KR20090070761A - 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치 - Google Patents

박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치 Download PDF

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김병주
이상헌
김관수
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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 표시판에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 제1 박막 트랜지스터, 상기 복수의 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극, 상기 복수의 화소 전극 상부 또는 하부에 형성되어 있으며 서로 다른 색을 표현하는 복수의 색필터, 그리고 상기 복수의 제1 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 복수의 보호 부재를 포함하며, 상기 복수의 보호 부재는 실질적으로 동일한 색을 가진다.
박막 트랜지스터 표시판, 색필터, 보호 부재, 액정 표시 장치

Description

박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치{Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same, and liquid crystal display}
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치(flat panel display)는 화면의 크기에 비해 두께가 얇은 표시 장치를 말하며, 널리 사용되는 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(liquid crystal display), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display) 등이 있다.
액정 표시 장치는 전기장의 세기에 따라 광투과도가 달라지는 액정의 전기-광학적 특성을 이용하여 영상을 구현하는 표시 장치이다. 플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 영상을 구현하는 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 음극(전자주입전극)과 양극(정공주입전극)으로부터 각각 전자와 정공을 유기 발광층 내로 주입시켜 이 전자와 정공이 결합하여생성되는 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 표시 장치이다.
이러한 평판 표시 장치 중에서도 박막 트랜지스터 등 스위칭 소자를 채용하여 각 화소를 독립적으로 제어하는 능동형(active matrix)이 주로 사용되고 있다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극의 위치에 따라 상부 게이트형(top gate)과 하부 게이트형(bottom gate)으로 구분할 수 있다. 박막 트랜지스터의 채널을 이루는 반도체의 재료로는 비정질 규소와 다결정 규소가 주로 사용되는데 비정질 규소의 경우에는 하부 게이트형을, 다결정 규소의 경우에는 상부 게이트형을 채용하는 것이 일반적이다.
하부 게이트형의 경우에는 게이트 전극이 아래에 위치하고 반도체 부재가 그 위에 위치하며 소스 전극과 드레인 전극이 반도체 부재의 양쪽과 접촉하는 형태가 된다. 반도체 부재에서 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치한 부분에는 채널이 형성된다.
반도체 부재의 채널 부분과 소스 전극 및 드레인 전극이 별도의 보호층 없이 형성되면 수분이나 불순물 등에 의해 전기적 특성이 나빠진다.
본 발명은 반도체 부재의 채널 부분과 소스 전극 및 드레인 전극을 간단한 방법으로 보호하여 공정의 단순화 나아가 생산성을 향상할 수 있는 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 액정 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위 에 형성되어 있는 복수의 제1 박막 트랜지스터, 상기 복수의 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극, 상기 복수의 화소 전극 상부 또는 하부에 형성되어 있으며 서로 다른 색을 표현하는 복수의 색필터, 그리고 상기 복수의 제1 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 복수의 보호 부재를 포함하며, 상기 복수의 보호 부재는 실질적으로 동일한 색을 가진다.
상기 복수의 색필터가 나타내는 색상은 제1색, 제2색 및 제3색일 수 있고, 상기 제1색, 제2색 및 제3색의 색필터는 어느 한 방향을 따라 번갈아 배열될 수 있다.
상기 보호 부재는 상기 제1 박막 트랜지스터와 접촉하고 있을 수 있다.
상기 보호 부재는 상기 제1색의 색필터와 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 보호 부재 중 하나는 상기 제1색의 색필터와 연결되어 있을 수 있다.
상기 보호 부재는 상기 제2색의 색필터 및 상기 제3색의 색필터의 가장자리 아래에 위치할 수 있다.
상기 보호 부재의 표면이 상기 색필터의 표면보다 낮을 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 보호 부재 위에 형성되어 있는 차광 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 색필터와 상기 차광 부재 위에 형성되어 있는 덮개층을 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 기판 위에 형성되어 있는 유지 전극선을 더 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 각각, 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 부화소 전극, 그리고 상기 제1 부화소 전극과 떨어져 있는 제2 부화소 전극을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 제2 부화소 전극과 연결되어 있는 복수의 제2 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부화소 전극은 상기 제2 부화소 전극보다 면적이 작을 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극, 상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 들어 있는 액정층, 상기 화소 전극 상부 또는 하부에 형성되어 있으며 서로 다른 색을 표현하는 복수의 색필터, 그리고 상기 복수의 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 복수의 보호 부재를 포함하며, 상기 복수의 보호 부재는 실질적으로 동일한 색을 가질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 복수의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 서로 이웃하는 제1 내지 제3 화소 중 제1 화소에 제1 색필터를 형성하는 단계, 상기 제1 내지 제3 화소에 위치하는 상기 복수의 박막 트랜지스터 위에 상기 제1 색필터와 동일한 색의 보호 부재를 형성하는 단계, 상기 제2 화소에 제2 색필터를 형성하는 단계, 상기 제3 화소에 제3 색필터를 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 내지 제3 색필터 위에 복수의 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1, 제2 및 제3 색필터는 서로 다른 색을 가질 수 있다.
상기 제1 색필터를 형성하는 단계와 상기 보호 부재를 형성하는 단계는 실질적으로 동시에 이루어질 수 있다.
상기 제1 색필터를 형성하는 단계와 상기 보호 부재를 형성하는 단계는, 상기 제1 내지 제3 화소에 청색, 녹색 및 적색 색소 중 어느 하나를 포함하는 유기 물질을 도포하는 단계, 슬릿 마스크를 사용하여 상기 유기 물질을 노광하는 단계, 그리고 노광된 상기 유기 물질을 현상하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 상기 보호 부재 위에 차광 부재를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 상기 제1 내지 제3 색필터와 상기 차광 부재 위에 덮개층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면 색필터가 채널부, 소스 전극 및 드레인 전극을 보호하므로 별도의 보호막을 형성할 필요가 없다. 따라서 공정이 신속하고 단순해지며 나아가 생산성을 향상할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나 타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 도 1을 참고하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 표시 장치의 단면도이다.
도 1을 참고하면, 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 전기 광학 활성층(5)을 포함한다.
먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.
유리 또는 플라스틱 따위의 절연 물질로 만들어진 기판(110) 위에 복수의 박막 트랜지스터(T1, T2)가 형성되어 있으며, 하나의 화소(PA)에는 두 개의 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)가 배치되어 있다. 복수의 화소(PA) 각각에 하나의 박막 트랜지스터가 형성될 수도 있다.
복수의 화소(PA)에 위치하는 모든 박막 트랜지스터(T1, T2) 위에는 청색의 보호 부재(235B)가 접촉하고 있다. 보호 부재(235B)는 다른 색일 수도 있다.
복수의 화소(PA)에는 청색, 녹색 및 적색의 색필터(230B, 230G, 230R)가 번 갈아 배열된다. 청색의 색필터(230B)는 보호 부재(235B)와연결되어 있으며, 녹색 및 적색 색필터(230G, 230R)의 가장자리 부분은 보호 부재(235B)와 중첩하고 있다. 기판(110)의 표면을 기준으로 보호 부재(235B)의 표면 높이는 색필터(230B, 230G, 230R)의 표면 높이보다 낮다.
보호 부재(235B)는 청색의 색필터(230B)가 형성될 때 함께 만들어질 수 있으며, 슬릿 마스크를 사용하여 청색의 색필터(230B)와 높이 차이를 둘 수 있다. 보호 부재는 녹색의 색필터(230G) 또는 적색의 색필터(230R)가 형성될 때 함께 만들어져 녹색 또는 적색일 수도 있다.
박막 트랜지스터(T1, T2)는 보호 부재(235B)에 의해 보호되므로 박막 트랜지스터(T1, T2)를 현상액 등으로부터 보호하기 위한 별도의 보호막을 형성할 필요가 없다.
보호 부재(235B) 위에는 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막는다. 차광 부재(220)의 두께(t)는 1.5㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 차광부재(220)의 두께(t)가 1.5㎛보다 작으면 빛을 차단하는 능력이 떨어지고, 3㎛보다 크면 차광 부재(220)를 만드는 공정이 어려워진다. 차광 부재(220)는 그 아래에 위치한 보호 부재(235B)의 높이를 조절하여 적절한 두께를 가지도록 설계될 수 있다.
색필터(230B, 230G, 230R) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개층(capping layer)(240)이 형성되어 있다. 덮개층(240)은 색필터(230B, 230G, 230R)가 들뜨는 현상을 방지하며 나아가 색필터(230B, 230G, 230R)로부터 유입되는 솔벤 트(solvent)와 같은 유기물에 의한 전기 광학 활성층(5)의 오염을 억제하여 화면 구동시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지한다.
덮개층(240) 위에는 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다. 하나의 화소(PA)에 위치한 화소 전극(191)은 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)을 포함하고 있으며, 이들 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 서로 떨어져 있다. 제1 부화소 전극(191a)은 제1 박막 트랜지스터(T1)와 연결되어 있고, 제2 부화소 전극(191b)은 제2 박막 트랜지스터(T2)와 연결되어 있다. 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)은 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)으로부터 각기 다른 전압을 인가 받을 수 있다.
다음, 박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주하는 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어지며, 공통 전압(common voltage)을 인가 받는다. 공통 전극(270)은 박막 트랜지스터 표시판(100)에 형성될 수도 있다. 그리고 기판(210)과 공통 전극(270) 사이에 차광 부재가 형성될 수도 있다.
공통 전극 표시판(200)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에는 전기 광학 활성층(5)이 배치되어 있다. 전기 광학 활성층(5)의 재료는 표시 장치의 종류에 따라 달라지는데, 예를 들면 액정 표시 장치의 경우 액정 물질, 유기 발광 표시 장 치의 경우 유기 발광 물질이 될 수 있다.
이와 같은 구조에 의하면 박막 트랜지스터(T1, T2)가 보호 부재(235B)에 의해 현상액 등으로부터 보호된다. 나아가 무기 절연물과 달리 유기 물질로 만들어진 보호 부재(235B)가 박막 트랜지스터(T1, T2) 위에 배치되므로 박막 트랜지스터(T1, T2)와 화소 전극(191) 사이의 거리가 멀어지며, 박막 트랜지스터(T1, T2) 위에 차광 부재(220)만 있을 때보다 유전 상수 값이 작아져 기생 용량이 줄어든다.
기생 용량이 줄어드는 효과는 도 16을 통해 알 수 있다. 도 16은 보호 부재가 있을 때와 없을 때의 전기 용량 차이를 나타낸 실험 자료이다. 도 16을 참고하면 ε0는 진공 중의 유전율, C는 전기 용량, t는 두께, A는 면적, 그리고 k는 유전 상수를 나타낸다. 유전 상수 k 는 차광 부재 및 보호 부재의 유전율을 진공 중의 유전율 ε0 로 나눈 값이다. 차광 부재만 있을 때의 유전 상수는 11.8 또는 17.72 이나, 차광 부재와 보호 부재가 함께 있을 때의 유전 상수는 6.86, 5.76, 8.53 또는 6.81로 작아짐을 알 수 있다. 따라서 본 실시예와 같이 차광 부재와 함께 보호 부재가 형성되면 전기 용량 즉 기생 용량이 3.38326E-12, 2.30239E-12, 3.41722E-12 또는 2.30431E-12로 작아진다.
다음, 도 2 내지 도 5를 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 배 치도이고, 도 4는 도 2에 도시한 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 5는 도 2의 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 거의 수직을 이루도록 배향될 수 있다.
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비될 수 있다.
먼저, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어지며, 공통 전압(common voltage)을 인가 받는다. 공통 전극(270)에는 복수의 절개부(71)가 형성되어 있다. 각 절개부(71)는 비스듬하게 뻗은 적어도 하나의 사선부를 포함하며 각 사선부에는 움푹 패거나 볼록 튀어나온 복수의 노치가 있다.
다음, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래위로 돌출한 복수의 제1 및 제2 게이트 전극(gate electrode)(124a, 124b)을 포함한다.
유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121)과 거의 동일한 거리를 두고 있다. 유지 전극선(131)은 제1 및 제2 유지 전극(storage electrode)(137a, 137b), 가지 전극(136) 및 연결부(135)를 포함한다. 제1 및 제2 유지 전극(137a, 137b)은 대략 직사각형이고 서로 붙어 있는데, 제1 유지 전극(137a)이 제2 유지 전극(137b)보다 가로 길이는 길고 세로 길이는 짧다. 가지 전극(136)은 제2 유지 전극(137b)의 끝에 붙어 있고 세로 방향으로 길게 뻗어 게이트선(121)에 근접하며 그 가로 길이는 매우 작다. 연결부(135)는 가지 전극(136)과 이에 이웃한 제1 유지 전극(137a)을 연결하며 제1 및 제2 유지 전극(137a, 137b)에 비하여 세로 길이가 작다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다. 제1 반도체(154a)는 제1 게이트 전극(124a)와 중첩하고, 제2 반도체(154b)는 제2 게이트 전극(124b)과 중첩한다.
제1 반도체(154a) 위에는 한 쌍의 제1 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 165a)가 형성되어 있고, 제2 반도체(154b) 위에는 한 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 제1 및 제2 데이터선(data line)(171a, 171b)과 복수의 제1 및 제2 드레인 전극(drain electrode)(175a, 175b)이 형성되어 있다.
제1 및 제2 데이터선(171a, 171b)은 데이터 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 연결부(136)와 교차한다. 제1 데이터선(171a)은 제1 게이트 전극(124a)을 향하여 U자형으로 굽은 제1 소스 전극(source electrode)(173a)을 포함한다. 이와 마찬가지로 제2 데이터선(171b)은 제2 게이트 전극(124b)을 향하여 U자형으로 굽은 제2 소스 전극(173b)을 포함한다.
드레인 전극(175a, 175b)은 데이터선(171a, 171b)과 분리되어 있다. 각 드레인 전극(175a, 175b)은 소스 전극(173a, 173b)으로 일부 둘러싸인 한쪽 끝에서 출발하여 넓은 다른 쪽 끝에서 끝난다. 드레인 전극(175a, 175b)의 평면 모양은 다양하게 변경될 수 있다. 가령 도 2에서 왼쪽 화소에 위치한 제1 드레인 전 극(175a)의 넓은 부분이 제2 드레인 전극(175b)보다 유지 전극선(131)에 가깝게 위치하고, 오른쪽 화소에 위치한 제2 드레인 전극(175b)의 넓은 부분이 제1 드레인 전극(175a)보다 유지 전극선(131)에 가깝게 위치한다. 그러나 드레인 전극(175a, 175b)의 평면 모양은 모든 화소에서 동일할 수도 있다.
제1/제2 게이트 전극(124a/124b), 제1/제2 소스 전극(173a/173b) 및 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)은 제1/제2 반도체(154a/154b)와 함께 제1/제2 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 제1/제2 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1/제2 소스 전극(173a/173b)과 제1/제2 드레인 전극(175a/175b) 사이의 제1/제2 반도체(154a/154b)에 형성된다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 그 아래의 반도체(154a, 154b)와 그 위의 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
복수의 화소(PA)에 위치하는 소스 전극(173a, 173b), 드레인 전극(175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 청색의 보호 부재(235B)가 형성되어 있다. 보호 부재(235B)는 다른 색일 수 있으며, 데이터(171a, 171b)과 중첩하고 이를 따라 세로로 길게 뻗어 있을 수 있다.
복수 화소(PA)의 각 제1 데이터선(171a)과 제2 데이터선(171b) 사이에는 청색, 녹색 및 적색의 색필터(230B, 230G, 230R)가 번갈아 배치되어 있고, 이들은 데 이터선(171a, 171b)을 따라 띠 형태로 세로로 길게 뻗을 수 있다. 색필터(230B, 230G, 230R)는 안료를 포함하는 감광성유기 물질로 만들어질 수 있으며, 보호 부재(235B)보다 높게 만들어진다. 청색의 색필터(230B)는 보호 부재(235B)와연결되어 있으며, 녹색 및 적색 색필터(230G, 230R)의 경계는 보호 부재(235B)와 중첩할 수 있다. 색필터(230B, 230G, 230R)에는 관통 구멍(235a, 235b)이 형성되어 있다.
보호 부재(235B)는 청색의 색필터(230B)가 형성될 때 함께 만들어질 수 있고, 슬릿 마스크를 사용하여 청색 색필터(230B)와 높이 차이를 둘 수 있다. 보호 부재는 녹색 색필터(230G) 또는 적색 색필터(230R)가 형성될 때 함께 만들어져 녹색 또는 적색일 수도 있다.
데이터선(171a, 171b), 드레인 전극(175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b)는 보호 부재(235B)에 의해 현상액 등으로부터 보호된다.
보호 부재(235B) 위에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)의 두께(t)는 1.5㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 차광 부재(220)의 두께(t)가1.5㎛보다 작으면 빛을 차단하는 능력이 떨어지고, 3㎛보다 크면 차광 부재(220)를 만드는 공정이 어려워진다. 차광 부재(220)는 그 아래에 위치한 보호 부재(235B)의 높이를 조절하여 적절한 두께를 가지도록 설계될 수 있다.
색필터(230B, 230G, 230R) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개층(240)이 형성되어 있다. 덮개층(240)은 색필터(230B, 230G, 230R)가 들뜨는 현상을 방지하며 나아가 색필터(230B, 230G, 230R)로부터 유입되는 솔벤트(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량 을 방지한다.
덮개층(240)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있다. 덮개층(240)에는 드레인 전극(175a, 175b)의 넓은 끝 부분을 드러내는 접촉 구멍(245a, 245b)이 형성되어 있으며, 접촉 구멍(245a, 245b)은 관통 구멍(235a, 235b) 안에 위치한다.
덮개층(240) 위에는 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함하며, 제1 부화소 전극(191a)의 면적이 제2 부화소 전극(191b)보다 작다.
제1 부화소 전극(191a)은 대략 부등호(<)의 띠 모양으로서 간극(93)을 두고 제2 부화소 전극(191b)으로 둘러싸여 있다. 제2 부화소 전극(191b)에는 복수의 직선 띠 모양의 절개부(91)가 형성되어 있으며 게이트선(121) 및 데이터선(171a, 171b)과 대략 45도를 이룬다. 간극(93)은 절개부(91)와 거의 평행한 복수의 사선부 및 데이터선(171a, 171b)과 거의 평행한 복수의 세로부를 포함한다. 절개부(91)와 간극(93)은 공통 전극(270)의 절개부(71)와 교대로 배열되어 있다.
제1/제2 부화소 전극(191a/191b)은 접촉 구멍(245a/245b)을 통하여 제1/제2 박막 트랜지스터의 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)과 연결되어 있다. 도 2에서 왼쪽 화소에 위치한 제1 부화소 전극(191a)은 왼쪽에 위치한 제1 드레인 전극(175a)과 연결되어 있고, 이웃하는 오른쪽 화소에 위치한 제1 부화소 전극(191a) 은 오른쪽에 위치한 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있다.
제1/제2 부화소 전극(191a/191b)은 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 제1/제2 부화소 전극(191a/191b)은 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191a/191b, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
제1 박막 트랜지스터, 제1 부화소 전극(191a) 및 그 위의 액정층(3)과 공통 전극(270), 편광자 등은 하나의 휘도를 표시하는 단위를 이루며 이를 앞으로 제1 부화소(subpixel)라 한다. 또한, 제2 박막 트랜지스터, 제2 부화소 전극(191b) 및 그 위의 액정층(3)과 공통 전극(270) 또한 하나의 휘도를 표시하는 단위를 이루며 이를 앞으로 제2 부화소라 한다. 그리고 제1 부화소와 제2 부화소는 합해서 하나의 유효한 휘도를 나타내며 이런 이유로 이들을 하나의 화소로 볼 수 있다.
하나의 화소가 나타내는 휘도는 외부 장치(도시하지 않음)에서 공급된 영상 정보에 따라 결정되며, 이 영상 정보는 액정 표시 장치 내의 제어부(도시하지 않음)에서 처리되어 제1 부화소 전극에 인가될 전압과 제2 부화소 전극에 인가될 전압으로 변환된다. 이 전압들의 값은 제1 부화소와 제2 부화소의 휘도 평균이 영상 정보가 나타내는 휘도와 동일하게 되도록 결정된다.
이때, 제1 부화소의 휘도가 제2 부화소의 휘도보다 높으며, 노멀리 블랙 모드의 경우 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압이 공통 전압을 기준으로 할 때 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압보다 높다.
제1/제2 부화소 전극(191a/191b)과 공통 전극(270)은 제1/제2 액정 축전기(liquid crystal capacitor)를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다. 제1/제2 부화소 전극(191a/191b)과 유지 전극선(131)은 유지 축전기(storage capacitor)를 이룬다.
다음, 도 6 내지 도 15를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 15는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판이고, 도 6 내지 도 14는 도 15의 박막 트랜지스터 표시판 제조 공정을 차례로 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 6에서 보는 바와 같이 기판(110) 위에 복수의 박막 트랜지스터(T1, T2)를 형성한다. 각 화소(PA1, PA2, PA3)에는 두 개의 박막 트랜지스터(T1, T2)가 배치된다.
다음으로, 도 7에서 보는 바와 같이 기판(110) 및 복수의 박막 트랜지스터(T1, T2) 위에 청색의 감광성 유기 물질(60)을 적층하고, 이를 슬릿 마스크(80)를 사용하여 노광한다. 이어서 현상을 하면 도 8에서 보듯이 복수의 화소(PA1, PA2, PA3)에 위치한 복수의 박막 트랜지스터(T1, T2) 위에 복수의 보호 부재(235B)가 형성되고, 이와 동시에 제1 화소(PA1)에는 청색의 색필터(230B)가 형성된다. 슬릿 마스크(80)를 사용하므로 보호 부재(235B)의 표면을 청색의 색필터(230B) 표면보다 낮게 만들 수 있다.
다음으로, 도 9에서 보는 바와 같이 기판(110), 보호 부재(235B) 및 청색 색 필터(230B) 위에 녹색의 감광성 유기 물질(60)을 적층하고, 이를 마스크(90)를 사용하여 노광한다. 이어서 현상을 하면 도 10에서 보듯이 제2 화소(PA2)에 녹색의 색필터(230G)가 형성된다. 녹색의 색필터(230G) 가장자리는 제2 화소(PA2)에 위치한 보호 부재(235B)와 중첩한다. 그러나 그렇지 않을 수도 있다.
다음으로, 도 11에서 보는 바와 같이 기판(110), 보호 부재(235B), 청색 색필터(230B) 및 녹색 색필터(230G) 위에 적색의 감광성 유기 물질(60)을 적층하고, 이를 마스크(90)를 사용하여 노광한다. 이어서 현상을 하면 도 12에서 보듯이 제3 화소(PA3)에 적색의 색필터(230R)가 형성된다. 적색의 색필터(230R) 가장자리는 제3 화소(PA3)에 위치한 보호 부재(235B)와 중첩한다. 그러나 그렇지 않을 수도 있다.
다음으로, 도 13에서보는 바와 같이 보호 부재(235B) 및 색필터(230B, 230G, 230R) 위에 차광 물질(70)을 적층하고, 이를 마스크(90)를 사용하여 노광한다. 이어서 현상을 하면 도 14에서 보듯이 보호 부재(235B) 위에 차광 부재(220)가 형성된다. 차광 부재(220)는 주변보다 높이가 낮으며 색필터(230B, 230G, 230R)로 둘러싸인 오목한 부분에 형성되므로 코팅이 잘되며 안정적으로 만들어질 수 있다. 차광 부재(220)는 그 두께가 약 3㎛ 보다 크면 공정성이 떨어지는데, 그 아래에 위치하는 보호 부재(235B)의 두께를 조절함으로써 이를 적절한 두께로 만들 수 있다.
마지막으로, 도 15에서보는 바와 같이 차광 부재(220) 및 색필터(230B, 230G, 230R) 위에 덮개층(240)을 형성하고, 덮개층(240) 위에 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)을 포함하는 화소 전극(191)을 형성한다. 제1 부화소 전극(191a) 은 제1 박막 트랜지스터(T1)와 연결되며 제2 부화소 전극(191b)은 제2 박막 트랜지스터(T2)와 연결된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 예컨대, 본 실시예는 액정 표시 장치를 다루고 있으나, 본 발명은 간격재를 포함하는 다른 여러 종류의 표시 장치에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 표시 장치의 단면도이고,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 3은 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 4는 도 2에 도시한 공통 전극 표시판의 배치도이고,
도 5는 도 2의 V-V 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 6 내지 도 15는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 공정을 차례로 나타낸 단면도이고,
도 16은 도 1에 도시된 보호 부재가 있을 때와 없을 때의 전기 용량 차이를 나타낸 도표이다.
<도면 부호의 설명>
3: 액정층 71, 91: 절개부
93: 간극 100: 박막 트랜지스터 표시판
110: 기판 121: 게이트선
124: 게이트 전극 131: 유지 전극선
135: 연결부 136: 가지 전극
137a, 137b: 유지 전극 140: 게이트 절연막
154a, 154b: 반도체 163a, 165a: 저항성 접촉 부재
171a, 171b: 데이터선 173a, 173b: 소스 전극
175a, 175b: 드레인 전극 180: 보호막
191: 화소 전극 191a, 191b: 부화소 전극
200: 공통 전극 표시판 210: 기판
220: 차광 부재 230B, 230G, 230R: 색필터
235B: 보호 부재 240: 덮개층
270: 공통 전극

Claims (20)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 제1 박막 트랜지스터,
    상기 복수의 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극,
    상기 복수의 화소 전극 상부 또는 하부에 형성되어 있으며 서로 다른 색을 표현하는 복수의 색필터, 그리고
    상기 복수의 제1 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 복수의 보호 부재,
    를 포함하며,
    상기 복수의 보호 부재는 실질적으로 동일한 색을 가지는
    박막 트랜지스터 표시판.
  2. 제1항에서,
    상기 복수의 색필터가 나타내는 색상은 제1색, 제2색 및 제3색이고,
    상기 제1색, 제2색 및 제3색의 색필터는 어느 한 방향을 따라 번갈아 배열되어 있는
    박막 트랜지스터 표시판.
  3. 제2항에서,
    상기 보호 부재는 상기 제1 박막 트랜지스터와 접촉하고 있는 박막 트랜지스 터 표시판.
  4. 제3항에서,
    상기 보호 부재는 상기 제1색의 색필터와 동일한 층에 위치하는 박막 트랜지스터 표시판.
  5. 제4항에서,
    상기 보호 부재 중 하나는 상기 제1색의 색필터와 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.
  6. 제4항에서,
    상기 보호 부재는 상기 제2색의 색필터 및 상기 제3색의 색필터의 가장자리 아래에 위치하는 박막 트랜지스터 표시판.
  7. 제4항에서,
    상기 보호 부재의 표면이 상기 색필터의 표면보다 낮은 박막트랜지스터 표시판.
  8. 제1항에서,
    상기 보호 부재 위에 형성되어 있는 차광 부재를 더 포함하는 박막 트랜지스 터 표시판.
  9. 제8항에서,
    상기 색필터와 상기 차광 부재 위에 형성되어 있는 덮개층을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  10. 제1항에서,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 유지 전극선을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  11. 제10항에서,
    상기 화소 전극은 각각,
    상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 부화소 전극, 그리고
    상기 제1 부화소 전극과 떨어져 있는 제2 부화소 전극
    을 포함하는
    박막 트랜지스터 표시판.
  12. 제11항에서,
    상기 제2 부화소 전극과 연결되어 있는 복수의 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 부화소 전극은 상기 제2 부화소 전극보다 면적이 작은 박막 트랜지스터 표시판.
  14. 복수의 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극,
    상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극,
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 들어 있는 액정층,
    상기 화소 전극 상부 또는 하부에 형성되어 있으며 서로 다른 색을 표현하는 복수의 색필터, 그리고
    상기 복수의 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 복수의 보호 부재
    를 포함하며,
    상기 복수의 보호 부재는 실질적으로 동일한 색을 가지는
    액정 표시 장치.
  15. 기판 위에 복수의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    서로 이웃하는 제1 내지 제3 화소 중 제1 화소에 제1 색필터를 형성하는 단계,
    상기 제1 내지 제3 화소에 위치하는 상기 복수의 박막 트랜지스터 위에 상기 제1 색필터와 동일한 색의 보호 부재를 형성하는 단계,
    상기 제2 화소에 제2 색필터를 형성하는 단계,
    상기 제3 화소에 제3 색필터를 형성하는 단계, 그리고
    상기 제1 내지 제3 색필터 위에 복수의 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 제1, 제2 및 제3 색필터는 서로 다른 색을 가지는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 제1 색필터를 형성하는 단계와 상기 보호 부재를 형성하는 단계는 실질적으로 동시에 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 제1 색필터를 형성하는 단계와 상기 보호 부재를 형성하는 단계는,
    상기 제1 내지 제3 화소에 청색, 녹색 및 적색 색소 중 어느 하나를 포함하는 유기 물질을 도포하는 단계,
    슬릿 마스크를 사용하여 상기 유기 물질을 노광하는 단계, 그리고
    노광된 상기 유기 물질을 현상하는 단계
    를 포함하는
    박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  19. 제15항에서,
    상기 보호 부재 위에 차광 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 제1 내지 제3 색필터와 상기 차광 부재 위에 덮개층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001175198A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6933520B2 (en) * 2002-02-13 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI250342B (en) * 2002-09-30 2006-03-01 Seiko Epson Corp Electro-optic device and electronic apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110100842A (ko) * 2010-03-05 2011-09-15 삼성전자주식회사 액정 표시 장치

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