KR20230050711A - 새도우 마스크 제조 방법 - Google Patents
새도우 마스크 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230050711A KR20230050711A KR1020210133870A KR20210133870A KR20230050711A KR 20230050711 A KR20230050711 A KR 20230050711A KR 1020210133870 A KR1020210133870 A KR 1020210133870A KR 20210133870 A KR20210133870 A KR 20210133870A KR 20230050711 A KR20230050711 A KR 20230050711A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- sheet
- oxide film
- silicon oxide
- silicon
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 50
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 139
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Abstract
본 발명의 일 측면에 따르면, 베이스 기판과, 상기 베이스 기판의 표면에 적층되는 실리콘 산화막을 포함하며, 일면이 마크 형성 영역과 마스크 형성 영역으로 구획되는 웨이퍼 모듈을 준비하는 단계와; 상기 마크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막 상부에 광 반사성의 금속성 얼라인 마크를 형성하는 단계와; 상기 금속성 얼라인 마크가 커버되도록 상기 실리콘 산화막 표면에 마크 보호용 실리콘 절연막을 적층하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막이 노출되도록 상기 마크 보호용 실리콘 절연막을 식각하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막에 시트용 실리콘 질화막을 형성하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역의 상기 시트용 실리콘 질화막을 패터닝하여 마스크 시트를 형성하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역 하부의 상기 실리콘 산화막이 노출되도록 상기 웨이퍼 모듈 타면을 패터닝하여 마스크 프레임을 형성하는 단계와; 상기 마스크 시트 하부가 노출되도록 상기 실리콘 산화막을 식각하는 단계를 포함하는, 새도우 마스크 제조 방법이 제공된다.
Description
본 발명은 새도우 마스크 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 웨이퍼 모듈 가공 과정에서 금속성의 얼라인 마크의 손상을 방지할 수 있는 새도우 마스크 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광소자(Organic Luminescence Emitting Device: OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하는 스스로 빛을 내는 자발광소자로서, 비발광소자에 빛을 가하기 위한 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량이고 박형의 평판표시장치를 제조할 수 있다. 이러한 유기 전계 발광소자를 이용한 평판표시장치는 응답속도가 빠르며, 시야각이 넓어 차세대 표시장치로서 대두되고 있다.
유기 전계 발광 소자는, 애노드 및 캐소드 전극을 제외한 나머지 구성층인 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등이 유기 박막으로 되어 있고, 이러한 유기 박막은 진공열증착방법으로 기판 상에 증착하게 된다.
진공열증착법은 진공의 챔버 내에 기판을 배치하고, 일정 패턴이 형성된 새도우 마스크(shadow mask)를 기판에 정렬시킨 후, 증발원의 도가니를 가열하여 도가니에서 증발되는 증착입자를 기판 상에 증착하는 방식으로 이루어진다.
최근 OLED 디스플레이가 고 해상도로 발전하면서 이를 구현하기 위한 새도우 마스크의 마스크 패턴도 마이크로미터 단위의 초소형으로 가공해야 하는 경우가 있다. 최근에는 실리콘 웨이퍼에 대해 반도체 공정을 통해 미세 패턴을 형성하여 실리콘으로 이루어진 새도우 마스크를 제조하는 연구가 진행되고 있다.
그런데, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 마스크를 제조하는 과정에서 마스크에 얼라인 마크를 형성하여야 하는데, 실리콘 웨이퍼를 가공하여 마스크를 형성하는 과정에서 실리콘 웨이퍼에 형성된 얼라인 마크의 손상이 발생할 수 있어 이를 방지할 수 있는 기술 개발이 필요하다.
그리고, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 마이크로미터 단위의 마스크 패턴을 초소형으로 가공하는 과정에서 실리콘 웨이퍼의 내부응력로 인해 마스크 시트의 우그러짐 또는 찢어짐 등의 변형이 발생하여 마스크 패턴의 제조하는 것이 어려운 경우가 있는데 이를 방지할 수 있는 기술 개발이 필요하다.
본 발명은 웨이퍼 모듈 가공 과정에서 금속성의 얼라인 마크의 손상을 방지할 수 있는 새도우 마스크 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 베이스 기판과, 베이스 기판의 표면에 적층되는 실리콘 산화막을 구비한 웨이퍼 모듈을 이용하여 마스크 시트를 가공하는 과정에서 마스크 시트의 변형을 최소화할 수 있는, 새도우 마스크 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 베이스 기판과, 상기 베이스 기판의 표면에 적층되는 실리콘 산화막을 포함하며, 일면이 마크 형성 영역과 마스크 형성 영역으로 구획되는 웨이퍼 모듈을 준비하는 단계와; 상기 마크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막 상부에 광 반사성의 금속성 얼라인 마크를 형성하는 단계와; 상기 금속성 얼라인 마크가 커버되도록 상기 실리콘 산화막 표면에 마크 보호용 실리콘 절연막을 적층하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막이 노출되도록 상기 마크 보호용 실리콘 절연막을 식각하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막에 시트용 실리콘 질화막을 형성하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역의 상기 시트용 실리콘 질화막을 패터닝하여 마스크 시트를 형성하는 단계와; 상기 마스크 형성 영역 하부의 상기 실리콘 산화막이 노출되도록 상기 웨이퍼 모듈 타면을 패터닝하여 마스크 프레임을 형성하는 단계와; 상기 마스크 시트 하부가 노출되도록 상기 실리콘 산화막을 식각하는 단계를 포함하는, 새도우 마스크 제조 방법이 제공된다.
상기 새도우 마스크 제조 방법은, 상기 마스크 시트의 표면에 자성체로 이루어진 마그넷 접착층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속성 얼라인 마크는, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr) 중 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
상기 금속성 얼라인 마크는 스퍼터링 방식으로 형성될 수 있다.
상기 시트용 실리콘 질화막은, 인장응력이 유도되도록 상기 실리콘 산화막의 표면에 적층될 수 있다.
상기 시트용 실리콘 질화막은, 낮은 인장응력이 형성되도록 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)으로 형성될 수 있다.
상기 실리콘 산화막에는 압축응력이 유도될 수 있으며, 이 경우, 상기 실리콘 산화막의 압축응력과 상기 시트용 실리콘 질화막의 인장응력이 서로 상쇄될 수 있다.
상기 마크 보호용 실리콘 절연막은, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)으로 형성될 수 있다.
상기 마스크 시트를 형성하는 단계는, 상기 시트용 실리콘 질화막에 에칭 레지스터를 패터닝하는 단계와; 상기 에칭 레지스터에 의해 노출된 상기 시트용 실리콘 질화막을 RIE(Reactive-Ion Etching)로 건식 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 실리콘 산화막은 상기 베이스 기판의 양면에 형성되고, 상기 시트용 실리콘 질화막은 상기 실리콘 산화막의 양면에 형성될 수 있으며, 이 경우, 상기 마스크 프레임을 형성하는 단계는, 상기 웨이퍼 모듈 타면에 에칭 레지스터를 패터닝하는 단계와; 상기 에칭 레지스터에 의해 노출되는 상기 시트용 실리콘 질화막 및 상기 실리콘 산화막을 RIE(Reactive-Ion Etching)로 건식 식각하는 단계와; 상기 베이스 기판을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판은, 실리콘 기판, 유리 기판 및 수정 기판 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼 모듈 가공 과정에서 금속성의 얼라인 마크의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 베이스 기판과, 베이스 기판의 표면에 적층되는 실리콘 산화막을 구비한 웨이퍼 모듈을 이용하여 마스크 시트를 가공하는 과정에서 마스크 시트의 변형을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 평면도.
도 3은 도 2의 A-A'에 따른 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 흐름도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 얼라인 방법을 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 평면도.
도 3은 도 2의 A-A'에 따른 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 흐름도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 얼라인 방법을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 본 발명에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 순서도이다. 그리고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 평면도이며, 도 3은 도 2의 A-A'에 따른 단면도이다. 그리고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 흐름도이다. 그리고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크의 얼라인 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 5에는, 새도우 마스크(10), 베이스 기판(12), 실리콘 산화막(14), 웨이퍼 모듈(16), 마스크 형성 영역(17), 얼라인 마크(18), 마크 형성 영역(19), 마크 보호용 실리콘 절연막(20), 에칭 레지스터(21, 23, 25), 시트용 실리콘 질화막(22), 마스크 시트(24), 마스크 프레임(26), 마그넷 접착층(28), 더미 영역(29), 증발원(30), 웨이퍼 기판(32), 마그넷 플레이트(34)가 도시되어 있다.
본 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법은, 베이스 기판(12)과, 베이스 기판(12)의 표면에 적층되는 실리콘 산화막(14)을 포함하며, 일면이 마크 형성 영역(19)과 마스크 형성 영역(17)으로 구획되는 웨이퍼 모듈(16)을 준비하는 단계와; 마크 형성 영역(19)의 실리콘 산화막(14) 상부에 광 반사성의 금속성 얼라인 마크(18)를 형성하는 단계와; 금속성 얼라인 마크(18)가 커버되도록 실리콘 산화막(14) 표면에 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 적층하는 단계와; 마스크 형성 영역(17)의 실리콘 산화막(14)이 노출되도록 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 식각하는 단계와; 마스크 형성 영역(17)의 실리콘 산화막(14)에 시트용 실리콘 질화막(22)을 형성하는 단계와; 마스크 형성 영역(17)의 시트용 실리콘 질화막(22)을 패터닝하여 마스크 시트(24)를 형성하는 단계와; 마스크 형성 영역(17) 하부의 실리콘 산화막(14)이 노출되도록 웨이퍼 모듈(16) 타면 방향으로 패터닝하여 마스크 프레임(26)을 형성하는 단계와; 마스크 시트(24) 하부가 노출되도록 실리콘 산화막(14)을 식각하는 단계를 포함한다.
웨이퍼 모듈(16)은, 베이스 기판(12)과, 베이스 기판(12)의 표면에 적층되는 실리콘 산화막(14)을 포함한다.
베이스 기판(12)은 웨이퍼 모듈(16)의 바디를 형성하는 기판으로서, 실리콘, 유리, 석영 등으로 제작될 수 있는데, 본 실시예에서는 베이스 기판(12)으로 고순도 실리콘으로 이루어진 실리콘 기판이 사용되었다. 베이스 기판(12)은, 마스크 가공 완료 후에는 마스크 시트(24)를 지지하는 마스크 프레임(26)의 뼈대를 형성하게 된다.
한편, 베이스 기판(12)으로 광 투과성의 유리 기판, 석영(quartz) 기판을 사용할 수 있는데, 베이스 기판(12)을 광 투과성의 유리 기판, 석영 기판으로 구성된 경우 새도우 마스크(10) 하부에서 레이저광의 조사 등이 가능하다.
실리콘 산화막(14)은 베이스 기판(12)의 표면에 적층된다. 실리콘 웨이퍼 기술에 있어서 실리콘 산화막은 전자 이동을 막는 절연막으로서, 실리콘 기판에 형성된다. 이러한 실리콘 산화막(14)은 베이스 기판(12)에 비해 상당히 얇게 형성되는데, 본 발명에서는 마스크 시트(24)를 구성하는 시트용 실리콘 질화막(22)과 베이스 기판(12) 사이에 개재되어 식각 공정 등에서 베이스 기판(12)의 영향을 제거하여 시트용 실리콘 질화막(22)의 가공, 효율 및 특성을 향상시킨다.
그리고, 마스크 시트(24)를 구성하는 시트용 실리콘 질화막(22)과의 응력 상쇄를 통해 가공 후 마스크 시트(24)가 팽팽하게 유지되면서 변형이 최소화되도록 한다. 이에 대해서 아래에서 자세히 설명하기로 한다.
본 실시예에서는, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 베이스 기판(12)을 중심으로 양면에 실리콘 산화막(14)이 각각 형성된 형태의 웨이퍼 모듈(16)을 제시하고 있으나, 베이스 기판의 일면에만 실리콘 산화막을 형성한 형태의 웨이퍼 모듈을 사용하는 것도 가능한다. 웨이퍼 모듈(16)은 실리콘 웨이퍼 기판(32)을 다루는 전문적인 업체에서 모듈 형태로 납품받아 사용할 수 있다.
이하에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 고순도 실리콘으로 이루어진 실리콘 기판의 양면에 실리콘 산화막(14)이 적층된 웨이퍼 모듈(16)을 중심으로 새도우 마스크 제조 방법을 설명하기로 한다.
본 실시예의 경우, 웨이퍼 모듈(16) 한 판에 다수의 마스크 시트(24)를 형성한 형태로서, 도 2를 참조하면, 총 9개의 마스크 시트(24)가 더미 영역(29)(dummy area)에 의해 분할되며, 각 마스크 시트(24)에는 본 실시예의 방법에 따라 초미세의 마스크 패턴이 형성된다.
더미 영역(29)은, 마스크 형성 영역(17)에서 마스크 시트(24)가 형성되지 않은 영역으로서 도 2에 도시된 바와 같이, 각 마스크 시트(24) 사이에 격자상으로 형성될 수 있다.
그리고, 웨이퍼 모듈(16)의 외주를 따라 얼라인 마크(18)가 형성되는데, 상술한 바와 같이, 마스크 시트(24)가 형성되는 영역을 마스크 형성 영역(17), 얼라인 마크(18)가 형성되는 영역을 마크 형성 영역(19)이라 한다.
본 실시예에서는 웨이퍼 모듈(16) 일면의 외주를 따라 마크 형성 영역(19)을 구획하고, 마크 형성 영역(19) 내부에 마스크 형성 영역(17)을 구획한 형태를 제시한다. 마크 형성 영역(19)과 마스크 형성 영역(17)은 마스크 시트(24) 크기, 개수 등에 따라 다르게 구획될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는, 마스크 시트(24) 하면의 더미 영역(29)에도 마스크 프레임(26)을 형성하여 처짐을 방지하도록 하였다.
이하 도 4를 참고하여 본 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법을 설명하기로 한다. 도 4는 본 실시예에 따른 새도우 마스크 제조 방법의 흐름도로서, 웨이퍼 모듈(16)을 이용하여 도 2 및 도 3에 도시된 새도우 마스크의 형성 방법을 공정 중심으로 간략히 도시한 도면으로서, 이하에서는 도 4를 참조하여, 새도우 마스크(10)의 형성 공정을 중심으로 설명하기로 한다.
먼저, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(12)과, 베이스 기판(12)의 표면에 적층되는 실리콘 산화막(14)을 포함하며, 일면이 마크 형성 영역(19)과 마스크 형성 영역(17)으로 구획되는 웨이퍼 모듈(16)을 준비한다(S100).
도 2를 참조하면, 하나의 웨이퍼 모듈(16)에는, 복수 개의 마스크 시트(24)가 형성될 수 있으며, 각 마스크 시트(24)의 내부에는 미세한 마스크 패턴이 형성된다. 그리고, 웨이퍼 모듈(16)의 외주를 따라 얼라인 마크(18)가 형성되는데, 설명의 편의를 위해 얼라인 마크(18)가 형성되는 웨이퍼 모듈(16)의 외주 부분을 마크 형성 영역(19)이라 하며, 마크 형성 영역(19) 내부의 마스크 시트(24)가 형성되는 영역을 마스크 형성 영역(17)이라 한다. 한편, 더미 영역(29)은 마스크 형성 영역(17) 중 마스크 시트(24)가 형성되지 않은 영역으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 각 마스크 시트(24) 사이에 격자상으로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 단계에서는 베이스 기판(12)으로 고순도 실리콘으로 이루어진 실리콘 기판을 사용하고, 그 표면에 실리콘 산화막(14)을 적층한 웨이퍼 모듈(16)을 준비한다.
실리콘 산화막(14)은 실리콘을 열산화하는 방식 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 방식으로 얻을 수 있는데, 베이스 기판(12)을 실리콘 기판으로 사용하는 경우 실리콘 기판을 열산화하여 베이스 기판(12)의 표면에 실리콘 산화막(14)을 형성할 수 있다. 연구에 따르면 실리콘 산화막(14)을 형성하는 과정에서 내부에 압축응력을 유도할 수 있으며 실리콘 산화막(14)의 형성 조건을 제어하여 압축응력의 크기를 어느 정도 제어할 수 있다고 알려져 있다. 실리콘 산화막(14)은 열산화 시간에 따라서 그 두께가 조절될 수 있다.
본 실시예에서는 압축응력이 유도되도록 베이스 기판(12)의 표면에 실리콘 산화막(14)이 증착된다.
다음에, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 마크 형성 영역(19)의 실리콘 산화막 상부에 광 반사성의 금속성 얼라인 마크(18)를 형성한다(S200).
본 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크(10)를 웨이퍼 기판(32)에 얼라인하여 증착 공정을 수행하기 위해서는 미리 새도우 마스크(10)에 얼라인 마크(18)를 형성해 두어야 한다.
본 실시예에 따라 제조되는 새도우 마스크(10)의 경우, 마스크 시트(24)나 마스크 프레임(26) 등의 가공을 위해 웨이퍼 모듈(16)에 대해 건식 식각 또는 습식 식각을 진행하게 되는데, 이 과정에서 미리 형성된 얼라인 마크(18)에 손상이 발생할 수 있고 이에 따라 얼라인 마크(18)를 식각 등으로 보호하기 위해 얼라인 마크(18)를 커버하는 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 형성할 필요가 있다. 따라서, 얼라인 마크(18)는 마크 보호용 실리콘 절연막(20) 내부에 매립되면서 외부에서는 쉽지 인지하기 어려울 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 광 반사성의 금속성 얼라인 마크(18)를 매립하여 광 조사에 따라 얼라인 마크(18)를 인지할 수 있도록 구성하였다.
금속성 얼라인 마크(18)는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr) 중 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 금속성 얼라인 마크(18)는 스퍼터링 방식으로 마크 형성 영역(19)의 실리콘 산화막(14) 상부에 형성될 수 있다.
다음에, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 금속성 얼라인 마크(18)가 커버되도록 실리콘 산화막(14) 표면에 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 적층한다(S300).
실리콘 웨이퍼 기술에 있어서 절연막은 전자 이동을 막는 막으로서, 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 등의 실리콘 절연막을 마크 보호용 실리콘 절연막으로 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 마스크 시트(24), 마스크 프레임(26) 등의 형성 과정에서 재료에 대한 식각을 진행하게 되는데, 금속성의 얼라인 마크(18)가 식각에 의해 손상될 수 있어 이를 보호하기 위해 실리콘 산화막(14) 상부에 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 형성하는 것이다.
본 과정에 있어 마크 보호용 실리콘 절연막(20)은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)으로 실리콘 산화막(14) 상에 적층될 수 있다. 마크 보호용 실리콘 절연막(20)은 내부응력의 제어를 크게 필요로 하지 않으므로 통상의 플라즈마 강화 화학 기상 증착 방식으로 증착이 이루어진다.
본 실시예에 있어서는, 마크 보호용 실리콘 절연막(20)으로서 마스크 시트(24)를 형성하는 실리콘 질화막(16)과 동일한 재질의 마크 보호용 실리콘 질화막을 사용하였다.
다음에, 도 4의 (d)와 (e)에 도시된 바와 같이, 마스크 형성 영역(17)의 실리콘 산화막(14)이 노출되도록 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 식각한다(S400).
본 실시예의 경우 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 금속성의 얼라인 마크(18)를 보호용으로 사용하고, 마스크 시트(24)는 인장응력이 유도되는 시트용 실리콘 질화막(22)을 사용하는 형태로서, 마스크 형성 영역(17)의 실리콘 산화막(14)이 노출되도록 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 식각하여 제거한다.
도 4의 (d)에 도시된 바와 같이 식각이 되지 않아야 하는 마크 형성 영역(19)에 에칭 레지스터(21)를 형성한 후, 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이 식각을 수행하여 마스크 형성 영역(17)의 마크 보호용 실리콘 절연막(20)을 식각하여 실리콘 산화막(14)을 노출시킨다. 식각 후에는 에칭 레지스터(21)를 제거한다.
다음에, 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 마스크 형성 영역(17)의 실리콘 산화막(14)에 시트용 실리콘 질화막(22)을 형성한다(S500).
실리콘 산화막(14)이 노출된 마스크 형성 영역(17)에 시트용 실리콘 질화막(22)을 증착한다. 전 단계에서 형성된 에칭 레지스터(21)를 사용하여 시트용 실리콘 산화막(14)이 노출된 마스크 형성 영역(17)에 실리콘 질화막(16)을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 시트용 실리콘 질화막(22)의 형성 공정을 용이하게 위해 웨이퍼 모듈(16)의 양면에 대해 시트용 실리콘 질화막(22)을 형성하는 형태를 제시하였으나, 웨이퍼 모듈(16)의 하면에 증착 레지스터를 형성하여 노출된 마스크 형성 영역(17)에만 시트용 실리콘 질화막(22)을 형성하는 것도 가능하다.
한편, 본 단계의 시트용 실리콘 질화막(22)은 인장응력이 유도되도록 베이스 기판(12)의 표면에 적층될 수 있다. 시트용 실리콘 질화막(22)의 내부응력이 인장응력을 갖는 경우 마스크 시트(24)의 제조 과정에서 시트용 실리콘 질화막(22)에 유도된 인장응력에 의해 마스크 시트(24)가 팽팽하게 유지되면서 변형이 최소화될 수 있다.
시트용 실리콘 질화막(22)은 낮은 인장응력이 형성되도록 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)으로 형성될 수 있는데, 저압 화학 기상 증착 방식으로 매우 낮은 증착율로 베이스 기판(12)의 표면에 차례로 증착되기 때문에 낮은 인장응력을 유도할 수 있다. 그리고, 실리콘 질화막의 증착 시간을 조절함으로써 시트용 실리콘 질화막(22)의 두께를 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이, 실리콘 산화막(14)에 압축응력을 유도하고 시트용 실리콘 질화막(22)에 인장응력을 유도하는 경우, 시트용 실리콘 질화막(22)을 마스크 시트(24)로 가공하는 과정에서 실리콘 산화막(14)의 압축응력이 시트용 실리콘 질화막(22)의 인장응력을 상쇄하게 되어, 시트용 실리콘 질화막(22)으로 형성되는 마스크 시트(24)가 찢어짐이나 구겨짐 없이 팽팽하게 유지될 수 있다.
다음에, 도 4의 (g) 내지 (h)에 도시된 바와 같이, 마스크 형성 영역(17)의 시트용 실리콘 질화막(22)을 패터닝하여 마스크 시트(24)를 형성한다(S600).
마스크 형성 영역(17)의 시트용 실리콘 질화막(22)의 일부를 식각하여 마스크 패턴이 형성된 마스크 시트(24)를 형성하는데, 도 4의 (g)에 도시된 바와 같이, 식각이 되지 않아야 하는 영역에 에칭 레지스터(23)를 패터닝한 후 시트용 실리콘 질화막(22)에 대한 식각을 수행하며 에칭 레지스터(23)가 형성된 영역 이외의 영역을 식각하여 마스크 시트(24)를 형성한다.
본 실시예에서는 미세 패턴 형성이 가능한 건식 식각으로 마스크 패턴을 형성하게 되는데, 도 4의 (g)에 도시된 바와 같이, 시트용 실리콘 질화막(22)에 전자빔 리소그래피(E-beam Lithograpy)나 포토 리소그래피(Photolithograpy) 등으로 에칭 레지스터(23)를 패터닝하고, 도 4의 (h)에 도시된 바와 같이 에칭 레지스터(23)에 의해 노출된 시트용 실리콘 질화막(22)을 RIE(Reactive-Ion Etching)로 건식 식각하여 마스크 패턴이 형성된 마스크 시트(24)를 형성한다. 전자빔 리소그래피법에 따르면 노광을 위한 마스크가 필요 없이 전자빔을 선택적으로 조사하여 미세한 에칭 레지스터(23)의 패터닝이 가능하다.
에칭 레지스터(23)의 패터닝 후에는 RIE 식각을 진행하는데, RIE 식각은 가스를 플라즈마 상태로 만들고 상하부 전극을 이용해 플라즈마 사태의 가스를 실리콘 질화막에 충돌시켜 식각하는 건식 식각 방법으로 식각 균일도가 높다.
시트용 실리콘 질화막(14)에 대한 식각 공정이 완료되면, 도 4의 (i)에 도시된 바와 같이, 에칭 레지스터(23)를 제거한다. 에칭 레지스터(23)의 제거는 본 단계에서 수행되거나 베이스 기판(12)에 대한 패터닝 공정 이후에 수행될 수 있다.
다음에, 도 4의 (i) 내지 (j)에 도시된 바와 같이, 마스크 형성 영역(17) 하부의 실리콘 산화막(14)이 노출되도록 웨이퍼 모듈(16) 타면을 패터닝하여 마스크 프레임(26)을 형성한다(S700).
마스크 프레임(26)은 시트용 실리콘 질화막(22)으로 형성된 얇은 박판 형태의 마스크 시트(24)를 지지하기 위한 것으로서, 마스크 형성 영역(17)의 마스크 시트(24) 하부의 시트용 실리콘 질화막(22), 실리콘 산화막(14), 베이스 기판(12)을 순차적으로 제거하여 형성한다.
위의 시트용 실리콘 질화막(22)의 패터닝 방법과 마찬가지로, 도 4의 (i)에 도시된 바와 같이, 마스크 프레임(26)의 형성 영역에 에칭 레지스터(25)를 형성하고, 도 4의 (j)에 도시된 바와 같이, 하부의 시트용 실리콘 질화막(22) 및 실리콘 산화막(14), 베이스 기판(12)을 순차적으로 식각하여 마스크 프레임(26)을 형성한다.
본 과정을 보다 자세히 살펴보면, 웨이퍼 모듈(16) 타면에 에칭 레지스터(25)를 패터닝하는 단계와; 에칭 레지스터(25)에 의해 노출되는 시트용 실리콘 질화막(22) 및 실리콘 산화막(14)을 RIE(Reactive-Ion Etching)로 건식 식각하는 단계와; 베이스 기판(12)을 식각하는 단계를 포함한다.
마스크 프레임(26)의 형성 영역에, 도 4의 (i)에 도시된 바와 같이, 에칭 레지스터(25)를 형성하고 RIE 건식 식각으로 웨이퍼 모듈(16) 하면의 시트용 실리콘 질화막(22)과 실리콘 산화막(14)을 순차적으로 식각하고, 다음에, 습식 식각이나 건식 식각을 수행하여 베이스 기판(12)을 이루는 실리콘 기판을 식각한다.
본 단계에 있어서, 마스크 시트(24)의 하부의 베이스 기판(12)을 이루는 실리콘 기판이 식각 됨에 따라 마스크 시트(24)에는 내부응력에 의해 찢어짐이나 구겨짐이 발생할 수 있는데, 마스크 시트(24)를 구성하는 시트용 실리콘 질화막(22)의 인장응력에 대해 잔류한 실리콘 산화막(14)의 압축응력이 상쇄 작용을 하면서 마스크 시트(24)의 변형이 최소화될 수 있다.
다음에, 도 4의 (k)에 도시된 바와 같이, 마스크 시트(24) 하부가 노출되도록 실리콘 산화막(14)을 식각한다(S800). 상부의 시트용 실리콘 질화막(22)을 패터닝하여 형성된 마스크 시트(24)는 그 하부에 위치한 실리콘 산화막(14)에 의해 마스크 패턴이 막혀 있는데, 도 4의 (j)에 도시된 바와 같이, 에칭 레지스터(25) 또는 마스크 프레임(26)을 레지스터로 하여 실리콘 산화막(14)에 대한 식각을 수행하여 마스크 시트(24)가 형성되는 시트용 실리콘 질화막(14)의 하면을 오픈한다.
상술한 바와 같이, 실리콘 산화막(14)의 일부가 오픈 되면서 시트용 실리콘 질화막(14)에 미세한 인장응력이 유지되어 마스크 시트(24)가 팽팽하게 유지할 수 있다. 실리콘 산화막(14)에 대한 식각이 완료되면 기 설치된 에칭 레지스터(25)를 제거한다.
다음에, 도 4의 (k)에 도시된 바와 같이, 마스크 시트(24) 표면에 자성체로 이루어진 마그넷 접착층(28)을 형성한다(S900). 마그넷 접착층(28)은 자성체로 이루어져 기판 상부에 위치하는 마그넷 플레이트(34)에 부착될 수 있다.
마그넷 접착층(28)은 도 4의 (k)에 도시된 바와 같이, 마스크 시트(24)가 형성된 시트용 실리콘 질화막(22) 상면에 형성되거나, 시트용 실리콘 질화막(22)의 오픈된 하면에 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 마스크 시트(24)가 형성된 시트용 실리콘 질화막(22)의 상면에 자성체로 마그넷 접착층(28)을 형성한 형태를 제시한다.
자성체는, 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있는데, 본 실시예에 따른 마그넷 접착층(28)은 자성이 높은 니켈(Ni)-코발트(Co) 합금으로 형성되거나 자성체가 함유된 폴리머로 형성될 수 있다. 금속성의 마그넷 접착층(28)은 도 4의 (j) 단계 이후에 마스크 시트(24)의 상면에 스퍼터링 증착 방식으로 형성될 수 있다.
도 5은 본 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크(10)의 얼라인 방법을 설명하기 위한 도면이다. 물질 증착은 진공 챔버 내에서 이루어지는데, 증착이 이루어지는 웨이퍼 기판(32)에 대해 하부에는 본 실시예에 따라 제조된 새도우 마스크(10) 배치하고, 웨이퍼 기판(32) 상부에는 마그넷 플레이트(34)를 배치한 상태에서 웨이퍼 기판(32)을 사이에 두고 마그넷 플레이트(34)를 하강하고 새도우 마스크(10)를 상승시키면 마그넷 플레이트(34)의 마그넷과 새도우 마스크(10)의 마그넷 접착층(28)이 자력에 의해 접착되면서 새도우 마스크(10)의 처짐을 방지하게 된다.
마그넷 플레이트(34)에는 자성체의 마그넷 접착층(28)이 부착될 수 있도록 판 상으로 자력을 발생시키는 마그넷이 부착되어 있으며, 마그넷 플레이트(34)가 하강하여 웨이퍼 기판(32)에 가까워짐에 따라 마그넷의 자력이 마스크의 마그넷 접착층(28)에 도달하여 웨이퍼 기판(32)을 사이에 두고 마그넷 플레이트(34)와 새도우 마스크(10)가 접착되면서 합착이 이루어진다.
웨이퍼 기판(32)과 본 실시예에 따른 새도우 마스크(10)가 접착되어 얼라인되면, 하부에 위치한 증발원(30)에서 토출되는 증착입자가 새도우 마스크(10)의 마스크 패턴을 통해 웨이퍼 기판(32)에 증착된다.
상기에서는 본 발명의 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
10: 새도우 마스크 12: 베이스 기판
14: 실리콘 산화막 16: 웨이퍼 모듈
17: 마스크 형성 영역 18: 얼라인 마크
19: 마크 형성 영역 20: 마크 보호용 실리콘 절연막
21, 23, 25: 에칭 레지스터 22: 시트용 실리콘 질화막
24: 마스크 시트 26: 마스크 프레임
28: 마그넷 접착층 29: 더미 영역
30: 증발원 32: 웨이퍼 기판
34: 마그넷 플레이트
14: 실리콘 산화막 16: 웨이퍼 모듈
17: 마스크 형성 영역 18: 얼라인 마크
19: 마크 형성 영역 20: 마크 보호용 실리콘 절연막
21, 23, 25: 에칭 레지스터 22: 시트용 실리콘 질화막
24: 마스크 시트 26: 마스크 프레임
28: 마그넷 접착층 29: 더미 영역
30: 증발원 32: 웨이퍼 기판
34: 마그넷 플레이트
Claims (11)
- 베이스 기판과, 상기 베이스 기판의 표면에 적층되는 실리콘 산화막을 포함하며, 일면이 마크 형성 영역과 마스크 형성 영역으로 구획되는 웨이퍼 모듈을 준비하는 단계와;
상기 마크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막 상부에 광 반사성의 금속성 얼라인 마크를 형성하는 단계와;
상기 금속성 얼라인 마크가 커버되도록 상기 실리콘 산화막 표면에 마크 보호용 실리콘 절연막을 적층하는 단계와;
상기 마스크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막이 노출되도록 상기 마크 보호용 실리콘 절연막을 식각하는 단계와;
상기 마스크 형성 영역의 상기 실리콘 산화막에 시트용 실리콘 질화막을 형성하는 단계와;
상기 마스크 형성 영역의 상기 시트용 실리콘 질화막을 패터닝하여 마스크 시트를 형성하는 단계와;
상기 마스크 형성 영역 하부의 상기 실리콘 산화막이 노출되도록 상기 웨이퍼 모듈 타면을 패터닝하여 마스크 프레임을 형성하는 단계와;
상기 마스크 시트 하부가 노출되도록 상기 실리콘 산화막을 식각하는 단계를 포함하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 마스크 시트의 표면에 자성체로 이루어진 마그넷 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr) 중 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제3항에 있어서,
상기 금속성 얼라인 마크는 스퍼터링 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 시트용 실리콘 질화막은,
인장응력이 유도되도록 상기 실리콘 산화막의 표면에 적층되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 시트용 실리콘 질화막은,
낮은 인장응력이 형성되도록 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 실리콘 산화막에는 압축응력이 유도되며,
상기 실리콘 산화막의 압축응력과 상기 시트용 실리콘 질화막의 인장응력이 서로 상쇄되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 마크 보호용 실리콘 절연막은,
플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 마스크 시트를 형성하는 단계는,
상기 시트용 실리콘 질화막에 에칭 레지스터를 패터닝하는 단계와;
상기 에칭 레지스터에 의해 노출된 상기 시트용 실리콘 질화막을 RIE(Reactive-Ion Etching)로 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 실리콘 산화막은 상기 베이스 기판의 양면에 형성되고, 상기 시트용 실리콘 질화막은 상기 실리콘 산화막의 양면에 형성되며,
상기 마스크 프레임을 형성하는 단계는,
상기 웨이퍼 모듈 타면에 에칭 레지스터를 패터닝하는 단계와;
상기 에칭 레지스터에 의해 노출되는 상기 시트용 실리콘 질화막 및 상기 실리콘 산화막을 RIE(Reactive-Ion Etching)로 건식 식각하는 단계와;
상기 베이스 기판을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
- 제1에 있어서,
상기 베이스 기판은,
실리콘 기판, 유리 기판 및 수정 기판 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 새도우 마스크 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210133870A KR20230050711A (ko) | 2021-10-08 | 2021-10-08 | 새도우 마스크 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210133870A KR20230050711A (ko) | 2021-10-08 | 2021-10-08 | 새도우 마스크 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230050711A true KR20230050711A (ko) | 2023-04-17 |
Family
ID=86128082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210133870A KR20230050711A (ko) | 2021-10-08 | 2021-10-08 | 새도우 마스크 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230050711A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040070526A (ko) | 2003-02-04 | 2004-08-11 | 주식회사 엘리아테크 | 웨이퍼를 이용한 새도우 마스크, 그 제조방법 및 그를이용한 풀칼라 유기ｅｌ 소자의 제조방법 |
-
2021
- 2021-10-08 KR KR1020210133870A patent/KR20230050711A/ko unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040070526A (ko) | 2003-02-04 | 2004-08-11 | 주식회사 엘리아테크 | 웨이퍼를 이용한 새도우 마스크, 그 제조방법 및 그를이용한 풀칼라 유기ｅｌ 소자의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7915073B2 (en) | Method of manufacturing the organic electroluminescent display and organic electroluminescent display manufactured by the method | |
| KR100787457B1 (ko) | 기판 정렬 장치 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치용제조 장치 | |
| US7268406B2 (en) | Mask, mask chip, manufacturing method of mask, manufacturing method of mask chip, and electronic device | |
| US20130133573A1 (en) | Mask for Deposition and Manufacturing Method of the Same | |
| JP7097821B2 (ja) | シャドーマスク堆積システム及びその方法 | |
| JP2005519187A (ja) | 回路製作用アパーチャマスク | |
| KR100683336B1 (ko) | 마스크, 마스크의 제조 방법, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법및 유기 ｅｌ 장치 | |
| CN100459222C (zh) | 掩模及其制法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制法 | |
| JP2008156686A (ja) | マスクおよびマスク蒸着装置 | |
| US10636969B2 (en) | Apparatus and method of directly patterning high resolution active matrix organic light emitting diodes using high-resolution shadow mask | |
| KR20170056079A (ko) | 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 | |
| WO2021018777A1 (en) | Pellicle membrane | |
| KR20170066766A (ko) | 마스크 조립체의 제조방법 및 표시 장치의 제조방법 | |
| JP2008196002A (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 | |
| US7387739B2 (en) | Mask and method of manufacturing the same, electroluminescent device and method of manufacturing the same, and electronic instrument | |
| KR102388719B1 (ko) | 박막 증착용 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 | |
| KR20230050711A (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 | |
| KR20230050710A (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 | |
| KR20230050708A (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 | |
| KR20230050709A (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 | |
| JP2013084373A (ja) | マスク | |
| JP2001295027A (ja) | 蒸着源、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
| KR100671975B1 (ko) | 대면적의 유기전계발광소자 제조용 섀도우 마스크 및 그제조방법 | |
| JP2006228540A (ja) | マスク及びマスクの製造方法、並びに有機ｅｌ装置の製造方法 | |
| KR20210083699A (ko) | 새도우 마스크 제조 방법 및 새도우 마스크 |