CN1573883A - 平板显示器 - Google Patents
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Abstract
提供了一种平板显示器。这种平板显示器包括一衬底、多个形成于衬底上的第一电极、多个形成于衬底上的绝缘层、一绝缘地与第一电极相对的第二电极、以及多个介于第一电极与第二电极之间并且通过驱动第一电极和第二电极而发光的有机发光层,其中一具有绝缘层的区域和一不带绝缘层的开口区域位于第一电极之间或其外部。因此,可将由绝缘层发出的气体对有机发光层造成的损坏减至最小。
Description
本申请对韩国知识产权局的2003年6月24日提交的韩国专利申请No.2003-41222和2004年4月8日提交的No.2004-24018的优先权提出要求,其公开内容在此全部引入作为参考。
技术领域
本发明涉及一种平板显示器,尤其涉及一种带有改进型绝缘层的平板显示器。
背景技术
通常,平板显示器大多分类为发光型和受光型。发光型平板显示器的实例包括平阴极射线管、等离子体显示板、场致发光装置以及发光二极管。液晶显示器为受光型平板显示器的一个实例。
由于场致发光显示器具有如视角宽、对比度高和响应速度快等优点,所以将其作为下一代显示器而进行开发的兴趣日益增长。场致发光显示器根据发光层由无机材料还是由有机材料制成而分成无机和有机场致发光显示器。
尤其是,有机场致发光显示器为通过有机荧光化合物的电激励发光的自发射型显示器,其具有许多优于液晶显示器的优点如驱动电压低、易于形成薄层、视角宽以及响应速度快。
有机场致发光显示器包括一发光层,其由一种介于阳极与阴极之间的有机材料制成。当分别对阳极和阴极施加阳极电压和阴极电压时,空穴通过一孔传输层从阳极转移至发光层中,而电子通过一电子传输层从阴极转移至发光层中。其后,空穴与电子在发光层互相重新结合从而产生激子。
当激子从激发态改变成基态时,发光层中的荧光分子发光,从而显示图象。彩色有机场致发光显示器包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)发光像素以便显示彩色图象。
同时,一种薄层晶体管(下文中称作“TFT”)在平板显示器如场致发光显示器和液晶显示器中用作像素开关元件和像素驱动元件。
TFT包括一半导体有源层、一置于半导体有源层上的栅极绝缘层和一与半导体有源层的通道区域相对应的置于栅极绝缘层上的栅电极,其中半导体有源层具有一漏极区域和一在一衬底上掺杂着高浓度的杂质的源区域以及一连接着漏极区域与源区域的通道区域。
TFT在平板显示器中用作像素开关元件和像素驱动元件。有源矩阵有机场致发光显示器(AMOELD)包括每像素至少两个TFT。
美国专利No.5,742,129、6,194,837、6,373,453和6,380,672公开了一种有源矩阵有机场致发光显示器。
图1示出了一种常规型有源矩阵有机场致发光显示器10。在这种有源矩阵有机场致发光显示器10中,第一电极11上方除了发光区域之外的其它像素区域利用一平面化层12覆盖。
参看图1,在有源矩阵有机场致发光显示器10中,在由有机材料制成的发光层形成于第一电极11上之后,就形成一通常覆盖着所有发光区域的第二电极(未示出)。在这种情况下,由于其上具有各种数据和驱动线的衬底区域与剩余衬底区域之间存在高度差,因此形成的第二电极并不平坦。
就是说,由于在第二电极下方的结构不平坦,因此形成于不平坦结构上的第二电极不能具有扁平形状。为此原因,第二电极在驱动时呈现电不稳定现象。在这点上,有源矩阵有机场致发光显示器10一般具有由有机材料制成的平面化层12。
所形成的平面化层12的厚度大于数据和驱动线的高度以便克服由于数据和驱动线所产生的高度差。平面化层12的位于第一电极11上方与发光区域相对应的部分的光致抗蚀剂在一光刻过程中除去以便露出第一电极11。除了第一电极11之外的所有衬底区域都利用平面化层12覆盖着。平面化层12一般沿第一电极11的边缘形成。
然而,当常规型有源矩阵有机场致发光显示器10被驱动时,从用于稳定第二电极的平面化层12上发出一种有机气体因而对由有机材料制成的发光层造成负面影响。
存在于平面化层12中的有机气体主要是在平面化层12的图案形成过程中由光敏化合物(PAC)的光致反应产生。有机气体的实例包括苯甲醛、苯甲醇以及苯化合物如甲苯和二甲苯。
特别地,即使当外部温度稍微升高时,邻近平面化层12的像素的周边部分A处的亮度也低于像素的中心部分B处的亮度,如图2中所示。随着时间推移,像素的周边部分A逐渐变得比中心部分B越来越暗,从而减小了发光区域的有效发光面积。
当环绕着像素的平面化层12的面积变得更大时,这种现象就变得更严重。就是说,当环绕着像素的平面化层12的面积窄于像素的面积时,这种现象就得以减缓。否则,这种现象就得以助长。
发明内容
本发明提供了一种平板显示器,其具有一改进型结构的环绕着第一电极形成的平面化层。因此,可以防止由发自平面化层的气体所造成的有效像素减少现象。
根据本发明的一个方面,提供了一种平板显示器,包括:一衬底;多个形成于衬底上的第一电极;多个形成于衬底上的绝缘层;一绝缘地与第一电极相对的第二电极;以及多个介于第一电极与第二电极之间并且通过驱动第一电极和第二电极而发光的有机发光层,其中一具有绝缘层的区域和一不带绝缘层的开口区域位于第一电极之间或其外部。
具有绝缘层的区域可包括一具有第一绝缘层的第一区域,每个第一绝缘层的至少一部分形成于每个第一电极的至少一部分上。
第一区域的面积可小于衬底的除了用于由有机发光层发光的发光区域之外的非发光区域的面积。
开口区域可位于第一区域外部。
具有绝缘层的区域可包括一具有并非形成于第一电极上的第二绝缘层的第二区域。
第一区域的面积和第二区域的面积之和可小于除了用于由有机发光层发光的发光区域之外的非发光区域的面积。
开口区域可存在于第一区域与第二区域之间。
第一绝缘层可以按照环绕着第一电极的封闭曲线形状形成。
第一绝缘层可具有约为1至15μm的宽度。
开口区域可具有约为1至15μm的宽度。
第一区域和第二区域可互相分离。
第一区域的至少一部分可连接于第二区域的至少一部分上。
开口区域可存在于第一电极和第二区域之间。
开口区域可存在于第一区域和第二区域外部。
开口区域可存在于第二区域外部。
绝缘层可由有机材料制成。
根据本发明的另一个方面,提供了一种平板显示器,包括:一衬底;以及一形成于衬底上并具有多个像素的显示区域,其中显示区域包括:多个形成于每个像素中的选择驱动电路;一由绝缘材料制成并覆盖着选择驱动电路的保护层;多个在每个像素中形成于保护层上的像素电极;以及多个形成于保护层上的绝缘层,并且其中一具有绝缘层的区域和一不带绝缘层的开口区域位于像素电极之间或其外部。
具有绝缘层的区域可包括一具有第一绝缘层的第一区域,每个第一绝缘层的至少一部分形成于每个像素电极的至少一部分上。
第一区域的面积可小于显示区域的非发光区域的面积。
开口区域可位于第一区域外部。
具有绝缘层的区域可包括一具有并非形成于像素电极上的第二绝缘层的第二区域。
第一区域的面积和第二区域的面积之和可小于显示区域的非发光区域的面积。
开口区域可存在于第一区域与第二区域之间。
第一绝缘层可以环绕着像素电极的封闭曲线形状形成。
第一绝缘层可具有约为1至15μm的宽度。
开口区域可具有约为1至15μm的宽度。
第一区域和第二区域可互相分离。
第一区域的至少一部分可连接于第二区域的至少一部分上。
开口区域可存在于像素电极和第二区域之间。
开口区域可存在于第一区域和第二区域外部。
开口区域可存在于第二区域外部。
绝缘层可由有机材料制成。
每个像素可包括一有机场致发光元件并且每个像素电极为有机场致发光元件的一个电极。
附图说明
通过以下参看附图对本发明的示例性实施例进行的详细描述,将可清楚了解本发明的以上及其它特征和优点,其中:
图1为一种常规型有机场致发光显示器的示意图;
图2为一种常规型有机场致发光显示器的照片;
图3为一种根据本发明的第一实施例的有机场致发光显示器的平面图;
图4为图3的有机场致发光显示器的示意图;
图5为图4的有机场致发光显示器中的第一电极阵列的示意图;
图6为一种根据本发明的第二实施例的有机场致发光显示器中的第一电极阵列的示意图;
图7为一种根据本发明的第三实施例的有机场致发光显示器中的第一电极阵列的示意图;
图8为一种根据本发明的第四实施例的有机场致发光显示器中的第一电极阵列的示意图;
图9为一种根据本发明的第五实施例的有机场致发光显示器中的第一电极阵列的示意图;以及
图10为一种根据本发明的第六实施例的有机场致发光显示器中的第一电极阵列的示意图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图对根据本发明的优选实施例的平板显示器进行详细描述。
图3示出了一种根据本发明第一实施例的有源矩阵有机场致发光显示器的一个像素的结构。
参看图3,有机场致发光显示器具有红、绿和蓝像素。可以采用各种阵列模式,例如各个色彩像素的镶嵌型或点阵型阵列。这些像素设置于有机场致发光显示器的一显示区域(未示出)中以便产生预定的图象。显示区域的每个像素包括一选择驱动电路和有机场致发光元件60,选择驱动电路带有一开关TFT30、一驱动TFT40、以及一电容器50,而有机场致发光元件60用作发光元件,如图3中所示。尽管图3中并未示出,但是各种连接于外部电源和电子装置上的驱动电路和端子置于显示区域周围。显示区域进行密封以便不会暴露于外部空气中。
在这一点上,图3为构成有机场致发光显示器中的一驱动单元的红、绿和蓝像素之一的局部放大图。
如上所述,有源矩阵有机场致发光显示器的每个像素包括的选择驱动电路具有两个TFT,即开关TFT30和驱动TFT40,电容器50及有机场致发光元件60。由于对选择驱动电路的TFT和电容器的数量没有限制,因此根据有机场致发光元件的所需设计可以使用更多的TFT和电容器。
开关TFT30由一施加于栅极线71上的扫描信号驱动,其将施加于数据线72上的数据信号传送至电容器50。驱动TFT用于根据由电容器50传送的数据信号,即栅极与源之间的电压差(Vgs),来确定将要注入有机场致发光元件60的电流量。电容器50用于在一个帧期间存储由开关TFT30所传送的数据信号。
开关TFT30的一个源电极31通过数据线72连接于驱动电路上,而开关TFT30的一个栅电极32通过栅极线71连接于另一驱动电路上。开关TFT30的漏极33连接于电容器50的第一电容电极51和驱动TFT40的栅电极42上。
电容器50的第二电容电极52与驱动TFT40的源电极41连接于一驱动线73上,而驱动TFT40的漏极43连接于有机场致发光元件60的第一电极61上。
有机场致发光元件60包括第一电极61、第二电极62和一有机发光层63,第一电极61用作像素电极,第二电极62用作与第一电极61相对地隔开一预定间隙的公共电极,而有机发光层63介于第一和第二电极61和62之间并且通过驱动第一和第二电极61和62而发光,如图4中所示。
参看图4,有源矩阵有机场致发光显示器包括一衬底81。衬底81可由透明材料,例如玻璃或塑料材料制成。一缓冲层82形成于衬底81的整个表面上。
如图3中所示的开关TFT30、驱动TFT40、电容器50和有机场致发光元件60形成于缓冲层82上。图3的开关TFT30在图4中省去。
一有源层44按照预定模式形成于缓冲层82上。有源层44埋于栅极绝缘层83中。有源层44可由p型或n型半导体材料制成。
驱动TFT40的栅电极42形成于与有源层44相对应的栅极绝缘层83上。栅电极42埋于一中间绝缘层84中。在中间绝缘层84形成之后,栅极绝缘层83和中间绝缘层84经过蚀刻处理如干蚀刻以便形成接触孔83a和84a。因此,有源层44的一些部分露出。
有源层44的露出部分通过接触孔83a和84a连接于驱动TFT40的按照预定模式形成的源电极41和漏极43上。源电极41和漏极43埋入保护层85中。保护层85的一部分进行蚀刻以便露出漏极43的一部分。
保护层85由绝缘材料制成并且可为一由氧化硅或氮化硅制成的无机层或者由丙烯或BCB制成的有机层。一分离的绝缘层可形成于保护层85上以便整平保护层85。
同时,有机场致发光元件60通过根据电流量发射红、绿或蓝光而显示预定图象信息。第一电极61按照图案形成于保护层85上。第一电极61电连接于驱动TFT40的漏极43上。
第一电极61由一绝缘层86覆盖。在一预定的像素开口64形成于绝缘层86中之后,在由像素开口64所限定的区域中形成有机发光层63。第二电极62形成于有机发光层63上。
绝缘层86起像素限定层的作用,限定了每个像素,如图5中所示。绝缘层86由有机材料制成并且用于整平上面形成有第一电极61的衬底表面,特别是保护层85的表面。绝缘层86将在以后进行详细描述。
如上所述,有机场致发光元件60通过根据电流量发射红、绿或蓝光而显示预定图象信息。有机场致发光元件60包括第一电极61、第二电极62和有机发光层63,第一电极61用作像素电极并且连接于驱动TFT的漏极上,第二电极62用作一与第一电极61相对的电极并且覆盖着整个像素,而有机发光层63介于第一和第二电极61和62之间并且发光。
第一电极61和第二电极62互相绝缘并且接收相反的电压以便使得有机发光层63发光。
有机发光层63可为低分子或高分子有机层。低分子有机层可具有单叠或多叠式结构的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。可用作低分子有机层的有机材料可为铜酞菁(CuPc)、N,N-二(萘-1-基)-N、N’-二苯基联苯胺(NPB)、或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。低分子有机层可通过真空沉积法形成。
高分子有机层可具有包括一空穴传输层(HTL)和一发光层(EML)的结构。在这种情况下,空穴传输层可由聚(亚乙基二氧)噻吩(PEDOT)制成,而发光层可由高分子量有机材料如聚(亚乙烯基苯)(PPV)和聚芴制成。空穴传输层和发光层可通过丝网印刷或墨水喷射印刷法形成。
本发明的有机发光层63的结构并不限于以上所述。应当理解,本发明的有机发光层63可具有能够实现本发明的目的的任何结构。
第一电极61可为阳极而第二电极62可为阴极。当然,第一电极61可为阴极而第二电极62可为阳极。第一电极61可相应地图案化于每个像素上而第二电极62可覆盖着整个像素。
第一电极61可为透明电极或反射电极。当第一电极61为透明电极时,可以使用ITO、IZO、ZnO或In2O3。当第一电极61为反射电极时,一由ITO、IZO、ZnO或In2O3制成的透明电极层可形成于一由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物制成的反射层上。
第二电极62可为一透明电极或反射电极。由于第二电极62在作为透明电极时用作阴极,所以在将小选出功金属,即Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg,或其化合物沉积于有机发光层63上之后,可形成一由ITO、IZO、ZnO或In2O3制成的辅助电极层或总电极线。当第二电极62为反射电极时,可以使用Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物。
具有绝缘层86的区域87和不带绝缘层86的开口区域88位于第一电极61的图案之间或外部。具有绝缘层86的区域87在下文中也称作平面化区域。然而,具有绝缘层86的区域87并不限于词项“平面化区域”的意思,并且应当理解绝缘层86不一定必须具有平面化功能。
在第一电极61形成于保护层85上之后,可将绝缘层86形成于衬底81上除了有机场致发光元件60的像素开口64之外的部分上,以便补偿由于形成于衬底81上的开关TFT30、驱动TFT40和电容器50的各自图案的高度差。绝缘层86可由有机材料如丙烯或BCB制成但是并不限于此。绝缘层86还可由无机材料制成。
具有绝缘层86的平面化区域87包括一具有第一绝缘层86a的第一区域87a。第一绝缘层86a的一部分与第一电极61的至少一个边缘重叠。第一绝缘层86a可以沿着第一电极61的边缘按照薄封闭曲线形状形成,如图5中所示。
如图5中所示,本发明的第一实施例包括第一区域87a、第二区域87b和开口区域88,其中第一区域87a具有沿着第一电极61的边缘形成的第一绝缘层86a,第二区域87b与第一区域87a隔开预定距离并且具有第二绝缘层86b,而开口区域88不带绝缘层86并且位于第一区域87a与第二区域87b之间。
第一区域87a可具有约为1至15μm的宽度。第一区域87a用于防止当有机发光层63和第二电极62相继形成于第一电极61上时,因第一电极61与第二电极62之间发生短路而产生白斑或暗斑。
沿着第一区域87a的边缘的开口区域88用于通过在驱动时从绝缘层86中释放气体而减少对有机发光层63的损坏。
特别地,如同如图5中所示的第一实施例,沿着第一电极61的边缘按照预定宽度形成的开口区域88用作一用于从绝缘层86中释放气体的缓冲区域。
因此,与不带开口区域88的情况相比,开口区域88可延缓像素随着时间的减少速率。优选地,所形成的开口区域88宽度约为1至15μm。
同时,具有第二绝缘层86b的第二区域87b形成于开口区域88的外部。第二区域87b的第二绝缘层86b基本上由与第一绝缘层86a相同的材料制成。
第二区域87b用于整平衬底81,特别是保护层85,以防止由于第一电极61和有源矩阵型显示器中的外围电源线之间存在梯级而造成降级。
按照这种方式,平面化区域87包括第一区域87a和第二区域87b,其中第一区域87a沿着第一电极61的边缘按照预定宽度形成,第二区域87b与第一区域87a通过开口区域88隔开。
由于开口区域88的存在,所以绝缘层86的面积,即第一区域87a的面积和第二区域87b的面积之和小于有源矩阵有机场致发光显示器的衬底的除了用于由有机发光层62发光的发光区域,即像素开口64之外的面积。
绝缘层86可根据衬底81或用于形成绝缘层86的保护层85的表面情况而具有各种结构。
根据如图6所示的本发明的第二实施例,一具有绝缘层86的平面化区域87包括一第一区域87a,其中第一区域87a具有一沿着第一电极61的边缘形成的第一绝缘层86a,以便使得开口区域88位于第一区域87a外部的衬底的整个表面上。
就是说,绝缘层86沿着第一电极61的边缘形成薄带形状。开口区域88位于绝缘层86外部的衬底的整个表面上,以防止从绝缘层86发出的气体对有机发光层造成损坏。
根据如图7所示的本发明的第三实施例,一具有绝缘层86的平面化区域87包括一第一区域87a和一第二区域87b,其中第一区域87a具有一沿着第一电极61的边缘不连续地形成的第一绝缘层86a,而第二区域87b具有一形成于衬底或保护层的大高度差区域上的第二绝缘层86b。因此,绝缘层86的面积可以减至最小,从而将从绝缘层86发出的气体对有机发光层造成的损坏减至最小。
根据如图8所示的本发明的第四实施例,一具有绝缘层86的平面化区域87包括一第一区域87a、一开口区域88和一第二区域87b,其中第一区域87a具有一沿着第一电极61的边缘不连续地形成的第一绝缘层86a,开口区域88位于第一区域87a外部,而第二区域87b具有一位于开口区域88外部的第二绝缘层86b。在这里,第一区域87a和第二区域87b局部互相连接。根据本实施例,第一电极61轻轻连接于绝缘层86上并且只有位于第一电极61外部的衬底面积上覆盖着绝缘层86。因此,可以防止气体透入发光层。
根据如图9所示的本发明的第五实施例,一具有绝缘层86的平面化区域87包括一第一区域87a和一第二区域87b,其中第一区域87a具有一沿着第一电极61的边缘按照封闭曲线形状形成的第一绝缘层86a,而第二区域87b具有一形成于第一区域87a外部的衬底或保护层的大高度差区域上的第二绝缘层86b。第一区域87a和第二区域87b互相连接。一开口区域位于第一区域87a和第二区域87b外部。根据本实施例,第一区域87a的第一绝缘层86a用于防止第一电极61和第二电极(未示出)之间发生短路,而第二区域87b的第二绝缘层86b用于整平衬底或保护层。此外,开口区域88的加大使得能够保护像素不受由绝缘层86发出的气体的损坏。
除了第一区域87a的第一绝缘层86a的宽度根据衬底或保护层的表面情况而改变之外,如图10所示的本发明的第六实施例具有与图5所示的第一实施例相同的基本结构。
应当理解,除了每个像素包含一选择驱动电路的有源矩阵有机场致发光显示器之外,绝缘层的上述结构通常应用于不包含选择驱动电路的无源矩阵有机场致发光显示器上。
到目前为止,依据有源矩阵有机场致发光显示器对本发明进行了描述。然而,应当理解,本发明也可应用于包含TFT电路的液晶显示器或无机场致发光显示器或不含TFT电路的平板显示器。
通过以上描述可以清楚看出,根据本发明的平板显示器具有以下优点。
第一,可以减少由从绝缘层发出的气体对有机发光层的损坏。
第二,一不带绝缘层的开口起缓冲区域的作用,从而延缓像素减少现象。
第三,沿着第一电极的边缘形成的第一绝缘层区域可防止第一电极与第二电极之间发生短路。
第四,一绝缘层可整平衬底或保护层。
尽管参看本发明的示例性实施例对本发明进行了特别展示和描述,但本领域的普通技术人员应该理解,在不超出如以下权利要求书所确定的本发明的精神及范围的情况下,可以在形式和细节方面作出各种变动。
Claims (41)
1.一种平板显示器,包括:
一衬底;
多个形成于衬底上的第一电极;
多个形成于衬底上的绝缘层;
一绝缘地与第一电极相对的第二电极;以及
多个介于第一电极与第二电极之间并且通过驱动第一电极和第二电极而发光的有机发光层,
其中一具有绝缘层的区域和一不带绝缘层的开口区域位于第一电极之间或其外部。
2.根据权利要求1所述的平板显示器,其中具有绝缘层的区域包括一具有第一绝缘层的第一区域,每个第一绝缘层的至少一部分形成于每个第一电极的至少一部分上。
3.根据权利要求2所述的平板显示器,其中第一区域的面积小于衬底的除了用于由有机发光层发光的发光区域之外的非发光区域的面积。
4.根据权利要求2所述的平板显示器,其中开口区域位于第一区域外部。
5.根据权利要求2所述的平板显示器,其中具有绝缘层的区域包括一具有并非形成于第一电极上的第二绝缘层的第二区域。
6.根据权利要求5所述的平板显示器,其中第一区域的面积和第二区域的面积之和小于除了用于由有机发光层发光的发光区域之外的非发光区域的面积。
7.根据权利要求5所述的平板显示器,其中开口区域存在于第一区域与第二区域之间。
8.根据权利要求7所述的平板显示器,其中第一绝缘层以环绕着第一电极的封闭曲线形状形成。
9.根据权利要求7所述的平板显示器,其中第一绝缘层具有约为1至15μm的宽度。
10.根据权利要求7所述的平板显示器,其中开口区域具有约为1至15μm的宽度。
11.根据权利要求5所述的平板显示器,其中第一区域和第二区域互相分离。
12.根据权利要求5所述的平板显示器,其中第一区域的至少一部分连接于第二区域的至少一部分上。
13.根据权利要求5所述的平板显示器,其中开口区域存在于第一电极和第二区域之间。
14.根据权利要求5所述的平板显示器,其中开口区域存在于第一区域和第二区域外部。
15.根据权利要求2所述的平板显示器,其中第一绝缘层具有约为1至15μm的宽度。
16.根据权利要求1所述的平板显示器,其中具有绝缘层的区域包括一具有并非形成于第一电极上的第二绝缘层的第二区域。
17.根据权利要求16所述的平板显示器,其中开口区域存在于第一电极和第二区域之间。
18.根据权利要求16所述的平板显示器,其中开口区域存在于第二区域外部。
19.根据权利要求1所述的平板显示器,其中开口区域具有约为1至15μm的宽度。
20.根据权利要求1所述的平板显示器,其中绝缘层由有机材料制成。
21.一种平板显示器,包括:
一衬底;以及
一形成于衬底上并具有多个像素的显示区域,
其中显示区域包括:
多个形成于每个像素中的选择驱动电路;
一由绝缘材料制成并覆盖着选择驱动电路的保护层;
多个在每个像素中形成于保护层上的像素电极;以及
多个形成于保护层上的绝缘层,以及
其中一具有绝缘层的区域和一不带绝缘层的开口区域位于像素电极之间或其外部。
22.根据权利要求21所述的平板显示器,其中具有绝缘层的区域包括一具有第一绝缘层的第一区域,每个第一绝缘层的至少一部分形成于每个像素电极的至少一部分上。
23.根据权利要求22所述的平板显示器,其中第一区域的面积小于显示区域的非发光区域的面积。
24.根据权利要求22所述的平板显示器,其中开口区域位于第一区域外部。
25.根据权利要求22所述的平板显示器,其中具有绝缘层的区域包括一具有并非形成于像素电极上的第二绝缘层的第二区域。
26.根据权利要求25所述的平板显示器,其中第一区域的面积和第二区域的面积之和小于显示区域的非发光区域的面积。
27.根据权利要求25所述的平板显示器,其中开口区域存在于第一区域与第二区域之间。
28.根据权利要求27所述的平板显示器,其中第一绝缘层按照环绕着像素电极的封闭曲线形状形成。
29.根据权利要求27所述的平板显示器,其中第一绝缘层具有约为1至15μm的宽度。
30.根据权利要求27所述的平板显示器,其中开口区域具有约为1至15μm的宽度。
31.根据权利要求25所述的平板显示器,其中第一区域和第二区域互相分离。
32.根据权利要求25所述的平板显示器,其中第一区域的至少一部分连接于第二区域的至少一部分上。
33.根据权利要求25所述的平板显示器,其中开口区域存在于像素电极和第二区域之间。
34.根据权利要求25所述的平板显示器,其中开口区域存在于第一区域和第二区域外部。
35.根据权利要求22所述的平板显示器,其中第一绝缘层具有约为1至15μm的宽度。
36.根据权利要求21所述的平板显示器,其中具有绝缘层的区域包括一具有并非形成于像素电极上的第二绝缘层的第二区域。
37.根据权利要求36所述的平板显示器,其中开口区域存在于像素电极和第二区域之间。
38.根据权利要求36所述的平板显示器,其中开口区域存在于第二区域外部。
39.根据权利要求21所述的平板显示器,其中开口区域具有约为1至15μm的宽度。
40.根据权利要求21所述的平板显示器,其中绝缘层由有机材料制成。
41.根据权利要求21至39中任一项所述的平板显示器,其中每个像素包括一有机场致发光元件并且每个像素电极为有机场致发光元件的一个电极。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20030041222 | 2003-06-24 | ||
KR41222/2003 | 2003-06-24 | ||
KR24018/2004 | 2004-04-08 | ||
KR1020040024018A KR100573138B1 (ko) | 2003-06-24 | 2004-04-08 | 평판 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1573883A true CN1573883A (zh) | 2005-02-02 |
Family
ID=33543625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2004100616950A Pending CN1573883A (zh) | 2003-06-24 | 2004-06-24 | 平板显示器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040263072A1 (zh) |
CN (1) | CN1573883A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8018141B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-09-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device with trap for foreign substance and method of fabricating the same |
CN101650917B (zh) * | 2008-08-11 | 2012-09-05 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
CN103247571A (zh) * | 2012-02-06 | 2013-08-14 | 群康科技(深圳)有限公司 | 用于有机发光显示器的像素结构的制造方法 |
CN103165646B (zh) * | 2011-12-09 | 2017-04-05 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7520790B2 (en) * | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
JP4287337B2 (ja) * | 2003-11-24 | 2009-07-01 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US8212474B2 (en) * | 2004-01-08 | 2012-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device, and method of manufacturing the display device |
JP2007518237A (ja) * | 2004-01-08 | 2007-07-05 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 表示装置及びそれの製造方法 |
KR100683695B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
US8063551B1 (en) * | 2004-12-29 | 2011-11-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Pixel intensity homogeneity in organic electronic devices |
US8906517B2 (en) * | 2005-04-04 | 2014-12-09 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device |
KR20060125303A (ko) * | 2005-06-02 | 2006-12-06 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
TWI299635B (en) * | 2005-12-09 | 2008-08-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent display |
US7808177B2 (en) * | 2006-01-16 | 2010-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing |
KR101420143B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2014-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 이를 갖는 표시장치 |
JP2009187898A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 有機el装置及びその製造方法 |
KR101415794B1 (ko) * | 2008-06-12 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR20120078954A (ko) | 2011-01-03 | 2012-07-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20130062107A (ko) * | 2011-12-02 | 2013-06-12 | 삼성전자주식회사 | 직물형 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
KR102283856B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2021-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20150137214A (ko) * | 2014-05-28 | 2015-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102417123B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI549267B (zh) * | 2015-03-26 | 2016-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件陣列基板 |
CN107863370A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-30 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3401356B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
CN101068025B (zh) * | 1997-08-21 | 2010-05-12 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置 |
JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
DE69925216T2 (de) * | 1998-03-12 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp. | Aktivmatrix-lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren |
JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
TWI257496B (en) * | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
JP3698208B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2005-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP3901127B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2007-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2004
- 2004-06-23 US US10/873,169 patent/US20040263072A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-24 CN CNA2004100616950A patent/CN1573883A/zh active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8018141B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-09-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device with trap for foreign substance and method of fabricating the same |
CN101650917B (zh) * | 2008-08-11 | 2012-09-05 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
CN103165646B (zh) * | 2011-12-09 | 2017-04-05 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN103247571A (zh) * | 2012-02-06 | 2013-08-14 | 群康科技(深圳)有限公司 | 用于有机发光显示器的像素结构的制造方法 |
CN103247571B (zh) * | 2012-02-06 | 2015-07-08 | 群康科技(深圳)有限公司 | 用于有机发光显示器的像素结构的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040263072A1 (en) | 2004-12-30 |
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |