CN109913804B - 掩膜版及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 81
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 52
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 39
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 39
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- -1 iron ion Chemical class 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本申请公开了一种掩膜版及其制造方法，属于显示技术领域。所述掩膜版用于通过蒸镀工艺制备显示屏母板，显示屏母板包括显示屏，显示屏具有显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，掩膜版包括：导电掩膜基板，以及位于导电掩膜基板一侧的金属膜层，导电掩膜基板设置有开口，开口的大小和形状与显示区域的大小和形状均相等；导电掩膜基板具有第一区域和第二区域，第一区域围绕开口且与开口邻接，第一区域的尺寸大于或等于非显示区域的尺寸，金属膜层在导电掩膜基板上的正投影与第二区域重合。本申请解决了采用掩膜版进行蒸镀形成的图案误差较大，精准度较低的问题。本申请用于制备显示屏母板。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版及其制造方法。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示屏的制备过程中，通常是先在衬底基板上制造得到显示屏母板，该显示屏母板包括阵列排布的多个显示屏，再对显示屏母板进行切割得到显示屏。其中，显示屏中的整层结构可以采用掩膜版通过蒸镀工艺形成，该整层结构包括电子传输层、空穴传输层和阴极层等。
发明内容
本申请提供了一种掩膜版及其制造方法，可以解决采用掩膜版进行蒸镀形成的图案误差较大，精准度较低的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种掩膜版，所述掩膜版用于通过蒸镀工艺制备显示屏母板，所述显示屏母板包括显示屏，所述显示屏具有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述掩膜版包括：
导电掩膜基板，以及位于所述导电掩膜基板一侧的金属膜层，所述导电掩膜基板设置有开口，所述开口的大小和形状与所述显示区域的大小和形状均相等；
所述导电掩膜基板具有第一区域和第二区域，所述第一区域围绕所述开口且与所述开口邻接，所述第一区域的尺寸大于或等于所述非显示区域的尺寸，所述金属膜层在所述导电掩膜基板上的正投影与所述第二区域重合。
可选地，所述金属膜层的厚度范围为10微米至30微米。
可选地，所述金属膜层的材质为镍铁合金。
另一方面，提供了一种掩膜版的制造方法，所述方法用于制备上述的掩膜版，所述方法包括：
提供导电掩膜基板，所述导电掩膜基板具有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域围绕所述第三区域且与所述第三区域邻接，所述第三区域用于形成所述掩膜版的开口，所述第三区域的形状和大小与显示屏的显示区域的形状和大小均相等；
在所述第二区域内形成金属膜层，得到所述掩膜版。
可选地，所述在所述第二区域内形成金属膜层，得到所述掩膜版，包括：
在所述导电掩膜基板的指定区域内形成绝缘图案，所述指定区域包括所述第一区域且不包括所述第二区域；
通过电镀工艺在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层；
去除所述绝缘图案，得到所述掩膜版。
可选地，所述通过电镀工艺在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层，包括：
采用电镀液在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层；
其中，所述金属膜层的磁性与所述电镀液的铁离子浓度和所述电镀液的电流密度正相关，且与所述电镀液的酸碱值和所述电镀液的温度负相关。
可选地，所述方法还包括：
根据所述掩膜版所在的蒸镀腔室的磁性，确定所述电镀液的铁离子浓度、电流密度、酸碱值和温度，所述铁离子浓度和所述电流密度与所述蒸镀腔室的磁性负相关，所述酸碱值和所述温度与所述蒸镀腔室的磁性正相关。
可选地，所述绝缘图案的制备材料包括光刻胶、可剥性橡胶和可剥性漆中的至少一种。
可选地，所述导电掩膜基板的第三区域内形成有开口，所述在所述导电掩膜基板的指定区域形成绝缘图案，包括：
采用绝缘材料在所述第一区域和所述开口内形成所述绝缘图案。
可选地，通过电镀工艺在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层之后，所述方法还包括：
通过构图工艺在所述导电掩膜基板的第三区域内形成开口。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本申请提供了一种掩膜版及其制造方法，掩膜版包括层叠设置的导电掩膜基板与金属膜层，由于金属膜层是后期形成在导电掩膜基板上的，因此金属膜层的厚度可控性较高，可以在导电掩膜基板上形成厚度较小的金属膜层。掩膜版中金属膜层的厚度较小，则采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案的尺寸与掩膜版中的开口尺寸相差较小，也即是采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案误差较小，精准度较高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是发明人已知的一种显示屏母板的结构示意图；
图2是发明人已知的一种采用掩膜版通过蒸镀工艺形成膜层的场景示意图；
图3是本申请实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的一种掩膜版的截面示意图；
图5是本申请实施例提供的一种掩膜版的制造方法的流程图；
图6是本申请实施例提供的另一种掩膜版的制造方法的流程图；
图7是本申请实施例提供的一种导电掩膜基板的结构示意图；
图8是本申请实施例提供的一种形成有绝缘图案的导电掩膜基板的结构示意图；
图9是本申请实施例提供的一种电镀过程中导电掩膜基板的状态示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
图1是发明人已知的一种显示屏母板的结构示意图，如图1所示，该显示屏母板10包括形成在衬底基板102上的多个显示屏101。每个显示屏101包括显示区域A与位于显示区域A周围的非显示区域B。在制备得到如图1所示的显示屏母板10后，通过对该显示屏母板10进行切割得到多个显示屏101。
相关技术中，通常采用掩膜版通过蒸镀工艺形成显示屏中的整层结构。图2是发明人已知的一种采用掩膜版通过蒸镀工艺形成膜层的场景示意图，如图2所示，掩膜版20具有多个开口K(图2仅示出了其中的一个开口K)和多个凹槽W，每个凹槽W围绕一个开口K且与该开口K邻接。在蒸镀过程中，如图2所示，将掩膜版20设置有凹槽K的一侧与衬底基板102贴合，其中，凹槽W在衬底基板102上的正投影覆盖显示屏的非显示区域B，开口K在衬底基板102上的正投影与显示屏的显示区域A重合。蒸镀设备00从掩膜版20远离衬底基板102的一侧进行蒸镀，通过开口K在显示区域A内形成整层结构，也即是，从蒸镀设备00出射的蒸镀粒子Z穿过开口K在显示区域A内形成整层结构。通过在掩膜版上设置凹槽W，可以避免掩膜版20与非显示区域B直接接触而导致对非显示区域B的接触损伤。
相关技术中采用刻蚀工艺先对掩膜基板的一侧进行刻蚀得到多个第一凹槽，接着对掩模基板的另一侧与该多个第一凹槽相对的区域进行刻蚀，并贯穿掩模基板中第一凹槽所在区域的中央区域，形成多个开口K；第一凹槽所在区域中未被贯穿的边缘区域即为开口K周围的凹槽W，进而得到掩膜版20。
但是，由于阴影(shadow)效应，在蒸镀过程中会出现蒸镀设备出射的蒸镀粒子到达显示屏的非显示区域中，而通过构图工艺或刻蚀工艺形成的凹槽的深度通常较大，凹槽的深度越大，到达非显示区域的蒸镀粒子的数量越多，蒸镀粒子所覆盖非显示区域的面积越大，因此采用相关技术中的掩膜版通过蒸镀工艺形成整层结构时，图案误差较大，精准度较低。
本申请实施例提供了一种掩膜版，该掩膜版可以用于通过蒸镀工艺制备显示屏母板。该显示屏母板包括显示屏，显示屏具有显示区域和位于显示区域周围的非显示区域。
可选地，显示屏母板可以包括一个显示屏，也可以包括多个显示屏。当显示屏母板包括多个显示屏，该显示屏母板可以为图1所示的显示屏母板10。示例地，图3是本申请实施例提供的一种掩膜版的结构示意图。该掩膜版可以用于制备如图1所示的显示屏母板10。
如图3所示，掩膜版30包括：导电掩膜基板301，以及位于导电掩膜基板301一侧的金属膜层302，也即是掩膜版30包括层叠设置的导电掩膜基板301和金属膜层302。导电掩膜基板301设置有开口K，请结合图1与图3，开口K的大小和形状与图1中显示屏101的显示区域A的大小和形状均相等。
图4是图3所示的掩膜版在JJ’方向上的截面示意图，且为了表征图4示出的为一个整体结构的截面图，图4中采用虚线将开口K两侧的部分进行连接。另外，图4所示的掩膜版中开口及各个区域的尺寸，相较于图3进行了同比放大，图4中的区域Q’为图3中的区域Q对应的区域。请结合图3与图4，掩膜版30中的导电掩膜基板301具有第一区域D1和第二区域D2，第一区域D1围绕开口K且与开口K邻接，第一区域D1的尺寸大于或等于显示屏101的非显示区域B的尺寸，金属膜层302在导电掩膜基板301上的正投影与第二区域D2重合。
参见图3，本申请实施例提供的掩膜版30中，导电掩膜基板301中的第二区域D2上设置有金属膜层302，故掩膜版30中围绕开口K的区域(如图3中的区域Q)呈台阶状，掩膜版30中第一区域D1所在的区域可以呈现为凹槽。在采用掩膜版30进行蒸镀时，该凹槽可以避免掩膜版30与显示屏的非显示区域直接接触，进而避免对非显示区域的接触损伤，且可以避免非显示区域上附着的杂质微粒(英文：particle)在掩膜版30的挤压下对非显示区域的划伤。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜版包括层叠设置的导电掩膜基板与金属膜层，由于金属膜层是后期形成在导电掩膜基板上的，因此金属膜层的厚度可控性较高，可以在导电掩膜基板上形成厚度较小的金属膜层。掩膜版中金属膜层的厚度较小，则采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案的尺寸与掩膜版中的开口尺寸相差较小，也即是采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案误差较小，精准度较高。
可选地，当显示屏的非显示区域呈环状时，掩膜版中的第一区域可以呈环状。相应地，第一区域的尺寸大于或等于显示屏的非显示区域的尺寸，可以是，第一区域的宽度大于显示屏的非显示区域的宽度，例如，当显示屏的非显示区域的宽度为1毫米时，第一区域的宽度可以大于或等于1毫米。
可选地，金属膜层的厚度范围为10微米至30微米。其中，金属膜层的厚度可以等于10微米或30微米。
可选地，掩膜版可以具有磁性。通常蒸镀腔室中设置有磁性组件(例如磁铁)。例如在图2所示的蒸镀场景中，磁性组件可以位于掩膜版20远离衬底基板102的一侧。由于掩膜版具有磁性，因此磁性组件可以通过磁力作用固定掩膜版在蒸镀腔室中的位置，进而使掩膜版与衬底基板紧密贴合。可选地，掩膜版中的导电掩膜基板与金属膜层可以均具有磁性，或者导电掩膜基板与金属膜层中的任一结构具有磁性。
可选地，金属膜层采用电镀工艺制得，导电掩膜基板与金属膜层还可以具有耐水氧腐蚀的特性。由于在进行电镀时，需将导电掩膜基板置于电镀液中，因此导电掩膜基板需耐水氧腐蚀，且采用电镀工艺制得的金属膜层也需耐水氧腐蚀，以避免导电掩膜基板和金属膜层在电镀液中被腐蚀影响其精度。另外，掩膜版具有耐水氧腐蚀的特性，可以使掩膜版在存放过程中较难发生氧化，保证掩膜版表面的平坦度，有利于掩膜版与衬底基板的紧密贴合。
可选地，金属膜层的材质为镍铁合金，其中镍的耐腐蚀性较强，铁的磁性较强。需要说明的是，导电掩膜基板的材质与金属膜层的材质可以相同，也可以不同。可选地，在导电掩膜基板的材质与金属膜层的材质不同时，导电掩膜基板的材质可以为其他金属或合金，如铝、铜和锌等中的至少一种。
需要说明的是，相关技术提供的掩膜版中围绕开口的凹槽深度较大，在采用该掩膜版进行蒸镀得到显示屏的显示区域中的整层结构时，形成的膜层还会较多地覆盖显示屏的非显示区域。因此相关技术中通常需要扩大非显示区域的宽度，以保证非显示区域中线路的正常排布，导致制得的显示屏的边框较宽。另外，由于相关技术中通过对掩膜基板进行刻蚀形成掩膜版中的开口以及开口边缘的凹槽，因此掩膜版中凹槽所在区域的厚度小于掩膜基板的厚度，如通常为掩膜基板厚度的一半，导致掩膜版中凹槽所在区域的强度较弱。
本申请实施例中，由于金属膜层在导电掩膜基板上独立形成，因此金属膜层的厚度可控性较高，可以制备得到厚度较小的金属膜层。采用该掩膜版制备显示屏的显示区域中的整层结构时，形成的膜层可以较少地覆盖显示屏的非显示区域。与相关技术相比，可以在保证非显示区域中线路的正常排布的同时，减小非显示区域的宽度，进而制备得到边框较窄的显示屏。另外，掩膜版中的凹槽通过金属膜层与导电掩膜基板的高度差形成，因此掩膜版中凹槽所在区域的厚度与导电掩膜基板的厚度相同，掩膜版中凹槽所在区域的强度较高，进而可以提高掩膜版的使用寿命。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜版中的金属膜层包括层叠的导电掩膜基板与金属膜层，由于金属膜层是后期形成在导电掩膜基板上的，因此金属膜层的厚度可控性较高，可以在导电掩膜基板上形成厚度较小的金属膜层。掩膜版中金属膜层的厚度较小，则采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案的尺寸与掩膜版中的开口尺寸相差较小，也即是采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案误差较小，精准度较高。并且，采用本申请实施例中的掩膜版制备得到显示屏的非显示区域的宽度较小，有利于窄边框显示屏的制造。另外，掩膜版中凹槽所在区域的强度较高，可以提高掩膜版的使用寿命。
图5是本申请实施例提供的一种掩膜版的制造方法的流程图。该方法可以用于制备图3和图4所示的掩膜版30，请参考图5，该方法可以包括：
步骤501、提供导电掩膜基板，导电掩膜基板具有第一区域、第二区域和第三区域，第一区域围绕第三区域且与第三区域邻接，第三区域用于形成掩膜版的开口，第三区域的形状和大小与显示屏的显示区域的形状和大小均相等。
步骤502、在第二区域内形成金属膜层，得到掩膜版。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜版的制造方法中，在导电掩膜基板上的第二区域内形成金属膜层，得到掩膜版。由于金属膜层是后期形成在导电掩膜基板上的，因此金属膜层的厚度可控性较高，可以在导电掩膜基板上形成厚度较小的金属膜层。掩膜版中金属膜层的厚度较小，则采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案的尺寸与掩膜版中的开口尺寸相差较小，也即是采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案误差较小，精准度较高。
图6是本申请实施例提供的另一种掩膜版的制造方法的流程图。该方法可以用于制备图3和图4所示的掩膜版30，请参考图6，该方法可以包括：
步骤601、提供导电掩膜基板。
示例地，图7是本申请实施例提供的一种导电掩膜基板的结构示意图。如图7所示，导电掩膜基板301具有第一区域D1、第二区域D2和第三区域D3，第一区域D1围绕第三区域D3且与第三区域D3邻接，第三区域D3用于形成掩膜版的开口，请结合图1与图7，第三区域D3的形状和大小与显示屏101的显示区域A的形状和大小均相等。可选地，第一区域D1呈环状，第一区域D1的宽度等于或者大于非显示区域B的宽度。
可选地，步骤601中提供的导电掩膜基板中第三区域D3内已形成有开口，或者也可以并未形成开口。本申请以下实施例中均以导电掩膜基板中的第三区域D3内已形成有开口为例进行说明。
示例地，可以采用构图工艺在导电掩膜基板301中的第三区域D3内形成开口。其中，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。采用构图工艺在第三区域内形成开口包括：在未形成有开口的导电掩膜基板上涂覆一层光刻胶；然后采用掩膜版对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成曝光区和非曝光区；之后采用显影工艺进行处理，使曝光区和非曝光区中一种区域的光刻胶被去除，而另一种区域的光刻胶保留；之后对导电掩膜基板上未覆盖有光刻胶的区域进行刻蚀，其中，未覆盖有光刻胶的区域为第三区域；刻蚀完毕后剥离剩余的光刻胶即可得到第三区域内的开口。
可选地，可以从导电掩膜基板的两面对导电掩膜基板上未覆盖有光刻胶的区域进行刻蚀，以保证刻蚀得到的开口的精度。
步骤602、在导电掩膜基板的指定区域内形成绝缘图案，指定区域包括第一区域且不包括第二区域。
其中，可以采用绝缘材料在导电掩膜基板的指定区域内形成绝缘图案。可选地，绝缘图案的制备材料包括光刻胶、可剥性橡胶和可剥性漆中的至少一种。
可选地，当步骤601中提供的导电掩膜基板中的第三区域D3内已形成开口时，指定区域包括第一区域和第三区域，也即是，导电掩膜基板的第一区域内形成有绝缘图案，且导电掩膜基板的开口中填充有绝缘材料。当步骤601中提供的导电掩膜基板中的第三区域D3内未形成开口时，指定区域可以包括第一区域和第三区域，或者指定区域也可以仅包括第一区域。
示例地，图8示出了一种形成有绝缘图案的导电掩膜基板的结构示意图，其中，指定区域包括第一区域D1和第三区域D3。参见图8，在导电掩膜基板的指定区域内形成绝缘图案之前，可以先将导电掩膜基板301贴附在用于承载导电掩膜基板301的基板901上；再通过构图工艺在指定区域内形成绝缘图案Y。该基板901的厚度可以较大，例如厚度可以大于5毫米，以保证基板901用于承载导电掩膜基板301的表面较为平坦，防止导电掩膜基板301贴附在基板901上时发生褶皱。
步骤603、通过电镀工艺在导电掩膜基板形成有绝缘图案的一侧形成金属膜层。
也即是，在步骤603中，通过电镀工艺在导电掩膜基板上未形成有绝缘图案的区域内形成金属膜层。
需要说明的是，蒸镀腔室中通常设置有磁铁，蒸镀腔室的磁性可以是该磁铁的磁性。如在图2所示的蒸镀场景中，磁铁可以设置在衬底基板102远离掩膜版20的一侧，通过磁力吸附掩膜版20，进而固定掩膜版20。为了避免蒸镀过程中掩膜版发生脱落，需保证磁铁与掩膜版之间的磁力等于磁力阈值，该磁力阈值可以大于或等于掩膜版的重力。磁铁与掩膜版之间的磁力与磁铁的磁性和掩膜版的磁性均正相关。因此，当蒸镀腔室中的磁铁的磁性较弱时，需要采用磁性较强的掩膜版；当蒸镀腔室中的磁铁的磁性较强时，需要采用磁性较弱的掩膜版，因此掩膜版的磁性与磁铁的磁性可以满足负相关关系，使得磁铁与掩膜版之间的磁力等于磁力阈值。另外，由于掩膜版由导电掩膜基板与金属膜层构成，掩膜版的磁性由导电掩膜基板与金属膜层的磁性决定，因此金属膜层的磁性也可以与蒸镀腔室的磁性满足负相关关系。
由于采用电镀工艺形成的金属膜层的磁性由电镀液的特征值决定，因此，可以根据蒸镀腔室的磁性，确定形成所需磁性的金属膜层所需的电镀液的特征值；进而采用该特征值对应的电镀液，在导电掩膜基板形成有绝缘图案的一侧形成所需磁性的金属膜层。
其中，电镀液的特征值包括铁离子浓度、电流密度、酸碱值(也称为PH值)和温度中的至少一种，金属膜层的磁性与电镀液的铁离子浓度和电流密度均正相关，且与电镀液的酸碱值和温度均负相关。由于金属膜层的磁性需与蒸镀腔室的磁性负相关，故电镀液的铁离子浓度和电流密度需均与蒸镀腔室的磁性负相关，且电镀液的酸碱值和温度需均与蒸镀腔室的磁性正相关。
示例地，若蒸镀腔室的磁性较弱，则采用电镀工艺形成金属膜层时，可以增大电镀液中铁离子的浓度以及电镀液的电流密度中的至少一者，和/或，降低电镀液的酸碱值和温度中的至少一者，进而增大金属膜层的磁性，以制得磁性较大的掩膜版。
以下对形成金属膜层的电镀过程进行解释。
可选地，步骤602中导电掩膜基板301贴附的基板901可以为导电基板，该基板901可以作为电镀腔室的底部，且步骤602中可以采用导电胶贴合导电掩膜基板301与基板901。
图9示出了一种电镀过程中导电掩膜基板的状态示意图。请结合图9，首先可以将电镀腔室的腔室盖扣于贴附有导电掩膜基板301的基板901上，以使导电掩膜基板301位于形成的电镀腔室中。该腔室盖可以包括电镀腔室的侧壁以及顶部，该顶部可以设置有电镀靶材902，该电镀靶材902的材质可以为镍铁合金。且可以将电源的阳极与电镀靶材902电连接，将电源的阴极与基板901电连接，也即是使电镀靶材902作为阳极，使导电掩膜基板301作为阴极。电镀过程是将阳极的金属氧化形成的正离子在阴极表面还原的过程，因此在电镀过程中，导电掩膜基板301中未被绝缘图案覆盖的区域，能够形成与电镀靶材材质相同的金属膜层。
接着，向形成的密封腔体中注入电镀液903，直至导电掩膜基板301中未被绝缘图案覆盖的区域以及电镀靶材902均浸没在电镀液中，此时导电掩膜基板301中未被绝缘图案覆盖的区域开始生长金属膜层302。可选地，该电镀液903中包括铁离子、镍离子、硫酸镍、硫酸亚铁、硼酸、氯化钠以及镍铁稳定剂等，且电镀液的铁离子浓度、电流密度、酸碱值和温度均根据蒸镀腔室的磁性确定。
之后，可以在指定时长后断开电源的阳极与电镀靶材902的连接，以及电源的阴极与基板901的连接；并将形成有金属膜层302的导电掩膜基板301从电镀液中取出(如去除电镀腔室中的电镀液以及腔室盖)，以终止电镀过程，且使导电掩膜基板301上形成所需厚度的金属膜层302。
需要说明的是，形成的金属膜层的厚度与电镀时长正相关，可以通过所需的金属膜层的厚度确定该指定时长。
步骤604、去除绝缘图案，得到掩膜版。
在将图9中形成有金属膜层302的导电掩膜基板301从电镀液中取出后，去除绝缘图案，便可得到图3或图4所示的掩膜版30。例如，当绝缘图案的材质为光刻胶时，可以采用显影的方式去除该绝缘图案。可选地，在去除绝缘图案后还可以对掩膜版进行清洗，以去除其上残留的绝缘材料。
可选地，若在步骤603中将基板901与导电掩膜基板301一同从电镀液中取出，则在去除绝缘图案后还需将得到的掩膜版从基板901上剥离。
需要说明的是，上述方法实施例中示出的掩膜版的制造过程均以步骤601中提供的导电掩膜基板的第三区域中形成有开口为例进行说明。当步骤601中提供的导电掩膜基板的第三区域中未形成有开口时，在步骤603之后可以通过构图工艺在导电掩膜基板的第三区域内形成开口，且形成开口的步骤可以在步骤604之前执行，也可以在步骤604之后执行。形成开口的具体过程可以参考步骤601中描述的构图工艺，本申请实施例在此不做赘述。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜版的制造方法中采用电镀工艺形成金属膜层，进而得到掩膜版。由于金属膜层是后期形成在导电掩膜基板上的，因此金属膜层的厚度可控性较高，可以在导电掩膜基板上形成厚度较小的金属膜层。掩膜版中金属膜层的厚度较小，则采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案的尺寸与掩膜版中的开口尺寸相差较小，也即是采用该掩膜版通过蒸镀工艺形成的图案误差较小，精准度较高。
需要说明的是，本申请实施例提供的方法实施例能够与相应的掩膜版实施例相互参考，本申请实施例对此不做限定。本申请实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版用于通过蒸镀工艺制备显示屏母板，所述显示屏母板包括显示屏，所述显示屏具有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述掩膜版包括：
导电掩膜基板，以及位于所述导电掩膜基板一侧的金属膜层，所述金属膜层的厚度范围为10微米至30微米；所述导电掩膜基板设置有开口，所述开口的大小和形状与所述显示区域的大小和形状均相等；
所述导电掩膜基板具有第一区域和第二区域，所述第一区域围绕所述开口且与所述开口邻接，所述第一区域的尺寸大于或等于所述非显示区域的尺寸，所述金属膜层在所述导电掩膜基板上的正投影与所述第二区域重合。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述金属膜层的材质为镍铁合金。
3.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1或2所述的掩膜版，所述方法包括：
提供导电掩膜基板，所述导电掩膜基板具有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域围绕所述第三区域且与所述第三区域邻接，所述第三区域用于形成所述掩膜版的开口，所述第三区域的形状和大小与显示屏的显示区域的形状和大小均相等；
在所述第二区域内形成金属膜层，得到所述掩膜版。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二区域内形成金属膜层，得到所述掩膜版，包括：
在所述导电掩膜基板的指定区域内形成绝缘图案，所述指定区域包括所述第一区域且不包括所述第二区域；
通过电镀工艺在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层；
去除所述绝缘图案，得到所述掩膜版。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层，包括：
采用电镀液在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层；
其中，所述金属膜层的磁性与所述电镀液的铁离子浓度和所述电镀液的电流密度正相关，且与所述电镀液的酸碱值和所述电镀液的温度负相关。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述掩膜版所在的蒸镀腔室的磁性，确定所述电镀液的铁离子浓度、电流密度、酸碱值和温度，所述铁离子浓度和所述电流密度均与所述蒸镀腔室的磁性负相关，所述酸碱值和所述温度均与所述蒸镀腔室的磁性正相关。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述绝缘图案的制备材料包括光刻胶、可剥性橡胶和可剥性漆中的至少一种。
8.根据权利要求4至7任一所述的方法，其特征在于，所述导电掩膜基板的第三区域内形成有开口，所述在所述导电掩膜基板的指定区域形成绝缘图案，包括：
采用绝缘材料在所述第一区域和所述开口内形成所述绝缘图案。
9.根据权利要求4至7任一所述的方法，其特征在于，通过电镀工艺在所述导电掩膜基板形成有所述绝缘图案的一侧形成所述金属膜层之后，所述方法还包括：
通过构图工艺在所述导电掩膜基板的第三区域内形成开口。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910236516.9A CN109913804B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 掩膜版及其制造方法 |
| PCT/CN2020/076653 WO2020192339A1 (zh) | 2019-03-27 | 2020-02-25 | 掩膜版及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910236516.9A CN109913804B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 掩膜版及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109913804A CN109913804A (zh) | 2019-06-21 |
| CN109913804B true CN109913804B (zh) | 2021-01-26 |
Family
ID=66967084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910236516.9A Active CN109913804B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 掩膜版及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109913804B (zh) |
| WO (1) | WO2020192339A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109913804B (zh) * | 2019-03-27 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及其制造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4170179B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2008-10-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル |
| KR20110066816A (ko) * | 2009-12-11 | 2011-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치의 전기영동필름 제조방법 |
| KR101854796B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2018-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 제조 방법 |
| CN103205673A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 蒸镀用掩模板的制备方法 |
| CN102591134B (zh) * | 2012-03-15 | 2015-05-13 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 掩膜板及其制备方法 |
| DE102013106858A1 (de) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Substrat für ein LED-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
| CN103451598B (zh) * | 2013-09-05 | 2016-03-02 | 中山新诺科技有限公司 | 一种oled显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法 |
| TWI682237B (zh) * | 2015-02-10 | 2020-01-11 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍遮罩 |
| CN105449126B (zh) * | 2015-12-22 | 2018-03-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种蒸镀掩模板及其制作方法 |
| JP6345899B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2018-06-20 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN107686962A (zh) * | 2016-08-05 | 2018-02-13 | 新日铁住金化学株式会社 | 蒸镀掩模及其制造方法以及蒸镀掩模用层叠体及其制造方法 |
| KR101861702B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2018-05-29 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
| WO2019009526A1 (ko) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 주식회사 티지오테크 | 마스크 및 마스크의 제조 방법, 모판 |
| CN207380418U (zh) * | 2017-09-13 | 2018-05-18 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种掩模板 |
| CN108232043A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN108649142B (zh) * | 2018-04-19 | 2021-04-06 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种掩膜版及其制造方法 |
| CN109913804B (zh) * | 2019-03-27 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及其制造方法 |
-
2019
- 2019-03-27 CN CN201910236516.9A patent/CN109913804B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-25 WO PCT/CN2020/076653 patent/WO2020192339A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020192339A1 (zh) | 2020-10-01 |
| CN109913804A (zh) | 2019-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |