JP7220564B2 - トップエミッション型oled表示基板、トップエミッション型oled表示装置、及びトップエミッション型oled表示基板の製造方法 - Google Patents
トップエミッション型oled表示基板、トップエミッション型oled表示装置、及びトップエミッション型oled表示基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7220564B2 JP7220564B2 JP2018512381A JP2018512381A JP7220564B2 JP 7220564 B2 JP7220564 B2 JP 7220564B2 JP 2018512381 A JP2018512381 A JP 2018512381A JP 2018512381 A JP2018512381 A JP 2018512381A JP 7220564 B2 JP7220564 B2 JP 7220564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- drain electrode
- oled display
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 228
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 39
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 29
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
Claims (14)
- 白色光を発光する白色発光表示基板であり、複数のサブピクセル領域を有するトップエミッション型OLED表示基板と、
前記トップエミッション型OLED表示基板の発光面に対向するカラーフィルタ基板と、を備えたOLED表示装置であって、
前記複数のサブピクセル領域の各々において、前記トップエミッション型OLED表示基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板に形成され、反射電極であるドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記ドレイン電極の前記ベース基板から離間する側に形成された平坦化層であって、前記平坦化層は、複数のサブ層を含み、前記平坦化層の前記複数のサブ層の屈折率は、前記平坦化層が前記ベース基板から離れるほど厚さ方向に沿って段階状に減少する、平坦化層と、
前記ドレイン電極の前記ベース基板から離間する側に形成されたOLEDと、を備え、
前記OLEDは、
前記ドレイン電極の前記ベース基板から離間する側に形成され、実質的に透明な電極であり、前記ドレイン電極に電気的に接続される第1の電極と、
前記第1の電極の前記ドレイン電極から離間する側に形成され、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層が積層された有機層と、
前記有機層の前記第1の電極から離間する側に形成され、実質的に透明な電極である第2の電極と、を有し、
前記ドレイン電極及び前記第2の電極は、マイクロキャビティ構造を形成し、
前記マイクロキャビティ構造の光学距離は、前記ドレイン電極と前記第2の電極との間の各層の光路長の合計と等しく、前記光路長は、光が通過する前記各層の屈折率と光が通過する前記各層の厚さとの積であり、
前記光学距離は前記赤色発光層から発光される赤色光の波長、前記緑色発光層から発光される緑色光の波長、前記青色発光層から発光される青色光の波長の非整数倍であり、前記赤色光、前記緑色光、及び前記青色光の波長が300nm-900nmの範囲にあり、
前記ドレイン電極の前記ベース基板における正射影は、前記有機層の発光領域の前記ベース基板における正射影を覆うことを特徴とするOLED表示装置。 - 前記ドレイン電極の前記ベース基板における正射影は、前記有機層の発光領域の前記ベース基板における正射影と重なることを特徴とする請求項1に記載のOLED表示装置。
- 前記ドレイン電極の前記ベース基板における正投影は、前記第1の電極の前記ベース基板における正投影を覆うことを特徴とする請求項1に記載のOLED表示装置。
- 前記ドレイン電極の前記ベース基板における正射影は、前記第1の電極の前記ベース基板における正投影と重なることを特徴とする請求項3に記載のOLED表示装置。
- 前記平坦化層の前記ドレイン電極から離間する側に形成されたパッシベーション層と、を更に備える、ことを特徴とする請求項1に記載のOLED表示装置。
- 前記マイクロキャビティ構造の光学距離は、前記パッシベーション層、前記平坦化層、前記有機層及び前記第1の電極の光路長の合計と等しいことを特徴とする請求項5に記載のOLED表示装置。
- 前記ドレイン電極は、低反射率の金属材料からなり、前記低反射率の金属材料は、可視光波長範囲の光の反射が80%以下となる金属材料であることを特徴とする請求項1に記載のOLED表示装置。
- 前記ドレイン電極は、モリブデンまたはニッケルからなることを特徴とする請求項7に記載のOLED表示装置。
- 前記第2の電極は、金属材料からなることを特徴とする請求項1に記載のOLED表示装置。
- 前記第2の電極は、マグネシウム:銀合金からなることを特徴とする請求項9に記載のOLED表示装置。
- 前記第1の電極の厚さは、800Å~2000Åの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のOLED表示装置。
- 前記平坦化層の厚さは、10000Å~30000Åの範囲であることを特徴とする請求項5に記載のOLED表示装置。
- 対向するカラーフィルタ基板に向けて白色光を発光する白色発光表示基板であり、複数のサブピクセル領域を有するトップエミッション型OLED表示基板の製造方法であって、
前記複数のサブピクセル領域の各々において、ベース基板上に反射性導電物質からなるドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する工程、
前記ドレイン電極の前記ベース基板から離間する側に平坦化層を形成する工程であって、前記平坦化層は、複数のサブ層を含み、前記平坦化層の前記複数のサブ層の屈折率は、前記平坦化層が前記ベース基板から離れるほど厚さ方向に沿って段階状に減少する、工程、及び、
前記ドレイン電極の前記ベース基板から離間する側にOLEDを形成する工程を有し、
前記OLEDを形成する工程は、
前記ドレイン電極の前記ベース基板から離間する側に、実質的に透明な導電性材料からなり、前記ドレイン電極に電気的に接続される第1の電極を形成するステップ、
前記第1の電極の前記ドレイン電極から離間する側に、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層が積層された有機層を形成するステップ、及び
前記有機層の前記第1の電極から離間する側に、実質的に透明な導電性材料からなる第2の電極を形成するステップを含み、
前記ドレイン電極及び前記第2の電極は、マイクロキャビティ構造を形成し、
前記マイクロキャビティ構造の光学距離は、前記ドレイン電極と前記第2の電極との間の各層の光路長の合計と等しく、前記光路長は、光が通過する前記各層の屈折率と光が通過する前記各層の厚さとの積であり、
前記光学距離は前記赤色発光層から発光される赤色光の波長、前記緑色発光層から発光される緑色光の波長、前記青色発光層から発光される青色光の波長の非整数倍であり、前記赤色光、前記青色光、及び前記緑色光の波長が300nm-900nmの範囲にあり、
前記ドレイン電極の前記ベース基板における正射影は、前記有機層の発光領域の前記ベース基板における正射影を覆うことを特徴とするトップエミッション型OLED表示基板の製造方法。 - 前記第2の電極の形成は、気相堆積工程によって実行されることを特徴とする請求項13に記載のトップエミッション型OLED表示基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611090179.XA CN108123053A (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 发光器件和显示装置 |
CN201611090179.X | 2016-11-29 | ||
PCT/CN2017/096405 WO2018099124A1 (en) | 2016-11-29 | 2017-08-08 | Top-emission type organic light emitting diode display substrate, top-emission type organic light emitting diode display apparatus, and method of forming top-emission type organic light emitting diode display substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019536192A JP2019536192A (ja) | 2019-12-12 |
JP7220564B2 true JP7220564B2 (ja) | 2023-02-10 |
Family
ID=62225721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018512381A Active JP7220564B2 (ja) | 2016-11-29 | 2017-08-08 | トップエミッション型oled表示基板、トップエミッション型oled表示装置、及びトップエミッション型oled表示基板の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10468474B2 (ja) |
EP (1) | EP3549184A4 (ja) |
JP (1) | JP7220564B2 (ja) |
KR (1) | KR102058053B1 (ja) |
CN (1) | CN108123053A (ja) |
WO (1) | WO2018099124A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6901382B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2021-07-14 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示パネル |
TWI694627B (zh) * | 2019-03-25 | 2020-05-21 | 光磊科技股份有限公司 | 正面發射型發光二極體元件 |
CN112164753B (zh) * | 2020-09-28 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件及其制备方法、显示基板及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007121537A (ja) | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電気光学装置の製造方法 |
JP2010056017A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
JP2014222592A (ja) | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US20160035807A1 (en) | 2013-09-27 | 2016-02-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled pixel structure and oled display device |
JP2016122612A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003284470A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and its fabricating method |
US7109655B2 (en) * | 2002-12-26 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP4716699B2 (ja) | 2003-09-30 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
CN101188246A (zh) * | 2006-11-15 | 2008-05-28 | 群康科技(深圳)有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管及其制造方法 |
JP2008310974A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
KR101475066B1 (ko) * | 2007-12-12 | 2014-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
KR101520489B1 (ko) | 2008-09-30 | 2015-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 |
TWI589042B (zh) * | 2010-01-20 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法 |
KR20140075467A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 |
JP6286941B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2018-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 |
KR102226726B1 (ko) | 2014-09-30 | 2021-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
CN105097874B (zh) * | 2015-06-01 | 2019-02-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种oled显示器件及其制作方法、显示装置 |
TWI601301B (zh) * | 2015-07-31 | 2017-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 光學偵測裝置及其製作方法 |
CN206194792U (zh) * | 2016-11-29 | 2017-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件和显示装置 |
-
2016
- 2016-11-29 CN CN201611090179.XA patent/CN108123053A/zh active Pending
-
2017
- 2017-08-08 WO PCT/CN2017/096405 patent/WO2018099124A1/en unknown
- 2017-08-08 JP JP2018512381A patent/JP7220564B2/ja active Active
- 2017-08-08 KR KR1020187002013A patent/KR102058053B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-08 US US15/741,738 patent/US10468474B2/en active Active
- 2017-08-08 EP EP17832898.5A patent/EP3549184A4/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007121537A (ja) | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電気光学装置の製造方法 |
JP2010056017A (ja) | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
JP2014222592A (ja) | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US20160035807A1 (en) | 2013-09-27 | 2016-02-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled pixel structure and oled display device |
JP2016122612A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108123053A (zh) | 2018-06-05 |
JP2019536192A (ja) | 2019-12-12 |
US10468474B2 (en) | 2019-11-05 |
EP3549184A1 (en) | 2019-10-09 |
WO2018099124A1 (en) | 2018-06-07 |
KR20180082418A (ko) | 2018-07-18 |
KR102058053B1 (ko) | 2019-12-20 |
EP3549184A4 (en) | 2020-09-30 |
US20190081120A1 (en) | 2019-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9985250B2 (en) | Organic light emitting device and display unit | |
US8648361B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP4573672B2 (ja) | 有機elパネル | |
JP4832781B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
US9012915B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
TWI279016B (en) | Display | |
JP4431125B2 (ja) | 平板ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
US9105875B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
US20080048561A1 (en) | Organic light emitting diode | |
US20060181204A1 (en) | Flexible organic light emitting devices | |
KR20160069627A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR101972169B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
KR20140014682A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 | |
JP7220564B2 (ja) | トップエミッション型oled表示基板、トップエミッション型oled表示装置、及びトップエミッション型oled表示基板の製造方法 | |
US20140014910A1 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
JP5127814B2 (ja) | 有機発光素子及びそれを利用した発光装置、表示装置 | |
JP4479171B2 (ja) | 表示素子 | |
KR101520489B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 | |
CN110199402B (zh) | 发光二极管及其制造方法、显示基板、显示设备 | |
KR101927207B1 (ko) | 유기발광다이오드표시장치 | |
US20220029135A1 (en) | Spatial optical differentiators and layer architectures for oled display pixels | |
KR101866390B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102469294B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US9653707B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
TW202220205A (zh) | 用於oled顯示器像素之空間光學微分器及層構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210416 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211112 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20211112 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20211119 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20211124 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20211217 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20211221 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220913 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20221101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221102 |
|
C30 | Protocol of an oral hearing |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C30 Effective date: 20221130 |
|
C302 | Record of communication |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C302 Effective date: 20221130 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20221206 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20230110 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20230110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7220564 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |