WO2016088632A1 - 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法 Download PDF

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WO2016088632A1
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WO
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vapor deposition
deposition mask
mask
substrate
deposition
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PCT/JP2015/083157
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勇毅 小林
伸一 川戸
学 二星
和雄 滝沢
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シャープ株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to an evaporation mask, an evaporation apparatus, an evaporation mask manufacturing method, and an evaporation method.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an EL display device including an EL element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of an organic material or an inorganic material is an all-solid-state type, driven at a low voltage, and has a high-speed response.
  • EL electroluminescence
  • the EL display device includes a light emitting layer that emits light of a desired color corresponding to a plurality of sub-pixels constituting a pixel in order to realize full color display.
  • the light emitting layer is vapor deposited by separately depositing different vapor deposition particles on each region on the deposition substrate using a fine metal mask (FMM) provided with a highly accurate opening as a vapor deposition mask. Formed as a film.
  • FMM fine metal mask
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a film formation substrate 530 and a vapor deposition mask 510 for explaining a conventional general vapor deposition method for forming a light emitting layer.
  • vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source 520 are deposited on the vapor deposition mask 510 in a state where the deposition target substrate 530 and the vapor deposition mask 510 including the opening 512 are in close contact with each other.
  • the film is deposited on the deposition target substrate 530 through the opening 512.
  • vapor deposition films as light emitting layers 511 that emit light of the respective colors are formed in the red sub-pixel region R, the green sub-pixel region G, and the blue sub-pixel region B corresponding to the position of the opening 512.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a film formation substrate 530 and a vapor deposition mask 510 for explaining problems of a conventional vapor deposition method for forming a light emitting layer.
  • broken line arrows indicate the path of the vapor deposition particles.
  • the vapor deposition particles that pass through the opening 512 at an incident angle smaller than a predetermined angle with respect to the surface of the vapor deposition mask 510 wrap around the outside of the green subpixel region G to be originally vapor deposited. .
  • the position where the light emitting layer is formed deviates from the original position of the film formation pattern, and so-called film formation blur occurs.
  • some of the vapor deposition particles that have circulated to the outside of the green sub-pixel region G to be originally deposited reach the red sub-pixel region R adjacent to the green sub-pixel region G.
  • a light emitting layer 511 that emits green light is formed in the red sub-pixel region R, and color mixing occurs in the red sub-pixel region R.
  • the vapor deposition particles do not reach a part of the green sub-pixel region G, and the light emitting layer 511 is not formed in this region. As a result, the light emission amount is nonuniform in the green sub-pixel region G.
  • rotational film formation is performed in which vapor deposition is performed by rotating the deposition target substrate 530 and the vapor deposition mask 510 with a direction perpendicular to the surface as a rotation axis. It is possible to do it.
  • vapor deposition is performed in a state rotated by 180 ° from the state shown in FIG. 17, the vapor deposition particles reach the blue sub-pixel region B beyond the green sub-pixel region G to be originally vapor-deposited. As a result, color mixture occurs also in the blue sub-pixel region B.
  • the deposition pattern accuracy is lowered by separating the deposition target substrate 530 and the vapor deposition mask 510. Therefore, the light emitting layer of the EL display device is formed using the conventional vapor deposition method. In this case, the display quality of the EL display device is degraded.
  • a magnetic mask is used, and a magnet is disposed on the opposite side of the deposition mask with respect to the deposition substrate, so that the deposition substrate and the deposition mask are brought into close contact with each other by magnetic force.
  • a technique for performing vapor deposition in a state is known.
  • JP 2012-89837 A Japanese Patent Publication “JP 2012-89837 A (published May 10, 2012)”
  • Patent Document 1 describes glass substrate holding means for holding a glass substrate when a reflective layer or the like is formed on the glass substrate. Since the glass substrate holding means of Patent Document 1 has an adsorbing portion that adsorbs and holds the glass substrate by van der Waals force, the glass substrate can be held.
  • the suction part of the glass substrate holding means of Patent Document 1 is in contact with only the outer edge part of the glass substrate. Therefore, when the technique described in Patent Document 1 is applied and vapor deposition is performed with the suction portion of the glass substrate holding means provided on the vapor deposition mask, the deposition target substrate and the vapor deposition mask are separated from each other at the central portion of the vapor deposition mask. As a result, the deposition pattern accuracy decreases.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and its purpose is to improve the adhesion with a deposition target substrate and improve the deposition pattern accuracy, a deposition mask, a deposition apparatus, and a deposition mask. It is in providing a manufacturing method and a vapor deposition method.
  • a vapor deposition mask is a vapor deposition mask having a plurality of openings for forming a vapor deposition material on a deposition target substrate.
  • the contact surface with the substrate has a fine concavo-convex structure for adsorbing the deposition target substrate by van der Waals force so as to surround each of the plurality of openings.
  • a vapor deposition apparatus includes a vapor deposition method in which the vapor deposition mask and the vapor deposition material are deposited on the deposition target substrate through the opening in the vapor deposition mask. And a source.
  • a method for manufacturing a vapor deposition mask includes a plurality of openings for forming a vapor deposition material on a deposition target substrate, A method of manufacturing a vapor deposition mask having a fine concavo-convex structure that adsorbs the deposition target substrate by van der Waals force so as to surround each of the plurality of openings on a contact surface with the film substrate, An opening forming step for forming a plurality of openings in the vapor deposition mask, and a fine concavo-convex structure forming step for forming the fine concavo-convex structure on a contact surface of the vapor deposition mask with the deposition target substrate. To do.
  • an evaporation method is an evaporation method for forming a predetermined pattern on a deposition target substrate, and the deposition target is formed on the deposition mask.
  • a deposition substrate adsorption step for bringing the deposition substrate into contact with the deposition mask by bringing the substrate into contact, and deposition for depositing the deposition material on the deposition substrate through the opening in the deposition mask.
  • a material deposition step for bringing the deposition substrate into contact with the deposition mask by bringing the substrate into contact, and deposition for depositing the deposition material on the deposition substrate through the opening in the deposition mask.
  • a vapor deposition mask capable of improving adhesion with a deposition target substrate and improving vapor deposition pattern accuracy.
  • (A) is a side view of the vapor deposition mask concerning Embodiment 1 of this invention
  • (b) is a top view of the vapor deposition mask concerning Embodiment 1 of this invention.
  • (A) is sectional drawing which shows the structure of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 of this invention
  • (b) is a perspective view which shows the structure of the principal part of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 of this invention. It is sectional drawing of the film-forming target substrate and vapor deposition mask for demonstrating the vapor deposition method using the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 of this invention.
  • (A) is sectional drawing of the film-forming substrate and vapor deposition mask for demonstrating the vapor deposition method using the conventional vapor deposition apparatus
  • (b) is the vapor deposition method using the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 of this invention. It is sectional drawing of the to-be-film-formed substrate and vapor deposition mask for demonstrating.
  • (A) is sectional drawing of the film-forming substrate and vapor deposition mask which show the state which the edge part of the vapor deposition mask was closely_contact
  • (b) is the edge part vicinity of an vapor deposition mask closely_contact
  • FIG. 2C is a cross-sectional view of the film formation substrate and the vapor deposition mask showing the state of the film formation
  • FIG. (A)-(c) is sectional drawing which shows the manufacturing method of the vapor deposition mask concerning Embodiment 1 of this invention in order of a process.
  • It is a side view which shows the other structural example of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 of this invention.
  • FIG. 1 is a top view of a vapor deposition mask and a film formation substrate in the state which made the vapor deposition mask concerning Embodiment 3 of this invention oppose to a film formation substrate
  • (b) is AA of (a).
  • FIG. It is a perspective view which shows the structure of the principal part of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 4 of this invention. It is a side view of the vapor deposition mask concerning Embodiment 4 of this invention.
  • (A) is a top view which shows the other example of the vapor deposition mask concerning Embodiment 4 of this invention,
  • (b) is BB sectional view taken on the line of (a).
  • FIG. 2A is a cross-sectional view showing the configuration of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment
  • FIG. 2B is a perspective view showing the configuration of the main part of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment. It is.
  • the vapor deposition apparatus 1 is an apparatus for forming a vapor deposition film made of the vapor deposition material 22 in a film formation area 31 (substrate film formation area) of the deposition target substrate 30.
  • a case where the light emitting layer 32 of the EL display device is formed as the vapor deposition film will be described as an example.
  • the vapor deposition apparatus 1 includes a film formation chamber 2, a vapor deposition mask 10, a vapor deposition source 20, a mask frame 15, a mask holder 41 (vapor deposition mask holding member), a rotation mechanism 45, a deposition plate and a shutter (not shown), and the like. It has.
  • the vapor deposition mask 10, the vapor deposition source 20, the mask frame 15, the mask holder 41, the rotation shaft 46 of the rotation mechanism 45, a deposition plate, a shutter, and the like are provided in the film formation chamber 2.
  • the film forming chamber 2 evacuates the film forming chamber 2 through an exhaust port (not shown) provided in the film forming chamber 2 in order to keep the inside of the film forming chamber 2 in a vacuum state during vapor deposition. There is a vacuum pump that does not.
  • the vapor deposition source 20 is disposed on the side opposite to the deposition target substrate 30 so as to face the vapor deposition mask 10.
  • the vapor deposition source 20 is, for example, a container that houses the vapor deposition material 22 therein.
  • the vapor deposition source 20 may be a container that directly stores the vapor deposition material 22 inside the container, may have a load-lock type pipe, and may be formed so that the vapor deposition material 22 is supplied from the outside. .
  • the vapor deposition source 20 has an injection port 21 for injecting the vapor deposition material 22 as vapor deposition particles on the upper surface side thereof (that is, the surface facing the vapor deposition mask 10).
  • the vapor deposition source 20 generates gaseous vapor deposition particles by heating and vaporizing the vapor deposition material 22 (when the vapor deposition material 22 is a liquid material) or sublimating (when the vapor deposition material 22 is a solid material).
  • the vapor deposition source 20 injects the vapor deposition material 22 thus gasified as vapor deposition particles from the injection port 21 toward the vapor deposition mask 10.
  • one vapor deposition source 20 is illustrated, but the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment may include two or more vapor deposition sources 20.
  • the vapor deposition apparatus 1 when forming a light emitting layer comprising a host material and a dopant material as a vapor deposition film, the vapor deposition apparatus 1 includes a vapor deposition source for vapor depositing the host material and a vapor deposition source for vapor depositing the dopant material. May be.
  • the vapor deposition apparatus 1 when forming the light emitting layer provided with host material, dopant material, and assist material as a vapor deposition film, the vapor deposition apparatus 1 is the vapor deposition source for vapor-depositing host material, The vapor deposition source for vapor-depositing dopant material, And a vapor deposition source for vapor-depositing the assist material.
  • FIGS. 2A and 2B show an example in which one injection port 21 is provided in the cylindrical vapor deposition source 20, the shape and the projection of the vapor deposition source 20 are illustrated.
  • the number of outlets 21 is not particularly limited.
  • the evaporation source 20 may be rectangular, for example.
  • the injection ports 21 may be arranged at a constant pitch, for example, in a one-dimensional shape (that is, a line shape), or in a two-dimensional shape (that is, a planar shape (ie, a tile shape)). May be arranged.
  • a mask frame 15 for supporting the vapor deposition mask 10 is provided as shown in FIG.
  • the mask frame 15 has a frame shape with an opening at the center, and supports the vapor deposition mask 10 at its end (peripheral portion).
  • the mask frame 15 is welded or bonded to the mask frame 15 with a laser beam or the like, for example, with the vapor deposition mask 10 sufficiently stretched so that the vapor deposition mask 10 is not bent. By doing so, it is fixed to the vapor deposition mask 10.
  • the mask frame 15 is not essential, and the vapor deposition mask 10 may be directly mounted on the mask holder 41.
  • the mask holder 41 includes a mask mount 42 on which the vapor deposition mask 10 is mounted in close contact with the deposition target substrate 30.
  • the rotation mechanism 45 includes a rotation shaft 46, a rotation drive unit (not shown) such as a motor that drives the rotation shaft 46 to rotate, and a rotation (not shown) that controls driving of the rotation drive unit. And a drive control unit.
  • the rotary shaft 46 is connected to the mask holder 41.
  • the rotation drive control unit rotates the mask holder 41 by driving a rotation drive unit such as a motor and rotating the rotation shaft 46 as indicated by arrows in FIGS.
  • a rotation drive unit such as a motor and rotating the rotation shaft 46 as indicated by arrows in FIGS.
  • the influence of the shadow by the vapor deposition mask 10 is reduced, and vapor deposition is performed on the deposition area 31 of the deposition target substrate 30.
  • the material can be uniformly formed.
  • the vapor deposition apparatus 1 is a rotary vapor deposition apparatus, and the vapor deposition apparatus 1 includes a rotation mechanism 45 as an example. When the influence can be ignored, the vapor deposition apparatus 1 does not necessarily have to include the rotation mechanism 45.
  • the mask holder 41 includes the mask mount 42, and the case where the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 are mounted on the mask mount 42 is illustrated as an example. Is not limited to this.
  • the mask holder 41 may be a substrate holding member such as an electrostatic chuck, for example, and is formed by an elevating mechanism (not shown) that holds the deposition target substrate 30 by the electrostatic chuck and on which the vapor deposition mask 10 is placed.
  • the film substrate 30 and the vapor deposition mask 10 may be brought into close contact with each other. By holding the film formation substrate 30 using an electrostatic chuck, the film formation substrate 30 can be prevented from bending.
  • FIG. 1A is a side view of a vapor deposition mask 10 according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 1B is a plan view of the vapor deposition mask 10 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the vapor deposition mask 10 is a mask for forming a vapor deposition film made of the vapor deposition material 22 on the deposition target substrate 30.
  • the vapor deposition mask 10 includes a plurality of mask opening areas 11 that face the film formation area 31 of the film formation substrate 30 when facing the film formation substrate 30. . Inside the mask opening area 11, as the opening portion 12, a through-hole arranged in a matrix shape for allowing vapor deposition particles (deposition material 22) to pass during vapor deposition is provided.
  • the vapor deposition mask 10 may be a resin mask or a metal mask.
  • the vapor deposition mask 10 may be a mask having a laminated structure of a resin layer (for example, a resin mask) and a metal layer (for example, a metal mask).
  • Examples of the metal used as the material for the vapor deposition mask 10 include magnetic metals having magnetism such as iron, nickel, invar (iron-nickel alloy), SUS430, and the like.
  • invar which is an iron-nickel alloy, can be suitably used because it is less deformed by heat.
  • the metal is not limited to magnetic metal particles, and may be a nonmagnetic metal that does not have magnetism.
  • examples of the resin used as the material for the vapor deposition mask 10 include polyimide, polyethylene, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, and epoxy resin. Any one of these resins may be used, or two or more thereof may be used.
  • the openings 12 can be formed with high accuracy by laser processing or the like. Thereby, the positional accuracy of the opening part 12 in the mask main body 16 can be improved, and the pattern accuracy of the vapor deposition film formed can be improved.
  • the deposition target substrate 30 has four slot-shaped deposition areas 31, and the deposition mask 10 has four mask opening areas 11 corresponding to this.
  • the shape and number of the film formation area 31 and the mask opening area 11 are not limited to this.
  • the film formation area 31 may have a slit shape, or the film formation substrate 30 may have six film formation areas 31 corresponding to the mask opening area 11 shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 10 includes a plate-shaped mask main body 16, and a surface of the mask main body 16 that faces the film formation substrate 30 (the film formation substrate 30 and the surface).
  • the fine concavo-convex structure 14 for adsorbing the deposition target substrate 30 by van der Waals force is provided so as to surround the openings 12 provided in the mask main body 16. .
  • the fine concavo-convex structure 14 is formed in at least a part of the contact area in contact with the deposition target substrate 30 on the contact surface with the deposition target substrate 30 among the surfaces of the vapor deposition mask 10.
  • the fine concavo-convex structure 14 is formed in the entire contact region in contact with the deposition target substrate 30 on the contact surface with the deposition target substrate 30 among the surfaces of the vapor deposition mask 10.
  • the fine concavo-convex structure 14 is provided in all regions (hatched portions in FIG. 1B) other than the opening 12 on the surface of the vapor deposition mask 10.
  • the fine concavo-convex structure 14 is constituted by a plurality of elongated structures 13 protruding from the surface of the mask body 16.
  • the structure 13 constituting the fine concavo-convex structure 14 is made of the same material as the mask main body 16 or a material modified (for example, oxidized) by corroding the surface of the mask main body 16 and provided integrally with the mask main body 16. It has been.
  • the structure 13 has, for example, a length (height from the surface of the mask main body 16) of several ⁇ m, a diameter of several hundred nm, and a density on the surface of the mask main body 16 of 10 10 pieces / cm 2. It is formed as follows.
  • the structure 13 has a structure and flexibility that can adsorb the deposition target substrate 30 with van der Waals force when it is brought into contact with the deposition target substrate 30.
  • the mass of the deposition substrate 30 is X (g)
  • 1 gf (1 weight gram) 0.008 N
  • the downward force applied to the contact surface between the deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 is 0.0098 ⁇ X (N), that is, about (1 / 102) ⁇ X (N).
  • the vapor deposition mask 10 is formed.
  • the condition for making it adhere to the film substrate 30 is represented by the following formula (1).
  • the mass be X (g).
  • the intermolecular force acting between the deposition target substrate 30 and the vapor deposition mask 10 becomes sufficient.
  • the tensile strength of the vapor deposition mask 10 made using Invar alloy, NI alloy or the like is about 400 N / mm 2
  • the tensile strength of the vapor deposition mask 10 made using polyimide or the like is about 50 N / mm 2 . is there.
  • the force is preferably smaller than the tensile strength of the vapor deposition mask 10.
  • the conditions for peeling the vapor deposition mask 10 from the film formation substrate 30 without damaging are as follows. Is represented by the following formula (2). F ⁇ Y ⁇ S (2) Satisfying the above formula (2) prevents damage to the vapor deposition mask 10 due to stress generated by mechanical action (lift-up, lift-down, etc.) when peeling the vapor deposition mask 10 from the deposition target substrate 30; and The vapor deposition mask 10 can be easily peeled off from the deposition target substrate 30.
  • the deposition mask 30 can be reliably adhered to the deposition substrate 30, and the deposition mask 10 can be peeled off from the deposition substrate 30 without damaging the deposition mask 10.
  • the contact area S with the deposition target substrate 30 may be determined.
  • the mass of the deposition target substrate 30 is approximately 15212 g. Therefore, the downward force in the vertical direction applied to the contact portion between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 is about 149 (N). Therefore, in order to make the deposition substrate 30 and the vapor deposition mask 10 in close contact with each other, the intermolecular force acting between the deposition substrate 30 and the vapor deposition mask 10 is finer than 149 (N). The uneven structure 14 needs to be formed.
  • the mass of the deposition substrate 30 is 224g. Therefore, the downward force in the vertical direction applied to the contact portion between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 is about 2.2 (N). Intermolecular force per unit surface area of the structure 13 acting in a direction perpendicular to the contact surface between the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 in a state where the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 are in close contact with each other.
  • the density of the vapor deposition mask 10 is about 8 g / cm 3
  • the area of the contact region that contacts the deposition target substrate 30 among the surfaces of the vapor deposition mask 10 is Zcm 2
  • the thickness of the vapor deposition mask 10 is 50 ⁇ m.
  • the mass of the vapor deposition mask 10 is 0.04 ⁇ Z (g). Therefore, the downward force in the vertical direction applied to the contact portion between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 is 4 ⁇ Z ⁇ 10 ⁇ 4 (N).
  • the intermolecular force (8.3 ⁇ Z (N)) acting on the contact surface between the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 is applied in the vertical direction applied to the contact portion between the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30. 4 digits or more larger than the downward force (4 ⁇ Z ⁇ 10 ⁇ 4 (N)).
  • the magnitude of the intermolecular force F 0 per unit surface area of the structure 13 varies depending on the material, length, and diameter of the structure 13, but is approximately in the range of 0.1 to 20 N / mm 2 . It becomes the value in.
  • the vapor deposition mask 10 is thin. In order to reduce the thickness of the vapor deposition mask 10, it is preferable that the length of the structure 13 is short.
  • the length of the structure 13 is preferably determined based on the deflection of the vapor deposition mask 10 due to its own weight or the size of foreign matter that can be mixed.
  • the deflection of the vapor deposition mask 10 is generally about 100 ⁇ m, and the size of the foreign material that can be mixed in the normal direction of the film formation substrate 30 is about several ⁇ m.
  • the length of the structure 13 is preferably a value within a range of several ⁇ m to 100 ⁇ m, for example.
  • the length of the structure 13 is set to a value within the range of several hundreds of nanometers to 50 ⁇ m to remove foreign matters on the order of several ⁇ m, and the deflection of the vapor deposition mask 10 is minimized It is more preferable that the deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 are in close contact with each other in a reduced state.
  • the diameter of the structure 13 is small, when a foreign substance is mixed between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30, the structure 13 that comes into contact with the foreign substance is easily deformed. It is possible to keep the intermolecular distance between the molecules constituting the film and the molecules constituting the film formation substrate 30 close to each other. Thereby, the adhesive force between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 can be improved. Therefore, the diameter of the structure 13 is preferably small.
  • the diameter of the structure 13 is preferably several ⁇ m or less, more preferably several hundred nm or less, and even more preferably several tens nm or less.
  • the diameter of the structure 13 is preferably a value within a range of 50 nm to 500 nm, for example.
  • the density of the structures 13 on the surface of the mask body 16 that faces the deposition target substrate 30 is determined based on the required intermolecular force. More specifically, the density of the structures 13 on the surface facing the film formation substrate 30 is the mass of the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 that are disposed on the lower side in the vertical direction during the vapor deposition process. To be determined. In the following description, a case where vapor deposition is performed in a state where the deposition target substrate 30 is arranged below the vapor deposition mask 10 in the vertical direction will be described.
  • the density of the G10 substrate is 2.5 g / cm 3
  • the mass of the G10 substrate is 305 ⁇ 285 ⁇ 0.07 ⁇ 2.5 ⁇ 15 kg. Therefore, the downward force in the vertical direction applied to the contact surface between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 is about 150N.
  • the area of the portion where the structure 13 is formed is 305 ⁇ 285 ⁇ 2 ⁇ 44000 cm 2 .
  • the density of the structure 13 is based on the diameter of the structure 13.
  • the preferable value range of the diameter of the structure 13 is several tens nm to several hundreds nm
  • the area occupied by the structure 13 in a plan view is from (10 ⁇ 10 ⁇ 7 ) 2 cm 2 / (100 ⁇ 10 ⁇ 7 ) 2 cm 2 / piece is preferable. That is, the density of the structures 13 is preferably a value within the range of 10 10 to 10 12 / cm 2 .
  • ⁇ Vapor deposition method> In the vapor deposition method using the vapor deposition apparatus 1, first, the film formation substrate 30 is brought into contact with the vapor deposition mask 10 to adsorb the film formation substrate 30 to the vapor deposition mask 10 (film formation substrate adsorption step). Next, the deposition material 22 is deposited on the deposition substrate 30 through the opening 12 of the deposition mask 10 in a state where the deposition mask 10 and the deposition substrate 30 are in close contact with each other (deposition material deposition step). ).
  • a vapor deposition film having a predetermined pattern can be formed in the film formation area 31 of the film formation substrate 30.
  • an EL such as an organic EL display device or an inorganic EL display device provided with a light emitting layer by forming, for example, a light emitting layer 32 as a vapor deposition film on the vapor deposition surface of the deposition target substrate 30. It can be used as a method for manufacturing a display device.
  • the vapor deposition apparatus 1 can be used as a manufacturing apparatus for an EL display device such as an organic EL display device or an inorganic EL display device that includes the light emitting layer 32.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the film formation substrate 30 and the vapor deposition mask 10 for explaining the vapor deposition method using the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the surface of the mask main body 16 is provided with the fine concavo-convex structure 14 made of the structure 13 as described above.
  • the vapor deposition mask 10 adsorbs the deposition target substrate 30 by intermolecular force (Van der Waals force).
  • the surface of the film formation substrate 30 has unevenness of the base substrate itself, or unevenness due to wiring, electrodes, driving elements, or the like.
  • the deposition mask 10 is adsorbed to the deposition substrate 30 simply by bringing the deposition substrate 30 and the deposition mask 10 into contact with each other. Without being able to adhere both, however, in the present embodiment, as described above, the deposition target substrate 30 is placed on the contact surface of the vapor deposition mask 10 with the deposition target substrate 30, that is, on the contact surface of the mask body 16 with the deposition target substrate 30.
  • the deposition substrate 30 can be adsorbed by the deposition mask 10 and the deposition mask 10 and the deposition substrate 30 can be brought into close contact with each other.
  • the structure 13 since the diameter of the structure 13 is, for example, less than a micron order, preferably less than a submicron order, the structure 13 has flexibility and can be deformed. As described above, the diameter of the structure 13 constituting the fine uneven structure 14 is smaller than the unevenness of the surface of the deposition target substrate 30 and has flexibility, so that the deposition target substrate 30 and the vapor deposition mask 10 are brought into contact with each other. Then, the structure 13 enters between the irregularities on the surface of the deposition target substrate 30. As a result, the area of the portion where the intermolecular distance between the molecule constituting the structure 13 and the molecule constituting the film formation substrate 30 is very close to several tens of thousands becomes very large. During this time, van der Waals force acts, and the film formation substrate 30 and the vapor deposition mask 10 are in close contact with each other.
  • the fine concavo-convex structure 14 is provided so as to surround each of the plurality of openings 12, the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 can be reliably adhered around each opening 12.
  • the vapor deposition mask (light emitting layer 32) is formed on the deposition target substrate 30 in a state where the deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 are in close contact with each other and the evaporation mask 10 is prevented from floating around the opening 12. Therefore, the deposition pattern accuracy can be improved.
  • the fine concavo-convex structure 14 is preferably formed over the entire contact area with the deposition target substrate 30.
  • the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 can be brought into close contact with each other over the entire contact area with the film formation substrate 30 by van der Waals force. Therefore, the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 can be sufficiently adhered over the entire contact area with the deposition target substrate 30.
  • the light emitting layer 32 of the EL display device is formed as a vapor deposition film using the vapor deposition device 1, it is possible to prevent vapor deposition particles to be formed in a specific subpixel region from reaching other subpixel regions. In addition, it is possible to suppress deterioration in display quality such as film formation blur, color mixture, and non-uniform light emission within the own pixel due to a decrease in deposition pattern accuracy.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of a deposition target substrate 530 and a vapor deposition mask 510 for explaining a vapor deposition method using a conventional vapor deposition apparatus
  • FIG. 4B is a vapor deposition apparatus according to the present embodiment.
  • 1 is a cross-sectional view of a film formation substrate 30 and a vapor deposition mask 10 for explaining a vapor deposition method using 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a film formation substrate 30 and a vapor deposition mask 10 for explaining a vapor deposition method using 1.
  • a magnetic vapor deposition mask 510 is used, and a magnet 590 is provided on the opposite side of the film formation substrate 530 from the vapor deposition mask 510, thereby performing vapor deposition by magnetic force. Vapor deposition was performed by adsorbing the mask 510 to the deposition target substrate 530 side.
  • the vapor deposition mask 510 is bent by its own weight, and the vapor deposition mask 510 and the deposition target substrate 530 are separated from each other, particularly in the central portion of the vapor deposition mask 510.
  • the deposition target substrate 530 and the vapor deposition mask 510 are separated from each other at a position where the foreign matter is mixed. Further, since the vapor deposition mask 510 has high rigidity, the deposition target substrate 530 and the deposition mask 510 are separated from each other over a wide range not only in a portion where foreign matter is mixed but also in a contact surface with the deposition target substrate 530.
  • the fine uneven structure 14 is formed on the surface facing the deposition target substrate 30. Therefore, as described above, the area of the portion where the intermolecular distance between the molecule constituting the structure 13 and the molecule constituting the film formation substrate 30 is close to several tens is very large.
  • the structure 13 that contacts the foreign matter is deformed and the molecules constituting the structure 13 that does not come into contact with the foreign matter are covered.
  • the intermolecular distance with the molecules constituting the film formation substrate 30 can be kept close, and the structure 13 is deformed along the surface of the foreign matter, so that the gap between the foreign matter and the vapor deposition mask 10 is reduced. Can be filled.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view of the deposition target substrate 30 and the deposition mask 10 showing a state in which the end of the deposition mask 10 is in close contact with the deposition target substrate 30, and
  • FIG. 5B is a sectional view of the deposition mask 10.
  • FIG. 5C is a cross-sectional view of the deposition substrate 30 and the deposition mask 10 showing a state in which the vicinity of the end of the deposition layer is in close contact with the deposition substrate 30, and FIG. 5C illustrates the entire deposition mask 10 on the deposition substrate 30. It is sectional drawing of the to-be-deposited substrate 30 and the vapor deposition mask 10 which show the state which contact
  • a conventional large-sized vapor deposition mask has a large deflection from the end portion to the central portion due to its own weight, resulting in poor adhesion with the deposition target substrate.
  • the vapor deposition mask 10 has the fine concavo-convex structure 14 formed in the entire contact area in contact with the film formation substrate 30 on the contact surface with the film formation substrate 30.
  • the entire surface of the mask 10 can be adhered to the deposition target substrate 30. This will be specifically described below.
  • the vapor deposition mask 10 In the step of adsorbing the film formation substrate 30 to the vapor deposition mask 10 (film formation substrate adsorption step), as shown in FIG. 5A, the vapor deposition mask 10 whose end is supported by the mask frame 15 is formed. Move closer to the membrane substrate 30.
  • the fine concavo-convex structure 14 formed in the central portion of the vapor deposition mask 10 does not contact the deposition target substrate 30, but the end portion of the vapor deposition mask 10 is a mask frame. Since the flexure is small by being supported by 15, the fine concavo-convex structure 14 formed at the end of the vapor deposition mask 10 contacts the deposition target substrate 30. Thereby, the edge part of the vapor deposition mask 10 adheres to the film-forming substrate 30 by the intermolecular force of the fine concavo-convex structure 14.
  • the end portion of the vapor deposition mask 10 is brought into close contact with the film formation substrate 30, so that a portion closer to the center than the end portion is drawn toward the film formation substrate 30 side.
  • the film is adhered to the deposition target substrate 30 by the intermolecular force of the fine concavo-convex structure 14.
  • the vapor deposition mask 10 is partly in close contact with the film formation substrate 30, and the other part is close to the distance at which the intermolecular force appears between the film formation substrate 30, The film is in close contact with the deposition target substrate 30 continuously from the end to the center.
  • the vapor deposition mask 10 adheres to the film formation substrate 30 so as to follow the surface shape of the film formation substrate 30.
  • the entire surface of the vapor deposition mask 10 facing the film formation substrate 30 is in close contact with the film formation substrate 30.
  • the intermolecular force between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 has anisotropy.
  • the intermolecular force per unit surface area acting in a direction perpendicular to the contact surface between the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 is 8.
  • a 3N / cm 2 intermolecular force per unit surface area acting in a direction parallel to the contact surface between the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 is 2.3 N / cm 2.
  • the vapor deposition mask 10 when the vapor deposition mask 10 is peeled off from the film formation substrate 30 after the vapor deposition film is formed on the film formation substrate 30, for example, by applying a force in a direction in which the angle formed with the contact surface is 30 °.
  • the deposition target substrate 30 and the vapor deposition mask 10 can be separated from each other.
  • 6A to 6C are cross-sectional views showing a method of manufacturing the vapor deposition mask 10 according to this embodiment in the order of steps.
  • a vapor deposition mask is formed by forming the fine concavo-convex structure 14 on the metal plate 50 using a mold 60 (stamp) provided with a plurality of convex portions 61 on one surface.
  • a method of manufacturing 10 will be described.
  • the convex portion 61 of the mold 60 is pressed against one surface of the metal plate 50.
  • the convex portion 61 of the mold 60 is transferred to the surface of the metal plate 50 by corrosion or dissolution of the portion in contact with the convex portion 61 on the surface of the metal plate 50. Is done. Thereby, the vapor deposition mask 10 by which the fine uneven structure 14 which consists of the structure 13 was formed in the surface can be manufactured.
  • An acidic liquid such as dilute hydrochloric acid or dilute sulfuric acid can be used as the liquid that can corrode or dissolve the metal.
  • the mold 60 is made of a material that is resistant to an acidic liquid and that can be impregnated with the acidic liquid.
  • a crosslinkable resin, a crosslinkable rubber or the like can be used, and a crosslinkable polydimethylsiloxane (PDMS) elastomer is preferably used.
  • PDMS crosslinkable polydimethylsiloxane
  • a conventionally known method can be applied, and it is preferable to directly pattern the mold 60 by thermal nanoimprint or UV nanoimprint.
  • the entire mold 60 may be immersed in the acidic liquid, or only the convex portion 61 may be immersed in the acidic liquid. What is necessary is just to adjust immersion time suitably according to the osmosis
  • the pressure when pressing the mold 60 against the metal plate 50 is appropriately adjusted while observing the length of the convex portion 61 that is indented into the metal plate 50. Thereby, the vapor deposition mask 10 which has the structure 13 of arbitrary length can be manufactured.
  • the opening 12 in the metal plate 50 there are methods such as an etching process or a laser irradiation process.
  • the structure 13 may be damaged by performing these processes.
  • the step of forming the fine concavo-convex structure 14 on the metal plate 50 in which the opening 12 is formed in advance by the step of forming the opening in the metal plate 50 (opening forming step) fine
  • damage to the structure 13 in the step of forming the opening 12 can be suppressed.
  • the method of manufacturing the vapor deposition mask 10 is not restricted to said manufacturing method.
  • the vapor deposition mask 10 may be manufactured by applying the above.
  • a resin deposition mask 10 may be manufactured using a resin plate.
  • the structure 13 may be formed on the surface of the resin plate by performing thermal nanoimprint or UV nanoimprint on the resin plate.
  • FIG. 7 is a side view showing another configuration example of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 1 includes a mask frame 15 that supports the end of the vapor deposition mask 10, a mask frame 71 on which the mask frame 15 can be placed, and a mask lift that can move the mask frame 71 up and down. And a mechanism 70.
  • the mask frame 15, the mask mount 71, and the mask lifting mechanism 70 constitute a holding member that holds the vapor deposition mask 10 and moves the vapor deposition mask 10 up and down.
  • the vapor deposition mask 10 is raised toward the film formation substrate 30 with the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 30 facing each other, whereby the fine concavo-convex structure 14 is formed on the vapor deposition surface of the film formation substrate 30. On the other hand, it can be made to adhere accurately.
  • the mask lifting mechanism 70 is not particularly limited as long as the mask mount 71 can be moved up and down.
  • the mask elevating mechanism 70 may elevate and lower the mask holder provided with the mask mount 71 by an actuator, and elevates and lowers the mask holder using wired lowering and hoisting connected to the mask holder.
  • the mask holder 41 shown to (a) of FIG. 2 can be used for the said mask holder.
  • the mask raising / lowering mechanism 70 may be provided with the rotation mechanism 45 shown to (a) of FIG.
  • FIG. 8 is a side view showing still another configuration example of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 1 is configured by raising and lowering a pressing plate 80 that is a plate-like member disposed on the deposition target substrate 30 adsorbed to the vapor deposition mask 10 and the pressing plate 80 up and down.
  • a presser raising / lowering mechanism 81 that can apply a load to the film formation substrate 30 from above is provided.
  • the pressing plate 80 and the pressing / lowering mechanism 81 constitute a pressing member that improves the adhesion between the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 30 and suppresses the positional deviation of the deposition target substrate 30.
  • the presser raising / lowering mechanism 81 may be a mechanism that raises and lowers the presser plate 80 by an actuator, and raises and lowers the presser plate 80 using wired lowering and hoisting connected to the presser plate 80. May be.
  • FIG. 9 is a plan view of the vapor deposition mask 110 and the film formation substrate 30 in a state where the vapor deposition mask 110 according to the present embodiment is opposed to the film formation substrate 30.
  • the vapor deposition mask 110 is provided with a structure removal area 111 where the fine uneven structure 14 is not provided on the surface (contact surface) facing the deposition target substrate 30,
  • the vapor deposition mask 10 according to the first embodiment has the same configuration.
  • the structure removal area 111 is provided in the vicinity of the end of the contact surface of the vapor deposition mask 110. More specifically, the structure removal area 111 is provided at a position (peripheral end) surrounding the outer periphery of the deposition target substrate 30 in plan view in a state where the deposition mask 110 and the deposition target substrate 30 are in close contact with each other. It has been.
  • the structure removal area 111 has a four-sided frame shape, but the shape of the structure removal area 111 is not limited to this.
  • the shape of the structure removal area 111 may be a linear shape including one side, or may be a block shape (stripe shape) instead of a continuous body.
  • the deposition target substrate is partially provided by providing the structure removal area 111 at the end portion (peripheral end portion) of the vapor deposition mask 110 that is separated from the mask opening area 11 group in the vapor deposition mask 110.
  • the adhesion between the film deposition mask 30 and the vapor deposition mask 110 is lowered so that the vapor deposition mask 110 can be easily peeled off from the deposition target substrate 30.
  • the vapor deposition mask 110 and the deposition target substrate 30 it is preferable to apply a force to an area where the structure 13 is not provided. Thereby, the vapor deposition mask 110 and the deposition target substrate 30 can be separated more easily.
  • the fine concavo-convex structure 14 is provided around each opening 12 related to the vapor deposition film pattern accuracy to prevent the vapor deposition mask 110 around the opening 12 from floating,
  • the intermolecular force acting on the portion not related to the deposition film pattern accuracy the end of the deposition mask 110
  • the adhesion between the deposition mask 110 and the deposition substrate 30 is ensured and the deposition mask 110 and the deposition are formed.
  • the separation from the film substrate 30 can be made compatible.
  • the vapor deposition mask 110 and the deposition target substrate 30 are surely provided around each opening 12. Can be adhered to. Therefore, according to the vapor deposition mask 110 concerning this embodiment, the vapor deposition mask 110 floating around the opening part 12 can be prevented.
  • the deposition mask 110 and the deposition target substrate 30 can be easily separated.
  • the structure removal area 111 at the end of the contact surface with the deposition target substrate 30, the adhesion between the deposition mask 110 and the deposition target substrate 30 is ensured and the deposition mask 110 and the deposition target are formed.
  • the separation from the substrate 30 can be made compatible.
  • FIG. 10A is a plan view of the vapor deposition mask 210 and the film formation substrate 30 in a state where the vapor deposition mask 210 according to the present embodiment is opposed to the film formation substrate 30, and FIG. It is AA arrow sectional drawing of (a).
  • the vapor deposition mask 210 includes a structure removal area 211 where the fine uneven structure 14 is not provided on the contact surface with the deposition target substrate 30, and the vapor deposition mask 210.
  • the structure is the same as that of the vapor deposition masks 10 and 110 according to the first and second embodiments except that the suction hole 216 for vacuum suction is formed in the structure removal area 211 of FIG.
  • the suction holes 216 of the vapor deposition mask 210 are also provided continuously in the mask frame 215.
  • the deposition target substrate 30 can be sucked to the vapor deposition mask 210 by vacuum suction through the suction holes 216. Accordingly, the deposition target substrate 30 can be adsorbed even in a region where the fine uneven structure 14 is not provided, and the deposition target substrate 30 and the vapor deposition mask 210 can be more reliably adhered.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a configuration of a main part of the vapor deposition apparatus 301 according to the present embodiment.
  • FIG. 12 is a side view of the vapor deposition mask 310 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition mask 310 of the vapor deposition apparatus 301 is implemented except that the mask body 16 has a laminated structure of a resin layer 310A and a metal layer 310B. It has the same configuration as the vapor deposition masks 10, 110, and 210 according to the first to third embodiments.
  • the contact surface of the vapor deposition mask 310 with the deposition target substrate 30 is constituted by the resin layer 310A, and the fine uneven structure 14 is formed on the resin layer 310A.
  • Conventional metal vapor deposition masks have difficulty in reducing the plate thickness to several tens of ⁇ m or less, and it is difficult to form openings with high accuracy. Moreover, since the conventional resin-made vapor deposition mask is easy to produce a twist and a bending, it is difficult to form a vapor deposition film in a desired position in a vapor deposition process.
  • the vapor deposition mask 310 includes a resin layer 310A and a metal layer 310B, and the metal layer 310B functions as a support member that supports the resin layer 310A. Therefore, it is possible to achieve both high definition by using the resin layer 310A and prevention of twisting and bending by using the metal layer 310B.
  • the fine concavo-convex structure 14 can be easily and accurately formed on the contact surface with the film formation substrate 30 by a technique such as printing. Can do.
  • FIG. 13A is a plan view showing another example of the vapor deposition mask 310 according to the present embodiment
  • FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
  • the metal layer 310B when the metal layer 310B is simply used as an indicating member for the resin layer 310A, the metal layer 310B is placed on the back surface of the resin layer 310A at an arbitrary interval as shown in FIG. It may be formed in a line shape.
  • FIG. 14 is a perspective view showing a configuration of a main part of the vapor deposition apparatus 401 according to the present embodiment.
  • FIG. 15 is a side view showing a configuration of a main part of the vapor deposition apparatus 401 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 401 is provided with a magnet plate 90 (a magnetic adsorption member) disposed opposite to the vapor deposition mask 410 with the deposition target substrate 30 sandwiched during vapor deposition.
  • the vapor deposition apparatuses 1 and 301 according to the first to fourth embodiments have the same configuration.
  • the vapor deposition mask 410 of the vapor deposition apparatus 401 includes a resin layer 410A and a metal layer 410B, similar to the vapor deposition mask 310 of the fourth embodiment.
  • a fine uneven structure 14 is formed on the resin layer 410A.
  • the vapor deposition mask 410 includes the metal layer 410B, by arranging the magnet plate 90 on the back surface of the deposition target substrate 30, a magnetic force acts on the metal layer 410B, and the vapor deposition mask 410 is adsorbed by adsorbing the vapor deposition mask 410. And adhesion of the film formation substrate 30 can be improved.
  • the deposition mask 410 and the deposition target substrate 30 can be brought into close contact with each other by intermolecular force by the fine concavo-convex structure 14 formed in the resin layer 410A. Therefore, the deposition target substrate 30 and the deposition mask 410 are adhered to each other by both the intermolecular force due to the fine concavo-convex structure 14 and the magnetic force due to the magnet plate 90. It can make it adhere more reliably.
  • the vapor deposition mask (10, 110, 210, 310, 410) according to the first aspect of the present invention has a plurality of openings (12) for depositing the vapor deposition material (22) on the deposition target substrate (30).
  • the deposition target substrate is adsorbed to the vapor deposition mask by van der Waals force due to the fine concavo-convex structure. Therefore, even if the vapor deposition mask is bent or foreign matter adheres to it.
  • the vapor deposition mask and the deposition target substrate can be brought into close contact with each other.
  • the fine concavo-convex structure is provided so as to surround each of the plurality of openings, the deposition mask and the deposition target substrate can be reliably adhered around each opening.
  • This provides a vapor deposition mask that can prevent the mask floating around the opening, which is the most important in preventing color mixing and non-uniform light emission within the pixel, and can form a high-definition vapor deposition pattern. can do.
  • a vapor deposition mask according to aspect 2 of the present invention has a laminated structure of the metal layer (310B) and the resin layer (310A) in the aspect 1, and the contact surface with the film formation substrate is a resin layer. It may be.
  • the fine uneven structure can be easily and accurately formed on the contact surface with the film formation substrate by a technique such as printing. can do.
  • high definition by using a resin layer and prevention of the twist and bending by using a metal layer can be made compatible.
  • the vapor deposition mask according to aspect 3 of the present invention is the vapor deposition mask according to aspect 1 or 2, wherein the deposition target substrate has a mass W, van der Waals force per unit surface area of the fine uneven structure is F 0 , and the fine unevenness If the area of the entire structure is S and the tensile strength of the vapor deposition mask is Y, the structure may satisfy W / 102 ⁇ F 0 ⁇ S ⁇ Y ⁇ S.
  • F 0 ⁇ S forms the fine concavo-convex structure so as to satisfy the above equation, it is possible to reliably close contact with the vapor deposition mask and the deposition target substrate, said The deposition substrate and the deposition mask can be separated from each other without damaging the deposition mask due to stress generated when the deposition mask and the deposition substrate are separated from each other.
  • the vapor deposition mask according to aspect 4 of the present invention is the vapor deposition mask according to any one of the aspects 1 to 3, wherein the fine concavo-convex structure is formed over the entire contact region with the film formation substrate on the contact surface with the film formation substrate. It may be a configuration.
  • the deposition mask and the film formation substrate can be brought into close contact with each other over the entire contact region with the film formation substrate on the contact surface with the film formation substrate by van der Waals force. it can. Therefore, the deposition mask and the deposition target substrate can be sufficiently adhered over the entire contact area with the deposition target substrate on the contact surface with the deposition target substrate.
  • the vapor deposition mask according to Aspect 5 of the present invention is the deposition mask according to any one of Aspects 1 to 3, wherein the fine uneven structure is not provided at the end of the contact surface with the deposition target substrate (structure removal area). 211) may be formed.
  • the deposition mask By applying a force to the deposition mask, the deposition mask and the deposition target substrate can be easily separated. Further, the deflection due to the weight of the vapor deposition mask or the like is usually larger at the center of the mask, and the mask end is relatively less at the mask end.
  • the vapor deposition mask according to aspect 6 of the present invention may have a configuration in which suction holes (216) for vacuum suction are formed in a region where the fine uneven structure is not provided in the aspect 5.
  • the deposition mask and the deposition target substrate can be brought into close contact with each other by vacuum suction through the suction hole. Accordingly, a certain degree of adhesion can be secured even in a region where the fine concavo-convex structure is not provided, and overall floating between the deposition target substrate and the vapor deposition mask can be suppressed.
  • a vapor deposition apparatus (1, 301, 401) according to Aspect 7 of the present invention is configured to deposit the vapor deposition mask according to any one of Aspects 1 to 6 and the vapor deposition material through the opening in the vapor deposition mask. And a vapor deposition source (20) to be deposited on the substrate.
  • a high-definition vapor deposition pattern can be formed by providing the vapor deposition mask.
  • the vapor deposition apparatus according to Aspect 8 of the present invention is the configuration according to Aspect 7, wherein the vapor deposition apparatus includes a holding member that holds the vapor deposition mask, and the holding member includes a lifting mechanism (70) that raises and lowers the vapor deposition mask. Also good.
  • the fine concavo-convex structure can be surely followed by the deposition target substrate by raising and lowering the vapor deposition mask by the elevating mechanism.
  • the vapor deposition apparatus according to the ninth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus according to the seventh or eighth aspect, wherein the film forming substrate adsorbed on the vapor deposition mask is pressed from above the film forming substrate (the pressure plate 80, the pressure lifting mechanism 81 ) May be provided.
  • the vapor deposition apparatus according to aspect 10 of the present invention is the vapor deposition apparatus according to aspect 7 or 8, wherein the vapor deposition mask has a metal layer, and faces the vapor deposition mask with the deposition target substrate adsorbed on the vapor deposition mask interposed therebetween.
  • a configuration in which a magnetic attracting member (magnet plate 90) that attracts the metal layer by magnetic force may be provided.
  • the deposition substrate and the deposition mask are more securely adhered to each other by performing adhesion between the deposition substrate and the deposition mask with both van der Waals force and magnetic force due to the fine concavo-convex structure. be able to.
  • the manufacturing method of the vapor deposition mask concerning the aspect 11 of this invention has several opening part for film-forming a vapor deposition material on a film-forming board
  • a vapor deposition mask capable of forming a high-definition vapor deposition pattern can be provided.
  • the contact surface of the vapor deposition mask with the film formation substrate is a metal (metal plate 50).
  • the method may be a method in which a mold (60) impregnated with a liquid that corrodes or dissolves the metal is brought into contact with the contact surface with the deposition substrate, and the pattern of the mold is transferred to the surface of the metal. .
  • the said fine uneven structure is easily formed in the contact surface with the film-forming substrate of a vapor deposition mask by the said method. be able to.
  • the contact surface of the vapor deposition mask with the film formation substrate is a resin.
  • a method of printing the fine concavo-convex structure on the contact surface may be used.
  • the said fine uneven structure is easily formed in the contact surface with the film-forming substrate of a vapor deposition mask by the said method. be able to.
  • a vapor deposition method according to aspect 14 of the present invention is a vapor deposition method for forming a predetermined pattern on a film formation substrate, wherein the film formation substrate is brought into contact with the vapor deposition mask according to any one of the above aspects 1 to 6.
  • the deposition substrate in the deposition substrate adsorption step, the deposition substrate is adsorbed by the van der Waals force due to the fine concavo-convex structure to the deposition mask. Even if it adheres, the said vapor deposition mask and the said film-forming substrate can be stuck.
  • the fine concavo-convex structure is provided so as to surround each of the plurality of openings, the deposition mask and the deposition target substrate can be reliably adhered around each opening.
  • the present invention can be suitably used for the production of an organic EL element and an inorganic EL element, an organic EL display device including the organic EL element, an inorganic EL display device including the inorganic EL element, and the like.

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Abstract

　蒸着マスク（１０）は、被成膜基板（３０）との接触面に、複数の開口部（１２）をそれぞれ取り囲むように、被成膜基板（３０）をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造（１４）を有している。

Description

蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法
　本発明は、蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法に関する。
　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
　そのような状況下、有機材料または無機材料の電界発光（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用したＥＬ素子を備えたＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性などの点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
　ＥＬ表示装置は、フルカラー表示を実現するために、画素を構成する複数のサブ画素に対応して、所望の色の光を出射する発光層を備えている。
　発光層は、蒸着工程において、蒸着マスクとして高精度な開口部が設けられたファインメタルマスク（ＦＭＭ）を用いて、被成膜基板上の各領域に互いに異なる蒸着粒子を蒸着し分けることによって蒸着膜として形成される。
　図１６は、発光層を形成するための従来の一般的な蒸着方法を説明する、被成膜基板５３０および蒸着マスク５１０の断面図である。
　図１６に示すように、従来の蒸着方法では、被成膜基板５３０と、開口部５１２を備える蒸着マスク５１０とを密着させた状態で、蒸着源５２０から射出される蒸着粒子を、蒸着マスク５１０の開口部５１２を介して被成膜基板５３０に蒸着する。これにより、開口部５１２の位置に対応して、赤サブ画素領域Ｒ、緑サブ画素領域Ｇ、および青サブ画素領域Ｂに、各色に発光する発光層５１１としての蒸着膜を形成する。
　図１７は、発光層を形成するための従来の蒸着方法の問題点を説明する、被成膜基板５３０および蒸着マスク５１０の断面図である。なお、図１７中、破線矢印は、蒸着粒子の経路を示す。
　図１７に示すように、被成膜基板５３０と蒸着マスク５１０とが離間した状態で蒸着を行った場合、蒸着パターン精度が低下し、その結果、ＥＬ表示装置の表示品位が低下する。
　具体的には、図示するように、蒸着マスク５１０の表面に対して所定の角度よりも小さい入射角度で開口部５１２を通過する蒸着粒子は、本来蒸着すべき緑サブ画素領域Ｇの外側に回り込む。その結果、発光層が形成される位置は、本来の成膜パターンの位置からずれ、いわゆる成膜ボケが発生する。
　また、本来蒸着すべき緑サブ画素領域Ｇの外側に回り込んだ蒸着粒子の一部は、緑サブ画素領域Ｇの隣にある赤サブ画素領域Ｒに到達する。その結果、緑色に発光する発光層５１１が赤サブ画素領域Ｒに形成されてしまい、当該赤サブ画素領域Ｒにおいて混色を生じる。
　さらに、緑サブ画素領域Ｇの一部の領域には蒸着粒子が到達せず、この領域には発光層５１１は形成されない。その結果、当該緑サブ画素領域Ｇにおいて発光量が不均一となる。
　なお、サブ画素において発光量が不均一となることを避けるために、被成膜基板５３０と蒸着マスク５１０とを、その表面に垂直な方向を回転軸として回転させて蒸着を行う回転成膜を行うことも考えられる。しかしながら、図１７に示す状態から１８０°回転した状態で蒸着を行ったとき、蒸着粒子は、本来蒸着すべき緑サブ画素領域Ｇを越えて青サブ画素領域Ｂに到達する。その結果、当該青サブ画素領域Ｂにおいても混色を生じる。
　以上のように、従来の蒸着方法では、被成膜基板５３０と蒸着マスク５１０とが離間することによって蒸着パターン精度が低くなるため、従来の蒸着方法を用いてＥＬ表示装置の発光層を形成した場合、ＥＬ表示装置の表示品位が低下する。
　このような問題を解決するために、磁性体のマスクを用い、被成膜基板に関して蒸着マスクとは反対側に磁石を配置することによって、磁力により被成膜基板と蒸着マスクとを密着させた状態で蒸着を行う技術が知られている。
　しかしながら、このような従来技術では、蒸着マスクに十分な磁力が作用しないために、被成膜基板と蒸着マスクとを完全に密着させることは困難である。また、蒸着マスクが大型化することによる自重撓みの増大、また、被成膜基板と蒸着マスクの間における異物の混入などの要因によって、磁力により被成膜基板と蒸着マスクとを完全に密着させることは困難である。
日本国公開特許公報「特開２０１２－８９８３７号公報（２０１２年５月１０日公開）」
　ここで、特許文献１には、ガラス基板上に反射層などを成膜する際に、ガラス基板を保持するガラス基板保持手段が記載されている。特許文献１のガラス基板保持手段は、ファンデルワールス力によってガラス基板を吸着保持する吸着部を有しているため、ガラス基板を保持することができる。
　被成膜基板に蒸着膜を形成する際、特許文献１に記載の技術を応用して、ガラス基板保持手段の吸着部が設けられた蒸着マスクを用いることによって、被成膜基板を吸着した状態で蒸着を行うことが考えられる。
　しかしながら、特許文献１のガラス基板保持手段の吸着部は、ガラス基板の外縁部のみと接触するものである。そのため、特許文献１に記載の技術を応用して、ガラス基板保持手段の吸着部を蒸着マスクに設けて蒸着を行った場合、蒸着マスクの中央部分において、被成膜基板と蒸着マスクとが離間してしまい、蒸着パターン精度が低下してしまう。
　本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであって、その目的は、被成膜基板との密着性を高め、蒸着パターン精度を向上させることが可能な蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着マスクは、被成膜基板上に蒸着材料を成膜するための複数の開口部を有する蒸着マスクであって、上記被成膜基板との接触面に、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように、上記被成膜基板をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造を有していることを特徴とする。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、上記蒸着マスクと、上記蒸着材料を、上記蒸着マスクにおける上記開口部を介して上記被成膜基板に被着させる蒸着源と、を備えていることを特徴とする。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着マスクの製造方法は、被成膜基板上に蒸着材料を成膜するための複数の開口部を有しており、上記被成膜基板との接触面に、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように、上記被成膜基板をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造を有している蒸着マスクの製造方法であって、上記蒸着マスクに複数の開口部を形成する開口部形成工程と、上記蒸着マスクの被成膜基板との接触面に、上記微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、を含むことを特徴とする。
　また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着方法は、被成膜基板上に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、上記蒸着マスクに上記被成膜基板を接触させて上記被成膜基板を上記蒸着マスクに吸着させる被成膜基板吸着工程と、上記蒸着材料を、上記蒸着マスクにおける上記開口部を介して上記被成膜基板に被着させる蒸着材料被着工程と、を備えていることを特徴とする。
　本発明の一態様によれば、被成膜基板との密着性を高め、蒸着パターン精度を向上させることが可能な蒸着マスクを提供することができる。
（ａ）は本発明の実施形態１にかかる蒸着マスクの側面図であり、（ｂ）は本発明の実施形態１にかかる蒸着マスクの平面図である。 （ａ）は本発明の実施形態１にかかる蒸着装置の構成を示す断面図であり、（ｂ）は本発明の実施形態１にかかる蒸着装置の要部の構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態１にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法を説明するための被成膜基板および蒸着マスクの断面図である。 （ａ）は従来の蒸着装置を用いた蒸着方法を説明するための被成膜基板および蒸着マスクの断面図であり、（ｂ）は本発明の実施形態１にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法を説明するための被成膜基板および蒸着マスクの断面図である。 （ａ）は蒸着マスクの端部が被成膜基板に密着した状態を示す被成膜基板および蒸着マスクの断面図であり、（ｂ）は蒸着マスクの端部近傍が被成膜基板に密着した状態を示す被成膜基板および蒸着マスクの断面図であり、（ｃ）は蒸着マスクの全体が被成膜基板に密着した状態を示す被成膜基板および蒸着マスクの断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、本発明の実施形態１にかかる蒸着マスクの製造方法を工程順に示す断面図である。 本発明の実施形態１にかかる蒸着装置の他の構成例を示す側面図である。 本発明の実施形態１にかかる蒸着装置のさらに他の構成例を示す側面図である。 本発明の実施形態２にかかる蒸着マスクを被成膜基板に対向させた状態における蒸着マスクおよび被成膜基板の平面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態３にかかる蒸着マスクを被成膜基板に対向させた状態における蒸着マスクおよび被成膜基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線矢視断面図である。 本発明の実施形態４にかかる蒸着装置の要部の構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態４にかかる蒸着マスクの側面図である。 （ａ）は本発明の実施形態４にかかる蒸着マスクの他の例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線矢視断面図である。 本発明の実施形態５にかかる蒸着装置の要部の構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態５にかかる蒸着装置の要部の構成を示す側面図である。 発光層を形成するための従来の一般的な蒸着方法を説明する、被成膜基板および蒸着マスクの断面図である。 発光層を形成するための従来の蒸着方法の問題点を説明する、被成膜基板および蒸着マスクの断面図である。
　〔実施形態１〕
　本発明の実施の一形態について図１の（ａ）・（ｂ）～図８に基づいて説明すれば以下の通りである。
　＜蒸着装置１の構成＞
　図２の（ａ）は、本実施形態にかかる蒸着装置１の構成を示す断面図であり、図２の（ｂ）は、本実施形態にかかる蒸着装置１の要部の構成を示す斜視図である。
　蒸着装置１は、被成膜基板３０の成膜エリア３１（基板成膜エリア）に蒸着材料２２からなる蒸着膜を成膜するための装置である。なお、以下、本実施形態では、蒸着膜として、ＥＬ表示装置の発光層３２を形成する場合を例に挙げて説明する。
　蒸着装置１は、成膜チャンバ２と、蒸着マスク１０と、蒸着源２０と、マスクフレーム１５と、マスクホルダ４１（蒸着マスク保持部材）と、回転機構４５と、図示しない防着板およびシャッタなどを備えている。
　蒸着マスク１０、蒸着源２０、マスクフレーム１５、マスクホルダ４１、回転機構４５の回転軸４６、防着板、およびシャッタなどは、成膜チャンバ２内に設けられている。また、成膜チャンバ２は、蒸着時に該成膜チャンバ２内を真空状態に保つために、該成膜チャンバ２に設けられた図示しない排気口を介して成膜チャンバ２内を真空排気する図示しない真空ポンプなどが設けられている。
　蒸着源２０は、被成膜基板３０とは反対側に、蒸着マスク１０と対向して配置されている。蒸着源２０は、例えば、内部に蒸着材料２２を収容する容器である。なお、蒸着源２０は、容器内部に蒸着材料２２を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料２２が供給されるように形成されていてもよい。
　蒸着源２０は、その上面（すなわち、上記蒸着マスク１０との対向面）側に、蒸着材料２２を蒸着粒子として射出させる射出口２１を有している。
　蒸着源２０は、蒸着材料２２を加熱して蒸発（蒸着材料２２が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料２２が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子を発生させる。蒸着源２０は、このように気体にした蒸着材料２２を、蒸着粒子として、射出口２１から蒸着マスク１０に向かって射出する。
　なお、図２の（ａ）・（ｂ）には、蒸着源２０が１つ図示されているが、本実施形態にかかる蒸着装置１は２つ以上の蒸着源２０を備えていてもよい。
　例えば、蒸着膜として、ホスト材料とドーパント材料とを備える発光層を形成する場合、蒸着装置１は、ホスト材料を蒸着するための蒸着源と、ドーパント材料を蒸着するための蒸着源とを備えていてもよい。また、蒸着膜として、ホスト材料とドーパント材料とアシスト材料とを備える発光層を形成する場合、蒸着装置１は、ホスト材料を蒸着するための蒸着源と、ドーパント材料を蒸着するための蒸着源と、アシスト材料を蒸着するための蒸着源とを備えていてもよい。
　また、図２の（ａ）・（ｂ）では、円筒形状の蒸着源２０に射出口２１が１つ設けられている場合を例に挙げて図示しているが、蒸着源２０の形状および射出口２１の数も特に限定されるものではない。蒸着源２０は、例えば矩形状であってもよい。また、１つの蒸着源２０に射出口２１は少なくとも１つ設けられていればよく、複数設けられていても構わない。また、射出口２１を複数設ける場合、射出口２１は、一定ピッチで、例えば一次元状（すなわち、ライン状）に配されていてもよく、二次元状（すなわち、面状（タイル状））に配されていてもよい。
　蒸着マスク１０の背後には、図２の（ａ）に示すように、蒸着マスク１０を支持するマスクフレーム１５が設けられている。
　マスクフレーム１５は、中央が開口されたフレーム形状を有し、蒸着マスク１０をその端部（周縁部分）で支持する。
　マスクフレーム１５は、蒸着マスク１０が撓まないように、蒸着マスク１０を十分に架張した状態で、蒸着マスク１０の周縁部分を、例えばレーザ光などによりマスクフレーム１５に溶接したり接着したりすることで、蒸着マスク１０に固定される。但し、マスクフレーム１５は必須ではなく、蒸着マスク１０をマスクホルダ４１に直接搭載しても構わない。
　マスクホルダ４１は、蒸着マスク１０を被成膜基板３０と密着させた状態で搭載するマスク架台４２を備えている。
　マスク架台４２の下方には、蒸着マスク１０、被成膜基板３０の成膜エリア３１、成膜チャンバ２内の回転機構４０などに不要な蒸着材料２２が付着することを防止する図示しない防着板およびシャッタなどが取り付けられている。
　回転機構４５は、図２の（ａ）に示すように、回転軸４６と、回転軸４６を回転駆動させる、モータなどの図示しない回転駆動部と、回転駆動部の駆動を制御する図示しない回転駆動制御部とを備えている。
　回転軸４６は、マスクホルダ４１に連結されている。回転駆動制御部は、モータなどの回転駆動部を駆動して回転軸４６を図２の（ａ）・（ｂ）に矢印で示すように回転させることで、マスクホルダ４１を回転させる。マスクホルダ４１が回転することで、マスクホルダ４１に保持された蒸着マスク１０および被成膜基板３０が回転する。
　このように回転機構４５を用いて蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを回転させることによって、蒸着マスク１０によるシャドウの影響を低減し、被成膜基板３０の成膜エリア３１に対して蒸着材料を均一に成膜することができる。
　なお、本実施形態では、シャドウの影響を排除するため、蒸着装置１が回転蒸着装置であり、蒸着装置１が回転機構４５を備えている場合を例に挙げて図示しているが、シャドウの影響が無視できる場合、蒸着装置１が回転機構４５を備えている必要は必ずしもない。
　また、本実施形態では、マスクホルダ４１がマスク架台４２を備え、マスク架台４２に蒸着マスク１０および被成膜基板３０が搭載されている場合を例に挙げて図示しているが、本実施形態はこれに限定されるものではない。マスクホルダ４１は、例えば静電チャックなどの基板保持部材であってもよく、静電チャックにより被成膜基板３０を保持し、蒸着マスク１０を載置した昇降機構（図示せず）により被成膜基板３０と蒸着マスク１０とを密着させてもよい。静電チャックを用いて被成膜基板３０を保持することによって、被成膜基板３０の撓みを抑制することができる。
　＜蒸着マスク１０＞
　図１の（ａ）は本発明の実施形態１にかかる蒸着マスク１０の側面図であり、図１の（ｂ）は本発明の実施形態１にかかる蒸着マスク１０の平面図である。
　蒸着マスク１０は、被成膜基板３０上に蒸着材料２２からなる蒸着膜を成膜するためのマスクである。
　図１の（ｂ）に示すように、蒸着マスク１０は、被成膜基板３０に対向させたときに被成膜基板３０の成膜エリア３１に対向する複数のマスク開口エリア１１を備えている。マスク開口エリア１１の内部には、開口部１２として、蒸着時に蒸着粒子（蒸着材料２２）を通過させるためのマトリクス状に配された貫通口が設けられている。
　蒸着マスク１０は、樹脂製のマスクであってもよいし、金属製のマスクであってもよい。また、蒸着マスク１０は、樹脂層（例えば樹脂製のマスク）と金属層（例えば金属製のマスク）との積層構造を有するマスクであってもよい。
　蒸着マスク１０の材料として用いられる金属としては、例えば、鉄、ニッケル、インバー（鉄－ニッケル合金）、ＳＵＳ４３０等、磁性を有する磁性金属が挙げられる。そのなかでも、鉄－ニッケル合金であるインバーは、熱による変形が少ないので好適に用いることができる。
　但し、上記金属は、磁性金属粒子に限定されるものではなく、磁性を有さない非磁性金属であってもよい。
　また、蒸着マスク１０の材料として用いられる樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹脂等が挙げられる。これら樹脂は、何れか１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
　蒸着マスク１０の材料にこれらの樹脂を使用することで、レーザ加工等によって高精度に開口部１２を形成することができる。これにより、マスク本体１６における開口部１２の位置精度を向上させ、成膜される蒸着膜のパターン精度を向上させることができる。
　図２の（ｂ）に示す例では、被成膜基板３０は４つのスロット形状の成膜エリア３１を有しており、これに合わせて蒸着マスク１０は４つのマスク開口エリア１１を有しているが、成膜エリア３１およびマスク開口エリア１１の形状および数はこれに限定されない。成膜エリア３１はスリット形状であってもよいし、被成膜基板３０は、図１の（ｂ）に示すマスク開口エリア１１に対応した６つの成膜エリア３１を有していてもよい。
　図１の（ａ）・（ｂ）に示すように、蒸着マスク１０は、板状のマスク本体１６を備え、該マスク本体１６における被成膜基板３０と対向する面（被成膜基板３０との接触面）に、該マスク本体１６に設けられた開口部１２をそれぞれ取り囲むように、被成膜基板３０をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造１４が設けられた構成を有している。
　微細凹凸構造１４は、蒸着マスク１０が有する面のうち被成膜基板３０との接触面において、被成膜基板３０と接触する接触領域のうち少なくとも一部の領域に形成されている。
　本実施形態では、微細凹凸構造１４は、蒸着マスク１０が有する面のうち被成膜基板３０との接触面において、被成膜基板３０と接触する接触領域全体に形成されている。言い換えると、微細凹凸構造１４は、蒸着マスク１０の表面において、開口部１２以外の全ての領域（図１の（ｂ）中の斜線部分）に設けられている。
　微細凹凸構造１４は、マスク本体１６の表面から突出する細長い複数の構造物１３によって構成されている。
　微細凹凸構造１４を構成する構造物１３は、マスク本体１６と同じ材料、もしくはマスク本体１６の表面を腐食させるなどして変成（例えば酸化）させた材料からなり、マスク本体１６と一体的に設けられている。
　構造物１３は、例えば、長さ（マスク本体１６の表面からの高さ）が数μｍであり、直径が数百ｎｍであり、マスク本体１６の表面における密度が１０１０本／ｃｍ２となるように形成されている。
　このため、構造物１３は、被成膜基板３０と接触させた際に、被成膜基板３０をファンデルワールス力で吸着可能な構造および柔軟性を有している。
　＜微細凹凸構造１４の構造＞
　蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に対して、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させるのに必要な分子間力を作用させるための微細凹凸構造１４の好ましい構造について説明する。
　鉛直方向において被成膜基板３０を蒸着マスク１０よりも下側に配置した状態で蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させる場合、被成膜基板３０の質量をＸ（ｇ）とし、１ｇｆ（１重量グラム）＝０．００９８Ｎとすると、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に加わる鉛直方向下向きの力は、０．００９８×Ｘ（Ｎ）、すなわち、約（１／１０２）×Ｘ（Ｎ）となる。
　また、蒸着マスク１０に設けられた構造物１３全体の吸着力（被成膜基板３０と蒸着マスク１０との間に作用する分子間力）をＦ（Ｎ）とすると、蒸着マスク１０を被成膜基板３０に密着させるための条件は、下記式（１）で表される。
Ｆ＞（１／１０２）×Ｘ　　・・・（１）
　なお、鉛直方向において被成膜基板３０を蒸着マスク１０よりも上側に配置した状態で蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させる場合には、上記式（１）において、蒸着マスク１０の質量をＸ（ｇ）とする。
　式（１）を満足することにより、被成膜基板３０と蒸着マスク１０との間に作用する分子間力は十分なものとなる。
　ただし、被成膜基板３０と蒸着マスク１０との間に作用する分子間力が大きすぎる場合、蒸着膜を形成した後、蒸着マスク１０を被成膜基板３０から剥がすことが困難となる。また、蒸着マスク１０を被成膜基板３０から剥がすために蒸着マスク１０に対して過度に大きい力を加えた場合、蒸着マスク１０が損傷するおそれがある。
　なお、インバー合金、ＮＩ合金などを用いて作成された蒸着マスク１０の引張強度は４００Ｎ／ｍｍ２程度であり、ポリイミドなどを用いて作成された蒸着マスク１０の引張強度は５０Ｎ／ｍｍ２程度である。
　そこで、蒸着マスク１０を損傷することなく、蒸着マスク１０を被成膜基板３０から容易に剥がすことができるようにするために、被成膜基板３０と蒸着マスク１０との間に作用する分子間力は、蒸着マスク１０の引張強度よりも小さいことが好ましい。
　すなわち、蒸着マスク１０の引張強度をＹとし、構造物１３の被成膜基板３０との接触面積をＳとした場合、蒸着マスク１０を損傷することなく被成膜基板３０から剥がすための条件は、下記式（２）で表される。
Ｆ＜Ｙ×Ｓ　　・・・（２）
　上記式（２）を満足することにより、蒸着マスク１０を被成膜基板３０から剥がす際の機械的作用（リフトアップやリフトダウンなど）によって発生する応力による蒸着マスク１０の損傷を防止し、かつ、蒸着マスク１０を被成膜基板３０から容易に剥がすことができる。
　分子間力Ｆは、構造物１３の単位表面積当たりの分子間力Ｆ０と、分子間力を発現する構造物１３の被成膜基板３０との接触面積Ｓとを用いて下記式（３）で表される。
Ｆ＝Ｆ０×Ｓ　　・・・（３）
　以上より、構造物１３の単位表面積当たりの分子間力Ｆ０と、分子間力を発現する構造物１３の被成膜基板３０との接触面積Ｓの値の範囲は、下記式（４）で表される。
（１／１０２）×Ｘ＜Ｆ０×Ｓ＜Ｙ×Ｓ　　・・・（４）
　上記式（４）を満足するように、構造物１３の単位表面積あたりの分子間力Ｆ０、および構造物１３の被成膜基板３０との接触面積Ｓを決めることによって、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを確実に密着させることができるとともに、蒸着マスク１０を損傷することなく蒸着マスク１０を被成膜基板３０から剥がすことができる。
　上記式（４）に基づいて、被成膜基板３０の質量Ｘと、蒸着マスク１０の引張強度Ｙと、構造物１３の単位表面積当たりの分子間力Ｆ０の大きさとから、構造物１３の被成膜基板３０との接触面積Ｓを決定してもよい。
　＜微細凹凸構造１４による分子間力＞
　鉛直方向において被成膜基板３０を蒸着マスク１０よりも下側に配置した状態で蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させる場合を考える。
　例えば、被成膜基板３０として、密度が２．５ｇ／ｃｍ３であるＧ１０サイズ（３０５ｃｍ×２８５ｃｍ×０．０７ｃｍ）の基板を用いた場合、被成膜基板３０の質量は約１５２１２ｇとなる。そのため、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触部に加わる鉛直方向下向きの力は、約１４９（Ｎ）となる。そのため、上記被成膜基板３０と蒸着マスク１０とを密着させるためには、被成膜基板３０と蒸着マスク１０との間に作用する分子間力が１４９（Ｎ）より大きくなるように、微細凹凸構造１４を形成する必要がある。
　また、例えば、被成膜基板３０として、密度が２．５ｇ／ｃｍ３であり、３２ｃｍ×４０ｃｍ×０．０７ｃｍｔの基板を用いた場合、被成膜基板３０の質量は２２４ｇとなる。そのため蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触部に加わる鉛直方向下向きの力は、約２．２（Ｎ）となる。蒸着マスク１０と被成膜基板３０とが密着した状態において、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に対して垂直な方向に作用する、構造物１３の単位表面積当たりの分子間力を８．３Ｎ／ｃｍ２とし、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に対して平行な方向に作用する、構造物１３の単位表面積当たりの分子間力を２．３Ｎ／ｃｍ２とする。この場合、蒸着マスク１０上に微細凹凸構造１４がトータルで少なくとも１ｃｍ２形成されていれば、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させるのに十分な応力を発現できる。
　また、鉛直方向において被成膜基板３０を蒸着マスク１０よりも上側に配置した状態で蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させる場合を考える。
　例えば、蒸着マスク１０として、密度が約８ｇ／ｃｍ３であり、蒸着マスク１０が有する面のうち被成膜基板３０と接触する接触領域の面積がＺｃｍ２であり、蒸着マスク１０の厚みが５０μｍであるインバー合金を用いた場合、蒸着マスク１０の質量は０．０４×Ｚ（ｇ）となる。そのため、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触部に加わる鉛直方向下向きの力は、４×Ｚ×１０－４（Ｎ）となる。
　蒸着マスク１０と被成膜基板３０とが密着した状態において、構造物１３の単位表面積当たりの分子間力を８．３Ｎ／ｃｍ２とすると、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に作用する分子間力は、８．３×Ｚ（Ｎ）となる。
　すなわち、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に作用する分子間力（８．３×Ｚ（Ｎ））は、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触部に加わる鉛直方向下向きの力（４×Ｚ×１０－４（Ｎ））よりも４ケタ以上大きい。
　なお、構造物１３の単位表面積当たりの分子間力Ｆ０の大きさは、構造物１３の材質、長さ、および径の大きさによって変動するが、おおよそ０．１から２０Ｎ／ｍｍ２の範囲内の値となる。
　（構造物１３の長さ）
　蒸着シャドウの影響を小さくして蒸着パターンの精度を向上させるために、蒸着マスク１０の厚みは薄い方が好ましい。また、蒸着マスク１０の厚みを薄くするために、構造物１３の長さは短い方が好ましい。
　しかしながら、構造物１３の長さよりも大きい異物が蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間に混入したり、蒸着マスク１０が構造物１３の長さよりも大きな撓みを生じたりした場合、構造物１３が被成膜基板３０に接触しないため、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とが離間する。
　そのため、構造物１３の長さは、蒸着マスク１０の自重による撓み、または混入し得る異物の大きさに基づいて決定することが好ましい。
　蒸着マスク１０の撓みは、一般的に１００μｍ程度であり、混入し得る異物の被成膜基板３０の法線方向の大きさは数μｍ程度である。
　そのため、構造物１３の長さは、例えば、数μｍから１００μｍの範囲内の値であることが好ましい。
　また、蒸着マスク１０の厚みをより薄くするために、構造物１３の長さを数百ｎｍから５０μｍの範囲内の値とし、数μｍオーダーの異物を除去するとともに、蒸着マスク１０の撓みを極力低減させた状態で、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させることがより好ましい。
　（構造物１３の太さ）
　構造物１３の直径が小さい場合、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間に異物が混入した場合に、異物に接触する構造物１３が容易に変形するため、異物に接触しない構造物１３を構成する分子と被成膜基板３０を構成する分子との分子間距離を近接した状態に保つことができる。これにより、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との密着力を向上させることができる。そのため、構造物１３の直径は小さいことが好ましい。
　具体的には、構造物１３の直径は、数μｍ以下であることが好ましく、数百ｎｍ以下であることがより好ましく、数十ｎｍ以下であることがより好ましい。
　ただし、マスク本体１６に直径が数十ｎｍ以下の構造物１３を形成することは容易ではない。また、仮に、直径が数十ｎｍ以下の構造物１３を形成することができたとしても、構造物１３の強度が不足する可能性がある。そのため、構造物１３の直径は、例えば、５０ｎｍから５００ｎｍの範囲内の値であることが好ましい。
　（構造物１３の密度）
　マスク本体１６が有する面のうち被成膜基板３０と対向する面における構造物１３の密度は、必要とされる分子間力に基づいて決定される。より詳しくは、被成膜基板３０と対向する面における構造物１３の密度は、蒸着マスク１０および被成膜基板３０のうち、蒸着工程の際に鉛直方向において下側に配置されるものの質量に基づいて決定される。以下の説明では、鉛直方向において被成膜基板３０を蒸着マスク１０よりも下側に配置した状態で蒸着を行う場合について説明する。
　例えば、被成膜基板３０として、３０５ｃｍ×２８５ｃｍ×０．０７ｃｍｔのＧ１０基板を用いる場合を考える。
　Ｇ１０基板の密度を２．５ｇ／ｃｍ３とすると、Ｇ１０基板の質量は、３０５×２８５×０．０７×２．５≒１５ｋｇとなる。そのため、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に加わる鉛直方向下向きの力は、約１５０Ｎとなる。
　被成膜基板３０と対向する面において、開口部１２が占める面積の割合を１／２とすると、構造物１３が形成される部分の面積は、３０５×２８５÷２≒４４０００ｃｍ２となる。
　以上より、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させるために、４４０００ｃｍ２の面積に設けられる構造物１３によって、１５０Ｎ以上の分子間力を作用させる必要がある。すなわち、単位面積当たり、１５０Ｎ／４４０００ｃｍ２≒０．００３Ｎ／ｃｍ２の分子間力を作用させる必要がある。
　ここで、１本の構造物１３がもたらす分子間力は、約１０μＮである。そのため、構造物１３の密度は、０．００３Ｎ／ｃｍ２÷１０μＮ／本＝３４０本／ｃｍ２以上であることが好ましい。
　ただし、理論上十分な分子間力を作用させることができても、構造物１３の密度が極端に小さい場合、構造物１３を構成する分子と被成膜基板３０を構成する分子との分子間距離が数Åに近接する部分の面積が小さくなり、異物と蒸着マスク１０との間の隙間を埋めることができない。また、構造物１３で異物を包む（表面を覆う）ように蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させることができない。
　その結果、異物の周囲において蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間に有効な分子間力が作用せず、密着力が低下する。
　そこで、構造物１３の直径に基づいて構造物１３の密度を設定することがより好ましい。例えば、構造物１３の直径の好ましい値の範囲を数十ｎｍから数百ｎｍとすると、平面視において構造物１３が占める面積は、（１０×１０－７）２ｃｍ２／本から（１００×１０－７）２ｃｍ２／本であることが好ましい。すなわち、構造物１３の密度は、１０１０本から１０１２本／ｃｍ２の範囲内の値であることが好ましい。
　＜蒸着方法＞
　蒸着装置１を用いた蒸着方法では、第一に、蒸着マスク１０に被成膜基板３０を接触させて被成膜基板３０を蒸着マスク１０に吸着させる（被成膜基板吸着工程）。次に、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させた状態で、蒸着材料２２を、蒸着マスク１０の開口部１２を介して被成膜基板３０に被着させる（蒸着材料被着工程）。
　これにより、被成膜基板３０の成膜エリア３１に所定のパターンの蒸着膜を成膜することができる。
　本実施形態にかかる蒸着方法は、被成膜基板３０の蒸着面に、蒸着膜として例えば発光層３２を形成することにより、発光層を備えた、有機ＥＬ表示装置あるいは無機ＥＬ表示装置などのＥＬ表示装置の製造方法として利用することができる。
　また、本実施形態にかかる蒸着装置１は、発光層３２を備えた、有機ＥＬ表示装置あるいは無機ＥＬ表示装置などのＥＬ表示装置の製造装置として利用することができる。
　＜蒸着マスク１０と被成膜基板３０との密着＞
　図３は、本実施形態にかかる蒸着装置１を用いた蒸着方法を説明するための被成膜基板３０および蒸着マスク１０の断面図である。
　図１の（ａ）および図３に示すように、マスク本体１６の表面には、上述したように、構造物１３からなる微細凹凸構造１４が設けられている。これにより、蒸着マスク１０は、分子間力（ファンデルワールス力）により被成膜基板３０を吸着する。
　被成膜基板３０の表面には、ベースとなる基板自体の凹凸、あるいは、配線や電極、駆動素子などによる凹凸が存在している。
　このため、マスク本体１６の表面に微細凹凸構造１４が設けられていない場合、被成膜基板３０と蒸着マスク１０とを単に接触させただけでは、蒸着マスク１０が被成膜基板３０に吸着されず、両者を密着させることができない、
　しかしながら、本実施形態では、上述したように該蒸着マスク１０における被成膜基板３０との接触面、つまり、マスク本体１６における被成膜基板３０との接触面に、被成膜基板３０をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造１４が設けられていることで、蒸着マスク１０により被成膜基板３０を吸着し、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させることができる。
　構造物１３は、上述したように、その直径が例えばミクロンオーダー以下、好適にはサブミクロンオーダー以下であるため、柔軟性を有しており、変形が可能である。このように、微細凹凸構造１４を構成する構造物１３の直径は、被成膜基板３０の表面の凹凸よりも小さく、柔軟性があるため、被成膜基板３０と蒸着マスク１０とを接触させると、構造物１３が被成膜基板３０の表面の凹凸の間に入り込む。この結果、構造物１３を構成する分子と被成膜基板３０を構成する分子との分子間距離が数Åに近接する部分の面積が非常に大きくなり、被成膜基板３０と蒸着マスク１０との間にファンデルワールス力が働き、被成膜基板３０と蒸着マスク１０とが密着する。
　特に、微細凹凸構造１４は、複数の開口部１２をそれぞれ取り囲むように設けられているため、各開口部１２周辺において蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを確実に密着させることができる。
　これにより、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させ、開口部１２周辺での蒸着マスク１０の浮きを防止した状態で、被成膜基板３０に蒸着膜（発光層３２）を形成することができるため、蒸着パターン精度を向上させることができる。
　微細凹凸構造１４は、被成膜基板３０との接触領域全体に亘って形成されていることが好ましい。これにより、被成膜基板３０との接触領域全体に亘って蒸着マスク１０と被成膜基板３０とをファンデルワールス力により密着させることができる。したがって、被成膜基板３０との接触領域全体に亘って蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを十分に密着させることができる。
　例えば、蒸着装置１を用いて、蒸着膜としてＥＬ表示装置の発光層３２を形成する場合、特定のサブ画素領域に形成すべき蒸着粒子が他のサブ画素領域に到達することを防止することができ、蒸着パターン精度の低下による成膜ボケ、混色、および自画素内での不均一発光などの表示品位の低下を抑制することができる。
　図４の（ａ）は従来の蒸着装置を用いた蒸着方法を説明するための被成膜基板５３０および蒸着マスク５１０の断面図であり、図４の（ｂ）は本実施形態にかかる蒸着装置１を用いた蒸着方法を説明するための被成膜基板３０および蒸着マスク１０の断面図である。
　図４の（ａ）に示すように、従来の蒸着方法では、磁性体の蒸着マスク５１０を用い、被成膜基板５３０に関して蒸着マスク５１０とは反対側に磁石５９０を設けることによって、磁力により蒸着マスク５１０を被成膜基板５３０側に吸着させて蒸着を行っていた。
　しかしながら、蒸着マスク５１０に十分な磁力が作用しないために、蒸着マスク５１０の自重により撓みが生じ、特に蒸着マスク５１０の中央部において蒸着マスク５１０と被成膜基板５３０とが密着せず離間する。
　また、被成膜基板５３０と蒸着マスク５１０との間に異物が混入することによって、異物が混入した箇所において被成膜基板５３０と蒸着マスク５１０とが離間する。さらに、蒸着マスク５１０は剛性が高いため、異物が混入した箇所だけでなく、被成膜基板５３０との接触面において広範囲に亘って被成膜基板５３０と蒸着マスク５１０とが離間する。
　そのため、従来の蒸着方法では蒸着パターンの精度が低下する。
　これに対して、本実施形態にかかる蒸着マスク１０は、被成膜基板３０と対向する面に、微細凹凸構造１４が形成されている。そのため、上述したように、構造物１３を構成する分子と被成膜基板３０を構成する分子との分子間距離が数Åに近接する部分の面積が非常に大きくなる。
　これにより、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間に十分な分子間力が作用し、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを密着させることができる。
　さらに、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間に異物が混入した場合であっても、異物に接触する構造物１３が変形することで異物に接触しない構造物１３を構成する分子と被成膜基板３０を構成する分子との分子間距離を近接した状態に保つことができ、また、異物の表面に沿って構造物１３が変形することで異物と蒸着マスク１０との間の隙間を埋めることができる。
　そのため、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間に異物が混入した場合であっても、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間に十分な分子間力が作用し、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とが密着した状態を保つことができる。
　これにより、蒸着パターンの精度を向上させることができる。
　蒸着マスク１０と被成膜基板３０とが密着する過程について説明する。
　図５の（ａ）は蒸着マスク１０の端部が被成膜基板３０に密着した状態を示す被成膜基板３０および蒸着マスク１０の断面図であり、図５の（ｂ）は蒸着マスク１０の端部近傍が被成膜基板３０に密着した状態を示す被成膜基板３０および蒸着マスク１０の断面図であり、図５の（ｃ）は蒸着マスク１０の全体が被成膜基板３０に密着した状態を示す被成膜基板３０および蒸着マスク１０の断面図である。
　従来の大型の蒸着マスクは、自重によって端部から中央部に向かってたわみが大きくなり、被成膜基板との間で密着不良が生じる。
　これに対して、本実施形態にかかる蒸着マスク１０は、被成膜基板３０との接触面において、被成膜基板３０と接触する接触領域全体に微細凹凸構造１４が形成されているため、蒸着マスク１０の全面に亘って、被成膜基板３０に密着させることができる。以下、具体的に説明する。
　被成膜基板３０を蒸着マスク１０に吸着させる工程（被成膜基板吸着工程）において、図５の（ａ）に示すように、端部がマスクフレーム１５によって支持された蒸着マスク１０を被成膜基板３０に近づける。
　このとき、蒸着マスク１０の自重による撓みが生じているため、蒸着マスク１０の中央部に形成された微細凹凸構造１４は被成膜基板３０に接触しないが、蒸着マスク１０の端部はマスクフレーム１５によって支持されることにより撓みが小さいため、蒸着マスク１０の端部に形成された微細凹凸構造１４は被成膜基板３０に接触する。これにより、蒸着マスク１０の端部は、微細凹凸構造１４の分子間力によって被成膜基板３０に密着する。
　次に、図５の（ｂ）に示すように、蒸着マスク１０の端部が被成膜基板３０に密着することによって、端部よりも中央側の部分が被成膜基板３０側に引き寄せられ、微細凹凸構造１４の分子間力によって被成膜基板３０に密着する。このようにして、蒸着マスク１０は、一部が被成膜基板３０に密着することで、他の部分が被成膜基板３０との間に分子間力が発現する距離まで近接することによって、端部から中央部にかけて連続的に被成膜基板３０に密着する。
　これにより、蒸着マスク１０は、被成膜基板３０の表面形状に追従するようにして、被成膜基板３０に密着する。
　その結果、図５の（ｃ）に示すように、蒸着マスク１０の被成膜基板３０との対向面の全面が、被成膜基板３０に密着する。
　なお、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との間の分子間力には異方性がある。例えば、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とが密着した状態において、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に対して垂直な方向に作用する単位表面積当たりの分子間力は８．３Ｎ／ｃｍ２であり、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との接触面に対して平行な方向に作用する単位表面積当たりの分子間力は２．３Ｎ／ｃｍ２である。
　そのため、被成膜基板３０に蒸着膜を形成した後、被成膜基板３０から蒸着マスク１０を剥がすときには、例えば、接触面とのなす角度が３０°となる方向に力を加えることによって、容易に被成膜基板３０と蒸着マスク１０とを離間させることができる。
　＜蒸着マスク１０の製造方法＞
　本実施形態にかかる蒸着マスク１０の製造方法について説明する。
　図６の（ａ）～（ｃ）は、本実施形態にかかる蒸着マスク１０の製造方法を工程順に示す断面図である。
　以下では、図６の（ａ）に示すように、一面に複数の凸部６１が設けられた鋳型６０（スタンプ）を用いて、金属板５０に微細凹凸構造１４を形成することによって、蒸着マスク１０を製造する方法について説明する。
　初めに、図６の（ａ）に示すように、予め複数の開口部１２が形成された金属板５０と、金属を腐食または溶解することのできる液体を凸部６１に含浸させた鋳型６０とを対向させる。
　次に、図６の（ｂ）に示すように、鋳型６０の凸部６１を金属板５０の一面に押し当てる。
　これにより、図６の（ｃ）に示すように、金属板５０の表面において、凸部６１に接触する部分が腐食または溶解することによって、鋳型６０の凸部６１が金属板５０の表面に転写される。これにより、表面に構造物１３からなる微細凹凸構造１４が形成された蒸着マスク１０を製造することができる。
　金属を腐食または溶解することのできる液体として、希塩酸、希硫酸などの酸性の液体を用いることができる。
　鋳型６０は、酸性の液体に対して耐性を有し、且つ酸性の液体を含浸させることができる材料から形成されている。このような材料として、架橋性樹脂、架橋性ゴムなどを用いることができ、架橋性ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）エラストマーを用いることが好ましい。
　鋳型６０の一面に凸部６１をパターニングする方法は、従来公知の方法を適用することができ、熱ナノインプリントまたはＵＶナノインプリントによって鋳型６０に直接パターニングすることが好ましい。
　鋳型６０に酸性の液体を含浸させる工程では、鋳型６０全体を酸性の液体に浸漬してもよいし、凸部６１のみを酸性の液体に浸漬してもよい。浸漬時間は、液体の浸透速度、鋳型６０の大きさなどに応じて適宜調整すれば良く、おおむね数時間程度浸漬すればよい。
　鋳型６０を金属板５０に押し当てる際の圧力は、金属板５０に陥入する部分の凸部６１の長さを観測しながら、適宜調整することが好ましい。これにより、任意の長さの構造物１３を有する蒸着マスク１０を製造することができる。
　金属板５０に開口部１２を形成する方法として、エッチング処理、またはレーザ照射処理などの方法が挙げられるが、これらの処理を施すことによって、構造物１３が損傷することがある。
　上記の製造方法のように、金属板５０に開口部を形成する工程（開口部形成工程）によって予め開口部１２が形成された金属板５０に対して、微細凹凸構造１４を形成する工程（微細凹凸構造形成工程）を施して蒸着マスク１０を製造することによって、開口部１２を形成する工程における構造物１３の損傷を抑制することができる。
　なお、蒸着マスク１０を製造する方法は上記の製造方法に限られない。金属板５０に対して微細凹凸構造１４を形成する工程（微細凹凸構造形成工程）によって予め構造物１３が形成された金属板５０に対して、開口部１２を形成する工程（開口部形成工程）を施して蒸着マスク１０を製造してもよい。
　また、金属板５０に代えて、樹脂板を用いて樹脂製の蒸着マスク１０を製造してもよい。樹脂製の蒸着マスク１０を製造する場合には、樹脂板に対して熱ナノインプリントまたはＵＶナノインプリントを施すことによって、樹脂板の表面に構造物１３を形成してもよい。
　＜蒸着装置１の他の構成にかかる変形例１＞
　図７は、本実施形態にかかる蒸着装置１の他の構成例を示す側面図である。
　図７に示すように、蒸着装置１は、蒸着マスク１０の端部を支持するマスクフレーム１５と、マスクフレーム１５を載置可能なマスク架台７１と、マスク架台７１を上下に昇降可能なマスク昇降機構７０とを備えている。
　マスクフレーム１５と、マスク架台７１と、マスク昇降機構７０とは、蒸着マスク１０を保持するとともに蒸着マスク１０を上下に昇降させる保持部材を構成している。
　これにより、蒸着マスク１０と被成膜基板３０とを対向させた状態で蒸着マスク１０を被成膜基板３０へ向けて上昇させることで、微細凹凸構造１４を被成膜基板３０の蒸着面に対して正確に密着させることができる。
　なお、マスク昇降機構７０としては、マスク架台７１を上下動させることができさえすれば、特に限定されるものではない。例えば、マスク昇降機構７０は、マスク架台７１を備えたマスクホルダをアクチュエータにより昇降させるものであってもよく、マスクホルダに連結された有線の巻き下げおよび巻き上げを用いてマスクホルダを昇降させるものであってもよい。なお、上記マスクホルダには、図２の（ａ）に示すマスクホルダ４１を用いることができる。また、マスク昇降機構７０は、図２の（ａ）に示す回転機構４５を備えていてもよい。
　＜蒸着装置１の他の構成にかかる変形例２＞
　図８は、本実施形態にかかる蒸着装置１のさらに他の構成例を示す側面図である。
　図８に示すように、蒸着装置１は、蒸着マスク１０に吸着された被成膜基板３０の上に配置された板状部材である押さえ板８０と、押さえ板８０を上下に昇降させることによって被成膜基板３０に対して上から荷重を加えることができる押さえ昇降機構８１とを備えている。
　押さえ板８０と、押さえ昇降機構８１とは、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との密着力を向上させるとともに被成膜基板３０の位置ずれを抑制する押さえ部材を構成している。
　これにより、蒸着工程における、蒸着マスク１０と被成膜基板３０との位置ずれを防ぐことができる。
　なお、上記押さえ昇降機構８１としては、押さえ板８０をアクチュエータにより昇降させるものであってもよく、押さえ板８０に連結された有線の巻き下げおよび巻き上げを用いて押さえ板８０を昇降させるものであってもよい。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、図９に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図９は、本実施形態にかかる蒸着マスク１１０を被成膜基板３０に対向させた状態における蒸着マスク１１０および被成膜基板３０の平面図である。
　図９に示すように、蒸着マスク１１０は、被成膜基板３０と対向する面（接触面）において、微細凹凸構造１４が設けられていない構造物除去エリア１１１を備えている点を除けば、実施形態１にかかる蒸着マスク１０と同じ構成を有している。
　構造物除去エリア１１１は、蒸着マスク１１０の接触面の端部近傍に設けられている。より具体的には、構造物除去エリア１１１は、蒸着マスク１１０と被成膜基板３０とを密着させた状態において、平面視において被成膜基板３０の外周を囲む位置（周端部）に設けられている。
　また、図９に示す例では、構造物除去エリア１１１は、４辺の枠形状となっているが、構造物除去エリア１１１の形状はこれに限られない。構造物除去エリア１１１の形状は、１辺からなる直線形状でもよいし、連続体ではなくブロック状（縞状）の形状であってもよい。
　被成膜基板３０と蒸着マスク１１０との間に作用する分子間力が大きすぎると、蒸着膜を形成した後、蒸着マスク１１０を被成膜基板３０から剥がすことが困難となる。そこで、本実施形態では、蒸着マスク１１０における、マスク開口エリア１１群から離間した、蒸着マスク１１０の端部（周端部）に構造物除去エリア１１１を設けることで、部分的に被成膜基板３０と蒸着マスク１１０との間の密着性を低下させ、蒸着マスク１１０を被成膜基板３０から容易に剥がすことができるようにしている。
　これにより、蒸着マスク１１０と被成膜基板３０とを離間する際に、蒸着マスク１１０および被成膜基板３０のうち何れか一方の端部に対して、接触面に垂直な方向に機械的な力を加えることで、構造物除去エリア１１１を介して構造物１３に斜め方向の力が加えることができ、蒸着マスク１１０と被成膜基板３０とを容易に離間することができる。
　また、蒸着マスク１１０と被成膜基板３０とを離間する際に、構造物１３が設けられていない領域に力を加えることが好ましい。これにより、より容易に蒸着マスク１１０と被成膜基板３０とを離間することができる。
　このように、本実施形態では、蒸着マスク１１０における、蒸着膜パターン精度に関与する各開口部１２の周辺に微細凹凸構造１４を設けて開口部１２周辺の蒸着マスク１１０の浮きを防止する一方、蒸着膜パターン精度に関与しない部分（蒸着マスク１１０の端部）に作用する分子間力を低下させることで、蒸着マスク１１０と被成膜基板３０との密着性の確保と蒸着マスク１１０と被成膜基板３０との離間性とを両立させることができる。
　実施形態１の蒸着マスク１０と同様に、複数の開口部１２の周辺には、微細凹凸構造１４が設けられているため、各開口部１２周辺において蒸着マスク１１０と被成膜基板３０とを確実に密着させることができる。そのため、本実施形態にかかる蒸着マスク１１０によれば、開口部１２周辺での蒸着マスク１１０浮きを防止することができる。
　さらに、構造物除去エリア１１１に力を加えることで、蒸着マスク１１０と被成膜基板３０とを容易に離間させることができる。
　したがって、被成膜基板３０との接触面の端部に、構造物除去エリア１１１を形成することで、蒸着マスク１１０と被成膜基板３０との密着性の確保と蒸着マスク１１０と被成膜基板３０との離間性とを両立させることができる。
　〔実施形態３〕
　本発明のさらに他の実施形態について、図１０の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図１０の（ａ）は、本実施形態にかかる蒸着マスク２１０を被成膜基板３０に対向させた状態における蒸着マスク２１０および被成膜基板３０の平面図であり、図１０の（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線矢視断面図である。
　図１０の（ａ）に示すように、蒸着マスク２１０は、被成膜基板３０との接触面において、微細凹凸構造１４が設けられていない構造物除去エリア２１１を備えているとともに、蒸着マスク２１０の構造物除去エリア２１１に、真空吸着用の吸着穴２１６が形成されている点を除けば、実施形態１、２にかかる蒸着マスク１０・１１０と同じ構成を有している。
　また、図１０の（ｂ）に示すように、蒸着マスク２１０の吸着穴２１６は、マスクフレーム２１５にも連続して設けられている。
　これにより、吸着穴２１６を介して真空吸着によって、被成膜基板３０を蒸着マスク２１０に吸着することができる。これにより、微細凹凸構造１４が設けられていない領域においても被成膜基板３０を吸着することができ、被成膜基板３０と蒸着マスク２１０とをより確実に密着させることができる。
　〔実施形態４〕
　本発明のさらに他の実施形態について、図１１～図１３の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１～３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図１１は、本実施形態にかかる蒸着装置３０１の要部の構成を示す斜視図である。
　図１２は、本実施形態にかかる蒸着マスク３１０の側面図である。
　図１１および図１２に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置３０１の蒸着マスク３１０は、マスク本体１６が、樹脂層３１０Ａおよび金属層３１０Ｂの積層構造を有している点を除けば、実施形態１～３にかかる蒸着マスク１０・１１０・２１０と同じ構成を有している。蒸着マスク３１０の被成膜基板３０との接触面は、樹脂層３１０Ａにより構成されており、樹脂層３１０Ａに微細凹凸構造１４が形成されている。
　従来の金属製の蒸着マスクは、板厚を数十μｍ以下に薄くすることが困難であり、開口部を高精度に形成することが困難である。また、従来の樹脂製の蒸着マスクは、捩れや撓みを生じ易いため、蒸着工程において所望の位置に蒸着膜を形成することが困難である。
　これに対して、蒸着マスク３１０は、樹脂層３１０Ａと金属層３１０Ｂとを備えており、金属層３１０Ｂは樹脂層３１０Ａを支持する支持部材の機能を有する。そのため、樹脂層３１０Ａを用いることによる高精細化と、金属層３１０Ｂを用いることによる捩れや撓みの防止とを両立することができる。
　また、被成膜基板３０との接触面を樹脂層３１０Ａで形成することで、被成膜基板３０との接触面に、微細凹凸構造１４を、印刷などの手法により簡単かつ精度良く形成することができる。
　図１３の（ａ）は本実施形態にかかる蒸着マスク３１０の他の例を示す平面図であり、図１３の（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線矢視断面図である。
　本実施形態にかかる蒸着マスク３１０において、金属層３１０Ｂを単に樹脂層３１０Ａの指示部材として用いる場合、図１３の（ｂ）に示すように、金属層３１０Ｂを、樹脂層３１０Ａの背面に任意の間隔でライン状に形成してもよい。
　〔実施形態５〕
　本発明の他の実施形態について、図１４～図１５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１～４にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図１４は、本実施形態にかかる蒸着装置４０１の要部の構成を示す斜視図である。
　図１５は、本実施形態にかかる蒸着装置４０１の要部の構成を示す側面図である。
　図１４に示すように、蒸着装置４０１は、蒸着の際に被成膜基板３０を挟んで蒸着マスク４１０に対向して配置されるマグネットプレート９０（磁気吸着部材）を備えている点を除けば、実施形態１～４にかかる蒸着装置１・３０１と同じ構成を有している。
　また、図１４および図１５に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置４０１の蒸着マスク４１０は、実施形態４の蒸着マスク３１０と同様に、樹脂層４１０Ａと金属層４１０Ｂとを備えており、樹脂層４１０Ａには微細凹凸構造１４が形成されている。
　蒸着マスク４１０は金属層４１０Ｂを備えているため、被成膜基板３０の背面にマグネットプレート９０を配置することによって、金属層４１０Ｂに磁力が作用し、蒸着マスク４１０を吸着することによって蒸着マスク４１０と被成膜基板３０との密着性を向上させることができる。
　また、樹脂層４１０Ａに形成された微細凹凸構造１４によって、分子間力により蒸着マスク４１０と被成膜基板３０とを密着させることができる。そのため、被成膜基板３０と蒸着マスク４１０との密着を、微細凹凸構造１４による分子間力と、マグネットプレート９０による磁力との両方で行うことで、被成膜基板３０と蒸着マスク４１０とをより確実に密着させることができる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる蒸着マスク（１０、１１０、２１０、３１０、４１０）は、被成膜基板（３０）上に蒸着材料（２２）を成膜するための複数の開口部（１２）を有する蒸着マスクであって、上記被成膜基板との接触面に、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように、上記被成膜基板をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造（１４）を有していることを特徴とする。
　上記の構成によれば、上記蒸着マスクに、上記微細凹凸構造によるファンデルワールス力で上記被成膜基板を吸着させるので、上記蒸着マスクに撓みがあったり異物が付着していていたりしても上記蒸着マスクと上記被成膜基板とを密着させることができる。
　また、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように上記微細凹凸構造が設けられていることで、各開口部周辺において上記蒸着マスクと上記被成膜基板とを確実に密着させることができる。
　これにより、混色や自画素内での不均一発光を防止する上で最も重要な開口部周辺でのマスク浮きを防止することができ、高精細な蒸着パターンを形成することができる蒸着マスクを提供することができる。
　本発明の態様２にかかる蒸着マスクは、上記態様１において、金属層（３１０Ｂ）と樹脂層（３１０Ａ）との積層構造を有し、上記被成膜基板との接触面が樹脂層である構成であってもよい。
　上記の構成によれば、被成膜基板との接触面を樹脂層で形成することで、被成膜基板との接触面に、上記微細凹凸構造を、印刷などの手法により簡単かつ精度良く形成することができる。また、上記の構成によれば、樹脂層を用いることによる高精細化と、金属層を用いることによる捩れや撓みの防止とを両立することができる。
　本発明の態様３にかかる蒸着マスクは、上記態様１または２において、上記被成膜基板の質量をＷとし、上記微細凹凸構造の単位表面積当たりのファンデルワールス力をＦ０とし、上記微細凹凸構造全体の面積をＳとし、当該蒸着マスクの引張強度をＹとすると、Ｗ／１０２＜Ｆ０×Ｓ＜Ｙ×Ｓを満足する構成であってもよい。
　上記の構成によれば、Ｆ０×Ｓが上記の式を満足するように上記微細凹凸構造を形成することで、上記蒸着マスクと被成膜基板とを確実に密着させることができるとともに、上記蒸着マスクと被成膜基板とを離間させる際に発生する応力によって、上記蒸着マスクが損傷することなく、上記被成膜基板と蒸着マスクとを離間させることができる。
　本発明の態様４にかかる蒸着マスクは、上記態様１～３の何れかにおいて、上記微細凹凸構造は、上記被成膜基板との接触面における上記被成膜基板との接触領域全体に形成されている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、上記被成膜基板との接触面における上記被成膜基板との接触領域全体に亘って上記蒸着マスクと上記被成膜基板とをファンデルワールス力により密着させることができる。したがって、上記被成膜基板との接触面における上記被成膜基板との接触領域全体に亘って上記蒸着マスクと上記被成膜基板とを十分に密着させることができる。
　本発明の態様５にかかる蒸着マスクは、上記態様１～３の何れかにおいて、上記被成膜基板との接触面の端部に、上記微細凹凸構造が設けられていない領域（構造物除去エリア２１１）が形成されている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、混色や自画素内での不均一発光を防止する上で最も重要な開口部周辺でのマスク浮きを防止することができる一方、上記微細凹凸構造が設けられていない領域に力を加えることで、蒸着マスクと被成膜基板とを容易に離間させることができる。また、蒸着マスクの自重などによる撓みは、通常、マスク中央部ほど大きく、マスク端部は比較的マスク撓みが少ない。
　したがって、上記被成膜基板との接触面の端部に、上記微細凹凸構造が設けられていない領域を形成することで、蒸着マスクと被成膜基板との密着性の確保と蒸着マスクと被成膜基板との離間性とを両立させることができる。
　本発明の態様６にかかる蒸着マスクは、上記態様５において、上記微細凹凸構造が設けられていない領域に、真空吸着用の吸着穴（２１６）が形成されている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、上記吸着穴を介して真空吸着によって蒸着マスクと被成膜基板とを密着させることができる。これにより、上記微細凹凸構造が設けられていない領域でもある程度の密着性が確保でき、上記被成膜基板と蒸着マスクとの間の全体的な浮きを抑制できる。
　本発明の態様７にかかる蒸着装置（１、３０１、４０１）は、上記態様１～６の何れかの蒸着マスクと、上記蒸着材料を、上記蒸着マスクにおける上記開口部を介して上記被成膜基板に被着させる蒸着源（２０）と、を備えている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、上記蒸着マスクを備えていることで、高精細な蒸着パターンを形成することができる。
　本発明の態様８にかかる蒸着装置は、上記態様７において、上記蒸着マスクを保持する保持部材を備え、上記保持部材が上記蒸着マスクを昇降させる昇降機構（７０）を備えている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、昇降機構により蒸着マスクを昇降させることで、上記微細凹凸構造を上記被成膜基板により確実に追従させることができる。
　本発明の態様９にかかる蒸着装置は、上記態様７または８において、上記蒸着マスクに吸着させた被成膜基板を該被成膜基板の上から押さえる押さえ部材（押さえ板８０、押さえ昇降機構８１）が設けられている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、蒸着工程における成膜時の基板ずれを防ぐことができる。
　本発明の態様１０にかかる蒸着装置は、上記態様７または８において、上記蒸着マスクは金属層を有しており、上記蒸着マスクに吸着させた被成膜基板を挟んで上記蒸着マスクに対向して、上記金属層を磁力により吸着する磁気吸着部材（マグネットプレート９０）が設けられている構成であってもよい。
　上記の構成によれば、被成膜基板と蒸着マスクとの密着を上記微細凹凸構造によるファンデルワールス力と磁力の両方で行うことで、被成膜基板と蒸着マスクとをより確実に密着させることができる。
　本発明の態様１１にかかる蒸着マスクの製造方法は、被成膜基板上に蒸着材料を成膜するための複数の開口部を有しており、上記被成膜基板との接触面に、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように、上記被成膜基板をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造を有している蒸着マスクの製造方法であって、上記蒸着マスクに複数の開口部を形成する開口部形成工程と、上記蒸着マスクの被成膜基板との接触面に、上記微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、を含んでいてもよい。
　上記の製造方法によれば、高精細な蒸着パターンを形成することができる蒸着マスクを提供することができる。
　本発明の態様１２にかかる蒸着マスクの製造方法は、上記態様１１において、上記蒸着マスクの被成膜基板との接触面が金属（金属板５０）であり、上記微細凹凸構造形成工程では、上記被成膜基板との接触面に、上記金属を腐食または溶解させる液体を含浸させた鋳型（６０）を接触させて、上記鋳型が有するパターンを上記金属の表面に転写する方法であってもよい。
　上記の製造方法によれば、蒸着マスクの被成膜基板との接触面が金属である場合、上記方法により、蒸着マスクの被成膜基板との接触面に容易に上記微細凹凸構造を形成することができる。
　本発明の態様１３にかかる蒸着マスクの製造方法は、上記態様１１において、上記蒸着マスクの被成膜基板との接触面が樹脂であり、上記微細凹凸構造形成工程では、上記被成膜基板との接触面に、上記微細凹凸構造を印刷する方法であってもよい。
　上記の製造方法によれば、蒸着マスクの被成膜基板との接触面が樹脂である場合、上記方法により、蒸着マスクの被成膜基板との接触面に容易に上記微細凹凸構造を形成することができる。
　本発明の態様１４にかかる蒸着方法は、被成膜基板上に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、上記態様１～６の何れかの蒸着マスクに上記被成膜基板を接触させて上記被成膜基板を上記蒸着マスクに吸着させる被成膜基板吸着工程と、上記蒸着材料を、上記蒸着マスクにおける上記開口部を介して上記被成膜基板に被着させる蒸着材料被着工程と、を備えている方法であってもよい。
　上記の方法によれば、上記被成膜基板吸着工程では上記蒸着マスクに、上記微細凹凸構造によるファンデルワールス力で上記被成膜基板を吸着させるので、上記蒸着マスクに撓みがあったり異物が付着していていたりしても上記蒸着マスクと上記被成膜基板とを密着させることができる。
　また、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように上記微細凹凸構造が設けられていることで、各開口部周辺において上記蒸着マスクと上記被成膜基板とを確実に密着させることができる。
　これにより、上記蒸着材料被着工程において、混色や自画素内での不均一発光を防止する上で最も重要な開口部周辺でのマスク浮きを防止することができる。したがって、上記蒸着方法によれば、高精細な蒸着パターンを形成することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本発明は、有機ＥＬ素子および無機ＥＬ素子、並びに、上記有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置、上記無機ＥＬ素子を備えた無機ＥＬ表示装置などの製造に好適に利用することができる。
　１、３０１、４０１　蒸着装置
　１０、２１０、３１０、４１０　蒸着マスク
　１１　マスク開口エリア
　１２　開口部
　１４　微細凹凸構造
　１５、２１５　マスクフレーム（保持部材）
　１６　マスク本体
　２０　蒸着源
　３０　被成膜基板
　５０　金属板
　６０　鋳型
　７０　マスク昇降機構（昇降機構）
　７１　マスク架台（保持部材）
　８０　押さえ板（押さえ部材）
　８１　押さえ昇降機構（押さえ部材）
　９０　マグネットプレート（磁気吸着部材）
　１１１、２１１　構造物除去エリア（微細凹凸構造が設けられていない領域）
　２１６　吸着穴
　３１０Ａ、４１０Ａ　樹脂層
　３１０Ｂ、４１０Ｂ　金属層

Claims (14)

  1. 　被成膜基板上に蒸着材料を成膜するための複数の開口部を有する蒸着マスクであって、
    　上記被成膜基板との接触面に、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように、上記被成膜基板をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造を有していることを特徴とする蒸着マスク。
  2. 　金属層と樹脂層との積層構造を有し、上記被成膜基板との接触面が樹脂層であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着マスク。
  3. 　上記被成膜基板の質量をＷとし、上記微細凹凸構造の単位表面積当たりのファンデルワールス力をＦ０とし、上記微細凹凸構造全体の面積をＳとし、当該蒸着マスクの引張強度をＹとすると、Ｗ／１０２＜Ｆ０×Ｓ＜Ｙ×Ｓを満足することを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着マスク。
  4. 　上記微細凹凸構造は、上記被成膜基板との接触面における上記被成膜基板との接触領域全体に形成されていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の蒸着マスク。
  5. 　上記被成膜基板との接触面の端部に、上記微細凹凸構造が設けられていない領域が形成されていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の蒸着マスク。
  6. 　上記微細凹凸構造が設けられていない領域に、真空吸着用の吸着穴が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の蒸着マスク。
  7. 　請求項１～６の何れか１項に記載の蒸着マスクと、
    　上記蒸着材料を、上記蒸着マスクにおける上記開口部を介して上記被成膜基板に被着させる蒸着源と、を備えていることを特徴とする蒸着装置。
  8. 　上記蒸着マスクを保持する保持部材を備え、
    　上記保持部材が上記蒸着マスクを昇降させる昇降機構を備えていることを特徴とする請求項７に記載の蒸着装置。
  9. 　上記蒸着マスクに吸着させた被成膜基板を該被成膜基板の上から押さえる押さえ部材が設けられていることを特徴とする請求項７または８に記載の蒸着装置。
  10. 　上記蒸着マスクは金属層を有しており、
    　上記蒸着マスクに吸着させた被成膜基板を挟んで上記蒸着マスクに対向して、
    　上記金属層を磁力により吸着する磁気吸着部材が設けられていることを特徴とする請求項７または８に記載の蒸着装置。
  11. 　被成膜基板上に蒸着材料を成膜するための複数の開口部を有しており、上記被成膜基板との接触面に、上記複数の開口部をそれぞれ取り囲むように、上記被成膜基板をファンデルワールス力により吸着する微細凹凸構造を有している蒸着マスクの製造方法であって、
    　上記蒸着マスクに複数の開口部を形成する開口部形成工程と、
    　上記蒸着マスクの被成膜基板との接触面に、上記微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、を含むことを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
  12. 　上記蒸着マスクの被成膜基板との接触面が金属であり、
    　上記微細凹凸構造形成工程では、上記被成膜基板との接触面に、上記金属を腐食または溶解させる液体を含浸させた鋳型を接触させて、上記鋳型が有するパターンを上記金属の表面に転写することを特徴とする請求項１１に記載の蒸着マスクの製造方法。
  13. 　上記蒸着マスクの被成膜基板との接触面が樹脂であり、
    　上記微細凹凸構造形成工程では、上記被成膜基板との接触面に、上記微細凹凸構造を印刷することを特徴とする請求項１１に記載の蒸着マスクの製造方法。
  14. 　被成膜基板上に所定のパターンの成膜を行う蒸着方法であって、
    　請求項１～６の何れか１項に記載の蒸着マスクに上記被成膜基板を接触させて上記被成膜基板を上記蒸着マスクに吸着させる被成膜基板吸着工程と、
    　上記蒸着材料を、上記蒸着マスクにおける上記開口部を介して上記被成膜基板に被着させる蒸着材料被着工程と、を備えていることを特徴とする蒸着方法。
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