KR20210142028A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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이현범
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 포함하는 절연층, 상기절연층 위에 위치하며 상기 개구에서 상기 드레인 전극과 접하는 제1 전극을 포함하고, 상기 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85도일 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 개시는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 자발광 표시 장치로서 발광 표시 장치(light emitting diode display)가 주목 받고 있다.
발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
일반적으로 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 구성하는 배선들 사이에 배치되는 절연층 및 박막 트랜지스터에 연결된 발광 소자를 포함한다. 발광 소자의 위에 컬러 필터가 위치하여 색을 나타낼 수 있다. 최근 표시 장치의 해상도가 높아지면서 개별 발광 소자의 크기가 작아지고 있다.
실시예들은 발광 영역의 가장자리에서 반사색띠의 발생을 방지한 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극. 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 포함하는 절연층, 상기 절연층 위에 위치하며 상기 개구에서 상기 드레인 전극과 접하는 제1 전극을 포함하고, 상기 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85도이다.
상기 소스 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극을 포함하고, 상기 드레인 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극을 포함할 수 있다.
상기 절연층은 실록산 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 위에 위치하며 블랙 물질을 포함하는 격벽, 상기 제1 전극과 중첩하여 위치하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층, 상기 제2 전극 위에 위치하는 봉지층, 상기 봉지층 위에 위치하는 터치 감지층을 더 포함할 수 있다.
상기 터치 감지층 위에 위치하는 복수 개의 컬러 필터, 상기 컬러 필터 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함하고, 상기 차광 부재와 상기 격벽은 상기 기판에 수직한 방향으로 중첩할 수 있다.
상기 표시 장치는 편광판을 포함하지 않을 수 있다.
상기 절연층은 블랙 물질을 포함할 수 있다.
상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고, 상기 스페이서는 블랙 물질을 포함할 수 있다.
상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고, 상기 격벽과 상기 스페이서는 서로 연결되어 있으며, 상기 격벽, 상기 스페이서 및 상기 절연층은 블랙 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 위치하며, 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 포함하는 제1 절연층, 상기 제1 절연층의 상면 및 개구의 측면을 덮으며 위치하며 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 포함하는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 위에 위치하며 상기 제2 절연층의 개구에서 상기 드레인 전극과 접하는 제 제1 전극을 포함하고, 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85도이다.
상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도와 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 동일할 수 있다.
상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도와 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 상이할 수 있다.
상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도보다 작을 수 있다.
상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 45도 이하일 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 3.0 ㎛일 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층은 실록산 또는 폴리이미드를 포함하고, 상기 제2 절연층은 실록산 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 소스 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극을 포함하고, 상기 드레인 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층은 블랙 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 위에 위치하는 격벽을 더 포함하고. 상기 격벽은 블랙 물질을 포함할 수 있다.
상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고, 상기 스페이서는 블랙 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 위에 위치하는 격벽, 상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고, 상기 격벽, 상기 스페이서 및 상기 제2 절연층은 블랙 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층의 개구의 측면과 제2 절연층의 개구의 측면이 동일 면상에 위치할 수 있다.
상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 70도 내지 85도일 수 있다.
상기 제1 절연층의 측면과 상기 제1 전극의 측면이 직접 접할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 소스 전극 및 드레인 전극이 위치하는 기판을 준비하는 단계, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 절연층을 형성하는 단계, 상기 드레인 전극과 중첩하는 영역의 투과율이 상이한 마스크를 상기 절연층 위에 위치시키고 노광하는 단계, 상기 노광된 절연층을 식각하여 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 형성하는 단계, 상기 개구가 형성된 절연층을 전면 노광하여 상기 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 경사각을 증가시키는 단계를 포함하며, 상기 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85이다.
상기 절연층이 블랙 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 소스 전극 및 드레인 전극이 위치하는 기판을 준비하는 단계, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 갖는 제1 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 절연층 및 상기 제1 절연층의 개구 위에 제2 절연층을 형성하는 단계, 상기 제2 절연층을 상기 드레인 전극과 중첩하는 영역의 투과율이 상이한 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 노광된 제2 절연층을 식각하여 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 형성하는 단계, 상기 개구가 형성된 제2 절연층을 전면 노광하여 상기 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 경사각을 증가시키는 단계를 포함하며, 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85이다.
상기 제2 절연층을 상기 드레인 전극과 중첩하는 영역의 투과율이 상이한 마스크를 이용하여 노광하는 단계에서, 상기 마스크는 드레인 전극과 중첩하지 않는 영역 중 일부 영역의 투과율이 다른 영역과 상이하며, 상기 노광된 제2 절연층을 식각하여 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 형성하는 단계에서, 상기 제2 절연층의 일부는 식각되지 않고 돌출부를 형성할 수 있다.
상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도와 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 상이할 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 3.0 ㎛일 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층이 블랙 물질을 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 발광 영역의 가장자리에서 반사 색띠의 발생을 방지한 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
도 1을 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 간략하게 도시한 것이다.
도 2는 편광판을 포함하지 않으며 반사색띠가 발생한 표시 장치의 이미지 및 색분포이고, 도 3은 편광판을 포함하고 반사색띠가 발생하지 않은 표시 장치의 이미지 및 색분포이다.
도 4는 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 5는 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 6은 다른 일 실시예에 대하여 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 7은 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 8은 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 9는 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 유사한 단면을 도시한 것이다.
도 10은 다른 일 실시예에 대하여 도 9와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 11은 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 12는 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 13은 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 14는 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 유사한 단면을 도시한 것이다.
도 15는 다른 일 실시예에 대하여 도 13과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 16은 다른 일 실시에예 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 17은 다른 일 실시예에 대하여 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 18은 다른 일 실시예에 대하여 도 6과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 19는 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 20은 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 21은 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 22는 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 유사한 단면을 도시한 것이다.
도 23은 다른 일 실시예에 대하여 도 22와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 24는 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 25는 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 26은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 27은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 28은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 유사한 단면을 도시한 것이다.
도 29는 다른 일 실시예에 대하여 도 28과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 30은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 31은 다른 일 실시예에 대하여 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 32는 다른 일 실시예에 대하여 도 31과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 33은 다른 일 실시예에 대하여 도 6과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 34는 다른 일 실시예에 대하여 도 33과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 35 내지 도 40은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타낸 공정 흐름도이다.
도 41은 제2 절연층이 블랙 물질을 포함하고, 격벽이 블랙 물질을 포함하고, 스페이서가 블랙 물질을 포함하는 실시예에 대하여 도 35 내지 도 40의 제조 방법을 적용하여 제조하였을 때, 도 40과 동일한 단면을 도시한 것이다.
도 42 내지 도 48은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타낸 공정 흐름도이다.
도 49 및 도 50은 각각 본 실시예에 따른 화소의 일 예를 보여주는 회로도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한 명세서 전체에서, "연결된다"라고 할 때, 이는 둘 이상의 구성요소가 직접적으로 연결되는 경우만을 의미하는 것이 아니고, 둘 이상의 구성요소가 다른 구성요소를 통하여 간접적으로 연결되는 경우, 물리적으로 연결되는 경우나 전기적으로 연결되는 경우, 뿐만 아니라, 위치나 기능에 따라 상이한 명칭들로 지칭되었으나 실질적으로 일체인 각 부분이 서로 연결되는 것을 포함할 수 있다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
그러면 이하에서 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1을 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 간략하게 도시한 것이다. 도 1을 설명의 편의를 위하여 일부 구성요소만을 개략적으로 도시하였으며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1을 참고로 하면, 플라스틱 또는 유리를 포함하는 기판(110)에 반도체층(130)이 위치할 수 있다. 반도체층(130)은 소스 영역(133), 채널 영역(134) 및 드레인 영역(135)을 포함할 수 있다. 반도체층(130)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
반도체층(130)의 채널 영역(134)과 중첩하여 게이트 절연 패턴(144)이 위치할 수 있다. 게이트 절연 패턴(144)은 실질적으로 반도체층(130)의 도전 영역과는 중첩하지 않을 수 있다.
게이트 절연 패턴(144) 상에 게이트 전극(154)이 위치할 수 있다. 게이트 전극(154)은 반도체층(130)의 채널 영역(134)과 기판(110)에 수직한 방향으로 중첩할 수 있다. 게이트 전극(154), 반도체층(130), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 트랜지스터를 구성한다.
반도체층(130) 위에 층간 절연막(160)이 위치할 수 있다. 층간 절연막(160)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 또는 질산화규소(SiON)를 포함할 수 있다. 층간 절연막(160)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 또는 질산화규소(SiON)를 포함하는 다중층일 수 있다
층간 절연막(160)은 반도체층(130)의 소스 영역(133) 및 드레인 영역(135)과 각각 중첩하는 개구를 포함할 수 있다. 층간 절연막(160) 위에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)이 위치할 수 있다. 소스 전극(173)은 층간 절연막(160)의 개구를 통해 반도체층(130)의 소스 영역(133)과 연결될 수 있다. 드레인 전극(175) 또한 층간 절연막(160)의 개구를 통해 반도체층(130)의 드레인 영역(135)과 연결될 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에 절연층(180)이 위치한다. 절연층(180)은 유기물을 포함할 수 있다. 도 1에서는 절연층(180)이 단일층으로 도시되었으나, 절연층(180)은 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 절연층(180)은 실록산 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
도 1을 참고로 하면 절연층(180)은 드레인 전극(175)과 중첩하는 개구(185)를 가질 수 있다. 개구(185)에서 제1 전극(191)과 드레인 전극(175)이 서로 접촉한다.
이때 절연층(180)의 개구(185)의 측면과 드레인 전극(175)의 상면이 이루는 각도(θ1)는 70도 내지 85도일 수 있다. 이렇게 절연층(180)의 개구(185) 측면과 평면이 70도 내지 85도의 각도를 가지기 때문에 표시 장치의 반사색띠 발생을 방지할 수 있다. 본 실시예에 따른 절연층(180)의 구체적인 효과에 대하여는 후술한다.
절연층(180)의 개구(185)의 측면과 드레인 전극(175)의 상면이 이루는 각도(θ1)가 70도 미만인 경우, 충분한 반사색띠 발생 예방 효과를 가질 수 없다. 또한 절연층(180)의 개구(185)의 측면과 드레인 전극(175)의 상면이 이루는 각도(θ1)가 85도 초과인 경우 경사가 가파르기 때문에 제1 전극(191)의 크랙을 유발할 수 있다.
본 명세서에서 절연층(180)의 개구(185)의 경사 각도 측정의 기준이 되는 평면은 기판(110)과 평행한 평면을 의미한다.
이어서 도 1을 참고로 하면, 제1 전극(191) 위에 격벽(350)이 위치한다. 격벽(350)은 제1 전극(191)과 중첩하는 개구(355)를 가질 수 있으며, 격벽(350)의 개구(355)에 발광층(370)이 위치할 수 있다. 격벽(350) 및 발광층(370) 위에 제2 전극(270)이 위치할 수 있다. 제1 전극(191), 발광층(370) 및 제2 전극(270)은 발광 소자(ED)를 구성할 수 있다. 격벽(350)은 블랙 물질을 포함할 수 있다. 따라서 격벽(350)이 차광 부재로 기능할 수 있다.
제2 전극(270) 위에 봉지층(390)이 위치할 수 있다. 봉지층(390)은 유기층 및 무기층을 포함하는 다층일 수 있다. 봉지층(390) 위에 터치 감지층(310)이 위치할 수 있다. 도 1에서는 터치 감지층(310)으로 간략하게 도시되었으나, 터치 감지층(310)은 서로 절연되어 다른 층에 위치하는 감지 전극 및 감지 전극 사이에 위치하는 절연층을 포함할 수 있다.
다시 도 1을 참고로 하면, 터치 감지층(310) 위에 차광 부재(330)가 위치할 수 있다. 차광 부재(330)는 격벽(350)과 기판(110)에 수직한 방향으로 중첩하여 위치할 수 있다.
차광 부재(330) 사이에 컬러 필터(230)가 위치할 수 있다. 컬러 필터(230)는 적색 컬러 필터(230R), 녹색 컬러 필터(230G) 및 청색 컬러 필터(230B)를 포함할 수 있다. 하나의 발광 소자(ED)에 대응하여 하나의 컬러 필터가 위치할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이웃하는 컬러 필터(230)는 차광 부재(330) 위에서 서로 중첩할 수 있다. 도 1에서는 컬러 필터(230)를 도시하였으나, 실시예에 따라 컬러 필터(230)는 양자점을 포함하는 색변환층일 수 있다. 이 경우, 적색 컬러 필터(230R)가 위치하는 영역에 적색 색변환층이, 녹색 컬러 필터(230G)가 위치하는 영역에 녹색 색변환층이, 청색 컬러 필터(230B)가 위치하는 영역에 투과층이 위치할 수 있다.
도 1을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 표시 장치 내에 편광판을 포함하지 않을 수 있다. 표시 장치가 편광판을 포함하는 경우, 편광판에 의해 발광 영역 가장자리에서의 반사색띠 발생을 예방할 수 있다. 그러나 본 실시예와 같이 편광판을 포함하지 않는 경우 격벽(350)의 개구(355) 가장자리에서 반사색띠가 발생할 수 있다.
도 2는 편광판을 포함하지 않으며 반사색띠가 발생한 표시 장치의 이미지 및 색분포이고, 도 3은 편광판을 포함하고 반사색띠가 발생하지 않은 표시 장치의 이미지 및 색분포이다. 도 2와 도 3을 비교하면, 반사색띠가 발생한 표시 장치의 경우 발광 영역의 가장자리에서 녹색과 보라색이 시인된다. 또한 색분포가 넓게 흩어져 나타나며, 최대 색차 △E00는 약 22.24이다.
그러나 도 3을 참고로 하면 반사색띠가 발생하지 않은 표시 장치의 경우 색분포가 좁게 모여서 나타나며, 최대 색차 △E00 또한 약 9.75로 낮게 나타났다.
이렇게 표시 장치가 편광판을 포함하지 않는 경우 반사색띠가 발생할 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 표시 장치는 편광판을 포함하지 않는 표시 장치에서, 절연층(180)의 개구(185)의 경사 각도를 70도 내지 85도로 하여 반사색띠 발생을 예방하였다. 이는 개구(185)의 경사 각도가 증가하면서, 개구(185)의 측면에서 일어나던 난반사를 감소시켰기 때문이다. 난반사가 감소하면서, 반사색띠 발생 또한 예방된다.
다만, 개구(185)의 경사각도가 70도 미만이면 난반사 억제 효과가 충분하지 않아 반사색띠가 발생할 수 있다. 또한 개구의 경사각도가 85도 이상이면, 개구의 측면에서 제1 전극(191)의 크랙이 발생할 수 있다.
표 1은 절연층 개구의 경사각도(Via hole angle)를 제외하고 나머지 조건을 동일하게 한 실험예 1 및 실험예 2에 대하여 반사색띠 발생을 실험하고 그 결과를 도시한 것이다.
실험예 1 실험예 2
절연층 두께 (㎛) 2.8 2.8
절연층 개구의 경사각도(Via hole angle) 45° 80°
평탄도 51.2 nm 51.7 nm
최대색차 (△E00) 30.6 23.0
이미지
Figure pat00001
Figure pat00002
a*,b* 분포
Figure pat00003
Figure pat00004
표 1을 참고로 하면, 절연층 개구의 경사각도가 45도인 실험예 1의 경우 최대 색차 △E00 값이 30.6으로 나타났으나, 절연층 개구의 경사각도가 80도인 실험예 2의 경우 최대 색차 △E00 값이 23.0으로 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 또한 실험예 1과 실험예 2의 이미지를 비교하여 보면, 실험예 1의 경우 개구의 가장자리에서 초록색과 보라색의 색띠가 관찰되었으나, 실험예 2의 경우 개구의 가장자리에서 별도의 색띠가 관찰되지 않는 것을 확인할 수 있었다.
이상과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 장치 내부에 편광판을 포함하지 않으며 드레인 전극과 제1 전극이 연결되는 절연층 개구의 경사각도가 70도 내지 85도이다. 따라서 표시 장치의 반사색띠 발생을 예방할 수 있다.
이상에서는 절연층이 단일층인 실시예를 중심으로 하여 설명하였으나, 절연층은 다층일 수도 있다. 이하에서는 다른 실시예에 대하여 설명한다.
도 4는 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 4를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)을 포함하다는 점을 제외하고는 도 1의 실시예에 따른 표시 장치와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 4를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)을 포함한다. 제1 절연층(181)의 모든 측면 및 상면은 제2 절연층(182)에 의해 덮여있을 수 있다. 즉 제1 절연층(181)은 제1 전극(191)과 직접 접촉하지 않을 수 있다.
도 4를 참고로 하면 제1 절연층(181)의 개구(183)의 크기는 제2 절연층(182)의 개구(185)의 크기보다 크다. 즉, 제1 절연층(181)의 개구(183) 내에 제2 절연층(182)의 개구(185)가 위치할 수 있다.
제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)와 상이할 수 있다. 구체적으로, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)보다 작을 수 있다. 일례로, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 45도 이하일 수 있다. 또한, 제2 절연층(181)의 개구(185) 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)는 70도 내지 85도일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 본 명세서에서 각도 측정의 기준이 되는 평면은 기판(110)과 평행한 평면을 의미한다.
이렇게 절연층(180)이 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)을 포함하는 다층으로 이루어진 경우, 절연층(180) 상부의 평탄화도가 높아지는바 반사색띠를 보다 효과적으로 예방할 수 있다.
즉 반사색띠의 발생은 절연층 개구부의 각도 및 절연층 상부의 평탄도에 의해 영향을 받으며, 본 실시에의 경우 절연층을 다층으로 형성하여 절연층 상부의 평탄도를 증가시키는 바 반사색띠의 발생을 방지할 수 있다.
표 2는 절연층이 단일층/ 이중층인 구성을 제외하고 나머지 조건을 유사하게 실험예 3 및 실험예 4에 대하여 반사색띠 발생을 실험하고 그 결과를 도시한 것이다.
실험예 3 실험예 4
절연층 두께 (㎛) 2.8 3.1
절연층 물질 Siloxane 단일층 Siloxane/ PI 이중층
평탄도 51.7 nm 30.1 nm
최대색차 (△E00) 23.0 18.2
이미지
Figure pat00005
Figure pat00006
a*,b* 분포
Figure pat00007
Figure pat00008
표 2를 참고로 하면 절연층이 다층으로 이루어진 실험예 4는 절연층이 단층으로 이루어진 실험예 3에 비하여 절연층의 평탄도가 개선되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 절연층이 다층으로 이루어진 실험예 4의 최대 색차(△E00)는 18.2로, 절연층이 단층으로 이루어진 실험예 3의 23.0에 비하여 감소하는 것을 확인할 수 있었다.
제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)의 두께는 각각 1.5 ㎛ 내지 3.0 ㎛ 일 수 있다. 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)의 두께는 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)은 실록산 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)은 서로 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다. 일례로, 제1 절연층(181)은 실록산을 포함하고, 제2 절연층(182)은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 또는 제1 절연층(181)이 폴리이미드를 포함하고, 제2 절연층(182)은 실록산을 포함할 수 있다. 또는 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)은 모두 폴리이미드를 포함할 수 있고, 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)은 모두 실록산을 포함할 수도 있다.
도 4에서는 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)와 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)가 상이한 구성을 도시하였으나, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)와 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)는 동일할 수 있다.
도 5는 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 5를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)와 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)가 동일하다는 점을 제외하고는 도 4의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 5를 참고로 하면, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)와 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)가 동일하다. 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)와 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)가 모두 70도 내지 85도일 수 있다.
도 6은 다른 일 실시예에 대하여 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 6을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 절연층(181)의 개구(183)의 측면과 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 동일 면상에 위치한다는 점을 제외하고는 도 5의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 6을 참고로 하면, 제1 절연층(181)의 개구(183)의 측면과 제2 절연층(182)의 개구 (185)의 측면은 동일 면에 위치한다. 이때, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 70도 내지 85도일 수 있다.
제1 절연층(181)의 개구(183) 측면과 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 동일 면상에 위치하기 때문에, 도 5와 다르게 제2 절연층(182)은 드레인 전극(175)과 직접 접하지 않을 수 있다.
도 6의 실시에에서, 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)은 서로 다른 물질을 포함할 수도 있고, 서로 동일한 물질을 포함할 수도 있다. 일례로, 제1 절연층(181)은 실록산을 포함하고, 제2 절연층(182)은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 또는 제1 절연층(181)이 폴리이미드를 포함하고, 제2 절연층(182)은 실록산을 포함할 수 있다. 또는 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)은 모두 폴리이미드를 포함할 수 있고, 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)은 모두 실록산을 포함할 수도 있다.
본 명세서의 다른 일 실시예에서, 절연층(180)은 블랙 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 절연층(180)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있다. 도 4 내지 6과 같이 절연층(180)이 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)의 다층 구조인 경우, 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함할 수 있다. 도 1에서와 같이 절연층(180)이 단일층인경우, 절연층(180)이 블랙 물질을 포함할 수도 있다.
도 7은 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 7을 참고로 하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 1의 실시예와 동일하다. 절연층(180)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 8은 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 8을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 격벽(350)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 1의 실시예와 동일하다. 격벽(350)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 9는 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 유사한 단면을 도시한 것이다. 도 9의 경우 일부 격벽(350) 위에 스페이서(320)가 위치한다는 점을 제외하고 도 1의 실시예와 동일하다. 스페이서(320)는 복수개의 화소 중 일부 격벽(350)위에 위치하며, 도 1은 스페이서(320)가 위치하지 않는 단면을 도시한 것이고 도 9는 스페이서(320)가 위치하는 영역의 단면을 도시한 것이다. 도 9를 참고로 하면 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함할 수 있다. 일례로 스페이서(320)는 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 10은 다른 일 실시예에 대하여 도 9와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 10의 경우 스페이서(320)과 격벽(350)이 서로 연결되어 있으며 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 9와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 10에서 스페이서(320)와 격벽(350)은 동일 공정으로 형성될 수 있다.
도 11은 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 12를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다. 이 외 다른 구성요소에 대하여는 도 1에서와 동일하며, 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 12는 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 12를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 4의 실시예와 동일하다. 제2 절연층(182)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 13은 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 13을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 격벽(350)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 4의 실시예와 동일하다. 격벽(350)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 14는 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 유사한 단면을 도시한 것이다. 도 14의 경우 일부 격벽(350) 위에 스페이서(320)가 위치한다는 점을 제외하고 도 4의 실시예와 동일하다. 도 14를 참고로 하면 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함할 수 있다. 일례로 스페이서(320)는 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 15는 다른 일 실시예에 대하여 도 13과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 15의 경우 스페이서(320)과 격벽(350)이 서로 연결되어 있으며 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 14와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 15에서 스페이서(320)와 격벽(350)은 동일 공정으로 형성될 수 있다.
도 16은 다른 일 실시에예 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 16을 참고로 하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다. 이 외 다른 구성요소에 대하여는 도 4에서와 동일하며, 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 17은 다른 일 실시예에 대하여 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 17을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 5의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 17에서는 절연층(180), 격벽(350), 스페이서(320)가 모두 블랙 물질을 포함하는 구성이 도시되었으나 이 중 일부 구성만 블랙 물질을 포함할 수도 있다.
도 18은 다른 일 실시예에 대하여 도 6과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 18을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 6의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 18에서는 절연층(180), 격벽(350), 스페이서(320)가 모두 블랙 물질을 포함하는 구성이 도시되었으나 이 중 일부 구성만 블랙 물질을 포함할 수도 있다.
도 1, 4 내지 18에서는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 한 층에만 위치하는 실시예를 도시하였으나, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하기 도 19 내지 34에 도시된 바와 같이 서로 다른 층에 위치하는 소스 전극(173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b)이 중간층(161)을 사이에 두고 연결된 구조를 가질 수 있다. 구체적인 구조에 대하여 이하에서 도 19 내지 도 34를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 19는 다른 일 실시예에 대하여 도 1과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 19를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 소스 전극(173)이 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함하고, 드레인 전극(175)이 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 포함한다는 점을 제외하고는 도 1의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 19를 참고로 하면, 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b) 사이 및 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b) 사이에 중간층(161)이 위치한다. 중간층(161)의 개구를 통해 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)이 서로 연결되고, 중간층(161)의 개구를 통해 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b)이 서로 연결된다.
이렇게 소스 전극 및 드레인 전극이 다층에 위치하는 실시예에서도, 제1 전극(191)과 상층에 위치하는 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a) 사이의 절연층(180)이 본 발명의 구조를 가질 수 있다. 즉, 절연층(180)의 개구(185)의 측면과 평면이 이루는 경사각(θ1)이 70도 내지 85도일 수 있다. 따라서 편광판을 포함하지 않는 표시 장치에서 반사색띠 발생을 예방할 수 있다.
도 20은 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 20을 참고로 하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 19의 실시예와 동일하다. 절연층(180)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 21은 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 21을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 격벽(350)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 19의 실시예와 동일하다. 격벽(350)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 22는 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 유사한 단면을 도시한 것이다. 도 22의 경우 일부 격벽(350) 위에 스페이서(320)가 위치한다는 점을 제외하고 도 19의 실시예와 동일하다. 도 22를 참고로 하면 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함할 수 있다. 일례로 스페이서(320)는 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 23은 다른 일 실시예에 대하여 도 22와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 23의 경우 스페이서(320)과 격벽(350)이 서로 연결되어 있으며 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 22와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 23에서 스페이서(320)와 격벽(350)은 동일 공정으로 형성될 수 있다.
도 24는 다른 일 실시예에 대하여 도 19와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 24를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 19의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 24에서는 절연층(180), 격벽(350), 스페이서(320)가 모두 블랙 물질을 포함하는 구성이 도시되었으나 이 중 일부 구성만 블랙 물질을 포함할 수도 있다.
도 25는 다른 일 실시예에 대하여 도 4와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 25를 을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 소스 전극(173)이 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함하고, 드레인 전극(175)이 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 포함한다는 점을 제외하고는 도 4의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 25를 참고로 하면, 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)사이 및 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b) 사이에는 중간층(161)이 위치한다. 중간층(161)의 개구를 통해 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)이 서로 연결되고, 중간층(161)의 개구를 통해 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b)이 서로 연결된다. 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)에 대한 설명은 도 4에서와 동일하다. 즉, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)와 상이할 수 있다. 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)는 70도 내지 85도일 수 있다.
도 26은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 26을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 25의 실시예와 동일하다. 제2 절연층(182)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 27은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 27을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 격벽(350)이 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 25의 실시예와 동일하다. 격벽(350)은 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 28은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 유사한 단면을 도시한 것이다. 도 28의 경우 일부 격벽(350) 위에 스페이서(320)가 위치한다는 점을 제외하고 도 25의 실시예와 동일하다. 도 28을 참고로 하면 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함할 수 있다. 일례로 스페이서(320)는 카본 블랙 또는 유기 블랙 물질을 포함할 수 있으며, 검은색일 수 있다.
도 29는 다른 일 실시예에 대하여 도 28과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 29의 경우 스페이서(320)과 격벽(350)이 서로 연결되어 있으며 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 28과 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 29에서 스페이서(320)와 격벽(350)은 동일 공정으로 형성될 수 있다.
도 30은 다른 일 실시예에 대하여 도 25와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 30을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 25의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 30에서는 절연층(180), 격벽(350), 스페이서(320)가 모두 블랙 물질을 포함하는 구성이 도시되었으나 이 중 일부 구성만 블랙 물질을 포함할 수도 있다.
도 31은 다른 일 실시예에 대하여 도 5와 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 31을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 소스 전극(173)이 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함하고, 드레인 전극(175)이 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 포함한다는 점을 제외하고는 도 5의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 31을 참고로 하면, 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)사이 및 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b) 사이에는 중간층(161)이 위치한다. 중간층(161)의 개구를 통해 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)이 서로 연결되고, 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b)이 서로 연결된다. 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)에 대한 설명은 도 5에서와 동일하다. 즉, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)와 동일할 수 있다. 즉, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 제2 절연층(182)의 개구(185)의 측면이 평면과 이루는 각도(θ1)는 70도 내지 85도일 수 있다. 도 31의 실시예에서도, 제1 절연층(181) 또는 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함할 수 있다.
도 32는 다른 일 실시예에 대하여 도 31과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 32를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 31의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 32에서는 절연층(180), 격벽(350), 스페이서(320)가 모두 블랙 물질을 포함하는 구성이 도시되었으나 이 중 일부 구성만 블랙 물질을 포함할 수도 있다.
도 33은 다른 일 실시예에 대하여 도 6과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 33을 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 소스 전극(173)이 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함하고, 드레인 전극(175)이 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 포함한다는 점을 제외하고는 도 6의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 33을 참고로 하면, 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)사이 및 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b) 사이에는 중간층(161)이 위치한다. 중간층(161)의 개구를 통해 제1 소스 전극(173a)과 제2 소스 전극(173b)이 서로 연결되고, 중간층(161)의 개구를 통해 제1 드레인 전극(175a)과 제2 드레인 전극(175b)이 서로 연결된다. 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)에 대한 설명은 도 6에서와 동일하다. 즉, 제1 절연층(181)의 개구(183)의 측면과 제2 절연층(182)의 개구 (185)의 측면이 동일 면에 위치할 수 있다. 이때, 제1 절연층(181)의 개구(183) 측면이 평면과 이루는 각도(θ2)는 70도 내지 85도일 수 있다.
도 34는 다른 일 실시예에 대하여 도 33과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 34를 참고로 하면 본 실시예에 따른 표시 장치는 절연층(180)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350) 위에 위치하는 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함한다는 점을 제외하고는 도 33의 실시예와 동일하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 도 34에서는 절연층(180), 격벽(350), 스페이서(320)가 모두 블랙 물질을 포함하는 구성이 도시되었으나 이 중 일부 구성만 블랙 물질을 포함할 수도 있다.
그러면 이하에서 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)을 포함하는 절연층(180)의 제조 방법을 중심으로 하여 제조 과정을 설명한다.
도 35 내지 도 40은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타낸 공정 흐름도이다. 도 35 내지 도 40에서는 설명의 편의를 위하여 기판(110), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 제1 절연층(181), 제2 절연층(182), 제1 전극(191), 격벽(350), 스페이서(320)의 구성만을 도시하고 다른 구성은 생략하였다. 즉, 본 실시예에 따른 제조 방법은 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)의 형성 과정에 특징이 있는바, 이를 중심으로 도시하였다.
도 35를 참고로 하면, 기판(110) 위에 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 위치한다. 기판(110)과 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 사이에 위치하는 다른 층들의 도시는 생략되었다. 제1 절연층(181)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 중첩하여 형성되며, 드레인 전극(175)과 중첩하는 개구(183)를 갖는다. 제1 절연층(181)의 개구(183) 위에 제2 절연층(182)을 형성한다. 제2 절연층(182)은 제1 절연층(181)의 전면 및 개구(183)의 전면을 덮으며 위치한다. 일 실시예예서, 제2 절연층(182)은 블랙 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함하는 구성에 대하여는 앞서 도 1 내지 도 34에서 설명한 내용이 적용된다.
다음 도 36을 참고로 하면, 제2 절연층(182) 위에 마스크(700)를 위치시킨다. 이때 드레인 전극(175)과 중첩하는 개구(710)에서의 마스크(700)의 투과율은 100%이고, 이 외 영역에서의 투과율은 0%일 수 있다. 이렇게 마스크(700)를 통해 제2 절연층(182)을 노광한다.
다음 도 37을 참고로 하면, 마스크(700)를 통해 노광된 제2 절연층(182)을 식각한다. 식각에 의해 제2 절연층(182)에 드레인 전극(175)과 중첩하는 개구(185)가 생기고, 드레인 전극(175)의 상면이 노출된다. 마스크(700)의 개구(710) 근처에서의 빛의 회절로 인해, 제2 절연층(182)의 개구(185)는 테이퍼를 가질 수 있다. 이때 제2 절연층(182)의 개구(185)의 경사각도는 제1 절연층(181)의 개구(183)의 경사각도와 유사할 수 있다. 이는 제1 절연층(181)의 개구(183) 또한 개구(710)를 갖는 마스크(700)를 이용하여 식각되었기 때문이다.
다음, 도 38을 참고로 하면, 제2 절연층(182)의 전면에 노광을 한다. 노광으로 인해 광경화가 발생하고, 유기물을 포함하는 제2 절연층(182)의 수축이 일어난다. 이러한 수축 과정에서, 제2 절연층(182)의 개구(185) 근처에서 테이퍼 각도가 증가한다. 즉, 개구(185) 근처의 제2 절연층(182)이 광경화에 의해 수축되면서 개구(185)의 측면과 평면이 이루는 각도가 증가하게 된다. 이때 제2 절연층(182)의 개구(185) 측면과 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85도일 수 있다. 이때 제2 절연층(182)의 개구(185)의 경사각도는 전면 노광의 시간을 조절하여 제어할 수 있다.
다음 도 39를 참고로 하면, 제1 전극(191)을 형성한다. 제1 전극(191)은 제2 절연층(182)의 상면 및 측면을 따라 위치하며 제2 절연층(182)의 개구(185)에서 드레인 전극(175)과 직접 접촉한다.
다음, 도 40을 참고로 하면 제1 전극(191)위에 격벽(350)을 형성한다. 격벽(350)은 제1 전극(191)과 중첩하는 개구를 갖는다. 일 실시예에서, 격벽(350)은 블랙 물질을 포함할 수 있다. 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하는 구성에 대하여는 앞서 도 1 내지 도 34에서 설명한 내용이 적용된다.
이후 공정에서 개구 내에 발광층 등이 형성될 수 있다. 격벽(350) 위에 스페이서(320)를 형성한다. 스페이서(320)는 격벽(350)의 일부 영역 위에 위치할 수 있다. 일 실시예에서 스페이서(320)는 블랙 물질을 포함할 수 있다. 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함하는 구성에 대하여는 앞서 도 1 내지 도 34에서 설명한 내용이 적용된다. 격벽(350)과 스페이서(320)는 별도의 공정으로 형성될 수도 있고, 동시에 형성될 수 도 있다. 격벽(350)과 스페이서(320)가 단일 공정으로 형성되는 경우, 격벽(350) 및 스페이서(320) 모두 블랙 물질을 포함할 수 있다. 격벽(350) 및 스페이서(320) 모두 블랙 물질을 포함하는 구성에 대하여는 앞서 도 1 내지 도 34에서 설명한 내용이 적용된다.
도 41은 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함하는 실시예에 대하여 도 35 내지 도 40의 제조 방법을 적용하여 제조하였을 때, 도 40과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 41을 참고로 하면, 제2 절연층(182), 격벽(350) 및 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함할 수 있다. 이상과 같이 도 35 내지 도 41의 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제2 절연층(182)의 식각 후 전면 노광 공정을 수행함으로써 유기막의 수축을 유발하였고, 이를 통해 70도 내지 85도의 테이퍼 각을 갖는 개구를 형성하였다.
도 35 내지 도 41에서는 절연층(180)이 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)을 포함하는 실시에의 제조 방법을 설명하였으나, 이는 절연층(180)이 단일층인 경우에도 적용 가능하다. 즉, 마스크(700)를 이용한 노광으로 절연층(180)에 개구를 형성하고, 마스크(700)를 이용하지 않은 전체 노광으로 절연층(180)의 개구의 경사각을 높일 수 있다.
그러면 이하에서 도 42 내지 도 48을 통하여 다른 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 42 내지 도 48은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타낸 공정 흐름도이다. 도 42 내지 도 48에서는 설명의 편의를 위하여 기판(110), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 제1 절연층(181), 제2 절연층(182), 제1 전극(191), 격벽(350)의 구성만을 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 실시예에 따른 제조 방법은 제1 절연층(181) 및 제2 절연층(182)의 형성 과정에 특징이 있는바, 이를 중심으로 도시하였다.
도 42를 참고로 하면, 기판(110) 위에 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 제1 절연층(181)이 위치한다. 제1 절연층(181)은 드레인 전극(175)과 중첩하는 개구(183)를 갖는다. 제1 절연층(181) 위에 제2 절연층(182)을 형성한다. 제2 절연층(182)은 제1 절연층(181)의 전면 및 개구(183)의 전면을 덮으며 위치한다. 이때 제2 절연층(182)이 형성되는 두께는 앞서 도 35 내지 도 41의 실시예에서 제2 절연층(182)이 형성되는 두께보다 두꺼울 수 있다. 이는 본 실시예에 따른 제조 방법은 제2 절연층(182)의 일부가 스페이서로 기능하는 구조이기 때문이다. 일 실시예예서, 제2 절연층(182)은 블랙 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함하는 구성에 대하여는 앞서 도 1 내지 도 34에서 설명한 내용이 적용된다.
다음 도 43을 참고로 하면, 제2 절연층(182)위에 마스크(700)를 위치시키고 노광한다. 이때 마스크(700)는 제1 영역(710), 제2 영역(720), 제3 영역(730) 및 제4 영역(740)을 포함한다.
제1 영역(710)은 제1 절연층(181)의 개구(183)와 중첩하는 영역으로 투과율이 100%일 수 있다. 제2 영역(720)은 제1 영역(710)의 양측에 위치하며 제1 절연층(181)의 개구(183)의 테이퍼 영역과 중첩하는 영역으로, 투과율이 40~50%일 수 있다. 제3 영역(730)은 제2 절연층(182)과 중첩하는 영역으로 투과율이 100%일 수 있다. 제4 영역(740)은 스페이서로 기능하는 제2 절연층(182)의 돌출부(187)를 형성하기 위한 영역으로, 투과율이 0%일 수 있다.
이러한 투과율 분포를 갖는 마스크(700)로 제2 절연층(182)을 노광한 후 식각하면, 도 44에 도시된 구조가 형성될 수 있다.
도 44를 참고로 하면 투과율이 100%인 제3 영역(730)과 중첩하는 제2 절연층(182)은 처음 형성시 두께에서 상당부분 식각되었다. 즉 식각은 제3 영역(730)으로 노광된 제2 절연층(182)이 완전히 식각되지 않고 일부 남아있을 때까지 진행되게 된다.
이때 제1 영역(710)의 투과율도 제3 영역(730)과 동일한 100%지만, 제1 영역(710)에 의해 노광된 제2 절연층(182)의 경우 이웃하는 제2 영역(720)을 통해 노광된 빛의 영향도 같이 받는다. 따라서 제3 영역(730)에 의해 노광된 제2 절연층(182)보다 더 많이 노광되게 된다. 즉, 제1 영역(710)과 중첩하는 제2 절연층(182)의 경우 마스크(700)의 제1 영역(710) 및 제2 영역(720)의 영향을 모두 받아 완전히 식각되게 된다. 따라서 제2 절연층(182)의 개구(185)가 형성될 수 있다.
마스크(700)의 제4 영역(740)과 중첩하는 제2 절연층(182)의 경우 제4 영역(740)의 투과율이 0%인바 거의 식각되지 않는다. 이렇게 식각되지 않은 제2 절연층(182)은 돌출부(187)를 구성한다. 다만 인접하는 제3 영역(730)으로 입사된 광에 의해 돌출부(187)의 측면은 테이퍼질 수 있다.
다음, 도 45를 참고로 하면 제2 절연층(182)의 전면에 노광을 한다. 노광으로 인해 광경화가 발생하고, 유기물을 포함하는 제2 절연층(182)에 수축이 일어난다. 이러한 수축 과정에서, 제2 절연층(182)의 개구(185) 근처에서 테이퍼 각도가 증가한다. 즉, 개구(185) 근처의 제2 절연층(182)이 광경화에 의해 수축되면서 개구(185)의 측면과 평면이 이루는 각도가 증가하게 된다. 이때 제2 절연층(182)의 개구(185) 측면과 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85도일 수 있다. 마찬가지로 제2 절연층(182)의 돌출부(187)의 측면도 광경화에 의한 수축이 발생하여 돌출부(187)의 측면과 평면이 이루는 각도가 증가할 수 있다.
다음 도 46을 참고로 하면 제2 절연층(182)위에 제1 전극(191)을 형성한다. 제1 전극(191)은 제2 절연층(182)의 상면 및 측면을 따라 위치하며 제2 절연층(182)의 개구(185)에서 드레인 전극(175)과 직접 접촉한다.
다음, 도 47을 참고로 하면 제1 전극(191)위에 격벽(350)을 형성한다. 격벽(350)은 제1 전극(191)과 중첩하는 개구를 갖는다. 제2 절연층(182)의 돌출부(187) 위에도 격벽(350)이 형성되며, 제2 절연층(182)의 돌출부(187)부와 돌출부(187) 위의 격벽(350)은 스페이서처럼 기능할 수 있다. 따라서 별도의 스페이서 형성 공정을 생략할 수 있다.
도 48은 제2 절연층(182)이 블랙 물질을 포함하고, 격벽(350)이 블랙 물질을 포함하고, 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함하는 실시예에 대하여 도 42 내지 도 47의 제조 방법을 적용하여 제조하였을 때, 도 47과 동일한 단면을 도시한 것이다. 도 48을 참고로 하면, 제2 절연층(182), 격벽(350) 및 스페이서(320)가 블랙 물질을 포함할 수 있다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명하였다. 그러면 이하에서는 본 발명의 절연층(180) 구조가 적용된 표시 장치의 일 예시에 대하여 상세하게 설명한다. 다만 이하에서 설명하는 표시 는 일 예시일 뿐이며, 본 발명이 이제 제한되는 것은 아니다. 표시 장치의 다른 영역의 세부 구조와 관계 없이, 드레인 전극과 제1 전극이 서로 연결되는 절연층 개구부의 경사각도가 70도 내지 85도라면 본 발명에 모두 포함된다.
그러면 이하에서, 본 발명이 적용될 수 있는 표시 장치의 화소에 대하여 간단하게 설명한다. 도 49 및 도 50은 각각 본 실시예에 따른 화소의 일 예를 보여주는 회로도이다.
도 49를 참고로 하면, 화소(PX)들 각각은 스캔 배선(SL)들 중 어느 두 개, 발광 배선(EL)들 중 어느 하나, 및 데이터 배선들 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 49와 같이 화소(PX)는 구동 트랜지스터(transistor)(DT), 발광 소자(Light Emitting Element, LE), 스위치 소자들, 및 커패시터(C1)를 포함한다. 스위치 소자들은 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6)을 포함한다. 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극, 제1 전극, 및 제2 전극을 포함한다. 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극에 인가되는 데이터 전압에 따라 제1 전극과 제2 전극 사이에 흐르는 드레인-소스간 전류(Ids, 이하 "구동 전류"라 칭함)를 제어한다.
발광 소자(LEL)는 구동 전류(Ids)에 따라 발광한다. 발광 소자(LEL)의 발광량은 구동 전류(Ids)에 비례할 수 있다.
발광 소자(LEL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 또는, 발광 소자(LEL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 무기 반도체를 포함하는 무기 발광 소자일 수 있다. 또는, 발광 소자(LEL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 소자일 수 있다. 또는, 발광 소자(LEL)는 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)일 수 있다.
발광 소자(LEL)의 애노드 전극은 제4 트랜지스터(ST4)의 제1 전극과 제6 트랜지스터(ST6)의 제2 전극에 접속되며, 캐소드 전극은 제3 구동 전압 배선(VSSL)에 접속될 수 있다. 발광 소자(LEL)의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에는 기생 용량(Cel)이 형성될 수 있다.
커패시터(C1)는 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극과 제1 구동 전압 배선(VDDL) 사이에 형성된다. 커패시터(C1)의 일 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극에 접속되고, 타 전극은 제1 구동 전압 배선(VDDL)에 접속될 수 있다.
제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 제1 전극이 소스 전극인 경우, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있다. 또는, 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 제1 전극이 드레인 전극인 경우, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.
제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 액티브층은 폴리 실리콘(Poly Silicon), 아몰포스 실리콘, 및 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 반도체층이 폴리 실리콘으로 형성되는 경우, 그를 형성하기 위한 공정은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon: LTPS) 공정일 수 있다.
또한, 도 49에서는 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT)가 P 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, N 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다.
나아가, 제1 구동 전압 배선(VDDL)의 제1 구동 전압, 제2 구동 전압 배선(VIL)의 제2 구동 전압, 및 제3 구동 전압 배선(VSSL)의 제3 구동 전압은 구동 트랜지스터(DT)의 특성, 발광 소자(LEL)의 특성 등을 고려하여 설정될 수 있다.
도 50은 본 발명의 화소의 다른 예를 보여주는 회로도이다.
도 50의 실시예는 구동 트랜지스터(DT), 제2 트랜지스터(ST2), 제4 트랜지스터(ST4), 제5 트랜지스터(ST5), 및 제6 트랜지스터(ST6)가 P 타입 MOSFET으로 형성되고, 제1 트랜지스터(ST1)와 제3 트랜지스터(ST3)가 N 타입 MOSFET으로 형성되는 것에서 도 49의 실시예와 차이가 있다.
도 50을 참조하면, P 타입 MOSFET으로 형성되는 구동 트랜지스터(DT), 제2 트랜지스터(ST2), 제4 트랜지스터(ST4), 제5 트랜지스터(ST5), 및 제6 트랜지스터(ST6) 각각의 액티브층은 폴리 실리콘으로 형성되고, N 타입 MOSFET으로 형성되는 제1 트랜지스터(ST1)와 제3 트랜지스터(ST3) 각각의 액티브층은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 이 경우, 폴리 실리콘으로 형성되는 트랜지스터들과 산화물 반도체로 형성되는 트랜지스터들이 서로 다른 층에 배치될 수 있으므로, 화소(PX)의 면적이 줄어들 수 있다.
도 50에서는 제2 트랜지스터(ST2)의 게이트 전극과 제4 트랜지스터(ST4)의 게이트 전극이 기입 스캔 배선(GWL)에 연결되고, 제1 트랜지스터(ST1)의 게이트 전극이 제어 스캔 배선(GCL)에 연결되는 것에서 도 49의 실시예와 차이점이 있다. 또한, 도 50에서는 제1 트랜지스터(ST1)와 제3 트랜지스터(ST3)가 N 타입 MOSFET으로 형성되므로, 제어 스캔 배선(GCL)과 초기화 스캔 배선(GIL)에는 게이트 하이 전압의 스캔 신호가 인가될 수 있다. 이에 비해, 제2 트랜지스터(ST2), 제4 트랜지스터(ST4), 제5 트랜지스터(ST5), 및 제6 트랜지스터(ST6)가 P 타입 MOSFET으로 형성되므로, 기입 스캔 배선(GWL)과 발광 배선(EL)에는 게이트 로우 전압의 스캔 신호가 인가될 수 있다.
앞서 설명한 도 1 내지 도 34에 따른 표시 장치는 도 49 또는 도 50의 회로도를 갖는 표시 장치에 적용될 수 있다. 그러나 이는 일 예시일 뿐이며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (35)

  1. 기판;
    상기 기판에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 위치하며, 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 포함하는 절연층;
    상기 절연층 위에 위치하며 상기 개구에서 상기 드레인 전극과 접하는 제1 전극을 포함하고,
    상기 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85도인 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 소스 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극을 포함하고,
    상기 드레인 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 절연층은 실록산 또는 폴리이미드를 포함하는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 제1 전극 위에 위치하며 블랙 물질을 포함하는 격벽;
    상기 제1 전극과 중첩하여 위치하는 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층;
    상기 제2 전극 위에 위치하는 봉지층;
    상기 봉지층 위에 위치하는 터치 감지층을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 터치 감지층 위에 위치하는 복수 개의 컬러 필터;
    상기 컬러 필터 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함하고,
    상기 차광 부재와 상기 격벽은 상기 기판에 수직한 방향으로 중첩하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 표시 장치는 편광판을 포함하지 않는 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 절연층은 블랙 물질을 포함하는 표시 장치.
  8. 제4항에서,
    상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 스페이서는 블랙 물질을 포함하는 표시 장치.
  9. 제4항에서,
    상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 격벽과 상기 스페이서는 서로 연결되어 있으며,
    상기 격벽, 상기 스페이서 및 상기 절연층은 블랙 물질을 포함하는 표시 장치.
  10. 기판;
    상기 기판에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 위치하며, 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 포함하는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층의 상면 및 개구의 측면을 덮으며 위치하며 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 포함하는 제2 절연층;
    상기 제2 절연층 위에 위치하며 상기 제2 절연층의 개구에서 상기 드레인 전극과 접하는 제 제1 전극을 포함하고,
    상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85도인 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도와 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 동일한 표시 장치.
  12. 제10항에서,
    상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도와 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 상이한 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도보다 작은 표시 장치.
  14. 제10항에서,
    상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 45도 이하인 표시 장치.
  15. 제10항에서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 3.0 ㎛ 인 표시 장치.
  16. 제10항에서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 다른 물질을 포함하는 표시 장치.
  17. 제10항에서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  18. 제10항에서,
    상기 제1 절연층은 실록산 또는 폴리이미드를 포함하고,
    상기 제2 절연층은 실록산 또는 폴리이미드를 포함하는 표시 장치.
  19. 제10항에서,
    상기 소스 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극을 포함하고,
    상기 드레인 전극은 중간층을 사이에 두고 서로 연결된 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 표시 장치.
  20. 제10항에서,
    상기 제2 절연층은 블랙 물질을 포함하는 표시 장치.
  21. 제10항에서,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 격벽을 더 포함하고,
    상기 격벽은 블랙 물질을 포함하는 표시 장치.
  22. 제21항에서,
    상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 스페이서는 블랙 물질을 포함하는 표시 장치.
  23. 제10항에서,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 격벽;
    상기 격벽 위에 위치하는 스페이서를 더 포함하고,
    상기 격벽, 상기 스페이서 및 상기 제2 절연층은 블랙 물질을 포함하는 표시 장치.
  24. 제10항에서,
    상기 제1 절연층의 개구의 측면과 제2 절연층의 개구의 측면이 동일 면상에 위치하는 표시 장치.
  25. 제23항에서,
    상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 70도 내지 85도인 표시 장치.
  26. 제23항에서,
    상기 제1 절연층의 측면과 상기 제1 전극의 측면이 직접 접하는 표시 장치.
  27. 소스 전극 및 드레인 전극이 위치하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극과 중첩하는 영역의 투과율이 상이한 마스크를 상기 절연층 위에 위치시키고 노광하는 단계;
    상기 노광된 절연층을 식각하여 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 형성하는 단계;
    상기 개구가 형성된 절연층을 전면 노광하여 상기 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 경사각을 증가시키는 단계를 포함하며,
    상기 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85인 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제27항에서,
    상기 절연층이 블랙 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  29. 소스 전극 및 드레인 전극이 위치하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 갖는 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층 및 상기 제1 절연층의 개구 위에 제2 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제2 절연층을 상기 드레인 전극과 중첩하는 영역의 투과율이 상이한 마스크를 이용하여 노광하는 단계;
    상기 노광된 제2 절연층을 식각하여 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 형성하는 단계;
    상기 개구가 형성된 제2 절연층을 전면 노광하여 상기 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 경사각을 증가시키는 단계를 포함하며,
    상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도는 70도 내지 85인 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제29항에서,
    상기 제2 절연층을 상기 드레인 전극과 중첩하는 영역의 투과율이 상이한 마스크를 이용하여 노광하는 단계에서, 상기 마스크는 드레인 전극과 중첩하지 않는 영역 중 일부 영역의 투과율이 다른 영역과 상이하며,
    상기 노광된 제2 절연층을 식각하여 상기 드레인 전극과 중첩하는 개구를 형성하는 단계에서, 상기 제2 절연층의 일부는 식각되지 않고 돌출부를 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  31. 제29항에서,
    상기 제1 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도와 상기 제2 절연층의 개구의 측면과 상기 기판과 나란한 평면이 이루는 각도가 상이한 표시 장치의 제조 방법.
  32. 제29항에서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 3.0 ㎛인 표시 장치의 제조 방법.
  33. 제29항에서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 다른 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  34. 제29항에서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 서로 동일한 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  35. 제29항에서,
    상기 제2 절연층은 블랙 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6876416B2 (en) * 2002-04-30 2005-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus having alignment film and method of manufacturing the same
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
US7227306B2 (en) 2003-08-28 2007-06-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence display having recessed electrode structure
KR100615199B1 (ko) 2003-11-29 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
KR100752385B1 (ko) 2006-10-20 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조 방법
KR102237135B1 (ko) * 2014-07-14 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2017037560A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20180021286A (ko) 2016-08-18 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102662681B1 (ko) * 2016-12-26 2024-04-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
US20190302551A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method of array substrate

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