CN1607879A

CN1607879A - 有机电致发光显示器

Info

Publication number: CN1607879A
Application number: CNA2004100959274A
Authority: CN
Inventors: 朴镇宇; 权章赫
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2003-08-28
Filing date: 2004-08-30
Publication date: 2005-04-20
Anticipated expiration: 2024-08-30
Also published as: CN100448056C; US7227306B2; US20050046342A1

Abstract

公开了一种有机电致发光显示器，其通过在凹槽结构中形成有机发光装置能提高亮度和发光效率。该有机电致发光显示器包括带有开口的像素定义层、以凹槽结构形成于像素定义层的开口上的第一电极、形成于第一电极上的有机发光层、以及第二电极。有机发光层凹状形成于第一电极中，因此第一电极围绕着有机发光层。

Description

有机电致发光显示器

本申请要求2003年8月28日申请的，申请号为2003-59992和2003年11月29日申请的，申请号为2003-86157的韩国专利申请的优先权，为了所有目的该申请所披露的内容在此全部引入以作参考。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示器，特别是涉及一种有机发光装置形成于一凹槽结构内的有机电致发光显示器。

背景技术

一般来说，电致发光显示器是一种由电激发荧光化合物发光的自发光显示器。这些显示器作为下一代显示器吸引注意力，它克服了液晶显示器(LCD)中有关视角和响应时间的缺陷。它们还可以以较低的电压驱动，并能制作得比液晶显示器薄。

电致发光显示器根据组成发光层的材料是无机化合物还是有机化合物可分为无机或有机电致发光显示器。

有机电致发光显示器可具有一形成于例如玻璃的透明基底上的有机层，以及形成在有机层的上部和下部上的多个电极层。

如上所述的有机电致显示器，当电极上施加阳极和阴极电压，空穴(作为移动的正电荷载流子)从阳极注入，它们通过空穴传输层(HTL)移动到发光层(EML)，另外电子从阴极注入，并且它们经由电子传输层(ETL)移动到发光层。电子和空穴在EML层结合产生激子，当激子从受激态变为基态，发光层上的荧光分子发光，从而形成图像。

有源矩阵(AM)有机电致发光显示器包括每个像素至少两个薄膜晶体管(TFT)，一个TFT用来驱动像素，另一个用来控制像素的操作。典型的TFT由带有高密度掺杂物的漏极区域和源极区域以及形成在栅极绝缘层上的栅极组成，半导体有源层有一个在漏极和源极区域之间定义的通道区域。栅极绝缘层通常形成于半导体有源层上，栅极通常形成于有源层的通道区域上。

将参考图1对常用的有机电致发光显示器进行描述，图1示出使用无机钝化层的常用有机电致发光显示器的横剖视图。

参考图1，TFT形成于下绝缘基底110上，该TFT由有源层111，栅极112和源/漏极113S和113D组成，并且与作为阳极的第一电极114电耦合。

第一电极114通常通过沉积一层例如银或铝这种有较好的反射率的金属而形成，并且沉积和构图一种有高功函数的透明导电材料例如ITO(氧化铟锡)或氧化铟锌(IZO)，从而形成带有反射层的透明阳极。

然后像素定义层115形成在下绝缘基底110的整个表面上，并且被构图以形成开口115a，从而部分显露第一电极的一部分。

接着有机发光层116形成在开口115a上。

在形成了有机发光层116之后，作为阴极的第二电极117形成在下绝缘基底110的整个表面上。因此有机发光装置(OLED)得以形成，其包括第一电极114、有机发光层116和第二电极117。

第二电极117可以通过镀一层例如铝、钙或镁这种有低功函数的金属而形成，并且沉积上一层透明例如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)导电材料。

然后第二钝化层118形成于基底整个表面之上。

最后，上绝缘基底120用来封装有TFT和OLED的下绝缘基底。

在上绝缘基底120和第二钝化层118之间的空间119充满了一种气体，例如氮气(N₂)或氩气(Ar)，或可以是真空，有机层通过沉积一层折射率为1.5的透明有机材料而形成。

然而如上述构成的顶部发光的有机电致发光显示器至少有25％的光损失，因为当有机发光层产生的光辐射升高时，光线在第二钝化层118和有机层119之间或在第二钝化层118和充满氮气的空间119之间的交界处被反射，因此仅有产生光的20％作为可视图像被传送。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种有机电致发光显示器，从而充分地消除一个或多个由于相关领域中的局限和缺点而造成的问题。

本发明提供一种有机电致发光显示器，能通过在凹槽结构中形成的有机发光装置来改善发光效率和亮度。

本发明的其它特点将在说明书下面的部分进行描述，根据说明部分将很明显，或可以从本发明的实施中领会到。

本发明公开了一种有机电致发光显示器，其由提供一开口的像素定义层、以凹槽结构形成于像素定义层的开口上的第一电极层、形成在第一电极上的有机发光层和第二电极组成。有机发光层在第一电极中形成为凹形，因此第一电极围绕着有机发光层。

本发明还公开了一种有机电致发光显示器，其由提供一开口的像素定义层、形成于凹槽结构中的像素定义层的开口上的第一电极层、提供带有用于显露部分第一电极的开口的绝缘层、形成在绝缘层的开口之上的有机发光层和第二电极组成。有机发光层在第一电极中形成为凹形，因此第一电极围绕着有机发光层。

本发明还公开了一种有机电致发光显示器，其由薄膜晶体管、覆盖薄膜晶体管和装有一定深度的凹槽部分的绝缘层、覆盖绝缘层的凹槽部分且电连接于薄膜晶体管而形成的第一电极，以及第二电极组成。有机层置于第一和第二电极之间，其具有一发光层，且设置于凹槽部分的底部上。

以上概述和以下详述都可以理解为是示范性的和解释性的，并且根据权利要求为本发明提供进一步的解释。

附图说明

为了提供对本发明进一步的理解，包括的附图被合并并且组成说明书的一部分来说明本发明的实施例，以及和说明书一起来解释本发明的原理。

图1是现有的有机电致发光显示器的横剖视图；

图2是根据本发明实施例的有机电致发光显示器的平面图；

图3示出根据本发明第一实施例的一种有机电致发光显示器；

图4示出根据本发明第二实施例的一种有机电致发光显示器；

图5A和图5B示出根据本发明第三实施例的一种有机电致发光显示器。

具体实施方式

图2显示根据本发明实施例的有源矩阵有机电致发光显示器的像素部分的平面图。

参考图2，根据本发明实施例有机电致发光显示器有多个像素。单个像素或单位像素被一扫描线SCAN、数据线DATA和电源线或驱动线VDD围绕。每个像素由至少一个用来开关像素的开关TFT(TFTsw)、一个驱动像素的驱动TFT(TFTdr)、一个电容Cst和一个OLED组成。更多的TFT和电容可以用到每个像素中。

开关TFT TFTsw由用于扫描线SCAN的扫描信号驱动，并且传输将应用到数据线DATA的数据信号。根据通过开关TFTTFTsw传输的数据信号，其由栅极和源极之间的电压差Vgs决定，驱动TFT TFTdr确定通过驱动线VDD进入OLED的电流量。电容Cst将通过开关TFT TFTsw传输的数据信号储存一帧的时间周期。

接下来将描述凹槽部分585和平面化层580。

【第一实施例】

图3示出根据本发明第一实施例的一种有机电致发光显示器。

如图3所示，第一电极315形成在像素定义层314的开口内的凹槽结构中，有机发光层316形成在第一电极315上，第二电极317形成在基底的整个表面上。有机发光层316凹陷在第一电极315上，并且第一电极315围绕着有机发光层316。

第一电极315形成在像素定义层314的开口内，因此第一电极的部分高于第二电极317平面区域的上表面。因此在第二电极317和钝化层318的交界处横向反射的光反过来被第一电极315向上反射。

下绝缘基底310有一个TFT，其由有源层311、栅极312和源/漏极313S和313D组成。为了定义上方的OLED像素区域，像素定义层314形成在基底上的凹槽结构中。像素定义层314被蚀刻以形成开口314a，该开口显露出源/漏极313S和313D中的任一个，从上方看在凹槽结构中像素定义层314形成OLED。

优选地，像素定义层314的厚度在200nm到大约10μm之间，开口314a有一在约15°到70°之间的倾斜角。另外像素定义层314优选由氧化硅、氮化硅、BCB(苯环丁烯)、丙烯酸基可硬化树脂、酚基可硬化树脂、聚酰胺(PI)、ORMOCER或其它类似物质组成。

形成像素定义层314之后，第一电极315形成于凹槽结构中与TFT电耦合。第一电极315优选为紧贴在像素定义层314的上部平面区域上形成，因此第一电极315高于空间319和透明钝化层318之间的交界面(也就是从有机层发射光的点可以被反射)。

第一电极315向上反射有机发光层发出的光，并且如上所述，还可以向上反射被第二电极317或透明钝化层318横向反射的光。

当第一电极315作为阳极时，第一电极可以通过沉积和构图一种相对有较高功函数的例如铝、银、镍、铂、钯或其它类似的材料形成。可替换的，还可以通过沉积银、铬、钼、钛、钽及其合金中的或其它类似材料中的任一种形成，然后沉积由ITO、IZO组成的透明导体材料，最后将沉积结果进行构图。

相反的，当第一电极315作为阴极时，第一电极可以通过沉积和构图有相对较低功函数的例如铝、钙、镁或其它类似的材料形成。

有机发光层316形成于第一电极315上，通常它由多层结构组成，其中包括至少一个空穴注入层(HIL)、一个空穴传输层(HTL)、一个空穴阻尼层(HBL)、一个电子传输层(ETL)以及一个包括发光层的电子注入层(EIL)。

有机发光层316形成于发光区域中，凹陷于第一电极315中，并被第一电极315包围。

然后透明第二电极317形成于基底的整个表面上，从而完成OLED。OLED包括像素定义层314、第一电极315、有机发光层316和第二电极317，并且如图3所示OLED有凹槽结构。

发光区域中的部分第二电极317优选地形成为在比部分第一电极315位置较低处有一平面区域的上表面。这种构成允许第一电极315向上反射先前由于没有透过第二电极317而横向反射的光。

当作为阳极时，第二电极317可以由比阳极有相对较低功函数的材料形成。优选地，第二电极317由镁-银、银、镁、钙、铝、钡、或其它类似材料形成为较薄的厚度，从而传输从有机发光层316发出的光以及从位于有机发光层下部的部分第一电极315反射的光。

可替换的，第二电极317可通过沉积和构图有相对较高功函数的透明导体材料例如ITO、IZO或其它类似物形成。

然后钝化层318形成在基底的整个表面。同第二电极317一样，发光区域中的部分钝化层318较好的形成为在比部分第一电极315位置较低处有一平面区域的上表面。

另外钝化层318可以由折射率在约1.4至2.4之间的无机材料形成，优选地，该材料与形成第二电极317的材料相比折射率的差异较小。

然后形成上绝缘基底320封装有TFT和OLED的下绝缘基底310。

附图标记319表示钝化层318和上绝缘基底320之间的空间或形成于钝化层318上的有机层。

钝化层318和上绝缘基底320之间的空间319充满了例如氮气(N₂)或氩气(Ar)的气体，或者该空间为真空状态。

形成于钝化层318上的有机层319优选地由与形成钝化层318的材料相比折射率差异较小的材料形成。有机材料的折射率在约1.1至1.6之间，因此在钝化层318和空间319之间交界处折射被减弱。

当上述的OLED通上电源，通过阳极注入的空穴和通过阴极注入的电子在有机发光层中复合而发光。有机发光层发出的光透过第二电极。然而由于钝化层和有机层之间，或钝化层和充满氮气的空间之间的交界处产生的全反射，至少25％的来自有机发光层的光被横向反射。

当光线从稠密介质射向稀疏介质时，以及当稠密介质的折射率和稀疏介质的折射率的差异较大时，全反射发生在稠密介质和稀疏介质的交界或边界面处。

当光线的入射角大于临界角时发生全反射。这里，临界角如下定义：

sinθ＝1/n_1，2＝n₁/n₂

其中n_1，2是稠密介质的折射率和稀疏介质折射率的比值，n₁是稠密介质折射率，n₂是稀疏介质折射率。

换句话说，当稠密介质的折射率和稀疏介质的折射率之间的差异增加，则全反射的临界角减小，从而增加了全反射。

因此根据本发明实施例，有凹槽结构OLED的有机电致发光显示器中，钝化层和有机层由折射率相同的材料制成，从而减少全反射。另外，横向反射光可以被第一电极向上顺序反射。

虽然实施例已描述并且透明钝化层已被说明，但是该层结构并不是必需的。在没有透明钝化层的有机电致发光显示器中，第二电极平坦的上表面可以置于比部分第一电极更低的位置，从而在透明第二电极和空气之间交界处发生全反射。

换句话说，部分第一电极优选地形成于高于全反射发生的位置。

【第二实施例】

图4示出根据本发明第二实施例的一种有机电致发光显示器。

除了为了显露第一电极415的部分平坦区域而提供开口416a的绝缘层416之外，图4所示的有机电致发光显示器与第一实施例中的结构相同。

如图4所示，根据第二实施例的有机电致发光显示器包括像素定义层414、第一电极415、有显露出部分第一电极415的开口416a的绝缘层416、形成于开口416a中部分第一电极415上的有机发光层417、以及第二电极418。第一电极415围绕着有机发光层417。

因此如同第一实施例，根据第二实施例的有机电致发光显示器可以向上传输光，并且向上反射先前横向反射的光。

另外，优选地，绝缘层416比像素定义层414更薄，并且更优选地，其厚度为大约200nm到3μm之间。

优选地，开口416a形成有比开口414a小的倾斜角，并且更优选地，开口416a的倾斜角在约15°到60°之间。另外，绝缘层416可以由氧化硅、氮化硅、BCB(苯环丁烯)、丙烯酸基可硬化树脂、酚基可硬化树脂、聚酰胺(PI)、ORMOCER或其它类似材料组成。

【第三实施例】

图5A和5B示出根据本发明第三实施例的一种有机电致发光显示器。图2示出本实施例的平面图。

图2提供一开关TFT TFTsw，一驱动TFT TFTdr、一电容Cst和一OLED。下面描述驱动TFT TFTdr的结构，开关TFT TFTsw具有相同的结构。在图5A中，由例如SiO₂组成的缓冲层510形成于由透明玻璃形成的绝缘基底500上。可替代的，塑料材料可以用于绝缘基底500中。如果绝缘基底500由玻璃形成，缓冲层510形成于基底500上，从而阻止杂质被传输以及提供一平坦表面。缓冲层510能通过PECVD(等离子体增强化学汽相淀积)、APCVD(大气压化学汽相淀积)、LPCVD(低压化学汽相淀积)、ECR(电子回旋共振)，或其它类似方法沉积。另外，缓冲层510的沉积厚度大约为3000

驱动TFT TFTdr由形成于缓冲层510上的半导体有源层521、形成于半导体有源层521上的栅极绝缘层530、形成于栅极绝缘层530上的栅极541、以及与半导体有源层521相连的源/漏极561S和561D组成。

半导体有源层521可以由大约500厚度的无机或有机半导体材料形成。它可以由多晶硅形成，该多晶硅通过利用不同种类中的任一种结晶技术结晶的非晶硅形成。半导体有源层521有源和漏极区域，N型或P型杂质以高密度参杂于此，在源极区域和漏极区域之间形成通道区域。

无机半导体材料可以包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC和硅，例如a-Si(非晶硅)或多晶-Si(多晶硅)。

有机半导体材料可以包括具有1到4eV之间的能带间隙的半导体有机材料，高分子(聚合体)材料和低分子材料。聚合体材料诸如聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙烯及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚丙烯及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚噻吩-异形环芳香族共聚物及其衍生物。低分子材料诸如少碳化物(并五苯、并四苯、蒽和萘)及其衍生物，少碳噻吩(α-6-噻吩，α-5-噻吩)及其衍生物，含有或不含有金属的苯二甲蓝染料及其衍生物、二价氢化均苯四酸酯或均苯四酸酯二酰亚胺及其衍生物、二价氢化二萘嵌苯四羧酸酯或二萘嵌苯四羧酸酯二酰亚胺及其衍生物。

栅极绝缘层530形成在半导体有源层521上，可以由SiO₂组成。栅极541形成在栅极绝缘层530上面部分的预定区域上，带有导电金属层例如MoW、Al、Cr、Al/Cu或其它类似材料，不同种类的导电材料例如导电聚合体可以用于栅极541中，栅极541区域对应于半导体有源层521的通道区域。

夹层绝缘层550形成于栅极541和栅极绝缘层530上，可以由SiO₂和/或SiN_x组成。当接触空穴形成在夹层绝缘层550和栅极绝缘层530中，源极和漏极561S和561D则形成于绝缘层550上。由导电金属例如MoW、Al、Cr、Al/Cu或其它类似材料，或导电聚合体组成的层可以用来形成源极和漏极561S和561D。

通常的TFT可以作为本发明中TFT的结构，同时并不限于上述结构。

钝化层570由SiN_x形成在源极和漏极561S和561D上，第一通孔575形成在钝化层570中。

平面化层580形成于钝化层570上，它可以由丙烯酸、BCB(苯环丁烯)、聚酰亚胺或其它类似材料形成。

第二通孔581形成于平面化层580中以便与钝化层570的第一通孔575连通。第一电极591形成于平面化层580上，通过第一和第二通孔575和581与源极和漏极561S和561D电耦合。像素定义层593形成于第一电极591上，它可以由丙烯酸、BCB(苯环丁烯)、聚酰亚胺或其它类似材料形成。像素定义层593配备预定开口593a，然后形成了OLED的有机层595和第二电极597。可替换的，平面化层580和像素定义层593可以整体被形成，这种情况下第一电极591可以形成于钝化层570上。

当电流流动时，OLED发出红、绿、蓝光来显示预定的图像信息，OLED由第一电极591、第二电极597和有机层595组成。

第一和第二电极591和597相互被有机层595隔开一预定的距离，它们施加不同极性的电压到有机层595上，由此导致有机层595发光。

有机层595中可以使用低分子或高分子有机层。对于低分子有机层，HIL(空穴注入层)、HTL(空穴传输层)、EML(发光层)、ETL(电子传输层)、EIL(电子注入层)以及其它类似的层可以以单一结构或组合结构堆叠起来。多种有机材料可以利用，例如CuPc(铜苯二甲蓝染料)、NPB(N，N-di(萘-1-v1)-N，N’-联苯-对二氨基联苯)、以及Alq3(3-8-羟基喹啉铝)。低分子有机层可以通过真空沉积方法或其它类似方法形成。

可替代的，当使用高分子有机层时，它通常带有HTL和EML结构，其中HTL由PEDOT(聚乙烯二氧化噻吩)组成，EML由高分子有机材料例如PPV基(聚苯乙烯)有机材料或多荧光基有机材料组成。高分子有机层通过拍摄过程、喷墨打印方法或其它类似过程形成。

有机层不限于上述描述，还可以由不同的方法实现。

在下述实施例中，第一电极591作为阳极，而第二电极597作为阴极，然而第一和第二电极591和597的极性可以被反转。

作为阳极，第一电极591可以是透明电极或反射电极。如果是透明电极，第一电极可以由ITO、IZO、ZnO、In₂O₃或其它类似材料形成；如果是反射电极，第一电极可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其混合物形成反射层，然后ITO、IZO、ZnO、In₂O₃或其它类似材料形成在反射层上。

作为阴极，第二电极597也可是透明电极或反射电极，如果是透明电极，功函数低的金属如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的混合物面对有机层595沉积，然后辅助电极层或总线电极线由用于透明电极的材料形成于沉积层上，例如ITO、IZO、ZnO、In₂O₃或其它类似材料。如果是反射电极，第二电极通过Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的混合物，或其它类似材料全面沉积而形成。

本发明通过形成凹陷在图5A的平面化层580中的凹槽部分585来增加发光效率，其中第一电极591形成为一预定深度。

从图2中可以看出，凹槽部分585的面积比整个子像素区域的面积小，并且它提供在形成第一电极591的区域上。如图5A所示，凹槽部分585陷于平面化层580中一定深度，其拥有侧边585a和底边585b。从图5A中可知每侧边585a可以以一定角度倾斜，但是侧边585a并不限于这种构造，例如侧边585a可以形成为垂直于底边585b。

第一电极591形成为覆盖凹槽部分585。有机层595被形成为至少被设置于凹槽部分585的底边585b之上。这种情况下，第一电极591还形成为覆盖凹槽部分585的侧边或边缘585a。

凹槽部分585形成于平面化层580内，第一电极591置于凹槽部585中。从有机层595发射出来的光设置为直射到第一和第二电极591和597上，并被第一电极591反射，从而发光效率得到增加。因此为了增加凹槽部分585的效能，第一电极591优选地由反射电极组成，这种情况下，第二电极597优选地设置为透明电极，从而图像能显示在第二电极597上。

为了允许有机层595发出的光被第一电极591反射，凹槽部分585的深度必须大于有机层595的厚度，因为有机层595能反射横向发射的光。有机层的厚度必须薄于凹槽585形成其中的平面化层580的厚度。

利用半色调掩模技术能同时形成凹槽585和第二通孔581，这时第二通孔581形成于平面化层580中。

另一方面如上所述，平面化层580可以与像素定义层593整体成型，这时第一电极591可以形成于钝化层570上，凹槽部分可以形成于钝化层570中，与形成在平面化层580中的凹槽部分585具有相同的面积和深度。当第一通孔575形成时，成型于钝化层570中的凹槽部分可与第一通孔同时形成。

独立的反射层(未示出)可能形成于除了第一电极591之外的凹槽部分585的侧边585a上。这时第一电极591可以设置为透明电极，第二电极597可以设置为反射电极，用作为底部发光电极。当第一电极设置为透明电极时，第二电极597可以被用作双倍发光电极。

如图2所示，本发明的实施例用了两个TFTs，然而本发明并不限于这种情况，两个或更多的TFTs可以用于一个像素中，这时附加的TFT置于OLED形成的位置下方，如图5B所示。

具体地，如图5B所示，第一TFTTFT1和第二TFTTFT2置于OLED形成的下部分上，OLED连接第一和第二TFT中的任何一个。图中仅示出了两个TFT，但是在实际的平面结构中可以设置两个或更多的TFT。

在这种结构的有机电致发光显示器中，如上所述凹槽部分585形成于平面化层580中，从而提高的发光效率。图5B中其它详细的部件与图5A中的相同，这里不再赘述。

如上所述根据本发明实施例，有机电致发光显示器能通过集中从OLED的有机层发射并照射到第一电极的光线，以及通过反射和吸收由于在各层之间交界处全反射而横向反射的光线，来改善发光效率和光亮度。

另外，有机电致发光显示器能通过改善发光效率和光亮度来改善能耗和使用寿命。

很明显对于本领于技术人员来说，针对本发明的不同的修改和变更并不脱离本发明的精神和范围。因此可知本发明覆盖了针对本发明的修改和变更，它们仍然包括在所附的权利要求和等同物的范围之内。

Claims

1、一种有机电致发光显示器，包括：

一带有开口的像素定义层；

一以凹槽结构形成于像素定义层的开口上的第一电极；

一形成于第一电极上的有机发光层；

一第二电极；

其中有机发光层在第一电极中形成为凹形，使得第一电极围绕着有机发光层。

2、如权利要求1所述的有机电致发光显示器，其中发光区域中第一电极具有一高于第二电极的最低部分的上表面的部分。

3、如权利要求1所述的有机电致发光显示器，还包括一形成于第二电极上的钝化层，其中发光区域中钝化层的最低部分低于部分第一电极。

4、如权利要求3所述的有机电致发光显示器，其中钝化层的折射率在约1.4至2.4之间。

5、如权利要求4所述的有机电致发光显示器，还包括形成于钝化层上的有机层，其中有机发光层的折射率在约1.1至1.6之间。

6、如权利要求1所述的有机电致发光显示器，其中像素定义层的厚度在约200nm至10μm之间。

7、如权利要求1所述的有机电致发光显示器，其中像素定义层的开口的倾斜角在约15度至70度之间。

8、如权利要求1所述的有机电致发光显示器，其中像素定义层由氧化硅、氮化硅、BCB(苯环丁烯)、丙烯酸基可硬化树脂、酚基可硬化树脂、聚酰胺、ORMOCER组成的组合中选出的任一种形成。

9、如权利要求1所述的有机电致发光显示器，还包括一绝缘层，该绝缘层带有用于暴露部分第一电极的开口。

10、如权利要求9所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层由氧化硅、氮化硅、BCB(苯环丁烯)、丙烯酸基可硬化树脂、酚基可硬化树脂、聚酰胺、ORMOCER组成的组合中选出的任一种形成。

11、如权利要求9所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层比像素定义层薄，绝缘层的开口的倾斜角小于像素定义层开口的倾斜角。

12、如权利要求11所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层的厚度在约200nm至3μm之间。

13、如权利要求12所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层开口的倾斜角在约15度至60度之间。

14、一种有机电致发光显示器，包括：

一薄膜晶体管；

一覆盖薄膜晶体管并带有凹槽部分的平面化层；

形成一用于覆盖平面化层的凹槽部分并与薄膜晶体管相连的第一电极；

一第二电极；以及

一置于第一电极和第二电极之间的有机层，包括一发光层且设置在凹槽部分的底部上。

15、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，还包括多个子像素，其中每个子像素具有一薄膜晶体管，并且凹槽部分的区域小于子像素的区域。

16、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中凹槽部分的深度大于有机层的厚度。

17、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中凹槽部分的深度小于平面化层的厚度。

18、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中有机层还被设置于凹槽部分的侧边上。

19、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中凹槽部分具有一带有倾斜表面的侧边，且第一电极覆盖该倾斜表面。

20、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中发光区域中平面化层具有一高于第二电极平坦区域的上表面的。

21、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中平面化层具有至少一个通孔，并且第一电极通过该通孔与薄膜晶体管连接。

22、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中凹槽部分和通孔同时形成。

23、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，还包括一钝化层，其具有一第二通孔，形成于薄膜晶体管和平面化层之间，且第一电极通过该第二通孔与薄膜晶体管连接。

24、如权利要求16所述的有机电致发光显示器，其中凹槽部分与通孔同时形成。

25、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中平面化层由一有机材料形成。

26、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中第一电极由一反射材料形成。

27、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中第二电极由一透明材料形成。

28、如权利要求14所述的有机电致发光显示器，其中凹槽部分的侧边具有一反射层。

29、如权利要求28所述的有机电致发光显示器，其中第一电极由一透明材料形成。

30、如权利要求28所述的有机电致发光显示器，其中第二电极由一反射材料形成。