CN113005403B - 成膜装置、使用其的成膜方法及电子器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及成膜装置、使用其的成膜方法及电子器件的制造方法。更有效地抑制向静电吸盘吸附时的褶皱的产生。一种成膜装置，经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其中，成膜装置包括：基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的周缘部；基板吸附部件，其配置于所述腔室内的所述基板支承部的上方，用于吸附由所述基板支承部支承的所述基板；以及控制部，其控制所述基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降，所述基板支承部包括支承所述基板的角的附近的第1支承部、第2支承部以及支承与第1支承部、第2支承部不同的部分的第3支承部，所述控制部对所述第1支承部至第3支承部独立地进行升降控制。
Description
技术领域
本发明涉及成膜装置、使用该成膜装置的成膜方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的蒸发源蒸发的蒸镀材料经由形成有像素图案的掩模蒸镀到基板上，从而形成有机物层、金属层。
在向上蒸镀方式(日文：デポアップ)的成膜装置中，蒸发源设置在成膜装置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，向基板的下表面进行蒸镀。在这样的向上蒸镀方式的成膜装置中，基板由基板保持件的支承部支承下表面的周缘，以避免对形成于作为成膜面的下表面的有机物层/电极层造成损伤。在该情况下，随着基板的尺寸变大，未被基板保持件的支承部支承的基板的中央部会因基板的自重而挠曲，这成为降低蒸镀精度的一个要因。对于向上蒸镀方式之外的方式的成膜装置，也有可能产生因基板的自重导致的挠曲。
作为用于减小因基板的自重导致的挠曲的方法，研究了使用静电吸盘的技术。也就是说，在基板的上部设置静电吸盘，使静电吸盘吸附由基板保持件的支承部支承的基板的上表面，从而基板的中央部被静电吸盘的静电引力拉拽，能够减小基板的挠曲。
发明内容
发明要解决的课题
但是，在这样使用静电吸盘从上方吸附基板的方式中，若要将基板的整个面同时吸附，则有时基板不会平坦地吸附于静电吸盘，特别是在中央部产生褶皱。
也就是说，若在使由基板支承部支承的基板朝向静电吸盘上升(或使静电吸盘朝向基板下降)而使基板与静电吸盘相互接近或接触的状态下，对静电吸盘的整个面施加吸附电压，则由支承部支承的基板的周缘部比挠曲的中央部先吸附于静电吸盘，由此，基板中央部的挠曲未被充分排出，使得褶皱残留。
虽然研究了用于抑制该向静电吸盘吸附时的褶皱的产生的技术，但依然存在无法充分抑制褶皱的产生的课题。
因此，本发明鉴于上述的课题，目的在于更有效地抑制向静电吸盘吸附时的褶皱的产生。
用于解决课题的手段
本发明的一实施方式的成膜装置经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其中，所述成膜装置包括：基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的周缘部；基板吸附部件，其配置于所述基板支承部的上方，用于吸附由所述基板支承部支承的所述基板；以及控制部，其控制所述基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降，所述基板支承部至少包括：第1支承部，其支承所述基板的经由第1角相邻的2个边各自的所述第1角的附近；第2支承部，其支承所述基板的经由所述第1角的对角即第2角相邻的2个边各自的所述第2角的附近；以及第3支承部，其支承与所述第1支承部及所述第2支承部不同的部分，所述控制部对所述第1支承部至第3支承部独立地进行升降控制。
本发明的一实施方式的成膜方法在成膜装置的腔室内，经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其中，所述成膜方法包括：通过基板支承部支承送入到腔室内的所述基板的周缘部的步骤；使配置于所述基板支承部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的成膜面的相反侧的背面的步骤；以及将从成膜源放出的成膜材料经由所述掩模在所述基板的成膜面上成膜的步骤，所述吸附的步骤包括使所述基板支承部朝向所述基板吸附部件上升，使由所述基板支承部支承的基板接近所述基板吸附部件的步骤，所述基板支承部至少包括：第1支承部，其支承所述基板的经由第1角相邻的2个边各自的所述第1角的附近；第2支承部，其支承所述基板的经由所述第1角的对角即第2角相邻的2个边各自的所述第2角的附近；以及第3支承部，其支承与所述第1支承部及所述第2支承部不同的部分，在使所述基板支承部上升的步骤中，使所述第1支承部至第3支承部独立地上升。
本发明的一实施方式的电子器件的制造方法使用所述成膜方法来制造电子器件。
发明的效果
根据本发明，能够更有效地抑制向静电吸盘吸附时的褶皱的产生。此外，在此记载的效果不一定限定，也可以是本发明中记载的任意效果。
附图说明
图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。
图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。
图3是从铅垂方向(Z方向)上方观察本发明的一实施方式的基板支承单元的俯视图。
图4是表示从图3中将基板的第1角部和对角位置的第2角部连结的对角方向上的垂直截面观察时的、基板支承部的上升以及向静电吸盘的吸附进行过程的图。
图5a是说明本发明的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。
图5b是说明本发明的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。
图6是表示向静电吸盘的基板吸附顺序的详细工序的工序图。
图7是表示电子器件的示意图。
附图标记说明
11：成膜装置，22：基板支承单元，221、222、223、224：支承部，23：掩模支承单元，24：静电吸盘，241、242、243、244：子电极部。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式及实施例进行说明。但是，以下的实施方式及实施例仅是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构和软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载，就并非旨在将本发明的范围仅限定于此。
本发明能够应用于使各种材料堆积于基板的表面而进行成膜的装置，能够优选地应用于通过真空蒸镀形成所期望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料，基板例如也可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等的膜的基板。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。此外，除了以下的说明中说明的真空蒸镀装置之外，也能够将本发明应用于包括溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置在内的成膜装置。具体而言，本发明的技术能够应用于有机电子器件(例如，有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学部件等的制造装置。在这其中，通过使蒸镀材料蒸发并经由掩模蒸镀到基板上而形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选应用例之一。
＜电子器件的制造装置＞
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在对第4.5代的基板(约700mm×约900mm)、第6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切尺寸(约1500mm×约925mm)的基板进行了用于形成有机EL元件的成膜之后，切取该基板而制作成多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置一般而言包括多个集群装置1和将集群装置之间相连的中继装置。
集群装置1具备对基板S进行处理(例如成膜)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模储备装置12、以及配置于其中央的输送室13。如图1所示，输送室13与多个成膜装置11及掩模储备装置12分别连接。
在输送室13内配置有输送基板和掩模的输送机器人14。输送机器人14从配置于上游侧的中继装置的通路室15向成膜装置11输送基板S。另外，输送机器人14在成膜装置11与掩模储备装置12之间输送掩模M。输送机器人14例如是具有在多关节臂安装有保持基板S或掩模M的机械手的构造的机器人。
在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，收纳于蒸发源的蒸镀材料由加热器加热而蒸发，经由掩模蒸镀到基板上。与输送机器人14的基板S的交接、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一系列的成膜工艺由成膜装置11进行。
在掩模储备装置12中，成膜装置11的成膜工序要使用的新的掩模和已使用的掩模分开收纳在两个盒体中。输送机器人14将已使用的掩模从成膜装置11输送到掩模储备装置12的盒体，将收纳于掩模储备装置12的其他盒体的新的掩模输送到成膜装置11。
在集群装置1连结有通路室15和缓冲室16，该通路室15将来自基板S的流动方向上上游侧的基板S传递到该集群装置1，该缓冲室16用于将在该集群装置1中已完成成膜处理的基板S传递到下游侧的其他集群装置。输送室13的输送机器人14从上游侧的通路室15接收基板S，将其输送到该集群装置1内的成膜装置11之一(例如，成膜装置11a)。另外，输送机器人14从多个成膜装置11之一(例如，成膜装置11b)接收该集群装置1中的成膜处理已完成的基板S，将其输送到与下游侧连结的缓冲室16。
在缓冲室16与通路室15之间设置有改变基板的朝向的回旋室17。在回旋室17设置有用于从缓冲室16接收基板S并使基板S旋转180°、将其输送到通路室15的输送机器人18。由此，在上游侧的集群装置和下游侧的集群装置之间基板S的朝向变得相同，基板处理变得容易。
通路室15、缓冲室16、回旋室17是将集群装置之间连结的所谓的中继装置，设置于集群装置的上游侧及/或下游侧的中继装置包括通路室、缓冲室、回旋室中的至少1个。
成膜装置11、掩模储备装置12、输送室13、缓冲室16、回旋室17等在有机发光元件的制造过程中维持为高真空状态。通路室15通常维持为低真空状态，但根据需要也可以维持为高真空状态。
在本实施例中，参照图1，说明了电子器件的制造装置的结构，但本发明并不限定于此，可以具有其他种类的装置、腔室，这些装置、腔室之间的配置也可以改变。
以下，说明成膜装置11的具体的结构。
＜成膜装置＞
图2是表示成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用将铅垂方向设为Z方向的XYZ直角坐标系。在成膜时基板S固定为与水平面(XY平面)平行的情况下，将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，用θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置11包括：真空容器21，其维持为真空环境或氮气等非活性气体环境；基板支承单元22，其设置于真空容器21的内部；掩模支承单元23；静电吸盘24；以及蒸发源25。
基板支承单元22是接收并保持由设置于输送室13的输送机器人14输送来的基板S的部件，也称为基板保持件。基板支承单元22包括支承基板的下表面的周缘部的支承部。基板支承单元22的支承部的详细结构将在之后叙述。
在基板支承单元22的下方设置有掩模支承单元23。掩模支承单元23是接收并保持由设置于输送室13的输送机器人14输送来的掩模M的部件，也称为掩模保持件。
掩模M具有与要形成在基板S上的薄膜图案对应的开口图案，载置在掩模支承单元23之上。特别是，为了制造智能手机用的有机EL元件所使用的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask)。
在基板支承单元22的上方设置有用于通过静电引力吸附并固定基板的静电吸盘24。静电吸盘24具有在电介质(例如，陶瓷材质)基体内埋设有金属电极等电路的构造。静电吸盘24可以是库仑力类型的静电吸盘，也可以是约翰逊·拉别克力类型的静电吸盘，也可以是梯度力类型的静电吸盘。静电吸盘24优选为梯度力类型的静电吸盘。通过使静电吸盘24为梯度力类型的静电吸盘，即使在基板S是绝缘性基板的情况下，也能够通过静电吸盘24良好地进行吸附。在静电吸盘24是库仑力类型的静电吸盘的情况下，当向金属电极施加正(+)和负(－)的电位时，通过电介质基体在基板S等被吸附体上感应出与金属电极相反极性的极化电荷，通过它们之间的静电引力将基板S吸附固定于静电吸盘24。
静电吸盘24可以由一个板形成，也可以形成为具有多个子板。另外，在由一个板形成的情况下，也可以在其内部包含多个电路，控制为在一个板内根据位置不同而静电引力不同。也就是说，静电吸盘能够根据埋设的电路的构造而分为多个吸附部模块。对于静电吸盘24的吸附部的结构以及吸附电压施加的控制方式的详细情况，也将与基板支承单元22的支承部的动作控制一起在之后叙述。
在静电吸盘24的上部，虽未示出，但能够设置磁力施加部件，该磁力施加部件用于在成膜时对掩模M施加磁力，将掩模M向基板S侧吸引而使其紧贴于基板S。作为磁力施加部件的磁体，能够由永磁体或电磁体构成，能够划分为多个模块。
另外，虽在图2中未图示，但也可以通过在静电吸盘24的吸附面的相反侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如，冷却板)来抑制堆积在基板S上的有机材料的变质、劣化。冷却板也能够与上述磁体一体形成。
蒸发源25包括收纳要在基板上成膜的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于加热坩埚的加热器(未图示)、在从蒸发源的蒸发率变得恒定之前阻止蒸镀材料向基板飞散的挡板(未图示)等。蒸发源25能够根据用途而具有多种多样的结构，如点(point)蒸发源、线状(linear)蒸发源等。
虽在图2中未图示，但成膜装置11包括用于测定在基板上蒸镀的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)和膜厚计算单元(未图示)。
在真空容器21的上部外侧(大气侧)设置有基板Z致动器26、掩模Z致动器27、静电吸盘Z致动器28、位置调整机构29等。这些致动器和位置调整机构例如由马达和滚珠丝杠、或者马达和线性导向件等构成。基板Z致动器26是用于使基板支承单元22升降(Z方向移动)的驱动部件。通过基板Z致动器26的驱动而进行的基板支承单元22的升降控制的详细情况将在之后叙述。掩模Z致动器27是用于使掩模支承单元23升降(Z方向移动)的驱动部件。静电吸盘Z致动器28是用于使静电吸盘24升降(Z方向移动)的驱动部件。
位置调整机构29是用于对静电吸盘24与基板S及/或基板S与掩模M之间的位置偏移进行调整(对准)的驱动部件。也就是说，位置调整机构29是用于相对于基板支承单元22及掩模支承单元23而使静电吸盘24在与水平面平行的面内在X方向、Y方向、θ方向中的至少一个方向上相对移动/旋转的水平驱动机构。此外，在本实施方式中，将位置调整机构构成为基板支承单元22及掩模支承单元23在水平面内的移动固定，使静电吸盘24在X、Y、θ方向上移动，但本发明并不限定于此，也可以将位置调整机构构成为静电吸盘24沿水平方向的移动固定，使基板支承单元22和掩模支承单元23在XYθ方向上移动。
在真空容器21的外侧上表面，除了上述的驱动机构之外，设置有对准用相机20a、20b，该对准用相机20a、20b用于经由设置于真空容器21的上表面的透明窗，对形成于基板S和掩模M的对准标记进行拍摄。通过从由对准用相机20a、20b拍摄的图像中识别基板S上的对准标记和掩模M上的对准标记，能够测量各自的XY位置、在XY面内的相对偏移。
基板S与掩模M之间的对准能够实施粗略地进行位置对齐的第1位置调整工序即第1对准(也称为“粗对准(rough alignment)”)和高精度地进行位置对齐的第2位置调整工序即第2对准(也称为“精对准(fine alignment)”)这2个阶段的对准。在该情况下，可以使用低分辨率但宽视野的第1对准用的相机20a和窄视野但高分辨率的第2对准用的相机20b这2种相机。对于基板S和掩模120的每一个，用2台第1对准用相机20a测定标附在相向的一对边的2处的对准标记，用4台第2对准用相机20b测定标附在基板S及掩模120的四个角的对准标记。对准标记及其测定用相机的数量没有特别限定，例如，在精对准的情况下，也可以用2台相机测定标附在基板S及掩模120的相向的两个角的标记。
成膜装置11具备控制部(未图示)。控制部具有基板S的输送及对准、蒸发源25的控制、成膜的控制等功能。控制部例如能够由具有处理器、内存、存储器、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部的功能通过处理器执行存储于内存或存储器的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式计算机或PLC(programmable logiccontroller)。或者，也可以由ASIC、FPGA这样的电路构成控制部的一部分或全部功能。另外，可以按每个成膜装置设置控制部，也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
＜基板支承单元＞
基板支承单元22包括支承基板的下表面的周缘部的支承部。图3是从铅垂方向(Z方向)上方观察基板支承单元22的俯视图，为了便于理解，示出了基板S载置并支承在基板支承单元22上的情形，除此之外，配置于基板S上部的静电吸盘24、基板Z致动器26等驱动机构等省略图示。
如示出的这样，构成基板支承单元22的支承部包括能够分别独立地进行升降控制的多个支承部221～224。具体而言，在将基板S的整个周缘区分为包含基板的各角部的4个区域的情况下，在与这4个角部的区域分别对应的位置分别设置4个支承部221～224。也就是说，在与基板S的第1角部(C1)对应的位置，设置沿着形成该角部的基板S的第1边(长边)和第2边(短边)分别延长而形成为L字形的第1支承部221，在与上述第1角部(C1)的对角位置即基板的第2角部(C2)对应的位置，设置沿着形成该角部的基板S的第3边(长边)和第4边(短边)分别延长而形成为L字形的第2支承部222。基板S的剩余的2个角部也同样地，在与第3角部(C3)对应的位置，设置沿着形成该角部的基板S的第3边(长边)和第2边(短边)分别延长而形成为L字形的第3支承部223，在与上述第3角部(C3)的对角位置即基板的第4角部(C4)对应的位置，设置沿着形成该角部的基板S的第1边(长边)和第4边(短边)分别延长而形成为L字形的第4支承部224。
用于使基板支承单元22在Z轴方向上升降驱动的驱动机构即上述的基板Z致动器26与这些各基板支承部221～224对应地设置。也就是说，在与基板S的各角部(C1～C4)对应的位置设置4个基板Z致动器，与分别对应的基板支承部221～224连结。而且，这些各基板Z致动器由控制部控制为能够使对应的各基板支承部221～224分别独立地升降。
在本发明的一实施方式中，在为了使基板S吸附于静电吸盘24而使由基板支承单元22支承的基板S朝向静电吸盘24上升时，使构成基板支承单元22的上述的多个基板支承部221～224独立地升降驱动。具体而言，按照从设置于与基板S的一个角部对应的位置的支承部向设置于与对角位置的角部对应的位置的支承部的顺序，使基板支承部221～224依次上升而接近静电吸盘24。例如，使与第1支承部221连接的基板Z致动器26驱动，以使设置于与第1角部(C1)对应的位置的第1支承部221先上升，接下来，使分别设置于与邻接于第1角部(C1)的第3角部(C3)及第4角部(C4)对应的位置的基板Z致动器驱动，使第3支承部223及第4支承部224上升，最后，使与第2支承部222连结的基板Z致动器驱动控制，使设置于与第1角部(C1)的对角位置即第2角部(C2)对应的位置的第2支承部222上升。
通过这样独立地驱动控制基板支承部，在使基板S吸附于静电吸盘24时，能够从对角线上的1个角部朝向相向的其他角部依次进行吸附。
也就是说，在静电吸盘24被施加吸附电压而接通的状态下，如上所述，使构成基板支承单元22的多个基板支承部221～224独立地依次上升时，由最先上升的第1支承部221支承的与基板S的第1角部(C1)对应的周缘部接触到静电吸盘24的下表面，进行吸附(图4的(a))。接下来，第3支承部223及第4支承部224上升，从而从第1角部(C1)朝向基板S的中央部沿图3的箭头方向进行吸附，直至由第3支承部223及第4支承部224分别支承的与第3角部(C3)及第4角部(C4)对应的周缘部为止进行吸附(图4的(b))，最后，对角位置的第2支承部222上升，与第2角部(C2)对应的位置的基板周缘部接触到静电吸盘24而进行吸附，从而吸附完成(图4的(c))。图4的(a)～图4的(c)是表示从图3中将基板的第1角部(C1)和第2角部(C2)连结的对角方向上的垂直截面观察时的、以上说明的基板支承部的上升以及向静电吸盘24的吸附进行过程的图。
这样，在本发明的一实施方式中，特征在于，将支承基板S的外周的基板支承单元22设置为分割成与基板S的各角部对应的多个区域，将设置于与这些各角部对应的位置的多个基板支承部221～224独立地依次驱动控制。由此，向静电吸盘24的吸附从基板的第1角部通过基板的中央部向基板的相向的第2角部依次进行，能够在基板的中央部的挠曲向最后吸附的第2角部侧排出的同时使整个基板平坦地吸附于静电吸盘24。因此，能够更有效地抑制向静电吸盘吸附时的褶皱产生。
以上，在说明的实施方式中，说明了在对静电吸盘24施加了吸附电压的状态下，开始基板支承部的上升，但本发明并不限定于此。例如，也能够在使静电吸盘24断开的状态下，开始以上说明的基板支承部的上升动作，在与静电吸盘24开始接触的时刻(例如，由第1支承部221支承的基板的第1角部接触到静电吸盘的时刻)，向静电吸盘24施加吸附电压，从而进行吸附。或者，也能够在基板支承部的上升开始且未与静电吸盘24接触的状态下向静电吸盘24施加吸附电压而使其接通。在这样的情况下，也能够发挥上述的本发明的效果。
此外，在本实施方式中，采用了在与基板的各角部(4个角部)对应的位置分别设置有基板支承部的结构，但只要构成为将至少3个以上的基板支承部中的至少1个设置于与基板的1个角部对应的位置，将其他基板支承部设置于角部或任意位置，使各基板支承部独立地进行升降控制，就能够从1个角部依次良好地进行吸附。
＜静电吸盘24的吸附部的结构、以及向静电吸盘24的吸附电压施加与基板支承部的驱动控制的连动＞
以上，说明了将用于吸附基板S的吸附电压同时施加于静电吸盘24的整个面，但本发明并不限定于此。
也就是说，通过使向静电吸盘24的基板吸附电压的施加与上述的基板支承部的驱动控制连动，能够更有效地抑制吸附时的褶皱产生。以下，对此进行详细说明。
参照图5a～图5b说明本发明的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构。
图5a是本实施方式的静电吸盘系统30的概念性的框图，图5b是静电吸盘24的示意性的俯视图。
如图5a所示，本实施方式的静电吸盘系统30包括静电吸盘24、电压施加部31、以及电压控制部32。
电压施加部31对静电吸盘24的电极部施加用于产生静电引力的电压。
电压控制部32根据静电吸盘系统30的吸附工序或成膜装置11的成膜工序的进展，控制由电压施加部31施加于电极部的电压的大小、电压的施加开始时刻、电压的维持时间、电压的施加顺序等。电压控制部32例如能够将向静电吸盘24的电极部所包含的多个子电极部241～244的电压施加按子电极部独立地进行控制。在本实施方式中，电压控制部32在成膜装置11的控制部之外另外实现，但本发明并不限定于此，也可以与成膜装置11的控制部统合。
静电吸盘24包括产生用于将被吸附体(例如，基板S)吸附于吸附面的静电吸附力的电极部，电极部能够包括多个子电极部241～244。例如，如图5b所示，本实施方式的静电吸盘24包括沿着静电吸盘24的长度方向(Y方向)及/或静电吸盘24的宽度方向(X方向)分割的多个子电极部241～244。
各个子电极部包括为了产生静电吸附力而被施加正(第1极性)和负(第2极性)的电位的电极对33。例如，各个电极对33包括被施加正电位的第1电极331和被施加负电位的第2电极332。
如图5b所示，第1电极331和第2电极332分别具有梳形。例如，第1电极331和第2电极332分别包括多个梳齿部和与多个梳齿部连结的基部。各电极331、332的基部向梳齿部供给电位，多个梳齿部在与被吸附体之间产生静电吸附力。在一个子电极部中，第1电极331的各梳齿部以与第2电极332的各梳齿部相向的方式交替配置。这样，设为各电极331、332的各梳齿部相向且相互错杂的结构，从而能够缩小被施加不同电位的电极之间的间隔，能够形成大的不均匀电场，通过梯度力吸附基板S。
在本实施例中，说明了静电吸盘24的子电极部241～244的各电极331、332具有梳形，但本发明并不限定于此，只要能够在与被吸附体之间产生静电引力，则能够具有多种多样的形状。
本实施方式的静电吸盘24具有与多个子电极部对应的多个吸附部。例如，如图5b所示，本实施例的静电吸盘24具有与4个子电极部241～244对应的4个吸附部，但并不限定于此，为了更精细地控制基板S的吸附，也可以具有其他个数的吸附部。
多个吸附部可以通过在物理上使一个板具有多个电极部而实现，也可以通过在物理上使分割的多个板分别具有一个或一个以上的电极部而实现。在图5b所示的实施例中，可以以多个吸附部分别与多个子电极部分别对应的方式实现，也可以以一个吸附部包括多个子电极部的方式实现。
例如，通过电压控制部32对向子电极部241～244的电压施加进行控制，从而如后所述，能够使在与基板S的吸附进行方向交叉的方向上配置的多个子电极部241、244形成一个吸附部。即，2个子电极部241、244分别能够独立地进行电压控制，但通过控制成向这2个电极部241、244同时施加电压，能够使这2个电极部241、244作为一个吸附部发挥功能。只要能够对多个吸附部分别独立地进行基板的吸附，则其具体的物理构造以及电路构造可以改变。
图6图示了对于具有以上结构的静电吸盘24，通过使对各吸附部的吸附电压施加与上述的基板支承部的驱动连动而使基板S从一侧的角部朝向对角方向的另一侧的角部依次进行吸附的详细工序。
在基板S被送入到成膜装置11的真空容器21内并载置于基板支承单元22的支承部的状态下，如上所述，设置于与基板S的1个角部(例如，第1角部(C1))对应的位置的第1支承部221先上升。当通过第1支承部221的上升而使与第1角部(C1)对应的基板周缘部充分接近或接触到静电吸盘24的下表面时，电压控制部32进行控制，以便向配置于与基板的第1角部(C1)对应的位置的子电极部243施加基板吸附电压(ΔV1)(图6的(a))。由此，从基板S的第1角部(C1)开始吸附。
接下来，当通过第3支承部223及第4支承部224的上升而使与第3角部(C3)及第4角部(C4)对应的基板周缘部充分接近或接触到静电吸盘24的下表面时，电压控制部32进行控制，以便向配置于与第3角部(C3)及第4角部(C4)对应的位置的子电极部241、244施加基板吸附电压(ΔV1)(图6的(b))。由此，从基板S的第1角部(C1)开始的吸附在朝向对角线上的其他角部的方向上进行吸附直至与包含基板S的中央部的基板S的大致一半相当的区域为止。
最后，当对角方向的基板支承部即第2支承部222上升而使与对角方向的角部即第2角部(C2)对应的基板周缘部充分接近或接触到静电吸盘24的下表面时，电压控制部32进行控制，以便向配置于与第2角部(C2)对应的位置的子电极部242施加基板吸附电压(ΔV1)(图6的(c))。由此，基板S的整个区域进行了吸附。
图6的各右侧附图是概念性地表示以上的各电压施加阶段中的基板S的吸附状态的俯视图(从静电吸盘24侧观察的俯视图)。用斜线表示各阶段中的基板吸附区域。图6的各左侧附图示出了上述的各电压施加阶段中的从将基板的第1角部(C1)和第2角部(C2)连结的对角方向上的垂直截面观察时的、基板支承部的上升以及吸附进行过程。
这样，在本发明的一实施方式中，控制成将设置于与基板S的各角部对应的位置的多个基板支承部221～224独立地依次驱动控制，并且施加于静电吸盘24的吸附电压也按照这样的基板支承部的驱动控制时机，从一侧的角部经过中央部朝向对角方向的另一侧的角部向多个吸附区域依次施加。
由此，能够更有效地抑制向静电吸盘24吸附基板时的褶皱的产生。
如以上这样，本发明将基板支承部设置为与基板S的各角部对应地分割多个，独立地控制它们的驱动，使基板的吸附在从一侧的角部朝向对角方向的另一侧的角部的方向上进行，从而在吸附时将基板的挠曲良好地排出，抑制褶皱的产生。本发明不限定于上述实施例的结构，也可以在其技术思想的范围内适宜变形。例如，在上述实施例中，说明了将基板支承部的驱动(及/或与其连动的向静电吸盘的吸附电压施加)按照“与第1角部(C1)对应的第1支承部221的上升”→“与第3角部(C3)及第4角部(C4)对应的第3支承部223及第4支承部224的同时上升”→“与第2角部(C2)对应的第2支承部222的上升”的顺序进行控制的例子，但只要基板的吸附进行方向整体上处于从一侧的角部朝向对角方向的另一侧的角部的方向，则也能够将第3支承部223及第4支承部224也独立地进行控制，按照“第1支承部221的上升”→“第3支承部223的上升”→“第4支承部224的上升”→“第2支承部222的上升”的顺序进行控制、或者按照“第1支承部221的上升”→“第3支承部223的上升”→“第4支承部224及第2支承部222的同时上升”的顺序等进行控制。
＜成膜工艺＞
以下，说明使用了本实施方式的成膜装置的成膜方法。
在掩模M支承于真空容器21内的掩模支承单元23的状态下，基板S被送入真空容器21内。通过以上说明的构成基板支承单元22的多个基板支承部221～224的依次驱动(及与其连动的向静电吸盘24的吸附电压依次施加)动作，使基板S吸附于静电吸盘24。接下来，在进行了基板S与掩模M的对准之后，若基板S与掩模M的相对位置偏移量比规定的阈值小，则使磁力施加部件下降，使基板S与掩模M紧贴之后，将成膜材料在基板S上进行成膜。在形成为所期望的厚度之后，使磁力施加部件上升，使掩模M分离，送出基板S。
＜电子器件的制造方法＞
下面，说明使用了本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构及制造方法。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图7的(a)是有机EL显示装置60的整体图，图7的(b)表示1像素的截面构造。
如图7的(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61以矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。详细情况将在之后说明，但发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。此外，在此所说的像素是指，在显示区域61中能够进行所期望的颜色的显示的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，通过显示出互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合构成像素62。像素62往往由红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件的组合构成，但也可以是黄色发光元件、青色发光元件以及白色发光元件的组合，只要为至少1种颜色以上，就没有特别限制。
图7的(b)是图7的(a)的A-B线的局部剖视示意图。像素62具有在基板63上具备阳极64、空穴传输层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子传输层67以及阴极68的有机EL元件。其中，空穴传输层65、发光层66R、66G、66B、电子传输层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色的有机EL层，发光层66G是发出绿色的有机EL层，发光层66B是发出蓝色的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(也有时描述为有机EL元件)对应的图案。另外，阳极64按每个发光元件分离地形成。空穴传输层65、电子传输层67以及阴极68可以与多个发光元件62R、62G、62B通用地形成，也可以按每个发光元件形成。此外，为了防止阳极64和阴极68因异物而短路，在阳极64之间设置有绝缘层69。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件不受水分、氧的影响的保护层70。
在图7的(b)中，用一个层表示空穴传输层65、电子传输层67，但也可以根据有机EL显示元件的构造，由包括空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外，也能够在阳极64与空穴传输层65之间形成具有能带构造的空穴注入层，以能够使空穴从阳极64顺利地向空穴传输层65注入。同样地，能够在阴极68与电子传输层67之间也形成电子注入层。
下面，具体说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和阳极64的基板63。
在形成有阳极64的基板63上通过旋涂形成丙烯酸树脂，利用光刻法以在形成有阳极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将绝缘层69形成图案的基板63送入第1有机材料成膜装置，通过基板保持单元和静电吸盘保持基板，将空穴传输层65作为通用的层在显示区域的阳极64上成膜。空穴传输层65通过真空蒸镀进行成膜。实际上空穴传输层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此，不需要高精细的掩模。
接下来，将形成至空穴传输层65的基板63送入第2有机材料成膜装置，通过基板保持单元和静电吸盘进行保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模上，在基板63的配置发出红色的元件的部分形成发出红色的发光层66R。
与发光层66R的成膜同样地，通过第3有机材料成膜装置形成发出绿色的发光层66G，然后通过第4有机材料成膜装置形成发出蓝色的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，通过第5成膜装置在整个显示区域61形成电子传输层67。电子传输层67作为通用的层而形成于3色的发光层66R、66G、66B。
使形成至电子传输层67的基板移动到金属性蒸镀材料成膜装置而形成阴极68。
之后，移动到等离子CVD装置而形成保护层70，有机EL显示装置60完成。
从将绝缘层69形成图案的基板63送入成膜装置起直到保护层70的成膜完成为止，若暴露在包含水分、氧的环境中，则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分、氧而劣化。因此，在本例中，成膜装置之间的基板的送入送出在真空环境或非活性气体环境下进行。
上述实施例表示本发明的一例，从而本发明不限定于上述实施例的结构，也可以在其技术思想的范围内适当变形。
Claims (9)
1.一种成膜装置，经由掩模在基板上对成膜材料进行成膜，其特征在于，所述成膜装置包括：
基板支承部，其配置于腔室内，支承所述基板的周缘部；
基板吸附部件，其配置于所述腔室内的所述基板支承部的上方，用于吸附由所述基板支承部支承的所述基板；以及
控制部，其控制所述基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降，
所述基板支承部至少包括：
第1支承部，其支承所述基板的经由第1角相邻的2个边各自的所述第1角的附近；
第2支承部，其支承所述基板的经由所述第1角的对角即第2角相邻的2个边各自的所述第2角的附近；以及
第3支承部，其支承所述基板的经由与所述第1角及所述第2角不同的第3角相邻的2个边的所述第3角的附近，
所述基板吸附部件是具有分别被施加用于吸附所述基板的吸附电压的分割的多个电极部的静电吸盘，
作为所述基板支承部的升降和所述基板吸附部件的控制，执行如下控制：
与使所述第1支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第1角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压的第1控制；
在所述第1控制之后，与使所述第3支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第3角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压的第2控制；以及
在所述第2控制之后，与使所述第2支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第2角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压的第3控制。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板支承部包括第4支承部，所述第4支承部支承所述基板的经由所述第3角的对角即第4角相邻的2个边各自的所述第4角的附近，
在所述第2控制中，与使所述第4支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第4角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
在所述第2控制中，使所述第3支承部及第4支承部一起上升。
4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
在所述第2控制中，使所述第3支承部及第4支承部依次上升。
5.一种成膜方法，在成膜装置的腔室内，经由掩模在基板的成膜面上对成膜材料进行成膜，其特征在于，所述成膜方法包括：
通过基板支承部支承送入到腔室内的所述基板的周缘部的步骤；
使配置于所述腔室内的所述基板支承部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的所述成膜面的相反侧的面的步骤；以及
将从成膜源放出的成膜材料经由所述掩模在所述基板的所述成膜面上成膜的步骤，
所述基板吸附部件是具有分别被施加用于吸附所述基板的吸附电压的分割的多个电极部的静电吸盘，
所述基板支承部至少包括：
第1支承部，其支承所述基板的经由第1角相邻的2个边各自的所述第1角的附近；
第2支承部，其支承所述基板的经由所述第1角的对角即第2角相邻的2个边各自的所述第2角的附近；以及
第3支承部，其支承所述基板的经由与所述第1角及所述第2角不同的第3角相邻的2个边的所述第3角的附近，
所述吸附的步骤包括：
与使所述第1支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第1角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压的第1步骤；
在所述第1步骤之后，与使所述第3支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第3角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压的第2步骤；以及
在所述第2步骤之后，与使所述第2支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第2角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压的第3步骤。
6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，
所述基板支承部包括第4支承部，所述第4支承部支承所述基板的经由所述第3角的对角即第4角相邻的2个边各自的所述第4角的附近，
在所述第2步骤中，
与使所述第4支承部上升而接近所述基板吸附部件对应地，向所述多个电极部中的配置于与所述第4角的附近对应的位置的电极部施加用于吸附所述基板的吸附电压。
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
在所述第2步骤中，使所述第3支承部及第4支承部一起上升。
8.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
在所述第2步骤中，使所述第3支承部及第4支承部依次上升。
9.一种电子器件的制造方法，其特征在于，使用权利要求5～权利要求8中任一项所述的成膜方法来制造电子器件。
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