WO2024095718A1 - 成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法 - Google Patents

成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法 Download PDF

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film
pressing
adsorption
peripheral edge
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翔也 加勢
功康 佐藤
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キヤノントッキ株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a film forming apparatus, a method for driving the film forming apparatus, and a film forming method.
  • a technology has been known in which a film-forming device is provided with an adsorption member that adsorbs the surface of the substrate opposite the film-forming surface.
  • the film forming apparatus of the present invention includes an adsorption member for adsorbing a surface of a substrate opposite to a film forming surface thereof; a first support member that supports a peripheral edge of a film-forming surface of the substrate at least either before or after the substrate is attracted to the attraction member; a pressing member configured to be movable in a first direction intersecting a surface of the substrate on a film-forming side and pressing a peripheral edge of the substrate from an opposite side to the surface of the substrate on a film-forming side; Equipped with The pressing member, when separated from the substrate, overlaps the substrate when viewed in the first direction and is located farther from the substrate than the adsorption surface of the adsorption member.
  • the substrate can be stably adsorbed to the adsorption member.
  • FIG. FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of a main part of the film forming apparatus.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram of an organic EL display device.
  • FIG. 1 A film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figures 1 to 12.
  • members that operate together are hatched in the same manner to make the operation of each member easier to understand.
  • each member is shown in cross section in these figures, the fact that it is hatched does not necessarily mean that the cross section is shown, since each member may be located in different positions on the front and back sides of the paper.
  • Fig. 1 is a schematic diagram of the overall configuration of the film formation apparatus.
  • the film formation apparatus 1 includes a chamber 10 and a film formation source 20 provided in the chamber 10.
  • the inside of the chamber 10 is configured so that a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere can be maintained.
  • the film formation source 20 in addition to an evaporation source that evaporates or sublimes a film formation material, a sputtering cathode for forming a film by sputtering, etc. can be used.
  • the upper part of the chamber 10 is equipped with various mechanisms for aligning the substrate S, which is the target of film formation, with the mask M, which is placed on the film-forming side of the substrate S in order to form a thin film of the desired pattern on the substrate S.
  • the chamber 10 in which the film-forming source 20 is placed is equipped with these various mechanisms, but a configuration in which a chamber for aligning the substrate S and the mask M and a chamber equipped with the film-forming source are separately provided may be adopted.
  • the various mechanisms are used to peel off the substrate S from the electrostatic chuck 31, which serves as an adsorption member, after film formation on the substrate S, but a configuration in which the mechanisms are provided in another chamber may also be adopted.
  • a base member 11 and a support plate 12 for supporting the various mechanisms are fixed to the ceiling of the chamber 10.
  • a first lifting mechanism 30 for vertically raising and lowering the electrostatic chuck 31 is attached to the base member 11.
  • the first lifting mechanism 30 includes a holding member 32 for holding the electrostatic chuck 31, a shaft member 33 for raising and lowering the holding member 32, and a drive source 34 for raising and lowering the shaft member 33.
  • the holding member 32 includes a lifting plate 32a that is perpendicular to the vertical direction.
  • the specific configuration of the lifting mechanism may be a ball screw mechanism or other known technology, and detailed description thereof will be omitted.
  • the electrostatic chuck 31 has an electrode 31a therein, and is configured to generate an electrostatic adsorption force when a voltage is applied to the electrode 31a.
  • the electrostatic chuck 31 adsorbs the surface of the substrate S opposite to the surface on which the film is formed, and holds the substrate S.
  • the lifting plate 32a of the holding member 32 in the first lifting mechanism 30 is provided with a second lifting mechanism 40 that raises and lowers the substrate S in the vertical direction.
  • the second lifting mechanism 40 includes a first support member 41 that supports the periphery of the surface of the substrate S on the film-forming side, a shaft member 42 for raising and lowering the first support member 41, and a drive source 43 for raising and lowering the shaft member 42.
  • the specific configuration of the lifting mechanism may employ various known techniques such as a ball screw mechanism, and therefore a detailed description thereof will be omitted.
  • the deposition apparatus 1 also includes a mask adjustment mechanism 50 as a mask drive unit that adjusts the position of the mask M.
  • the mask adjustment mechanism 50 includes a support 51 fixed to the ceiling of the chamber 10, a mask table support 52 provided at the lower end of the support 51, and a magnetic field generating coil box 53 fixed to the support 51.
  • a magnet 55 is provided on the periphery of a mask table 54 as a mask holder that holds the mask M.
  • the mask table 54 is positioned so that the magnet 55 is disposed in the gap between the mask table support 52 and the magnetic field generating coil box 53.
  • the magnetic field generated by the magnetic field generating coil box 53 is controlled to adjust the horizontal position of the mask table 54 while it is floating by magnetic levitation.
  • the position of the mask table 54 can be adjusted in the X, Y, and ⁇ directions by controlling the magnetic field generated by the magnetic field generating coil box 53.
  • the mask adjustment mechanism 50 also has a third lifting mechanism that raises and lowers the mask M.
  • This third lifting mechanism is attached to a support plate 12 fixed to the ceiling of the chamber 10, and includes a support member 56 that supports the mask M, an axis member 57 for raising and lowering the support member 56, and a drive source 58 for raising and lowering the axis member 57.
  • the specific configuration of the lifting mechanism can employ various known techniques such as a ball screw mechanism, so a detailed description thereof will be omitted.
  • This mask lifting mechanism is used to receive the mask M transported into the chamber 10 and place the mask M on the mask table 54.
  • FIG. 1 shows the state in which the mask M is placed on the mask table 54.
  • a fourth lifting mechanism 60 is attached to the base member 11, which vertically raises and lowers a magnetic attraction member 61 that magnetically attracts the mask M via the substrate S and electrostatic chuck 31 after aligning the substrate S and mask M.
  • This fourth lifting mechanism 60 includes a holding member 62 that holds the magnetic attraction member 61, and a drive source 63 that raises and lowers the holding member 62.
  • the specific configuration of the lifting mechanism can employ various known technologies such as a ball screw mechanism, so a detailed description thereof will be omitted.
  • the film forming apparatus 1 is configured to be movable in a first direction (vertical direction in this embodiment) intersecting the film forming surface of the substrate S, and is provided with a pressing member 71 that presses the periphery of the substrate S from the side opposite to the film forming surface of the substrate S.
  • the film forming apparatus 1 also includes a fifth lifting mechanism 70 that raises and lowers the pressing member 71 in the vertical direction, which is the first direction.
  • This fifth lifting mechanism 70 is attached to the lifting plate 32a of the holding member 32 in the first lifting mechanism 30.
  • This fifth lifting mechanism 70 also includes the pressing member 71, an axis member 72 for raising and lowering the pressing member 71, and a drive source 73 for raising and lowering the axis member 72.
  • the specific configuration of the lifting mechanism can be implemented using various known techniques, such as a ball screw mechanism, and therefore a detailed description thereof will be omitted.
  • the pressing member 71 presses the periphery of the substrate S, so that the periphery of the substrate S is sandwiched between the first support member 41 and the pressing member 71.
  • the periphery of the substrate S becomes horizontal, and the bending of the substrate S, which would have been bent so that the center curved vertically downward due to its own weight when it was only supported by the first support member 41, is eliminated or reduced.
  • the pressing member 71 is configured so that when separated from the substrate S, it overlaps with the substrate S when viewed in the first direction, and is located farther from the substrate S than the attraction surface of the electrostatic chuck 31 (see, for example, FIG. 2). Also, the shaft member 72 is disposed to the side of the electrostatic chuck 31, outside the substrate S, when viewed in the first direction. And the electrostatic chuck 31 is provided with a recess 31b into which the pressing member 71 retracts in order to move the pressing member 71 away from the substrate S.
  • the film forming apparatus 1 also includes a control device 90 for controlling the operation of the film forming source 20 and the various mechanisms described above.
  • the control devices for controlling the various devices are well-known technologies, so a detailed description will be omitted, but the control device 90 includes a processor such as a CPU, a storage device such as a semiconductor memory or a hard disk, and an input/output interface.
  • FIG. 1 ⁇ Film formation method (method of driving film formation apparatus)>
  • a film formation method (method of driving the film formation apparatus) using the film formation apparatus 1 will be described with reference to Figures 2 to 12.
  • Figures 2, 3, and 5 to 12 show a portion of Figure 1 in which various mechanisms are provided near the ceiling of the chamber 10.
  • Figure 4 shows the positional relationship of the substrate S, the first support member 41, and the pressing member 71 as viewed from above in the order of operation.
  • the mask M is transported into the chamber 10, and the mask M is placed on the mask stage 54 by the third lifting mechanism.
  • the substrate S is transported into the chamber 10 by the hand unit 80 of the transport robot, and the substrate S is placed on the first support member 41 of the second lifting mechanism 40 (see FIG. 4(a)).
  • the first support member 41 supports the periphery of the surface of the substrate S on the film formation side (see FIGS. 2 and 4(b)). This completes the supporting process.
  • the substrate S is bent such that its center is curved vertically downward due to its own weight.
  • the fifth lifting mechanism 70 lowers the pressing member 71, and the pressing member 71 presses the periphery of the substrate S from the side opposite the film-forming side of the substrate S (pressing step).
  • the periphery of the substrate S is sandwiched between the first supporting member 41 and the pressing member 71. This causes the periphery of the substrate S to become horizontal, and the bending of the substrate S, which had been bent so that the center was curved vertically downward due to its own weight, is eliminated or reduced.
  • a moving step is performed in which the substrate S is moved relatively to the position where it is attracted by the electrostatic chuck 31.
  • the lifting operation of the first support member 41 by the second lifting mechanism 40 and the lifting operation of the pressing member 71 by the fifth lifting mechanism 70 are performed in synchronization, so that the substrate S is lifted and comes into contact with the electrostatic chuck 31 (see FIG. 5).
  • a pressure release step is performed in which the pressure applied by the pressing member 71 is released.
  • the fifth lifting mechanism 70 raises the pressing member 71, and the pressing member 71 retreats to the recess 31b provided in the electrostatic chuck 31 (see FIG. 6).
  • the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 31 (attraction step). That is, an attraction voltage is applied to the electrode 31a provided in the electrostatic chuck 31, and the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 31 by electrostatic attraction force.
  • a pressure release step in which the pressure applied by the pressing member 71 is released may be performed after the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 31 (attraction step).
  • the first support member 41 supports the periphery of the substrate S at least either before or after the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 31 as an attracting member. Then, the pressing member 71 presses the periphery of the substrate S from the side opposite the film-forming side of the substrate S, and after the bending of the substrate S is eliminated or reduced, the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 31.
  • an alignment operation is performed to align the substrate S and the mask M.
  • Various known methods can be used for the alignment operation to align the substrate S and the mask M, but a representative example will be described here.
  • alignment marks (not shown) are provided on the substrate S and the mask M, respectively.
  • the marks on both are photographed by a camera C fixed to the chamber 10, and the amount of misalignment between the two is determined.
  • the horizontal position of at least one of the substrate S and the mask M is adjusted so that these misalignments are eliminated (usually, the amount of misalignment falls within a threshold value).
  • the control device 90 determines the amount of misalignment between the substrate S and the mask M based on the photographic information obtained from the camera C.
  • the electrostatic chuck 31 and the substrate S are raised together by the first lifting mechanism 30, so that the substrate S is slightly separated from the mask M (see FIG. 8).
  • the mask adjustment mechanism 50 adjusts the mask stage 54 in the horizontal direction (X, Y, and ⁇ directions) based on the amount of misalignment, thereby performing rough alignment between the substrate S and the mask M.
  • the electrostatic chuck 31 and the substrate S are lowered together again by the first lifting mechanism 30, so that the substrate S is in contact with the mask M. Then, fine alignment is performed in the same order as the rough alignment. In general, fine alignment is repeated until the amount of misalignment between the substrate S and the mask M falls within a threshold range.
  • the amount of misalignment between the substrate S and the mask M falls within a threshold range.
  • the electrostatic chuck 31 and the substrate S can also be lowered together by the first lifting mechanism 30, so that the substrate S and the mask M are slightly separated from each other, the amount of misalignment between them is determined, and rough alignment and fine alignment can be performed in this state.
  • the magnetic attraction member 61 is lowered by the fourth lifting mechanism 60.
  • the mask M is attracted to the magnetic attraction member 61 via the substrate S and the electrostatic chuck 31.
  • the substrate S and the mask M are fixed in contact with each other (see FIG. 9).
  • the film formation source 20 forms a thin film of the desired pattern (openings) formed on the mask M on the surface (film formation surface) of the substrate S. In this manner, the film formation process is carried out in which a film is formed after the attraction process.
  • the second lifting mechanism 40 moves the first support member 41 relatively to a position supporting the substrate S (see FIG. 10), and then an adsorption release process is performed in which the electrostatic chuck 31 releases the substrate S from its adsorption.
  • a peeling voltage is applied to the electrode 31a provided on the electrostatic chuck 31.
  • the fifth lifting mechanism 70 lowers the pressing member 71, and a post-film formation pressing process is performed in which the pressing member 71 presses the periphery of the substrate S (see FIG. 11).
  • the second lifting mechanism 40 moves the first support member 41 relatively to a position supporting the substrate S (see FIG. 10), and then the fifth lifting mechanism 70 lowers the pressing member 71 to perform a post-film formation pressing process in which the pressing member 71 presses the periphery of the substrate S (see FIG. 11).
  • an adsorption release process is performed in which the electrostatic chuck 31 releases the adsorption of the substrate S.
  • the electrostatic chuck 31 releases the adsorption of the substrate S after the periphery of the substrate S is sandwiched between the first support member 41 and the pressing member 71. Therefore, when the adsorption of the substrate S is released, it is possible to further prevent the substrate S from falling or from cracking due to bending of the substrate S.
  • the electrostatic chuck 31 is separated from the substrate S (see FIG. 12), and the substrate S after film formation is transported outside the chamber 10 by the hand unit 80 of the transport robot.
  • Figure 13(a) is an overall view of the organic EL display device 150
  • Figure 13(b) shows the cross-sectional structure of one pixel.
  • each light-emitting element has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes.
  • the pixel referred to here refers to the smallest unit that allows a desired color to be displayed in the display area 151.
  • the pixel 152 is configured by a combination of a first light-emitting element 152R, a second light-emitting element 152G, and a third light-emitting element 152B that emit light different from each other.
  • the pixel 152 is often configured by a combination of a red light-emitting element, a green light-emitting element, and a blue light-emitting element, but may also be a combination of a yellow light-emitting element, a cyan light-emitting element, and a white light-emitting element, and is not particularly limited as long as it is at least one color.
  • FIG. 13(b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line A-B in Figure 13(a).
  • Pixel 152 is made up of a plurality of light-emitting elements, each of which has a first electrode (anode) 154, a hole transport layer 155, one of light-emitting layers 156R, 156G, or 156B, an electron transport layer 157, and a second electrode (cathode) 158 on a substrate 153.
  • hole transport layer 155, light-emitting layers 156R, 156G, or 156B, and electron transport layer 157 are organic layers.
  • light-emitting layer 156R is an organic EL layer that emits red light
  • light-emitting layer 156G is an organic EL layer that emits green light
  • light-emitting layer 156B is an organic EL layer that emits blue light.
  • Light-emitting layers 156R, 156G, and 156B are formed in patterns that correspond to light-emitting elements (sometimes referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue light, respectively.
  • the first electrode 154 is formed separately for each light-emitting element.
  • the hole transport layer 155, the electron transport layer 157, and the second electrode 158 may be formed in common for the multiple light-emitting elements 152R, 152G, and 152B, or may be formed for each light-emitting element.
  • an insulating layer 159 is provided between the first electrodes 154.
  • a protective layer 140 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.
  • the hole transport layer 155 and the electron transport layer 157 are shown as a single layer, but depending on the structure of the organic EL display element, they may be formed of multiple layers including a hole blocking layer and an electron blocking layer.
  • a hole injection layer having an energy band structure that can smoothly inject holes from the first electrode 154 to the hole transport layer 155 can be formed between the first electrode 154 and the hole transport layer 155.
  • an electron injection layer can be formed between the second electrode 158 and the electron transport layer 157.
  • a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and a substrate 153 on which a first electrode 154 are formed are prepared.
  • Acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 153 on which the first electrode 154 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the area where the first electrode 154 is formed, forming an insulating layer 159. This opening corresponds to the light-emitting area where the light-emitting element actually emits light.
  • the substrate 153 with the patterned insulating layer 159 is carried into a first organic material deposition apparatus, and the substrate is held by a substrate support table and an electrostatic chuck, and a hole transport layer 155 is deposited as a common layer on the first electrode 154 in the display area.
  • the hole transport layer 155 is deposited by vacuum deposition. In practice, the hole transport layer 155 is formed to be larger than the display area 151, so no high-resolution mask is required.
  • the substrate 153 on which the hole transport layer 155 has been formed is carried into a second organic material deposition apparatus and held by a substrate support table and electrostatic chuck.
  • the substrate and mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and a red-emitting light-emitting layer 156R is deposited on the portion of the substrate 153 where the red-emitting element is to be located.
  • Electron transport layer 157 is deposited over the entire display area 151 by a fifth deposition apparatus. Electron transport layer 157 is formed as a layer common to light-emitting layers 156R, 156G, and 156B of the three colors.
  • the substrate on which the electron transport layer 157 has been formed is moved by a metallic deposition material deposition device to deposit the second electrode 158.
  • the substrate is transferred to a plasma CVD device to deposit a protective layer 140, completing the organic EL display device 150.
  • the substrate 153 on which the insulating layer 159 is patterned is exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen from the time it is carried into the deposition apparatus until the deposition of the protective layer 140 is completed, the light-emitting layer made of the organic EL material may be deteriorated by moisture or oxygen. Therefore, in this embodiment, the substrate is carried in and out of the deposition apparatus in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.
  • the film forming apparatus 1 of this embodiment by providing the pressing member 71, it is possible to suppress bending of the substrate S before the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 31. This makes it possible to attract the substrate S in a stable state to the electrostatic chuck 31. In other words, it is possible to suppress the substrate S from being attracted to the electrostatic chuck 31 in a wavy or partially deformed state.
  • Film forming apparatus 10 Chamber 11: Base member 12: Support plate 20: Film forming source 30: First lifting mechanism 31: Electrostatic chuck 31a: Electrode 31b: Recess 32: Holding member 32a: Lifting plate 33: Shaft member 34: Driving source 40: Second lifting mechanism 41: First support member 42: Shaft member 43: Driving source 50: Mask adjustment mechanism 51: Support section 52: Mask table support 53: Coil box for generating magnetic field 54: Mask table 55: Magnet 56: Support member 57: Shaft member 58: Driving source 60: Fourth lifting mechanism 61: Magnetic attraction member 62: Holding member 63: Driving source 70: Fifth lifting mechanism 71: Pressing member 72: Shaft member 73: Driving source 80: Hand unit 90: Control device C: Camera M: Mask S: Board

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Abstract

吸着部材に対して、基板を安定した状態で吸着させることのできる成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法を提供する。　基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する静電チャック３１と、静電チャック３１に対する前記基板の吸着の前及び後の少なくともいずれかに、前記基板の周縁を支持する第１の支持部材４１と、前記基板の成膜側の面に交差する第１方向に移動可能に構成され、前記基板の成膜側の面とは反対側から前記基板の周縁を押圧する押圧部材７１と、を備え、押圧部材７１は、前記基板から離間した状態では、前記第１方向に見た場合に前記基板と重なり、かつ静電チャック３１の吸着面より前記基板から遠い位置にあることを特徴とする。

Description

成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法
　本発明は、成膜装置、成膜装置の駆動方法、及び成膜方法に関する。
　従来、成膜装置において、基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着部材を備える技術が知られている。
特開２０１９－９９９１０号公報
　近年、基板の大判化が進んでおり、吸着部材に基板を吸着する前の状態において、基板が大きく撓んでいると、吸着部材に対して基板を適切に吸着するのが難しいことがある。
　本発明の成膜装置は、基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着部材と、
　前記吸着部材に対する前記基板の吸着の前及び後の少なくともいずれかに、前記基板の成膜側の面の周縁を支持する第１の支持部材と、
　前記基板の成膜側の面に交差する第１方向に移動可能に構成され、前記基板の成膜側の面とは反対側から前記基板の周縁を押圧する押圧部材と、
　を備え、
　前記押圧部材は、前記基板から離間した状態では、前記第１方向に見た場合に前記基板と重なり、かつ前記吸着部材の吸着面より前記基板から遠い位置にあることを特徴とする。
　以上説明したように、本発明によれば、吸着部材に対して、基板を安定した状態で吸着させることができる。
成膜装置の概略構成図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 成膜装置の要部の動作説明図。 有機ＥＬ表示装置の説明図。
　以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
　（実施例）
　図１～図１２を参照して、本発明の実施例に係る成膜装置について説明する。なお、図１～３、及び５～１２においては、各部材の動作を分かり易くするために、一体的に動作する部材について同種のハッチングを付している。これらの図においては、各部材を断面的に示しているが、各部材については、紙面の手前側と奥側の異なった位置に配され得るため、ハッチングが付されているからと言って、必ずしも断面を示したものではない。
　＜成膜装置の構成＞
　特に、図１を参照して、成膜装置１の全体構成について説明する。図１は成膜装置全体の概略構成図である。成膜装置１は、チャンバ１０と、チャンバ１０内に備えられる成膜源２０とを備えている。チャンバ１０内は、真空雰囲気や不活性ガス雰囲気に維持可能に構成される。成膜源２０としては、成膜材料を蒸発又は昇華させる蒸発源の他、スパッタリングによって成膜を行うためのスパッタリングカソードなどを採用することができる。
　チャンバ１０の上部には、成膜対象である基板Ｓと、基板Ｓに対して所望のパターンの薄膜を形成するために基板Ｓの成膜側の面に配されるマスクＭとを位置合わせするための各種機構が備えられている。なお、本実施例では、成膜源２０が配されたチャンバ１０に、この各種機構が備えられる構成を示すが、基板ＳとマスクＭとを位置合わせするためのチャンバと成膜源が備えられるチャンバとを別々に設ける構成を採用してもよい。この場合には、位置合わせ用のチャンバ内において、基板ＳとマスクＭが位置合わせされた後に、成膜源を備えるチャンバに、これら基板ＳとマスクＭが搬送されて成膜が施される。また、本実施例においては、上記の各種機構によって、基板Ｓへの成膜後に、基板Ｓを吸着部材としての静電チャック３１から剥離する構成を示すが、当該機構についても、他のチャンバに設ける構成を採用することができる。
　以下、基板ＳとマスクＭとを位置合わせするための各種機構について説明する。チャンバ１０の天井部には、各種機構を支持するためのベース部材１１及び支持プレート１２が固定されている。
　ベース部材１１には、静電チャック３１を鉛直方向に昇降させる第１の昇降機構３０が取り付けられている。この第１の昇降機構３０は、静電チャック３１を保持する保持部材３２と、保持部材３２を昇降させるための軸部材３３と、軸部材３３を昇降させる駆動源３４とを備えている。保持部材３２は、鉛直方向に垂直な昇降プレート３２ａを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。静電チャック３１は、内部に電極３１ａを有しており、電極３１ａに電圧が印加されることで静電吸着力を生ずるように構成されている。なお、静電吸着力を生じさせる方式としては、クーロン力タイプ、ジョンソン・ラーベック力タイプ、及びグラジエント力タイプなど、各種公知の方式を採用し得る。この静電チャック３１によって、基板Ｓの成膜側の面とは反対側の面が吸着されて、基板Ｓは保持される。
　第１の昇降機構３０における保持部材３２の昇降プレート３２ａには、基板Ｓを鉛直方向に昇降させる第２の昇降機構４０が設けられている。この第２の昇降機構４０は、基板Ｓの成膜側の面の周縁を支持する第１の支持部材４１と、第１の支持部材４１を昇降させるための軸部材４２と、軸部材４２を昇降させる駆動源４３とを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。第２の昇降機構４０を動作させない状態で、第１の昇降機構３０により昇降プレート３２ａを昇降させると、静電チャック３１と基板Ｓは一体的に昇降する。一方、第２の昇降機構４０を動作させることで、静電チャック３１に対して、基板Ｓを相対的に昇降させることができる。
　また、成膜装置１は、マスクＭの位置を調整するマスク駆動部としてのマスク調整機構５０を備えている。このマスク調整機構５０は、チャンバ１０の天井部に固定された支柱部５１と、支柱部５１の下端に設けられたマスク台受け部５２と、支柱部５１に固定された磁気発生用コイルボックス５３とを備えている。マスクＭを保持するマスク保持部としてのマスク台５４の周縁には磁石５５が設けられている。この磁石５５が、マスク台受け部５２と磁気発生用コイルボックス５３との間の隙間に配されるようにマスク台５４は配置される。そして、磁気発生用コイルボックス５３による磁界が制御されることで、マスク台５４は磁気浮上によって浮いた状態で、水平方向の位置が調整される。すなわち、鉛直方向に対して垂直かつ互いに直交する方向をＸ，Ｙ方向とし、鉛直方向を中心に回転する方向をθ方向とすると、磁気発生用コイルボックス５３による磁界の制御を行うことで、マスク台５４をＸ，Ｙ，θ方向に位置調整することができる。
　マスク調整機構５０は、マスクＭを昇降させる第３の昇降機構も有している。この第３の昇降機構は、チャンバ１０の天井部に固定された支持プレート１２に取り付けられており、マスクＭを支持する支持部材５６と、支持部材５６を昇降させるための軸部材５７と、軸部材５７を昇降させる駆動源５８とを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。このマスク昇降機構は、チャンバ１０内に搬送されたマスクＭを受け取って、マスクＭをマスク台５４に載置するために用いられる。図１においては、マスク台５４にマスクＭが載置された状態を示している。
　また、ベース部材１１には、基板ＳとマスクＭとの位置合わせを行った後に、基板Ｓと静電チャック３１を介してマスクＭを磁力によって吸着する磁気吸着部材６１を鉛直方向に昇降させる第４の昇降機構６０が取り付けられている。この第４の昇降機構６０は、磁気吸着部材６１を保持する保持部材６２と、保持部材６２を昇降させる駆動源６３とを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。
　更に、本実施例に係る成膜装置１においては、基板Ｓの成膜側の面に交差する第１方向（本実施例では鉛直方向）に移動可能に構成され、基板Ｓの成膜側の面とは反対側から基板Ｓの周縁を押圧する押圧部材７１を備えている。また、成膜装置１は、押圧部材７１を第１方向である鉛直方向に昇降させる第５の昇降機構７０を備えている。この第５の昇降機構７０は、第１の昇降機構３０における保持部材３２の昇降プレート３２ａに取り付けられている。また、この第５の昇降機構７０は、押圧部材７１と、押圧部材７１を昇降させるための軸部材７２と、軸部材７２を昇降させる駆動源７３とを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。
　第１の支持部材４１に基板Ｓが支持された状態で、押圧部材７１によって基板Ｓの周縁が押圧されることで、基板Ｓの周縁は第１の支持部材４１と押圧部材７１によって挟み込まれた状態となる。これにより、基板Ｓの周縁は水平状態となり、第１の支持部材４１に支持されただけでは自重により中央が鉛直方向下向きに湾曲するように撓んでいた基板Ｓの撓みが解消、または、軽減された状態となる。
　ここで、押圧部材７１は、基板Ｓから離間した状態では、第１方向に見た場合に基板Ｓと重なり、かつ静電チャック３１の吸着面より基板Ｓから遠い位置にあるように構成されている（例えば、図２参照）。また、軸部材７２は第１方向に見た場合に基板Ｓの外側で静電チャック３１の側方に配されている。そして、静電チャック３１には、押圧部材７１を基板Ｓから遠ざけるために押圧部材７１が退避する凹部３１ｂが設けられている。
　また、成膜装置１は、成膜源２０、及び上記の各種機構等の動作を制御するための制御装置９０も備えている。各種装置を制御するための制御装置は公知技術であるので、詳細な説明は省略するが、制御装置９０は、ＣＰＵ等のプロセッサ、半導体メモリやハードディスクなどの記憶デバイス、入出力インタフェースを備えている。
　＜成膜方法（成膜装置の駆動方法）＞
　特に、図２～１２を参照して、成膜装置１による成膜方法（成膜装置の駆動方法）について説明する。図２，３，５～１２は、図１のうち、チャンバ１０の天井部付近の各種機構が設けられた部分を示したものである。図４は、基板Ｓと第１の支持部材４１と押圧部材７１について、上方から見た位置関係を動作順に示したものである。
　まず、チャンバ１０内にマスクＭが搬送されて、第３の昇降機構によって、マスク台５４にマスクＭが載置される。そして、搬送ロボットのハンド部８０によって、基板Ｓがチャンバ１０内に搬送され、第２の昇降機構４０における第１の支持部材４１に基板Ｓが載置される（図４（ａ）参照）。これにより、第１の支持部材４１によって、基板Ｓの成膜側の面の周縁が支持される（図２及び図４（ｂ）参照）。以上が支持工程である。このとき、基板Ｓは、自重によって、その中央が鉛直方向下向きに湾曲するように撓んだ状態となる。
　支持工程の後に、第５の昇降機構７０によって、押圧部材７１が下降し、押圧部材７１によって、基板Ｓの成膜側の面とは反対側から基板Ｓの周縁が押圧される（押圧工程）。これにより、図３及び図４（ｃ）に示すように、基板Ｓの周縁は第１の支持部材４１と押圧部材７１によって挟み込まれた状態となる。これにより、基板Ｓの周縁は水平状態となり、自重により中央が鉛直方向下向きに湾曲するように撓んでいた基板Ｓの撓みが解消、または、軽減された状態となる。
　押圧工程の後に、基板Ｓが静電チャック３１による吸着位置に相対的に移動する移動工程が行われる。本実施例においては、第２の昇降機構４０による第１の支持部材４１の上昇動作と、第５の昇降機構７０による押圧部材７１の上昇動作が同期して行われることによって、基板Ｓが上昇し、基板Ｓは静電チャック３１に接した状態となる（図５参照）。
　そして、移動工程の後に、押圧部材７１による押圧を解除する押圧解除工程が行われる。具体的には、第５の昇降機構７０により、押圧部材７１が上昇し、押圧部材７１は静電チャック３１に設けられた凹部３１ｂに退避する（図６参照）。この押圧解除工程の後に静電チャック３１に基板Ｓが吸着する（吸着工程）。すなわち、静電チャック３１に設けられた電極３１ａに吸着用の電圧が印加されることで、基板Ｓは静電吸着力によって、静電チャック３１に吸着される。なお、移動工程の後に、静電チャック３１に基板Ｓが吸着された（吸着工程）後で、押圧部材７１による押圧を解除する押圧解除工程がなされるようにしてもよい。
　このように、第１の支持部材４１は、吸着部材としての静電チャック３１に対する基板Ｓの吸着の前及び後の少なくともいずれかに、基板Ｓの周縁を支持する。そして、押圧部材７１によって、基板Ｓの成膜側の面とは反対側から基板Ｓの周縁を押圧することで、基板Ｓの撓みが解消または軽減された後に、基板Ｓは静電チャック３１に吸着される。
　そして、基板Ｓが静電チャック３１に吸着された後、基板ＳとマスクＭとの位置合わせを行うためのアライメント動作が行われる。基板ＳとマスクＭを位置合わせするアライメント動作に関しては、各種公知の方法を採用し得るが、ここでは代表的な一例を説明する。一般的に、アライメントを行うために、基板ＳとマスクＭにはそれぞれアライメント用のマーク（不図示）が設けられる。そして、チャンバ１０に固定されたカメラＣによって、両者のマークが撮影されて、両者の位置ずれ量が判定される。そして、これらの位置ずれがなくなる（通常は、位置ずれ量が閾値内に収まる）ように、基板Ｓ及びマスクＭのうちの少なくともいずれか一方の水平方向の位置が調整される。また、短時間で高精度なアライメントを実現するために、大まかに位置合わせを行うラフアライメントと、高精度に位置合わせを行うファインアライメントがなされるのが一般的である。ラフアライメントにおいては、低解像だが広視野のカメラＣが用いられ、ファインアライメントにおいては、狭視野だが高解像のカメラＣが用いられる。また、上記のアライメント用のマークも、通常、ラフアライメント用とファインアライメント用に別々のマークが用いられる。
　具体的には、静電チャック３１に基板Ｓが吸着された後に、第１の昇降機構３０によって、静電チャック３１と基板Ｓが一体的に下降して、基板ＳとマスクＭが接した状態となる（図７参照）。この状態で、カメラＣから得られた撮影情報によって、制御装置９０は基板ＳとマスクＭの位置ずれ量を判定する。その後、第１の昇降機構３０によって、静電チャック３１と基板Ｓが一体的に上昇して、基板ＳがマスクＭから僅かに離れた状態となる（図８参照）。この状態で、ラフアライメントがなされる。すなわち、位置ずれ量に基づいて、本実施例の場合には、マスク調整機構５０により、マスク台５４の水平方向（Ｘ，Ｙ，θ方向）の調整がなされることで、基板ＳとマスクＭのラフアライメントが行われる。
　ラフアライメントが行われた後に、再び、第１の昇降機構３０によって、静電チャック３１と基板Ｓが一体的に下降して、基板ＳがマスクＭに接した状態となる。その後、ラフアライメントと同様の順序でファインアライメントが行われる。一般的には、基板ＳとマスクＭとの位置ずれ量が閾値の範囲内になるまでファインアライメントが繰り返される。なお、ここでは、基板ＳとマスクＭとを接触させた状態で、これらの位置ずれ量を判定した後に、これらを離間させてラフアライメント及びファインアライメントを行う場合を説明した。しかしながら、第１の昇降機構３０によって、静電チャック３１と基板Ｓを一体的に下降させて、基板ＳとマスクＭとを僅かに離れた状態として、これらの位置ずれ量を判定し、そのままラフアライメント及びファインアライメントを行うこともできる。
　ファインアライメントが終了した後、第４の昇降機構６０によって磁気吸着部材６１が下降する。これにより、マスクＭが基板Ｓ及び静電チャック３１を介して磁気吸着部材６１に吸着される。これにより、基板ＳとマスクＭとが接した状態で固定された状態となる（図９参照）。その後、成膜源２０によって、基板Ｓの表面（成膜面）上に、マスクＭに形成された所望のパターン（開口部）の薄膜が形成される。このように、吸着工程の後に成膜を行う成膜工程が行われる。
　そして、成膜工程の後に、第２の昇降機構４０によって、第１の支持部材４１が基板Ｓを支持する位置に相対的に移動した後に（図１０参照）、静電チャック３１による基板Ｓの吸着を解除する吸着解除工程が行われる。吸着解除工程においては、静電チャック３１に設けられた電極３１ａに剥離用の電圧が印加される。この吸着解除工程の後に、第５の昇降機構７０により押圧部材７１が降下して、押圧部材７１により基板Ｓの周縁を押圧する成膜後押圧工程が行われる（図１１参照）。
　なお、成膜工程の後に、第２の昇降機構４０によって、第１の支持部材４１が基板Ｓを支持する位置に相対的に移動した後で（図１０参照）、第５の昇降機構７０により押圧部材７１が降下して、押圧部材７１により基板Ｓの周縁を押圧する成膜後押圧工程が行われるようにしてもよい（図１１参照）。この場合には、成膜後押圧工程の後に、静電チャック３１による基板Ｓの吸着を解除する吸着解除工程が行われる。このような工程を採用した場合には、基板Ｓの周縁が第１の支持部材４１と押圧部材７１によって挟み込まれた後に静電チャック３１による基板Ｓの吸着が解除される。そのため、基板Ｓの吸着が解除された際に、基板Ｓが落下してしまったり、基板Ｓが撓むことにより基板Ｓが割れてしまったりすることを、より一層抑制することができる。
　なお、これらの工程後は、静電チャック３１は基板Ｓから離れて（図１２参照）、搬送ロボットのハンド部８０によって、成膜後の基板Ｓはチャンバ１０の外部へと搬出される。
　＜電子デバイスの製造方法＞
　次に、本実施例の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を示し、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例示する。
　まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１３（ａ）は有機ＥＬ表示装置１５０の全体図、図１３（ｂ）は１画素の断面構造を表している。
　図１３（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置１５０の表示領域１５１には、発光素子を複数備える画素１５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域１５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子１５２Ｒ、第２発光素子１５２Ｇ、第３発光素子１５２Ｂの組み合わせにより画素１５２が構成されている。画素１５２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
　図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素１５２は、複数の発光素子からなり、各発光素子は、基板１５３上に、第１電極（陽極）１５４と、正孔輸送層１５５と、発光層１５６Ｒ、１５６Ｇ、１５６Ｂのいずれかと、電子輸送層１５７と、第２電極（陰極）１５８と、を有している。これらのうち、正孔輸送層１５５、発光層１５６Ｒ、１５６Ｇ、１５６Ｂ、電子輸送層１５７が有機層に当たる。また、本実施例では、発光層１５６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層１５６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層１５６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層１５６Ｒ、１５６Ｇ、１５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極１５４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層１５５と電子輸送層１５７と第２電極１５８は、複数の発光素子１５２Ｒ、１５２Ｇ、１５２Ｂで共通に形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極１５４と第２電極１５８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極１５４間に絶縁層１５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層１４０が設けられている。
　図１３（ｂ）では正孔輸送層１５５や電子輸送層１５７は一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によっては、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、第１電極１５４と正孔輸送層１５５との間には第１電極１５４から正孔輸送層１５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第２電極１５８と電子輸送層１５７の間にも電子注入層が形成することもできる。
　次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
　まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１電極１５４が形成された基板１５３を準備する。
　第１電極１５４が形成された基板１５３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極１５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層１５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
　絶縁層１５９がパターニングされた基板１５３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台及び静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層１５５を、表示領域の第１電極１５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層１５５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層１５５は表示領域１５１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
　次に、正孔輸送層１５５までが形成された基板１５３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台及び静電チャックで保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板１５３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層１５６Ｒを成膜する。
　発光層１５６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層１５６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層１５６Ｂを成膜する。発光層１５６Ｒ、１５６Ｇ、１５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域１５１の全体に電子輸送層１５７を成膜する。電子輸送層１５７は、３色の発光層１５６Ｒ、１５６Ｇ、１５６Ｂに共通の層として形成される。
　電子輸送層１５７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第２電極１５８を成膜する。
　その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層１４０を成膜して、有機ＥＬ表示装置１５０が完成する。
　絶縁層１５９がパターニングされた基板１５３を成膜装置に搬入してから保護層１４０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
　＜本実施例に係る成膜装置の優れた点＞
　本実施例に係る成膜装置１によれば、押圧部材７１を設けたことで、静電チャック３１に基板Ｓが吸着される前の状態で、基板Ｓの撓みを抑制することができる。これにより、静電チャック３１に対して、基板Ｓを安定した状態で吸着させることができる。すなわち、基板Ｓが、波打ったり一部が変形したりした状態で静電チャック３１に吸着してしまうことを抑制することができる。
　１：成膜装置　１０：チャンバ　１１：ベース部材　１２：支持プレート　２０：成膜源　３０：第１の昇降機構　３１：静電チャック　３１ａ：電極　３１ｂ：凹部　３２：保持部材　３２ａ：昇降プレート　３３：軸部材　３４：駆動源　４０：第２の昇降機構　４１：第１の支持部材　４２：軸部材　４３：駆動源　５０：マスク調整機構　５１：支柱部　５２：マスク台受け部　５３：磁気発生用コイルボックス　５４：マスク台　５５：磁石　５６：支持部材　５７：軸部材　５８：駆動源　６０：第４の昇降機構　６１：磁気吸着部材　６２：保持部材　６３：駆動源　７０：第５の昇降機構　７１：押圧部材　７２：軸部材　７３：駆動源　８０：ハンド部　９０：制御装置　Ｃ：カメラ　Ｍ：マスク　Ｓ：基板

Claims (15)

  1. 　基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着部材と、
    　前記吸着部材に対する前記基板の吸着の前及び後の少なくともいずれかに、前記基板の成膜側の面の周縁を支持する第１の支持部材と、
    　前記基板の成膜側の面に交差する第１方向に移動可能に構成され、前記基板の成膜側の面とは反対側から前記基板の周縁を押圧する押圧部材と、
    　を備え、
    　前記押圧部材は、前記基板から離間した状態では、前記第１方向に見た場合に前記基板と重なり、かつ前記吸着部材の吸着面より前記基板から遠い位置にあることを特徴とする成膜装置。
  2. 　前記押圧部材を前記第１方向に移動させる軸部材を備えており、前記軸部材は前記第１方向に見た場合に前記基板の外側で前記吸着部材の側方に配されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  3. 　前記吸着部材により前記基板が吸着される際においては、
    　前記基板の周縁が、前記第１の支持部材に支持され、かつ前記押圧部材により押圧された状態で、前記基板が前記吸着部材による吸着位置に相対的に移動して、前記押圧部材による押圧が解除された後に、前記基板は前記吸着部材に吸着されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  4. 　前記吸着部材により前記基板が吸着される際においては、
    　前記基板の周縁が、前記第１の支持部材に支持され、かつ前記押圧部材により押圧された状態で、前記基板が前記吸着部材による吸着位置に相対的に移動して、前記基板が前記吸着部材に吸着された後に、前記押圧部材による押圧が解除されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  5. 　前記吸着部材による前記基板の吸着が解除される際においては、
    　前記基板が前記吸着部材により吸着された状態で、前記第１の支持部材が前記基板を支持する位置に相対的に移動して、前記吸着部材による前記基板の吸着が解除された後に、前記押圧部材により前記基板が押圧されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  6. 　前記吸着部材による前記基板の吸着が解除される際においては、
    　前記基板が前記吸着部材により吸着された状態で、前記第１の支持部材が前記基板を支持する位置に相対的に移動して、前記押圧部材により前記基板が押圧された後に、前記吸着部材による前記基板の吸着が解除されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  7. 　前記吸着部材には、前記押圧部材を前記基板から遠ざけるために前記押圧部材が退避する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  8. 　前記吸着部材は、内部に電極を有しており、前記電極に電圧が印加されることで静電吸着力を生ずるように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  9. 　マスクを保持するマスク保持部と、
    　前記マスク保持部を磁気浮上によって浮上した状態で移動させるマスク駆動部と、を備え、
    　前記吸着部材が前記基板を吸着した状態で、前記マスク駆動部が前記マスク保持部を移動させることで、前記基板と前記マスクとのアライメントを行うことを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  10. 　前記吸着部材により吸着された基板に対して、薄膜を形成する成膜源を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
  11. 　基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着部材と、
    　前記基板の成膜側の面の周縁を支持する第１の支持部材と、
    　前記基板の成膜側の面に交差する第１方向に移動可能に構成され、前記基板の成膜側の面とは反対側から前記基板の周縁を押圧する押圧部材と、
    　を備えた成膜装置の駆動方法であって、
    　前記第１の支持部材が前記基板の周縁を支持する支持工程と、
    　前記支持工程の後に、前記押圧部材により前記基板の周縁を押圧する押圧工程と、
    　前記押圧工程の後に、前記基板を前記吸着部材による吸着位置に相対的に移動する移動工程と、
    　前記移動工程の後に、前記押圧部材による押圧を解除する押圧解除工程と、
    　前記押圧解除工程の後に前記吸着部材により前記基板を吸着する吸着工程と、
    　前記吸着工程の後に成膜を行う成膜工程と、を有する
    　ことを特徴とする成膜装置の駆動方法。
  12. 　基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着部材と、
    　前記基板の成膜側の面の周縁を支持する第１の支持部材と、
    　前記基板の成膜側の面に交差する第１方向に移動可能に構成され、前記基板の成膜側の面とは反対側から前記基板の周縁を押圧する押圧部材と、
    　を備えた成膜装置の駆動方法であって、
    　前記第１の支持部材が前記基板の周縁を支持する支持工程と、
    　前記支持工程の後に、前記押圧部材により前記基板の周縁を押圧する押圧工程と、
    　前記押圧工程の後に、前記基板を前記吸着部材による吸着位置に相対的に移動する移動工程と、
    　前記移動工程の後に前記吸着部材により前記基板を吸着する吸着工程と、
    　前記吸着工程の後に、前記押圧部材による押圧を解除する押圧解除工程と、
    　前記押圧解除工程の後に成膜を行う成膜工程と、を有する
    　ことを特徴とする成膜装置の駆動方法。
  13. 　前記成膜工程の後に、前記第１の支持部材が前記基板を支持する位置に相対的に移動した後で前記吸着部材による前記基板の吸着を解除する吸着解除工程と、
    　前記吸着解除工程の後に、前記押圧部材により前記基板の周縁を押圧する成膜後押圧工程と、を有する
    　ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の成膜装置の駆動方法。
  14. 　前記成膜工程の後に、前記第１の支持部材が前記基板を支持する位置に相対的に移動した後で前記押圧部材により前記基板の周縁を押圧する成膜後押圧工程と、
    　前記成膜後押圧工程の後に、前記吸着部材による前記基板の吸着を解除する吸着解除工程と、を有する
    　ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の成膜装置の駆動方法。
  15. 　請求項１１または１２に記載された成膜装置の駆動方法を用いて、基板に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
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