CN108123053A - 发光器件和显示装置 - Google Patents
发光器件和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108123053A CN108123053A CN201611090179.XA CN201611090179A CN108123053A CN 108123053 A CN108123053 A CN 108123053A CN 201611090179 A CN201611090179 A CN 201611090179A CN 108123053 A CN108123053 A CN 108123053A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- source
- luminescent device
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 245
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光器件和显示装置。该发光器件包括衬底基板和设置于所述衬底基板上方的有源层、栅极层、源漏极层、第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述有机材料层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第二电极层位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层位于所述源漏极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层和所述源漏极层位置对应设置，所述源漏极层的宽度大于或等于所述第一电极层的宽度，所述源漏极层和所述第二电极层之间形成谐振腔。本发明提供的发光器件和显示装置增加了谐振腔的腔长，减弱了谐振腔效应，从而实现了宽光谱发射，提高了发光器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种发光器件和显示装置。
背景技术
随着显示技术的迅速发展，有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)在材料合成、器件制备以及工艺集成方面都有了质的飞跃。OLED具有高效率、高亮度、高对比度、低功耗、响应速度快、可实现柔性显示等诸多优点，可以说，OLED将成为下一代主流平板显示技术最有力的竞争者。特别是在有源矩阵显示领域，OLED为实现高分辨率、大面积、低功耗的显示器件开辟了新的出路。
为了提高有源矩阵有机电致发光器件(Active-matrix Organic Light EmittingDiode，简称AMOLED)的开口率，AMOLED通常采用顶发射的结构。顶发射有机电致发光器件(Top Emitting Organic Light Emitting Diode，简称TEOLED)具有较强的微腔效应，因此对发光颜色具有较强的选择性，这样虽有利于提高色纯度和亮度，但会使发射光谱窄化，难于实现宽谱发射。因此白光顶发射有机电致发光器件(Top Emitting White-lightOrganic Light Emitting Diode，简称TEWOLED)的制备是OLED研究中的一个难点。
在现有技术的TEWOLED中，阳极与阴极之间形成谐振腔，由于阳极与阴极之间形成的谐振腔的腔长较短，导致了光的干涉增强，造成谐振腔效应增强，从而导致发射光的光谱窄化，降低了OLED的性能。
发明内容
本发明提供一种发光器件和显示装置，用于减弱发光器件中的谐振腔效应，从而实现发光器件的宽光谱发射，提高发光器件的性能。
为实现上述目的，本发明提供了一种发光器件，包括衬底基板和设置于所述衬底基板上方的有源层、栅极层、源漏极层、第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述有机材料层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第二电极层位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层位于所述源漏极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层和所述源漏极层位置对应设置，所述源漏极层的宽度大于或等于所述第一电极层的宽度，所述源漏极层和所述第二电极层之间形成谐振腔。
优选地，所述谐振腔的光程不等于k*2πλ，其中，k为正整数，λ为发射光的波长。
优选地，还包括：平坦化层和钝化层，所述平坦化层和所述钝化层位于所述源漏极层和所述第一电极层之间。
优选地，所述谐振腔的光程等于所述平坦化层的厚度与所述平坦化层的折射率的乘积、所述钝化层的厚度与所述钝化层的折射率的乘积、所述第一电极层的厚度与所述第一电极层的折射率的乘积、所述有机材料层的厚度与所述有机材料层的折射率的乘积之和。
优选地，所述源漏极层的材料为Mo或Ni。
优选地，所述第一电极层的材料为透明导电材料。
优选地，根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述源漏极层的厚度范围为至
优选地，所述第一电极层的厚度范围为至
优选地，所述平坦化层的厚度范围为至
本发明还提供了一种显示装置，包括上述发光器件。
本发明的有益效果：
本发明所提供的发光器件和显示装置中，源漏极层和第二电极层之间形成谐振腔，第一电极层和源漏极层位置对应设置，且源漏极层的宽度大于或等于第一电极层的宽度，从而增加了谐振腔的腔长，减弱了谐振腔效应，从而实现了宽光谱发射，提高了发光器件的性能。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的发光器件中的有机材料层的结构示意图；
图3为本发明实施例一提供的发光器件的光谱示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的发光器件和显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种发光器件的结构示意图，如图1所示，该发光器件包括衬底基板1和设置于衬底基板1上方的有源层3、栅极层5、源漏极层7、第一电极层10、有机材料层11和第二电极层12，有机材料层11位于第一电极层10和第二电极层12之间，第二电极层12位于第一电极层10的远离衬底基板1的一侧，第一电极层10位于源漏极层7的远离衬底基板1的一侧，第一电极层10和源漏极层7位置对应设置，源漏极层7的宽度大于或等于第一电极层10的宽度，源漏极层7和第二电极层12之间形成谐振腔。
本实施例中，第一电极层10为阳极，第二电极层12为阴极。
本实施例中，优选地，源漏极层7的宽度等于第一电极层10的宽度。
本实施例中，第二电极层12的宽度等于第一电极层10的宽度。
图2为图1中有机材料层的结构示意图，如图2所示，具体地，该有机材料层11包括：在第一电极层10之上依次设置的第一空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)111、第二空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)112、红光发光层(Red EmittingMaterial Layer，简称R-EML)113、绿光发光层(Green Emitting Material Layer，简称G-EML)114、第一电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)115、第一电荷产生层(Charge Generating Layer，简称CGL)116、第三空穴注入层117、空穴传输层(HoleTransport Layer，简称HTL)118、蓝光发光层(Blue Emitting Material Layer，简称B-EML)119、第二电子传输层120和第二电荷产生层121。
进一步地，该发光器件还包括缓冲层2，缓冲层2位于衬底基板1之上，有源层3位于缓冲层2之上。
进一步地，该发光器件还包括栅极绝缘层4，栅极绝缘层4位于有源层3之上且覆盖衬底基板1，栅极层5位于栅极绝缘层4之上。
进一步地，该发光器件还包括层间绝缘层6，层间绝缘层6位于栅极层5之上且覆盖衬底基板1，源漏极层7位于层间绝缘层6之上。
进一步地，该发光器件还包括保护层13，保护层位于第二电极层12之上且覆盖衬底基板1。
进一步地，该发光器件还包括：平坦化层8和钝化层9，平坦化层8和钝化层9位于源漏极层7和第一电极层10之间。具体地，平坦化层8位于源漏极层7之上，钝化层9位于平坦化层8之上，第一电极层10位于钝化层9之上。
本实施例中，在层间绝缘层6与栅极绝缘层4中设置有第一过孔14，具体地，第一过孔14位于有源层3之上以暴露出部分有源层3。部分源漏极层7填充于第一过孔14中以实现与有源层3连接。
本实施例中，在钝化层9与平坦化层8中设置有第二过孔15，具体地，第二过孔15位于源漏极层7之上以暴露出部分源漏极层7。部分第一电极层10填充于第二过孔15以实现与源漏极层7连接。
本实施例中，源漏极层7的材料为Mo或Ni，优选地，源漏极层7的材料为Mo。由于Mo或Ni的反射率较低，因此可以进一步地减弱发光器件的谐振腔效应。本实施例中，可选地，源漏极层7的结构还可以为三层结构，该三层结构的材料依次为Ti/Al/Ti。
第一电极层10的材料为透明导电氧化物材料，优选地，第一电极层10的材料为ITO。由于第一电极层10的材料采用透明导电氧化物材料，从而进一步降低了第一电极层10的反射率，进一步减弱了发光器件的谐振腔效应。
平坦化层8的材料可采用折射率较低的聚合物材料，优选地，平坦化层8的材料为聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，简称PDMS)。采用折射率较低的聚合物材料作为平坦化层可以进一步降低源漏极层7的折射率，从而得到一个反射率较低的金属反射面，减弱了发光器件的谐振腔效应。
钝化层9的材料为SiNx。
第二电极层12的材料为镁银合金(Mg：Ag)。由于第二电极层12采用Mg：Ag材料，因此在制备工艺过程中，无需采用溅射技术形成第二电极层12，避免了溅射技术对第二电极层12下方的有机材料层11的破坏，从而简化了制备工艺，提高了器件的效率、寿命以及成品率。
本实施例中，缓冲层2的厚度范围为至优选地，缓冲层2的厚度为
本实施例中，有源层3的厚度范围为至优选地，有源层3的厚度为
本实施例中，栅极绝缘层4的厚度范围为至优选地，栅极绝缘层4的厚度为
本实施例中，栅极层5的厚度范围为至优选地，栅极层5的厚度为
本实施例中，层间绝缘层6的厚度范围为至优选地，层间绝缘层6的厚度为
本实施例中，源漏极层7的厚度范围为至优选地，所述源漏极层7的厚度为
本实施例中，平坦化层8的厚度范围为至优选地，平坦化层8的厚度为
本实施例中，钝化层9的厚度范围为至优选地，钝化层9的厚度为
本实施例中，第一电极层10的厚度范围为至优选地，第一电极层10的厚度为
本实施例中，优选地，第一空穴注入层111的厚度为第二空穴注入层112的厚度为红光发光层113的厚度为绿光发光层114的厚度为第一电子传输层115的厚度为第一电荷产生层116的厚度为第三空穴注入层117的厚度为空穴传输层118的厚度为蓝光发光层119的厚度为第二电子传输层120的厚度为第二电荷产生层121的厚度为
本实施例中，优选地，平坦化层8的折射率为1.5，钝化层9的折射率为2.0，第一电极层10的折射率为1.8，有机材料层中各层结构的折射率均为1.8。
本实施例中，平坦化层8还可以包括多个子平坦化层，各层子平坦化层的折射率不同。优选地，各层子平坦化层的折射率的大小呈阶梯式变化或线性变化。在实际应用中，其余层也可包括多个子层，其余层的各子层的折射率的大小也可呈阶梯式变化或线性变化，此处不再赘述。
本实施例中，优选地，谐振腔的光程不等于k*2πλ，其中，k为正整数，λ为发射光的波长，使得发射光在源漏极层7与第二电极层12之间往返光程的相位变化不等于2π的整数倍，从而有效减弱了发光器件的谐振腔效应。
具体地，谐振腔的光程等于平坦化层8的厚度与平坦化层8的折射率的乘积、钝化层9的厚度与钝化层9的折射率的乘积、第一电极层10的厚度与第一电极层10的折射率的乘积、有机材料层11的厚度与有机材料层11的折射率的乘积之和。
具体地， 其中，DPLN8为平坦化层8的厚度，NPLN8为平坦化层8的折射率，DPVX9为钝化层9的厚度，NPVX9为钝化层9的折射率DIT010为第一电极层10的厚度，NITO10为第一电极层10的折射率，DHIL111为第一空穴注入层111的厚度，NHIL111为第一空穴注入层111的折射率，DHIL112为第二空穴注入层112的厚度，NHIL112为第二空穴注入层112的折射率，DREML113为红光发光层113的厚度，NREML113为红光发光层113的折射率，DGEML114为绿光发光层114的厚度，NGEML114为绿光发光层114的折射率，DETL115为第一电子传输层115的厚度，NETL115为第一电子传输层115的折射率，DCGL116为第一电荷产生层116的厚度，NCGL116为第一电荷产生层116的折射率，DHIL117为第三空穴注入层117的厚度，NHIL117为第三空穴注入层117的折射率，DHTL118为空穴传输层118的厚度，NHTL118为空穴传输层118的折射率，DBEML119为蓝光发光层119的厚度，NBEML119为蓝光发光层119的折射率，DETL120为第二电子传输层120的厚度，NETL120为第二电子传输层120的折射率，DCGL121为第二电荷产生层121的厚度，NCGL121为第二电荷产生层121的折射率，k为正整数，λ为发射光的波长。
本实施例中，若平坦化层8包括多个子平坦化层，平坦化层8的厚度与平坦化层8的折射率的乘积等于各子平坦化层的厚度与各子平坦化层的折射率的乘积之和。若本实施例中的发光器件的其余层也包括多个子层，其余层的厚度与折射率的乘积等于各子层的厚度与各子层的折射率的乘积之和，此处不再赘述。
本实施例中，通过设置各层结构的材料的折射率和设置在源漏极层7与第二电极层12之间的各层结构的厚度，使得谐振腔的光程不等于k*2πλ。由于谐振腔的光程不等于k*2πλ，即发射光在源漏极层7与第二电极层12之间往返光程的相位变化不等于2π的整数倍，使得光的干涉得不到增强，从而有效减弱了发光器件的谐振腔效应。
图3为图1中发光器件的光谱示意图，如图3所示，本实施例中发光器件的发射光谱与现有技术中发光器件的发射光谱相比，由于本实施例中发光器件的谐振腔腔长较长且谐振腔效应较弱，因此本实施例中发光器件的发射光谱更宽。本发明在减弱谐振腔效应的基础上，提供了全波段光谱稳定的发光器件，实现了宽谱发射。
本实施例所提供的发光器件中，源漏极层和第二电极层之间形成谐振腔，第一电极层和源漏极层位置对应设置，且源漏极层的宽度大于或等于第一电极层的宽度，从而增加了谐振腔的腔长，减弱了谐振腔效应，从而实现了宽光谱发射，提高了发光器件的性能；本实施例中，第一电极层采用透明导电氧化物材料，从而降低了第一电极层的反射率，进一步减弱了谐振腔的效应；第二电极层采用金属材料，无需采用溅射技术形成第二电极层，避免了溅射技术对第二电极层下方的有机材料层的破坏，从而简化了制备工艺，提高了器件的效率、寿命以及成品率；通过设置在源漏极层与第二电极层之间的各层厚度和设置各层结构的折射率，使得谐振腔的光程不等于k*2πλ，因此发射光在第二电极层和源漏电极层之间的往返光程的相位变化不是2π的整数倍，从而使得光的干涉效果得不到增强，进一步减弱了所述发光器件的谐振腔效应。
本发明实施例二提供了一种发光器件，本实施例提供的发光器件与上述实施例一的区别在于，本实施例提供的发光器件不包括钝化层，平坦化层位于源漏极层和第一电极层之间。具体地，平坦化层位于源漏极层之上，第一电极层位于平坦化层之上。本实施例中，在平坦化层形成第二过孔以暴露出部分源漏极层，部分第一电极层填充于第二过孔以实现与源漏极层连接。
对本实施例中发光器件的其余描述可参见上述实施例一，此处不再赘述。
本发明实施例三提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例一或者实施例二提供的发光器件，此处不再赘述。
本实施例中，优选地，该发光器件可以为白色发光器件，该白色发光器件可以为TEWOLED，则该显示装置还包括彩色滤光膜，彩色滤光膜位于发光器件的出光面之上。具体地，发光器件的出光面上设置有封装层，彩色滤光膜位于封装层上。
本发明实施例提供的显示装置中，源漏极层和第二电极层之间形成谐振腔，第一电极层和源漏极层位置对应设置，且源漏极层的宽度大于或等于第一电极层的宽度，从而增加了谐振腔的腔长，减弱了谐振腔效应，从而实现了宽光谱发射，提高了发光器件的性能；本实施例中，第一电极层采用透明导电氧化物材料，从而降低了第一电极层的反射率，进一步减弱了谐振腔的效应；第二电极层采用金属材料，无需采用溅射技术形成第二电极层，避免了溅射技术对第二电极层下方的有机材料层的破坏，从而简化了制备工艺，提高了器件的效率、寿命以及成品率；通过设置在源漏极层与第二电极层之间的各层厚度和设置各层结构的折射率，使得谐振腔的光程不等于k*2πλ，因此发射光在第二电极层和源漏电极层之间的往返光程的相位变化不是2π的整数倍，从而使得光的干涉效果得不到增强，进一步减弱了发光器件的谐振腔效应；本实施例提供的显示装置，实现了发光器件的宽光谱发射，提高了发光器件和显示装置的性能。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光器件，包括衬底基板和设置于所述衬底基板上方的有源层、栅极层、源漏极层、第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述有机材料层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第二电极层位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，其特征在于，所述第一电极层位于所述源漏极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层和所述源漏极层位置对应设置，所述源漏极层的宽度大于或等于所述第一电极层的宽度，所述源漏极层和所述第二电极层之间形成谐振腔。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述谐振腔的光程不等于k*2πλ，其中，k为正整数，λ为发射光的波长。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：平坦化层和钝化层，所述平坦化层和所述钝化层位于所述源漏极层和所述第一电极层之间。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述谐振腔的光程等于所述平坦化层的厚度与所述平坦化层的折射率的乘积、所述钝化层的厚度与所述钝化层的折射率的乘积、所述第一电极层的厚度与所述第一电极层的折射率的乘积、所述有机材料层的厚度与所述有机材料层的折射率的乘积之和。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述源漏极层的材料为Mo或Ni。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层的材料为透明导电材料。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述源漏极层的厚度范围为至
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层的厚度范围为至
9.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述平坦化层的厚度范围为至
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至9任一所述的发光器件。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611090179.XA CN108123053A (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 发光器件和显示装置 |
| EP17832898.5A EP3549184A4 (en) | 2016-11-29 | 2017-08-08 | HIGH EMISSION TYPE ORGANIC LIGHT DIODES DISPLAY SUBSTRATE, HIGH EMISSION TYPE ORGANIC LIGHT DIODES DISPLAY SUBSTRATE, AND PROCESS FOR FORMING A HIGH EMISSION TYPE ORGANIC LIGHT DIODES DISPLAY SUBSTRATE |
| US15/741,738 US10468474B2 (en) | 2016-11-29 | 2017-08-08 | Top-emission type organic light emitting diode display substrate |
| JP2018512381A JP7220564B2 (ja) | 2016-11-29 | 2017-08-08 | トップエミッション型ｏｌｅｄ表示基板、トップエミッション型ｏｌｅｄ表示装置、及びトップエミッション型ｏｌｅｄ表示基板の製造方法 |
| KR1020187002013A KR102058053B1 (ko) | 2016-11-29 | 2017-08-08 | 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치, 및 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법 |
| PCT/CN2017/096405 WO2018099124A1 (en) | 2016-11-29 | 2017-08-08 | Top-emission type organic light emitting diode display substrate, top-emission type organic light emitting diode display apparatus, and method of forming top-emission type organic light emitting diode display substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611090179.XA CN108123053A (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 发光器件和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108123053A true CN108123053A (zh) | 2018-06-05 |
Family
ID=62225721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611090179.XA Pending CN108123053A (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 发光器件和显示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10468474B2 (zh) |
| EP (1) | EP3549184A4 (zh) |
| JP (1) | JP7220564B2 (zh) |
| KR (1) | KR102058053B1 (zh) |
| CN (1) | CN108123053A (zh) |
| WO (1) | WO2018099124A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6901382B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2021-07-14 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示パネル |
| TWI694627B (zh) * | 2019-03-25 | 2020-05-21 | 光磊科技股份有限公司 | 正面發射型發光二極體元件 |
| CN112164753B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件及其制备方法、显示基板及显示装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004053816A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置およびその作製方法 |
| US7109655B2 (en) * | 2002-12-26 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP4716699B2 (ja) | 2003-09-30 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP4946003B2 (ja) | 2005-10-26 | 2012-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電気光学装置の製造方法 |
| CN101188246A (zh) | 2006-11-15 | 2008-05-28 | 群康科技(深圳)有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管及其制造方法 |
| JP2008310974A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| KR101475066B1 (ko) * | 2007-12-12 | 2014-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| JP5117326B2 (ja) | 2008-08-29 | 2013-01-16 | 富士フイルム株式会社 | カラー表示装置及びその製造方法 |
| KR101520489B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2015-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 |
| TWI589042B (zh) * | 2010-01-20 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法 |
| KR20140075467A (ko) | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 |
| JP2014222592A (ja) | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP6286941B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2018-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 |
| CN103500752A (zh) | 2013-09-27 | 2014-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled像素结构和oled显示装置 |
| KR102226726B1 (ko) | 2014-09-30 | 2021-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| JP6332019B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
| CN105097874B (zh) * | 2015-06-01 | 2019-02-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种oled显示器件及其制作方法、显示装置 |
| TWI601301B (zh) * | 2015-07-31 | 2017-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 光學偵測裝置及其製作方法 |
| CN206194792U (zh) | 2016-11-29 | 2017-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件和显示装置 |
-
2016
- 2016-11-29 CN CN201611090179.XA patent/CN108123053A/zh active Pending
-
2017
- 2017-08-08 KR KR1020187002013A patent/KR102058053B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-08 JP JP2018512381A patent/JP7220564B2/ja active Active
- 2017-08-08 EP EP17832898.5A patent/EP3549184A4/en active Pending
- 2017-08-08 US US15/741,738 patent/US10468474B2/en active Active
- 2017-08-08 WO PCT/CN2017/096405 patent/WO2018099124A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102058053B1 (ko) | 2019-12-20 |
| US20190081120A1 (en) | 2019-03-14 |
| JP7220564B2 (ja) | 2023-02-10 |
| EP3549184A4 (en) | 2020-09-30 |
| JP2019536192A (ja) | 2019-12-12 |
| EP3549184A1 (en) | 2019-10-09 |
| WO2018099124A1 (en) | 2018-06-07 |
| US10468474B2 (en) | 2019-11-05 |
| KR20180082418A (ko) | 2018-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2939284B1 (en) | Organic light emitting element, organic light emitting display device, and method of manufacturing the organic light emitting display device | |
| US9705084B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| US8766282B2 (en) | Organic light emitting display with luminescent layers having varying thicknesses to improve color reproducibility | |
| US8358060B2 (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing the same | |
| KR102107566B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US8716931B2 (en) | Organic light emitting diode (OLED) display | |
| CN105762299A (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
| KR20240044541A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2009026574A (ja) | 表示装置 | |
| Fan et al. | Three-peak top-emitting white organic emitting diodes with wide color gamut for display application | |
| CN108029178A (zh) | 有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置 | |
| JP4479171B2 (ja) | 表示素子 | |
| KR20140080812A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| CN108123053A (zh) | 发光器件和显示装置 | |
| US8878168B2 (en) | Organic light-emitting display device with improved color property | |
| JP2005011734A (ja) | 表示素子および表示装置 | |
| US10862063B2 (en) | Electroluminescent device, display panel and display apparatus | |
| CN206194792U (zh) | 发光器件和显示装置 | |
| JP6872244B2 (ja) | 表示装置 | |
| US11469391B2 (en) | Light-emitting device and display apparatus including the same | |
| KR101877441B1 (ko) | 유기발광다이오드표시장치 | |
| CN203225281U (zh) | 一种光谱随视角变化甚微的微腔结构倒置型顶发射有机电致发光器件 | |
| CN103500801B (zh) | 顶发光蓝光有机发光二极管及其制造方法 | |
| KR101888157B1 (ko) | 유기발광다이오드표시장치 | |
| Wang et al. | Improved performance of mixed single layer top-emission organic light emitting devices using capping layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |