JP2021175824A - 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 - Google Patents

有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 Download PDF

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Abstract

【課題】有機デバイス製造装置のマスク装置と電極基板との相対的な位置の正確性を評価する方法を提供する。【解決手段】評価方法は、蒸着室において、標準マーク６３を含む標準基板の基板１１０に標準マスク装置の標準マスク５０Ａの貫通孔５６を介して材料を蒸着させて標準基板の基板１１０に蒸着層１３０を形成する蒸着工程と、蒸着層が形成されている標準基板を製造装置から搬出する搬出工程と、製造装置から搬出された標準基板における標準マークと蒸着層との位置関係を観察する観察工程と、を備える。【選択図】図１５

Description

本開示の実施形態は、有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法に関する。
スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置の分野において、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置などの有機デバイスの製造方法及び製造装置として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成されたマスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法及び装置が知られている。例えば、まず、画素に対応するパターンで第１電極が形成されている電極基板を準備する。続いて、電極基板を製造装置に搬入し、蒸着室においてマスクの貫通孔を介して有機材料を第１電極の上に付着させ、第１電極の上に発光層などの有機層を形成する。続いて、有機層の上に第２電極を形成する。続いて、電極基板上の有機層などの構成要素を封止基板で封止した後、電極基板を製造装置から搬出する。このようにして、有機ＥＬ表示装置などの有機デバイスを製造できる。
特開２０１９−６５３９３号公報
製造された有機デバイスが仕様を満たさない場合、原因を調べることが求められる。
本開示の一実施形態による有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法は、
前記蒸着室において、標準マークを含む標準基板に標準マスク装置のマスクの貫通孔を介して材料を蒸着させて前記基板に蒸着層を形成する蒸着工程と、
前記蒸着層が形成されている前記基板を前記製造装置から搬出する搬出工程と、
前記製造装置から搬出された前記基板における前記標準マークと前記蒸着層との位置関係を観察する観察工程と、を備えてもよい。
本開示によれば、有機デバイスの製造装置の蒸着室を評価できる。
有機デバイスの一例を示す平面図である。 図１Ａの有機デバイスをIA−IA方向から見た断面図である。 有機デバイス群の一例を示す平面図である。 有機デバイスの製造装置の一例を示す平面図である。 製造装置の第１蒸着室の一例を示す縦断面図である。 第１蒸着室のマスク装置の一例を示す平面図である。 マスク装置のマスクの中間部の一例を示す平面図である。 マスクの貫通孔の一例を示す断面図である。 標準基板及び標準マスク装置が設置されている第１蒸着室の一例を示す縦断面図である。 標準基板の一例を示す平面図である。 標準基板とデバイス空間との関係の一例を示す平面図である。 図９Ａの標準基板のうち符号Xが付された一点鎖線で囲まれている領域を拡大して示す平面図である。 標準基板の標準マーク領域の標準マークの一例を示す平面図である。 標準基板の標準マーク領域の標準マークの一例を示す断面図である。 標準マーク領域の標準マークの一例を示す平面図である。 標準マスク装置の一例を示す平面図である。 標準マスク装置とデバイス空間との関係の一例を示す平面図である。 図１３Ａの標準マスクのうち符号XIVが付された一点鎖線で囲まれている領域を拡大して示す平面図である。 標準マスクの貫通孔を介して標準基板の標準マーク上に第１蒸着層が形成される様子を示す断面図である。 標準基板の標準マーク上に形成された第１蒸着層の一例を示す平面図である。 標準基板の標準マーク上に形成された第１蒸着層の一例を示す平面図である。 標準基板の標準マーク上に形成された第１蒸着層の一例を示す平面図である。 標準基板の標準マーク上に形成された第１蒸着層の一例を示す平面図である。 第１蒸着室の評価結果の一例を示す図である。 標準マスク装置の一例を示す平面図である。 標準マスク装置の一例を示す平面図である。 図２２の標準マスクの中間部を拡大して示す平面図である。 標準マスクの中間部の一例を示す平面図である。 標準マスクの中間部の一例を示す平面図である。 標準マスクの中間部の一例を示す平面図である。 標準基板の標準マークの一例を示す平面図である。 標準基板の標準マークの一例を示す平面図である。 標準基板の標準マークの一例を示す平面図である。 標準基板の標準マーク上の第１蒸着層を観察する工程の一例を示す断面図である。 標準基板の標準マーク上の第１蒸着層を観察する工程の一例を示す断面図である。 標準マスクの中間部の一例を示す平面図である。 蒸着室のマスク装置の一例を示す平面図である。 図３３のマスク装置からマスクを取り除いた状態を示す平面図である。 図３３のマスク装置のXXXV−XXXV線に沿った断面図である。 図３３のマスク装置のXXXVI−XXXVI線に沿った断面図である。 図３４において符号XXXVIIAが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク支持体の一例を拡大して示す平面図。 図３７Ａの第１接続部を拡大して示す平面図である。 図３７Ａのマスク支持体のXXXVIIIA−XXXVIIIA線に沿った断面図である。 図３８Ａの第２接続部を拡大して示す断面図である。 マスク支持体の製造方法の一例を示す断面図である。 マスク支持体の製造方法の一例を示す断面図である。 図４０の板を第２面側から見た場合を示す平面図である。 マスク装置を用いて形成した蒸着層の一例を示す断面図である。 マスク装置の断面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 図４４のマスク装置からマスクを取り除いた状態を示す平面図である。 図４４のマスク装置のXXXXVI−XXXXVI線に沿った断面図である。 図４４のマスク装置のXXXXVII−XXXXVII線に沿った断面図である。 図４５において符号XXXXVIIIAが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク支持体の一例を拡大して示す平面図。 図４８Ａの第１接続部を拡大して示す平面図である。 図４８Ａのマスク支持体のXXXXIXA−XXXXIXA線に沿った断面図である。 図４９Ａの第２接続部を拡大して示す断面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 図５０のマスク装置からマスクを取り除いた状態を示す平面図である。 図５０のマスク装置のXXXXXII−XXXXXII線に沿った断面図である。 図５２のマスク装置の第２桟部材の溶接領域及びその周囲を拡大して示す断面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 図５４のマスク装置からマスクを取り除いた状態を示す平面図である。 図５４のマスク装置のXXXXXVI−XXXXXVI線に沿った断面図である。 図５４のマスク装置のXXXXXVII−XXXXXVII線に沿った断面図である。 図５５において符号XXXXXVIIIAが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク支持体の一例を拡大して示す平面図。 図５８Ａの第３接続部を拡大して示す平面図である。 マスク支持体の一例を示す平面図である。 マスク支持体の一例を示す平面図である。 図５９に示すマスク支持体を備えるマスク装置を図５９のXXXXXXI−XXXXXXI線に沿って切断した場合を示す断面図である。 図６０に示すマスク支持体を備えるマスク装置を図６０のXXXXXXII−XXXXXXII線に沿って切断した場合を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 実施例におけるマスク支持体を示す平面図である。 シミュレーションの結果を示す表である。 シミュレーションの結果を示すグラフである。 シミュレーションの結果を示すグラフである。 第３の実施形態によるマスク装置を備えた蒸着室を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置を示す平面図である。 図７３のＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す図である。 図７４の部分拡大断面図である。 図７５Ａの部分拡大断面図である。 図７３のマスク装置を示す部分拡大平面図である。 図７３のマスクの貫通孔群を示す拡大平面図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法における保持工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法における配置工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法におけるマスク位置合わせ工程の第１貫通孔確認工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法におけるマスク位置合わせ工程の移動工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法におけるマスク位置合わせ工程の張力調整工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法のマスク位置合わせ工程において、マスク装置を示す部分拡大平面図である。 マスク装置の製造方法のマスク位置合わせ工程において、マスク装置を示す部分拡大平面図である。 図８２のＢ−Ｂ線に沿った断面を模式的に示す図である。 図８２のＣ−Ｃ線に沿った断面を模式的に示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法における接合工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法における取り外し工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法において、１つのマスクが接合された枠を示す平面図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法により得られるマスク装置の中間体を示す平面図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法における切断工程を示す図である。 第３の実施形態によるマスク装置の製造方法の切断工程において、マスク装置を示す部分拡大平面図である。 第３の実施形態による有機デバイスの製造方法における密着工程を示す図である。 第３の実施形態による有機デバイスの製造方法における蒸着工程を示す図である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
本開示の第１の態様は、有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法であって、
前記蒸着室において、標準マークを含む標準基板に標準マスク装置の標準マスクの貫通孔を介して材料を蒸着させて前記標準基板に蒸着層を形成する蒸着工程と、
前記蒸着層が形成されている前記標準基板を前記製造装置から搬出する搬出工程と、
前記製造装置から搬出された前記標準基板における前記標準マークと前記蒸着層との位置関係を観察する観察工程と、を備える、評価方法である。
本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による評価方法が、前記標準マークと前記蒸着層との位置関係が条件を満たすか否かを判定する判定工程を備えていてもよい。
本開示の第３の態様は、上述した第２の態様による評価方法において、前記標準基板は、前記蒸着層が形成される前記標準基板の領域を第１方向においてｍ分割し前記第１方向に交差する第２方向においてｎ分割することによって画成される分割領域を含んでいてもよい。ｍ及びｎは、２以上の整数である。前記判定工程は、前記標準マークと前記蒸着層との位置関係が条件を満たすか否かを各分割領域において判定してもよい。
本開示の第４の態様は、上述した第２の態様または上述した第３の態様のそれぞれによる評価方法において、前記判定工程は、前記蒸着層の外縁が、前記標準マークの第１マークの外縁の内側に位置するか否かを判定する工程を含んでいてもよい。
本開示の第５の態様は、上述した第４の態様による評価方法において、前記判定工程は、前記蒸着層の外縁が、前記第１マークよりも内側に位置する第２マークの外縁の外側に位置するか否かを判定する工程を含んでいてもよい。
本開示の第６の態様は、上述した第２の態様または上述した第３の態様のそれぞれによる評価方法において、前記蒸着工程においては、前記標準マークを構成する遮光層の上に前記蒸着層が形成されてもよい。前記観察工程は、前記標準基板の面のうち前記遮光層及び前記蒸着層とは反対側の面から前記標準マークに向けて光を照射し、前記蒸着層からの励起光が生じるか否かを観察する工程を含んでいてもよい。
本開示の第７の態様は、上述した第１の態様から上述した第６の態様のそれぞれによる評価方法において、前記標準マスク装置の前記標準マスクは、前記貫通孔と、前記貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域と、を含む標準領域を備えていてもよい。
本開示の第８の態様は、上述した第７の態様による評価方法において、前記標準マスク装置の前記標準マスクは、前記標準マスクの幅方向の中央領域に位置し、前記標準マスクの長手方向に並ぶ２以上の前記標準領域を備えていてもよい。
本開示の第９の態様は、上述した第８の態様による評価方法において、前記標準マスク装置の前記標準マスクは、前記標準マスクの幅方向において前記中央領域に隣接する端領域に位置し、前記標準マスクの長手方向及び幅方向に並ぶ２以上の前記貫通孔を備えていてもよい。
本開示の第１０の態様は、上述した第８の態様による評価方法において、前記標準マスク装置の前記標準マスクは、前記標準マスクの幅方向において前記中央領域に隣接する端領域に位置する非貫通領域を備えていてもよい。
本開示の第１１の態様は、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のそれぞれによる評価方法において、前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備えていてもよい。前記標準領域は、デバイス空間に位置していてもよい。前記デバイス空間は、前記蒸着室において製造される前記有機デバイスに重なる空間である。
本開示の第１２の態様は、上述した第１の態様から上述した第１１の態様のそれぞれによる評価方法において、前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備えていてもよい。前記第１方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第１方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上であってもよい。前記第２方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第２方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上であってもよい。
本開示の第１３の態様は、上述した第１の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによる評価方法において、前記標準マスク装置は、第１方向に延びる一対の第１辺及び前記第１方向に交差する第２方向に延びる一対の第２辺を含む枠と、前記一対の第２辺に固定され、前記第２方向に並ぶ２以上の前記標準マスクと、を備えていてもよい。
本開示の第１４の態様は、上述した第１の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによる評価方法において、前記搬出工程は、前記有機層を含む前記標準基板上の要素が封止されていない状態で前記標準基板を前記製造装置から搬出してもよい。
本開示の第１５の態様は、上述した第１の態様による評価方法で用いられる標準マスク装置である。
本開示の第１６の態様は、上述した第１５の態様による標準マスク装置が、貫通孔と、貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域と、を含む標準領域を備える標準マスクを含んでいてもよい。
本開示の第１７の態様は、有機デバイスの製造装置の蒸着室を評価する標準マスク装置であって、
貫通孔を含む標準マスクを備え、
前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備え、
前記第１方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第１方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上であり、
前記第２方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第２方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上である、標準マスク装置である。
本開示の第１８の態様は、上述した第１７の態様による標準マスク装置において、前記標準領域は、デバイス空間に位置していてもよい。前記デバイス空間は、前記蒸着室において製造される前記有機デバイスに重なる空間である。
本開示の第１９の態様は、上述した第１７の態様または上述した第１８の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、前記標準マスク装置は、前記第１方向に延びる一対の第１辺、前記第２方向に延びる一対の第２辺及び開口を含む枠と、前記一対の第２辺に固定され、前記第２方向に並ぶ２以上の前記標準マスクと、を備えていてもよい。
本開示の第２０の態様は、上述した第１９の態様による標準マスク装置において、前記標準領域は、中央領域に位置していてもよい。前記中央領域は、前記標準マスクを前記第２方向において三等分した場合の中央の領域である。
本開示の第２１の態様は、上述した第２０の態様による標準マスク装置において、前記標準領域は、前記中央領域において前記貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域を含んでいてもよい。
本開示の第２２の態様は、上述した第１９の態様から上述した第２１の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、前記標準マスク装置は、前記開口に位置し、前記枠に接続されている桟を備えていてもよい。前記枠は、前記標準マスクが固定される枠第１面と、前記枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面と前記枠第２面との間に位置し、前記桟が接続されている内側面と、前記内側面の反対側に位置する外側面と、を含んでいてもよい。前記桟は、前記枠第１面の側に位置する桟第１面と、前記桟第１面の反対側に位置する桟第２面と、前記桟第１面と前記桟第２面との間に位置する桟側面と、を含んでいてもよい。前記枠第１面と前記桟第１面とが連続していてもよい。
本開示の第２３の態様は、上述した第２２の態様による標準マスク装置において、前記枠第１面と前記桟第１面とが同一平面上に位置していてもよい。
本開示の第２４の態様は、上述した第２２の態様または上述した第２３の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、平面視において、前記内側面と前記桟側面とが、第１曲率半径を有する第１接続部を介して接続されていてもよい。
本開示の第２５の態様は、上述した第２２の態様から上述した第２４の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、前記内側面と前記桟第２面とが、第２曲率半径を有する第２接続部を介して接続されていてもよい。
本開示の第２６の態様は、上述した第２２の態様から上述した第２５の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、前記桟は、前記第１辺に接続されている第１桟を含んでいてもよい。
本開示の第２７の態様は、上述した第２２の態様から上述した第２５の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、前記桟は、前記第２辺に接続されている第２桟を含んでいてもよい。
本開示の第２８の態様は、上述した第２２の態様から上述した第２５の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、前記桟は、前記第１辺に接続されている第１桟と、前記第２辺に接続されている第２桟と、を含んでいてもよい。平面視において、前記第１桟の桟側面と前記第２桟の桟側面とが、第３曲率半径を有する第３接続部を介して接続されていてもよい。
本開示の第２９の態様は、上述した第２２の態様から上述した第２８の態様のそれぞれによる標準マスク装置において、前記桟の厚みは、前記枠の厚みよりも小さくてもよい。
本開示の第３０の態様は、上述した第２９の態様による標準マスク装置において、前記枠の厚みに対する前記桟の厚みの比率が０．８５以下であってもよい。
本開示の第３１の態様は、有機デバイスの製造装置の蒸着室を評価する標準マスク装置の製造方法であって、
枠に標準マスクを固定する固定工程を備え、
前記枠は、第１方向に延びる一対の第１辺、前記第１方向に交差する第２方向に延びる一対の第２辺及び開口を含み、
前記標準マスクは、前記第１方向における一対の端部と、前記一対の端部の間に位置する貫通孔と、を含み、
前記固定工程は、前記一対の端部が前記一対の第２辺に重なるように前記標準マスクを配置する配置工程と、
前記配置工程の後、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記枠に対する前記標準マスクの位置を調整するマスク位置合わせ工程と、
前記マスク位置合わせ工程の後、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記標準マスクを前記枠に接合する接合工程と、を備える、製造方法である。
本開示の第３２の態様は、上述した第３１の態様による製造方法において、前記マスク位置合わせ工程は、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記枠に対する前記貫通孔の位置を確認する第１確認工程を含んでいてもよい。
本開示の第３３の態様は、上述した第３１の態様または上述した第３２の態様のそれぞれによる製造方法において、前記マスク位置合わせ工程は、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記第１方向及び前記第２方向で画定される２次元平面内でのいずれかの方向において前記標準マスクを移動させる移動工程を含んでいてもよい。
本開示の第３４の態様は、上述した第３１の態様から上述した第３３の態様のそれぞれによる製造方法において、前記枠は、前記標準マスクが固定される枠第１面と、前記枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面と前記枠第２面との間に位置し、前記開口に面する内側面と、平面視において前記内側面よりも外側に位置し、前記枠第１面に接続されている枠壁面と、を含んでいてもよい。前記枠壁面は、前記枠壁面と前記枠第１面とが交わる位置である第１壁面縁を含んでいてもよい。前記マスク位置合わせ工程において、前記一対の端部は前記第１壁面縁に重なっていてもよい。前記一対の端部に重なる前記第１壁面縁の部分は、前記第２方向に一直線状に延びていてもよい。
本開示の第３５の態様は、上述した第３１の態様から上述した第３４の態様のそれぞれによる製造方法において、前記標準マスク装置は、前記開口に位置し、前記枠に接続されている桟を備えていてもよい。前記枠は、前記標準マスクが固定される枠第１面と、前記枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面と前記枠第２面との間に位置し、前記桟が接続されている内側面と、前記内側面の反対側に位置する外側面と、を含んでいてもよい。前記桟は、前記枠第１面の側に位置する桟第１面と、前記桟第１面の反対側に位置する桟第２面と、前記桟第１面と前記桟第２面との間に位置する桟側面と、を含んでいてもよい。前記枠第１面と前記桟第１面とが連続していてもよい。
本開示の第３６の態様は、上述した第３１の態様から上述した第３５の態様のそれぞれによる製造方法において、前記標準マスク装置は、前記一対の第２辺に固定され、前記第２方向に並ぶ２以上の前記標準マスクを備えていてもよい。
本開示の第３７の態様は、上述した第３６の態様による製造方法において、前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備えていてもよい。前記標準領域は、中央領域において前記貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域を含んでいてもよい。前記中央領域は、前記標準マスクを前記第２方向において三等分した場合の中央の領域であってもよい。
本開示の第３８の態様は、上述した第３７の態様による製造方法において、前記標準領域は、前記中央領域において前記貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域を含んでいてもよい。
本開示の第３９の態様は、上述した第１の態様による評価方法で用いられる標準基板である。
本開示の第４０の態様は、上述した第４の態様による評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置であって、
前記判定工程において、前記蒸着層の外縁が、前記標準マークの第１マークの外縁の内側に位置すると判定された、製造装置である。
本開示の第４１の態様は、上述した第４０の態様による製造装置の前記蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイスである。
本開示の第４２の態様は、有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法であって、
前記蒸着室において、標準マークを含む標準基板と標準マスク装置とを組み合わせ条件に基づいて組み合わせる組合せ工程と、
前記蒸着室において、標準マークを含む標準基板に標準マスク装置の標準マスクの貫通孔を介して材料を蒸着させて前記標準基板に蒸着層を形成する蒸着工程と、
前記蒸着層が形成されている前記標準基板を前記製造装置から搬出する搬出工程と、
前記製造装置から搬出された前記標準基板における前記標準マークと前記蒸着層との位置関係を観察する観察工程と、
前記標準マークと前記蒸着層との位置関係に基づいて前記組み合わせ条件を調整する調整工程と、を備える、メンテナンス方法である。
本開示の第４３の態様は、上述した第４２の態様によるメンテナンス方法において、前記調整工程は、前記標準基板の面のうち前記標準マスク装置とは反対側の面の側に位置する磁石の磁力分布、又は静電チャックの静電気力の分布を調整する磁石調整工程を含んでいてもよい。
本開示の第４４の態様は、上述した第４２の態様または上述した第４３の態様のそれぞれによるメンテナンス方法において、前記調整工程は、前記標準基板の面のうち前記標準マスク装置とは反対側の面の側に位置する冷却板の配置を調整する冷却板工程を含んでいてもよい。
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
図１Ａは、有機デバイス１００の一例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａの有機デバイス１００をIA−IA方向から見た断面図である。なお図１Ａにおいては、第２電極層１４１及び封止基板１５０を省略している。
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、有機デバイス１００は、基板１１０及び基板１１０の第１面１１１側に位置する第１電極層１２０と、第１電極層１２０上に位置する第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３と、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３上に位置する第２電極層１４１と、を備えていてもよい。以下の説明において、第１電極層１２０が形成されている基板１１０のことを電極基板１０５とも称する。図１Ａにおいて点線で示すように、第１電極層１２０は、平面視において第１配列方向Ｆ１及び第２配列方向Ｆ２に沿って並んでいてもよい。図１Ａに示すように、第２配列方向Ｆ２は、第１配列方向Ｆ１に直交する方向であってもよく、図示はしないが、第２配列方向Ｆ２は第１配列方向Ｆ１に直交していなくてもよい。
図１Ｂに示すように、有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極層１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極層１２０の端部に重なっていてもよい。この場合、図１Ａにおいて符号１２０が付された点線は、第１電極層１２０のうち絶縁層１６０と重なっていない領域の外縁を示している。図１Ａに示すように、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３は、平面視において第１電極層１２０を囲うように広がっていてもよい。
基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。基板１１０は、例えばガラスを含む。
第１電極層１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極層１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の無機材料などを含む。第１電極層１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。
第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３は、有機半導体材料を含む層である。有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３はそれぞれ、発光層であってもよい。例えば、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３はそれぞれ、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層であってもよい。図１Ａに示すように、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３は、同一種類の有機層が第１配列方向Ｆ１及び第２配列方向Ｆ２において隣り合わないように配列されていてもよい。例えば、２つの第１有機層１３１の間に第２有機層１３２が位置し、且つ２つの第３有機層１３３の間に第２有機層１３２が位置するよう、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３が第１配列方向Ｆ１及び第２配列方向Ｆ２に配列されていてもよい。
第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３はそれぞれ、対応するマスクが設置されている蒸着室において、マスクの貫通孔を介して蒸着材料を電極基板１０５に付着させることによって形成されてもよい。以下の説明において、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３などの、マスクの貫通孔を介して電極基板１０５上に形成される層のことを、第１蒸着層とも称し、符号１３０で示す。１つの第１蒸着層１３０が、有機ＥＬ表示装置の１つの画素などの単位構造を構成していてもよい。
第２電極層１４１は、金属などの、導電性を有する材料を含んでいてもよい。第２電極層１４１を構成する材料の例としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等及びこれらの合金を挙げることができる。
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、第２電極層１４１は、平面視において隣り合う２つの第１蒸着層１３０に跨るように広がっていてもよい。第２電極層１４１は、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３などと同様に蒸着法によって形成されてもよい。以下の説明において、第２電極層１４１などの、有機デバイス１００の複数の単位構造に跨って広がるように蒸着法によって形成される層のことを、第２蒸着層とも称し、符号１４０で示す。
図示はしないが、第２電極層１４１は、隣り合う２つの有機層１３１、１３２、１３３の上に位置する第２電極層１４１の間に隙間があるように形成されていてもよい。このような第２電極層１４１は、第１有機層１３１、第２有機層１３２及び第３有機層１３３と同様に、マスクの貫通孔を介して蒸着材料を電極基板１０５に付着させることによって形成され得る。この場合、第２電極層１４１は第１蒸着層１３０の一種であると言える。
図１Ｂに示すように、有機デバイス１００は、基板１１０の第１面１１１側において有機層１３１、１３２、１３３などの基板１１０上の要素を覆う封止基板１５０を備えていてもよい。封止基板１５０は、有機デバイス１００の外部の水蒸気などが有機デバイス１００の内部に入ることを抑制できる。これにより、有機層１３１、１３２、１３３などが水分に起因して劣化することを抑制できる。封止基板１５０は、例えばガラスを含む。
図示はしないが、有機デバイス１００は、第１電極層１２０と有機層１３１、１３２、１３３との間に位置する正孔注入層や正孔輸送層を備えていてもよい。また、有機デバイス１００は、有機層１３１、１３２、１３３と第２電極層１４１との間に位置する電子輸送層や電子注入層を備えていてもよい。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層は、有機デバイス１００の複数の単位構造に跨って広がるように蒸着法によって形成される第２蒸着層１４０であってもよい。若しくは、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層は、有機層１３１、１３２、１３３と同様に第１蒸着層１３０であってもよい。
有機デバイス１００の製造方法においては、図２に示すような有機デバイス群１０２が作製されてもよい。有機デバイス群１０２は、２つ以上の有機デバイス１００を含む。例えば、有機デバイス群１０２は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並ぶ有機デバイス１００を含んでいてもよい。２つ以上の有機デバイス１００は、共通の１枚の基板１１０を備えていてもよい。例えば、有機デバイス群１０２は、１枚の基板１１０の上に位置し、２つ以上の有機デバイス１００を構成する第１電極層１２０、第１有機層１３１、第２有機層１３２、第３有機層１３３、第２電極層１４１などの層を含んでいてもよい。有機デバイス群１０２を分割することにより、１つの有機デバイス１００が得られる。
第１方向Ｄ１は、後述するように、マスク５０，５０Ａが延びる方向であってもよい。第２方向Ｄ２には、後述するように、２つ以上のマスク５０，５０Ａが並ぶ方向であってもよい。
第１方向Ｄ１における有機デバイス１００の寸法Ａ１は、例えば、２０ｍｍ以上でもよく、３０ｍｍ以上でもよく、５０ｍｍ以上でもよい。寸法Ａ１は、例えば、１００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以下でもよい。寸法Ａ１の範囲は、２０ｍｍ、３０ｍｍ及び５０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１００ｍｍ、２００ｍｍ及び３００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ａ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよい。
第２方向Ｄ２における有機デバイス１００の寸法Ａ２は、例えば、２０ｍｍ以上でもよく、３０ｍｍ以上でもよく、５０ｍｍ以上でもよい。寸法Ａ２は、例えば、１００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以下でもよい。寸法Ａ２の範囲は、２０ｍｍ、３０ｍｍ及び５０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１００ｍｍ、２００ｍｍ及び３００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ａ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ａ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよい。
次に、有機デバイス１００を製造する製造装置１について説明する。図３は、製造装置１の一例を示す平面図である。
製造装置１は、真空雰囲気でマスクの貫通孔を介して材料を電極基板１０５に蒸着させて第１蒸着層１３０を形成する蒸着室を備えていてもよい。例えば図３に示すように、製造装置１の蒸着室は、第１有機層１３１を形成するための第１１蒸着室１１、第２有機層１３２を形成するための第１２蒸着室１２、第３有機層１３３を形成するための第１３蒸着室１３を備えていてもよい。以下の説明において、マスクの貫通孔を介して材料を電極基板１０５に蒸着させて第１蒸着層１３０を形成する蒸着室のことを第１蒸着室と称し、符号１０で示す。
また、製造装置１は、真空雰囲気で材料を電極基板１０５に蒸着させて第２蒸着層１４０を形成する蒸着室を備えていてもよい。例えば図３に示すように、製造装置１の蒸着室は、正孔注入層を形成するための第２１蒸着室２１、正孔輸送層を形成するための第２２蒸着室２２、電子輸送層を形成するための第２３蒸着室２３、電子注入層を形成するための第２４蒸着室２４、第２電極層１４１を形成するための第２５蒸着室２５を備えていてもよい。以下の説明において、第２蒸着層１４０を形成する蒸着室のことを第２蒸着室と称し、符号２０で示す。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、第２電極層１４１などが有機層１３１、１３２、１３３と同様に第１蒸着層１３０である場合、これらの層を形成するための蒸着室は、マスクを用いる第１蒸着室１０であってもよい。
図３に示すように、製造装置１は、電極基板１０５などの基板１１０を製造装置１に搬入する基板搬入室３１を備えていてもよい。また、製造装置１は、電極基板１０５に洗浄などの前処理を施す基板前処理室３２を備えていてもよい。また、製造装置１は、第１蒸着室１０で用いられるマスクを含むマスク装置が保管されるマスクストック室３３を備えていてもよい。また、製造装置１は、封止基板１５０を基板１１０に組み合わせる封止室３４を備えていてもよい。また、製造装置１は、基板１１０を搬出する基板搬出室３５を備えていてもよい。
製造装置１の内部において、基板１１０は、ロボットアームなどの基板移送装置によって蒸着室などの室の間を移動されてもよい。
次に、第１蒸着室１０について説明する。図４は、第１蒸着室１０の一例を示す縦断面図である。
図４に示すように、第１蒸着室１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置１５を備えていてもよい。また、第１蒸着室１０は、第１蒸着室１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、有機発光材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置１５は、るつぼ６と対向するよう配置されている。
図４に示すように、マスク装置１５は、少なくとも１つのマスク５０を備える。マスク装置１５は、マスク５０を支持するマスク支持体４０を備えていてもよい。マスク支持体４０は、開口４３を含む枠４１を備えていてもよい。マスク５０は、平面視において開口４３を横切るように枠４１に固定されていてもよい。また、枠４１は、マスク５０が撓むことを抑制するように、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。マスクフレームのことを、枠とも称する。
マスク装置１５は、図４に示すように、蒸着材料７を付着させる対象物である基板１１０にマスク５０が対面するよう、第１蒸着室１０内に配置されている。マスク５０は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる複数の貫通孔５６を含む。以下の説明において、マスク５０の面のうち、基板１１０の側に位置する面を第１面５５１と称し、第１面５５１の反対側に位置する面を第２面５５２と称する。また、基板１１０の面のうち、マスク装置１５の側に位置する面を第１面１１１と称し、第１面１１１の反対側に位置する面を第２面１１２と称する。
第１蒸着室１０は、図４に示すように、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えていてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。また、基板ホルダ２は、基板１１０の面方向において移動可能であってもよい。また、基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御するよう構成されていてもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含み、各チャックは、基板１１０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。
第１蒸着室１０は、図４に示すように、マスク装置１５を保持するマスクホルダ３を備えていてもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の厚み方向において移動可能であってもよい。また、マスクホルダ３は、マスク５０の面方向において移動可能であってもよい。また、マスクホルダ３は、マスク５０の傾きを制御するよう構成されていてもよい。例えば、マスクホルダ３は、枠４１の外縁に取り付けられた複数のチャックを含み、各チャックは、マスク５０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。
基板ホルダ２又はマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク装置１５のマスク５０の位置を調整できる。
第１蒸着室１０は、図４に示すように、基板１１０の面のうちマスク装置１５とは反対側の面である第２面１１２側に配置されている冷却板４を備えていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制できる。
第１蒸着室１０は、図４に示すように、基板１１０の面のうちマスク装置１５とは反対側の面である第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。磁石５は、図４に示すように、冷却板４の面のうちマスク装置１５とは反対の側の面に配置されていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク装置１５のマスク５０を基板１１０側に引き寄せることができる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができ、第１蒸着層１３０の寸法精度や位置精度を高めることができる。本願において、シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって第１蒸着層１３０の厚みが不均一になる現象のことである。また、静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク５０を基板１１０側に引き寄せてもよい。
図５は、マスク装置１５をマスク５０の第１面５５１側から見た場合を示す平面図である。図５に示すように、マスク装置１５は、複数のマスク５０を備えていてもよい。本実施の形態において、各マスク５０の形状は、第１方向Ｄ１に延びる矩形であってもよい。マスク装置１５において、複数のマスク５０は、マスク５０の長手方向である第１方向Ｄ１に交差する方向に並んでいる。図５に示すように、複数のマスク５０は、マスク５０の長手方向に直交するマスク５０の幅方向である第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。各マスク５０は、マスク５０の長手方向の両端部において、例えば溶接によって枠４１に固定されていてもよい。
枠４１は、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１領域４１１と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２領域４１２と、を含む矩形の輪郭を有していてもよい。第１領域のことを第１辺とも称し、第２領域のことを第２辺とも称する。図５に示すように、マスク５０の耳部５１が固定されている第２辺４１２が、第１辺４１１よりも長くてもよい。
マスク装置１５は、枠４１に固定され、マスク５０の厚み方向においてマスク５０に部分的に重なる部材を備えていてもよい。例えば、マスク装置１５は、図５に示すように、マスク５０を下方から支持する支持部材４２を備えていてもよい。支持部材４２は、マスク５０に接していてもよい。若しくは、支持部材４２は、その他の部材を介してマスク５０を間接的に下方から支持していてもよい。図示はしないが、マスク装置１５は、枠４１に固定され、隣り合う２つのマスク５０の間の隙間に重なる部材を備えていてもよい。支持部材などの、開口４３に位置し、枠４１に接続されている部材のことを、桟とも称する。図５に示す例において、桟４２は、第１辺４１１に接続された第１桟４２１を含む。第１桟４２１は、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に延びている。
図５に示すように、マスク５０は、枠４１に重なっている一対の耳部５１と、耳部５１の間に位置する中間部５２と、を有していてもよい。耳部のことを、端部とも称する。中間部５２は、少なくとも１つの有効領域５３と、有効領域５３の周囲に位置する周囲領域５４と、を有していてもよい。図５に示す例において、中間部５２は、第１方向Ｄ１に沿って所定の間隔を空けて配列された複数の有効領域５３を含む。周囲領域５４は、複数の有効領域５３を囲んでいる。
図６は、マスク５０の中間部５２の一例を示す平面図である。中間部５２の有効領域５３は、複数の貫通孔５６を含んでいてもよい。中間部５２の各貫通孔５６を透過して基板１１０に付着した蒸着材料が、基板１１０上の第１蒸着層１３０を構成してもよい。この場合、有効領域５３は、平面視において、第１蒸着層１３０に対応する周期で規則的に並ぶ貫通孔５６の群を含む。
図６に示すように、周囲領域５４は、貫通孔５６を含んでいなくてもよい。図示はしないが、周囲領域５４は、貫通孔５６を含んでいてもよい。この場合、周囲領域５４に位置する貫通孔５６は、平面視において周期的に並んでいなくてもよい。周囲領域５４に位置する貫通孔５６は、第１蒸着層１３０に対応しない周期で規則的に並んでいてもよい。
マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つの有効領域５３は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に対応する。このため、図５に示すマスク装置１５によれば、有機ＥＬ表示装置の多面付蒸着が可能である。なお、１つの有効領域５３が複数の表示領域に対応する場合もある。また、図示はしないが、マスク５０の幅方向においても所定の間隔を空けて複数の有効領域５３が配列されていてもよい。
有効領域５３は、平面視において矩形の輪郭を有してもよい。また、有効領域５３は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有していてもよい。例えば、有効領域５３は、円形の輪郭を有していてもよい。
図７は、マスク５０の一例を示す断面図である。図７に示すように、マスク５０は、金属板５５と、金属板５５の第１面５５１から第２面５５２へ貫通する貫通孔５６と、を備える。貫通孔５６は、金属板５５の第１面５５１側に位置する第１凹部５６１と、第２面５５２側に位置し、第１凹部５６１に接続されている第２凹部５６２と、を含んでいてもよい。第２凹部５６２は、平面視において第１凹部５６１の寸法ｒ１よりも大きい寸法ｒ２を有していてもよい。第１凹部５６１及び第２凹部５６２は、金属板５５を第１面５５１側及び第２面５５２側からエッチングやレーザーなどによって加工することによって形成され得る。
第１凹部５６１と第２凹部５６２とは、周状の接続部５６３を介して接続されている。接続部５６３は、マスク５０の平面視において貫通孔５６の開口面積が最小になる貫通部５６４を画成していてもよい。
貫通部５６４の寸法ｒは、例えば、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、２５μｍ以上であってもよい。また、貫通部５６４の寸法ｒは、例えば、４０μｍ以下であってもよく、４５μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、５５μｍ以下であってもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ及び２５μｍからなる第１グループ、及び／又は、４０μｍ、４５μｍ、５０μｍ及び５５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５６４の寸法ｒの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、４５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、４５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上５５μｍ以下であってもよい。
貫通部５６４の寸法ｒは、貫通孔５６を透過する光によって画定され得る。例えば、マスク５０の法線方向に沿って平行光をマスク５０の第１面５５１又は第２面５５２の一方に入射させ、貫通孔５６を透過させて第１面５５１又は第２面５５２の他方から出射させる。そして、出射した光がマスク５０の面方向において占める領域の寸法を、貫通部５６４の寸法ｒとして採用する。
なお、図７においては、隣り合う二つの第２凹部５６２の間に金属板５５の第２面５５２が残存している例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、隣り合う２つの第２凹部５６２が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。すなわち、隣り合う２つの第２凹部５６２の間に、金属板５５の第２面５５２が残存していない場所が存在していてもよい。
次に、マスク装置１５のマスク５０及び枠４１の材料について説明する。マスク５０および枠４１の主要な材料としては、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の金属板５５の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で２８質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。これにより、マスク５０及び枠４１の熱膨張係数と、ガラスを含む基板１１０の熱膨張係数との差を小さくできる。このため、基板１１０上に形成される第１蒸着層１３０の寸法精度や位置精度が、マスク５０、枠４１、基板１１０などの熱膨張に起因して低下することを抑制できる。
金属板５５におけるニッケル及びコバルトの含有量は、合計で２８質量％以上且つ３８質量％以下であってもよい。この場合、ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、インバー材、スーパーインバー材、ウルトラインバー材などを挙げることができる。インバー材は、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。スーパーインバー材は、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルと、コバルトと、残部の鉄及び不可避の不純物と含む鉄合金である。ウルトラインバー材は、２８質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルと、２質量％以上且つ７質量％以下のコバルトと、０．１質量％以上且つ１．０質量％以下のマンガンと、０．１０質量％以下のシリコンと、０．０１質量％以下の炭素と、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。
金属板５５におけるニッケル及びコバルトの含有量は、合計で３８質量％以上且つ５４質量％以下であってもよい。この場合、ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金は、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルと、残部の鉄及び不可避の不純物とを含む鉄合金である。
なお蒸着処理の際に、マスク５０、枠４１および基板１１０の温度が高温には達しない場合は、マスク５０および枠４１の熱膨張係数を、基板１１０の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、マスク５０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。
マスク５０の金属板５５の厚みＴは、例えば、８μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１３μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。また、金属板５５の厚みＴは、例えば、２０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよい。金属板５５の厚みＴの範囲は、８μｍ、１０μｍ、１３μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。金属板５５の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。金属板５５の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。金属板５５の厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、８μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１３μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
金属板５５の厚みＴを５０μｍ以下にすることにより、蒸着材料７のうち、貫通孔５６を通過する前に貫通孔５６の壁面に引っ掛かる蒸着材料７の比率を小さくできる。これにより、蒸着材料７の利用効率を高めることができる。また、金属板５５の厚みＴを８μｍ以上にすることにより、マスク５０の強度を確保し、マスク５０に損傷や変形が生じることを抑制できる。
金属板５５の厚みを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用する。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いる。
次に、製造装置１を用いて有機デバイス１００を製造する方法の一例について説明する。
まず、第１電極層１２０及び絶縁層１６０が形成されている基板１１０を、基板搬入室３１を介して製造装置１の内部に搬入する。続いて、基板前処理室３２においてドライ洗浄などの前処理を基板１１０に施してもよい。ドライ洗浄は、例えば、紫外線照射処理、プラズマ処理などである。また、第２１蒸着室２１において第１電極層１２０上に正孔注入層を形成してもよい。また、第２２蒸着室２２において正孔注入層上に正孔輸送層を形成してもよい。
続いて、第１有機層１３１を形成する蒸着工程を第１１蒸着室１１において実施する。まず、第１有機層１３１に対応するマスク５０を含むマスク装置１５を準備する。続いて、マスクホルダ３を用いてマスク装置１５を蒸着源６の上方に設置する。
また、基板ホルダ２を用いて基板１１０をマスク装置１５のマスク５０に対向させる。また、基板ホルダ２を基板１１０の面方向において移動させて、マスク５０に対する基板１１０の位置を調整する。例えば、マスク５０又は枠４１のアライメントマークと基板１１０のアライメントマークとが重なるように基板１１０を面方向において移動させる。面方向における基板１１０の位置の調整の際、基板１１０の第１面１１１はマスク５０の第１面５５１に接触していなくてもよい。その場合、面方向における基板１１０の位置の調整を行った後、基板１１０の厚み方向において基板ホルダ２を移動させることにより、基板１１０の第１面１１１をマスク５０の第１面５５１に接触させる。
続いて、冷却板４を基板１１０に向けて移動させて、冷却板４を基板１１０の第２面１１２側に配置する工程を実施してもよい。また、磁石５を基板１１０の第２面１１２側に配置する工程を実施してもよい。これにより、磁力によってマスク５０を基板１１０側に引き寄せることができる。
続いて、蒸着材料７を蒸発させて基板１１０へ飛来させる。蒸着材料７のうちマスク５０の貫通孔５６を通り抜けた一部が、貫通孔５６に対応したパターンで基板１１０に付着する。これによって、基板１１０に第１有機層１３１を形成できる。
続いて、第２有機層１３２を形成する蒸着工程を第１２蒸着室１２において実施してもよい。また、第３有機層１３３を形成する蒸着工程を第１３蒸着室１３において実施してもよい。第２有機層１３２や第３有機層１３３の蒸着工程は、上述の第１有機層１３１の蒸着工程と同様であるので、説明を省略する。
続いて、第２３蒸着室２３において有機層１３１、１３２、１３３上に電子輸送層を形成してもよい。また、第２４蒸着室２４において電子輸送層上に電子注入層を形成してもよい。
続いて、第２５蒸着室２５において第２電極層１４１を形成する。続いて、封止室３４において封止基板１５０を基板１１０に組み合わせる封止工程を実施する。その後、基板搬出室３５を介して基板１１０を製造装置１から外部に搬出する。このようにして、有機デバイス１００を製造できる。
その後、有機デバイス１００の検査工程を実施してもよい。例えば、有機デバイス１００の第１電極層１２０と第２電極層１４１との間に電圧を印加することにより、有機層１３１、１３２、１３３などの層が適切に形成されているか否かを検査できる。例えば、有機層１３１、１３２、１３３が発光層である場合、有機層１３１、１３２、１３３を含む各画素が適切に発光するか否かに基づいて、有機デバイス１００が良品か否かを判定できる。
有機デバイス１００が所望の仕様を満たさない場合、原因を調べることが求められる。有機デバイス１００の製造工程において有機デバイス１００の良否に影響を及ぼし得る要因としては、例えば以下のものが考えられる。
（１）基板１１０上の第１電極層１２０の位置の正確性
（２）マスク装置１５のマスク５０の貫通孔５６の位置の正確性
（３）マスク装置１５と電極基板１０５の相対的な位置の正確性
（４）蒸着工程の際の基板１１０の熱膨張
（５）蒸着工程の際のマスク装置１５の熱膨張
（６）基板１１０に生じている反りなどの変形
（７）マスク装置１５に生じている反りなどの変形
（１）、（４）、及び（６）は、基板１１０及び第１電極層１２０を含む電極基板１０５の特性に基づく要因である。（２）、（５）、及び（７）は、マスク装置１５の特性に基づく要因である。（３）における、マスク装置１５と電極基板１０５の相対的な位置は、製造装置１の第１蒸着室１０において基板ホルダ２を移動させることなどによって調整される。従って、（３）は、第１蒸着室１０の特性に基づく要因であると言える。
本実施の形態においては、標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａを用いて製造装置１の第１蒸着室１０において蒸着工程を実施し、第１蒸着層１３０が適切に形成されているか否かを検査することを提案する。具体的には、図８に示すように、第１蒸着室１０において標準マスク装置１５Ａの標準マスク５０Ａの貫通孔５６を介して材料を標準基板６０に蒸着させて第１蒸着層１３０を形成し、第１蒸着層１３０の位置及び寸法が適切か否かを検査する。
標準基板６０は、基板１１０と、第１蒸着層１３０の位置及び寸法の精度を検証するためのパターンと、を含む。標準マスク装置１５Ａは、枠４１と、枠４１によって保持されている標準マスク５０Ａと、を含む。標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａとしては、蒸着工程において適切に機能することが保証されているものを用いる。例えば、検査対象の第１蒸着室１０とは別の第１蒸着室１０において適切な第１蒸着層１３０を形成した実績のある標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａを用いる。これにより、標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａに起因して第１蒸着層１３０の位置又は寸法の不良が生じる可能性を低減できる。例えば、上記の要因（１）〜（７）のうちの（１）、（４）、及び（６）並びに（２）、（５）、及び（７）を無視できる状況を生じさせることができる。従って、標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａを用いて蒸着工程を実施することにより、製造装置１に含まれる各第１蒸着室１０の特性を個別に評価できる。
次に、標準基板６０について具体的に説明する。図９Ａは、標準基板６０の一例を示す平面図である。なお、標準基板６０の構成要素のうち電極基板１０５と同一の部分には同一の符号を付して詳細な説明を省略することもある。
標準基板６０は、基板１１０と、基板１１０の第１面１１１に位置する標準マーク領域６２と、を含んでいてもよい。図９Ａにおいて、符号５０Ａは、標準基板６０と標準マスク装置１５Ａとを組み合わせた場合の標準マスク５０Ａの輪郭を示している。標準基板６０は、標準マスク５０Ａが延びる方向である第１方向Ｄ１に並ぶ２以上の標準マーク領域６２を含んでいてもよい。
図９Ａに示すように、標準マーク領域６２は、基板１１０の広域にわたって配置されていることが好ましい。図９Ａにおいて、符号Ｒ１が付された一点鎖線で囲まれている領域は、基板１１０のうち標準マーク領域６２が存在している範囲を表している。標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に延びる辺を含み、標準マーク領域６２に接する最大の矩形によって定められる。基板１１０の面積に対する標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の面積の比率が大きいほど、第１蒸着室１０の特性をより広域にわたって評価できる。
基板１１０の面積に対する標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の面積の比率は、例えば、０．５０以上であってもよく、０．７０以上であってもよく、０．７５以上であってもよく、０．８０以上であってもよい。また、基板１１０の面積に対する標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の面積の比率は、例えば、０．８５以下であってもよく、０．９０以下であってもよく、０．９５以下であってもよく、０．９８以下であってもよい。基板１１０の面積に対する標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の面積の比率の範囲は、０．５０、０．７０、０．７５及び０．８０からなる第１グループ、及び／又は、０．８５、０．９０、０．９５及び０．９８からなる第２グループによって定められてもよい。基板１１０の面積に対する標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の面積の比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。基板１１０の面積に対する標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の面積の比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。基板１１０の面積に対する標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の面積の比率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．５０以上０．９８以下であってもよく、０．５０以上０．９５以下であってもよく、０．５０以上０．９０以下であってもよく、０．５０以上０．８５以下であってもよく、０．５０以上０．８０以下であってもよく、０．５０以上０．７５以下であってもよく、０．５０以上０．７０以下であってもよく、０．７０以上０．９８以下であってもよく、０．７０以上０．９５以下であってもよく、０．７０以上０．９０以下であってもよく、０．７０以上０．８５以下であってもよく、０．７０以上０．８０以下であってもよく、０．７０以上０．７５以下であってもよく、０．７５以上０．９８以下であってもよく、０．７５以上０．９５以下であってもよく、０．７５以上０．９０以下であってもよく、０．７５以上０．８５以下であってもよく、０．７５以上０．８０以下であってもよく、０．８０以上０．９８以下であってもよく、０．８０以上０．９５以下であってもよく、０．８０以上０．９０以下であってもよく、０．８０以上０．８５以下であってもよく、０．８５以上０．９８以下であってもよく、０．８５以上０．９５以下であってもよく、０．８５以上０．９０以下であってもよく、０．９０以上０．９８以下であってもよく、０．９０以上０．９５以下であってもよく、０．９５以上０．９８以下であってもよい。
図９Ａに示すように、標準基板６０は、アライメントマーク６８を含んでいてもよい。アライメントマーク６８は、標準マスク装置１５Ａに対する標準基板６０の基板１１０の位置を調整するために用いられ得る。標準基板６０のアライメントマーク６８は、標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１の外側に位置していてもよい。
図９Ｂは、標準基板６０とデバイス空間１０３との関係の一例を示す平面図である。デバイス空間１０３は、マスク５０の第１面５５１の法線方向において、第１蒸着室１０において製造される有機デバイス１００に重なる空間である。図９Ｂにおいて、符号１０３が付された点線は、標準基板６０上に投影されたデバイス空間１０３の輪郭を表す。
図９Ｂに示すように、標準マーク領域６２がデバイス空間１０３に位置していてもよい。これにより、デバイス空間１０３における第１蒸着室１０の特性を評価できる。
図９Ｂにおいて、符号Ｖ１は、第１方向Ｄ１における２つの標準マーク領域６２の間の間隔（以下、第１間隔とも称する）を表す。第１間隔Ｖ１は、第１方向Ｄ１における有機デバイス１００の寸法Ａ１よりも小さくてもよい。例えば、寸法Ａ１に対する第１間隔Ｖ１の比率であるＶ１／Ａ１は、０．９以下でもよく、０．８以下でもよく、０．７以下でもよい。これにより、第１方向Ｄ１において標準マーク領域６２がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。
第１間隔Ｖ１は、例えば、１０ｍｍ以上でもよく、１５ｍｍ以上でもよく、２５ｍｍ以上でもよい。第１間隔Ｖ１は、例えば、５０ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以下でもよい。第１間隔Ｖ１の範囲は、１０ｍｍ、１５ｍｍ及び２５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、５０ｍｍ、１００ｍｍ及び１５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１間隔Ｖ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１間隔Ｖ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１間隔Ｖ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよい。
図９Ｂにおいて、符号Ｕ１は、第１方向Ｄ１における標準マーク領域６２の寸法（以下、第１寸法とも称する）を表す。第１間隔Ｖ１に対する第１寸法Ｕ１の比率が一定値以上であることが好ましい。これにより、第１方向Ｄ１において標準マーク領域６２がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。
第１間隔Ｖ１に対する第１寸法Ｕ１の比率であるＵ１／Ｖ１は、例えば、０．００５以上でもよく、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。Ｕ１／Ｖ１は、例えば、０．５以下でもよく、０．６以下でもよく、０．８以下でもよく、１．０以下でもよい。Ｕ１／Ｖ１の範囲は、０．００５、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．６、０．８及び１．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｕ１／Ｖ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ１／Ｖ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ１／Ｖ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．００５以上１．０以下でもよく、０．００５以上０．８以下でもよく、０．００５以上０．６以下でもよく、０．００５以上０．５以下でもよく、０．００５以上０．３以下でもよく、０．００５以上０．２以下でもよく、０．００５以上０．１以下でもよく、０．１以上１．０以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上１．０以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上１．０以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上１．０以下でもよく、０．５以上０．８以下でもよく、０．５以上０．６以下でもよく、０．６以上１．０以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．０以下でもよい。
図９Ｂにおいて、符号Ｖ２は、第２方向Ｄ２における２つの標準マーク領域６２の間の間隔（以下、第２間隔とも称する）を表す。第２間隔Ｖ２は、第２方向Ｄ２における有機デバイス１００の寸法Ａ２よりも小さくてもよい。例えば、寸法Ａ２に対する第２間隔Ｖ２の比率であるＶ２／Ａ２は、０．９以下でもよく、０．８以下でもよく、０．７以下でもよい。これにより、第２方向Ｄ２において標準マーク領域６２がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。
第２間隔Ｖ２は、例えば、１０ｍｍ以上でもよく、１５ｍｍ以上でもよく、２５ｍｍ以上でもよい。第２間隔Ｖ２は、例えば、５０ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以下でもよい。第２間隔Ｖ２の範囲は、１０ｍｍ、１５ｍｍ及び２５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、５０ｍｍ、１００ｍｍ及び１５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２間隔Ｖ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２間隔Ｖ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２間隔Ｖ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよい。
図９Ｂにおいて、符号Ｕ２は、第２方向Ｄ２における標準マーク領域６２の寸法（以下、第２寸法とも称する）を表す。第２間隔Ｖ２に対する第２寸法Ｕ２の比率が一定値以上であることが好ましい。これにより、第２方向Ｄ２において標準マーク領域６２がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。
第２間隔Ｖ２に対する第２寸法Ｕ２の比率であるＵ２／Ｖ２は、例えば、０．００５以上でもよく、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。Ｕ２／Ｖ２は、例えば、０．５以下でもよく、０．６以下でもよく、０．８以下でもよく、１．０以下でもよい。Ｕ２／Ｖ２の範囲は、０．００５、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．６、０．８及び１．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｕ２／Ｖ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ２／Ｖ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ２／Ｖ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．００５以上１．０以下でもよく、０．００５以上０．８以下でもよく、０．００５以上０．６以下でもよく、０．００５以上０．５以下でもよく、０．００５以上０．３以下でもよく、０．００５以上０．２以下でもよく、０．００５以上０．１以下でもよく、０．１以上１．０以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上１．０以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上１．０以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上１．０以下でもよく、０．５以上０．８以下でもよく、０．５以上０．６以下でもよく、０．６以上１．０以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．０以下でもよい。
基板１１０は、ガラスなどの絶縁体を含んでいてもよい。基板１１０の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上であってもよく、０．３ｍｍ以上であってもよく、０．４ｍｍ以上であってもよく、０．５ｍｍ以上であってもよい。また、基板１１０の厚みは、例えば、０．６ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよい。基板１１０の厚みの範囲は、０．１ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ及び０．５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、０．６ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍ及び２．０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。基板１１０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。基板１１０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。基板１１０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であってもよく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよい。
図１０は、図９Ａの標準基板６０のうち符号Xが付された一点鎖線で囲まれている領域を拡大して示す平面図である。標準マーク領域６２は、少なくとも１つの標準マーク６３を含む。標準マーク６３は、蒸着工程において第１蒸着層１３０が形成されるべき領域を示すマークである。図１０に示すように、標準マーク領域６２は、複数の標準マーク６３を含んでいてもよい。また、複数の標準マーク６３は、一定の間隔で周期的に並んでいてもよい。例えば図１０に示すように、標準マーク６３は、一つの方向において配列周期Ｐ１で並び、他の方向において配列周期Ｐ２で並んでいてもよい。配列周期Ｐ１の方向は、標準マスク５０Ａの長手方向である第１方向Ｄ１であってもよい。また、配列周期Ｐ２の方向は、標準マスク５０Ａの幅方向である第２方向Ｄ２であってもよい。
配列周期Ｐ１、Ｐ２などの標準マーク６３の配列周期は、有機デバイス１００の製造で用いられるマスク５０の貫通孔５６の配列周期と同一であってもよい。標準マーク６３の配列周期は、例えば、３０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよく、７０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよい。また、標準マーク６３の配列周期は、例えば、１５０μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以下であってもよく、４００μｍ以下であってもよい。標準マーク６３の配列周期の範囲は、３０μｍ、５０μｍ、７０μｍ及び１００μｍからなる第１グループ、及び／又は、１５０μｍ、２００μｍ、３００μｍ及び４００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。標準マーク６３の配列周期の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。標準マーク６３の配列周期の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。標準マーク６３の配列周期の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３０μｍ以上４００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上７０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上４００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上７０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上４００μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上４００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上４００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上４００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上４００μｍ以下であってもよい。
図１０に示すように、上述の第１寸法Ｕ１は、標準マーク６３の群が位置している領域の、第１方向Ｄ１における寸法であってもよい。上述の第１間隔Ｖ１は、２つの標準マーク６３の群の間の、第１方向Ｄ１における間隔であってもよい。上述の第２寸法Ｕ２は、標準マーク６３の群が位置している領域の、第２方向Ｄ２における寸法であってもよい。上述の第２間隔Ｖ２は、２つの標準マーク６３の群の間の、第２方向Ｄ２における間隔であってもよい。
図１０に示すように、標準マーク６３は、第１マーク６４を含んでいてもよい。第１マーク６４は、第１蒸着層１３０が形成されるべき領域の外縁を示している。平面視における第１マーク６４の外縁は、標準マスク５０Ａの貫通孔５６に対応する形状を有していてもよい。例えば、平面視における第１マーク６４の外縁は、四角形、円形などを有していてもよい。
図１０に示すように、標準マーク６３は、第１マーク６４よりも内側に位置する第２マーク６５を含んでいてもよい。第２マーク６５は、許容される第１蒸着層１３０の最小寸法を示している。第２マーク６５、第１マーク６４と相似の形状を有していてもよい。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、標準マーク６３の一例を拡大して示す平面図及び断面図である。第１マーク６４の形状は、第１の幅Ｗ１を有する線状の要素によって画定されていてもよい。同様に、第２マーク６５の形状も、第２の幅Ｗ２を有する線状の要素によって画定されていてもよい。第１の幅Ｗ１と第２の幅Ｗ２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
図１１Ａ及び図１１Ｂにおいて、符号Ｍ３は、標準マーク６３が並ぶ方向における第２マーク６５の寸法を表す。また、符号Ｍ４は、平面視における第１マーク６４の第１外縁６４１と第２マーク６５の第２外縁６５１との間の最短距離を表す。標準マーク６３の寸法Ｍ３は、図１Ｂに示す、第１電極層１２０のうち絶縁層１６０と重なっていない領域の寸法Ｍ１に対応していてもよい。また、最短距離Ｍ４は、図１Ｂに示す、第１蒸着層１３０の配列方向における絶縁層１６０の寸法Ｍ２に対応していてもよい。
図１Ｂの寸法Ｍ２は、例えば、第１蒸着層１３０の位置ずれの許容値に基づいて決定されている。有機デバイス１００の画素密度が一定である場合、寸法Ｍ２が小さいほど、第１電極層１２０や第１蒸着層１３０の面積を大きくできる。これにより、有機デバイス１００の駆動効率を高くすることができ、有機デバイス１００の寿命を長くできる。
図１１Ａ及び図１１Ｂの最短距離Ｍ４は、有機デバイス１００の製造工程の全体で生じ得る第１蒸着層１３０の位置ずれの許容値に基づいて決定されてもよい。若しくは、最短距離Ｍ４は、第１蒸着室１０の蒸着工程に起因する第１蒸着層１３０の位置ずれの許容値に基づいて決定されてもよい。最短距離Ｍ４は、例えば、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよく、１．５μｍ以上であってもよく、２．０μｍ以上であってもよい。また、最短距離Ｍ４は、例えば、３．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以下であってもよく、７．０μｍ以下であってもよく、９．０μｍ以下であってもよい。最短距離Ｍ４の範囲は、０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ及び２．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、３．０μｍ、５．０μｍ、７．０μｍ及び９．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。最短距離Ｍ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。最短距離Ｍ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。最短距離Ｍ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．５μｍ以上９．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上７．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上９．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上７．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以上１．５μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上９．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上７．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上２．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上９．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上７．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上３．０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以上９．０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以上７．０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以上９．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以上７．０μｍ以下であってもよく、７．０μｍ以上９．０μｍ以下であってもよい。
図１２は、標準マーク領域６２のその他の例を示す平面図である。図１２に示すように、標準マーク領域６２は、標準マーク６３を１つのみ含んでいてもよい。例えば、標準マーク領域６２は、１つの第１マーク６４と、第１マーク６４よりも内側に位置する１つの第２マーク６５と、を含んでいてもよい。
図１２において、符号１３０が付された要素は、標準マスク５０Ａを用いる蒸着工程によって標準基板６０に形成される第１蒸着層を表す。図１２に示すように、１つの標準マーク６３の内側に２以上の第１蒸着層１３０が位置してもよい。すなわち、１つの標準マーク６３の領域に２以上の貫通孔５６が重なるよう、標準マスク５０Ａが構成されてもよい。図示はしないが、標準マーク領域６２が２以上の標準マーク６３を含む形態においても、１つの標準マーク６３の領域に２以上の貫通孔５６が重なるよう、標準マスク５０Ａが構成されてもよい。
標準マーク６３と第１蒸着層１３０との位置関係を観察できる限りにおいて、標準マーク６３を構成する材料は任意である。例えば、標準マーク６３は、第１電極層１２０や第２電極層１４１と同様に、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の無機材料などの、導電性を有する材料を含んでいてもよい。また、標準マーク６３は、アクリル系樹脂などの樹脂材料を含んでいてもよい。例えば、標準マーク６３は、感光性を有し、レジストとして用いられる樹脂材料を含んでいてもよい。
また、標準マーク６３は、遮光性を有していてもよい。例えば、標準マーク６３は、樹脂材料及び着色材を含んでいてもよい。着色材としては、例えばカーボンブラック、チタンブラックなどを用いることができる。
標準マーク６３が遮光性を有する場合、標準基板６０のうち平面視において標準マーク６３と重なる領域の全光線透過率は、例えば、０％以上であってもよく、１％以上であってもよく、２％以上であってもよく、３％以上であってもよい。また、全光線透過率は、例えば、５％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、２０％以下であってもよく、３０％以下であってもよい。全光線透過率の範囲は、０％、１％、２％及び３％からなる第１グループ、及び／又は、５％、１０％、２０％及び３０％からなる第２グループによって定められてもよい。全光線透過率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。全光線透過率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。全光線透過率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０％以上３０％以下であってもよく、０％以上２０％以下であってもよく、０％以上１０％以下であってもよく、０％以上５％以下であってもよく、０％以上３％以下であってもよく、０％以上２％以下であってもよく、０％以上１％以下であってもよく、１％以上３０％以下であってもよく、１％以上２０％以下であってもよく、１％以上１０％以下であってもよく、１％以上５％以下であってもよく、１％以上３％以下であってもよく、１％以上２％以下であってもよく、２％以上３０％以下であってもよく、２％以上２０％以下であってもよく、２％以上１０％以下であってもよく、２％以上５％以下であってもよく、２％以上３％以下であってもよく、３％以上３０％以下であってもよく、３％以上２０％以下であってもよく、３％以上１０％以下であってもよく、３％以上５％以下であってもよく、５％以上３０％以下であってもよく、５％以上２０％以下であってもよく、５％以上１０％以下であってもよく、１０％以上３０％以下であってもよく、１０％以上２０％以下であってもよく、２０％以上３０％以下であってもよい。全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１：１９９７に準拠した方法により測定される。全光線透過率の測定器としては、オリンパス株式会社 分光器ＯＳＰ-ＳＭＵを用いる。
標準マーク６３の厚みは、有機デバイス１００において第１蒸着層１３０が形成される面から基板１１０の第１面１１１までの距離に対応していることが好ましい。有機デバイス１００において第１蒸着層１３０が形成される面は、例えば正孔輸送層の面である。標準マーク６３の厚み は、例えば、０．０１μｍ以上であってもよく、０．０５μｍ以上であってもよく、０．０８μｍ以上であってもよく、０．１０μｍ以上であってもよい。また、標準マーク６３の厚み は、例えば、０．１５μｍ以下であってもよく、０．２０μｍ以下であってもよく、０．５０μｍ以下であってもよく、１．００μｍ以下であってもよい。標準マーク６３の厚み の範囲は、０．０１μｍ、０．０５μｍ、０．０８μｍ及び０．１０μｍからなる第１グループ、及び／又は、０．１５μｍ、０．２０μｍ、０．５０μｍ及び１．００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。標準マーク６３の厚み の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。標準マーク６３の厚み の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。標準マーク６３の厚み の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．０１μｍ以上１．００μｍ以下であってもよく、０．０１μｍ以上０．５０μｍ以下であってもよく、０．０１μｍ以上０．２０μｍ以下であってもよく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であってもよく、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下であってもよく、０．０１μｍ以上０．０８μｍ以下であってもよく、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上１．００μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上０．２０μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上０．１０μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上０．０８μｍ以下であってもよく、０．０８μｍ以上１．００μｍ以下であってもよく、０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であってもよく、０．０８μｍ以上０．２０μｍ以下であってもよく、０．０８μｍ以上０．１５μｍ以下であってもよく、０．０８μｍ以上０．１０μｍ以下であってもよく、０．１０μｍ以上１．００μｍ以下であってもよく、０．１０μｍ以上０．５０μｍ以下であってもよく、０．１０μｍ以上０．２０μｍ以下であってもよく、０．１０μｍ以上０．１５μｍ以下であってもよく、０．１５μｍ以上１．００μｍ以下であってもよく、０．１５μｍ以上０．５０μｍ以下であってもよく、０．１５μｍ以上０．２０μｍ以下であってもよく、０．２０μｍ以上１．００μｍ以下であってもよく、０．２０μｍ以上０．５０μｍ以下であってもよく、０．５０μｍ以上１．００μｍ以下であってもよい。
次に、標準マスク装置１５Ａについて具体的に説明する。図１３Ａは、標準マスク装置１５Ａの一例を示す平面図である。なお、標準マスク装置１５Ａの構成要素のうちマスク装置１５と同一の部分には同一の符号を付して詳細な説明を省略することもある。
標準マスク装置１５Ａは、少なくとも１つの標準マスク５０Ａを備える。金属板５５と、金属板５５の第１面５５１から第２面５５２へ貫通する貫通孔５６と、を備える。標準マスク装置１５Ａは、標準マスク５０Ａを支持する枠４１を備えていてもよい。枠４１は、標準マスク５０Ａが撓むことを抑制するように、標準マスク５０Ａをその面方向に引っ張った状態で支持する。また、標準マスク５０Ａは、マスク５０と同様に、枠４１に重なっている一対の端部５１と、端部５１の間に位置する中間部５２Ａと、を有していてもよい。
標準マスク装置１５Ａの標準マスク５０Ａは、マスク装置１５のマスク５０と同様に配置されていてもよい。例えば、標準マスク装置１５Ａは、複数の標準マスク５０Ａを備えていてもよい。図１３Ａに示すように、各標準マスク５０Ａの形状は、第１方向Ｄ１に延びる矩形であってもよい。マスク装置１５において、複数の標準マスク５０Ａは、標準マスク５０Ａの長手方向である第１方向Ｄ１に交差する方向に並んでいる。図１３Ａに示すように、複数の標準マスク５０Ａは標準マスク５０Ａの長手方向に直交する標準マスク５０Ａの幅方向である第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。各標準マスク５０Ａは、標準マスク５０Ａの長手方向の両端部において、例えば溶接によって枠４１に固定されていてもよい。
図１３Ａに示すように、標準マスク５０Ａは、第１方向Ｄ１に並ぶ２以上の標準領域５８を含んでいてもよい。標準領域５８は、標準基板６０の標準マーク領域６２の標準マーク６３に対向する貫通孔５６を含んでいてもよい。
図１３Ｂは、標準マスク装置１５Ａとデバイス空間１０３との関係の一例を示す平面図である。図１３Ｂにおいて、符号１０３が付された点線は、標準マスク５０Ａ上に投影されたデバイス空間１０３の輪郭を表す。
図１３Ｂに示すように、標準領域５８がデバイス空間１０３に位置していてもよい。これにより、デバイス空間１０３における第１蒸着室１０の特性を評価できる。
図１３Ｂにおいて、符号Ｖ３は、第１方向Ｄ１における２つの標準領域５８の間の間隔（以下、第３間隔とも称する）を表す。第３間隔Ｖ３は、第１方向Ｄ１における有機デバイス１００の寸法Ａ１よりも小さくてもよい。例えば、寸法Ａ１に対する第３間隔Ｖ３の比率であるＶ３／Ａ１は、０．９以下でもよく、０．８以下でもよく、０．７以下でもよい。これにより、第１方向Ｄ１において標準領域５８がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。図１３Ｂに示すように、第３間隔Ｖ３は、１枚の標準マスク５０Ａに含まれる２つの標準領域５８の間の間隔であってもよい。図示はしないが、第３間隔Ｖ３は、第１の標準マスク５０Ａの標準領域５８と、第１方向Ｄ１において第１の標準マスク５０Ａに隣り合う第２の標準マスク５０Ａの標準領域５８との間の間隔であってもよい。
第３間隔Ｖ３は、例えば、１０ｍｍ以上でもよく、１５ｍｍ以上でもよく、２５ｍｍ以上でもよい。第３間隔Ｖ３は、例えば、５０ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以下でもよい。第３間隔Ｖ３の範囲は、１０ｍｍ、１５ｍｍ及び２５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、５０ｍｍ、１００ｍｍ及び１５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第３間隔Ｖ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３間隔Ｖ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３間隔Ｖ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよい。
図１３Ｂにおいて、符号Ｕ３は、第１方向Ｄ１における標準領域５８の寸法（以下、第３寸法とも称する）を表す。第３間隔Ｖ３に対する第３寸法Ｕ３の比率が一定値以上であることが好ましい。これにより、第１方向Ｄ１において標準領域５８がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。
第３間隔Ｖ３に対する第３寸法Ｕ３の比率であるＵ３／Ｖ３は、例えば、０．００５以上でもよく、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。Ｕ３／Ｖ３は、例えば、０．５以下でもよく、０．６以下でもよく、０．８以下でもよく、１．０以下でもよい。Ｕ３／Ｖ３の範囲は、０．００５、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．６、０．８及び１．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｕ３／Ｖ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ３／Ｖ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ３／Ｖ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．００５以上１．０以下でもよく、０．００５以上０．８以下でもよく、０．００５以上０．６以下でもよく、０．００５以上０．５以下でもよく、０．００５以上０．３以下でもよく、０．００５以上０．２以下でもよく、０．００５以上０．１以下でもよく、０．１以上１．０以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上１．０以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上１．０以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上１．０以下でもよく、０．５以上０．８以下でもよく、０．５以上０．６以下でもよく、０．６以上１．０以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．０以下でもよい。
図１３Ｂにおいて、符号Ｖ４は、第２方向Ｄ２における２つの標準領域５８の間の間隔（以下、第４間隔とも称する）を表す。第４間隔Ｖ４は、第２方向Ｄ２における有機デバイス１００の寸法Ａ２よりも小さくてもよい。例えば、寸法Ａ２に対する第４間隔Ｖ４の比率であるＶ４／Ａ２は、０．９以下でもよく、０．８以下でもよく、０．７以下でもよい。これにより、第２方向Ｄ２において標準領域５８がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。図１３Ｂに示すように、第４間隔Ｖ４は、第１の標準マスク５０Ａの標準領域５８と、第２方向Ｄ２において第１の標準マスク５０Ａに隣り合う第２の標準マスク５０Ａの標準領域５８との間の間隔であってもよい。図示はしないが、第４間隔Ｖ４は、１枚の標準マスク５０Ａに含まれる２つの標準領域５８の間の間隔であってもよい。
第４間隔Ｖ４は、例えば、１０ｍｍ以上でもよく、１５ｍｍ以上でもよく、２５ｍｍ以上でもよい。第４間隔Ｖ４は、例えば、５０ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以下でもよい。第４間隔Ｖ４の範囲は、１０ｍｍ、１５ｍｍ及び２５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、５０ｍｍ、１００ｍｍ及び１５０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第４間隔Ｖ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第４間隔Ｖ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第４間隔Ｖ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよい。
図１３Ｂにおいて、符号Ｕ４は、第２方向Ｄ２における標準領域５８の寸法（以下、第４寸法とも称する）を表す。第４間隔Ｖ４に対する第４寸法Ｕ４の比率が一定値以上であることが好ましい。これにより、第２方向Ｄ２において標準領域５８がデバイス空間１０３に重なりやすくなる。
第４間隔Ｖ４に対する第４寸法Ｕ４の比率であるＵ４／Ｖ４は、例えば、０．００５以上でもよく、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。Ｕ４／Ｖ４は、例えば、０．５以下でもよく、０．６以下でもよく、０．８以下でもよく、１．０以下でもよい。Ｕ４／Ｖ４の範囲は、０．００５、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．６、０．８及び１．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｕ４／Ｖ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ４／Ｖ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｕ４／Ｖ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．００５以上１．０以下でもよく、０．００５以上０．８以下でもよく、０．００５以上０．６以下でもよく、０．００５以上０．５以下でもよく、０．００５以上０．３以下でもよく、０．００５以上０．２以下でもよく、０．００５以上０．１以下でもよく、０．１以上１．０以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上１．０以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上１．０以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上１．０以下でもよく、０．５以上０．８以下でもよく、０．５以上０．６以下でもよく、０．６以上１．０以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．０以下でもよい。
図１４は、図１３Ａの標準マスク５０Ａのうち符号XIVが付された一点鎖線で囲まれている領域を拡大して示す平面図である。標準領域５８は、少なくとも１つの貫通孔５６を含む。図１４に示すように、標準領域５８は、複数の貫通孔５６を含んでいてもよい。また、複数の貫通孔５６は、一定の間隔で周期的に並んでいてもよい。例えば図１４に示すように、貫通孔５６は、一つの方向において配列周期Ｐ３で並び、他の方向において配列周期Ｐ４で並んでいてもよい。貫通孔５６の配列周期Ｐ３及び配列周期Ｐ４は、上述の標準基板６０の標準マーク６３の配列周期Ｐ１及び配列周期Ｐ２と同一であってもよい。
図１４に示すように、上述の第３寸法Ｕ３は、貫通孔５６の群が位置している領域の、第１方向Ｄ１における寸法であってもよい。上述の第３間隔Ｖ３は、２つの貫通孔５６の群の間の、第１方向Ｄ１における間隔であってもよい。上述の第４寸法Ｕ４は、貫通孔５６の群が位置している領域の、第２方向Ｄ２における寸法であってもよい。上述の第４間隔Ｖ４は、２つの貫通孔５６の群の間の、第２方向Ｄ２における間隔であってもよい。
図１４に示すように、標準領域５８は、標準マスク５０Ａの幅方向である第２方向Ｄ２の中央領域５０１に位置していてもよい。本実施の形態においては、複数の標準領域５８が、中央領域５０１において標準マスク５０Ａの長手方向である第１方向Ｄ１に並んでいる。中央領域５０１は、標準マスク５０Ａを幅方向において三等分した場合の中央の領域である。また、幅方向において中央領域５０１に隣接している２つの領域のことを、端領域５０２と称する。以下、標準領域５８が中央領域５０１に位置することの利点について説明する。
標準マスク５０Ａを枠４１に固定する工程においては、標準マスク５０Ａを長手方向に引っ張った状態で枠４１に対する標準マスク５０Ａの位置合わせを行った後、溶接などによって標準マスク５０Ａを枠４１に取り付ける。図５に示すように枠４１がアライメントマーク４８を含む場合、アライメントマーク４８を基準として枠４１に対する標準マスク５０Ａの位置合わせを行ってもよい。図示はしないが、標準マスク５０Ａもアライメントマークを含んでいてもよい。また、本実施の形態のように、標準領域５８の位置を中央領域５０１に限定している場合、端領域５０２に比べて中央領域５０１を重視して枠４１に対する標準マスク５０Ａの位置合わせを行うことができる。例えば、端領域５０２に比べて中央領域５０１に大きな重みづけをすることができる。これにより、端領域５０２に比べて中央領域５０１をより正確に枠４１に対して位置合わせできる。
端領域５０２に比べて中央領域５０１を重視することの背景の一例について説明する。標準マスク５０Ａを構成する金属板５５の厚みは小さい。この場合、標準マスク５０Ａを長手方向に引っ張ると、長手方向に延びるシワなどの変形が標準マスク５０Ａに生じることがある。このような変形は、中央領域５０１に比べて端領域５０２に生じ易いことがある。端領域５０２にシワなどの変形が生じている場合に、枠４１に対する標準マスク５０Ａの位置合わせ工程において、中央領域５０１及び端領域５０２のいずれをも等しく考慮すると、端領域５０２の変形に起因して中央領域５０１の位置の精度が低下し得る。このような場合に、上述のように端領域５０２に比べて中央領域５０１を重視して枠４１に対する標準マスク５０Ａの位置合わせを行うことが有用である。これにより、枠４１に対する中央領域５０１の位置合わせの精度が、端領域５０２に生じているシワなどの変形の影響を受けることを抑制できる。このため、標準領域５８の配置をより理想的なものとすることができる。
図１４に示すように、標準マスク５０Ａは、端領域５０２に位置し、標準マスク５０Ａの長手方向及び幅方向に並ぶ２以上の貫通孔５６を含んでいてもよい。端領域５０２の貫通孔５６の配列周期Ｐ５及び配列周期Ｐ６は、中央領域５０１の貫通孔５６の配列周期Ｐ３や配列周期Ｐ４と同一であってもよく、異なっていてもよい。また、端領域５０２の貫通孔５６の配列周期Ｐ５及び配列周期Ｐ６は、有機デバイス１００を製造するために用いられるマスク５０の貫通孔５６の配列周期と同一であってもよい。
図１４に示すように、中央領域５０１に位置する標準領域５８は、貫通孔５６の周囲に位置し、平面視において貫通孔５６の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域５７を含んでいてもよい。例えば、標準マスク５０Ａの長手方向における標準領域５８の非貫通領域５７の寸法Ｅ１は、長手方向における貫通孔５６の配列周期Ｐ３よりも大きくてもよい。また、標準マスク５０Ａの幅方向における標準領域５８の非貫通領域５７の寸法Ｅ２は、幅方向における貫通孔５６の配列周期Ｐ４よりも大きくてもよい。非貫通領域５７とは、貫通孔５６が形成されていない領域である。
貫通孔５６の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域５７を標準領域５８が含むことにより、標準領域５８の貫通孔５６を、端領域５０２の貫通孔５６などの、後述する蒸着工程において標準基板６０の標準マーク６３に対向しないその他の貫通孔５６と区別し易くなる。また、蒸着工程の後に標準基板６０を観察する観察工程において、標準領域５８の貫通孔５６を通って標準基板６０に付着した蒸着材料によって構成される第１蒸着層１３０を、その他の貫通孔５６を通って標準基板６０に付着した蒸着材料によって構成される第１蒸着層１３０と区別し易くなる。このため、観察対象となる第１蒸着層１３０を見つけやすくなる。
次に、標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａを用いて製造装置１の第１蒸着層１３０を評価する方法について説明する。
まず、標準マスク装置１５Ａを準備し、製造装置１の内部に搬入する。また、標準基板６０を準備し、基板搬入室３１を介して標準基板６０を製造装置１の内部に搬入する。続いて、基板前処理室３２においてドライ洗浄などの前処理を標準基板６０に施してもよい。
続いて、標準基板６０に第１蒸着層１３０を形成する蒸着工程を第１蒸着室１０において実施する。例えば、標準基板６０に第１有機層１３１を形成する蒸着工程を第１１蒸着室１１において実施する。蒸着工程は、以下の通り、電極基板１０５及びマスク装置１５を用いる場合と同様である。
まず、第１蒸着室１０において標準基板６０と標準マスク装置１５Ａとを組み合わせる組合せ工程を実施する。例えば、第１１蒸着室１１において、マスクホルダ３を用いて標準マスク装置１５Ａを蒸着源６の上方に設置する。また、基板ホルダ２を用いて標準基板６０の基板１１０を標準マスク装置１５Ａの標準マスク５０Ａに対向させる。また、基板ホルダ２を基板１１０の面方向において移動させて、標準マスク５０Ａに対する基板１１０の位置を調整する。例えば、標準マスク５０Ａ又は枠４１のアライメントマークと基板１１０のアライメントマーク６８とが重なるように基板１１０を面方向において移動させる。
続いて、冷却板４を基板１１０に向けて移動させて、冷却板４を基板１１０の第２面１１２側に配置する工程を実施してもよい。また、磁石５を基板１１０の第２面１１２側に配置する工程を実施してもよい。これにより、磁力によって標準マスク５０Ａを基板１１０側に引き寄せることができる。また、静電チャックを用いて標準マスク５０Ａを基板１１０側に引き寄せる工程を実施してもよい。
標準基板６０と標準マスク装置１５Ａとを組み合わせる組合せ工程は、予め定められた設定に基づいて実施されてもよい。条件の例としては、下記のものを挙げることができる。組合せ工程は、いずれか１つの設定を考慮してもよく、複数の設定を考慮してもよい。
・基板１１０の配置
・磁力分布
・静電気力の分布
・冷却板４の配置
基板１１０の配置とは、例えば、基板１１０の面方向などの基板１１０の姿勢である。基板ホルダ２が、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含む場合、各チャックを独立に移動させることにより、基板１１０の姿勢を設定できる。
基板１１０の第２面１１２側に複数の磁石５が配置されている場合、磁石５の種類や配置を変更することにより、磁力分布を設定できる。
冷却板４の配置とは、例えば、冷却板４の面方向などの冷却板４の姿勢である。
続いて、蒸着材料７を蒸発させて基板１１０へ飛来させる蒸着工程を実施する。蒸着材料７のうち標準マスク５０Ａの貫通孔５６を通り抜けた一部が、貫通孔５６に対応したパターンで基板１１０の標準マーク６３上に付着する。これによって、基板１１０の標準マーク領域６２上に第１有機層１３１を形成できる。図１５は、標準マスク５０Ａの貫通孔５６を介して標準基板６０の標準マーク６３上に第１有機層１３１などの第１蒸着層１３０が形成される様子を示す断面図である。
続いて、基板搬出室３５を介して、第１蒸着層１３０が形成されている基板１１０を製造装置１から外部に搬出する搬出工程を実施してもよい。基板１１０は、第１蒸着層１３０などの基板１１０上の要素が封止されていない状態で製造装置１の外部に搬出されてもよい。基板１１０を製造装置１から外部に搬出するための機構としては、基板１１０を支持しながら移動可能なアームなどを用いることができる。
続いて、製造装置１から搬出された基板１１０における標準マーク６３と第１蒸着層１３０との位置関係を観察する観察工程を実施する。本実施の形態の観察工程においては、標準マーク６３及び第１蒸着層１３０が形成されている基板１１０を第１面１１１側から光学顕微鏡を用いて観察する。光学顕微鏡としては、新東Ｓプレシジョン株式会社製の大型自動２次元座標測定機 ＡＭＩＣ―１７１０を用いることができる。光学顕微鏡を用いた観察の条件は下記の通りである。
・倍率：１０倍〜２０倍
・カメラ：２／３インチ 白黒ＣＣＤカメラ
・画像処理ソフト：３Ｄ−ＳＡＣＭ
なお、搬出工程と観察工程との間にその他の工程が実施されてもよい。例えば、基板１１０を観察場所に移動させる工程、観察の効率を高めるための処理を基板１１０に施す工程などを実施してもよい。
図１６〜図１９はそれぞれ、標準マーク６３と第１蒸着層１３０の位置関係の観察結果の例を示す平面図である。
図１６に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第１マーク６４の外縁よりも内側に位置している。この場合、第１蒸着層１３０の外縁を囲む第１マーク６４の外縁が観察される。また、図１６に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第２マーク６５の外縁よりも外側に位置している。この場合、第２マーク６５の外縁は観察されない。
図１７に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第１マーク６４の外縁よりも部分的に外側に位置している。この場合、第１マーク６４の外縁の一部は観察されない。また、図１７に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第２マーク６５の外縁よりも外側に位置している。この場合、第２マーク６５の外縁は観察されない。
図１８に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第１マーク６４の外縁よりも部分的に外側に位置している。この場合、第１マーク６４の外縁の一部は観察されない。また、図１８に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第２マーク６５の外縁よりも部分的に内側に位置している。この場合、第２マーク６５の外縁の一部が観察される。
図１９に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第１マーク６４の外縁よりも内側に位置している。この場合、第１蒸着層１３０の外縁を囲む第１マーク６４の外縁が観察される。また、図１９に示す例において、第１蒸着層１３０は、標準マーク６３の第２マーク６５の外縁よりも部分的に内側に位置している。この場合、第２マーク６５の外縁の一部が観察される。
続いて、標準マーク６３と第１蒸着層１３０との位置関係が条件を満たすか否かを判定する判定工程を実施してもよい。例えば、判定工程は、下記の条件（１）が満たされているか否かを判定する第１判定工程を含んでいてもよい。
（１）第１蒸着層１３０の外縁が、標準マーク６３の第１マーク６４の外縁の内側に位置している。
図１６〜図１９に示す例のうち、図１６及び図１９に示す例においては、条件（１）が満たされている。条件（１）が満たされている第１蒸着室１０を用いて有機デバイス１００を製造する場合、基板１１０において隣り合う２つの画素などの単位構造が部分的に重なることを抑制できる。これにより、例えば有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、隣り合う２つの画素において混色が生じることを抑制できる。
判定工程は、下記の条件（２）が満たされているか否かを判定する第２判定工程を含んでいてもよい。
（２）第１蒸着層１３０の外縁が、第２マーク６５の外縁の外側に位置している。
図１６〜図１９に示す例のうち、図１６及び図１７に示す例においては、条件（２）が満たされている。条件（２）が満たされている第１蒸着室１０を用いて有機デバイス１００を製造する場合、第１蒸着層１３０が平面視において、第１電極層１２０のうち絶縁層１６０から露出している領域よりも小さくなることを抑制できる。これにより、例えば有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、画素の発光効率が低下してしまうことを抑制できる。
判定工程においては、上述の条件（１）が満たされている場合に、第１蒸着層１３０を形成するために用いた第１蒸着室１０を良品と判定してもよい。また、判定工程においては、上述の条件（１）及び（２）が満たされている場合に、第１蒸着層１３０を形成するために用いた第１蒸着室１０を良品と判定してもよい。また、判定工程においては、上述の条件（２）が満たされている場合に、第１蒸着層１３０を形成するために用いた第１蒸着室１０を良品と判定してもよい。
また、図１６〜図１９に示すような観察結果に基づいて、標準マーク６３と第１蒸着層１３０との位置関係をより詳細に評価してもよい。例えば、標準マーク６３に対する第１蒸着層１３０のずれの量や方向などを評価してもよい。これにより、第１蒸着室１０の状態をより詳細に知ることができる。
判定工程は、上述の条件（１）、（２）などに基づく判定を、第１蒸着層１３０が蒸着する基板１１０の領域毎に実施してもよい。例えば、基板１１０のうち第１蒸着層１３０が蒸着する領域を、第１方向Ｄ１においてｍ分割し、第２方向Ｄ２においてｎ分割し、ｍ×ｎ個の領域で判定工程を実施してもよい。図２０は、判定工程を基板１１０の領域毎に実施した場合の一例を示す平面図である。図２０に示す例においては、ｍ＝６、ｎ＝１１である。符号Ｒｋ−ｌは、第１方向Ｄ１においてｋ番目、第２方向Ｄ２においてｌ番目の領域を表している。
図２０に示す例においては、基板１１０の各領域Ｒｋ−ｌにおける判定結果を符号Ａ、Ｂ１、Ｂ２又はＣで表している。符号Ａは、上述の図１６に示す例のように、条件（１）、（２）の両方が満たされたことを表している。符号Ｂ１は、上述の図１７に示す例のように、条件（１）は満たされていなかったが条件（２）は満たされていたことを表している。符号Ｂ２は、上述の図１８に示す例のように、条件（１）、（２）の両方が満たされていなかったことを表している。符号Ｃは、上述の図１９に示す例のように、条件（１）は満たされていたが条件（２）は満たされていなかったことを表している。
図２０に示す例によれば、第１蒸着室１０の状態を領域毎により詳細に知ることができる。また、基板１１０の各領域Ｒｋ−ｌにおいて、標準マーク６３に対する第１蒸着層１３０のずれの量や方向などを評価してもよい。これにより、第１蒸着室１０の各領域の状態をより詳細に知ることができる。
続いて、観察工程によって得られた標準マーク６３と第１蒸着層１３０との位置関係の情報に基づいて、標準基板６０と標準マスク装置１５Ａとを組み合わせる組合せ工程の設定を調整する調整工程を実施してもよい。例えば、位置関係の情報に基づいて、基板１１０の配置、磁石５の磁力分布、静電チャックの静電気力の分布、冷却板４の配置などの設定を調整してもよい。その後、調整された第１蒸着室１０において上述の蒸着工程、観察工程及び判定工程を実施し、調整された第１蒸着室１０が上述の条件（１）や（２）を満たすことを確認してもよい。調整工程において調整された設定は、電極基板１０５及びマスク装置１５を用いる有機デバイス１００の製造方法においても採用され得る。
標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａを用いる上述の蒸着工程、観察工程、判定工程、調整工程などは、新規に製造された製造装置１を顧客に納入する際の評価方法において実施されてもよい。若しくは、上述の蒸着工程、観察工程、判定工程、調整工程などは、顧客に納入済みの製造装置１のメンテナンス方法において実施されてもよい。
本実施の形態によれば、標準基板６０及び標準マスク装置１５Ａを用いて蒸着工程を実施することにより、製造装置１に含まれる各第１蒸着室１０の特性を個別に評価できる。このため、製造装置１によって製造された有機デバイス１００が所望の仕様を満たさない場合に、原因を特定し易くなる。また、評価結果に基づいて、製造装置１に含まれる各第１蒸着室１０を個別に保証できる。
上述の評価方法又はメンテナンス方法を実施することにより、判定工程の条件を満たす第１蒸着室１０を備える製造装置１を得ることができる。例えば、上述の条件（１）「第１蒸着層１３０の外縁が、標準マーク６３の第１マーク６４の外縁の内側に位置している」を満たすことが証明された第１蒸着室１０を備える製造装置１を得ることができる。また、判定工程の条件を満たす第１蒸着室１０において、マスク装置１５を用いて電極基板１０５に第１蒸着層１３０を形成することにより、有機デバイス１００における第１蒸着層１３０の位置や寸法の精度を高めることができる。これにより、有機デバイス１００の不良率を低減したり、有機デバイス１００の特性を高めたりすることができる。
なお、上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
図２１は、標準マスク装置１５Ａの一例を示す平面図である。図２１に示すように、標準マスク装置１５Ａは、第２方向Ｄ２において標準マスク５０Ａよりも枠４１の第１辺４１１第２辺４１２に近接し、標準マスク５０Ａとは異なる幅を有する端部標準マスク５０Ｂを含んでいてもよい。図２１に示す例において、端部標準マスク５０Ｂの幅は、標準マスク５０Ａの幅よりも小さい。端部標準マスク５０Ｂは、標準マスク５０Ａと同様に、第１方向Ｄ１に並ぶ２以上の標準領域５８を含んでいてもよい。標準マスク装置１５Ａが端部標準マスク５０Ｂを含むことにより、標準マスク装置１５Ａの標準領域５８の存在範囲を、枠４１の開口４３の領域のうち第１辺４１１により近接した領域にまで広げることができる。これにより、標準マスク装置１５Ａの標準領域５８の存在範囲に対応して定められる、標準基板６０の標準マーク領域６２の存在範囲Ｒ１を広げることができる。このため、第１蒸着室１０の評価をより広い領域にわたって実施できる。
図２２は、標準マスク装置１５Ａの一例を示す平面図である。また、図２３は、図２２の標準マスク５０Ａの中間部５２Ａを拡大して示す平面図である。標準マスク５０Ａは、有機デバイス１００を製造するために用いられるマスク５０と同様に、複数の貫通孔５６を含む有効領域５３を備えていてもよい。この場合、標準領域５８は、有効領域５３の周囲の周囲領域５４に位置していてもよい。例えば図２３に示すように、標準領域５８は、周囲領域５４のうち、第１方向Ｄ１に沿って見た場合に有効領域５３と重ならず、且つ第２方向Ｄ２に沿って見た場合に有効領域５３と重ならない領域に位置していてもよい。なお、標準領域５８が周囲領域５４に位置する場合、図２２に示すように、標準マスク装置１５Ａは、平面視において周囲領域５４に重なるとともに第２方向Ｄ２に延びる上述の支持部材を含んでいなくてもよい。
図２４は、標準マスク５０Ａの中間部５２Ａの一例を示す平面図である。図２４に示すように、標準領域５８は、周囲領域５４のうち、第１方向Ｄ１に沿って見た場合に有効領域５３と重なり、且つ第２方向Ｄ２に沿って見た場合に有効領域５３と重ならない領域に位置していてもよい。
図２５は、標準マスク５０Ａの中間部５２Ａの一例を示す平面図である。図２５に示すように、標準マスク５０Ａは、端領域５０２に位置し、第１方向Ｄ１に並ぶ２以上の標準領域５８を含んでいてもよい。この場合、標準マスク５０Ａは、中央領域５０１に位置し、第１方向Ｄ１に並ぶ２以上の標準領域５８を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。
図２６は、標準マスク５０Ａの中間部５２Ａの一例を示す平面図である。図２６に示すように、標準マスク５０Ａの端領域５０２は非貫通領域５７を含んでいてもよい。例えば、端領域５０２のうち第２方向Ｄ２に沿って見た場合に中央領域５０１の１つの標準領域５８と重なる領域に貫通孔５６が位置していなくてもよい。
図２７は、標準基板６０の標準マーク領域６２の一例を示す平面図である。図２７に示すように、標準マーク領域６２の第１マーク６４は、第１外縁６４１に囲まれている領域に広がる層を含んでいてもよい。第１マーク６４の層は、遮光性を有する遮光層であってもよい。
図２８は、標準基板６０の標準マーク領域６２の一例を示す平面図である。図２８に示すように、標準マーク領域６２の第２マーク６５は、第２外縁６５１に囲まれている領域に広がる層を含んでいてもよい。この場合、第１マーク６４は、第１外縁６４１と第２外縁６５１との間に広がる層を含んでいてもよい。例えば、第１マーク６４が、第１外縁６４１に囲まれている領域に広がる層を含み、第２マーク６５が、第１マーク６４の層の上に位置し、第２外縁６５１に囲まれている領域に広がる層を含んでいてもよい。第１マーク６４の層は、遮光性を有する遮光層であってもよい。また、第２マーク６５の層は、遮光性を有する遮光層であってもよい。
図２９は、標準基板６０の標準マーク領域６２の一例を示す平面図である。図２９に示すように、標準マーク領域６２は、直交する２つの線状の要素６４３を含む第１マーク６４を備えていてもよい。この場合、第１マーク６４の第１外縁６４１は、図２９において点線で示すように、線状の要素６４３の端部６４４に接するとともに線状の要素６４３に直交する仮想的な直線によって定められてもよい。
図３０及び図３１は、標準基板６０の第１マーク６４上の第１蒸着層１３０を観察する工程の一例を示す断面図である。図３０及び図３１に示す例において、標準マーク領域６２の第１マーク６４は、遮光性を有する遮光層であってもよい。
図３０及び図３１に示すように、第１蒸着層１３０を観察する観察工程は、標準基板６０の面のうち第１マーク６４の遮光層及び第１蒸着層１３０とは反対側の面の側から、すなわち第２面１１２の側から第１マーク６４に向けて光Ｌ１を照射し、第１蒸着層１３０からの励起光Ｌ２が生じるか否かを観察する工程を含んでいてもよい。第１蒸着層１３０が蛍光材料を含む場合、第１蒸着層１３０に光が照射されると、第１蒸着層１３０から励起光が生じる。このため、図３１に示すように、第１蒸着層１３０の外縁が、平面視において第１マーク６４の第１外縁６４１よりも外側に位置している場合、第１蒸着層１３０から励起光Ｌ２が生じ易い。一方、図３０に示すように、第１蒸着層１３０の外縁が、平面視において第１マーク６４の第１外縁６４１よりも内側に位置している場合、第１蒸着層１３０から励起光Ｌ２が生じにくい。従って、励起光Ｌ２が生じるか否かを観察することにより、第１蒸着層１３０の外縁が、平面視において第１マーク６４の第１外縁６４１よりも内側に位置しているか否かに関する情報を得ることができる。
第１蒸着層１３０を観察する観察工程においては、標準基板６０の基板１１０上の座標系における第１蒸着層１３０の絶対位置を算出してもよい。この場合、第１蒸着室１０の評価方法によって得られる情報は、標準基板６０の基板１１０上の座標系における第１蒸着層１３０の絶対位置に関する情報、及び、標準基板６０の標準マーク６３に対する第１蒸着層１３０の相対的な位置に関する情報の両方を含んでいてもよく、いずれか一方のみを含んでいてもよい。
標準基板６０の基板１１０上の座標系における第１蒸着層１３０の絶対位置を算出する方法の一例について説明する。例えば、上述のように標準基板６０がアライメントマーク６８を含む場合、アライメントマーク６８を基準として、標準基板６０の基板１１０上の座標系における、第１マーク６４や第２マーク６５などの標準マーク６３の座標が算出されていてもよい。この場合、標準マーク６３の座標に関する情報、及び、標準マーク６３に対する第１蒸着層１３０の相対的な位置ずれに関する情報に基づいて、標準基板６０の基板１１０上の座標系における、第１蒸着層１３０の絶対位置に関する情報を得ることができる。標準マーク６３の座標を測定する装置としては、上述の観察工程の場合と同様に、新東Ｓプレシジョン株式会社製の大型自動２次元座標測定機 ＡＭＩＣ―１７１０を用いることができる。
標準基板６０がアライメントマーク６８を含む場合、標準基板６０の基板１１０上の座標系における、第１蒸着層１３０の絶対位置に関する情報に基づいて、上述の判定工程を実施してもよい。例えば、第１蒸着層１３０の中心の座標が規定の範囲内であるか否かに基づいて、判定工程を実施してもよい。また、第１蒸着層１３０の外縁の座標が規定の範囲内であるか否かに基づいて、判定工程を実施してもよい。これらの場合、判定工程は、アライメントマーク６８によって定められる標準基板６０の基板１１０上の座標系と第１蒸着層１３０との関係に基づいて実施されていると言える。また、観察工程は、アライメントマーク６８と第１蒸着層１３０との位置関係を観察していると言える。従って、アライメントマーク６８が標準基板６０の標準マークとして機能していると言える。この場合、標準マークとして機能するアライメントマーク６８の数は、基板１１０に形成される第１蒸着層１３０よりも少なくてもよい。
上述の実施の形態においては、標準マスク５０Ａの貫通孔５６の配列方向が、標準マスク５０Ａの長手方向である第１方向Ｄ１、又は、標準マスク５０Ａの幅方向である第２方向Ｄ２に平行である例を示した。例えば、標準マスク５０Ａの貫通孔５６が第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並ぶ例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、標準マスク５０Ａの標準領域５８の貫通孔５６の配列方向が、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と異なっていてもよい。例えば図３２に示すように、標準マスク５０Ａの貫通孔５６の配列方向が、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と異なる第３方向Ｄ３及び第４方向Ｄ４であってもよい。図３２に示す例において、符号Ｐ３は、第３方向Ｄ３における標準領域５８の貫通孔５６の配列周期を表し、符号Ｐ４は、第４方向Ｄ４における標準領域５８の貫通孔５６の配列周期を表している。
また、端領域５０２に位置する貫通孔５６の配列方向が、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と異なっていてもよい。例えば図３２に示すように、標準マスク５０Ａの貫通孔５６の配列方向が、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と異なる第３方向Ｄ３及び第４方向Ｄ４であってもよい。図３２に示す例において、符号Ｐ５は、第３方向Ｄ３における端領域５０２の貫通孔５６の配列周期を表し、符号Ｐ４は、第４方向Ｄ４における端領域５０２の貫通孔５６の配列周期を表している。端領域５０２の貫通孔５６の配列周期Ｐ５及び配列周期Ｐ６は、中央領域５０１の貫通孔５６の配列周期Ｐ３や配列周期Ｐ４と同一であってもよく、異なっていてもよい。
図３２に示すように、中央領域５０１に位置する標準領域５８は、貫通孔５６の周囲に位置し、平面視において貫通孔５６の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域５７を含んでいてもよい。例えば、第３方向Ｄ３における標準領域５８の非貫通領域５７の寸法Ｅ１は、第３方向Ｄ３における貫通孔５６の配列周期Ｐ３よりも大きくてもよい。また、第４方向Ｄ４における標準領域５８の非貫通領域５７の寸法Ｅ２は、第４方向Ｄ４における貫通孔５６の配列周期Ｐ４よりも大きくてもよい。これにより、観察工程において、標準領域５８の貫通孔５６を通って標準基板６０に付着した蒸着材料によって構成される第１蒸着層１３０を、その他の貫通孔５６を通って標準基板６０に付着した蒸着材料によって構成される第１蒸着層１３０と区別し易くなる。
次に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、マスク支持体４０に関する特徴を備える。
フレームなどの、マスクを支持するマスク支持体に変形が生じると、マスク支持体に固定されているマスクの位置が変化する。マスク支持体に変形が生じることを抑制することが求められる。
第２の実施の形態による、マスクに張力を加えた状態でマスクを支持するマスク支持体は、開口を含む枠と、開口に位置し、枠に接続されている桟と、を備えてもよい。枠は、マスクが固定される枠第１面と、枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、枠第１面と枠第２面との間に位置し、桟が接続されている内側面と、内側面の反対側に位置する外側面と、を含んでもよい。桟は、枠第１面の側に位置する桟第１面と、桟第１面の反対側に位置する桟第２面と、桟第１面と桟第２面との間に位置する桟側面と、を含んでもよい。枠第１面と桟第１面とが連続していてもよい。
第２の実施の形態によれば、マスク支持体に変形が生じることを抑制できる。
第２の実施の形態の第１の態様は、マスクに張力を加えた状態で前記マスクを支持するマスク支持体であって、
開口を含む枠と、
前記開口に位置し、前記枠に接続されている桟と、を備え、
前記枠は、前記マスクが固定される枠第１面と、前記枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面と前記枠第２面との間に位置し、前記桟が接続されている内側面と、前記内側面の反対側に位置する外側面と、を含み、
前記桟は、前記枠第１面の側に位置する桟第１面と、前記桟第１面の反対側に位置する桟第２面と、前記桟第１面と前記桟第２面との間に位置する桟側面と、を含み、
前記枠第１面と前記桟第１面とが連続している、マスク支持体である。
第２の実施の形態の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスク支持体において、前記枠第１面と前記桟第１面とが同一平面上に位置してもよい。
第２の実施の形態の第３の態様は、上述した第１の態様または上述した第２の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記枠第１面の法線方向に沿って前記マスク支持体を見た場合に、前記内側面と前記桟側面とが、第１曲率半径を有する第１接続部を介して接続されていてもよい。
第２の実施の形態の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記内側面と前記桟第２面とが、第２曲率半径を有する第２接続部を介して接続されていてもよい。
第２の実施の形態の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記枠は、第１方向に延びる一対の第１辺と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる一対の第２辺と、を含んでもよい。前記マスクは、前記第２辺に固定されていてもよい。前記桟は、前記第１辺に接続されている第１桟を含んでもよい。
第２の実施の形態の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記枠は、第１方向に延びる一対の第１辺と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる一対の第２辺と、を含んでもよい。前記マスクは、前記第２辺に固定されていてもよい。前記桟は、前記第２辺に接続されている第２桟を含んでもよい。
第２の実施の形態の第７の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記枠は、第１方向に延びる一対の第１辺と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる一対の第２辺と、を含んでもよい。前記マスクは、前記第２辺に固定されていてもよい。前記桟は、前記第１辺に接続されている第１桟と、前記第２辺に接続されている第２桟と、を含んでもよい。前記枠第１面の法線方向に沿って前記マスク支持体を見た場合に、前記第１桟の桟側面と前記第２桟の桟側面とが、第３曲率半径を有する第３接続部を介して接続されていてもよい。
第２の実施の形態の第８の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記桟第１面における前記桟の幅は、前記桟第２面における前記桟の幅よりも大きくてもよい。
第２の実施の形態の第９の態様は、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記桟は、前記桟の厚み方向において前記桟第２面に近づくにつれて、前記桟の幅が減少する部分を含んでもよい。
第２の実施の形態の第１０の態様は、上述した第１の態様から上述した第９の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記内側面は、前記枠の厚み方向において前記枠第２面に近づくにつれて、平面視において前記開口の中心から離れる部分を含んでもよい。
第２の実施の形態の第１１の態様は、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記枠の厚みは、５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよい。
第２の実施の形態の第１２の態様は、上述した第１の態様から上述した第１１の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記桟の厚みは、５０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。
第２の実施の形態の第１３の態様は、上述した第１の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記桟の厚みは、前記枠の厚みよりも小さくてもよい。
第２の実施の形態の第１４の態様は、上述した第１の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記枠の厚みに対する前記桟の厚みの比率が０．８５以下であってもよい。
第２の実施の形態の第１５の態様は、上述した第１の態様から上述した第１４の態様のそれぞれによるマスク支持体において、前記桟の幅は、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよい。
第２の実施の形態の第１６の態様は、上述した第１の態様から上述した第１５の態様のいずれかによるマスク支持体の製造方法であって、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む板を準備する準備工程と、前記第２面の法線方向に沿って前記板を見た場合の前記板の中央領域を前記第２面側から加工することによって、前記桟を形成する加工工程と、を備える、マスク支持体の製造方法である。
第２の実施の形態の第１７の態様は、マスク装置であって、上述した第１の態様から上述した第１５の態様のいずれかによるマスク支持体と、貫通孔を含み、前記マスク支持体の前記枠第１面に固定されているマスクと、を備える、マスク装置である。
第２の実施の形態の第１８の態様は、上述した第１７の態様によるマスク装置であって、前記マスク支持体は、前記桟によって区画された２以上の開口を備えてもよい。前記マスクは、２つ以上の有効領域を含んでもよい。前記有効領域は、規則的に並ぶ貫通孔の群を含んでもよい。平面視において、２つ以上の前記有効領域が１つの前記開口に重なっていてもよい。
第２の実施の形態の第１９の態様は、有機デバイスの製造方法であって、上述した第１７の態様または上述した第１８の態様のそれぞれによるマスク装置の前記マスクの前記貫通孔を介して有機材料を基板に蒸着させることによって、前記基板に蒸着層を形成する蒸着工程を備える、有機デバイスの製造方法である。
第２の実施の形態の第２０の態様は、有機デバイスであって、上述した第１９の態様による有機デバイスの製造方法の前記蒸着工程によって前記基板に形成された前記蒸着層を備える、有機デバイスである。
以下、第２の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す形態は第２の実施の形態の一例であって、第２の実施の形態はこれらの形態のみに限定して解釈されるものではない。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述の実施形態において得られる作用効果が下記の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。
図３３は、マスク装置１５をマスク５０の第１面５５１側から見た場合を示す平面図である。図３３において、符号Ｌ１は、第１方向Ｄ１におけるマスク５０の寸法を、すなわちマスク５０の長さを表す。寸法Ｌ１は、例えば、１５０ｍｍ以上であってもよく、３００ｍｍ以上であってもよく、４５０ｍｍ以上であってもよく、６００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｌ１は、例えば、７５０ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以下であってもよく、１５００ｍｍ以下であってもよく、２０００ｍｍ以下であってもよい。寸法Ｌ１の範囲は、１５０ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ及び６００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、７５０ｍｍ、１０００ｍｍ、１５００ｍｍ及び２０００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｌ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上４５０ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、７５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、７５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、７５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、１５００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよい。
図３３において、符号ＷＡ１は、第２方向Ｄ２におけるマスク５０の寸法を、すなわちマスク５０の幅を表す。寸法ＷＡ１は、例えば、５０ｍｍ以上であってもよく、１００ｍｍ以上であってもよく、１５０ｍｍ以上であってもよく、２００ｍｍ以上であってもよい。寸法ＷＡ１は、例えば、２５０ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以下であってもよく、３５０ｍｍ以下であってもよく、４００ｍｍ以下であってもよい。寸法ＷＡ１の範囲は、５０ｍｍ、１００ｍｍ、１５０ｍｍ及び２００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２５０ｍｍ、３００ｍｍ、３５０ｍｍ及び４００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法ＷＡ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法ＷＡ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法ＷＡ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であってもよく、２５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、２５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、２５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上３５０ｍｍ以下であってもよく、３５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であってもよい。
マスク支持体４０について説明する。図３４は、図３３のマスク装置１５からマスク５０を取り除いた状態を示す図である。マスク支持体４０は、開口４３を含む枠４１に加えて、枠４１に接続されている桟４２を備えてもよい。桟４２は、開口４３を横切るように延びてもよい。桟４２は、後述する蒸着工程の際に、マスク５０のうち平面視において開口４３と重なる領域の下方に位置できる。桟４２は、蒸着工程の際にマスク５０を下方から支持してもよい。これにより、マスク５０が自重によって撓むことを抑制できる。
枠４１、桟４２及び開口４３について説明する。まず、枠４１について説明する。
図３３及び図３４に示すように、枠４１は、開口４３を隔てて向かい合う一対の第１辺４１１と、開口４３を隔てて向かい合う一対の第２辺４１２と、を含んでもよい。第１辺４１１と第２辺４１２とは、異なる方向に延びている。例えば、図３３に示すように、第１辺４１１が、マスク５０の長手方向である第１方向Ｄ１に延び、第２辺４１２が、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に延びてもよい。図３３に示すように、マスク５０の端部５１は第２辺４１２に固定されていてもよい。また、マスク５０が固定されている第２辺４１２が、第１辺４１１よりも長くてもよい。枠４１の開口４３は、一対の第１辺４１１及び一対の第２辺４１２によって囲まれていてもよい。
図３４において、符号Ｌ２１は、第１方向Ｄ１における枠４１の開口４３の寸法を表す。符号Ｌ２２は、第２方向Ｄ２における枠４１の開口４３の寸法を表す。Ｌ２２／Ｌ２１は、例えば、０．６以上であってもよく、０．８以上であってもよく、１．０以上であってもよく、１．２以上であってもよい。Ｌ２２／Ｌ２１は、例えば、１．４以下であってもよく、１．６以下であってもよく、１．８以下であってもよく、２．０以下であってもよい。Ｌ２２／Ｌ２１の範囲は、０．６、０．８、１．０及び１．２からなる第１グループ、及び／又は、１．４、１．６、１．８及び２．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｌ２２／Ｌ２１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｌ２２／Ｌ２１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｌ２２／Ｌ２１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．６以上２．０以下であってもよく、０．６以上１．８以下であってもよく、０．６以上１．６以下であってもよく、０．６以上１．４以下であってもよく、０．６以上１．２以下であってもよく、０．６以上１．０以下であってもよく、０．６以上０．８以下であってもよく、０．８以上２．０以下であってもよく、０．８以上１．８以下であってもよく、０．８以上１．６以下であってもよく、０．８以上１．４以下であってもよく、０．８以上１．２以下であってもよく、０．８以上１．０以下であってもよく、１．０以上２．０以下であってもよく、１．０以上１．８以下であってもよく、１．０以上１．６以下であってもよく、１．０以上１．４以下であってもよく、１．０以上１．２以下であってもよく、１．２以上２．０以下であってもよく、１．２以上１．８以下であってもよく、１．２以上１．６以下であってもよく、１．２以上１．４以下であってもよく、１．４以上２．０以下であってもよく、１．４以上１．８以下であってもよく、１．４以上１．６以下であってもよく、１．６以上２．０以下であってもよく、１．６以上１．８以下であってもよく、１．８以上２．０以下であってもよい。
第１方向Ｄ１における開口４３の寸法Ｌ２１は、例えば、１５０ｍｍ以上であってもよく、３００ｍｍ以上であってもよく、４５０ｍｍ以上であってもよく、６００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｌ２１は、例えば、７５０ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以下であってもよく、１５００ｍｍ以下であってもよく、２０００ｍｍ以下であってもよい。寸法Ｌ２１の範囲は、１５０ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ及び６００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、７５０ｍｍ、１０００ｍｍ、１５００ｍｍ及び２０００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｌ２１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ２１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ２１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下であってもよく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以上４５０ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、４５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上７５０ｍｍ以下であってもよく、７５０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、７５０ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、７５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１５００ｍｍ以下であってもよく、１５００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよい。
第２方向Ｄ２における開口４３の寸法Ｌ２２は、例えば、６００ｍｍ以上であってもよく、８００ｍｍ以上であってもよく、１０００ｍｍ以上であってもよく、１２００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｌ２２は、例えば、１４００ｍｍ以下であってもよく、１６００ｍｍ以下であってもよく、１８００ｍｍ以下であってもよく、２０００ｍｍ以下であってもよい。寸法Ｌ２２の範囲は、６００ｍｍ、８００ｍｍ、１０００ｍｍ及び１２００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１４００ｍｍ、１６００ｍｍ、１８００ｍｍ及び２０００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｌ２２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ２２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ２２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、６００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、６００ｍｍ以上８００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下であってもよく、８００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下であってもよく、１０００ｍｍ以上１２００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、１２００ｍｍ以上１４００ｍｍ以下であってもよく、１４００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１４００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１４００ｍｍ以上１６００ｍｍ以下であってもよく、１６００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよく、１６００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であってもよく、１８００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよい。
図３５は、図３３のマスク装置１５のXXXV−XXXV線に沿った断面図である。図３６は、図３３のマスク装置１５のXXXVI−XXXVI線に沿った断面図である。図３５及び図３６に示すように、枠４１は、上述の枠第１面４１ａと枠第２面４１ｂとの間に位置し、開口４３に面する内側面４１ｅと、内側面４１ｅの反対側に位置する外側面４１ｆと、を含んでもよい。図３５及び図３６に示すように、内側面４１ｅ及び外側面４１ｆは、枠第１面４１ａの法線方向に沿って広がってもよい。
桟４２について説明する。桟４２は、枠４１の内側面４１ｅに接続されており、且つ、平面視において開口４３を横切っている領域である。図３３及び図３４に示すように、桟４２は、枠４１の第１辺４１１の内側面４１ｅに接続されている第１桟４２１を含んでもよい。第１桟４２１は、第２方向Ｄ２に延びてもよい。例えば、第１辺４１１は、平面視において、第２方向Ｄ２に延びる一対の桟側面４２ｃを含み、桟側面４２ｃが枠４１の第１辺４１１の内側面４１ｅに接続されていてもよい。第１方向Ｄ１に沿って複数の第１桟４２１が並んでもよい。第１辺４１１の長さは、第２方向Ｄ２における枠４１の開口４３の寸法Ｌ２２と同一であってもよい。
図３５及び図３６に示すように、第１桟４２１は、枠第１面４１ａ側に位置する桟第１面４２ａと、桟第１面４２ａの反対側に位置する桟第２面４２ｂと、を含んでもよい。桟第１面４２ａは、マスク５０の第２面５５２に接していてもよい。第１桟４２１は、マスク５０が自重によって撓むことを抑制できる。
枠４１と桟４２の間の境界の構造について、図３７Ａ及び図３８Ａを参照することによって、説明する。図３７Ａは、図３４において符号XXXVIIAが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク支持体４０の一例を拡大して示す平面図である。図３８Ａは、図３７Ａのマスク支持体４０のXXXVIIIA−XXXVIIIA線に沿った断面図である。
図３７Ａ及び図３８Ａに示すように、枠４１と桟４２の間の境界において、枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが連続してもよい。例えば、枠４１と桟４２とがいずれも、１つの板を機械的に加工することによって作製されていてもよい。この場合、板の１つの面によって枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが構成されるように板を加工することによって、連続した枠第１面４１ａと桟第１面４２ａとを形成できる。
枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが連続しているか否かは、枠４１と桟４２の間の境界の周囲において枠第１面４１ａと桟第１面４２ａとが同一平面上に位置しているか否かによって判断されてもよい。具体的には、枠第１面４１ａの法線方向における枠第１面４１ａ及び枠第２面４１ｂの位置を、枠４１と桟４２の間の境界の周囲の領域で測定する。境界の周囲の領域は、枠第１面４１ａ及び枠第２面４１ｂのうち、図３７Ａに示す接続点４２ｅを中心とした半径Ｓ１の範囲内の領域である。境界の周囲の領域の、枠第１面４１ａの法線方向における位置が、平均値±第１閾値の範囲内である場合、枠第１面４１ａと桟第１面４２ａとが同一平面上に位置していると判断する。第１閾値は、例えば０．５ｍｍである。
上述の接続点４２ｅは、桟４２の端４２ｄの中心点である。端４２ｄは、桟４２が接続されている枠４１の内側面４１ｅの、平面視における延長線が、桟４２と交わる部分として定義される。図３７Ａに示す例において、端４２ｄは、平面視において第１方向Ｄ１に延びる第１辺４１１の内側面４１ｅの延長線と、第２方向Ｄ２に延びる第１桟４２１とが交わる部分である。また、接続点４２ｅは、内側面４１ｅが延びる第１方向Ｄ１における端４２ｄの中心点である。上述の半径Ｓ１は、例えば２．５ｍｍである。
枠第１面４１ａの法線方向における枠第１面４１ａ及び枠第２面４１ｂの位置を測定する測定器としては、キーエンス社製のレーザー変位計 ＬＫ−Ｇ８５を利用できる。ＬＫ−Ｇ８５の測定条件は下記の通りである。
・測定間隔：１００μｍ
１つの板を機械的に加工することによって枠４１と桟４２とを作製する場合、枠４１と桟４２とが接続される接続部において、加工に起因する形状が生じてもよい。図３７Ａに示すように、マスク支持体４０は、平面視において、枠４１の内側面４１ｅと桟４２の桟側面４２ｃとが接続される第１接続部４２ｆを含む。図３７Ｂは、第１接続部４２ｆを拡大して示す平面図である。例えば、切削工具を用いた加工を行う場合、第１接続部４２ｆが、移行部４２ｆａを含んでいてもよい。移行部４２ｆａは、内側面４１ｅの延長線Ｈ１及び桟側面４２ｃの延長線Ｈ２によって区画されるマスク支持体４０の部分である。第１接続部４２ｆが移行部４２ｆａを含む場合のマスク支持体４０の剛性は、第１接続部４２ｆが移行部４２ｆａを含まない場合のマスク支持体４０の剛性よりも大きい。すなわち、移行部４２ｆａは、マスク支持体４０の剛性を高めることができる。
移行部４２ｆａは、第１曲率半径Ｓ２を有する湾曲部を備えていてもよい。第１曲率半径Ｓ２は、例えば、１．０ｍｍ以上でもよく、１．５ｍｍ以上でもよく、２．０ｍｍ以上でもよい。第１曲率半径Ｓ２は、例えば、３．０ｍｍ以下でもよく、４．０ｍｍ以下でもよく、５．０ｍｍ以下でもよい。第１曲率半径Ｓ２の範囲は、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ及び２．０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３．０ｍｍ、４．０ｍｍ及び５．０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１曲率半径Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１曲率半径Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１曲率半径Ｓ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下でもよく、２．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、２．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、２．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、４．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよい。第１曲率半径Ｓ２を測定する測定器としては、新東Ｓプレシジョン製ＡＭＩＣ−１７１０を利用できる。
図示はしないが、内側面４１ｅと桟側面４２ｃとが、湾曲部を介さずに接続されていてもよい。
図３８Ａに示すように、縦断面図において、マスク支持体４０は、枠４１の内側面４１ｅと桟４２の桟第２面４２ｂとが接続される第２接続部４２ｇを含む。図３８Ｂは、第２接続部４２ｇを拡大して示す断面図である。例えば、切削工具を用いた加工を行う場合、第２接続部４２ｇが、移行部４２ｇａを含んでいてもよい。移行部４２ｇａは、内側面４１ｅの延長線Ｈ３及び桟第２面４２ｂの延長線Ｈ４によって区画されるマスク支持体４０の部分である。第２接続部４２ｇが移行部４２ｇａを含む場合のマスク支持体４０の剛性は、第２接続部４２ｇが移行部４２ｇａを含まない場合のマスク支持体４０の剛性よりも大きい。すなわち、移行部４２ｇａは、マスク支持体４０の剛性を高めることができる。
移行部４２ｇａは、第２曲率半径Ｓ３を有していてもよい。第２曲率半径Ｓ３は、例えば、１．０ｍｍ以上でもよく、１．５ｍｍ以上でもよく、２．０ｍｍ以上でもよい。第２曲率半径Ｓ３は、例えば、３．０ｍｍ以下でもよく、４．０ｍｍ以下でもよく、５．０ｍｍ以下でもよい。第２曲率半径Ｓ３の範囲は、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ及び２．０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３．０ｍｍ、４．０ｍｍ及び５．０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２曲率半径Ｓ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２曲率半径Ｓ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２曲率半径Ｓ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下でもよく、１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下でもよく、２．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、２．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、２．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下でもよく、４．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよい。第２曲率半径Ｓ３を測定する測定器としては、新東Ｓプレシジョン製ＡＭＩＣ−１７１０を利用できる。
図示はしないが、内側面４１ｅと桟第２面４２ｂとが、湾曲部を介さずに接続されていてもよい。
開口４３について説明する。桟４２が開口４３を横切るように延びているので、平面視において、開口４３が２以上の領域に区画される。例えば図３４に示すように、開口４３は、２つ以上の第１開口４３Ａを含む。２つ以上の第１開口４３Ａは、第１方向Ｄ１に並んでいる。
図３４に示すように、第１開口４３Ａの輪郭は、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１縁４３１と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２縁４３２と、を含んでいてもよい。一対の第１縁４３１の少なくとも１つは、第１辺４１１の内側面４１ｅによって構成されてもよい。一対の第１縁４３１のいずれもが、第１辺４１１の内側面４１ｅによって構成されてもよい。第２縁４３２は、第２辺４１２の内側面４１ｅ又は第１桟４２１の桟側面４２ｃによって構成されてもよい。
第１開口４３Ａは、平面視においてマスク５０の有効領域５３に重なってもよい。例えば図３３に示すように、マスク装置１５の状態において、平面視において、第２方向Ｄ２に並ぶ２つ以上の有効領域５３が１つの第１開口４３Ａに重なっていてもよい。２つ以上のマスク５０の有効領域５３が、１つの第１開口４３Ａに重なっていてもよい。
枠４１の厚みＴ２は、例えば、５ｍｍ以上であってもよく、１０ｍｍ以上であってもよく、１５ｍｍ以上であってもよく、２０ｍｍ以上であってもよい。枠４１の厚みＴ２は、例えば、２５ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以下であってもよく、４０ｍｍ以下であってもよい。枠４１の厚みＴ２の範囲は、５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍ及び２０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２５ｍｍ、３０ｍｍ、３５ｍｍ及び４０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。枠４１の厚みＴ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。枠４１の厚みＴ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。枠４１の厚みＴ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、１５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以上２５ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、２５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以上３５ｍｍ以下であってもよく、３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよい。
枠４１の厚みＴ２が５ｍｍ以上であることによって、枠４１に撓みなどの変形が生じることを抑制できる。また、枠４１の厚みＴ２が４０ｍｍ以下であることによって、枠４１の重量が過剰に大きくなることを抑制できる。これにより、マスク支持体４０のハンドリング性を向上できる。例えば、小型のリフターを用いてマスク支持体４０を搬送できる。
桟４２の厚みＴ３は、例えば、５０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよく、２００μｍ以上であってもよく、３００μｍ以上であってもよい。桟４２の厚みＴ３は、例えば、５００μｍ以下であってもよく、７００μｍ以下であってもよく、１ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以下であってもよい。桟４２の厚みＴ３の範囲は、５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ及び３００μｍからなる第１グループ、及び／又は、５００μｍ、７００μｍ、１ｍｍ及び１０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。桟４２の厚みＴ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。桟４２の厚みＴ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。桟４２の厚みＴ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５０μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、５０μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、２００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、２００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、３００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、３００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、５００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、５００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、５００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、７００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、７００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。
桟４２の厚みＴ３は、枠４１の厚みＴ２よりも小さくてもよい。桟４２が厚いほど、蒸着工程において桟４２に付着する蒸着材料の量が増加する。桟４２の厚みＴ３を枠４１の厚みＴ２よりも小さくすることにより、蒸着が桟４２によって妨げられることを抑制できる。従って、蒸着の効率の観点からは、桟４２の厚みＴ３が小さいことが好ましい。
一方、桟４２の厚みＴ３が大きいほど、桟４２の剛性が高くなる。本実施の形態においては、枠４１と桟４２とが一体的に構成されている。このため、桟４２の剛性の増加は、枠４１の変形の抑制を導く。しかしながら、桟４２の厚みＴ３が大きいほど、桟４２の重量が大きくなる。桟４２の重量の増加は、内側に向かう枠４１の変形を導く。桟４２に働く重力によって枠４１が引っ張られるからである。内側とは、枠４１から開口４３の中心に向かう方向を意味する。枠４１の変形を抑制するために桟４２の厚みＴ３を大きくする場合、桟４２の剛性だけでなく、桟４２の重量の増加に起因する枠４１の変形を考慮することが好ましい。
後述する実施例において示すように、枠４１の変形量は、桟４２の厚みＴ３との関係で決定される極小値を有していてもよい。枠４１の変形量が極小値であるとき、桟４２の剛性に基づく枠４１の変形の抑制量と、桟４２の自重に基づく枠４１の変形量とが釣り合う。枠４１の変形量が極小値になるときの厚みＴ３を、転換厚みとも称する。厚みＴ３が転換厚み以下である場合、桟４２の厚みＴ３が大きいほど、枠４１の変形量が小さくなる。一方、厚みＴ３が転換厚みよりも大きい場合、桟４２の厚みＴ３が大きいほど、枠４１の変形量が大きくなる。
枠４１の変形量が極小値になるときの、厚みＴ２に対する厚みＴ３の比率を、転換比率とも称する。転換比率は、０＜Ｔ３／Ｔ２＜１の範囲に存在してもよい。
Ｔ３／Ｔ２は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。Ｔ３／Ｔ２は、例えば、０．５以下でもよく、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８５以下でもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、０．１、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．６、０．７及び０．８５からなる第２グループによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１以上０．８５以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．４以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．８５以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８５以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８５以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．４以上０．５以下でもよく、０．５以上０．８５以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．５以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８５以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８５以下でもよい。
金属板５５の厚みＴ、枠４１の厚みＴ２及び桟４２の厚みＴ３を測定する方法としては、接触式の測定方法を採用する。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MＴ271」を用いる。
上述のマスク装置１５を製造する方法について説明する。まず、マスク支持体４０を製造する方法の一例について説明する。
まず、図３９に示すように、第１面４７ａ及び第１面４７ａの反対側に位置する第２面４７ｂを含む板４７を準備してもよい。板４７の材料としては、マスク５０の金属板５５と同様の材料を利用できる。例えば、板４７の材料として、ニッケルを含む鉄合金を利用できる。板４７の厚みＴ０は、枠４１の厚みＴ２以上である。板４７の厚みＴ０は、枠４１の厚みＴ２と同一であってもよい。図３９において、符号４２ｄが付された点は、上述の枠４１と桟４２とが接続される端４２ｄが現れる位置を表している。
続いて、板４７のうち端４２ｄとなる位置よりも内側に位置する中央領域４７ｄを、切削工具又は加工機を用いて第２面４７ｂ側から加工する加工工程を実施してもよい。加工工程は、図４０に示すように、中央領域４７ｄの厚みＴ４が上述の桟４２の厚みＴ３になるまで板４７を加工する第１加工工程を含んでもよい。図４１は、図４０に示す板４７を第２面４７ｂ側から見た場合を示す平面図である。第１加工工程を実施するための切削工具としては、ドリル、バイト、フライス、エンドミルなどを利用できる。加工機が実施する加工方法としては、レーザー加工、水プラズマ加工、ワイヤーカット加工などを採用できる。
加工工程は、切削工具又は加工機を用いて中央領域４７ｄを部分的に第２面４７ｂ側から加工することによって、第２面４７ｂから第１面４７ａに至る開口を中央領域４７ｄに部分的に形成する第２加工工程を含んでもよい。この場合、中央領域４７ｄのうち開口が形成されずに残った領域が、上述の桟４２を構成する。第２加工工程を実施するための切削工具としては、ドリル、バイト、フライス、エンドミルなどを利用できる。加工機が実施する加工方法としては、レーザー加工、水プラズマ加工、ワイヤーカット加工などを採用できる。
このようにして、図３４に示すように、枠４１及び桟４２を備えるマスク支持体４０を製造できる。第２加工工程は、第１加工工程の後に実施されてもよい。若しくは、第２加工工程は、第１加工工程の前に実施されてもよい。
続いて、マスク５０を枠４１の第２辺４１２に固定する固定工程を実施してもよい。例えば、第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力Ｔｘを加えた状態で、マスク５０の端部５１を第２辺４１２の枠第１面４１ａに固定してもよい。マスク５０を枠４１に固定する方法としては、例えば溶接法を用いてもよい。溶接法においては、レーザー光を利用してもよい。レーザー光は、端部５１に照射してもよい。レーザー光を照射された端部５１が溶融することによって、端部５１を第２辺４１２の枠第１面４１ａに溶接してもよい。このようにして、図３３に示すように、マスク支持体４０及びマスク５０を備えるマスク装置１５を製造できる。
本開示の形態においては、上述のとおり、１つの板４７を機械的に加工することによってマスク支持体４０を作成している。このため、マスク支持体４０の枠４１と桟４２とが一体的に構成される。従って、枠４１と桟４２とが別個の部材である場合に比べて、桟４２が延びる方向におけるマスク支持体４０の剛性を向上できる。例えば、桟４２が、第２方向Ｄ２に延びる第１桟４２１を含む場合、第２方向Ｄ２におけるマスク支持体４０の剛性を向上できる。このため、例えば、マスク支持体４０がマスク５０から受ける力によって、マスク支持体４０の枠４１が第２方向Ｄ２において変形することを抑制できる。これにより、枠４１に固定されているマスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制できる。設計位置とは、貫通孔５６の理想的な位置のことである。
図４２は、基板１１０と組み合わされている状態のマスク装置１５のマスク５０の一部を示す断面図である。本開示の形態によれば、マスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制できる。このため、貫通孔５６を介して基板１１０に蒸着される蒸着材料によって構成される第１蒸着層１３０の位置精度を高くできる。
第１蒸着層１３０の位置精度が高いことの利点の例について説明する。図４２に示すように有機デバイス１００が絶縁層１６０を備える場合、基板１１０の面方向における絶縁層１６０の寸法は、蒸着工程における第１蒸着層１３０の位置精度に基づいて設定されてもよい。例えば、第１蒸着層１３０の位置精度が高いほど、絶縁層１６０の寸法が小さく設定されてもよい。有機デバイス１００の画素密度が一定である場合、絶縁層１６０の寸法が小さいほど、第１電極層１２０や第１蒸着層１３０の面積を大きくできる。これにより、有機デバイス１００の駆動効率を高くでき、有機デバイス１００の寿命を長くできる。
枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが同一平面上に位置している場合、桟４２によって下方から支持されるマスク５０の面の位置を、枠４１の枠第１面４１ａに対して制御し易くなる、という利点も考えられる。これにより、図４２に示すように、蒸着工程において、マスク５０の第１面５５１と基板１１０の第１面１１１との間の距離Ｚ１を制御し易くなる。このため、例えば、蒸着工程におけるシャドーを抑制又は調整し易くなる。
次に、本実施の形態のように、枠４１と第１桟４２１とが一体的に構成される場合と、上述の図１３Ａのように、第１桟４２１が枠４１とは別個の部材によって構成される場合とを比較する。
図４３は、図１３Ａのマスク装置１５を第２方向Ｄ２に沿って切断した場合の断面図である。図１３Ａのマスク装置１５の第１桟４２１は、溶接によって枠４１の第１辺４１１の枠第１面４１ａ側に固定されている。このため、図３３の第１桟４２１に比べて、図１３Ａの第１桟４２１による、第２方向Ｄ２におけるマスク支持体４０の剛性に対する貢献は小さい。
また、図１３Ａの第１桟４２１は枠４１とは別個の部材であるので、枠４１の枠第１面４１ａの法線方向において、枠第１面４１ａと第１桟４２１の桟第１面４２ａとの間にずれが生じることがある。
これに対して、図３３のマスク装置１５においては、枠４１と桟４２とが一体的に構成されているので、桟４２が延びる方向におけるマスク支持体４０の剛性を効果的に向上できる。また、枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが同一平面上に位置しているので、マスク５０の面の位置を、枠４１の枠第１面４１ａに対して制御し易くなる。
上述した第２の実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述の実施形態において得られる作用効果が下記の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。
図４４は、マスク装置１５の一例をマスク５０の第１面５５１側から見た場合を示す平面図である。図４５は、図４４のマスク装置１５からマスク５０を取り除いた状態を示す図である。桟４２は、枠４１の第２辺４１２の内側面４１ｅに接続されている第２桟４２２を含んでもよい。第２桟４２２は、第１方向Ｄ１に延びてもよい。例えば、第２桟４２２は、平面視において、第１方向Ｄ１に延びる一対の桟側面４２ｃを含み、桟側面４２ｃが枠４１の第２辺４１２の内側面４１ｅに接続されていてもよい。第２方向Ｄ２に沿って複数の第２桟４２２が並んでもよい。第２桟４２２の長さは、第１方向Ｄ１における枠４１の開口４３の寸法Ｌ２１と同一であってもよい。
図４６は、図４４のマスク装置１５のXXXXVI−XXXXVI線に沿った断面図である。図４７は、図４４のマスク装置１５のXXXXVII−XXXXVII線に沿った断面図である。第２桟４２２は、平面視において、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのマスク５０の隙間に重なってもよい。第２桟４２２を設けることによって、２つのマスク５０の間の隙間を通った蒸着材料が基板１１０に付着することを抑制できる。
第２桟４２２の桟第１面４２ａは、マスク５０の第２面５５２に接していてもよい。第２桟４２２も、上述の第１辺４１１と同様に、マスク５０が自重によって撓むことを抑制できる。
枠４１の第２辺４１２と桟４２の第２桟４２２の間の境界の構造について、図４８Ａ及び図４９Ａを参照することによって、説明する。図４８Ａは、図４５において符号XXXXVIIIAが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク支持体４０の一例を拡大して示す平面図である。図４９Ａは、図４８Ａのマスク支持体４０のXXXXIXA−XXXXIXA線に沿った断面図である。
図４８Ａ及び図４９Ａに示すように、枠４１と桟４２の間の境界において、枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが連続してもよい。例えば、第１辺４１１の場合と同様に、枠４１の第２辺４１２と桟４２の第２桟４２２の間の境界の周囲において枠第１面４１ａと桟第１面４２ａとが同一平面上に位置してもよい。
図４８Ａに示すように、マスク支持体４０は、平面視において、枠４１の第２辺４１２の内側面４１ｅと桟４２の第２桟４２２の桟側面４２ｃとが接続される第１接続部４２ｆを含む。図４８Ｂは、第１接続部４２ｆを拡大して示す平面図である。例えば、切削工具を用いた加工を行う場合、上述した一実施形態と同様に、第１接続部４２ｆが、移行部４２ｆａを含んでいてもよい。移行部４２ｆａは、第１曲率半径Ｓ２を有する湾曲部を備えていてもよい。
図４９Ａに示すように、縦断面図において、マスク支持体４０は、枠４１の第２辺４１２の内側面４１ｅと桟４２の第２桟４２２の桟第２面４２ｂとが接続される第２接続部４２ｇを含む。図４９Ｂは、第２接続部４２ｇを拡大して示す断面図である。例えば、切削工具を用いた加工を行う場合、上述した一実施形態と同様に、第２接続部４２ｇが、移行部４２ｇａを含んでいてもよい。移行部４２ｇａは、第２曲率半径Ｓ３を有する湾曲部を備えていてもよい。
開口４３について説明する。桟４２が開口４３を横切るように延びているので、平面視において、開口４３が２以上の領域に区画される。例えば図４５に示すように、開口４３は、２つ以上の第２開口４３Ｂを含む。２つ以上の第２開口４３Ｂは、第２方向Ｄ２に並んでいる。
図４５に示すように、第２開口４３Ｂの輪郭は、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１縁４３１と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２縁４３２と、を含んでいてもよい。第１縁４３１は、第１辺４１１の内側面４１ｅ又は第２桟４２２の桟側面４２ｃによって構成されてもよい。一対の第２縁４３２の少なくとも１つは、第２辺４１２の内側面４１ｅによって構成されてもよい。一対の第２縁４３２のいずれもが、第２辺４１２の内側面４１ｅによって構成されてもよい。
第２開口４３Ｂは、平面視においてマスク５０の有効領域５３に重なってもよい。マスク装置１５の状態において、平面視において、第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の有効領域５３が１つの第２開口４３Ｂに重なっていてもよい。１つのマスク５０の２以上の有効領域５３が、１つの第２開口４３Ｂに重なっていてもよい。
図４４〜図４９Ｂに示すマスク支持体４０も、上述の第２の実施の形態のマスク支持体４０と同様に、１つの板を機械的に加工することによって作製され得る。このため、マスク支持体４０の枠４１と桟４２とが一体的に構成される。従って、枠４１と桟４２とが別個の部材である場合に比べて、桟４２が延びる方向におけるマスク支持体４０の剛性を向上できる。例えば、桟４２が、第１方向Ｄ１に延びる第２桟４２２を含む場合、第１方向Ｄ１におけるマスク支持体４０の剛性を向上できる。このため、例えば、マスク支持体４０がマスク５０から受ける力によって、マスク支持体４０の枠４１が第１方向Ｄ１において変形することを抑制できる。これにより、枠４１に固定されているマスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制できる。
また、枠４１の第２辺４１２の枠第１面４１ａと桟４２の第２桟４２２の桟第１面４２ａとが同一平面上に位置している場合、桟４２によって下方から支持されるマスク５０の面の位置を、枠４１の枠第１面４１ａに対して制御し易くなる。これにより、マスク５０の第１面５５１と基板１１０の第１面１１１との間の距離Ｚ１を制御し易くなる。このため、例えば、蒸着工程におけるシャドーを抑制又は調整し易くなる。
上述した一実施形態と同様に、桟４２の厚みＴ３は、枠４１の厚みＴ２よりも小さくてもよい。Ｔ３／Ｔ２は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。Ｔ３／Ｔ２は、例えば、０．５以下でもよく、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８５以下でもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、０．１、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．６、０．７及び０．８５からなる第２グループによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１以上０．８５以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．４以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．８５以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８５以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８５以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．４以上０．５以下でもよく、０．５以上０．８５以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．５以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８５以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８５以下でもよい。
マスク装置１５のその他の例について、図５０〜図５３を参照することによって、説明する。ここでは、マスク装置１５が、枠４１とは別個の部材によって構成されている第２桟４２２を備える場合について説明する。
図５０は、マスク装置１５の一例を示す平面図である。図５１は、図５０のマスク装置１５からマスク５０を取り除いた状態を示す平面図である。図５２は、図５０のマスク装置１５のXXXXXII−XXXXXII線に沿った断面図である。図５０〜図５２のマスク装置１５の第２桟４２２は、溶接によって枠４１の第２辺４１２の枠第１面４１ａ側に固定されている。このため、枠４１と一体的に構成されている上述の桟４２に比べて、図５０〜図５２の第２桟４２２による、第１方向Ｄ１におけるマスク支持体４０の剛性に対する貢献は小さい。
また、図５０〜図５２の第２桟４２２が溶接によって枠４１の第２辺４１２に固定されている場合、第２桟４２２の溶接領域がマスク５０に重なる場合がある。図５３は、第２桟４２２の溶接領域４２ｘ及びその周囲を拡大して示す断面図である。図５３に示すように第２桟４２２の溶接領域４２ｘが枠４１の枠第１面４１ａよりも上方へ隆起している場合、マスク５０の一部が溶接領域４２ｘによって上方へ押圧される。この場合、図５３に示すように、マスク５０の第２面５５２と第２桟４２２の桟第１面４２ａとの間に隙間が生じ易くなる可能性がある。
これに対して、図４４〜図４９Ｂに示す例においては、枠４１と桟４２とが一体的に構成されているので、桟４２が延びる方向におけるマスク支持体４０の剛性を効果的に向上できる。また、枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが同一平面上に位置しているので、マスク５０の面の位置を、枠４１の枠第１面４１ａに対して制御し易くなる。
マスク装置１５のマスク支持体４０が、上述の第１桟４２１及び第２桟４２２の両方を備える例について、図５４〜図６０を参照することによって、説明する。
図５４は、マスク装置１５の一例を示す平面図である。図５５は、図５４のマスク装置１５からマスク５０を取り除いた状態を示す平面図である。桟４２は、枠４１の第１辺４１１に接続されている第１桟４２１と、枠４１の第２辺４１２に接続されている第２桟４２２と、を含んでもよい。第１桟４２１は、一方の第１辺４１１から他方の第１辺４１１まで第２方向Ｄ２に延びてもよい。第２桟４２２は、一方の第２辺４１２から他方の第２辺４１２まで第１方向Ｄ１に延びてもよい。
図５６は、図５４のマスク装置１５のXXXXXVI−XXXXXVI線に沿った断面図である。図５７は、図５４のマスク装置１５のXXXXXVII−XXXXXVII線に沿った断面図である。第１桟４２１及び第２桟４２２は、マスク５０の第２面５５２に接していてもよい。
枠４１と桟４２の間の境界において、枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが連続してもよい。枠４１の第１辺４１１と桟４２の第１桟４２１との間の境界の構造は、図３７Ａ及び図３８Ａに示す上述の実施の形態の場合と同様であるので、説明を省略する。枠４１の第２辺４１２と桟４２の第２桟４２２との間の境界の構造は、図４８Ａ及び図４９Ａに示す上述の実施の形態の場合と同様であるので、説明を省略する。
桟４２の第１桟４２１と第２桟４２２との間の接続部の構造について、図５８Ａを参照することによって、説明する。図５８Ａは、図５５において符号XXXXXVIIIAが付された点線で囲まれた範囲におけるマスク支持体４０の一例を拡大して示す平面図である。
第１桟４２１の桟第１面４２ａと第２桟４２２の桟第１面４２ａとは、同一平面上に位置してもよい。例えば、図５８Ａに示すように、第１桟４２１と第２桟４２２との交点４２ｉを中心とした半径Ｓ４の範囲内の領域において、桟第１面４２ａの法線方向における位置が、平均値±第２閾値の範囲内である。第２閾値は、例えば０．５μｍである。半径Ｓ４は、例えば１０ｍｍである。
図５８Ａに示すように、マスク支持体４０は、平面視において、枠４１の第１桟４２１の桟側面４２ｃと第２桟４２２の桟側面４２ｃとが接続される第３接続部４２ｈを含む。図５８Ｂは、第３接続部４２ｈを拡大して示す平面図である。例えば、切削工具を用いた加工を行う場合、第３接続部４２ｈが、移行部４２ｈａを含んでいてもよい。移行部４２ｈａは、第１桟４２１の桟側面４２ｃの延長線Ｈ５及び第２桟４２２の桟側面４２ｃの延長線Ｈ６によって区画される桟４２の部分である。第３接続部４２ｈが移行部４２ｈａを含む場合の桟４２の剛性は、第３接続部４２ｈが移行部４２ｈａを含まない場合の桟４２の剛性よりも大きい。すなわち、移行部４２ｈａは、桟４２の剛性を高めることができる。
移行部４２ｈａは、第３曲率半径Ｓ５を有する湾曲部を備えていてもよい。第３曲率半径Ｓ５は、例えば、１０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよく、１ｍｍ以上であってもよく、２ｍｍ以上であってもよい。第３曲率半径Ｓ５は、例えば、３ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以下であってもよく、２０ｍｍ以下であってもよい。第３曲率半径Ｓ５の範囲は、１０μｍ、１００μｍ、１ｍｍ及び２ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３ｍｍ、５ｍｍ、１０ｍｍ及び２０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第３曲率半径Ｓ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３曲率半径Ｓ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３曲率半径Ｓ５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０μｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５ｍｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３ｍｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２ｍｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上５ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上３ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２ｍｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であってもよく、１ｍｍ以上２ｍｍ以下であってもよく、２ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、２ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよく、２ｍｍ以上３ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、３ｍｍ以上５ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であってもよい。第３曲率半径Ｓ３を測定する測定器としては、新東Ｓプレシジョン製ＡＭＩＣ−１７１０を利用できる。
開口４３について説明する。本実施の形態においても、平面視において、開口４３が桟４２によって２以上の領域に区画される。例えば図５５に示すように、開口４３は、複数の第３開口４３Ｃを含む。複数の第３開口４３Ｃは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並んでいる。
図５５に示すように、第３開口４３Ｃの輪郭は、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１縁４３１と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２縁４３２と、を含んでいてもよい。一対の第１縁４３１のいずれもが、第２桟４２２の桟側面４２ｃによって構成されてもよい。一対の第２縁４３２のいずれもが、第１桟４２１の桟側面４２ｃによって構成されてもよい。
第３開口４３Ｃは、平面視においてマスク５０の有効領域５３に重なってもよい。マスク装置１５の状態において、平面視において、１つの有効領域５３が１つの第３開口４３Ｃに重なっていてもよい。平面視において、２つ以上の有効領域５３が１つの第３開口４３Ｃに重なっていてもよい。例えば、第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の有効領域５３が１つの第３開口４３Ｃに重なっていてもよい。例えば、第２方向Ｄ２に並ぶ２つ以上の有効領域５３が１つの第３開口４３Ｃに重なっていてもよい。
図５４〜図５８Ａに示すマスク支持体４０も、図１〜図４２及び図４４〜図４９Ａに示す上述の形態のマスク支持体４０と同様に、１つの板を機械的に加工することによって作製され得る。このため、マスク支持体４０の枠４１と桟４２とが一体的に構成される。従って、枠４１と桟４２とが別個の部材である場合に比べて、桟４２が延びる方向におけるマスク支持体４０の剛性を向上できる。例えば、桟４２が、第１方向Ｄ１に延びる第２桟４２２及び第２方向Ｄ２に延びる第１桟４２１を含む場合、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２におけるマスク支持体４０の剛性を向上できる。このため、例えば、マスク支持体４０がマスク５０から受ける力によって、マスク支持体４０の枠４１が第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２において変形することを抑制できる。これにより、枠４１に固定されているマスク５０の貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制できる。
また、１つの板を機械的に加工することによってマスク支持体４０を作製するので、桟４２の第１桟４２１の桟第１面４２ａと第２桟４２２の桟第１面４２ａとが連続できる。例えば、第１桟４２１の桟第１面４２ａと第２桟４２２の桟第１面４２ａとが同一平面上に位置できる。このため、桟４２によって下方から支持されるマスク５０の面の位置を、枠４１の枠第１面４１ａに対して制御し易くなる。これにより、マスク５０の第１面５５１と基板１１０の第１面１１１との間の距離Ｚ１を制御し易くなる。このため、例えば、蒸着工程におけるシャドーを抑制又は調整し易くなる。
上述した一実施形態と同様に、桟４２の厚みＴ３は、枠４１の厚みＴ２よりも小さくてもよい。Ｔ３／Ｔ２は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。Ｔ３／Ｔ２は、例えば、０．５以下でもよく、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８５以下でもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、０．１、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．６、０．７及び０．８５からなる第２グループによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３／Ｔ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１以上０．８５以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．４以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．８５以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８５以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８５以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．４以上０．５以下でもよく、０．５以上０．８５以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．５以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８５以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８５以下でもよい。
マスク装置１５のその他の例について、図５９〜図６２を参照することによって、説明する。ここでは、マスク装置１５が、枠４１とは別個の部材によって構成されている第１桟４２１及び第２桟４２２を備える場合について説明する。
図５９及び図６０はいずれも、枠４１とは別個の部材によって構成されている第１桟４２１及び第２桟４２２を備えるマスク支持体４０を示す平面図である。図５９に示す例においては、第１桟４２１が枠４１の枠第１面４１ａと第２桟４２２との間に位置している。図６０に示す例においては、第２桟４２２が枠４１の枠第１面４１ａと第１桟４２１との間に位置している。
図６１は、図５９に示すマスク支持体４０を備えるマスク装置１５を図５９のXXXXXXI−XXXXXXI線に沿って切断した場合を示す断面図である。図５９及び図６１に示す形態においては、第１桟４２１とマスク５０の第２面５５２との間に第２桟４２２が位置している。この場合、第２方向Ｄ２におけるマスク５０の端は第２桟４２２に接しているので下方から支持されるが、第２方向Ｄ２におけるマスク５０の中央部には何も接していない。このため、マスク５０の幅方向である第２方向Ｄ２に沿ってマスク５０に撓みが生じることが考えられる。
図６２は、図６０に示すマスク支持体４０を備えるマスク装置１５を図６０のXXXXXXII−XXXXXXII線に沿って切断した場合を示す断面図である。図６０及び図６２に示す形態においては、第２桟４２２とマスク５０の第２面５５２との間に第１桟４２１が位置している。このため、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのマスク５０の間の隙間と、第２桟４２２との間には、マスク５０の厚み方向において、第１桟４２１の厚みに相当する隙間が生じる。
これに対して、図５４〜図５８Ｂに示す例においては、枠４１と桟４２とが一体的に構成されている。このため、桟４２が延びる方向におけるマスク支持体４０の剛性を効果的に向上できる。また、桟４２の第１桟４２１と第２桟４２２とが一体的に構成されている。このため、第１桟４２１の桟第１面４２ａと第２桟４２２の桟第１面４２ａとが同一平面上に位置できる。これにより、桟４２の第１桟４２１及び第２桟４２２とマスク５０の第２面５５２との間に隙間が生じることを抑制できる。このため、桟４２によってマスク５０を下方から効果的に支持できる。また、マスク５０の第２面５５２と桟４２との間の隙間に蒸着材料が入り込むことを抑制できる。
図６３は、マスク装置１５の一例を第２方向Ｄ２に沿って切断した場合を示す断面図である。図６３に示すように、桟４２の第２桟４２２は、桟４２の厚み方向において桟第２面４２ｂに近づくにつれて、桟４２の幅ＷＡ３が減少する部分を含んでもよい。また、桟第１面４２ａにおける桟４２の幅ＷＡ３１は、桟第２面４２ｂにおける桟４２の幅ＷＡ３２よりも大きくてもよい。
桟４２の厚み方向において桟第２面４２ｂに近づくにつれて桟４２の幅ＷＡ３が減少することによって、蒸着工程の時に蒸着材料が桟４２に付着することを抑制できる。また、桟第１面４２ａにおける桟４２の幅ＷＡ３１を大きくすることによって、桟４２の剛性を向上できる。このため、図６３に示す形態によれば、例えば、桟４２の剛性を維持しながら、蒸着工程の時に蒸着材料が桟４２に付着することを抑制できる。
図６４は、マスク装置１５の一例を第１方向Ｄ１に沿って切断した場合を示す断面図である。図６４に示すように、桟４２の第１桟４２１は、桟４２の厚み方向において桟第２面４２ｂに近づくにつれて、桟４２の幅ＷＡ３が減少する部分を含んでもよい。桟第１面４２ａにおける桟４２の幅ＷＡ３１は、桟第２面４２ｂにおける桟４２の幅ＷＡ３２よりも大きくてもよい。
図６４に示す形態によれば、図６３に示す形態の場合と同様に、桟４２の剛性を維持しながら、蒸着工程の時に蒸着材料が桟４２に付着することを抑制できる。
図６５に示すように、枠４１の第１辺４１１は、枠４１の厚み方向において枠第１面４１ａと枠第２面４１ｂとの間に位置し、平面視において枠第１面４１ａよりも外側に位置する枠第３面４１ｈを含んでもよい。また、第１辺４１１の内側面４１ｅは、枠４１の厚み方向において枠第２面４１ｂに近づくにつれて外側に変位する傾斜面４１ｇを含んでもよい。「外側」とは、平面視における枠４１の開口４３の中心点から離れる側である。
第１辺４１１の内側面４１ｅが傾斜面４１ｇを含むことによって、蒸着工程の時に蒸着材料が第１辺４１１の内側面４１ｅに付着することを抑制できる。
図６６に示すように、枠４１の第２辺４１２は、枠４１の厚み方向において枠第１面４１ａと枠第２面４１ｂとの間に位置し、平面視において枠第１面４１ａよりも外側に位置する枠第３面４１ｈを含んでもよい。第２辺４１２の内側面４１ｅは、枠４１の厚み方向において枠第２面４１ｂに近づくにつれて外側に変位する傾斜面４１ｇを含んでもよい。
第２辺４１２の内側面４１ｅが傾斜面４１ｇを含むことによって、図６５に示す第１辺４１１の場合と同様に、蒸着工程の時に蒸着材料が第１辺４１１の内側面４１ｅに付着することを抑制できる。
図６７は、標準マスク装置１５Ａの一例を示す平面図である。標準マスク装置１５Ａは、枠４１と桟４２とが一体的に構成されている上述のマスク支持体４０を備えていてもよい。
標準マスク装置１５Ａは、第１蒸着室１０の特性を評価するために用いられる。このため、標準マスク装置１５Ａの構成要素には高い精度が求められる。上述のように、一体的に構成されている枠４１及び桟４２を含むマスク支持体４０は、枠４１と桟４２とが別個の部材である場合に比べて、桟４２が延びる方向において高い剛性を有する。このため、マスク支持体４０が標準マスク５０Ａから受ける力によって、マスク支持体４０の枠４１が第２方向Ｄ２において変形することを抑制できる。これにより、標準マスク５０Ａの貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制できる。このため、第１蒸着室１０の特性をより正確に評価できる。
枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとが同一平面上に位置している場合、桟４２によって下方から支持される標準マスク５０Ａの面の位置を、枠４１の枠第１面４１ａに対して制御し易くなる。これにより、蒸着工程において、マスク５０の第１面５５１と基板１１０の第１面１１１との間の距離Ｚ１を制御し易くなる。このため、例えば、蒸着工程におけるシャドーを抑制又は調整し易くなる。従って、第１蒸着室１０の特性をより正確に評価できる。
図６７に示す例において、標準マスク装置１５Ａのマスク支持体４０の桟４２は、第１辺４１１の内側面４１ｅに接続されている第１桟４２１を含む。図示はしないが、標準マスク装置１５Ａのマスク支持体４０の桟４２は、第２辺４１２の内側面４１ｅに接続されている第２桟４２２を含んでもよい。図示はしないが、標準マスク装置１５Ａのマスク支持体４０の桟４２は、第１辺４１１の内側面４１ｅに接続されている第１桟４２１と、第２辺４１２の内側面４１ｅに接続されている第２桟４２２と、を含んでもよい。
次に、第２の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、第２の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
枠４１に生じる変形を、シミュレーションにより検証した。
図６８に示すように、枠４１及び桟４２を備えるマスク支持体４０を設計した。枠４１の枠第１面４１ａと桟４２の桟第１面４２ａとは同一平面上に位置する。枠４１及び桟４２を構成する材料は、３６重量％のニッケルを含む鉄合金である。枠４１及び桟４２の構成、寸法などは下記のとおりである。
・第１辺４１１の長さＬ１：１１０５ｍｍ
・第２辺４１２の長さＬ２：１７０１ｍｍ
・第１桟４２１の本数：７本
・第１桟４２１の幅ＷＡ５：３ｍｍ
・第２桟４２２の本数：２２本
・第２桟４２２の幅ＷＡ６：５．５ｍｍ
・枠４１の厚みＴ２：３０ｍｍ
・桟４２の厚みＴ３：０．０ｍｍ、１．７ｍｍ、４．４ｍｍ、７．０ｍｍ、９．７ｍｍ、１２．３ｍｍ、１５．０ｍｍ、２０．０ｍｍ、２５．０ｍｍ、３０．０ｍｍ
図６８に示すように第１方向Ｄ１において第２辺４１２に力Ｔｘを加えたときに第２辺４１２に生じる変形量Ｋを、シミュレーションにより算出した。力Ｔｘは、第２辺４１２がマスク５０から受ける力に相当する。力Ｔｘは２７Ｎに設定した。シミュレーションのソフトとしては、ADINA R&D社製ADINAを用いた。シミュレーションの結果を図６９に示す。
桟４２の厚みＴ３と変形量Ｋとの関係を図７０及び図７１に示す。横軸は、枠４１の厚みＴ２に対する桟４２の厚みＴ３の比率である。枠４１の変形量Ｋが極小値ＭＩＮになる時の比率Ｔ３／Ｔ２である極小比率は、０．４０以上０．６０以下であると予想される。
次に、第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は、マスク支持体４０へのマスク５０の固定方法に関する特徴を備える。
第３の実施の形態は、枠に対するマスクの位置合わせに要する時間を短縮させることができるマスク装置の製造方法および有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
第３の実施の形態によるマスク装置の製造方法は、枠準備工程と、マスク準備工程と、配置工程と、マスク位置合わせ工程と、接合工程と、を備えてもよい。枠準備工程においては、枠第１面と、枠第１面とは反対側に位置する枠第２面と、枠第１面から枠第２面に貫通する開口と、開口よりも平面視で外側に位置し、枠第１面から枠第２面に向かって延びる枠壁面であって、枠第１面の側に位置する第１壁面縁と、枠第２面の側に位置する第２壁面縁と、を含む枠壁面と、第２壁面縁から平面視で外側に前記枠第２面に沿って延びる枠第３面と、を有する枠を準備してもよい。マスク準備工程においては、第２方向における一方の側縁に位置する第１マスク縁と、前記第２方向における他方の側縁に位置する第２マスク縁と、第２方向に直交する第１方向における両側に位置する一対の端部と、一対の端部の間に位置する貫通孔と、を有するマスクを準備してもよい。配置工程においては、マスクの端部は、平面視で、第１壁面縁に重なるとともに、第１壁面縁が、マスクの第１マスク縁から第２マスク縁にわたって第２方向に一直線状に延びるように、枠にマスクを配置してもよい。マスク位置合わせ工程においては、配置工程の後、マスクを、接合張力で第１方向に引っ張るとともに枠に押し付けながら、枠に対して位置合わせしてもよい。接合工程においては、マスク位置合わせ工程の後、マスクを、前記接合張力で前記第１方向に引っ張るとともに前記枠に押し付けながら、枠に接合してもよい。
第３の実施の形態による有機デバイスの製造方法は、上述のマスク装置の製造方法によりマスク装置を準備する装置準備工程と、密着工程と、蒸着工程と、を備えてもよい。密着工程においては、マスク装置のマスクを基板に密着させてもよい。蒸着工程においては、マスクの貫通孔を通して蒸着材料を基板に蒸着させて蒸着層を形成してもよい。
第３の実施の形態によるマスク装置は、枠と、枠上に設けられたマスクと、を備えもよい。枠は、枠第１面と、枠第１面とは反対側に位置する枠第２面と、枠第１面から枠第２面に貫通する開口と、開口よりも平面視で外側に位置し、枠第１面から枠第２面に向かって延びる枠壁面であって、枠第１面の側に位置する第１壁面縁と、枠第２面の側に位置する第２壁面縁と、を含む枠壁面と、第２壁面縁から平面視で外側に枠第２面に沿って延びる枠第３面と、を有してもよい。マスクは、第２方向における一方の側縁に位置する第１マスク縁と、前記第２方向における他方の側縁に位置する第２マスク縁と、第２方向に直交する第１方向における両側に位置し、枠第１面に重なる一対の端部と、一対の端部の間に位置する貫通孔と、を有してもよい。マスクは、第１方向における両側であって第１壁面縁よりも内側に位置する一対のマスク端を有している。第１壁面縁は、マスクの第１マスク縁の延長線から第２マスク縁の延長線にわたって第１方向に一直線状に延びていてもよい。
第３の実施の形態によるマスク装置の中間体は、枠と、枠上に設けられたマスクと、を備えている。枠は、枠第１面と、枠第１面とは反対側に位置する枠第２面と、枠第１面から枠第２面に貫通する開口と、開口よりも平面視で外側に位置し、枠第１面から枠第２面に向かって延びる枠壁面であって、枠第１面の側に位置する第１壁面縁と、枠第２面の側に位置する第２壁面縁と、を含む枠壁面と、第２壁面縁から平面視で外側に枠第２面に沿って延びる枠第３面と、を有してもよい。マスクは、第２方向における一方の側縁に位置する第１マスク縁と、前記第２方向における他方の側縁に位置する第２マスク縁と、第２方向に直交する第１方向における両側に位置し、枠第１面に重なる一対の端部と、一対の端部の間に位置する貫通孔と、を有してもよい。第１壁面縁は、平面視でマスクの端部に重なるとともに、マスクの第１マスク縁から第２マスク縁にわたって第１方向に一直線状に延びていてもよい。
第３の実施の形態によれば、枠に対するマスクの位置合わせに要する時間を短縮させることができる。
第３の実施の形態の第１の態様は、
枠第１面と、前記枠第１面とは反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面から前記枠第２面に貫通する開口と、前記開口よりも平面視で外側に位置し、前記枠第１面から前記枠第２面に向かって延びる枠壁面であって、前記枠第１面の側に位置する第１壁面縁と、前記枠第２面の側に位置する第２壁面縁と、を含む枠壁面と、前記第２壁面縁から平面視で外側に前記枠第２面に沿って延びる枠第３面と、を有する枠を準備する枠準備工程と、
第２方向における一方の側縁に位置する第１マスク縁と、前記第２方向における他方の側縁に位置する第２マスク縁と、前記第２方向に直交する第１方向における両側に位置する一対の端部と、一対の前記端部の間に位置する貫通孔と、を有するマスクを準備するマスク準備工程と、
前記マスクの前記端部は、平面視で、前記第１壁面縁に重なるとともに、当該第１壁面縁が、前記マスクの前記第１マスク縁から前記第２マスク縁にわたって前記第２方向に一直線状に延びるように、前記枠に前記マスクを配置する配置工程と、
前記配置工程の後、前記マスクを、接合張力で前記第１方向に引っ張るとともに前記枠に押し付けながら、前記枠に対して位置合わせするマスク位置合わせ工程と、
前記マスク位置合わせ工程の後、前記マスクを、前記接合張力で前記第１方向に引っ張るとともに前記枠に押し付けながら、前記枠に接合する接合工程と、を備えた、マスク装置の製造方法である。
第３の実施の形態の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスク装置の製造方法において、前記マスク位置合わせ工程は、前記マスクに前記接合張力が付与されるとともに前記マスクを前記枠に押し付けながら、前記枠に対する前記貫通孔の位置を確認する第１確認工程を有してもよい。
第３の実施の形態の第３の態様は、上述した第２の態様によるマスク装置の製造方法において、前記マスク位置合わせ工程は、前記第１確認工程における前記貫通孔の位置確認結果に基づいて、前記マスクに前記接合張力が付与されるとともに前記マスクを前記枠に押し付けながら、前記第２方向及び前記第１方向で画定される２次元平面内でのいずれかの方向に移動させる移動工程を有してもよい。
第３の実施の形態の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによるマスク装置の製造方法において、前記マスク位置合わせ工程は、前記移動工程の後、前記マスクに接合張力が付与されるとともに前記マスクを前記枠に押し付けながら、前記枠に対する前記貫通孔の位置を確認する第２確認工程を有しもよい。
第３の実施の形態の第５の態様は、上述した第１の態様によるマスク装置の製造方法において、前記マスク位置合わせ工程は、前記マスクを前記枠に押し付けながら前記枠に対する前記貫通孔の位置を確認する第３確認工程と、記第３確認工程における前記貫通孔の位置確認結果に基づいて、前記マスクに付与される張力を調整する張力調整工程と、記張力調整工程の後、前記マスクに前記接合張力が付与されるとともに前記マスクを前記枠に押し付けながら前記枠に対する前記貫通孔の位置を確認する第４確認工程と、を有してもよい。
第３の実施の形態の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによるマスク装置の製造方法において、前記接合工程の後、前記マスクの前記端部を切断する切断工程を更に備えてもよい。前記接合工程において、前記マスクの前記端部から前記枠に延びる接合部が形成されてもよい。前記切断工程において、前記マスクの前記端部のうち前記接合部よりも前記第１方向の外側の位置で前記マスクが切断され、切断位置よりも外側の部分が除去されてもよい。
第３の実施の形態の第７の態様は、上述した第６の態様によるマスク装置の製造方法において、前記枠の前記枠第１面に、前記第２方向に延びる枠溝が設けられてもよい。前記切断工程において、前記枠溝に沿って前記マスクが切断されてもよい。
第３の実施の形態の第８の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによるマスク装置の製造方法において、前記枠に、前記第２方向に並んだ２つ以上の前記マスクが接合された場合、前記枠の前記第１壁面縁は、一の前記マスクから他の前記マスクにわたって前記第２方向に一直線状に延びていてもよい。
第３の実施の形態の第９の態様は、上述した第８の態様によるマスク装置の製造方法において、前記枠の前記第１壁面縁は、前記第２方向において最も一側に位置する前記マスクから、当該マスクとは最も反対側に位置する前記マスクにわたって前記第２方向に一直線状に延びていてもよい。
上述した第１の態様から上述した第９の態様はそれぞれ、第１の態様から第９の態様のそれぞれのマスク装置の製造方法により製造されたマスク装置であってもよい。
第３の実施の形態の第１０の態様は、
上述した第１の態様から第９の態様のそれぞれのマスク装置の製造方法により前記マスク装置を準備する装置準備工程と、
前記マスク装置の前記マスクを基板に密着させる密着工程と、
前記マスクの前記貫通孔を通して蒸着材料を前記基板に蒸着させて蒸着層を形成する蒸着工程と、を備えた有機デバイスの製造方法である。
第３の実施の形態の第１１の態様として、上述した第１０の態様による有機デバイスの製造方法の前記密着工程において、前記基板は、上方から静電チャックで保持されてもよい。
上述した第１０の態様から上述した第１１の態様はそれぞれ、第１０の態様から第１１の態様のそれぞれの有機デバイスの製造方法により製造された有機デバイスであってもよい。
第３の実施の形態の第１２の態様は、
枠第１面と、前記枠第１面とは反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面から前記枠第２面に貫通する開口と、前記開口よりも平面視で外側に位置し、前記枠第１面から前記枠第２面に向かって延びる枠壁面であって、前記枠第１面の側に位置する第１壁面縁と、前記枠第２面の側に位置する第２壁面縁と、を含む枠壁面と、前記第２壁面縁から平面視で外側に前記枠第２面に沿って延びる枠第３面と、を有する枠と、
前記枠上に設けられたマスクであって、第２方向における一方の側縁に位置する第１マスク縁と、前記第２方向における他方の側縁に位置する第２マスク縁と、前記第２方向に直交する第１方向における両側に位置し、前記枠第１面に重なる一対の端部と、一対の前記端部の間に位置する貫通孔と、を有するマスクと、を備え、
前記マスクは、前記第１方向における両側であって前記第１壁面縁よりも内側に位置する一対のマスク端を有し、
前記第１壁面縁は、前記マスクの前記第１マスク縁の延長線から前記第２マスク縁の延長線にわたって前記第１方向に一直線状に延びている、マスク装置である。
第３の実施の形態の第１３の態様は、上述した第１２の態様によるマスク装置において、前記第２方向に並んだ２つ以上の前記マスクを備えてもよい。前記第１壁面縁は、一の前記マスクから他の前記マスクにわたって前記第２方向に一直線状に延びていてもよい。
第３の実施の形態の第１４の態様は、上述した第１３の態様によるマスク装置において、前記第１壁面縁は、前記第２方向において最も一側に位置する前記マスクから、当該マスクとは最も反対側に位置する前記マスクにわたって前記第２方向に一直線状に延びていてもよい。
第３の実施の形態の第１５の態様は、上述した第１２の態様から上述した第１４の態様のそれぞれによるマスク装置において、前記枠の前記枠第１面に、前記第２方向に延びる枠溝が設けられていてもよい。
第３の実施の形態の第１６の態様は、
枠第１面と、前記枠第１面とは反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面から前記枠第２面に貫通する開口と、前記開口よりも平面視で外側に位置し、前記枠第１面から前記枠第２面に向かって延びる枠壁面であって、前記枠第１面の側に位置する第１壁面縁と、前記枠第２面の側に位置する第２壁面縁と、前記第２壁面縁から平面視で外側に前記枠第２面に沿って延びる枠第３面と、を有する枠と、
前記枠上に設けられたマスクであって、第２方向における一方の側縁に位置する第１マスク縁と、前記第２方向における他方の側縁に位置する第２マスク縁と、前記第２方向に直交する第１方向における両側に位置し、前記枠第１面に重なる一対の端部と、一対の前記端部の間に位置する貫通孔と、を有するマスクと、を備え、
前記第１壁面縁は、平面視で前記マスクの前記端部に重なるとともに、前記マスクの前記第１マスク縁から前記第２マスク縁にわたって前記第１方向に一直線状に延びている、マスク装置の中間体である。
以下、第３の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す形態は第２の実施の形態の一例であって、第３の実施の形態はこれらの形態のみに限定して解釈されるものではない。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述の実施形態において得られる作用効果が下記の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。
下記の実施形態においては、マスク装置が、マスク支持体４０及びマスク５０を備えるマスク装置１５である例を説明する。図示はしないが、マスク装置は、マスク支持体４０及び標準マスク５０Ａを備える標準マスク装置１５Ａであってもよい。すなわち、本実施形態の技術思想は、標準マスク装置１５Ａ、標準マスク装置１５Ａの製造方法、及び標準マスク装置１５Ａを用いる蒸着方法に適用されてもよい。
図７２は、蒸着室１０の一例を示す縦断面図である。図７２に示すように、基板１１０は、静電気力を利用する静電チャック９に保持されていてもよい。静電チャック９は、基板１１０の上方に配置される。蒸着室１０は、静電チャック９の上方に配置された磁石５を備えていてもよい。静電チャック９と磁石５との間には、蒸着時に基板１１０を冷却する冷却板（図示せず）が介在されていてもよい。なお、このような磁石５を蒸着室１０は備えていなくてもよい。この場合、上述した静電チャック９の静電力によって、マスク５０を基板１１０に密着させてもよい。
図７３は、マスク装置１５の一例を示す平面図である。マスク装置１５は、枠４１を含むマスク支持体４０と、枠４１上に設けられたマスク５０と、を備えていてもよい。枠４１上には、第２方向Ｄ２に並んだ２つ以上のマスク５０が設けられていてもよい。マスク５０は、第２方向Ｄ２に直交する第１方向Ｄ１が長手方向となるように細長状に形成されていてもよい。マスク５０は、第１方向Ｄ１に一列状に配置された複数の貫通孔群５６ａ（又は複数の有効領域５３、いずれも後述）を有してもよい。
枠４１は、マスク５０が撓んでしまうことを抑制するために、マスク５０を平面方向に引っ張った状態で支持する。
図７４に示すように、枠４１は、マスク５０の側に位置する枠第１面４１ａと、枠第１面４１ａとは反対側に位置する枠第２面４１ｂと、を有していてもよい。枠第１面４１ａに、マスク５０の第２面５５２（後述）が接合されている。なお、図７４は、図７３のＡ−Ａ線断面を模式的に示した図であり、図面を明瞭にするために、後述する貫通孔群５６ａの個数及び貫通孔５６の個数を少なくしている。
図７３に示すように、枠４１は、平面視で矩形の枠の形状に形成されていてもよい。例えば、枠４１は、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１辺４１１と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２辺４１２と、を含んでいてもよい。また、枠４１は、枠第１面４１ａから枠第２面４１ｂに延びて貫通する開口４３を有していてもよい。開口４３は、一対の第１辺４１１の間に位置し、且つ、一対の第２辺４１２の間に位置している。開口４３は、平面視で、マスク５０の貫通孔群５６ａに重なっており、貫通孔群５６ａを枠第２面４１ｂの側に露出している。図７３に示す例では、開口４３は、平面視で、第２方向Ｄ２及び第１方向Ｄ１に沿うように矩形の形状に形成されている。ここで、「平面視」とは、マスク５０の厚み方向Ｄ３で見ることを意味する用語であって、例えば、図７３の紙面に垂直な方向で見ることを意味する。厚み方向Ｄ３は、第２方向Ｄ２に直交するとともに第１方向Ｄ１に直交する方向である。マスク５０が水平方向に広がる場合、厚み方向Ｄ３は上下方向Ｄ３である。
図７３及び図７４に示すように、枠４１は、枠第１面４１ａから枠第２面４１ｂに向かって延びる４つの枠壁面４４ａ〜４４ｄと、枠第３面４１ｃと、を有していてもよい。枠壁面４４ａ、４４ｂは、平面視で、第１方向Ｄ１における開口４３の両側であって外側に位置している。言い換えると、第１方向Ｄ１において、枠壁面４４ａと枠壁面４４ｂとの間に開口４３が位置している。また、枠壁面４４ｃ、４４ｄは、第２方向Ｄ２において、開口４３の両側であって外側に位置している。言い換えると、第２方向Ｄ２において、枠壁面４４ｃと枠壁面４４ｄとの間に開口４３が位置している。４つの枠壁面４４ａ〜４４ｄは、平面視で、開口４３に沿うように矩形の形状に形成されている。枠第１面４１ａは、平面視で、矩形の枠の形状に形成されている。ここで、「外側」とは、平面視において、開口４３の中心側（内側）とは反対側を意味している。例えば、第２方向Ｄ２における外側とは、図７３における左側又は右側を意味し、第１方向Ｄ１における外側とは、図７３における上側又は下側を意味している。
枠壁面４４ａ〜４４ｄは、枠第１面４１ａには接続されているが、枠第２面４１ｂには接続されていない。図７４及び図７５Ａに示すように、枠壁面４４ａ〜４４ｄは、厚み方向Ｄ３に沿う断面で見たときに、枠第１面４１ａとは交差する方向に延びている。代表的に、図７４には、一対の枠壁面４４ａ、４４ｂが示されており、図７５Ａには、枠壁面４４ａが示されている。枠壁面４４ａ、４４ｂは、枠第１面４１ａに垂直に形成されている例が示されているが、枠第１面４１ａに対して、枠第２面４１ｂに向かって進みながら徐々に外側に位置するように傾斜していてもよい。枠壁面４４ｃ、４４ｄについても同様である。
枠壁面４４ａ、４４ｂは、枠第１面４１ａの側の縁に位置する第１壁面縁４４ｅを含んでいる。第１壁面縁４４ｅは、後述する切断工程の前に、マスク５０の対応する重なり部５１（後述）と平面視で重なっている。重なり部５１のことを、端部５１とも称する。また、図７６に示すように、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅは、切断工程後のマスク５０の第１マスク縁５０ｃ（後述）の第１延長線５０ｅから第２マスク縁５０ｄの第２延長線５０ｆにわたって、第２方向Ｄ２に一直線状に延びている。ここで、第１壁面縁４４ｅが一直線状に延びているという用語は、第１壁面縁４４ｅが平面視において１本の直線をなしていることを意味しているが、厳密な意味にとらわれることはない。当該用語は、例えば、後述するマスク位置合わせ工程において、マスク５０が枠４１から受ける反力でマスク５０に生じる応力が集中することを抑制することができる範囲内で、第１壁面縁４４ｅが非直線状に形成されることを含む概念として用いる。
上述したように、枠４１には複数のマスク５０が接合されている。このことにより、図７３及び図７６に示すように、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅは、一のマスク５０から他のマスク５０にわたって第２方向Ｄ２に一直線状に延びていてもよい。また、図７３に示すように、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅは、第２方向Ｄ２において最も一側に位置するマスク５０から、当該マスク５０とは最も反対側に位置するマスク５０にわたって、第２方向Ｄ２に一直線状に延びていてもよい。
図７４に示すように、枠壁面４４ａ、４４ｂは、枠第２面４１ｂの側の縁に位置する第２壁面縁４４ｆを含んでいる。枠第３面４１ｃは、第２壁面縁４４ｆから外側に延びており、後述する外側面４１ｆまで延びている。枠第３面４１ｃは、枠第２面４１ｂに沿って延びている。図７４及び図７５Ａにおいては、枠第３面４１ｃは、枠第２面４１ｂに平行に形成されている例が示されている。図示はしないが、枠第３面４１ｃは、外側に向かって進みながら徐々に枠第２面４１ｂに近づくように枠第２面４１ｂに対して傾斜していてもよい。
枠壁面４４ｃ、４４ｄも、枠壁面４４ａ、４４ｂと同様に、第１壁面縁４４ｅ及び第２壁面縁４４ｆを含んでいてもよい。枠第３面４１ｃは、枠壁面４４ｃ、４４ｄの第２壁面縁４４ｆからも外側に延びていてもよい。枠第３面４１ｃは、後述する外側面４１ｆまで延びていてもよい。すなわち、図７３に示すように、枠第３面４１ｃは、平面視で矩形の枠の形状に形成されていてもよい。
図７５Ｂに示すように、厚み方向Ｄ３に沿う断面において、枠壁面４４ａが、枠第１面４１ａの側の部分に位置する湾曲部４４ｈを含んでいてもよい。湾曲部４４ｈは、湾曲の形状を有していてもよい。上述した第１壁面縁４４ｅは、湾曲部４４ｈのうち枠第１面４１ａの側の縁に位置する。言い換えると、第１壁面縁４４ｅは、湾曲部４４ｈと枠第１面４１ａとが交わる位置に位置している。湾曲部４４ｈは、例えば、円弧の一部をなす形状で形成されていてもよい。この場合、湾曲部４４ｈは、厚み方向Ｄ３に沿う断面であって、枠壁面４４ａに垂直な断面において、例えば、０．３ｍｍ以上の半径を有していてもよい。この場合の湾曲部４４ｈの半径の上限値は、枠壁面４４ａの厚み方向Ｄ３における寸法以下であってもよい。その他の枠壁面４４ｂ〜４４ｄも、同様に湾曲部４４ｈを含んでいてもよい。なお、枠壁面４４ａは、湾曲部４４ｈを含んでいなくてもよい。この場合、第１壁面縁４４ｅは、枠壁面４４ａと枠第１面４１ａとが交わる位置に位置する。
図７５Ａに示すように、枠第１面４１ａに、第２方向Ｄ２に延びる枠溝４４ｋが設けられていてもよい。枠溝４４ｋは、枠壁面４４ａ、４４ｂよりも第１方向Ｄ１の内側に位置していてもよい。枠溝４４ｋは、マスク５０を切断する切断手段（例えば、切断刃７２）が挿入可能であるよう構成されていてもよい。枠溝４４ｋは、平面視で開口４３と枠壁面４４ａ、４４ｂとの間に位置している。枠溝４４ｋは、第２方向Ｄ２に直線状に延びていてもよい。枠溝４４ｋは、第２方向において最も一側（例えば、図７３における最も左側）に位置するマスク５０から、当該マスク５０とは最も反対側（例えば、図７３における最も右側）に位置するマスク５０にわたって、第２方向Ｄ２に一直線状に延びていてもよい。
枠溝４４ｋの横断面は、上述した切断刃７２が挿入可能であれば、任意の形状とすることができる。図７５Ａにおいては、一例として、枠溝４４ｋの横断面が、矩形の形状に形成されている例が示されている。
図７３〜図７５Ａに示すように、開口４３は、４つの内側面４１ｅによって画定されている。内側面４１ｅは、枠第１面４１ａから枠第２面４１ｂに延びている。内側面４１ｅは、枠第１面４１ａ及び枠第２面４１ｂに垂直に形成されていてもよい。
図７３〜図７５Ａに示すように、平面視における枠４１の外周縁は、４つの外側面４１ｆによって画定されている。外側面４１ｆは、枠第３面４１ｃから枠第２面４１ｂに延びている。外側面４１ｆは、枠第３面４１ｃ及び枠第２面４１ｂに垂直に形成されていてもよい。
図７３に示すように、枠４１の枠第１面４１ａに、枠アライメントマーク４８が設けられていてもよい。枠アライメントマーク４８は、後述するアライメントマスク８０の位置合わせのため等に用いられる。枠アライメントマーク４８は、例えば、図７３に示すように４つ設けられていてもよい。枠アライメントマーク４８は、開口４３の角部の近傍に位置していてもよい。枠アライメントマーク４８は、光を照射させてマスクアライメントマーク８１との位置合わせを行う場合には、枠４１を貫通していてもよい。しかしながら、枠アライメントマーク４８は、マスクアライメントマーク８１との位置合わせを行うことができれば、枠４１を貫通していなくてもよい。枠アライメントマーク４８の平面形状は、任意であるが、図７３では、一例として円形の形状としている。
次に、本開示の一実施形態によるマスク５０について、図７３、図７４、図７６及び図７７を参照して説明する。マスク５０は、任意の製造方法により製造することができる。例えば、圧延材をエッチングすることにより製造されていてもよく、あるいは、めっき処理で製造されていてもよい。めっき処理で製造される場合には、マスク５０は、２つ以上の層で構成されていてもよい。この場合、後述する貫通孔５６は、これらの層を貫通するように形成される。
図７３及び図７６に示すように、マスク５０は、平面視で第２方向Ｄ２（マスク５０の幅方向）における両側に位置する第１マスク縁５０ｃ及び第２マスク縁５０ｄを有していてもよい。第１マスク縁５０ｃは、第２方向Ｄ２における一方（図７３における左側）の側縁に位置し、後述する第１マスク端５０ｇから第２マスク端５０ｈまで延びている。第２マスク縁５０ｄは、第２方向Ｄ２における他方（図７３における右側）の側縁に位置し、第１マスク端５０ｇから第２マスク端５０ｈまで延びている。各マスク縁２０ｃ、２０ｄは、第１方向Ｄ１に延びている。図７６においては、第１マスク縁５０ｃを延長する第１延長線５０ｅが示されているとともに、第２マスク縁５０ｄを延長する第２延長線５０ｆが示されている。各延長線２０ｅ、２０ｆは、後述するマスク端５０ｇ、５０ｈから第１方向Ｄ１の外側に延びる線であり、対応するマスク縁２０ｃ、２０ｄから一直線状に延びる線であってもよい。
マスク５０は、第２方向Ｄ２に直交する第１方向Ｄ１における両側に位置する第１マスク端５０ｇ及び第２マスク端５０ｈを有していてもよい。第１マスク端５０ｇは、第１方向Ｄ１における一方（図７３における上側）の端に位置し、上述した第１マスク縁５０ｃから第２マスク縁５０ｄまで延びている。第２マスク端５０ｈは、第１方向Ｄ１における他方（図７３における下側）の端に位置し、上述した第１マスク縁５０ｃから第２マスク縁５０ｄまで延びている。各マスク端５０ｇ、５０ｈは、第２方向Ｄ２に延びている。各マスク端５０ｇ、５０ｈは、平面視で、枠４１の対応する枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅよりも第１方向Ｄ１の内側に位置している。より具体的には、第１マスク端５０ｇは、枠壁面４４ａの第１壁面縁４４ｅよりも第１方向Ｄ１の内側（図７３における下側）に位置し、第２マスク端５０ｈは、枠壁面４４ｂの第１壁面縁４４ｅよりも第１方向Ｄ１の内側（図７３における上側）に位置している。各マスク端５０ｇ、５０ｈは、後述する切断刃７２でマスク５０を切断することにより形成されており、対応する枠溝４４ｋに平面視で重なる位置に位置している。
図７４及び図７６に示すように、マスク５０は、第１方向Ｄ１における両側に位置する、枠第１面４１ａに重なる一対の端部５１を有していてもよい。端部５１は、第１マスク縁５０ｃと第２マスク縁５０ｄとの間に位置するとともに、第１方向Ｄ１において、後述する貫通孔群５６ａよりも平面視で外側に位置している部分である。端部５１の一部は、後述する切断工程において切断されて、除去される。より具体的には、端部５１は、枠４１と溶接されて溶接部４６（後述）が形成されるマスク溶接部５１ａと、マスク溶接部５１ａよりも第１方向Ｄ１において平面視で外側に位置し、切断工程において切断されて除去される除去部５９と、を含んでいる。除去部５９は、後述するマスク位置合わせ工程において、マスク溶接部５１ａとともに枠４１に押し付けられる押付部分５９ａと、後述するマスク用クランプ７０に保持される保持部５９ｂと、により構成されている。図７６においては、除去部５９が二点鎖線で示されている。
図７４に示すように、マスク５０は、２つ以上の貫通孔５６を有していてもよい。マスク５０は、２つ以上の貫通孔５６で構成される貫通孔群５６ａを有していてもよい。本実施形態では、図７３に示すように、各マスク５０は、第１方向Ｄ１に並んだ２つ以上の貫通孔群５６ａを有している。貫通孔群５６ａは、第２方向Ｄ２において第１マスク縁５０ｃと第２マスク縁５０ｄとの間に位置し、第１方向Ｄ１において一対の端部５１の間に位置している。
図７４に示すように、貫通孔５６は、第１面５５１から第２面５５２に延びており、マスク５０を貫通している。図７４においては、図面を簡略させるために、貫通孔５６の壁面が、第１面５５１から第２面５５２に向かって中心軸線ＣＬから遠ざかるように中心軸線ＣＬに対して直線状に傾斜している例が示されている。このように、貫通孔５６の壁面は、第１面５５１における開口寸法が、第２面５５２における開口寸法よりも小さくなるように形成されていてもよい。
図７７に示すように、貫通孔５６は、上述した貫通孔群５６ａをなしていてもよい。貫通孔群５６ａは、上述した枠４１の開口４３（図７３及び図７４参照）に重なっており、開口４３から露出している。全ての貫通孔群５６ａが、開口４３に重なっていてもよい。図７７に示すように、貫通孔群５６ａは、２つ以上の貫通孔５６が群をなすように構成されていてもよい。貫通孔群５６ａとは、規則的に配列された複数の貫通孔５６の集合体を意味する用語として用いている。１つの貫通孔群５６ａを構成する外縁の貫通孔５６は、同様に規則的に配列されている複数の貫通孔５６のうち最も外側に位置する貫通孔５６である。外縁の貫通孔５６の外側には、同様に規則的に配列されて蒸着材料７の通過を意図する貫通孔５６は存在していなくてもよい。しかしながら、外縁の貫通孔５６の外側には、他の用途の貫通孔や凹部（いずれも図示せず）は形成されていてもよい。これらの他の用途の貫通孔や凹部は、貫通孔５６の配列の規則性を持たずに形成されていてもよく、貫通孔群５６ａには属していないと考えてもよい。
図７３に示すように、複数の貫通孔群５６ａは、所定の間隔を開けて（所定のピッチで）配列されていてもよい。貫通孔群５６ａは、第１方向Ｄ１において所定の間隔を開けて配列されていてもよい。なお、図示しないが、貫通孔群５６ａは、第２方向Ｄ２及び第１方向Ｄ１にそれぞれ配列されて、並列配列されていてもよい。すなわち、第２方向Ｄ２に沿った一の列を構成する各貫通孔群５６ａと、当該列と第１方向Ｄ１において隣り合う他の列を構成する各貫通孔群５６ａとは、第１方向Ｄ１において整列されていてもよい。
図７７に示すように、一の貫通孔群５６ａにおいて、複数の貫通孔５６は、所定の間隔を開けて（所定のピッチで）配列されていてもよい。貫通孔５６は、第２方向Ｄ２において所定の間隔（図７７に示す符号Ｃ２）を開けて配列されると共に、第１方向Ｄ１において所定の間隔（図７７に示す符号Ｃ１）を開けて配列されていてもよい。貫通孔５６の配列ピッチＣ１、Ｃ２は、第２方向Ｄ２及び第１方向Ｄ１で異なっていてもよいが、等しくてもよい。図７７においては、第２方向Ｄ２の配列ピッチＣ２と第１方向Ｄ１の配列ピッチＣ１が等しい例を示している。図７７に示すように、貫通孔５６は、並列配列されていてもよい。より具体的には、第２方向Ｄ２に沿った一の列を構成する各貫通孔５６と、当該列と第１方向Ｄ１において隣り合う他の列を構成する各貫通孔５６とは、第１方向Ｄ１において整列されていてもよい。貫通孔５６の配列ピッチＣ１、Ｃ２は、表示装置又は投影装置の画素密度に応じて、例えば以下のように定められていてもよい。
・画素密度が６００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは４２．３μｍ以下
・画素密度が１２００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは２１．２μｍ以下
・画素密度が３０００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは８．５μｍ以下
・画素密度が５０００ｐｐｉ以上の場合：ピッチは５．１μｍ以下
画素密度が６００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から１５ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、スマートフォン用の有機デバイスとして用いられてもよい。画素密度が１２００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から８ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、仮想現実（いわゆるＶＲ）を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。画素密度が３０００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から３ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、拡張現実（いわゆるＡＲ）を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。画素密度が５０００ｐｐｉの表示装置又は投影装置は、眼球から２ｃｍ程度の距離で画像や映像を表示するように用いられてもよく、例えば、拡張現実を表現するための画像や映像を表示又は投影するために用いられてもよい。
なお、一の貫通孔群５６ａにおける貫通孔５６は、並列配列ではなく、千鳥配列（図示せず）されていてもよい。すなわち、第２方向Ｄ２に沿った一の列を構成する各貫通孔５６と、当該列と第１方向Ｄ１において隣り合う他の列を構成する各貫通孔５６とは、第１方向Ｄ１において整列されていなくてもよい。一の列を構成する各貫通孔５６と、隣り合う他の列を構成する貫通孔５６とは、第２方向Ｄ２においてずれて配列されていてもよい。そのずれ量は、第２方向Ｄ２における配列ピッチＣ２の半分になっていてもよいが、ずれ量は任意である。
図７７に示すように、貫通孔５６は、平面視において、ほぼ矩形形状の輪郭を有していてもよい。この場合、貫通孔５６の輪郭のうちの四隅は湾曲していてもよい。なお、輪郭の形状は、画素の形状に応じて任意に定められ得る。例えば、六角形、八角形などのその他の多角形の形状を有していてもよく、円形の形状を有していてもよい。また、輪郭の形状は、複数の形状の組み合わせであってもよい。また、貫通孔５６はそれぞれ、互いに異なる輪郭の形状を有していてもよい。貫通孔５６が多角形形状の輪郭を有する場合、貫通孔５６の開口寸法は、図７７に示すように、多角形において対向する一対の辺の間隔としてもよい。
図７４及び図７７において、マスク５０の第１面５５１における貫通孔５６の開口寸法が、符号Ｑ１で示されている。また、マスク５０の第２面５５２における貫通孔５６の開口寸法が、符号Ｑ２で示されている。また、符号Ｑ３は、第１面５５１における互いに隣り合う貫通孔５６同士の間の距離を示している。図７７においては、貫通孔５６の平面形状は正方形としているため、第２方向Ｄ２における貫通孔５６の開口寸法と第１方向Ｄ１における貫通孔５６の開口寸法は等しくなっている。代表的に第１方向Ｄ１における貫通孔５６の寸法を、符号Ｑ１、Ｑ２で示している。
寸法Ｑ１、寸法Ｑ２及び寸法Ｑ３は、表示装置又は投影装置の画素密度に応じて例えば以下の表１のように定められる。
Figure 2021175824
貫通孔群５６ａは、有効領域５３と称することがある。有効領域５３の周囲に位置する領域は周囲領域５４と称することがある。本実施形態では、周囲領域５４は、１つの有効領域５３を囲んでいる。有効領域５３の輪郭は、対応する貫通孔群５６ａのうち最も外側に位置する貫通孔５６に外側から接する線によって画定されてもよい。より詳細には、有効領域５３の輪郭は、貫通孔５６の開口に接する線によって画定されていてもよい。図７７に示す例では、貫通孔５６が並列配列されていることから、有効領域５３の輪郭は、略矩形の形状の輪郭となっている。なお、図示はしないが、各有効領域５３は、有機デバイスの表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域５３は、円形の形状の輪郭を有していてもよい。
図７４に示すように、マスク５０は、第１面５５１から第２面５５２にわたる厚みＴを有している。厚みＴは、例えば、２μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。厚みＴを２μｍ以上とすることにより、マスク５０の機械的強度を確保することができる。また、厚みＴは、例えば、２０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよい。厚みＴを５０μｍ以下とすることにより、シャドーが発生することを抑制することができる。厚みＴの範囲は、２μｍ、５μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、２μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
図７４及び図７５Ａに示すように、各マスク５０は、枠４１に接合されて固定されている。例えば、マスク５０は、溶接によって枠４１に接合されていてもよい。例えば、スポット溶接によって形成された溶接部４６によって、マスク５０が枠４１に接合されるようにしてもよい。図７６に示すように、溶接部４６は、開口４３と枠溝４４ｋとの間の位置で、形成されていてもよい。図７３に示すように、１つのマスク５０が、スポット状の複数の溶接部４６によって枠４１に接合されてもよい。この場合、複数の溶接部４６は、第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。あるいは、図示しないが、第２方向Ｄ２に連続状に延びるように溶接部４６が形成されていてもよい。
図７３に示すように、枠４１上に、２つのアライメントマスク８０が設けられていてもよい。一方のアライメントマスク８０は、最も枠壁面４４ｄの側に位置するマスク５０に対して、枠壁面４４ｄの側に位置している。他方のアライメントマスク８０は、最も枠壁面４４ｃの側に位置するマスク５０に対して、枠壁面４４ｃの側に位置している。図７３においては、最も左側に位置するマスク５０の左側に一方のアライメントマスク８０が位置し、最も右側に位置するマスク５０の右側に他方のアライメントマスク８０が位置している。アライメントマスク８０は、枠４１の枠第１面４１ａに接合されている。アライメントマスク８０は、枠４１に架張して固定されていてもよい。
各アライメントマスク８０は、２つのマスクアライメントマーク８１を含んでいる。各マスクアライメントマーク８１は、対応する枠アライメントマーク４８に平面視で重なる位置に位置している。マスクアライメントマーク８１は、光を照射させて枠アライメントマーク４８との位置合わせを行う場合には、アライメントマスク８０を貫通していてもよい。しかしながら、マスクアライメントマーク８１は、枠アライメントマーク４８との位置合わせを行うことができれば、アライメントマスク８０を貫通していなくてもよい。マスクアライメントマーク８１の平面形状は、任意であるが、図７３では、一例として円形の形状としている。マスクアライメントマーク８１の直径は、枠アライメントマーク４８の直径よりも小さくなっていてもよい。
次に、このような構成からなる本実施形態によるマスク装置１５の製造方法について、図７８〜図８９を参照して説明する。本実施形態によるマスク装置１５の製造方法は、枠準備工程と、マスク準備工程と、保持工程と、配置工程と、マスク位置合わせ工程と、接合工程と、取り外し工程と、切断工程と、を備えていてもよい。
まず、枠準備工程として、上述した枠４１を準備する。枠４１は、任意の製造方法により製造することができる。例えば、図７３〜図７５Ｂに示す枠４１が、板材や鍛造材などを機械加工することにより製造されていてもよい。枠４１は、図示しない架張装置に取り付けられてもよい。架張装置は、マスク５０に張力を加えながらマスク５０を枠４１に固定する装置である。その後、枠４１に、アライメントマスク８０（図７３参照）が接合されてもよい。この際、アライメントマスク８０のマスクアライメントマーク８１が、枠４１の枠アライメントマーク４８に対して位置合わせされる。
また、マスク準備工程として、上述したマスク５０を準備する。マスク５０は、上述したように、圧延材のエッチング処理やめっき処理など任意の製造方法により製造することができる。
続いて、保持工程として、マスク５０が、機械式のマスク用クランプ７０で保持される。この場合、図７８に示すように、マスク５０の第１方向Ｄ１における両端部に位置する除去部５９の保持部５９ｂが、マスク用クランプ７０で把持されてもよい（図８１参照）。一の保持部５９ｂは、第２方向Ｄ２において異なる位置で２つのマスク用クランプ７０で保持されてもよい。各マスク用クランプ７０には、駆動部７０Ｄが連結されていてもよい。駆動部７０Ｄは、各マスク用クランプ７０を個別に引張可能に構成されていてもよい。駆動部７０Ｄが、各マスク用クランプ７０を第１方向Ｄ１に引っ張ることにより、第１方向Ｄ１の第１張力Ｔａがマスク５０に付与されてもよい。第１張力Ｔａは、保持工程においてマスク５０に付与される張力である。第１張力Ｔａは、マスク５０が大きく撓むことを抑制できる程度の比較的小さな値であってもよい。ここで、マスク５０に付与される張力とは、マスク用クランプ７０からマスク５０に付与される張力であり、各マスク用クランプ７０がマスク５０を引っ張ることにより、その結果として、マスク５０に付与される張力であってもよい。マスク５０に付与される張力は、駆動部７０Ｄの表示部（図示せず）等で確認してもよい。マスク５０を枠４１に押し付けた場合には、マスク５０の有効領域５３における張力は、マスク用クランプ７０からマスク５０に付与される張力より小さくなる。
次に、配置工程として、図７９に示すように、枠４１にマスク５０が配置される。より具体的には、まず、マスク５０が、枠４１の上方に配置され、その後、マスク５０を下降させて、枠４１に接触させる。この場合、マスク５０の端部５１は、図８１に示すように、平面視で、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅに重なるとともに、枠第１面４１ａに重なる。また、第１壁面縁４４ｅが、マスク５０の第１マスク縁５０ｃから第２マスク縁５０ｄにわたって第２方向Ｄ２に一直線状に延びるように配置される。マスク５０は、第１壁面縁４４ｅと枠溝４４ｋに垂直な方向が長手方向となるように配置される。配置工程において、マスク５０は、保持工程から引き続いて、上述した第１張力Ｔａが付与された状態であってもよい。
次に、マスク位置合わせ工程として、図８０Ａ及び図８０Ｂに示すように、マスク５０が枠４１に対して位置合わせされる。マスク位置合わせ工程においては、マスク５０が、第２張力Ｔｂで第１方向Ｄ１に引っ張られるとともに、マスク５０が枠４１に押し付けられる。第２張力Ｔｂは、マスク位置合わせ工程においてマスク５０に付与される張力である。第２張力Ｔｂは、上述した第１張力Ｔａよりも大きい値であってもよい。
マスク位置合わせ工程は、張力増大工程と、第１貫通孔確認工程と、移動工程と、第２貫通孔確認工程と、張力調整工程と、第３貫通孔確認工程と、を有していてもよい。第１貫通孔確認工程は、第１確認工程の一例である。第２貫通孔確認工程は、第２確認工程の一例であり、第３確認工程の一例でもある。第３貫通孔確認工程は、第４確認工程の一例である。
張力増大工程においては、マスク５０に付与される張力を増大させる。より具体的には、上述した駆動部７０Ｄ（図７８参照）が、各マスク用クランプ７０の引張力を増大させる。このことにより、マスク５０に付与される張力が、第１張力Ｔａから第２張力Ｔｂに増大する。
第１貫通孔確認工程においては、図８０Ａに示すように、枠４１に対する貫通孔５６の位置が確認される。より具体的には、貫通孔５６の位置が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられているか否かが確認されてもよい。例えば、任意に設定される原点に対する貫通孔５６の座標を測定し、その測定された座標と、当該貫通孔５６の目標座標とを比較してもよい。例えば、４つのマスクアライメントマーク８１（図７３参照）の中心を原点として貫通孔５６の座標を測定してもよい。例えば、対角線上に位置する２つのマスクアライメントマーク８１の中心を通る２つの直線の交点を、原点としてもよい。マスクアライメントマーク８１の中心は、アライメントマスク８０の下方からカメラ７１で撮像して、画像解析することにより測定してもよい。貫通孔５６の座標は、平面視における貫通孔５６の中心点であってもよい。貫通孔５６の座標は、マスク５０の下方からカメラ７１で撮像して、画像解析することにより測定してもよい。座標の測定が複数の貫通孔５６で行われて、複数の貫通孔５６の位置を確認してもよい。これらの貫通孔５６の位置の確認結果に基づいて、位置ずれ量と位置ずれの方向を求めてもよい。第１貫通孔確認工程において、マスク５０に上述した第２張力Ｔｂが付与されるとともにマスク５０が枠４１に押し付けられていてもよい。
第１貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認の結果、貫通孔５６が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられている場合には、マスク位置合わせ工程を終了し、接合工程に移行してもよい。この場合、後述する移動工程等を不要にできる。貫通孔５６が許容範囲内に位置づけられている場合には、第１貫通孔確認工程においてマスク５０に付与された第２張力Ｔｂが、後述する接合張力Ｔｄに等しくなる。一方、貫通孔５６の位置が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられていない場合には、移動工程が行われる。
移動工程においては、図８０Ｂに示すように、マスク５０を、第２方向Ｄ２及び第１方向Ｄ１で画定される２次元平面内でのいずれかの方向に移動させる。例えば、図８１における第２方向Ｄ２にマスク５０を移動させてもよく、第１方向Ｄ１にマスク５０を移動させてもよい。あるいは、マスク５０を、平面視で回動させてもよい。ここでは、各マスク用クランプ７０を移動させることによって、マスク５０を枠４１に対して移動させてもよい。移動工程においては、上述した第１貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認結果に基づいてマスク５０を移動させてもよい。マスク５０の移動量は、第１貫通孔確認工程において求められた位置ずれ量に応じた値であってもよい。マスク５０の移動方向は、第１貫通孔確認工程において求められた位置ずれ方向に応じた方向であってもよい。移動工程においては、マスク５０は、上昇させることなく、枠４１に押し付けられながら、枠４１に対して移動する。このことにより、マスク５０を移動させるために上昇及び下降させることを不要にでき、マスク位置合わせ工程に要する時間を短縮させることができる。移動工程において、マスク５０には、上述した第２張力Ｔｂが付与されてもよい。
第２貫通孔確認工程においては、枠４１に対する貫通孔５６の位置が確認される。第２貫通孔確認工程は、第１貫通孔確認工程と同様に行ってもよい。
第２貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認の結果、貫通孔５６が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられている場合には、マスク位置合わせ工程を終了し、接合工程に移行してもよい。この場合、後述する張力調整工程を不要にできる。貫通孔５６が許容範囲内に位置づけられている場合には、第２貫通孔確認工程においてマスク５０に付与された第２張力Ｔｂが、後述する接合張力Ｔｄに等しくなる。一方、貫通孔５６の位置が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられていない場合には、張力調整工程が行われる。
張力調整工程においては、図８０Ｃに示すように、第２貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認結果に基づいて、マスク５０に付与される第２張力Ｔｂが調整される。より具体的には、各貫通孔５６が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられるように、駆動部７０Ｄが各マスク用クランプ７０を引っ張る力が調整される。このことにより、貫通孔５６の位置を調整して、後述する密着工程において基板１１０の各第１電極層１２０に、対応する貫通孔５６を位置合わせすることができる。また、マスク５０のたわみ量を所望のたわみ量に調整することもできる。各マスク用クランプ７０の引張力を個別に調整することにより、マスク５０の全ての貫通孔５６のうちの一部の貫通孔５６の位置を調整することができ、各貫通孔５６を許容範囲内に位置づけることができる。張力調整工程においては、各マスク用クランプ７０は移動させることなく、張力を変更することにより、貫通孔５６の位置が調整されてもよい。各マスク用クランプ７０の引張力が個別に調整され、その結果として、マスク５０に付与される張力が調整される。調整後の張力を、第３張力Ｔｃとする。張力調整工程においても、マスク５０は枠４１に押し付けられていてもよい。第３張力Ｔｃと第２張力Ｔｂとの差は、第１張力Ｔａと第２張力Ｔｂとの差よりも小さくてもよい。
その後、第３貫通孔確認工程が行われる。第３貫通孔確認工程においては、上述した第１貫通孔確認工程と同様にして、枠４１に対する貫通孔５６の位置が確認される。第３貫通孔確認工程においては、マスク５０に、上述した第３張力Ｔｃが付与されるとともにマスク５０が枠４１に押し付けられていてもよい。
第３貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認の結果、貫通孔５６が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられている場合には、マスク位置合わせ工程を終了し、接合工程に移行してもよい。この場合、第３貫通孔確認工程においてマスク５０に付与された第３張力Ｔｃが、後述する接合張力Ｔｄに等しくなる。一方、貫通孔５６の位置が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられていない場合には、再び張力調整工程および第３貫通孔確認工程が行われてもよい。貫通孔５６が、所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられるまで、張力調整工程と第３貫通孔確認工程とが繰り返し行われてもよい。最後の第３貫通孔確認工程においてマスク５０に付与された張力を、第３張力Ｔｃとしてもよい。なお、第２貫通孔確認工程による位置確認結果によっては、再び移動工程が行われて、マスク５０を枠４１に対して移動させてもよい。第３貫通孔確認工程による位置確認結果によっては、再び移動工程が行われて、マスク５０を枠４１に対して移動させてもよい。
第１貫通孔確認工程による位置確認結果によっては、移動工程および第２貫通孔確認工程を省略して、張力調整工程を行ってもよい。言い換えると、位置合わせ工程として、第１貫通孔確認工程および移動工程を省略して、第２貫通孔確認工程、が行われてもよい。
上述したように、マスク位置合わせ工程においては、マスク５０が、枠４１に押し付けられている。この押付力は、マスク５０が枠４１から浮いてしまうことを抑制することができる程度の力であってもよい。例えば、図８１に示すように、マスク５０の第２方向Ｄ２における両側に位置する各保持部５９ｂが、２つのマスク用クランプ７０で保持されている場合について説明する。マスク位置合わせ工程においては、一方の保持部５９ｂに付与される第１方向Ｄ１の張力は上述した第２張力になる。他方の保持部５９ｂに付与する張力も同様である。この張力を付与した状態で、マスク用クランプ７０を相対的に下降させることにより、張力が押付力に変換されて、マスク５０が枠４１に押し付けられる。例えば、マスク用クランプ７０に保持される保持部５９ｂにおける第２面５５２が、枠第１面４１ａから０．２５ｍｍ以上且つ１．００ｍｍ以下の範囲内で下降させるようにしてもよい。この場合、マスク５０の厚みは２０μｍ、画素密度は６００ｐｐｉ（フルハイビジョン相当）、５．５インチの表示領域に対応する有効領域５３であってもよい。押付力は、マスク用クランプ７０が下方に変位することにより、マスク５０に付与される。このため、マスク５０は、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅから反力を受ける。しかしながら、図８１に示すように、第１壁面縁４４ｅが、マスク５０の第１マスク縁５０ｃから第２マスク縁５０ｄにわたって第２方向Ｄ２に一直線状に延びるように、マスク５０は枠４１上に配置されている。このことにより、マスク５０の幅方向にわたって、第１壁面縁４４ｅから受ける反力を均等にさせることができる。
ここで、後述する蒸着工程において、有機デバイス１００を構成する基板１１０が、機械式の基板用クランプ７３（図８４参照）で保持される場合について、図８２〜図８４を参照して説明する。この場合、基板１１０は、基板用クランプ７３で保持された状態で、マスク装置１５のマスク５０に密着される。マスク５０は、枠４１に接合されて固定されているため、枠４１の枠第１面４１ａには、基板用クランプ７３との干渉を回避するための枠凹部４５が形成されている。この枠凹部４５は、図８２に示すように、平面視で、枠壁面４４ａ、４４ｂから内側に入り込むように矩形の形状に形成されている。枠凹部４５の枠第１面４１ａの側の凹部端縁４５ａも同様に、平面視で内側に入り込むように矩形の形状に形成されている。枠４１に固定されるマスク５０の端部５１は、この枠凹部４５に部分的に重なるように配置される。図８２に示す枠４１は、枠凹部４５を有している点以外では、図７３〜図７５Ａ等に示す枠４１と同様の形状を有しているため、便宜上同一の符号を用いて説明する。
このような枠凹部４５が設けられた枠第１面４１ａにマスク５０が押し付けられると、マスク５０は、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅから反力を受けるとともに、枠凹部４５の凹部端縁４５ａからも反力を受ける。第１壁面縁４４ｅの第１方向Ｄ１における位置は、凹部端縁４５ａの第１方向Ｄ１における位置よりも外側に位置している。すなわち、第１壁面縁４４ｅから反力を受ける位置は、図８３に示すように、第１方向Ｄ１において比較的外側（図８３における左側）に位置している。一方、凹部端縁４５ａから反力を受ける位置は、図８４に示すように、第１方向Ｄ１において比較的内側（図８４における右側）に位置している。このように、第１壁面縁４４ｅから反力を受ける位置と凹部端縁４５ａから反力を受ける位置とは、第１方向Ｄ１において異なっている。このため、マスク５０が枠４１から受ける反力は、マスク５０の幅方向に偏る傾向にある。
すなわち、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅから反力を受ける位置（図８３参照）が、枠凹部４５の凹部端縁４５ａから反力を受ける位置（図８４参照）よりも、マスク用クランプ７０に近くなる。このため、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅから受ける反力が、枠凹部４５の凹部端縁４５ａから受ける反力よりも大きくなり得る。特に、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅと、枠凹部４５の凹部端縁４５ａとの交点の近傍（平面視における枠第１面４１ａの角部４１ｊ）で反力が大きくなり得る。このため、当該角部４１ｊでマスク５０に生じる応力が集中する傾向にある。この状態で、マスク５０を枠４１に押し付けながら移動させると、当該角部４１ｊでマスク５０に変形や破損を生じる可能性が考えられる。
このため、図８２に示す枠４１にマスク５０を位置合わせするためにマスク５０を移動させる場合には、マスク５０を枠４１に押し付けながら移動させるのではなく、マスク５０を上昇させて枠第１面４１ａから離間させた状態でマスク５０を移動させる。そして、マスク５０の移動工程が終わるとマスク５０を下降して再び枠４１に押し付けて、確認工程が行われる。このように、マスク位置合わせ工程において、マスク５０の上昇工程と下降工程とが追加されるため、マスク５０のマスク位置合わせ工程に多くの時間が費やされていた。
これに対して本実施形態においては、基板１１０は、機械式の基板用クランプ７３を用いることなく、後述する図９１に示すように、静電チャック９で保持される。静電チャック９は、基板１１０よりも上方に位置するため、基板１１０よりも下方や側方に突出する部分が無い。このことにより、枠４１には、図８２に示すような枠凹部４５を形成することを不要にできる。このため、マスク５０の端部５１に重なる第１壁面縁４４ｅを、マスク５０の第１マスク縁５０ｃから第２マスク縁５０ｄにわたって第２方向Ｄ２に一直線状に延びるように形成することができる。このため、マスク５０が、枠４１から受ける反力は、第１壁面縁４４ｅからマスク５０に付与され、第１壁面縁４４ｅから受ける反力を幅方向に均等にさせることができる。このため、マスク５０が枠４１から受ける反力でマスク５０に生じる応力が集中することを抑制することができる。
この状態で、マスク５０を枠４１に押し付けながら移動させたとしても、マスク５０に変形や破損が生じることを抑制できる。このため、マスク５０を枠４１に押し付けながら移動させることができ、マスク位置合わせ工程において、図８２〜図８４に示した例のようなマスク５０の上昇工程と下降工程を不要にすることができる。従って、マスク５０のマスク位置合わせ工程の時間を短縮させることができる。
マスク位置合わせ工程の後、接合工程として、図８５に示すように、マスク５０が枠４１に接合される。接合工程において、マスク５０は、接合張力Ｔｄで第１方向Ｄ１に引っ張られるとともに枠４１に押し付けられてもよい。接合張力Ｔｄは、接合工程において、マスク５０に付与される張力である。接合張力Ｔｄは、マスク位置合わせ工程においてマスク５０に付与された張力であってもよい。すなわち、マスク位置合わせ工程の終了時から接合工程にわたって、マスク５０に付与される張力が不変となってもよい。言い換えると、マスク位置合わせ工程において、接合張力Ｔｄが付与された状態で、マスク５０の位置合わせが行われる。また、マスク位置合わせ工程の終了時から接合工程にわたって、枠４１へのマスク５０の押付力が不変となっていてもよい。
例えば、接合張力Ｔｄは、上述した第１貫通孔確認工程においてマスク５０に付与された第２張力Ｔｂであってもよい。より具体的には、上述した第１貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認の結果、貫通孔５６の位置が所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられている場合には、マスク位置合わせ工程が終了する。この場合、第１貫通孔確認工程においてマスク５０に第２張力Ｔｂが付与された状態が維持されて、接合工程が行われてもよい。すなわち、第１貫通孔確認工程の終了時から接合工程にわたって、マスク５０に付与される張力が不変となる。言い換えると、第１貫通孔確認工程において、マスク５０に接合張力Ｔｄが付与されて、枠４１に対する貫通孔５６の位置が確認される。また、第１貫通孔確認工程の終了時から接合工程にわたって、枠４１へのマスク５０の押付力が不変となっていてもよい。
あるいは、例えば、接合張力Ｔｄは、上述した第２貫通孔確認工程においてマスク５０に付与された第２張力Ｔｂであってもよい。より具体的には、上述した第２貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認の結果、貫通孔５６の位置が所望の位置に対して許容範囲内に位置づけられている場合には、マスク位置合わせ工程が終了する。この場合、第２貫通孔確認工程においてマスク５０に第２張力Ｔｂが付与された状態が維持されて、接合工程が行われてもよい。すなわち、第２貫通孔確認工程の終了時から接合工程にわたって、マスク５０に付与される張力が不変となる。言い換えると、第２貫通孔確認工程において、マスク５０に接合張力Ｔｄが付与されて、枠４１に対する貫通孔５６の位置が確認される。また、第２貫通孔確認工程の終了時から接合工程にわたって、枠４１へのマスク５０の押付力が不変となっていてもよい。
あるいは、例えば、接合張力Ｔｄは、上述した第３張力Ｔｃであってもよい。より具体的には、上述した張力調整工程が行われた場合には、マスク５０に付与される張力は、第２張力Ｔｂから調整された第３張力Ｔｃとなる。第３貫通孔確認工程においてマスク５０に第３張力Ｔｃが付与された状態が維持されて、接合工程が行われてもよい。すなわち、第３貫通孔確認工程の終了時から接合工程にわたって、マスク５０に付与される張力が不変となる。言い換えると、第３貫通孔確認工程において、マスク５０に接合張力Ｔｄが付与されて、枠４１に対する貫通孔５６の位置が確認される。また、第３貫通孔確認工程の終了時から接合工程にわたって、枠４１へのマスク５０の押付力が不変となっていてもよい。
接合工程においては、上述した接合張力Ｔｄが付与された状態で、マスク５０の端部５１から枠４１に延びる溶接部４６（接合部の一例）が形成される。例えば、レーザ光Ｌによるスポット溶接で、マスク５０が枠４１に接合されてもよい。この場合、図８５に示すように、マスク５０の第１面５５１にレーザ光Ｌが照射されて、レーザ光Ｌが照射された領域のうち第１面５５１から第２面５５２を越えて枠４１にわたる領域に溶融部が形成されてもよい。レーザ光Ｌの照射が終了すると溶融部が冷却されて固化して、図８５に示すような溶接部４６が形成されてもよい。このようにしてマスク５０は枠４１に接合されて固定される。
接合工程の後、取り外し工程として、図８６に示すように、マスク５０からマスク用クランプ７０が取り外される。このようにして、図８７に示すように、１つのマスク５０が枠４１に固定される。
取り外されたマスク用クランプ７０は、次に枠４１に接合されるマスク５０を迎えに行き、保持する。そして、上述した各工程を行うことにより、当該マスク５０が枠４１に接合される（図８７の二点鎖線で示すマスク５０参照）。その後、同様にして各工程を繰り返すことにより、図８８に示すように、所望の個数のマスク５０が枠４１に接合される。
このようにして、図８８に示すような中間体１６が得られる。中間体１６は、枠４１と、枠４１に接合され、後述する切断工程の前の段階のマスク５０と、を備える。このため、マスク装置の中間体１６を構成するマスク５０は、切断工程で切断して除去される除去部５９が残存している状態になっている。この点で、マスク装置の中間体１６とマスク装置１５とが区別されてもよい。
その後、切断工程として、図８９に示すように、各マスク５０の端部５１が切断（トリミングとも言う）される。この場合、マスク５０の端部５１のうち溶接部４６よりも第１方向Ｄ１の外側の位置で、マスク５０が切断され、切断位置よりも外側の部分である除去部５９が除去される。マスク５０を切断する切断刃７２は、枠４１の枠第１面４１ａに設けられた枠溝４４ｋに部分的に挿入されながら、マスク５０を切断する。そして、枠溝４４ｋに沿って第２方向Ｄ２に進みながら、図９０に示すように、マスク５０を順次切断する。このことにより、枠溝４４ｋに沿って各マスク５０が切断される。マスク５０の２つの端部５１は、１つの切断刃７２で別々に切断されてもよく（図９０参照）、２つの切断刃７２で同時に切断されてもよい。
このようにして、図７３に示すマスク装置１５が得られる。
次に、本実施形態によるマスク装置１５を用いた有機デバイス１００の製造方法について説明する。製造方法は、マスク装置１５を用いて基板１１０に蒸着材料７を付着させて第１蒸着層１３０を形成する工程を備えていてもよい。より具体的には、本実施形態による有機デバイスの製造方法は、基板準備工程と、装置準備工程と、装置位置合わせ工程と、密着工程と、蒸着工程と、を備えていてもよい。
基板準備工程として、上述した基板１１０を準備してもよい。装置準備工程として、上述したマスク装置１５を準備してもよい。
装置準備工程の後、装置位置合わせ工程として、マスク装置１５が基板１１０に対して位置合わせされる。装置位置合わせ工程においては、基板１１０に対するマスク装置１５の位置が確認される。例えば、アライメントマスク８０のマスクアライメントマーク８１と、基板１１０の対応するアライメントマーク（図示せず）とが位置合わせされるように、基板１１０に対する枠４１の位置が調整されてもよい。このことにより、基板１１０に対するマスク５０の位置を調整することができる。
装置位置合わせ工程の後、密着工程として、図９１に示すように、マスク装置１５のマスク５０を基板１１０に密着させてもよい。マスク５０の第１面５５１を、基板１１０に密着させてもよい。より具体的には、まず、マスク５０の第１面５５１が上方に配置されるように、マスク装置１５が蒸着室１０内に配置される。また、基板１１０が、上方から静電チャック９で保持される。続いて、基板１１０が、静電チャック９に保持された状態で、マスク５０の上方に配置される。次に、基板１１０の下面（被蒸着面）とマスク５０の第１面５５１とが突き合わされる。この際、基板１１０とマスク５０とで位置合わせが行われる。
次に、静電チャック９の上面に磁石５が配置され、磁石５の磁力で、マスク５０が基板１１０に引き寄せられる。このことにより、マスク５０の第１面５５１に、基板１１０が密着する（図９２参照）。なお、第１電極層１２０が陽極である場合、基板１１０には、マスク５０を密着させる前に、第１電極層１２０、正孔注入層、正孔輸送層などが形成されていてもよい。
磁石５ではなく、静電チャック９によってマスク５０と基板１１０とを密着させてもよい。この場合、基板１１０とマスク５０とで位置合わせを行った後、静電チャック９の静電力を強めて、静電チャック９の静電力で、マスク５０が基板１１０に引き寄せられる。このようにして、マスク５０の第１面５５１に基板１１０を密着させてもよい。
密着工程の後、蒸着工程として、図９２に示すように、マスク５０の貫通孔５６を通して蒸着材料７を基板１１０に蒸着させて第１蒸着層１３０が形成されてもよい。第１蒸着層１３０は、対応する正孔輸送層上に形成されてもよい。第１蒸着層１３０は、貫通孔５６のパターンに対応したパターンで形成される。
その後、第１蒸着層１３０上に、電子輸送層、電子注入層、第２電極層１４１など形成されてもよい。このようにして、有機デバイス１００が得られる。
本実施形態によれば、枠４１に対してマスク５０を位置合わせするマスク位置合わせ工程において、マスク５０は枠４１に押し付けられている。この間、マスク５０の端部５１は、平面視で、枠４１の枠壁面４４ａ、４４ｂの枠第１面４１ａの側の第１壁面縁４４ｅに重なるとともに、第１壁面縁４４ｅが、マスク５０の第１マスク縁５０ｃから第２マスク縁５０ｄにわたって第２方向Ｄ２に一直線状に延びるように配置される。このことにより、マスク５０が枠４１から受ける反力は、第１壁面縁４４ｅからマスク５０に付与され、第１壁面縁４４ｅから受ける反力をマスク５０の幅方向に均等にさせることができる。この場合、マスク５０が枠４１から受ける反力でマスク５０に生じる応力が局所的に集中することを抑制できる。このため、マスク５０を枠４１に押し付けながら移動させることができ、マスク５０のマスク位置合わせ工程に要する時間を短縮させることができる。
本実施形態によれば、接合工程において、マスク５０が、接合張力Ｔｄで第１方向Ｄ１に引っ張られるとともに枠４１に押し付けられながら、枠４１に接合される。マスク位置合わせ工程において、マスク５０には、この接合張力Ｔｄが付与される。このことにより、接合工程においてマスク５０に付与される張力と等しい張力で、マスク５０の位置合わせを行うことができる。このため、貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。
本実施形態によれば、マスク位置合わせ工程は、マスク５０を枠４１に押し付けながら、枠４１に対する貫通孔５６の位置を確認する第１貫通孔確認工程を有している。このことにより、マスク５０を枠４１に押し付けた状態で貫通孔５６の位置を確認することができ、マスク５０の位置合わせを効率良く行うことができる。このため、マスク５０のマスク位置合わせ工程に要する時間をより一層短縮させることができる。また、第１貫通孔確認工程において、マスク５０に接合張力Ｔｄが付与される。このことにより、接合工程においてマスク５０に付与される張力と等しい張力で、貫通孔５６の位置を確認することができる。このため、貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。
本実施形態によれば、マスク位置合わせ工程は、マスク５０を枠４１に押し付けながら第２方向Ｄ２及び第１方向Ｄ１で画定される２次元平面内でのいずれかの方向に移動させる移動工程を有している。このことにより、マスク５０を枠４１に押し付けながら２次元的に移動させることができ、マスク５０の位置合わせを効率良く行うことができる。このため、マスク５０のマスク位置合わせ工程に要する時間をより一層短縮させることができる。また、第１貫通孔確認工程における貫通孔５６の位置確認結果に基づいて、マスク５０を移動させることができる。このことにより、貫通孔５６の位置ずれを効果的に解消することができる。この点においても、マスク５０の位置合わせを効率良く行うことができる。また、移動工程において、マスク５０に接合張力Ｔｄが付与される。このことにより、接合工程においてマスク５０に付与される張力と等しい張力で、マスク５０を移動させることができる。このため、貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。
本実施形態によれば、マスク位置合わせ工程は、移動工程の後、マスク５０を枠４１に押し付けながら、枠４１に対する貫通孔５６の位置を確認する第２貫通孔確認工程を有している。このことにより、マスク５０を枠４１に押し付けた状態で貫通孔５６の位置を確認することができ、マスク５０の位置合わせを効率良く行うことができる。このため、マスク５０のマスク位置合わせ工程に要する時間をより一層短縮させることができる。また、第２貫通孔確認工程において、マスク５０に接合張力Ｔｄが付与される。このことにより、接合工程においてマスク５０に付与される張力と等しい張力で、貫通孔５６の位置を確認することができる。このため、貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。
本実施形態によれば、第２貫通孔確認工程において貫通孔５６の位置を確認した後、マスク５０に付与される張力が調整された場合には、その後、第３貫通孔確認工程として貫通孔５６の位置が確認される。そして、第３貫通孔確認工程において、マスク５０に接合張力Ｔｄが付与される。このことにより、マスク５０に付与される張力が調整された場合には、その後に、接合工程においてマスク５０に付与される張力と等しい張力で、貫通孔５６の位置を確認することができる。このため、貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。
本実施形態によれば、マスク５０を枠４１に接合する溶接部４６が形成された後、マスク５０の端部５１のうち溶接部４６よりも第１方向Ｄ１の外側の位置でマスク５０が切断される。このことにより、枠４１に対してマスク５０を位置合わせした状態でマスク５０を枠４１に接合することができ、マスク５０を切断した後であっても、位置合わせされた状態を維持することができる。このため、貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。
本実施形態によれば、枠４１の枠第１面４１ａに、第２方向Ｄ２に延びる枠溝４４ｋが設けられ、この枠溝４４ｋに沿ってマスク５０が切断される。このことにより、マスク５０が枠４１に接合された後であっても、切断刃７２などの切断手段を用いてマスク５０を切断することができる。このため、マスク５０を効率良く切断することができる。また、枠溝４４ｋは枠第１面４１ａに設けられていることから、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅよりも第１方向Ｄ１における内側でマスク５０を切断することができる。このことにより、溶接部４６よりも第１方向Ｄ１の外側に残存するマスク５０の長さを短くすることができる。このため、マスク５０のうち、枠４１に接合された後に張力から解放される部分を、短くすることができる。この場合、マスク装置１５を洗浄した際に洗浄液が残存することを抑制でき、洗浄液残存により不具合が生じることを抑制できる。
本実施形態によれば、枠４１の枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅが、一のマスク５０から他のマスク５０にわたって第２方向Ｄ２に一直線状に延びている。このことにより、第１壁面縁４４ｅから受ける反力の影響を、各マスク５０で共通にさせることができる。このため、各マスク５０の位置合わせを、容易にさせることができ、各マスク５０の貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。とりわけ、本実施形態によれば、第１壁面縁４４ｅが、第２方向Ｄ２において最も一側に位置するマスク５０から、当該マスク５０とは反対側に位置するマスク５０にわたって第２方向Ｄ２に一直線状に延びている。このため、全てのマスク５０の位置合わせを容易にさせることができ、各マスク５０の貫通孔５６の位置精度をより一層向上させることができる。
本実施形態によれば、マスク装置１５のマスク５０を基板１１０に密着させる際に、基板１１０が、上方から静電チャック９で保持される。このことにより、基板１１０から下方や側方に突出して枠４１に干渉する障害物が形成されることを回避できる。このため、マスク５０の端部５１に重なる第１壁面縁４４ｅを第２方向Ｄ２に一直線状に延びるように形成することができる。
上述した本実施形態においては、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅが、第２方向Ｄ２において最も一側に位置するマスク５０から、当該マスク５０とは最も反対側に位置するマスク５０にわたって、第２方向Ｄ２に一直線状に延びている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。枠４１に接合された複数のマスク５０のうちの少なくとも１つのマスク５０に対して、枠壁面４４ａ、４４ｂの第１壁面縁４４ｅが、切断工程後のマスク５０の第１マスク縁５０ｃの第１延長線５０ｅから第２マスク縁５０ｄの第２延長線５０ｆにわたって、第２方向Ｄ２に一直線状に延びていればよい。また、第１壁面縁４４ｅは、マスク５０毎に一直線状に延びていればよく、一のマスク５０から、隣り合う他のマスク５０にわたって一直線状に延びていなくてもよい。
本実施形態の上述のマスク装置の製造方法に基づいて、標準マスク５０Ａ及びマスク支持体４０を備える標準マスク装置１５Ａを製造してもよい。標準マスク装置１５Ａは、蒸着室１０の特性を評価するために用いられる。このため、標準マスク装置１５Ａの構成要素には高い精度が求められる。本実施の形態によれば、標準マスク５０Ａの貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。このため、蒸着室１０の特性をより正確に評価できる。
図示はしないが、本実施形態のマスク支持体４０も、上述の実施の形態と同様に、枠４１に接続されている桟４２を備えていてもよい。桟４２は、上述の第２の実施の形態と同様に、枠４１と一体的に構成されていてもよい。上述のように、一体的に構成されている枠４１及び桟４２を含むマスク支持体４０は、枠４１と桟４２とが別個の部材である場合に比べて、桟４２が延びる方向において高い剛性を有する。このため、マスク支持体４０がマスク５０又は標準マスク５０Ａから受ける力によって、マスク支持体４０の枠４１が第２方向Ｄ２において変形することを抑制できる。これにより、貫通孔５６の位置が設計位置からずれてしまうことを抑制できる。
桟４２の桟第１面４２ａは、枠４１の枠第１面４１ａと同一平面上に位置していてもよい。これにより、桟４２によって下方から支持されるマスク５０又は標準マスク５０Ａの面の位置を、枠４１の枠第１面４１ａに対して制御し易くなる。このため、貫通孔５６の位置精度を向上させることができる。
上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

Claims (44)

  1. 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法であって、
    前記蒸着室において、標準マークを含む標準基板に標準マスク装置の標準マスクの貫通孔を介して材料を蒸着させて前記標準基板に蒸着層を形成する蒸着工程と、
    前記蒸着層が形成されている前記標準基板を前記製造装置から搬出する搬出工程と、
    前記製造装置から搬出された前記標準基板における前記標準マークと前記蒸着層との位置関係を観察する観察工程と、を備える、評価方法。
  2. 前記標準マークと前記蒸着層との位置関係が条件を満たすか否かを判定する判定工程を備える、請求項１に記載の評価方法。
  3. 前記標準基板は、前記蒸着層が形成される前記標準基板の領域を第１方向においてｍ分割し前記第１方向に交差する第２方向においてｎ分割することによって画成される分割領域を含み、
    ｍ及びｎは、２以上の整数であり、
    前記判定工程は、前記標準マークと前記蒸着層との位置関係が条件を満たすか否かを各分割領域において判定する、請求項２に記載の評価方法。
  4. 前記判定工程は、下記の条件（１）が満たされているか否かを判定する第１判定工程を含む、
    （１）前記蒸着層の外縁が、前記標準マークの第１マークの外縁の内側に位置している；
    請求項２又は３に記載の評価方法。
  5. 前記判定工程は、下記の条件（２）が満たされているか否かを判定する第２判定工程を含む、
    （２）前記蒸着層の外縁が、前記第１マークよりも内側に位置する第２マークの外縁の外側に位置している；
    請求項４に記載の評価方法。
  6. 前記蒸着工程においては、前記標準マークを構成する遮光層の上に前記蒸着層が形成され、
    前記観察工程は、前記標準基板の面のうち前記遮光層及び前記蒸着層とは反対側の面から前記標準マークに向けて光を照射し、前記蒸着層からの励起光が生じるか否かを観察する工程を含む、請求項２又は３に記載の評価方法。
  7. 前記標準マスクは、前記貫通孔と、前記貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域と、を含む標準領域を備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の評価方法。
  8. 前記標準マスクは、前記標準マスクの幅方向の中央領域に位置し、前記標準マスクの長手方向に並ぶ２以上の前記標準領域を備える、請求項７に記載の評価方法。
  9. 前記標準マスクは、前記標準マスクの幅方向において前記中央領域に隣接する端領域に位置し、前記標準マスクの長手方向及び幅方向に並ぶ２以上の前記貫通孔を備える、請求項８に記載の評価方法。
  10. 前記標準マスクは、前記標準マスクの幅方向において前記中央領域に隣接する端領域に位置する非貫通領域を備える、請求項８に記載の評価方法。
  11. 前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備え、
    前記標準領域は、デバイス空間に位置しており、
    前記デバイス空間は、前記蒸着室において製造される前記有機デバイスに重なる空間である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の評価方法。
  12. 前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備え、
    前記第１方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第１方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上であり、
    前記第２方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第２方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上である、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の評価方法。
  13. 前記標準マスク装置は、第１方向に延びる一対の第１辺及び前記第１方向に交差する第２方向に延びる一対の第２辺を含む枠と、前記一対の第２辺に固定され、前記第２方向に並ぶ２以上の前記標準マスクと、を備える、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の評価方法。
  14. 前記搬出工程は、前記蒸着層を含む前記標準基板上の要素が封止されていない状態で前記標準基板を前記製造装置から搬出する、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の評価方法。
  15. 請求項１に記載の評価方法で用いられる標準マスク装置。
  16. 貫通孔と、貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域と、を含む標準領域を備える標準マスクを含む、請求項１５に記載の標準マスク装置。
  17. 有機デバイスの製造装置の蒸着室を評価する標準マスク装置であって、
    貫通孔を含む標準マスクを備え、
    前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備え、
    前記第１方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第１方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上であり、
    前記第２方向における２つの前記標準領域の間の間隔の寸法に対する、前記第２方向における前記標準領域の寸法の比率が、０．１以上である、標準マスク装置。
  18. 前記標準領域は、デバイス空間に位置しており、
    前記デバイス空間は、前記蒸着室において製造される前記有機デバイスに重なる空間である、請求項１７に記載の標準マスク装置。
  19. 前記標準マスク装置は、前記第１方向に延びる一対の第１辺、前記第２方向に延びる一対の第２辺及び開口を含む枠と、前記一対の第２辺に固定され、前記第２方向に並ぶ２以上の前記標準マスクと、を備える、請求項１７又は１８に記載の標準マスク装置。
  20. 前記標準領域は、中央領域に位置し、
    前記中央領域は、前記標準マスクを前記第２方向において三等分した場合の中央の領域である、請求項１９に記載の標準マスク装置。
  21. 前記標準領域は、前記中央領域において前記貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域を含む、請求項２０に記載の標準マスク装置。
  22. 前記標準マスク装置は、前記開口に位置し、前記枠に接続されている桟を備え、
    前記枠は、前記標準マスクが固定される枠第１面と、前記枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面と前記枠第２面との間に位置し、前記桟が接続されている内側面と、前記内側面の反対側に位置する外側面と、を含み、
    前記桟は、前記枠第１面の側に位置する桟第１面と、前記桟第１面の反対側に位置する桟第２面と、前記桟第１面と前記桟第２面との間に位置する桟側面と、を含み、
    前記枠第１面と前記桟第１面とが連続している、請求項１９乃至２１のいずれか一項に記載の標準マスク装置。
  23. 前記枠第１面と前記桟第１面とが同一平面上に位置している、請求項２２に記載の標準マスク装置。
  24. 平面視において、前記内側面と前記桟側面とが、第１曲率半径を有する第１接続部を介して接続されている、請求項２２又は２３に記載の標準マスク装置。
  25. 前記内側面と前記桟第２面とが、第２曲率半径を有する第２接続部を介して接続されている、請求項２２乃至２４のいずれか一項に記載の標準マスク装置。
  26. 前記桟は、前記第１辺に接続されている第１桟を含む、請求項２２乃至２５のいずれか一項に記載の標準マスク装置。
  27. 前記桟は、前記第２辺に接続されている第２桟を含む、請求項２２乃至２５のいずれか一項に記載の標準マスク装置。
  28. 前記桟は、前記第１辺に接続されている第１桟と、前記第２辺に接続されている第２桟と、を含み、
    平面視において、前記第１桟の桟側面と前記第２桟の桟側面とが、第３曲率半径を有する第３接続部を介して接続されている、請求項２２乃至２５のいずれか一項に記載の標準マスク装置。
  29. 前記桟の厚みは、前記枠の厚みよりも小さい、請求項２２乃至２８のいずれか一項に記載の標準マスク装置。
  30. 前記枠の厚みに対する前記桟の厚みの比率が０．８５以下である、請求項２９に記載の標準マスク装置。
  31. 有機デバイスの製造装置の蒸着室を評価する標準マスク装置の製造方法であって、
    枠に標準マスクを固定する固定工程を備え、
    前記枠は、第１方向に延びる一対の第１辺、前記第１方向に交差する第２方向に延びる一対の第２辺及び開口を含み、
    前記標準マスクは、前記第１方向における一対の端部と、前記一対の端部の間に位置する貫通孔と、を含み、
    前記固定工程は、前記一対の端部が前記一対の第２辺に重なるように前記標準マスクを配置する配置工程と、
    前記配置工程の後、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記枠に対する前記標準マスクの位置を調整するマスク位置合わせ工程と、
    前記マスク位置合わせ工程の後、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記標準マスクを前記枠に接合する接合工程と、を備える、製造方法。
  32. 前記マスク位置合わせ工程は、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記枠に対する前記前記貫通孔の位置を確認する第１確認工程を含む、請求項３１に記載の製造方法。
  33. 前記マスク位置合わせ工程は、前記第１方向において前記標準マスクに接合張力を付与するとともに前記標準マスクを前記枠に押し付けながら、前記第１方向及び前記第２方向で画定される２次元平面内でのいずれかの方向において前記標準マスクを移動させる移動工程を含む、請求項３１又は３２に記載の製造方法。
  34. 前記枠は、前記標準マスクが固定される枠第１面と、前記枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面と前記枠第２面との間に位置し、前記開口に面する内側面と、平面視において前記内側面よりも外側に位置し、前記枠第１面に接続されている枠壁面と、を含み、
    前記枠壁面は、前記枠壁面と前記枠第１面とが交わる位置である第１壁面縁を含み、
    前記マスク位置合わせ工程において、前記一対の端部は前記第１壁面縁に重なっており、
    前記一対の端部に重なる前記第１壁面縁の部分は、前記第２方向に一直線状に延びている、請求項３１乃至３３のいずれか一項に記載の製造方法。
  35. 前記標準マスク装置は、前記開口に位置し、前記枠に接続されている桟を備え、
    前記枠は、前記標準マスクが固定される枠第１面と、前記枠第１面の反対側に位置する枠第２面と、前記枠第１面と前記枠第２面との間に位置し、前記桟が接続されている内側面と、前記内側面の反対側に位置する外側面と、を含み、
    前記桟は、前記枠第１面の側に位置する桟第１面と、前記桟第１面の反対側に位置する桟第２面と、前記桟第１面と前記桟第２面との間に位置する桟側面と、を含み、
    前記枠第１面と前記桟第１面とが連続している、請求項３１乃至３４のいずれか一項に記載の製造方法。
  36. 前記標準マスク装置は、前記一対の第２辺に固定され、前記第２方向に並ぶ２以上の前記標準マスクを備える、請求項３１乃至３５のいずれか一項に記載の製造方法。
  37. 前記標準マスク装置は、前記貫通孔を含み、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に並ぶ標準領域を備え、
    前記標準領域は、中央領域に位置し、
    前記中央領域は、前記標準マスクを前記第２方向において三等分した場合の中央の領域である、請求項３６に記載の製造方法。
  38. 前記標準領域は、前記中央領域において前記貫通孔の周囲に位置し、平面視において前記貫通孔の配列周期よりも大きい寸法を有する非貫通領域を含む、請求項３７に記載の製造方法。
  39. 請求項１に記載の評価方法で用いられる標準基板。
  40. 請求項４に記載の評価方法で評価された前記蒸着室を備える有機デバイスの製造装置であって、
    前記判定工程において、前記蒸着層の外縁が、前記標準マークの第１マークの外縁の内側に位置すると判定された、製造装置。
  41. 請求項４０に記載の製造装置の前記蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス。
  42. 有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法であって、
    前記蒸着室において、標準マークを含む標準基板と標準マスク装置とを組み合わせる組合せ工程と、
    前記蒸着室において、標準マークを含む標準基板に標準マスク装置の標準マスクの貫通孔を介して材料を蒸着させて前記標準基板に蒸着層を形成する蒸着工程と、
    前記蒸着層が形成されている前記標準基板を前記製造装置から搬出する搬出工程と、
    前記製造装置から搬出された前記標準基板における前記標準マークと前記蒸着層との位置関係を観察する観察工程と、
    前記標準マークと前記蒸着層との位置関係に基づいて前記組み合わせ工程の設定を調整する調整工程と、を備える、メンテナンス方法。
  43. 前記調整工程は、前記標準基板の面のうち前記標準マスク装置とは反対側の面の側に位置する磁石の磁力分布、又は静電チャックの静電気力の分布を調整する磁石調整工程を含む、請求項４２に記載のメンテナンス方法。
  44. 前記調整工程は、前記標準基板の面のうち前記標準マスク装置とは反対側の面の側に位置する冷却板の配置を調整する冷却板工程を含む、請求項４２又は４３に記載のメンテナンス方法。
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