CN112335069A - 具有减小的内部应力的通过双电铸形成的具有锥角开口的阴影掩模 - Google Patents

具有减小的内部应力的通过双电铸形成的具有锥角开口的阴影掩模 Download PDF

Info

Publication number
CN112335069A
CN112335069A CN201880094860.2A CN201880094860A CN112335069A CN 112335069 A CN112335069 A CN 112335069A CN 201880094860 A CN201880094860 A CN 201880094860A CN 112335069 A CN112335069 A CN 112335069A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microns
mask
mandrel
substrate
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880094860.2A
Other languages
English (en)
Inventor
黄曦
郭炳成
克里斯多弗·丹尼斯·本彻
迪特尔·哈斯
布赖恩·E·拉塞特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN112335069A publication Critical patent/CN112335069A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本公开内容的实施方式提供了用于阴影掩模的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种阴影掩模，并且所述阴影掩模包括：框架，所述框架由金属材料制成；以及一个或多个掩模图案，所述一个或多个掩模图案耦接到所述框架，所述一个或多个掩模图案包括具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数的金属并具有形成在其中的多个开口，所述金属具有约5微米至约50微米的厚度并具有形成在其中的边界，所述边界各自限定精细开口，所述边界具有形成在所述边界的基板接触表面上的凹陷表面，其中所述一个或多个掩模图案中的每者在约70,000平方毫米的表面积上具有小于约150微米的平坦度。

Description

具有减小的内部应力的通过双电铸形成的具有锥角开口的阴 影掩模
技术领域
本公开内容的实施方式涉及利用精细图案化阴影掩模在基板上形成电子器件。特别地，本文中公开的实施方式涉及用于在有机发光二极管(OLED)制造中使用的精细图案化金属掩模的方法和设备。
背景技术
在用于电视机屏幕、手机显示器、计算机监视器等的平板显示器的制造中，OLED引起了关注。OLED是特殊类型的发光二极管，其中发光层包括具有某些有机化合物的多个薄膜。OLED也可用于一般空间照明。OLED显示器的色彩、亮度和视角的可能范围比传统的显示器的色彩、亮度和视角的可能范围大，因为OLED像素直接地发射光而不需要背光。因此，OLED显示器的能量消耗远低于传统的显示器的能量消耗。另外，OLED可被制造到柔性基板上这一事实给新的应用(诸如卷绕式显示器或甚至是嵌入在柔性介质中的显示器)以机会。
当前OLED制造需要蒸发有机材料和利用多个图案化阴影掩模在基板上沉积金属。在蒸发和/或沉积期间的温度要求掩模的材料由具有低热膨胀系数(CTE)的材料制成。低CTE防止或最小化掩模相对于基板的移动。因此，掩模可由具有低CTE的金属材料制成。通常，通过将具有约200微米(μm)至约1毫米的厚度的金属片轧制至所期望的厚度(例如，约20μm至约50μm)来制造掩模。将光刻胶以所期望的图案形成在所轧制的金属片上并在光刻工艺中将其曝光。然后，对具有通过光刻形成的图案的所轧制的金属片进行化学蚀刻，以在其中形成精细开口。
然而，常规的掩模形成工艺有限制性。例如，随着分辨率要求提高，蚀刻准确度变得更加困难。另外，为了提高产率和/或制造更大的显示器，基板表面积不断地增大，并且掩模可能不足够大至覆盖基板。这是由于对低CTE材料来说可用的片材尺寸是有限的，并且甚至在轧制之后，也没有足够的表面积。另外，精细图案的提高的分辨率要求更薄的片材。然而，难以轧制和处理厚度小于30μm的片材。另外，电铸片不足够平坦，这至少部分是由于来自电铸工艺的内部应力的聚积而造成的。
因此，需要改进的精细金属阴影掩模和用于制造该精细金属阴影掩模的方法。
发明内容
本公开内容的实施方式提供了关于用于有机发光二极管制造的精细图案化阴影掩模的方法和设备。
在一个实施方式中，提供了一种阴影掩模，并且所述阴影掩模包括：框架，所述框架由金属材料制成；以及一个或多个掩模图案，所述一个或多个掩模图案耦接到所述框架，所述一个或多个掩模图案包括具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数的金属并具有形成在其中的多个开口，所述金属具有约5微米至约50微米的厚度并具有形成在其中的边界，所述边界各自限定精细开口，所述边界具有形成在所述边界的基板接触表面上的凹陷表面，其中所述一个或多个掩模图案中的每者在约70,000平方毫米的表面积上具有小于约150微米的平坦度。
在另一个实施方式中，提供了一种掩模片图案。所述掩模片图案通过以下操作形成：制备心轴，所述心轴包括具有小于或等于约7微米/米/摄氏度的热膨胀系数的材料，其中导电材料形成在所述材料上；将光刻胶材料提供到所述心轴上，所述光刻胶具有形成在其中的多个开口，所述多个开口暴露所述导电材料的至少一部分，所述光刻胶材料包括容积的图案，所述容积中的每者具有约5微米至约20微米的主尺寸；在电沉积工艺中将所述心轴暴露于电解质浴以在所述开口中形成包围第一金属结构的多个第二金属结构；将所述掩模片图案与所述心轴分开；以及在所述分开之后将所述掩模片图案退火。
在另一个实施方式中，提供了一种用于形成掩模片的方法。所述方法包括制备心轴，所述心轴包括金属材料或其上形成有金属层的玻璃材料。将第一光刻胶材料施加到所述金属材料或金属层并将所述第一光刻胶材料图案化以形成第一图案区域，所述第一图案区域具有形成在其中的第一开口，所述第一开口暴露所述金属材料或金属层的部分。将第二光刻胶材料施加在保留在所述图案区域中的所述第一光刻胶材料之上，并且将所述第二光刻胶材料图案化以形成第二图案区域，所述第二图案区域具有形成在其中的第二开口，所述第二开口暴露所述金属材料或金属层的部分。然后，将第一金属结构电沉积在所述第二开口中的每者中。然后，可将所述第二光刻胶材料移除，并且将第二金属结构电沉积到所述第一金属结构上。然后，可将所述第一金属结构和所述第二金属结构与所述心轴分开并在所述掩模中形成精细开口的边界，其中有机材料被图案化到基板上以形成子像素有源区域。所述第一金属结构和所述第二金属机构可具有小于或等于约13微米/米/摄氏度的热膨胀系数。
在另一个实施方式中，提供了一种用于形成掩模片的方法。所述方法包括：制备心轴，所述心轴包括金属材料或其上形成有金属层的玻璃材料；在第一电沉积工艺中将所述心轴暴露于电解质浴以在开口中形成多个第一金属结构；在第二电沉积工艺中将所述心轴暴露于电解质浴以在所述开口中形成包围所述第一金属结构的多个第二金属结构；以及将所述掩模片与所述心轴分开；以及在所述分开之后将所述掩模片退火。
在另一个实施方式中，提供了一种用于形成阴影掩模的方法，并且所述方法包括：制备心轴，所述心轴包括导电材料并具有小于或等于约7微米/米/摄氏度的热膨胀系数；将光刻胶材料以一图案沉积到所述心轴上，所述图案具有形成在其中的多个开口，所述多个开口暴露所述导电材料的至少一部分，其中所述图案包括多个容积，所述容积中的每者具有约5微米至约20微米的主尺寸；将所述心轴放置到电解质浴中，所述电解质浴包括具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数的材料；以及在所述心轴的所述开口中电铸多个边界。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式来获得上文简要地概述的本公开内容的更特别的描述，这些实施方式中的一些示于附图。然而，应注意，附图仅例示了本公开内容的典型的实施方式，并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。
图1是可利用本文中描述的实施方式制造的OLED器件的等距分解图。
图2是精细金属掩模的一个实施方式的示意性平面图。
图3A至图3K是示出用于精细金属掩模的另一个实施方式的形成方法的示意性局部截面图。
图4示意性地示出了用于在基板上形成OLED器件的设备的一个实施方式。
图5是根据一个实施方式的制造系统的示意性平面图。
为了便于理解，已经尽可能地使用相同附图标记标示各图共有的相同元件。设想的是，一个实施方式的要素和/或工艺步骤可有益地并入其他实施方式，而无需另外叙述。
具体实施方式
本公开内容的实施方式提供了用于精细金属掩模的方法和设备，该精细金属掩模可在有机发光二极管(OLED)的制造中用作阴影掩模。例如，在其中在基板上沉积多层薄膜的真空蒸发或沉积工艺中利用精细金属掩模。作为一个示例，这些薄膜可在包括OLED的基板上形成一个或多个显示器的一部分。薄膜可源自在OLED显示器的制造中利用的有机材料。基板可由玻璃、塑料、金属箔或适合于电子器件形成的其他材料制成。本文中公开的实施方式可在可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials,Inc.,ofSanta Clara,California)的子公司AKT公司(AKT,Inc.)获得的腔室和/或系统中实施。本文中公开的实施方式也可在来自其他制造商的腔室和/或系统中实施。
图1是OLED器件100的等距分解图。OLED器件100形成在基板115上。基板115可由玻璃、透明塑料或适合于电子器件形成的其他透明材料制成。在一些OLED器件中，基板115可为金属箔。OLED器件100包括夹在两个电极125和130之间的一个或多个有机材料层120。电极125可为诸如氧化铟锡(ITO)的透明材料，或为银(Ag)，并且可用作阳极或阴极。在一些OLED器件中，晶体管(未示出)也可设置在电极125与基板115之间。电极130可为金属材料并可用作阴极或阳极。在将功率施加到电极125和130时，有机材料层120中产生了光。所述光可为从有机材料层120的对应RGB膜产生的红色R、绿色G和蓝色B中的一者或它们的组合。红色R、绿色G和蓝色B有机膜中的每者可包括OLED器件100的子像素有源区域135。材料变化以及阴极和阳极的位置取决于其中利用OLED器件的显示器的类型。例如，在“顶部发光”显示器中，光发射穿过器件的阴极侧，并且在“底部发光”装置中，光可发射穿过阳极侧。
尽管未示出，但OLED器件100还可包括设置在电极125和130与有机材料层120之间的一个或多个空穴注入层以及一个或多个电子传输层。另外，尽管未示出，但OLED器件100可包括用于产生白光的膜层。用于产生白光的膜层可为有机材料层120中的膜和/或夹在OLED器件100内的滤光器。如本领域中已知，OLED器件100可形成单个像素。有机材料层120和用于产生白光的膜层(当使用时)以及电极125和130可使用如本文所描述的精细金属掩模来形成。
图2是精细金属掩模200的一个实施方式的示意性平面图。精细金属掩模200包括耦接到框架210的多个图案区域205。图案区域205用于控制材料在基板上的沉积。例如，图案区域205可用于在形成如图1所示和所述的OLED器件100时控制有机材料和/或金属材料的蒸发。图案区域205具有一系列精细开口215，该精细开口215阻止沉积的材料附着到基板的或先前沉积的层上的不期望的区域。因此，精细开口215提供在基板的或先前沉积的层上的特定区域上的沉积。精细开口215可为圆形、椭圆形或矩形的。精细开口215可包括约5微米(μm)至约20μm或更大的主尺寸(例如直径或其他内部尺寸)。图案区域205通常包括约5μm至约100μm，诸如约10μm至约50μm量级的截面厚度。图案区域205可通过焊接或紧固件(未示出)耦接到框架210。在一个示例中，具有设置在其上的多个图案区域205的单个掩模片可被张紧并焊接到框架210。在另一个示例中，多个条带可被张紧并焊接到框架210，这些条带各自具有多个图案区域205，这些图案区域具有与要制造的显示器类似的宽度。框架210可具有约10毫米(mm)或更小的截面厚度，以便为精细金属掩模200提供稳定性。
图案区域205以及框架210可由具有低热膨胀系数(CTE)的材料制成，从而在温度变化期间抵抗精细开口215的移动。具有低CTE的材料的示例包括镍(Ni)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钒(V)、它们的合金和它们的组合，以及铁(Fe)和Ni的合金等低CTE材料。低CTE材料维持精细金属掩模200中的尺寸稳定性，从而提供所沉积的材料的准确度。本文所描述的低CTE材料或金属的CTE可为小于或等于约15微米/米/摄氏度，诸如小于或等于约14微米/米/摄氏度，例如小于或等于约13微米/米/摄氏度。
图3A至图3K是示出用于精细金属掩模片300的实施方式的形成方法的示意性局部截面图，精细金属掩模片300用于制造图2的精细金属掩模200。下述精细金属掩模片300可用作图2的精细金属掩模200的图案区域205。图3J中示出了精细金属掩模片300的一部分。该方法包括用于形成精细金属掩模片300(图3C中所示)的掩模图案302。掩模图案302包括涂覆有第一介电材料310的心轴305，该第一介电材料可为有机光刻胶。在一些实施方式中，第一介电材料310可包括负性光刻胶材料，诸如可从马萨诸塞州韦斯特伯勒市的微化学公司(Microchem Corp.of Westborough,Massachusetts)获得的以商品名SU-8出售的光刻胶、均可从卢森堡的AZ电子材料公司(AZ Electronic Materials of Luxembourg)获得的
Figure BDA0002848946210000061
5510和
Figure BDA0002848946210000062
125nXT。
心轴305可为具有小于或等于约7微米/米/摄氏度的热膨胀系数的金属材料。示例包括镍、镍合金、镍:钴合金等。在一些实施方式中，心轴305可为包括Fe:Ni合金和Fe:Ni:Co合金的超低CTE材料，其可包括以商品名
Figure BDA0002848946210000063
(Fe:Ni 36)、SUPER INVAR
Figure BDA0002848946210000064
等销售的金属。或者，心轴305可为在要形成精细金属掩模片300那侧上涂覆有薄导电金属层(诸如铜(Cu))的玻璃材料。
心轴305的厚度312可为约0.1毫米(mm)至约10mm。第一介电材料310的厚度313可为约0.1微米(μm)至约2μm。在一些实施方式中，第一介电材料310的厚度313用于形成精细金属掩模片300中的精细开口215的结构。第一介电材料310可通过各种手段来沉积，所述手段诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、喷墨印刷、蒸发、旋涂、槽模涂覆、刮刀涂覆、转印或它们的组合，以及其他沉积方法。
第一介电材料310可利用已知的光刻技术来图案化。例如，第一介电材料310可暴露于电磁能315(图3B中所示)，以在掩模图案302(图3C中所示)上提供负性图案316。可将掩模(未示出)放置在第一介电材料310上方，以在第一介电材料310中提供期望的第一开口318的图案来暴露心轴305的一些部分，如图3C所示。
在图3D中，具有形成在其上的负性图案316的掩模图案302被涂覆有第二介电材料325。第二介电材料325可为正性光刻胶材料，诸如可从卢森堡的AZ电子材料公司获得的
Figure BDA0002848946210000071
9260、可从道氏化学公司(Dow Chemical Company)获得的
Figure BDA0002848946210000072
220或可从日本神奈川县川崎市的东京应化工业株式会社(Tokyo Ohka Kogyo Co.,LTD.of Kawasaki-shi,Kanagawa,Japan)获得的以商品名PMER-P-WE300出售的光刻胶材料。第二介电材料325可基本上覆盖负性图案316并填充第一介电材料310中的开口318。
在图3E中，在负性图案316中或上形成正性图案320。正性图案320可暴露于电磁能315以在掩模图案302上提供正性图案320。可将掩模(未示出)放置在掩模图案302上方，以提供期望的第二开口335的图案，在第二开口335中，心轴305的一些部分被暴露。第二开口335可具有比第一开口318的内部尺寸小的内部尺寸并可与第一开口318同心。
在形成正性图案320之后，可将心轴305上的掩模图案302放置在电解质浴(未示出)中。该浴包括溶解在其中的具有低CTE金属的材料。具有低CTE的材料的示例包括钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钒(V)、它们的合金和它们的组合，以及铁(Fe)和镍(Ni)的合金、铁(Fe)的合金、镍(Ni)和钴(Co)的合金等低CTE材料。Fe:Ni合金和Fe:Ni:Co合金的示例可包括以商品名
Figure BDA0002848946210000073
(Fe:Ni 36)、SUPER INVAR
Figure BDA0002848946210000074
等出售的金属。根据电铸技术，在心轴305与浴中的低CTE金属之间提供电偏压。如图3F所示，第二开口335以及第一开口318的一部分被填充有低CTE金属，以使用正性图案320在心轴305上提供第一金属结构340。
在图3G中，通过本领域已知的技术移除第二介电材料325，所述技术诸如使用电磁能315的显影，或其他移除技术。移除第二介电材料325使第一电介质材料310保持原样(类似于图3C中示出的负性图案316)，并且第一金属结构340在第一开口318的剩余部分中，这形成了图3H中示出的图案327。图案327使心轴305的部分暴露在第一开口318内并可在第二电铸工艺中使用。
在图3I中，可将心轴305上的图案327放置在电解质浴(未示出)中。该浴包括上文在第一电铸工艺中描述的一种或多种材料来形成第一金属结构340(图3F)。该浴中的金属可与在第一电铸工艺的浴中的金属相同或不同。如图3I所示，在第一开口318的剩余部分上形成第二金属结构350。第二金属结构350也围绕和/或包围第一金属结构340形成。在一些实施方式中，第二金属结构350至少部分地覆盖第一介电材料310。
图3J示出了由图3C至图3H的掩模图案302生产的精细金属掩模片300。第一金属结构340(图3F中示出)和第二金属结构350在精细金属掩模片300中形成精细开口215的边界355。边界355的至少一部分包括与图2的精细金属掩模200的图案区域205的一部分类似的图案区域357。边界355与精细金属掩模片300成一体，并且精细金属掩模片300可被剥离或以其他方式与心轴305和剩余的第一介电材料310分开。可通过剥离或使边界355保持原样并在形成位置的其他方法来将精细金属掩模片300从心轴305移除。
边界355的侧壁360可形成约45度至约55度，诸如约50度，的角度α。术语“约”可定义为+/-3度至+/-5度。容积365也可形成在由边界355限定的精细开口215中。在一些实施方式中，边界355的锥角α还通过以一定角度遮蔽有机材料(沉积在图1的OLED器件100的子像素有源区域135中)来实现沉积的均匀性。为了考虑阴影效应，在边界355之间形成的容积365可显著地大于图1的OLED器件100的子像素有源区域135。在一个实施方式中，容积365可限定比子像素有源区域的表面积大约4倍的敞开区域。在一些实施方式中，边界355典型地在每一侧上比子像素有源区域135大12μm。作为一个示例，每英寸470个像素(ppi)的子像素有源区域135可包括约6μm×约36μm的长度×宽度，并且精细开口将为约18μm×约48μm。然而，开口尺寸是受限制的，因为一个子像素的有机材料不应沉积在另一个子像素之上(例如，在红色上没有蓝色或绿色，在绿色或蓝色上没有红色等)。
在图3J中示出的一些实施方式中，在精细金属掩模片300的基板接触表面375上(例如，基板接触侧)形成凹陷区域370。凹陷区域370可以由第一介电材料310的厚度313(图3A中示出)提供的深度形成。凹陷区域370还可包括长度×宽度尺寸(例如，表面积)，该长度×宽度尺寸基本上等于第一介电材料310的表面积(图3C中示出)。可通过改变第一介电材料310的尺寸来提供凹陷区域370的表面积和/或深度的变化。
图3K示出了在移除精细金属掩模片300之后的掩模图案302。掩模图案302类似于在其上形成有负性图案316的图3C中示出的设备，并且因此可被再次使用以通过图3D至图3J中描述的工艺形成另一个精细金属掩模。
在形成精细金属掩模片300之后，根据减轻精细金属掩模片300中的内部应力，对精细金属掩模片300进行退火工艺的一个实施方式。在退火工艺的一个示例中，包括将精细金属掩模片300放置在炉或烘箱中并在第一加热工艺中加热第一时间段。第一加热工艺将精细金属掩模片300加热到约800摄氏度至约900摄氏度的第一温度。第一时间段为约30分钟。在第一加热工艺之后，在第二时间段期间对精细金属掩模片300执行第一冷却工艺。第一冷却工艺被配置为将精细金属掩模片300冷却到约300摄氏度(例如，第二温度)。可使用水来冷却精细金属掩模片300。在第一冷却工艺之后，对精细金属掩模片300执行第二加热工艺，该第二加热工艺在第三时间段期间将精细金属掩模片300加热到第三温度。第三温度为约300摄氏度，并且第三时间段为约3小时。在第二加热工艺中加热精细金属掩模片300之后，在第二冷却工艺中冷却精细金属掩模片300。在将精细金属掩模片300冷却到约300摄氏度(例如，第四温度)的第四时间段中执行第二冷却工艺。可使用空气来冷却精细金属掩模片300。在完成第二冷却工艺之后，精细金属掩模片300经历第三加热工艺，其中在第五时间段期间将精细金属掩模片300加热到第五温度。第五温度为约100摄氏度，并且第五时间段为约48小时。在完成第三加热工艺之后，在第六时间段中在第三冷却工艺中将精细金属掩模片300冷却到第六温度。第六温度为约环境温度或室温(例如，约70摄氏度)。可使用空气来冷却精细金属掩模片300。可生产多个精细金属掩模片300，以通过在上文所描述的退火之后将多个精细金属掩模片300张紧并焊接到图2的框架210来实现精细金属掩模200的制造。
在退火工艺的另一个示例中，包括将精细金属掩模片300放置在炉或烘箱中并在第一加热工艺中加热第一时间段。第一加热工艺将精细金属掩模片300加热到约800摄氏度至约900摄氏度的第一温度。第一时间段为约6小时。在第一加热工艺之后，在第二时间段期间对精细金属掩模片300执行第一冷却工艺。第一冷却工艺被配置为将精细金属掩模片300冷却到约550摄氏度(例如，第二温度)，该温度被维持第二时间段。第二时间段为约4小时。在第一冷却工艺之后，对精细金属掩模片300执行第二冷却工艺，该第二冷却工艺在第三时间段期间将精细金属掩模片300冷却到约300摄氏度的第三温度。第三时间段为约3小时。在第三时间段期间维持第三温度。在第二冷却工艺中冷却精细金属掩模片300之后，在第三冷却工艺中冷却精细金属掩模片300。在将精细金属掩模片300冷却到约100摄氏度(例如，第四温度)的第四时间段中执行第三冷却工艺。第四时间段为约2小时。在第四时间段期间维持第四温度。可生产多个精细金属掩模片300，以通过在上文所描述的退火之后将多个精细金属掩模片300张紧并焊接到图2的框架210来实现精细金属掩模200的制造。
上文所描述的退火工艺减轻精细金属掩模片300中的内部应力。退火工艺还改进了精细金属掩模片300的平坦度。退火工艺还可积极地影响精细金属掩模片300的物理强度和/或CTE。例如，通过本文所描述的退火工艺提供的热处理重排精细金属掩模片300的晶体结构，这可提高精细金属掩模片300的强度以及降低精细金属掩模片300的CTE。
常规的掩模由不足够平坦的多个掩模片(未如本文所描述那样退火)制成。作为一个示例，常规的掩模具有约1500mm×约925mm的表面积，并且包括约20个掩模片。20个掩模片中的每者包括约75mm×约925mm的尺寸，并且每个片可包括约600μm至700μm的平坦度(通过激光扫描测量)。然而，在如上文所描述的退火工艺之后，在具有相同表面积(例如，约70,000平方毫米)的情况下，本文所描述的精细金属掩模200具有小于约150μm的平坦度。
图4示意性地示出了用于在基板405上形成OLED器件的设备400的一个实施方式。设备400包括沉积腔室410，在该沉积腔室中，基板405被支撑于基本上竖直的取向。基板405由邻近沉积源420的载体415支撑。使精细金属掩模425与基板405接触，并且将其定位在沉积源420与基板405之间。精细金属掩模425可为本文所描述的精细金属掩模200。精细金属掩模425可被张紧并通过紧固件(未示出)、焊接或其他合适的连结方法耦接到框架430。在一个实施方式中，沉积源420可为蒸发到基板405的精确区域上的有机材料。有机材料通过根据本文所描述的形成方法在精细金属掩模425中形成在边界440之间的精细开口435而沉积。本文所描述的精细金属掩模200可包括具有精细开口435的一个图案或多个图案的单个片。或者，本文所描述的精细金属掩模200可为具有形成在其中的精细开口435的一个图案或多个图案的一系列掩模片，这一系列掩模片被张紧并耦接到框架430，以便适应不同尺寸的基板。
图5是根据一个实施方式的制造系统500的示意性平面图。系统500可用于制造电子器件，特别是在其中包括有机材料的电子器件。例如，所述器件可为电子器件或半导体器件，诸如光电器件并特别是显示器。
本文中描述的实施方式特别地涉及在大面积基板上沉积例如用于显示器制造的材料。制造系统500中的基板可在载体上在整个制造系统500中移动，该载体可在其边缘处、通过静电吸引或它们的组合来支撑一个或多个基板。根据一些实施方式，大面积基板或支撑一个或多个基板的载体(例如，大面积载体)可具有至少0.174m2的尺寸。典型地，载体的尺寸可为约0.6平方米至约8平方米，更典型地约2平方米至约9平方米或甚至高达12平方米。典型地，矩形区域(在其中支撑基板并为其提供根据本文中描述的实施方式的保持布置、设备和方法)是具有用于本文所描述的大面积基板的尺寸的载体。例如，将会与单个大面积基板的面积相对应的大面积载体可为对应于约1.4平方米基板(1.1m×1.3m)的第5代、对应于约4.29平方米基板(1.95m×2.2m)的第7.5代、对应于约5.7平方米基板(2.2m×2.5m)的第8.5代或甚至对应于约8.7平方米基板(2.85m×3.05m)的第10代。可类似地实现甚至更高代(诸如第11代和第12代)和对应的基板面积。本文所描述的精细金属掩模200可相应地设定尺寸。
根据典型的实施方式，基板可由适合于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可由选自由以下项组成的组中的材料制成：玻璃(例如，钙钠玻璃、硼硅酸盐玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料或可通过沉积工艺涂覆的任何其他材料或材料组合。
图5中示出的制造系统500包括装载锁定腔室502，该装载锁定腔室被连接到水平基板搬运腔室504。基板405(以虚线绘出)，诸如上文所描述的大面积基板，可从基板搬运腔室504传送到真空摆动模块508。真空摆动模块508将处于水平位置的基板405装载在载体415上。在以水平位置将基板405装载到载体415上之后，真空摆动模块508将其上提供有基板405的载体415旋转成竖直或基本上竖直的取向。然后，将其上提供有基板405的载体415以竖直取向传送通过第一传送腔室512A和至少一个后续传送腔室(512B至512F)。一个或多个沉积设备514可连接到传送腔室。另外，其他基板处理腔室或其他真空腔室可连接到传送腔室中的一者或多者。在处理基板405之后，将其上具有基板405的载体以竖直取向从传送腔室512F传送到出口真空摆动模块516。出口真空摆动模块516将其上具有基板405的载体从竖直取向旋转到水平取向。之后，可将基板405卸载到出口水平玻璃搬运腔室518中。例如在薄膜包封腔室522A或522B中的一者中包封所制造的器件之后，可通过装载锁定腔室520将所处理的基板405从制造系统500卸载。
在图5中，提供第一传送腔室512A、第二传送腔室512B、第三传送腔室512C、第四传送腔室512D、第五传送腔室512E和第六传送腔室512F。根据本文中描述的实施方式，制造系统500中包括至少两个传送腔室。在一个实施方式中，制造系统500中可包括2至8个传送腔室。提供若干沉积设备(例如，图5中有9个沉积设备514)，这些沉积设备各自具有沉积腔室524并各自示例性地连接到传送腔室中的一者。根据一些实施方式，沉积设备的沉积腔室中的一者或多者经由闸阀526连接到传送腔室。
沉积腔室524的至少一部分包括本文所描述的精细金属掩模200(未示出)中的一者或多者。沉积腔室524中的每者还包括沉积源420(仅示出一个)以将膜层沉积在至少一个基板405上。在一些实施方式中，沉积源420包括蒸发模块和坩埚。在另外的实施方式中，沉积源420可在由箭头指示的方向上移动，以便将膜沉积在被支撑在相应载体(未示出)上的两个基板405上。在基板405在竖直取向上或基本上竖直的取向上并且在沉积源420与每个基板405之间存在相应图案化掩模时，在基板405上执行沉积。图案化掩模中的每者至少包括上文所描述的第一开口。第一开口可用于将膜层的一部分沉积在上文详细地描述的图案化掩模的图案区域外部。
可在沉积腔室524处提供对准单元528来使基板相对于相应图案化掩模对准。根据另外的实施方式，真空维持腔室530可例如经由闸阀532连接到沉积腔室524。真空维持腔室530允许将沉积源维持在制造系统500中。
如图5所示，沿着一条线提供一个或多个传送腔室512A至512F来提供直列运输系统。根据一些实施方式，提供双轨运输系统。双轨运输系统包括在传送腔室512A至512F中的每者中的第一轨道534和第二轨道536。双轨运输系统可用于沿着第一轨道534和第二轨道536中的至少一者传送支撑基板的载体415。
根据另外的实施方式，传送腔室512A至512F中的一者或多者被提供为真空旋转模块。第一轨道534和第二轨道536可旋转至少90度，例如90度、180度或360度。载体(诸如载体415)在轨道534和536上直线地移动。载体可在一位置旋转以被传送到沉积设备514的沉积腔室524中的一者中或下述其他真空腔室中的一者中。传送腔室512A至512F被配置为旋转竖直地取向的载体和/或基板，其中例如，传送腔室中的轨道围绕竖直旋转轴线旋转。这由图5的传送腔室512A至512F中的箭头指示。
根据一些实施方式，传送腔室是用于在低于10毫巴的压力下旋转基板的真空旋转模块。根据另外的实施方式，另一个轨道提供在两个或更多个传送腔室(512A至512F)内，其中提供载体返回轨道540。根据典型的实施方式，可在第一轨道534与第二轨道536之间提供载体返回轨道540。载体返回轨道540允许在真空条件下进一步将空的载体从出口真空摆动模块516返回到真空摆动模块508。在真空条件下并视情况在受控的惰性气氛(例如，Ar、N2或它们的组合)下返回载体减少载体被暴露于环境空气。因此，可减少或避免与水分接触。因此，可减少在制造系统500中制造器件期间的载体除气。这可提高所制造的器件的质量，且/或载体可在延长的时间段内进行操作而无需清洁。
图5还示出了第一预处理腔室542和第二预处理腔室544。可在基板搬运腔室504中提供机器人(未示出)或另一个合适的基板搬运系统。机器人或其他基板搬运系统可将基板405从装载锁定腔室502装载在基板搬运腔室504中并将基板405传送到预处理腔室(542、544)中的一者或多者中。例如，预处理腔室可包括选自由以下项组成的组中的预处理工具：基板的等离子体预处理、基板的清洁、基板的UV和/或臭氧处理、基板的离子源处理、基板的RF或微波等离子体处理和它们的组合。在基板的预处理之后，机器人或其他基板搬运系统经由基板搬运腔室504将基板传送出预处理腔室并传送到真空摆动模块508中。为了允许使装载锁定腔室502通气以装载基板和/或搬运在处于大气条件下的基板搬运腔室504中的基板，在基板搬运腔室504与真空摆动模块508之间提供闸阀526。因此，在闸阀526打开并且基板传送到真空摆动模块508中之前，可将基板搬运腔室504以及(如果需要的话)装载锁定腔室502、第一预处理腔室542和第二预处理腔室544中的一者或多者抽空。因此，基板的装载、处置和处理可在基板装载到真空摆动模块508中之前在大气条件下进行。
根据本文中描述的实施方式，可在基板装载到真空摆动模块508中之前进行的基板的装载、处置和处理在基板水平地取向或基本上水平地取向时进行。图5所示并根据本文中描述的另外实施方式的制造系统500组合以下各项：以水平取向进行基板搬运、将基板旋转为竖直取向、将材料沉积到在竖直取向上的基板、在材料沉积之后将基板旋转为水平取向以及卸载在水平取向上的基板。
图5中示出的制造系统500以及本文中描述的其他制造系统包括至少一个薄膜包封腔室。图5示出了第一薄膜包封腔室522A和第二薄膜包封腔室522B。一个或多个薄膜包封腔室包括包封设备，其中所沉积和/或处理的层、特别是OLED材料被包封在(即，夹在)所处理的基板与另一个基板之间，以便保护所沉积和/或处理的材料免于被暴露于环境空气和/或大气条件。典型地，可通过将材料夹在两个基板(例如，玻璃基板)之间来提供薄膜包封。然而，可替代地由在薄膜包封腔室中的一者中提供的包封设备运用其他包封方法(如层叠玻璃、聚合物或金属片或对覆盖玻璃进行激光熔融)。特别地，OLED材料层可能经受暴露于环境空气和/或氧和水分。因此，制造系统500(例如，如图5所示)可在经由出口装载锁定腔室520卸载所处理的基板之前包封薄膜。
根据另外的实施方式，制造系统可包括载体缓冲器548。例如，载体缓冲器548可连接到第一传送腔室512A和/或最后一个传送腔室，该第一传送腔室连接到真空摆动模块508，最后一个传送腔室即第六传送腔室512F。例如，载体缓冲器548可连接到与真空摆动模块中的一者连接的传送腔室中的一者。由于基板在真空摆动模块中装载和卸载，因此，如果载体缓冲器548被提供得靠近真空摆动模块，则是有益的。载体缓冲器548被配置为提供对一个或多个(例如，5个至30个)载体的存储。如果需要更换另一个载体来例如进行维护(诸如清洁)，则可在制造系统500的操作期间使用缓冲器中的载体。
根据另外的实施方式，制造系统还可包括掩模架550，即，掩模缓冲器。掩模架550被配置为提供对更换图案化掩模和/或需要被存储以用于特定沉积步骤的掩模的存储。根据操作制造系统500的方法，掩模可经由具有第一轨道534和第二轨道536的双轨传输布置从掩模架550传送到沉积设备514。因此，可在不使沉积腔室524通气、不使传送腔室512A至512F通气且/或不将掩模暴露于大气条件的情况下，更换沉积设备中的掩模以进行维护(诸如清洁)或改变沉积图案。
图5还示出了掩模清洁腔室552。掩模清洁腔室552经由闸阀526连接到掩模架550。因此，可在掩模架550与用于清洁掩模的掩模清洁腔室552之间提供真空紧密密封。根据不同的实施方式，本文所描述的精细金属掩模200可在制造系统500内通过清洁工具(诸如等离子体清洁工具)清洁。可在掩模清洁腔室552中提供等离子体清洁工具。附加地或替代地，可在掩模清洁腔室552处提供另一个闸阀554，如图5所示。因此，掩模可从制造系统500卸载，同时仅需要使掩模清洁腔室552通气。通过将掩模从制造系统卸载，可在制造系统继续完全地操作的同时提供外部掩模清洁。图5示出了与掩模架550相邻的掩模清洁腔室552。还可与载体缓冲器548相邻地提供对应或类似的清洁腔室(未示出)。通过提供与载体缓冲器548相邻的清洁腔室，载体可在制造系统500内清洁，或者可通过连接到清洁腔室的闸阀从制造系统卸载。
本文所描述的精细金属掩模200的实施方式可用于高分辨率显示器的制造。根据一个实施方式，本文所描述的精细金属掩模200可包括约750mm×650mm的尺寸。这种尺寸的精细金属掩模可为在二维上张紧的整个片(750mm×650mm)。或者，这种尺寸的精细金属掩模可为一系列条带，这一系列条带在一维上张紧以覆盖750mm×650mm的区域。更大的精细金属掩模尺寸包括约920mm×约730mm、第6代切半(约1500mm×约900mm)、第6代(约1500mm×约1800mm)、第8.5代(约2200mm×约2500mm)和第10代(约2800mm×约3200mm)。在至少较小尺寸中，本文所描述的精细金属掩模200或精细金属掩模片300的精细开口之间的间距公差可为每160mm长度约+/-3μm。
如本文所描述在精细金属掩模200或精细金属掩模片300的制造中利用电铸技术具有优于常规的形成工艺的实质优势。常规的掩模中的标准开口尺寸可具有约+/-2μm至5μm的变化，这是由于在掩模中形成精细开口时的化学蚀刻工艺变化而造成的。相比之下，本文所描述的掩模图案302通过光刻技术形成。因此，精细开口的尺寸的变化小于约0.2μm。随着分辨率提高，这提供了优点。因此，本文所描述的精细金属掩模200或精细金属掩模片300可具有更均匀的开口尺寸(由于通过光刻技术进行的更好控制)。本文所描述的精细金属掩模200还可具有非常一致的掩模间均匀性。不仅可在开口尺寸上改进均匀性，而且可在间距准确度以及其他特性方面改进均匀性。
本文所描述的精细金属掩模200或精细金属掩模片300可用于以高准确度形成图1中示出的OLED器件100的子像素有源区域135。例如，OLED器件100的有机材料层120的RGB层中的每者的均匀性是高的，诸如大于约95％，例如大于98％。本文所描述的精细金属掩模200或精细金属掩模片300满足这些准确度公差。
尽管前述内容针对的是本公开内容的实施方式，但在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想本公开内容的其他和进一步实施方式。因此，本公开内容的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种阴影掩模，包括：
框架，所述框架由金属材料制成；以及
一个或多个掩模图案，所述一个或多个掩模图案耦接到所述框架，所述一个或多个掩模图案包括具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数的金属并具有形成在其中的多个开口，所述金属具有约5微米至约50微米的厚度并具有形成在其中的边界，所述边界各自限定精细开口，所述边界具有形成在所述边界的基板接触表面上的凹陷表面，其中所述一个或多个掩模图案中的每者在约70,000平方毫米的表面积上具有小于约150微米的平坦度。
2.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述凹陷表面包括约0.1微米至约2微米的厚度。
3.如权利要求1所述的阴影掩模，其中每个精细开口包括约5微米至约20微米的主尺寸。
4.如权利要求1所述的阴影掩模，其中每个精细开口包括锥角侧壁。
5.如权利要求4所述的阴影掩模，其中每个精细开口包括比由相应开口形成的子像素有源区域大约4倍的敞开区域。
6.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述边界包括由第二金属结构包围的第一金属结构。
7.一种用于形成掩模片的方法，所述方法包括：
制备心轴，所述心轴包括具有小于或等于约7微米/米/摄氏度的热膨胀系数的材料，其中导电材料形成在所述材料上；
将光刻胶材料提供到所述心轴上，所述光刻胶具有形成在其中的多个开口，所述多个开口暴露所述导电材料的至少一部分，所述光刻胶材料包括容积的图案，所述容积中的每者具有约5微米至约20微米的主尺寸；
在电沉积工艺中将所述心轴暴露于电解质浴以在所述开口中形成包围第一金属结构的多个第二金属结构；
将所述掩模片图案与所述心轴分开；以及
在所述分开之后将所述掩模片图案退火。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述光刻胶材料是负性光刻胶或正性光刻胶。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述光刻胶材料包括负性光刻胶材料。
10.如权利要求7所述的方法，其中金属被提供在所述容积中的每者中。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述金属具有小于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数。
12.如权利要求7所述的方法，其中所述心轴包括玻璃材料，所述玻璃材料具有形成在其上的金属层。
13.如权利要求7所述的方法，其中所述容积用于在电铸工艺中形成边界。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述边界包括在其基板接触表面上的凹陷区域。
15.一种用于形成掩模片的方法，所述方法包括：
制备心轴，所述心轴包括金属层和具有形成在其中的开口的图案区域，所述开口暴露所述金属层的一部分，所述心轴具有小于或等于约7微米/米/摄氏度的热膨胀系数；
在第一电沉积工艺中将所述心轴暴露于电解质浴以在所述开口中形成多个第一金属结构；
在第二电沉积工艺中将所述心轴暴露于电解质浴以在所述开口中形成包围所述第一金属结构的多个第二金属结构；
将所述掩模片与所述心轴分开；以及
在所述分开之后将所述掩模片退火。
CN201880094860.2A 2018-06-26 2018-06-26 具有减小的内部应力的通过双电铸形成的具有锥角开口的阴影掩模 Pending CN112335069A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2018/092888 WO2020000185A1 (en) 2018-06-26 2018-06-26 Shadow mask with tapered openings formed by double electroforming with reduced internal stresses

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112335069A true CN112335069A (zh) 2021-02-05

Family

ID=68985433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880094860.2A Pending CN112335069A (zh) 2018-06-26 2018-06-26 具有减小的内部应力的通过双电铸形成的具有锥角开口的阴影掩模

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210214834A1 (zh)
EP (1) EP3815160A4 (zh)
JP (1) JP2021529257A (zh)
KR (1) KR20210021575A (zh)
CN (1) CN112335069A (zh)
WO (1) WO2020000185A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111172495A (zh) * 2020-01-22 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制备方法、掩模板组件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302457A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP2005310635A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 蒸着マスク、蒸着マスク製造方法、有機薄膜成膜方法
KR20060067284A (ko) * 2004-12-14 2006-06-20 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 음극선관용 섀도우마스크 및 그 제조방법
WO2017132907A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-10 Applied Materials, Inc. A shadow mask with tapered openings formed by double electroforming
WO2017132908A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-10 Applied Materials, Inc. A shadow mask with tapered openings formed by double electroforming using positive/negative photoresists
CN108026627A (zh) * 2015-08-05 2018-05-11 应用材料公司 用于有机发光二极管制造的阴影掩模
CN108070823A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6036832A (en) * 1996-04-19 2000-03-14 Stork Veco B.V. Electroforming method, electroforming mandrel and electroformed product
US7253533B2 (en) * 2004-05-06 2007-08-07 Au Optronics Corporation Divided shadow mask for fabricating organic light emitting diode displays
KR101222971B1 (ko) * 2006-05-12 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 섀도우 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
TWI342721B (en) * 2006-05-18 2011-05-21 Au Optronics Corp Shadow mask and evaporation device incorporating the same and method for manufacturing organic light emitting diode panel incoporating the same
TWI398533B (zh) * 2009-12-29 2013-06-11 Au Optronics Corp 蔭罩及其製作方法
US9142779B2 (en) * 2013-08-06 2015-09-22 University Of Rochester Patterning of OLED materials
CN108026628B (zh) * 2015-09-15 2020-09-25 应用材料公司 用于有机发光二极管制造的阴影掩模

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302457A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置の製造方法
JP2005310635A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 蒸着マスク、蒸着マスク製造方法、有機薄膜成膜方法
KR20060067284A (ko) * 2004-12-14 2006-06-20 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 음극선관용 섀도우마스크 및 그 제조방법
CN108026627A (zh) * 2015-08-05 2018-05-11 应用材料公司 用于有机发光二极管制造的阴影掩模
WO2017132907A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-10 Applied Materials, Inc. A shadow mask with tapered openings formed by double electroforming
WO2017132908A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-10 Applied Materials, Inc. A shadow mask with tapered openings formed by double electroforming using positive/negative photoresists
CN108070823A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模

Also Published As

Publication number Publication date
US20210214834A1 (en) 2021-07-15
JP2021529257A (ja) 2021-10-28
WO2020000185A1 (en) 2020-01-02
KR20210021575A (ko) 2021-02-26
EP3815160A1 (en) 2021-05-05
EP3815160A4 (en) 2022-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102050860B1 (ko) 유기 발광 다이오드 제조용 섀도 마스크
EP1113087B1 (en) Film formation apparatus and method for forming a film
US9450140B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9249493B2 (en) Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
JP5003826B2 (ja) ドナー基板、パターニング方法およびデバイスの製造方法
US20120028390A1 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device with the same
JP6869253B2 (ja) マスクパターン、マスク、およびマスクの製造方法
WO2017132908A1 (en) A shadow mask with tapered openings formed by double electroforming using positive/negative photoresists
CN112335069A (zh) 具有减小的内部应力的通过双电铸形成的具有锥角开口的阴影掩模
US20210074919A1 (en) Vapor deposition mask and method for manufacturing vapor deposition mask
CN114381686A (zh) 蒸镀掩模单元及其制造方法
WO2020158082A1 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
US20230154941A1 (en) Mask assembly and method for manufacturing the same
KR20130138174A (ko) 전사용 도너 기판과 이것을 사용한 디바이스의 제조 방법, 및 유기 ｅｌ 소자
KR20210033529A (ko) 재료 증착 장치, 진공 증착 시스템, 및 대면적 기판을 프로세싱하는 방법
KR20230079696A (ko) 미세 금속 마스크
JP5861203B2 (ja) 金属化合物層の製造方法とその製造装置
KR20240070405A (ko) Oled 메탈 마스크 및 이의 제조 방법
KR20020030135A (ko) 유기 ｅｌ 소자의 증착마스크와 이를 이용한 증착방법 및그 장치
CN115948710A (zh) 一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备
US20100055816A1 (en) Light Emitting Device Manufacturing Apparatus and Method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination