CN113005397B - 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供抑制由吸附于静电卡盘时的静电卡盘与基板的相对位置偏移导致的吸附力的降低的成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。成膜装置使成膜材料隔着掩模在基板上成膜，包括：第1基板支承部，配置在腔室内，支承基板的第1边的周缘部；第2基板支承部，配置在腔室内，支承与第1边相向的第2边的周缘部；基板吸附部件，配置在腔室内的第1及第2基板支承部上方，用于吸附基板；位置调整部件，用于进行基板吸附部件与基板间的对位；以及控制部，控制第1及第2基板支承部朝向基板吸附部件的升降。在控制部使第1及第2基板支承部中的至少一方朝向基板吸附部件上升后且在基板的吸附开始前，位置调整部件进行基板吸附部件与基板间的对位。

Description

成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的蒸发源蒸发的蒸镀材料隔着形成有像素图案的掩模蒸镀于基板，由此形成有机物层、金属层。
在向上蒸镀方式(沉积)的成膜装置中，蒸发源设置于成膜装置的真空容器的下部，基板配置于真空容器的上部，蒸镀于基板的下表面。在这样的向上蒸镀方式的成膜装置中，基板以不对形成于作为成膜面的下表面的有机物层/电极层造成损伤的方式利用基板保持架的支承部支承下表面的周缘。在该情况下，随着基板的尺寸变大，未由基板保持架的支承部支承的基板的中央部由于基板的自重而挠曲，这成为降低蒸镀精度的一个主要原因。在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也存在产生由基板的自重引起的挠曲的可能性。
作为用于减少由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研究使用静电卡盘的技术。即，通过在基板的上部设置静电卡盘，使由基板保持架的支承部支承的基板的上表面吸附于静电卡盘，基板的中央部被静电卡盘的静电引力牵拉，能够减少基板的挠曲。
但是，在这样地使用静电卡盘从上方吸附被基板支承部支承下方的基板时，若静电卡盘与基板的相对位置偏移，则吸附力有可能降低。
例如，在搬送机器人向成膜室内搬送基板时产生搬送误差的情况下，有可能因这样的相对位置偏移而导致吸附力降低。另外，如图6所示，为了抑制在吸附于静电卡盘240时由基板S中央部的挠曲引起的褶皱的产生，正在研究使分别支承基板S的相向的两侧的周缘部的基板支承部220依次上升而使基板S与静电卡盘240接触的情况，但在该情况下，在先使一方的基板支承部上升时，如白色箭头所示，基板S向相反侧偏移，存在与静电卡盘240之间产生位置偏移的可能性。
发明内容
因此，本发明鉴于上述的课题，其目的在于，抑制由吸附于静电卡盘时的静电卡盘与基板的相对位置偏移导致的吸附力的降低。
用于解决课题的技术方案
本发明的一实施方式的成膜装置，使成膜材料隔着掩模在基板上成膜，其特征在于，该成膜装置包括：第1基板支承部，配置在腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；第2基板支承部，配置在所述腔室内，支承与所述第1边相向的第2边的周缘部；基板吸附部件，配置在所述腔室内的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方，用于吸附所述基板；位置调整部件，用于进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位；以及控制部，控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降，在所述控制部使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部中的至少一方朝向所述基板吸附部件上升之后，且在所述基板的吸附开始之前，所述位置调整部件进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位。
本发明的一实施方式的成膜方法，在成膜装置的腔室内，使成膜材料隔着掩模在基板的成膜面上成膜，其特征在于，该成膜方法包括：利用第1基板支承部对搬入到腔室内的所述基板的第1边的周缘部进行支承，并利用第2基板支承部对所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部进行支承的工序；吸附工序，使配置在所述腔室内的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的与所述成膜面相反侧的面；对位工序，进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位；以及使成膜材料隔着所述掩模在所述基板的所述成膜面上成膜的工序，在所述第1基板支承部和所述第2基板支承部中的至少一方朝向所述基板吸附部件上升之后，且在所述基板的吸附开始之前，进行所述对位工序。
本发明的一实施方式的电子器件的制造方法，其特征在于，该电子器件的制造方法使用所述成膜方法来制造电子器件。
发明效果
根据本发明，能够抑制由吸附于静电卡盘时的静电卡盘与基板的相对位置偏移导致的吸附力的降低。
需要说明的是，在此记载的效果不一定是限定的，也可以是本公开中记载的任意的效果。
附图说明
图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。
图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。
图3是从铅垂方向(Z方向)上方观察本发明的一实施方式的基板支承单元的俯视图。
图4(a)～(e)是表示向静电卡盘的基板吸附工序的图。
图5(a)是有机EL显示装置的整体图，(b)是表示1个像素的截面构造的图。
图6是表示以往的向静电卡盘的基板吸附工序的图。
附图标记的说明
11：成膜装置；20a、20b：对准用的照相机；22：基板支承单元；221、222：支承部；23：掩模支承单元；24：静电卡盘。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选的实施方式及实施例进行说明。但是，以下的实施方式以及实施例只不过是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特定的记载，则并非旨在将本发明的范围仅限定于此。
本发明能够应用于使各种材料堆积在基板的表面而进行成膜的装置，能够优选应用于通过真空蒸镀形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料，基板例如也可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等膜的基板。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。另外，除了在以下的说明中说明的真空蒸镀装置以外，在包含溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置在内的成膜装置中，也能够应用本发明。本发明的技术具体可应用于有机电子器件(例如，有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。其中，通过使蒸镀材料蒸发而隔着掩模蒸镀到基板上从而形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选应用例之一。
[电子器件的制造装置]
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在4.5代的基板(约700mm×约900mm)或6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板上进行用于形成有机EL元件的成膜后，将该基板切下来制作成多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置通常包括多个集群装置1和在集群装置之间连接的中继装置。
集群装置1具备进行对基板S的处理(例如成膜)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模储存装置12、以及配置于其中央的搬送室13。如图1所示，搬送室13分别与多个成膜装置11以及掩模储存装置12连接。
在搬送室13内配置有搬送基板以及掩模的搬送机器人14。搬送机器人14将基板S从配置于上游侧的中继装置的路径室15向成膜装置11搬送。另外，搬送机器人14在成膜装置11与掩模储存装置12之间搬送掩模M。搬送机器人14例如是在多关节臂上安装有保持基板S或掩模M的机器人手的构造的机器人。
在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，收纳于蒸镀源的蒸镀材料被加热器加热而蒸发，隔着掩模被蒸镀到基板上。利用成膜装置11进行与搬送机器人14交接基板S、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一连串成膜工艺。
在掩模储存装置12中，将成膜装置11中的成膜工序所使用的新的掩模和使用完的掩模分开地收纳于两个盒。搬送机器人14将使用完的掩模从成膜装置11向掩模储存装置12的盒搬送，并将收纳于掩模储存装置12的其它的盒内的新的掩模向成膜装置11搬送。
在集群装置1上连结有路径室15和缓冲室16，该路径室15在基板S的流动方向上将来自上游侧的基板S向该集群装置1传递，该缓冲室16用于将在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S向下游侧的其它的集群装置传递。搬送室13的搬送机器人14从上游侧的路径室15接收基板S，并向该集群装置1内的成膜装置11之一(例如成膜装置11a)搬送。另外，搬送机器人14从多个成膜装置11之一(例如成膜装置11b)接收在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S，并向连结于下游侧的缓冲室16搬送。
在缓冲室16与路径室15之间设置有改变基板的朝向的回转室17。在回转室17设置有搬送机器人18，该搬送机器人18用于从缓冲室16接收基板S并使基板S旋转180°向路径室15搬送。由此，在上游侧的集群装置和下游侧的集群装置中，基板S的朝向相同，基板处理变得容易。
路径室15、缓冲室16、回转室17是将集群装置之间连结的所谓的中继装置，被设置在集群装置的上游侧和/或下游侧的中继装置包括路径室、缓冲室、回转室中的至少一个。
成膜装置11、掩模储存装置12、搬送室13、缓冲室16、回转室17等在有机发光元件的制造过程中被维持为高真空状态。路径室15通常被维持在低真空状态，但也可以根据需要被维持在高真空状态。
在本实施例中，参照图1对电子器件的制造装置的结构进行了说明，但本发明并不限定于此，也可以具有其它种类的装置、腔室，这些装置、腔室间的配置也可以改变。
以下，对成膜装置11的具体结构进行说明。
[成膜装置]
图2是表示成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用将铅垂方向设为Z方向的XYZ正交坐标系。在成膜时基板S被固定成与水平面(XY平面)平行的情况下，将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，用θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置11包括维持为真空气氛或氮气等非活性气体气氛的真空容器21、设置于真空容器21的内部的基板支承单元22、掩模支承单元23、静电卡盘24和蒸发源25。
基板支承单元22是接收并保持由搬送室13中设置的搬送机器人14搬送来的基板S的部件，也被称为基板保持架。基板支承单元22包括支承基板的下表面的周缘部的支承部。关于基板支承单元22的支承部的详细结构后述。
在基板支承单元22的下方设置有掩模支承单元23。掩模支承单元23是接收并保持由搬送室13中设置的输送机器人14搬送来的掩模M的部件，也被称为掩模保持架。
掩模M具有与形成于基板S上的薄膜图案对应的开口图案，载置于掩模支承单元23之上。特别是，用于制造智能手机用的有机EL元件的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask：精细金属掩模)。
在基板支承单元22的上方设置有用于利用静电引力将基板吸附并固定的静电卡盘24。静电卡盘24具有在电介质(例如，陶瓷材质)基体内埋设有金属电极等电路的构造。静电卡盘24既可以是库仑力类型的静电卡盘，也可以是约翰逊·拉别克力类型的静电卡盘，还可以是梯度力类型的静电卡盘。静电卡盘24优选为梯度力类型的静电卡盘。通过静电卡盘24为梯度力型的静电卡盘，即使在基板S为绝缘性基板的情况下，也能够通过静电卡盘24良好地吸附。在静电卡盘24为库仑力类型的静电卡盘的情况下，当对金属电极施加正(+)和负(-)的电位时，通过电介质基体在基板S等被吸附体上感应有与金属电极相反极性的极化电荷，通过它们之间的静电引力将基板S吸附固定于静电卡盘24。
静电卡盘24可以由一个板形成，也可以形成为具有多个子板。另外，在由一个板形成的情况下，也可以在其内部包含多个电路，且控制成静电引力在一个板内根据位置不同而不同。即，静电卡盘能够通过所埋设的电路的构造而被划分为多个吸附部模块。
在静电卡盘24的上部虽然没有示出，但能够设置在成膜时对掩模M施加磁力，用于将掩模M向基板S侧拉近而使其紧贴于基板S的磁力施加部件。作为磁力施加部件的磁铁能够由永磁铁或者电磁铁构成，能够被划分为多个模块。
另外，虽然在图2中未图示，但也可以通过在静电卡盘24的与吸附面相反侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如冷却板)，来抑制堆积在基板S上的有机材料的变质、劣化。冷却板也能够与上述磁铁形成为一体。
蒸发源25包括收纳成膜于基板的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于对坩埚进行加热的加热器(未图示)、阻止蒸镀材料向基板飞散直至来自蒸发源的蒸发速率恒定为止的挡板(未图示)等。蒸发源25能够根据用途而具有点(point)蒸发源、线状(linear)蒸发源等多种结构。
虽然在图2中未图示，但成膜装置11包括用于对蒸镀在基板上的膜的厚度进行测定的膜厚监测器(未图示)以及膜厚计算单元(未图示)。
在真空容器21的上部外侧(大气侧)设置有基板Z致动器26、掩模Z致动器27、静电卡盘Z致动器28、位置调整机构29等。这些致动器和位置调整机构例如由马达和滚珠丝杠、或者马达和线性引导件等构成。基板Z致动器26是用于使基板支承单元22升降(Z方向移动)的驱动部件。关于基于基板Z致动器26的驱动的基板支承单元22的升降控制的详细情况在后面叙述。掩模Z致动器27是用于使掩模支承单元23升降(Z方向移动)的驱动部件。静电卡盘Z致动器28是用于使静电卡盘24升降(Z方向移动)的驱动部件。
位置调整机构29是用于调整(对准)静电卡盘24与基板S和/或基板S与掩模M之间的位置偏移的驱动部件。即，位置调整机构29是用于使静电卡盘24在与水平面平行的面内相对于基板支承单元22和掩模支承单元23在X方向、Y方向、θ方向中的至少一个方向上相对地移动/旋转的水平驱动机构。另外，在本实施方式中，将位置调整机构构成为，固定基板支承单元22及掩模支承单元23在水平面内的移动，使静电卡盘24在X、Y、θ方向上移动，但本发明并不限定于此，也可以将位置调整机构构成为，固定静电卡盘24向水平方向的移动，使基板支承单元22和掩模支承单元23在XYθ方向上移动。
在真空容器21的外侧上表面，除了上述的驱动机构之外，还设置有用于隔着设置于真空容器21的上表面的透明窗对形成于基板S以及掩模M的对准标记进行拍摄的对准用照相机20a、20b。通过根据由对准用照相机20a、20b拍摄到的图像来识别基板S上的对准标记和掩模M上的对准标记，能够测量各自的XY位置、XY面内的相对偏移。
基板S与掩模M之间的对准能够实施大致进行对位的第1位置调整工序即第1对准(也称为“粗略对准(rough alignment)”)和高精度地进行对位的第2位置调整工序即第2对准(也称为“精细对准(fine alignment)”)这2个阶段的对准。在该情况下，可以使用低分辨率但宽视场的第1对准用的照相机20a和窄视场但高分辨率的第2对准用的照相机20b这2种照相机。对于基板S和掩模120的每一个，用2台第1对准用照相机20a测定在相向的一对边的2个部位附加的对准标记，用4台第2对准用照相机20b测定在基板S和掩模120的四角附加的对准标记。对准标记及其测量用照相机的数量没有特别限定，例如，在精细对准的情况下，也可以用2台照相机测量在基板S和掩模120的相向的两个角附加的标记。
另一方面，如后所述，在本发明的实施方式中，其特征在于，在使基板S吸附于静电卡盘24之前，进行预先调整静电卡盘24与基板S之间的相对位置偏移的对准(以下，有时也称为预对准(pre-alignment))。这样，在通过预对准来调整基板S与静电卡盘24之间的相对位置偏移之后使基板S吸附于静电卡盘24的情况下，在基板向静电卡盘24吸附后进行的上述的基板S与掩模M之间的位置排列(对准)中，也可以省略粗略对准，立即进入精细对准。后面叙述调整静电卡盘24与基板S之间的相对位置偏移的预对准的详细工序。
成膜装置11具备控制部(未图示)。控制部具有基板S的搬送以及对准、蒸发源25的控制、成膜的控制等功能。控制部例如能够由具有处理器、存储器、存储装置、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部的功能通过处理器执行存储在存储器或存储装置中的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller：可编程逻辑控制器)。或者，也可以由ASIC或FPGA那样的电路构成控制部的功能的一部分或全部。另外，也可以按每个成膜装置设置控制部，也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
[基板支承单元]
基板支承单元22包括支承基板的下表面的周缘部的支承部。图3是从铅垂方向(Z方向)上方观察基板支承单元22的俯视图，为了便于理解，示出了将基板S载置并支承于基板支承单元22上的情况，此外，省略了配置于基板S上部的静电卡盘24、基板Z致动器26等驱动机构等的图示。
如上所示，构成基板支承单元22的支承部包括能够分别独立地进行升降控制的支承部221、222，这些支承部221、222以支承基板S的相向的两个边的周缘部的方式设置。具体而言，沿着基板S的相向的两个边中的一侧边(例如，第1长边)设置有第1支承部221，沿着另一侧边(第2长边)设置有第2支承部222。在图3中，图示了第1支承部221以及第2支承部222分别由在该边的方向上较长地延伸的一个支承构件构成的结构，但第1支承部221以及第2支承部222也可以沿着该边的方向配置多个支承构件，分别构成第1支承部221以及第2支承部222。
作为用于在Z轴方向上升降驱动基板支承单元22的驱动机构的上述基板Z致动器26与这些各基板支承部221、222对应地设置。即，在与基板S的相向的两个长边对应的位置设置2个基板Z致动器，分别与对应的基板支承部221、222连结。而且，这些各基板Z致动器通过控制部被控制为，能够使对应的各基板支承部221、222分别独立地升降。
[基板吸附工序]
以下，参照图4(a)～图4(e)，对与基板支承部221、222的驱动协作的、基板S向静电卡盘24的吸附工序的详细情况进行说明。
将基板S搬入真空容器21内，载置成两侧的周缘部分别被支承在基板支承单元22的支承部221、222上的状态(图4(a))。
接着，以使基板支承部221、222中的一方的支承部、例如沿着第1长边设置的第1支承部221先上升的方式驱动与第1支承部221连接的基板Z致动器26(图4(b))。
当被第1支承部221支承的基板S的一侧周缘部接近静电卡盘24规定距离时，停止与第1支承部221连接的基板Z致动器26的驱动，进行调整静电卡盘24与基板S之间的相对位置偏移的对准(图4(c))。在静电卡盘24与基板S的对准中，也可以使用前述的基板S与掩模M之间的第1对准(粗略对准)用的照相机20a、或者第2对准(精细对准)用的照相机20b中的任意一个。例如，与在基板S(及掩模M)的四角形成的对准标记对应地在静电卡盘24的各角也形成另外的静电卡盘对准标记，使用配置在腔室上部的对准照相机(基板和掩模第2对准用的照相机20b)将该静电卡盘对准标记与基板对准标记同时拍摄，测定它们之间的位置偏移量。或者，也可以不在静电卡盘上形成另外的对准标记，例如，将长方形的静电卡盘24的角的形状本身作为对准标记来利用，并将其与基板S上的对准标记同时进行拍摄，由此来测定静电卡盘24与基板S的相对位置偏移。
若判明静电卡盘24与基板S的相对位置偏移，则使前述的位置调整机构29沿水平方向(XYθ方向)驱动，调整静电卡盘24与基板S的水平方向(XYθ方向)上的相对位置。基于位置调整机构29的位置调整也可以是使静电卡盘24相对于基板支承单元22在XYθ方向上移动的方式，相反地，也可以是固定静电卡盘24向水平方向的移动，使基板支承单元22在XYθ方向上移动的方式。
若基板S相对于静电卡盘24的位置调整完成，即，静电卡盘24与基板S的相对位置偏移量在预先设定的规定的阈值以内，则如图4(d)所示，同时驱动分别与第1支承部221及第2支承部222连接的基板Z致动器26，使第1支承部221及第2支承部222两者同时上升。与此同时，对静电卡盘24施加用于吸附基板S的吸附电压。由此，由位于相对接近静电卡盘24的第1支承部221支承的基板S的一侧端部(第1长边)先与静电卡盘24接触或充分接近，从该第1长边侧起先开始吸附。在第1长边侧的吸附开始之后，第1支承部221的上升驱动停止，第2支承部222使被第2支承部222支承的基板S的另一侧端部(第2长边)继续上升驱动直至与静电卡盘24接触或充分接近(图4(e))。由此，随着第2支承部222的上升，从第1长边侧开始的吸附经由基板S的中央部朝向相反侧的长边(第2长边)进行。
这样，在本发明的一实施方式中，其特征在于，在使基板S吸附于静电卡盘24之前，进行预先调整静电卡盘24与基板S之间的相对位置偏移的对准。具体而言，使分别支承基板的相向的两侧的周缘部的支承部中的一侧的基板支承部朝向静电卡盘先上升，在一定程度接近于静电卡盘时，停止支承部的上升，在该位置调整静电卡盘与基板之间的水平面内的相对位置偏移，在位置调整完成后，使两侧的基板支承部同时或者依次上升直到基板的两侧端部依次与静电卡盘接触为止，从而使吸附从基板的一侧向相向的另一侧进行。
因此，即使在为了吸附时的防皱而使相向的两侧的基板支承部依次上升的情况下，由于使一方的基板支承部先上升时可能产生的基板的偏差在基板支承部与静电卡盘之间的距离缩短的即将吸附前的位置被修正，之后最终被静电卡盘吸附，因此也能够抑制由静电卡盘与基板之间的位置偏移引起的吸附力的降低。
另外，在以上说明的实施方式中，说明了在使一方的基板支承部先上升而进行了基板S相对于静电卡盘24的位置调整之后，使两侧的基板支承部同时上升直到由该支承部支承的基板的一侧端部与静电卡盘接触为止的情况，但并不限定于此，也可以在静电卡盘24与基板S之间的对准后，也从先上升了的所述一侧的基板支承部依次上升。但是，若采用上述实施方式那样的结构，则能够维持对准后的静电卡盘24与基板S之间的位置关系直到基板的一侧端部与静电卡盘接触并被吸附为止，因此更优选。
[成膜工艺]
以下，对使用了本实施方式的成膜装置的成膜方法进行说明。
在掩模M被支承于真空容器21内的掩模支承单元23的状态下，基板S被搬入到真空容器21内。通过以上说明的过程，使静电卡盘24吸附基板S。接着，在进行了基板S与掩模M的对准之后，若基板S与掩模M的相对位置偏移量比规定的阈值小，则使磁力施加部件下降，使基板S与掩模M紧贴后，将成膜材料成膜于基板S。在成膜为所希望的厚度之后，使磁力施加部件上升，分离掩模M，搬出基板S。
[电子器件的制造方法]
接着，说明使用本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构和制造方法。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图5(a)表示有机EL显示装置60的整体图，图5(b)表示1像素的截面构造。
如图5(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。后面详细说明，但发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外，在此所说的像素，是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，通过显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成，但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成，只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图5(b)是图5(a)的A－B线处的局部剖视示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件，该有机EL元件具备阳极64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、阴极68。它们当中的空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外，阳极64针对每一个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67和阴极68既可以以与多个发光元件62R、62G、62B共有的方式形成，也可以针对每一个发光元件而形成。另外，为了防止阳极64和阴极68因异物而短路，在阳极64间设有绝缘层69。而且，由于有机EL层因水分和氧而劣化，所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
在图5(b)中，空穴输送层65和电子输送层67以一个层表示，但是根据有机EL显示元件的构造，也可以以包括空穴阻挡层和电子阻挡层在内的多个层形成。此外，也能够在阳极64与空穴输送层65之间形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够从阳极64向空穴输送层65顺利地进行空穴的注入的能带构造。同样地，也能够在阴极68与电子输送层67之间形成电子注入层。
接着，具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先，准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有阳极64的基板63。
在形成有阳极64的基板63之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂，利用光刻法，以在形成有阳极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板63搬入第1有机材料成膜装置，由基板保持单元和静电卡盘保持基板，将空穴输送层65作为在显示区域的阳极64之上共同的层而成膜。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸，所以不需要高精细的掩模。
接着，将形成有空穴输送层65为止的基板63搬入第2有机材料成膜装置，由基板保持单元和静电卡盘保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模上，在基板的配置发出红色光的元件的部分，成膜发出红色光的发光层66R。
与发光层66R的成膜同样地，利用第3有机材料成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G，而且利用第4有机材料成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，利用第5成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
使形成有电子输送层67为止的基板移动到金属性蒸镀材料成膜装置，成膜阴极68。
之后，将基板移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70，完成有机EL显示装置。
从将图案形成有绝缘层69的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成为止，若暴露于含有水分和氧的气氛中，则有可能由有机EL材料构成的发光层因水分和氧而劣化。因而，本例中，基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
上述实施例表示本发明的一个例子，但本发明并不限定于上述实施例的结构，也可以在其技术思想的范围内适当地变形。

Claims (15)

1.一种成膜装置，使成膜材料隔着掩模在基板上成膜，其特征在于，
该成膜装置包括：
第1基板支承部，配置在腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；
第2基板支承部，配置在所述腔室内，支承与所述第1边相向的第2边的周缘部；
基板吸附部件，配置在所述腔室内的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方，用于吸附所述基板；
位置调整部件，用于进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位；以及
控制部，控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降，
所述控制部控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的升降，以使所述第1基板支承部朝向所述基板吸附部件上升，之后使所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件上升，
在所述基板的吸附开始之前，在所述第1基板支承部与所述基板吸附部件的距离小于所述第2基板支承部与所述基板吸附部件的距离的状态下，所述位置调整部件进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部通过使所述第1基板支承部相对于所述第2基板支承部上升而成为所述状态。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，以在所述基板吸附部件与所述基板之间的对位之后，使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部同时上升而使所述基板的所述第1边的周缘部吸附于所述基板吸附部件。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，以在使所述基板的所述第1边的周缘部吸附于所述基板吸附部件之后，使所述第2基板支承部继续上升而使所述基板的所述第2边的周缘部吸附于所述基板吸附部件。
5.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，以在所述基板吸附部件与所述基板之间的对位之后，使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部依次上升。
6.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述位置调整部件基于对分别设置于所述基板吸附部件和所述基板的对准标记进行拍摄而得到的结果，进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位。
7.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板吸附部件是静电卡盘。
8.一种成膜方法，在成膜装置的腔室内，使成膜材料隔着掩模在基板的成膜面上成膜，其特征在于，
该成膜方法包括：
利用第1基板支承部对搬入到腔室内的所述基板的第1边的周缘部进行支承，并利用第2基板支承部对所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部进行支承的工序；
吸附工序，使配置在所述腔室内的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的与所述成膜面相反侧的面；
对位工序，进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位；以及
使成膜材料隔着所述掩模在所述基板的所述成膜面上成膜的工序，
所述吸附工序包括：第1上升工序，使所述第1基板支承部朝向所述基板吸附部件上升；以及第2上升工序，在所述第1上升工序开始后使所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件上升，
在所述基板的吸附开始之前，在所述第1基板支承部与所述基板吸附部件的距离小于所述第2基板支承部与所述基板吸附部件的距离的状态下，进行所述对位工序。
9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，
通过使所述第1基板支承部相对于所述第2基板支承部上升而成为所述状态。
10.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，
所述吸附工序包括在所述对位工序之后使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部同时上升而使所述基板的所述第1边的周缘部吸附于所述基板吸附部件的工序。
11.根据权利要求10所述的成膜方法，其特征在于，
在所述吸附工序中，在使所述基板的所述第1边的周缘部吸附于所述基板吸附部件之后，使所述第2基板支承部继续上升而使所述基板的所述第2边的周缘部吸附于所述基板吸附部件。
12.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，
所述吸附工序包括在所述对位工序之后使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部依次上升的工序。
13.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，
在所述对位工序中，基于对分别设置于所述基板吸附部件和所述基板的对准标记进行拍摄而得到的结果，进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位。
14.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，
所述基板吸附部件是静电卡盘。
15.一种电子器件的制造方法，其特征在于，
该电子器件的制造方法使用权利要求8至14中任一项所述的成膜方法来制造电子器件。
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