KR20090117258A - 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치 - Google Patents

박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090117258A
KR20090117258A KR1020080043212A KR20080043212A KR20090117258A KR 20090117258 A KR20090117258 A KR 20090117258A KR 1020080043212 A KR1020080043212 A KR 1020080043212A KR 20080043212 A KR20080043212 A KR 20080043212A KR 20090117258 A KR20090117258 A KR 20090117258A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
thin film
cover layer
color filter
film transistor
Prior art date
Application number
KR1020080043212A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101534012B1 (ko
Inventor
김진석
이의구
김병주
허철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020080043212A priority Critical patent/KR101534012B1/ko
Priority to US12/436,243 priority patent/US8026522B2/en
Publication of KR20090117258A publication Critical patent/KR20090117258A/ko
Priority to US13/207,883 priority patent/US8907347B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101534012B1 publication Critical patent/KR101534012B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13356—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements
    • G02F1/133565—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements inside the LC elements, i.e. between the cell substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 표시판에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있으며 관통 구멍을 가지는 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 덮개층, 그리고 상기 덮개층 위에 형성되어 있으며 상기 관통 구멍을 통해 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 상기 개구부는 상기 관통 구멍을 벗어난 상기 색필터 부분을 노출한다.
박막 트랜지스터 표시판, 액정 표시 장치, 덮개층, AUA

Description

박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치{Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same, and liquid crystal display}
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치(flat panel display)는 화면의 크기에 비해 두께가 얇은 표시 장치를 말하며, 널리 사용되는 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(liquid crystal display), 플라스마 표시 장치(plasma display panel) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display) 등이 있다.
액정 표시 장치는 전기장의 세기에 따라 광투과도가 달라지는 액정의 전기-광학적 특성을 이용하여 영상을 구현하는 표시 장치이다. 플라스마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라스마를 이용하여 영상을 구현하는 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 음극(전자주입전극)과 양극(정공주입전극)으로부터 각각 전자와 정공을 유기 발광층 내로 주입시켜 이 전자와 정공이 결합하여 생성되는 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 표시 장치이다.
이러한 평판 표시 장치 중에서도 박막 트랜지스터 등 스위칭 소자를 채용하여 각 화소를 독립적으로 제어하는 능동형(active matrix)이 주로 사용되고 있다. 박막 트랜지스터와 색필터를 동일 기판에 형성하는 구조를 COA(color filter on array)라 하는데, 이러한 COA 구조에서는 통상 색필터 위에 덮개층(capping layer)을 둔다. 덮개층은 색필터가 들뜨는 현상을 방지하며 색필터로부터 아웃개싱(outgassing)의 유발을 방지하여 화면 구동 시 잔상과 같은 불량을 방지한다. 일반적으로 색필터는 유기막으로 만들어지고 탄성이 어느 정도 있는 반면, 덮개층은 무기막으로 만들어지며 유기막인 색필터에 비해 탄성 및 압축성이 작다.
그런데, 부드러운 색필터 위에 딱딱한 덮개층이 형성될 때 덮개층에는 많은 스트레스(stress)가 발생한다. 나아가 덮개층 및 색필터는 압축성 및 탄성이 다르기 때문에 이들 경계면에서 들뜬 상태가 발생한다. 특히 액정 표시 장치의 경우 덮개층 위에 간격재가 접촉하면서 이 부분의 압축성이 떨어진다. 이로 인해 액정 마진이 줄어들고 결국 어느 한 부분에 액정이 부족하여 빛샘 현상이 발생하는 AUA(active unfilled area) 불량이 빈번하게 발생한다. 덮개층의 스트레스에 따른 AUA 불량은 도 7의 실험 도표를 통해서도 알 수 있다.
따라서 본 발명은 덮개층의 스트레스를 제거하여 AUA 불량을 방지할 수 있는 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 사용한 액정 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있으며 관통 구멍을 가지는 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 덮개층, 그리고 상기 덮개층 위에 형성되어 있으며 상기 관통 구멍을 통해 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 상기 개구부는 상기 관통 구멍을 벗어난 상기 색필터 부분을 노출한다.
상기 덮개층은 상기 화소 전극과 함께 상기 색필터 전부를 덮고 있을 수 있다.
상기 화소 전극은 상기 개구부 주변의 상기 덮개층과 일부 중첩할 수 있다. 상기 화소 전극은 상기 덮개층과 중첩하는 절개부를 포함할 수 있다.
상기 절개부와 중첩하고 있는 상기 덮개층의 너비는 상기 절개부의 너비와 실질적으로 동일하거나 상기 절개부의 너비보다 클 수 있다.
상기 화소 전극은, 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 부화소 전극, 그리고 상기 제1 부화소 전극과 떨어져 있는 제2 부화소 전극을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 제2 부화소 전극과 연결되어 있는 복수의 제2 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부화소 전극은 상기 제2 부화소 전극보다 면적이 작을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체, 상기 반도체 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 가지는 데이터선, 상기 반도체 위에 형성되어 있고 상기 소스 전극과 떨어져 있으며 끝 부분을 가지는 드레인 전극, 상기 데이터선 및 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 관통 구멍을 가지는 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있으며 상기 관통 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극, 그리고 상기 화소 전극과 상기 색필터 사이에 형성되어 있으며 상기 관통 구멍과 통하는 개구부를 가지는 덮개층을 포함하며, 상기 개구부는 상기 관통 구멍보다 면적이 크다.
상기 개구부의 면적은 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적과 동일하거나 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적보다 작을 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 동일한 층에 위치하는 유지 전극선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체, 상기 반도체 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 가지는 데이터선, 상기 반도체 위에 형성되어 있고 상기 소스 전극과 떨어져 있으며 끝 부분을 가지는 드레인 전극, 상기 데이터선 및 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 관통 구멍을 가지는 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있으며 제1 개구부를 가지는 덮개층, 그리고 상기 덮개층 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 제1 개구부는 상기 화소 전극의 가장자리 부분과 중첩하고 있으며, 상기 데이터선과 나란한 방향으로 뻗어 있다.
상기 제1 개구부는 상기 데이터선과 중첩할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 관통 구멍과 통하며, 상기 관통 구멍의 면적보다 큰 면적을 가지는 제2 개구부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 개구부의 면적은 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적과 동일하거나 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적보다 작을 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 복수의 박막 트랜지스터, 상기 복수의 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있으며 복수의 개구부를 가지는 덮개층, 상기 덮개층 위에 형성되어 있으며 복수의 절개부를 가지는 복수의 화소 전극, 상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극, 그리고 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 들어 있는 액정층을 포함하며, 상기 개구부와 상기 절개부는 어느 한 방향을 따라 교대로 배치되어 있다.
상기 덮개층은 상기 화소 전극과 함께 상기 색필터 전부를 덮고 있을 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은, 기판 위에 복수의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 위에 관통 구멍을 가지는 색필터를 형성하는 단계, 상기 색필터 위에 무기 물질로 덮개층을 형성하는 단계, 상기 덮개층에 상기 관통 구멍과 통하고 상기 관통 구멍보다 면적이 큰 제1 개구부를 만드는 단계, 그리고 상기 덮개층 위에 상기 관통 구멍 및 상기 개구부를 통해 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 덮개층에 상기 관통 구멍과 통하고 상기 관통 구멍보다 면적이 큰 제1 개구부를 만드는 단계에서 상기 덮개층에 상기 화소 전극의 가장자리 부분과 중첩하는 제2 개구부를 함께 만들 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 덮개층에 의해 발생하는 스트레스를 해소할 수 있고, 나아가 덮개층과 색필터의 경계면에서 들뜬 상태가 발생하는 것을 예방하여 AUA 불량을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 도 1 내지 도 4를 참고하여 설명한다. 도 1 내지 도 4에서는 액정 표시 장치를 다루고 있으나 본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 다른 종류의 표시 장치에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 3은 도 1에 도시한 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 4는 도 1의 액정 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 거의 수직을 이루도록 배향될 수 있다.
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비될 수 있다.
먼저, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주보는 관통부(225)를 가지고 있으며, 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막는다. 차광 부재(220) 위에는 평탄면을 제공하는 절연막(250)이 형성되어 있다. 절연막(250)은 생략할 수 있다.
절연막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어지며, 공통 전압(common voltage)을 인가 받는다. 공통 전극(270)에는 복수의 절개부(71)가 형성되어 있다. 각 절개부(71)는 비스듬하게 뻗은 적어도 하나의 사선부를 포함하며 각 사선부에는 움푹 패이거나 볼록 튀어나온 복수의 노치가 있다.
다음, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래위로 돌출한 복수의 제1 및 제2 게이트 전극(gate electrode)(124a, 124b)을 포함한다.
유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121)과 거의 동일한 거리를 두고 있다. 유지 전극선(131)은 제1 및 제2 유지 전극(storage electrode)(137a, 137b), 가지 전극(136) 및 연결부(135)를 포함한다. 제1 및 제2 유지 전극(137a, 137b)은 대략 직사각형이고 서로 붙어 있는데, 제1 유지 전극(137a)이 제2 유지 전극(137b)보다 가로 길이는 길고 세로 길 이는 짧다. 가지 전극(136)은 제2 유지 전극(137b)의 끝에 붙어 있고 세로 방향으로 길게 뻗어 게이트선(121)에 근접하며 그 가로 길이는 매우 작다. 연결부(135)는 가지 전극(136)과 이에 이웃한 제1 유지 전극(137a)을 연결하며 제1 및 제2 유지 전극(137a, 137b)에 비하여 세로 길이가 작다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다. 제1 반도체(154a)는 제1 게이트 전극(124a)와 중첩하고, 제2 반도체(154b)는 제2 게이트 전극(124b)과 중첩한다.
제1 반도체(154a) 위에는 한 쌍의 제1 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 165a)가 형성되어 있고, 제2 반도체(154b) 위에는 한 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 제1 및 제2 데이터선(data line)(171a, 171b)과 복수의 제1 및 제2 드레인 전극(drain electrode)(175a, 175b)이 형성되어 있다.
제1 및 제2 데이터선(171a, 171b)은 데이터 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 연결부(135)와 교차한다. 제1 데이터선(171a)은 제1 게이트 전극(124a)을 향하여 U자형으로 굽은 제1 소스 전극(source electrode)(173a)을 포함한다. 이와 마찬가지로 제2 데이터선(171b)은 제2 게이트 전극(124b)을 향하여 U자형으로 굽은 제2 소스 전극(173b)을 포함한다.
드레인 전극(175a, 175b)은 데이터선(171a, 171b)과 분리되어 있다. 각 드레인 전극(175a, 175b)은 소스 전극(173a, 173b)으로 일부 둘러싸인 한쪽 끝에서 출발하여 넓은 다른 쪽 끝에서 끝난다. 드레인 전극(175a, 175b)의 평면 모양은 다양하게 변경될 수 있다. 가령 도 2에서 왼쪽 화소에 위치한 제1 드레인 전극(175a)의 넓은 끝 부분(177a)이 제2 드레인 전극(175b)보다 유지 전극선(131)에 가깝게 위치하고, 오른쪽 화소에 위치한 제2 드레인 전극(175b)의 넓은 끝 부분(177b)이 제1 드레인 전극(175a)보다 유지 전극선(131)에 가깝게 위치한다. 그러나 드레인 전극(175a, 175b)의 평면 모양은 모든 화소에서 동일할 수도 있다.
제1/제2 게이트 전극(124a/124b), 제1/제2 소스 전극(173a/173b) 및 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)은 제1/제2 반도체(154a/154b)와 함께 제1/제2 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이루며, 제1/제2 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1/제2 소스 전극(173a/173b)과 제1/제2 드레인 전극(175a/175b) 사이의 제1/제2 반도체(154a/154b)에 형성된다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 그 아래의 반도체(154a, 154b)와 그 위의 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터선(171a, 171b), 드레인 전극(175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(passiviation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있다. 그러나 보호막(180)은 생략될 수 있다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175a, 175b)의 넓은 끝 부분(177a, 177b)을 드러내는 접촉 구멍(185a, 185b)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 제1 데이터선(171a)과 제2 데이터선(171b) 사이에 위치하며 데이터선(171a, 171b)을 따라 띠 형태로 세로로 길게 뻗을 수 있다. 인접한 두 색필터(230)의 경계는 가장 가까운 두 데이터선(171a, 171b) 사이에 위치할 수도 있으며, 두 색필터(230)가 서로 중첩하여 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막는 차광 부재의 역할을 할 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있으며, 안료를 포함하는 감광성 유기물로 만들어질 수 있다.
색필터(230)에는 접촉 구멍(185a, 185b)이 통과하는 관통 구멍(235a, 235b)이 형성되어 있으며 관통 구멍(235a, 235b)은 접촉 구멍(185a, 185b)보다 크다.
색필터(230) 위에는 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 덮개층(capping layer)(240)이 형성되어 있다. 덮개층(240)은 게이트선(121) 및 데 이터선(171a, 171b)과 중첩하는 직선부, 그리고 게이트선(121)과 대략 45도를 이루고 있는 사선부를 포함한다. 이웃하는 사선부 사이는 덮개층(240)이 제거되어 색필터(230)를 노출하는 개구부(245)를 이룬다.
덮개층(240) 위에는 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함하며, 제1 부화소 전극(191a)의 면적이 제2 부화소 전극(191b)보다 작다.
제1 부화소 전극(191a)은 대략 부등호(<)의 띠 모양으로서 간극(93)을 두고 제2 부화소 전극(191b)으로 둘러싸여 있다. 제2 부화소 전극(191b)에는 복수의 직선 띠 모양의 절개부(91)가 형성되어 있으며 게이트선(121) 및 데이터선(171a, 171b)과 대략 45도를 이룬다. 간극(93)은 절개부(91)와 거의 평행한 복수의 사선부 및 데이터선(171a, 171b)과 거의 평행한 복수의 세로부를 포함한다.
제2 화소 전극(191b)의 절개부(91)와 간극(93)은 덮개층(240)의 사선부와 중첩하고 있으며, 이들은 공통 전극(270)의 절개부(71)와 교대로 배열되어 있다. 덮개층(240)은 제1 및 제2 화소 전극(191a, 191b)으로 가려지지 않은 색필터(230)를 모두 덮고 있다.
제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 개구부(245) 모양과 대략 동일한 모양을 가지며, 그 대부분이 개구부(245) 내에 위치한다. 덮개층(240)의 사선부 너 비(W1)는 절개부(91)의 너비(W2)보다 크고 따라서 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)의 가장자리 부분이 덮개층(240)의 가장자리 부분과 중첩한다. 그러나 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 덮개층(240)과 중첩하지 않고, 덮개층(240)의 사선부 너비(W1)가 절개부(91)의 너비(W2)와 실질적으로 동일할 수 있다.
이와 같이 개구부(245)를 형성하면 덮개층(240)에 의해 발생하는 스트레스를 해소할 수 있고, 나아가 덮개층(240)과 색필터(230)의 경계면에서 들뜬 상태가 발생하는 것을 예방하여 AUA 불량을 방지할 수 있다. 실험 결과 액정층(3)의 액정 분자량을 표준치 기준 6% 정도 부족하게 채운 경우에도 AUA 불량이 발생하지 않았다.
이와 더불어 덮개층(240)과 화소 전극(191)이 협력하여 색필터(230)를 전부 덮고 있으므로 색필터(230)가 들뜨는 현상을 방지하고 또한 색필터(230)로부터 유입되는 솔벤트(solvent)와 같은 유기물에 의해 액정층(3)이 오염되는 것을 예방하여 화면 구동시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지할 수 있다.
제1/제2 부화소 전극(191a/191b)은 개구부(245) 및 접촉 구멍(185a/185b)을 통하여 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)과 연결되어 있다. 도 2에서 왼쪽 화소에 위치한 제1 부화소 전극(191a)은 왼쪽에 위치한 제1 드레인 전극(175a)과 연결되어 있고, 이웃하는 오른쪽 화소에 위치한 제1 부화소 전극(191a)은 오른쪽에 위치한 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있다.
제1/제2 부화소 전극(191a/191b)은 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 제1/제2 부화소 전극(191a/191b)은 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191a/191b, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
제1 박막 트랜지스터, 제1 부화소 전극(191a) 및 그 위의 액정층(3)과 공통 전극(270), 편광자 등은 하나의 휘도를 표시하는 단위를 이루며 이를 앞으로 제1 부화소(subpixel)라 한다. 또한, 제2 박막 트랜지스터, 제2 부화소 전극(191b) 및 그 위의 액정층(3)과 공통 전극(270) 또한 하나의 휘도를 표시하는 단위를 이루며 이를 앞으로 제2 부화소라 한다. 그리고 제1 부화소와 제2 부화소는 합해서 하나의 유효한 휘도를 나타내며 이런 이유로 이들을 하나의 화소로 볼 수 있다.
제1/제2 부화소 전극(191a/191b)과 공통 전극(270)은 제1/제2 액정 축전기(liquid crystal capacitor)를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다. 제1/제2 부화소 전극(191a/191b)과 유지 전극선(131)은 유지 축전기(storage capacitor)를 이룬다.
다음, 도 5 및 도 6을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터에 대하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 6은 도 5의 액정 표시 장치를 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 액정 표시 장치는, 제1/제2 박막 트랜지스터, 색필터(230), 덮개층(240) 및 화소 전극(191)을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판(100), 차광 부재(220) 및 공통 전극(270)을 포함하는 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 개재되어 있는 액정층(3)을 포함한다.
박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 액정층(3)의 구조는 도 1 내지 도 4에 도시한 실시예의 구조와 대체로 동일하다.
다만, 본 실시예에 따른 덮개층(240)은 도 1, 도 2 및 도 4에 도시한 덮개층(240)과 달리 그 개구부(245)가 색필터(230)의 관통 구멍(235a, 235b) 주위와 제1 및 제2 화소 전극(191a, 191b)의 가장자리 아래에 형성되어 있다.
평면 상에서 볼 때, 관통 구멍(235a, 235b) 주위에 형성된 개구부(245)는 대략 정사각형상을 가진다. 이 개구부(245)의 면적은 관통 구멍(235a, 235b)의 면적보다 크며, 그리고 드레인 전극(175a, 175b)의 넓은 끝 부분(177a, 177b)의 면적과 동일하거나 이보다 작을 수 있다. 제1 및 제2 화소 전극(191a, 191b)의 가장자리 아래 부분에 위치한 개구부(245)는 대략 데이터선(171a, 171b) 방향으로 긴 직사각형상을 가지며, 데이터선(171a, 171b)과 중첩하고 있다.
본 실시예에 따른 덮개층(240)은 관통 구멍(235a, 235b) 주위에 형성된 개구부(245) 또는 제1 및 제2 화소 전극(191a, 191b)의 가장자리 아래 부분에 위치한 개구부(245) 중 어느 하나만을 가질 수도 있다.
도 1 내지 도 4에 도시한 실시예에서 살펴본 많은 특징들은 도 5 및 도 6에 도시한 실시예에 적용될 수 있다.
이와 같이 개구부(245)를 형성하면 덮개층(240)에 의해 발생하는 스트레스를 해소할 수 있고, 나아가 덮개층(240)과 색필터(230)의 경계면에서 들뜬 상태가 발생하는 것을 예방하여 AUA 불량을 방지할 수 있다. 이와 더불어 덮개층(240)과 화소 전극(191)이 협력하여 색필터(230)를 전부 덮고 있으므로 색필터(230)가 들뜨는 현상을 방지하고 또한 색필터(230)로부터 유입되는 솔벤트(solvent)와 같은 유기물에 의해 액정층(3)이 오염되는 것을 예방하여 화면 구동시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지할 수 있다. 다음, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 5 및 도 6을 참고하여 설명한다.
먼저, 기판(110) 위에 제1/제2 게이트 전극(124a/124b), 제1/제2 소스 전극(173a/173b), 제1/제2 드레인 전극(175a/175b) 및 제1/제2 반도체(154a/154b)를 포함하는 제1/제2 박막 트랜지스터를 형성한다.
다음으로, 제1/제2 박막 트랜지스터 위에 보호막(180) 및 색필터(230)를 적층한다. 이어서 색필터(230)에 관통 구멍(235a, 235b)을 형성한다.
다음으로, 색필터(230) 위에 무기 물질을 적층하여 덮개층(240)을 형성한다. 그리고 난 후, 덮개층(240)을 식각하여 관통 구멍(235a, 235b) 주위에, 관통 구멍(235a, 235b)보다 큰 개구부(245)를 형성한다. 덮개층(240)을 식각할 때 관통 구멍(235a, 235b)을 통해 노출되어 있는 보호막(180)도 식각하여 접촉 구멍(185a, 185b)을 함께 형성할 수 있다.
다음으로, 덮개층(240) 위에 개구부(245), 관통 구멍(235a, 235b) 및 접촉 구멍(185a, 185b)을 통해 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)과 연결되는 화소 전극(191)을 형성한다.
다음으로, 차광 부재(220) 및 공통 전극(270)을 포함하는 공통 전극 표시판(200)을 박막 트랜지스터 표시판(100)과 결합하고, 두 표시판(100, 200) 사이에 액정 분자를 주입하여 액정층(3)을 형성한다. 액정층(3)은 두 표시판(100, 200)이 결합되기 전에 형성될 수도 있고 결합된 후에 형성될 수도 있다.
도 1 내지 도 4에 도시한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법도 위에서 설명한 방법과 대체로 동일하다. 다만, 덮개층(240)의 개구부(245) 모양만 다르게 형성하면 된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 3은 도 1에 도시한 공통 전극 표시판의 배치도이고,
도 4는 도 1의 액정 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 6은 도 5의 액정 표시 장치를 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 7은 덮개층의 스트레스에 따른 AUA 불량을 나타낸 그래프이다.
<도면 부호의 설명>
3: 액정층 71, 91: 절개부
93: 간극 100: 박막 트랜지스터 표시판
110, 210: 기판 121: 게이트선
124a, 124b: 게이트 전극 131: 유지 전극선
135: 연결부 136: 가지 전극
137a, 137b: 유지 전극 140: 게이트 절연막
154a, 154b: 반도체 163a, 165a: 저항성 접촉 부재
171a, 171b: 데이터선 173a, 173b: 소스 전극
175a, 175b: 드레인 전극 177a, 177b: 드레인 전극의 끝 부분
180: 보호막 185a, 185b: 접촉 구멍
191: 화소 전극 191a, 191b: 부화소 전극
200: 공통 전극 표시판 220: 차광 부재
230: 색필터 235a, 235b: 관통 구멍
240: 덮개층 245: 덮개층의 개구부
250: 절연막 270: 공통 전극

Claims (19)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 박막 트랜지스터,
    상기 제1 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있으며 관통 구멍을 가지는 색필터,
    상기 색필터 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 덮개층, 그리고
    상기 덮개층 위에 형성되어 있으며 상기 관통 구멍을 통해 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극
    을 포함하고,
    상기 개구부는 상기 관통 구멍을 벗어난 상기 색필터 부분을 노출하는
    박막 트랜지스터 표시판.
  2. 제1항에서,
    상기 덮개층은 상기 화소 전극과 함께 상기 색필터 전부를 덮고 있는 박막 트랜지스터 표시판.
  3. 제2항에서,
    상기 화소 전극은 상기 개구부 주변의 상기 덮개층과 일부 중첩하는 박막 트랜지스터 표시판.
  4. 제1항에서,
    상기 화소 전극은 상기 덮개층과 중첩하는 절개부를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  5. 제4항에서,
    상기 절개부와 중첩하고 있는 상기 덮개층의 너비는 상기 절개부의 너비와 실질적으로 동일하거나 상기 절개부의 너비보다 큰 박막 트랜지스터 표시판.
  6. 제1항에서,
    상기 화소 전극은,
    상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 부화소 전극, 그리고
    상기 제1 부화소 전극과 떨어져 있는 제2 부화소 전극
    을 포함하는
    박막 트랜지스터 표시판.
  7. 제6항에서,
    상기 제2 부화소 전극과 연결되어 있는 복수의 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 부화소 전극은 상기 제2 부화소 전극보다 면적이 작은 박막 트랜지스터 표시판.
  9. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,
    상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체,
    상기 반도체 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 가지는 데이터선,
    상기 반도체 위에 형성되어 있고 상기 소스 전극과 떨어져 있으며 끝 부분을 가지는 드레인 전극,
    상기 데이터선 및 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 관통 구멍을 가지는 색필터,
    상기 색필터 위에 형성되어 있으며 상기 관통 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극, 그리고
    상기 화소 전극과 상기 색필터 사이에 형성되어 있으며 상기 관통 구멍과 통하는 개구부를 가지는 덮개층
    을 포함하며,
    상기 개구부는 상기 관통 구멍보다 면적이 큰
    박막 트랜지스터 표시판.
  10. 제9항에서,
    상기 개구부의 면적은 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적과 동일하거나 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적보다 작은 박막 트랜지스터 표시판.
  11. 제9항에서,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 동일한 층에 위치하는 유지 전극선을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  12. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,
    상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체,
    상기 반도체 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 가지는 데이터선,
    상기 반도체 위에 형성되어 있고 상기 소스 전극과 떨어져 있으며 끝 부분을 가지는 드레인 전극,
    상기 데이터선 및 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 관통 구멍을 가지는 색필터,
    상기 색필터 위에 형성되어 있으며 제1 개구부를 가지는 덮개층, 그리고
    상기 덮개층 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극
    을 포함하며,
    상기 제1 개구부는 상기 화소 전극의 가장자리 부분과 중첩하고 있으며, 상기 데이터선과 나란한 방향으로 뻗어 있는
    박막 트랜지스터 표시판.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 개구부는 상기 데이터선과 중첩하는 박막 트랜지스터 표시판.
  14. 제12항에서,
    상기 관통 구멍과 통하며, 상기 관통 구멍의 면적보다 큰 면적을 가지는 제2 개구부를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  15. 제14항에서,
    상기 제2 개구부의 면적은 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적과 동일하거나 상기 드레인 전극의 끝 부분 면적보다 작은 박막 트랜지스터 표시판.
  16. 복수의 박막 트랜지스터,
    상기 복수의 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 색필터,
    상기 색필터 위에 형성되어 있으며 복수의 개구부를 가지는 덮개층,
    상기 덮개층 위에 형성되어 있으며 복수의 절개부를 가지는 복수의 화소 전극,
    상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극, 그리고
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 들어 있는 액정층
    을 포함하며,
    상기 개구부와 상기 절개부는 어느 한 방향을 따라 교대로 배치되어 있는
    액정 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 덮개층은 상기 화소 전극과 함께 상기 색필터 전부를 덮고 있는 액정 표시 장치.
  18. 기판 위에 복수의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    상기 박막 트랜지스터 위에 관통 구멍을 가지는 색필터를 형성하는 단계,
    상기 색필터 위에 무기 물질로 덮개층을 형성하는 단계,
    상기 덮개층에 상기 관통 구멍과 통하고 상기 관통 구멍보다 면적이 큰 제1 개구부를 만드는 단계, 그리고
    상기 덮개층 위에 상기 관통 구멍 및 상기 개구부를 통해 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 덮개층에 상기 관통 구멍과 통하고 상기 관통 구멍보다 면적이 큰 제1 개구부를 만드는 단계에서 상기 덮개층에 상기 화소 전극의 가장자리 부분과 중첩하는 제2 개구부를 함께 만드는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
KR1020080043212A 2008-05-09 2008-05-09 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치 KR101534012B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080043212A KR101534012B1 (ko) 2008-05-09 2008-05-09 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치
US12/436,243 US8026522B2 (en) 2008-05-09 2009-05-06 Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same, and liquid crystal display
US13/207,883 US8907347B2 (en) 2008-05-09 2011-08-11 Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same, and liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080043212A KR101534012B1 (ko) 2008-05-09 2008-05-09 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090117258A true KR20090117258A (ko) 2009-11-12
KR101534012B1 KR101534012B1 (ko) 2015-07-07

Family

ID=41266141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080043212A KR101534012B1 (ko) 2008-05-09 2008-05-09 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8026522B2 (ko)
KR (1) KR101534012B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102150033B1 (ko) 2014-01-14 2020-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP2017037131A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 三菱電機株式会社 アレイ基板とそのアレイ基板を用いた液晶表示装置
US12089459B2 (en) 2019-05-10 2024-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and electronic device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060082105A (ko) * 2005-01-11 2006-07-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101171180B1 (ko) * 2005-07-15 2012-08-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20070082644A (ko) * 2006-02-17 2007-08-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치
KR101337257B1 (ko) * 2007-04-12 2013-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR101376073B1 (ko) * 2007-06-14 2014-03-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR20090077280A (ko) * 2008-01-10 2009-07-15 삼성전자주식회사 차광 부재용 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시판

Also Published As

Publication number Publication date
US20090278133A1 (en) 2009-11-12
US20110291102A1 (en) 2011-12-01
US8026522B2 (en) 2011-09-27
KR101534012B1 (ko) 2015-07-07
US8907347B2 (en) 2014-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080013123A (ko) 표시 기판 및 그 제조방법
KR20100003564A (ko) 색필터를 포함하는 액정 표시 장치
KR101622655B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20140055848A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101035914B1 (ko) 평판 표시 소자 및 그의 제조방법
KR101682092B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR20130015735A (ko) 액정표시장치
KR20090081265A (ko) 박막 트랜지스터 표시판
KR101534012B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치
US9780127B2 (en) Liquid crystral display and manufacturing method thereof
US9494838B2 (en) Liquid crystal display device
US20110169004A1 (en) Display device and manufacturing method therefor
US8390769B2 (en) Liquid crystal display
KR101350407B1 (ko) 횡전계형 액정표시장치
KR102183564B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8451406B2 (en) Color filter array panel, manufacturing method thereof, and liquid crystal display including the same
KR20090070761A (ko) 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치
KR20080073420A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2020024361A (ja) 表示装置
US20110121304A1 (en) Display device and manufacturing method therefor
KR20160002449A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US11215879B2 (en) Display device
US20170168346A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR101074409B1 (ko) 평판 표시 소자 및 그의 제조방법
US8901560B2 (en) Display device and manufacturing method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190529

Year of fee payment: 5