JP2016508893A - ３次元構造の金属パターンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、３次元構造の金属パターンの製造方法、金属パターン積層体及び金属パターン積層体の用途に関する。本発明の金属パターンの製造方法によれば、３次元構造の金属パターンを受容体上に効果的に形成することができる。特に、本発明によれば、フレキシブル基板のように、金属パターンの転写が容易でない受容体の表面にも３次元構造の金属パターンを効果的に急速パターンに転写することができる。これにより製造された金属パターン積層体は、例えば、フレキシブル電子素子の金属層または金属配線に有用に用いられる。
Description
本発明は、３次元構造の金属パターンの製造方法、金属パターン積層体及び金属パターン積層体の用途に関する。
金属パターンは多様な用途で有用に用いられる。例えば、金属パターンは、デザインロゴ、カードデザイン、各種電子装備の電極や端面アンテナなどの形成に用いられる。例えば、金属パターンは電子素子の電極層として用いられる（特許文献１：特開２０１２−０９２３８８号公報）。
最近では、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）電子素子に対する関心が高まっており、電子素子の基板をハードなガラスベースの基板からフレキシブルな高分子ベースの基板に代替しようとする技術に対する需要が増えている。これに関連して、基板上に金属電極を形成する方法として多様な金属パターンの転写方法が用いられているが、フレキシブル基板はハード基板に比べて熱及び溶媒に対する耐久性が脆弱であるため金属パターンの電極層を形成するのに限界がある。さらに、フレキシブル電子素子の製造のために曲げと伸縮に耐えられる３次元形状の金属パターンの製造技術を必要とする。しかし、金属層の３次元形状を調節すると同時に、基板に３次元構造をそのまま転写するには制約がある。
本発明は、３次元構造の金属パターンの製造方法、金属パターン積層体及び金属パターン積層体の用途を提供する。
例示的な３次元構造の金属パターンの製造方法は、受容体上に、光熱変換層、中間層及び金属層を順に含む金属パターン転写用フィルムの上記金属層を対向配置し、光熱変換層に光を照射する工程を含んでもよい。本発明において、３次元構造の金属パターンは転写された金属パターンが凹凸構造を有する連続的な金属層であることを意味し、金属層の一部が受容体に転写された金属パターンとは区分される概念である。
金属パターン転写用フィルムは、上述のように、光熱変換層、中間層及び金属層を順に含んでもよい。図１は、光熱変換層１０１、中間層１０２及び金属層１０３が順に形成された金属パターン転写用フィルムの例を示す図である。このような金属パターン転写用フィルムを用いる場合、例えば、図２に示すように、受容体２０１上に３次元構造の金属パターン２０２、すなわち凹凸構造を有する連続的な金属層を効果的に形成することができる。
本発明において光熱変換層は、例えば、照射される光、例えば、赤外線−可視光線領域の光を吸収して前記光の一部を熱に変換させる機能性層を意味するものとする。光熱変換層としては、赤外線−可視光線領域の光を吸収して前記光の一部を熱に変換させる材料（以下、光吸収材料）を含む限り、特に制限なく選んで使用することができる。光吸収材料は多様に公知されていて、このような材料は特に制限なく前記光熱変換層として適用することができる。
光吸収材料としては、例えば染料を用いることができる。例えば赤外線領域の光を吸収する染料が多様に開示されている。例えば、Ｍａｔｓｕｏｋａ、Ｍ．、Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ａｂｓｏｒｂｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９９０及びＭａｔｓｕｏｋａ、Ｍ．、Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ Ｄｙｅｓｆｏｒ Ｄｉｏｄｅ Ｌａｓｅｒｓ、Ｂｕｎｓｈｉｎ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．、Ｔｏｋｙｏ、１９９０、米国特許第４、７７２、５８３号、第４、８３３、１２４号、第４、９１２、１４１号、第４、９４８、７７６号、第４、９４８、７７７号、第４、９４８、７７８号、第４、９５０、６３９号、第４、９４０、６４０号、第４、９５２、５５２号、第５、０２３、２２９号、第５、０２４、９９０号、第５、２８６、６０４号、第５、３４０、６９９号、第５、４０１、６０７号またはヨーロッパ特許第３２１、９２３号と第５６８、９９３号などに開示されている染料が用いられる。また、Ｂｅｌｌｏ、Ｋ．Ａ．などのＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ、４５２（１９９３）及び米国特許第５、３６０、６９４号などに開示された染料も用いられる。他の例示として、商標ＩＲ−９９、ＩＲ−１２６及びＩＲ−１６５として、Ａｍｅｒｉｃａｎ ＣｙａｎａｍｉｄまたはＧｌｅｎｄａｌｅ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｓｅなどで販売されるＩＲ吸収剤も用いられる。また、染料の外にも、例えば、米国特許第５、３５１、６１７号になどに開示された光吸収材料のようなＩＲ−吸収伝導重合体などが用いられる。
光吸収材料の他の例としては、カーボンブラック、金属、金属酸化物または金属硫化物などが例示される。例えば、周期律表のＩｂ、ＩＩｂ、ＩＩＩａ、ＩＶａ、ＩＶｂ、Ｖａ、Ｖｂ、ＶＩａ、ＶＩｂ及びＶＩＩＩ族の金属元素またはその合金、またはＩａ、ＩＩａまたはＩＩＩｂ族の元素またはその合金や混合物などが例示され、例えば、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｎ、ＩｎまたはＺｎ、またはその合金や、周期律表のＩａ、ＩＩａ及びＩＩＩｂ族の元素またはその合金や、それらの化合物や混合物などが知られている。上記の好適な化合物としては、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｒ及びＴｅなどの硫化物またはその混合物などが例示される。
光熱変換層は、上記言及した材料だけを含むか、あるいは必要に応じて適切なバインダを一緒に含んでもよい。例えば、カーボンブラックのような上記言及した材料が分散されているバインダを用いて光熱変換層を形成することができる。使用可能なバインダの種類は、特に制限されず公知の樹脂組成物が用いられる。バインダとしては、例えば、フェノール樹脂（例えば、ノボラックまたはレゾール樹脂など）、ポリビニルアセテート、ポリビニリデンクロライド、ポリアクリレート、セルローズエーテルまたはエステル、ニトロセルローズ、ポリカーボネート及びその混合物などのような熱硬化剤、熱硬化可能な重合体または熱可塑性重合体などが用いられる。
光熱変換層の厚さは、特に制限されず、目的とする物性を損傷しない範囲内で適切に選択することができる。光熱変換層は、例えば、約０．１〜２．０μｍ範囲内の厚さを有することができる。光熱変換層の厚さが前記範囲未満の場合はエネルギー吸収率が低く、光から熱に変換されるエネルギー量が少なくなるため膨張圧力は低くなり、前記範囲を超える場合は転写用フィルムと金属パターンを形成する受容体の基板間に生じる段差によるエッジオープン不良が発生する。
本発明で中間層は、例えば、光照射時に金属層が受容体に転写される際に前記金属層の剥離力が調節できるように適切な表面エネルギーを有する機能性層を意味するものとする。中間層は、例えば、約２５ｍＮ／ｍ以下、２４ｍＮ／ｍ以下、２３ｍＮ／ｍ以下、２２ｍＮ／ｍ以下、２１ｍＮ／ｍ以下、２０ｍＮ／ｍ以下、１９ｍＮ／ｍ以下、１８ｍＮ／ｍ以下、１７ｍＮ／ｍ以下、１６ｍＮ／ｍ以下または１５ｍＮ／ｍ以下の表面エネルギーを有するように形成する。このような表面エネルギーは、例えば接触角測定装備から得たＨ２ＯとＣＨ２Ｉ２との接触角から固体表面エネルギーを決定する値とすることができる。金属層が形成される中間層の表面エネルギーが前記範囲を満たした場合、転写用フィルムの金属層から受容体に３次元構造の金属パターンを効果的に転写させることができる。
中間層は、例えば、フッ素系またはシリコン系化合物を用いて形成される。このような化合物は、例えば、有機単分子膜により直接中間層を形成するか、またはフッ素系またはシリコン系樹脂が好適なバインダとともに配合されて高分子膜の形態で前記中間層を形成することができる。有機単分子物質の場合、例えば、シラン（ｓｉｌａｎｅｓ）の基本構造に、メチル基、直鎖（ｌｉｎｅａｒ）または分枝鎖（ｂｒａｎｃｈｅｄ）のアルキル基、フッ素化（ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ）アルキル基またはアリール基などの機能基を有する物質から選択して使用することができる。フッ素系またはシリコン系樹脂の場合、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレートまたはポリエステルアクリレートなどのような光硬化性樹脂のバックボーンにフッ素を含む置換基をグラフティングした後、これを用いて中間層を形成するか、添加剤の形態として反応性または非反応性のフッ素系またはシリコン系添加剤を配合したバインダを用いて中間層を形成してもよい。前記フッ素系添加剤としては、例えば、ビニル基を有するフッ素系化合物や非反応性フッ素系化合物などが用いられ、シリコン系添加剤としては、例えば、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエーテル変性ジメチルポリシロキサン共重合体、ジメチルポリシロキサン系及び変性ジメチルポリシロキサン系、メチルアルキルシロキサン系及び反応性を有したシリコンアクリレートなどが用いられる。例えば、ＢＹＫ社のＢＹＫ−３００、ＢＹＫ−３０１、ＢＹＫ−３０２などの商品名で知られた物質も使用可能である。
中間層の厚さは、特に制限されず、目的とする物性を損傷しない範囲内で適切に選択することができる。中間層が、例えば、フッ素系またはシリコン系の高分子膜で形成された場合、約０．５〜３μｍ範囲内の厚さを有することができる。または中間層が、例えば、フッ素系またはシリコン系の有機単分子膜で形成された場合には約５〜１００ｎｍ範囲内の厚さを有することができる。
金属層を形成する素材は、特に制限されず、前記金属パターン転写用フィルムが適用される用途を考慮して適切に選択することができる。１つの例として前記金属層を形成する材料は、前記光熱変換層を形成する材料との関係で決定される。例えば、金属層の材料は、その沸点が前記光熱変換層を形成する材料の融点よりも低い材料とすることができる。金属層を形成する材料としては、アルミニウム、銅、銀、金、鉄、白金、タングステン、クロムなどの金属またはこれらの合金が例示されるが、これに制限されない。
金属層の厚さは、特に制限されず、目的とする用途または転写しようとする金属パターンの形態により適切に選択することができる。金属層は、例えば、約５０ｎｍ〜１μｍ範囲内の厚さを有することができる。
金属パターン転写用フィルムは、適切な支持基板をさらに含むことができ、前述の光熱変換層が前記支持基板上に形成され得る。支持基板としては、光熱変換層に照射される光、例えば赤外線領域の光が透過され、支持部材として作用することのできる公知の基板がすべて使用可能である。例えば、前記基板としては、無アルカリガラス基板のようなガラス基板、石英基板または透明樹脂基板などが用いられる。透明樹脂基板としては、例えば、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）フィルム、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルム、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）フィルム、アクリルフィルム、ＰＥＴ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｔｌｅ））フィルム、ＰＥＳ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｉｄｅ））フィルムまたはＰＳ（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）フィルムなどのような公知のプラスチックフィルムが用いられ、その具体的な例は、特に制限されない。
金属パターン転写用フィルムは、遮断層をさらに含むことができ、前記遮断層は光熱変換層と中間層との間に存在してもよい。本発明において遮断層は、例えば、転写過程で金属層が受容体に転写される際に前記光熱変換層の材料が一緒に転写されることを防止する機能性層を意味するものとする。図３は、光熱変換層１０１、遮断層３０１、中間層１０２及び金属層１０４を順に含む金属パターン転写用フィルムの例を示す図である。
遮断層としては、例えば、転写過程で金属層が受容体に転写される際に前記光熱変換層の材料が一緒に転写されることを防止する材料が含まれる限り、特に制限なく選択して使用することができる。これにより、遮断層は転写過程で発生する汚染レベルや歪みを低減または防止することができる。また、遮断層は、光熱変換層から発生した熱が金属層に伝達され、金属層が熱により燃えることを防止することができる。
遮断層は、有機及び／または無機バインダ材料を用いて形成することができる。例えば、遮断層は、高い熱的抵抗を有し、転写過程で光熱変換層とは殆ど反応しない材料を用いて形成することができる。使用可能な有機バインダ材料の例としては熱硬化性材料または熱可塑性材料のすべてが含まれる。遮断層の好適な材料としては、アクリル系、ウレタン系、エステル系またはエポキシ系有機バインダなどが例示される。例えば、前記材料は熱可塑性の前駆物質であって、前記光熱変換層上にコーティングされ、その後架橋されることができる。好適な熱可塑剤には、ポリスルホン、ポリエステルまたはポリイミドなどが含まれ、これらは通常のコーティング方式で光熱変換層に塗布される。
遮断層の厚さは、特に制限されず、目的とする物性を損傷しない範囲内で適切に選択することができる。遮断層は、例えば、約０．０５〜３μｍ範囲内の厚さを有することができる。
３次元構造の金属パターンは、前記金属パターン転写用フィルムの金属層から転写されて受容体上に形成される。３次元構造の金属パターンは、上述のように、受容体上に金属パターン転写用フィルムの金属層を対向配置し、光熱変換層に光を照射する工程により製造される。
３次元構造の金属パターンは、例えば光が照射された光熱変換層では、光の光エネルギーが熱エネルギーに変換され、熱エネルギーによって光熱変換層の体積膨張が生じ、体積膨張により金属層材料が影響を受けて前記金属層が受容体に転写されることで形成される。
前記過程において照射される光の種類や光の照射方法は、特に制限されず、使用した光熱変換材料の種類などを考慮して好適な波長領域の光を公知の光源を用いて照射してもよい。この過程において光は光熱変化層の所定部位だけに選択的に照射することができ、例えば、スキャナーを用いて所望する位置と全体の照射面積及びスキャン形態を決定して照射するか、またはマスクを用いた照射方式で選択照射することができる。光熱変換層に光を照射することは、例えば、連続波（ＣＷ：Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ）方式のレーザを用いて行ってもよい。前記ＣＷ方式のレーザを照射する場合、例えば、前述の３次元構造の金属パターンの形成に最も好ましい。
金属パターンが形成される受容体の種類は、特に制限されず、目的とする用途により適切に選択することができる。例えば、受容体は、ガラス基板や石英基板のような無機系基板であるか、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）基板、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）基板、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）基板、アクリル基板、ＰＥＴ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｔｌｅ））基板、ＰＥＳ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｉｄｅ））基板またはＰＳ（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）基板などのような公知のプラスチック基板とすることができる。１つの例として、前記受容体は、柔軟性（ｆｌｅｘｉｂｌｉｌｔｙ）を有するフレキシブル基板とすることができ、前記フィルムを適用することで、上記のようなフレキシブル基板においても、曲げと伸縮に耐えられる３次元構造の金属パターンを効果的に形成することができる。
受容体上に転写される金属パターンは、上述のように３次元構造を有することができる。すなわち、転写過程で凹凸構造を有する金属層が受容体に転写され、前記転写された金属層は凹凸構造を有する連続的な金属層とすることができる。
図４は、前記過程で連続的な金属パターン２０２が受容体２０１に転写されることを模写した図であって、支持基板４０１上に光熱変換層１０１、遮断層３０１、中間層１０２及び金属層１０３が順に形成されたフィルムを用いる転写過程の例を示す図である。図４のように、光熱変換層の素材及び／または金属層の沸点などの物性が調節された転写フィルムに、好適に選択された光が好適な箇所に選択的に照射されることで、凹凸構造を有する連続的な金属パターン２０２が受容体２０１上に形成される。
本発明は、さらに金属パターン積層体に関する。例示的な積層体は、フレキシブル基板及び該フレキシブル基板上に形成された凹凸構造を有する連続的な金属層を含んでもよい。このような積層体は、例えば、前述の３次元構造の金属パターンの製造方法で形成され得る。これにより、積層体のフレキシブル基板及び金属層については、前記方法で前述の内容を同様に適用することができる。例示的な金属パターン積層体は、フレキシブル基板上に形成された金属パターンが３次元構造の凹凸構造を有すると共に、前記積層体は曲げと伸縮に対する耐久性に優れるために、フレキシブル電子素子の製造にも有用に用いられる。
本発明は、さらに前記金属パターン積層体の用途に関する。積層体は、例えば、電極層または金属配線に有用に用いられる。また、前記電極層は、有機電子装置に適用されてフレキシブル電子素子の製造に有用に用いられる。前記電極層、金属配線または有機電子装置に金属パターン積層体が適用される場合、前記電極層、金属配線または有機電子装置などを構成する他の部品やその装置の構成方法は、特に制限されず、前記金属パターン積層体が用いられる限り、当該分野に公知されている任意の材料や方式がすべて採用され得る。
本発明の方法によれば、３次元構造の金属パターンを受容体上に効果的に形成することができる。特に、本発明の方法によれば、フレキシブル基板のように金属パターンの転写が容易でない受容体の表面にも３次元構造の金属パターンを効果的且つ急速にパターン転写することができる。これにより製造された金属パターン積層体は、例えば、フレキシブル電子素子の電極層または金属配線に有用に用いられる。
以下、本発明に係る実施例を介して本発明をより詳しく説明するが、本発明の範囲は下記提示した実施例によって制限されない。
測定例１．表面エネルギーの測定
接触角測定器、Ｄｒｏｐ ｓｈａｐｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ（ＤＳＡ１００、ＫＲＵＳＳ ＧｍｂＨ）装置を用いて水（Ｈ２Ｏ）とジヨードメタン（ｄｉｉｏｄｏｍｅｔｈａｎｅ；ＣＨ２Ｉ２）の液滴から得られた接触角からＯｗｅｎ−Ｗｅｎｄｔ法により固体表面エネルギーを決定した。
接触角測定器、Ｄｒｏｐ ｓｈａｐｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ（ＤＳＡ１００、ＫＲＵＳＳ ＧｍｂＨ）装置を用いて水（Ｈ２Ｏ）とジヨードメタン（ｄｉｉｏｄｏｍｅｔｈａｎｅ；ＣＨ２Ｉ２）の液滴から得られた接触角からＯｗｅｎ−Ｗｅｎｄｔ法により固体表面エネルギーを決定した。
実施例１
金属パターン転写用フィルムの製造
支持基板であるＰＥＴフィルム上に、光熱変換層、遮断層、中間層及び金属層を順に形成して金属パターン転写用フィルムを製造した。前記光熱変換層はカーボンブラックを含む光熱変換層製造用の組成物を製造した後、バーコーティングにより２．５μｍの厚さで支持基板上に形成し、遮断層は熱光化性ウレタン系物質を含む遮断層製造用の組成物を製造した後にバーコーティングにより１５μｍの厚さで光熱変換層上に形成し、中間層はフッ素系シリコン有機化合物の１つであるＯＰＴＯＯＬＴＭ溶液（製造社：ＤＡＩＫＩＮ ＩＮＤＵＳＴＲＩＥＳ、Ｌｔｄ）をスピンコーティングして約２０ｎｍの厚さで遮断層上に形成し（中間層の表面エネルギー：２３ｍＮ／ｍ）、金属層はアルミニウム金属をスパッタリングにより約１００ｎｍの厚さで中間層上に形成した。
金属パターン転写用フィルムの製造
支持基板であるＰＥＴフィルム上に、光熱変換層、遮断層、中間層及び金属層を順に形成して金属パターン転写用フィルムを製造した。前記光熱変換層はカーボンブラックを含む光熱変換層製造用の組成物を製造した後、バーコーティングにより２．５μｍの厚さで支持基板上に形成し、遮断層は熱光化性ウレタン系物質を含む遮断層製造用の組成物を製造した後にバーコーティングにより１５μｍの厚さで光熱変換層上に形成し、中間層はフッ素系シリコン有機化合物の１つであるＯＰＴＯＯＬＴＭ溶液（製造社：ＤＡＩＫＩＮ ＩＮＤＵＳＴＲＩＥＳ、Ｌｔｄ）をスピンコーティングして約２０ｎｍの厚さで遮断層上に形成し（中間層の表面エネルギー：２３ｍＮ／ｍ）、金属層はアルミニウム金属をスパッタリングにより約１００ｎｍの厚さで中間層上に形成した。
金属パターンの転写
レーザを用いた転写実験のために、１０７０ｎｍ ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ）５０Ｗファイバーレーザ（ｆｉｂｅｒ ｌａｓｅｒ）を使用し、均一なパワーでレーザを照射するためにホモジナイザー（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅｒ）を通過した後、fθレンズ（ｆ−ｔｈｅｔａ ｌｅｎｓ）を通過して焦点面から約０．２ｍｍ×０．２ｍｍのスクウェアビーム（ｓｑｕａｒｅ ｂｅａｍ）を形成するようにした。受容体基板（ＰＥＴフィルム）上に、前記金属パターン転写用フィルムの金属層を対向配置し、前記フィルムの支持基板側に前記ＩＲレーザを１．６Ｗで０．５〜０．６ｍ／ｓでスキャンして受容体基板上に金属パターンを転写した。図５は実施例１の転写過程で転写フィルムの金属層の表面イメージを示す。図５に示すように、転写過程で金属層の表面は光熱変換層の体積膨張に影響を受けて凹凸構造を有することになる。また、図６及び図７は、それぞれ実施例１において３次元構造の金属パターンを受容体上に転写した表面及び側面イメージを示す。図６及び図７に示すように、転写フィルム内の金属層は光熱変換層の体積膨張により膨らんだ部分だけを選択的に転写するのではなく、凹凸構造を有する連続的な金属層全体が転写されることを確認することができる。
レーザを用いた転写実験のために、１０７０ｎｍ ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ）５０Ｗファイバーレーザ（ｆｉｂｅｒ ｌａｓｅｒ）を使用し、均一なパワーでレーザを照射するためにホモジナイザー（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅｒ）を通過した後、fθレンズ（ｆ−ｔｈｅｔａ ｌｅｎｓ）を通過して焦点面から約０．２ｍｍ×０．２ｍｍのスクウェアビーム（ｓｑｕａｒｅ ｂｅａｍ）を形成するようにした。受容体基板（ＰＥＴフィルム）上に、前記金属パターン転写用フィルムの金属層を対向配置し、前記フィルムの支持基板側に前記ＩＲレーザを１．６Ｗで０．５〜０．６ｍ／ｓでスキャンして受容体基板上に金属パターンを転写した。図５は実施例１の転写過程で転写フィルムの金属層の表面イメージを示す。図５に示すように、転写過程で金属層の表面は光熱変換層の体積膨張に影響を受けて凹凸構造を有することになる。また、図６及び図７は、それぞれ実施例１において３次元構造の金属パターンを受容体上に転写した表面及び側面イメージを示す。図６及び図７に示すように、転写フィルム内の金属層は光熱変換層の体積膨張により膨らんだ部分だけを選択的に転写するのではなく、凹凸構造を有する連続的な金属層全体が転写されることを確認することができる。
１０１ 光熱変換層
１０２ 中間層
１０３ 金属層
２０１ 受容体
２０２ 金属パターン
３０１ 遮断層
４０１ 支持基板
１０２ 中間層
１０３ 金属層
２０１ 受容体
２０２ 金属パターン
３０１ 遮断層
４０１ 支持基板
Claims (19)
- 受容体上に、光熱変換層と、表面エネルギーが２５ｍＮ／ｍ以下の中間層と、金属層と、を順に含む金属パターン転写用フィルムの前記金属層を対向配置し、光熱変換層に光を照射することを含む、３次元構造の金属パターンの製造方法。
- 受容体がフレキシブル基板である、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 光熱変換層は、染料、カーボンブラック、金属、金属酸化物または金属硫化物を含む、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 金属硫化物は、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＺｒまたはＴｅの硫化物である、請求項３に記載の金属パターンの製造方法。
- 光熱変換層は、染料、カーボンブラック、金属、金属酸化物または金属硫化物を含む樹脂組成物層である、請求項３に記載の金属パターンの製造方法。
- 中間層がフッ素系化合物またはシリコン系化合物を含む、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 中間層の厚さが０．５〜５μｍ範囲内である、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 中間層の厚さが５〜１００ｎｍ範囲内である、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 金属層は、アルミニウム、銅、銀、金、鉄、白金、タングステンまたはこれらの合金を含む、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 金属パターン転写用フィルムは、光熱変換層と中間層との間に存在する遮断層をさらに含む、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 遮断層は熱可塑性物質または熱硬化性物質を含む、請求項１０に記載の金属パターンの製造方法。
- 遮断層は、アクリル系、ウレタン系、エステル系またはエポキシ系有機バインダを含む、請求項１０に記載の金属パターンの製造方法
- 光熱変換層に光を照射することは、連続波（ＣＷ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ）方式のレーザを照射することで行われる、請求項１に記載の金属パターンの製造方法。
- 光の照射時に凹凸構造を有する金属層が受容体に転写される、請求項１に記載の金属パターンの製造方法
- 転写された金属層が凹凸構造を有する連続的な金属層である、請求項１４に記載の金属パターンの製造方法。
- 請求項１に記載の方法により製造され、フレキシブル基板及び該フレキシブル基板上に形成された凹凸構造を有する連続的な金属層を含む、金属パターン積層体。
- 請求項１６に記載の金属パターン積層体を含む、電極層。
- 請求項１６に記載の金属パターン積層体を含む、金属配線。
- 請求項１７に記載の電極層を含む、有機電子素子。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077651A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2005079472A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 配線基板、電気光学装置及び電子機器 |
| JP2005085799A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2009544169A (ja) * | 2006-07-17 | 2009-12-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 新規な導体と誘電体組成物とを含む薄膜トランジスタ |
| JP2009545853A (ja) * | 2006-07-31 | 2009-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機発光ダイオードデバイスのためのパターニング及び処理方法 |
| JP2010533977A (ja) * | 2007-07-17 | 2010-10-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基材のパターニング方法 |
| JP2013140800A (ja) * | 2011-12-30 | 2013-07-18 | Cheil Industries Inc | 熱転写フィルム及びこれを使用して製造された有機電界発光素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1268808A (en) | 1985-07-23 | 1990-05-08 | Alan G. Macdiarmid | High capacity polyaniline electrodes |
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| US5023229A (en) | 1990-10-31 | 1991-06-11 | Eastman Kodak Company | Mixture of dyes for magenta dye donor for thermal color proofing |
| US5024990A (en) | 1990-10-31 | 1991-06-18 | Eastman Kodak Company | Mixture of dyes for cyan dye donor for thermal color proofing |
| US5401607A (en) | 1991-04-17 | 1995-03-28 | Polaroid Corporation | Processes and compositions for photogeneration of acid |
| DE69320241T2 (de) | 1992-05-06 | 1999-04-29 | Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Chemisch amplifizierte Resistzusammensetzung |
| US5351617A (en) | 1992-07-20 | 1994-10-04 | Presstek, Inc. | Method for laser-discharge imaging a printing plate |
| US5286604A (en) | 1992-11-25 | 1994-02-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Single layer dry processible photothermal-sensitive element |
| US5372915A (en) | 1993-05-19 | 1994-12-13 | Eastman Kodak Company | Method of making a lithographic printing plate containing a resole resin and a novolac resin in the radiation sensitive layer |
| US5360694A (en) | 1993-10-18 | 1994-11-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermal dye transfer |
| US6521324B1 (en) * | 1999-11-30 | 2003-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer of microstructured layers |
| KR100667062B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
| KR20060007503A (ko) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | 삼성코닝 주식회사 | 가요성 기판 상의 고전도성 금속 패턴 형성 방법 및 이를이용한 전자파 차폐 필터 |
| KR100643684B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2006-11-10 | 한국과학기술원 | 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성방법 |
| EP2020296B1 (en) * | 2007-08-03 | 2011-12-21 | Sony Corporation | Method for forming image, surface-property-modifying sheet, and thermal transfer sheet |
| US7666568B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-02-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Composition and method for providing a patterned metal layer having high conductivity |
| EP2294240B1 (en) * | 2008-06-19 | 2017-03-08 | Utilight Ltd. | Light induced patterning |
| US8709265B2 (en) | 2009-11-26 | 2014-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing touch panel and method for manufacturing display device provided with touch panel |
| US8123891B2 (en) * | 2009-12-16 | 2012-02-28 | Neenah Paper, Inc. | Heat transfer materials and methods of making and using the same |
| KR101175556B1 (ko) | 2010-06-21 | 2012-08-21 | 한국과학기술원 | 패턴화된 금속필름의 제조방법 |
| JP2012092388A (ja) | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 金属パターン形成用積層体、金属パターン形成方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077651A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2005079472A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 配線基板、電気光学装置及び電子機器 |
| JP2005085799A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2009544169A (ja) * | 2006-07-17 | 2009-12-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 新規な導体と誘電体組成物とを含む薄膜トランジスタ |
| JP2009545853A (ja) * | 2006-07-31 | 2009-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機発光ダイオードデバイスのためのパターニング及び処理方法 |
| JP2010533977A (ja) * | 2007-07-17 | 2010-10-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基材のパターニング方法 |
| JP2013140800A (ja) * | 2011-12-30 | 2013-07-18 | Cheil Industries Inc | 熱転写フィルム及びこれを使用して製造された有機電界発光素子 |
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