JP2005307254A - 蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被蒸着基板上にダメージを与えず選択的に且つ正確に蒸着する蒸着方法を提供する。
【解決手段】 光照射手段にレーザー光を用い、前記レーザー光の照射位置を変化させることにより、蒸発位置を制御する。
【選択図】 図1
【解決手段】 光照射手段にレーザー光を用い、前記レーザー光の照射位置を変化させることにより、蒸発位置を制御する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、蒸着で膜を形成する方法、特に有機発光素子の有機層の蒸着方法に係るものである。
パターン形成した金属とその上に、蒸着する有機薄膜層を設け、真空中で金属を加熱することにより有機材料を対向基板上に蒸着させる方法が提案されており、素子へのダメージを防ぐために、レーザー反射部をレーザー吸収材料部のない部分に形成し選択的に膜を蒸着することが示されている。(例えば、特許文献1参照)図10は、従来例の説明図であり、1は蒸着基板、2はレーザー吸収材料部、3は蒸着材料層、4はレーザー光、5は被蒸着基板、6は蒸着膜、7はレーザー反射部を示す。レーザー光4により、レーザー吸収材料部2が加熱され、蒸着材料層3が被蒸着基板5に蒸着され、蒸着膜6を形成することができる。
米国特許第5939272号公報
しかしながら、レーザー反射層とレーザー吸収層が隣接することにより、吸収層から反射層への熱の伝達が起こり、蒸着領域がぼやけてしまう問題があった。また、レーザー反射層とレーザー吸収層を形成する際に、パターンずれが生じ、いずれの層も形成されない領域では、レーザーが蒸着される被蒸着基板側に漏れ、ダメージを生じてしまう問題があった。また、レーザー吸収材料部以外の部分に蒸着した材料は利用することが出来ないために、一枚の蒸着板で形成できる蒸着回数が少ないという問題があった。
第一に、基板上に光吸収材料部を形成し、その上に蒸着材料層を塗布した蒸着基板と、被蒸着基板を対向配置し、該光吸収材料部に光照射することにより加熱する加熱手段とを有し、前記加熱手段により該蒸着材料層を蒸発させる蒸着方法に関して、前記光照射手段にレーザー光を用い、前記レーザー光の照射位置を変化させることにより、蒸発位置を制御することを特徴とする。
第二に、前記レ−ザー光の光源と前記光吸収材料部との間にレーザー光遮蔽材料部を配置し、該レーザー光遮蔽材料部の非形成部分に該光吸収材料部が分割配置されていることを特徴とする。
第三に、前記蒸着基板と被蒸着基板の位置を変化させて、被蒸着領域に複数回の蒸着を行うことを特徴とする。
レーザー光を走査し、画素に合わせて配置した光吸収材料部のみに照射して光吸収材料部を加熱することにより、被蒸着基板上にダメージを与えず選択的に且つ正確に蒸着を実施できる効果がある。また、本発明は、高真空が必要でない点、蒸着材料層の膜厚で蒸着量が制御出来る点、蒸着時に膜厚計が不要である特徴を有しており、量産性に優れた蒸着装置の提供が可能となる。
基板上にレーザー光吸収材料部を形成し、その上に蒸着材料を塗布した蒸着基板を作製する。この蒸着基板に被蒸着基板を対向配置して、蒸発位置に合わせてレーザー光の照射位置を変化させて、レーザー吸収材料部にレーザー光を照射させることにより、選択的にレーザー光吸収材料部を加熱して、被蒸着基板へ蒸着材料を精度良く蒸着させることが出来る。このとき、光吸収材料部を分割して配列することにより、蒸着領域をより正確に制御することが可能である。また、2回目以降の蒸着時には、上述蒸着基板を所定量移動させることにより、同じ蒸着基板から複数回の蒸着が可能となる。さらに、レーザー光源と光吸収材料部との間にレーザー光の遮蔽材料部を設けることにより、レーザーの走査ずれによる蒸着パターンずれやレーザー光による素子基板上へのダメージを防ぐことができる。また、本発明は、高真空が必要でない点、蒸着量が蒸着基板上に形成した蒸着材料層の膜厚で制御できるため、蒸着時に膜厚計が不要である特徴を有しており、量産性に優れる方法である。
被蒸着基板上への蒸着時の真空度は、概ね0.1Pa以下であれば蒸着が可能である。有機EL材料の蒸着においては、残留ガスとの反応性を考慮して、好適には、0.01Pa以下が望ましい。また、蒸着基板と被蒸着基板の距離は被蒸着基板側に蒸着時の熱的ダメージが生じない場合には、蒸着基板と被蒸着基板を密着させることも可能である。有機EL材料の蒸着においては、形成する蒸着パターンのサイズにもよるが、概ね2mmから0.1mmの間が望ましい。
レーザー光としては、YAGレーザー、グリーンレーザー、炭酸ガスレーザー等の各種の光源を適用することが可能である。ガラス基板を蒸着基板として用いた場合には、レーザー光に対して透光性が高いことが望まれる。このため、1064nmの波長を持つYAGレーザーや532nmのグリーンレーザーを好適に使用することができる。蒸着基板としては、上述のレーザー透過性が高いことに加え、レーザー吸収材料部の発熱に対して安定なことが望まれる。この観点から、高歪点ガラスや石英ガラスを好適に用いることができる。吸収材料としては、レーザー光を吸収し発熱する材料であれば適用可能であるが、白金、タンタル、タングステン等の高融点金属材料が好適である。
なお、蒸着基板上に形成する蒸着材料層は、蒸着、スパッタ、CVD等の真空成膜法やスピンコート、スプレー法、浸漬堆積法などの湿式成膜法により形成することが可能であり、蒸着材料に合わせて各種の製法を選択することができる。
以下に、本発明の詳細について、図面を用いて説明する。
図1から図3は本発明の第一の実施例を説明するための図であり、図1は本発明の蒸着方法を示す図であり、図2は本発明を適用して作製した有機EL素子の断面図を示す図、図3は蒸着装置の概要図である。
図中、11は蒸着基板、12はレーザー吸収材料部、13は蒸着材料層、14はレーザー光、15は被蒸着基板、16は蒸着膜を、21は基板、22下部電極、23はホール輸送層、24は有機発光層、26は電子輸送層、27は上部電極、31は真空容器、32はレーザー光透過窓、33はレーザー照射部、34は排気管、35は排気装置を示す。
本実施例においては、本発明の蒸着は24の有機発光層を形成する際に適用した。
ここで、本発明を適用して作製した有機EL素子について説明する。
基板上には、駆動回路としてTFT回路(図示せず)を用い、Cr膜をスパッタで成膜後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行い下部電極22を形成した。23のホール輸送層は、トリフェニルジアミン(TPD)を50nmの厚さに蒸着して作製した。24の有機発光層としては、アルミニウムキノリノール錯体(Alq3)を用い、蒸着法を用いて、蒸着基板11上に50nmの厚さに形成した。蒸着基板11は石英ガラスを用い、蒸着基板11上に予めフォトリソグラフィ法を用いてパターニングしたレジストを設けた後、スパッタ法を用い、密着層としてTiを5nm形成した後、白金層を100nmの厚さに形成した。その後、リフトオフ法を用いてレジストを除去してレーザー吸収材12のパターンを形成した。なお、レーザー吸収材12は、EL素子を形成する50mm角の領域に、0.06mm角のサイズで、下部電極22のピッチに合わせて0.08mmピッチで形成した。レーザーには、1064nmの波長のYAGレーザーを用い、ガルバノミラーを用いて、レーザー吸収材12の形成部のみにレーザーが照射される様にスキャンを行った。なお、レーザー吸収材12上に形成されるレーザーのスポットはφ0.04mmとし、5W、10μsecの照射時間でレーザー照射を行った。図3に示す様に、レーザー照射部33から放出されたレーザー光は、32のレーザー光透過窓を通過して、真空容器31内に配置された蒸着基板11に照射され、被蒸着基板15に蒸着材料が蒸着される。この様子は、図1(a)及び(b)に示した。蒸着材料層13は、下部電極22及びホール輸送層23の形成された被蒸着基板15上に蒸着され、蒸着膜13を形成した。なお、本実施例においては、有機発光層24の蒸着時の真空度は、0.0001Paとした。また、蒸着基板11と被蒸着基板15の間隙は0.3mmとした。なお、32のレーザー光透過窓には石英ガラスを用い、排気装置35は、ターボ分子ポンプおよびスクロールポンプより構成される装置を用いた。また、蒸着基板11と被蒸着基板15とのアライメントは、レーザー吸収材料部及び下部電極形成時に同時に作製したアライメントマーク(図示せず)で行った。
次に、バソフェナントロリン(Bphen)を、通常の抵抗加熱蒸着法を用いて、50nmの厚さに蒸着し電子輸送層25を形成した。最後に、スパッタ法をもちいて、ITOを150nmの厚さに形成して上部電極26として有機EL素子を作製した。
この有機EL素子を駆動したところ、パターンずれがなく良好な表示が出来た。
ここで、本発明第二の実施例について説明する。
本実施例の特徴は、レーザー光源とレーザー吸収材料部との間に、レーザー光遮蔽材料部を配置したことである。図4から図6は本実施例の説明図であり、図4は本発明の蒸着方法を説明する図であり、図5及び図6は、レーザー光遮蔽材料部の一部である。
図中、41はレーザー遮蔽材料部、42はレーザー吸収材料部の非形成部を示し、他の符号は実施例1と同様である。
本実施例においても、実施例一と同様に有機EL素子を作製した。なお、本実施例においては、レーザー吸収材料部は、0.04mm角のサイズで、下部電極22のピッチに合わせて0.06mmピッチで形成した。また、図5に示すレーザー遮光材料部41は厚み0.3mmのニッケル−鉄合金をエッチング法により一部除去し、φ0.03mmのレーザー吸収材料部の非形成部42を0.06mmピッチで作製した。実施例と同様に、蒸着してパターンずれがない有機EL素子の作製ができた。
図6は、レーザー吸収材料部の別の形態を示す図であり、電界析出法によりニッケルをパターン形成して0.15mmの厚みに形成したものでありレーザー吸収材料部の非形成部42、のサイズは0.03mm角である。上記同様に蒸着が出来、有機EL素子の作製ができた。
本実施例の場合には、位置合わせのずれによりレーザー光が被蒸着基板に照射されることを防ぎ、歩留まりを向上させることができる。また、ピッチの細かい高精細な有機EL素子の作製に有利である。
次に、本発明第三の実施例について説明する。
本実施例の特徴は、レーザー光源とレーザー吸収材料部との間に配置する、レーザー光遮蔽材料部を蒸着基板の裏面に形成した点である。図7は本実施例の説明図であり、レーザー光遮蔽材料部を備えた蒸着基板である。
図中、71はレーザー吸収材料部、72はレーザー吸収材料部の非形成部を示し、他の符号は他の実施例と同様である。
本実施例においては、両面アライナーを用い、蒸着基板11の裏面にレーザー吸収材料部12の形成位置に合わせて、レジストパターグを行いレーザー吸収材料部と同じくスパッタ法を用いて白金を形成した。なお、白金の厚さは150nmとした。
本実施例においては、レーザー吸収材料部の非形成部のL1は0.04mm、レーザー遮蔽材料部の非形成部72のL2は0.30mmとし、いずれも角形に形成した。なお、有機発光層蒸着の際の真空度は、0.01Paとした。また、蒸着基板と被蒸着基板の間隙は0.4mmとした。本実施例においても、ずれのない蒸着が実施できた。
本実施例においては、レーザー吸収材料部12とレーザー遮光材料部71は、同じ蒸着基板上に形成しているため、蒸着時に位置合わせ工程が不要である。
ここで、本発明第四の実施例について説明する。
本実施例の特徴は、レーザー吸収材料部の形成数を複数回の蒸着分とする方法である。図8及び図9は本実施例の説明図であり、図8は蒸着方法、図9蒸着基板の一部を示す図である。なお、図8において(a)及び(b)は1回目の蒸着の様子を説明する図、(c)及び(d)は2回目の蒸着の様子を説明する図である。図中、91、92は図8におけるレーザー吸収材料部12のうち、一回目の蒸着時に使用する吸収材料部とニ回目の蒸着時に使用する吸収材料部を夫々示す。93と94は各々の蒸着における被蒸着基板との位置合わせ様アライメントマークである。また、他の符号は、他実施例と同様である。
実施例1と同様の方法を用いて、図8(a)及び(b)で最初の蒸着を実施した後、蒸着基板11を所定量動かし、2枚目の被蒸着基板15に蒸着を行った。本実施例においては、レーザー吸収材12は、EL素子を形成する40mm角の領域に、0.05mm角のサイズで、0.06mmピッチで形成した。なお、作製した有機EL基板の下部電極16のピッチは0.12mmとした。本実施例の方法を用いても良好に蒸着することが出来た。
なお、本実施例においては、一枚の蒸着基板で二枚の被蒸着基板を作製したが、さらに多数枚の被蒸着基板に対して蒸着することも可能である。また、カラー有機EL素子を作製する場合には、赤、緑、青の各色に対して蒸着板を作製し、複数の被蒸着基板に蒸着することも可能である。
本実施例の方法により、一枚の蒸着基板から複数の被蒸着基板への蒸着が可能となり、蒸着材料の有効利用が可能となる。
11 蒸着基板
12 レーザー吸収材料部
13 蒸着材料層
14 レーザー光
15 被蒸着基板
16 蒸着膜
21 基板
22下部電極
23 ホール輸送層
24 有機発光層
26 電子輸送層
27 上部電極
31 真空容器
32 レーザー光透過窓
33 レーザー照射部
34 排気管
35 排気装置
41 レーザー遮蔽材料部
42 レーザー吸収材料部の非形成部
71 レーザー吸収材料部
72 レーザー吸収材料部の非形成部
91 一回目の蒸着時に使用する吸収材料部
92 二回目の蒸着時に使用する吸収材料部
93 アライメントマーク
94 アライメントマーク
12 レーザー吸収材料部
13 蒸着材料層
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32 レーザー光透過窓
33 レーザー照射部
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41 レーザー遮蔽材料部
42 レーザー吸収材料部の非形成部
71 レーザー吸収材料部
72 レーザー吸収材料部の非形成部
91 一回目の蒸着時に使用する吸収材料部
92 二回目の蒸着時に使用する吸収材料部
93 アライメントマーク
94 アライメントマーク
Claims (3)
- 基板上に光吸収材料部を形成し、その上に蒸着材料層を塗布した蒸着基板と、被蒸着基板を対向配置し、該光吸収材料部に光照射することにより加熱する加熱手段とを有し、前記加熱手段により該蒸着材料層を蒸発させる蒸着方法に関して、
前記光照射手段にレーザー光を用い、前記レーザー光の照射位置を変化させることにより、蒸発位置を制御することを特徴とする蒸着方法。 - 前記レ−ザー光の光源と前記光吸収材料部との間にレーザー光遮蔽材料部を配置し、該レーザー光遮蔽材料部の非形成部分に該光吸収材料部が分割配置されていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着方法。
- 前記蒸着基板と被蒸着基板の位置を変化させて、被蒸着領域に複数回の蒸着を行うことを特徴とする請求項1に記載の蒸着方法。
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