JP2003151779A

JP2003151779A - 有機ｌｅｄ素子、転写用ドナー基板及び有機ｌｅｄ素子の製造方法

Info

Publication number: JP2003151779A
Application number: JP2001350462A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Ban; 和夫伴; Takashi Ogura; 隆小倉; Shinji Yamana; 真司山名; Aritake Murao; 有剛村尾; Tomonori Akai; 伴教赤井
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-11-15
Filing date: 2001-11-15
Publication date: 2003-05-23

Abstract

(57)【要約】【課題】有機層の発光特性の良好な有機ＬＥＤ素子を
提供すること。【解決手段】基板上に、第１電極と、低融点化合物を
含む導電性膜と、発光層を含む有機層と、発光層からの
発光を透過可能な第２電極と、転写補助層とをこの順に
設けた有機ＬＥＤ素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、有機ＬＥＤ素
子、転写用ドナー基板及び有機ＬＥＤ素子の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報社会が進展する中、薄型、軽
量、低消費電力なディスプレイに対する要望が高まって
いる。特に、自発光で高輝度、高発光効率な特性を持つ
有機ＬＥＤ素子については、薄型、軽量、広視野角な理
想的な平面ディスプレイが実現できる有力な候補として
注目を集めている。有機ＬＥＤディスプレイの製造方法
としては、特開平１１−２６０５４９に提案されている
レーザー光を用いた熱転写法がある。この方法では、レ
ーザー光を数十μｍまで集光させることができるので高
精細なディスプレイが実現できる点、大型基板にも対応
できる点で有望視されている。

【０００３】最近、ＴＦＴ素子を用いて駆動を行うアク
ティブ駆動型の有機ＬＥＤディスプレイが特開平７−１
２２３６２号公報に提案されている。この駆動方法を用
いると、パッシブ駆動型に比べ、消費電力を低減できる
特徴がある。しかし、アクティブ駆動型ディスプレイで
は、少なくともスイッチング用のＴＦＴ素子、駆動用の
ＴＦＴ素子、コンデンサー，データライン，スキャンラ
イン及び電流供給ラインを基板に形成する必要があり、
開口率が小さくなり、発光が暗くなるという問題があ
る。

【０００４】これを解決するために、基板上に陰極、有
機ＬＥＤ膜、陽極をこの順で形成し、陽極側から光を取
出す逆積層構成と上記のアクティブ駆動方法を組合せる
方法が特願２０００−００５３８２号公報に提案されて
いる。この方法では、基板から光を取出す必要がなくな
るので、基板に形成するアクティブ駆動回路により開口
率が制限されるという問題がなくなり、明るい有機ＬＥ
Ｄ素子が提供できる。

【０００５】また、高精細な逆積層構成の有機ＬＥＤパ
ネルを製造する方法として、図１７に示すように、第１
電極パターン２２を形成した基板２１に、光熱変換層を
積層した転写用シート３０と、その上に形成した第２電
極２５と有機ＬＥＤ膜２４とからなる転写用ドナー基板
を、有機ＬＥＤ膜２４と第１電極パターン２２とが接す
るように配置し、レーザー光２０を第１電極パターン２
２に対応するように照射し、その後、転写用ドナー基板
を剥離する方法が知られている（例えば、特開平１１−
２６０５４９号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
転写方法では、熱転写する有機ＬＥＤ材料、特に予め基
板に形成している第１電極と接する有機ＬＥＤ層の材料
によっては、第１電極と熱転写で形成する有機ＬＥＤ膜
との密着性が弱く、画素によっては、転写されていない
ところがあり、その画素が点灯しないなど表示品質に問
題が生じていた。また、レーザー強度を大きくした場
合、その有機ＬＥＤ層の発光特性は、従来蒸着法などで
作製した素子の特性に比べ劣っていた。これは、レーザ
ー照射時の熱が高くなりすぎて、転写層の有機ＬＥＤ膜
の特性が劣化したと考えられる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に、
第１電極と、低融点化合物を含む導電性膜と、発光層を
含む有機層と、発光層からの発光を透過可能な第２電極
と、転写補助層とをこの順に設けたことを特徴とする有
機ＬＥＤ素子を提供するものである。

【０００８】この構成では有機層と第１電極との間に低
融点化合物を含む導電性膜を設けてあるので、第１電極
と有機層との密着性が向上するという利点がある。

【０００９】この導電性膜は、１種類以上の低融点化合
物から構成できるが、１種類以上の低融点化合物とそれ
以外の化合物との混合物であってもよい。また、第２電
極は、１層でも２層以上の多層構造でもよい。

【００１０】また、上記の構成において、転写補助層の
上に導電性膜を形成してもよく、この場合、第２電極側
の抵抗が小さくなるので、駆動電圧を低くできる利点が
ある。更に、導電性膜の上に、水分や酸素などが透過し
にくい封止膜を形成してもよく、これによって信頼性の
高い素子が得られる。

【００１１】この発明の有機ＬＥＤ素子は、上記の構成
において、第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層
の間に設けられた導電性膜が、少なくとも２層以上から
構成されており、第１電極と接する層が低融点化合物を
含む構成であってもよい。

【００１２】この構成では、導電性膜を多層にすること
で、基板に予め形成している第１電極と有機層との密着
性が向上することと、有機層と接する導電性膜から有機
層への電子注入機能を高くするということが両立すると
いう利点がある。即ち、この構成の利点の１つは、密着
性が向上したことにより、画素での有機ＬＥＤ素子の転
写欠陥がなくなるということである。

【００１３】また、導電性膜から有機層へ電子注入を多
くするように、例えば有機層に近い側の導電性膜層の仕
事関数を４ｅＶ以下にすることが好ましい。

【００１４】有機層に近い側の導電性膜層と有機層の間
に、フッ化物、酸化物、臭化物、塩化物、よう化物の少
なくとも１つからなる絶縁層を設けてもよい。この場
合、絶縁膜の厚みは５ｎｍ以下にすることが好ましい。
このような薄膜にすることで、導電性膜の仕事関数が４
ｅＶ以上であっても、有機層への電子の注入が効率よく
行えるので、有機層に近い側の導電性層に使える材料の
幅が広くなるという利点がある。

【００１５】この発明の有機ＬＥＤ素子は、第１電極と
少なくとも発光層を含む有機ＬＥＤ層の間に設けられた
導電性膜に含まれる低融点化合物の融点が２００℃以下
であることが好ましい。このような材料を用いることに
より、熱転写方式で、有機層を形成する場合、予め基板
に形成した第１電極との密着性を向上できるメリットが
ある。

【００１６】低融点化合物としては、例えばインジウム
又はその合金を用いることができる。それ以外では、半
田に使われている鉛と錫の合金などを用いてもよい。ま
た、導電性膜の厚みを０．１ｎｍから１０ｎｍとするこ
とで、第１電極から注入される電子が優先的に垂直方向
に流れ、横方向に流れることが少なくなり、選択画素の
隣の画素が光るという所謂クロストーク現象を防ぐこと
ができ、選択画素だけを発光させることが可能となる。

【００１７】この発明の転写用ドナー基板は、上記有機
ＬＥＤ素子を製造するのに用いられ、光熱変換層を含む
転写用シートの上に、転写補助層と、透明な第２電極
と、少なくとも発光層を含む有機層と、低融点材料を含
む導電性膜をこの順に積層したものである。

【００１８】この発明の転写用ドナー基板を用いること
により、熱転写において、予め基板上に形成された第１
電極と導電性膜との密着性が有機層との密着性よりも大
きくなるため、転写用シート上に形成されている各層を
転写欠陥なく、第１電極上に移すことができる。また、
低融点化合物を用いているので、従来の方法に比べ低い
レーザーパワーで転写が行えるので、有機層の熱による
劣化を抑えることができる。

【００１９】第２電極の膜厚が厚いと、電極膜の横方向
の結合力が大きくなり、転写後、転写ドナーシートを剥
がす時に、第２電極と有機ＬＥＤ膜間で剥離が生じた
り、剥離後、エッジが鋸状になるという問題がある。

【００２０】この発明の転写用ドナー基板において、第
２電極の膜厚は、材料及びその形成方法によって電極膜
の横方向の結合力が異なるので、材料及び形成方法を決
めた後、決定すべきであるが、例えば、スパッタ法によ
り形成されたＩＴＯ又はＩＤＩＸＯ（出光興産製品）の
場合、２ｎｍから５０ｎｍにすれば、転写後、剥離する
時に、加熱したサイズと同等のサイズに、また、エッジ
形状も鋸状にならずに、第２電極を転写できる。

【００２１】転写用シートに形成される、転写補助層と
して、昇華温度の材料を用いれば、加熱時に転写補助層
の一部が昇華して、転写用シートと転写補助層との間の
密着力が大きく低下し、転写欠陥が起こらなくなる。

【００２２】

【発明の実施の形態】実施の形態（１）：有機ＬＥＤ素
子この発明による有機ＬＥＤ素子の実施の形態を図１を用
いて説明する。図１に示す構成では、基板１上に、第１
電極２が所望のパターンで形成され、その上に、低融点
材料を含む導電性膜３が形成され、その表面に有機層４
と第２電極５が形成され、最後に昇華性材料を含む転写
補助層６が形成される。

【００２３】第２電極５には、ＩＴＯなどの透明導電膜
が用いられ、熱転写方式により所望のサイズに転写でき
るよう、２〜５０ｎｍの厚みに形成される。その上に、
昇華材料を含む転写補助層６が、膜厚２０〜３００ｎｍ
で形成されている。

【００２４】また、この発明の有機ＬＥＤ素子では、転
写補助層６の上にさらに導電性膜又は導電性膜と封止膜
が形成されても良い。転写補助層に含まれる昇華性材料
としては、一般に有機ＬＥＤ材料として知られている昇
華性材料が利用でき、例えば、キナクリドン，銅フタロ
シアニン，トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミ
ニウムなどが使用できる。導電性膜の材料としては、第
２電極と同じ材料でもよく、Ａｌ，ＭｇＡｇなどの金属
薄膜を形成してもよい。また、１層でも２層以上の多層
構造でもよい。

【００２５】封止膜材料としては、樹脂膜または、珪素
窒化物、珪素酸化物などの一般に知られている、酸素や
水分の透過性の低い無機材料が使用できる。封止膜は、
これら１種類の材料からなる膜でも良く、例えば、珪素
窒化物の膜と、珪素酸化物の膜とを交互に積層した構成
でも良い。但し、導電性膜、封止膜とも有機層の発光波
長の光に対して、６０％以上、好ましくは８０％以上の
透過率が必要である。実際、基板から光を取出すような
構造では、開口率は２０−５０％であるため、第２電極
の透過率が８０％以上とした場合、例えば導電性膜の透
過率が６０％以下であれば、逆積層構成にした利点が少
なくなる。このような構成にすることで、第２電極の抵
抗を下げることができ、その結果駆動電圧が下げられる
ので、低消費電力化ができる。また、封止膜を形成する
ことで、長寿命の有機ＬＥＤ素子が実現できる。

【００２６】有機層４は、発光層単層でも良く、多層構
造でも良い。−般的に多層構造にする場合、第２電極側
５から、ホール輸送層／発光層、又はホール注入層／ホ
ール輸送層／発光層、または、ホール注入層／ホール輸
送層／発光層／電子輸送層の構成を含むように形成され
るが、これに限定されるものではない。

【００２７】各層の厚みは通常、１ｎｍ〜５００ｎｍに
形成される。発光層の材料としては、低分子材料と高分
子材料のどちらを用いてもよく、低分子材料には、特開
平３−１５２８９７号公報、特開平５−７０７７３号公
報、特開平５−１９８３７７号公報、特開平５−２１４
３３２号公報、特開平６−１７２７５１号公報に記載さ
れているものなど、一般的に知られている材料を用いる
ことができる。

【００２８】また、高分子材料には、ホール輸送層とし
て例えば、ポリアニリン及び誘導体，ポリチオフェン及
び誘導体，ポリピロール及び誘導体，ポリエチレンジオ
キシチオフェン，ポリスチレンスルホン酸を添加したポ
リエチレンジオキシチオフェンなどが使用でき、発光材
料として例えば、特開平８−１８８６４１号公報、特表
２０００−５０４７７４号公報記載のもの、ポリフユニ
レン及び誘導体、ポリフェニレンビニレン及び誘導体、
ポリフルオレン及び誘導体などが使用できる。

【００２９】第１電極材料としては、仕事関数の小さい
金属が使用でき、Ｃａ，Ｂａ，Ａｌ，Ｍｇ，Ａｇなど及
びＭｇとＡｇ，ＡｌとＬｉ，ＬｉとＦ，ＣａとＦの合
金、ＡｌＳｉ，ＡｌＮｄなどが使用でき、５０ｎｍ〜４
００ｎｍの膜厚に形成される。

【００３０】導電性膜３の材料としては、低融点の材料
を含むものが使用するが、低融点の材料だけで形成され
ていてもよい。低融点材料としてはインジウム又はその
合金や半田に使われている鉛と錫の合金などが使用でき
る。また、低融点材料を含むものとしては、一般に仕事
関数の小さい金属との混合物が使用でき、仕事関数の小
さい金属しては、Ｃａ，Ｂａ，Ａｌ，Ｍｇ，Ａｇなど及
びＭｇとＡｇ，ＡｌとＬｉ合金などが挙げられる。

【００３１】更に、図３に示すように、導電性膜３と有
機層４の間にフッ化物、塩化物、臭化物、酸化物などの
絶縁膜９を、０．１−１０ｎｍの厚みで設けてもよい。
この構成では、導電性膜３から有機層４への電子の注入
能力が高くなり、有機ＬＥＤ素子の高効率化が可能にな
る。

【００３２】導電性膜３の構成としては、図２に示すよ
うに導電性層７と８からなる２層構成でも良い。この図
では、２層にしているが、それ以上の多層構成でも良
い。図２で、第１電極２に接する導電性層７は、低融点
の材料を含んでおり、その材料としては、上に記した材
料が使用できる。低融点材料だけから構成されても良
く、他のアルミ，鉄，ニッケル，コバルト及びそれらの
合金などの金属との混合物でも良い。要は、この層は、
後述するように、熱転写法により有機ＬＥＤ層及び第２
電極を転写する場合の第１電極との密着性を大きくする
機能と、電子をその上の導電性層に輸送する機能を備え
ていればよい。

【００３３】一方、有機層４に接する導電性層８の材料
としては、第１電極２から注入された電子を有機層４に
効率よく注入する必要があるので、仕事関数の小さい金
属、つまり、Ｃａ，Ｂａ，Ａｌ，Ｍｇ，Ａｇなど及びＭ
ｇとＡｇ，ＡｌとＬｉ，ＬｉとＦ，ＣａとＦの合金、Ａ
ｌＳｉなどが使用できる。

【００３４】また、図４に示すようにこの導電性膜３と
有機層４の間にフッ化物、塩化物、臭化物、酸化物など
の絶縁膜９を、０．１ｎｍ−１０ｎｍの厚みで設けても
良い。この場合、仕事関数の比較的大きなアルミを用い
ても、仕事関数の小さなＡｉＬｉ合金と同じ程度の電子
注入効率が得られる。

【００３５】導電性膜３の厚みは、０．１ｎｍ−１０ｎ
ｍが好ましい。この理由を図を用いて説明する。この発
明をアクティブ駆動用の基板と組合す場合、逆積層で基
板とは反対側に光を取出すことの利点を生かすため、ア
クティブ駆動用の基板として図１４に示すようなものが
有効である。

【００３６】図１８には、特開平７−１２２３６２号公
報などに開示されているような従来のアクティブマトリ
ックス型の基板を示している。従来の構成では、データ
ライン１１とコモンライン１３とそれと直交して形成さ
れるスキャンライン１２に囲まれた領域に、スイッチン
グ用ＴＦＴ素子１５、駆動用ＴＦＴ素子１４、コンデン
サー１６が形成されている。陽極４０は、基板側から光
を取出す必要性から、１画素中でデータライン１１，コ
モンライン１３，スキャンライン１２，スイッチング用
ＴＦＴ素子１５、駆動用ＴＦＴ素子１４，コンデンサー
１６の形成された領域以外の領域に形成されている。

【００３７】この構成に対し、図１４に示す、この発明
の逆積層有機ＬＥＤ素子と組合せるアクティブマトリッ
クス型基板の構成は、１画素中でアクティブ回路の構成
要素であるデータライン１１，コモンライン１３，スキ
ャンティン１２，スイッチング用ＴＦＴ素子１５，駆動
用ＴＦＴ素子１４，コンデンサー１６の上に形成される
絶縁性の平坦化膜（通常、樹脂材料が使用できる）の上
に第１電極２が形成され、下側の回路とは、樹脂に形成
されたスルーホール（図示せず）を通して電気的に接続
される。

【００３８】この構成では、第１電極２は、アクティブ
回路の構成要素の占める面積に関係なく、形成できるの
で、その面積をほぼ画素面積に等しくできる。この発明
の有機ＬＥＤ素子１７は、図１３に示すように、この第
１電極２の上に形成され、かつ、第２電極側から有機層
の発光を取出すので、明るい有機ＬＥＤ素子を得ること
ができる。

【００３９】しかし、図１３に示すこの発明の構成で
は、導電性膜／有機層／第２電極は、図のように各第１
電極２を跨るように、ストライプ状に形成され、例え
ば、データラインｉとスキャンティンｊを選択した場
合、電流供給ラインから画素ａに電流が供給された場
合、導電性膜の厚みが大きいと、選択された画素の第１
電極から導電性膜に注入された電子は、有機層に注入さ
れるのと同時に隣の画素にも流れるため、選択していな
い画素が光るか、ほとんどの電子が導電性膜中を流れて
しまい、有機層が発光しないことが生じる。導電性膜に
注入された電子が、垂直方向又は水平方向のどちらによ
り多く流れるかどうかは、導電性膜の厚みに依存する。
従って、電流が有機層に流れるようにするためには、導
電性膜の厚みを０．１ｎｍ−１０ｎｍにすることが好ま
しい。

【００４０】実施の形態（２）：転写用ドナー基板次に、この発明による転写用ドナー基板の実施の形態を
図５から図８に示した。図５，図６，図７，図８に示し
た転写用ドナー基板を用いて転写法により作製した有機
ＬＥＤ素子は、各々図１，図２，図３，図４に対応して
いる。

【００４１】図５では、転写用ドナー基板は、基材、つ
まり、少なくとも光を吸収して熱に変換する光熱変換層
を含む転写用シート１０と、転写補助層６，発光層から
の発光波長領域において少なくとも透明である第２電極
５，少なくとも発光層を含む有機層４，および少なくと
も１種類の低融点材料を含む導電性膜３からなる。

【００４２】図６では、導電性膜３が、転写用シート１
０に近い側の仕事関数が４ｅＶ以下である層８と、その
上に積層された少なくとも１種類の低融点材料を含む層
７とからなる２層構造である以外は、図５と同じ構成で
ある。図７は、有機層４と導電性膜３との間に膜厚が
０．１ｎｍ−１０ｎｍである絶縁層９が設けられている
以外は、図５と同じである。図８は、有機層４と導電性
膜３との間に膜厚が０．１ｎｍ−１０ｎｍである絶縁層
９が設けられており、導電性膜３が２層であり絶縁層９
と接している層８が、仕事関数が小さい材料からなるこ
と以外は、図６と同じ構成である。

【００４３】これらの図で、第２電極、有機層、第１電
極、導電性膜、低融点材料、昇華性材料、絶縁膜材料に
ついては実施の形態（１）で述べたものと同じ構成、材
料を用いることができる。また、これらの層は、通常の
成膜方法、即ち蒸着法、スパッタ法、スピンコート法な
どによって形成することができる。なお、転写シート１
０には、特開平１１−２６０５４９号公報に記載してい
る従来の構成及び材料が使用できる。１例を挙げれば、
ベースフィルムとして０．１ｍｍ厚のポリエチレンテレ
フタレイトフィルムを用い、そのフィルムにレーザー光
を熱に変換する光熱変換層としてカーボン粒子を混合し
た熱硬化型エポキシ樹脂を約５ミクロンの厚みに形成
し、光熱変換層の表面に、熱伝播層および剥離層として
ポリαメチルスチレン膜を１ミクロンの厚みに形成した
ものが使用できる。

【００４４】実施の形態（３）：有機ＬＥＤ素子の製造
方法次にこの発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法の実施の
形態について図９を用いて説明する。ここでは、図８に
示した転写用ドナー基板を用いた場合を示している。予
め所望のパターンで第１電極２を形成した基板１に転写
用ドナー基板を密着させ、シート１０の表面にレーザー
光２０を照射する。ここで、例えば図１４に示したＴＦ
Ｔ基板を用いた場合、転写用ドナー基板上の各層が、一
体的に基板１に転写された後、図１３に示すように第１
電極２の幅若しくはそれ以上で隣の画素にかからないよ
うにレーザー光のビーム強度及びビーム径を調整し、デ
ータラインに沿って平行に走査しながら照射する。その
後、転写用ドナー基板を剥離することで、図１０に示す
ようなこの発明の有機ＬＥＤ素子を得ることができる。

【００４５】この発明の転写用ドナー基板を用いれば、
転写補助層に昇華性の材料を用いているため、レーザー
照射による熱により、照射された領域の転写補助層の一
部又はすべてが昇華する。従って、転写シートと転写補
助層との密着が弱くなり、その結果転写層が転写シート
から離れやすくなる。それゆえ、転写用ドナー基板を剥
離する時に、従来の転写用ドナー基板で生じていた、転
写欠陥などを防ぐことができる。

【００４６】また、この発明の転写用ドナー基板では、
第２電極５を２ｎｍ−５０ｎｍと薄く形成しているの
で、従来の転写用ドナー基板を用いた場合に生じた鋸状
のエッジ形状などは出現せず、レーザーのビーム径にほ
ぼ等しい幅に転写膜を転写できる。また、この発明の転
写用ドナー基板では、有機層の第１電極と接する側に、
低融点化合物を含む導電性膜を設けているので、転写時
のレーザー光の熱によりこの膜の一部又は全部が半溶融
状態になり、第１電極との密着性が向上する。このた
め、従来の転写用ドナー基板を用いた製造方法で生じて
いた、転写欠陥を防ぐことができる。

【００４７】従来の構成の転写用ドナー基板では、第１
電極２と接する層は、有機層であり、その融点は約３０
０℃近傍である。そのため、第１電極２との密着性を上
げるためには、レーザーパワーを上げる必要がある。こ
のため、従来の構成の転写用ドナー基板を用いると、転
写後の有機ＬＥＤ素子の特性が劣化するという問題があ
った。本発明の転写用ドナー基板では、有機層と第１電
極２との間に、低融点化合物を含む導電性膜を設けてお
り、融点が最大で２００℃のものを用いるため、従来の
転写用ドナー基板にくらべ、小さなレーザーパワーで転
写が行え、有機ＬＥＤ層の熱による劣化を防ぐことがで
きる。

【００４８】この発明で、転写用ドナー基板に形成する
有機層として、赤色，緑色，青色の発光を生じうる材料
を形成したものを、各々赤色用転写用ドナー基板，緑色
用転写用ドナー基板，青色用転写用ドナー基板とする。
例えば、最初に赤色用転写用ドナー基板を用いて、基板
上に形成した赤色画素用の第１電極に転写法により赤色
有機ＬＥＤ素子を形成し、次に、例えば、緑色用転写用
ドナー基板を用いて同様に、緑色画素用の第１電極に転
写法により緑色有機ＬＥＤ素子を形成し、最後に青色有
機ＬＥＤ素子を形成することで、フルカラーの有機ＬＥ
Ｄディスプレイを作製することができる。

【００４９】（実施例１）以下、図面に示す実施例に基
づいてこの発明をさらに詳しく説明する。図１１に示す
ような、第１電極であるＡｌＳｉ膜３２が幅１００ミク
ロン，ピッチ３００ミクロンのストライプ状に形成され
たガラス基板３１を、イソプロピルアルコールで超音波
洗浄後、乾燥させる。他方、特開平１１−２６０５４９
号公報に開示しているような転写シート１０に、転写層
として次の複数層の膜を積層して転写用ドナー基板を形
成した。

【００５０】まず、転写補助層３６として、トリス（８
−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（以下Ａｌｑ₃
と略す）を、厚み１００ｎｍに蒸着法にて形成した。そ
の上に、第２電極３５としてＩＴＯをスパッタ法により
膜厚１５ｎｍに形成した。

【００５１】ホール輸送層３４として４，４’ビス［N
−（１−ブチル）−フェニルアミノ］ビフェニル（以下
ＮＰＢと略す）を、発光層３３としてＡｌｑ₃を順次、
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで膜厚が各々５０ｎｍにな
るようにＩＴＯ３５上に形成した。

【００５２】次に、ＬｉＦ３９を１ｎｍの厚みに形成し
た後、導電性膜３８としてＡ１を５ｎｍ，導電性膜３７
としてＩｎを１５ｎｍの厚みに、蒸着法で形成し、転写
用ドナー基板を得る。ＡｌＳｉからなる第１電極３２表
面に、それぞれ転写用ドナー基板の導電性膜３７が接す
るように、転写用ドナー基板を配置し、その表面に、レ
ーザー光２０を照射した（図１１）。照射する時、レー
ザー光の中心位置（レーザー光幅の中心）がＩＴＯ幅の
中心に一致するように調整し、レーザー光照射幅が１１
０μｍになるよう、レーザー光強度を調整した。

【００５３】レーザー光は、ストライプ状に形成された
ＩＴＯラインに沿って移動しながら照射させた。次に、
レーザー光中心位置を３００μｍだけＩＴＯストライプ
に直交する方向に移動させて、同様にレーザー光を照射
した。このようにして順次、５０本の第１電極３に沿っ
て照射を行った。図１２に示すように転写シート１０を
剥がした後、光学顕微鏡にて基版表面を観察したとこ
ろ、転写層が第１電極３２の表面を完全に覆うように形
成されいることが確認できた。また、転写欠陥は見当た
らなかった。また、第１電極３２と第２電極３５の間に
電圧を印加したところ、転写補助層側３６から均一な発
光が観察された。

【００５４】比較例図１５に示すように、第１電極３２であるＡｌＳｉ膜が
幅１００ミクロン，ピッチ３００ミクロンのストライプ
状に形成されたガラス基板３１をイソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄後、乾燥させた。その後、ＡｌＳｉ膜表
面にＬｉＦ膜３９を蒸着法にて１ｎｍの厚みに形成し
た。

【００５５】他方、特開平１１−２６０５４９号公報に
開示しているような従来の転写シート１０に、転写層３
７ａとして次のような複数層の膜を転写シート１０に積
層した。まず、第２電極３５として、ＩＴＯをスパッタ
法により膜厚５０ｎｍに形成した。ホール輸送層３４と
してＮＰＢを、発光層３３としてＡｌｑ₃を順次、蒸着
法にて、蒸着速度０．２ｎｍ／ＳＥＣで膜厚が各々５０
ｎｍになるようにＩＴＯ上に形成して転写用ドナー基板
を得た。

【００５６】図１５に示すように、ＬｉＦ膜３９表面
に、転写用ドナー基板の発光層３３が接するように、転
写用ドナー基板を配置し、レーザー光２０を照射した。
照射する時、レーザー光の中心位置（レーザー光幅の中
心）がＡｌＳｉ電極３２幅の中心に一致するように、調
整し、レーザー光照射幅が１１０μｍになるよう、レー
ザー光強度を調整した。レーザー光は、ストライプ状に
形成された第１電極３２のラインに沿って移動しながら
照射させた。

【００５７】次に、レーザー光中心位置を３００μｍだ
け第１電極３２のストライプに直交する方向に移動させ
て、同様にレーザー光を照射した。このようにして順
次、５０本の第１電極３２のラインに沿って照射を行っ
た。転写用ドナー基板を剥がした後、光学顕微鏡にて基
板表面を観察したところ、図１６に示すように、転写層
３７ａが部分的にしか転写されていなかった。

【００５８】

【発明の効果】この発明の転写用ドナー基板を用いるこ
とにより、転写時に転写欠陥を起こさずに転写層を基板
に転写することができるので、表示品質の良い有機ＬＥ
Ｄディスプレイを提供することができる。また転写後、
更に第２電極上に導電性膜および封止膜の少なくとも一
方を形成することで、第２電極を低抵抗化でき、低消費
電力な有機ＬＥＤ素子を提供できる。また、転写時のレ
ーザーパワーを従来に比べ小さくできるので、有機層の
発光特性を損なうことなく転写ができ、高発光効率の有
機ＬＥＤ素子が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の有機ＬＥＤ素子の実施の形態を示す
断面図である。

【図２】この発明の有機ＬＥＤ素子の実施の形態を示す
断面図である。

【図３】この発明の有機ＬＥＤ素子の実施の形態を示す
断面図である。

【図４】この発明の有機ＬＥＤ素子の実施の形態を示す
断面図である。

【図５】この発明の転写用ドナー基板の実施の形態を示
す断面図である。

【図６】この発明の転写用ドナー基板の実施の形態を示
す断面図である。

【図７】この発明の転写用ドナー基板の実施の形態を示
す断面図である。

【図８】この発明の転写用ドナー基板の実施の形態を示
す断面図である。

【図９】この発明の製造方法の実施の形態を示す断面図
である。

【図１０】この発明の製造方法により製造した有機ＬＥ
Ｄ素子の一例を示す断面図である。

【図１１】実施例１に記載した製造方法を示す断面図で
ある。

【図１２】実施例１に記載した有機ＬＥＤ素子を示す断
面図である。

【図１３】ＴＦＴ基板とこの発明の有機ＬＥＤ素子を組
合せた一例を示す平面図である。

【図１４】この発明に係るＴＦＴ基板を示す平面図であ
る。

【図１５】比較例の製造方法を示した図である。

【図１６】比較例の製造方法で作製した有機ＬＥＤ素子
を示す説明図である。

【図１７】従来の製造方法を示す説明図である。

【図１８】従来のＴＦＴ基板を示す平面図である。

【符号の説明】

１基板２第１電極３導電性膜４有機ＬＥＤ膜５第２電極６転写補助膜９絶縁膜１０転写シート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ａ (72)発明者山名真司大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者村尾有剛大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者赤井伴教大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB05 AB11 AB18 BA06 CB01 CB03 CC00 DB03 EA01 FA01 5C094 AA24 AA31 AA32 AA42 AA43 BA03 BA27 CA19 DA13 EA05 FA02 FB01 FB12 FB20 JA08 JA20 5G435 AA13 AA14 AA17 BB05 CC09 HH01 HH12 HH18 HH20 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、第１電極と、低融点化合物を
含む導電性膜と、発光層を含む有機層と、発光層からの
発光を透過可能な第２電極と、転写補助層とをこの順に
設けたことを特徴とする有機ＬＥＤ素子。
【請求項２】転写補助層の上に、透明導電性膜および
封止膜の少なくとも一方をさらに設けたことを特徴とす
る請求項１記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項３】導電性膜が、少なくとも２層以上から構
成され、第１電極と接する層が低融点化合物を含んでい
ることを特徴とする請求項１又は２記載の有機ＬＥＤ素
子。
【請求項４】導電性膜が、少なくとも２層以上から構
成され、有機層に近い層の仕事関数が４ｅＶ以下である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の
有機ＬＥＤ素子。
【請求項５】導電性膜と有機層との間にフッ化物、酸
化物、臭化物、塩化物およびよう化物の少なくとも１つ
からなる絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項
１〜４記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項６】絶縁層は膜厚が５ｎｍ以下であることを
特徴とする請求項５記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項７】導電性膜は、融点が２００℃以下の融点
を有する低融点化合物を含むことを特徴とする請求項１
〜６のいずれか１つに記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項８】低融点化合物が、インジウム又はその合
金であることを特徴とする請求項７記載の有機ＬＥＤ素
子。
【請求項９】導電性膜が、０．１ｎｍ〜１０ｎｍの厚
みを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１
つに記載の有機ＬＥＤ素子。
【請求項１０】有機LED素子製造用の転写用ドナー基
板であって、光熱変換層を含む転写用シートの上に、転
写補助層と、透明な第２電極と、少なくとも発光層を含
む有機層と、低融点化合物を含む導電性膜とをこの順に
積層したことを特徴とする転写用ドナー基板。
【請求項１１】第２電極が、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚み
を有することを特徴とする請求項１０記載の転写用ドナ
ー基板。
【請求項１２】転写補助層が、昇華性材料を含むこと
を特徴とする請求項１０又は１１記載の転写用ドナー基
板。
【請求項１３】昇華性材料が、有機層材料であること
を特徴とする請求項１２記載の転写用ドナー基板。
【請求項１４】請求項１０〜１３のいずれか１つに記
載の転写用ドナー基板を用いて製造することを特徴とす
る有機ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項１５】第１電極を有する素子用基板に、請求
項１０〜１３のいずれか１つに記載の転写用ドナー基板
を熱転写し、転写用シートを剥離した後、転写補助層の
上に導電性材料を含む膜を形成することを特徴とする有
機ＬＥＤ素子の製造方法。