JP2003077651A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

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JP2003077651A JP2001261619A JP2001261619A JP2003077651A JP 2003077651 A JP2003077651 A JP 2003077651A JP 2001261619 A JP2001261619 A JP 2001261619A JP 2001261619 A JP2001261619 A JP 2001261619A JP 2003077651 A JP2003077651 A JP 2003077651A
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organic
layer
film
organic material
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Tomonori Akai
伴教 赤井
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機部層上に透明な第２電極をスパッタリン
グ法で形成する際に、有機物層に生じるダメージを低減
できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 有機エレクトをルミネッセンス素子の製
造方法は、基板上の第１電極の上に設けられ発光層を有
する有機物層の上にスパッタ保護層を積層し、そのスパ
ッタ保護層上にスパッタリング法を利用して透明な第２
電極を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法およびその方法で製造さ
れた有機エレクトロルミネッセンス素子並びにその有機
エレクトロルミネッセンス素子を用いた有機エレクトロ
ルミネッセンス表示パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子（有
機ＥＬ素子）は、基板上に第１電極、少なくとも発光層
を含む有機物層および第２電極を順に積層することによ
り構成される発光素子である。
【０００３】有機ＥＬ素子は、表示パネルへの応用が期
待されており、近年各方面で盛んに研究が行われてい
る。
【０００４】この有機ＥＬ素子の第１および第２電極間
に電圧を印加すると、有機物層中の発光層に一方の電極
から電子が注入されると共に、他方の電極からホールが
注入され、これら電子とホールの再結合により発光層か
ら面状発光が得られる。
【０００５】このような面状発光を得るうえで、いずれ
か一方の電極は透明であることが望ましく、多くの場合
は基板として透明基板を用い、この透明基板上に透明導
電膜からなる第１電極を設けて、第１電極側から発光を
取り出している。すなわち、このような有機ＥＬ素子
は、透明基板上に透明な第１電極、少なくとも発光層を
含む有機物層および透明又は非透明の第２電極が順に積
層された構成となっている。
【０００６】従来の有機ＥＬ素子において、第１電極側
より発光を取り出す構成が多く採用されていた理由とし
ては、液晶表示パネルなどで広く用いられているＩＴＯ
導電膜付きガラス基板を有機ＥＬ素子用の基板として転
用してきたことが考えられる。なお、ＩＴＯは透明電極
の一種であり酸化インジウム錫の薄膜である。
【０００７】ところで、最近の研究開発により、有機Ｅ
Ｌ素子の特性向上や利便性向上のために基板と反対側の
第２電極側より発光を取り出す有機ＥＬ素子が考案され
ている。すなわち、このような有機ＥＬ素子は、透明又
は非透明の基板上に、透明又は非透明の第１電極、少な
くとも発光層を含む有機物層および透明な第２電極が順
に積層されることにより構成され、発光層からの面状発
光を透明な第２電極を介して外部に取り出している。
【０００８】このような構成であれば、従来の第１電極
側より発光を取り出す素子において問題となっていた基
板での反射等による発光のロスが抑止されるので、発光
効率が向上し、消費電力が低下する。また、基板に用い
る材料の選択肢が広くなり、セラミック基板やシリコン
基板などの非透明基板を用いることが可能となる。さら
に、有機ＥＬ素子を画素発光部に組み込んだ表示パネル
をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で駆動する場合には、表
示パネルの開口率が向上するという利点もある。
【０００９】ここで、第２電極側より発光を取り出す従
来の有機ＥＬ素子が組み込まれた有機ＥＬ表示パネルの
構造およびその製造方法について図２〜４に基づいて説
明する。図２は第２電極側より発光を取り出す従来の有
機ＥＬ素子を組み込んだ有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬ
ディスプレイ）の概略構成を示す断面図、図３は図２に
示される従来の有機ＥＬ素子の第１電極上に有機物層を
転写法で転写する工程を説明する説明図、図３は転写さ
れた有機物層上に第２電極を形成する工程を説明する説
明図である。
【００１０】図２に示される従来の有機ＥＬ表示パネル
１１０は、有機ＥＬ素子１１０ａ、１１０ｂおよび１１
０ｃが組み込まれ、各有機ＥＬ素子１１０ａ、１１０ｂ
および１１０ｃは、基板１０１と、第１電極１０２と、
少なくとも発光層を含む有機物層１０３と、第２電極１
０５とからそれぞれ構成されている。
【００１１】なお、有機ＥＬ表示パネル１１０を作製す
るうえで、第１電極１０２や第２電極１０５はそれぞれ
パターン化にされている。また、フルカラーの有機ＥＬ
表示パネルとする場合は、各有機ＥＬ素子１１０ａ、１
１０ｂおよび１１０ｃの各有機物層１０３をそれぞれ赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色発光用に分けて積層する
必要がある。
【００１２】このような従来の有機ＥＬ素子１１０ａ、
１１０ｂおよび１１０ｃは、第２電極１０５側から発光
１１５を取り出すため、基板１０１と第１電極１０２は
透明である必要がなく、少なくとも各有機物層１０３上
の第２電極１０５が透明であればよい。
【００１３】ここで、第１電極１０２上に積層される有
機物層１０３の形成方法については、蒸着法、スピンコ
ート法、印刷法、ラミネート法、インクジェット法など
の公知の手法が用いられるが、最近では転写法が注目さ
れている。
【００１４】転写法は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタ
レート）フィルムなどからなるベースフィルム上に、蒸
着法、スピンコート法又はスパッタリング法などで第１
電極上に転写すべき薄膜層（有機物層）を形成したドナ
ーフィルムを基板に貼り付け、ベースフィルム側よりレ
ーザー光や熱等のエネルギーを照射することにより照射
部位の薄膜層を基板上へ転写するというものである（例
えば、特開平９−１６７６８４号公報および特開平１０
−２０８８８１号公報参照）。
【００１５】ベースフィルムとしては、上記ＰＥＴフィ
ルムに限られるものではないが、熱源としてレーザー光
を用いる場合には光熱変換層や熱伝播層が形成されたＰ
ＥＴフィルムが好適に用いられる。転写法の利点は、ベ
ースフィルム上に形成された薄膜の積層が、そのまま逆
の順序で基板上に転写されるので、一括して基板上に薄
膜の積層、すなわち複数の層からなる有機物層を積層で
きることである。また、ベースフィルム上に薄膜層を形
成する際には、特にパターニングを行う必要がなく、ベ
ースフィルムの全面に薄膜層を形成すればよいという利
点もある。
【００１６】基板上に薄膜層を転写する際には、レーザ
光や熱などの照射を受けた部分の薄膜層のみがドナーフ
ィルムから基板上へ転写されるので、蒸着法で用いるよ
うなシャドウマスクを用いることなく高精細なパターン
を形成できることとなる。例えば、転写法では、幅が２
００μｍ以下のラインパターンも容易に形成でき、従来
のシャドウマスクを用いる方法よりも高精細な有機ＥＬ
表示パネルを容易に形成できることとなる。以上のよう
な理由から転写法は、有機ＥＬ表示パネルを作製するう
えで都合の良い方法である。
【００１７】ここで、図２に示される従来の有機ＥＬ素
子１１０ａ、１１０ｂおよび１１０ｃの有機物層１０３
を上述の転写法で形成する工程について図３に基づいて
具体的に説明する。
【００１８】図３に示されるように、第１電極１０２が
形成された基板１０１と、ベースフィルム２０４上に少
なくとも発光層を含む有機物層１０３が全面に形成され
たドナーフィルム２１０とを貼り合わせ、ベースフィル
ム２０４側から熱源２０５を第１電極１０２と直交する
方向にスキャンさせながら照射する。これにより、熱源
２０５が照射された部分の有機物層１０３が第１電極１
０２上に転写される。
【００１９】このような工程を赤色を発光する発光層を
有するドナーフィルム、緑色を発光する発光層を有する
ドナーフィルム、青色を発光する発光層を有するドナー
フィルムについてそれぞれ繰り返すことにより、第１電
極上に赤、緑、青の各色を発光する有機物層１０３が転
写される。
【００２０】その後、図４に示されるように、各有機物
層１０３上に透明な第２電極１０５を形成することによ
り有機ＥＬ表示パネル１１０が得られる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】従来より、有機エレク
トロルミネッセンス素子の多くは、基板上に形成する透
明な第１電極としてＩＴＯ導電膜が用いられており、こ
のＩＴＯ導電膜は電子ビーム法やスパッタリング法で形
成された後に透過率や導電率を向上させるための熱処理
が施される。
【００２２】このような方法により、基板上に第１電極
としてＩＴＯ導電膜からなる透明電極を形成する場合に
は特に問題は生じない。しかし、有機物層上に形成され
る第２電極としてＩＴＯ導電膜からなる透明電極を形成
する場合、有機物層の電子ビーム法やスパッタリング法
などに対する耐性が弱いため、第２電極の下地となる有
機物層がダメージを受け、良好な有機ＥＬ素子とならな
いという問題が生じる。
【００２３】例えば、ＩＴＯ導電膜をスパッタリング法
で有機物層上に形成すると、スパッタリングによる温度
上昇によって耐熱性の低い有機物層がダメージを受けた
り、蒸発した材料の衝撃によって有機物層がダメージを
受けたりすることがある。このような場合、有機ＥＬ素
子にリーク電流が生じたり、あるいは発光特性が低下す
るといった現象が現れ、最悪の場合には全く発光が得ら
れなくなる。
【００２４】特に有機物層が転写法で形成されたもので
ある場合、転写時に瞬間的に熱が付加されているので真
空蒸着法やスピンコート法などで形成された有機物層よ
りも耐熱性が低下している場合がある。そのため、転写
法で形成された有機物層上に第２電極としてＩＴＯ導電
膜をスパッタリング法で形成した後、さらに熱処理を加
えると有機物層に生じるダメージが特に顕著に現れる。
【００２５】そこで、第２電極としてスパッタ後に熱処
理を行う必要がないＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系透明導電膜（Ｉ
ＤＩＸＯ：出光興産株式会社の登録商標）を用いること
により有機物層に対するダメージを低減できることが知
られている（例えば、特開平１０−２９４１８２号公報
参照）。ＩＤＩＸＯは、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を約１０ｗｔ％添加した材料であ
り、スパッタ後に熱処理を行わなくとも十分な導電性と
透過率が得られる。
【００２６】しかし、第２電極としてＩＤＩＸＯを用い
ても、スパッタリング法で形成する以上、有機物層には
ある程度のダメージが生じるという問題を有している。
【００２７】この発明は以上のような事情を考慮してな
されたものであり、有機物層上に形成された透明な第２
電極から発光を取り出す有機ＥＬ素子において、有機部
層上に透明な第２電極をスパッタリング法で形成する際
に、有機物層に生じるダメージを低減できる有機ＥＬ素
子の製造方法およびその方法で製造された有機エレクト
ロルミネッセンス素子並びにその有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルを提供するものである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上の第
１電極の上に設けられ発光層を有する有機物層の上にス
パッタ保護層を積層し、そのスパッタ保護層上にスパッ
タリング法を利用して透明な第２電極を形成する有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供するもの
である。
【００２９】つまり、この発明は、有機物層上にスパッ
タ保護層を設けてから透明な第２電極をスパッタリング
法で形成することにより、有機物層上に透明な第２電極
をスパッタリング法で形成する際に生じる有機物層への
ダメージを低減するものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】この発明による有機ＥＬ素子の製
造方法において、用いられる基板としては、透明又は非
透明のいずれであってもよく、材質に関しても有機ＥＬ
素子を維持できる程度の剛性があれば特に限定されるも
のではない。例えば、シリコン基板、ポリイミドフィル
ム、セラミック基板、ガラス基板、絶縁処理した金属基
板などを用いることができる。
【００３１】また、第１電極としては、透明又は非透明
のいずれであってもよく、例えば、アルミニウム、マグ
ネシウム、リチウム、カルシウム、金、白金、銅、ニッ
ケルなどの金属やＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2などの透明
導電性物質からなる薄膜を用いることができる。
【００３２】第１電極の形成方法としては、公知の手法
が適用可能であり、例えば、蒸着法、スパッタ法、電子
ビーム法、メッキ法などが適用可能である。また、パタ
ーニングに関しても、特に限定されるものではなく、公
知のシャドウマスク法、フォトリソグラフィ法などが適
用可能である。第１電極の膜厚は、用いる材料にもよる
が、例えば、約５０ｎｍ〜１μｍ程度とすることができ
る。
【００３３】また、有機物層としては、少なくとも発光
層を含んでいる有機物層であればよく、その構成は特に
限定されないが、例えば、第１電極上に電子注入層、電
子輸送層、発光層、ホール輸送層およびホール注入層が
順に積層された構成とすることができる。
【００３４】ここで、発光層に用いられる材料として
は、例えば、トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウ
ム（Ａｌｑ３）や、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（Ｂ
Ａｌｑ）や、ベンゾオキサゾール系や、ベンゾチアゾー
ル系材料などを挙げることができる。
【００３５】また、発光色の変更や特性向上のためにド
ーピングすることが可能であり、キナクリドン、ルブレ
ン、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジ
メチルアミノスリチル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）又は
クマリン誘導体などを適宜用いることができる。
【００３６】また、電子注入層や電子輸送層に用いられ
る材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、ト
リス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）
又はトリアゾール誘導体などを挙げることができる。
【００３７】また、ホール注入層やホール輸送層に用い
られる材料としては、例えば、Ｎ、N’−ジフェニル
４、４’−ジアミン（ＴＰＤ）、N、N’−ジフェニル−
N、N’（３−メチルフェニル）−１、１’−ビフェニル
−４、４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、銅フタロシアニ
ン（ＣｕＰｃ）、オキサジアゾール、ビラゾリン系又は
ヒドラゾン系材料などを挙げることができる。
【００３８】また、有機物層を構成する上記各層の形成
方法としては、公知の手法が適用可能であり、例えば、
蒸着法、スピンコート法、印刷法、インクジェット法な
どが適用可能である。また、有機物層の膜厚としては、
一般的な有機ＥＬ素子で採用されている程度の膜厚とす
ることができ、例えば、約１０ｎｍ〜１μｍ程度とする
ことができる。
【００３９】この発明による有機ＥＬ素子の製造方法に
おいて、スパッタ保護層は、スパッタリング法で透明な
第２電極を形成する際に有機物層を保護できる金属材料
を用いて積層されていてもよい。また、この発明による
有機ＥＬ素子の製造方法において、スパッタ保護層を積
層する工程は、スパッタ保護層の材料として金、ニッケ
ル又はアルミニウムを用い、膜厚が約１〜２０ｎｍとな
るようにスパッタ保護層を積層する工程からなっていて
もよい。
【００４０】ここで、上記スパッタ保護層の材料として
用いられる金、ニッケル又はアルミニウムといった金属
薄膜は、本来、光が透過しないが、膜厚を約２０ｎｍ程
度まで薄くすると光が透過するようになる。しかし、膜
厚の薄いスパッタ保護層は抵抗が高く、これだけでは電
極として不十分である。抵抗を下げるためには、スパッ
タ保護層の上に透明な第２電極を形成する必要がある。
【００４１】そこで、この発明による有機ＥＬ素子の製
造方法では、第２電極を形成する工程が、第２電極の材
料として酸化インジウムに酸化亜鉛を添加した材料（Ｉ
ＤＩＸＯ）を用いて形成する工程からなっていてもよ
い。ここで、ＩＤＩＸＯをスパッタリング法にて形成す
る際には、既に有機物層上にスパッタ保護層が積層され
ているため、有機物層は直接スパッタに暴露されずダメ
ージが低減される。また、ＩＤＩＸＯはＩＴＯのように
スパッタ後の熱処理の必要がなく、スパッタ形成だけで
十分な透過率と導電性を示す。従って、より一層有機物
層に生じるダメージが低減される。
【００４２】また、この発明による有機ＥＬ素子の製造
方法において、第２電極を形成する工程は、毎分約０．
１〜１ｎｍのスパッタレートで形成する工程からなって
いてもよい。このように、スパッタレートを通常よりも
大幅に落とした毎分約０．１〜１ｎｍとすることによ
り、より一層有機物層に生じるダメージが低減される。
しかし、例えば、第２電極の膜厚が約１００ｎｍに達す
るまでスパッタリングを行う場合、上記スパッタレート
では時間がかかり過ぎることになるが、これはスパッタ
リングの途中でスパッタレートを高くすることにより解
決できる。
【００４３】そこで、この発明による有機ＥＬ素子の製
造方法では、第２電極を形成する工程が、第２電極の膜
厚が約２０ｎｍに達するまでは毎分約０．１〜１ｎｍの
スパッタレートで形成し、それ以降は毎分約１〜５ｎｍ
のスパッタレートで所望の膜厚に達するまで形成する工
程からなっていてもよい。つまり、ある程度の膜厚まで
ＩＤＩＸＯの膜が成膜されると、これ自体がスパッタ保
護層としての役割を果たすので、それ以降はスパッタレ
ートを高くしても有機物層に対してダメージを与えるこ
とはない。
【００４４】また、この発明による有機ＥＬ素子の製造
方法において、第１電極上に有機物層を設ける工程は、
第１電極層上に有機物層とベースフィルムとからなるド
ナーフィルムを第１電極と有機物層とが対向するように
貼り付け、このドナーフィルムに対してベースフィルム
側からレーザー光を照射して照射部位の有機物層を第１
電極上に転写した後、ベースフィルムを第１電極から剥
離することにより第１電極層上に有機物層を設ける工程
からなっていてもよい。つまり、有機物層を転写法で形
成することにより、従来のシャドウマスクを用いる方法
よりも高精細な有機ＥＬ表示パネルを容易に作製できる
ようになる。
【００４５】また、上記製造方法において、ドナーフィ
ルムに照射されるレーザー光はＹＡＧレーザー光であっ
てもよい。このように、ドナーフィルムに照射されるレ
ーザー光としてＹＡＧレーザー光を用いることにより、
局所的に強いエネルギーを与えることが可能となり、結
果として高精細なパターンを形成できるようになる。ま
た、レーザー光を連続発振のものとすると、完全なライ
ン状のパターンで転写することもできるようになる。
【００４６】また、この発明による有機ＥＬ素子の製造
方法において、スパッタ保護層を積層する工程と第２電
極を形成する工程は、真空を維持した雰囲気のもとで連
続して行われてもよい。このようにすると、例えば、ス
パッタ保護層の材料としてアルミニウムのような酸化し
易い金属を用いた場合でも電極としての機能が損なわれ
るのを防止することができる。また、例えば、スパッタ
保護層の材料として金のような酸化しない材料を用いた
場合でも、大気中の水分や酸素から有機物層がダメージ
を受けるのを低減するために、上記２つの工程は真空中
で連続して行うことが好ましい。
【００４７】また、この発明は別の観点からみると、こ
の発明による上述の製造方法を用いて製造された有機エ
レクトロルミネッセンス素子を提供するものでもある。
また、この発明による製造方法で製造された上記有機Ｅ
Ｌ素子において、スパッタ保護層は発光層で生じた光の
波長を変化させ、波長が変化した光は第２電極から出射
されるように構成されていてもよい。
【００４８】つまり、スパッタ保護層は、その光の透過
率による波長依存性を有するので、発光層で発光された
光の波長を変化させることができ、これによって有機Ｅ
Ｌ素子から発光される発光色の色純度を向上させること
ができるのである。特に、スパッタ保護層に金を用い、
発光色が青の場合には、発光層からの長波長成分が遮断
され、色純度を大幅に向上させることができるようにな
る。
【００４９】また、この発明は別の観点からみると、こ
の発明による製造方法で製造された上記有機ＥＬ素子を
組み込んだ有機エレクトロルミネッセンス表示パネルを
提供するものでもある。また、この発明による製造方法
で製造された上記有機ＥＬ素子が組み込まれた上記有機
ＥＬ表示パネルは、組み込まれたエレクトロルミネッセ
ンス素子を駆動するための薄膜トランジスタをさらに備
えていてもよい。
【００５０】
【実施例】以下にこの発明の実施例による有機ＥＬ表示
パネルおよびその製造方法について図面に基づいて詳細
に説明する。なお、この実施例によってこの発明が限定
されるものではない。
【００５１】図１に示される有機ＥＬ表示パネル１１は
有機ＥＬ素子１１ａ、１１ｂおよび１１ｃが組み込まれ
ており、各有機ＥＬ素子１１ａ、１１ｂおよび１１ｃ
は、基板１と、基板１上に形成された第１電極２と、第
１電極２上に形成され発光層を有する有機物層３と、有
機物層３上に積層されたスパッタ保護層４と、スパッタ
保護層４上に形成された透明な第２電極５とから主に構
成されている。
【００５２】基板１上のアモルファスシリコン層６（又
は低温ポリシリコン層）中には各有機ＥＬ素子１１ａ、
１１ｂおよび１１ｃをアクティブ駆動させるために、ソ
ース電極７、ゲート電極８などからなるＴＦＴ９が形成
され、ＴＦＴ９の上は平坦化膜１０で覆われている。な
お、図１において符号１５は発光を示している。また、
アクティブ駆動の場合、透明な第２電極５はラインパタ
ンにする必要はなく、端子取り出し部や封止部（図示せ
ず）を除いた全面に一様に形成されていればよい。
【００５３】以下に図１に示される有機ＥＬ表示パネル
１１の製造方法について説明するが、製造工程について
特に図示は行わない。
【００５４】１）転写用ドナーフィルムの作製 １−１）ベースフィルムの作製 まず、転写用のベースフィルムを３枚作製する。ベース
フィルムとしては、必ずしもフィルム状のものに限定さ
れないが、例えば、ＰＥＴフィルムを用いることができ
る。
【００５５】ＰＥＴフィルムは、樹脂フィルムの中でも
耐熱性が良好であり、かつ、適度な柔軟性を有するので
ベースフィルムとして好ましい。また、ベースフィルム
の厚さについては特に限定されないが、耐久性と転写の
容易性を考慮すると約５０μｍ〜１ｍｍ程度が好まし
い。ベースフィルムとしてＰＥＴフィルムを用い、転写
の際の熱源としてレーザー光、特にＹＡＧレーザー光を
用いる場合、透明なＰＥＴフィルムだけではレーザー光
が効率良く熱に変換されず転写性に劣るので、ベースフ
ィルム上に公知の材料を用いて光熱変換層や熱伝播層を
適宜形成し、転写効率を向上させてもよい。
【００５６】１−２）有機物層の形成 次に、ベースフィルム上に少なくとも発光層を含む有機
物層を形成する。多くのの場合、有機物層は発光層以外
に電荷輸送層や電荷注入層を含んだ積層構成であり、基
板上に転写された際の積層構成とは逆の順序で有機部層
を構成する各層を形成する。
【００５７】有機ＥＬ素子を画素発光部に組み込んだフ
ルカラーの表示パネルを作製する場合には、隣合う有機
ＥＬ素子の有機物層が赤色を発光する発光層、緑色を発
光する発光層、青色を発光する発光層をそれぞれ含んで
いる必要がある。このため、３枚のドナーフィルムを
赤、緑、青用としてそれぞれ作製する必要がある。
【００５８】有機物層の形成方法としては、公知の手法
が適用可能であり、例えば、蒸着法、スピンコート法、
印刷法、インクジェット法などが適用可能である。膜厚
についても特に制限はなく、一般的な有機ＥＬ素子で採
用されている程度の膜厚とすることができ、通常は約１
０ｎｍ〜１μｍ程度である。
【００５９】有機物層は、発光層、ホール輸送層、ホー
ル注入層、電子輸送層および電子注入層などから構成す
ることができ、それらを構成する材料としては公知の材
料を用いることができ、特に限定されない。
【００６０】発光層に用いられる材料としては、例え
ば、トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム（Ａｌ
ｑ３）や、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＢＡｌ
ｑ）や、ベンゾオキサゾール系や、ベンゾチアゾール系
材料などを挙げることができる。
【００６１】また、発光色の変更や特性向上のためにド
ーピングすることが可能であり、キナクリドン、ルブレ
ン、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジ
メチルアミノスリチル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）又は
クマリン誘導体などを適宜用いることができる。
【００６２】ホール輸送層やホール注入層に用いられる
材料としては、例えば、Ｎ、N’−ジフェニル４、４’
−ジアミン（ＴＰＤ）、N、N’−ジフェニル−N、N’
（３−メチルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４、
４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、銅フタロシアニン（Ｃ
ｕＰｃ）、オキサジアゾール、ビラゾリン系又はヒドラ
ゾン系材料などを挙げることができる。
【００６３】電子輸送層や電子注入層に用いられる材料
としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリス
（８−ヒドロキシナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）又は
トリアゾール誘導体などを挙げることができる。
【００６４】有機物層は以上のような材料を用いて形成
でき、少なくとも赤色発光層を含む有機物層、少なくと
も緑色発光層を含む有機物層、少なくとも青色発光層を
含む有機物層が３枚のベースフィルム上にそれぞれ形成
されることとなる。
【００６５】２）アクティブ駆動用ＴＦＴトランジスタ
の形成 次に、基板にアクティブ駆動用のＴＦＴトランジスタを
形成する。実施例１による有機ＥＬ表示パネルは第２電
極側より発光を取り出す構成なので、用いる基板は透明
である必要はなく、材質に関しても有機ＥＬ素子を維持
できる程度の剛性があれば特に限定されるものではな
い。例えば、シリコン基板、ポリイミドフィルム、セラ
ミック基板、ガラス基板、絶縁処理した金属基板などを
用いることができる。このような基板上に公知の手法に
より、アモルファスシリコンやポリシリコンなどからな
るＴＦＴを形成する。
【００６６】３）第１電極の形成 次にＴＦＴを形成した基板上に第１電極を形成する。第
１電極についても基板と同様に透明である必要はなく、
多くの場合には金属薄膜が用いられる。
【００６７】一般的な有機ＥＬ素子において、金属薄膜
は電子注入電極として機能することが多いので、電子注
入を容易にするような仕事関数の小さな金属が望まし
い。そのような金属としては、例えば、アルミニウム、
マグネシウム、リチウム、カルシウムなどを挙げること
ができる。
【００６８】逆に、金属薄膜をホール注入電極として機
能させるならば、ホール注入を容易にするような仕事関
数の大きな金属が望ましい。そのような金属としては、
例えば、金、白金、銅、ニッケルなどを挙げることがで
きる。また、金属以外にＩＴＯなどの透明導電膜を用い
ることもできる。
【００６９】第１電極の形成方法としては、公知の手法
が適用可能であり、例えば、蒸着法、スパッタ法、電子
ビーム法、メッキ法などが適用可能である。また、パタ
ーニングに関しても、特に限定されるものではなく、公
知のシャドウマスク法、フォトリソグラフィ法などが適
用可能である。第１電極の膜厚は、用いる金属材料にも
よるが、通常、約５０ｎｍ〜１μｍ程度である。
【００７０】４）有機物層の転写 次に、基板とドナーフィルムとを基板の第１電極とドナ
ーフィルムの有機物層とが対向するように貼り合わせ、
ベースフィルム側からＹＡＧレーザー光などの熱源を所
望のパターンに対応するように照射することにより第１
電極上に有機物層を転写し、その後、ベースフィルムを
剥離する。
【００７１】ここで、有機物層を転写する際に用いられ
る熱源としては、有機物層を基板側に転写できるもので
あれば特に限定されないが、高精細なパターンを得るた
めには局所的に強いエネルギーを与えるのが好ましく、
レーザー光の中でも特にＹＡＧレーザー光が好ましい。
なお、このとき用いるレーザー光は連続発振のものにす
ることにより、完全なライン状のパターンで有機物層を
転写できるようになる。
【００７２】なお、この実施例ではフルカラーの有機Ｅ
Ｌ表示パネルを作製するため、この転写工程においては
上述の１−２）で記した、少なくとも赤色発光層を含む
有機物層、少なくとも緑色発光層を含む有機物層、少な
くとも青色発光層を含む有機物層がそれぞれ形成された
赤、緑、青用の３枚のドナーフィルムを用いる。
【００７３】詳しくは、第１電極とドナーフィルムの有
機物層とが接するように、ドナーフィルムと基板とを貼
り合わせる。このとき、貼り合わせ部に気泡が残らない
ように、ローラー等で圧着しながら貼り合わせる。真空
ラミネート法も気泡除去には効果的である。転写後にベ
ースフィルムを剥離することにより、第１電極が形成さ
れた基板上に有機物層が転写される。
【００７４】以上の工程を赤、緑、青用の３枚のドナー
フィルムについてそれぞれ行うことにより赤、緑、青の
各色を発光する有機物層を第１電極上にストライプ状に
転写することができる。なお、このとき、赤、緑、青の
各色を発光する各有機物層の転写順序は特に限定されな
い。
【００７５】５）スパッタ保護層の形成 次に、有機物層上にスパッタ保護層を形成する。スパッ
タ保護層としては、金、アルミニウム又はインジウムな
どが好適に用いられる。有機物層に電子を注入するのが
目的ならば、アルミニウムやインジウムのように仕事関
数の小さな金属を用い、一方、有機物層にホールを注入
するのが目的ならば、金やニッケルのような仕事関数の
大きな金属を用いて、いずれも膜厚約２０ｎｍ以下で成
膜する。スパッタ保護層の形成方法としては、抵抗加熱
蒸着法や電子ビーム法などが好適に用いられる。
【００７６】６）第２電極の形成 次に、透明な第２電極をスパッタリング法で形成する。
第２電極の材料としては、成膜後に熱処理を施さなくと
も十分な透過率と導電性を示すＩＤＩＸＯを用いる。ス
パッタ保護層積層後、真空を維持した雰囲気のもとでス
パッタ装置へ移し、ＩＤＩＸＯをＲＦスパッタリングす
る。スパッタレートは毎分約１ｎｍ以下とし、有機物層
へのダメージを最小限に抑える。
【００７７】しかし、このままのスパッタレートでは第
２電極が約１００ｎｍの膜厚となるまでに時間がかかり
過ぎるので、膜厚約２０ｎｍまで形成がすすんだ時点で
スパッタレートを上げる。すなわち、ある程度、ＩＤＩ
ＸＯが形成されると、これ自体がスパッタ保護層として
の役割を果たすので、スパッタレートを高くしても有機
物層にダメージを与えることはない。
【００７８】このようにして、ＩＤＩＸＯからなる透明
な第２電極を形成することにより、第２電極側より発光
を取り出す有機ＥＬ表示パネルが得られる。最後に、有
機ＥＬ表示パネルの信頼性を確保するために、封止処理
を行うのが好ましい。封止処理の方法としては、中空ガ
ラスやフィルムを用いる公知の手法が適用可能である。
【００７９】
【発明の効果】この発明によれば、有機ＥＬ素子の製造
方法において、基板上の第１電極の上に設けられ発光層
を有する有機物層の上にスパッタ保護層を積層し、その
スパッタ保護層上にスパッタリング法で透明な第２電極
を形成するので、有機物層上に透明な第２電極をスパッ
タリング法で形成する際に有機物層に生じるダメージを
低減でき、それによって有機ＥＬ素子の発光特性の低下
を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例による有機ＥＬ表示パネルの
構成を概略的に示す説明図である。
【図２】従来の有機ＥＬ素子が組み込まれた有機ＥＬ表
示パネルの構成を概略的に示す説明図である。
【図３】図２に示される従来の有機ＥＬ素子の第１電極
上に有機物層を転写法で転写する工程を説明する説明図
である。
【図４】図２に示される従来の有機ＥＬ素子の有機物層
上に第２電極を形成する工程を説明する説明図である。
【符号の説明】
１・・・基板 ２・・・第１電極 ３・・・有機物層 ４・・・スパッタ保護層 ５・・・第２電極 ６・・・アモルファスシリコン層 ７・・・ソース電極 ８・・・ゲート電極 ９・・・ＴＦＴ １０・・・平坦化膜 １１・・・有機ＥＬ表示パネル １１ａ，１１ｂ，１１ｃ・・・有機ＥＬ素子 １５・・・発光

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上の第１電極の上に設けられ発光層
    を有する有機物層の上にスパッタ保護層を積層し、その
    スパッタ保護層上にスパッタリング法を利用して透明な
    第２電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子
    の製造方法。
  2. 【請求項２】 スパッタ保護層は、スパッタリング法で
    透明な第２電極を形成する際に有機物層を保護できる金
    属材料を用いて積層される請求項１に記載の有機エレク
    トロルミネッセンス素子の製造方法。
  3. 【請求項３】 スパッタ保護層を積層する工程は、スパ
    ッタ保護層の材料として金、ニッケル又はアルミニウム
    を用い、膜厚が１〜２０ｎｍとなるようにスパッタ保護
    層を積層する工程からなる請求項１又は２に記載の有機
    エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  4. 【請求項４】 第２電極を形成する工程は、第２電極の
    材料として酸化インジウムに酸化亜鉛を添加した材料を
    用いて形成する工程からなる請求項１〜３のいずれか１
    つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
    法。
  5. 【請求項５】 第２電極を形成する工程は、毎分０．１
    〜１ｎｍのスパッタレートで形成する工程からなる請求
    項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
    方法。
  6. 【請求項６】 第２電極を形成する工程は、第２電極の
    膜厚が２０ｎｍに達するまでは毎分０．１〜１ｎｍのス
    パッタレートで形成し、それ以降は毎分１〜５ｎｍのス
    パッタレートで所望の膜厚に達するまで形成する工程か
    らなる請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス
    素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 第１電極上に有機物層を設ける工程は、
    第１電極層上に有機物層とベースフィルムとからなるド
    ナーフィルムを第１電極と有機物層とが対向するように
    貼り付け、このドナーフィルムに対してベースフィルム
    側からレーザー光を照射して照射部位の有機物層を第１
    電極上に転写した後、ベースフィルムを第１電極から剥
    離することにより第１電極層上に有機物層を設ける工程
    からなる請求項１〜６のいずれか１つに記載の有機エレ
    クトロルミネッセンス素子の製造方法。
  8. 【請求項８】 レーザー光がＹＡＧレーザー光である請
    求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製
    造方法。
  9. 【請求項９】 スパッタ保護層を積層する工程と第２電
    極を形成する工程が、真空を維持した雰囲気のもとで連
    続して行われる請求項１〜８のいずれか１つに記載の有
    機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１つに記載の
    製造方法を用いて製造された有機エレクトロルミネッセ
    ンス素子。
  11. 【請求項１１】 スパッタ保護層は発光層で生じた光の
    波長を変化させ、波長が変化した光は第２電極から出射
    される請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  12. 【請求項１２】 請求項１０又は１１に記載の有機エレ
    クトロルミネッセンス素子を組み込んだ有機エレクトロ
    ルミネッセンス表示パネル。
  13. 【請求項１３】 組み込まれたエレクトロルミネッセン
    ス素子を駆動するための薄膜トランジスタをさらに備え
    る請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表
    示パネル。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044799A (ja) * 2003-07-10 2005-02-17 Dainippon Printing Co Ltd 有機電界発光素子
JP2005071696A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Sharp Corp 有機ｅｌ素子
JP2005100973A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及びその作製方法
JP2007265792A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007310348A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Lg Philips Lcd Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
US7714505B2 (en) 2005-09-01 2010-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescence element
US7939999B2 (en) 2005-09-01 2011-05-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescence device and functional device
US8012529B2 (en) 2003-08-29 2011-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof
JP2012079690A (ja) * 2010-09-10 2012-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、発光装置、およびその作製方法
US8497497B2 (en) 2009-09-28 2013-07-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element, method for manufacturing the organic electroluminescent element, and light emitting display device
JP2016508893A (ja) * 2013-08-01 2016-03-24 エルジー・ケム・リミテッド ３次元構造の金属パターンの製造方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US20070196682A1 (en) * 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6866901B2 (en) * 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US20040191564A1 (en) * 2002-12-17 2004-09-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor film for low molecular weight full color organic electroluminescent device using laser induced thermal imaging method and method for fabricating low molecular weight full color organic electroluminescent device using the film
JP4197447B2 (ja) * 2003-03-31 2008-12-17 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子の製造方法及びその有機電界発光素子
US7510913B2 (en) * 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
GB2404284B (en) * 2003-07-10 2007-02-21 Dainippon Printing Co Ltd Organic electroluminescent element
US7902747B2 (en) * 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
KR100556525B1 (ko) * 2003-12-29 2006-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US8063398B2 (en) * 2004-06-30 2011-11-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Light-emitting diode matrix and method for producing a light-emitting diode matrix
KR20060020045A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US8058093B2 (en) * 2005-08-26 2011-11-15 Global Photonic Energy Corp. Method of forming an encapsulating electrode
JP4438782B2 (ja) * 2006-08-23 2010-03-24 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
JP5325471B2 (ja) * 2007-07-06 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2009259628A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機発光素子
CN103858243A (zh) * 2011-08-30 2014-06-11 皇家飞利浦有限公司 将衬底接合到半导体发光器件的方法
GB201200823D0 (en) * 2012-01-18 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescence
US10868281B2 (en) * 2017-09-18 2020-12-15 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Fabricating method of OLED device with base substrate having improved water and oxygen blocking performance
TW201943114A (zh) * 2018-03-31 2019-11-01 謙華科技股份有限公司 使用熱轉印膜連續製備有機發光二極體之方法
CN113748530A (zh) * 2019-04-29 2021-12-03 应用材料公司 具有活性有机膜的改良的顶部发光装置和处理基板的方法
CN111933633B (zh) * 2020-09-16 2021-06-22 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 发光元件的转移方法和显示器背板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP3560375B2 (ja) 1994-12-27 2004-09-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
JPH10125469A (ja) 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
JP4354019B2 (ja) 1997-04-18 2009-10-28 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5981306A (en) * 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
KR100195175B1 (ko) 1996-12-23 1999-06-15 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
JP3571171B2 (ja) 1997-05-08 2004-09-29 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3546697B2 (ja) 1998-05-06 2004-07-28 トヨタ自動車株式会社 有機ｅｌ素子
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
US20020036297A1 (en) * 2000-02-04 2002-03-28 Karl Pichler Low absorption sputter protection layer for OLED structure

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044799A (ja) * 2003-07-10 2005-02-17 Dainippon Printing Co Ltd 有機電界発光素子
JP2005071696A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Sharp Corp 有機ｅｌ素子
JP4723213B2 (ja) * 2003-08-29 2011-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子の作製方法
JP2005100973A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及びその作製方法
US8012529B2 (en) 2003-08-29 2011-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof
US7714505B2 (en) 2005-09-01 2010-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescence element
US7939999B2 (en) 2005-09-01 2011-05-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescence device and functional device
JP2007265792A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7687987B2 (en) 2006-03-28 2010-03-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent having a transparent electroconductive layer formed on a light emitting layer
JP4688781B2 (ja) * 2006-05-17 2011-05-25 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 電界発光素子の製造方法
JP2007310348A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Lg Philips Lcd Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
US8153468B2 (en) 2006-05-17 2012-04-10 Lg Display Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR101227142B1 (ko) * 2006-05-17 2013-01-28 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
US8497497B2 (en) 2009-09-28 2013-07-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element, method for manufacturing the organic electroluminescent element, and light emitting display device
JP2012079690A (ja) * 2010-09-10 2012-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、発光装置、およびその作製方法
JP2016508893A (ja) * 2013-08-01 2016-03-24 エルジー・ケム・リミテッド ３次元構造の金属パターンの製造方法
US10034385B2 (en) 2013-08-01 2018-07-24 Lg Chem, Ltd. Method of preparing metal pattern having 3D structure

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