのピリジン系色素を第2色変換色素として使用してもよい。
2種の色変換色素からなる色変換材料を用いた場合、単一の色変換色素を使用した場合に比較して変換前の光と変換後の光との波長差を大きくすることができ、特に青色光を赤色光のような長波長域の光に変換するのに有利である。第2色変換色素の含有量は、使用する第1および第2色変換色素の種類、所望される変換光強度(変換効率)、あるいは目的とする用途に依存して変化し得る。一般的には、第2色変換色素の好ましい濃度は、色変換材料の総質量を基準にして、10質量%以下、好ましくは0.01〜10質量%、より好ましくは0.1〜5質量%の範囲内である。
次に、図3〜図6を参照して、アイランド状の形状を有する複数の発熱体6と、マトリクス状配線を有する蒸着パネルの製造方法を説明する。
最初に、基板20の上に導電性材料の膜を形成し、パターニングを実施して、図3に示すようなX配線38(a,b…)を形成する。図3(a)は上面図であり、図3(b)は切断線3b−3bにそって切断した断面図である。X配線38は、1方向(X方向)に延びる幹部と、幹部からT字状に分岐した枝部(Y方向に延びる)を有する。X配線38を形成するのに用いることができる導電性材料はAl、Ti,Ni,Mo,Cu,Agなどを含む。導電性材料の堆積にはスパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を使用することができる。また、導電性材料のパターニングには、ウェットエッチングなどを使用するフォトリソグラフ法などの、当該技術において知られている任意の方法を使用することができる。
次に、幹部の末端および枝部を除いてX配線38を覆う絶縁膜34を形成する。図4(a)は上面図であり、図4(b)は切断線4b−4bにそって切断した断面図である。X配線38の幹部の末端は外部接続回路との接点として利用され、またX配線38の枝部は複数の発熱体22のそれぞれとの接点として利用される。最初に、スパッタ法またはCVD法を用いて、SiOxまたはSiNxのような絶縁性材料を堆積する。絶縁膜34は、0.3〜1μmの膜厚を有する。次いで、ドライエッチングを用いてX配線38の枝部が露出するようなコンタクトホール36を形成して、絶縁膜34が得られる。使用できるドライエッチング方法としては、たとえばCF4ガスを用いた反応性イオンエッチング(RIE)を用いることができる。
次に、絶縁膜34の上に導電性材料の膜を形成し、パターニングを実施して、図5に示すようなY配線32(a,b…)を形成する。図5(a)は上面図であり、図5(b)は切断線5b−5bにそって切断した断面図である。Y配線32は、X配線38の幹部の延びる方向と交差する方向、好ましくは直交する方向(Y方向)に延びる。Y配線32は、枝部を持たず、その幹部において複数の発熱体22のそれぞれと接続される。Y配線32は、枝部を形成しないことを除いて、X配線38と同様の材料および方法を用いて形成することができる。必要に応じて、導電性材料の膜を形成する前に、露出しているX配線の幹部の末端および枝部の保護を行うことができる。たとえば、導電性材料の膜の形成前に、露出しているX配線の幹部の末端および枝部を覆うレジストマスクを形成し、導電性材料の膜のパターニング後にレジストマスクを除去することによって、前述の保護を行うことができる。
最後にX配線38およびY配線32に接続される複数の発熱体22を形成する。抵抗体材料を全面に堆積させて得られる抵抗体層40を、ウェットエッチングなどの当該技術において知られている任意の方法を用いて、図6に示すようにパターニングする。図6(a)は上面図であり、図6(b)は切断線6b−6bにそって切断した断面図である。ここで、抵抗体層40(a,b)のそれぞれは、Y配線32のそれぞれ、ならびにY配線のそれぞれに接続されるX配線38の露出した枝部を覆うようにパターニングされる。ここで、Y配線32と、それに接続されるX配線38の露出した枝部との間の領域の抵抗体層40のそれぞれが、発熱体22(a〜d)として機能する。さらに、X配線38の露出している末端のそれぞれも、独立して形成される抵抗体層40tによって覆われる。以上の構成を採ることによって、抵抗体層40(発熱体22)のウェットエッチングの際にX配線38およびY配線32の材料が溶出することを防止できるからである。
複数のX配線38のそれぞれは、末端に接続されるスイッチ(不図示)を介して、電源(不図示)に接続される。同様に、複数のY配線32のそれぞれも、末端に接続されるスイッチを介して、電源に接続される。このように構成することによって、たとえば、1つのY配線32aおよび1つのX配線38aに接続されるスイッチをONにすることによって、1つの発熱体22aのみに通電して発熱させることができる。この際に、配線材料と抵抗体材料との導電率の差によって、発熱体22aの領域以外のY配線32aの上の抵抗体層40aには電流が流れず、当該部位の抵抗体層は発熱しない。あるいはまた、1つのY配線32および複数のX配線38に接続されるスイッチをONにして、複数の発熱体22を同時に発熱させてもよい。このように、通電されるY配線32およびX配線38を適宜選択することによって、所望される位置の蒸着材料24のみを選択的に蒸発させて、所望のパターン形状を有する蒸着膜を得ることができる。
本発明の蒸着材料膜のパターン形成方法においては、最初に、蒸着チャンバー内で、前述のデバイス基板100と蒸着パネル200とを、蒸着材料層24がデバイス基板100と対向するように配置される。その際に、デバイス基板100と蒸着パネル200との距離(図1においては、透明電極18表面と、蒸着材料層24表面との間の距離)は、通常、1μm〜1mm程度、望ましくは50〜100μmであることができる。特に、デバイス基板100と蒸着パネル200との距離を50〜100μmに設定することによって、デバイス基板100と蒸着パネル200との接触を防止しつつ、ボケのないシャープな形状の蒸着膜26を得ることが可能となる。
次いで、蒸着チャンバー内の圧力を、通常の蒸着を実施する圧力、望ましくは1×10−4Pa以下に減圧する。そして、所望される位置の発熱体22に選択的に通電して、蒸着材料層24を蒸発させ、パターン状の蒸着膜26をデバイス基板100上に形成する。発熱体の通電(energization)においては、直流電流、交流電流またはパルス状電流のいずれを用いてもよい。通電は、蒸着材料層24が設定された蒸発温度まで加熱されるまで実施され、それによって蒸着材料がデバイス基板に蒸着される。
以上においては、デバイス基板100としてトップエミッション型有機EL表示基板を使用し、色変換材料を蒸着する例について説明した。しかしながら、本発明の方法は、支持体上に、第1の方向に延びる複数のライン形状部分電極からなる反射電極と、反射電極上の有機EL層と、第2の方向に延びる複数のライン形状部分電極からなる透明電極とから構成され、第1の方向が第2の方向と交差しているパッシブマトリクス駆動トップエミッション型有機EL表示基板に対しても適用可能である。さらに、本発明の方法は、(a)透明支持体に対するカラーフィルタ材料(特定の波長域の光成分のみを透過させる材料)の蒸着(すなわち、カラーフィルタの形成)、(b)透明支持体またはカラーフィルタ層を配設した透明支持体に対する色変換材料の蒸着(すなわち、色変換フィルタの形成)、または(c)透明支持体、透明電極、および有機EL層の積層体に対する電極材料の蒸着(すなわち、ボトムエミッション型有機EL表示基板の上部反射電極の形成)においても利用可能である。
[実施例1]
TFTで構成された複数のスイッチング素子がX方向42μmおよびY方向126μmのピッチを有してシリコン基板上に配設されたTFT基板12を、DCスパッタ装置内に配置した。Ar雰囲気中、300Wのスパッタパワーを印加するDCスパッタ法を用いて、膜厚100nmのCrB膜、および膜厚20nmのIZO(In2O3−10%ZnO)膜を形成した。得られたCrB膜およびIZO膜の積層体をパターニングして、X方向32μmおよびY方向116μmの寸法を有する複数の部分電極が、X方向42μmおよびY126μmのピッチで配列した反射電極14を形成した。
TFTで構成された複数のスイッチング素子がX方向42μmおよびY方向126μmのピッチを有してシリコン基板上に配設されたTFT基板12を、DCスパッタ装置内に配置した。Ar雰囲気中、300Wのスパッタパワーを印加するDCスパッタ法を用いて、膜厚100nmのCrB膜、および膜厚20nmのIZO(In2O3−10%ZnO)膜を形成した。得られたCrB膜およびIZO膜の積層体をパターニングして、X方向32μmおよびY方向116μmの寸法を有する複数の部分電極が、X方向42μmおよびY126μmのピッチで配列した反射電極14を形成した。
反射電極14を形成したTFT基板12を蒸着装置に移動し、有機EL層16を形成した。成膜に際して真空槽内圧を1×10−5Paまで減圧した。有機EL層16は、膜厚80nmの銅フタロシアニン(CuPc)からなる正孔注入層、膜厚20nmの4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)からなる正孔輸送層、膜厚40nmの4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)からなる有機発光層、および膜厚20nmのアルミニウムトリス(8−ヒドロキシキノリン)錯体(Alq3)からなる電子輸送層からなる4層構成とした。
次いで、真空を破ることなしに、有機EL層16が形成されたTFT基板12をスパッタ装置に移動した。ターゲットとしてIZO(In2O3−10%ZnO)を用いたAr雰囲気(圧力0.3Pa)中でのスパッタ法によって、膜厚200nmのIZO膜からなる透明電極18を形成して、デバイス基板100を得た。
一方、厚さ5mmの石英基板20の上に、スパッタ法を用いて厚さ100nmのMo膜を形成した。次いで、リン酸、硝酸および酢酸を含む混合エッチャントを用いてMo膜をエッチングし、Y方向に延びるライン状の形状を有する1000本の発熱体22を形成した。発熱体22のそれぞれのラインは、32μmの幅および30mmの長さを有し、X方向ピッチ42μm(すなわち、ライン間間隙10μm)を有して整列された。
発熱体22を形成した基板20を蒸着装置に移動し、クマリン6およびDCM−2を蒸着装置内の別個の坩堝にて加熱する共蒸着によって、2種の色変換色素からなる蒸着材料層24を形成して、蒸着パネル200を得た。この際に、クマリン6の蒸着速度を0.3nm/s、DCM−2の蒸着速度を0.005nm/sとなるように、それぞれの坩堝の加熱温度を制御した。得られた蒸着材料層24は200nmの膜厚を有した。また、得られた蒸着材料層24は、蒸着材料層24の総構成分子数(この場合には全色素のモル数)を基準として2モル%のDCM−2を含む(すなわち、クマリン6:DCM−2のモル比が49:1である)。
真空チャンバ内に、得られたデバイス基板100および蒸着パネル200を、透明電極18と蒸着材料層24とが対向するように配置した。このときに、透明電極18表面と蒸着材料層24表面との距離を100μmとした。続いて、3本おきの発熱体22にパルス状電流を通電し、蒸着材料層24を蒸発温度310℃に加熱して、透明電極18上にパターン状の蒸着膜26を形成した。得られた蒸着膜26は、Y方向に延びる複数のライン状部分からなり、ライン状部分のそれぞれは、35μmの幅を有し、X方向ピッチ126μm(すなわち、ライン間間隙91μm)を有して整列された。
[実施例2]
厚さ5mmの石英基板20の上に、スパッタ法を用いて膜厚1μmのAl膜を形成した。次いで、通常のウェットエッチングを用いるフォトリソグラフィー法によって、複数のX配線38を形成した。複数のX配線38のそれぞれは、X方向に延びる幹部と、幹部から分岐し、Y方向に延びる複数の枝部とを有した。X配線38のそれぞれの幹部は、Y方向ピッチ42μmで整列した。また、X配線38のそれぞれの枝部は、Y方向に延びる長さ24μmのライン形状を有し、X方向ピッチ42μmで整列した。X配線の幹部および枝部のそれぞれは、10μmの幅を有した。
厚さ5mmの石英基板20の上に、スパッタ法を用いて膜厚1μmのAl膜を形成した。次いで、通常のウェットエッチングを用いるフォトリソグラフィー法によって、複数のX配線38を形成した。複数のX配線38のそれぞれは、X方向に延びる幹部と、幹部から分岐し、Y方向に延びる複数の枝部とを有した。X配線38のそれぞれの幹部は、Y方向ピッチ42μmで整列した。また、X配線38のそれぞれの枝部は、Y方向に延びる長さ24μmのライン形状を有し、X方向ピッチ42μmで整列した。X配線の幹部および枝部のそれぞれは、10μmの幅を有した。
次に、スパッタ法を用いて、X配線38を覆うように、膜厚300μmのSiOx膜を堆積させた。続いて、CF4ガスを用いるRIEによって、X配線38の枝部を露出させるようにコンタクトホール36を形成して、絶縁膜34を得た。
次に、露出したX配線38の枝部を保護するレジストマスクを形成した。次いで、スパッタ法を用いて膜厚1μmのAl膜を形成した。次いで、通常のウェットエッチングを用いるフォトリソグラフィー法によって、複数のY配線32を形成した。そして、レジストマスクを除去して、X配線38の枝部を再び露出させた。Y配線32のそれぞれは、Y方向に延びる幅10μmのライン形状を有し、X方向ピッチ42μmで整列した。また、1つのY配線32と、発熱体22を介してそれに接続される1つのX配線の枝部との間隙を20μmとした。
次いで、スパッタ法を用いて厚さ100nmのMoCr(Cr5%)膜を形成した。次いで、リン酸、硝酸および酢酸を含む混合エッチャントを用いてMoCr膜をエッチングし、図6(a)に示すように、Y配線32、Y配線32とX配線38の露出した枝部との間の領域、ならびに露出しているX配線38の末端を覆う抵抗体層40を形成し、複数の発熱体22を得た。複数の発熱体22のそれぞれは、X方向32μmおよびY方向116μmの寸法を有し、42μmのX方向ピッチおよび126μmのY方向ピッチを有して配列された。
次いで、実施例1と同様にクマリン6およびDCM−2の共蒸着を実施し、蒸着パネル200を得た。また、実施例1と同様の手順を用いてデバイス基板100を形成した。
真空チャンバ内に、得られたデバイス基板100および蒸着パネル200を、透明電極18と蒸着材料層24とが対向するように配置した。このときに、透明電極18表面と蒸着材料層24表面との距離を100μmとした。続いて、3本おきのX配線と全てのY配線との間にパルス状電流を通電し、X方向3個おきの発熱体22を発熱させ、蒸着材料層24を蒸発温度310℃に加熱して、透明電極18上にパターン状の蒸着膜26を形成した。得られた蒸着膜26は、X方向35μmおよびY方向119μmの寸法を有する複数の矩形状部分から構成された。複数の矩形状部分のそれぞれは、126μmのX方向ピッチおよび126μmのY方向ピッチを有してマトリクス状に整列されていた。
12 TFT基板
14 反射電極
16 有機EL層
18 透明電極
20 基板
22 発熱体
24 蒸着材料層
26 蒸着層
32 Y配線
34 絶縁膜
36 コンタクトホール
38 X配線
40 抵抗体層
100 デバイス基板
200 蒸着パネル
14 反射電極
16 有機EL層
18 透明電極
20 基板
22 発熱体
24 蒸着材料層
26 蒸着層
32 Y配線
34 絶縁膜
36 コンタクトホール
38 X配線
40 抵抗体層
100 デバイス基板
200 蒸着パネル
Claims (5)
- 基板と、複数の発熱体と、該複数の発熱体の上に形成されている蒸着材料層とを含む蒸着パネルであって、蒸着材料層が最表面をなす蒸着パネルを準備する工程と、
蒸着パネルとデバイス基板とを、該蒸着材料層がデバイス基板と対向するように配置する工程と、
前記複数の発熱体の少なくとも一部を発熱させ、発熱した発熱体の上に位置する蒸着材料層を選択的に蒸発させ、前記デバイス基板の表面に蒸着させて蒸着膜を得る工程と
を含むことを特徴とするパターン状の蒸着膜の製造方法。 - 前記複数の発熱体が基板上にアイランド状に配列され、前記複数の発熱体に電流を供給するための配線がマトリクス状に配列され、前記複数の発熱体のそれぞれを選択的に発熱させることができる蒸着パネルを使用することを特徴とする請求項1に記載のパターン状の蒸着膜の製造方法。
- 前記複数の発熱体が基板上にライン状に配列され、前記複数の発熱体のそれぞれを選択的に発熱させることができる蒸着パネルを使用することを特徴とする請求項1に記載のパターン状の蒸着膜の製造方法。
- 前記蒸着材料層が色変換材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のパターン状の蒸着膜の製造方法。
- 前記デバイス基板が、支持体上に反射電極、有機EL層および透明電極がこの順に積層されたトップエミッション型有機EL表示基板であることを特徴とする請求項1に記載のパターン状の蒸着膜の製造方法。
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