KR102050860B1 - 유기 발광 다이오드 제조용 섀도 마스크 - Google Patents

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Abstract

섀도 마스크(200)는 금속성 재료로 만든 프레임(210), 및 프레임(210)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 마스크 패턴들(205)을 포함하며, 하나 또는 그 초과의 마스크 패턴들(205)은, 약 14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 가지며 내부에 형성된 복수의 개구들(215)을 갖는 금속성 재료를 포함하며, 이 금속성 재료는, 약 5 미크론 내지 약 50 미크론의 두께를 가지며 약 160 밀리미터의 길이에 걸쳐 약 +/- 3 미크론의, 개구들(215) 사이의 피치 공차를 갖는다.

Description

유기 발광 다이오드 제조용 섀도 마스크
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 미세 패터닝된 섀도 마스크(fine patterned shadow mask)들을 활용하는, 기판들 상에서의 전자 디바이스들의 형성에 관한 것이다. 특히, 본원에서 개시된 실시예들은, 유기 발광 다이오드(OLED; organic light emitting diode)들의 제조에서 활용되는 미세 패터닝된 금속 마스크에 대한 방법 및 장치에 관한 것이다.
[0002] 텔레비전 스크린들, 셀 폰 디스플레이들, 컴퓨터 모니터들 등을 위한 평면 패널 디스플레이들의 제조에서, OLED들은 이목을 끌어왔다. OLED들은, 발광 층이 소정의 유기 화합물들의 복수의 박막들을 포함하는 특별한 타입의 발광 다이오드들이다. OLED들은 또한, 일반적인 공간 조명에 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들로 가능한 색들의 범위, 밝기, 및 시야각은 통상적인 디스플레이들의 것들을 초과하는데, 그 이유는 OLED 픽셀들이 광을 직접적으로 방출하며, 역광을 요구하지 않기 때문이다. 그러므로, OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 통상적인 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 적다. 추가로, OLED들이 가요성 기판들 상에 제조될 수 있다는 사실은 롤-업 디스플레이들 또는 심지어 가요성 미디어에 임베딩된 디스플레이들과 같은 새로운 애플리케이션들에 대한 가능성을 연다.
[0003] 현재 OLED 제조는 복수의 패터닝된 섀도 마스크들을 활용하는, 기판 상에서의 유기 재료들의 증발 및 금속들의 증착을 요구한다. 증발 및/또는 증착 동안의 온도들은 마스크들의 재료가 낮은(low) 열 팽창 계수(CTE; coefficient of thermal expansion)를 갖는 재료로 만들어질 것을 요구한다. 저 CTE는 기판에 대한 마스크의 이동을 방지하거나 또는 최소화한다. 따라서, 마스크들은 저 CTE를 갖는 금속성 재료들로 만들어질 수 있다. 통상적으로, 마스크들은, 약 200 미크론(㎛) 내지 약 1 밀리미터의 두께를 갖는 금속성 시트를 원하는 두께(예컨대, 약 20 ㎛ 내지 약 50 ㎛)로 롤링함으로써 만들어진다. 포토레지스트가, 롤링된 금속 시트 상에 원하는 패턴으로 형성되며, 포토리소그래피 프로세스에서 광에 노출된다. 이후, 포토리소그래피에 의해 형성된 패턴을 갖는 롤링된 금속 시트는 이후 화학 에칭되어, 내부에 미세 개구들이 생성된다.
[0004] 그러나, 종래의 마스크 형성 프로세스들은 제한들을 갖는다. 예컨대, 해상도 요건들이 증가함에 따라, 에칭 정확성이 더 어려워진다. 부가적으로, 수율을 증가시키고 그리고/또는 더 큰 디스플레이들을 만들기 위하여 기판 표면적이 끊임없이 증가하고 있으며, 기판을 커버하기에는 마스크들이 충분히 크지 않을 수 있다. 이는 저 CTE 재료의 경우 시트 사이즈들의 제한된 가용성에 기인하며, 심지어 롤링 후에도, 충분한 표면적을 갖는 데 실패한다. 추가로, 미세 패턴들의 증가된 해상도는 더 얇은 시트들을 요구한다. 그러나, 30 ㎛ 미만의 두께를 갖는 시트들의 롤링 및 핸들링은 어렵다.
[0005] 그러므로, 개선된 미세 금속 섀도 마스크 및 이 미세 금속 섀도 마스크를 만들기 위한 방법이 필요하다.
[0006] 본 개시내용의 실시예들은 유기 발광 다이오드 제조용 미세 패터닝된 섀도 마스크에 대한 방법들 및 장치를 제공한다.
[0007] 일 실시예에서, 섀도 마스크가 제공되며, 이 섀도 마스크는 금속성 재료로 만든 프레임, 및 프레임에 커플링된 하나 또는 그 초과의 마스크 패턴들을 포함하며, 하나 또는 그 초과의 마스크 패턴들은, 약 14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 가지며 내부에 형성된 복수의 개구들을 갖는 금속성 재료를 포함하며, 금속성 재료는, 약 5 미크론 내지 약 50 미크론의 두께를 가지며 약 160 밀리미터의 길이에 걸쳐 약 +/- 3 미크론의, 개구들 사이의 피치 공차(pitch tolerance)를 갖는다.
[0008] 다른 실시예에서, 마스크 패턴이 제공되며, 이 마스크 패턴은, 전도성 재료를 포함하며 약 14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 갖는 맨드릴, 및 전도성 재료의 적어도 일부를 노출시키는, 내부에 형성된 복수의 개구들을 갖는 유전체 재료를 포함하며, 유전체 재료는 체적들의 패턴을 포함하며, 체적들 각각은 약 5 미크론 내지 약 20 미크론의 주요 치수(major dimension)를 갖는다.
[0009] 다른 실시예에서, 섀도 마스크를 형성하기 위한 방법이 제공되며, 이 방법은, 전도성 재료를 포함하며 약 7 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 갖는 맨드릴을 준비하는 단계, 전도성 재료의 적어도 일부를 노출시키는, 내부에 형성된 복수의 개구들을 갖는 패턴으로, 유전체 재료를 맨드릴 상에 증착하는 단계 ―패턴은 복수의 체적들을 포함하며, 체적들 각각은 약 5 미크론 내지 약 20 미크론의 주요 치수를 가짐―, 약 14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 갖는 재료를 포함하는 전해 욕에 맨드릴을 배치하는 단계, 및 맨드릴의 개구들에 복수의 경계들을 전기주조(electroforming)하는 단계를 포함한다.
[0010] 다른 실시예에서, 전기주조된 마스크가 제공된다. 금속 층, 및 금속 층의 일부를 노출시키는, 내부에 형성된 개구들을 갖는 패턴 영역을 포함하는 맨드릴을 준비하고 ―맨드릴은, 약 7 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 가짐―, 맨드릴을 전해 욕에 노출시키고, 약 14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 갖는 금속성 재료를 개구들에 전착(electrodepositing)하고, 욕으로부터 맨드릴을 제거하며, 그리고 맨드릴로부터 마스크를 분리함으로써, 전기주조된 마스크가 형성된다.
[0011] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0012] 도 1은 본원에서 설명된 실시예들을 활용하여 제조될 수 있는 OLED 디바이스의 등각 분해도이다.
[0013] 도 2는 미세 금속 마스크의 일 실시예의 개략적인 평면도이다.
[0014] 도 3a-도 3c는 미세 금속 마스크의 일 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다.
[0015] 도 4a-도 4b는 미세 금속 마스크에 대한 형성 방법의 다른 실시예를 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다.
[0016] 도 5a 및 도 5b는 미세 금속 마스크에 대한 형성 방법의 다른 실시예를 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다.
[0017] 도 6a-도 6b는 미세 금속 마스크의 다른 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다.
[0018] 도 7a-도 7b는 미세 금속 마스크의 다른 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다.
[0019] 도 8은 미세 금속 마스크의 다른 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도이다.
[0020] 도 9는 기판 상에 OLED 디바이스를 형성하기 위한 장치의 일 실시예를 개략적으로 예시한다.
[0021] 도 10은 일 실시예에 따른 제조 시스템의 개략적인 평면도이다.
[0022] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및/또는 프로세스 단계들은 부가적인 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 예상된다.
[0023] 본 개시내용의 실시예들은 유기 발광 다이오드(OLED)들의 제조에서 섀도 마스크로서 사용될 수 있는 미세 금속 마스크에 대한 방법들 및 장치를 제공한다. 예컨대, 박막들의 다수의 층들이 기판 상에 증착되는, 진공 증발 또는 증착 프로세스에서 활용되는 미세 금속 마스크. 예로서, 박막들은 OLED들을 포함하는, 기판 상의 디스플레이들 또는 디스플레이의 일부를 형성할 수 있다. 박막들은 OLED 디스플레이들의 제작에서 활용되는 유기 재료들로부터 도출될 수 있다. 기판은 유리, 플라스틱, 금속 포일, 또는 전자 디바이스 형성에 적절한 다른 재료로 만들어질 수 있다. 본원에서 개시된 실시예들은 캘리포니아 산타 클라라의, Applied Materials, Inc.의 사업부인 AKT, Inc.로부터 가용한 챔버들 및/또는 시스템들에서 실시될 수 있다. 본원에서 개시된 실시예들은 또한, 다른 제조자들로부터의 챔버들 및/또는 시스템들에서 실시될 수 있다.
[0024] 도 1은 OLED 디바이스(100)의 등각 분해도이다. OLED 디바이스(100)는 기판(115) 상에 형성될 수 있다. 기판(115)은 유리, 투명 플라스틱, 또는 전자 디바이스 형성에 적절한 다른 투명 재료로 만들어질 수 있다. 일부 OLED 디바이스들에서, 기판(115)은 금속 포일일 수 있다. OLED 디바이스(100)는 2 개의 전극들(125 및 130) 사이에 끼워진 하나 또는 그 초과의 유기 재료 층들(120)을 포함한다. 전극(125)은 투명 재료, 이를테면 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 은(Ag)일 수 있으며, 애노드 또는 캐소드로서 기능할 수 있다. 일부 OLED 디바이스들에서, 트랜지스터들(미도시)이 또한, 전극(125)과 기판(115) 사이에 배치될 수 있다. 전극(130)은 금속성 재료이며, 캐소드 또는 애노드로서 기능할 수 있다. 전극들(125 및 130)에 전력 인가 시, 유기 재료 층들(120)에서 광이 생성된다. 광은 유기 재료 층들(120)의 대응하는 RGB 막들로부터 생성되는, 적색 R, 녹색 G 및 청색 B 중 하나 또는 이들의 결합일 수 있다. 적색 R, 녹색 G 및 청색 B 유기 막들 각각은 OLED 디바이스(100)의 부분-픽셀(sub-pixel) 활성 영역(135)을 포함할 수 있다. 캐소드 및 애노드의 포지션과 재료들의 변형들은 OLED 디바이스가 활용되는 디스플레이의 타입에 따라 좌우된다. 예컨대, "상단(top) 조명" 디스플레이들에서는, 광이 디바이스의 캐소드 측을 통해 방출되며, "하단(bottom) 조명" 디바이스들에서는, 광이 애노드 측을 통해 방출될 수 있다.
[0025] 도시되지 않지만, OLED 디바이스(100)는 또한, 전극들(125 및 130)과 유기 재료 층들(120) 사이에 배치되는 하나 또는 그 초과의 전자 수송 층들 뿐만 아니라 하나 또는 그 초과의 홀 주입 층들을 포함할 수 있다. 부가적으로, 도시되지 않지만, OLED 디바이스(100)는 백색광 생성을 위한 막 층을 포함할 수 있다. 백색광 생성을 위한 막 층은 유기 재료 층들(120) 내의 막 및/또는 OLED 디바이스(100) 내에 끼워진 필터일 수 있다. 기술분야에서 알려진 바와 같이, OLED 디바이스(100)는 단일 픽셀을 형성할 수 있다. 유기 재료 층들(120), 및 백색광 생성을 위한 막 층(사용되는 경우), 뿐만 아니라 전극들(125 및 130)은, 본원에서 설명된 미세 금속 마스크를 사용하여 형성될 수 있다.
[0026] 도 2는 미세 금속 마스크(200)의 일 실시예의 개략적인 평면도이다. 미세 금속 마스크(200)는 프레임(210)에 커플링되는 복수의 패턴 영역들(205)을 포함한다. 패턴 영역들(205)은, 기판 상에서의 재료들의 증착을 제어하기 위해 활용된다. 예컨대, 패턴 영역들(205)은, 도 1에서 도시 및 설명된 바와 같은 OLED 디바이스(100)의 형성에서 유기 재료들 및/또는 금속성 재료들의 증발을 제어하기 위해 활용될 수 있다. 패턴 영역들(205)은 일련의 미세 개구들(215)을 가지며, 이는 증착된 재료들이 기판의 원치 않는 영역들에 또는 앞서 증착된 층들 상에 부착되는 것을 방지한다. 따라서, 미세 개구들(215)은 기판의 특정된 영역들 상에서의 또는 앞서 증착된 층들 상에서의 증착을 제공한다. 미세 개구들(215)은 원형, 타원형 또는 직사각형일 수 있다. 미세 개구들(215)은 약 5 미크론(㎛) 내지 약 20 ㎛ 또는 그 초과의 주요 치수(예컨대, 직경 또는 다른 내부 치수)를 포함할 수 있다. 패턴 영역들(205)은 통상적으로, 약 5 ㎛ 내지 약 100 ㎛, 이를테면 약 10 ㎛ 내지 약 50 ㎛ 정도의 단면 두께를 포함한다. 패턴 영역들(205)은 용접 또는 패스너들(미도시)에 의해 프레임(210)에 커플링될 수 있다. 일 예에서, 그 상에 배치된 다수의 패턴 영역들(205)을 갖는 단일 마스크 시트가 신장되어(tensioned) 프레임(210)에 용접될 수 있다. 다른 예에서, 곧 제조될 디스플레이(to-be-manufactured display)와 유사한 폭들을 갖는 다수의 패턴 영역들(205)을 각각 갖는 복수의 스트립들이 신장되어 프레임(210)에 용접될 수 있다. 프레임(210)은, 미세 금속 마스크(200)에 대한 안정성을 제공하기 위하여, 약 10 밀리미터(㎜) 또는 그 미만의 단면 두께를 가질 수 있다.
[0027] 패턴 영역들(205) 뿐만 아니라 프레임(210)은, 온도 변화들 동안 미세 개구들(215)의 이동에 저항하는 저 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 재료로 만들어질 수 있다. 저 CTE를 갖는 재료들의 예들은, 다른 저 CTE 재료들 중에서, 몰리브데넘(Mo), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 텅스텐(W), 탄탈럼(Ta), 바나듐(V), 이들의 합금들 및 이들의 결합들, 뿐만 아니라 철(Fe) 및 니켈(Ni)의 합금들을 포함한다. 저 CTE 재료는 미세 금속 마스크(200)에서의 치수적인 안정성을 유지시키며, 이는 증착된 재료들의 정확성을 제공한다. 본원에서 설명된 저 CTE 재료들 또는 금속들은 약 15 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만, 이를테면 약 14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만, 예컨대 약 13 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 CTE일 수 있다.
[0028] 도 3a-도 3c는 미세 금속 마스크(300)의 일 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다. 미세 금속 마스크(300)의 일부가 도 3c에서 도시된다. 방법은, 미세 금속 마스크(300)를 형성하기 위해 사용되는 마스크 패턴(302)을 포함한다. 마스크 패턴(302)은 유기 포토레지스트(310)로 코팅된 맨드릴(305)을 포함한다. 맨드릴(305)의 두께(312)는 약 0.1 밀리미터(㎜) 내지 약 10 ㎜일 수 있다. 포토레지스트(310)의 두께는 미세 금속 마스크(300)의 원하는 두께를 초과할 수 있다. 이후, 포토레지스트(310)는, 알려진 포토리소그래피 기법들을 활용하여 패터닝될 수 있다. 도 3b에서, 포토레지스트(310)가 광(320)에 노출되어, 패터닝된 포토레지스트(325)가 제공된다. 마스크(미도시)가 포토레지스트(310) 위에 배치되어, 미세 금속 마스크(300) 내의 개구들에 대한 원하는 패턴이 제공될 수 있다. 포토리소그래피 기법들에 따른 노출 및 현상 후에, 패터닝된 포토레지스트(325)는 내부에 형성된 복수의 개구들(330)을 가지며, 이 개구들(330)에서, 맨드릴(305)의 일부분들이 노출된다.
[0029] 도 3c에서, 그 상에 형성된 패터닝된 포토레지스트(325)를 갖는 마스크 패턴(302)이 전해 욕(미도시)에 배치된다. 욕은, 내부에서 용해되는 저 CTE 금속을 갖는 재료를 포함한다. 저 CTE를 갖는 재료들의 예들은, 다른 저 CTE 재료들 중에서, 몰리브데넘(Mo), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 텅스텐(W), 탄탈럼(Ta), 바나듐(V), 이들의 합금들 및 이들의 결합들, 뿐만 아니라 철(Fe) 및 니켈(Ni)의 합금들, 철(Fe), 니켈(Ni) 및 코발트(Co)의 합금들을 포함한다. Fe:Ni 합금들 및 Fe:Ni:Co 합금들의 예들은, 다른 것들 중에서, INVAR®(Fe:Ni 36), SUPER INVAR 32-5®이란 상표명들로 판매되는 금속들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명된 일부 실시예들에 따라, 하나 또는 그 초과의 마스크 패턴들의 금속은 철(Fe), 니켈(Ni) 및 코발트(Co)의 합금을 포함할 수 있다. 전기주조 기법들에 따라, 욕에서 맨드릴(305)과 저 CTE 금속 사이에 전기 바이어스가 제공된다. 이후, 개구들(330)이 저 CTE 금속으로 채워져, 미세 금속 마스크(300)의 경계들(335)이 형성된다. 경계들(335)은 맨드릴(305) 상에 남아 있는 포토레지스트(310)를 둘러싸며 격리한다. 경계들(335)의 적어도 일부는 도 2의 미세 금속 마스크(200)의 패턴 영역들(205)의 일부와 유사한 패턴 영역(318)을 포함한다. 경계들(335)은 미세 금속 마스크(300)에 일체형(integral)이며, 미세 금속 마스크(300)는 맨드릴(305) 및 남아 있는 포토레지스트(310)로부터 벗겨지거나 또는 다른 방식으로 분리될 수 있다. 다른 방법은, 남아 있는 포토레지스트(310)를 화학적으로 그리고/또는 물리적으로 제거하는 것을 포함할 수 있다. 맨드릴(305)로부터 미세 금속 마스크(300)가 제거될 때, 경계들(335) 사이의 체적들(345)이 도 2에서 설명된 미세 개구들(215)을 제공할 것이다. 경계들(335)은 원하는 높이(340)로 형성될 수 있으며, 원하는 높이(340)는 도 2의 미세 금속 마스크(200)의 패턴 영역(205)의 두께이다. 일부 실시예들에서, 높이(340)는 약 5 ㎛ 내지 약 100 ㎛이다.
[0030] 맨드릴(305)은 미세 금속 마스크(300)의 CTE보다 더 저 CTE를 갖는 금속성 재료, 이를테면 초저(ultra-low) CTE 재료들일 수 있다. 초저 CTE는 약 7 미크론/미터/섭씨 온도(㎛/m/℃)와 동일하거나 또는 그 미만의 팽창 계수를 갖는 재료로서 정의될 수 있다. 맨드릴(305)에 대한 부가적인 재료는 유리, 석영 및 용융 실리카일 수 있다. 초저 CTE 재료들을 활용하는 것은, 미세 개구들(215)의 포지셔닝(예컨대, 미세 금속 마스크(300)의 경계들(335)의 포지셔닝)의 정확성을 개선시킬 수 있다. 예컨대, 전해 욕에서의 사소한 온도 변동들이, 맨드릴(305)이 팽창하거나 또는 수축하게 할 수 있다. 일 예에서, 약 1 평방 미터의 표면적을 갖는 맨드릴(305)에 스테인리스 강이 사용되면, 섭씨 1.0 도의 온도 변화는 14 ㎛ 포지션 변화를 야기할 것이다. 스테인리스 강 맨드릴을 사용하는 결과적 마스크는 패턴 부정확성들을 야기할 것이다.
[0031] 고 해상도 디스플레이들의 경우, 패턴 정확성은 약 7 ㎛ 미만, 그리고 더욱 구체적으로는 약 5 ㎛ 미만이어야 한다. 고 해상도는 약 400 인치당 픽셀(ppi) 초과, 이를테면 500 ppi 내지 약 800 ppi, 그리고 최대 약 1,000 ppi의 픽셀 밀도를 갖는 디스플레이로서 정의될 수 있다.
[0032] 맨드릴(305)의 다른 특성들은 두께, 전도율, 표면 마감, 및 편평도를 포함할 수 있다. 맨드릴(305)의 단면 두께는 약 0.1 ㎜ 내지 약 10 ㎜일 수 있다. 맨드릴(305)은 약 100 마이크로 오옴 · 미터(
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)와 동일하거나 또는 그 미만의 저항률을 가질 수 있다. 맨드릴(305)은 약 100 나노미터(㎚) 미만인 평균 표면 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 맨드릴(305)은 약 50 ㎛ 미만의 편평도 공차를 가질 수 있다.
[0033] 도 4a-도 4b는 미세 금속 마스크(400)에 대한 형성 방법의 다른 실시예를 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다. 방법은, 미세 금속 마스크(400)를 형성하기 위해 사용되는 마스크 패턴(402)을 포함한다. 방법은, 다음의 예외들이 있으면서, 도 3a-도 3c에서 설명된 형성 방법과 실질적으로 동일하다. 이 실시예에 따라, 맨드릴(305)은 코발트(Co)를 포함할 수 있다. 맨드릴(305)에 대한 규격들은 도 3a-도 3c에서 설명된 실시예와 유사할 수 있지만, 도 3a-도 3c에서 설명된 바와 같이 포토레지스트로 맨드릴(305)을 코팅하는 대신에, 증착되는 유전체 재료(405)로 맨드릴(305)이 코팅되어, 마스크 패턴(402)이 형성된다.
[0034] 유전체 재료(405)는 무기 재료, 이를테면 다른 적절한 무기 산화물들 및/또는 질화물들 중에서 규소 질화물(예컨대, SiN, Si3N4), 규소 산화물(예컨대, SiO2), 티타늄 이산화물(예컨대, TiO2), 알루미늄 산화물(예컨대, Al2O3), 또는 이들의 혼합물들일 수 있다. 유전체 재료(405)는 진공 프로세스, 이를테면 화학 기상 증착(CVD; chemical vapor deposition), 스퍼터링, 증발, 또는 다른 적절한 진공 증착 프로세스에 의해 증착될 수 있다. 유전체 재료(405)는, 미세 금속 마스크(400)의 원하는 두께를 초과하는 두께로 증착될 수 있다. 유전체 재료(405)에 대한 예시적인 두께는 약 100 ㎚를 초과할 수 있다. 유전체 재료(405)의 적어도 일부는 도 2의 미세 금속 마스크(200)의 패턴 영역들(205)의 일부와 유사한 패턴 영역(318)을 포함한다. 이후, 유전체 재료(405)는 포토레지스트(미도시)로 코팅되며, 포토리소그래피 기법들에 따라 광에 노출될 수 있다. 포토레지스트는, 포토리소그래피 프로세스에 의해, 미세 금속 마스크(400) 내의 개구들에 대한 원하는 패턴에 따른 마스크(미도시)를 사용하여 패터닝될 수 있다.
[0035] 도 4a에서 도시된 바와 같이, 유전체 재료(405)에 복수의 개구들(410)이 형성된다. 그후에, 그 상에 배치된 패터닝된 유전체 재료(405)를 갖는 맨드릴(305)이 전해 욕(미도시)에 배치된다. 욕은, 도 3c에서 설명된 실시예에서 활용되는 재료들과 유사한, 내부에서 용해되는 저 CTE 금속을 갖는 재료를 포함한다. 욕에서 맨드릴(305)과 저 CTE 금속 사이에 전기 바이어스가 제공된다. 이후, 개구들(410)이 저 CTE 금속으로 채워져, 미세 금속 마스크(400)의 경계들(335)이 형성된다. 경계들(335)은 맨드릴(305) 상에 남아 있는 유전체 재료(405)를 둘러싸며 격리한다. 맨드릴(305)로부터 미세 금속 마스크(400)가 제거될 때, 경계들(335) 사이의 체적들(345)이 도 2에서 설명된 미세 개구들(215)을 제공할 것이다. 다른 방법은, 남아 있는 유전체 재료(405)를 화학적으로 그리고/또는 물리적으로 제거하는 것을 포함할 수 있다. 경계들(335)은 도 3c에서 설명된 실시예와 유사한 높이로 형성될 수 있다.
[0036] 도 5a 및 도 5b는 미세 금속 마스크(500)에 대한 형성 방법의 다른 실시예를 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다. 방법은, 미세 금속 마스크(500)를 형성하기 위해 사용되는 마스크 패턴(502)을 포함한다. 방법은, 다음의 예외들이 있으면서, 도 3a-도 3c에서 설명된 형성 방법과 실질적으로 동일하다. 형성 방법은 다층 맨드릴(505)을 활용한다. 다층 맨드릴(505)은 제1 기판(510)을 포함할 수 있으며, 이러한 제1 기판(510)은 제2 기판(515)에 접착되거나 또는 부착된다. 제2 기판(515)은, 제1 기판(510) 상에 증착되거나 또는 제1 기판(510)에 다른 방식으로 부착되는 금속 층(520)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 기판(510)이 예컨대 저 CTE를 갖는 유리 재료 또는 유리 세라믹 재료일 수 있는 반면에, 금속 층(520)은 제1 기판(510)의 CTE를 초과하는 CTE를 가질 수 있다.
[0037] 금속 층(520)은 위에서 설명된 맨드릴(305)로서 사용되는 금속들을 포함할 수 있으며, 부가적으로, 다른 금속들 중에서, 크로뮴(Cr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 뿐만 아니라 Ni, Al을 포함할 수 있다. 금속 층(520)은 제1 기판(510) 상에 막으로서 증착될 수 있다. 금속 층(520)은 약 10 ㎚ 내지 약 700 ㎚ 또는 그 미만의 두께(522)를 가질 수 있다. 금속 층(520)은 약 100 평방당 오옴(Ω/sq.)과 동일하거나 또는 그 미만의 시트 저항을 가질 수 있다. 금속 층(520)은 약 100 ㎚ 미만인 평균 표면 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 금속 층(520)은 약 50 ㎛ 미만의 워핑(warping)을 야기하는 막 응력을 가질 수 있다. 금속 층(520)은 진공 프로세스, 이를테면 CVD, 스퍼터링, 증발, 또는 다른 적절한 진공 증착 프로세스에 의해 증착될 수 있다.
[0038] 제1 기판(510)은 초저 CTE를 갖는 유리 재료를 포함할 수 있다. 예들은, 다른 유리들 중에서, 붕규산 유리(borosilicate glass), 규산 알루미늄 유리(aluminosilicate glass), 석영, 용융 석영을 포함한다. 다른 예들은 티타늄 규산염 유리(titanium silicate glass) 재료 또는 유리 세라믹 재료를 포함한다. 예들은 Corning Advanced Optics에 의해 ULE®이란 상표명으로 판매되는 리튬 알루미늄 규소 산화물 유리 세라믹 재료 또는 초저 팽창 유리를 포함한다. 유리 세라믹 재료는 섭씨 0 도 내지 약 섭씨 50 도의 온도 범위에서 약
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와 동일하거나 또는 그 미만의 CTE를 가질 수 있다. 다른 예들은 ZERODUR®이란 상표명으로 판매되는 무기 비-다공성 리튬 알루미늄 규소 산화물 유리 세라믹 재료를 포함한다. 초저 팽창 유리는 섭씨 5 도 내지 약 섭씨 35 도의 온도 범위에서 약
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미만의 CTE를 포함할 수 있다. 초저 팽창 유리의 예는 ULE®, Corning Code 7972를 포함할 수 있다. 제1 기판(510)의 두께(524)는 약 0.1 ㎜ 내지 약 10 ㎜일 수 있다. 제1 기판(510)은 약 100 ㎚ 미만인 평균 표면 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 제1 기판(510)은 약 50 ㎛ 미만의 편평도 공차를 가질 수 있다.
[0039] 제2 기판(515)은 복수의 금속 층들을 포함할 수 있다. 일 예는 제1 기판(510)과 접착되는 Ti 층 및 이러한 Ti 층 상에 배치되는 Cu 층을 포함할 수 있다. 이 예에 따라, 미세 금속 마스크(500)는 Cu 층 상에 바로 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제1 Ti 층은, Cu 층이 이러한 제1 Ti 층 상에 증착된 상태로, 제1 기판(510) 상에 형성될 수 있다. 부가적으로, 제2 Ti 층이 Cu 층 상에 형성될 수 있다. 이 예에 따라, 미세 금속 마스크(500)는 제2 Ti 층 상에 바로 형성될 수 있다. Cu 층은 다층 맨드릴(505)의 전도성 특성들을 만족시키기 위해 활용될 수 있다. 일반적으로, 약 200 ㎚ 내지 약 1 ㎛의 두께를 갖는 Cu 층이 적절한 전기 저항을 제공할 것이다. 그러나, 적절한 전도성 특성들을 제공하기 위해, Cu 층의 두께는 제1 기판(510)의 표면적에 따라 좌우될 수 있다. 제2 Ti 층은, 미세 금속 마스크(500)와의 부착 특성들을 최적화하기 위해 활용될 수 있다. 부가적으로, Cu 층 대신에 더 높은 저항률을 갖는 금속들을 사용하는 것은 더 두꺼운 금속 층을 요구할 것이다.
[0040] 일 실시예에서, 제1 Ti 층의 두께는 약 5 ㎚ 내지 약 50 ㎚일 수 있다. Cu 층은 약 300 ㎚ 내지 약 900 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 제2 Ti 층은 약 10 ㎚ 내지 약 50 ㎚의 두께를 가질 수 있다.
[0041] 유전체 재료(405)가 제2 기판(515) 상에 코팅되어, 마스크 패턴(502)이 형성될 수 있다. 유전체 재료(405)는 도 4a 및 도 4b에서 설명 및 도시된 유전체 재료(405) 또는 도 3a-도 3c에서 설명된 포토레지스트(310)와 동일할 수 있다. 유전체 재료(405)는 도 4a 및 도 4b에서 설명된 것 또는 도 3a-도 3c에서 설명된 포토레지스트(310)와 동일한 두께일 수 있다. 유전체 재료(405)는 도 4a 및 도 4b에서 설명된 것과 동일한 방법들에 의해 형성될 수 있다. 유전체 재료(405)는, 다음의 예외가 있으면서, 도 4a 및 도 4b에서 설명된 것과 동일한 특성들을 포함할 수 있다. 유전체 재료(405)는 약 1010 오옴 · 센티미터(Ω·㎝)와 동일하거나 또는 그 초과의 직류(DC; direct current) 저항률을 가질 수 있다. 유전체 재료(405)에 대한 재료들의 예들은, 원하는 저항률을 갖는 다른 유전체 재료들 중에서, Si3N4, SiO2, TiO2, Al2O3를 포함한다.
[0042] 도 4a 및 도 4b에서 설명된 포토리소그래피 프로세스 후에, 도 5a에서 도시된 바와 같이, 유전체 재료(405)에 복수의 개구들(410)이 형성된다. 그후에, 그 상에 배치된 패터닝된 유전체 재료(405)를 갖는 다층 맨드릴(505)이 전해 욕(미도시)에 배치된다. 욕은, 도 3c에서 설명된 실시예에서 활용되는 재료들과 유사한, 내부에서 용해되는 저 CTE 금속을 갖는 재료를 포함한다. 욕에서 다층 맨드릴(505)과 저 CTE 금속 사이에 전기 바이어스가 제공된다. 이후, 개구들(410)이 저 CTE 금속으로 채워져, 미세 금속 마스크(500)의 경계들(335)이 형성된다. 경계들(335)은 다층 맨드릴(505) 상에 남아 있는 유전체 재료(405)를 둘러싸며 격리한다. 다층 맨드릴(505)로부터 미세 금속 마스크(500)가 제거될 때, 경계들(335) 사이의 체적들(345)이 도 2에서 설명된 미세 개구들(215)을 제공할 것이다. 경계들(335)은 도 3c에서 설명된 실시예와 유사한 높이로 형성될 수 있다.
[0043] 도 6a-도 6b는 미세 금속 마스크(600)의 다른 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다. 미세 금속 마스크(600)의 일부가 도 6b에서 도시된다. 미세 금속 마스크(600)는, 도 6a에서 도시된 마스크 패턴(602)을 사용하여 형성될 수 있다. 마스크 패턴(602)은 도 3a-도 4b에서 설명된 맨드릴(305) 또는 도 5a 및 도 5b에서 설명된 다층 맨드릴(505)일 수 있는 맨드릴(605)을 포함한다. 다른 도면들에서 본원에서 설명된 바와 같이, 유전체 재료(610)가 맨드릴(605) 상에 배치된다. 일 실시예에서, 유전체 재료(610)는 도 3a-도 3c에서 설명된 포토레지스트(310)일 수 있다. 다른 실시예들에서, 유전체 재료(610)는 도 4a 내지 도 5b에서 설명 및 도시된 유전체 재료(405)일 수 있다. 유전체 재료(610)는 도 3a-도 3c에서 설명된 포토레지스트(310) 또는 도 4a 및 도 4b에서 설명된 유전체 재료(405)와 동일한 두께일 수 있다. 유전체 재료(405)는 도 3a-도 4b에서 설명된 것과 동일한 방법들에 의해 패터닝 및/또는 형성될 수 있다.
[0044] 본원에서 설명된 포토리소그래피 프로세스 후에, 유전체 재료(610)에 복수의 개구들(615)이 형성된다. 이 실시예에서, 개구들(615)은 테이퍼형(tapered) 측벽(620)을 포함한다. 그후에, 마스크 패턴(602)이 전해 욕(미도시)에 배치된다. 욕은, 도 3c에서 설명된 실시예에서 활용되는 재료들과 유사한, 내부에서 용해되는 저 CTE 금속을 갖는 재료를 포함한다. 욕에서 맨드릴(605)과 저 CTE 금속 사이에 전기 바이어스가 제공된다. 이후, 개구들(615)이 저 CTE 금속으로 채워져, 미세 금속 마스크(600)의 경계들(625)이 형성된다. 경계들(625)은 맨드릴(605) 상에 남아 있는 유전체 재료(610)를 둘러싸며 격리한다. 맨드릴(605)로부터 미세 금속 마스크(600)가 제거될 때, 경계들(625) 사이의 체적들(630)이 도 2에서 설명된 미세 개구들(215)을 제공할 것이다. 경계들(625)은 도 3c에서 설명된 경계들(335)과 유사한 높이로 형성될 수 있다. 미세 금속 마스크(600)는 제1 면(635) 및 대향하는 제2 면(640)을 포함할 수 있다. 제2 면(640)은 도 1의 OLED 디바이스(100)의 부분-픽셀 활성 영역(135)의 형성 동안 기판에 붙여 배치될 수 있다.
[0045] 도 7a-도 7b는 미세 금속 마스크(700)의 다른 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도들이다. 미세 금속 마스크(700)의 일부가 도 7b에서 도시된다. 미세 금속 마스크(700)는, 도 7a에서 도시된 마스크 패턴(702)을 사용하여 형성될 수 있다. 마스크 패턴(702)은 도 3a-도 4b에서 설명된 맨드릴(305) 또는 도 5a 및 도 5b에서 설명된 다층 맨드릴(505)일 수 있는 맨드릴(705)을 포함한다. 다른 도면들에서 본원에서 설명된 바와 같이, 유전체 재료(710)가 맨드릴(705) 상에 배치된다. 일 실시예에서, 유전체 재료(710)는 도 3a-도 3c에서 설명된 포토레지스트(310)일 수 있다. 다른 실시예들에서, 유전체 재료(710)는 도 4a 내지 도 5b에서 설명 및 도시된 유전체 재료(405)일 수 있다. 유전체 재료(710)는 도 3a-도 3c에서 설명된 포토레지스트(310) 또는 도 4a 및 도 4b에서 설명된 유전체 재료(405)와 동일한 두께일 수 있다. 유전체 재료(405)는 도 3a-도 4b에서 설명된 것과 동일한 방법들에 의해 패터닝 및/또는 형성될 수 있다.
[0046] 본원에서 설명된 포토리소그래피 프로세스 후에, 유전체 재료(710)에 복수의 개구들(715)이 형성된다. 이 실시예에서, 개구들(715)은 테이퍼형 측벽(720)을 포함한다. 그후에, 마스크 패턴(702)이 전해 욕(미도시)에 배치된다. 욕은, 도 3c에서 설명된 실시예에서 활용되는 재료들과 유사한, 내부에서 용해되는 저 CTE 금속을 갖는 재료를 포함한다. 욕에서 맨드릴(705)과 저 CTE 금속 사이에 전기 바이어스가 제공된다. 이후, 개구들(715)이 저 CTE 금속으로 채워져, 미세 금속 마스크(700)의 경계들(725)이 형성된다. 경계들(725)은 맨드릴(705) 상에 남아 있는 유전체 재료(710)를 둘러싸며 격리한다. 맨드릴(705)로부터 미세 금속 마스크(700)가 제거될 때, 경계들(725) 사이의 체적들(730)이 도 2에서 설명된 미세 개구들(215)을 제공할 것이다. 경계들(725)은 도 3c에서 설명된 경계들(335)과 유사한 높이로 형성될 수 있다. 미세 금속 마스크(700)가 제1 면(735) 및 대향하는 제2 면(740)을 포함할 수 있어서, 경계들(725)은 포지티브 테이퍼 또는 네거티브 테이퍼를 정의할 수 있다. 제1 면(735)은 도 1의 OLED 디바이스(100)의 부분-픽셀 활성 영역(135)의 형성 동안 기판에 붙여 배치될 수 있다.
[0047] 도 6에서 도시된 미세 금속 마스크(600) 및 도 7에서 도시된 미세 금속 마스크(700)가, 유전체 재료의 개개의 테이퍼형 측벽들의 각도들을 반영하는(mirror) 선형 측벽들을 갖는 경계들(625 및 725)을 각각 포함하지만, 경계들은 곡선의 측벽들을 갖도록 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 유기 재료를 소정의 각도들로 섀도잉(shadowing)함으로써, 경계들(625 및 725)의 테이퍼 각도는 또한, 증착의 균일성에 영향을 끼친다. 섀도 영향을 감안하기 위해, 경계들(625 및 725) 사이에서 각각 형성된 체적들(630 및 730)은 도 1의 OLED 디바이스(100)의 부분-픽셀 활성 영역(135)보다 상당히 더 클 수 있다. 일 실시예에서, 미세 개구들이 되는 체적들(630 및 730)은, 부분-픽셀 활성 영역의 표면적보다 약 4 배 더 큰 개방 영역을 정의한다. 일부 실시예들에서, 경계들(625 및 725)은 통상적으로, 부분-픽셀 활성 영역(135)보다 양 측에서 12
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더 크다. 일 예로서, 470 ppi 부분-픽셀 활성 영역(135)은 약 6
Figure 112018022682272-pct00005
x 약 36
Figure 112018022682272-pct00006
의 길이 x 폭을 포함할 수 있으며, 미세 개구들은 약 18
Figure 112018022682272-pct00007
x 약 48
Figure 112018022682272-pct00008
일 것이다. 그러나, 개구 사이즈들은 제한되는데, 그 이유는 하나의 부분-픽셀의 유기 재료가 다른 부분-픽셀 위에 증착되지 않아야 하기 때문이다(예컨대, 적색 상에 청색 또는 녹색이 증착되지 않고, 녹색 또는 청색 상에 적색이 증착되지 않아야 하는 식이다).
[0048] 도 8은 미세 금속 마스크(800)의 다른 실시예에 대한 형성 방법을 예시하는 개략적인 부분 단면도이다. 미세 금속 마스크(800)는, 마스크 패턴(802)을 사용하여 형성될 수 있다. 마스크 패턴(802)은 본원에서 설명된 맨드릴들 중 임의의 맨드릴일 수 있는 맨드릴(805)을 포함한다. 도 7a에서 설명된 바와 같이, 유전체 재료(710)가 맨드릴(805) 상에 배치된다. 본원에서 설명된 포토리소그래피 프로세스 후에, 유전체 재료(710)에 개구들(810)이 형성된다. 이 실시예에서, 개구들(810)은 곡선의 측벽(815)을 포함한다. 그후에, 마스크 패턴(802)이 전해 욕(미도시)에 배치된다. 욕은, 도 3c에서 설명된 실시예에서 활용되는 재료들과 유사한, 내부에서 용해되는 저 CTE 금속을 갖는 재료를 포함한다. 욕에서 맨드릴(805)과 저 CTE 금속 사이에 전기 바이어스가 제공된다. 이후, 개구들(810)이 저 CTE 금속으로 채워져, 미세 금속 마스크(800)의 경계들(820)이 형성된다. 경계들(820)은 맨드릴(805) 상에 남아 있는 유전체 재료(710)를 둘러싸며 격리한다. 맨드릴(805)로부터 미세 금속 마스크(800)가 제거될 때, 경계들(820) 사이의 체적들(825)이 도 2에서 설명된 미세 개구들(215)을 제공할 것이다. 경계들(820)은 도 3c에서 설명된 경계들(335)과 유사한 높이로 형성될 수 있다. 미세 금속 마스크(800)가 제1 면(830) 및 대향하는 제2 면(835)을 포함할 수 있어서, 경계들(820)은 포지티브 곡선 또는 네거티브 곡선을 정의할 수 있다. 제1 면(830)은 도 1의 OLED 디바이스(100)의 부분-픽셀 활성 영역(135)의 형성 동안 기판에 붙여 배치될 수 있다. 대안적으로, 제2 면(835)이 도 1의 OLED 디바이스(100)의 부분-픽셀 활성 영역(135)의 형성 동안 기판에 붙여 배치될 수 있다.
[0049] 도 9는 기판(905) 상에 OLED 디바이스를 형성하기 위한 장치(900)의 일 실시예를 개략적으로 예시한다. 장치(900)는, 기판(905)이 실질적으로 수직 배향으로 지지되는 증착 챔버(910)를 포함한다. 기판(905)은 증착 소스(920)에 인접한 캐리어(915)에 의해 지지될 수 있다. 미세 금속 마스크(925)가 기판(905)과 접촉하게 되며, 증착 소스(920)와 기판(905) 사이에 포지셔닝된다. 미세 금속 마스크(925)는 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800) 중 임의의 하나일 수 있다. 미세 금속 마스크(925)는 신장되며, 패스너들(미도시), 용접 또는 다른 적절한 결합 방법에 의해 프레임(930)에 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 증착 소스(920)는 유기 재료일 수 있으며, 이 유기 재료는 기판(905)의 정확한 영역들 상으로 증발된다. 유기 재료는 본원에서 설명된 형성 방법들에 따라 경계들(940) 사이의, 미세 금속 마스크(925)에 형성된 미세 개구들(935)을 통해 증착된다. 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은 미세 개구들(935)의 일 패턴의 또는 다수의 패턴들을 갖는 단일 시트를 포함할 수 있다. 대안적으로, 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은, 가변 사이즈들의 기판들을 수용하기 위하여 신장되며 프레임(930)에 커플링되는, 내부에 형성된 미세 개구들(935)의 일 패턴 또는 다수의 패턴들을 갖는 일련의 시트들일 수 있다.
[0050] 도 10은 일 실시예에 따른 제조 시스템(1000)의 개략적인 평면도이다. 시스템(1000)은 전자 디바이스들, 특히, 내부에 유기 재료들을 포함하는 전자 디바이스들을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 디바이스들은 전자 디바이스들 또는 반도체 디바이스들, 이를테면 광전자 디바이스들, 그리고 특히 디스플레이들일 수 있다.
[0051] 본원에서 설명된 실시예들은 특히, 예컨대 대면적 기판들 상에서의 디스플레이 제조를 위한 재료들의 증착에 관한 것이다. 제조 시스템(1000) 내의 기판들은, 자신들의 에지들에서 하나 또는 그 초과의 기판들을 지지할 수 있는 캐리어들 상에서, 정전기 인력에 의해, 또는 이들의 결합들로, 제조 시스템(1000) 전체에 걸쳐 이동될 수 있다. 일부 실시예들에 따라, 대면적 기판들 또는 하나 또는 그 초과의 기판들을 지지하는 캐리어들, 예컨대 대면적 캐리어들은 적어도 0.174 ㎡의 사이즈를 가질 수 있다. 통상적으로, 캐리어의 사이즈는 약 0.6 평방 미터 내지 약 8 평방 미터, 더욱 통상적으로는 약 2 평방 미터 내지 약 9 평방 미터 또는 심지어 최대 12 평방 미터일 수 있다. 통상적으로, 기판들이 지지되는 직사각형 영역 ―본원에서 설명된 실시예들에 따른 홀딩 어레인지먼트들, 장치들, 및 방법들은 이 직사각형 영역에 대해 제공됨― 은, 본원에서 설명된 대면적 기판들을 위한 사이즈들을 갖는 캐리어들이다. 예컨대, 단일 대면적 기판의 영역에 대응할 대면적 캐리어는, 약 1.4 평방 미터 기판(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 평방 미터 기판(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 평방 미터 기판(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7 평방 미터 기판(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 심지어 더 큰 세대(generation)들, 이를테면 GEN 11 및 GEN 12, 그리고 대응하는 기판 영역들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은 그에 따라 사이즈가 결정될 수 있다.
[0052] 통상적인 실시예들에 따라, 기판들은 재료 증착에 적절한 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 예컨대, 기판은 유리(예컨대, 소다 석회 유리, 붕규산 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 결합으로 구성되는 그룹(group)으로부터 선택되는 재료로 만들어질 수 있다.
[0053] 도 10에서 도시된 제조 시스템(1000)은 로드 록(load lock) 챔버(1002)를 포함하며, 이 로드 록 챔버(1002)는 수평 기판 핸들링 챔버(1004)에 연결된다. 기판(905)(파선들로 개설됨), 이를테면 위에서 설명된 대면적 기판이 기판 핸들링 챔버(1004)로부터 진공 스윙 모듈(1008)로 이송될 수 있다. 진공 스윙 모듈(1008)은 기판(905)을 캐리어(915) 상에 수평 포지션으로 로딩한다. 기판(905)을 캐리어(915) 상에 수평 포지션으로 로딩한 후에, 진공 스윙 모듈(1008)은, 그 상에 제공된 기판(905)을 갖는 캐리어(915)를 수직 또는 실질적으로 수직 배향으로 회전시킨다. 이후, 그 상에 제공된 기판(905)을 갖는 캐리어(915)는 수직 배향으로 제1 이송 챔버(1012A) 및 적어도 하나의 후속하는 이송 챔버(1012B-1012F)를 통해 이송된다. 하나 또는 그 초과의 증착 장치들(1014)이 이송 챔버들에 연결될 수 있다. 추가로, 다른 기판 프로세싱 챔버들 또는 다른 진공 챔버들이 이송 챔버들 중 하나 또는 그 초과에 연결될 수 있다. 기판(905)의 프로세싱 후에, 그 상에 기판(905)을 갖는 캐리어는 수직 배향으로 이송 챔버(1012F)로부터 출구 진공 스윙 모듈(1016)로 이송된다. 출구 진공 스윙 모듈(1016)은, 그 상에 기판(905)을 갖는 캐리어를 수직 배향으로부터 수평 배향으로 회전시킨다. 그후에, 기판(905)은 출구 수평 유리 핸들링 챔버(1018)에 언로딩될 수 있다. 제조되는 디바이스가 박막 캡슐화 챔버(1022A 또는 1022B) 중 하나에서 캡슐화된 후에, 프로세싱된 기판(905)은 제조 시스템(1000)으로부터 예컨대 로드 록 챔버(1020)를 통해 언로딩될 수 있다.
[0054] 도 10에서는, 제1 이송 챔버(1012A), 제2 이송 챔버(1012B), 제3 이송 챔버(1012C), 제4 이송 챔버(1012D), 제5 이송 챔버(1012E), 및 제6 이송 챔버(1012F)가 제공된다. 본원에서 설명된 실시예들에 따라, 적어도 2 개의 이송 챔버들이 제조 시스템(1000)에 포함된다. 일부 실시예들에서, 2 개 내지 8 개의 이송 챔버들이 제조 시스템(1000)에 포함될 수 있다. 증착 챔버(1024)를 각각 가지며, 이송 챔버들 중 하나에 예시적으로 각각 연결되는 몇몇 증착 장치들, 예컨대 도 10의 9 개의 증착 장치들(1014)이 제공된다. 일부 실시예들에 따라, 증착 장치들의 증착 챔버들 중 하나 또는 그 초과는 게이트 밸브들(1026)을 통해 이송 챔버들에 연결된다.
[0055] 증착 챔버들(1024)의 적어도 일부는 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)(미도시) 중 하나 또는 그 초과를 포함한다. 증착 챔버들(1024) 각각은 또한, 적어도 하나의 기판(905) 상에 막 층들을 증착하기 위한 증착 소스(920)(단 1 개만이 도시됨)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 증착 소스(920)는 증발 모듈 및 도가니를 포함한다. 추가적인 실시예들에서, 개개의 캐리어(미도시) 상에서 지지되는 2 개의 기판들(905) 상에 막을 증착하기 위하여, 증착 소스(920)는 화살표들에 의해 표시된 방향으로 이동가능할 수 있다. 기판들(905)이 증착 소스(920)와 각각의 기판(905) 사이의 개개의 패터닝된 마스크에 대해 수직 배향 또는 실질적으로 수직 배향으로 있을 때, 기판들(905) 상에 증착이 수행된다. 패터닝된 마스크들 각각은 위에서 설명된 바와 같이 적어도 제1 개구를 포함한다. 제1 개구는, 위에서 상세히 설명된 바와 같은 패터닝된 마스크의 패턴 영역 밖에 막 층의 일부를 증착하기 위해 활용될 수 있다.
[0056] 개개의 패터닝된 마스크에 대해 기판들을 정렬하기 위해, 정렬 유닛들(1028)이 증착 챔버들(1024)에 제공될 수 있다. 또 추가적인 실시예들에 따라, 진공 유지 챔버들(1030)이 예컨대 게이트 밸브(1032)를 통해 증착 챔버들(1024)에 연결될 수 있다. 진공 유지 챔버들(1030)은 제조 시스템(1000)에서의 증착 소스들의 유지를 허용한다.
[0057] 도 10에서 도시된 바와 같이, 인-라인(in-line) 수송 시스템을 제공하기 위한 라인을 따라 하나 또는 그 초과의 이송 챔버들(1012A-1012F)이 제공된다. 일부 실시예들에 따라, 이중 트랙 수송 시스템이 제공된다. 이중 트랙 수송 시스템은 이송 챔버들(1012A-1012F) 각각에서 제1 트랙(1034) 및 제2 트랙(1036)을 포함한다. 이중 트랙 수송 시스템은, 제1 트랙(1034) 및 제2 트랙(1036) 중 적어도 하나를 따라, 기판들을 지지하는 캐리어들(915)을 이송하기 위해 활용될 수 있다.
[0058] 또 추가적인 실시예들에 따라, 이송 챔버들(1012A-1012F) 중 하나 또는 그 초과가 진공 회전 모듈로서 제공된다. 제1 트랙(1034) 및 제2 트랙(1036)은 적어도 90 도, 예컨대 90 도, 180 도 또는 360 도 회전될 수 있다. 캐리어들, 이를테면 캐리어(915)는 트랙들(1034 및 1036) 상에서 선형으로 이동한다. 캐리어들은, 증착 장치들(1014)의 증착 챔버들(1024) 중 하나, 또는 아래에서 설명된 다른 진공 챔버들 중 하나로 이송되기 위한 포지션으로 회전될 수 있다. 이송 챔버들(1012A-1012F)은 수직으로 배향된 캐리어들 및/또는 기판들을 회전시키도록 구성되며, 예컨대, 이송 챔버들 내의 트랙들은 수직 회전 축을 중심으로 회전된다. 이는 도 10의 이송 챔버들(1012A-1012F) 내의 화살표들에 의해 표시된다.
[0059] 일부 실시예들에 따라, 이송 챔버들은 10 mbar 아래의 압력 하에서의 기판의 회전을 위한 진공 회전 모듈들이다. 또 추가적인 실시예들에 따라, 2 개 또는 그 초과의 이송 챔버들(1012A-1012F) 내에 다른 트랙이 제공되며, 캐리어 리턴 트랙(1040)이 제공된다. 통상적인 실시예들에 따라, 캐리어 리턴 트랙(1040)은 제1 트랙(1034)과 제2 트랙(1036) 사이에 제공될 수 있다. 캐리어 리턴 트랙(1040)은 더 멀리 있는 출구 진공 스윙 모듈(1016)로부터 진공 스윙 모듈(1008)로 진공 상태들 하에서 텅 빈 캐리어들을 리턴하는 것을 허용한다. 진공 상태들 하에서, 그리고 선택적으로, 제어되는 비활성 분위기(예컨대, Ar, N2 또는 이들의 결합들) 하에서 캐리어들을 리턴하는 것은, 외기에 대한 캐리어들의 노출을 감소시킨다. 그러므로, 습기와의 접촉이 감소되거나 또는 방지될 수 있다. 따라서, 제조 시스템(1000)에서의 디바이스들의 제조 동안 캐리어들의 아웃개싱(outgassing)이 감소될 수 있다. 이는 제조되는 디바이스들의 품질을 개선시킬 수 있으며, 그리고/또는 캐리어들은 연장 시간 기간 동안 세정되지 않으면서 동작 상태로 있을 수 있다.
[0060] 도 10은 추가로, 제1 전처리 챔버(1042) 및 제2 전처리 챔버(1044)를 도시한다. 로봇(미도시) 또는 다른 적절한 기판 핸들링 시스템이 기판 핸들링 챔버(1004)에 제공될 수 있다. 로봇 또는 다른 기판 핸들링 시스템은, 로드 록 챔버(1002)로부터의 기판(905)을 기판 핸들링 챔버(1004)에 로딩하며, 기판(905)을 전처리 챔버들(1042, 1044) 중 하나 또는 그 초과로 이송할 수 있다. 예컨대, 전처리 챔버들은, 기판의 플라즈마 전처리, 기판의 세정, 기판의 UV 및/또는 오존 처리, 기판의 이온 소스 처리, 기판의 RF 또는 마이크로파 플라즈마 처리, 및 이들의 결합들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 전처리 도구를 포함할 수 있다. 기판들의 전처리 후에, 로봇 또는 다른 핸들링 시스템은 전처리 챔버로부터 기판 핸들링 챔버(1004)를 통해 진공 스윙 모듈(1008)로 기판을 이송한다. 대기 상태들 하에서 기판 핸들링 챔버(1004) 내에서의 기판들의 로딩 및/또는 기판의 핸들링을 위해 로드 록 챔버(1002)를 통기시키는 것을 허용하기 위하여, 기판 핸들링 챔버(1004)와 진공 스윙 모듈(1008) 사이에 게이트 밸브(1026)가 제공된다. 그에 따라서, 기판 핸들링 챔버(1004), 그리고 원해지는 경우, 로드 록 챔버(1002), 제1 전처리 챔버(1042) 및 제2 전처리 챔버(1044) 중 하나 또는 그 초과는, 게이트 밸브(1026)가 개방되고 기판이 진공 스윙 모듈(1008)로 이송되기 전에, 비워질 수 있다. 그에 따라서, 기판이 진공 스윙 모듈(1008)에 로딩되기 전에, 대기 상태들 하에서 기판들의 로딩, 처리 및 프로세싱이 수행될 수 있다.
[0061] 본원에서 설명된 실시예들에 따라, 기판이 진공 스윙 모듈(1008)에 로딩되기 전에 수행될 수 있는 기판들의 로딩, 처리 및 프로세싱은, 기판이 수평으로 배향되거나 또는 본질적으로 수평으로 배향되어 있는 동안에 수행된다. 도 10에서 도시된 바와 같은, 그리고 본원에서 설명된 또 추가적인 실시예들에 따른 제조 시스템(1000)은, 수평 배향에서의 기판 핸들링, 수직 배향으로의 기판의 회전, 수직 배향에서의 기판 상으로의 재료 증착, 재료 증착 후에 수평 배향으로의 기판의 회전, 그리고 수평 배향에서의 기판의 언로딩을 결합한다.
[0062] 도 10에서 도시된 제조 시스템(1000), 뿐만 아니라 본원에서 설명된 다른 제조 시스템들은 적어도 하나의 박막 캡슐화 챔버를 포함한다. 도 10은 제1 박막 캡슐화 챔버(1022A) 및 제2 박막 캡슐화 챔버(1022B)를 도시한다. 하나 또는 그 초과의 박막 캡슐화 챔버들은 캡슐화 장치를 포함하며, 이 캡슐화 장치에서, 증착 및/또는 프로세싱된 재료가 외기 및/또는 대기 상태들에 노출되는 것을 방지하기 위하여, 증착 및/또는 프로세싱된 층들, 특히 OLED 재료가, 프로세싱된 기판과 다른 기판 사이에 캡슐화되는데, 즉, 프로세싱된 기판과 다른 기판 사이에 끼워진다. 통상적으로, 2 개의 기판들, 예컨대 유리 기판들 사이에 재료를 끼워넣음으로써, 박막 캡슐화가 제공될 수 있다. 그러나, 유리, 폴리머 또는 금속 시트들을 이용하는 라미네이션, 또는 커버 유리의 레이저 용융과 같은 다른 캡슐화 방법들이, 박막 캡슐화 챔버들 중 하나에 제공되는 캡슐화 장치에 의해 대안적으로 적용될 수 있다. 특히, OLED 재료 층들은 외기 및/또는 산소 및 습기에 대한 노출을 겪을 수 있다. 그에 따라서, 예컨대 도 10에서 도시된 제조 시스템(1000)은, 프로세싱된 기판을 출구 로드 록 챔버(1020)를 통해 언로딩하기 전에 박막들을 캡슐화할 수 있다.
[0063] 또 추가적인 실시예들에 따라, 제조 시스템은 캐리어 버퍼(1048)를 포함할 수 있다. 예컨대, 캐리어 버퍼(1048)는 진공 스윙 모듈(1008)에 연결되는 제1 이송 챔버(1012A), 및/또는 마지막 이송 챔버, 즉 제6 이송 챔버(1012F)에 연결될 수 있다. 예컨대, 캐리어 버퍼(1048)는 이송 챔버들 중, 진공 스윙 모듈들 중 하나의 진공 스윙 모듈에 연결되는 하나의 이송 챔버에 연결될 수 있다. 기판들이 진공 스윙 모듈들에서 로딩 및 언로딩되기 때문에, 진공 스윙 모듈에 가까이 캐리어 버퍼(1048)가 제공되면 유익하다. 캐리어 버퍼(1048)는 하나 또는 그 초과의, 예컨대 5 개 내지 30 개의 캐리어들에 대한 저장부를 제공하도록 구성된다. 버퍼 내의 캐리어들은, 예컨대 유지보수, 이를테면 세정을 위해 다른 캐리어가 대체될 필요가 있을 경우, 제조 시스템(1000)의 동작 동안 사용될 수 있다.
[0064] 또 추가적인 실시예들에 따라, 제조 시스템은 마스크 셸프(shelf)(1050), 즉 마스크 버퍼를 더 포함할 수 있다. 마스크 셸프(1050)는, 특정 증착 단계들을 위해 저장될 필요가 있는 마스크들 및/또는 대체 패터닝된 마스크들에 대한 저장부를 제공하도록 구성된다. 제조 시스템(1000)을 동작시키는 방법들에 따라, 마스크 셸프(1050)로부터, 제1 트랙(1034) 및 제2 트랙(1036)을 갖는 이중 트랙 수송 어레인지먼트를 통해 증착 장치(1014)로 마스크가 이송될 수 있다. 따라서, 증착 챔버(1024)를 통기시키지 않으면서, 이송 챔버들(1012A-1012F)을 통기시키지 않으면서, 그리고/또는 대기 상태들에 마스크를 노출시키지 않으면서, 증착 장치 내의 마스크가 유지보수, 이를테면 세정을 위해서든 또는 증착 패턴의 변동을 위해서든 교환될 수 있다.
[0065] 도 10은 추가로, 마스크 세정 챔버(1052)를 도시한다. 마스크 세정 챔버(1052)는 게이트 밸브(1026)를 통해 마스크 셸프(1050)에 연결된다. 그에 따라서, 마스크의 세정을 위한 마스크 세정 챔버(1052)와 마스크 셸프(1050) 사이에 진공 기밀 밀봉이 제공될 수 있다. 상이한 실시예들에 따라, 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은 세정 도구, 이를테면 플라즈마 세정 도구에 의해 제조 시스템(1000) 내에서 세정될 수 있다. 플라즈마 세정 도구는 마스크 세정 챔버(1052)에 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 도 10에서 도시된 바와 같이, 다른 게이트 밸브(1054)가 마스크 세정 챔버(1052)에 제공될 수 있다. 그에 따라서, 마스크 세정 챔버(1052)가 통기될 필요가 있을 동안에만, 제조 시스템(1000)으로부터 마스크가 언로딩될 수 있다. 제조 시스템으로부터 마스크를 언로딩함으로써, 제조 시스템이 계속해서 완전히 동작하고 있는 동안 외부 마스크 세정이 제공될 수 있다. 도 10은 마스크 셸프(1050)에 인접한 마스크 세정 챔버(1052)를 예시한다. 대응하는 또는 유사한 세정 챔버(미도시)가 또한, 캐리어 버퍼(1048)에 인접하게 제공될 수 있다. 캐리어 버퍼(1048)에 인접하게 세정 챔버를 제공함으로써, 캐리어는 제조 시스템(1000) 내에서 세정될 수 있거나, 또는 세정 챔버에 연결된 게이트 밸브를 통해 제조 시스템으로부터 언로딩될 수 있다.
[0066] 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)의 실시예들은 고 해상도 디스플레이들의 제조에서 활용될 수 있다. 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은 일 실시예에 따라 약 750 ㎜ x 650 ㎜의 사이즈들을 포함할 수 있다. 이 사이즈의 미세 금속 마스크는, 2 차원으로 신장되는 전체(full) 시트(750 ㎜ x 650 ㎜)일 수 있다. 대안적으로, 이 사이즈의 미세 금속 마스크는, 750 ㎜ x 650 ㎜ 영역을 커버하도록 1 차원으로 신장되는 일련의 스트립들일 수 있다. 더 큰 미세 금속 마스크 사이즈들은 약 920 ㎜ x 약 730 ㎜, GEN 6 하프-컷(half-cut)(약 1500 ㎜ x 약 900 ㎜), GEN 6(약 1500 ㎜ x 약 1800 ㎜), GEN 8.5(약 2200 ㎜ x 약 2500 ㎜) 및 GEN 10(약 2800 ㎜ x 약 3200 ㎜)을 포함한다. 적어도 더 작은 사이즈들에서는, 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)의 미세 개구들 사이의 피치 공차가 160 ㎜ 길이당 약 +/- 3 ㎛일 수 있다.
[0067] 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)의 제조에서 전기주조 기법들을 활용하는 것은 종래의 형성 프로세스들보다 실질적인 장점을 갖는다. 종래의 마스크들 내의 표준 개구 사이즈들은, 마스크에 미세 개구들을 형성할 때 화학 에칭 프로세스의 변동들에 기인하는 약 +/- 2
Figure 112018022682272-pct00009
내지 5
Figure 112018022682272-pct00010
의 변동을 가질 수 있다. 그에 반해서, 본원에서 설명된 마스크 패턴들(302, 402, 502, 602, 702 또는 802)은 포토리소그래피 기법들에 의해 형성된다. 따라서, 미세 개구들의 사이즈들의 변동들은 약 0.2
Figure 112018022682272-pct00011
미만이다. 이는, 해상도가 증가할 때 장점을 제공한다. 따라서, 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은 (포토리소그래피 기법들에 의한 더 나은 제어에 기인하여) 더욱 균일한 개구 사이즈를 가질 수 있다. 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은 또한, 매우 일관된 마스크-대-마스크 균일성을 가질 수 있다. 균일성은 개구 사이즈에서 뿐 아니라 피치 정확성에서도 개선될 수 있으며, 뿐만 아니라 다른 특성들이 개선될 수 있다.
[0068] 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은, 높은 정확성으로, 도 1에서 도시된 OLED 디바이스(100)의 부분-픽셀 활성 영역들(135)을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, OLED 디바이스(100)의 유기 재료 층들(120)의 RGB 층들 각각의 균일성은 높은데, 이를테면 약 95%를 초과, 예컨대 98%를 초과한다. 본원에서 설명된 미세 금속 마스크들(200, 300, 400, 500, 600, 700 또는 800)은 이들 정확성 공차들을 충족시킨다.
[0069] 전술한 내용들이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있다. 그러므로, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (29)

  1. 전기주조된(electroformed) 마스크를 형성하기 위한 방법으로서,
    금속 층, 및 상기 금속 층의 일부를 노출시키는, 내부에 형성된 개구들을 갖는 패턴 영역을 포함하는 맨드릴을 준비하는 단계 ―상기 맨드릴은, 7 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 가짐―;
    상기 맨드릴을 전해 욕에 노출시키는 단계;
    14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 갖는 금속성 재료를 상기 개구들에 전착(electrodepositing)하는 단계;
    상기 욕으로부터 상기 맨드릴을 제거하는 단계; 및
    상기 맨드릴로부터 상기 마스크를 분리하는 단계
    를 포함하는,
    전기주조된 마스크를 형성하기 위한 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크는 상기 금속성 재료를 포함하는 복수의 경계들을 가지며, 상기 경계들 사이의 피치 공차는 160 밀리미터의 길이에 걸쳐 +/- 3 미크론인,
    전기주조된 마스크를 형성하기 위한 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 패턴 영역은 포토리소그래피에 의해 패터닝되는 유전체 재료를 포함하는,
    전기주조된 마스크를 형성하기 위한 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 유전체 재료는 포토레지스트 재료를 포함하거나, 또는
    상기 유전체 재료는 무기 절연 재료를 포함하는,
    전기주조된 마스크를 형성하기 위한 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 마스크 패턴으로서,
    전도성 재료를 포함하며, 7 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 갖는 맨드릴; 및
    상기 전도성 재료의 적어도 일부를 노출시키는, 내부에 형성된 복수의 개구들을 갖는 유전체 재료
    를 포함하며,
    상기 유전체 재료는 체적들의 패턴을 포함하며, 상기 체적들 각각은 5 미크론 내지 20 미크론의 주요 치수를 갖는,
    마스크 패턴.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 유전체 재료는 포토레지스트 재료를 포함하거나, 또는
    상기 유전체 재료는 무기 절연 재료를 포함하는,
    마스크 패턴.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 맨드릴은 제1 기판 및 제2 기판을 포함하는,
    마스크 패턴.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 전도성 재료를 포함하며, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판의 열 팽창 계수를 초과하는 열 팽창 계수를 포함하는,
    마스크 패턴.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 복수의 금속성 층들을 포함하며, 그리고
    상기 금속성 층들의 두께는 상기 제1 기판의 표면적에 따라 좌우되는,
    마스크 패턴.
  12. 전기주조된 마스크로서,
    상기 전기주조된 마스크는,
    금속 층, 및 상기 금속 층의 일부를 노출시키는, 내부에 형성된 개구들을 갖는 패턴 영역을 포함하는 맨드릴을 준비하고 ―상기 맨드릴은, 7 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 가짐―;
    상기 맨드릴을 전해 욕에 노출시키고;
    14 미크론/미터/섭씨 온도와 동일하거나 또는 그 미만의 열 팽창 계수를 갖는 금속성 재료를 상기 개구들에 전착하고;
    상기 욕으로부터 상기 맨드릴을 제거하며; 그리고
    상기 맨드릴로부터 상기 마스크를 분리함으로써,
    형성되는,
    전기주조된 마스크.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 전기주조된 마스크는 상기 금속성 재료를 포함하는 복수의 경계들을 가지며, 상기 경계들 사이의 피치 공차는 160 밀리미터의 길이에 걸쳐 +/- 3 미크론인,
    전기주조된 마스크.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 패턴 영역은 포토리소그래피에 의해 패터닝되는 유전체 재료를 포함하는,
    전기주조된 마스크.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 유전체 재료는 포토레지스트 재료를 포함하거나, 또는
    상기 유전체 재료는 무기 절연 재료를 포함하는,
    전기주조된 마스크.
  16. 삭제
  17. 삭제
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