CN1395453A - 电场发光显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电场发光显示装置的制造方法，其于经由屏蔽形成电场发光组件之际，能更适于进行屏蔽与基板的对准，其中，玻璃基板1是将其蒸镀形成用以构成电场发光组件发光层的面朝垂直下方而插入真空蒸镀室内。该真空蒸镀室内设置有屏蔽30。透过该屏蔽30的开口部而使上述发光层的材料附着形成在玻璃基板1上，即可使发光层附着形成。在进行该玻璃基板1与屏蔽30对准之际，玻璃基板1的该四边由边支持构件50所支持。

Description

电场发光显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电场发光(Electro luminescence，以下均简称EL)显示装置的制造方法，详言之，涉及一种经由屏蔽而于基板面形成EL组件的EL显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，采用EL组件的显示装置受到瞩目。
此EL组件，系具有例如由ITO(氧化铟锡)等透明电极所构成的阳极、MTDATA(4，4-bis(3-methylphenyllamino)biphenyl)及(4，4，4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)等所构成的空穴传输层、含有酯葙酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-Benzo[h]quinolinolberyllium complex)等所构成的发光层、Bebq2等所构成的电子传输层、镁-铟合金等所构成的电极(阴极)依序层积形成的构造。然后在此EL组件上，通过施加所需电压于上述电极间，而使由阳极所注入的空穴与由阴极所注入的电子，于发光层的内部再度结合，并激发用以形成发光层的有机分子，而产生激发子，同时此激发子在放射钝化(deactivation)的过程中，将由发光层释出光，而此光可由透明的阳极，经由透明绝缘基板向外部释出，而获得所需的发光。
此外，采用此EL组件的显示装置，亦即EL显示装置，在构成为彩色影像的显示装置时，是由与红(R)、绿(G)、蓝(B)各自对应而发光的EL组件配置成例如矩阵状的点矩阵显示装置。而就此点矩阵所构成的EL组件的驱动方式而言，具有单纯矩阵方式与主动矩阵方式。
其中，单纯矩阵方式，是使在显示面板上配置成矩阵状而形成各点(dot)的EL组件与扫描信号同步，并从外部直接驱动的方式，且仅以EL组件构成显示装置的显示面板。
主动矩阵方式则是在配置成矩阵状而形成各点的EL组件上设置像素驱动组件(主动组件)，并通过扫描信号，使该像素驱动组件能发挥变换导通(ON)及切断(OFF)状态的切换开关作用。然后，经由在导通状态下的像素驱动组件，而将资料信号(显示信号、视讯信号)传送至EL组件的阳极，并将该资料信号写入至EL组件，藉以产生EL组件的驱动。
另一方面，在形成用于上述的显示装置的EL组件之际，经常采用真空蒸着法。在通过此真空蒸着法形成EL组件时，基本上使用两个下列步骤：
(1)在真空蒸镀室内，对基板上欲形成EL组件的部分以外的部位予以屏蔽，同时将该施加屏蔽的基板面朝垂直下方配置的步骤；
(2)由该基板的下方将形成上述发光层的材料等用以构成EL组件的材料予以加热并使之蒸发，藉以在该基板面上蒸镀形成该等材料的步骤。
发明内容
然而，上述样态中，为了要在基板面上形成EL组件，须以极高精确度地进行基板与屏蔽的对准。惟在此对准时，以形成EL组件的基板面作为下面的方式支持该基板面，由于该基板面几乎全为欲形成EL组件等的显示面板区域，故无法直接安置此基板面。亦即，须以适当的支持臂(support hand)等支持显示面板区域以外的基板端部。惟以该形态支持基板时，自然地会易于在基板的中央部产生弯曲。因此，使基板于移动至屏蔽侧之际，基板的中央部将先行与屏蔽接触，而在该状态下使基板与屏蔽相对移动，因而进行上述对准作业时，将会在基板膜面发生伤痕等，而无法适当地进行该对准作业。
此外，即使由对准精密度的观点，或以蒸镀精密度的观点来看，均以使上述基板与屏蔽保持尽量接近的状态较为理想，从此意义而言，也显见上述问题的严重。
此外，不只是上述真空蒸镀法，即使采用其它方法以形成EL组件的情况，只要须要上述基板与屏蔽正确对准时，因基板的弯曲而使得对准困难之类的实际情况亦大致相同。
本发明是有鉴于上述情况而创新的，其目的在提供一种经由屏蔽形成电场发光组件之际，能更适于进行屏蔽与基板间的对准的电场发光显示装置的制造方法。
权利要求1的电场发光显示装置的制造方法，是将基板与配置在该基板下方的屏蔽进行对准，并将电场发光组件材料经由前述屏蔽附着形成于前述基板，而形成显示装置的显示部，其特征为，针对前述基板的3个以上的边，以边支持机构支持该等各边同时进行前述对准。
权利要求2的发明，是在权利要求1的发明中，前述边支持机构采用其与前述基板的接触部，在各相对向的边间保持对称性。
权利要求3的发明，是在权利要求1或2的发明中，前述基板在与前述屏蔽相对向的面的端边，以安置于前述边支持机构的形态加以支持。
权利要求4的发明，是在权利要求1至3的任一发明中，将前述屏蔽预先固定于配置在保持台上的屏蔽框架(mask frame)，而在前述对准后，去除前述边支持机构，在以前述屏蔽及屏蔽框架的至少一方支持前述基板的状态下，进行前述电场发光组件材料的附着形成。
权利要求5的发明，是在权利要求1至3的任一发明中，将前述屏蔽预先固定于配置在保持台上的屏蔽框架(mask frame)，同时于该等保持台及屏蔽框架的至少一方，形成用以支持前述基板的多个销，再以该销支持前述各边已获支持的基板状态下，进行前述对准。
权利要求6的发明，是在权利要求1至5的任一发明中，至少前述对准作业在真空容器内进行。
权利要求7的发明，是在权利要求6的发明中，前述各边已获支持的基板的上面再以静电吸着予以支持的状态下进行前述对准作业。
附图说明
图1为由上方观看主动矩阵式EL显示装置的俯视图。
图2(a)及(b)为有关主动矩阵式EL显示装置部分剖面构造的剖视图。
图3为针对本发明的EL显示装置制造方法的第1实施形态，揭示其制造程序的流程图。
图4为揭示该实施形态中真空蒸镀室内的屏蔽与玻璃基板的对准样态的斜视图。
图5(a)及(b)为揭示该实施形态中屏蔽与玻璃基板的配置样态的俯视图。
图6为以模式化揭示该实施形态中EL组件的蒸镀形成样态的侧视图。
图7(a)至(c)为用以说明玻璃基板的尺寸以及支持样态与该玻璃基板所产生的弯曲的关系图。
图8为揭示该实施形态中玻璃基板的支持样态的斜视图。
图9为揭示本发明EL显示装置的制造方法的第2实施形态中玻璃基板的支持样态的剖视图。
图10为以模式化揭示本发明EL显示装置的制造方法的第3实施形态中玻璃基板的支持样态的剖视图。
图11为揭示该实施形态的EL组件蒸镀形成步骤的流程图。
图12为揭示作为上述各实施形态的变形例的玻璃基板支持样态的俯视图。【组件符号说明】1玻璃基板                 1a、30a对正标记2多晶硅层                 3栅极绝缘膜4层间绝缘膜               5平坦化绝缘膜10绝缘膜                  11透明电极12空穴传输层              13发光层14电子传输层              15电子注入层16电极                    17屏蔽30h开口部                 30p面板形成部31屏蔽框架                32CCD摄影机33销                      34保持台40蒸镀源                  50支持构件60静电吸着装置            61吸着部62、63电极                64蓄电池Ca、Cb沟道                CE电容电极CL保持电容电极线          Da、Db漏极DL漏极信号线              Ga、Gb栅极电极GL栅极信号线                IL驱动电源线Sa、Sb源极
具体实施方式第1实施形态
以下，以主动矩阵式的彩色EL显示装置的制造方法的具体例参照图面说明本发明EL显示装置的制造方法的第1实施形态。
图1为有关为本实施形态制造对象的EL显示装置的EL组件(在本实施形态中为有机EL组件；图中标示成EL)与其周边部的俯视图。如图1所示，此EL显示装置大体具备有：由EL组件形成的显示点(dot)，以及对应于该等显示点而分别设置的主动组件，即薄膜晶体管(TFT)。
具体而言，如图1所示，就用以进行EL组件的驱动控制的信号线而言，栅极信号线GL及漏极信号线DL形成为矩阵状。然后，与该等各信号线的交叉部对应形成有EL组件(显示点)。而且，在此EL显示装置中，为了能显示彩色影像，各显示点是与各原色R、G、B的任一个相对应而形成。
此外，就用以个别进行该等各EL组件的驱动控制的组件而言，形成有如下的组件，首先，在上述各信号线的交叉部附近形成有薄膜晶体管(TFT)，其与栅极信号线GL相连接，并当作可利用该栅极信号线GL的活性而成为有源化的开关组件。此TFTa的源极Sa与铬(Cr)或钼(Mo)等高熔点金属构成的电容电极CE相连接，利用该TFTa形成有源化的方式，使来自漏极信号线DL的电压可施加于电容电极CE。
此电容电极CE与用以驱动EL组件的薄膜晶体管(TFT)b的栅极Gb相连接。此外，TFTb的源极Sb与作为EL组件的阳极的透明电极11相连接，该TFTb的漏极Db与作为供给电流至EL组件的电流源的驱动电源线IL相连接。藉此，透过从上述电容电极CE对栅极Gb施加电压，可将来自驱动电源线IL的电流供给至EL组件。
另一方面，形成有保持电容电极线CL，从而在保持电容电极线CL与上述电容电极CE之间储存电荷。通过此保持电容电极线CL及电容电极CE间的保持电容量，使施加于上述TFTb的栅极Gb的电压得以保持。
图2为图1的部分剖面图。其中，图2(a)系表示沿D-D线的剖面图，图2(b)为表示沿E-E线的剖面图。如该图2所示，上述EL显示装置在玻璃基板1上，依序层积形成有薄膜晶体管、EL组件。
在此，作为对上述电容电极CE进行充电控制的开关晶体管的TFTa形成如图2(a)所示的样态。亦即，在上述玻璃基板1上形成有多晶硅层2。在该多晶硅层2中，除上述源极Sa及漏极Da之外，尚有沟道Ca、沟道Ca两侧所形成的低浓度区(Lightly Doped Drain)LDD；以及上述保持电容电极CE。然后在该等多晶硅层2及保持电容电极CE上形成有：栅极绝缘膜3；由铬(Cr)或钼(Mo)等高熔点金属所构成的上述栅极信号线GL与栅极电极Ga；以及保持电容电极线CL。而且，在该等组件上面形成有以硅氧化膜及硅氮化膜的顺序层积的层间绝缘膜4。并且，该层间绝缘膜4对应于上述漏极Da而形成开口，通过在该开口部填充铝等的导电物，该漏极Da可与上述漏极信号线DL取得电性接触。再者，在该等漏极信号线DL及上述层间绝缘膜4上形成有由例如有机树脂构成，用以使表面平坦化的平坦化绝缘膜5。
另一方面，用以驱动EL组件的上述TFTb形成如图2(b)所示的样态。亦即，在上述玻璃基板1上形成有与先前图2(a)所示者相同的多晶硅层2。在该多晶硅层2上形成有TFTb的沟道Cb与源极Sb及漏极Db。然后，在该多晶硅层2上，形成有与先前图2(a)所示者相同的栅极绝缘膜3，同时在该栅极绝缘膜3之中沟道Cb上方，形成有铬(Cr)或钼(Mo)等高熔点金属所构成的栅极Gb。在该等栅极Gb与门极绝缘膜3上依序层积形成有与先前图2(a)所示者相同的层间绝缘膜4、平坦化绝缘膜5。而且，在层间绝缘膜4之中，与上述漏极Db对应的部位形成开口，通过在该开口部填充铝等的导电物，可取得该漏极Db与上述驱动电源线IL间的电性接触。此外，层间绝缘膜4及平坦化绝缘膜5之中，与上述源极Sb对应的部位形成开口，通过在该开口部填充铝等的导电物，可取得该源极Sb与铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)等透明电极11的电性接触。此透明电极11形成EL组件的阳极。
上述EL组件依序层积形成下列各部分而成。
a.透明电极11
b.空穴传输层12：由NBP构成
c.发光层13：红(R)….在主体材料(Alq3)掺入红色添加物(DCJTB)。
绿(G)….在主体材料(Alq3)掺入绿色添加物(Coumarin6)。
蓝(B)….在主体材料(Alq3)掺入蓝色添加物(Perylene)。
d.电子传输层14：由Alq3构成
e.电子注入层15：由氟化锂(LiF)构成
f.电极(阴极)16：由铝(Al)构成
此外，上述以简称陈述的材料的正式名称系如下所示。
“NBP”….N，N’-Di((naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl-benzidine)
“Alq3”….Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum
“DCJTB”….(2-(1，1-Dimethylethyl)-6-(2-(2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethy1-1H，5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile。
“Coumarin 6”….3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin。
“Balq”….(1，1’-Bisphenyl-4-01ato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1，08)Aluminum。
该等空穴传输层12、电子传输层14、电子注入层15、电极16，也共同形成于图2(a)所示区域。但发光层13对应于透明电极11而形成岛状，故未形成在图2(a)所示区域。此外，在平坦化绝缘膜5上形成有绝缘膜10。
其次，说明本发明EL显示装置的制造方法。
图3为表示本实施形态的EL显示装置的制造程序。如图3所示，在此一连串的制造程序中，首先在上述玻璃基板1上形成TFT及透明电极11(步骤100)，再形成空穴传输层12(步骤110)。
如上述形成有空穴传输层12的上述玻璃基板1使形成有该空穴传输层12的面垂直朝下，而插入真空蒸镀室(chamber)内(步骤120)。在该蒸镀室内，如图4所示的样态，配置有预先配合上述发光层13的形状而形成开口(未图标)且由例如镍(Ni)制成的屏蔽30。详言之，此屏蔽30透过配置于保持台34上的屏蔽框架31加以固定。
然后，将形成有上述空穴传输层12的玻璃基板1插入真空反应室内，即进行该玻璃基板1与位于其下方的屏蔽30间的对准。亦即，通过该图4所示CCD(Charge Coupled Device)摄影机32等，对形成于屏蔽30内的对正标记(alignment mark)30a以及形成于玻璃基板1的对正标记1a的各位置加以监控，同时进行玻璃基板1与屏蔽30的对准，以使对正标记30a、1a吻合一致(图3、步骤130)。在此图4所示的对正标记30a及1a是为了能易于识别而放大显示，但实际上为纵50μm、横50μm的十字形。
另外，实际上，上述步骤对应于彩色显示装置的各原色R、G、B而分别进行。亦即，形成有空穴传输层12的玻璃基板1依序插入于用以形成上述各原色R、G、B的对应发光层13的各真空蒸镀室内。然后，在各个真空蒸镀室中具备有屏蔽，该屏蔽仅在与预定原色发光用透明电极(阳极)相对应的部位形成开口，且由该屏蔽充作上述的遮罩30。亦即，在各真空蒸镀室内具备有对应于R、G、B的一任一原色的屏蔽。藉此，可在各蒸镀室中，将与各原色对应的发光层分别形成在预定位置上。
图5(a)表示已与屏蔽30对准的玻璃基板1(图中以虚线标示)的配置样态。在本实施形态中，该屏蔽30是以能由1片玻璃基板形成多个显示面板的方式而构成的。详言之，本实施形态中的屏蔽30如图5(a)所示，可同时形成16张显示面板，并具备16个面板形成部30p。而且，该等16个面板形成部30p由各具备有4个面板形成部30p的4个屏蔽30所形成。而且，该等各面板形成部30p，如图5(b)所示，配合该原色发光用的上述透明电极11而形成有开口部30h。
当如图5(a)所示的样态进行屏蔽30与玻璃基板1间的对准时，玻璃基板1由屏蔽框架31等加以支持。然后，在先前图4中，从配置于保持台34下方的蒸镀源40将上述发光层13的材料予以加热，使之蒸发，藉此使该材料蒸汽透过上述屏蔽的开口部蒸镀在玻璃基板1表面上(图3、步骤140)。
图6以模式化显示经由该屏蔽30而形成发光层样态。如图6所示，各透明电极(阳极)11中，在各蒸镀室内，与该原色对应的透明电极的形成区域以外，由屏蔽30所覆盖。然后，与该原色对应的EL材料(有机EL材料)在蒸镀源40内被加热、气化，而经由屏蔽30的开口部30h蒸镀形成在玻璃基板1(正确而言，应为该空穴传输层12)上。
如上述，各蒸镀室内，蒸镀形成有对应原色的发光层的玻璃基板1从该等发光层形成用真空蒸镀室取出，并于另一真空蒸镀室内形成上述电子传输层15及电极(阴极)16(图3、步骤150)。然而，实际上，该等电子传输层15及电极(阴极)16的形成是在各别的真空蒸镀室内进行的。
然而，在上述样态中，于真空蒸镀室内进行上述玻璃基板1与屏蔽30的对准时，如前所述，会在玻璃基板1及屏蔽上发生弯曲等问题。特别是，如本实施形态所示，当采用可同时形成多数显示面板的大型玻璃基板1的时，该玻璃基板1的弯曲也经常增大。
以下，根据图7说明该玻璃基板的尺寸、支持样态与在该玻璃基板所产生的弯曲的关系。
图7(a)表示各玻璃基板的尺寸以及与在该支持样态与该玻璃基板所产生的弯曲的关系。图7(a)所示的状况一是以图7(b)所示的支持样态来支持长度K的玻璃基板时的弯曲量，按该玻璃基板的材质种类而显示的情形。相对于此，在状况二中，将以图7(b)所示的支持样态来支持长度L(L＞K)的玻璃基板时的弯曲量，按该玻璃基板的材质种类而显示的情形。另一方面，状况三是将以图7(c)所示支持样态来支持长度K的玻璃基板时的弯曲量，按该玻璃基板的材质别显示的情形。
由图7(a)可清楚了解，以线支持(图7(b))玻璃基板较点支持(图7(c))的方式更能抑制弯曲。再者，根据该图7(a)也可了解，玻璃基板的长度愈短愈能抑制弯曲。而且，如将重力加速度设成g、波松(poisson)比设为σ、玻璃的密度设为ρ、玻璃的杨氏系数(Young′s modulus)设为E、玻璃的厚度设为t，则以图7(b)所示的样态支持玻璃基板时的弯曲n，可以如下公式(c1)表示。
n＝K4gρ(1-σ2)/6.4Et2…….(c1)
由上述公式(c1)可知，玻璃基板的长度愈长，弯曲量将会飞跃性地增加。
于是，在本实施形态中，如图8所示的样态，以边支持构件50支持玻璃基板1的四边的方式，以抑制玻璃基板1所产生的弯曲。亦即，由于玻璃基板1未受支持的边的长度愈长，则弯曲愈增大，故藉由以边支持的方式支持玻璃基板1的四边，可抑制因玻璃基板1的长度增加而发生的弯曲增大。
此外，该四边的支持形态令玻璃基板1与边支持构件50间的接触部相对于玻璃基板1的面，亦即在各相对向的边之间，以保持对称性的样态进行。藉此，可抑制玻璃基板1所产生的弯曲。
再者，在本实施形态中，通过各边支持构件50而将与屏蔽30相对向的玻璃基板1的面的端边以线的方式支持。如此一来，通过边支持构件50沿着玻璃基板1的各边以线的方式支持，该各边支持构件50能够不与玻璃基板1的显示区域接触即可支持玻璃基板1。
详言之，如图8所示，该边支持构件50呈L字形，将玻璃基板1的下方，换言之，将形成有空穴传输层12形成的一侧的面，安置在该边支持构件50上，藉以支持该玻璃基板1。
然后，该等各边支持构件50的长度设定成较玻璃基板1的各边长度为短。具体而言，是将边支持构件50中承载玻璃基板1的部位的长度设定成较对应于玻璃基板1之外周的屏蔽框架31中相邻接的2个屏蔽框架31间的长度为短。藉此，可避免先前图5(a)所示的屏蔽框架31与边支持构件50的干扰。亦即，在玻璃基板1与屏蔽30的对准完成后，即将边支持构件50予以去除。藉由以上述方式设定该边支持构件50的长度，可在图5(a)一点链线所示位置，达成边支持构件50对玻璃基板1的支持，同时也无须与屏蔽框架31接触而可容易地去除该支持构件50。
根据以上说明的本实施形态，将可获得以下效果。
(1)通过边支持构件50支持玻璃基板1的四边，同时进行该玻璃基板1及屏蔽30的对准。藉此，可更适于抑制玻璃基板1所产生的弯曲，同时可防止玻璃基板1的蒸镀面因屏蔽30而受到损害。
此外，上述实施形态亦可如以下方式变更实施。
·也可在以边支持构件50支持玻璃基板1的状态下，将EL材料蒸镀形成至该玻璃基板1上。此时，屏蔽框架31的形状系为任意。
第2实施形态
以下，以与上述第1实施形态的不同点为中心，参照图式说明将本发明EL显示装置的制造方法，具体实施于主动矩阵式彩色EL显示装置的制造方法的第2实施形态。
本第2实施形态，是在按照先前第1实施形态的玻璃基板1与屏蔽30的对准之际，再并用以下的基板支持方法。
亦即，本实施形态，是与图5(a)一起显示，在屏蔽框架31上设置由树脂及金属等构成的多个销33。该销33系如图9所示，与玻璃基板1的抵接面成为球面，在进行与玻璃基板1与屏蔽30的对准之际，透过成为该球面的抵接面而支持玻璃基板1。藉此，在进行对准之际，不会损伤玻璃基板1且可抑制其弯曲。
详言之，该销33的配置方式至少可以支持例如玻璃基板面的中央部等未能由上述支持机构50支持的部分。此外，该销33相对于玻璃基板1的面保持对称性的样态而配置。
此外，本实施形态中，销33是例如在下部形成具有弹簧(包含板簧)的可伸缩结构。藉此，由于销33会随玻璃基板1本身的重量而收缩，故可确实地支持玻璃基板1。并且可使销33至少收缩到屏蔽框架31的高度。藉此，在对准完成后，可藉玻璃基板1本身的重量或来自外部的力量，使销33收缩到屏蔽30的高度。此外，在取代方案上，如果设计成通过销33的收缩使该销33的高度较屏蔽30的高度更高，则可保持屏蔽与玻璃基板之间的间隙。
根据以上说明的本实施形态，除了先前第1实施形态的上述(1)的功效之外，更可获得以下的功效。
(2)通过销33支持玻璃基板1同时进行对准时，可于对准之际更适于抑制玻璃基板1所产生的弯曲。
(3)使销33设成可朝垂直方向伸缩的结构。藉此，进行于玻璃基板1与屏蔽30间的对准之后，可使屏蔽30等对玻璃基板1的支持更顺利地进行，或可通过该销33支持玻璃基板1而保持屏蔽30与玻璃基板1的间隙。
此外，上述第2实施形态，也可如以下方式变更实施。
·销33的配置样态不限于上述。只要是可在显示区以外的区域支持玻璃基板1的配置方式均可。此外，也可在屏蔽框架31的保持台34上形成销等，以取代在屏蔽框架31上设置销。
·销33的构成也不一定必须做成如上述的可伸缩结构。此情况中，通过该销33支持玻璃基板1，同时进行对准与EL材料的蒸镀形成。
第3实施形态
以下，以与第2实施形态的不同点为中心，参照图式说明有关本发明EL显示装置的制造方法，具体实施于主动矩阵式彩色EL显示装置的制造方法的第3实施形态。
本第3实施形态，是在按照先前第2实施形态玻璃基板1与屏蔽30的对准之际，再并用以下的基板支持方法。
亦即，本实施形态中，在进行玻璃基板1的对准之际，利用静电吸着支持该玻璃基板1的上面。亦即，在真空蒸镀室内，无法利用较大气压低的压力来吸着玻璃基板1的上面，藉以支持该玻璃基板。于是，通过利用静电吸着支持玻璃基板1的上面，即可在真空蒸镀室内吸着支持玻璃基板1。
图10显示该静电吸着的原理。如该图10所示，本实施形态所采用的静电吸着装置60为在由陶瓷等所构成的吸着部61内设置一对电极62、63，并对该等电极分别连接蓄电池64的阳极及阴极。通过该静电吸着装置60吸着支持玻璃基板1，可更加抑制玻璃基板1所产生的弯曲。
在此，参照图11，综观本实施形态中的玻璃基板1与屏蔽30的对准程序。
该一连串的程序中，将玻璃基板1插入真空蒸镀室内时(步骤200)，透过上述静电吸着装置60以及边支持构件50支持玻璃基板1，同时使其往屏蔽30侧移动(步骤210)。然后，玻璃基板1与销33接触后进行该玻璃基板1与屏蔽30的对准(步骤220)。然后，在对准完成后，透过静电吸着装置60以及边支持构件50支持玻璃基板1，同时使该玻璃基板1下降。然后，在玻璃基板1以屏蔽30所支持或由销33所支持的状态下，将静电吸着装置60以及边支持构件50予以去除(步骤230)。以此方式，可进行与屏蔽30的对准作业，并且将EL材料蒸镀形成至玻璃基板1(步骤240)。
根据以上说明的本实施形态，除先前第1实施形态的上述(1)的功效、以及先前第2实施形态的上述(2)、(3)的功效外，更可获得以下的效果。
(4)通过静电吸着吸着支持玻璃基板1的上面。藉此，在进行玻璃基板1与屏蔽30的对准之际，可更适于抑制玻璃基板1所产生的弯曲，更进而可适当地进行玻璃基板1与屏蔽30的对准。
此外，本第3实施形态，也可以如下方式改变实施方式。
·本实施形态中，系在按照第2实施形态的玻璃基板1与屏蔽30的对准之际，虽更并用静电吸着，但在按照第1实施形态的玻璃基板1与屏蔽30的对准之际，也可使其更进一步并用静电吸着。其它实施形态
其它，就与上述各实施形态共通而可改变的要素而言，有如下列要素。
·多数显示面板所用的屏蔽的配置样态并不限定于如图5所示的分割成四个屏蔽。只要在改变该屏蔽之际，屏蔽框架的形状也适当地改变，使之得以固定屏蔽即可。
·未必以同时形成多数显示面板者为限。
·有关玻璃基板1的四边的支持样态，未必以上述边支持构件50为限。例如，如图12所示，也可采用各边以等间隔分成3等分的2个等分点支持的支持构件。以此方式，玻璃基板的边长变长时，也可由于四边均获支持而抑制弯曲。再者，四边的支持样态，未必以图12所示者为限。然而，以使各边支持样态能保持对称性较佳。
·也可使其至少支持三边，以取代支持四边。
·此外，屏蔽框架31的构成也未必以图5(a)所示者为限。只要是能够固定屏蔽30，并可排除其与边支持构件50等的干扰者，则无论何种形状均可。
·不以真空蒸镀法为限，只要是在进行玻璃基板等EL组件形成基板与屏蔽间的对准之际，可以抑制在玻璃基板所产生的弯曲者，均适用于本发明。
·利用屏蔽而对R、G、B各区域形成EL组件的技术，不以形成发光层为限。例如，就空穴传输层及电子传输层而言，欲变更在R、G、B上的成膜量时等，可以如上述各实施形态中的发光层的形成步骤一般，通过屏蔽来形成。因此，本发明也可有效适用于此时的屏蔽与基板间的对准。
·本发明不限于制造主动矩阵式EL显示装置，也可用单纯矩阵方式等任意EL显示装置的制造。
·此外，EL组件材料，不以在上述实施形态中所示者为限，也可采用能制成EL显示装置的任意EL组件材料。甚至，关于屏蔽等素材，也不以上述实施形态所示者为限。
发明的功效：
根据权利要求1的发明，可在通过边支持机构支持基板的至少三边的状态下，进行屏蔽与基板的对准。因而在进行该对准之际，可抑制基板所产生的弯曲，进而更适于进行对准。
根据权利要求2的发明，在边支持机构与基板间的接触部中，由于各对向的边间保持对称性，故可更进一步抑制基板所产生的弯曲。
根据权利要求3的发明，可采用具有简单的构成者作为边支持机构。
根据权利要求4的发明，通过利用屏蔽框架或屏蔽支持基板，可易于进行电场发光材料的附着形成。
根据权利要求5的发明，除边支持机构外，还在通过销支持基板的状态下进行对准，故可更适当地进行对准。
根据权利要求6的发明，在以真空蒸镀法进行电场发光组件的附着时，可更快速地进行该蒸镀作业。
根据权利要求7的发明，即使在真空容器内也可适当地从其上面支持基板。

Claims (7)

1.一种电场发光显示装置的制造方法，其将基板与配置在该基板下方的屏蔽进行对准，并将电场发光组件材料经由前述屏蔽附着形成于前述基板，而形成显示装置的显示部，其特征在于：对前述基板的三个以上的边，以边支持机构支持该等各边，同时进行前述对准。
2.如权利要求1所述的电场发光显示装置的制造方法，其特征在于：前述边支持机构系采用其与前述基板的接触部在各相对向的边间保持对称性者。
3.如权利要求1或2所述的电场发光显示装置的制造方法，其特征在于：前述基板是在与前述屏蔽相对向的面的端边，以安置于前述边支持机构的样态加以支持。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电场发光显示装置的制造方法，其特征在于：将前述屏蔽预先固定于配置在保持台上的屏蔽框架(mask frame)，而在前述对准后，去除前述边支持机构，在以前述屏蔽及屏蔽框架的至少一方支持前述基板的状态下，进行前述电场发光组件材料的附着形成。
5.如权利要求1至3中任一项所述的电场发光显示装置的制造方法，其特征在于：将前述屏蔽预先固定于配置在保持台上的屏蔽框架，同时于该等保持台及屏蔽框架的至少一方，形成用以支持前述基板的多个销，并在对于支持前述各边的基板，再以该销支持的状态下进行前述对准。
6.如权利要求1至5中任一项所述的电场发光显示装置的制造方法，其特征在于：至少前述对位作业是在真空容器内进行的。
7.如权利要求6所述的电场发光显示装置的制造方法，其特征在于：在前述各边已获支持的基板的上面，再以静电吸着支持的状态，进行前述对准。
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