KR20110049578A - 유기 전계 발광 표시장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 110
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- -1 CaSe Chemical compound 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 125000006160 pyromellitic dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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Abstract
본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 상세하게는 픽셀 영역에서 박막의 균일도가 향상된 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판상에 구비되는 화소 전극; 및 상기 화소 전극의 가장자리를 덮고, 개구부를 갖는 화소 정의막을 포함하고, 상기 화소 전극에 수직인 면에 의한 상기 화소 전극과 상기 화소 정의막의 단면에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 개구부와 접하는 면은 소정의 곡률을 갖도록 만곡되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 상세하게는 픽셀 영역에서 박막의 균일도가 향상된 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.
통상적으로, 평판 표시 장치(flat displat device)는 크게 발광형과 수광형으로 분류할 수 있다. 발광형으로는 평판 음극선관(flat cathode ray tube)과, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel)과, 전계 발광 소자(electro luminescent device)와, 발광 다이오드(light emitting diode) 등이 있다. 수광형으로는 액정 디스플레이(liquid crystal display)를 들 수 있다. 이중에서, 전계 발광 소자는 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시 소자로서 주목을 받고 있다. 이러한 전자 발광 소자는 발광층을 형성하는 물질에 따라서 무기 전계 발광 소자와 유기 전계 발광 소자로 구분된다.
이 중에서, 유기 전계 발광 소자는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기(exitation)시켜서 발광시키는 자발광형 디스플레이로, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형화가 용이하며, 광시야각, 빠른 응답 속도 등 액정 디스플레이에 있어 서 문제점으로 지적되는 것을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
유기 전계 발광 소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 구비하고 있다. 유기 전계 발광 소자는 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되어서, 발광층에서 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exiton)을 생성하게 된다.
이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라, 발광층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상을 형성하게 된다. 풀 컬러(full color)형 유기 전계 발광 소자의 경우에는 적(R),녹(G),청(B)의 삼색을 발광하는 화소(pixel)를 구비토록 함으로써 풀 컬러를 구현한다.
이와 같은 유기 전계 발광 소자에서, 애노드 전극의 양단부에는 화소 정의막(Pixel Define Layer)이 형성된다. 그리고, 이 화소 정의막에 소정의 개구를 형성한 후, 개구가 형성되어 외부로 노출된 애노드 전극의 상부에 발광층 및 캐소드 전극이 차례로 형성된다.
본 발명은 픽셀 영역에서 박막의 균일도가 향상된 유기 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판; 상기 기판상에 구비되는 화소 전극; 및 상기 화소 전극의 가장자리를 덮고, 개구부를 갖는 화소 정의막을 포함하고, 상기 화소 전극에 수직인 면에 의한 상기 화소 전극과 상기 화소 정의막의 단면에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 개구부와 접하는 면은 소정의 곡률을 갖도록 만곡되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 개구부와 접하는 상기 면에 대한 접선과 상기 기판이 이루는 각도가, 상기 기판에서 멀어질수록 증가할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 개구부와 접하는 상기 면의 일 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제1 각도와, 상기 면의 타 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제2 각도가 상이할 수 있다.
여기서, 상기 제2 각도의 보각(補角, supplementary angle)과 상기 제1 각도와의 합은 180°보다 작을 수 있다.
다른 측면에 관한 본 발명은 기판; 상기 기판상에 구비되는 화소 전극; 및
상기 화소 전극의 중앙부가 노출되도록 상기 화소 전극의 가장자리를 덮는 화소 정의막을 포함하고, 상기 화소 전극에 수직인 면에 의한 상기 화소 전극과 상 기 화소 정의막의 단면에 있어서, 상기 단면상에서 상기 화소 정의막과 접하는 직선과 상기 기판이 이루는 각도가, 상기 화소 정의막의 상기 화소 전극 측 단부에서 멀어질수록 증가하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 화소 정의막의 단면은 아래가 볼록한 이차 곡선(二次曲線, quadratic curve) 형태로 형성될 수 있다.
또 다른 측면에 관한 본 발명은, 기판상에 형성된 것으로, 반도체 활성층과, 상기 반도체 활성층에 절연된 게이트 전극과, 상기 반도체 활성층에 각각 접하는 소스 및 드레인 전극을 구비한 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 복수의 화소 전극들; 상기 화소 전극들 사이에 형성되는 화소 정의막들; 상기 화소 전극들 상에 형성되는 복수의 유기층들; 및 상기 유기층들 상에 형성되는 대향 전극을 포함하고, 상기 화소 전극에 수직인 면에 의한 상기 화소 전극과 상기 화소 정의막의 단면에 있어서, 상기 단면상에서, 상기 화소 정의막의 일 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제1 각도와, 상기 화소 정의막의 타 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제2 각도가 상이한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 각도의 보각(補角, supplementary angle)과 상기 제1 각도와의 합은 180°보다 작을 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 화소 정의막의 단면은 아래가 볼록한 이차 곡선(二次曲線, quadratic curve) 형태로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 대향 전극은 상기 화소 정의막 상에 상기 화소 정의 막을 따라 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의해서 픽셀 영역에서 박막의 균일도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하여 볼 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터(Thin film transistor : TFT)는 기판(20) 상에 구비될 수 있다. 기판(20)은 글라스재의 기판 또는 플라스틱재의 기판이 사용될 수 있다.
기판(20) 상에는 버퍼층(21)이 형성되고, 버퍼층(21) 상에는 반도체 소재로 형성된 활성층(22)이 구비되고, 이 활성층(22)을 덮도록 게이트 절연막(23)이 형성된다. 게이트 절연막(23)의 상부에는 게이트 전극(24)이 형성되고, 게이트 전극(24)을 덮도록 층간 절연막(25)이 형성되며, 층간 절연막(25)의 상부에 소스/드레인 전극(26)(27)이 형성된다. 소스/드레인 전극(26)(27)은 게이트 절연막(23) 및 층간 절연막(25)에 형성된 컨택홀에 의해 활성층(22)의 소스/드레인 영역(22b)(22c)에 각각 접촉된다.
기판(20) 상에 구비되는 활성층(22)은 무기반도체 또는 유기반도체로부터 선택되어 형성될 수 있는 것으로, 소스/드레인 영역(22b)(22c)에 n형 또는 p형 불순 물이 도핑되어 있고, 이들 소스 영역과 드레인 영역을 연결하는 채널 영역(22a)을 구비한다.
활성층(22)을 형성하는 무기반도체는 CdS, GaS, ZnS, CdSe, CaSe, ZnSe, CdTe, SiC, 및 Si를 포함하는 것일 수 있다.
그리고, 활성층(22)을 형성하는 유기반도체로는 고분자로서, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
활성층(22)은 게이트 절연막(23)에 덮히고, 게이트 절연막(23)의 상부에 게이트 전극(24)이 형성된다. 게이트 전극(24)은 MoW, Al, Cr, Al/Cu 등의 도전성 금속막으로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지 않으며, 도전성 폴리머 등 다양한 도전성 물질이 게이트 전극(24)으로 사용될 수 있다. 게이트 전극(24)은 활성층(22)의 채널 영역에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 전계 발광 표시장치의 평면도이다.
도 2를 참조하면, 화소 영역(30)과, 화소 영역(30)의 가장자리에 회로 영역(40)으로 구성된다. 화소 영역(30)은 복수 개의 화소(pixel)들을 구비하며, 각 화소들은 소정의 화상을 구현해 내도록 발광하는 발광부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 발광부는 유기 전계 발광 소자를 각각 구비한 복수 개의 부화소(sub-pixel)들로 이루어져 있다. 풀 칼라 유기 전계 발광 표시장치의 경우에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 부화소들이 라인상, 모자이크상, 격자상 등 다양한 패턴으로 배열되어 화소를 구성하며, 풀 칼라 평판표시장치가 아닌 모노 칼라 평판표시장치여도 무방하다.
그리고, 회로 영역(40)은 화소 영역(30)으로 입력되는 화상 신호 등을 제어해 준다.
이러한 유기 전계 발광 표시장치에 있어서, 화소 영역(30)과 회로 영역(40)에는 각각 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터가 설치될 수 있다.
화소 영역(30)에 설치되는 박막 트랜지스터로는 게이트 라인의 신호에 따라 발광 소자에 데이터 신호를 전달하여 그 동작을 제어하는 스위칭용 박막 트랜지스터와, 데이터 신호에 따라 유기 전계 발광 소자에 소정의 전류가 흐르도록 구동시키는 구동용 박막 트랜지스터 등 화소부 박막 트랜지스터가 있다. 그리고, 회로 영역(40)에 설치되는 박막 트랜지스터로는 소정의 회로를 구현하도록 구비된 회로부 박막 트랜지스터가 있다.
물론 이러한 박막 트랜지스터의 수와 배치는 디스플레이의 특성 및 구동 방법 등에 따라 다양한 수가 존재할 수 있으며, 그 배치 방법도 다양하게 존재할 수 있음은 물론이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 전계 발광 표시장치 중 일 부화소를 도시한 단면도이고, 도 3b는 종래의 유기 전계 발광 표시장치 중 일 부화소를 도시한 단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 글라스재 또는 플라스틱재의 기판(50)상에 버퍼층(51)이 형성되어 있고, 이 위에 박막 트랜지스터(thin film transistor: TFT)와, 유기 전계 발광 소자(OLED)가 형성된다.
기판(50)의 버퍼층(51) 상에 소정 패턴의 활성층(52)이 구비된다. 활성층(52)의 상부에는 게이트 절연막(53)이 구비되고, 게이트 절연막(53) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(54)이 형성된다. 게이트 전극(54)은 박막 트랜지스터 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. 게이트 전극(54)의 상부로는 층간 절연막(55)이 형성되고, 컨택 홀을 통해 소스/드레인 전극(56)(57)이 각각 활성층(52)의 소스/드레인 영역(52b)(52c)에 접하도록 형성된다. 소스/드레인 전극(56)(57) 상부로는 SiO2, SiNx 등으로 이루어진 패시베이션막(58)이 형성되고, 패시베이션막(58)의 상부에는 아크릴(acryl), 폴리 이미드(polyimide), BCB(Benzocyclobutene) 등의 유기물질로 평탄화막(59)이 형성되어 있다.
그리고, 평탄화막(59)의 상부에 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드 전극이 되는 화소 전극(61)이 형성되고, 이를 덮도록 유기물로 화소 정의막(Pixel Define Layer: 60)이 형성된다. 화소 정의막(60)에 소정의 개구를 형성한 후, 화소 정의막(60)의 상부 및 개구가 형성되어 외부로 노출된 화소 전극(61)의 상부에 유기층(62)을 형성한다. 여기서, 유기층(62)은 발광층을 포함한다. 본 발명은 반드시 이와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, 다양한 유기 전계 발광 표시장치의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.
이와 같은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 전계 발광 표시장치는, 화소 정의막(60)이 소정의 곡률을 갖도록 만곡되어 형성되는 것을 일 특징으로 한다. 상기 화소 정의막(60)의 구성, 기능 및 효과에 대하여는 뒤에서 상세히 설명한다.
유기 전계 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(56)에 연결되어 이로부터 플러스 전원을 공급받는 화소 전극(61)과, 전체 화소를 덮도록 구비되어 마이너스 전원을 공급하는 대향 전극(63) 및 이들 화소 전극(61)과 대향 전극(63)의 사이에 배치되어 발광하는 유기층(62)으로 구성된다.
화소 전극(61)과 대향 전극(63)은 유기층(62)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기층(62)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기층(62)에서 발광이 이뤄지도록 한다.
여기서, 유기층(62)은 저분자 또는 고분자 유기층이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기층을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단 일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기층은 진공증착의 방법으로 형성된다.
고분자 유기층의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이때, 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.
이와 같은 유기층은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
화소 전극(61)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(63)은 캐소드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(61)과 대향 전극(63)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(61)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다.
한편, 대향 전극(63)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 대향 전극(63)이 캐소드 전극으로 사용되므로, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물이 유기층(62)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 전계 발광 표시장치의 화소 정의막에 대하여 살펴본다.
화소 정의막이란 유기 전계 발광 표시장치를 제작함에 있어, 발광 영역을 보다 정확하게 정의해주는 역할을 하는 패터닝 된 절연층을 의미한다. 종래의 유기 전계 발광 표시장치 중 일 부화소를 도시한 단면도인 도 3b를 참조하면, 기존의 화소 정의막(60)은, 증착 공정 중 발생하는 음영 효과(shadow effect)를 없애기 위해 기판(50)과 일정 각도(γ)를 이루도록 경사지게 제작된다. 여기서 종래의 유기 전계 발광 표시장치의 화소 정의막(60)은, 직선 형상을 가지면서 기판(50)에 대하여 경사지게 제작되는 것이 일반적이었다.
한편, 솔루션(Solution) 공정이란 솔루션(Solution, 용액)을 기판 위에 도포한 후, 기판을 회전시키는 등의 방법으로 용매(solvent)를 증발시켜 박막을 형성하는 방법으로써, 유기층(62)을 형성하는데 사용된다. 이와 같은 솔루션 공정에 의해 서 실제 형성되는 유기층(62)의 두께는 수십 nm 수준이고, 화소 정의막(60)의 두께는 수백에서 수천 nm 수준이므로, 유기층(62)의 형성 과정에서 화소 정의막(60)은 매우 높은 장벽으로 작용하게 된다. 이와 같은 장벽이 있을 경우, 용매(Solvent)는 증발하기 전에 표면 장력(surface tension)에 의해 벽을 타고 올라가게 되어, 도 3b에 도시된 바와 같이 유기층(62)의 양 끝단(62a)이 화소 정의막(60)을 타고 뾰족하게 돌출 형성되며, 따라서 유기층(62)의 균일도가 떨어지게 된다. 특히, 스핀 코팅(spin coating)과 같이 회전에 의하여 용매(solvent)를 강제 증발시는 방법을 사용할 경우, 화소 정의막(60)은 용매(solvent)의 백 플로우(back flow)를 발생시켜서, 유기층(62)의 균일도를 현저하게 저하시킨다. 더욱이, 이렇게 형성되는 불균일성은 제어하기 어렵기 때문에 공정의 산포를 크게 만들며, 유기 전계 발광 소자 제작시 발광면이 고르지 않게 되는 문제점이 존재하였다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 전계 발광 표시장치는 소정의 곡률을 갖도록 만곡되어 형성되는 것을 일 특징으로 한다.
이를 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
상술한 바와 같은 표면 장력에 의해 유기층의 양 끝단이 돌출되는 것을 방지하기 위해서는, 화소 정의막의 경사 각도를 작게 해야 하며, 이를 위해서는 화소 정의막의 전체 두께를 낮추어야 한다. 그러나 이웃 픽셀과의 간섭을 고려한다면, 화소 정의막의 전체 두께를 낮추는 방식은 고해상도로 갈수록 불리하기 때문에, 경사 각도를 낮추는 데는 한계가 있다.
또한 스핀 코팅(spin coating)과 같은 강제 회전 방식 또는 슬릿 코팅(slit coating)과 같은 강제 유동을 일으켜 박막을 형성하는 방법에서, 화소 정의막의 측면은 매우 큰 장벽으로 작용하기 때문에, 그 충격으로 백 플로우(back flow)가 발생되고, 이로 인해 유기층의 가장자리가 두꺼워지는 현상이 발생한다.
따라서, 도 3a에 도시되어 있는 바와 같이, 화소 정의막(160)의 개구부와 접하는 면(160a)이 소정의 곡률을 갖도록 만곡되어 형성되도록 한다. 이때, 화소 정의막(160)과 접하는 직선과 기판이 이루는 각도가, 화소 정의막(160)의 화소 전극(161)으로부터 멀어질수록 증가하게 화소 정의막(161)을 형성한다. 즉, 화소 정의막(161)의 단면은 아래가 볼록한 이차 곡선(二次曲線, quadratic curve) 형태로 형성되는 것이다.
이를 다른 방식으로 표현하면, 화소 정의막(161)의 일 단부에서의 접선과 기판이 이루는 제1 각도(α)와, 화소 정의막(161)의 타 단부에서의 접선과 기판이 이루는 제2 각도(β)가 상이하도록 화소 정의막(161)이 형성될 수 있다. 왜냐하면, 상술한 바와 같이 화소 정의막(161)의 개구부(161b)와 접하는 면에 대한 접선과 기판이 이루는 각도가, 기판에서 멀어질수록 증가하기 때문이다. 이때, 상기 제2 각도(β)의 보각(補角, supplementary angle)(180 - β)과 상기 제1 각도(α)와의 합은 180°보다 작게 형성될 수 있다. 왜냐하면, 제2 각도의 보각(180 - β)과 제1 각도(α)는 도 3a에서 보았을 때 삼각형의 두 내각을 이루며, 삼각형의 세 내각의 합은 180°이므로, 삼각형의 두 내각의 합은 180°보다 작아지기 때문이다.
이와 같이, 화소 정의막(161)의 측면에 곡률을 주게 되면, 같은 높이의 화소 정의막(161)에서도 유기막(162)이 형성되는 단부에서 보다 낮은 경사 각도를 유지할 수 있으므로, 표면 장력에 의한 주변부 볼록함을 완화하는데 유리하다. 또한, 이와 같이 화소 정의막(161)이 만곡 형성됨으로 인해, 스핀 코팅(spin coating)이나 슬릿 코팅(slit coating)과 같이 강제 유동을 일으켜 박막을 형성하는 방법에서도 백 플로우(back flow)를 줄일 수 있으며, 그로 인해 픽셀 내부에서 유기층(162)의 균일도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 전계 발광 표시장치의 평면도이다.
도 3a는 도 2의 유기 전계 발광 표시장치 중 일 부화소를 도시한 단면도이다.
도 3b는 종래의 유기 전계 발광 표시장치 중 일 부화소를 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
20,50: 기판 21,51: 버퍼층
22,52: 활성층 23,53: 게이트 절연막
24,54: 게이트 전극 25,55: 층간 절연막
26,56: 소스 전극 27,57: 드레인 전극
58: 패시베이션막 59: 평탄화막
60, 160: 화소 정의막 61, 161: 화소 전극
62, 162: 유기층 63, 163: 대향 전극
Claims (10)
- 기판;상기 기판상에 구비되는 화소 전극; 및상기 화소 전극의 가장자리를 덮고, 개구부를 갖는 화소 정의막을 포함하고,상기 화소 전극에 수직인 면에 의한 상기 화소 전극과 상기 화소 정의막의 단면에 있어서,상기 화소 정의막의 상기 개구부와 접하는 면은 소정의 곡률을 갖도록 만곡되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 개구부와 접하는 상기 면에 대한 접선과 상기 기판이 이루는 각도가, 상기 기판에서 멀어질수록 증가하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 개구부와 접하는 상기 면의 일 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제1 각도와, 상기 면의 타 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제2 각도가 상이한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제2 각도의 보각(補角, supplementary angle)과 상기 제1 각도와의 합은 180°보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 기판;상기 기판상에 구비되는 화소 전극; 및상기 화소 전극의 중앙부가 노출되도록 상기 화소 전극의 가장자리를 덮는 화소 정의막을 포함하고,상기 화소 전극에 수직인 면에 의한 상기 화소 전극과 상기 화소 정의막의 단면에 있어서,상기 단면상에서 상기 화소 정의막과 접하는 직선과 상기 기판이 이루는 각도가, 상기 화소 정의막의 상기 화소 전극 측 단부에서 멀어질수록 증가하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 화소 정의막의 단면은 아래가 볼록한 이차 곡선(二次曲線, quadratic curve) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 기판상에 형성된 것으로, 반도체 활성층과, 상기 반도체 활성층에 절연된 게이트 전극과, 상기 반도체 활성층에 각각 접하는 소스 및 드레인 전극을 구비한 적어도 하나의 박막 트랜지스터;상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 복수의 화소 전극들;상기 화소 전극들 사이에 형성되는 화소 정의막들;상기 화소 전극들 상에 형성되는 복수의 유기층들; 및상기 유기층들 상에 형성되는 대향 전극을 포함하고,상기 화소 전극에 수직인 면에 의한 상기 화소 전극과 상기 화소 정의막의 단면에 있어서,상기 단면상에서, 상기 화소 정의막의 일 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제1 각도와, 상기 화소 정의막의 타 단부에서의 접선과 상기 기판이 이루는 제2 각도가 상이한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제2 각도의 보각(補角, supplementary angle)과 상기 제1 각도와의 합은 180°보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 화소 정의막의 단면은 아래가 볼록한 이차 곡선(二次曲線, quadratic curve) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 대향 전극은 상기 화소 정의막 상에 상기 화소 정의막을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090106649A KR20110049578A (ko) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 유기 전계 발광 표시장치 |
| US12/940,442 US8933450B2 (en) | 2009-11-05 | 2010-11-05 | Organic electro-luminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090106649A KR20110049578A (ko) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 유기 전계 발광 표시장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110049578A true KR20110049578A (ko) | 2011-05-12 |
Family
ID=43924433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090106649A KR20110049578A (ko) | 2009-11-05 | 2009-11-05 | 유기 전계 발광 표시장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8933450B2 (ko) |
| KR (1) | KR20110049578A (ko) |
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| US9029844B2 (en) | 2012-11-05 | 2015-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| KR20190130106A (ko) * | 2018-05-11 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| EP2852256A4 (en) * | 2012-06-20 | 2016-04-27 | Pioneer Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE |
| KR20140075467A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 |
| WO2015128909A1 (ja) | 2014-02-28 | 2015-09-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子および発光装置 |
| CN105940510B (zh) | 2014-02-28 | 2019-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 发光装置 |
| JP2016034012A (ja) | 2014-02-28 | 2016-03-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子および発光装置 |
| TWI582968B (zh) * | 2014-08-15 | 2017-05-11 | 群創光電股份有限公司 | 陣列基板結構及接觸結構 |
| JP6569856B2 (ja) | 2015-03-13 | 2019-09-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置および内視鏡 |
| US10182702B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-01-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus including photoluminescent layer |
| JP2016171228A (ja) | 2015-03-13 | 2016-09-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子、発光装置および検知装置 |
| US10031276B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Display apparatus including photoluminescent layer |
| JP2017003697A (ja) | 2015-06-08 | 2017-01-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子および発光装置 |
| JP2017005054A (ja) | 2015-06-08 | 2017-01-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置 |
| JP6748905B2 (ja) | 2015-08-20 | 2020-09-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置 |
| JP2017040818A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子 |
| US10359155B2 (en) | 2015-08-20 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| JP6719094B2 (ja) | 2016-03-30 | 2020-07-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子 |
| JP2022016557A (ja) * | 2017-02-27 | 2022-01-21 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| CN207052608U (zh) * | 2017-08-24 | 2018-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6739931B2 (en) * | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
| TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
| JP2004192935A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| US7227306B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence display having recessed electrode structure |
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2009
- 2009-11-05 KR KR1020090106649A patent/KR20110049578A/ko active Search and Examination
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110101359A1 (en) | 2011-05-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20121207 Effective date: 20140324 Free format text: TRIAL NUMBER: 2012101010355; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20121207 Effective date: 20140324 |