JP5953566B2 - 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5953566B2 JP5953566B2 JP2011232538A JP2011232538A JP5953566B2 JP 5953566 B2 JP5953566 B2 JP 5953566B2 JP 2011232538 A JP2011232538 A JP 2011232538A JP 2011232538 A JP2011232538 A JP 2011232538A JP 5953566 B2 JP5953566 B2 JP 5953566B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- pattern
- thin film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 168
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 160
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 124
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 101000574352 Mus musculus Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
さらに好ましくは、前記フィルムの一面に感光性材料を塗布する前に、前記フィルムの一面に金属膜を被着させ、前記開口部を形成した後に、該開口部内の前記金属膜をエッチングして除去するのが望ましい。
先ず、図3(a)に示すように、平坦面を有する図示省略のステージ上に例えば静電吸着して保持された可視光を透過する厚みが10μm〜30μm程度の、例えばポリイミドのフィルム2の一面2aに、同図(b)に示すようにスパッタリング等の公知の成膜技術により50nm程度の厚みの例えばニッケル(Ni)等からなる磁性体膜の下地層13を被着する。この場合、下地層13は、磁性体膜に限られず、良電導体の非磁性金属膜であってもよい。
最初に、図6及び図7を参照してTFT基板18上に正孔注入層、正孔輸送層、R発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してR有機EL層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図6(a)に示すように、第1の磁気チャック6に吸着して保持されたマスク4を第2の磁気チャック10上に載置されたTFT基板18の上方に位置付け、同図(b)に示すように、マスク側アライメントマーク8とR用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク4とTFT基板18とを位置合わせした後、TFT基板18上にフィルム2を密着させる。これにより、マスク4の開口パターン3がTFT基板18のR対応アノード電極19R上に位置付けられることになる。
2…フィルム
3…開口パターン
4…マスク
6…第1の磁気チャック(保持手段)
6a…第1の磁気チャックの吸着面
7…開口部
8…マスク側アライメントマーク
9…基板
10…第2の磁気チャック(磁気チャック)
10a…第2の磁気チャックの吸着面
11…薄膜パターン形成領域
12…薄膜パターン
13…下地膜(金属膜)
14…レジスト(感光性材料)
16…島パターン
18…TFT基板
21R…R有機EL層
21G…G有機EL層
21B…B有機EL層
Claims (6)
- 基板上に薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、
可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記基板の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記基板の前記薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 - 基板上に複数種の薄膜パターンを順次成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、
可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記基板の一の薄膜パターン形成領域に対応して一の薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された第1の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の前記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成するステップと、
前記マスクの磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された第2の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 - 前記マスクは、
前記フィルムの一面に感光性材料を塗布するステップと、
前記感光性材料を露光現像して前記薄膜パターン形成領域に対応した部分に前記薄膜パターンよりも形状の大きい島パターンを形成するステップと、
前記フィルムの前記島パターンの周辺領域に磁性体膜をメッキ形成するステップと、
前記島パターンを剥離して前記磁性体膜に前記島パターンに対応する開口部を設けてマスク用部材を形成するステップと、
前記マスク用部材を保持手段の平坦面に前記磁性体膜側から吸着して保持するステップと、
磁気チャック上に吸着保持された前記基板の前記薄膜パターン形成領域が前記開口部内に位置するように前記基板と前記マスク用部材とを位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスク用部材を前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記開口部内の前記薄膜パターン形成領域に対応した前記フィルムの部分に前記開口パターンを形成するステップと、
を行って作製されることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜パターン形成方法。 - 前記マスクは、前記開口パターンを形成するステップの後、前記磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して保持されることを特徴とする請求項3記載の薄膜パターン形成方法。
- 前記フィルムの一面に感光性材料を塗布する前に、前記フィルムの一面に金属膜を被着させ、前記開口部を形成した後に、該開口部内の前記金属膜をエッチングして除去することを特徴とする請求項3又は4記載の薄膜パターン形成方法。
- 有機EL表示用のTFT基板上に3色対応有機EL層を順次形成して有機EL表示装置を製造する方法であって、
可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記TFT基板の第1の有機EL層形成領域に対応して第1の有機EL層と同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記TFT基板に予め形成された第1の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記TFT基板の前記第1の有機EL層形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記TFT基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記TFT基板の前記第1の有機EL層形成領域に第1の有機EL層を真空蒸着するステップと、
前記マスクの磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記TFT基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記TFT基板に予め形成された第2の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記TFT基板の第2の有機EL層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記TFT基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第2の有機EL層形成領域に第2の有機EL層を真空蒸着するステップと、
前記マスクの磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記TFT基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記TFT基板に予め形成された第3の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記TFT基板の第3の有機EL層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記TFT基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第3の有機EL層形成領域に第3の有機EL層を真空蒸着するステップと、
を含む工程を実行することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011232538A JP5953566B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 |
PCT/JP2012/073617 WO2013039196A1 (ja) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 |
KR1020147009752A KR102078888B1 (ko) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법 |
TW101133791A TWI555862B (zh) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法 |
CN201280044893.9A CN103797149B (zh) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法 |
US14/214,428 US9334556B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-03-14 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US14/746,727 US9586225B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-06-22 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US15/071,125 US9555434B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-03-15 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US15/071,116 US9555433B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-03-15 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011232538A JP5953566B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016100182A Division JP6095088B2 (ja) | 2016-05-19 | 2016-05-19 | マスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013089586A JP2013089586A (ja) | 2013-05-13 |
JP5953566B2 true JP5953566B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=48533263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011232538A Active JP5953566B2 (ja) | 2011-09-16 | 2011-10-24 | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5953566B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6321311B1 (ja) | 2017-04-04 | 2018-05-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 |
JP6745833B2 (ja) * | 2018-04-04 | 2020-08-26 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143677A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
JP4058149B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2008-03-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法 |
JP2011065837A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Sharp Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-10-24 JP JP2011232538A patent/JP5953566B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013089586A (ja) | 2013-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5958804B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
KR100641478B1 (ko) | 마스크 증착 방법 및 장치, 마스크 및 마스크의 제조 방법 및 표시 패널 제조 장치 | |
JP6615286B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
WO2013039196A1 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 | |
JP5515025B2 (ja) | マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法 | |
JP5935179B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
TWI721170B (zh) | 蔽蔭遮罩沉積系統及其方法 | |
JP2018026344A (ja) | マスク組立体、表示装置の製造装置、表示装置の製造方法、及び表示装置 | |
US10615344B2 (en) | Vapor deposition mask, method of manufacturing the same and method of manufacturing organic light emitting diode using the vapor deposition mask | |
TW201331394A (zh) | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法 | |
EP1481111A2 (en) | Aperture masks for circuit fabrication | |
JP2006188731A (ja) | マスク成膜方法,マスク | |
JP7097821B2 (ja) | シャドーマスク堆積システム及びその方法 | |
JP5804457B2 (ja) | マスク | |
JP5953566B2 (ja) | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP2013173968A (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
JP2008198500A (ja) | 有機elディスプレイの製造方法および製造装置 | |
JP2004152704A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP6095088B2 (ja) | マスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
KR20140140868A (ko) | 유기발광 표시장치의 제조 방법 | |
JP2013065446A (ja) | 薄膜パターン形成方法 | |
JP2013091836A (ja) | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法並びに有機el表示装置 | |
JP2014098195A (ja) | 薄膜パターン形成方法及びアライメント装置並びに蒸着装置 | |
JP4235823B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
WO2024095718A1 (ja) | 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5953566 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |