JP2008108503A - 白色発光有機el素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 183
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 25
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AIXZBGVLNVRQSS-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butyl-2-[5-(5-tert-butyl-1,3-benzoxazol-2-yl)thiophen-2-yl]-1,3-benzoxazole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C2OC(C3=CC=C(S3)C=3OC4=CC=C(C=C4N=3)C(C)(C)C)=NC2=C1 AIXZBGVLNVRQSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- BXFYXYKLIORMBI-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[2-(2-phenylphenyl)ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 BXFYXYKLIORMBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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Abstract
【解決手段】少なくとも反射電極、第1の色の光を発する第1有機EL層、第1透明電極、第1の色とは異なる第2の色の光を発する第2有機EL層及び第2透明電極をこの順に備え、前記反射電極及び第2透明電極が同一の極性を有し、前記第1透明電極が反射電極、第2透明電極と異なる極性を有する白色発光有機EL素子の製造方法であって、
(1)反射電極と第1有機EL層とを備える第1有機発光基板を用意する工程と、(2)第2透明電極と第2有機EL層とを備える第2有機発光基板を用意する工程と、(3)第1透明電極を両面に備える中間電極基板を用意する工程と、(4)第1有機EL層と第2有機EL層がそれぞれ第1透明電極に面するように、中間電極基板を第1有機発光基板と第2有機発光基板の間に配置する工程とを有する白色発光有機EL素子の製造方法。
【選択図】図3
Description
白色発光する有機EL発光素子については、多くの提案がなされてきている。たとえば、特許文献1には、陽極と陰極との間に2色の発光層を作製することが開示されている。また、特許文献2には、陽極と陰極との間に、等電位面を介して複数の有機EL発光部を直列に配列することにより白色発光を得ることが開示されている。また、特許文献3には、同一色の光を発する有機EL発光素子を並列に接続して積層することにより、発光素子を流れる電流密度の低減および素子の長寿命化を実現することが開示されている。
また、好ましくは、工程(4)において、前記第1有機EL層、または、第2有機EL層、もしくはこれらの両方が、それぞれ第1透明電極に、さらに金属薄膜を介して接する。
さらに、好ましくは、前記第1有機EL層側の反射電極と、前記中間電極基板の第1有機EL層側の第1透明電極とが、赤色発光を選択透過させるような微小空洞共振器を構成する。
赤色発光を選択透過する共振器を設けることにより、白色光に含まれる赤色発光の強度と色純度を向上できる効果が得られる。
図1は本発明の製造方法により得られる有機EL素子の基本構成である積層体400を示す模式図である。
積層体400は基板(図示せず)上に2つの発光部を有し、反射電極312の上に、第1有機EL層401、中間電極基板330、第2有機EL層402および第2透明電極322を順に積層したものである。第1有機EL層と第2有機EL層は、互いに異なる第1の色の光101と第2の色の光102を発する。
(a)有機発光層
(b)正孔注入層/有機発光層
(c)有機発光層/電子注入層
(d)正孔注入層/有機発光層/電子注入層
(e)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層
(f)正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層
(g)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
(上記において、陽極として機能する電極が有機発光層、正孔輸送層または正孔注入層に接続され、陰極として機能する電極が有機発光層、電子注入層または電子注入層に接続される)
電子注入効率の改善の観点からは、少なくとも電子注入層を設けることが好ましい。
(1) 図示しない基板上に反射電極312と第1有機EL層401とを備える第1有機発光基板を用意し、(2)図示しない基板上に第2透明電極322と第2有機EL層402とを備える第2有機発光基板を用意し、(3)図示しない基板の両面に第1透明電極を備える中間電極基板330を用意し、(4)第1有機EL層と第2有機EL層がそれぞれ第1透明電極に面するように、中間電極基板を第1有機発光基板と第2有機発光基板の間に挟んで、これらを重ねあわせ配置することにより積層体を用意する。この積層体を封止し、駆動回路に接続して白色発光有機EL素子とする。なお、ここで「面する」とは有機EL層と透明電極が直接電気的に接合する場合の他、以下に説明するように金属薄膜等の導電体膜を介して接合する場合を含む。
図3(b)は、紙面に垂直方向に伸びる2つの第2透明電極膜と2つの画素領域を含む断面を表す、第2有機発光基板の部分断面図である。第2有機発光基板320は、基板321上に、透明導電体からなる第2透明電極322と、画素領域を規定する第2層間絶縁膜323と、これらの上方に第2有機EL層及び金属薄膜329を積層してなる。第2有機EL層は少なくとも電子輸送層325、第2有機発光層326、正孔輸送層327を順次積層してなる。
図3(c)は、貫通孔と2つの画素領域を含む断面を表す、中間電極基板の部分断面図である。中間電極基板330は、基板331の両面上に、バリア層332、334を介して透明導電膜からなる第1透明電極333、335が形成されてなる。2つの第1透明電極は、貫通孔336に充填される導電体によって電気的に接合されている。
第1有機発光基板310は、例えば、以下のようにして形成できる。まず蒸着ないしスパッタリングまたはその他の方法で、洗浄した基板311の上に金属膜を形成し、フォトエッチングでストライプ状にパターニングして反射電極312とする。基板311には、ガラス、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどの高分子材料を用いることができる。高分子材料を用いる場合、基板311は剛直であっても可撓性であってもよい。金属膜の材料には、高反射性の金属、例えば、Al、Ag、Mo、W、Ni、Cr等、また、アモルファス合金、例えば、NiP 、NiB 、CrP、CrB等を用いることができる。パターニングされた反射電極312の上に、画素となる部分を除いて基板全面に第1層間絶縁膜313を形成する。層間絶縁膜は、例えば、フォトレジストなどの有機材料、または、SiOx 、SiNxなどの無機材料を用いて形成することができる。第1層間絶縁膜313によって規定される画素領域に対応する開口部を有するマスクを用い、画素領域以外の部分にマスクをした状態で有機材料を蒸着し、第1有機EL層401を島状に積層する。有機EL層の平面形状は画素ごとに、例えば四角形や長方形など略方形である。
正孔輸送層327はα−NPDを用いてもよく、これにF4−TCNQなどのルイス酸化合物をドーピングしてもよい。第2有機EL層の膜厚についても駆動電圧および透明性等を考慮して適宜選択することができるが、通常は、正孔輸送層327は20〜80nm、有機発光層326は20〜40nm、電子輸送層325は20〜40nmである。しかし、これらに限定するものではない。島状有機EL層の最上部にマスク蒸着、あるいは、近接離間形成法により金属薄膜329を形成する。
バリア層は、例えばCVD 法によりSiOxまたはSiNxを成膜して得られる。膜厚は200〜500nmが好ましい。第1透明電極は、例えばスパッタ法によりITOまたはIZO を成膜して得られる。膜厚は100〜300nmが好ましい。
<実施例1>
以下に示す作製法に従い、500mm×500mm×0.50mmの第1のガラス基板311上に、画素サイズ0.148mm×0.704mm、画素間隔0.130mmの画素構成である第1発光部を形成した。
有機発光層316はホスト材料4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)に、赤色ドーパントとして4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−p−ジメチルアミノスチリル−4H−ピラン(DCM)1wt%ドープして20nm積層した。正孔輸送層317はα−NPDを20nm積層した。この後、同様なマスク製膜により、厚さ5nmのAlからなる金属薄膜319を、真空を破らずに形成した。このようにして、第1有機発光基板を作製した。
基板331の両面にバリア層332、334としてSiN膜をスパッタ法で形成した。続いてKrFエキシマレーザーを用い、レーザースポット径50μm、レーザー出力100mJ/パルス〜450mJ/パルスの条件で、画素領域間のポリイミドフィルム基板およびSiN膜に貫通穴336を形成した。
得られた有機EL発光素子の反射電極および第2透明電極を電源の負極に接続し、第1透明電極を電源の正極に接続して電圧を印加したところ、可視域に広い発光分布を有する色度(0.30,0.33)の白色発光が得られた。
前記実施例1において、第1有機発光基板の有機発光層316に、赤色ドーパントに替えて、緑色ドーパントであるクマリン6を1wt%添加し、第2有機発光基板の有機発光層326に、DPAVBi5wt%に替えて、青色ドーパントである4,4’−ビス[2−{4−(N,N−ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル]ビフェニル(DPAVBi)、赤色ドーパントである4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−p−ジメチルアミノスチリル−4H−ピラン(DCM)をホスト材料の2.5wt%及び0.2wt%ドープし、有機発光層316、326をそれぞれ20nm積層した構成とした以外は、実施例1と同様にして白色発光有機EL素子を作製した。
実施例1と同様に、500mm×500mm×0.50mmのガラス基板上に、画素サイズ0.148mm×0.704mm、画素間隔0.130mmの画素構成をもつ発光部を形成した。幅0.204mm、間隔0.074mm、膜厚100nmのAlからなるストライプ状の反射電極(陰極)、0.148mm×0.704mmの開口部を有する層間絶縁膜を陰極上に形成し、ついで、電子輸送層Alq3を20nm、発光層はDPVBiに青色ドーパントDPAVBiを5wt%ドープして20nm、正孔輸送層α−NPDを20nm、厚さ5nmのAl薄膜を積層し、第1有機発光基板とした。次に、500mm×500mm×0.50mmのガラス基板上に、幅0.204mm、間隔0.074mm、膜厚100nmのストライプパターンからなる陽極IZOを形成し、第2有機発光基板とした。最後に第1有機発光基板と第2有機発光基板とをUV硬化接着材で貼り合わせて封止を行い、単一の青色発光有機EL層を有する有機EL素子を得た。
比較例1において、発光層のドーパントとして、青色ドーパントDPAVBi、赤色ドーパントDCMをホスト材料の2.5wt%及び0.2wt%として、20nm積層した構成とした以外は、比較例1と全く同じとした。
実施例1、2の有機EL素子の反射電極312および第2透明電極322を電源の負極に接続し、第1透明電極330を電源の正極に接続した。比較例1、2の有機EL素子については、反射電極を電源の負極に接続し、透明電極を電源の正極に接続した。それぞれの有機EL発光素子を発光させ、波長470nmの光に関する輝度が1000cd/m2となる駆動電圧を測定した。実施例1および比較例1の素子の駆動電圧は、いずれも6.5V、実施例2および比較例2の素子の駆動電圧は、いずれも6.7Vであった。このことから、本発明の有機EL素子は、駆動電圧を上昇させることなく複数の有機EL層を発光させて、白色光を与えることが明らかとなった。
311、321:基板
312:反射電極
313:第1層間絶縁膜
323:第2層間絶縁膜
314、324:電子注入層
315、325:電子輸送層
316、326:有機発光層
317、327:正孔輸送層
318、328:正孔注入層
319、329:金属薄膜
320:第2有機発光基板
322:第2透明電極
326:第2有機発光層
330:第1中間電極
331:基板
332、334:バリア層
333、335:第1透明電極
336:貫通孔
Claims (7)
- 少なくとも反射電極、第1の色の光を発する第1有機EL層、第1透明電極、第1の色とは異なる第2の色の光を発する第2有機EL層および第2透明電極をこの順に備え、前記反射電極および第2透明電極が同一の極性を有し、前記第1透明電極が前記反射電極、第2透明電極と異なる極性を有する白色発光有機EL素子の製造方法であって、
(1)反射電極と第1有機EL層とを備える第1有機発光基板を用意する工程と、
(2)第2透明電極と第2有機EL層とを備える第2有機発光基板を用意する工程と、
(3)第1透明電極を両面に備える中間電極基板を用意する工程と、
(4)第1有機EL層と第2有機EL層がそれぞれ第1透明電極に面するように、中間電極基板を第1有機発光基板と第2有機発光基板の間に配置する工程と、
を有することを特徴とする白色発光有機EL素子の製造方法。 - 工程(4)において、前記第1有機EL層または第2有機EL層、もしくはこれらの両方がそれぞれ第1透明電極に、さらに金属薄膜を介して接する請求項1記載の白色発光有機EL素子の製造方法。
- 前記第1有機EL層側の反射電極と前記中間電極基板の第1有機EL層側の第1透明電極とが、赤色発光を選択透過させるような微小空洞共振器を構成する請求項1または2に記載の白色発光有機EL素子の製造方法。
- 工程(1)、(2)において、前記第1有機EL層および前記第2有機EL層がそれぞれ、画素となる複数の領域ごとに分離していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の白色発光有機EL素子の製造方法。
- 工程(1)において、基板上に、ストライプ状の反射電極を形成し、画素領域以外の領域に第1層間絶縁膜を形成し、この基板上の画素領域以外の部分にマスクをした状態で有機材料を画素領域に蒸着し前記第1有機EL層を形成する請求項4記載の白色発光有機EL素子の製造方法。
- 工程(2)において、基板上に、ストライプ状の第2透明電極を形成し、画素領域以外の領域に第2層間絶縁膜を形成し、この基板上の画素領域以外の部分にマスクをした状態で有機材料を画素領域に蒸着し前記第2有機EL層を形成する請求項3または4記載の白色発光有機EL素子の製造方法。
- 工程(4)において、第1有機EL層と第2有機EL層がそれぞれ画素領域ごとに対向するように、中間電極基板を第1有機発光基板と第2有機発光基板の間に配置する請求項6記載の白色発光有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006288825A JP2008108503A (ja) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | 白色発光有機el素子の製造方法 |
US11/876,170 US20080108270A1 (en) | 2006-10-24 | 2007-10-22 | Method of manufacturing a white light emitting organic el device |
TW096139677A TW200829079A (en) | 2006-10-24 | 2007-10-23 | Method of manufacturing a white light emitting organic EL device |
GB0720661A GB2443314B (en) | 2006-10-24 | 2007-10-23 | Method of manufacturing a white light emitting organic EL device |
CN2007101674317A CN101170107B (zh) | 2006-10-24 | 2007-10-24 | 白色发光有机el元件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006288825A JP2008108503A (ja) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | 白色発光有機el素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008108503A true JP2008108503A (ja) | 2008-05-08 |
Family
ID=38829697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006288825A Withdrawn JP2008108503A (ja) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | 白色発光有機el素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080108270A1 (ja) |
JP (1) | JP2008108503A (ja) |
CN (1) | CN101170107B (ja) |
GB (1) | GB2443314B (ja) |
TW (1) | TW200829079A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101115154B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2012-02-24 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
CN101872781B (zh) * | 2009-04-27 | 2014-07-16 | 群创光电股份有限公司 | 影像显示系统 |
TWI569491B (zh) * | 2012-10-11 | 2017-02-01 | Joled Inc | Organic EL display device and manufacturing method thereof, ink and electronic machine |
CN103872068B (zh) * | 2012-12-14 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种可变色发光元件、像素结构及显示装置 |
CN104183587A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104183588A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104183579A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104183746A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种白光有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104183707A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104868061B (zh) * | 2015-06-04 | 2017-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
CN105140410A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法和驱动方法、显示装置 |
WO2017070892A1 (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode structure and fabrication method thereof, related display panel, and related display device |
CN107425129B (zh) | 2017-07-26 | 2019-12-06 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、其色温调节方法及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001039554A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Sony Corporation | Display device |
JP2003123971A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2004327248A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子 |
JP2005084642A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Tohoku Pioneer Corp | 両面表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5688551A (en) * | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
US20040155576A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED device |
US6909233B2 (en) * | 2003-06-11 | 2005-06-21 | Eastman Kodak Company | Stacked OLED display having improved efficiency |
JP4276109B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2009-06-10 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US20060006792A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Eastman Kodak Company | Flat panel light emitting devices with two sided |
KR101097301B1 (ko) * | 2005-02-05 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 백색발광소자 |
US7728517B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
-
2006
- 2006-10-24 JP JP2006288825A patent/JP2008108503A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-10-22 US US11/876,170 patent/US20080108270A1/en not_active Abandoned
- 2007-10-23 TW TW096139677A patent/TW200829079A/zh unknown
- 2007-10-23 GB GB0720661A patent/GB2443314B/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-24 CN CN2007101674317A patent/CN101170107B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001039554A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Sony Corporation | Display device |
JP2003123971A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2004327248A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子 |
JP2005084642A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Tohoku Pioneer Corp | 両面表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2443314A (en) | 2008-04-30 |
GB0720661D0 (en) | 2007-12-05 |
TW200829079A (en) | 2008-07-01 |
CN101170107A (zh) | 2008-04-30 |
GB2443314B (en) | 2011-03-16 |
US20080108270A1 (en) | 2008-05-08 |
CN101170107B (zh) | 2011-05-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A761 | Written withdrawal of application |
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