JP2005084642A - 両面表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 独立表示が可能な両面表示装置の薄型化を図る。
【解決手段】 両面表示装置１０は、一対の電極２１，２２間に発光機能層２３が挟持された自発光素子２０が、支持基板１１上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂを備え、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂの光取り出し方向が互いに反対方向になるように第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂを積層配置し、自発光素子２０が一対の光取り出し基板間の単一の封止空間１２内に形成されると共に、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂにおける各支持基板１１，１１が一対の光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂによって構成されている。
【選択図】図２
【解決手段】 両面表示装置１０は、一対の電極２１，２２間に発光機能層２３が挟持された自発光素子２０が、支持基板１１上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂを備え、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂの光取り出し方向が互いに反対方向になるように第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂを積層配置し、自発光素子２０が一対の光取り出し基板間の単一の封止空間１２内に形成されると共に、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂにおける各支持基板１１，１１が一対の光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂによって構成されている。
【選択図】図２
Description
本発明は、両面表示装置及びその製造方法に関するものである。
支持基板上に表示部を形成するフラットパネルタイプの表示装置では、平板状の形態からなる特性を生かして、表示装置の表裏両側に表示部を形成して両面表示を行うものが提案されている。下記特許文献１に記載のものはその一例であって、この従来技術を図１によって説明する。
これは、２組の液晶パネルの間にバックライトとする光源を挟んだ構成を備え、各液晶パネルで表裏両面の表示を可能にしたものである。すなわち、この表示装置１は、冷陰極管２Ａと導光板２Ｂと冷陰極管２Ａの外側を覆う反射シート２Ｃとで構成されるバックライト２の両面に、液晶５をガラス板４，偏光板３で挟み込んで液晶パネルを形成し、これを貼り合わせて形成している。なお。それぞれの液晶パネルは個々に設けられたドライバＩＣ７によって駆動されており、液晶パネルの周囲はメタルベゼル８で覆われ、片側の液晶パネルの表面にはカバーガラス６が設けられている。
両面表示を行う表示装置においては、両面の各表示部を形成する表示パネルにそれぞれ別の情報を表示させようとすると、前述した従来技術のように、それぞれ独立した２組の表示パネルを設ける必要があり、各表示パネルの構成要素であるガラス板，偏光板，液晶封止部等がそれぞれ２組設けられることになるので、表示装置全体の厚さが嵩張るものになる。これは薄型化の要求が高いフラットパネル表示装置としては望ましいことではない。また、液晶表示装置の場合には、バックライトを必要とするので、前述した従来技術のように２組の表示パネルの間にバックライトを設ける構造になり、これが更に表示装置全体の厚みを増大させる要因になる。
有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）、電界放射表示装置（ＦＥＤ：Field Emission Display）等の自発光型のフラットパネル表示装置を採用することによって、バックライトによる厚み増大の問題は解消することができるが、表示パネルの構成要素が２組積層配置されることによって厚さが増大する問題は自発光型の表示パネルを表示部として用いる場合にも同様に生じる。特に、これらの自発光型表示装置は、表示原理は異なるものの、いずれも基板上に封止空間を形成する構造を備えている。この封止空間の役割は各表示装置の表示原理に応じて異なるが、基板上に封止材を介して封止基板を貼り合わせることで封止空間が形成され、この封止空間内に表示部が形成される構造は共通している。そして、この封止空間は表示装置の厚さを支配する上でかなり大きなウエイトを占めることになるので、この封止空間が表示部毎に重ねて形成されると表示装置全体の厚みを増大させる大きな要因になってしまう。
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、独立表示が可能な両面表示を実現する上で、まず、バックライトを必要としない自発光型の表示部を採用することで表示装置全体の薄型化を達成すること、表裏両面の各表示部における構成要素の重なりをできるだけ避けて更なる薄型化を可能にすること、特に、自発光型表示装置の封止空間を可能な限り省スペース化することで、両面表示を行う場合にも表示装置全体の薄型化を可能にすること、また、各表示部は独立して高精細なドットマトリクス表示が可能な構成にすること等が本発明の目的である。
このような目的を達成するために、本発明による両面表示装置及びその製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
［請求項１］少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における各支持基板が、前記一対の光取り出し基板、或いは該光取り出し基板間に挟まれる単一基板の表裏両面によって構成されることを特徴とする両面表示装置。
［請求項２］少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の単一の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における各支持基板が前記一対の光取り出し基板のそれぞれによって構成されることを特徴とする両面表示装置。
［請求項３］少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における支持基板が前記一対の光取り出し基板に挟まれる単一基板の表裏両面によって構成されることを特徴とする両面表示装置。
［請求項４］少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における支持基板が前記一対の光取り出し基板のそれぞれ及び該光取り基板間に挟まれる単一基板の表裏両面によって構成され、前記発光機能層は、前記光取り出し基板内面に形成された電極と前記単一基板上に形成された電極間に挟持されることを特徴とする両面表示装置。
［請求項９］少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置の製造方法であって、前記第１及び第２の自発光表示部における各支持基板をそれぞれ光取り出し基板とし、該光取り出し基板間に封止材を介在させて該光取り出し基板を互いに貼り合わせる工程を有し、前記光取り出し基板間に前記自発光素子を封止する単一の封止空間を形成することを特徴とする両面表示装置の製造方法。
［請求項１０］少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置の製造方法であって、単一基板を前記支持基板として、該基板の表裏両面に前記第１及び第２の自発光表示部を形成する各工程と、前記第１及び第２の自発光表示部を覆うように、前記単一基板の表裏両面に封止材を介して一対の光取り出し基板をそれぞれ貼り付ける各工程とを有し、前記一対の光取り出し基板間に前記単一基板を挟んで、前記自発光素子を封止する封止空間を形成することを特徴とする両面表示装置の製造方法。
［請求項１１］少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置の製造方法であって、単一基板の表裏両面に第１の電極を形成すると共に、該第１の電極上に前記発光機能層の一部の層を形成する各工程と、一対の光取り出し基板のそれぞれに第２の電極を形成すると共に、該第２の電極上に前記発光機能層の残りの層を形成する各工程と、前記単一基板の表裏両面に封止材を介して前記一対の光取り出し基板をそれぞれ貼り付ける各工程とを有し、前記発光機能層は前記第１の電極上に形成された一部の層と前記第２の電極上に形成された残りの層が接合して形成され、前記一対の光取り出し基板間に前記自発光素子を封止する封止空間を形成することを特徴とする両面表示装置の製造方法。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図２は本発明の一実施形態に係る両面表示装置の構成を示す説明図（断面図）である。具体例としては有機ＥＬ表示装置を例にして説明するが本発明は特にこれに限定されるものではない。
この両面表示装置１０は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極２１，２２間に少なくとも一層以上の発光機能層２３が挟持された自発光素子２０が支持基板１１上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂを備え、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂの光取り出し方向が互いに反対方向になるように第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂを積層配置したものであって、自発光素子２０が一対の光取り出し基板間の封止空間１２内に形成されると共に、本実施形態においては、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂにおける各支持基板１１，１１が一対の光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂによって構成されている。
更に具体的に説明すると、有機ＥＬ素子を構成する自発光素子２０は、支持基板１１上に形成された透明電極からなる第１の電極２１上に有機化合物材料からなる発光機能層２３を積層し、その上に金属電極等からなる第２の電極２２を積層して、一対の電極２１，２２間に発光機能層２３を挟持した構造を有するものである。
ここでは、第１の電極２１は支持基板１１上にストライプ状にパターン形成されており、各電極２１の間には発光領域を開口するように絶縁層２４が形成されている。また、電極２１と直交するようにストライプ状の第２の電極２２が形成されている。これによって、第１の電極２１と第２の電極２２が交差する部分に、自発光素子（有機ＥＬ素子）２０がドットマトリクス状に配置された状態になっている。
そして、一つの支持基板１１上に形成された自発光素子２０の集合によって第１の自発光表示部１０Ａが形成され、他方の支持基板１１上に形成された自発光素子２０の集合によって第２の自発光表示部１０Ｂが形成されている。
更には、第１の自発光表示部１０Ａと第２の自発光表示部１０Ｂの光取り出し方向が互いに反対方向になるように、支持基板１１，１１の間に封止材１３を介在させて両者を貼り合わせることで、第１の自発光表示部１０Ａと第２の自発光表示部１０Ｂが積層配置され、しかも、支持基板１１，１１間に形成される封止空間１２内に自発光素子２０が形成されている。
ここで、封止材１３は、必要に応じてその中に封止空間１２を確保するためのスペーサ１４を含有させたものであってもよいし、或いは封止空間１２内の水分等を除去する乾燥剤等を含有させたものであってもよい。また、各自発光素子２０を駆動するための駆動回路を接続するために、各支持基板１１上には第２の電極２２の端部と接続する引出電極２５が形成されている。
このような実施形態によると、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂにおける各支持基板１１，１１が両面表示の光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂになっており、この光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂが封止空間１２を形成する封止基板を兼用する構造になっている。また、単一の封止空間１２内に２組の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂにおける各自発光素子２０が一緒に収容される構造になっている。
したがって、両面表示の各面毎に独立したドットマトリクス表示を可能にする構造でありながら、封止空間１２は一つで良く、また、支持基板１１，１１が封止基板を兼用することで基板の重なりを必要最小限に抑えることができる。これによって、独立したドットマトリクス表示の両面表示を確保しながら、表示装置全体の厚さを極力薄型化することが可能になる。
図３は、この実施形態に係る両面表示装置１０の製造方法を示す説明図である。ここでは、隔壁を用いて第２の電極２２のパターン形成を行う例を示すが、本発明の実施形態としては特にこれに限定されない。
この製造方法は、基本構成としては、前述の両面表示装置１０の製造方法であって、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂにおける各支持基板１１，１１をそれぞれ光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂとし、この光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂ間に封止材１３を介在させて両者を貼り合わせる工程を有するものであり、これによって、光取り出し基板１１Ａ，１１Ａ間に自発光素子２０を封止する単一の封止空間１２を形成するものである。
更に具体的に説明すると、同図（ａ）に示すように、第１の自発光表示部１０Ａを形成するに際して、支持基板１１上にストライプ状にパターニングされた第１の電極２１を形成し、この第１の電極２１上及び支持基板１１上に、発光領域を開口させて絶縁層２４を形成する。更にはその絶縁層２４上に逆台形断面の隔壁２６を形成する。これらの工程はフォトリソグラフィ等の微細加工技術を用いて行うことができる。
そして、同図（ｂ）に示すように、その上から発光機能層２３を蒸着等によって成膜して、更にその上から第２の電極２２を蒸着等によって成膜させる。これによると、隔壁２６の逆台形断面形状によって第２の電極２２は分断されることになり、隔壁２６に沿ったストライプ状のパターンが形成されることになる。また、同図（ａ），（ｂ）の工程によって同様に第２の自発光表示部１０Ｂを形成する。
その後は、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂの光取り出し方向が互いに反対になるように支持基板１１，１１の間に封止材１３を介在させて両者を貼り合わせる（同図（ｃ））。これによって、前述した特徴的な構造を有する両面表示装置１０を得ることができる。
この製造方法によると、片側表示の単体の表示装置を形成する方法と同工程で、第１及び第２の自発光表示部１０Ａ，１０Ｂを形成することができ、これを単純に貼り合わせるだけでよいので、簡単な工程で前述した特徴を有する両面表示装置１０を得ることができる。
図４は、本発明の他の実施形態に係る両面表示装置を示す説明図である（前述の実施形態と同一部位には同一符号を付して一部共通する説明を省略する。）。この実施形態に係る両面表示装置３０は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極２１，２２間に少なくとも一層以上の発光機能層２３が挟持された自発光素子２０が、支持基板３１上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂを備え、第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂの光取り出し方向が互いに反対方向になるように第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂを積層配置したものであって、自発光素子２０が一対の光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂ間の封止空間３３Ａ，３３Ｂ内に形成されると共に、第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂにおける支持基板３１が一対の光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂに挟まれる単一基板の表裏両面によって構成されるものである。
更に詳しく説明すると、有機ＥＬ素子を構成する自発光素子２０は、単一の支持基板３１上に形成された第１の電極２１上に有機化合物材料からなる発光機能層２３を積層し、その上に透明電極からなる第２の電極２２を積層して、一対の電極２１，２２間に発光機能層２３を挟持した構造を有するものである。この実施形態では、単一基板からなる支持基板３１の表裏両面にドットマトリクス状に自発光素子２０が配置されており、有機ＥＬ素子を構成する各自発光素子２０は支持基板３１とは反対側に光を取り出すトップエミッション方式の素子を形成している。
そして、支持基板３１の一方の面に形成された自発光素子２０の集合によって第１の自発光表示部３０Ａが形成され、支持基板３１の他方の面に形成された自発光素子２０の集合によって第２の自発光表示部３０Ｂが形成されている。
更には、支持基板３１の表裏両面に形成された自発光素子２０をそれぞれ覆うように封止基板を兼用する光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂが支持基板３１の両面に封止材１３を介して貼り付けられて、光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂ間に封止空間３３Ａ，３３Ｂを形成している。これによって、第１の自発光表示部３０Ａと第２の自発光表示部３０Ｂが積層配置され、しかも、光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂ間に形成される封止空間３３Ａ，３３Ｂ内に自発光素子２０が形成される構造になっている。
ここで、光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂは透明基板によって形成されることになるが、必要に応じて、その表面にカラーフィルタ或いは色変換フィルタを配備することができる。
この実施形態によると、両面表示を行う第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂのそれぞれに封止空間３３Ａ，３３Ｂを形成することになるが、第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂにおける支持基板３１を共用化することで、２組の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂにおける構成要素の重なりを少なくしている。
したがって、両面表示の各面毎に独立したドットマトリクス表示を可能にする構造でありながら、支持基板３１を共用化することで基板の重なりを必要最小限に抑えることができ、これによって、独立したドットマトリクス表示の両面表示を確保しながら、表示装置全体の厚さを極力薄型化することが可能になる。
図５は、この実施形態に係る両面表示装置３０の製造方法を示す説明図である。ここでも、隔壁を用いて第２の電極２２のパターン形成を行う例を示すが、本発明の実施形態としては特にこれに限定されない。
この製造方法は、基本構成としては、前述の両面表示装置３０の製造方法であって、単一基板を支持基板３１として、該基板の表裏両面に第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂを形成する各工程と、第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂを覆うように、支持基板３１の表裏両面に封止材１３を介して一対の光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂをそれぞれ貼り付ける各工程とを有し、一対の光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂ間に単一基板の支持基板３１を挟んで、自発光素子２０を封止する封止空間３３Ａ，３３Ｂを形成するものである。
更に具体的に説明すると、同図（ａ）に示すように、第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂを形成するに際して、単一基板の支持基板３１の表裏両面にストライプ状にパターニングされた第１の電極２１を形成し、この第１の電極２１上及び支持基板３１上に、発光領域を開口させて絶縁層２４を形成する。更にはその絶縁層２４上に逆台形断面の隔壁２６を形成する。これらの工程はフォトリソグラフィ等の微細加工技術を用いて行うことができる。
そして、同図（ｂ）に示すように、支持基板３１における片面の上から発光機能層２３を蒸着等によって成膜して、更にその上から第２の電極２２を蒸着等によって成膜させる。これによると、隔壁２６の逆台形断面形状によって第２の電極２２は分断されることになり、隔壁２６に沿ったストライプ状のパターンが形成されることになる。
その後に、同図（ｃ）に示すように、前述の成膜が完了して自発光素子２０が形成された支持基板３１の一方の面に対して、自発光素子２０を覆うように封止基板を兼ねる光取り出し基板３２Ａを貼り合わせる。貼り合わせに際しては、支持基板３１と光取り出し基板３２Ａとの間に封止材を介在させ、両者間に自発光素子２０を収容する封止空間３３Ａを形成する。
そして、同図（ｄ），（ｅ）に示すように、支持基板３１の反対側に対して前述した同図（ｂ），（ｃ）の各工程を実行し、最終的に、前述した特徴的な構造を有する両面表示装置３０をことができる。
この製造方法によると、片側表示の単体の表示装置を形成する方法を支持基板３１の両面に対して連続することで、第１及び第２の自発光表示部３０Ａ，３０Ｂを有する両面表示装置３０を形成することができる。また、図示の説明では、支持基板３１の片側に光取り出し基板３２Ａを貼り付けた後に、逆側の成膜を行うようにしているが、図５（ａ）に示す工程後、支持基板３１の両面に対してそれぞれ成膜を行い、その後に順次光取り出し基板３２Ａ，３２Ｂの貼り付けを行うようにすることもできる。
図６は、本発明の他の実施形態に係る両面表示装置を示す説明図である（前述の実施形態と同一部位には同一符号を付して一部共通する説明を省略する。）。この実施形態に係る両面表示装置４０は、少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極２１，２２間に少なくとも一層以上の発光機能層２３が挟持された自発光素子２０が、支持基板４１上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部４０Ａ，４０Ｂを備え、第１及び第２の自発光表示部４０Ａ，４０Ｂの光取り出し方向が互いに反対方向になるように第１及び第２の自発光表示部４０Ａ，４０Ｂを積層配置したものであって、自発光素子２０が一対の光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ間の封止空間４３Ａ，４３Ｂ内に形成されると共に、第１及び第２の自発光表示部４２Ａ，４２Ｂにおける支持基板４１が一対の光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂのそれぞれ及び光取り基板４２Ａ，４２Ｂ間に挟まれる単一基板である支持基板４１の表裏両面によって構成され、発光機能層２３は、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ内面に形成された第２の電極２２と単一基板である支持基板４１上に形成された第１の電極２１間に挟持されるものである。
更に具体的に説明すると、有機ＥＬ素子を構成する自発光素子２０は、単一基板である支持基板４１の表裏両面に形成された第１の電極２１と一対の光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ上に形成された透明電極からなる第２の電極２２との間に発光機能層２３が挟持された構造を有するものである。すわなち、単一基板からなる支持基板４１とその表裏両面に貼り付けられた一対の光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂの間にドットマトリクス状に自発光素子２０が配置されており、支持基板４１の一方の面側に形成された自発光素子２０の集合によって第１の自発光表示部４０Ａが形成され、支持基板４１の他方の面側に形成された自発光素子２０の集合によって第２の自発光表示部４０Ｂが形成されている。
そして、この実施形態では、各光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂと単一の支持基板４１とを封止材１３で貼り合わせることによって、これらの間隙に封止空間４３Ａ，４３Ｂを形成し、この封止空間４３Ａ，４３Ｂを自発光素子２０の電極間隔と一致させたものである。これによると、封止空間４３Ａ，４３Ｂを極限まで薄厚に形成することが可能になる。
ここで、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂは透明基板によって形成されることになるが、必要に応じて、その表面にカラーフィルタ或いは色変換フィルタを配備することができる。
この実施形態によると、両面表示を行う第１及び第２の自発光表示部４０Ａ，４０Ｂのそれぞれに封止空間４３Ａ，４３Ｂを形成することになるが、この封止空間４３Ａ，４３Ｂは極めて薄厚に形成することができる。また、第１及び第２の自発光表示部４０Ａ，４０Ｂにおける支持基板４１を共用化することで、２組の自発光表示部４０Ａ，４０Ｂにおける構成要素の重なりを少なくしている。
したがって、両面表示の各面毎に独立したドットマトリクス表示を可能にする構造でありながら、支持基板４１を共用化することで基板の重なりを必要最小限に抑えることができ、また、封止空間４３Ａ，４３Ｂを極めて薄厚にすることができるので、独立したドットマトリクス表示の両面表示を確保しながら、表示装置全体の厚さを極力薄型化することが可能になる。
図７は、この実施形態に係る両面表示装置４０の製造方法を示す説明図である。この製造方法は、基本構成としては、前述の両面表示装置４０の製造方法であって、単一基板である支持基板４１の表裏両面に第１の電極２１を形成すると共に、第１の電極２１上に発光機能層２３の一部の層２３Ｂを形成する各工程と、一対の光取り出し基板４１Ａ，４１Ｂのそれぞれに第２の電極２２を形成すると共に、第２の電極２２上に発光機能層２３の残りの層２３Ａを形成する各工程と、単一基板である支持基板４１の表裏両面に封止材１３を介して一対の光取り出し基板４１Ａ，４１Ｂをそれぞれ貼り付ける各工程とを有し、発光機能層２３は第１の電極２１上に形成された一部の層２３Ｂと第２の電極２２上に形成された残りの層２３Ａが接合して形成され、一対の光取り出し基板４１Ａ，４１Ｂ間に自発光素子２０を封止する封止空間４３Ａ，４３Ｂを形成するものである。
更に具体的に説明すると、支持基板４１側においては、その表裏両側に、第１の電極２１がストライプ状にパターニングされ、その上に発光機能層２３の一部の層２３Ｂが成膜される。また、光取り出し基板４１Ａ，４１Ｂ側においては、ストライプ状に第２の電極２２をパターニングし、更に絶縁膜２４によって発光領域が開口する絶縁パターンが形成され、その上に発光機能層２３の残りの層２３Ａが成膜される。
そして、支持基板４１側か光取り出し基板４１Ａ，４１Ｂのいずれか又は両方の周縁部に封止材１３の層が形成され、一対の光取り出し基板４１Ａ，４１Ｂ及び支持基板４１の三者が同時又は順次に貼り合わせられる。この際には、第１の電極２１と第２の電極２２のストライプパターンが直交するように貼り合わせがなされるが、各電極の交差部分が絶縁層２４によって形成される発光領域の開口と合致するように位置決めを行った上で貼り合わせを行う必要がある。
この際、封止材１３には、前述した実施形態と同様に、必要に応じてその中に基板間隙を正確に確保するためのスペーサ１４を含有させてもよいし、或いは封止空間４３Ａ，４３Ｂ内の水分等を除去する乾燥剤等を含有させてもよい。
なお、前述の各実施形態においては、一対の電極を直交するストライプ状パターンにして、各電極間の交差部に形成される自発光素子２０をパッシブ駆動する場合を例示しているが、本発明の実施形態としてはこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の実施形態としては、一対の電極の少なくとも一方をドットマトリクス状に区画した電極にして、その電極を独立して駆動する駆動素子を各電極に設け、前述した自発光素子２０をアクディブ駆動するものであってもよい。具体的には、図８に示すように、支持基板１１（３１，４１）上に形成される第１の電極２１をドットマトリクス状に区画されたパターンに形成して画素電極とし、各電極２１に駆動素子となる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０を設ける。また、第１の電極２１間には、行方向に走査信号線５１が、列方向にはデータ信号線５２が形成されることになる。一方、第１の電極２１と対向する第２の電極２２は一様な共通電極として形成することができる。
また、前述した実施形態において、ドットマトリクス状に形成された自発光素子２０は、図示のように、同じ大きさ及び同じピッチの画素を形成するものであっても良いし、或いは、ドットの大きさやピッチが両面で異なるものであっても良い。更には、両面におけるそれぞれの表示は、モノクロ表示であっても、ＲＧＢ三色或いは二色のカラー表示であっても良い。
以下、前述した実施形態の両面表示装置における各構成要素を更に具体的に説明する。
ａ．支持基板，光取り出し基板；
両面表示装置１０，３０，４０の支持基板１１，３１，４１或いは光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂ、３２Ａ，３２Ｂ、４２Ａ，４２Ｂとしては、平板状又はフィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス製又はプラスチック製の基板を用いることができる。光取り出し基板として用いる場合には、透明性が要求される。
両面表示装置１０，３０，４０の支持基板１１，３１，４１或いは光取り出し基板１１Ａ，１１Ｂ、３２Ａ，３２Ｂ、４２Ａ，４２Ｂとしては、平板状又はフィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス製又はプラスチック製の基板を用いることができる。光取り出し基板として用いる場合には、透明性が要求される。
ｂ．電極；
自発光素子２０として有機ＥＬ素子を構成するためには、第１の電極２１又は第２の電極２２のうち、一方を陰極に設定し、他方を陽極に設定する。電極材料としては、陽極は陰極より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極は陽極より仕事関数の低い材料で構成され、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３，ＮｉＯ，Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。通常は、光取り出し側の電極が透明電極に設定されるので、こちらを陽極に設定し、他方の電極を陰極に設定する。両電極とも透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設ける構成にしてもよい。電極の成膜はスパッタリング又は蒸着によってなされるが、発光機能層２３上に成膜する際には、発光機能層２３にダメージを与えないために、Ｃａ等の緩衝層を設けて、１００℃以下のスパッタリング法を採用する。
自発光素子２０として有機ＥＬ素子を構成するためには、第１の電極２１又は第２の電極２２のうち、一方を陰極に設定し、他方を陽極に設定する。電極材料としては、陽極は陰極より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極は陽極より仕事関数の低い材料で構成され、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３，ＮｉＯ，Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。通常は、光取り出し側の電極が透明電極に設定されるので、こちらを陽極に設定し、他方の電極を陰極に設定する。両電極とも透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設ける構成にしてもよい。電極の成膜はスパッタリング又は蒸着によってなされるが、発光機能層２３上に成膜する際には、発光機能層２３にダメージを与えないために、Ｃａ等の緩衝層を設けて、１００℃以下のスパッタリング法を採用する。
ｃ．封止材；
基板を貼り合わせて内部に封止空間を形成する封止材１３は、熱硬化型，化学硬化型（２液混合），光（紫外線）硬化型等の接着性樹脂を使用することができ、材料としてアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル，ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。
基板を貼り合わせて内部に封止空間を形成する封止材１３は、熱硬化型，化学硬化型（２液混合），光（紫外線）硬化型等の接着性樹脂を使用することができ、材料としてアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル，ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。
ｄ．発光機能層；
有機ＥＬ素子を構成するための発光機能層２３としては、正孔輸送層，発光層，電子輸送層の組み合わせが一般的であるが、正孔輸送層，発光層，電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層，電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層，電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層，発光層，電子輸送層は従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択可能である。また、発光層を形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）を呈するもの、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）を呈するもののいずれであっても構わない。
有機ＥＬ素子を構成するための発光機能層２３としては、正孔輸送層，発光層，電子輸送層の組み合わせが一般的であるが、正孔輸送層，発光層，電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層，電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層，電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層，発光層，電子輸送層は従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択可能である。また、発光層を形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）を呈するもの、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）を呈するもののいずれであっても構わない。
ｅ．自発光素子の各種方式等；
自発光素子２０の駆動方式は、前述したように、ストライプ状で直交配置された第１の電極２１と第２の電極２２を採用したパッシブ駆動方式であっても、単位表示領域毎に区画された第１の電極２１のそれぞれを薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０により駆動するアクティブ駆動方式であってもよい。また、本発明の実施形態に係る自発光素子２０による表示は、前述したように、単色表示であっても複数色表示であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、２色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式（ＳＯＬＥＤ(transparent Stacked OLED)方式）等を採用することができる。
自発光素子２０の駆動方式は、前述したように、ストライプ状で直交配置された第１の電極２１と第２の電極２２を採用したパッシブ駆動方式であっても、単位表示領域毎に区画された第１の電極２１のそれぞれを薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０により駆動するアクティブ駆動方式であってもよい。また、本発明の実施形態に係る自発光素子２０による表示は、前述したように、単色表示であっても複数色表示であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、２色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式（ＳＯＬＥＤ(transparent Stacked OLED)方式）等を採用することができる。
以下、図６及び図７の実施形態に対応した本発明の実施例を示す。本実施例においては、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂは透明ガラス基板からなり、また、支持基板４１も同様にガラス基板によって形成することができる。支持基板４１と光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂの対向面には、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側に、透明電極（ＩＴＯ）からなる第２の電極２２がストライプ状にパターニングされた複数の平行電極として形成されており、支持基板４１側には、金属電極（Ａｌ）からなる第１の電極２１が、第２の電極２２と直交する方向に向けて、ストライプ状にパターニングされた複数の平行電極として形成されている。そして、第１の電極２１間に対応する第２の電極２２上には、格子状にパターニングされたポリイミド等の樹脂材料からなる絶縁層２４が形成されており、この絶縁層２４が形成されていない開口領域に発光領域が形成されている。
支持基板４１と光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂとの間には、その周辺部において熱硬化性樹脂から成る封止材１３が介在されており、その内部が外気に対して封止されている。また、この封止材１３の中には、基板間を所定の間隔に保つためのスペーサ（図示省略）が配備されている。
第２の電極２２と第１の電極２１上にはそれぞれ発光機能層２３の一部の層２３Ａと残りの層２３Ｂが形成されて、それらが接合されて発光機能層２３を形成している。ここでは、発光機能層２３は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の各層からなるものとする。そして、正孔注入層と正孔輸送層が光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側に積層されて形成され、電子注入層と電子輸送層と発光層とが支持基板４１側に積層されて形成されている。したがって、正孔輸送層と発光層との間に接合面が形成されることになる。
この実施例（実施例１）における第１及び第２の電極２１，２２及び各発光機能層の材料及び膜厚例を以下の表１に示す（なお、発光層材料として挙げたＤＰＶＰＡＮは、青色発光を示す発光層のホスト材料であって、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニルである。）。
ここで正孔輸送材料として挙げたＮＰＢは、発光機能層２３を形成する各層の中で最も低いガラス転移温度（Ｔｇ：９６℃）を示すものである。これを光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側における最外層に形成することにより、他の発光機能層が熱劣化しない最低のガラス転移温度以上の加熱によって、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側の最外層である正孔輸送層を溶融させ、支持基板４１側の最外層である発光層との間に接合面を形成することができる。
前記の実施例と発光機能層構造及び材料を同一にして、正孔輸送層を支持基板４１側に積層させることによって他の実施例（実施例２）を構成することができる。つまり、光取り出し基板側の第２の電極２２上には正孔注入層のみが形成され、支持基板４１側の第１の電極２１上には、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層が順に積層されて形成されることになる。この実施例（実施例２）の材料例及び膜厚例を以下の表２に示す。この実施例によっても、前述の例と同様に、正孔輸送層を支持基板４１側における最外層に形成することにより、他の発光機能層が熱劣化しない最低のガラス転移温度以上の加熱によって、この正孔輸送層を溶融させ、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側の最外層である正孔注入層との間に接合面を形成することができる。
更に他の実施例（実施例３）としては、発光機能層２３の内で最もガラス転移温度が低い正孔輸送層を２層に分けて、一方を支持基板４１側の最外層とし、他方を光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側の最外層とすることもできる。つまり、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側の第２の電極２２上には、正孔注入層と正孔輸送層の一部の層が形成され、支持基板４１側の第１の電極２１上には、電子注入層、電子輸送層、発光層、更には正孔輸送層の残りの層が順に積層されて形成されている。この実施例によると、発光機能層２３の内で最もガラス転移温度が低い正孔輸送層を両基板の最外層に形成することにより、他の発光機能層が熱劣化しない最低のガラス転移温度以上の加熱によって、両基板側の正孔輸送層を溶融させ、その正孔輸送層の中に接合面を形成することができる。これによると、各発光機能層間の境界面、特に発光層との境界面を接合面としないので、発光特性を良好に確保することができる。この実施例の材料及び膜厚例を以下の表３に示す。ここでは、電子輸送層を発光層と共用した例を示している。
このような実施例に係る両面表示装置４０の製造方法の一例を以下に説明する。
第１に、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ側を成膜する工程は、洗浄された透明ガラス基板からなる光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂの表面に、陽極材料となる透明電極、例えばＩＴＯ膜を成膜する。成膜方法は、スパッタリング法等を用い、膜厚は例えば１５００Å（１５０ｎｍ）とする。このＩＴＯ膜を一般的なフォトリソグラフィ工程によってパターニングして、ストライプ状の平行電極群よるなる第２の電極２２を形成する。次いで、第２の電極２２上に発光領域を開口させるように、格子状の絶縁層２４を形成する。この絶縁層２４は、絶縁性の感光性材料（ポリイミド等）を第２の電極２２が形成された光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂ上に塗布した後、前述した格子状のパターンとなるように、マスクを介して露光，現像することにより得られる。
その後は、前述した実施例に応じて、例えば、真空蒸着法によって各発光機能層を成膜する。つまり、実施例１においては、ＣｕＰｃからなる正孔注入層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＮＰＢからなる正孔輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜する。実施例２においては、ＣｕＰｃからなる正孔注入層を５００Å（５０ｎｍ）成膜する。実施例３においては、ＣｕＰｃからなる正孔注入層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＮＰＢからなる正孔輸送層を２５０Å（２５ｎｍ）成膜する。
この工程においては、第２の電極２２又は絶縁層２４のパターニング工程において、同時に、貼り合わせ用のアライメントマークを形成する。また、第２の電極２２の形成時に、同時に電極取り出し用のリード部等を形成することもできる。なお、ここでは、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂをガラス基板としているが、その他、透明セラミックス、透明なフレキシブル樹脂基板等を用いることができる。一対の光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂに対して、それぞれ順次成膜作業を行っても良いが、別ラインで同時進行させることで、作業の効率化を図ることができる。
第２に、支持基板４１側の成膜工程は、洗浄されたガラス基板からなる支持基板４１の表面に、陰極材料となる金属電極、例えばＡｌ膜を成膜する。成膜方法は、真空蒸着法等を用い、膜厚は例えば６００Å（６０ｎｍ）とする。このＡｌ膜を一般的なフォトリソグラフィ工程によってパターニングして、ストライプ状の平行電極群よるなる第１の電極２１を形成する。或いは、パターンマスクによる真空蒸着によって第１の電極２１のパターンを形成する。また、この第１の電極２１のパターニング工程において、貼り合わせ用のアライメントマークを同時に形成する。
その後は、前述した実施例に応じて、例えば、真空蒸着法によって各発光機能層を成膜する。つまり、実施例１においては、ＬｉＦからなる電子注入層を５Å（０．５ｎｍ）成膜し、その上に積層して、Ａｌｑからなる電子輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＤＰＶＰＡＮ（＋ドーパント）からなる発光層を６００Å（６０ｎｍ）成膜する。実施例２においては、ＬｉＦからなる電子注入層を５Å（０．５ｎｍ）成膜し、その上に積層して、Ａｌｑからなる電子輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＤＰＶＰＡＮ（＋ドーパント）からなる発光層を６００Å（６０ｎｍ）成膜して、更に、ＮＰＢからなる正孔輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜する。実施例３においては、ＬｉＦからなる電子注入層を５Å（０．５ｎｍ）成膜し、その上に積層して、Ａｌｑからなる発光層を１１００Å（１１０ｎｍ）成膜し、更に、ＮＰＢからなる正孔輸送層を２５０Å（２５ｎｍ）成膜する。
次に、支持基板４１又は光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂにおける対向面上の周辺部に封止材１３を配備する。この工程では、ディスペンサを用い、スペーサが混入した封止材１３を基板周辺部に塗布する。封止材１３としては、前述したように、熱硬化性又は紫外線硬化性の樹脂材を用いることができる。
次の貼り合わせ工程は、光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂの成膜面と支持基板４１の成膜面を対面させ、両者に形成したアライメントマークを介して光取り出し基板４２Ａ，４２Ｂと支持基板４１とを貼り合わせる。この貼り合わせは支持基板４１の片面毎に行っても良いが、両面同時に行っても良い。この貼り合わせ状態においては、両基板の発光機能層の最外層が互いに接触するように貼り合わせる必要がある。そのためには、両基板に積層される発光機機能層及び第１，第２の電極２１，２２の膜厚に応じて封止材１３に含有させるスペーサの径を設定する必要がある。
次の加熱・加圧工程は、貼り合わせられた両基板を所定の加圧状態で保持すると共に、両基板を正孔輸送材料ＮＰＢのガラス転移温度である９６℃を若干超える程度の温度に加熱する。ここでは、正孔輸送層以外の層に対する熱劣化を考慮した温度制御が行われる。また、封止材１３として熱硬化性樹脂を用いた場合には、この加熱・加圧工程によって封止材の硬化を同時に行う。封止材１３として紫外線硬化樹脂が用いられた場合には、別途封止材硬化のための紫外線照射工程が設けられる。
本発明の各実施形態及び実施例によると、独立表示が可能な両面表示を実現する上で、まず、バックライトを必要としない自発光型の表示装置を採用することで表示装置全体の薄型化を達成することができる。また、表裏両面の各表示部における構成要素の重なりをできるだけ避けることによって、更なる薄型化を可能にすることができる。また、自発光型表示装置の封止空間を可能な限り省スペース化することで、両面表示を行う場合にも表示装置全体の薄型化を可能にすることができる。また、各表示部は独立した高精細なドットマトリクス表示が可能であるから、両面表示の表示性能を向上させることができる。
１０，３０，４０ 両面表示装置
１０Ａ，３０Ａ，４０Ａ 第１の自発光表示部
１０Ｂ，３０Ｂ，４０Ｂ 第２の自発光表示部
１１，３１，４１ 支持基板
１１Ａ，１１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ 光取り出し基板
１２，３３Ａ，３３Ｂ，４３Ａ，４３Ｂ 封止空間
１３ 封止材
１４ スペーサ
２０ 自発光素子
２１ 第１の電極
２２ 第２の電極
２３ 発光機能層
２４ 絶縁層
２５ 引出電極
２６ 隔壁
１０Ａ，３０Ａ，４０Ａ 第１の自発光表示部
１０Ｂ，３０Ｂ，４０Ｂ 第２の自発光表示部
１１，３１，４１ 支持基板
１１Ａ，１１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ 光取り出し基板
１２，３３Ａ，３３Ｂ，４３Ａ，４３Ｂ 封止空間
１３ 封止材
１４ スペーサ
２０ 自発光素子
２１ 第１の電極
２２ 第２の電極
２３ 発光機能層
２４ 絶縁層
２５ 引出電極
２６ 隔壁
Claims (11)
- 少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、
前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における各支持基板が、前記一対の光取り出し基板、或いは該光取り出し基板間に挟まれる単一基板の表裏両面によって構成されることを特徴とする両面表示装置。 - 少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、
前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の単一の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における各支持基板が前記一対の光取り出し基板のそれぞれによって構成されることを特徴とする両面表示装置。 - 少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、
前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における支持基板が前記一対の光取り出し基板に挟まれる単一基板の表裏両面によって構成されることを特徴とする両面表示装置。 - 少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置であって、
前記自発光素子が一対の光取り出し基板間の封止空間内に形成されると共に、前記第１及び第２の自発光表示部における支持基板が前記一対の光取り出し基板のそれぞれ及び該光取り基板間に挟まれる単一基板の表裏両面によって構成され、前記発光機能層は、前記光取り出し基板内面に形成された電極と前記単一基板上に形成された電極間に挟持されることを特徴とする両面表示装置。 - 前記支持基板上に、ドットマトリクス状に区画された各電極を独立して駆動する駆動素子を該電極毎に設け、該駆動素子によって前記自発光素子をアクディブ駆動することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載された両面表示装置。
- 前記光取り出し基板間は、スペーサを含有した封止材を介して封止されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載された両面表示装置。
- 前記第１及び第２の自発光表示部における各自発光素子は、同じ大きさ及び同じピッチの画素を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載された両面表示装置。
- 前記自発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載された両面表示装置。
- 少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置の製造方法であって、
前記第１及び第２の自発光表示部における各支持基板をそれぞれ光取り出し基板とし、該光取り出し基板間に封止材を介在させて該光取り出し基板を互いに貼り合わせる工程を有し、
前記光取り出し基板間に前記自発光素子を封止する単一の封止空間を形成することを特徴とする両面表示装置の製造方法。 - 少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置の製造方法であって、
単一基板を前記支持基板として、該基板の表裏両面に前記第１及び第２の自発光表示部を形成する各工程と、
前記第１及び第２の自発光表示部を覆うように、前記単一基板の表裏両面に封止材を介して一対の光取り出し基板をそれぞれ貼り付ける各工程とを有し、
前記一対の光取り出し基板間に前記単一基板を挟んで、前記自発光素子を封止する封止空間を形成することを特徴とする両面表示装置の製造方法。 - 少なくとも一方が透明電極からなる一対の電極間に少なくとも一層以上の発光機能層が挟持された自発光素子が支持基板上にドットマトリクス状に配置された第１及び第２の自発光表示部を備え、前記第１及び第２の自発光表示部の光取り出し方向が互いに反対方向になるように前記第１及び第２の自発光表示部を積層配置した両面表示装置の製造方法であって、
単一基板の表裏両面に第１の電極を形成すると共に、該第１の電極上に前記発光機能層の一部の層を形成する各工程と、
一対の光取り出し基板のそれぞれに第２の電極を形成すると共に、該第２の電極上に前記発光機能層の残りの層を形成する各工程と、
前記単一基板の表裏両面に封止材を介して前記一対の光取り出し基板をそれぞれ貼り付ける各工程とを有し、
前記発光機能層は前記第１の電極上に形成された一部の層と前記第２の電極上に形成された残りの層が接合して形成され、前記一対の光取り出し基板間に前記自発光素子を封止する封止空間を形成することを特徴とする両面表示装置の製造方法。
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- 2003-09-11 JP JP2003320049A patent/JP2005084642A/ja active Pending
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