JP6533645B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents

有機発光表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6533645B2
JP6533645B2 JP2014113949A JP2014113949A JP6533645B2 JP 6533645 B2 JP6533645 B2 JP 6533645B2 JP 2014113949 A JP2014113949 A JP 2014113949A JP 2014113949 A JP2014113949 A JP 2014113949A JP 6533645 B2 JP6533645 B2 JP 6533645B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
display
electrode
display unit
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014113949A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015015238A (ja
Inventor
強 内城
強 内城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2015015238A publication Critical patent/JP2015015238A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6533645B2 publication Critical patent/JP6533645B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/128Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80524Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は可撓性表示装置に係り、特に、有機発光素子を有する可撓性有機発光表示装置に関する。
有機発光表示装置(organic light emitting diode display)は、光を放出する有機発光素子(organic light emitting diode)を用いて画像を表示する自発光型表示装置である。有機発光表示装置は、液晶表示装置(liquid-crystal-displayay)とは異なり、別途の光源を必要としないことから、相対的に厚さと重さを低減することができる。なお、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度および高い反応速度などの高品位特性を示すことから、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目を集めている。
有機発光素子は、二つの電極とこれらの間に挟持されている発光層を有し、一つの電極から注入された電子(electron)ともう一つの電極から注入された正孔(hole)が発光層において結合して励起子(exciton)を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
この種の有機発光素子は、発光効率を高めるとともに寿命を改善することが重要である。有機発光素子の寿命を延ばすために、発光層と、正孔注入層および電子注入層などの電荷付帯層を複数積み重ねて電流に対する輝度の大きさを2倍、3倍にするような構造が開発された。
しかしながら、有機発光層を構成する付帯層を複数積み重ねるためには、正孔付帯層と、発光層および電子付帯層からなる単位ユニット(発光ユニット)を繰り返し積み重ねることを余儀なくされるため蒸着工程が増え、しかも、コストが嵩んでしまうという問題点がある。
韓国特許第0342038号明細書
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、発光ユニットを積層するための蒸着工程の増加を抑制しつつ有機発光素子の輝度を増大させることのできる有機発光表示装置を提供するところにある。
前記課題を達成するための本発明による有機発光表示装置は、少なくとも1回以上折り返されている可撓性基板と、前記可撓性基板の上に形成されており、複数の第1発光素子を有する第1表示部と、前記可撓性基板の上に形成されており、複数の第2発光素子を有する第2表示部と、を備え、前記第1発光素子および前記第2発光素子は、第1電極、発光層および第2電極を有し、前記第1発光素子の第1電極は透明膜または半透明膜からなり、前記第2発光素子の第1電極は反射膜からなり、前記第1発光素子および前記第2発光素子の第2電極は透明膜または半透明膜からなる。
前記反射膜は、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、クロム(Cr)およびアルミニウム(Al)のうちのいずれか一種以上の金属またはこれらの合金からなってもよく、前記透明膜は、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)およびIn(酸化インジウム)のうちのいずれか一種以上の物質からなってもよい。
前記可撓性基板は、前記第1表示部と前記第2表示部との間において折り返されていてもよい。
前記有機発光表示装置は、少前記第1表示部の周縁に沿って形成されているシーラントをさらに有し、前記第1表示部と前記第2表示部は前記シーラントによって封止されていてもよい。
前記発光層は、白色光を発光してもよい。
前記有機発光表示装置は、少前記第1表示部と前記第2表示部との間に配設され、前記可撓性基板の上に形成されている複数の第3発光素子を有する第3表示部をさらに備えていてもよい。
前記第3発光素子は、前記第1発光素子および前記第2発光素子と同じ面に形成されていてもよい。
前記第3発光素子は、第1電極、発光層および第2電極を有し、前記第3発光素子の前記第1電極および前記第2電極は、透明膜または半透明膜からなってもよい。
前記第3発光素子の発光層は、白色光を発光してもよい。
前記透明膜は、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)およびIn(酸化インジウム)のうちのいずれか一種以上の物質からなってもよい。
前記可撓性基板は、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートのうちの少なくとも一種を含んでいてもよい。
本発明による方法によって有機発光表示装置を形成すれば、複数の発光ユニットを積層するための蒸着工程の増加を抑制しつつ有機発光素子の輝度を増大させることができる。
本発明の一実施形態による有機発光表示装置の概略断面図である。 図1の有機発光表示装置の概略平面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の表示部の信号線の配置図である。 本発明の一実施形態による表示部の1画素の等価回路図である。 図4の有機発光表示装置の1画素の断面図である。 図1の有機発光表示装置の発光素子を示す概略断面図である。 本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の概略配置図である。 本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の概略配置図である。 図8の有機発光表示装置を折り返したときの概略断面図である。 図8の有機発光表示装置を折り返したときの概略断面図である。
以下、添付図面に基づき、本発明の一実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できる程度に詳細に説明する。しかしながら、本発明は種々の異なる形態に実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。
図中、明確に表現するために、層、膜、板、領域等の厚さを拡大して示す。明細書全般に亘って同じ参照番号が付されている部分は、同じ構成要素であることを意味する。層、膜、領域、基板などの要素が他の要素の「上に」あるとしたとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合だけではなく、これらの間に他の要素がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「真上に(直上に)」あるとしたときには、これらの間に他の要素がないことを意味する。
以下、添付図面に基づき、本発明の一実施形態による有機発光表示装置について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の概略断面図であり、図2は、図1の有機発光表示装置の概略平面図であり、図3は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の表示部の信号線の配置図であり、そして図4は、本発明の一実施形態による表示部の1画素の等価回路図である。
図1および図2に示すように、本発明の一実施形態による可撓性表示装置1000は、基板100と、基板100の上に形成されている複数の画素を有する第1表示部200および第2表示部300を備える。第1表示部の各画素は第1発光素子を有し、第2表示部の各画素は第2発光素子を有する。各発光素子は発光ユニットを構成する。
基板100は可撓性基板であって、絶縁性有機物であるポリエーテルスルホン(PES:polyethersulphone)、ポリアクリレート(PAR:polyacrylate)、ポリエーテルイミド(PEI:polyetherimide)、ポリエチレンナフタレート(PEN:polyethyelenen napthalate)、ポリエチレンテレフタレート(PET:polyethyelene terepthalate)、ポリフェニレンスルフィド(PPS:polyphenylene sulfide)、ポリアリレート(polyallylate)、ポリイミド(polyimide)、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)およびセルロースアセテートプロピオネート(CAP:cellulose acetate propionate)よりなる群から選ばれる有機物からなってもよい。
図2を参照すれば、基板100は、同じ面に配設される第1表示領域LAおよび第2表示領域LBを有し、第1表示部200は第1表示領域LAに配設され、第2表示部300は第2表示領域LBに配設される。可撓性表示装置1000が折り返された状態で、基板100は折り返されていて第1表示部200と第2表示部300は相対向する。図1は、可撓性表示装置1000が折り返された状態を示し、図2および図3は、可撓性表示装置1000が折り返されていない状態を示す。基板100の表示領域PAは、第1および第2表示領域LA、LBの一部を含んでいてもよい。
第1表示部200および第2表示部300の画素は行列をなし、複数の信号線と接続されている。
図3を参照すれば、基板100の第1表示領域LAおよび第2表示領域LBの上には、一方向に伸びて走査信号を伝達する第1信号線121と、第1信号線121と交差して映像信号を伝達する第2信号線171とが形成されている。第1信号線および第2信号線は各画素と接続されており、画素は、第1信号線および第2信号線に加えて、他の信号が印加される様々な信号線(例えば図4に示される第3信号線)と接続されてもよい。
基板100の上には、第1表示領域LAおよび第2表示領域LBの外側の周辺領域PBに配設され、画素の薄膜トランジスタを制御するための駆動部510が配設される。
駆動部510はICチップであって基板100の上に実装されたり、第1表示領域LAおよび第2表示領域LBの薄膜トランジスタとともに基板の上に集積されたりしてもよい。このとき、駆動部510と接続されている第1信号線121は第1表示領域LAおよび第2表示領域に連なって配設されて、第1表示領域LAと第2表示領域LBとの間に配設される折込み領域Aを横切ってもよい。
一方、図1から図3の有機発光表示装置は、図4に示す等価回路をそれぞれ備える複数の画素を有していてもよい。
図4を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の信号線121、171と、これらに接続されており、概ね行列(matrix)状に配列された複数の画素Pと、を備える。
信号線は、ゲート信号(または、走査信号)を伝達する複数の第1信号線121と、データ信号を伝達する複数の第2信号線171および駆動電圧Vddを伝達する複数の第3信号線172を備える。第1信号線121は略行方向に伸びており、互いに略平行であり、第2信号線171および第3信号線172は第1信号線121と交差して列方向に伸びており、互いに略平行である。ここで、行方向は図4における水平方向を示し、列方向は図4における垂直方向を示す。第3信号線は、共通電源(Vss)に接続されている。
各画素Pは、スイッチング薄膜トランジスタ(switching thin film transistor)Q2と、駆動薄膜トランジスタ(driving thin film transistor)Q1と、ストレージキャパシタ(storage
capacitor)Cstおよび有機発光ダイオード(organic light emitting diode;OLED)70を備える。
スイッチング薄膜トランジスタQ2は、制御端子と、入力端子および出力端子を有するが、制御端子は第1信号線121に接続されており、入力端子は第2信号線171に接続されており、出力端子は駆動薄膜トランジスタQ1に接続されている。スイッチング薄膜トランジスタQ2は、第1信号線121に印加される走査信号に応答して第2信号線171に印加されるデータ信号を駆動薄膜トランジスタQ1に伝達する。
駆動薄膜トランジスタQ1もまた、制御端子と、入力端子および出力端子を有するが、制御端子はスイッチング薄膜トランジスタQ2に接続されており、入力端子は第3信号線172に接続されており、出力端子は有機発光ダイオード70に接続されている。駆動薄膜トランジスタQ1は、制御端子と出力端子との間にかかる電圧によってその大きさが変わる出力電流ILDを流す。
キャパシタCstは、駆動薄膜トランジスタQ1の制御端子と入力端子との間に接続されている。このキャパシタCstは、駆動薄膜トランジスタQ1の制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチング薄膜トランジスタQ2がターンオフ(turn-off)された後にもこれを維持する。
有機発光ダイオード70は、駆動薄膜トランジスタQ1の出力端子に接続されているアノード(anode)と、共通電源(Vss)に接続されているカソード(cathode)と、を有する。有機発光ダイオード70は、駆動薄膜トランジスタQ1の出力電流ILDに応じて強さを異ならせて発光することにより映像を表示する。
図5は、図4の有機発光表示装置の1画素の断面図である。
図5に基づき、図4の第2薄膜トランジスタQ2および有機発光素子70を中心に、積み重ね順に従って詳しく説明する。以下、第2薄膜トランジスタQ2を薄膜トランジスタと称する。
図5に示すように、有機発光表示装置は基板100を有し、基板100の上にはバッファ層120が形成されている。
基板100は、ガラス製、石英製、セラミック製またはプラスチック製の透明な絶縁性基板であってもよく、基板100は、ステンレス鋼製の金属性基板であってもよい。バッファ層120は、窒化ケイ素(SiNx)の単一膜構造に形成されてもよく、窒化ケイ素(SiNx)と酸化ケイ素(SiO)が積み重ねられた二重膜構造に形成されてもよい。バッファ層120は、不純物または水分などの不要成分の浸透を防ぐとともに、表面を平坦化させる役割を果たす。
バッファ層120の上には、多結晶シリコン製の半導体135が形成されている。
半導体135は、チャネル領域1355と、チャネル領域1355の両側にそれぞれ形成されたソース領域1356およびドレイン領域1357に仕切られる。半導体のチャネル領域1355は、不純物がドーピングされていない多結晶シリコン、すなわち、真性半導体(intrinsic semiconductor)である。ソース領域1356およびドレイン領域1357は、導電性不純物がドーピングされた多結晶シリコン、すなわち、不純物半導体(impurity semiconductor)である。ソース領域1356およびドレイン領域1357にドーピングされる不純物は、p型不純物およびn型不純物のうちのいずれか一種であってもよい。
半導体135の上には、ゲート絶縁膜140が形成されている。ゲート絶縁膜140は、テトラエトキシシラン(tetra ethyl ortho silicate;TEOS)、窒化ケイ素および酸化ケイ素のうちの少なくとも一種を含む単層または複数層であってもよい。
半導体135の上にはゲート電極155が形成されており、ゲート電極155はチャネル領域1355と重なり合う。
ゲート電極155は、Al、Ti、Mo、Cu、Niまたはこれらの合金のように低抵抗物質または腐食が強い物質を単層または複数層に形成することができる。
ゲート電極155の上には第1層間絶縁膜160が形成される。第1層間絶縁膜160は、ゲート絶縁膜140と同様に、テトラエトキシシラン(TEOS)、窒化ケイ素または酸化ケイ素などから単層または複数層に形成されることができる。
第1層間絶縁膜160とゲート絶縁膜140は、ソース領域1356とドレイン領域1357をそれぞれ露出させるソース接触孔66とドレイン接触孔67を有する。
第1層間絶縁膜160の上には、ソース電極176およびドレイン電極177が形成されている。ソース電極176は接触孔66を介してソース領域1356と接続されており、ドレイン電極177は接触孔67を介してドレイン領域1357と接続されている。
ソース電極176およびドレイン電極177は、Al、Ti、Mo、Cu、Niまたはこれらの合金のように低抵抗物質または腐食が強い物質を単層または複数層に形成することができる。例えば、Ti/Cu/Ti、Ti/Ag/Ti、Mo/Al/Moの三重層であってもよい。
ゲート電極155と、ソース電極176およびドレイン電極177はそれぞれ、図4の制御端子と、入力端子および出力端子であって、半導体135とともに薄膜トランジスタをなす。薄膜トランジスタのチャネル(channel)はソース電極176とドレイン電極177との間の半導体135に形成される。
ソース電極176およびドレイン電極177の上には第2層間絶縁膜180が形成されている。第2層間絶縁膜180は、ドレイン電極177を露出させる接触孔85を有する。
第2層間絶縁膜180は、第1層間絶縁膜と同様に、テトラエトキシシラン(TEOS)、窒化ケイ素または酸化ケイ素などから単層または複数層に形成してもよく、低誘電率有機物質からなってもよい。
第2層間絶縁膜180の上には第1電極710が形成されている。第1電極710は接触孔85を介してドレイン電極177と電気的に接続され、第1電極710は図1の有機発光素子のアノード電極であってもよい。
本発明の一実施形態においては、第1電極710とドレイン電極177との間に層間絶縁膜を形成したが、第1電極710はドレイン電極177と同じ層に形成してもよく、ドレイン電極177と一体に形成してもよい。
第1電極710の上には、画素限定膜190が形成されている。
画素限定膜190は第1電極710を露出させる開口部95を有する。画素限定膜190は、ポリアクリール系(polyacrylates)またはポリイミド系(polyimides)などの樹脂とシリカ系の無機物などを含んでなってもよい。
画素限定膜190の開口部95には有機発光層720が形成されている。
有機発光層720は、発光層、正孔輸送層(hole-injection layer;HIL)、正孔輸送層(hole-transporting layer;HTL)、電子輸送層(electron-transporting layer;ETL)および電子注入層(electron-injection layer;EIL)のうちのいずれか一種以上を含む複数層に形成される。
有機発光層720がこれらをいずれも含む場合、正孔注入層がアノード電極である画素電極710の上に配設され、その上に正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層および電子注入層がこの順に積み重ねられてもよい。
このとき、発光層は、低分子有機物またはPEDOT(Poly3,4-ethylenedioxythiophene)などの高分子有機物からなってもよい。発光層は、赤色を発光する赤色発光層と、緑色を発光する緑色発光層および青色を発光する青色発光層を有していてもよく、赤色発光層と、緑色発光層および青色発光層はそれぞれ赤色画素と、緑色画素および青色画素に形成されてカラー画像を実現する。
また、発光層は、赤色発光層と、緑色発光層および青色発光層を赤色画素と、緑色画素および青色画素にまとめて積み重ね、各画素別に赤色カラーフィルタと、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することができる。他の例として、白色を発光する白色発光層を赤色画素と、緑色画素および青色画素の全てに形成し、各画素別にそれぞれ赤色カラーフィルタと、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現してもよい。白色発光層とカラーフィルタを用いてカラー画像を実現する場合、赤色発光層と、緑色発光層および発光層をそれぞれの個別画素、すなわち、赤色画素と、緑色画素および青色画素に蒸着するための蒸着マスクを用いなくても良い。
さらに、白色発光層は白色光を発光する一つの発光層として形成されてもよいことは言うまでもなく、複数の異なる色を発光する発光層を積み重ねて白色を発光してもよい。例えば、少なくとも一つのイエロー発光層と少なくとも一つの青色発光層を組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも一つのシアン発光層と少なくとも一つの赤色発光層を組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも一つのマゼンタ発光層と少なくとも一つの緑色発光層を組み合わせて白色発光を可能にした構成なども含んでいてもよい。
画素限定膜190および有機発光層720の上には第2電極730が形成される。
第2電極730は、有機発光素子のカソード電極となる。このため、第1電極710と、有機発光層720および第2電極730は有機発光素子70をなす。
有機発光素子70が光を放出する方向によって、有機発光表示装置は、前面表示型と、背面表示型および両面表示型のうちのいずれか一つの構造を有することができる。
前面表示型の場合、第1電極710は反射膜から形成し、第2電極730は半透過膜または透過膜から形成する。これに対し、背面表示型の場合、第1電極710は半透過膜から形成し、第2電極730は反射膜から形成する。そして、両面表示型の場合、第1電極710および第2電極730は透明膜または半透明膜から形成する。
反射膜および半透明膜は、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、クロム(Cr)およびアルミニウム(Al)のうちのいずれか一種以上の金属またはこれらの合金から製膜される。反射膜と半透過膜は厚さによって決定され、半透過膜は200nm以下の厚さに形成可能である。厚さが薄くなるほど透光率が高くなるが、薄過ぎると抵抗が増大する。
透明膜は、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)およびIn(酸化インジウム)などの物質からなる。
本発明の実施形態において、第1表示部は両面表示型であり、第2表示部は前面表示型である。
すなわち、第1表示部の第1発光素子は透明膜または半透明膜からなる第1電極および第2電極を有し、第2表示部の第2発光素子は反射膜からなる第1電極と、透明膜または半透明膜からなる第2電極を有する。
第2電極730の上には封止部材260が形成されている。
封止部材260は1以上の有機層と1以上の無機層とが互いに交互に積み重ねられてもよい。無機層または有機層はそれぞれ複数であってもよい。
有機層は高分子から形成され、好ましくは、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、エポキシ、ポリエチレンおよびポリアクリレートのうちのいずれか一種から形成される単一膜または積層膜であってもよい。さらに好ましくは、前記有機層はポリアクリレートから形成されてもよく、具体的には、ジアクリレート系モノマーとトリアクリレート系モノマーを含むモノマー組成物が高分子化されたものを含む。モノマー組成物にモノアクリレート系モノマーがさらに含まれていてもよい。なお、前記モノマー組成物にTPOなどの公知の光開始剤がさらに含まれていてもよいが、これに限定されない。
無機層は、金属酸化物または金属硝酸塩を含む単一膜または積層膜であってもよい。具体的に、前記無機層は、SiNx、Al、SiO、TiOのうちのいずれか一種を含んでいてもよい。
封止層のうち外部に露出された最上層は、有機発光素子への透湿を防ぐために無機層として形成されてもよい。
封止層は、少なくとも2つの無基層の間に少なくとも一つの有機層が挟持された挟み込み構造を少なくとも一つ有していてもよい。なお、封止層は、少なくとも2つの有機層の間に少なくとも一つの無機層が挟持された挟み込み構造を少なくとも一つ有していてもよい。
封止層は、ディスプレイ部の上部から順に第1無機層と、第1有機層および第2無機層を有していてもよい。また、封止層は、ディスプレイ部の上部から順に第1無機層と、第1有機層と、第2無機層と、第2有機層および第3無機層を有していてもよい。さらに、封止層は、ディスプレイ部の上部から順に第1無機層と、第1有機層と、第2無機層と、第2有機層と、第3無機層と、第3有機層および第4無機層を有していてもよい。
ディスプレイ部と第1無基層との間にLiFを含むハロゲン化金属層がさらに配設されてもよい。ハロゲン化金属層は、第1無機層をスパッタリング方式またはプラズマ蒸着方式によって形成するときにディスプレイ部が損傷されることを防ぐことができる。
第1有機層は、第2無機層よりも面積が狭いことを特徴とし、第2有機層も第3無機層よりも面積が狭くてもよい。なお、第1有機層は第2無機層によって完全に覆われることを特徴とし、第2有機層も第3無機層によって完全に覆われてもよい。
図1および2に戻ると、基板100の上にはシーラント400が形成されており、折り返された基板100の第1表示領域LAと第2表示領域LBを結合して封止する。
シーラント400は、基板100が折り返される部分Aを除いて基板100の周縁に配設され、第1表示領域LAまたは第2表示領域LBを囲繞するように第1表示領域LAまたは第2表示領域LBの境界線を沿って形成されている。
シーラント400は熱硬化性または光硬化性接着剤であってもよく、ガラスフリット(glass frit)が使用可能である。
このように、第1表示部200と第2表示部300を形成し、折返し領域Aを中心に第1表示部200と第2表示部300をこれらが相対向するように折り返して有機発光表示装置を形成すれば、有機発光表示装置の輝度を増大させることができる。
この詳細については、図6に基づいて詳述する。図6は、図1の有機発光表示装置の発光素子を示す概略断面図である。
図6を参照すれば、第1表示部と第2表示部の画素に駆動信号が印加されれば、第1表示部の有機発光素子である第1発光素子70aの発光層720aが発光し、第2表示部の有機発光素子である第2発光素子70bの発光層720bが発光する。
第2表示部は前面発光型であって、第1電極710bが反射膜、第2電極730bが透明膜からなり、第1表示部は両面発光型であって、第1電極710aおよび第2電極730aが透明膜からなる。
第1表示部から発せられた光は第1電極710aを介して外部に放出される。このとき、第1表示部から発せられた光の一部は第1電極710aに向かって伝達されて外部に放出され、一部は第2電極730aに向かって伝達されて第2表示部の反射膜である第1電極710bに反射された後に第1表示部を通過して外部に放出されてもよい。
一方、第1表示部と対応する基板は、外部から光が入射したり外部に光が放出されたりすることを防ぐための遮光部材35をさらに備えていてもよい。
このように遮光部材を形成すれば、第1表示部から発せられた光が第2表示部の第1電極に反射されることなく、第2電極が配設されていない領域を通過して放出されても遮光部材35に吸収されて外部に放出されない。
第2表示部から発せられた光は、第2電極730bおよび第1表示部を通過して外部に放出されたり、第1電極710bに反射された後に第1表示部を通過して外部に放出されたりする。
このように、本実施形態は、第1表示部と第2表示部の両方から光が放出されるので、表示装置の輝度を増大させることができる。すなわち、発光素子を単位ユニットとして複数積み重ねるマルチフォト効果を期待することができる。また、本実施形態では、発光素子同士を蒸着させることなく輝度を向上することができる。したがって、本実施形態では、複数の発光ユニットを積層するための蒸着工程の増加を抑制しつつ有機発光素子の輝度を増大させることができる。
また、本発明の有機発光表示装置でのように第1表示部と第2表示部を形成すれば、高輝度を必要としない場合には、第1表示部のみを駆動したり、第2表示部のみを駆動したりして使用することができる。
図7は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の概略配置図である。図7の有機発光表示装置は、図1から図4の有機発光表示装置とほとんど同様であるため、異なる部分についてのみ具体的に説明する。
図7に示す可撓性表示装置1002は、第1表示領域LAと第2表示領域LBを有する基板100と、複数の画素をそれぞれ有し、第1表示領域LAおよび第2表示領域LBにそれぞれ形成されている第1表示部200および第2表示部300を備える。
第1表示部200および第2表示部300の信号線121、171は、駆動部510と電気的に接続されている。
第1信号線121は、図3とは異なり、折返し領域Aを中心に分離されて第1表示部と第2表示部にそれぞれ第1信号線121が形成される。
図3に示すように、第1表示領域LAおよび第2表示領域LBに亘って第1信号線121を形成すれば、第1信号線121が長くなって抵抗が増大して信号遅延が生じる。したがって、図7に示すように、第1表示部と第2表示部に分離して第1信号線を形成すれば、信号遅延を低減することができる。
このとき、第1表示部と第2表示部の第1信号線には、それぞれの駆動部510から駆動信号が伝達される。
以上の実施形態においては、第1信号線が伸びる方向の幅が第2信号線が伸びる方向の幅よりも広くて折返し領域Aを横切るように第1信号線が形成されることについて説明したが、第2信号線が伸びる方向の幅が第1信号線が伸びる方向の幅よりも広い折返し領域Aが第2信号線を横切るように形成されてもよい。
図8は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の概略配置図であり、図9および図10は、図8の有機発光表示装置を折り返したときの概略断面図である。図8から図10に示すように、有機発光表示装置は、図1から図4の実施形態とは異なり、複数の折返し領域を含んで繰り返し折り返されてもよい。
すなわち、図8から図10に示す有機発光表示装置は、2つの折返し領域を含んで第1表示部200と、第2表示部300および第3表示部600を備える。このとき、第1表示部200乃至第3表示部600は可撓性基板の同じ面に配設される。
第1表示部200乃至第3表示部600はそれぞれ第1発光素子70aと、第2発光素子70bおよび第3発光素子70cを有し、各発光素子70a〜70cは第1電極710a〜710cと、有機発光層720a〜720cと、第2電極730a〜730cを有する。第1発光素子、第2発光素子の具体的な構成は上述した実施形態と同様であればよい。第3発光素子の具体的な構成は第1発光素子または第2発光素子と同様であればよい。
第1発光素子および第3発光素子の第1電極および第2電極は透明膜または半透明膜からなり、第2発光素子の第1電極は反射膜、第2電極は透明膜または半透明膜からなる。これは、発光された光が射出される方向に配設される第1発光素子および第3発光素子は光が通過して外部に射出できるように透明膜から電極を形成する。
以上の実施形態においては、第2表示部が反射膜からなる第1電極を有することを例にとって説明したが、第3表示部の第1電極が反射膜からなり、第1表示部および第2表示部の第1電極および第2電極は透明膜からなってもよい。
図9において、第3表示部の第1電極が反射膜からなれば、第2表示部の第1電極が反射膜からなるときとは逆方向に光が射出される。すなわち、第2表示部の第1電極が反射膜からなれば、光は第1表示部および第3表示部を通過して射出されるが、第3表示部の第1電極が反射膜からなれば、光は第1表示部および第2表示部を通過して射出される。
以上、本発明の好適な実施形態について詳述したが、本発明の権利範囲はこれに何ら限定されるものではなく、下記の請求範囲において定義している本発明の基本概念を用いた当業者の種々の変形および改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。
35:遮光部材
66、76、85:接触孔
70:有機発光素子
70a:第1発光素子
70b:第2発光素子
70c:第3発光素子
85:接触孔
95:開口部
100:基板
120:バッファ層
121:第1信号線
135:半導体
140:ゲート絶縁膜
155:ゲート電極
160:第1層間絶縁膜
171:第2信号線
172:第3信号線
176:ソース電極
177:ドレイン電極
180:第2層間絶縁膜
190:画素限定膜
200:第1表示部
260:封止部材
300:第2表示部
400:シーラント
510:駆動部
600:第3表示部
710、710a、710b、710c:第1電極
720、720a、720b、720c:有機発光層
730、730a、730b、730c:第2電極
1000、1002:可撓性表示装置
1355:チャネル領域
1356:ソース領域
1357:ドレイン領域

Claims (9)

  1. 少なくとも1回以上折り返されている可撓性基板と、
    前記可撓性基板の上に形成されており、複数の第1発光素子を有する第1表示部と、
    前記可撓性基板の上に形成されており、複数の第2発光素子を有する第2表示部と、
    を備え、
    前記第1表示部と、前記第2表示部とは、前記可撓性基板が折り返されることで、互いに対向するように配置されており、
    前記第1発光素子および前記第2発光素子は、第1電極、発光層および第2電極を有し、
    前記第1発光素子の第1電極は透明膜または半透明膜からなり、
    前記第2発光素子の第1電極は反射膜からなり、
    前記第1発光素子および前記第2発光素子の第2電極は透明膜または半透明膜からなり、
    前記第1発光素子の発光層および前記第2発光素子の発光層は白色光を発光する有機発光表示装置。
  2. 前記反射膜は、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、クロム(Cr)およびアルミニウム(Al)のうちのいずれか一種以上の金属またはこれらの合金からなり、
    前記透明膜は、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)およびIn(酸化インジウム)のうちのいずれか一種以上の物質からなる請求項1に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記可撓性基板は、前記第1表示部と前記第2表示部との間において折り返されている請求項2に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記第1表示部の周縁に沿って形成されているシーラントをさらに有し、
    前記第1表示部と前記第2表示部は前記シーラントによって封止される請求項3に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記第1表示部と前記第2表示部との間に配設され、前記可撓性基板の上に形成されている複数の第3発光素子を有する第3表示部をさらに備える請求項1に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記第3発光素子は、前記第1発光素子および前記第2発光素子と同じ面に形成されている請求項に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記第3発光素子は、第1電極、発光層および第2電極を有し、
    前記第3発光素子の前記第1電極および前記第2電極は、透明膜または半透明膜からなる請求項に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記第3発光素子の発光層は、白色光を発光する請求項に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記第3発光素子の透明膜は、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)およびIn(酸化インジウム)のうちのいずれか一種以上の物質からなる請求項に記載の有機発光表示装置。
JP2014113949A 2013-07-05 2014-06-02 有機発光表示装置 Active JP6533645B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130079279A KR102101362B1 (ko) 2013-07-05 2013-07-05 유기 발광 표시 장치
KR10-2013-0079279 2013-07-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015015238A JP2015015238A (ja) 2015-01-22
JP6533645B2 true JP6533645B2 (ja) 2019-06-19

Family

ID=50389330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014113949A Active JP6533645B2 (ja) 2013-07-05 2014-06-02 有機発光表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9231221B2 (ja)
EP (1) EP2824725A1 (ja)
JP (1) JP6533645B2 (ja)
KR (1) KR102101362B1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101931771B1 (ko) * 2012-11-23 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2015146115A1 (ja) * 2014-03-25 2015-10-01 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
CN105336869A (zh) * 2014-07-22 2016-02-17 上海和辉光电有限公司 电极结构及oled显示器
KR102272216B1 (ko) * 2015-02-13 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 타일드 표시 장치
CN106158904A (zh) * 2015-04-03 2016-11-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种高分辨率柔性显示屏及其制备方法
CN106158903B (zh) * 2015-04-03 2019-06-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种具备显示和照明功能的柔性电子结构
CN106298837A (zh) * 2015-05-29 2017-01-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Oled显示面板及拼接显示装置
KR102400871B1 (ko) 2015-07-31 2022-05-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN105140265B (zh) * 2015-09-15 2018-01-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其驱动方法以及显示装置
US10756141B2 (en) * 2016-07-28 2020-08-25 Universal Display Corporation Very high resolution stacked OLED display
KR20180023155A (ko) * 2016-08-24 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN106206667A (zh) * 2016-08-30 2016-12-07 武汉华星光电技术有限公司 双面oled显示器及其封装方法
KR102609533B1 (ko) * 2016-11-30 2023-12-05 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10916221B2 (en) * 2017-05-03 2021-02-09 Innolux Corporation Display device
CN107807752B (zh) * 2017-10-27 2021-04-02 京东方科技集团股份有限公司 电子设备、柔性屏及其防误触控装置和方法
CN108493213A (zh) * 2018-03-13 2018-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏组件及终端设备
CN111768732B (zh) * 2019-04-01 2022-04-15 北京京东方光电科技有限公司 一种显示驱动装置、显示装置和显示驱动方法
KR20220075110A (ko) * 2020-11-27 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2134299B (en) 1982-12-23 1986-04-30 Epson Corp Liquid crystal display device
JPH08203669A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Seikosha Co Ltd El両面発光表示体
JP3986225B2 (ja) 1999-11-26 2007-10-03 カシオ計算機株式会社 積層型表示装置
JP2003036973A (ja) * 2001-07-19 2003-02-07 Pioneer Electronic Corp カラーディスプレイパネル
US6965197B2 (en) * 2002-10-01 2005-11-15 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency
KR100527198B1 (ko) * 2003-11-12 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 양면으로 화면을 표시할 수 있는 평면표시장치
CN101133434B (zh) * 2005-02-22 2013-05-15 Udc爱尔兰有限公司 抑制塑性变形的挠性基材及挠性图像显示装置
JP4619186B2 (ja) 2005-04-19 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100670343B1 (ko) 2005-05-27 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 및 그의 제조방법
KR20070009306A (ko) * 2005-07-15 2007-01-18 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 발광 소자의 제조 방법
KR100732429B1 (ko) 2005-07-20 2007-06-27 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 발광 소자
JP4926426B2 (ja) 2005-08-12 2012-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
KR100841376B1 (ko) * 2007-06-12 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR20100092222A (ko) 2009-02-12 2010-08-20 삼성전자주식회사 멀티-폴더블 모바일 디스플레이 장치
KR101155907B1 (ko) * 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20110054464A (ko) 2009-11-17 2011-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
US8501509B2 (en) * 2010-08-25 2013-08-06 Micron Technology, Inc. Multi-dimensional solid state lighting device array system and associated methods and structures
JP5288657B2 (ja) * 2012-01-05 2013-09-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20140054790A (ko) 2012-10-29 2014-05-09 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR101931771B1 (ko) 2012-11-23 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102101362B1 (ko) 2020-05-18
KR20150005374A (ko) 2015-01-14
JP2015015238A (ja) 2015-01-22
US20150008396A1 (en) 2015-01-08
US9231221B2 (en) 2016-01-05
EP2824725A1 (en) 2015-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6533645B2 (ja) 有機発光表示装置
KR102090200B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10673016B2 (en) Display device comprising an inorganic encapsulation layer covering a pixel area and a pixel area gap
US9893134B2 (en) Organic light-emitting diode display
KR101094287B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101821739B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9082997B2 (en) Organic light emitting diode display
US9368760B2 (en) Organic light emitting diode display
TWI582980B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US9159946B2 (en) Organic light emitting diode display having auxiliary electrode
US20090278452A1 (en) Double-sided emission type organic light emitting diode display
US10707446B2 (en) Display unit and electronic apparatus
JP2016085972A (ja) 発光装置及び電子機器
CN102456704B (zh) 有机发光显示装置
US9385170B2 (en) Thin film transistor array panel and organic light emitting diode display including the same
KR20160059563A (ko) 유기발광 표시장치
US20170169760A1 (en) Organic Light-Emitting Display Device
US20170033170A1 (en) Organic light emitting diode display
US20160218157A1 (en) Organic light emitting diode display
US8610149B2 (en) Organic light emitting diode display
KR100965250B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US20240357889A1 (en) Organic light-emitting display apparatus
KR20150043080A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102356743B1 (ko) 표시 장치
KR20110095714A (ko) 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20170425

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180529

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180822

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190514

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190527

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6533645

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250