KR20140075467A - 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 - Google Patents

디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140075467A
KR20140075467A KR1020120143834A KR20120143834A KR20140075467A KR 20140075467 A KR20140075467 A KR 20140075467A KR 1020120143834 A KR1020120143834 A KR 1020120143834A KR 20120143834 A KR20120143834 A KR 20120143834A KR 20140075467 A KR20140075467 A KR 20140075467A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
organic light
substrate
emitting layer
layer
Prior art date
Application number
KR1020120143834A
Other languages
English (en)
Inventor
김준영
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120143834A priority Critical patent/KR20140075467A/ko
Priority to TW102132299A priority patent/TW201423978A/zh
Priority to CN201310412406.6A priority patent/CN103872074A/zh
Priority to US14/037,242 priority patent/US20140159078A1/en
Publication of KR20140075467A publication Critical patent/KR20140075467A/ko
Priority to US14/998,100 priority patent/US20160225996A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/18Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판 상에 형성되는 발광부와, 상기 제 1 기판과 합착하여 상기 발광부를 외부로부터 차단하는 봉지부를 포함하고, 상기 제 1 기판의 테두리(Edge)는 적어도 일부분이 모따기(Chamfering)되도록 형성된다.

Description

디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법{Display device and manufacturing method of the same}
본 발명은 장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 증착방법은, 기판 홀더에 기판을 설치하고, EL 재료, 즉, 증착 재료를 봉입(封入)한 도가니(또는, 증착보트)와, 승화하는 EL 재료의 상승을 방지하는 셔터와, 도가니 내의 EL 재료를 가열하는 히터를 가지고 있다. 그리고, 히터에 의하여 가열된 EL 재료가 승화하여, 회전하는 기판에 성막된다. 이 때, 균일하게 성막을 행하기 위해, 기판과 도가니 사이의 거리는 1 m 이상 떨어져 있다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 발광색을 사용하는 풀 컬러 플랫 패널 디스플레이를 제작하는 것을 생각한 경우, 성막 정밀도가 그다지 높지 않으므로, 상이한 화소들 사이의 간격을 넓게 설계하거나, 또는 화소들 사이에 제방(뱅크)이라고 불리는 절연물을 형성하거나 한다.
또한, 적, 녹, 청의 발광색을 사용하는 풀 컬러 플랫 패널 디스플레이로서, 고정세화(高精細化), 고개구율화 및 고신뢰성에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 요구는, 발광장치의 고정세화(화소수의 증대) 및 대형화에 따른 각 유기 발광층 피치의 정밀화를 향상시키는 데 있어서 큰 과제가 되고 있다. 또한, 동시에, 생산성의 향상 및 저비용화에 대한 요구도 높아지고 있다.
본 발명의 실시예들은 하이브리드 패터닝 공정 시 하부필름과 상부필름의 합착을 견고히 하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면은, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판 상에 형성되는 발광부와, 상기 제 1 기판과 합착하여 상기 발광부를 외부로부터 차단하는 봉지부를 포함하고, 상기 제 1 기판의 테두리(Edge)는 적어도 일부분이 모따기(Chamfering)되도록 형성되는 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판의 테두리는 두께 방향의 단면이 삼각형 형상일 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판의 테두리는 상기 발광부가 형성된 상기 제 1 기판의 일면으로부터 테두리측으로 모따기되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판의 테두리는 상기 발광부가 형성되지 않은 상기 제 1 기판의 타면으로부터 테두리측으로 모따기되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판의 양면으로부터 상기 제 1 기판의 테두리측으로 상기 제 1 기판의 끝단이 각각 모따기되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광부는 유기 발광층을 포함하고, 상기 유기 발광층은 청색(Blue) 유기 발광층, 적색(Red) 유기 발광층, 녹색(Green) 유기 발광층 및 백색(White) 유기 발광층 중 적어도 하나를 구비할 수 있다.
또한, 상기 청색 유기 발광층은 파인 메탈 마스크 공정으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 적색 유기 발광층 및 상기 녹색 유기 발광층 중 적어도 하나는 레이저 열전사 공정으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 백색 유기 발광층은 상기 청색 유기 발광층, 상기 적색 유기 발광층 및 상기 녹색 유기 발광층이 적층되어 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 제 1 기판을 준비한 후 상기 제 1 기판의 테두리(Edge)를 모따기하는 단계와, 상기 각 제 1 기판 상에 버퍼층, 활성층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 페시베이션막, 화소 정의막, 화소 전극을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 화소 정의막 상에 형성되는 픽셀부분에 파인 메탈 마스크 공정 및 레이저 열전사 공정을 통하여 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판의 테두리는 연마(Polishing)를 통하여 모따기될 수 있다.
또한, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계는, 청색 유기 발광층을 파인 메탈 마스크 공정으로 상기 화소 전극 상에 증착하는 단계와, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 레이저 열전사 공정으로 상기 화소 전극 상에 전사하는 단계를 구비할 수 있다.
또한, 상기 레이저 열전사 공정은 상기 녹색 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 전사한 후 상기 적색 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 전사할 수 있다.
또한, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 레이저 열전사 공정으로 상기 화소 전극 상에 전사하는 단계는, 하부필름 위에 상기 제 1 기판을 안착시키는 단계와, 베이스 필름 상에 적색 유기 발광층 또는 녹색 유기 발광층이 패터닝된 전사층을 증착하여 상부필름을 준비하는 단계와, 상기 도너필름을 상기 제 1 기판 상에 배치한 후 상기 하부필름과 상기 상부필름을 벤트(Vent) 공정을 통해 라미네이션(Lamination)하는 단계와, 상기 상부필름에 레이저를 조사하여 상기 적색 유기 발광층 또는 녹색 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 전사시키는 단계를 구비할 수 있다.
또한, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 레이저 열전사 공정으로 상기 화소 전극 상에 전사하는 단계는, 레이저 조사가 완료된 후 상기 상부필름 및 상기 하부필름을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 발광층이 형성된 상기 화소 정의막 상에 대향 전극을 형성하고, 봉지부로 봉지하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판을 커팅하여 상기 각 제 1 기판을 서로 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계는 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 증착하거나 전사하여 백색 유기 발광층을 형성하는 단계를 구비할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 상부필름과 하부필름을 테두리 부분에서 완전히 접합시킴으로써 상부필름과 하부필름의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 일반적인 제 1 기판의 두께로 인한 상부필름과 하부필름의 비접착 영역을 제거함으로써 제 1 기판의 유동을 방지하여 유기 발광층의 정확한 위치에 전사시킬 수 있다.
특히 본 발명의 실시예들은 유기 발광층이 정확한 위치에 전사됨으로써 디스플레이 장치의 휘도 및 재현성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 보여주는 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 제 1 기판과 발광부를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 유기 발광층을 형성하는 공정의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 유기 발광층을 형성하는 공정의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 유기 발광층을 형성하는 공정의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)를 보여주는 개념도이다. 도 2는 도 1에 도시된 제 1 기판(110)과 발광부(120)를 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 유기 발광층을 형성하는 공정의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 디스플레이 장치(100)는 제 1 기판(110), 봉지부(130) 및 발광부(120)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 기판(110)의 테두리(Edge) 부분은 적어도 일부분이 모따기(Chamfering)되도록 형성될 수 있다. 구체적으로 제 1 기판(110)의 테두리는 연마를 통하여 경사지게 형성될 수 있다.
제 1 기판(110) 상에 발광부(120)가 형성될 수 있다. 이때, 발광부(120)는 박막 트랜지스터(TFT) 이 구비되고, 이들을 덮도록 패시베이션막(121)이 형성되며, 이 패시베이션막(121) 상에 유기 발광 소자(OLED)가 형성될 수 있다.
제 1 기판(110)은 유리 재질을 사용할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지 않으며, 플라스틱재를 사용할 수도 있으며, SUS, Ti과 같은 금속재를 사용할 수도 있다.
제 1 기판(110)의 상면에는 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어진 버퍼층(122)이 더 형성되는 데, SiOx(x≥1), SiNx(x≥1)로 형성될 수 있다.
이 버퍼층(122) 상에 소정의 패턴으로 배열된 활성층(123)이 형성된 후, 활성층(123)이 게이트 절연층(124)에 의해 매립된다. 활성층(123)은 소스 영역(123a)과 드레인 영역(123c)을 갖고, 그 사이에 채널 영역(123b)을 더 포함한다. 이때, 활성층(123)은 비정질 실리콘으로 형성될 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들면, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면 반도체로 형성되는 활성층(123)은 G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c>0의 조건을 만족시키는 실수)을 포함할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 활성층(123)이 비정질 실리콘으로 형성되는 경우를 중심으로 상?히 설명하기로 한다.
이러한 활성층(123)은 버퍼층(122) 상에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 이를 결정화하여 다결정질 실리콘막으로 형성하고, 이 다결정질 실리콘막을 패터닝하여 형성할 수 있다. 상기 활성층(123)은 구동 TFT(미도시), 스위칭 TFT(미도시) 등 TFT 종류에 따라, 그 소스 및 드레인 영역(123a)(123c)이 불순물에 의해 도핑된다.
게이트 절연층(124)의 상면에는 활성층(123)과 대응되는 게이트 전극(125)과 이를 매립하는 층간 절연층(126)이 형성된다.
그리고, 층간 절연층(126)과 게이트 절연층(124)에 콘택홀을 형성한 후, 층간 절연층(126) 상에 소스 전극(127a) 및 드레인 전극(127b)을 각각 소스 영역(123a) 및 드레인 영역(123c)에 콘택되도록 형성한다.
한편, 상기에서와 같이 소스/드레인 전극(127a)(127b)과 동시에 상기 반사막을 형성하므로, 상기 소스/드레인 전극(127a)(127b) 은 전기 전도성이 양호한 재료로 광반사 가능한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등의 금속재료로 구비됨이 바람직하다.
이렇게 형성된 상기 박막 트랜지스터와 상기 반사막의 상부로는 패시베이션막(121)이 형성되고, 이 패시베이션막(121) 상부에 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극(128a)이 형성된다. 이 화소 전극(128a)은 패시베이션막(121)에 형성된 비아 홀(H2)에 의해 TFT의 드레인 전극(127b)에 콘택된다. 상기 패시베이션막(121)은 무기물 및/또는 유기물, 단층 또는 2개층 이상으로 형성될 수 있는 데, 하부 막의 굴곡에 관계없이 상면이 평탄하게 되도록 평탄화막으로 형성될 수도 있는 반면, 하부에 위치한 막의 굴곡을 따라 굴곡이 가도록 형성될 수 있다. 그리고, 이 패시베이션막(121)은, 공진 효과를 달성할 수 있도록 투명 절연체로 형성되는 것이 바람직하다.
패시베이션막(121) 상에 화소 전극(128a)을 형성한 후에는 이 화소 전극(128a) 및 패시베이션막(121)을 덮도록 화소 정의막(129)이 유기물 및/또는 무기물에 의해 형성되고, 화소전극(128a)이 노출되도록 개구된다.
그리고, 적어도 상기 화소 전극(128a) 상에 유기층(128b) 및 대향 전극(128c)이 형성된다.
화소 전극(128a)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(128c)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(128a)과 대향 전극(128c)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(128a)은 일함수가 높은 재료로 형성될 수 있는 데, ITO, IZO, In2O3, 및 ZnO 등의 투명 도전체로 형성될 수 있다.
대향 전극(128c)은 일함수가 낮은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등의 금속재로 구비될 수 있는 데, Mg, Ag, Al 등으로 반투과 반사막이 되도록 얇게 형성해, 광학적 공진 후에 광 투과되도록 한다.
화소 전극(128a)과 대향 전극(128c)은 상기 유기층(128b)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기층(128b)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층에서 발광이 이뤄지도록 한다.
유기층(128b)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있다. 저분자 유기막을 사용할 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 유기 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다. 이 때, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 픽셀에 공통으로 적용될 수 있다. 따라서, 이들 공통층들은 대향전극(128c)과 같이, 전체 픽셀들을 덮도록 형성될 수 있다.
고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 유기 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 유기 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 파인 메탈 마스크 공정, 레이저 열전사 공정 등으로 형성할 수 있다.
상기와 같은 유기층(128b)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
봉지부(130)는 제 1 기판(110)과 유사하게 형성될 수 있다. 구체적으로 봉지부(130)는 제 1 기판(110)과 유사한 재질인 유리 재질을 사용할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지 않으며, 플라스틱재를 사용할 수도 있다. 또한, 봉지부(130)는 하나 이상의 유기층과 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다. 상기 무기층 또는 상기 유기층은 각각 복수 개일 수 있다.
상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 봉지층 중 외부로 노출된 최상층은 유기발광소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
상기 봉지층은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.
상기 봉지층은 상기 발광부의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층은 상기 발광부의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층은 상기 발광부의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층, 제 3 유기층, 제 4 무기층을 포함할 수 있다.
상기 발광부와 상기 제 1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제 1 무기층을 스퍼터링 방식 또는 플라즈마 증착 방식으로 형성할 때 상기 발광부가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.
다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 봉지부(130)가 제 1 기판(110)과 동일한 재질인 유리로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같은 디스플레이 장치(100)를 제조하는 방법은 하기와 같다.
우선 제 1 기판(110)을 준비한 후 제 1 기판(110)의 테두리를 모따기(Chamfering)할 수 있다. 구체적으로 제 1 기판(110)의 테두리(Edge)를 기계적 연마(Polishing)을 통하여 모따기할 수 있다. 이때, 제 1 기판(110)의 테두리는 제 1 기판(110)의 두께 방향의 단면적이 삼각형을 형성할 수 있다. 특히 제 1 기판(110)의 테두리는 제 1 기판(110)의 일면과 타면이 동시에 모따기 형태로 형성될 수 있다. 따라서 제 1 기판(110)의 테두리는 제 1 기판(110)의 일면과 타면으로부터 가장자리 측으로 경사가 형성될 수 있다.
한편, 상기와 같은 제 1 기판(110)은 대형인 경우에는 하나가 사용될 수 있으며, 소형인 경우에는 복수개의 제 1 기판(110)을 구비하는 원장기판(미도시) 형태로 공급될 수 있다. 이때, 제 1 기판(110)이 대형인 경우나 소형인 경우가 서로 유사하므로 이하에서는 설명의 편의를 위하여 하나의 제 1 기판(110)을 사용하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제 1 기판(110)은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제 1 기판(110)은 원형이나 사각형, 다각형 형태로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 기판(110)이 사각형인 경우를 중심으로 설명하기로 한다.
사각형 형태의 제 1 기판(110)은 네 부분의 테두리 중 적어도 하나의 테두리가 모따기 형태로 상기와 유사하게 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 기판(110)의 네 테두리 모두 모따기 형태로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같이 모따기가 형성된 제 1 기판(110)이 준비되면, 제 1 기판(110) 상에 버퍼층(122), 활성층(123), 게이트 절연층(124), 게이트 전극(125), 층간 절연층(126), 소스 전극(127a), 드레인 전극(127b), 패시베이션막(121), 화소 정의막(129), 화소 전극(128a)을 순차적으로 적층할 수 있다. 이때, 상기와 같이 적층하는 방법은 일반적인 디스플레이 장치의 제조방법과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 각 층이 적층된 후 화소 정의막(129) 상에 형성되는 픽셀부분에 파인 메탈 마스크(Fine metal mask) 공정 및 레이저 열전사(Liti, Laser Induced Thermal Imagin) 공정으로 상기 유기 발광층을 화소 전극(128a) 상에 형성할 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층은 상기에서 설명한 다른 층과 함께 형성될 수 있으며, 별도로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 유기 발광층이 별도로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같이 유기 발광층이 형성되는 경우, 우선 청색 유기 발광층을 상기 파인 메탈 마스크 공정으로 화소 전극(128a) 상에 증착할 수 있다. 또한, 상기와 같이 상기 청색 유기 발광층이 형성된 후 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 형성할 수 있다. 이때, 상기 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층 중 적어도 하나는 레이저 열전사 공정을 통하여 화소 전극(128a) 상에 전사될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 녹색 유기 발광층 및 상기 적색 유기 발광층 모두 레이저 열전사 공정을 통하여 전사되는 경우를 중심으로 설명하고, 상기 녹색 유기 발광층을 먼저 전사한 후 적색 유기 발광층을 전사하는 순서를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
또한, 상기의 경우 이외에도 유기 발광층에는 다양한 색의 유기 발광층을 포함할 수 있다. 특히 상기 유기 발광층은 백색 유기 발광층을 포함할 수 있다. 이때, 백색 유기 발광층은 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 포함할 수 있다.
상기와 같은 백색 유기 발광층은 다양한 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 백색 유기 발광층은 청색 유기 발광층을 상기와 같이 파인 메탈 마스크 공정으로 형성한 후 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 레이저 열전사 공정으로 통하여 적층함으로써 형성할 수 있다. 또한, 백색 유기 발광층은 파인 메탈 마스크 공정에서 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 각각 적층하여 형성하는 것도 가능하다. 뿐만 아니라 백색 유기 발광층은 레이저 열전사 공정을 통하여 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 전사함으로써 형성하는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 백색 유기 발광층은 형성되지 않고, 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층이 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기 녹색 유기 발광층을 형성하기 위하여 우선 상부필름(140)을 준비할 수 있다. 이때, 상부필름(140)은 상기와 같이 베이스 필름(141)을 준비한 후 베이스 필름(141) 상에 상기 녹색 유기 발광층이 패터닝된 전사층(143)을 전사하여 형성할 수 있다. 이때, 베이스 필름(141)과 전사층(143) 사이에는 광-열변환층(142)을 형성하는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상부필름(140)이 베이스 필름(141), 광-열변환층(142) 및 전사층(143)으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같은 광원에서 방출된 빛은 베이스 필름(141) 상의 광-열변환층(142)에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 변환된 열에너지는 광-열변환층(142), 전사층(143) 및 제 1 기판(110) 사이의 접착력(adhesion force)의 변화를 가져와, 광-열변환층(142) 상에 형성된 전사층(143)을 이루는 물질이 제 1 기판(110) 상으로 전사되면서, 제 1 기판(110) 상에 유기 발광층이 패터닝된다.
상기와 같이 상부필름(140)이 준비하는 동시에 하부필름(150)을 준비하여 하부필름(150) 상에 제 1 기판(110)을 안착시킬 수 있다. 이때, 상부필름(140)은 제 1 기판(110) 상에 배치할 수 있다.
상기와 같이 배치가 완료되면, 상부필름(140)과 하부필름(150)을 벤트(Vent) 공정을 통하여 서로 라미네이션(Lamination)할 수 있다. 이때, 상부필름(140)과 하부필름(150)은 제 1 기판(110)보다 크기가 크게 형성되어 제 1 기판(110)의 외곽부분에서 서로 접합할 수 있다.
상기와 같이 상부필름(140)과 하부필름(150)을 접착하는 경우 제 1 기판(110)의 테두리 부분에 형성된 모따기 형상에 의하여 상부필름(140)과 하부필름(150)이 절곡될 수 있다.
특히 종래의 상부필름(140)과 하부필름(150)을 합착하는 경우 제 1 기판(110)의 테두리 부분은 모따기 형상이 형성되지 않으므로 상부필름(140)과 하부필름(150)이 제 1 기판(110)의 테두리 부분에서 완전히 밀착하지 않을 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예들에 따르면, 제 1 기판(110)의 테두리 부분에서 상부필름(140)과 하부필름(150)이 완전히 밀착함으로써 외부의 충격 등에 의하여 서로 분리되는 것이 방지될 수 있다.
한편, 상기와 같이 상부필름(140)과 하부필름(150)의 접착이 완료되면, 상부필름(140)의 상부에서 레이저를 조사하여 상기 적색 유기 발광층을 화소 전극(128a) 상에 전사시킬 수 있다.
상기와 같이 열전사가 완료되면, 상부필름(140)과 하부필름(150)을 제 1 기판(110)으로부터 분리할 수 있다. 이때, 상부필름(140)과 하부필름(150)을 제거하는 방법은 일반적으로 레이저 열전사 공정을 수행하는 경우와 유사하므로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같이 상기 녹색 유기 발광층이 전사된 후 상기 적색 유기 발광층을 상기와 유사한 공정을 통하여 전사할 수 있다. 이때, 상기 적색 유기 발광층을 전사하는 방법은 상기와 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 상기와 같이 상기 녹색 유기 발광층 및 상기 적색 유기 발광층의 전사가 완료되면, 화소 정의막(129) 상에 대향 전극(128c)을 형성할 수 있다. 이때, 대향 전극(128c)을 형성하는 방법은 일반적인 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기의 작업이 완료되면, 제 1 기판(110)과 봉지부(130)를 실링할 수 있다. 상기와 같은 제 1 기판(110)과 봉지부(130)를 실링하는 방법은 제 1 기판(110)과 봉지부(130) 사이에 실링제(190)를 배치한 후 압착함으로써 실링할 수 있다. 이때, 제 1 기판(110)과 봉지부(130)을 실링제(190)로 실링하는 방법은 일반적인 디스플레이 장치(100)의 실링 방법과 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
또한, 봉지부(130)가 상기에서 설명한 바와 같이 박막 형태로 형성되는 경우는 라미네이션을 통하여 봉지부(130)를 발광부(120) 상에 형성할 수 있다.
한편, 제 1 기판(110)이 복수개 구비되는 상기 원장기판에 상기의 작업을 진행한 후 각 제 1 기판(110)을 서로 분리하여 디스플레이 장치(100)를 제조할 수 있다. 이때, 각 제 1 기판(110)을 서로 분리하는 방법은 일반적인 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
따라서 디스플레이 장치(100)의 제조방법은 상부필름(140)과 하부필름(150)을 테두리 부분에서 완전히 접합시킴으로써 상부필름(140)과 하부필름(150)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 디스플레이 장치(100)의 제조방법은 일반적인 제 1 기판(110)의 두께로 인한 상부필름(140)과 하부필름(150)의 비접착 영역을 제거함으로써 제 1 기판(110)의 유동을 방지하여 유기 발광층의 정확한 위치에 전사시킬 수 있다.
특히 디스플레이 장치(100)는 유기 발광층이 정확한 위치에 전사됨으로써 디스플레이 장치(100)의 휘도 및 재현성을 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 유기 발광층을 형성하는 공정의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 이하에서는 상기와 동일한 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 4를 참고하면, 디스플레이 장치(미표기)는 제 1 기판(210), 봉지부(미도시) 및 발광부(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 봉지부 및 상기 발광부는 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제 1 기판(210)의 테두리(Edge) 부분은 적어도 일부분이 모따기(Chamfering)되도록 형성될 수 있다. 구체적으로 제 1 기판(210)의 테두리는 연마를 통하여 경사지게 형성될 수 있다. 특히 제 1 기판(210)의 테두리는 상기 발광부가 형성되어 있는 제 1 기판(210)의 일면으로부터 가장자리로 경사지게 형성될 수 있다.
한편, 상기와 같은 상기 디스플레이 장치를 제조하는 방법은 하기와 같다.
우선 제 1 기판(210)을 준비한 후 제 1 기판(210)의 테두리를 모따기(Chamfering)할 수 있다. 구체적으로 제 1 기판(210)의 테두리(Edge)를 기계적 연마(Polishing)을 통하여 모따기할 수 있다. 이때, 제 1 기판(210)의 테두리는 제 1 기판(210)의 두께 방향의 단면적이 삼각형을 형성할 수 있다. 특히 제 1 기판(210)의 테두리는 제 1 기판(210)의 일면이 모따기 형태로 형성될 수 있다. 따라서 제 1 기판(210)의 테두리는 제 1 기판(210)의 일면으로부터 가장자리 측으로 경사가 형성될 수 있다.
한편, 상기와 같은 제 1 기판(210)은 대형인 경우에는 하나가 사용될 수 있으며, 소형인 경우에는 복수개의 제 1 기판(210)을 구비하는 원장기판(미도시) 형태로 공급될 수 있다. 이때, 제 1 기판(210)이 대형인 경우나 소형인 경우가 서로 유사하므로 이하에서는 설명의 편의를 위하여 하나의 제 1 기판(210)을 사용하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제 1 기판(210)은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제 1 기판(210)은 원형이나 사각형, 다각형 형태로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 기판(210)이 사각형인 경우를 중심으로 설명하기로 한다.
사각형 형태의 제 1 기판(210)은 네 부분의 테두리 중 적어도 하나의 테두리가 모따기 형태로 상기와 유사하게 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 기판(210)의 네 테두리 모두 모따기 형태로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같이 모따기가 형성된 제 1 기판(210)이 준비되면, 제 1 기판(210) 상에 버퍼층(222), 활성층(223), 게이트 절연층(224), 게이트 전극(225), 층간 절연층(226), 소스 전극(227a), 드레인 전극(227b), 패시베이션막(221), 화소 정의막(229), 화소 전극(228a)을 순차적으로 적층할 수 있다. 이때, 상기와 같이 적층하는 방법은 일반적인 디스플레이 장치의 제조방법과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 각 층이 적층된 후 화소 정의막(229) 상에 형성되는 픽셀부분에 파인 메탈 마스크(Fine metal mask) 공정 및 레이저 열전사(Liti, Laser Induced Thermal Imagin) 공정으로 상기 유기 발광층을 화소 전극(228a) 상에 형성할 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층은 상기에서 설명한 다른 층과 함께 형성될 수 있으며, 별도로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 유기 발광층이 별도로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같이 유기 발광층이 형성되는 경우, 우선 청색 유기 발광층을 상기 파인 메탈 마스크 공정으로 화소 전극(228a) 상에 증착할 수 있다. 또한, 상기와 같이 상기 청색 유기 발광층이 형성된 후 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 형성할 수 있다.
이때, 상기 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층 중 적어도 하나는 레이저 열전사 공정을 통하여 화소 전극(228a) 상에 증찰될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 녹색 유기 발광층 및 상기 적색 유기 발광층 모두 레이저 열전사 공정을 통하여 전사되는 경우를 중심으로 설명하고, 상기 녹색 유기 발광층을 먼저 전사한 후 적색 유기 발광층을 전사하는 순서를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
또한, 유기 발광층은 상기의 유기 발광층 이외에도 다른 색의 유기 발광층을 포함할 수 있다. 이때, 유기 발광층은 백색 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 백색 유기 발광층은 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 포함할 수 있다. 백색 유기 발광층은 상기에서 설명한 것과 동일하게 형성되므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 상기 녹색 유기 발광층을 형성하기 위하여 우선 상부필름(140)을 준비할 수 있다. 이때, 상부필름(240)은 상기와 같이 베이스 필름(241)을 준비한 후 베이스 필름(241) 상에 상기 녹색 유기 발광층이 패터닝된 전사층(243)을 전사하여 형성할 수 있다. 이때, 베이스 필름(241)과 전사층(243) 사이에는 광-열변환층(242)을 형성하는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상부필름(240)이 베이스 필름(241), 광-열변환층(242) 및 전사층(243)으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같은 광원에서 방출된 빛은 베이스 필름(241) 상의 광-열변환층(242)에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 변환된 열에너지는 광-열변환층(242), 전사층(243) 및 제 1 기판(210) 사이의 접착력(adhesion force)의 변화를 가져와, 광-열변환층(242) 상에 형성된 전사층(241)을 이루는 물질이 제 1 기판(210) 상으로 전사되면서, 제 1 기판(210) 상에 유기 발광층이 패터닝된다.
상기와 같이 상부필름(240)이 준비하는 동시에 하부필름(250)을 준비하여 하부필름(250) 상에 제 1 기판(210)을 안착시킬 수 있다. 이때, 상부필름(240)은 제 1 기판(210) 상에 배치할 수 있다.
상기와 같이 배치가 완료되면, 상부필름(240)과 하부필름(250)을 벤트(Vent) 공정을 통하여 서로 라미네이션(Lamination)할 수 있다. 이때, 상부필름(240)과 하부필름(250)은 제 1 기판(210)보다 크기가 크게 형성되어 제 1 기판(210)의 외곽부분에서 서로 접합할 수 있다.
상기와 같이 상부필름(240)과 하부필름(250)을 접착하는 경우 제 1 기판(210)의 테두리 부분에 형성된 모따기 형상에 의하여 상부필름(240)이 절곡될 수 있다. 반면 하부필름(250)은 제 1 기판(210)의 하면과 같이 일직선 형태로 배치될 수 있다.
특히 종래의 상부필름과 하부필름을 합착하는 경우 제 1 기판의 테두리 부분은 모따기 형상이 형성되지 않으므로 상부필름과 하부필름이 제 1 기판의 테두리 부분에서 완전히 밀착하지 않을 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예들에 따르면, 제 1 기판(210)의 테두리 부분에서 상부필름(240)과 하부필름(250)이 완전히 밀착함으로써 외부의 충격 등에 의하여 서로 분리되는 것이 방지될 수 있다.
한편, 상기와 같이 상부필름(240)과 하부필름(250)의 접착이 완료되면, 상부필름(240)의 상부에서 레이저를 조사하여 상기 녹색 유기 발광층을 화소 전극(228a) 상에 전사시킬 수 있다.
상기와 같이 열전사가 완료되면, 상부필름(240)과 하부필름(250)을 제 1 기판(210)으로부터 분리할 수 있다. 이때, 상부필름(240)과 하부필름(250)을 제거하는 방법은 일반적으로 레이저 열전사 공정을 수행하는 경우와 유사하므로 상세히 설명하기로 한다.
상기의 과정이 완료되면, 상기 적색 유기 발광층을 상기와 유사한 과정으로 전사시킬 수 있다.
한편, 상기와 같이 상기 녹색 유기 발광층 및 상기 적색 유기 발광층의 적층이 완료되면, 화소 정의막(229) 상에 대향 전극(미도시)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 대향 전극을 형성하는 방법은 일반적인 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기의 작업이 완료되면, 제 1 기판(210)과 상기 봉지부를 실링할 수 있다. 이때, 봉지부(130)를 실링하는 방법은 상기에서 설명한 바와 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 제 1 기판(210)이 복수개 구비되는 상기 원장기판에 상기의 작업을 진행한 후 각 제 1 기판(210)을 서로 분리하여 상기 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. 이때, 각 제 1 기판(210)을 서로 분리하는 방법은 일반적인 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
따라서 상기 디스플레이 장치의 제조방법은 상부필름(240)과 하부필름(250)을 테두리 부분에서 완전히 접합시킴으로써 상부필름(240)과 하부필름(250)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 디스플레이 장치의 제조방법은 일반적인 제 1 기판(210)의 두께로 인한 상부필름(240)과 하부필름(250)의 비접착 영역을 제거함으로써 제 1 기판(210)의 유동을 방지하여 유기 발광층의 정확한 위치에 전사시킬 수 있다.
특히 상기 디스플레이 장치는 유기 발광층이 정확한 위치에 전사됨으로써 상기 디스플레이 장치의 휘도 및 재현성을 향상시킬 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 유기 발광층을 형성하는 공정의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 이하에서는 상기와 동일한 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 5를 참고하면, 디스플레이 장치(미표기)는 제 1 기판(310), 봉지부(미도시) 및 발광부(미표기)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 봉지부 및 상기 발광부는 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제 1 기판(310)의 테두리(Edge) 부분은 적어도 일부분이 모따기(Chamfering)되도록 형성될 수 있다. 구체적으로 제 1 기판(310)의 테두리는 연마를 통하여 경사지게 형성될 수 있다. 특히 제 1 기판(310)의 테두리는 상기 발광부가 형성되어 있지 않은 제 1 기판(310)의 타면으로부터 가장자리로 경사지게 형성될 수 있다.
한편, 상기와 같은 상기 디스플레이 장치를 제조하는 방법은 하기와 같다.
우선 제 1 기판(310)을 준비한 후 제 1 기판(310)의 테두리를 모따기(Chamfering)할 수 있다. 구체적으로 제 1 기판(310)의 테두리(Edge)를 기계적 연마(Polishing)을 통하여 할 수 있다. 이때, 제 1 기판(310)의 테두리는 제 1 기판(310)의 두께 방향의 단면적이 삼각형을 형성할 수 있다. 특히 제 1 기판(310)의 테두리는 제 1 기판(310)의 타면이 모따기 형태로 형성될 수 있다. 따라서 제 1 기판(310)의 테두리는 제 1 기판(310)의 타면으로부터 가장자리 측으로 경사가 형성될 수 있다.
한편, 상기와 같은 제 1 기판(310)은 대형인 경우에는 하나가 사용될 수 있으며, 소형인 경우에는 복수개의 제 1 기판(310)을 구비하는 원장기판(미도시) 형태로 공급될 수 있다. 이때, 제 1 기판(310)이 대형인 경우나 소형인 경우가 서로 유사하므로 이하에서는 설명의 편의를 위하여 하나의 제 1 기판(310)을 사용하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제 1 기판(310)은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제 1 기판(310)은 원형이나 사각형, 다각형 형태로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 기판(310)이 사각형인 경우를 중심으로 설명하기로 한다.
사각형 형태의 제 1 기판(310)은 네 부분의 테두리 중 적어도 하나의 테두리가 모따기 형태로 상기와 유사하게 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제 1 기판(310)의 네 테두리 모두 모따기 형태로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같이 모따기가 형성된 제 1 기판(310)이 준비되면, 제 1 기판(310) 상에 버퍼층(322), 활성층(323), 게이트 절연층(324), 게이트 전극(325), 층간 절연층(326), 소스 전극(327a), 드레인 전극(327b), 패시베이션막(321), 화소 정의막(329), 화소 전극(328a)을 순차적으로 적층할 수 있다. 이때, 상기와 같이 적층하는 방법은 일반적인 디스플레이 장치의 제조방법과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 각 층이 적층된 후 화소 정의막(329) 상에 형성되는 픽셀부분에 파인 메탈 마스크(Fine metal mask) 공정 및 레이저 열전사(Liti, Laser Induced Thermal Imagin) 공정으로 상기 유기 발광층을 화소 전극(328a) 상에 형성할 수 있다. 이때, 상기 유기 발광층은 상기에서 설명한 다른 층과 함께 형성될 수 있으며, 별도로 형성될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 유기 발광층이 별도로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같이 유기 발광층이 형성되는 경우, 우선 청색 유기 발광층을 상기 파인 메탈 마스크 공정으로 화소 전극(328a) 상에 증착할 수 있다. 또한, 상기와 같이 상기 청색 유기 발광층이 형성된 후 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 형성할 수 있다. 이때, 상기 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층 중 적어도 하나는 레이저 열전사 공정을 통하여 화소 전극(328a) 상에 증찰될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 녹색 유기 발광층 및 상기 적색 유기 발광층 모두 레이저 열전사 공정을 통하여 전사되는 경우를 중심으로 설명하고, 상기 녹새색 유기 발광층을 먼저 증착한 후 적색 유기 발광층을 전사하는 순서를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
구체적으로 상기 녹색 유기 발광층을 형성하기 위하여 우선 상부필름(340)을 준비할 수 있다. 이때, 상부필름(340)은 상기와 같이 베이스 필름(341)을 준비한 후 베이스 필름(341) 상에 상기 녹색 유기 발광층이 패터닝된 전사층(343)을 증착하여 형성할 수 있다. 이때, 베이스 필름(341)과 전사층(343) 사이에는 광-열변환층(342)을 형성하는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상부필름(340)이 베이스 필름(341), 광-열변환층(342) 및 전사층(343)으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같은 광원에서 방출된 빛은 베이스 필름(341) 상의 광-열변환층(342)에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 변환된 열에너지는 광-열변환층(342), 전사층(343) 및 제 1 기판(310) 사이의 접착력(adhesion force)의 변화를 가져와, 광-열변환층(342) 상에 형성된 전사층(343)을 이루는 물질이 제 1 기판(310) 상으로 전사되면서, 제 1 기판(310) 상에 유기 발광층이 패터닝된다.
상기와 같이 상부필름(340)이 준비하는 동시에 하부필름(350)을 준비하여 하부필름(350) 상에 제 1 기판(310)을 안착시킬 수 있다. 이때, 상부필름(340)은 제 1 기판(310) 상에 배치할 수 있다.
상기와 같이 배치가 완료되면, 상부필름(340)과 하부필름(350)을 벤트(Vent) 공정을 통하여 서로 라미네이션(Lamination)할 수 있다. 이때, 상부필름(340)과 하부필름(350)은 제 1 기판(310)보다 크기가 크게 형성되어 제 1 기판(310)의 외곽부분에서 서로 접합할 수 있다.
상기와 같이 상부필름(340)과 하부필름(350)을 접착하는 경우 제 1 기판(310)의 테두리 부분에 형성된 모따기 형상에 의하여 하부필름(350)이 절곡될 수 있다. 반면 상부필름(340)은 제 1 기판(310)의 상면과 같이 일직선 형태로 배치될 수 있다.
특히 종래의 상부필름과 하부필름을 합착하는 경우 제 1 기판의 테두리 부분은 모따기 형상이 형성되지 않으므로 상부필름과 하부필름이 제 1 기판의 테두리 부분에서 완전히 밀착하지 않을 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예들에 따르면, 제 1 기판(310)의 테두리 부분에서 상부필름(340)과 하부필름(350)이 완전히 밀착함으로써 외부의 충격 등에 의하여 서로 분리되는 것이 방지될 수 있다.
한편, 상기와 같이 상부필름(340)과 하부필름(350)의 접착이 완료되면, 상부필름(340)의 상부에서 레이저를 조사하여 상기 녹색 유기 발광층을 화소 전극(328a) 상에 전사시킬 수 있다.
상기와 같이 열전사가 완료되면, 상부필름(340)과 하부필름(350)을 제 1 기판(310)으로부터 분리할 수 있다. 이때, 상부필름(340)과 하부필름(350)을 제거하는 방법은 일반적으로 레이저 열전사 공정을 수행하는 경우와 유사하므로 상세히 설명하기로 한다.
상기의 과정이 완료되면, 상기 적색 유기 발광층을 상기와 유사한 과정으로 전사시킬 수 있다.
한편, 상기와 같이 상기 녹색 유기 발광층 및 상기 적색 유기 발광층의 적층이 완료되면, 화소 정의막(329) 상에 대향 전극(미도시)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 대향 전극을 형성하는 방법은 일반적인 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기의 작업이 완료되면, 제 1 기판(310)과 상기 봉지부를 실링할 수 있다. 이때, 상기 봉지부를 실링하는 방법은 상기에서 설명한 바와 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 제 1 기판(310)이 복수개 구비되는 상기 원장기판에 상기의 작업을 진행한 후 각 제 1 기판(310)을 서로 분리하여 상기 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. 이때, 각 제 1 기판(310)을 서로 분리하는 방법은 일반적인 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
따라서 상기 디스플레이 장치의 제조방법은 상부필름(340)과 하부필름(350)을 테두리 부분에서 완전히 접합시킴으로써 상부필름(340)과 하부필름(350)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 디스플레이 장치의 제조방법은 일반적인 제 1 기판(310)의 두께로 인한 상부필름(340)과 하부필름(350)의 비접착 영역을 제거함으로써 제 1 기판(310)의 유동을 방지하여 유기 발광층의 정확한 위치에 전사시킬 수 있다.
특히 상기 디스플레이 장치는 유기 발광층이 정확한 위치에 전사됨으로써 상기 디스플레이 장치의 휘도 및 재현성을 향상시킬 수 있다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되었지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위에는 본 발명의 요지에 속하는 한 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.
100 : 디스플레이 장치
110, 210, 310 : 제 1 기판
121, 221, 321 : 패시베이션막
122, 222, 322 : 버퍼층
123, 223, 323 : 활성층
124, 224, 324 : 게이트 절연층
125, 225, 325 : 게이트 전극
126, 226, 326 : 층간 절연층
127a, 227a, 327a : 소스 전극
127b, 227b, 327b : 드레인 전극
129, 229, 329 : 화소 정의막
140, 240, 340 : 상부필름
150, 250, 350 : 하부필름

Claims (18)

  1. 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 상에 형성되는 발광부; 및
    상기 제 1 기판과 합착하여 상기 발광부를 외부로부터 차단하는 봉지부;를 포함하고,
    상기 제 1 기판의 테두리(Edge)는 적어도 일부분이 모따기(Chamfering)되도록 형성되는 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 테두리는 두께 방향의 단면이 삼각형 형상인 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 테두리는 상기 발광부가 형성된 상기 제 1 기판의 일면으로부터 테두리측으로 모따기되도록 형성되는 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 테두리는 상기 발광부가 형성되지 않은 상기 제 1 기판의 타면으로부터 테두리측으로 모따기되도록 형성되는 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 양면으로부터 상기 제 1 기판의 테두리측으로 상기 제 1 기판의 끝단이 각각 모따기되도록 형성되는 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광부는 유기 발광층을 포함하고,
    상기 유기 발광층은 청색(Blue) 유기 발광층, 적색(Red) 유기 발광층, 녹색(Green) 유기 발광층 및 백색(White) 유기 발광층 중 적어도 하나를 구비하는 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 청색 유기 발광층은 파인 메탈 마스크 공정으로 형성되는 디스플레이 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 적색 유기 발광층 및 상기 녹색 유기 발광층 중 적어도 하나는 레이저 열전사 공정으로 형성되는 디스플레이 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 백색 유기 발광층은 상기 청색 유기 발광층, 상기 적색 유기 발광층 및 상기 녹색 유기 발광층이 적층되어 형성되는 디스플레이 장치.
  10. 제 1 기판을 준비한 후 상기 제 1 기판의 테두리(Edge)를 모따기하는 단계;
    상기 각 제 1 기판 상에 버퍼층, 활성층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 페시베이션막, 화소 정의막, 화소 전극을 순차적으로 적층하는 단계; 및
    상기 화소 정의막 상에 형성되는 픽셀부분에 파인 메탈 마스크 공정 및 레이저 열전사 공정을 통하여 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 테두리는 연마(Polishing)를 통하여 모따기되는 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 유기 발광층을 형성하는 단계는,
    청색 유기 발광층을 파인 메탈 마스크 공정으로 상기 화소 전극 상에 증착하는 단계; 및
    녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 레이저 열전사 공정으로 상기 화소 전극 상에 전사하는 단계;를 구비하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 레이저 열전사 공정은 상기 녹색 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 전사한 후 상기 적색 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 증착하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 레이저 열전사 공정으로 상기 화소 전극 상에 전사하는 단계는,
    하부필름 위에 상기 제 1 기판을 안착시키는 단계;
    베이스 필름 상에 적색 유기 발광층 또는 녹색 유기 발광층이 패터닝된 전사층을 증착하여 상부필름을 준비하는 단계;
    상기 도너필름을 상기 제 1 기판 상에 배치한 후 상기 하부필름과 상기 상부필름을 벤트(Vent) 공정을 통해 라미네이션(Lamination)하는 단계; 및
    상기 상부필름에 레이저를 조사하여 상기 적색 유기 발광층 또는 녹색 유기 발광층을 상기 화소 전극 상에 전사시키는 단계;를 구비하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 레이저 열전사 공정으로 상기 화소 전극 상에 전사하는 단계는,
    레이저 조사가 완료된 후 상기 상부필름 및 상기 하부필름을 제거하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 유기 발광층이 형성된 상기 화소 정의막 상에 대향 전극을 형성하고, 봉지부로 봉지하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 커팅하여 상기 각 제 1 기판을 서로 분리하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 유기 발광층을 형성하는 단계는 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 적색 유기 발광층을 증착하거나 전사하여 백색 유기 발광층을 형성하는 단계;를 구비하는 디스플레이 장치의 제조방법.
KR1020120143834A 2012-12-11 2012-12-11 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 KR20140075467A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120143834A KR20140075467A (ko) 2012-12-11 2012-12-11 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
TW102132299A TW201423978A (zh) 2012-12-11 2013-09-06 顯示裝置及其製造方法
CN201310412406.6A CN103872074A (zh) 2012-12-11 2013-09-11 显示装置以及其制造方法
US14/037,242 US20140159078A1 (en) 2012-12-11 2013-09-25 Display device and method of manufacturing the same
US14/998,100 US20160225996A1 (en) 2012-12-11 2015-12-23 Display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120143834A KR20140075467A (ko) 2012-12-11 2012-12-11 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140075467A true KR20140075467A (ko) 2014-06-19

Family

ID=50879996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120143834A KR20140075467A (ko) 2012-12-11 2012-12-11 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20140159078A1 (ko)
KR (1) KR20140075467A (ko)
CN (1) CN103872074A (ko)
TW (1) TW201423978A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9595690B2 (en) 2015-07-21 2017-03-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9660218B2 (en) 2009-09-15 2017-05-23 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
JP6474337B2 (ja) * 2015-08-27 2019-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN108123053A (zh) 2016-11-29 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 发光器件和显示装置
CN110943066A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 联华电子股份有限公司 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法
KR20200109422A (ko) 2019-03-12 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3550299A (en) * 1968-08-05 1970-12-29 Theodore Salz Display mount for pictures and other articles
US5631057A (en) * 1995-05-05 1997-05-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Simulated beveled glass applique
KR100611767B1 (ko) * 2004-08-30 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법
US8395746B2 (en) * 2006-01-31 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
FR2899954B1 (fr) * 2006-04-13 2008-06-06 Saint Gobain Panneau lumineux
KR100796615B1 (ko) * 2006-12-22 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR100889677B1 (ko) * 2007-06-19 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100839754B1 (ko) * 2007-08-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20110049578A (ko) * 2009-11-05 2011-05-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시장치
KR101156437B1 (ko) * 2010-01-27 2012-07-03 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9595690B2 (en) 2015-07-21 2017-03-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US9917275B2 (en) 2015-07-21 2018-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US10340474B2 (en) 2015-07-21 2019-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US10833288B2 (en) 2015-07-21 2020-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201423978A (zh) 2014-06-16
US20140159078A1 (en) 2014-06-12
CN103872074A (zh) 2014-06-18
US20160225996A1 (en) 2016-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107958924B (zh) 具有柔性基板的有机发光显示装置
KR100563057B1 (ko) 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
CN105609530B (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法和电子装置
EP2804231B1 (en) Organic light-emitting diode display, an electronic device including the same, and method of manufacturing said organic light-emitting diode display
US9166191B2 (en) Display device, method of manufacturing the display device and carrier substrate for manufacturing display device
US10090184B2 (en) Carrier substrate, method of manufacturing the same, and method of manufacturing flexible display device using the carrier substrate
CN100595931C (zh) 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜
US9178178B2 (en) Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display
US9806285B2 (en) Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
US20080238302A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
US8070546B2 (en) Laser irradiation apparatus for bonding and method of manufacturing display device using the same
KR20150052645A (ko) 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
US20160225996A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20130107883A (ko) 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR20120127905A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9184224B2 (en) Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
KR20140109181A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9444073B2 (en) Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
KR20140095795A (ko) 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제조방법
KR101550709B1 (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판을 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20160125597A (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판 및 이를 채용한 유기 발광 디스플레이 장치
KR20060051112A (ko) 자발광 패널의 제조 방법
KR100683715B1 (ko) 평판 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid