KR20210083699A - 새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크 - Google Patents

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Abstract

새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크가 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 베이스층과, 상기 베이스층 상부에 형성되는 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성되는 탑 실리콘층으로 이루어진 웨이퍼 모듈을 이용하여 새도우 마스크를 제조하는 방법으로서, 더미 영역으로 구획되어 복수의 마스크 시트가 형성되도록 상기 탑 실리콘층을 패터닝하는 단계와; 상기 베이스층을 패터닝하여 상기 더미 영역에 상응한 위치의 하부에 상기 탑 실리콘층을 지지하는 마스크 프레임을 형성하는 단계와; 상기 절연층을 패터닝하여 상기 마스크 시트가 형성되는 상기 탑 실리콘층의 하면을 오픈하는 단계를 포함하는, 새도우 마스크를 제조하는 방법이 제공된다.

Description

새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크{Manufacturing method for shadow mask and shadow mask}
본 발명은 새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 증착 공정 시 처짐을 방지하여 증착의 정밀도 및 균일도를 높일 수 있는 실리콘 웨이퍼를 이용한 새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크에 관한 것이다.
유기 전계 발광소자(Organic Luminescence Emitting Device: OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하는 스스로 빛을 내는 자발광소자로서, 비발광소자에 빛을 가하기 위한 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량이고 박형의 평판표시장치를 제조할 수 있다. 이러한 유기 전계 발광소자를 이용한 평판표시장치는 응답속도가 빠르며, 시야각이 넓어 차세대 표시장치로서 대두되고 있다.
유기 전계 발광 소자는, 애노드 및 캐소드 전극을 제외한 나머지 구성층인 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등이 유기 박막으로 되어 있고, 이러한 유기 박막은 진공열증착방법으로 기판 상에 증착하게 된다.
진공열증착법은 진공의 챔버 내에 기판을 배치하고, 일정 패턴이 형성된 새도우 마스크(shadow mask)를 기판에 정렬시킨 후, 증발원의 도가니를 가열하여 도가니에서 증발되는 증착입자를 기판 상에 증착하는 방식으로 이루어진다.
최근 OLED 디스플레이가 고 해상도로 발전하면서 이를 구현하기 위한 새도우 마스크의 마스크 패턴도 초소형으로 가공해야 한다. 최근에는 실리콘 웨이퍼에 대해 반도체 공정을 통해 미세 패턴을 형성하여 실리콘으로 이루어진 새도우 마스크를 제조하는 연구가 진행되고 있다.
그런데, 실리콘 웨이퍼를 가공하여 형성된 새도우 마스크의 경우 매우 얇은 박판으로 형성되어 처짐이 발생할 수 있고 이에 따라 미세 패턴 형성을 위한 증착 공정 시 증착의 정밀도 및 균일도가 떨어지는 문제가 있다.
대한민국 공개특허공보 제2000-0042879호(2000.07.15 공개)
본 발명은 증착 공정 시 처짐을 방지하여 증착의 정밀도 및 균일도를 높일 수 있는 실리콘 웨이퍼를 이용한 새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 베이스층과, 상기 베이스층 상부에 형성되는 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성되는 탑 실리콘층으로 이루어진 웨이퍼 모듈을 이용하여 새도우 마스크를 제조하는 방법으로서, 더미 영역으로 구획되어 복수의 마스크 시트가 형성되도록 상기 탑 실리콘층을 패터닝하는 단계와; 상기 베이스층을 패터닝하여 상기 더미 영역에 상응한 위치의 하부에 상기 탑 실리콘층을 지지하는 마스크 프레임을 형성하는 단계와; 상기 절연층을 패터닝하여 상기 마스크 시트가 형성되는 상기 탑 실리콘층의 하면을 오픈하는 단계를 포함하는, 새도우 마스크를 제조하는 방법이 제공된다.
복수의 상기 마스크 시트는 격자 상의 더미 영역에 의해 구획되며, 상기 마스크 프레임을 형성하는 단계의 상기 마스크 프레임은, 상기 격자 상의 더미 영역에 상응하여 격자 상으로 형성될 수 있다.
상기 마스크 시트가 형성된 상기 탑 실리콘층의 상면에 자성체로 이루어진 마그넷 접착층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 마그넷 접착층은, 스퍼터링 증착으로 형성될 수 있다.
상기 자성체는, 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 베이스층은, 광 투과성의 석영(quartz)을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 베이스층과, 상기 베이스층 상부에 형성되는 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성되는 탑 실리콘층으로 이루어진 웨이퍼 모듈로 형성되는 새도우 마스크로서, 상기 탑 실리콘층을 패터닝하여 더미 영역으로 구획되는 복수의 마스크 시트와; 상기 베이스 실리콘을 패터닝하여 상기 더미 영역에 상응한 위치의 하부에 형성되는 마스크 프레임과; 상기 절연층을 패터닝하여 상기 마스크 시트의 하면을 오픈하는 오픈 윈도우를 포함하는, 새도우 마스크가 제공된다.
복수의 상기 마스크 시트는 격자 상의 더미 영역으로 구획되며, 이 경우, 상기 마스크 프레임은 상기 더미 영역에 상응하여 격자 상의 형성될 수 있다.
상기 마스크 시트가 형성된 상기 탑 실리콘층의 상면에 형성되며 자성체로 이루어진 마그넷 접착층을 더 포함할 수 있다.
상기 베이스층은, 광 투과성의 석영(quartz)을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
상기 자성체는, 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르는 새도우 마스크는, 증착 공정 시 처짐을 방지되어 증착의 정밀도 및 균일도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 마스크 시트가 형성된 새도우 마스크의 평면도.
도 3은 도 2의 A-A'에 따른 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 흐름도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 얼라인 방법을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 본 발명에 따른 새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 순서도이다. 그리고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 마스크 시트가 형성된 새도우 마스크의 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A'에 따른 단면도이다. 그리고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 흐름도이다. 그리고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 얼라인 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 5에는, 베이스층(12), 절연층(14), 탑 실리콘층(16), 웨이퍼 모듈(18), 에칭 레지스트(20, 23), 마스크 시트(22), 마스크 프레임(24), 오픈 윈도우(26), 마그넷 접착층(28), 새도우 마스크(30), 웨이퍼 기판(32), 마그넷 플레이트(34), 증발원(36), 더미 영역(38)이 도시되어 있다.
본 실시예에 따른 새도우 마스크를 제조하는 방법은, 베이스층(12)과, 베이스층(12) 상부에 형성되는 절연층(14)과, 절연층(14) 상부에 형성되는 탑 실리콘층(16)으로 이루어진 웨이퍼 모듈(18)을 이용하여 새도우 마스크를 제조하는 방법으로서, 더미 영역(38)으로 구획되어 복수의 마스크 시트(22)가 형성되도록 탑 실리콘층(16)을 패터닝하는 단계와; 베이스층(12)을 패터닝하여 더미 영역(38)에 상응한 위치의 하부에 탑 실리콘층(16)을 지지하는 마스크 프레임(24)을 형성하는 단계와; 절연층(14)을 패터닝하여 마스크 시트(22)가 형성되는 탑 실리콘층(16)의 하면을 오픈하는 단계를 포함한다.
웨이퍼 모듈(18)은, 베이스층(12)과, 베이스층(12) 상부에 형성되는 절연층(14)과, 절연층(14) 상부에 형성되는 탑 실리콘층(16)으로 구성되는데, 웨이퍼 모듈(18)의 탑 실리콘층(16)은 고순도 실리콘층으로서 절연층(14)에 의해 베이스층(12)의 영향을 제거하여 탑 실리콘층(16)의 가공, 효율 및 특성을 대폭 향상시킬 수 있다.
절연층(14)은 주로 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성될 수 있으며, 베이스층(12)과 고순도 실리콘층인 탑 실리콘층(16)을 분리한다.
베이스층(12)을 실리콘으로 형성한 경우를 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼라고 하며, SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼는 고성능 마이크로프로세서, 초고집적 메모리 등에 이용된다.
한편, 베이스층(12)이 광 투과성의 석영(quartz)을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 베이스층(12)을 광 투과성의 석영으로 구성된 경우 새도우 마스크(30) 하부에서 레이저광의 조사 등이 가능하다.
이하에서는, 도 4를 참조하여, 베이스층(12)이 실리콘으로 형성된 SOI 웨이퍼 모듈(18)을 중심으로서 새도우 마스크(30) 제조 방법을 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 새도우 마스크(30)는 웨이퍼 모듈(18) 한 판에 다수의 마스크 시트(22)를 형성한 형태로서, 각 마스크 시트(22)는 그 사이에 더미 영역(38)(dummy area)에 의해 구획되어 도 2에 도시된 바와 같이, 복수 개의 마스크 시트(22)가 한 판의 웨이퍼 모듈(18)에 형성된다.
더미 영역(38)은, 새도우 마스크(30)로서 역할을 수행하지 않는 영역으로서, 각 마스크 시트(22)를 포함하는 각각의 새도우 마스크(30)를 구획하는 역할을 한다.
본 실시예에 따른 새도우 마스크(30)는 상술한 더미 영역(38) 하부에 마스크 프레임(24)을 형성하여 처짐에 대한 강성을 증대시킨 형태이다.
본 실시예에서는, 도 2에 도시된 바와 같이, 더미 영역(38)에 의해 총 9개의 마스크 시트(22)가 구획된 형태를 제시한다.
도 4는 본 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 흐름도로서, 웨이퍼 모듈(18)을 이용하여 도 2 및 도 3에 도시된 새도우 마스크(30)를 형성하는 방법을 공정 중심으로 간략히 도시한 도면으로, 이하에서는 도 4를 참조하여, 새도우 마스크(30)의 형성 공정을 중심으로 설명하기로 한다.
먼저, 도 4의 (a) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 도 2의 더미 영역(38)으로 구획되어 복수의 마스크 시트(22)가 형성되도록 탑 실리콘층(16)을 패터닝한다(S100). 탑 실리콘층(16)의 일부를 에칭(etching)하여 마스크 패턴이 형성된 복수의 마스크 시트(22)를 형성하는데, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 더미 영역(38)을 포함하여 에칭이 되지 않아야 하는 영역에 에칭 레지스트(20)를 형성한 후, 에칭을 수행하며 에칭 레지스트(20)가 형성된 영역 이외의 영역이 에칭되면서 각각의 마스크 시트(22)가 형성된다. 본 실시예에서는 복수의 마스크 시트(22)가 격자 상의 더미 영역(38)에 의해 구획되도록 구성하였다.
각 마스크 시트(22)의 내부에는 미세한 마스크 패턴이 형성되는데, 이러한 마스크 패턴이 에칭에 의해 형성되므로, 더미 영역(38)을 포함한 마스크 패턴 이외의 영역에 에칭 레지스트(20)가 형성될 수 있다. 에칭 레지스트(20)는, 포토 레지스트를 도포한 후 일정 패턴이 형성되는 포토 마스크를 배치하고 노광을 수행하고 노광부를 제거함으로써 탑 실리콘층(16)의 상부에 에칭 레지스트(20)를 형성할 수 있다.
탑 실리콘층(16)에 대한 에칭 공정이 완료되어 에칭 레지스트(20)를 제거하면, 절연층(14) 상부에는 도 2에 도시된 바와 같이 더미 영역(38)에 의해 구획되는 얇은 박판의 복수의 마스크 시트(22)가 형성된다. 에칭 레지스트(20)의 제거는 본 단계에서 수행되거나 베이스층(12)에 대한 패터닝 공정 이후에 수행될 수 있다.
다음에, 도 4의 (e) 내지 (f)에 도시된 바와 같이, 베이스층(12)을 패터닝하여 더미 영역(38)에 상응한 위치의 하부에 탑 실리콘층(16)을 지지하는 마스크 프레임(24)을 형성한다(S200).
마스크 프레임(24)은 탑 실리콘층(16)으로 형성된 얇은 박판 형태의 마스크 시트(22)를 지지하기 위한 것으로서, 더미 영역(38)에 상응한 위치의 하부에 마스크 프레임(24)을 형성하도록 베이스층(12)을 에칭하여 형성한다.
한편, 본 실시예에서는 더미 영역(38)과 더불어 웨이퍼 모듈(18)의 외주를 따라 마스크 프레임(24)이 형성되도록 구성하였다. 이에 따라, 웨이퍼 모듈(18)의 외주를 따라 형성되는 원형의 마스크 프레임(24)과, 상기 원형의 마스크 프레임(24) 사이의 더미 영역(38)에 상응하여 격자 상의 마스크 프레임(24)이 형성되어 보다 안정적으로 마스크 시트(22)의 처짐을 방지할 수 있다.
위의 탑 실리콘층(16)의 패터닝 방법과 마찬가지로, 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 베이스층(12) 중에서 마스크 프레임(24)의 형성 영역에 에칭 레지스트(23)를 형성하고, 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 에칭을 수행하여 마스크 프레임(24)을 형성한다.
본 실시예에서는, 웨이퍼 모듈(18)의 외주와, 더미 영역(38)에 상응한 위치에 마스크 프레임(24)이 형성되도록 베이스층(12)의 각 마스크 시트(22)의 하부를 에칭하였다(도 4에서는 웨이퍼 모듈(18)의 외주와 더미 영역(38)을 구분하여 도시하지 않고 마스크 프레임(24)의 형성 공정 위주로 도시하였음).
베이스층(12)에 대한 에칭 공정이 완료되면 에칭 레지스트(23)를 제거한다.
다음에, 도 4의 (g) 및 (h)에 도시된 바와 같이, 절연층(14)을 패터닝하여 마스크 시트(22)가 형성되는 탑 실리콘층(16)의 하면을 오픈한다(S300). 탑 실리콘층(16)을 패터닝하여 형성된 마스크 시트(22)는 절연층(14)에 의해 마스크 패턴이 막혀 있는데, 도 4의 (g)에 도시된 바와 같이, 마스크 프레임(24)을 레지스트로 하여 절연층(14)에 대한 에칭을 수행하여, 도 4의 (h)에 도시된 바와 같이, 마스크 시트(22)가 형성되는 탑 실리콘층(16)의 하면을 오픈할 수 있다.
다음에, 도 2의 (i)에 도시된 바와 같이, 마스크 시트(22)가 형성된 탑 실리콘층(16)의 표면에 자성체로 이루어진 마그넷 접착층(28)를 형성한다(S400). 마그넷 접착층(28)는 자성체로 이루어져 기판 상부에 위치하는 마그넷 플레이트(34)에 부착될 수 있다.
더미 영역(38)에 상응하여 마스크 프레임(24)을 형성하더라도 새도우 마스크(30)의 중앙부에서 처짐을 발생할 수 있기 때문에 마스크 프레임(24)에 의한 처짐에 대한 강성이 부족한 경우 본 단계에서와 같이, 탑 실리콘층(16)_ 마그넷 접착층(28)을 형성하고 얼라인 시 마그넷 플레이트(34)와 접착되면서 새도우 마스크(30)의 처짐을 줄일 수 있다.
자성체는, 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있는데, 본 실시예에 따른 마그넷 접착층(28)은 자성이 높은 니켈(Ni)-코발트(Co) 합금으로 형성될 수 있다. 이러한 마그넷 접착층(28)은 도 2의 (h) 단계 이후에 탑 실리콘층(16)의 상면에 스퍼터링 증착 방식으로 형성될 수 있다.
도 5는 본 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크(30)의 얼라인 방법을 설명하기 위한 도면이다. 물질 증착은 진공 챔버(미도시) 내에서 이루어지는데, 증착이 이루어지는 웨이퍼 기판(32)에 대해 하부에는 본 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크(30) 배치한다. 웨이퍼 기판(32) 상부에 마그넷 플레이트(34)를 배치한 상태에서 웨이퍼 기판(32)을 사이에 두고 마그넷 플레이트(34)를 하강하고 새도우 마스크(30)를 상승시키면 마그넷 플레이트(34)의 마그넷과 새도우 마스크(30)의 마그넷 접착층(28)이 자력에 의해 접착되면서 새도우 마스크(30)의 처짐이 방지된다.
본 실시예에 따른 새도우 마스크(30)는 복수의 마스크 시트(22) 사이의 더미 영역(38) 하부에 격자 상의 마스크 프레임(24)이 형성되어 새도우 마스크(30)의 처짐에 대한 강성을 증대시키고 더불어 마그넷 접착층(28)에 의해 마그넷 플레이트(34)에 부착됨에서 따라 처짐이 최소화되어 증착 공정에서 증착의 정밀도와 균일도를 높일 수 있다.
마그넷 플레이트(34)에는 자성체의 마그넷 접착층(28)이 부착될 수 있도록 판 상으로 자력을 발생시키는 마그넷이 부착되어 있으며, 마그넷 플레이트(34)가 하강하여 웨이퍼 기판(32)에 가까워짐에 따라 마그넷의 자력이 웨이퍼 기판(32)를 통과하여 새도우 마스크(30)의 마그넷 접착층(28)에 도달하여 웨이퍼 기판(32)을 사이에 두고 마그넷 플레이트(34)와 새도우 마스크(30)가 접착되면서 처짐이 방지된다.
웨이퍼 기판(32)과 본 실시예에 따른 새도우 마스크(30)가 접착되어 얼라인되면, 하부에 위치한 증발원(36)에부터 토출되는 증착입가 새도우 마스크(30)의 마스크 패턴을 통해 웨이퍼 기판(32)에 증착된다.
도 2 및 도 3에는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크(30)가 도시되어 있다.
본 실시예에 따른 새도우 마스크(30)는, 베이스층(12)과, 베이스층(12) 상부에 형성되는 절연층(14)과, 절연층(14) 상부에 형성되는 탑 실리콘층(16)으로 이루어진 웨이퍼 모듈(18)로 형성되는 새도우 마스크(30)로서, 탑 실리콘층(16)을 패터닝하여 더미 영역(38)으로 구획되는 복수의 마스크 시트(22)와; 베이스 실리콘을 패터닝하여 더미 영역(38)에 상응한 위치의 하부에 형성되는 마스크 프레임(24)과; 절연층(14)을 패터닝하여 마스크 시트(22)의 하면을 오픈하는 오픈 윈도우(26)를 포함한다.
웨이퍼 모듈(18)의 탑 실리콘층(16)은 고순도 실리콘층으로서 절연층(14)에 의해 베이스층(12)의 영향으로 제거하여 탑 실리콘층(16)의 가공, 효율 및 특성을 대폭 향상시킬 수 있다. 절연층(14)은 주로 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성될 수 있으며 베이스층(12)과 고순도 실리콘층인 탑 실리콘층(16)을 분리한다.
베이스층(12)을 실리콘으로 형성한 경우를 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼(32)라고 한다.
한편, 베이스층(12)이 광 투과성의 석영(quartz)을 포함하는 재질로 이루어질 수 있는데, 베이스층(12)을 광 투과성의 석영으로 구성된 경우 새도우 마스크(30) 하부에서 레이저광의 조사 등이 가능하다.
웨이퍼 모듈(18)의 탑 실리콘층(16)을 패터닝하여 더미 영역(38)으로 구획되는 실리콘 재질의 얇은 마스크 시트(22)가 복수 개로 형성되고, 웨이퍼 모듈(18)의 베이스층(12)을 패터닝하여 더미 영역(38)에 상응한 위치의 하부에 마스크 시트(22)를 지지하는 마스크 프레임(24)이 형성된다.
본 실시예에서는 더미 영역(38)에 상응한 위치에 따라 형성되는 격자 상의 마스크 프레임(24)과 함께 웨이퍼 모듈(18)의 외주를 따라 원형의 마스크 프레임(24)을 형성하여 처짐에 대한 강성을 증대시켰다.
탑 실리콘층(16)을 패터닝하여 형성되는 복수 개의 마스크 시트(22)는 절연층(14)에 의해 마스크 패턴이 막혀 있는데, 절연층(14)을 에칭하여 오픈 윈도우(26)(26)를 형성함으로써 각각의 마스크 시트(22)가 형성되는 탑 실리콘층(16)의 하면을 오픈한다.
마그넷 접착층(28)은, 마스크 시트(22)가 형성된 탑 실리콘층(16)의 상면에 자성체로 형성된다. 자성체는, 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있는데, 마그넷 접착층(28)은 자성체로 니켈(Ni)-코발트(Co) 합금을 스퍼터링 방식으로 증착하여 형성될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
12: 베이스층 14: 절연층
16: 탑 실리콘층 18: 웨이퍼 모듈
20, 23: 에칭 레지스트 22: 마스크 시트
24: 마스크 프레임 26: 오픈 윈도우
28: 마그넷 접착층 30: 새도우 마스크
32: 웨이퍼 기판 34: 마그넷 플레이트
36: 증발원 38: 더미 영역

Claims (11)

  1. 베이스층과, 상기 베이스층 상부에 형성되는 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성되는 탑 실리콘층으로 이루어진 웨이퍼 모듈을 이용하여 새도우 마스크를 제조하는 방법으로서,
    더미 영역으로 구획되어 복수의 마스크 시트가 형성되도록 상기 탑 실리콘층을 패터닝하는 단계와;
    상기 베이스층을 패터닝하여 상기 더미 영역에 상응한 위치의 하부에 상기 탑 실리콘층을 지지하는 마스크 프레임을 형성하는 단계와;
    상기 절연층을 패터닝하여 상기 마스크 시트가 형성되는 상기 탑 실리콘층의 하면을 오픈하는 단계를 포함하는, 새도우 마스크를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    복수의 상기 마스크 시트는 격자 상의 더미 영역에 의해 구획되며,
    상기 마스크 프레임을 형성하는 단계의 상기 마스크 프레임은, 상기 격자 상의 더미 영역에 상응하여 격자 상으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 시트가 형성된 상기 탑 실리콘층의 상면에 자성체로 이루어진 마그넷 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크를 제조하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 마그넷 접착층은, 스퍼터링 증착으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조하는 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 자성체는,
    니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 베이스층은,
    광 투과성의 석영(quartz)을 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
  7. 베이스층과, 상기 베이스층 상부에 형성되는 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성되는 탑 실리콘층으로 이루어진 웨이퍼 모듈로 형성되는 새도우 마스크로서,
    상기 탑 실리콘층을 패터닝하여 더미 영역으로 구획되는 복수의 마스크 시트와;
    상기 베이스 실리콘을 패터닝하여 상기 더미 영역에 상응한 위치의 하부에 형성되는 마스크 프레임과;
    상기 절연층을 패터닝하여 상기 마스크 시트의 하면을 오픈하는 오픈 윈도우를 포함하는, 새도우 마스크.
  8. 제7항에 있어서,
    복수의 상기 마스크 시트는 격자 상의 더미 영역으로 구획되며,
    상기 마스크 프레임은 상기 더미 영역에 상응하여 격자 상의 형성되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 마스크 시트가 형성된 상기 탑 실리콘층의 상면에 형성되며 자성체로 이루어진 마그넷 접착층을 더 포함하는, 새도우 마스크.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 베이스층은, 광 투과성의 석영(quartz)을 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 자성체는, 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크.
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